JPH08211345A - Manufacture of optical shutter array - Google Patents

Manufacture of optical shutter array

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Publication number
JPH08211345A
JPH08211345A JP7291519A JP29151995A JPH08211345A JP H08211345 A JPH08211345 A JP H08211345A JP 7291519 A JP7291519 A JP 7291519A JP 29151995 A JP29151995 A JP 29151995A JP H08211345 A JPH08211345 A JP H08211345A
Authority
JP
Japan
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shutter
groove
optical
grooves
shutter array
Prior art date
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Pending
Application number
JP7291519A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Itaru Saito
格 齊藤
Hirohisa Kitano
博久 北野
Ken Matsubara
兼 松原
Koichi Aragaki
康一 新垣
Tomohiko Masuda
朋彦 益田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Minolta Co Ltd filed Critical Minolta Co Ltd
Priority to JP7291519A priority Critical patent/JPH08211345A/en
Publication of JPH08211345A publication Critical patent/JPH08211345A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To provide manufacture of an optical shutter array simple in a manufacturing process. CONSTITUTION: A groove 3 (depth a) for a common electrode is formed on a substrate having an electrooptical effect in the longitudinal direction of the substrate. The grooves 4, 5 (depth b) for several electrodes are formed parallel to the groove 3 for the common electrode at a prescribed interval. Further, many grooves 6 (depth c) for element formation formed obliquely for these grooves 3-5 are formed. By making the relation among these groove depths a>c>b, the grooves 3 for the common electrode are continued in the longitudinal direction, and the grooves 4, 5 for several electrodes are separated in the longitudinal direction.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電気光学効果を有する
基板に複数個のシャッタエレメントを少なくとも一次元
に形成した光シャッタアレイの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an optical shutter array in which a plurality of shutter elements are formed on a substrate having an electro-optical effect in at least one dimension.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気光学効果を有する材料で特にカー効
果の大きいPLZTを用いた光シャッタアレイは、現在、光
空間変調器、光減衰器、高速のデータレコーダ、光プリ
ンタ、光スキャナなどへの応用が考えられている。
2. Description of the Related Art Optical shutter arrays using PLZT, which is a material having an electro-optical effect and has a particularly large Kerr effect, are currently used in optical spatial modulators, optical attenuators, high-speed data recorders, optical printers, optical scanners, and the like. Application is considered.

【0003】上記した光シャッタアレイとして、例えば
特開昭61-90127号に開示された光シャッタアレイが知ら
れている(図9参照)。この光シャッタアレイ100は、
電気光学効果を有する基板上に、一次元状に配置された
複数のシャッタエレメント101と、これらシャッタエレ
メント101に対応して設けられた信号電極102、接地電極
103と、隣り合うシャッタエレメント101間を分離する溝
104とが形成されている。上記構成の光シャッタアレイ1
00では、複数の溝104によって隣り合うシャッタエレメ
ントの電極間でのクロストークを防止している。又、信
号電極102、接地電極103は、この溝104同士の間に形成
されている。
As the above-mentioned optical shutter array, for example, an optical shutter array disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-90127 is known (see FIG. 9). This optical shutter array 100 is
A plurality of shutter elements 101 arranged one-dimensionally on a substrate having an electro-optical effect, and signal electrodes 102 and ground electrodes provided corresponding to these shutter elements 101.
A groove separating 103 and the adjacent shutter element 101
104 and are formed. Optical shutter array 1 with the above configuration
In 00, a plurality of grooves 104 prevent crosstalk between electrodes of adjacent shutter elements. The signal electrode 102 and the ground electrode 103 are formed between the grooves 104.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公報に記
載された光シャッタアレイは、個々のエレメントに対応
して電極を形成し、更にクロストーク防止のために溝を
形成しており、その製造工程が複雑であるという問題点
を有する。
However, in the optical shutter array described in the above publication, electrodes are formed corresponding to the individual elements, and further grooves are formed to prevent crosstalk. There is a problem that the process is complicated.

