JPH08222546A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH08222546A JPH08222546A JP2377995A JP2377995A JPH08222546A JP H08222546 A JPH08222546 A JP H08222546A JP 2377995 A JP2377995 A JP 2377995A JP 2377995 A JP2377995 A JP 2377995A JP H08222546 A JPH08222546 A JP H08222546A
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Abstract
材料の反応性ドライエッチング方法を提供する。 【構成】 基板を所望のパタン形状に加工するに際し、
基板材料である試料1と化学的に反応し反応生成物を生
じるガス(例えばBr2 )を用いる反応性ドライエッチ
ング法において、上記反応性ガスとしての第1のガス
を、試料室10内でそれ自身と基板材料とは自発的に化
学反応を生起しない状態で試料1の表面近傍にガス導入
口17より供給するとともに、前記第1の反応性ガスと
基板材料とが化学反応を生起するためのプラズマ室13
内で生成されたプラズマを、引き出しグリット16を介
して第2の粒子ビーム(原子ビームまたは分子ビーム)
として試料1表面に入射し、前記第1の反応性ガスと試
料1とを化学的に反応させ、高精度なドライエッチング
を行う。
Description
P,InAs、およびこれらの化合物であるInGaA
sPなどの化合物半導体材料、Si,Geなどの単体半
導体材料、SiO2 ,Si3 N4 ,Al2 O3 などの絶
縁性材料のドライエッチング方法に関し、特に反応性ド
ライエッチングに関する。
れる半導体材料、およびSiO2 やSi3 N4 ,Al2
O3 といった絶縁性材料を含む基板を所望のパタン形状
に加工するに際しては、これらの材料と化学的に反応す
る性質を有する1種類もしくは複数種類の反応性ガスを
あらかじめ真空排気された容器に導入し、放電等の手法
により反応性ガスのプラズマを生成し、このプラズマで
生じた活性反応種を基板表面に入射せしめることにより
行ってきた。
態として、平行平板状に配置された2枚の電極間に13.
56MHzの高周波電力を供給し、この電極間でグロー
放電を生起せしめる方法が反応性イオンエッチング(R
IE)と称される方法であり、広く用いられている。
一方の電極上に配置される。また活性反応種を生成する
プラズマ室と基板材料を配置する試料室とを別の空間と
し、プラズマ室から活性反応種を引き出して試料室の基
板材料に入射させる方法が反応性イオンビームエッチン
グ(RIBE)と呼ばれる方法であり、半導体基板材料
の加工に用いられている。
じた活性反応種は荷電状態にあるところのイオン性活性
反応種と荷電状態にはない中性活性反応種の両者が混在
した状態でエッチングに関与することとなる。イオン性
活性反応種は基板表面に形成されるところのイオンシー
ス電界により指向性を有することとなり、これが半導体
加工技術で重要となるところの異方性を呈するエッチン
グをもたらしている。
た中性活性種は電界による影響を受けないため、その運
動方向は等方的になる。このため中性活性種が引き起こ
すエッチングは等方的であり、加工形状にアンダーカッ
トをもたらす等の現象となって現れ、異方性に富むエッ
チングを得ようとする際の大きな問題となっていた。ま
た中性活性反応種は化学的に非常に活性な状態にあり、
それ自身と基板材料とは自発的な化学反応を生じてしま
う。このため、加工形状を人為的に操作せんとする際の
大きな障害となっていた。
応性ガスの放電プラズマをイオン性活性種の供給源とし
て用いているため、異方性エッチングに必要なイオン性
活性反応種とともに、異方性エッチングを損なう性質を
有する中性活性反応種も必然的にプラズマ内で生成され
てしまい、このため良好な異方性エッチングを実現する
ことは困難であった。
たものであり、その目的とするところはアンダーカット
等の現象として現れる等方性エッチングの原因である中
性活性反応種の発生を防止し、異方性に優れたドライエ
ッチング方法を提供するところにある。
に本発明に係る第1の発明の構成は、基板を所望のパタ
ン形状に加工するに際し、基板材料と化学的に反応し反
応生成物を生じせしめるガスを用いる反応性ドライエッ
チング法において、基板材料と化学的に反応し反応生成
物を形成する特性を有する反応性ガスでなる第1のガス
を、それ自身と基板材料とは自発的に化学反応を生起し
ない状態で基板表面近傍に輸送供給するとともに、第2
のガスより生成されるところの、前記第1のガスと基板
