JPH08193275A - Electroless plating solution, electroless plating method and production of printed circuit board - Google Patents
Electroless plating solution, electroless plating method and production of printed circuit boardInfo
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- JPH08193275A JPH08193275A JP20102695A JP20102695A JPH08193275A JP H08193275 A JPH08193275 A JP H08193275A JP 20102695 A JP20102695 A JP 20102695A JP 20102695 A JP20102695 A JP 20102695A JP H08193275 A JPH08193275 A JP H08193275A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は無電解めっき方法に
係り、特には高速で、配線板の製造プロセスにおける導
体パターンの形成等に好適な無電解めっき方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroless plating method, and more particularly to a high-speed electroless plating method suitable for forming a conductor pattern in a wiring board manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】プリント配線板の製造プロセスにおける
導体パターンの形成では、基材の所定部分にめっきレジ
ストを設けた後、そのレジスト非形成部分に対して無電
解銅めっきが施される。2. Description of the Related Art In the formation of a conductor pattern in the manufacturing process of a printed wiring board, a plating resist is provided on a predetermined portion of a base material, and then electroless copper plating is applied to the non-resist portion.
【0003】従来は、EDTAを錯化剤として使用した
無電解めっき浴を用いて、導体パターンの形成が行われ
ていた。無電解めっきを施すためには、予め表面が粗化
処理された無電解めっき用接着剤層が形成されることが
多いが、EDTAめっき浴はアンカー内へのめっきの充
填率に優れているものの、このようなめっき浴は、めっ
き析出速度が遅く、このめっき浴にて厚さ数十μmの導
体回路を形成するためには、十数時間もの時間がかか
り、工業上妥当ではない。Conventionally, a conductor pattern has been formed by using an electroless plating bath using EDTA as a complexing agent. In order to apply electroless plating, an adhesive layer for electroless plating whose surface has been roughened in advance is often formed, but the EDTA plating bath has an excellent filling rate of plating in the anchor. Such a plating bath has a low plating deposition rate, and it takes a dozen hours or more to form a conductor circuit having a thickness of several tens of μm in this plating bath, which is not industrially appropriate.
【0004】また、EDTAめっき浴のみによる無電解
銅めっきでは、析出するめっき膜の強度が低く、導体パ
ターンのピール強度を確保することが困難である。そこ
で、最初のめっき析出(一次めっき膜)を低速ではある
ものの、EDTAを錯化剤としためっき浴にて処理し、
次に、より高速のめっき(二次めっき膜)を行う方法が
提案されている。また、最初のめっき析出(一次めっき
膜)を低速ではあるもののめっき膜の強度が高い複合め
っきにて処理し、ついで高速のめっきを施す方法が提案
されている(特開平6−318771号公報)。高速め
っきとしては、例えばトリエタノールアミン(TEA)
を錯化剤として使用する無電解めっき法(特開平1−1
6881号公報)が好適である。In electroless copper plating using only the EDTA plating bath, the strength of the deposited plating film is low and it is difficult to secure the peel strength of the conductor pattern. Therefore, the first plating deposition (primary plating film) is processed at a low speed in a plating bath using EDTA as a complexing agent,
Next, a method of performing higher-speed plating (secondary plating film) has been proposed. Further, a method has been proposed in which the first plating deposition (primary plating film) is treated with composite plating having a high strength of the plating film at a low speed, and then a high speed plating is performed (Japanese Patent Laid-Open No. 6-318771). . For high speed plating, for example, triethanolamine (TEA)
Electroless plating method in which the compound is used as a complexing agent (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-1.