【0005】[0005]

【目的】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもの
であり、製造工程が単純である光シャッタアレイの製造
方法を提供することをその目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an optical shutter array having a simple manufacturing process.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、基板上であってシャッタエレメント
として作用する部分の両側に、シャッタエレメントの配
列方向にわたって連続した導電膜を形成する第1の工程
と、基板に前記配列方向とは異なる方向に複数の溝を形
成し、シャッタエレメントの配列方向の一方側に形成さ
れた導電膜を配列方向に関して分割してシャッタエレメ
ント毎の個別電極を形成するとともに、他方側に形成さ
れた導電膜の少なくとも一部を配列方向に関して分割せ
ず連続するようにして複数個のシャッタエレメントに共
通な共通電極を形成する第2の工程と、を有する光シャ
ッタアレイの製造方法である。
In order to solve the above problems, the present invention forms a conductive film continuous on the substrate on both sides of a portion acting as a shutter element in the arrangement direction of the shutter elements. In the first step, the plurality of grooves are formed on the substrate in a direction different from the arrangement direction, and the conductive film formed on one side of the arrangement direction of the shutter elements is divided in the arrangement direction to separate the shutter elements individually. A second step of forming an electrode and forming a common electrode common to a plurality of shutter elements by making at least a part of the conductive film formed on the other side continuous without dividing in the arrangement direction; It is a manufacturing method of the optical shutter array having.

【0007】[0007]

【作用】本発明によると、第1行程で形成された導電膜
は、シャッタエレメントの配列方向の一方側は第2行程
の溝形成によってシャッタエレメントの配列方向に関し
て分割され、シャッタエレメント毎の個別電極となる。
又、シャッタエレメントの他方側の導電膜は、第2行程
の溝形成によっても少なくともその一部がシャッタエレ
メントの配列方向に関して分割されず連続しており、複
数個のシャッタエレメントに共通な共通電極となる。
According to the present invention, the conductive film formed in the first step is divided on the one side in the arrangement direction of the shutter elements in the arrangement direction of the shutter elements by forming the groove in the second step, and individual electrodes for each shutter element are formed. Becomes
Further, at least a part of the conductive film on the other side of the shutter element is continuous without being divided in the arrangement direction of the shutter elements even if the groove is formed in the second step, and a common electrode common to the plurality of shutter elements is formed. Become.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明を添付図面に示す実施例によっ
て具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the embodiments shown in the accompanying drawings.

【0009】図4に一実施例の光シャッタアレイの部分
平面図を示す。光シャッタアレイ10は、中央部に、平行
2列のシャッタアレイ11A, 12Aを備える。シャッタアレ
イ11Aを形成するシャッタエレメント11のシャッタ窓
(斜線を施して示されている)を平行四辺形としてい
る。シャッタアレイ12Aのシャッタエレメント12のシャ
ッタ窓も、シャッタエレメント11と同形の平行四辺形と
している。13はシャッタアレイ11A, 12Aに共通な第1の
電極としての共通電極である。14は、各シャッタエレメ
ント11の第2の電極としての個別電極、15は各シャッタ
エレメント12の第2の電極としての個別電極で、これら
個別電極14, 15のそれぞれは、外付の駆動回路と接続す
るための電極リード部14l, 15lに連なっている。
FIG. 4 shows a partial plan view of an optical shutter array according to an embodiment. The optical shutter array 10 includes shutter arrays 11A and 12A arranged in parallel in two rows at the center. The shutter windows (shown by hatching) of the shutter elements 11 forming the shutter array 11A have a parallelogram shape. The shutter window of the shutter element 12 of the shutter array 12A is also a parallelogram having the same shape as the shutter element 11. Reference numeral 13 is a common electrode as a first electrode common to the shutter arrays 11A and 12A. 14 is an individual electrode as the second electrode of each shutter element 11, 15 is an individual electrode as the second electrode of each shutter element 12, and each of these individual electrodes 14, 15 is an external drive circuit. It is connected to the electrode lead portions 14l and 15l for connection.

