JPH08222801A - Semiconductor laser - Google Patents
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- JPH08222801A JPH08222801A JP2903995A JP2903995A JPH08222801A JP H08222801 A JPH08222801 A JP H08222801A JP 2903995 A JP2903995 A JP 2903995A JP 2903995 A JP2903995 A JP 2903995A JP H08222801 A JPH08222801 A JP H08222801A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は高速作動する埋め込み
リッジ型の可視光半導体レーザに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a buried ridge type visible light semiconductor laser which operates at high speed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は、従来の可視光半導体レーザの共
振器の垂直方向の構造を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）
はその等価回路図である。図において、１はｎ型ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成されたキャリ
ア濃度３．０〜５．０×１０18ｃｍ-3、厚さ１〜２μｍ
のｎ−ＡｌＧａＩｎＰの下クラッド層、３はＩｎＧａＰ
の活性層、４はキャリア濃度１０17ｃｍ-3以下、厚さ
０．３〜０．５μｍのｐ−ＡｌＧａＩｎＰの断面中央に
リッジ部を有する上クラッド層で、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上に順次形成される。５はリッジ部側面の上クラッド層
４上に形成されたキャリア濃度１０18ｃｍ-3以下、厚さ
１．０μｍ以下のｎ−ＧａＡｓのブロック層、６は上ク
ラッド層４のリッジ部上部に形成されたキャリア濃度１
０18ｃｍ-3以下、厚さ０．５μｍ以下のｐ−ＩｎＧａＰ
のキャップ層で、上面がブロック層５の上面と同じ面を
形成する。７はブロック層５上に形成されたキャリア濃
度１０19ｃｍ-3以下、厚さ３μｍ以下のｐ−ＧａＡｓの
コンタクト層、８はコンタクト層７の上に形成されたｐ
電極である。また図５（ｂ）のｒｄはｎ型ＧａＡｓ基板
１とｐ電極８間の抵抗、ｃは容量を示す。2. Description of the Related Art FIG. 5 shows a vertical structure of a resonator of a conventional visible light semiconductor laser, in which (a) is a sectional view and (b) is a sectional view.
Is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, 1 is n-type GaA
s substrate, 2 is a carrier concentration formed on the n-type GaAs substrate 1, 3.0 to 5.0 × 10 18 cm −3 , and thickness is 1 to 2 μm.
N-AlGaInP lower clad layer, 3 is InGaP
Is an upper clad layer having a ridge portion at the center of the cross section of p-AlGaInP having a carrier concentration of 10 17 cm −3 or less and a thickness of 0.3 to 0.5 μm.
Are sequentially formed on top. 5 is an n-GaAs block layer having a carrier concentration of 10 18 cm −3 or less and a thickness of 1.0 μm or less formed on the upper cladding layer 4 on the side surface of the ridge portion, and 6 is formed on the ridge portion of the upper cladding layer 4. Carrier concentration 1
P-InGaP having a thickness of 0 18 cm -3 or less and a thickness of 0.5 μm or less
The upper surface of the cap layer is the same as the upper surface of the block layer 5. 7 is a p-GaAs contact layer formed on the block layer 5 with a carrier concentration of 10 19 cm −3 or less and a thickness of 3 μm or less, and 8 is a p layer formed on the contact layer 7.
Electrodes. Further, rd in FIG. 5B indicates the resistance between the n-type GaAs substrate 1 and the p electrode 8, and c indicates the capacitance.
【０００３】このような従来の半導体レーザに、順方向
の電圧を印加すると、リッジ部の両側に形成されている
ｐｎ接合は逆バイアス状態となり、電流は有効にリッジ
部にのみ集中して流れ、低電流での動作が可能になる。
しかし、電流集中に逆バイアスのｐｎ接合を用いている
ため、ｐｎ接合は、大きな容量をもつ。When a forward voltage is applied to such a conventional semiconductor laser, the pn junctions formed on both sides of the ridge portion are in a reverse bias state, and the current effectively flows only in the ridge portion. It enables operation at low current.
