JPH08204410A - 電力分配合成器 - Google Patents
電力分配合成器Info
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- JPH08204410A JPH08204410A JP1135695A JP1135695A JPH08204410A JP H08204410 A JPH08204410 A JP H08204410A JP 1135695 A JP1135695 A JP 1135695A JP 1135695 A JP1135695 A JP 1135695A JP H08204410 A JPH08204410 A JP H08204410A
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- characteristic impedance
- resistance
- absorption resistance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】吸収抵抗の値が設定値よりずれても、電力合成
・分配特性が劣化しないようにする。 【構成】主線路１の第１のポートＰ１と信号の分岐点Ｔ
との間に、分岐点Ｔから主線路１側を見たインピーダン
スＺａがＺ0 ／２＜Ｚａ＜Ｚ0 となるようにするインピ
ーダンス変換器１０を設ける。一端をそれぞれ分岐点Ｔ
と接続し他端をそれぞれ第２及び第３のポートＰ２，Ｐ
３と対応接続し特性インピーダンスＺ0 をもつ１／８波
長の２つの分岐線路３を設ける。特性インピーダンスＺ
0 より十分高い抵抗値をもつ実体抵抗の吸収抵抗Ｒをは
さんで、２つの分岐線路３の他端間に、この吸収抵抗Ｒ
を含む全長が１／８波長となり個々の長さがほぼ１／１
６波長の２つの吸収抵抗線路４を設ける。
・分配特性が劣化しないようにする。 【構成】主線路１の第１のポートＰ１と信号の分岐点Ｔ
との間に、分岐点Ｔから主線路１側を見たインピーダン
スＺａがＺ0 ／２＜Ｚａ＜Ｚ0 となるようにするインピ
ーダンス変換器１０を設ける。一端をそれぞれ分岐点Ｔ
と接続し他端をそれぞれ第２及び第３のポートＰ２，Ｐ
３と対応接続し特性インピーダンスＺ0 をもつ１／８波
長の２つの分岐線路３を設ける。特性インピーダンスＺ
0 より十分高い抵抗値をもつ実体抵抗の吸収抵抗Ｒをは
さんで、２つの分岐線路３の他端間に、この吸収抵抗Ｒ
を含む全長が１／８波長となり個々の長さがほぼ１／１
６波長の２つの吸収抵抗線路４を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力分配合成器に関し、
特に無線ＬＡＮ、携帯電話器などの通信分野での応用が
期待されているミリ波集積回路における電力分配合成器
に関するものである。
特に無線ＬＡＮ、携帯電話器などの通信分野での応用が
期待されているミリ波集積回路における電力分配合成器
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のミリ波回路には導波管がよく用い
られていたが、半導体素子の高周波対応化が進むにつれ
て、以前では導波管で形成されていた受動回路素子も、
コプレーナ線路やマイクロストリップ線路のような、誘
電体基板上に形成される薄膜回路で形成されるようにな
り、回路全体のモノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）化が
進んでいる。それに伴い、マイクロ波・ミリ波の電力分
配合成回路として、ブランチ・ライン９０°ハイブリッ
ド・カップラーやウィルキンソン型の電力分配合成器も
コプレーナ線路やマイクロストリップ線路を用いて集積
回路構成にしたい、という要求が生じてきた。
られていたが、半導体素子の高周波対応化が進むにつれ
て、以前では導波管で形成されていた受動回路素子も、
コプレーナ線路やマイクロストリップ線路のような、誘
電体基板上に形成される薄膜回路で形成されるようにな
り、回路全体のモノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）化が
