JPH08210988A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

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Publication number
JPH08210988A
JPH08210988A JP7019276A JP1927695A JPH08210988A JP H08210988 A JPH08210988 A JP H08210988A JP 7019276 A JP7019276 A JP 7019276A JP 1927695 A JP1927695 A JP 1927695A JP H08210988 A JPH08210988 A JP H08210988A
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JP
Japan
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light
image pickup
lens
beam splitter
image
Prior art date
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Application number
JP7019276A
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English (en)
Inventor
Manabu Kobayashi
学 小林
Hiroshi Takatsuka
央 高塚
Hidekuni Niiyama
秀邦 新山
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Nidec Copal Corp
Original Assignee
Nidec Copal Corp
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Publication date
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高速で倍率切換動作が可能な耐久性ある撮像
装置を提供する。 【構成】 ビームスプリッタ22により、分岐された光
路に倍率の異なる第1及び第2のレンズ26,28と、
第1又は第2のレンズからの光のいずれか一方を選択し
て遮断するシャッタ30とを備えたことにより、シャッ
タの運動のみによって光学系の倍率を変化させることが
できる。倍率を変化させるために、レンズを機械的に運
動させる必要がないので、高速で倍率切換動作が可能な
耐久性ある撮像装置を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子部品の検査
装置や実装装置、或いは、精密部品の検査装置や組立装
置において用いられる撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、電子部品の検査装置において
は、作業者が微細な電子部品を観察するために、電子部
品の検査装置にCCDカメラのような撮像装置が備えら
れ、撮像装置によって撮像された電子部品の画像をテレ
ビモニタ等に映し出すようにしている。また、撮像され
た画像を処理することによって電子部品の寸法計測等も
行われる。
【0003】同様に、電子部品の実装装置にも撮像装置
が備えられているのが一般的であり、撮像された電子部
品の画像を処理することで、実装の際の位置合わせ等を
行うこととしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、撮像
対象物となる電子部品は様々な大きさを有しているため
に、撮像装置に用いられる光学系の倍率を変化させて、
撮像装置に内蔵された撮像デバイスの撮像面上に適当な
大きさの電子部品の像を結像させる必要がある。
【0005】また、電子部品実装装置における電子部品
の実装において電子部品の位置合わせを行う際にも同様
に、例えば、低倍率で粗い位置合わせを行い、高倍率で
正確な位置合わせを行うというように撮像装置に用いら
れる光学系の倍率を変化させる必要がある。
【0006】このため、撮像装置に用いられる光学系の
倍率を変化させるための手段として、従来からズームレ
ンズや二焦点切替レンズを用いたものが提案されてい
る。しかし、これらの手段はレンズが機械的に移動され
る構造であるので、耐久性或いは倍率切換の動作速度に
改善点を有している。近年、電子部品の検査装置や実装
装置には倍率切換動作時間の短縮化が要求されると共
に、倍率切換動作回数が極めて多く且つ高い耐久性が要
求されるため、ズームレンズ等を用いた従来の手段では
十分に対応することができなかった。
【0007】また、1つの対象物を倍率の異なる光学系
を有する複数の撮像装置によって撮像した場合には、撮
像装置からの信号を電気的に選択することによって倍率
の選択が可能になるが、複数の撮像デバイスが必要にな
