JPH08222789A - Fine beam forming equipment and forming method of fine beam - Google Patents

Fine beam forming equipment and forming method of fine beam

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JPH08222789A
JPH08222789A JP7048998A JP4899895A JPH08222789A JP H08222789 A JPH08222789 A JP H08222789A JP 7048998 A JP7048998 A JP 7048998A JP 4899895 A JP4899895 A JP 4899895A JP H08222789 A JPH08222789 A JP H08222789A
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JP
Japan
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pinhole
electrode
incident
pin hole
electrodes
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Pending
Application number
JP7048998A
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Japanese (ja)
Inventor
Takanori Kiyokura
孝規 清倉
Yoshio Watanabe
義夫 渡辺
Fumihiko Maeda
文彦 前田
Masaharu Oshima
正治 尾嶋
Tadashi Serikawa
正 芹川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPH08222789A publication Critical patent/JPH08222789A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide a continuous and stable fine beam by a method wherein a beam position information necessary for moving a pin hole to the most suitable position is made detectable, when large fluctuation, large deviation, etc., are generated in the relative positions of an incident beam and the pin hole, and the pin hole is moved to the most suitable position by using information at a pin hole position. CONSTITUTION: An aluminum electrode 1 is formed on a silicon substrate 1. Terminals 2 are arranged outside the electrode 1, and a pin hole 4 is formed at the center. A slightly moving mechanism of position is shown by 5, an ammeter is shown by 6, and a computer is shown by 7. By using them, current value is measured from each of the terminals, and the distribution of position intensity of a beam by the center position of the pin hole can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、微小ビームを得るため
のピンホールにおいて入射ビーム位置を検出する機能を
もつ微小ビーム作製装置および作製方法に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microbeam producing apparatus and a production method having a function of detecting an incident beam position in a pinhole for obtaining a microbeam.

【0002】[0002]

