JPH08213424A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH08213424A
JPH08213424A JP7016017A JP1601795A JPH08213424A JP H08213424 A JPH08213424 A JP H08213424A JP 7016017 A JP7016017 A JP 7016017A JP 1601795 A JP1601795 A JP 1601795A JP H08213424 A JPH08213424 A JP H08213424A
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JP
Japan
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semiconductor device
lead
semiconductor element
semiconductor
bent
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Application number
JP7016017A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Kawahara
孝一 川原
Norio Fukazawa
則雄 深澤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH08213424A publication Critical patent/JPH08213424A/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract

PURPOSE: To realize a semiconductor device which is erected and formed in a module by using a TAB semiconductor device. CONSTITUTION: A slit 16 is provided at the mounting part of the outer lead 15 of a TAB(tape automated bonding) semiconductor device by using the TAB semiconductor device, an outer lead 15 crossing the slit 16 is bent, and the bent part is connected to a printed board.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。詳
しくは、TABテープを用い、樹脂封止したICパッケ
ージを直立実装及びモジュール化を可能とした半導体装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a semiconductor device in which a resin-sealed IC package can be mounted upright and modularized using a TAB tape.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のTAB半導体装置を図9に示す。
このTAB半導体装置は、図に示すように、TABテー
プよりなるサポートリング1に設けられたインナーリー
ド2に、半導体素子3を、その表面に設けられたバンプ
4によりフェースボンディングした後、該半導体素子3
及びインナーリード2を樹脂5により封止し、さらにイ
ンナーリード2に接続したアウターリード6を所定の形
状に折曲形成したものである。
2. Description of the Related Art A conventional TAB semiconductor device is shown in FIG.
In this TAB semiconductor device, as shown in the figure, a semiconductor element 3 is face-bonded to an inner lead 2 provided on a support ring 1 made of a TAB tape by a bump 4 provided on the surface thereof, and then the semiconductor element is formed. Three
The inner lead 2 is sealed with resin 5, and the outer lead 6 connected to the inner lead 2 is bent and formed into a predetermined shape.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年半導体メモリ装置
の大容量化が要求されている。そのため、単体の半導体
装置を複数個用いることが考えられる。しかし前記従来
の半導体装置を複数個用い、それを平面的に並べただけ
では実装面積が大となる。このため半導体装置の直立化
及び小型化が必要となる。
In recent years, there has been a demand for large capacity semiconductor memory devices. Therefore, it is possible to use a plurality of single semiconductor devices. However, the mounting area becomes large only by using a plurality of the conventional semiconductor devices and arranging them in a plane. Therefore, it is necessary to make the semiconductor device upright and downsize.

【0004】本発明はTAB半導体装置を用いて、その
直立化及びモジュール化を可能にした半導体装置を実現
しようとする。
The present invention is intended to realize a semiconductor device which can be made upright and modularized by using the TAB semiconductor device.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置に於
いては、TAB半導体装置を用い、該TAB半導体装置
のアウターリード15の実装部にスリット16を設け、
該スリット16を横断するアウターリード15を折り曲
げ、この折り曲げ部をプリント基板への接続部としたこ
とを特徴とする。また、それに加えて、上記アウターリ
ード15を折り曲げたプリント基板への接続部を半導体
素子10の一辺にのみ設けたことを特徴とする。また、
上記アウターリード折り曲げ部の形状が、U字形状であ
ることを特徴とする。また上記リード折り曲げ部の先端
部をベースフィルム10に接着層を介して半導体素子1
0の背面に固定したことを特徴とする。
In the semiconductor device of the present invention, a TAB semiconductor device is used, and a slit 16 is provided in a mounting portion of the outer lead 15 of the TAB semiconductor device.
The outer lead 15 crossing the slit 16 is bent, and the bent portion is used as a connecting portion to the printed board. In addition to that, a connection portion to the printed board in which the outer lead 15 is bent is provided only on one side of the semiconductor element 10. Also,
The shape of the bent portion of the outer lead is U-shaped. In addition, the tip of the lead bent portion is attached to the base film 10 with an adhesive layer interposed between the semiconductor element 1
It is characterized by being fixed to the back of 0.

【0006】また、上記半導体素子10の実装面の側面
に、絶縁材料からなる断面が略半円形の柱状の強度保持
用のスペーサ18を接着層にて水平に固定し、該スペー
サ18の側面に沿ってスリット部のアウターリード15
を折り曲げたことを特徴とする。また、上記半導体素子
10のリード接続方向の側面から背面にかけて絶縁材料
からなる断面L字形の補強板20を接着層19を介して
接着固定し、該補強板20に沿ってスリット部のアウタ
ーリード15を折り曲げたことを特徴とする。
On the side surface of the mounting surface of the semiconductor element 10, a columnar spacer 18 made of an insulating material and having a substantially semicircular cross section is horizontally fixed by an adhesive layer, and is fixed to the side surface of the spacer 18. Along the outer lead 15 of the slit
It is characterized by bending. Further, a reinforcing plate 20 having an L-shaped cross section made of an insulating material is adhesively fixed via an adhesive layer 19 from the side surface to the rear surface of the semiconductor element 10 in the lead connection direction, and the outer lead 15 of the slit portion is formed along the reinforcing plate 20. It is characterized by bending.