り装置全体のコストが上昇することになる。
【0008】本発明はかかる事情に鑑みて為されたもの
であり、その目的は、高速で倍率切換動作が可能で且つ
十分な耐久性を有するローコストな撮像装置を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明は、撮像対象物からの光が入射
され、この光の一部を透過させ、残りを反射させる光分
割手段と、光分割手段によって反射された光を、光分割
手段を透過した光の光路に導くよう反射させる複数の全
反射ミラーと、光分割手段を透過した光及び全反射ミラ
ーにより導かれた光が入射され、これらの光を合成して
出射することのできる光合成手段と、光合成手段から出
射された光の光路上に配置された撮像手段と、光分割手
段を透過した光が光分割手段及び光合成手段の間で進む
第1の光路上に配置され、撮像手段の撮像面に撮像対象
物の像を所定の倍率で結像する第1のレンズと、光分割
手段により反射された光が光分割手段及び光合成手段の
間で進む第2の光路上に配置され、撮像手段の撮像面に
撮像対象物の像を前記第1のレンズと異なる所定の倍率
で結像する第2のレンズと、第1の光路又は第2の光路
のいずれか一方を選択的に遮断するシャッタとを備える
ことを特徴としている。
【0010】また、光分割手段及び光合成手段として、
ビームスプリッタ又は偏光ビームスプリッタを用いるの
が有効である。
【0011】
【作用】請求項1に係る撮像装置においては、撮像対象
物からの光は光分割手段を透過する光と光分割手段によ
って反射される光とに分割される。透過光及び反射光は
それぞれ倍率の異なる第1のレンズ及び第2のレンズに
入射され、それぞれのレンズからの出射光はシャッタに
よってどちらか一方が選択的に遮断される。
【0012】また、光合成手段によって、第1又は第2
のどちらのレンズからの光も同軸上に導かれる。この軸
上に撮像手段が配置されているため、これらの光は撮像
手段に入射され、撮像手段で画像信号に変換されて出力
される。従って、シャッタの運動のみで第1又は第2の
レンズの倍率のいずれか一方が選択される。
【0013】
【実施例】以下、本発明による撮像装置の好適な実施例
について、図面を用いて説明する。
【0014】図1は、本発明の第1の実施例による撮像
装置10の全体構成を示す斜視図である。図1におい
て、符号12は、例えば電子部品や精密部品のような撮
像対象物を示し、符号14は撮像手段としてのCCD
(電荷結合素子)型固体撮像素子(以下、「撮像素子」
という)を示している。この撮像素子14の撮像面16
上に、第1及び第2の全反射ミラー18,20、第1及
び第2のビームスプリッタ22,24、倍率の異なる第
1及び第2のレンズ26,28、及び、回転式のシャッ
タ30から構成される光学系によって、対象物12の像
が結像される。
【0015】この対象物12を照明する照明装置32
は、図1に示すようにLED34がそれぞれ埋設された
4枚のプレートから構成され、これらのプレートは対象
物12の方に向くように配置され、4枚のプレートから
構成された形状の中央部には貫通穴36が形成されてい
る。
【0016】次に、照明装置32によって対象物12が
照明された際の対象物12からの光の進み方について説
明する。
【0017】照明装置32による照明光は対象物12に
よって反射され、反射された光は、図中軸A1で示す一
点鎖線に沿って図の左方に進み、本発明の光学系を構成
する光学部品の1つであり、軸A1上に配置された第1
のビームスプリッタ(光分割手段)22に入射される。
【0018】ビームスプリッタ22は、2つの直角プリ
ズムから構成され、一方の直角プリズムの斜面に半透膜
をコートして2つの斜面同士を接合したものであって、
光を分割させることができる。従って、軸A1に沿って
進みビームスプリッタ22に入射された光の約50%は
透過されて更に軸A1に沿って進み、入射された光の他
の約50%は反射されて軸A1に対して直角に延びる軸
A2に沿って進むようになる。
【0019】第1のビームスプリッタ22の左方には、
第1のレンズ26がその光軸を軸A1に実質的に一致さ
せるようにして配置されている。この実施例において
は、第1のレンズ26は高倍率のものが使用されてい
る。また、図示の第1のレンズ26は、色収差をはじめ
として諸収差を補正する目的で複数枚のレンズから構成
されているが、1枚のレンズから構成された単レンズで
あってもよい。第1のビームスプリッタ22を透過した
光は、この第1のレンズ26を透過した後、更に軸A1
に沿って左方に進む。
【0020】図1において、第1のレンズ26の左方に
は、第1のレンズ26を透過した光を遮断することがで
きるように配置されたシャッタ30が設けられている。
このシャッタ30の回転によって、第1のレンズ26を
透過した光の遮断及び透過が制御されるが、この動作の
詳細については後述する。
【0021】このシャッタ30の更に左方であって軸A
1上には第2のビームスプリッタ(光合成手段)24が
配置されている。この第2のビームスプリッタ24は、