進んでいる。それに伴い、マイクロ波・ミリ波の電力分
配合成回路として、ブランチ・ライン９０°ハイブリッ
ド・カップラーやウィルキンソン型の電力分配合成器も
コプレーナ線路やマイクロストリップ線路を用いて集積
回路構成にしたい、という要求が生じてきた。
【０００３】ウィルキンソン型の電力分配合成器は、ブ
ランチ・ライン型に比べて回路寸法が小さくできるた
め、比較的多用されている。これは、１つの高周波入力
を幾つかの同相の出力に分配し、逆方向に用いるとき、
幾つかの同相の高周波入力を１つの出力に合成する機能
をもつ回路である。電力分配器としては、特開平２−２
２４５０１号公報記載のものがあり、また１／４波長と
なる長さの伝送線路を用い、出力電力の端子間アンバラ
ンスを改善したウィルキンソン型の電力分配合成器とし
て、特公昭６３−１５７６２号公報記載のものがある。
ランチ・ライン型に比べて回路寸法が小さくできるた
め、比較的多用されている。これは、１つの高周波入力
を幾つかの同相の出力に分配し、逆方向に用いるとき、
幾つかの同相の高周波入力を１つの出力に合成する機能
をもつ回路である。電力分配器としては、特開平２−２
２４５０１号公報記載のものがあり、また１／４波長と
なる長さの伝送線路を用い、出力電力の端子間アンバラ
ンスを改善したウィルキンソン型の電力分配合成器とし
て、特公昭６３−１５７６２号公報記載のものがある。
【０００４】ウィルキンソン型による原型をマイクロス
トリップ線路で構成した従来の電力分配合成器の一例を
図４に示す。この図４は、４分の１波長変換器を用いた
ウィルキンソン型の電力分配合成器の構成を示す図であ
る。
トリップ線路で構成した従来の電力分配合成器の一例を
図４に示す。この図４は、４分の１波長変換器を用いた
ウィルキンソン型の電力分配合成器の構成を示す図であ
る。
【０００５】以下では簡単のために、同相で等しい高周
波入力を１つに合成する場合について考察することにす
る。
波入力を１つに合成する場合について考察することにす
る。
【０００６】この電力分配合成器を合成器として使うと
き、第１のポートＰ１が出力端子、第２及び第３のポー
トＰ２及びＰ３が入力端子となる。ポートＰ１側（特性
インピーダンスＺ0 ）から分岐点ＴよりポートＰ２及び
Ｐ３側をみたときのインピーダンスがポートＰ１側の特
性インピーダンスＺ0 に整合するように、４分の１波長
変成器の特性インピーダンスは決定される。また、一方
の入力端子から入った信号が他方の入力端子に至るには
２つのルートがあり、第１のルートと第２のルートとの
距離の差は２分の１波長で、信号の位相は１８０°ずれ
る。いま、一方の入力端子からみた第１のルートの特性
インピーダンスが、同入力端子からみた第２のルートの
特性インピーダンスに等しくなるように吸収抵抗Ｒの値
を選ぶものとする。すると、信号を一方の入力端子から
入力しても、他方の入力端子では信号のキャンセルが起
こり、出力信号が観測されなくなるが、これを、入力端
子間の“アイソレーション”をとる、という。また、吸
収抵抗Ｒとしては、実抵抗体が用いられる。
き、第１のポートＰ１が出力端子、第２及び第３のポー
トＰ２及びＰ３が入力端子となる。ポートＰ１側（特性
インピーダンスＺ0 ）から分岐点ＴよりポートＰ２及び
Ｐ３側をみたときのインピーダンスがポートＰ１側の特
性インピーダンスＺ0 に整合するように、４分の１波長
変成器の特性インピーダンスは決定される。また、一方
の入力端子から入った信号が他方の入力端子に至るには
２つのルートがあり、第１のルートと第２のルートとの
距離の差は２分の１波長で、信号の位相は１８０°ずれ
る。いま、一方の入力端子からみた第１のルートの特性
インピーダンスが、同入力端子からみた第２のルートの
特性インピーダンスに等しくなるように吸収抵抗Ｒの値
を選ぶものとする。すると、信号を一方の入力端子から
入力しても、他方の入力端子では信号のキャンセルが起
こり、出力信号が観測されなくなるが、これを、入力端
子間の“アイソレーション”をとる、という。また、吸
収抵抗Ｒとしては、実抵抗体が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上に述べ