【0007】また、上記インナーリード14と半導体素
子10のエッジ部との間に、該エッジ部を覆うようにし
てベースフィルム10を配置し、接着層を介して半導体
素子10に固定したことを特徴とする。また、上記イン
ナーリード14が半導体素子10の中央方向に引き出さ
れる場合に、バンプ11の内周にベースフィルム12を
配置し接着層を介して半導体素子10に固定したことを
特徴とする。
Further, the base film 10 is arranged between the inner lead 14 and the edge portion of the semiconductor element 10 so as to cover the edge portion, and is fixed to the semiconductor element 10 via an adhesive layer. And In addition, when the inner lead 14 is pulled out toward the center of the semiconductor element 10, the base film 12 is arranged on the inner periphery of the bump 11 and fixed to the semiconductor element 10 via an adhesive layer.

【0008】また、上記半導体素子10の実装辺の側辺
部に設けられたバンプ11aからダミーリード13aを
引き出し、且つ実装面まで延長してプリント基板への接
着部を形成したことを特徴とする。また、上記ダミーリ
ード13aのプリント基板への接着部にベースフィルム
12bを残したことを特徴とする。また、上記半導体素
子10の実装辺の側辺部に接着層を介してベースフィル
ム12aを固定し、その表面に実装強度保持用のダミー
リード13aを設けたことを特徴とする。
Further, the dummy lead 13a is drawn out from the bump 11a provided on the side of the mounting side of the semiconductor element 10 and extended to the mounting surface to form an adhesive portion to the printed board. . In addition, the base film 12b is left in the bonding portion of the dummy lead 13a to the printed board. In addition, the base film 12a is fixed to the side of the mounting side of the semiconductor element 10 via an adhesive layer, and a dummy lead 13a for holding the mounting strength is provided on the surface of the base film 12a.

【0009】また、上記半導体素子10の実装辺に設け
られたアウターリード15とは別に、独立して折り曲げ
た実装強度保持用のリード13aを設けたことを特徴と
する。また、上記半導体素子10の背面に固定したベー
スフィルム12に実装強度保持用のリード13bを設け
たことを特徴とする。また、単体のTAB半導体装置に
2個の半導体素子10a,10bを配置し、且つ各半導
体素子10a,10bの接続方向を互いの中心とし、そ
の中心部にスリット16を設け、該スリット部のアウタ
ーリード15を前記2個の半導体素子10a,10bが
背中合わせとなるように180°折り曲げ、該半導体素
子同士を接着層21にて接着固定したことを特徴とす
る。また上記半導体素子10の側面とスリット部のアウ
ターリード15間にリードの強度保持用のスペーサを設
置したことを特徴とする。この構成を採ることによりT
AB半導体装置を用いて、その直立化及びモジュール化
を可能にした半導体装置が得られる。
Further, in addition to the outer lead 15 provided on the mounting side of the semiconductor element 10, an independently bent lead 13a for holding the mounting strength is provided. In addition, the base film 12 fixed to the back surface of the semiconductor element 10 is provided with leads 13b for holding the mounting strength. Further, two semiconductor elements 10a and 10b are arranged in a single TAB semiconductor device, and the connecting directions of the respective semiconductor elements 10a and 10b are set to be the centers of each other, and a slit 16 is provided at the center portion thereof, and an outer portion of the slit portion is provided. The lead 15 is bent 180 ° so that the two semiconductor elements 10a and 10b are back-to-back, and the semiconductor elements are bonded and fixed by an adhesive layer 21. Further, a spacer for maintaining the strength of the lead is provided between the side surface of the semiconductor element 10 and the outer lead 15 of the slit portion. By adopting this configuration, T
By using the AB semiconductor device, a semiconductor device that can be made upright and modularized can be obtained.