上述した第1のビームスプリッタ22と同様な構成にな
っており、2つの直角プリズム間に半透膜が形成されて
いる。この第2のビームスプリッタ24は、軸A1に沿
ってビームスプリッタ24に入射された光の約50%を
透過、直進させ、撮像素子14の撮像面16に入射させ
る。
【0022】上述したように、第1のビームスプリッタ
22によって光量が約50%減少され、更に、第2のビ
ームスプリッタ24によって光量が約50%減少される
ため、撮像面16に入射される光量は第1のビームスプ
リッタ22に入射された光量に対して約25%になる。
【0023】撮像素子14の撮像面16上には、第1の
レンズ26によって対象物12の像が結像される。第1
のレンズ26は、第2のレンズ28に比して高倍率とな
るので、撮像面16における対象物12の像は第2のレ
ンズ28を介した像よりも大きく得られる。このように
して対象物12の像が撮像面16上で結像されると、撮
像素子14は、その光学像の各部の光強度に対応して電
気的な画像信号に変換する。このような画像信号は本発
明による撮像装置が用いられる電子部品の検査装置や実
装装置、或いは、精密部品の検査装置や組立装置等にお
いて、検査、実装或いは組立等を目的とした情報として
利用される。
【0024】一方、第1のビームスプリッタ22によっ
て反射されて軸A2に沿って進む光は、軸A2上に配置
された第1の全反射ミラー18によって反射され、軸A
2に直交する軸A3に沿って進む。この全反射ミラー1
8は、軸A1と軸A3とが実質的に平行となるように配
置されている。
【0025】図1で第1の全反射ミラー18の左方に
は、第2のレンズ28がその光軸を軸A3に一致させる
ようにして配置されている。第2のレンズ28は、第1
のレンズ26よりも低倍率のものとなっている。尚、図
示の第2のレンズ28は、色収差をはじめとして諸収差
を補正する目的で複数枚のレンズから構成されている
が、第1のレンズ26と同様、1枚のレンズから構成さ
れた単レンズであってもよい。
【0026】この第2のレンズ28を透過した光は、更
に軸A3に沿って左方に進んだ後、軸A3上に設けられ
た回転式のシャッタ30によって、遮断できるようにな
っている。このシャッタ30はアクチュエータ38の回
転軸に固定され、この回転軸の回転によってシャッタ3
0は回転駆動される。
【0027】図2には、シャッタ30の動作が更に詳細
に示されている。シャッタ30の回転角度が、図2
(a)に示すような位置にある場合には、第1のレンズ
26から出射された光は遮られず、第2のレンズ28か
ら出射された光は遮られる。次に、シャッタ30の回転
角度が図2(b)に示すような位置にある場合には、図
A(a)の場合と逆であり、第1のレンズ26から出射
された光は遮られ、第2のレンズから出射された光は遮
られる。このため、図2(a)に示すシャッタ30の角
度から図2(b)に示すシャッタ30の角度までの角度
範囲でシャッタ30を回転往復運動させることによっ
て、第1のレンズからの光又は第2のレンズからの光の
どちらか一方を選択することができる。
【0028】第2のレンズ28から出射された光は、上
述したシャッタ30を経て軸A3に沿って更に進み、軸
A3上に配置された第2の全反射ミラー20に入射され
る。第2の全反射ミラー20によって反射された光は、
軸A3に直交する軸A4に沿って進む。この全反射ミラ
ー20は、軸A4が軸A2と実質的に平行となり且つ第
2のビームスプリッタ24の斜面上で軸A1と交差する
ように位置決めされている。
【0029】軸A4を進む光は第2のビームスプリッタ
24に入射される。この場合、半透膜の特性から、入射
された光の約50%が透過され、残りの約50%が反射
される。そして、この反射された光は軸A1に沿って左
方に進み、撮像素子14の撮像面16に入射される。
【0030】この場合においても、上述した場合と同様
に、第1のビームスプリッタ22によって光量が約50
%減少され、更に、第2のビームスプリッタ24によっ
て光量が約50%減少されるので、撮像面16に入射さ
れる光量は、第1のビームスプリッタ22に入射された
光量に比較して、約25%になる。
【0031】このように、軸A4に沿った光が撮像素子
14の撮像面16に入射された場合、その撮像面16上
には第2のレンズ34により対象物12の像が結像され
る。第2のレンズ28は第1のレンズ26より低倍率で
あるため、同一寸法の対象物を撮像した場合、第2のレ
ンズ28によって結像される像は第1のレンズ26によ
って結像される像よりも小さなものとなる。
【0032】次に、本発明の第2の実施例として、撮像
装置10で用いられた第1、第2のビームスプリッタ2
2,24の代わりに、第1、第2の偏光ビームスプリッ
タ52,54を用いた撮像装置50を図3に沿って説明
する。
【0033】撮像装置50の全体構成は、ビームスプリ
ッタ22,24の代わりに偏光ビームスプリッタ52,
54を用いた点を除き、図1によって示される撮像装置
10と同様である。
【0034】偏光ビームスプリッタ52,54は、ビー
ムスプリッタ22,24と同様に2つの直角プリズムか