No. 6881) is preferable.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、TEAを含
む厚付け用めっき浴には、析出速度が速いという利点が
ある反面、EDTAを含むめっき浴によって形成された
一次めっき膜表面に析出しにくいという欠点がある。そ
こで、一次めっき膜に対して酸処理を行い、表面を活性
化させる手段が用いられるが、そのような手法をもって
も、二次めっき膜を析出させることができず、さらに一
次めっき膜上にパラジウムを付与する(Pd置換する)
必要があった。しかし、このようなPd置換を行うと、
コストアップにつながるばかりでなく、下地である一次
めっき膜からのPdの脱落によって異状析出が起こると
いう問題があった。また、不要な部分に析出する銅めっ
きの量が増加することによって、厚付け用のめっき浴の
劣化が早くなるという問題もあった。However, while the thickening plating bath containing TEA has an advantage of high deposition rate, it is difficult to deposit on the surface of the primary plating film formed by the plating bath containing EDTA. There are drawbacks. Therefore, a means for activating the surface by subjecting the primary plating film to an acid treatment is used, but even with such a method, the secondary plating film cannot be deposited, and the palladium is further deposited on the primary plating film. Is given (Pd substitution)
There was a need. However, when such Pd substitution is performed,
Not only does this lead to an increase in cost, but there is also the problem that abnormal deposition occurs due to the loss of Pd from the primary plating film that is the base. There is also a problem that the amount of copper plating deposited on an unnecessary portion increases, and thus the plating bath for thickening is deteriorated more quickly.
【0006】また、特開平6−318771号公報の技
術では、一次めっき浴の錯化剤としてクエン酸を使用し
ており、二次めっきとしてTEAを錯化剤として使用す
るめっき液を使用すると、めっきが析出しないという問
題が見られた。Further, in the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-318771, citric acid is used as a complexing agent for the primary plating bath, and when a plating solution using TEA as a complexing agent is used for the secondary plating, The problem was that plating did not deposit.
【0007】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、高速めっきを達成するとと
もに、めっき析出速度を上げた場合でもピール強度を低
下させることがなく、しかも厚付けめっき前のPd置換
の必要性をなくすことができる無電解めっき液とそれを
用いた無電解めっき方法およびプリント配線板の製造方
法を提供することにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to achieve high-speed plating and to prevent peeling strength from decreasing even when the plating deposition rate is increased, and to provide thick coating. An object of the present invention is to provide an electroless plating solution that can eliminate the need for Pd substitution before plating, an electroless plating method using the same, and a method for manufacturing a printed wiring board.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本願の第一群の発明では「コバルト、ニッケル、
金、銀、スズ、鉛、硼素、遷移元素から選ばれる少なく
とも1種以上からなる元素の化合物およびモノアルカノ
ールアミン、還元剤、pH調整剤」もしくは「コバル
ト、ニッケル、金、銀、スズ、鉛、硼素、遷移元素から
選ばれる少なくとも1種以上からなる元素の化合物と銅
化合物およびモノアルカノールアミン、還元剤、pH調
整剤」のいずれか、からなる無電解めっき液と、これを
一次めっき膜形成に用いた無電解めっき方法と、これを
利用したプリント配線板の製造方法を提案する。In order to solve the above problems, in the first group of inventions of the present application, "cobalt, nickel,
"A compound of at least one element selected from gold, silver, tin, lead, boron, and transition elements, and a monoalkanolamine, a reducing agent, a pH adjusting agent" or "cobalt, nickel, gold, silver, tin, lead, An electroless plating solution comprising a compound of at least one element selected from boron and transition elements, and a copper compound and a monoalkanolamine, a reducing agent, a pH adjusting agent, and a primary plating film for forming the same. The electroless plating method used and the method for manufacturing a printed wiring board using the same are proposed.
【0009】また、本願の第二群の発明では、銅化合
物、トリアルカノールアミン、0.1M以下の還元剤、
pH調整剤からなる無電解めっき液か、銅化合物、トリ
アルカノールアミン、還元剤、pH調整剤からなり、そ
の液温度が50℃以下である無電解めっき液を一次めっ
き膜形成に用いた無電解めっき方法と、これを利用した
プリント配線板の製造方法を提案する。In the second group of inventions of the present application, a copper compound, a trialkanolamine, a reducing agent of 0.1 M or less,
Electroless plating solution consisting of pH adjuster, or electroless plating solution consisting of copper compound, trialkanolamine, reducing agent and pH adjuster and having a solution temperature of 50 ° C. or lower for use in forming a primary plating film A plating method and a printed wiring board manufacturing method using the plating method are proposed.