【0010】[0010]

【作用】本発明では、ワイヤーボンディング品に比べて
半導体装置の厚さを薄くできるTAB半導体装置を用
い、そのアウターリードを折り曲げて半導体素子背面に
接着固定したことにより、該アウターリードを用いて直
立実装が可能となり、また、複数の半導体素子を有する
TAB半導体装置を、アウターリード部分で折り曲げて
半導体素子を背中合わせに接着することによりモジュー
ル化が可能となる。
According to the present invention, the TAB semiconductor device, which can make the thickness of the semiconductor device thinner than that of the wire-bonded product, is used. Mounting is possible, and a TAB semiconductor device having a plurality of semiconductor elements is bent at the outer lead portions and the semiconductor elements are adhered back to back, whereby modularization is possible.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明の第1の実施例を示す図で、
(a)は展開図、(b)は(a)図のb−b線における
組立断面図である。なお本実施例は請求項1〜4及び7
〜8に対応する。図1(a)において、10は半導体素
子(LSI)、11は該半導体素子に設けられたバン
プ、12はベースフィルム、13は該ベースフィルム上
に形成されたリードであり、該リードはインナーリード
14とアウターリード15が接続して形成され、該イン
ナーリード14がバンプ11にボンディングされてい
る。
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
(A) is a development view, (b) is an assembly sectional view taken along line bb of (a). In addition, the present embodiment includes claims 1 to 4 and 7.
Corresponds to ~ 8. In FIG. 1A, 10 is a semiconductor element (LSI), 11 is a bump provided on the semiconductor element, 12 is a base film, 13 is a lead formed on the base film, and the lead is an inner lead. 14 and an outer lead 15 are connected to each other, and the inner lead 14 is bonded to the bump 11.

【0012】そしてアウターリード15は全べて同一方
向に引き出されている。この際、プリント基板への接続
辺に遠い側にあるバンプ11から延びているリード13
は、エッジショート防止及びリード保持のため半導体素
子中央部に設置されたベースフィルム12上で接続辺側
のインナーリード14に接触しないようにパターニング
されている。
The outer leads 15 are all drawn out in the same direction. At this time, the leads 13 extending from the bumps 11 on the side far from the connection side to the printed circuit board.
Is patterned so as not to contact the inner leads 14 on the connection side on the base film 12 installed in the central portion of the semiconductor element for the purpose of preventing edge short-circuit and holding the leads.

【0013】また、ベースフィルム12にはアウターリ
ード15の実装部で且つ該アウターリード15を横切る
方向にスリット16が形成されている。そして半導体素
子10のエッジ部分を覆うベースフィルム12はエッジ
部から外側にはみ出すように設けられ、接着層にて半導
体素子10に固定されている。また、上辺のパッド11
と下辺のパッド11との中間部にあるベースフィルム1
2も接着層により半導体素子10に接着固定されてい
る。さらに半導体素子10の表面はバンプ11及びイン
ナーリード14を含んで(b)図の如く樹脂17でモー
ルドされている。
Further, a slit 16 is formed in the base film 12 at a mounting portion of the outer lead 15 and in a direction crossing the outer lead 15. The base film 12 that covers the edge portion of the semiconductor element 10 is provided so as to extend outside from the edge portion, and is fixed to the semiconductor element 10 with an adhesive layer. Also, the pad 11 on the upper side
And the base film 1 in the middle between the lower side pad 11
2 is also adhesively fixed to the semiconductor element 10 by an adhesive layer. Further, the surface of the semiconductor element 10 including the bumps 11 and the inner leads 14 is molded with resin 17 as shown in FIG.

【0014】本実施例は、上記のように形成されたTA
B半導体装置のスリット部16にあるアウターリード1
5をUの字形に折り曲げ、アウターリード15の先端を
支持しているベースフィルム12を半導体素子10の背
面に接着層により接着固定したものである。
In this embodiment, the TA formed as described above is used.
B Outer lead 1 in the slit portion 16 of the semiconductor device
5 is bent in a U shape, and the base film 12 supporting the tips of the outer leads 15 is adhesively fixed to the back surface of the semiconductor element 10 by an adhesive layer.

【0015】このように形成された本実施例は、Uの字
形に折曲形成したアウターリード15の折り曲げ部の先
端をプリント基板のパッドに半田付けすることにより半
導体素子10を垂直にして実装することができる。な
お、図1(b)の如くスリット部16の両側にあるベー
スフィルム12を半導体素子10のエッジからはみ出さ
せることによりUの字形リード部の強度を得ている。
In this embodiment thus formed, the semiconductor element 10 is mounted vertically by soldering the tips of the bent portions of the outer leads 15 bent in a U shape to the pads of the printed circuit board. be able to. The strength of the U-shaped lead portion is obtained by protruding the base films 12 on both sides of the slit portion 16 from the edge of the semiconductor element 10 as shown in FIG. 1B.

【0016】図2は本発明の第2の実施例を示す図で、
(a)は断面図、(b)はスペーサの斜視図である。本
実施例は請求項5に対応するもので、基本的には前実施
例と同様であるので同一部分は説明を省略する。本実施
例が前実施例と異なるところは、アウターリード15を
U字形に折り曲げた部分と、半導体素子10の端面との
間にできた空間を埋めるようにスペーサ18を介在させ
たものである。
FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.
(A) is sectional drawing, (b) is a perspective view of a spacer. This embodiment corresponds to claim 5, and since it is basically the same as the previous embodiment, the description of the same parts will be omitted. The present embodiment is different from the previous embodiment in that a spacer 18 is interposed so as to fill a space formed between the outer lead 15 bent in a U shape and the end face of the semiconductor element 10.