ら構成されているが、一方のプリズムの斜面に特定構造
の多層膜をコートして2つの斜面同士を接合したもので
ある。多層膜の特性から、多層膜を透過した光と多層膜
によって反射された光とが互いに直交した偏光となる。
【0035】照明装置32によって照明された撮像対象
物12による反射光は、軸A1に沿って進み、第1の偏
光ビームスプリッタ52に入射される。図中に、符号5
6で示した丸印、及び、符号58で示した短線は、この
撮像対象物12による反射光の偏光の方向を示してい
る。丸印56は、光の方向に対して垂直であって紙面に
対して垂直方向の偏光を示しており、単線58は、光の
方向に対して垂直であって紙面に対して平行な方向の偏
光を示している。
【0036】第1の偏光ビームスプリッタ52は、丸印
56方向に偏光した光を透過させ、短線58方向に偏光
した光を反射させる性質を有している。このため、第1
の偏光ビームスプリッタ52を透過した光の偏光と第2
の偏光ビームスプリッタ52によって反射された光の偏
光とは、互いに直交するようになる。この際に、第1の
偏光ビームスプリッタ52の透過光量と反射光量はそれ
ぞれ、第1の偏光ビームスプリッタ52に入射される光
量の約50%となる。
【0037】第1の偏光ビームスプリッタ52を透過し
た丸印56方向に偏光した光は、軸A1に沿って更に進
み、第1のレンズ26、シャッタ30を経て、第2の偏
光ビームスプリッタ54に入射される。この第2の偏光
ビームスプリッタ54も、第1の偏光ビームスプリッタ
52と同様な性質、つまり、丸印56方向に偏光した光
を透過させ、単線58方向に偏光した光を反射させる性
質を有している。従って、既に丸印56方向に偏光して
いる第2の偏光ビームスプリッタ54に入射される光
は、全て(光量では約100%)第2の偏光ビームスプ
リッタ54を透過して、撮像素子14の撮像面16に入
射される。
【0038】一方、第1の偏光ビームスプリッタ52に
よって反射された短線58方向に偏光した光は、第1の
全反射ミラー18、第2のレンズ28、シャッタ30及
び全反射ミラー20の順で、軸A2、軸A3、軸A4に
沿って進み、第2の偏光ビームスプリッタ54に入射さ
れる。この光は、既に短線58方向に偏光されているの
で、上述した性質を有する第2の偏光ビームスプリッタ
54によって全て(光量では約100%)反射され、撮
像素子14の撮像面16に入射される。
【0039】第1の実施例による撮像装置10で説明し
たように、シャッタ30の動作によって、第1のレンズ
からの光と第2のレンズからの光とのどちらか一方が選
択される。このため、撮像面に入射される光は、丸印5
6方向に偏光された光、又は、短線58方向に偏光され
た光のどちらか一方となり、撮像素子14の撮像面16
への入射光量は、第1の偏光ビームスプリッタ52への
入射光量に対して約50%となる。従って、第1の実施
例においては、撮像面16に入射される光量は第1のビ
ームスプリッタ22に入射された光量に対して約25%
であったが、第2の実施例では、約2倍である約50%
の光量の光を撮像面に入射することができる。
【0040】その他の構成、及び、同一符号の部分につ
いては、第1の実施例と実質的に同様であるので、その
詳細な説明は省略する。
【0041】以上、本発明の好適な実施例について説明
したが、本発明は上記の第1及び第2の実施例に限定さ
れないことは言うまでもない。例えば、上記実施例で
は、4枚のプレート上にLEDが取り付けられ且つ配置
されているが、円錐状に形成されたプレート状にLED
が取り付けられていてもよいし、取り付けられているL
EDの個数も図示した個数に限定されない。また、照明
装置を撮像対象物の後方に配置して(図1においては右
側)、撮像対象物のシルエット映像を撮像するようにし
てもよい。
【0042】更に、撮像手段としては、上記のCCD型
固体撮像素子以外にも、MOS型等の他の方式による固
体撮像素子或いは光電管型等の撮像管のような種々の撮
像デバイスを用いることができる。
【0043】また、上記実施例では、第1のレンズを高
倍率とし、第2のレンズを低倍率レンズとしているが、
これらを逆にして第1のレンズを低倍率とし、第2のレ
ンズを高倍率レンズとしてもよい。また、シャッタは上
記実施例のような回転式のシャッタに限られず、第1の
レンズ及び第2のレンズからの光をそれぞれ個別に遮断
することができるように、2つの別個のシャッタを用い
て構成してもよい。この場合、シャッタをモータ、ソレ
ノイド等のいかなる手段によって駆動させてもよい。ま
た、シャッタを配置する位置は、上記実施例では第1、
第2のレンズから出射された光を遮断することができる
ような位置に配置されているが、第1、第2のレンズに
入射される光を遮断することができるような位置に配置
されていてもよい。即ち、光が第1のビームスプリッタ
(偏光ビームスプリッタ)から第1のレンズを通り、第
2のビームスプリッタ(偏光ビームスプリッタ)に至る
光路(第1の光路)上、及び、光が第1のビームスプリ
ッタ(偏光ビームスプリッタ)から第1,第2の全反射