However, since the reverse biased pn junction is used for current concentration, the pn junction has a large capacitance.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザは、光通
信や光情報処理用の光源として用いられており、できる
だけ低電流でまた高速駆動できる（高域遮断周波数ｆｃ
が大きい）ことが望まれれている。半導体レーザの遮断
周波数ｆｃはｆｃ＝１／（２πｃｒｄ）で表わされるこ
とが知られているが、可視光半導体レーザは、従来の短
波半導体レーザに比べ、図５（ｂ）に示すｒｄの値が高
いため、高周波特性が悪かった。A semiconductor laser is used as a light source for optical communication and optical information processing, and can be driven at a low current and at a high speed (high cutoff frequency fc).
Is large). It is known that the cutoff frequency fc of a semiconductor laser is represented by fc = 1 / (2πcrd). However, the visible light semiconductor laser has a value of rd shown in FIG. Since it was high, the high frequency characteristics were poor.
【０００５】この発明はこのような従来の半導体レーザ
のもつ課題を解決するためになされたもので、図５
（ｂ）における容量ｃを低減することにより、高速化を
図ったものである。The present invention has been made to solve the problems of the conventional semiconductor laser as described above.
By reducing the capacitance c in (b), the speed is increased.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
レーザにおいては、活性層の下側に設けられた第一導電
型の下クラッド層と、活性層の上側に設けられ、リッジ
部を有する第二導電型の上クラッド層と、この上クラッ
ド層のリッジ部側面に形成され、低キャリア濃度層を含
む第一導電型のブロック層を備えたものである。また、
活性層はＩｎＧａＰからなり、下クラッド層及び上クラ
ッド層は、ＡｌＧａＩｎＰからなるものである。また、
ブロック層はＧａＡｓからなり、低キャリア濃度層は、
１０18ｃｍ-3以下のキャリア濃度のＧａＡｓ低キャリア
濃度層としたものである。さらに、ＧａＡｓ低キャリア
濃度層の厚さを、０．１μｍ以上としたものである。In a semiconductor laser according to the present invention, a first conductivity type lower cladding layer provided below an active layer and a ridge portion provided above the active layer. The second conductivity type upper clad layer and the first conductivity type block layer formed on the side surface of the ridge portion of the upper clad layer and including the low carrier concentration layer are provided. Also,
The active layer is made of InGaP, and the lower clad layer and the upper clad layer are made of AlGaInP. Also,
The block layer is made of GaAs, and the low carrier concentration layer is
This is a GaAs low carrier concentration layer having a carrier concentration of 10 18 cm −3 or less. Further, the thickness of the GaAs low carrier concentration layer is 0.1 μm or more.
【０００７】また、ブロック層はＧａＡｓからなり、低
キャリア濃度層を、ＧａＡｓアンドープ層としたもので
ある。また、ＧａＡｓアンドープ層の厚さを、０．１μ
ｍ以上としたものである。加えて、活性層の下側に設け
られた第一導電型の下クラッド層と、活性層の上側に設
けられ、リッジ部を有する第二導電型の上クラッド層
と、この上クラッド層のリッジ部側面に形成され、第二
導電型の挿入層を含む第一導電型のブロック層を備えた
ものである。また、活性層をＩｎＧａＰとし、下クラッ
ド層及び上クラッド層を、ＡｌＧａＩｎＰとしたもので
ある。また、ブロック層及びブロック層の挿入層はＧａ
Ａｓからなるものである。さらにまた、第一導電型をｎ
型とし、第二導電型をｐ型としたものである。また、第
一導電型をｐ型とし、第二導電型をｎ型としたものであ
る。The block layer is made of GaAs, and the low carrier concentration layer is a GaAs undoped layer. Moreover, the thickness of the GaAs undoped layer is 0.1 μm.
m or more. In addition, a first conductivity type lower clad layer provided below the active layer, a second conductivity type upper clad layer provided above the active layer and having a ridge portion, and a ridge of this upper clad layer. A block layer of the first conductivity type including an insertion layer of the second conductivity type is formed on the side surface of the portion. The active layer is InGaP, and the lower clad layer and the upper clad layer are AlGaInP. The block layer and the insertion layer of the block layer are Ga.