【0010】共通電極13は、溝3に設けられ、個別電極1
4, 15はそれぞれ溝4, 5に設けられている。シャッタア
レイ11A, 12Aのシャッタエレメント、個別電極及びリー
ド部は、それぞれ、一定のピッチの平行な多数の溝6に
よって相互に分離されている。共通電極用の溝3、個別
電極用の溝4, 5及びエレメント分離用の溝6は、何れも
が精密切削加工によって形成されている。図1〜図4に
より、このシャッタアレイ10の製作工程を説明する。
The common electrode 13 is provided in the groove 3, and the individual electrode 1
The grooves 4 and 15 are provided in the grooves 4 and 5, respectively. The shutter elements, individual electrodes and lead portions of the shutter arrays 11A, 12A are separated from each other by a large number of parallel grooves 6 having a constant pitch. The common electrode groove 3, the individual electrode grooves 4 and 5, and the element separating groove 6 are all formed by precision cutting. The manufacturing process of the shutter array 10 will be described with reference to FIGS.

【0011】図1(a)に示すように、平板状長尺のPLZT1
を準備する。PLZT1の表裏両面は予め光学研磨されてい
る。PLZT1は具体的は、組成が9/65/35、形状は長さ100m
m,幅5.0mm, 厚さ0.5mmのものである。
As shown in FIG. 1 (a), a long flat plate-shaped PLZT1
To prepare. Both front and back sides of PLZT1 have been optically polished in advance. PLZT1 is specifically 9/65/35 in composition and 100m in length.
m, width 5.0 mm, thickness 0.5 mm.

【0012】図1(b)に示すように、このPLZT1の表面の
ほぼ中央部に、レジストパターン2を帯状に形成する。
レジストパターン2の幅は300μmで、通常一般のフォト
リソグラフィー技術を用いた。このレジストパターン2
は、後述するように、リフトオフ法による蒸着膜の除去
に用いられる。なお、PLZT1の長手方向をX軸、幅方向す
なわちX軸に直交する方向をY軸とし、II−II線に沿う断
面図を図2に示す。レジストパターン2の厚みは1μm程
度としている。
As shown in FIG. 1 (b), a resist pattern 2 is formed in a strip shape at the substantially central portion of the surface of this PLZT1.
The width of the resist pattern 2 is 300 μm, and a general photolithography technique is usually used. This resist pattern 2
Is used for removing the deposited film by the lift-off method, as will be described later. 2 is a sectional view taken along line II-II with the longitudinal direction of PLZT1 as the X-axis and the width direction, that is, the direction orthogonal to the X-axis as the Y-axis. The thickness of the resist pattern 2 is about 1 μm.

【0013】次に、このレジストパターン2を形成したP
LZT1の当該レジストパターン2の中央をX軸方向にPLZT1
の全長にわたり精密切削し、図3に示す共通電極用の溝
3を形成する。切削加工は、ダイシングソーで行い、カ
ッターは刃厚40μmのダイヤモンドカッターを用いた。
溝3の形状は、幅80μm, 深さa=150μmである。なお、
深さは、PLZT1の表面を基準とする。
Next, the P on which the resist pattern 2 is formed
PLZT1 in the center of the resist pattern 2 of LZT1 in the X-axis direction
Precise cutting over the entire length of the common electrode groove shown in Fig. 3
Forming 3 The cutting process was performed with a dicing saw, and the cutter used was a diamond cutter with a blade thickness of 40 μm.
The shape of the groove 3 is 80 μm in width and a = 150 μm in depth. In addition,
The depth is based on the surface of PLZT1.

