JPH08227930A - Manufacturing system and manufacturing method - Google Patents

Manufacturing system and manufacturing method

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JPH08227930A
JPH08227930A JP7302228A JP30222895A JPH08227930A JP H08227930 A JPH08227930 A JP H08227930A JP 7302228 A JP7302228 A JP 7302228A JP 30222895 A JP30222895 A JP 30222895A JP H08227930 A JPH08227930 A JP H08227930A
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processing
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semiconductor wafer
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Mitsuru Ushijima
満 牛島
Masami Akumoto
正己 飽本
Osamu Hirakawa
修 平河
Yoshio Kimura
義雄 木村
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Abstract

PURPOSE: To select the processing, as required, by proving a first transfer arm for transferring an object while aligning individually, a second transfer means for receiving the object and transferring the object in X direction, and a plurality of processing chambers disposed along the transfer path. CONSTITUTION: A channel 102 is provided in the center of a base 101 and a unit 110 for transferring a wafer in Y direction is disposed in the channel 102. A wafer transfer mechanism 120 is disposed on the left side of the base 101 and provided with a wafer cassettes 122, 123 for containing unprocessed and processed semiconductor wafers WB, WF, respectively. A pincette 121 of the transfer mechanism 120 hand avers an unprocessed wafer WB to the pincettes 112, 113 of the transfer unit 110 and receives a processed wafer WF from the pincettes 132, 113. The semiconductor wafer W is passed through the processing stations 103-108 according to a predetermined order. Operation of the transfer unit 110 is entirely controlled by a control system.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】開示技術は、製造装置及び製造装
置技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The disclosed technology relates to a manufacturing apparatus and a manufacturing apparatus technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC等の半導体装置の製造には、シリコ
ンのような半導体単結晶のウエハーにトランジスタ等の
素子を形成するために、多数の微細加工工程が含まれ
る。その中で、ウエハーの表面に所定のレジストパター
ンを形成するPEP(photoengraving
process)は非常に重要な地位を占める。
2. Description of the Related Art The manufacture of semiconductor devices such as ICs involves numerous microfabrication steps in order to form elements such as transistors on a wafer of semiconductor single crystal such as silicon. Among them, PEP (photoengraving) for forming a predetermined resist pattern on the surface of a wafer.
process) occupies a very important position.

【0003】蓋し、該PEPで形成されるレジストパタ
ーンはエッチングマスク等として使用され、現在の微細
加工技術の基礎を提供するからである。
This is because the resist pattern formed of the PEP is used as an etching mask or the like and provides a basis for the current fine processing technology.

【0004】而して、該PEPにおけるレジストパター
ンの形成は、ウエハー表面にフォトレジストを塗布して
均一な膜厚のフォトレジスト膜を形成する工程と、該フ
ォトレジスト膜の所定領域を選択的に露光する工程と、
露光されたフォトレジスト膜を現像して所望のレジスト
パターンを形成する工程とからなる。
Thus, the formation of the resist pattern in the PEP is performed by applying a photoresist to the surface of the wafer to form a photoresist film having a uniform thickness, and selectively selecting a predetermined region of the photoresist film. The step of exposing
The exposed photoresist film is developed to form a desired resist pattern.

【0005】このうち露光工程は、例えば、ステップ・
アンド・リピート・アライナー(ステッパーと称され
る)等の露光装置を用いて行われ、他方、基板表面にフ
ォトレジスト膜を形成する工程は、例えば、以下に説明
する装置を用いて行われる。
Of these, the exposure process is, for example, a step
The step of forming a photoresist film on the surface of the substrate is performed by using an exposure apparatus such as an AND / repeat aligner (referred to as a stepper) or the like, for example, using an apparatus described below.

【0006】図7はトラック方式と呼ばれるフォトレジ
スト膜形成装置での処理手順を示すフローチャートであ
り、この装置は図示するようにそれぞれ予備加熱工程
4、冷却工程5、塗布工程6、加熱工程8を行う処理ス
テーションを有している。
FIG. 7 is a flow chart showing a processing procedure in a photoresist film forming apparatus called a track system. This apparatus includes a preheating step 4, a cooling step 5, a coating step 6, and a heating step 8, as shown in the drawing. It has a processing station to perform.

【0007】表面にフォトレジスト膜を形成すべき半導
体ウエハー1は、カセット状容器2に収納されてこの装
置に導入され、該半導体ウエハー1は一枚ずつカセット
2から取出され、ベルト搬送機構3により順次各処理ス
テーションに搬送され、所定の処理を施されるようにさ
れ、予備加熱工程4においては、ウエハー1は加熱によ
り水分を除去される。
A semiconductor wafer 1 on which a photoresist film is to be formed is housed in a cassette-shaped container 2 and introduced into this apparatus, and the semiconductor wafers 1 are taken out one by one from the cassette 2 by a belt transfer mechanism 3. The wafers 1 are sequentially transported to each processing station and subjected to a predetermined processing, and in the preheating step 4, the wafer 1 is heated to remove moisture.

【0008】予備加熱されたウエハー1は冷却工程5で
冷却された後、塗布工程6に送られ、該塗布工程6で
は、例えば、スピンナーコーター(spinner c
oater)等の塗布装置により、該ウエハー1の表面
にフォトレジストが均一に塗布され、該フォトレジスト
を塗布されたウエハー1はウォーキングビーム方式と称
される搬送機構7を具備した加熱工程8に送られ、該加
熱工程8で加熱されることにより、ウエハー1に塗布さ
れたフォトレジスト液は膜状に安定化される。
The wafer 1 which has been preheated is cooled in a cooling step 5 and then sent to a coating step 6. In the coating step 6, for example, a spinner coater (spinner c) is used.
The photoresist 1 is uniformly coated on the surface of the wafer 1 by a coating device such as a water heater, and the wafer 1 coated with the photoresist is sent to a heating step 8 equipped with a transport mechanism 7 called a walking beam system. By being heated in the heating step 8, the photoresist liquid applied to the wafer 1 is stabilized in a film form.

【0009】そして、加熱工程8を終了し、表面に初期
のフォトレジスト薄膜が形成されたウエハー9はベルト
搬送機構3により、処理済みウエハー9を収納するため
のカセット10に収納される。
After the heating step 8 is completed, the wafer 9 having the initial photoresist thin film formed on the surface thereof is accommodated in the cassette 10 for accommodating the processed wafer 9 by the belt transport mechanism 3.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の装
置においてはそれぞれの独立した処理ステーションが直
列に配置され、処理されるべき半導体ウエハー1はこれ
らのステーションを所定の順序で、且つ、一方通行で必
ず通り、必要の有無に関係なく処理を受けなければなら
ないようになっており、このため、一旦設定された処理
順序を任意に変更することは出来ず、又、ある処理ステ
ーションだけを選択的に通過させることも不可能である
という欠点があった。
As described above, in the conventional apparatus, the independent processing stations are arranged in series, and the semiconductor wafer 1 to be processed has these stations in a predetermined order and It is necessary to pass the traffic without fail, regardless of whether it is necessary or not. Therefore, it is not possible to arbitrarily change the processing sequence once set, and only select a certain processing station. There was a drawback that it was not possible to pass it through.

【0011】これを対し、半導体ウエハー1に半導体素
子を形成するに、必要な処理工程はその順序も含めて該
半導体ウエハー1に形成されるICの種類によって変わ
るにもかかわらず、上述従来のフォトレジスト膜形成装
置では、ある処理工程が不要な半導体ウエハー1につい
ても全ての処理工程を実施せざるを得ないため、スルー
プット性を向上する妨げとなっている難点があった。
On the other hand, in order to form a semiconductor element on the semiconductor wafer 1, the processing steps required, including the order thereof, vary depending on the type of IC formed on the semiconductor wafer 1, but the above-mentioned conventional photolithography process is performed. In the resist film forming apparatus, there is no choice but to perform all the processing steps even on the semiconductor wafer 1 that does not require a certain processing step, which is a drawback that improves the throughput.