【0010】本願第一群の発明の無電解めっき液は、錯
化剤としてトリアルカノールアミンを使用しているた
め、二次めっき液としてトリアルカノールアミンを錯化
剤とした高速めっき(析出速度5μm/時間以上)を採
用しても、二次めっきが未析出となることはなく、ま
た、新たに触媒核を一次めっき膜表面に付与する必要も
なく、全体としてめっき析出速度(平均めっき析出速
度)を上げることができる。Since the electroless plating solution of the invention of the first group of the present application uses trialkanolamine as a complexing agent, high-speed plating using a trialkanolamine as a complexing agent as a secondary plating solution (deposition rate 5 μm / Hour or more), the secondary plating does not become unprecipitated, and there is no need to newly add catalyst nuclei to the surface of the primary plating film, and the overall plating deposition rate (average plating deposition rate) ) Can be raised.
【0011】また、複合金属を形成できるため、めっき
膜の強度が純粋な金属膜に比べて高く、無電解めっき用
接着剤層の粗化面に充填されてピール強度の向上させる
ことができる。Further, since the composite metal can be formed, the strength of the plating film is higher than that of a pure metal film, and the peeling strength can be improved by filling the roughened surface of the adhesive layer for electroless plating.
【0012】また、本願の第二群の発明の無電解めっき
液は、0.1M以下の還元剤を使用するか、液温度を5
0℃以下にするか、もしくは0.1M以下の還元剤を使
用し、かつ液温度を50℃以下とすることにより、析出
速度を2μm/時間以下とすることができ、そのため、
無電解めっき用接着剤層の粗化面に対する充填率を向上
させることができ、高速化に伴うピール強度の低下を防
止できる。The electroless plating solution of the second group of inventions of the present application uses a reducing agent of 0.1 M or less or has a solution temperature of 5%.
By setting the temperature to 0 ° C. or lower, or using a reducing agent of 0.1 M or lower and the liquid temperature to 50 ° C. or lower, the deposition rate can be set to 2 μm / hour or less, and therefore
It is possible to improve the filling rate of the roughened surface of the adhesive layer for electroless plating, and it is possible to prevent a decrease in peel strength due to speeding up.
【0013】しかも二次めっき液としてトリアルカノー
ルアミンを錯化剤とした高速めっき(析出速度5μm/
時間以上)を採用しても、二次めっきが未析出となるこ
とはなく、新たに触媒核を一次めっき膜表面に付与する
必要もなく、全体としてめっき析出速度(平均めっき析
出速度)を上げることができる。Moreover, high-speed plating using a trialkanolamine as a complexing agent as a secondary plating solution (deposition rate 5 μm /
(Over time), the secondary plating does not become unprecipitated, there is no need to newly add catalyst nuclei to the surface of the primary plating film, and the plating deposition rate (average plating deposition rate) is increased as a whole. be able to.
【0014】また、得られる金属膜が、一次めっき膜、
二次めっき膜とも銅であり、熱膨張率の差やめっき応力
により、めっき膜界面で剥離することもない。なお、本
願発明で述べる「一次めっき」とは、絶縁基板上に直接
めっき膜を析出させることを指し、一般に膜厚が比較的
薄いものである。「二次めっき」とは、一次めっきや金
属膜上に析出させるものであり、膜厚が比較的厚いもの
である。The obtained metal film is a primary plating film,
The secondary plating film is also copper, and does not peel off at the plating film interface due to the difference in thermal expansion coefficient and plating stress. The "primary plating" described in the present invention means that a plated film is directly deposited on the insulating substrate, and generally the film thickness is relatively thin. The "secondary plating" is to deposit on the primary plating or the metal film, and has a relatively large film thickness.