たような電力分配合成器は、終端抵抗（ブランチ・ライ
ン型）や吸収抵抗Ｒ（ウィルキンソン型）として実抵抗
体が用られているが、実抵抗体の抵抗値のずれは、入出
力インピーダンス整合やアイソレーション特性を劣化さ
せ、電力分配合成器としての機能を失わせる。ウィルキ
ンソン型を電力合成器として用いた例では、吸収抵抗の
抵抗値のずれ（±５０％を想定）はアイソレーション特
性だけでなく入力インピーダンスを著しく変化させ、電
力の合成の機能が破壊されるという問題点がある。
たような電力分配合成器は、終端抵抗（ブランチ・ライ
ン型）や吸収抵抗Ｒ（ウィルキンソン型）として実抵抗
体が用られているが、実抵抗体の抵抗値のずれは、入出
力インピーダンス整合やアイソレーション特性を劣化さ
せ、電力分配合成器としての機能を失わせる。ウィルキ
ンソン型を電力合成器として用いた例では、吸収抵抗の
抵抗値のずれ（±５０％を想定）はアイソレーション特
性だけでなく入力インピーダンスを著しく変化させ、電
力の合成の機能が破壊されるという問題点がある。
【０００８】従って本発明の目的は、実抵抗体の吸収抵
抗Ｒ（終端抵抗）の抵抗値が設定値よりずれても電力合
成・分配の特性があまり劣化しない電力分配合成器を提
供することにある。
抗Ｒ（終端抵抗）の抵抗値が設定値よりずれても電力合
成・分配の特性があまり劣化しない電力分配合成器を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電力分配合成器
は、ウィルキンソン型の電力分配合成器であって、所定
の特性インピーダンスをもつ第１のポートを含む主線路
と、信号の分岐点から見た前記主線路側のインピーダン
スが前記特性インピーダンスの１／２より大きくこの特
性インピーダンスより小さくなるように変換するインピ
ーダンス変換器と、前記特性インピーダンスをもつ第２
及び第３のポートと、一端をそれぞれ前記分岐点と接続
し他端をそれぞれ前記第２及び第３のポートと対応接続
し前記特性インピーダンスをもつ１／８波長の２つの分
岐線路と、前記特性インピーダンスより十分高い抵抗値
をもつ実抵抗体の吸収抵抗と、一端をそれぞれこの吸収
抵抗の両端と対応接続し他端をそれぞれ前記２つの分岐
線路の他端と対応接続し前記吸収抵抗を含む全長が１／
８波長となり個々の長さがほぼ１／１６波長の２つの吸
収抵抗線路とを有している。
は、ウィルキンソン型の電力分配合成器であって、所定
の特性インピーダンスをもつ第１のポートを含む主線路
と、信号の分岐点から見た前記主線路側のインピーダン
スが前記特性インピーダンスの１／２より大きくこの特
性インピーダンスより小さくなるように変換するインピ
ーダンス変換器と、前記特性インピーダンスをもつ第２
及び第３のポートと、一端をそれぞれ前記分岐点と接続
し他端をそれぞれ前記第２及び第３のポートと対応接続
し前記特性インピーダンスをもつ１／８波長の２つの分
岐線路と、前記特性インピーダンスより十分高い抵抗値
をもつ実抵抗体の吸収抵抗と、一端をそれぞれこの吸収
抵抗の両端と対応接続し他端をそれぞれ前記２つの分岐
線路の他端と対応接続し前記吸収抵抗を含む全長が１／
８波長となり個々の長さがほぼ１／１６波長の２つの吸
収抵抗線路とを有している。
【００１０】また、インピーダンス変換器を、一端を第
１のポートと接続し他端を信号の分岐点と接続して主線
路の一部を形成する伝送線路と、一端を前記第１のポー
ト及び伝送線路の接続点と接続するオープン型及びショ
ート型のうちの一方の型のスタブとを含む構成とし、吸
収抵抗の抵抗値を、特性インピーダンスの３倍より高い
値として構成される。
１のポートと接続し他端を信号の分岐点と接続して主線
路の一部を形成する伝送線路と、一端を前記第１のポー
ト及び伝送線路の接続点と接続するオープン型及びショ
ート型のうちの一方の型のスタブとを含む構成とし、吸
収抵抗の抵抗値を、特性インピーダンスの３倍より高い
値として構成される。
【００１１】
【作用】まず、この電力分配合成器を電力分配器として
用いた場合について考える。主線路（１）に設けられた
オープン型あるいはショート型のスタブ（２）と伝送線
路（６）とからなるインピーダンス変成器（１０）が、
信号の分岐点（Ｔ）からみた主線路（１）の特性インピ