【0012】したがって、処理すべき半導体ウエハー1
の種類に応じ、装置に設けられた処理ステーションのう
ち、いずれの処理ステーションをどの順序で使用するか
を任意に変更出来る装置が望まれているがこれに応える
装置が案出されていなかった。
Therefore, the semiconductor wafer 1 to be processed
There is a demand for an apparatus capable of arbitrarily changing which processing station is to be used in which order among processing stations provided in the apparatus according to the type, but an apparatus which meets this has not been devised.

【0013】この出願の発明の目的は上述の従来事情に
対処してなされたもので、処理工程5必要に応じ選択的
に変更が可能で処理のスループット性が高い製造装置を
提供せんとするものである。
The object of the invention of this application is to solve the above-mentioned conventional circumstances, and to provide a manufacturing apparatus which can be selectively changed as necessary in the processing step 5 and has high processing throughput. Is.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上述目的に沿い先述特許
請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成は、前述
課題を解決するために、第1の発明は被処理体を一枚毎
にアライメントするアライメント手段に前記被処理体を
搬送する第一の搬送アームと、前記アライメント手段の
被処理体を受け取って共通搬送路に沿ってX方向に移動
可能な被処理体の搬送を行う第二の搬送手段と、前記共
通搬送路に沿って両側に対向して配置された複数の処理
室とを備え、前記第一の搬送手段は、前記各処理室に対
向して位置決めされ、前記被処理体を前記各処理装置へ
搬送することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the first aspect of the present invention is based on the above-mentioned object. A first carrying arm for carrying the object to be processed to an alignment means for aligning the object to be processed, and a object for receiving the object to be processed by the alignment means and carrying the object to be processed movable in the X direction along a common carrying path. A second transfer means and a plurality of processing chambers arranged on both sides along the common transfer path so as to face each other, and the first transfer means is positioned so as to face each processing chamber, The processing body is conveyed to each of the processing devices.

【0015】第2の発明は、複数の被処理体を収納する
カセットを備え、このカセットから取り出した被処理体
を前記アライメント手段に、前記第一の搬送アームによ
り搬送することを特徴とする。
A second aspect of the invention is characterized by comprising a cassette for accommodating a plurality of objects to be processed, and the objects to be processed taken out from the cassette are transferred to the alignment means by the first transfer arm.

【0016】第3の発明は、前記第一の搬送アームは、
Y方向に移動可能であり、前記カセットをこの第一の搬
送アームの移動路に沿って複数載置可能であることを特
徴とする。
In a third aspect of the invention, the first transfer arm is
It is movable in the Y direction, and a plurality of the cassettes can be placed along the moving path of the first transfer arm.

【0017】第4の発明は、被処理体を保持して直線状
に移動する搬送装置と、この搬送装置の移動路に沿って
設けられた複数の処理ステーションと、前記搬送装置に
より被処理体を予め定められた工程順に従って前記処理
ステーションに搬送する手段と、この手段により搬送さ
れた各処理ステーションにおいて処理済被処理体を搬出
し、未処理被処理体を搬入する操作を前記搬送装置によ
り実行する手段とを具備してなることを特徴する。
In a fourth aspect of the present invention, a carrier device that holds an object to be processed and moves linearly, a plurality of processing stations provided along a moving path of the object, and the object to be processed by the carrier device. Means for transporting the processed object to the processing station in accordance with a predetermined process order, and an operation for carrying out the processed object to be processed and carrying in the unprocessed object at each processing station carried by the means by the carrying device. And means for executing.

【0018】第5の発明は、未処理被処理体の収納され
た容器から前記未処理被処理体を一枚ずつ搬出する工程
と、この工程により搬出された未処理被処理体を位置合
せする工程と、この工程により位置合せされた未処理被
処理体を直線状に搬送して第一の処理ステーションに移
動させ第一の処理済被処理体を搬出した後、未処理被処
理体を搬入する工程と、この工程により搬出した前記第
一の処理済被処理体を予め定められた第二の処理ステー
ションに移動し、第二の処理済被処理体の搬出後前記第
一の処理済被処理体を搬入する工程と、この工程の後前
記処理済被処理体を位置合せする工程と、この工程によ
り位置合せされた前記処理済被処理体を容器内に収納す
る工程とを具備してなることを特徴とする。
In a fifth aspect of the invention, a step of unloading the unprocessed objects one by one from the container in which the unprocessed objects are stored and the unprocessed objects unloaded by this step are aligned. After the process and the unprocessed object aligned by this step are conveyed linearly and moved to the first processing station to carry out the first processed object, the unprocessed object is carried in. And a step of moving the first processed object carried out by this step to a predetermined second processing station, and after carrying out the second processed object, the first processed object. The method further comprises a step of loading the processing object, a step of aligning the processed object to be processed after this step, and a step of storing the processed object to be processed, which has been aligned by this step, in a container. It is characterized by

【0019】第6の発明は、カセットに収納された被処
理体を搬入搬出すると共に、被処理体の位置決めを行う
搬入搬出機構と、この搬入搬出機構から被処理体を受け
取ると共に、直線状を往復移動して被処理体を搬送する
搬送機構と、この搬送機構が往復移動する直線状の移動
路の両側に設けられた複数の処理部と、これらの複数の
処理部に対して、処理の順序を任意に設定出来る制御機
構を設けたことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, the object to be processed stored in the cassette is carried in and out, and a carrying-in / carrying-out mechanism for positioning the object to be processed, and the object to be processed are received from the carrying-in / carrying-out mechanism, and the object is linear A transport mechanism that reciprocates to transport the object to be processed, a plurality of processing units provided on both sides of a linear movement path in which the transport mechanism reciprocates, and a processing unit that processes the plurality of processing units. It is characterized in that a control mechanism that can set the order arbitrarily is provided.

【0020】第7の発明は、カセットに収納された被処
理体を搬入搬出すると共に、被処理体の位置決めを行う
搬入搬出機構と、この搬入搬出機構から被処理体を受け
取ると共に、直線状を往復移動して被処理体を搬送する
搬送機構と、この搬送機構が往復移動する直線状の移動
路の片側に沿って設けられた少くとも1つの加熱処理部
と、この加熱処理部と対向する側に沿って設けられた少
くとも1つの処理液塗布部と、前記少くとも1つの加熱
処理部と前記少くとも1つの処理液塗布部に対して被処
理体を搬入搬出するに際し、処理済被処理体を搬出する
と共に、未処理被処理体を搬入する制御手段を設けたこ
とを特徴とする。
A seventh aspect of the invention is to carry in and carry out the object to be processed stored in the cassette and to carry out the positioning of the object to be processed, and to receive the object to be processed from the carrying in and out mechanism, and to form a linear shape. A transport mechanism that reciprocates to transport the object to be processed, at least one heat treatment unit provided along one side of a linear movement path in which the transport mechanism reciprocates, and the heat treatment unit that faces the heat treatment unit. At the time of carrying in and out the object to be processed with respect to at least one treatment liquid application section provided along the side, the at least one heat treatment section, and the at least one treatment solution application section, the treated object is processed. The present invention is characterized in that a control means is provided for carrying in the unprocessed object while carrying out the unprocessed object.