材料とが化学反応を生起するための原子ビームまたは分
子ビームを基板表面に入射せしめて、前記第1のガスと
基板材料とを化学的に反応せしめることを特徴とするも
のである。
記請求項1に記載の、反応性ガスと基板材料とが化学反
応を生起するための原子ビームまたは分子ビームが、第
2のガスの放電により生成されるところの原子ビームま
たは分子ビームであることを特徴とするものである。
1のガスを基板表面近傍に輸送供給する方法として、第
2のガス供給経路と同じ経路を用い、第1のガスと第2
のガスのそれぞれの供給量を制御することにより、基板
に入射せしめる粒子ビームを第2のガスのみからなる状
態とすることを特徴とするものである。
1のガスを基板表面近傍に輸送供給する方法として、第
2のガスを供給する経路とは異なる経路でもって第1の
ガスを供給することを特徴とするものである。
は、使用せんとする第1の反応性ガスを、それ自身と基
板材料とは自発的な反応を生じない状態にして基板表面
に供給することを最大の特徴としている。その一つの方
法としては、放電プラズマを用いたドライエッチング法
においては、反応性ガスを放電に関与させないことであ
る。ここで、放電プラズマを反応性ガスを放電に関与さ
せないということは反応性ガスをプラズマ状態にしない
ことであり、このために異方性エッチングをそこないア
ンダーカット等の原因となる中性活性反応種の生成を完
全に抑制できることとなる。さらに、中性活性反応種の
生成がないため、基板材料の自発的反応の進行が抑制さ
れ、これが加工の制御性改善に有効な効果をもたらして
いる。この時、基板表面において、第1の反応性ガスと
基板材料を相互に反応せしめ、反応生成物を生じせしめ
る目的で第2の粒子ビームを基板に入射せしめることが
特徴となっている。
る状況において中性活性反応種が存在しないためエッチ
ングにより得られた形状にアンダーカット等が生じな
い。また基板材料の自発的反応が進行しない。従って、
非常に高い精度でもって基板材料を加工することが可能
となる。これは、例えば、半導体光導波路を例にとって
示すと、導波路の寸法を厳密に決めることが可能であ
り、非常に性能の良い半導体導波路の作製を可能ならし
めるものである。
用した装置を示す概略図である。同図中、符号10は試
料室を図示し、この試料室10は真空排気系11により
真空排気される。上記試料室10内では、試料台12上
に加工せんとする試料1が配置されている。また、図中
の符号13は第2の粒子ビームを生成させるためのプラ
ズマ室を図示する。このプラズマ室13には第2の粒子
ビーム発生用プラズマの原料ガスを導入するガス導入口
14が装備されている。さらに、上記プラズマ室13に
はマイクロ波発生源15からマイクロ波が導入されてお
り、マイクロ波放電によるプラズマ生成が可能な構成と
なっている。また図中、符号16はこのプラズマから第
2の粒子ビームを引き出して試料に入射させるための引
き出しグリッドを図示し、このグリッド16に電圧を印
加することにより、電圧に応じたエネルギを有する粒子
ビームを得ることができる。図中、符号17は基板材料
と化学的に反応する反応性ガスであるところの第1のガ
スを基板表面近傍に輸送するためのガス導入機構を図示
する。なお、本実施例では試料表面への均一な供給を得
るために、試料を取り巻くリング形状の導入機構とした
が、本発明はこれに限定されるものではない。
合物半導体であるところのInP結晶を用いたが、本発
明はこれに限定されるものではない。また、第2の粒子
ビームとしてはArガスで生成されるプラズマから取り
出される粒子ビームを用いているが、本発明はこれに限
定されるものではない。
で、Arガスを流量制御器18を用いて流量制御した状
態で、ガス導入口14からプラズマ室13内に導入し
た。この時のArガスの圧力は2.0×10-4torrであ
る。次に、100ワットのマイクロ波を、マイクロ波源
よりプラズマ室13に導入した。グリッド16への印加
電圧は400ボルトとしたとき、電流値に換算して1.5
mA/cm2 の第2の粒子ビームが得られた。この第2
の粒子ビームを発生させるのと同時に、試料室10に設
けたガス導入口17より臭素ガス(Br2 )を、流量制
御器19を経由して導入した。この時のBr2 ガスの分
圧は0.9×10-4torrである。
った際に得られた試料1の加工形状の断面観察図を図2
に示す。この図は当該試料を走査型電子顕微鏡を用いて
観察した観察結果の説明図である。図2中、符号20は
エッチングマスクとして用いたSiO2 膜を図示し、符
号21は加工した試料1のInP結晶を図示する。図2
に示すように、本実施例で得られた加工形状は、エッチ
ングマスクのSiO2 膜20の端から試料1のInP結
晶20表面に対して垂直な側壁21aを有するリッジ形
状が得られていることがわかる。この時のエッチング量