【0014】さらに、上記切削工程と同様の態様で、前
記溝3の両端縁から一定の間隔をおいて該溝3と平行に、
すなわちX軸方向にPLZT1の全長にわたり溝入れ切削し、
図3に示すように、個別電極用の溝4, 溝5を形成する。
溝4, 溝5の形状は相等しく、幅80μm, 深さb=110μmと
した。溝3と溝4, 溝5の間隔すなわちシャッタとなる凸
部の幅長は80μmとした。なお、このシャッタ部の幅長
及び溝3と溝4, 溝5の深さa, bは、光シャッタアレイに
要求される性能に応じてかつ精密切削加工の精度の範囲
内において任意に選択されることが可能である。ただ
し、a>bを条件とする。
Further, in a manner similar to the above-mentioned cutting step, in parallel with the groove 3 at a constant distance from both end edges of the groove 3,
That is, grooving and cutting the entire length of PLZT1 in the X-axis direction,
As shown in FIG. 3, grooves 4 and 5 for individual electrodes are formed.
The shapes of the groove 4 and the groove 5 are the same, and the width is 80 μm and the depth b is 110 μm. The interval between the groove 3 and the groove 4 and the groove 5, that is, the width of the convex portion serving as the shutter was set to 80 μm. The width of the shutter portion and the depths a and b of the groove 3, the groove 4, and the groove 5 are arbitrarily selected according to the performance required for the optical shutter array and within the precision cutting precision range. It is possible to However, the condition is a> b.

【0015】次の工程は、電極用の金属薄膜を設ける工
程である。実施例では、スパッタリング法により、この
PLZT1の加工面を含む表面全体にアルミニウムを蒸着
し、2μm程度のアルミ蒸着膜7を形成した(図5)。
The next step is to provide a metal thin film for electrodes. In the example, the sputtering method
Aluminum was vapor-deposited on the entire surface including the processed surface of PLZT1 to form an aluminum vapor-deposited film 7 having a thickness of about 2 μm (FIG. 5).

【0016】次にこのアルミ蒸着膜7を設けたPLZT1に対
し、再びダイシングソーを用いエレメント分離用の多数
の溝6を切削する。X軸方向に対し63゜の角度で切り込
み、溝ピッチは160μmである。切削に供したダイヤモン
ドカッターは、刃厚が50μmのものに交換されている。
この溝6の形状としては、幅70μm, 深さcは130μmとし
ている。
Next, the PLZT 1 provided with the aluminum vapor deposition film 7 is cut again with a dicing saw to cut a large number of grooves 6 for element separation. It cuts at an angle of 63 ° to the X-axis direction and the groove pitch is 160 μm. The diamond cutter used for cutting is replaced with a blade having a blade thickness of 50 μm.
The groove 6 has a width of 70 μm and a depth c of 130 μm.

【0017】切削の深さcは、図5の断面で分かるよう
に、a>c>b の条件を満足するようにしている。即ち、
溝3(a=150μm)、溝4, 5(b=110μm)に対し、溝6の
深さc(=130μm)をこのように設定すると、溝4, 5の
アルミ蒸着膜7を削り取って簡単にシャッタエレメント
の個別電極と電極リード部を分離形成できるとともに、
共通電極となる溝3のアルミ蒸着膜7の底部のものを削り
取らずにすむ。さらに付言すれば、立体状のシャッタエ
レメントを作ると同時にその平行電極も合わせて作るこ
とができる。従来例は、シャッタエレメントを立体化す
る工程が煩雑でしかもその電極形成が別工程であった
が、本例によれば、製作工程を大幅に簡略化することが
できる。尚、シャッタエレメントを立体状(電極は対向
平行型)にすると、駆動電圧を低くできるという大きな
利点がある。
The cutting depth c is set so as to satisfy the condition of a>c> b, as can be seen from the cross section of FIG. That is,
By setting the depth c (= 130 μm) of the groove 6 for the groove 3 (a = 150 μm) and the grooves 4, 5 (b = 110 μm), it is easy to scrape off the aluminum vapor deposition film 7 of the grooves 4 and 5. Separate electrode and electrode lead part of shutter element can be formed separately,
It is not necessary to scrape off the bottom of the aluminum vapor deposition film 7 of the groove 3 which will be the common electrode. In addition, it is possible to form a three-dimensional shutter element and simultaneously form its parallel electrodes. In the conventional example, the step of forming the shutter element into a three-dimensional structure is complicated, and the electrode formation thereof is a separate step, but according to this example, the manufacturing process can be greatly simplified. If the shutter element is three-dimensional (the electrodes are parallel to each other), there is a great advantage that the driving voltage can be lowered.