【0021】第8の発明は、被処理体が収納されたカセ
ットから搬入搬出機構により被処理体を搬出する工程
と、この被処理体を前記搬入搬出機構により位置決めし
た後、直線状の搬送路を往復移動する搬送機構に受け渡
す工程と、直線状の搬送路を移動して、直線状の搬送路
に沿って搬送する工程と、前記搬送機構によって前記直
線状の搬送路に沿って設けられた複数の処理ステーショ
ンに被処理体を搬入搬出する工程と、被処理体を搬入さ
れた後、処理ステーションにおいて被処理体に処理を行
う工程と、前記搬送機構から前記搬入搬出機構に被処理
体を受け渡す工程と、受け渡された被処理体を前記搬入
搬出機構によりカセットに収納する工程とからなること
を特徴とする技術的手段を講じたものである。
An eighth aspect of the present invention is a step of unloading an object to be processed from a cassette storing the object to be processed by a loading / unloading mechanism, and a linear transport path after positioning the object to be processed by the loading / unloading mechanism. Is provided along the linear transport path by the transport mechanism, a step of transferring the linear transport path to a reciprocating transport mechanism, a step of moving the linear transport path and transporting the linear transport path. A step of loading and unloading an object to be processed into a plurality of processing stations; a step of processing the object to be processed in the processing station after the object is loaded into the processing station; and an object to be processed from the transfer mechanism to the loading / unloading mechanism. The technical means is characterized in that it comprises a step of delivering and receiving, and a step of storing the delivered object to be processed in the cassette by the loading / unloading mechanism.

【0022】[0022]

【作用】而して、この出願の発明の処理装置では対向配
置された複数の工程間を選択して被処理体を搬送出来る
ようにした処理装置により、被処理体の種類に応じた処
理工程を選択し得るようにするものである。
Thus, in the processing apparatus of the invention of this application, the processing apparatus adapted to convey the object to be processed by selecting between a plurality of steps arranged opposite to each other can be used in accordance with the type of the object to be processed. Is to be selected.

【0023】[0023]

【実施例】以下、この出願の発明の処理装置を塗布現像
装置に適用した一実施例について図面を参照して説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the processing apparatus of the invention of this application is applied to a coating and developing apparatus will be described below with reference to the drawings.

【0024】図1はフォトレジスト膜の塗布現像装置1
00を示す平面図であり、図中101は装置本体の基台
である。該基台101の中央部には矢印Y方向(横方
向)に延設された通路102が設けられており、該通路
102の一方側には未処理の半導体ウエハーWを加熱し
て水分等を除去するためのHMDS処理を伴うか、又
は、単に加熱する予備加熱ステーション103、予備加
熱された該ウエハーWを冷却するための冷却ステーショ
ン104、例えば、フォトレジスト液を塗布した後のウ
エハーWを加熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成す
るために用いる垂直方向にそれぞれ2枚の加熱装置を有
する第1、及び、第2の加熱ステーション105,10
6が併置的に設けられている。
FIG. 1 shows a photoresist film coating and developing apparatus 1.
It is a top view showing 00, and 101 in the figure is a base of the apparatus main body. A passage 102 extending in the direction of the arrow Y (lateral direction) is provided in the center of the base 101, and an unprocessed semiconductor wafer W is heated on one side of the passage 102 to remove moisture and the like. A pre-heating station 103 that is accompanied by HMDS treatment for removal or is simply heated, a cooling station 104 for cooling the pre-heated wafer W, for example, heating the wafer W after applying a photoresist solution. Then, the first and second heating stations 105 and 10 each having two heating devices in the vertical direction used to form the dried photoresist film.
6 are provided side by side.

【0025】又、通路102の他方側には予備加熱、及
び、冷却を終了した半導体ウエハーWの表面に、例え
ば、フォトレジスト液を塗布するために用いる第1、及
び、第2の塗布ステーション107,108が設けられ
ている。
Further, on the other side of the passage 102, first and second coating stations 107 used for coating, for example, a photoresist solution on the surface of the semiconductor wafer W which has been preheated and cooled. , 108 are provided.

【0026】尚、当該図1では冷却ステーション10
4、及び、予備加熱ステーション103、第1,第2の
加熱ステーション105,106が図示の都合上平面的
に配置されているように示されてはいるが、これは便宜
上のもので実際には冷却ステーション104の上に予備
加熱ステーション103の加熱装置が上下に2枚設けら
れた積層構造となっている。
In FIG. 1, the cooling station 10 is used.
4 and the pre-heating station 103 and the first and second heating stations 105 and 106 are shown to be arranged in a plane for convenience of illustration, but this is for convenience and in fact It has a laminated structure in which two heating devices of the preheating station 103 are provided above and below the cooling station 104.

【0027】而して、通路102には該通路102内
を、例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆動機構
によってY方向に移動するハンドリング手段、例えば、
ウエハー搬送装置110が設けられており、該搬送装置
110はキャリッジ111を有し、該キャリッジ111
にはバキュームピンセット、例えば、半導体ウエハーW
を吸着保持するための2つのピンセット112,113
が上下に重畳されて取付けられ、該ピンセット112,
113はそれぞれ独立にX方向(縦方向)、Y方向(横
方向)に移動可能で、重畳されたピンセット112,1
13は同時にZ方向(垂直方向)にも平行移動が可能
で、又、θ方向に回動することが出来るようにされてお
り、該ピンセット112,113のこのような平行移
動、及び、回動を可能とするため、キャリッジ111に
はステッピングモータ、及び、これに連結されたボール
スクリュー等の図示しない駆動機構が設けられている。
In the passage 102, a handling means for moving the inside of the passage 102 in the Y direction by a driving mechanism (not shown) such as a ball screw, for example,
A wafer transfer device 110 is provided, and the transfer device 110 has a carriage 111.
Vacuum tweezers, for example, semiconductor wafer W
Tweezers 112 and 113 for adsorbing and holding
Are mounted so as to be superimposed on each other, and the tweezers 112,
113 are movable in the X direction (vertical direction) and Y direction (horizontal direction) independently of each other, and the superimposed tweezers 112, 1
13 is capable of parallel movement in the Z direction (vertical direction) at the same time, and is also rotatable in the θ direction. Such parallel movement and rotation of the tweezers 112 and 113 are performed. In order to enable the above, the carriage 111 is provided with a stepping motor and a drive mechanism (not shown) such as a ball screw connected to the stepping motor.

【0028】ピンセット112,113は一方のピンセ
ットでウエハーWを保持して処理ステーションに搬送
し、該処理ステーションに処理済ウエハーWF があった
時、他のピンセットで該処理済ウエハーWF をピックア
ップしセットするようにされ、搬送装置110はウエハ
ーWを前記の各処理ステーション103〜108に搬送
するために用いられる。
The tweezers 112 and 113 hold the wafer W by one of the tweezers and convey it to the processing station. When the processed wafer W F is present in the processing station, the other tweezers pick up the processed wafer W F. The transfer device 110 is used to transfer the wafer W to the processing stations 103 to 108.

【0029】基台101の左側にはウエハー搬入搬出機
構120が設けられており、該搬入搬出機構120には
処理前の半導体ウエハーWB を収容したウエハーカセッ
ト122、及び、処理後のウエハーWF を収容するウエ
ハーカセット123が設けられ、又、搬入搬出機構12
0はウエハーWの裏面を吸着保持するためのピンセット
121を具備しており、該ピンセット121は前記のピ
ンセット112,113と同様の構成により、X,Y方
向に平行移動が可能になっていて、該ピンセット121
は処理前のウエハーWB をカセット122から取出し、
又、処理済みのウエハーWF をウエハーカセット123
に収納する。
A wafer loading / unloading mechanism 120 is provided on the left side of the base 101, and the loading / unloading mechanism 120 includes a wafer cassette 122 accommodating unprocessed semiconductor wafers W B and a processed wafer W F. A wafer cassette 123 for accommodating the
0 has a tweezers 121 for sucking and holding the back surface of the wafer W. The tweezers 121 has the same structure as the tweezers 112 and 113, and can be moved in parallel in the X and Y directions. The tweezers 121
Removes the unprocessed wafer W B from the cassette 122,
In addition, the processed wafer W F is transferred to the wafer cassette 123.
To store.

【0030】而して、該搬入搬出機構120のピンセッ
ト121は処理前のウエハーWB を搬送装置110のピ
ンセット112,113に渡し、又、処理後のウエハー
Fをピンセット112,113から受け取るようにさ
れており、この受渡しを可能とするインターフェース機
構30が通路102と搬入搬出機構120との境界に設
けられている。
The tweezers 121 of the loading / unloading mechanism 120 transfers the unprocessed wafer W B to the tweezers 112 and 113 of the transfer device 110, and receives the processed wafer W F from the tweezers 112 and 113. The interface mechanism 30 that enables this delivery is provided at the boundary between the passage 102 and the carry-in / carry-out mechanism 120.