ーダンスＺ0 をＺａ（Ｚ0 ／２＜Ｚａ＜Ｚ0 ）に変換す
る。この場合、分岐線路（３）に並列に挿入接続された
吸収抵抗線路（４）及び吸収抵抗（Ｒ）の値は入力イン
ピーダンス整合にはほとんど関与しないだけでなく、吸
収抵抗（Ｒ）は特性インピーダンスＺ0 に対し十分高い
インピーダンス（＞３Ｚ0 ）を有するので、高周波回路
上では、吸収抵抗線路（４）は１６分の１波長程度の長
さの２本のオープン・スタブにみえるが、この疑似オー
プン・スタブ（吸収抵抗線路４）と分岐線路（３）とが
出力側インピーダンスＺ0 をＺａ＊（Ｚａの複素共役）
に変成するようにできる。その結果、分配器として用い
たときの入力インピーダンス整合がとれることになる。
用いた場合について考える。主線路（１）に設けられた
オープン型あるいはショート型のスタブ（２）と伝送線
路（６）とからなるインピーダンス変成器（１０）が、
信号の分岐点（Ｔ）からみた主線路（１）の特性インピ
ーダンスＺ0 をＺａ（Ｚ0 ／２＜Ｚａ＜Ｚ0 ）に変換す
る。この場合、分岐線路（３）に並列に挿入接続された
吸収抵抗線路（４）及び吸収抵抗（Ｒ）の値は入力イン
ピーダンス整合にはほとんど関与しないだけでなく、吸
収抵抗（Ｒ）は特性インピーダンスＺ0 に対し十分高い
インピーダンス（＞３Ｚ0 ）を有するので、高周波回路
上では、吸収抵抗線路（４）は１６分の１波長程度の長
さの２本のオープン・スタブにみえるが、この疑似オー
プン・スタブ（吸収抵抗線路４）と分岐線路（３）とが
出力側インピーダンスＺ0 をＺａ＊（Ｚａの複素共役）
に変成するようにできる。その結果、分配器として用い
たときの入力インピーダンス整合がとれることになる。
【００１２】次に、この電力分配合成器を電力合成器と
して用いた場合について考える。この場合は、分岐線路
（３）に並列に挿入接続された吸収抵抗線路（４）及び
吸収抵抗（Ｒ）の値は本来入力インピーダンス整合に関
与するものであるが、吸収抵抗（Ｒ）は比較的高いイン
ピーダンス（＞３Ｚ0 ）を有するので、高周波回路上で
は、吸収抵抗線路（４）は１６分の１波長程度の長さの
２本のオープン・スタブにみえることになり、吸収抵抗
（Ｒ）の値が入力インピーダンス整合にほとんど関与し
なくなる。この疑似オープン・スタブ（吸収抵抗線路４
と主線路（１）に設けられたインピーダンス変成器（１
０）とにより、一方の入力端子（ポートＰ２又はＰ３）
から入力された信号が主線路（１）の出力端子（ポート
Ｐ１）に出力されるときのインピーダンス整合がとれる
ことになる。
して用いた場合について考える。この場合は、分岐線路
（３）に並列に挿入接続された吸収抵抗線路（４）及び
吸収抵抗（Ｒ）の値は本来入力インピーダンス整合に関
与するものであるが、吸収抵抗（Ｒ）は比較的高いイン
ピーダンス（＞３Ｚ0 ）を有するので、高周波回路上で
は、吸収抵抗線路（４）は１６分の１波長程度の長さの
２本のオープン・スタブにみえることになり、吸収抵抗
（Ｒ）の値が入力インピーダンス整合にほとんど関与し
なくなる。この疑似オープン・スタブ（吸収抵抗線路４
と主線路（１）に設けられたインピーダンス変成器（１
０）とにより、一方の入力端子（ポートＰ２又はＰ３）
から入力された信号が主線路（１）の出力端子（ポート
Ｐ１）に出力されるときのインピーダンス整合がとれる
ことになる。
【００１３】ところが、このインピーダンス整合は動作
周波数帯だけでのことで、それ以外の帯域では整合がと
れてはいない。吸収抵抗（Ｒ）は動作周波数帯域以外の
周波数においてＲＦ電力をある程度減衰させる働き、つ
まり、アイソレーションをとる働きをする。本発明の電
力分配合成器の場合、吸収抵抗（Ｒ）は、等電力でかつ
位相が逆の信号が作り出す働きをしているわけでなく、
動作周波数では単に線路をオープンに近くみせているだ
けなので、吸収抵抗（Ｒ）の抵抗値が回路特性に大きな
影響を与えることがない。実抵抗の吸収抵抗（Ｒ）の値
はある程度の高抵抗（＞３Ｚ0 ）であれば十分というこ
とになる。実際の応用においては、吸収抵抗（Ｒ）がな
くてもよい（つまりアイソレーションが不要の）場合の
電力合成や、アイソレーションの必要があるが吸収抵抗