It is made of As. Furthermore, the first conductivity type is n
And the second conductivity type is p-type. The first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type.
【０００８】[0008]
【作用】上記のように構成された半導体レーザにおいて
は、活性層の上側に設けられ、リッジ部を有する第二導
電型の上クラッド層のリッジ部側面に形成された第一導
電型のブロック層が低キャリア濃度層を含むようにし、
容量ｃを低減させる。また、ブロック層はＧａＡｓから
なり、低キャリア濃度層のキャリア濃度を、１０18ｃｍ
-3以下として、容量ｃの低減を確実にしている。さら
に、ＧａＡｓ低キャリア濃度層の厚さを、０．１μｍ以
上として、空乏層の広がりを無視できる程度にしてい
る。In the semiconductor laser configured as described above, the block layer of the first conductivity type is provided on the active layer and is formed on the side surface of the ridge portion of the upper clad layer of the second conductivity type having the ridge portion. Include a low carrier concentration layer,
The capacity c is reduced. The block layer is made of GaAs, and the carrier concentration of the low carrier concentration layer is 10 18 cm.
A value of -3 or less ensures the reduction of the capacity c. Further, the thickness of the GaAs low carrier concentration layer is set to 0.1 μm or more so that the expansion of the depletion layer can be ignored.
【０００９】また、ブロック層はＧａＡｓからなり、低
キャリア濃度層を、ＧａＡｓアンドープ層として、容量
ｃの低減を確実にしている。また、ＧａＡｓアンドープ
層の厚さを、０．１μｍ以上として、空乏層の広がりを
無視できる程度にしている。加えて、活性層の上側に設
けられ、リッジ部を有する第二導電型の上クラッド層の
リッジ部側面に形成された第一導電型のブロック層が第
二導電型の挿入層を含むようにし、ｐ−ｎ接合による容
量を直列にして、総容量を低減する。Further, the block layer is made of GaAs, and the low carrier concentration layer is a GaAs undoped layer to ensure the reduction of the capacitance c. Further, the thickness of the GaAs undoped layer is set to 0.1 μm or more so that the expansion of the depletion layer can be ignored. In addition, the block layer of the first conductivity type, which is provided on the upper side of the active layer and is formed on the side surface of the ridge portion of the upper clad layer of the second conductivity type having the ridge portion, includes the insertion layer of the second conductivity type. , P-n junctions are connected in series to reduce the total capacitance.
【００１０】[0010]
実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体レ
ーザの共振器の垂直方向の構造を示す（ａ）は断面図、
（ｂ）はその等価回路図である。図において、１〜８は
上記従来装置と同一のものであり、その説明を省略す
る。９は上クラッド層４とブロック層５との間に形成さ
れたＧａＡｓアンドープ層等の低キャリア濃度のＧａＡ
ｓ低キャリア濃度層である。図１（ｂ）の容量ｃ1 及び
遮断周波数ｆｃは次式で表わされる。すなわち、 Ｃ1 ＝（−Κε0 ｑ／（２（１／ＮD ＋１／ＮA ）Ｖ））1/2 ・・・（１） ｆｃ＝１／（２πｃ1 ｒｄ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２） 但し、 ＮD ：ドナーのキャリア濃度 ＮA ：アクセプタのキャリア濃度 Ｖ：電圧 Κ：比誘電率 ε0 ：真空誘電率 ｑ：電荷量 ｆｃ：遮断周波数Example 1. 1 is a sectional view showing a vertical structure of a resonator of a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention.