【0031】又、該搬送装置110のピンセット11
2,113は各処理ステーション103〜108との間
で半導体ウエハーWの受渡しを行うことによって該半導
体ウエハーWは所定の順序に従い、各処理ステーション
103〜108での処理を受けるようにされている。
Further, the tweezers 11 of the carrying device 110
The semiconductor wafers W and 113 are transferred to and from the processing stations 103 to 108 so that the semiconductor wafers W are processed in the processing stations 103 to 108 in a predetermined order.

【0032】そして、搬送装置110の動作は全て図示
しない制御システムによって制御されるようになってお
り、したがって、制御システムのプログラムを変更する
ことによって処理ステーション103〜108における
処理を任意に設定することが出来、即ち、処理ステーシ
ョン103〜108における処理の幾つかのみを行うこ
とも処理の順序を変更することも可能である。
All the operations of the carrier device 110 are controlled by a control system (not shown). Therefore, the processing in the processing stations 103 to 108 can be arbitrarily set by changing the program of the control system. That is, it is possible to perform only some of the processes in the processing stations 103 to 108 or change the order of the processes.

【0033】図2、及び、図3(A)〜図3(C)に上
記ピンセット112,113,121を詳細に記載して
おり、これの図において、21はピンセット本体であ
り、該ピンセット本体21には3つの支点22,23,
24が突設され、半導体ウエハーWはこれらの支点によ
って三点支持され、この三点支持は該ピンセット本体2
1の表面のコミの付着を防止する効果がある。
The tweezers 112, 113 and 121 are described in detail in FIG. 2 and FIGS. 3A to 3C. In the figure, 21 is a tweezer body, and the tweezer body is shown. 21 has three fulcrums 22, 23,
24 is provided so as to project, and the semiconductor wafer W is supported by these fulcrums at three points.
1 has the effect of preventing sticking of the surface.

【0034】これらの支点22〜24のうち、24には
その頂面に開口した真空吸着のための吸引口が設けられ
ている。
Of these fulcrums 22 to 24, 24 is provided with a suction port for vacuum suction which is opened on the top surface thereof.

【0035】又、半導体ウエハーWのアライメントのた
めに、該半導体ウエハーWの周縁に対応した円弧状のガ
イド部材25とストッパ部材26とが設けられており、
半導体ウエハーWは、まず、図3(A)に示す状態でピ
ンセット上に載置され、この状態では該半導体ウエハー
Wはアライメントされておらず、真空吸着もされていな
いが、次いで、図3(B)に示す様に、ピンセット本体
21をストッパ部材26に向けて水平に移動させ、半導
体ウエハーWのオリエンテーションフラットWa をスト
ッパ部材26に当接させ、その後、更に水平移動を続け
ることにより、該半導体ウエハーWはピンセット本体2
1の支点22〜24上をスライドし、最終的にはガイド
部材25に当接して停止する。
Further, for alignment of the semiconductor wafer W, an arc-shaped guide member 25 and a stopper member 26 corresponding to the periphery of the semiconductor wafer W are provided.
First, the semiconductor wafer W is placed on the tweezers in the state shown in FIG. 3A. In this state, the semiconductor wafer W is not aligned and is not vacuum-sucked. as shown in B), is moved horizontally toward the forceps body 21 to the stopper member 26, an orientation flat W a of the semiconductor wafer W is brought into contact with the stopper member 26, then, by further continuing the horizontal movement, the The semiconductor wafer W is the tweezers body 2
It slides on the fulcrums 22 to 24 of No. 1 and finally contacts the guide member 25 and stops.

【0036】したがって、もし図3(A)の状態で半導
体ウエハーWの位置がピンセット本体21の中央部から
ズレていたとしても、ガイド部材25に案内されること
によって、該ピンセット本体21中央の所定位置にアラ
イメントすることが出来る。
Therefore, even if the position of the semiconductor wafer W deviates from the central portion of the tweezer body 21 in the state of FIG. 3A, by being guided by the guide member 25, a predetermined center portion of the tweezer body 21 is obtained. Can be aligned in position.

【0037】図4は通路102とウエハー搬入搬出機構
120との境界に設けられたインターフェース機構30
を示しており、該インターフェース機構30はピンセッ
ト121とピンセット112,113との間で受渡しさ
れる半導体ウエハーWを一時待機させる機能を有し、真
空吸着機構により該半導体ウエハーWを保持する保持部
材31と該保持部材31を昇降させるための駆動装置
(例えばエアシリンダ)32とからなり、搬入搬出機構
120のピンセット121が図示の位置に半導体ウエハ
ーWを搬送してくると、保持部材32が上昇し、図示の
様に該半導体ウエハーWを持上げて保持するようにし、
次に、レジスト塗布現像装置100側のウエハー搬送装
置110が図示のインターフェース機構30の位置に移
動し、そして、保持部材31が下降することにより、該
保持部材31に保持されている半導体ウエハーWはピン
セット112、又は、113に載置され、該ピンセット
112,113からピンセット121への半導体ウエハ
ーWの受渡しも上述同様にして行われる。
FIG. 4 shows an interface mechanism 30 provided at the boundary between the passage 102 and the wafer loading / unloading mechanism 120.
The interface mechanism 30 has a function of temporarily holding the semiconductor wafer W transferred between the tweezers 121 and the tweezers 112 and 113, and a holding member 31 for holding the semiconductor wafer W by a vacuum suction mechanism. And a driving device (for example, an air cylinder) 32 for moving the holding member 31 up and down. When the tweezers 121 of the loading / unloading mechanism 120 carry the semiconductor wafer W to the position shown in the figure, the holding member 32 rises. , The semiconductor wafer W is lifted and held as shown in the figure,
Next, the wafer transfer device 110 on the resist coating / developing device 100 side moves to the position of the interface mechanism 30 shown in the figure, and the holding member 31 descends, so that the semiconductor wafer W held by the holding member 31 is removed. The semiconductor wafer W is placed on the tweezers 112 or 113, and the semiconductor wafer W is transferred from the tweezers 112, 113 to the tweezers 121 in the same manner as described above.

【0038】次に、上述実施例の装置100によって半
導体ウエハーWの表面にフォトレジスト膜を形成する工
程を順を追って説明すると、該工程は既述の制御システ
ムの予め記憶されたプログラムに基づいて実施される。
Next, the step of forming a photoresist film on the surface of the semiconductor wafer W by the apparatus 100 of the above-described embodiment will be described step by step. The step is based on the program stored in advance in the control system described above. Be implemented.

【0039】まず、搬入搬出機構120のピンセット1
21によりカセット122から半導体ウエハーWを1枚
取出し、インターフェース機構30の位置まで搬送し、
搬送されてきた該半導体ウエハーWは該インターフェー
ス機構30を介して通路102の左端に待機している搬
送装置110の一方のピンセット、例えば、ピンセット
112に渡され吸着保持されるが、この際、1つのカセ
ット122に同一種の半導体ウエハーWのみが収納され
ている場合には、カセット122にIDコードを表示
し、該IDコードを読取って製造工程プログラムを選択
するようにしても良い。
First, the tweezers 1 of the loading / unloading mechanism 120.
21, one semiconductor wafer W is taken out from the cassette 122 and is transported to the position of the interface mechanism 30.
The transferred semiconductor wafer W is transferred to one of the tweezers, for example, the tweezers 112 of the transfer device 110 waiting at the left end of the passage 102 via the interface mechanism 30 and is adsorbed and held. When only one semiconductor wafer W of the same type is stored in one cassette 122, the ID code may be displayed on the cassette 122 and the manufacturing process program may be selected by reading the ID code.