（Ｒ）の値が設計値からずれやすい場合の電力合成に向
いている。
周波数帯だけでのことで、それ以外の帯域では整合がと
れてはいない。吸収抵抗（Ｒ）は動作周波数帯域以外の
周波数においてＲＦ電力をある程度減衰させる働き、つ
まり、アイソレーションをとる働きをする。本発明の電
力分配合成器の場合、吸収抵抗（Ｒ）は、等電力でかつ
位相が逆の信号が作り出す働きをしているわけでなく、
動作周波数では単に線路をオープンに近くみせているだ
けなので、吸収抵抗（Ｒ）の抵抗値が回路特性に大きな
影響を与えることがない。実抵抗の吸収抵抗（Ｒ）の値
はある程度の高抵抗（＞３Ｚ0 ）であれば十分というこ
とになる。実際の応用においては、吸収抵抗（Ｒ）がな
くてもよい（つまりアイソレーションが不要の）場合の
電力合成や、アイソレーションの必要があるが吸収抵抗
（Ｒ）の値が設計値からずれやすい場合の電力合成に向
いている。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例を示す平面模式図
である。
である。
【００１６】この実施例は、特性インピーダンスＺ0 を
もつ第１のポートＰ１、及び一端をこの第１のポートＰ
１と接続し他端を信号の分岐点Ｔと接続する伝送線路６
を含む主線路１と、一端を第１のポートＰ１及び伝送線
路６の接続点を接続し伝送線路６と共にインピーダンス
変成器１０を形成して分岐点Ｔから見た主線路１側のイ
ンピーダンスＺａをＺ0 ／２＜Ｚａ＜Ｚ0 となるように
変換するオープン型のスタブ２と、特性インピーダンス
Ｚ0 をもつ第２及び第３のポートＰ２，Ｐ３と、一端を
それぞれ分岐点Ｔと接続し他端をそれぞれ第２及び第３
のポートＰ２，Ｐ３と対応接続し特性インピーダンスＺ
0 をもつ１／８波長（λ／８）の２つの分岐線路３と、
特性インピーダンスＺ0 より十分高い（３Ｚ0 より高
い）抵抗値をもつ実抵抗体の吸収抵抗Ｒと、一端をそれ
ぞれこの吸収抵抗Ｒの両端と対応接続し他端をそれぞれ
２つの分岐線路３の他端と対応接続し吸収抵抗Ｒを含む
全長が１／８波長（λ／８）で個々の長さがほぼ１／１
６波長（λ／１６）の２つの吸収抵抗線路４とを有する
構成となっている。
もつ第１のポートＰ１、及び一端をこの第１のポートＰ
１と接続し他端を信号の分岐点Ｔと接続する伝送線路６
を含む主線路１と、一端を第１のポートＰ１及び伝送線
路６の接続点を接続し伝送線路６と共にインピーダンス
変成器１０を形成して分岐点Ｔから見た主線路１側のイ
ンピーダンスＺａをＺ0 ／２＜Ｚａ＜Ｚ0 となるように
変換するオープン型のスタブ２と、特性インピーダンス
Ｚ0 をもつ第２及び第３のポートＰ２，Ｐ３と、一端を
それぞれ分岐点Ｔと接続し他端をそれぞれ第２及び第３
のポートＰ２，Ｐ３と対応接続し特性インピーダンスＺ
0 をもつ１／８波長（λ／８）の２つの分岐線路３と、
特性インピーダンスＺ0 より十分高い（３Ｚ0 より高
い）抵抗値をもつ実抵抗体の吸収抵抗Ｒと、一端をそれ
ぞれこの吸収抵抗Ｒの両端と対応接続し他端をそれぞれ
２つの分岐線路３の他端と対応接続し吸収抵抗Ｒを含む
全長が１／８波長（λ／８）で個々の長さがほぼ１／１
６波長（λ／１６）の２つの吸収抵抗線路４とを有する
構成となっている。
【００１７】この実施例における各部の寸法は吸収抵抗
Ｒの抵抗値が１５０Ωのとき最適化し、伝送線路６が３
０×２２５（幅×長さ、単位μｍ、以下同じ）、スタブ
２が４０×１８４、分岐線路３が３０×２３２．５、吸
収抵抗線路４が１０×１０１となっている。
Ｒの抵抗値が１５０Ωのとき最適化し、伝送線路６が３
０×２２５（幅×長さ、単位μｍ、以下同じ）、スタブ
２が４０×１８４、分岐線路３が３０×２３２．５、吸
収抵抗線路４が１０×１０１となっている。
【００１８】このような寸法で形成された電力分配合成
器において、吸収抵抗Ｒの抵抗値が１５０Ωからずれた
場合の入出力場合の反射損失（Ｓ１１，Ｓ２２）を図２
に示す。この図２からも分るように、吸収抵抗Ｒの抵抗
値が±５０％ずれたとしても、反射損失は実用的なレベ
ルを保っていることが分る。
器において、吸収抵抗Ｒの抵抗値が１５０Ωからずれた
場合の入出力場合の反射損失（Ｓ１１，Ｓ２２）を図２
に示す。この図２からも分るように、吸収抵抗Ｒの抵抗