は毎分0.1ミクロンであり、このエッチング量からいっ
て、本方法によれば極めて高精度なエッチングが実現で
きるわけである。
は当該試料1に対するエッチングは進行しないことが確
認された。これは、第1の反応性ガスを導入した状態に
おいては、第1の反応性ガスと基板材料のあいだには自
発的反応は生じない状態にあることを意味している。
じ装置を使用して実施した。すなわち、反応性ガスであ
るBr2 ガスをプラズマ室にガス導入口14から導入
し、マイクロ波の投入によってプラズマを生成し、グリ
ッド16へ電圧を印加することで粒子ビームを引き出し
試料に入射せしめた。この方法で得られた加工形状の断
面観察結果を図3に示す。側壁21bはエッチングマス
クのSiO2 膜20の端から内側に入り込んでおり、ア
ンダーカットが見られた。導入するガスの圧力、投入す
るマイクロ波のパワー、印加する電圧を変化させ、さら
には導入するガスをCl2 に換えて加工を行ったが、上
記アンダーカットを無くすることはできなかった。これ
は、反応性ガスを一旦プラズマ状態にすると、必然的に
中性活性反応種を生成することとなり、この中性活性反
応種の等方的運動と、それが持つ基板材料との自発的反
応性がアンダーカットをもたらすためである。
応性ガスと第2の粒子ビームを生成するためのガスを異
なる経路でもって装置に導入したが、本実施例において
第1の反応性ガスと第2の粒子ビームを生成するための
ガスとを同じ経路で導入した結果について記述する。第
1の反応性ガスであるBr2 と第2の粒子ビームを生成
するためのガスであるArは、図4に示すように、それ
ぞれの流量制御器18,19を経由した後、プラズマ室
13に導入される手前で混合されている。
せしめたマイクロ波プラズマからビームを引き出して試
料に入射せしめた。この時、Arの流量は毎分4.5cm
3 である。反応性ガスであるBr2 の流量が毎分2.0c
m3 以上ではアンダーカットを呈する加工形状であった
が、これ以下の流量においては図2に示すような、垂直
な側壁を呈する加工形状が得られた。これは、Br2 の
流量が少ない場合には放電プラズマは実質上第2の粒子
ビームを生成するためのArガスで生起しており、反応
性ガスであるBr2 は放電プラズマに寄与しない状況と
なり、これがためにアンダーカットの原因となる中性活
性反応種が生じていないためである。本実施例の場合の
エッチング量は、ほぼ毎分0.1ミクロンであった。
は第2の粒子ビームとしてガスの放電プラズマにより得
られるところの粒子ビームを用いた実施例を示したが、
本実施例では第2の粒子ビームとして電子を用いた場合
の結果を述べる。
は、図5に示すように、プラズマ室13の部分に熱電子
放出用フィラメント30を取り付けた装置を用いた。こ
のフィラメント30は電流源31から加えられる電流に
より電子を放出するが、電流源31とフィラメント30
からなる回路をバイアス電源32を用いることにより、
基板電位に対して負にバイアスしておくことで、第2の
粒子ビームとしての電子からなるビームを得た。
応性ガスとしてのBr2 を導入口17から0.9×10-4
torrの圧力になるように導入した。第2の粒子ビームで
ある電子からなるビームを40分間試料に入射したとこ
ろ、得られた加工形状は実施例1で示したところの図2
に示す加工形状と同様の、垂直側壁が観察された。
P結晶である場合について述べたが、GaAs等の化合
物半導体材料、Si等の単体半導体材料、さらにはSi
O2等の絶縁性材料にも本発明になる方法が適用できる
ことは、その原理からいって明らかである。
を用いれば、エッチングを行う際にアンダーカット等の
等方的エッチング、および基板材料との自発的化学反応
性をもたらすところの中性活性反応種の生成を完全に抑
圧できるため、異方性に富むエッチングが可能となる。
この異方性は第2の粒子ビームによってもたらされるた
め、粒子ビームと基板のなす角度を設定することによ
り、基板表面に垂直な加工はもちろんのこと、任意の角
度を有する加工形状を得ることができる。さらに本発明
においては、基板材料のエッチングが第2の粒子ビーム
の照射が存在してはじめて進行するため、加工形状の操
作性が極めてすぐれている。
図。
加工形状の断面観察結果の図。
加工形状の断面観察結果の図。
図。
図。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板を所望のパタン形状に加工するに際
し、基板材料と化学的に反応し反応生成物を生じせしめ
るガスを用いる反応性ドライエッチング法において、 基板材料と化学的に反応し反応生成物を形成する特性を
有する反応性ガスでなる第1のガスを、それ自身と基板
材料とは自発的に化学反応を生起しない状態で基板表面