【0040】以下、予備加熱ステーション103、冷却
ステーション104、第1の塗布ステーション107、
第1の加熱ステーション105での処理がこの順序で選
択された場合について説明する。
Hereinafter, the preheating station 103, the cooling station 104, the first coating station 107,
The case where the processing in the first heating station 105 is selected in this order will be described.

【0041】まず、半導体ウエハーWを受取ったピンセ
ット112を予備加熱ステーション103に向かって移
動させ、該半導体ウエハーWを予備加熱ステーション1
03にセットして予備加熱するが、当該予備加熱はヒー
タプレートにより構成し、該半導体ウエハーWを該ヒー
タプレート上に載置するようにし、この時、該半導体ウ
エハーWは該ヒータプレート上に直接接触させず、三点
支持により0.3mm程度浮かせるとゴミ対策が良好で
ある。
First, the tweezers 112 having received the semiconductor wafer W is moved toward the preheating station 103, and the semiconductor wafer W is moved to the preheating station 1.
No. 03 is set and preheating is performed. The preheating is configured by a heater plate, and the semiconductor wafer W is placed on the heater plate. At this time, the semiconductor wafer W is directly placed on the heater plate. It is good to take measures against dust if it is raised about 0.3 mm by three-point support without contact.

【0042】この間にピンセット121を移動させて2
番目の半導体ウエハーWをカセット122から取出し、
前記インターフェース機構30に待機させておくように
し、最初の半導体ウエハーWを予備加熱ステーション1
03に搬入し終った後、搬送装置110は該インターフ
ェース機構30から2番目の半導体ウエハーWをピンセ
ット112で受取り、該ピンセット112上に吸着保持
するようにし、該予備加熱ステーション103での最初
の半導体ウエハーWの処理が終了するまでそのまま待機
する。
During this time, the tweezers 121 is moved to 2
The second semiconductor wafer W is taken out from the cassette 122,
The interface mechanism 30 is made to stand by and the first semiconductor wafer W is preheated to the preheating station 1
03, the transfer device 110 receives the second semiconductor wafer W from the interface mechanism 30 with the tweezers 112, and holds the second semiconductor wafer W by suction on the tweezers 112. The process waits until the processing of the wafer W is completed.

【0043】該最初の半導体ウエハーWの予備加熱処理
が終了した時、搬送装置110は次の動作を行い、即
ち、まず半導体ウエハーWを保持していないピンセット
113を移動させることにより、予備加熱処理が終了し
た最初の半導体ウエハーWを予備加熱ステーション10
3から取出す。
When the preliminary heating process of the first semiconductor wafer W is completed, the transfer device 110 performs the following operation, that is, first, the tweezers 113 not holding the semiconductor wafer W are moved to perform the preliminary heating process. The pre-heating station 10 for the first semiconductor wafer W which has been finished
Take out from 3.

【0044】こうして該予備加熱ステーション103を
空にした後、2番目の半導体ウエハーWを保持している
ピンセット112を動作させ、2番目の半導体ウエハー
Wを予備加熱ステーション103にセットし、次いで、
ピンセット112,113をY方向,θ方向,Z方向に
移動し、冷却ステーション104位置に移動し、基板を
保持したピンセット113をX方向に動作し、この最初
の半導体ウエハーWを該冷却ステーション104にセッ
トする。
After emptying the preheating station 103 in this way, the tweezers 112 holding the second semiconductor wafer W are operated to set the second semiconductor wafer W in the preheating station 103, and then,
The tweezers 112 and 113 are moved in the Y direction, the θ direction, and the Z direction to the position of the cooling station 104, the tweezers 113 holding the substrate are operated in the X direction, and the first semiconductor wafer W is moved to the cooling station 104. set.

【0045】この動作から2つのピンセット112,1
13を設けた利点が理解される。即ち、ピンセットが1
つしかない場合には、搬送装置110はまず最初の半導
体ウエハーWを予備加熱ステーション103から取出
し、これを冷却ステーション104にセットし、その後
にインターフェース機構30から2番目の半導体ウエハ
ーWを受取ってこれを予備加熱ステーション103にセ
ットする動作を行わなければならない。
From this operation, two tweezers 112, 1
The advantage of providing 13 is understood. That is, tweezers is 1
If there is only one, the transfer device 110 first takes out the first semiconductor wafer W from the preheating station 103, sets it in the cooling station 104, and then receives the second semiconductor wafer W from the interface mechanism 30 and receives it. Must be set in the preheating station 103.

【0046】尚、上述の動作が行われている間に、搬入
搬出機構120ではピンセット121により次に処理す
る3番目の半導体ウエハーWをインターフェース機構3
0に待機させておく。
It should be noted that while the above-described operation is being performed, in the carry-in / carry-out mechanism 120, the third semiconductor wafer W to be processed next by the tweezers 121 is used as the interface mechanism 3.
Let's wait for 0.

【0047】次に、搬送装置110は該インターフェー
ス機構30から3番目の半導体ウエハーWをピンセット
112に保持し、そして、冷却ステーション104での
処理が終了するまで待機させる。
Next, the transfer device 110 holds the third semiconductor wafer W from the interface mechanism 30 in the tweezers 112, and waits until the processing in the cooling station 104 is completed.

【0048】而して、最初の半導体ウエハーWの冷却工
程が終了した時、搬送装置110は半導体ウエハーWを
保持していない方のピンセット113で該冷却ステーシ
ョン104内の半導体ウエハーWを取出し、次にプログ
ラムされたフォトレジストの塗布工程のための第1の塗
布ステーション107にセットし、この塗布処理の間に
予備加熱ステーション103における2番目の半導体ウ
エハーWの処理が終了したら、搬送装置110は該半導
体ウエハーWを保持していない方のピンセット113に
よってこの半導体ウエハーWを予備加熱ステーション1
03から取出し、ピンセット112に保持している3番
目の半導体ウエハーWを予備加熱ステーション103に
セットすると同時に、ピンセット113に保持している
2番目の半導体ウエハーWを冷却ステーション104に
セットするが、この動作は既述した態様と同じである。
When the first semiconductor wafer W cooling process is completed, the carrier device 110 takes out the semiconductor wafer W in the cooling station 104 with the tweezers 113 that does not hold the semiconductor wafer W, and When the second semiconductor wafer W is set in the first coating station 107 for the photoresist coating process programmed in step (1) and the preheating station 103 is finished during this coating process, the transfer device 110 is The semiconductor wafer W is preheated by the tweezers 113 which does not hold the semiconductor wafer W.
03, and the third semiconductor wafer W held in the tweezers 112 is set in the preheating station 103, and at the same time, the second semiconductor wafer W held in the tweezers 113 is set in the cooling station 104. The operation is the same as that described above.

【0049】尚、もし最初の半導体ウエハーWの冷却工
程が終了する前に、2番目の半導体ウエハーWの予備加
熱処理が終了する場合には、次のような動作を行うよう
にプログラムすることも可能である。
If the preheating process for the second semiconductor wafer W is completed before the completion of the cooling process for the first semiconductor wafer W, the following operation may be performed. It is possible.

【0050】即ち、まず3番目の未処理の半導体ウエハ
ーWをピンセット112に保持した状態で、ピンセット
113により2番目の半導体ウエハーWを予備加熱ステ
ーション103から取出し、続いてピンセット112に
保持されている3番目の半導体ウエハーWを予備加熱ス
テーション103にセットした後待機する。
That is, first, with the third unprocessed semiconductor wafer W held in the tweezers 112, the second semiconductor wafer W is taken out from the preheating station 103 by the tweezers 113 and then held in the tweezers 112. After the third semiconductor wafer W is set in the preheating station 103, it stands by.

【0051】そして、冷却ステーション104における
最初の半導体ウエハーWの冷却工程が終了した後、この
最初の半導体ウエハーWをピンセット112、又は、1
13で取出し、第1の塗布ステーション107にセット
するが、この塗布は、例えば、レジスト液を滴下スピン
コーティング装置により実行する。
After the cooling process of the first semiconductor wafer W in the cooling station 104 is completed, the first semiconductor wafer W is attached to the tweezers 112 or 1.
It is taken out at 13 and set in the first coating station 107. This coating is performed by, for example, a resist solution dropping spin coating apparatus.