(B) is the equivalent circuit diagram. In the figure, 1 to 8 are the same as the above-mentioned conventional device, and the description thereof is omitted. Reference numeral 9 denotes GaA having a low carrier concentration, such as a GaAs undoped layer formed between the upper cladding layer 4 and the block layer 5.
s It is a low carrier concentration layer. The capacitance c 1 and the cutoff frequency fc in FIG. 1B are expressed by the following equations. That, C 1 = (- Κε 0 q / (2 (1 / N D + 1 / N A) V)) 1/2 ··· (1) fc = 1 / (2πc 1 rd) ······ (2) where N D : carrier concentration of donor N A : carrier concentration of acceptor V: voltage K: relative permittivity ε 0 : vacuum permittivity q: charge fc : Cutoff frequency
【００１１】実施例１では、ＧａＡｓ低キャリア濃度層
９を上クラッド層４とブロック層５との間に挿入してい
るため、従来より容量Ｃを低減させることができる。こ
れにより、遮断周波数ｆｃが高くなり、高速化を実現さ
せることができる。In Example 1, since the GaAs low carrier concentration layer 9 is inserted between the upper cladding layer 4 and the block layer 5, the capacitance C can be reduced as compared with the conventional case. As a result, the cutoff frequency fc is increased, and the speed can be increased.
【００１２】図３は、この発明の実施例１による改善効
果率の計算例のグラフである。横軸にＧａＡｓ低キャリ
ア濃度層９のキャリア濃度、縦軸に、従来の遮断周波数
ｆｃ（従来）を基準として、これに対する遮断周波数ｆ
ｃの改善効果率ｆｃ／ｆｃ（従来）をとっている。この
図３に示す計算例のパラメータは次のように設定されて
いる。 Ｖ：７ｖ ｒｄ：１０Ω以下 上クラッド層４のキャリア濃度：１０18ｃｍ-3以下 Ｃ1 ：ＧａＡｓ低キャリア濃度層９のキャリア濃度によ
って式（１）より算出 ｆｃ（従来）：Ｃ1 〜１７０ｐＦで計算。 図３に示すように、上クラッド層４のキャリア濃度を１
０18ｃｍ-3以下にすると、改善効果率ｆｃ／ｆｃ（従
来）は１．５以上になり、７００〜８００ＭＨZ以上の
高周波動作が可能である。FIG. 3 is a graph showing a calculation example of the improvement effect rate according to the first embodiment of the present invention. The horizontal axis represents the carrier concentration of the GaAs low carrier concentration layer 9, and the vertical axis represents the cutoff frequency f relative to the conventional cutoff frequency fc (conventional).
The improvement effect rate fc / fc (conventional) of c is taken. The parameters of the calculation example shown in FIG. 3 are set as follows. V: 7 v rd: 10 Ω or less Carrier concentration of upper clad layer 4: 10 18 cm −3 or less C 1 : Calculated from the formula (1) according to the carrier concentration of the GaAs low carrier concentration layer 9 fc (conventional): C 1 to 170 pF Calculation. As shown in FIG. 3, the carrier concentration of the upper cladding layer 4 is set to 1
When the 0 18 cm -3 or less, improvement rate fc / fc (conventional) becomes 1.5 or more, it is possible to more high-frequency operation 700~800MH Z.
【００１３】なお、ＧａＡｓ低キャリア濃度層９の厚さ
は、空乏層の広がりが無視できる程度、例えば、０．１
μｍ以上にすればよい。また、ＧａＡｓ低キャリア濃度
層９はブロック層５の中間に挿入しても同様の効果が得
られる。The thickness of the GaAs low carrier concentration layer 9 is such that the expansion of the depletion layer can be ignored, for example, 0.1.
It may be set to μm or more. Further, the same effect can be obtained by inserting the GaAs low carrier concentration layer 9 in the middle of the block layer 5.