【従来の技術】微小領域分析に必要なプローブとしての
微小なビームを作製する方法の一つとして入射ビームの
うちピンホールを通過したものだけを用いて微小ビーム
化する方法がある。しかし、従来技術においては、ピン
ホールにはビームを微小化する機能のみであり、ビーム
がピンホールを通過していることを確認する場合にはピ
ンホールの後方にビームの検出装置が必要であった。ま
た、入射ビームに対するピンホールの相対的な位置を検
出するには、ピンホールをビームの存在する領域を走査
し、当該検出装置で信号を検出することによってビーム
の形を調べた後に、その調べた位置から推測できるのみ
で、搖動などにより入射ビームの位置が変わる場合に必
要な実時間で検出する方法はなかった。
2. Description of the Related Art As one of methods for producing a minute beam as a probe necessary for analyzing a minute region, there is a method for forming a minute beam by using only an incident beam which has passed through a pinhole. However, in the conventional technology, the pinhole has only the function of making the beam smaller, and a beam detection device is required behind the pinhole to confirm that the beam passes through the pinhole. It was Further, in order to detect the relative position of the pinhole with respect to the incident beam, the pinhole is scanned in the area where the beam is present, and the shape of the beam is detected by detecting the signal with the detection device, and then the inspection is performed. However, there is no real-time detection method that is necessary when the position of the incident beam changes due to fluctuations.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の欠点を
改善するために提案されたもので、その目的は入射ビー
ムとピンホールの相対位置に大きな搖動や大きなずれな
どが生じる場合に、ピンホールを最適位置に移動させる
ために必要なビーム位置情報を検出できない点を解決
し、さらにビーム後方での検出装置が必要である点を改
良し、ピンホール位置での情報を用いてピンホールを最
適位置に移動させて連続で安定した微小ビームを提供す
ることにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to improve the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to provide a pin when a large swing or a large deviation occurs in the relative position between the incident beam and the pinhole. Solved the problem that the beam position information necessary to move the hole to the optimum position could not be detected, and further improved the point that a detection device behind the beam was required, and used the information at the pinhole position to identify the pinhole. It is to provide a continuous and stable minute beam by moving it to the optimum position.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明はピンホールと、該ピンホールを取り囲んで
形成され互いに電気的に絶縁された複数の電極とを有す
る微小ビーム作製装置を発明の特徴とするものである。
さらに、本発明はピンホールと、該ピンホールを取り囲
んで形成され互いに異なる材料を含む導電性物質から成
る複数の領域を有する微小ビーム作製装置を発明の特徴
とするものである。さらに、本発明はピンホールにビー
ムを入射し、該ピンホールを取り囲んで形成された互い
に絶縁されている複数の電極からの電流を検出し、検出
した電流値に基づいて前記ピンホールと前記入射ビーム
との相対位置を変化させる微小ビーム作製方法を発明の
特徴とするものである。さらに、本発明はピンホールに
ビームを入射し、該ピンホールを取り囲んで形成され互
いに異なる材料を含む導電性物質から成る複数の領域を
有する電極から発生する電子を検出し、その検出結果に
基づいて前記ピンホールと前記入射ビームとの相対位置
を変化させる微小ビーム作製方法を発明の特徴とするも
のである。本発明は、従来の前記のような欠点を改善す
るために、ピンホール自体に入射ビームの強度分布及び
位置検出機能を持たせることを目的とする。このような
目的を達成するために、ピンホール自体に金属電極を形
成したものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a microbeam producing apparatus having a pinhole and a plurality of electrodes formed surrounding the pinhole and electrically insulated from each other. It is a feature of the invention.
Further, the present invention is characterized by a microbeam producing apparatus having a pinhole and a plurality of regions formed of a conductive material containing different materials and surrounding the pinhole. Further, according to the present invention, a beam is incident on a pinhole, currents from a plurality of electrodes which are formed to surround the pinhole and are insulated from each other are detected, and the pinhole and the incident light are detected based on the detected current value. A feature of the invention is a method for producing a minute beam in which a relative position with respect to a beam is changed. Further, according to the present invention, a beam is incident on a pinhole, and electrons generated from an electrode having a plurality of regions formed of a conductive substance containing different materials are formed so as to surround the pinhole, and based on the detection result, The present invention is characterized by a method for producing a minute beam in which the relative position between the pinhole and the incident beam is changed. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide the pinhole itself with an incident beam intensity distribution and a position detection function in order to improve the above-mentioned conventional drawbacks. In order to achieve such an object, a metal electrode is formed on the pinhole itself.

【0005】[0005]

【作用】入射ビームの電極部への照射により電極部に誘
起した光電流または電極部から放出された電子を、それ
ぞれ電流計または電子分析器によって検出し、入射ビー
ムの位置及び分布を測定することができる。これにより
ピンホール以後に検出器設ける必要がなくなり、従来に
比べて簡便な装置構成となる。さらに、揺らぎが大きく
後方にビームが到達しない場合でも、ピンホールの最適
位置を求めることが出来るようになる。
[Operation] The position and distribution of the incident beam are measured by detecting, with an ammeter or an electron analyzer, the photocurrent induced in the electrode unit by the irradiation of the incident beam with the electrode unit or the electrons emitted from the electrode unit, respectively. You can As a result, it is not necessary to provide a detector after the pinhole, and the device configuration becomes simpler than the conventional one. Further, even when the fluctuation is large and the beam does not reach the rear, the optimum position of the pinhole can be obtained.

【0006】[0006]

【実施例】次に本発明の実施例について説明する。本発
明の装置を具体的に説明するため、入射ビームとして放
射光ビームを用いた場合について述べる。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. In order to specifically describe the device of the present invention, a case where a synchrotron radiation beam is used as an incident beam will be described.