【0052】而して、第1の塗布ステーション107に
おいて最初の半導体ウエハーWに対するフォトレジスト
の塗布処理が終了した時、搬送装置110はピンセット
113によりこの半導体ウエハーWを第1の塗布ステー
ション107から取出し、続いてY方向に沿って右側に
移動し、取出した最初の半導体ウエハーWを第1の加熱
ステーション105にセットして加熱処理を行い、当該
加熱処理を行っている間に冷却ステーション104内で
の2番目の半導体ウエハーWの冷却処理が終了したら、
搬送装置110はこの半導体ウエハーWをピンセット1
13にて取出し、更に第1の塗布ステーション107に
セットしてフォトレジストの塗布を開始する。
When the first photoresist coating process on the semiconductor wafer W is completed in the first coating station 107, the carrier device 110 takes out the semiconductor wafer W from the first coating station 107 with tweezers 113. Then, the semiconductor wafer W is moved to the right along the Y direction, and the first semiconductor wafer W taken out is set in the first heating station 105 to perform the heat treatment, and in the cooling station 104 during the heat treatment. After the cooling process of the second semiconductor wafer W of
The carrier 110 uses the semiconductor wafer W for tweezers 1
It is taken out at 13, and is set in the first coating station 107 to start coating the photoresist.

【0053】そして、第1の加熱ステーション105に
於て最初の半導体ウエハーWの処理が終了し、所望のフ
ォトレジスト膜が形成されたら、搬送装置110はこの
最初の半導体ウエハーWをピンセット113にて取出
し、続いて、搬送装置110はY方向左側に移動し、ピ
ンセット113に保持した半導体ウエハーWを前記のイ
ンターフェース機構30に渡す。
Then, when the first semiconductor wafer W has been processed in the first heating station 105 and a desired photoresist film has been formed, the carrier device 110 uses the tweezers 113 for the first semiconductor wafer W. Then, the transfer device 110 moves to the left in the Y direction, and transfers the semiconductor wafer W held by the tweezers 113 to the interface mechanism 30.

【0054】該インターフェース機構30での待機中、
半導体ウエハーWを直接載置部に接触させず、僅かに浮
かせて載置することがゴミ対策上有効であり、又、待機
機構はキャリアカセットにより構成すると更に有利であ
る。
During standby in the interface mechanism 30,
It is effective to mount the semiconductor wafer W in a slightly floating state without directly contacting the mounting part, and it is more advantageous to form the standby mechanism by a carrier cassette.

【0055】このようにして処理済みの半導体ウエハー
F がインターフェース機構30に待機されると、搬入
搬出機構120のピンセット121がこの半導体ウエハ
ーWF を受取り、カセット123に収納する。
When the semiconductor wafer W F thus processed is waited by the interface mechanism 30, the tweezers 121 of the loading / unloading mechanism 120 receives the semiconductor wafer W F and stores it in the cassette 123.

【0056】以上述べた一連の処理動作はカセット12
2内の未処理の半導体ウエハーWBがなくなるまで続け
られる。
The series of processing operations described above is performed by the cassette 12
This is continued until the unprocessed semiconductor wafer W B in 2 is exhausted.

【0057】尚、上述の動作説明では第1の塗布ステー
ション107と第1の加熱ステーション105とを用い
たが、これらの代わりに第2の塗布ステーション10
8、及び、第2の加熱ステーション106を使用しても
良いし、又、フォトレジストの塗布工程及び/又は加熱
工程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、2つの
塗布ステーション107,108及び/又は2つの加熱
ステーション105,106を同時に使用することも可
能である。
Although the first coating station 107 and the first heating station 105 are used in the above description of the operation, the second coating station 10 is used instead of them.
8 and a second heating station 106 may be used, or two coating stations 107, 107 if the photoresist coating and / or heating steps take longer than other steps. It is also possible to use 108 and / or the two heating stations 105, 106 simultaneously.

【0058】ところで、上述のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、1枚の半導体ウエハ
ーWについて試しに処理を行ってみるのが普通であり、
この場合、試しの処理が終了したテストウエハーWT
検査のためにカセット121から取出す必要があるが、
この取出しを容易にするため、図5に示す様に、カセッ
ト123の基部に引出し可能なレシーバ40を設けるの
が好ましく、該レシーバ40の一端には取手41を設
け、内部にはウエハー載置台42を設けておくように
し、試しの処理を終了したテストウエハーWT はピンセ
ット121によって開口部43から挿入され、載置台4
2に載せられ、したがって、該テストウエハーWT はレ
シーバ40を図示のように引出すことによって容易に取
出すことが出来る。
By the way, when carrying out the above-mentioned photoresist film forming step, in order to confirm whether or not the programmed process is appropriate, one semiconductor wafer W is tentatively processed. Is normal,
In this case, it is necessary to take out the test wafer W T for which the trial processing has been completed from the cassette 121 for inspection.
In order to facilitate this taking out, as shown in FIG. 5, it is preferable to provide a retractable receiver 40 at the base of the cassette 123, a handle 41 is provided at one end of the receiver 40, and a wafer mounting table 42 is provided inside. The test wafer W T , for which the trial processing has been completed, is inserted from the opening 43 by the tweezers 121, and the mounting table 4
2 and thus the test wafer W T can be easily removed by pulling out the receiver 40 as shown.

【0059】尚、上述の動作説明では第1の塗布ステー
ション107と第1の加熱ステーション105とを用い
たが、これらの代わりに、第2の塗布ステーション10
8、及び、第2の加熱ステーション106を使用しても
良く、又、フォトレジストの塗布工程及び/又は加熱工
程が他の工程に較べて時間がかかる場合には、2つの塗
布ステーション107,108及び/又は2つの加熱ス
テーション105,106を同時に使用することも可能
である。
Although the first coating station 107 and the first heating station 105 are used in the above description of the operation, instead of these, the second coating station 10 is used.
8 and a second heating station 106 may be used, or two coating stations 107, 108 if the photoresist coating and / or heating steps are time consuming compared to other steps. And / or it is also possible to use the two heating stations 105, 106 simultaneously.

【0060】以上の動作説明から明らかなように、上述
実施例の装置によれば半導体ウエハーの表面にフォトレ
ジスト膜を形成するために必要な複数の工程を、その順
序をも含めた任意に組合せて最良の工程をプログラムす
ることが出来、したがって、処理すべき半導体ウエハー
の種類に応じて最も効率の良い組合せプロセスを選択
し、最大のスループットを得ることが出来る。
As is clear from the above description of the operation, according to the apparatus of the above-described embodiment, the plurality of steps required for forming the photoresist film on the surface of the semiconductor wafer are arbitrarily combined, including the order thereof. Therefore, the best process can be programmed, so that the most efficient combination process can be selected according to the kind of semiconductor wafer to be processed and the maximum throughput can be obtained.

【0061】又、搬送装置110が2つのピンセット1
12,113を有し、それぞれ独立の動作をすることか
ら、処理の自由度が高く、例えば、次工程のステーショ
ンに半導体ウエハーWが存在していると、その工程は半
導体ウエハーWの入替えが出来ないといった不都合がな
い。
Further, the carrier device 110 has two tweezers 1
Since the semiconductor wafers W and H have the same numbers 12 and 113 and operate independently of each other, the degree of freedom of processing is high. There is no inconvenience.

【0062】尚、搬送機構110のピンセットは必ずし
も2つである必要はなく、3つ以上であっても良い。
The tweezers of the transport mechanism 110 need not necessarily be two, and may be three or more.