【００１４】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よる半導体レーザの共振器の垂直方向の構造を示す
（ａ）は断面図、（ｂ）はその等価回路図である。図に
おいて、１０はｎ−ＧａＡｓのブロック層５の厚み方向
の中間に挿入されたｐ−ＧａＡｓ層である。Ｃ2 、Ｃ3
はそれぞれｐ−ｎ接合による容量を示す。実施例２で
は、ｐ−ＧａＡｓ層１０を、ｎ−ＧａＡｓのブロック層
５に挿入し、ｐ−ｎ接合による容量Ｃ2 、Ｃ3 を直列に
し、総容量を低減させることにより、高速化を実現する
ことができる。Example 2. 2A and 2B show a vertical structure of a resonator of a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention. FIG. 2A is a sectional view and FIG. 2B is an equivalent circuit diagram thereof. In the figure, 10 is a p-GaAs layer inserted in the middle of the block layer 5 of n-GaAs in the thickness direction. C 2 , C 3
Indicates the capacitance due to the pn junction. In the second embodiment, the p-GaAs layer 10 is inserted in the block layer 5 of n-GaAs, the capacitors C 2 and C 3 formed by the pn junction are connected in series, and the total capacitance is reduced to realize high speed operation. can do.
【００１５】図４は、この発明の実施例２による改善効
果率の計算例のグラフである。横軸に、ｐ−ＧａＡｓ層
１０のキャリア濃度、縦軸に、従来の遮断周波数ｆｃ
（従来）を基準として、これに対する遮断周波数ｆｃの
改善効果率ｆｃ／ｆｃ（従来）をとっている。この図４
に示す計算例のパラメータは、次のように設定されてい
る。 Ｖ：７ｖ ｒｄ：１０Ω以下 上クラッド層４のキャリア濃度：１０18ｃｍ-3以下 Ｃ3 ：〜１７０ｐＦ Ｃ2 ：ｐ−ＧａＡｓ層１０のキャリア濃度によって式
（１）より算出 ｆｃ（従来）：ｃ2 ＝０ｐＦで計算FIG. 4 is a graph showing a calculation example of the improvement effect rate according to the second embodiment of the present invention. The horizontal axis represents the carrier concentration of the p-GaAs layer 10, and the vertical axis represents the conventional cutoff frequency fc.
Taking the (conventional) as a reference, the improvement effect ratio fc / fc (conventional) of the cutoff frequency fc for this is taken. This Figure 4
The parameters of the calculation example shown in are set as follows. V: 7 v rd: 10 Ω or less Carrier concentration of upper clad layer 4: 10 18 cm −3 or less C 3 :: to 170 pF C 2 : Calculated by the carrier concentration of the p-GaAs layer 10 from the formula (1) fc (conventional): c 2 = 0 pF calculation
【００１６】実施例３．実施例１では、ｎ型ＧａＡｓ基
板を用いて可視光半導体レーザを作成しているが、ｐ型
ＧａＡｓ基板を用い、各層のｐ型とｎ型を逆転させ、ブ
ロック層にＧａＡｓ低キャリア濃度層を挿入することに
よっても、同様の効果が得られる。Embodiment 3. In the first embodiment, the visible light semiconductor laser is manufactured by using the n-type GaAs substrate, but the p-type GaAs substrate is used and the p-type and n-type of each layer are reversed, and the GaAs low carrier concentration layer is formed in the block layer. The same effect can be obtained by inserting it.
【００１７】実施例４．実施例２では、ｎ型ＧａＡｓ基
板を用いて可視光半導体レーザを作成しているが、ｐ型
ＧａＡｓ基板を用い、各層のｐ型とｎ型を逆転させた構
造の可視光半導体レーザを作成しても同様の効果が得ら
れる。Embodiment 4 FIG. In the second embodiment, the visible light semiconductor laser is made using the n-type GaAs substrate, but the visible light semiconductor laser having the structure in which the p-type and the n-type of each layer are reversed is made using the p-type GaAs substrate. However, the same effect can be obtained.