【0007】(実施例1)微小ビーム作製装置として、
複数の電極を形成したピンホールを用いてその電極から
の電流または放射電子を計測する場合を述べる。図1は
4端子の電極を形成したピンホールである。図におい
て、1は電極、2は端子、3はピンホールである。ピン
ホールによって微小ビームを作製する際、通過しない光
は電極にあたり、光電子を放出し、同時に端子へ光電流
が流れる。
(Example 1) As a microbeam producing apparatus,
A case will be described in which a pinhole formed with a plurality of electrodes is used to measure a current or emitted electrons from the electrodes. FIG. 1 shows a pinhole in which electrodes with four terminals are formed. In the figure, 1 is an electrode, 2 is a terminal, and 3 is a pinhole. When a minute beam is produced by a pinhole, light that does not pass hits the electrode, emits photoelectrons, and at the same time, a photocurrent flows to the terminal.

【0008】次に本発明を用いた光電流による放射光ビ
ーム位置の計測方法について説明する。図2に構成を示
す。図において、1は電極、2は端子、3はピンホー
ル、4は放射光ビーム、5は位置微動機構、6は電流
計、7は計算機である。ここに基板の材質はシリコン、
電極1はアルミニウム、電極2はハンダである。またこ
の部品は、シリコン基板に直径25μmの穴を空け、そ
れにアルミニウムを蒸着して電極として形成したもので
ある。これらを用いることにより、それぞれの端子から
の電流値を計測し、ビームの位置と分布を求めることが
出来るようになる。そしてこのデータをもとに電子計算
機で制御してピンホール位置をビーム位置に合わせるよ
うにもっていく。この方法によりピンホールを最適位置
へ移動できる。ここでピンホールによる電流検出の可能
性を確認するために、放射光を用いて光電流の測定を行
った。
Next, a method of measuring the position of the emitted light beam by the photocurrent according to the present invention will be described. The configuration is shown in FIG. In the figure, 1 is an electrode, 2 is a terminal, 3 is a pinhole, 4 is a synchrotron radiation beam, 5 is a position fine movement mechanism, 6 is an ammeter, and 7 is a calculator. Here, the substrate material is silicon,
The electrode 1 is aluminum and the electrode 2 is solder. Further, this component is formed by forming a hole having a diameter of 25 μm on a silicon substrate and vapor-depositing aluminum on the hole to form an electrode. By using these, the current value from each terminal can be measured and the position and distribution of the beam can be obtained. Then, based on this data, it will be controlled by an electronic computer and the pinhole position will be aligned with the beam position. With this method, the pinhole can be moved to the optimum position. Here, in order to confirm the possibility of current detection by pinholes, photocurrent was measured using synchrotron radiation.

【0009】図3は、直径1mm程度の放射光ビームに
より生じた光電流をa=b=8mm角のピンホールを用
いて測定したピンホール位置依存性を示すグラフであ
る。折線8の上の電極から、折線9は下の電極からの光
電流である。ともに、ビームがピンホールの位置から離
れるに従って強度が増加するように変化していることが
分かる。これは、電極の形状が三角形であるからであ
る。また、プロファイルの両端のところにおいて、曲線
の傾きが負で曲率が正となっているのは、放射光ビーム
が中心ほど大きく、縁部に行くほど小さくなる強度分布
をもっているからである。これにより入射ビームの強度
分布及び位置が求められることを示した。なお、本実施
例では酸化膜をつけたシリコン基板と、アルミニウム電
極を用いたが、ビーム位置検出ピンホール基板は平滑で
絶縁性があれば、材料は問わない。電極はアルミニウム
に限らずすべての導電性物質で同様の効果を有する。ま
た、電極は同一材料である必要はなく、電極それぞれ異
なる導電性物質を用いることができる。
FIG. 3 is a graph showing the pinhole position dependence of the photocurrent generated by a radiation beam having a diameter of about 1 mm measured using a pinhole of a = b = 8 mm square. The polygonal line 9 is a photocurrent from the electrode above the polygonal line 8 and the polygonal line 9 is from the electrode below. It can be seen that the intensity changes as the beam moves away from the pinhole. This is because the shape of the electrodes is triangular. The reason why the curve has a negative slope and a positive curvature at both ends of the profile is that the emitted light beam has an intensity distribution that is larger at the center and smaller at the edges. It was shown that the intensity distribution and position of the incident beam can be obtained by this. Although the silicon substrate provided with the oxide film and the aluminum electrode are used in this embodiment, the beam position detecting pinhole substrate may be made of any material as long as it is smooth and has insulating properties. The electrodes are not limited to aluminum, but all conductive materials have the same effect. Further, the electrodes do not have to be made of the same material, and different electrodes can use different conductive materials.