【0063】更に、各処理ステーションを通路102に
沿ってその両側に配設しているため、搬送装置110の
動作プログラムを変更する際の自由度が極めて高く、し
たがって、処理プログラムの変更が容易であり、又、予
備加熱ステーション103と冷却ステーション104と
を上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積
も節減される。
Further, since the processing stations are arranged along the passage 102 on both sides thereof, the degree of freedom in changing the operation program of the transfer device 110 is extremely high, and therefore the processing program can be easily changed. In addition, since the preheating station 103 and the cooling station 104 are vertically stacked, the floor area required for installation can be reduced.

【0064】上述の実施例の装置は、所定のパターンで
露光されたフォトレジスト膜を現像し、レジストパター
ンを形成する装置としても使用することが出来、その場
合、塗布ステーション107,108に現像液を塗布す
る装置も設けられており、現像装置は、例えば、変速回
転中の半導体ウエハーW上に現像液をジェット状に噴出
させて現像する構成としても良いものである。
The apparatus of the above-described embodiment can also be used as an apparatus for developing a photoresist film exposed with a predetermined pattern to form a resist pattern. In that case, the developing solution is applied to the coating stations 107 and 108. There is also provided a device for coating the developing device, and the developing device may be configured, for example, to eject the developing solution in the form of a jet onto the semiconductor wafer W that is rotating at variable speed to develop the developing solution.

【0065】又、2つの塗布ステーション107,10
8のいずれか一方をフォトレジストの塗布に用い、他方
を現像液の塗布に用いることによりフォトレジスト膜の
形成、及び、現像の両方を行う装置として使用すること
が出来、その際、通路102の右端にも図4の様なイン
ターフェース機構30を設け、露光装置との間で半導体
ウエハーWの受渡しを行えるようにすることにより、レ
ジスト塗布から現像までを一貫した連続プロセスとして
実施することも出来る。
The two coating stations 107 and 10
By using either one of 8 for photoresist coating and the other for developing solution coating, it can be used as an apparatus for both photoresist film formation and development. By providing the interface mechanism 30 as shown in FIG. 4 also on the right end so that the semiconductor wafer W can be delivered to and from the exposure apparatus, it is possible to carry out from resist coating to development as a consistent continuous process.

【0066】尚、処理ユニットを複数連設したい場合に
は、通路102の延長線上に次の通路が形成されるよう
に構成し、この接続部に半導体ウエハーWの待機機構、
例えば、キャリアステーションを設けると良い。
When a plurality of processing units are desired to be provided in series, the following passage is formed on the extension of the passage 102, and a standby mechanism for the semiconductor wafer W is provided at this connection portion.
For example, a carrier station may be provided.

【0067】即ち、例えば、図6に示す様に、カセット
122,123内の半導体ウエハーWを搬出、或いは、
カセット122,123内へ搬入するアーム120aを
有する搬入搬出機構120と、インターフェース機構3
0で半導体ウエハーWの受渡しを行う搬送装置110a
を有する第1の処理系150により上述したような動作
で各処理を行い、例えば、この第1の処理系150にH
MDS(ヘキサメチルジシラザン)処理ステーション1
51、第1の加熱ステーション152、第1の冷却ステ
ーション153、第1層目のレジストを回転塗布する第
1の塗布ステーション154、第2層目のレジストを回
転塗布する第2の塗布ステーション155を設け、これ
ら各ステーションに選択的に半導体ウエハーWを搬送し
て処理を行い、更に、複数の処理ステーション、例え
ば、第2の加熱ステーション156、第2の冷却ステー
ション157、露光工程時の光乱反射を防止するために
レジスト上面にCEL膜等の表面被覆層を塗布形成する
第3の塗布ステーション158等がそれぞれ対向配置さ
れ、且つ、これら各ステーションに半導体ウエハーWを
搬送する搬送装置110bを備えた第2の処理系159
を設け、該第2の処理系159、及び、第1の処理系1
50の間に待機機構160を配置させ、該待機機構16
0には半導体ウエハーW1枚を載置出来る載置台161
を設け、上記インターフェース機構30における半導体
ウエハーの受渡しと同様に、上記載置台161を利用し
て第1の処理系150の搬送装置110aと第2の処理
系159の搬送装置110bとの間で該半導体ウエハー
Wの受渡しを行うようにするが、該待機機構160の構
成は載置台161を設けずにバッファー用カセット(図
示せず)を設け、該カセットにより複数枚の半導体ウエ
ハーWを待機出来る構造としても良く、該バッファー用
カセットにより、搬送機構110a、及び、搬送機構1
10bの作業量の差があっても、一方の搬送機構が待機
する時間を少くすることが可能となる。
That is, for example, as shown in FIG. 6, the semiconductor wafer W in the cassettes 122 and 123 is unloaded, or
A loading / unloading mechanism 120 having an arm 120a for loading into the cassettes 122 and 123, and an interface mechanism 3
Transfer device 110a for transferring the semiconductor wafer W at 0
Each processing is performed by the first processing system 150 having the above-described operation by the above-described operation.
MDS (hexamethyldisilazane) processing station 1
51, a first heating station 152, a first cooling station 153, a first coating station 154 for spin-coating the first layer resist, and a second coating station 155 for spin-coating the second layer resist. The semiconductor wafer W is selectively conveyed to each of these stations for processing, and further, a plurality of processing stations, for example, a second heating station 156, a second cooling station 157, and diffused light reflection during the exposure process. A third coating station 158 or the like for coating and forming a surface coating layer such as a CEL film on the upper surface of the resist is arranged to face each other, and a transport device 110b for transporting the semiconductor wafer W is provided to each of these stations. Second processing system 159
And the second processing system 159 and the first processing system 1 are provided.
The standby mechanism 160 is arranged between the 50 and the standby mechanism 16
0 is a mounting table 161 on which one semiconductor wafer W can be mounted.
Is provided between the transfer device 110a of the first processing system 150 and the transfer device 110b of the second processing system 159 by using the mounting table 161 in the same manner as the semiconductor wafer delivery in the interface mechanism 30. The semiconductor wafer W is delivered and received, but the structure of the standby mechanism 160 is such that a buffer cassette (not shown) is provided without providing the mounting table 161, and a plurality of semiconductor wafers W can be standby by the cassette. Alternatively, the transport mechanism 110a and the transport mechanism 1 may be provided by the buffer cassette.
Even if there is a difference in the work amount of 10b, it is possible to reduce the waiting time of one of the transport mechanisms.

【0068】このように待機機構160を介して搬送機
構を2系統とすることにより、処理ステーションの増加
に容易に対応出来ると共に、高スループット処理が可能
となる。
By using two transfer mechanisms via the standby mechanism 160 as described above, it is possible to easily cope with an increase in the number of processing stations and to realize high throughput processing.

【0069】そして、上記搬送機構は2系統に限定する
ものではなく、3系統以上としても良く、待機機構の増
設に伴って増加させることが出来る。
The transfer mechanism is not limited to two systems, but may be three or more systems, and the number can be increased as the standby mechanism is added.

【0070】上述実施例では、製造装置としてレジスト
の塗布現像処理に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えば、エッチング処理、C
VD処理、アッシング処理等では同様な効果が得られ
る。
In the above-described embodiment, the example in which the manufacturing apparatus is applied to the resist coating / developing process has been described, but the invention is not limited to this.
Similar effects can be obtained by VD processing, ashing processing, and the like.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上、説明したようにこの出願の発明に
よれば、各種プロセスに対応出来ると共に、処理のスル
ープット性を高くすることが出来る。
As described above, according to the invention of this application, it is possible to deal with various processes and to enhance the throughput of processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この出願の発明の装置の1実施例を説明するた
めの塗布現像装置の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a coating and developing apparatus for explaining an embodiment of an apparatus of the invention of this application.

【図2】図1のピンセット説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of the tweezers of FIG.

【図3】図1のピンセット説明図である。3 is an explanatory view of the tweezers of FIG. 1. FIG.

【図4】図1装置のインターフェース機構説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram of an interface mechanism of the apparatus shown in FIG.

【図5】図1のカセット説明図である。5 is an explanatory view of the cassette of FIG. 1. FIG.