ミラーを経て、第2のビームスプリッタ(偏光ビームス
プリッタ)に至る第2の光路(第2の光路)上であれ
ば、シャッタを配置する位置は特に限定されない。
【0044】更にまた、半透膜が形成されたビームスプ
リッタの反射率は、約50%になるよう設定してある
が、これに必ずしも限定されるものではなく、それぞれ
の光学系が必要とする光量の重み付けに応じて適当な比
率となるよう変更及び選択が可能である。また、光分割
手段及び光合成手段としてビームスプリッタ又は偏光ビ
ームスプリッタを用いることとしたが、同様の機能を有
する光学素子、例えばハーフミラー(半透鏡)等を用い
ることも可能である。
【0045】
【発明の効果】本発明による撮像装置は、以上述べたよ
うに構成されているため、次のような効果を得ることが
できる。
【0046】即ち、シャッタの運動のみによって光学系
の倍率を変化させることができる。従って、倍率を変化
させるために、例えばズームレンズ又は二焦点切換レン
ズを用いた場合のようにレンズを機械的に運動させる必
要がなくなる。このため、光学系の構成が簡素になり光
学系の製造コストを減少させることができると共に、非
常に高速な倍率切換動作が可能になり、極めて多い倍率
切換動作回数にも十分対応できるような耐久性を持った
撮像装置を実現することができる。
【0047】また、本発明によれば、1個の撮像デバイ
スを用いて倍率切換可能な撮像装置を実現できるので、
撮像デバイスのコストを大幅に削減することができると
共に、撮像デバイスが接続される画像信号回路部を1個
にすることができ、画像信号回路部のコストも同時に削
減することができる。
【0048】更に、偏光ビームスプリッタを用いた場
合、2つの偏光ビームスプリッタによる光量の減少を約
50%に抑えることができ、比較的明るい光学系を構成
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による撮像装置を示す斜
視図である。
【図2】図1におけるシャッタの動作を詳細に示した図
である。
【図3】本発明の第2の実施例による撮像装置の光学経
路を示した図である。
【符号の説明】
10…撮像装置、12…対象物、14…撮像素子、18
…第1の全反射ミラー、20…第2の全反射ミラー、2
2…第1のビームスプリッタ、24…第2のビームスプ
リッタ、26…第1のレンズ、28…第2のレンズ、3
0…シャッタ、32…照明装置、38…アクチュエー
タ、50…撮像装置、52…第1の偏光ビームスプリッ
タ、54…第2の偏光ビームスプリッタ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 撮像対象物からの光が入射され、この光
    の一部を透過させ、残りを反射させる光分割手段と、 前記光分割手段によって反射された光を、前記光分割手
    段を透過した光の光路に導くよう反射させる複数の全反
    射ミラーと、 前記光分割手段を透過した光及び前記全反射ミラーによ
    り導かれた光が入射され、これらの光を合成して出射す
    ることのできる光合成手段と、 前記光合成手段から出射された光の光路上に配置された
    撮像手段と、 前記光分割手段を透過した光が前記光分割手段及び前記
    光合成手段の間で進む第1の光路上に配置され、前記撮
    像手段の撮像面に撮像対象物の像を所定の倍率で結像す
    る第1のレンズと、 前記光分割手段により反射された光が前記光分割手段及
    び前記光合成手段の間で進む第2の光路上に配置され、
    前記撮像手段の前記撮像面に撮像対象物の像を前記第1
    のレンズと異なる所定の倍率で結像する第2のレンズ
    と、 前記第1の光路又は前記第2の光路のいずれか一方を選
    択的に遮断するシャッタとを備える撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記光分割手段及び前記光合成手段がそ
    れぞれビームスプリッタである請求項1記載の撮像装
    置。
  3. 【請求項3】 前記光分割手段及び前記光合成手段がそ
    れぞれ偏光ビームスプリッタである請求項1記載の撮像
    装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010093086A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Sharp Corp 半導体測定装置及び半導体測定方法、サンプル作製方法、並びに走査型容量顕微鏡

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JP2010093086A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Sharp Corp 半導体測定装置及び半導体測定方法、サンプル作製方法、並びに走査型容量顕微鏡

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