近傍に輸送供給するとともに、 第2のガスより生成されるところの、前記第1のガスと
基板材料とが化学反応を生起するための原子ビームまた
は分子ビームを基板表面に入射せしめて、前記第1のガ
スと基板材料とを化学的に反応せしめることを特徴とす
るドライエッチング方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載のドライエッチング方法
において、 上記反応性ガスと基板材料とが化学反応を生起するため
の原子ビームまたは分子ビームが、第2のガスの放電に
より生成されるところの原子ビームまたは分子ビームで
あることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載のドライエッチング方法
において、 上記第1のガスを基板表面近傍に輸送供給する方法とし
て、第2のガス供給経路と同じ経路を用い、第1のガス
と第2のガスのそれぞれの供給量を制御することによ
り、基板に入射せしめる粒子ビームを第2のガスのみか
らなる状態とすることを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項4】 請求項1に記載のドライエッチング方法
において、上記第1のガスを基板表面近傍に輸送供給す
る方法として、第2のガスを供給する経路とは異なる経
路でもって第1のガスを供給することを特徴とするドラ
イエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02377995A JP3296392B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP02377995A JP3296392B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | ドライエッチング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002005756A Division JP3654438B2 (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08222546A true JPH08222546A (ja) | 1996-08-30 |
JP3296392B2 JP3296392B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=12119823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02377995A Expired - Fee Related JP3296392B2 (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | ドライエッチング方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3296392B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100682077B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2007-02-16 | 주식회사 케이씨텍 | 중성화빔을 이용한 표면처리장치 및 방법 |
JP2021503709A (ja) * | 2017-10-30 | 2021-02-12 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 高屈折率材料のh2補助傾斜エッチング |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP02377995A patent/JP3296392B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100682077B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2007-02-16 | 주식회사 케이씨텍 | 중성화빔을 이용한 표면처리장치 및 방법 |
JP2021503709A (ja) * | 2017-10-30 | 2021-02-12 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 高屈折率材料のh2補助傾斜エッチング |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3296392B2 (ja) | 2002-06-24 |
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