【0018】製作工程の最後は、シャッタエレメント1
1, 12の上面窓部に形成されているアルミ蒸着膜7を除去
する工程である。アルミ蒸着膜7はレジスト2上に形成さ
れており、これをレジスト剥離液によりレジスト2とと
もに剥離する(リフトオフ法)。
At the end of the manufacturing process, the shutter element 1
This is a step of removing the aluminum vapor deposition film 7 formed on the upper surface window portions 1 and 12. The aluminum vapor deposition film 7 is formed on the resist 2 and is peeled off together with the resist 2 by a resist peeling liquid (lift-off method).

【0019】以上のようにして図4に示される光シャッ
タアレイ10を得る。光シャッタアレイ10は、個別に外縁
まで延びた電極リード部14lをもったシャッタエレメン
ト11からなるシャッタアレイ11Aと、反対側の外縁まで
延びた電極リード部15lをもったシャッタエレメント12
からなるシャッタアレイ12Aの2列から構成される。図
6にこの光シャッタアレイ10の外部回路との接続図を示
す。
As described above, the optical shutter array 10 shown in FIG. 4 is obtained. The optical shutter array 10 includes a shutter array 11A including a shutter element 11 having an electrode lead portion 14l individually extending to the outer edge, and a shutter element 12 having an electrode lead portion 15l extending to the opposite outer edge.
The shutter array 12A is composed of two rows. FIG. 6 shows a connection diagram of the optical shutter array 10 with an external circuit.

【0020】図中、20はシャッタアレイ11Aのシャッタ
エレメント11群に駆動パルスを与える駆動回路(半導体
チップ状の回路を含む)、21はシャッタアレイ12Aのシ
ャッタエレメント12群を駆動する駆動回路である。駆動
回路20とシャッタアレイ11Aとは、シャッタアレイ11Aの
奇数番目のシャッタエレメント11の個々の電極リード部
14lと接続する一方、駆動回路21とシャッタアレイ12Aと
は、シャッタアレイ12Aの偶数番目のシャッタエレメン
ト12の個別の電極リード部15lと接続する。駆動回路20,
21と接続されないシャッタエレメントは利用されな
い。
In the figure, reference numeral 20 is a drive circuit (including a semiconductor chip-shaped circuit) for applying a drive pulse to the shutter element 11 group of the shutter array 11A, and 21 is a drive circuit for driving the shutter element 12 group of the shutter array 12A. . The drive circuit 20 and the shutter array 11A are the individual electrode lead portions of the odd-numbered shutter elements 11 of the shutter array 11A.
While being connected to 14l, the drive circuit 21 and the shutter array 12A are connected to individual electrode lead portions 15l of the even-numbered shutter elements 12 of the shutter array 12A. Drive circuit 20,
Shutter elements that are not connected to 21 are not used.

【0021】駆動回路20, 21は時分割で作動され、画像
情報に基づく2列のシャッタアレイ11A, 12Aのシャッタ
作用(図7(a))で、画像のドット状ライン1本を形成
する(図7(b))。時間差は、画像形成部例えば感光体
ドラムの回転速度と同期して整合される。これにより、
実施例の光シャッタアレイで80μmピッチすなわち12ド
ット/mmの高解像度を達成する。
The drive circuits 20 and 21 are operated in a time-divisional manner, and one dot line of an image is formed by the shutter action of the two rows of shutter arrays 11A and 12A (FIG. 7 (a)) based on the image information ( Fig. 7 (b)). The time difference is adjusted in synchronization with the rotation speed of the image forming unit, for example, the photosensitive drum. This allows
The optical shutter array of the embodiment achieves a high resolution of 80 μm pitch, that is, 12 dots / mm.