【0017】このスペーサ18は絶縁材料により(b)
図に示すように断面が略半円形の柱状に形成され、その
平面部を接着層19により半導体素子10の端面に接着
固定されている。
The spacer 18 is made of an insulating material (b).
As shown in the figure, the cross-section is formed into a columnar shape having a substantially semi-circular shape, and the plane portion thereof is bonded and fixed to the end surface of the semiconductor element 10 by the adhesive layer 19.

【0018】このように構成された本実施例は、前実施
例と同様な作用・効果を有する他、U字状に折曲形成し
たアウターリード15部分をスペーサ18により強度ア
ップすることができる。なおスペーサ18にヒートシン
ク用材料を用いて放熱性を高めることもできる。
The present embodiment thus constructed has the same operation and effect as the previous embodiment, and the strength of the spacer 18 can be increased by the spacer 18 in the U-shaped bent outer lead 15. A heat sink material may be used for the spacer 18 to enhance heat dissipation.

【0019】図3は本発明の第3の実施例を示す図で、
(a)は断面図、(b)は補強部材の斜視図である。本
実施例は請求項6に対応するもので、第1の実施例と同
様なTAB半導体装置を用い、その半導体素子10の背
面から底面にかけて(b)図に示すような断面L字形で
絶縁材料で形成された補強板20を接着層19により接
着し、該補強板20の外面に沿ってアウターリード15
を折曲し、その先端部のベースフィルム12を接着層に
より補強板20の背面に接着固定したものである。なお
補強板20にはヒートシンク材料等の放熱性の良い材料
を用いることが好ましい。
FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.
(A) is sectional drawing, (b) is a perspective view of a reinforcing member. This embodiment corresponds to claim 6 and uses a TAB semiconductor device similar to that of the first embodiment, and has an L-shaped cross-section of an insulating material as shown in FIG. The reinforcing plate 20 formed by the above is adhered by the adhesive layer 19, and the outer lead 15 is provided along the outer surface of the reinforcing plate 20.
Is bent and the base film 12 at the tip thereof is adhesively fixed to the back surface of the reinforcing plate 20 by an adhesive layer. It is preferable to use a material having a good heat dissipation property such as a heat sink material for the reinforcing plate 20.

【0020】このように構成された本実施例は、直立実
装ができ、且つアウターリード15は補強板20によっ
て補強される。なお図では実装面が平面となっている
が、半田付け時の熱による影響を考慮してベースフィル
ムは設置されていない。
The present embodiment thus constructed can be mounted upright, and the outer leads 15 are reinforced by the reinforcing plate 20. Although the mounting surface is flat in the figure, the base film is not installed in consideration of the influence of heat during soldering.

【0021】図4は本発明の第4の実施例を示す図で、
(a)は展開図、(b)は(a)図のb−b線における
組立断面図である。本実施例は請求項9及び10に対応
するものであり、そのTAB半導体装置は第1の実施例
のTAB半導体装置を基本にし、さらに半導体素子10
の実装辺Aに対し、側辺B及びC部にダミーのバンプ1
1aを設けると共に、ベースフィルム12aを接着固定
し、このバンプ11aからダミーリード13aを引き出
し、且つ実装面に対し90°引き回し、さらに該ダミー
リード13aを支持しているベースフィルムにスリット
16aを設けている。なお、半導体素子10の表面はバ
ンプ11及びインナーリード14を含んで樹脂17でモ
ールドされている。
FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
(A) is a development view, (b) is an assembly sectional view taken along line bb of (a). This embodiment corresponds to claims 9 and 10, and the TAB semiconductor device is based on the TAB semiconductor device of the first embodiment, and further the semiconductor element 10 is used.
Dummy bumps 1 on sides B and C with respect to mounting side A of
1a is provided, the base film 12a is adhesively fixed, the dummy leads 13a are drawn out from the bumps 11a, and are routed 90 ° to the mounting surface, and the slits 16a are provided in the base film supporting the dummy leads 13a. There is. The surface of the semiconductor element 10 including the bumps 11 and the inner leads 14 is molded with resin 17.

【0022】本実施例は、このように形成されたTAB
半導体装置を(b)図の如くアウターリード15をU字
形に折曲形成し、その先端のベースフィルム12を接着
層を介して半導体素子10の背面に接着固定すると共
に、左右両辺のリード13aを90°折曲し、そのベー
スフィルム12bの下面をアウターリード15の下面と
同一高さにしている。
In this embodiment, the TAB formed as described above is used.
A semiconductor device is formed by bending an outer lead 15 into a U-shape as shown in FIG. 2B, adhesively fixing the base film 12 at the tip thereof to the back surface of the semiconductor element 10 via an adhesive layer, and connecting the leads 13a on both left and right sides. The lower surface of the base film 12b is bent at 90 ° so as to be flush with the lower surface of the outer lead 15.