【0010】(実施例2)図4は本発明の第2の実施例
を説明する図であって、図において、1は電極、3はピ
ンホール、4は放射光ビーム、5は位置微動機構、7は
計算機、10はスペクトルアナライザ、11は電子分析
器である。実施例1においては、電極材料元素はすべて
同じでもよいが、この実施例2においては、電極を識別
するために電極ごとに異なる元素を用いなければならな
い。本実施例では金とプラチナを電極材料として用い
た。ビーム位置検出ピンホールの位置を移動させ、電極
元素のオージェ電子又は光電子スペクトルを電子分析器
によって測定する。この場合、電極に含まれる元素のピ
ークを測定する。光電子スペクトルを測定し、電極に含
まれる元素に特有のピーク強度を位置に対してプロット
した結果を図5に示す。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a view for explaining a second embodiment of the present invention. In the drawing, 1 is an electrode, 3 is a pinhole, 4 is a radiant light beam, and 5 is a position fine movement mechanism. , 7 is a calculator, 10 is a spectrum analyzer, and 11 is an electronic analyzer. In Example 1, all the electrode material elements may be the same, but in this Example 2, different elements must be used for each electrode in order to identify the electrodes. In this example, gold and platinum were used as electrode materials. The position of the beam position detection pinhole is moved, and the Auger electron or photoelectron spectrum of the electrode element is measured by an electronic analyzer. In this case, the peak of the element contained in the electrode is measured. The photoelectron spectrum was measured, and the peak intensity peculiar to the element contained in the electrode was plotted against the position, and the result is shown in FIG.

【0011】この方法を用いる場合は、電極ごとに異な
る元素の光電子ピークの強度の変化を測定する。実施例
2では、電極から空間に放出される電子を電子分析器1
1で測定する。上下の電極の区別は電子の運動エネルギ
ースペクトルで行う。そのため外部に電流を取り出して
計測する必要はないので、基板との絶縁や、端子は不要
となる。すなわち、このことにより、上記の光電流を測
定する場合の端子が不要になる効果がある。またこの場
合は、基板と電極が絶縁されている必要もないので、よ
り多数の電極をピンホールの周囲に形成することが可能
になり、より細かな位置制御が可能である。さらに、こ
の場合の電極や基板は、電子を放出可能であれば材料は
問わない。
When this method is used, the change in the intensity of the photoelectron peak of a different element is measured for each electrode. In the second embodiment, the electron emitted from the electrode into the space is analyzed by the electronic analyzer 1.
Measure at 1. The upper and lower electrodes are distinguished by the electron kinetic energy spectrum. Therefore, it is not necessary to take out the current and measure it, so that insulation from the substrate and terminals are not required. That is, this has the effect of eliminating the need for terminals for measuring the photocurrent. Further, in this case, since it is not necessary to insulate the substrate and the electrodes, it is possible to form a larger number of electrodes around the pinhole, and finer position control is possible. Further, in this case, the electrode and the substrate may be made of any material as long as they can emit electrons.