値が±５０％ずれたとしても、反射損失は実用的なレベ
ルを保っていることが分る。
【００１９】また、図３に吸収抵抗Ｒの抵抗値が１５０
Ωからずれたときの入（出）力ポート間のアイソレーシ
ョン（Ｓ２３）及び透過量（Ｓ２１）を示す。この場合
も吸収抵抗Ｒの抵抗値が±５０％ずれても実用的なレベ
ルを保っていることがわかる。図４において、透過量は
あまりよくないようにみえるが、ミリ波帯動作の電力分
配合成器をマイクロストリップ線路による薄膜集積回路
で形成したとき、ブランチ・ライン型でもウィルキンソ
ン型でも通常このような数値となる。
Ωからずれたときの入（出）力ポート間のアイソレーシ
ョン（Ｓ２３）及び透過量（Ｓ２１）を示す。この場合
も吸収抵抗Ｒの抵抗値が±５０％ずれても実用的なレベ
ルを保っていることがわかる。図４において、透過量は
あまりよくないようにみえるが、ミリ波帯動作の電力分
配合成器をマイクロストリップ線路による薄膜集積回路
で形成したとき、ブランチ・ライン型でもウィルキンソ
ン型でも通常このような数値となる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、主線路の
第１のポートと信号の分岐点との間に、分岐点から主線
路側を見たインピーダンスが、主線路の特性インピーダ
ンスの１／２より大きく前記特性インピーダンスより小
さくなるようにするインピーダンス変換器を設け、一端
をそれぞれ分岐点と接続し他端をそれぞれ第２及び第３
のポートと対応接続し上記特性インピーダンスをもつ１
／８波長の２つの分岐線路を設け、上記特性インピーダ
ンスより十分高い抵抗値をもつ実体抵抗の吸収抵抗をは
さんで、２つの分岐線路の他端間に、この吸収抵抗を含
む全長が１／８波長となり個々の長さがほぼ１／１６波
長の２つの吸収抵抗線路を設けた構成とすることによ
り、吸収抵抗の抵抗値が設定値からずれても、電力合成
・分配時のインピーダンス整合を行うことができ、電力
合成・分配特性の劣化を抑えることができる効果があ
る。
第１のポートと信号の分岐点との間に、分岐点から主線
路側を見たインピーダンスが、主線路の特性インピーダ
ンスの１／２より大きく前記特性インピーダンスより小
さくなるようにするインピーダンス変換器を設け、一端
をそれぞれ分岐点と接続し他端をそれぞれ第２及び第３
のポートと対応接続し上記特性インピーダンスをもつ１
／８波長の２つの分岐線路を設け、上記特性インピーダ
ンスより十分高い抵抗値をもつ実体抵抗の吸収抵抗をは
さんで、２つの分岐線路の他端間に、この吸収抵抗を含
む全長が１／８波長となり個々の長さがほぼ１／１６波
長の２つの吸収抵抗線路を設けた構成とすることによ
り、吸収抵抗の抵抗値が設定値からずれても、電力合成
・分配時のインピーダンス整合を行うことができ、電力
合成・分配特性の劣化を抑えることができる効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す平面模式図である。
【図２】図１に示された実施例の効果を説明するための
吸収抵抗の抵抗値に対する反射損失特性図である。
吸収抵抗の抵抗値に対する反射損失特性図である。
【図３】図１に示された実施例の効果を説明するための
吸収抵抗の抵抗値に対する透過量・アイソレーション特
性図である。
吸収抵抗の抵抗値に対する透過量・アイソレーション特
性図である。
【図４】従来の電力分配合成器の一例の平面模式図であ
る。
る。
１ 主線路 ２ スタブ ３ 分岐線路 ４ 吸収抵抗線路 ６ 伝送線路 １０ インピーダンス変成器 ２０ マイクロストリップ線路 Ｐ１〜Ｐ３ ポート Ｒ 吸収抵抗 Ｔ 分岐点
Claims (3)
- 【請求項１】 ウィルキンソン型の電力分配合成器であ
って、所定の特性インピーダンスをもつ第１のポートを
含む主線路と、信号の分岐点から見た前記主線路側のイ
ンピーダンスが前記特性インピーダンスの１／２より大
きくこの特性インピーダンスより小さくなるように変換
するインピーダンス変換器と、前記特性インピーダンス
をもつ第２及び第３のポートと、一端をそれぞれ前記分
岐点と接続し他端をそれぞれ前記第２及び第３のポート
と対応接続し前記特性インピーダンスをもつ１／８波長