【００１８】[0018]
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。活性層
の上側に設けられ、リッジ部を有する第二導電型の上ク
ラッド層のリッジ部側面に形成された第一導電型のブロ
ック層が低キャリア濃度層を含むようにし、容量ｃを低
減させているので、遮断周波数が高くなり、高速化を実
現できる。また、ブロック層はＧａＡｓからなり、低キ
ャリア濃度層のキャリア濃度を、１０18ｃｍ-3以下とし
て、容量ｃの低減を確実にしたので、高速化を実現でき
る。Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects. The block layer of the first conductivity type formed on the side surface of the ridge portion of the second conductivity type upper clad layer having the ridge portion, which is provided on the upper side of the active layer, includes the low carrier concentration layer to reduce the capacitance c. As a result, the cutoff frequency becomes higher, and higher speed can be realized. Further, since the block layer is made of GaAs and the carrier concentration of the low carrier concentration layer is set to 10 18 cm −3 or less to surely reduce the capacitance c, high speed can be realized.
【００１９】さらに、ＧａＡｓ低キャリア濃度層の厚さ
を、０．１μｍ以上として、空乏層の広がりを無視でき
る程度にした効果がある。また、ブロック層はＧａＡｓ
からなり、低キャリア濃度層を、ＧａＡｓアンドープ層
として、容量ｃの低減を確実にしたので、高速化を実現
できる。また、ＧａＡｓアンドープ層の厚さを、０．１
μｍ以上として、空乏層の広がりを無視できる程度にし
た効果がある。加えて、活性層の上側に設けられ、リッ
ジ部を有する第二導電型の上クラッド層のリッジ部側面
に形成された第一導電型のブロック層が第二導電型の挿
入層を含むようにし、ｐ−ｎ接合による容量を直列にし
て、総容量を低減したので、遮断周波数が高くなり、高
速化を実現できる。Further, there is an effect that the thickness of the GaAs low carrier concentration layer is set to 0.1 μm or more so that the spread of the depletion layer can be ignored. The block layer is GaAs
Since the low carrier concentration layer is a GaAs undoped layer to ensure the reduction of the capacitance c, the high speed can be realized. In addition, the thickness of the GaAs undoped layer is set to 0.1.
When it is at least μm, there is an effect that the spread of the depletion layer can be ignored. In addition, the block layer of the first conductivity type, which is provided on the upper side of the active layer and is formed on the side surface of the ridge portion of the upper clad layer of the second conductivity type having the ridge portion, includes the insertion layer of the second conductivity type. , The capacitance of the pn junction is connected in series to reduce the total capacitance, so that the cut-off frequency becomes high and high speed can be realized.
【図１】 この発明の実施例１による可視光半導体レー
ザを示す（ａ）は断面図、（ｂ）はその等価回路図であ
る。FIG. 1A is a sectional view showing a visible light semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an equivalent circuit diagram thereof.
【図２】 この発明の実施例２による可視光半導体レー
ザを示す（ａ）は断面図、（ｂ）はその等価回路図であ
る。FIG. 2A is a sectional view showing a visible light semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 2B is an equivalent circuit diagram thereof.
【図３】 この発明の実施例１による改善効果率の計算
例のグラフである。FIG. 3 is a graph of a calculation example of an improvement effect rate according to the first embodiment of the present invention.
【図４】 この発明の実施例２による改善効果率の計算
例のグラフである。FIG. 4 is a graph of a calculation example of an improvement effect rate according to the second embodiment of the present invention.
【図５】 従来の可視光半導体レーザを示す（ａ）は断
面図、（ｂ）はその等価回路図である。5A is a sectional view showing a conventional visible light semiconductor laser, and FIG. 5B is an equivalent circuit diagram thereof.