【0023】このように構成された本実施例は、U字形
に折曲形成したアウターリード15により直立実装が可
能となり、さらに半導体素子10の左右に設けたダミー
リード13aの先端のベースフィルム12bを基板へ接
着固定することにより実装強度を向上することができ
る。
In this embodiment thus constructed, the outer leads 15 bent in a U shape can be mounted upright, and the base films 12b at the ends of the dummy leads 13a provided on the left and right of the semiconductor element 10 can be mounted. Mounting strength can be improved by adhesively fixing to the substrate.

【0024】図5は本発明の第5の実施例を示す図で
(a)は展開図、(b)は(a)図のb−b線おける組
立断面図である。本実施例は請求項11に対応するもの
で、その構成は、前実施例とほぼ同様であり、異なると
ころは、半導体素子10の左右のダミーバンプを除いた
ことのみである。従って、その作用効果は前実施例と同
様である。
5A and 5B are views showing a fifth embodiment of the present invention. FIG. 5A is a development view and FIG. 5B is an assembly sectional view taken along line bb in FIG. 5A. The present embodiment corresponds to claim 11, and the configuration is almost the same as the previous embodiment, except that the left and right dummy bumps of the semiconductor element 10 are removed. Therefore, its function and effect are similar to those of the previous embodiment.

【0025】図6は本発明の第6の実施例を示す図で、
(a)は展開図、(b)は(a)図のb−b線における
組立断面図である。本実施例は請求項12に対応するも
ので、そのTAB半導体は第1の実施例のTAB半導体
装置を基本にして、半導体素子10の実装辺に対する左
右の辺の近傍に、本来のリードとは別にダミーリード1
3aを設けたものである。なおこのダミーリード13a
にはバンプ11aがあっても、あるいは無くても良く、
また先端にはベースフィルム12bを有する。
FIG. 6 is a diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
(A) is a development view, (b) is an assembly sectional view taken along line bb of (a). This embodiment corresponds to claim 12, and the TAB semiconductor is based on the TAB semiconductor device of the first embodiment, and the original lead is provided in the vicinity of the left and right sides with respect to the mounting side of the semiconductor element 10. Dummy lead 1 separately
3a is provided. This dummy lead 13a
May or may not have bumps 11a,
Further, it has a base film 12b at the tip.

【0026】本実施例はこのTAB半導体装置を図6
(b)に示すように、アウターリード15をU字状に曲
げ、その先端のベースフィルム12を半導体素子10の
背面に接着層を介して接着固定し、さらにダミーリード
13aを外側に90°折り曲げ、その先端のベースフィ
ルム12bの下面をU字状のアウターリード15の下面
の高さに一致させている。
In this embodiment, this TAB semiconductor device is shown in FIG.
As shown in (b), the outer lead 15 is bent in a U shape, the base film 12 at the tip thereof is adhered and fixed to the back surface of the semiconductor element 10 via an adhesive layer, and the dummy lead 13a is bent outward by 90 °. The lower surface of the base film 12b at the tip is made to match the height of the lower surface of the U-shaped outer lead 15.

【0027】このように構成された本実施例は前実施例
と同様にダミーリード13aにより実装強度を向上する
ことができる。
In this embodiment thus constructed, the mounting strength can be improved by the dummy leads 13a as in the previous embodiment.

【0028】図7は本発明の第7の実施例を示す図で、
(a)は展開図、(b)は(a)図のb−b線における
組立断面図である。本実施例は請求項13に対応するも
ので、そのTAB半導体装置は図4で説明した第4の実
施例に用いたものに、さらに、半導体素子背面に接着固
定するベースフィルム12から先端にベースフィルム1
2cを有するダミーリード13bを設けたものである。
FIG. 7 is a diagram showing a seventh embodiment of the present invention.
(A) is a development view, (b) is an assembly sectional view taken along line bb of (a). This embodiment corresponds to claim 13. The TAB semiconductor device is the same as that used in the fourth embodiment described with reference to FIG. Film 1
A dummy lead 13b having 2c is provided.