【0022】図7(b)は、2列のシャッタアレイ11A, 12
Aによる感光体状で合成された1ラインの投影像を示し
たものである。シャッタエレメント間には必ず物理的な
ギャップが存在するにも拘わらず、投影像においては、
このドット間ギャップが埋め合わされる。これにより、
ラインはドットの連続性が密な滑らかなものとなる。特
に本実施例では、条件をうまく設定したので、即ち平行
四辺形の形状をシャッタエレメント間の物理的なギャッ
プと同じ形状にしたので、千鳥状の駆動で相互にこの物
理的ギャップを埋め合わすことができる。
FIG. 7 (b) shows two rows of shutter arrays 11A and 12A.
FIG. 3 is a diagram showing a one-line projected image composed of A and a photosensitive body. Although there is always a physical gap between the shutter elements, in the projected image,
This inter-dot gap is filled up. This allows
The line becomes smooth with dense dot continuity. In particular, in this embodiment, since the condition is set well, that is, the parallelogram shape is made the same as the physical gap between the shutter elements, the physical gaps are mutually compensated by the staggered drive. You can

【0023】なお、上記実施例のように、シャッタアレ
イ2列で1本のラインを形成する構成とすると、光シャ
ッタアレイと駆動回路間の接続が容易なものとなり、ま
たワイヤーボンダー等による自動接続にも充分適用可能
となる。因みに、上記実施例によると、電極リード部14
l, 15lそれぞれの接続ピッチは160μmとなっている。
If, as in the above embodiment, one line is formed by two rows of shutter arrays, the connection between the optical shutter array and the drive circuit will be easy, and automatic connection by a wire bonder or the like will be possible. It can be applied to Incidentally, according to the above embodiment, the electrode lead portion 14
The connection pitch of each of l and 15l is 160 μm.

【0024】図8は、他の実施例の平面模式図を示して
いる。光シャッタアレイ30は1列のシャッタアレイで構
成され、シャッタエレメント31のシャッタ窓は平行四辺
形である。光シャッタアレイ30は電気光学効果を有しカ
ー定数の大きい材料(PLZTに限定されない)をフォトリ
ソグラフィー技術を利用して制作してもよいし、先の実
施例と同様に精密切削加工によって、あるいはこれらを
組み合わせて制作してもよい。切削加工によりエレメン
ト間のギャップ31gを形成する場合は、カッターの刃厚
の問題もあってこのギャップは比較的大きくなるが、ギ
ャップ31gをシャッタエレメント31の配列方向に対して
斜めに形成することによりこのギャップの存在の難点を
巧みに回避することができる。
FIG. 8 shows a schematic plan view of another embodiment. The optical shutter array 30 is composed of one row of shutter arrays, and the shutter window of the shutter element 31 is a parallelogram. The optical shutter array 30 may be made of a material having an electro-optical effect and a large Kerr constant (not limited to PLZT) by using photolithography technology, or by precision cutting as in the previous embodiment, or You may produce these in combination. When forming the gap 31g between the elements by cutting, this gap becomes relatively large due to the problem of the blade thickness of the cutter, but by forming the gap 31g obliquely with respect to the arrangement direction of the shutter elements 31. The difficulty of the existence of this gap can be skillfully avoided.

【0025】[0025]

【発明の効果】上記の説明で明らかなように、本発明に
よれば、第1行程で形成された導電膜は、シャッタエレ
メントの配列方向の一方側は第2行程の溝形成によって
シャッタエレメントの配列方向に関して分割され、シャ
ッタエレメント毎の個別電極となる。又、シャッタエレ
メントの他方側の導電膜は、第2行程の溝形成によって
も少なくともその一部がシャッタエレメントの配列方向
に関して分割されず連続しており、複数個のシャッタエ
レメントに共通な共通電極となる。従って、クロストー
ク防止のための溝形成を行う行程において同時に個別電
極、共通電極の形成を行うことができ、製造工程が単純
である光シャッタアレイの製造方法を提供することがで
きる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the conductive film formed in the first step has the shutter element formed by forming the groove in the second step on one side in the arrangement direction of the shutter elements. It is divided with respect to the arrangement direction and becomes an individual electrode for each shutter element. Further, at least a part of the conductive film on the other side of the shutter element is continuous without being divided in the arrangement direction of the shutter elements even when the groove is formed in the second step, and the common electrode common to the plurality of shutter elements is formed. Become. Therefore, the individual electrodes and the common electrode can be simultaneously formed in the process of forming the groove for preventing crosstalk, and the manufacturing method of the optical shutter array having a simple manufacturing process can be provided.