１ ｎ型ＧａＡｓ基板、２ 下クラッド層、３ 活性
層、４ 上クラッド層、５ ブロック層、９ ＧａＡｓ
低キャリア濃度層、１０ ｐ型ＧａＡｓ層1 n-type GaAs substrate, 2 lower clad layer, 3 active layer, 4 upper clad layer, 5 block layer, 9 GaAs
Low carrier concentration layer, 10 p-type GaAs layer
Claims (11)
第一導電型の下クラッド層、上記活性層の上側に設けら
れ、リッジ部を有する第二導電型の上クラッド層、この
上クラッド層のリッジ部側面に形成され、低キャリア濃
度層を含む第一導電型のブロック層を備えたことを特徴
とする半導体レーザ。1. An active layer, a first conductivity type lower clad layer provided below the active layer, a second conductivity type upper clad layer provided above the active layer and having a ridge portion, and A semiconductor laser comprising a first conductivity type block layer including a low carrier concentration layer formed on a side surface of a ridge portion of an upper cladding layer.
ド層及び上クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰからなること
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。2. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the active layer is made of InGaP, and the lower clad layer and the upper clad layer are made of AlGaInP.
リア濃度層は、ＧａＡｓ低キャリア濃度層であり、１０
18ｃｍ-3以下のキャリア濃度であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の半導体レーザ。3. The block layer is made of GaAs, and the low carrier concentration layer is a GaAs low carrier concentration layer.
3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the carrier concentration is 18 cm −3 or less.
０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項３記載の
半導体レーザ。4. The thickness of the GaAs low carrier concentration layer is
4. The semiconductor laser according to claim 3, which has a thickness of 0.1 μm or more.
リア濃度層は、ＧａＡｓアンドープ層であることを特徴
とする請求項１または請求項２記載の半導体レーザ。5. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the block layer is made of GaAs and the low carrier concentration layer is a GaAs undoped layer.
μｍ以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体
レーザ。6. The thickness of the GaAs undoped layer is 0.1.
The semiconductor laser according to claim 5, wherein the semiconductor laser has a thickness of at least μm.
第一導電型の下クラッド層、上記活性層の上側に設けら
れ、リッジ部を有する第二導電型の上クラッド層、この
上クラッド層のリッジ部側面に形成され、第二導電型の
挿入層を含む第一導電型のブロック層を備えたことを特
徴とする半導体レーザ。7. An active layer, a first conductivity type lower clad layer provided below the active layer, a second conductivity type upper clad layer provided above the active layer and having a ridge portion, A semiconductor laser comprising a block layer of a first conductivity type formed on a side surface of a ridge portion of an upper clad layer and including an insertion layer of a second conductivity type.
ド層及び上クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰからなること
を特徴とする請求項７記載の半導体レーザ。8. The semiconductor laser according to claim 7, wherein the active layer is made of InGaP, and the lower clad layer and the upper clad layer are made of AlGaInP.
ａＡｓからなることを特徴とする請求項７または請求項
８記載の半導体レーザ。9. The block layer and the insertion layer of the block layer are G
9. The semiconductor laser according to claim 7, which is made of aAs.
がｐ型であることを特徴とする請求項１乃至請求項９の
いずれか一項記載の半導体レーザ。10. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the first conductivity type is n type and the second conductivity type is p type.
がｎ型であることを特徴とする請求項１乃至請求項９の
いずれか一項記載の半導体レーザ。11. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2903995A JPH08222801A (en) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2903995A JPH08222801A (en) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222801A true JPH08222801A (en) | 1996-08-30 |
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ID=12265263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2903995A Pending JPH08222801A (en) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222801A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444485B1 (en) * | 1995-09-29 | 2002-09-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| US6768755B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-07-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2006073851A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor laser equipment |
| US7139298B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP2903995A patent/JPH08222801A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444485B1 (en) * | 1995-09-29 | 2002-09-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| US6768755B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-07-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US7139298B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| JP2006073851A (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor laser equipment |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040210 |