【0029】本実施例は、このTAB半導体装置を図7
(b)に示すように、アウターリード15をU字状に曲
げ、その先端部のベースフィルム12を半導体素子10
の背面に接着層を介して接着固定すると共に、接着した
ベースフィルム12から延びたダミーリード13bを外
方に90°折曲し、また半導体素子10の左右両辺から
延びたダミーリード13aも外方に90°折曲し、両者
のベースフィルム12b,12cの下面がアウターリー
ド15の下面の高さと一致するようにしたものである。
In this embodiment, this TAB semiconductor device is shown in FIG.
As shown in (b), the outer lead 15 is bent in a U shape, and the base film 12 at the tip thereof is attached to the semiconductor element 10.
And the dummy leads 13b extending from the adhered base film 12 are bent 90 ° outward, and the dummy leads 13a extending from both left and right sides of the semiconductor element 10 are also outwardly fixed. The base films 12b and 12c are bent by 90 ° so that the lower surfaces of the base films 12b and 12c are flush with the lower surface of the outer lead 15.

【0030】このように構成された本実施例は、アウタ
ーリード15をU字状に折曲形成した部分の左右に、ダ
ミーリード13a,13b先端のベースフィルム12
b、12cが張り出されるため、実装強度の一層の向上
が得られる。
In this embodiment thus constructed, the base film 12 at the ends of the dummy leads 13a and 13b is provided on the left and right of the portion where the outer lead 15 is bent and formed in a U shape.
Since b and 12c are projected, the mounting strength can be further improved.

【0031】図8は本発明の第8の実施例を示す図で
(a)は展開図、(b)は(a)図のb−b線における
組立断面図である。本実施例は請求項14に対応するも
ので、使用されるTAB半導体装置は、第1の実施例に
おいて図1(a)に示したTAB半導体装置を2個用
い、図8(a)の如く互いのアウターリード15を向い
合うようにして接続したものである。例えば一方の半導
体素子10aと他方の半導体素子10bのバンプAと
A′、又はBとB′というようにそれぞれ対応するバン
プを接続している。
8A and 8B are views showing an eighth embodiment of the present invention, FIG. 8A is a development view, and FIG. 8B is an assembly sectional view taken along line bb in FIG. 8A. This embodiment corresponds to claim 14. As the TAB semiconductor device used, two TAB semiconductor devices shown in FIG. 1A in the first embodiment are used, and as shown in FIG. The outer leads 15 are connected so as to face each other. For example, the bumps A and A ′ or B and B ′ of the one semiconductor element 10a and the other semiconductor element 10b are connected to each other.

【0032】本実施例はこのTAB半導体装置を、その
アウターリード15をU字状に折曲し、一方の半導体素
子10aと他方の半導体素子10bを背中合わせにして
接着層21により接着固定したものである。
In this embodiment, the outer lead 15 of this TAB semiconductor device is bent in a U shape, and one semiconductor element 10a and the other semiconductor element 10b are back-to-back and adhesively fixed by an adhesive layer 21. is there.

【0033】このように構成された本実施例は、2個の
TAB半導体装置を組み合わせて直立実装を可能にし、
半導体装置の小型化が実現できる。なお、本実施例及び
第1,4,5,6の各実施例において、ベースフィルム
12スリット16を設ける場合、ベースフィルム12を
半導体素子のエッジから若干はみ出すようにしている
が、このはみ出しはアウターリード15のエッジショー
トを防止すると共に、U字状に折曲したアウターリード
の強度向上にも役立つている。また第4〜6の実施例に
おいて、半導体素子側面とスリット16のアウターリー
ド15間にスペーサを設けて実装強度の向上を計ること
もできる。
In this embodiment having such a structure, two TAB semiconductor devices are combined to enable upright mounting,
A semiconductor device can be miniaturized. In the present embodiment and the first, fourth, fifth and sixth embodiments, when the base film 12 slit 16 is provided, the base film 12 is slightly projected from the edge of the semiconductor element. This prevents the edge of the lead 15 from being short-circuited and also helps improve the strength of the outer lead bent in a U shape. Further, in the fourth to sixth embodiments, a spacer may be provided between the side surface of the semiconductor element and the outer lead 15 of the slit 16 to improve the mounting strength.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明に依れば、従来のTAB構造に大
きく手を加えることなく、半導体素子とほぼ同サイズの
半導体装置が得られ、従来のTAB半導体装置では困難
であった直立実装を可能とし、小型・薄型の半導体装置
を複数個用いた新しい高密度実装方法を提供することが
できる。
According to the present invention, a semiconductor device having almost the same size as a semiconductor element can be obtained without significantly modifying the conventional TAB structure, and the upright mounting which is difficult with the conventional TAB semiconductor device can be achieved. It is possible to provide a new high-density mounting method using a plurality of small and thin semiconductor devices.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す図で、(a)は展
開図、(b)は(a)図のb−b線における組立断面図
である。
1A and 1B are views showing a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a development view, and FIG. 1B is an assembly sectional view taken along line bb in FIG.

【図2】本発明の第2の実施例を示す図で、(a)は組
立断面図、(b)はスペーサの斜視図である。
2A and 2B are views showing a second embodiment of the present invention, in which FIG. 2A is an assembled sectional view and FIG. 2B is a perspective view of a spacer.