【図6】この出願の発明の装置の他の実施例の説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory view of another embodiment of the device of the invention of this application.

【図7】従来の塗布装置の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional coating device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

110 搬送装置 112,113 ピンセット 120 搬入搬出機構 160 待機機構 110 carrier device 112, 113 tweezers 120 carry-in / carry-out mechanism 160 standby mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平河 修 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内 (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Osamu Hirakawa 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Ter Ter Kyushu Co., Ltd. Within

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被処理体を一枚毎にアライメントするアラ
イメント手段に前記被処理体を搬送する第一の搬送アー
ムと、 前記アライメント手段の被処理体を受け取って共通搬送
路に沿ってX方向に移動可能な被処理体の搬送を行う第
二の搬送手段と、 前記共通搬送路に沿って両側に対向して配置された複数
の処理室とを備え、 前記第一の搬送手段は、前記各処理室に対向して位置決
めされ、前記被処理体を前記各処理装置へ搬送すること
を特徴とする製造装置。
1. A first transfer arm for transferring the object to be processed to an alignment means for aligning the object to be processed one by one, and an object to be processed by the alignment means for receiving the object to be processed and an X direction along a common transfer path. A second transfer means for carrying a movable object to be processed, and a plurality of processing chambers arranged facing each other along the common transfer path, wherein the first transfer means is A manufacturing apparatus, which is positioned to face each processing chamber and conveys the object to be processed to each processing apparatus.
【請求項2】複数の被処理体を収納するカセットを備
え、 このカセットから取り出した被処理体を前記アライメン
ト手段に、前記第一の搬送アームにより搬送することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の製造装置。
2. A cassette for accommodating a plurality of objects to be processed, wherein the objects to be processed taken out from the cassette are transferred to the alignment means by the first transfer arm. The manufacturing apparatus according to item 1.
【請求項3】前記第一の搬送アームは、Y方向に移動可
能であり、前記カセットをこの第一の搬送アームの移動
路に沿って複数載置可能であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の製造装置。
3. The first transfer arm is movable in the Y direction, and a plurality of the cassettes can be placed along the moving path of the first transfer arm. Manufacturing apparatus according to claim 1.
【請求項4】被処理体を保持して直線状に移動する搬送
装置と、 この搬送装置の移動路に沿って設けられた複数の処理ス
テーションと、 前記搬送装置により被処理体を予め定められた工程順に
従って前記処理ステーションに搬送する手段と、 この手段により搬送された各処理ステーションにおいて
処理済被処理体を搬出し、未処理被処理体を搬入する操
作を前記搬送装置により実行する手段とを具備してなる
ことを特徴する製造装置。
4. A transfer device which holds an object to be processed and linearly moves, a plurality of processing stations provided along a moving path of the transfer device, and the object to be processed is predetermined by the transfer device. Means for carrying to the processing station according to the order of the steps, and means for carrying out an operation for carrying out the processed object and carrying in the unprocessed object at each processing station carried by the means by the carrying device. A manufacturing apparatus comprising:
【請求項5】未処理被処理体の収納された容器から前記
未処理被処理体を一枚ずつ搬出する工程と、 この工程により搬出された未処理被処理体を位置合せす
る工程と、 この工程により位置合せされた未処理被処理体を直線状
に搬送して第一の処理ステーションに移動させ第一の処
理済被処理体を搬出した後、未処理被処理体を搬入する
工程と、 この工程により搬出した前記第一の処理済被処理体を予
め定められた第二の処理ステーションに移動し、第二の
処理済被処理体の搬出後前記第一の処理済被処理体を搬
入する工程と、 この工程の後前記処理済被処理体を位置合せする工程
と、 この工程により位置合せされた前記処理済被処理体を容
器内に収納する工程とを具備してなることを特徴とする
製造方法。
5. A step of unloading the unprocessed objects one by one from a container accommodating the unprocessed objects, and a step of aligning the unprocessed objects carried out in this step, After the unprocessed object aligned by the step is conveyed linearly and moved to the first processing station to carry out the first processed object, a step of carrying in the unprocessed object, The first processed object carried out in this step is moved to a predetermined second processing station, and after the second processed object is carried out, the first processed object is carried in. And a step of aligning the treated object to be treated after this step, and a step of accommodating the treated object to be treated aligned by this step in a container. And manufacturing method.
【請求項6】カセットに収納された被処理体を搬入搬出
すると共に、被処理体の位置決めを行う搬入搬出機構
と、 この搬入搬出機構から被処理体を受け取ると共に、直線
状を往復移動して被処理体を搬送する搬送機構と、 この搬送機構が往復移動する直線状の移動路の両側に設
けられた複数の処理部と、 これらの複数の処理部に対して、処理の順序を任意に設
定出来る制御機構を設けたことを特徴とする製造装置。
6. A loading / unloading mechanism for loading / unloading the object to be processed stored in the cassette and positioning the object to be processed, and receiving the object to be processed from the loading / unloading mechanism, and reciprocatingly moving in a straight line. A transport mechanism that transports the object to be processed, a plurality of processing units that are provided on both sides of a linear movement path in which the transport mechanism reciprocates, and a processing sequence for the plurality of processing units can be arbitrarily set. A manufacturing device characterized by having a control mechanism that can be set.
【請求項7】カセットに収納された被処理体を搬入搬出
すると共に、被処理体の位置決めを行う搬入搬出機構
と、 この搬入搬出機構から被処理体を受け取ると共に、直線
状を往復移動して被処理体を搬送する搬送機構と、 この搬送機構が往復移動する直線状の移動路の片側に沿
って設けられた少くとも1つの加熱処理部と、この加熱
処理部と対向する側に沿って設けられた少くとも1つの
処理液塗布部と、 前記少くとも1つの加熱処理部と前記少くとも1つの処
理液塗布部に対して被処理体を搬入搬出するに際し、処
理済被処理体を搬出すると共に、未処理被処理体を搬入
する制御手段を設けたことを特徴とする製造装置。
7. A loading / unloading mechanism for loading / unloading the object to be processed stored in the cassette and for positioning the object to be processed, and receiving the object to be processed from the loading / unloading mechanism, and reciprocating in a straight line. A transport mechanism for transporting the object to be processed, at least one heat treatment section provided along one side of a linear movement path along which the transport mechanism reciprocates, and along a side facing the heat treatment section. At the time of carrying in and out the object to be processed with respect to the at least one processing liquid coating section provided, the at least one heat processing section and the at least one processing liquid coating section, the processed object is carried out. In addition, the manufacturing apparatus is provided with a control means for loading an unprocessed object.
【請求項8】被処理体が収納されたカセットから搬入搬
出機構により被処理体を搬出する工程と、 この被処理体を前記搬入搬出機構により位置決めした
後、直線状の搬送路を往復移動する搬送機構に受け渡す
工程と、 直線状の搬送路を移動して、直線状の搬送路に沿って搬
送する工程と、 前記搬送機構によって前記直線状の搬送路に沿って設け
られた複数の処理ステーションに被処理体を搬入搬出す
る工程と、 被処理体を搬入された後、処理ステーションにおいて被
処理体に処理を行う工程と、 前記搬送機構から前記搬入搬出機構に被処理体を受け渡
す工程と、 受け渡された被処理体を前記搬入搬出機構によりカセッ
トに収納する工程とからなることを特徴とする製造方
法。
8. A step of unloading an object to be processed from a cassette housing the object to be processed by a loading / unloading mechanism, and positioning the object to be processed by the loading / unloading mechanism, and then reciprocating along a linear transport path. A step of delivering to the transfer mechanism, a step of moving the transfer path along the linear transfer path to transfer along the linear transfer path, and a plurality of processes provided by the transfer mechanism along the linear transfer path A step of loading / unloading the object to / from the station; a step of processing the object in the processing station after the object is loaded; and a step of passing the object from the transport mechanism to the loading / unloading mechanism And a step of storing the delivered object to be processed in the cassette by the loading / unloading mechanism.
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