【0012】上記実施例1,2においては円形のピンホ
ールスリットを用いたが、短型状のスリットにおいては
同様な効果を得ることができる。また、励起光源として
放射光を用いたが、物質の仕事関数よりも大きなエネル
ギーをもつ粒子(光子,X線,紫外線など)、荷電粒子
(イオン,電子など)、中性粒子(中性分子,中性原
子,中性子など)のビームを用いても同様の効果を得る
ことができる。また、上記実施例1では、4枚の電極を
用いた例を説明したが、1方向だけの制御をするのであ
れば、2枚あれば十分である。さらに、上記実施例2で
は4枚の電極がそれぞれ単一の材料で構成されている場
合を示したが、場所により材料が違っていれば電極が材
料ごとに分割されている必要はなく1枚でも十分であ
る。なお、上記実施例2では、電極材料としては導電性
があれば十分であり、金属以外に、ドープした半導体等
も使用できることはいうまでもない。
Although circular pinhole slits are used in the first and second embodiments, similar effects can be obtained with short slits. Although synchrotron radiation was used as the excitation light source, particles (photons, X-rays, ultraviolet rays, etc.) having a higher energy than the work function of the substance, charged particles (ions, electrons, etc.), neutral particles (neutral molecules, The same effect can be obtained by using a beam of neutral atoms, neutrons, etc. Further, in the above-described Embodiment 1, an example using four electrodes has been described, but if the control is performed in only one direction, two electrodes are sufficient. Further, in the second embodiment, the case where each of the four electrodes is made of a single material is shown. However, if the material is different depending on the place, the electrodes do not need to be divided for each material, and one electrode is used. But it is enough. In the second embodiment, it is sufficient that the electrode material has conductivity, and it is needless to say that a doped semiconductor or the like can be used in addition to the metal.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
微小ビームを形成するためのピンホールにおいてビーム
の位置を検出することで、(1)ピンホール以後に採光
器を設置する必要がなくなると共に、さらに(2)入射
ビームがピンホールを通過しない大きなずれにおいても
入射ビーム位置を検出することが可能になる。これによ
り、ビーム位置制御が簡便になるとともに、入射ビーム
の大きなずれに対応できる。
As described above, according to the present invention,
By detecting the position of the beam in the pinhole for forming a minute beam, (1) there is no need to install a dimmer after the pinhole, and (2) a large deviation that the incident beam does not pass through the pinhole. It is also possible to detect the position of the incident beam at. This simplifies the beam position control and can cope with a large deviation of the incident beam.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】電極付きピンホールを示す。FIG. 1 shows a pinhole with electrodes.

【図2】実施例1を用いた測定システム図を示す。FIG. 2 shows a measurement system diagram using the first embodiment.

【図3】放射光により生じた光電流のピンホール位置に
対する強度変化を示す。
FIG. 3 shows a change in intensity of a photocurrent generated by emitted light with respect to a pinhole position.

【図4】実施例2を用いた測定システム図を示す。FIG. 4 shows a measurement system diagram using the second embodiment.

【図5】放射光により生じた光電子ピーク強度のピンホ
ール位置に対する変化を示す。
FIG. 5 shows a change in photoelectron peak intensity generated by synchrotron radiation with respect to a pinhole position.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電極 2 端子 3 ピンホール 4 放射光ビーム 5 位置微動機構 6 電流計 7 計算機 8 上部電極からの電流 9 下部電極からの電流 10 スペクトルアナライザ 11 電子分析器 12 上部電極からのAu4f内殻準位光電子強度 13 下部電極からのPt4f内殻準位光 1 Electrode 2 Terminal 3 Pinhole 4 Synchrotron Radiation Beam 5 Positioning Mechanism 6 Ammeter 7 Calculator 8 Current from Upper Electrode 9 Current from Lower Electrode 10 Spectrum Analyzer 11 Electronic Analyzer 12 Au4f Inner Level Photoelectron from Upper Electrode Intensity 13 Pt4f core level light from the lower electrode

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成7年6月23日[Submission date] June 23, 1995

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】電極付きピンホールを示す。FIG. 1 shows a pinhole with electrodes.

【図2】実施例1を用いた測定システム図を示す。FIG. 2 shows a measurement system diagram using the first embodiment.

【図3】放射光により生じた光電流のピンホール位置に
対する強度変化を示す。
FIG. 3 shows a change in intensity of a photocurrent generated by emitted light with respect to a pinhole position.

【図4】実施例2を用いた測定システム図を示す。FIG. 4 shows a measurement system diagram using the second embodiment.

【図5】放射光により生じた光電子ピーク強度のピンホ
ール位置に対する変化を示す。
FIG. 5 shows a change in photoelectron peak intensity generated by synchrotron radiation with respect to a pinhole position.