【図3】本発明の第3の実施例を示す図で、(a)は組
立断面図、(b)は補強板の斜視図である。
3A and 3B are views showing a third embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is an assembled sectional view and FIG. 3B is a perspective view of a reinforcing plate.

【図4】本発明の第4の実施例を示す図で、(a)は展
開図、(b)は(a)図のb−b線における組立断面図
である。
4A and 4B are views showing a fourth embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is an exploded view and FIG. 4B is an assembled sectional view taken along line bb in FIG. 4A.

【図5】本発明の第5の実施例を示す図で、(a)は展
開図、(b)は(a)図のb−b線における組立断面図
である。
5A and 5B are views showing a fifth embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A is a development view and FIG. 5B is an assembly sectional view taken along line bb in FIG. 5A.

【図6】本発明の第6の実施例を示す図で、(a)は展
開図、(b)は(a)図のb−b線における組立断面図
である。
6A and 6B are views showing a sixth embodiment of the present invention, in which FIG. 6A is a development view and FIG. 6B is an assembly sectional view taken along line bb in FIG. 6A.

【図7】本発明の第7の実施例を示す図で、(a)は展
開図、(b)は(a)図のb−b線における組立断面図
である。
7A and 7B are views showing a seventh embodiment of the present invention, FIG. 7A is a development view, and FIG. 7B is an assembly sectional view taken along line bb of FIG. 7A.

【図8】本発明の第8の実施例を示す図で、(a)は展
開図、(b)は(a)図のb−b線における組立断面図
である。
8A and 8B are views showing an eighth embodiment of the present invention, in which FIG. 8A is a development view and FIG. 8B is an assembly sectional view taken along line bb in FIG. 8A.

【図9】従来の半導体装置を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10a,10b…半導体素子 11…バンプ 12,12a,12b,12c…ベースフィルム 13…リード 13a,13b…ダミーリード 14…インナーリード 15…アウターリード 16,16a…スリット 17…樹脂 18…スペーサ 19,21…接着層 20…補強板 10, 10a, 10b ... Semiconductor element 11 ... Bump 12, 12a, 12b, 12c ... Base film 13 ... Lead 13a, 13b ... Dummy lead 14 ... Inner lead 15 ... Outer lead 16, 16a ... Slit 17 ... Resin 18 ... Spacer 19 , 21 ... Adhesive layer 20 ... Reinforcing plate