の２つの分岐線路と、前記特性インピーダンスより十分
高い抵抗値をもつ実抵抗体の吸収抵抗と、一端をそれぞ
れこの吸収抵抗の両端と対応接続し他端をそれぞれ前記
２つの分岐線路の他端と対応接続し前記吸収抵抗を含む
全長が１／８波長となり個々の長さがほぼ１／１６波長
の２つの吸収抵抗線路とを有することを特徴とする電力
分配合成器。 - 【請求項２】 インピーダンス変換器を、一端を第１の
ポートと接続し他端を信号の分岐点と接続して主線路の
一部を形成する伝送線路と、一端を前記第１のポート及
び伝送線路の接続点と接続するオープン型及びショート
型のうちの一方の型のスタブとを含む構成とした請求項
１記載の電力分配合成器。 - 【請求項３】 吸収抵抗の抵抗値を、特性インピーダン
スの３倍より高い値とした請求項１記載の電力分配合成
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135695A JPH08204410A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 電力分配合成器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135695A JPH08204410A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 電力分配合成器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204410A true JPH08204410A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11775758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135695A Pending JPH08204410A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 電力分配合成器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204410A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020153283A1 (ja) * | 2019-01-22 | 2020-07-30 | 株式会社村田製作所 | アンテナモジュールおよび通信装置 |
| CN112054278A (zh) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 南宁富桂精密工业有限公司 | 功率分配器 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP1135695A patent/JPH08204410A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020153283A1 (ja) * | 2019-01-22 | 2020-07-30 | 株式会社村田製作所 | アンテナモジュールおよび通信装置 |
| CN112189280A (zh) * | 2019-01-22 | 2021-01-05 | 株式会社村田制作所 | 天线模块和通信装置 |
| CN112189280B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-06-04 | 株式会社村田制作所 | 天线模块和通信装置 |
| US11063340B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna module and communication device |
| CN112054278A (zh) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 南宁富桂精密工业有限公司 | 功率分配器 |
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