【符号の説明】 1 電極 2 端子 3 ピンホール 4 放射光ビーム 5 位置微動機構 6 電流計 7 計算機 8 上部電極からの電流 9 下部電極からの電流 10 スペクトルアナライザ 11 電子分析器 12 上部電極からのAu4f内殻準位光電子強度 13 下部電極からのPt4f内殻準位光[Explanation of symbols] 1 electrode 2 terminal 3 pinhole 4 synchrotron radiation beam 5 position fine adjustment mechanism 6 ammeter 7 calculator 8 current from upper electrode 9 current from lower electrode 10 spectrum analyzer 11 electronic analyzer 12 Au4f from upper electrode Core level photoelectron intensity 13 Pt4f core level light from lower electrode

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図5[Name of item to be corrected] Figure 5

【補正方法】追加[Correction method] Added

【補正内容】[Correction content]

【図5】 [Figure 5]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾嶋 正治 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 芹川 正 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shoji Ojima 1-1-6 Uchisaiwai-cho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation (72) Tadashi Serikawa 1-1-6 Uchisai-cho, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ピンホールと、該ピンホールを取り囲ん
で形成され互いに電気的に絶縁された複数の電極とを有
することを特徴とする微小ビーム作製装置。
1. A microbeam producing apparatus comprising: a pinhole; and a plurality of electrodes that surround the pinhole and are electrically insulated from each other.
【請求項2】 前記電極への入射ビームの照射により発
生する電流を検出する手段を有することを特徴とする請
求項1記載の微小ビーム作製装置。
2. The microbeam producing apparatus according to claim 1, further comprising means for detecting a current generated by irradiating the electrode with an incident beam.
【請求項3】 ピンホールと、該ピンホールを取り囲ん
で形成され互いに異なる材料を含む導電性物質から成る
複数の領域を有することを特徴とする微小ビーム作製装
置。
3. A microbeam producing apparatus comprising: a pinhole and a plurality of regions formed of a conductive substance that surrounds the pinhole and contains different materials.
【請求項4】 前記電極への入射ビームの照射により発
生する電子を検出する電子検出手段と、該電子検出手段
の検出結果に基づいて前記ピンホールと前記入射ビーム
との相対位置を変化させる手段とを有することを特徴と
する請求項3記載の微小ビーム作製装置。
4. An electron detecting means for detecting electrons generated by irradiating the electrode with an incident beam, and a means for changing a relative position between the pinhole and the incident beam based on a detection result of the electron detecting means. The microbeam producing apparatus according to claim 3, further comprising:
【請求項5】 ピンホールにビームを入射し、該ピンホ
ールを取り囲んで形成された互いに絶縁されている複数
の電極からの電流を検出し、検出した電流値に基づいて
前記ピンホールと前記入射ビームとの相対位置を変化さ
せることを特徴とする微小ビーム作製方法。
5. A beam is incident on a pinhole, currents are detected from a plurality of electrodes which are formed surrounding the pinhole and are insulated from each other, and the pinhole and the incident are detected based on the detected current value. A method for producing a minute beam, characterized in that the relative position to the beam is changed.
【請求項6】 ピンホールにビームを入射し、該ピンホ
ールを取り囲んで形成され互いに異なる材料を含む導電
性物質から成る複数の領域を有する電極から発生する電
子を検出し、その検出結果に基づいて前記ピンホールと
前記入射ビームとの相対位置を変化させることを特徴と
する微小ビーム作製方法。
6. A beam is incident on a pinhole, and electrons generated from an electrode having a plurality of regions formed of a conductive substance containing different materials and surrounding the pinhole are detected, and based on the detection result. A method for producing a minute beam, characterized in that a relative position between the pinhole and the incident beam is changed.
JP7048998A 1995-02-13 1995-02-13 Fine beam forming equipment and forming method of fine beam Pending JPH08222789A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311766A (en) * 2003-04-08 2004-11-04 Ushio Inc Two-stage laser device for exposure

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JP2004311766A (en) * 2003-04-08 2004-11-04 Ushio Inc Two-stage laser device for exposure

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