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 TAB(テープ・オートメイテッド・ボ
ンディング)半導体装置を用い、該TAB半導体装置の
アウターリード(15)の実装部にスリット(16)を
設け、該スリット(16)を横断するアウターリード
(15)を折り曲げ、この折り曲げ部をプリント基板へ
の接続部としたことを特徴とする半導体装置。
1. A TAB (Tape Automated Bonding) semiconductor device is used, a slit (16) is provided in a mounting portion of the outer lead (15) of the TAB semiconductor device, and the outer lead crosses the slit (16). A semiconductor device characterized in that (15) is bent and the bent portion is used as a connecting portion to a printed circuit board.
【請求項2】 上記アウターリード(15)を折り曲げ
たプリント基板への接続部を半導体素子(10)の一辺
にのみ設けたことを特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor device, characterized in that a connecting portion to the printed circuit board in which the outer lead (15) is bent is provided only on one side of the semiconductor element (10).
【請求項3】 上記アウターリード折り曲げ部の形状
が、U字形状であることを特徴とする請求項1の半導体
装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the outer lead bent portion has a U-shape.
【請求項4】 上記リード折り曲げ部の先端部をベース
フィルム(10)に接着層を介して半導体素子(10)
の背面に固定したことを特徴とする請求項1の半導体装
置。
4. A semiconductor element (10) having a tip portion of the lead bent portion on a base film (10) with an adhesive layer interposed therebetween.
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is fixed to the back surface of the.
【請求項5】 上記半導体素子(10)実装面の側面
に、絶縁材料からなる断面が略半円形の柱状の強度保持
用のスペーサ(18)を接着層(19)にて水平に固定
し、該スペーサ(18)の側面に沿ってスリット部のア
ウターリード(15)を折り曲げたことを特徴とする請
求項1の半導体装置。
5. A strength-maintaining spacer (18) made of an insulating material and having a substantially semicircular cross section is horizontally fixed to the side surface of the mounting surface of the semiconductor element (10) with an adhesive layer (19), 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the outer lead (15) of the slit portion is bent along the side surface of the spacer (18).
【請求項6】 上記半導体素子(10)のリード接続方
向の側面から背面にかけて絶縁材料からなる断面L字形
の補強板(20)を接着層(19)を介して接着固定
し、該補強板(20)に沿ってスリット部のアウターリ
ード(15)を折り曲げたことを特徴とする請求項1の
半導体装置。
6. A reinforcing plate (20) made of an insulating material and having an L-shaped cross section is adhesively fixed through an adhesive layer (19) from a side surface to a rear surface of the semiconductor element (10) in a lead connection direction, and the reinforcing plate ( 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the outer lead (15) of the slit portion is bent along the line 20).
【請求項7】 上記インナーリード(14)と半導体素
子(10)のエッジ部との間に、該エッジ部を覆うよう
にしてベースフィルム(10)を配置し、接着層を介し
て半導体素子(10)に固定したことを特徴とする請求
項1の半導体装置。
7. A base film (10) is arranged between the inner lead (14) and an edge portion of the semiconductor element (10) so as to cover the edge portion, and the semiconductor element (via a bonding layer). 10. The semiconductor device according to claim 1, which is fixed to 10).
【請求項8】 上記インナーリード(14)が半導体素
子(10)の中央方向に引き出される場合に、バンプ
(11)の内周にベースフィルム(12)を配置し接着
層を介して半導体素子(10)に固定したことを特徴と
する請求項1の半導体装置。
8. When the inner lead (14) is pulled out toward the center of the semiconductor element (10), the base film (12) is arranged on the inner periphery of the bump (11) and the semiconductor element (12) is interposed via an adhesive layer. 10. The semiconductor device according to claim 1, which is fixed to 10).
【請求項9】 上記半導体素子(10)の実装辺の側辺
部に設けられたバンプ(11a)からダミーリード(1
3a)を引き出し、且つ実装面まで延長してプリント基
板への接着部を形成したことを特徴とする請求項1の半
導体装置。
9. A dummy lead (1) is formed from a bump (11a) provided on a side portion of a mounting side of the semiconductor element (10).
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein 3a) is pulled out and extended to the mounting surface to form an adhesive portion to the printed circuit board.
【請求項10】 上記ダミーリード(13a)のプリン
ト基板への接着部にベースフィルム(12b)を残した
ことを特徴とする請求項9の半導体装置。
10. The semiconductor device according to claim 9, wherein a base film (12b) is left in a bonding portion of the dummy lead (13a) to the printed circuit board.
【請求項11】 上記半導体素子(10)の実装辺の側
辺部に接着層を介してベースフィルム(12a)を固定
し、その表面に実装強度保持用のダミーリード(13
a)を設けたことを特徴とする請求項1の半導体装置。
11. A base film (12a) is fixed to a side portion of a mounting side of the semiconductor element (10) via an adhesive layer, and a dummy lead (13) for maintaining mounting strength is provided on the surface thereof.
The semiconductor device according to claim 1, wherein a) is provided.
【請求項12】 上記半導体素子(10)の実装辺に設
けられたアウターリード(15)とは別に、独立して折
り曲げた実装強度保持用のリード(13a)を設けたこ
とを特徴とする請求項1の半導体装置。
12. A lead (13a) which is independently bent and is provided separately from the outer lead (15) provided on the mounting side of the semiconductor element (10). Item 1. The semiconductor device according to item 1.
【請求項13】 上記半導体素子(10)の背面に固定
したベースフィルム(12)に実装強度保持用のリード
(13b)を設けたことを特徴とする請求項3の半導体
装置。
13. The semiconductor device according to claim 3, wherein the base film (12) fixed to the back surface of the semiconductor element (10) is provided with leads (13b) for holding mounting strength.
【請求項14】 単体のTAB半導体装置に2個の半導
体素子(10a,10b)を配置し、且つ各半導体素子
(10a,10b)の接続方向を互いの中心とし、その
中心部にスリット(16)を設け、該スリット部のアウ
ターリード(15)を前記2個の半導体素子(10a,
10b)が背中合わせとなるように180°折り曲げ、
該半導体素子同士を接着層(21)にて接着固定したこ
とを特徴とする請求項1の半導体装置。
14. A single TAB semiconductor device is provided with two semiconductor elements (10a, 10b), and the connecting directions of the respective semiconductor elements (10a, 10b) are mutually centered, and a slit (16) is formed at the center thereof. ) Is provided, and the outer lead (15) of the slit portion is provided with the two semiconductor elements (10a, 10a,
Bend 180 ° so that 10b) are back to back,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor elements are bonded and fixed to each other with an adhesive layer (21).
【請求項15】 上記半導体素子(10)の側面とスリ
ット部のアウターリード(15)間にリードの強度保持
用のスペーサを設置したことを特徴とする請求項9乃至
12のうちの何れか1項の半導体装置。
15. A spacer for maintaining strength of a lead is provided between a side surface of the semiconductor element (10) and an outer lead (15) of a slit portion, according to any one of claims 9 to 12. Item semiconductor device.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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