【0026】[0026]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例に係る光シャッタアレイの
製作工程を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の一実施例に係る光シャッタアレイの
製作工程を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の一実施例に係る光シャッタアレイの
製作工程を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の一実施例に係る光シャッタアレイの
模式的な部分平面図である。
FIG. 4 is a schematic partial plan view of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の一実施例に係る光シャッタアレイの
製作工程を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a manufacturing process of an optical shutter array according to an embodiment of the present invention.

【図6】 光シャッタアレイと駆動回路との接続を示す
図である。
FIG. 6 is a diagram showing a connection between an optical shutter array and a drive circuit.

【図7】 本発明の一実施例に係る光シャッタアレイの
駆動形式とその形成画像1ライン分との関係を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a drive type of an optical shutter array and one line of a formed image thereof according to an embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の他の実施例に係る光シャッタアレイ
の模式的な平面図である。
FIG. 8 is a schematic plan view of an optical shutter array according to another embodiment of the present invention.

【図9】 従来の光シャッタアレイの構成を示す平面図
である。
FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a conventional optical shutter array.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:PLZT 3:共通電極用の溝 4,5:個別電極用の溝 6:エレメント分離用の溝 7:アルミ蒸着膜 10、30:光シャッタアレイ 11、12、31:シャッタエレメント a:共通電極用の溝の深さ b:個別電極用の溝の深さ c:エレメント分離用の溝の深さ 1: PLZT 3: Groove for common electrode 4, 5: Groove for individual electrode 6: Groove for element separation 7: Aluminum vapor deposition film 10, 30: Optical shutter array 11, 12, 31: Shutter element a: Common electrode Depth of groove for use b: Depth of groove for individual electrode c: Depth of groove for element separation

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新垣 康一 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 益田 朋彦 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Koichi Aragaki 2-3-13 Azuchi-cho, Chuo-ku, Osaka City Osaka International Building Minolta Co., Ltd. (72) Tomohiko Masuda 2-chome, Azuchi-cho, Chuo-ku, Osaka No. 13 Osaka International Building Minolta Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気光学効果を有する基板に複数個のシ
ャッタエレメントを少なくとも一次元に形成した光シャ
ッタアレイの製造方法において、 前記基板上であってシャッタエレメントとして作用する
部分の両側に、シャッタエレメントの配列方向にわたっ
て連続した導電膜を形成する第1の工程と、 前記基板に前記配列方向とは異なる方向に複数の溝を形
成し、前記シャッタエレメントの配列方向の一方側に形
成された導電膜を配列方向に関して分割してシャッタエ
レメント毎の個別電極を形成するとともに、他方側に形
成された導電膜の少なくとも一部を配列方向に関して分
割せず連続するようにして複数個のシャッタエレメント
に共通な共通電極を形成する第2の工程と、 を有することを特徴とする光シャッタアレイの製造方
法。
1. A method of manufacturing an optical shutter array in which a plurality of shutter elements are formed at least one-dimensionally on a substrate having an electro-optical effect, wherein shutter elements are provided on both sides of a portion of the substrate that functions as a shutter element. And a plurality of grooves are formed in the substrate in a direction different from the arrangement direction, and the conductive film is formed on one side of the arrangement direction of the shutter elements. Is divided in the arrangement direction to form individual electrodes for each shutter element, and at least a part of the conductive film formed on the other side is not divided in the arrangement direction so as to be continuous and common to a plurality of shutter elements. A second step of forming a common electrode, and a method of manufacturing an optical shutter array, comprising:
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