【0015】前記金、銀、スズ、鉛、硼素、遷移元素か
ら選ばれる少なくとも1種からなる元素の化合物とは、
シアン化金カリウム、シアン化銀カリウム、塩化スズ、
ピロリン酸スズ、ピロリン酸鉛、硼酸、タングステン酸
ナトリウム、シュウ酸鉄などである。The compound of at least one element selected from gold, silver, tin, lead, boron and transition elements is
Potassium gold cyanide, potassium silver cyanide, tin chloride,
Examples include tin pyrophosphate, lead pyrophosphate, boric acid, sodium tungstate, and iron oxalate.
【0016】前記トリアルカノールアミンは、トリエタ
ノールアミン(TEA)、トリイソパノールアミン(T
IA)、トリメタノールアミン(TMA)、トリプロパ
ノールアミン(TPA)から選ばれる少なくとも1種で
あることが望ましい。これは錯化力に優れるからであ
る。また、これらは、強塩基性条件化でのみ錯体を形成
するため、中性条件では錯体とはならず、導体回路上に
残留しないため、導通不良やマイグレーションなどを生
じることがない。The trialkanolamines include triethanolamine (TEA) and triisopropanolamine (T
It is preferably at least one selected from IA), trimethanolamine (TMA) and tripropanolamine (TPA). This is because the complexing power is excellent. Further, since they form a complex only under the strongly basic condition, they do not become a complex under the neutral condition and do not remain on the conductor circuit, so that conduction failure or migration does not occur.
【0017】前記還元剤は、アルデヒド、次亜リン酸塩
(フォスフィン酸塩又はホスフィン酸塩と呼ばれる)、
水素化ホウ素塩、ヒドラジンから選ばれる少なくとも1
種であることが望ましい。これらの還元剤は、水溶性で
あり、還元力に優れるからである。また、Ni化合物を
使用する場合は、次亜リン酸塩を使用する。The reducing agent is an aldehyde, hypophosphite (called phosphinate or phosphinate),
At least 1 selected from borohydride salts and hydrazine
Seed is desirable. This is because these reducing agents are water-soluble and have excellent reducing power. If a Ni compound is used, hypophosphite is used.
【0018】前記還元剤の濃度は、0.1〜0.24M
であることが望ましい。この理由は、0.1M未満で
は、還元力が不足してめっきが遅くなり(2μm/時間
以下)、0.24Mを越えると、めっき液中の金属イオ
ンを還元してしまい、めっき液が分解してしまうからで
ある。なお、本願第二群の発明では、還元剤の濃度を
0.1M以下として、めっき析出速度を意図的に低下さ
せて、めっき膜の粗化面に対する充填率の向上を図って
いる。The concentration of the reducing agent is 0.1 to 0.24M.
It is desirable that The reason for this is that if it is less than 0.1 M, the reducing power is insufficient and the plating becomes slow (2 μm / hour or less), and if it exceeds 0.24 M, the metal ions in the plating solution are reduced and the plating solution decomposes. Because I will do it. In the invention of the second group of the present application, the concentration of the reducing agent is set to 0.1 M or less to intentionally reduce the plating deposition rate to improve the filling rate of the roughened surface of the plating film.
【0019】前記無電解めっき液には、鉄化合物および
/又はビピリジルを含有してなることが望ましい。この
理由は、ビピリジルはめっき浴中の金属酸化物の発生を
抑制してノジュールの発生を抑制できるからであり、鉄
化合物は、反応開始剤であるとともに、浴分解を抑制す
ることができる。The electroless plating solution preferably contains an iron compound and / or bipyridyl. The reason for this is that bipyridyl can suppress the generation of metal oxides in the plating bath and suppress the generation of nodules, and the iron compound is a reaction initiator and can suppress bath decomposition.
【0020】鉄化合物としては、フェロシアン化カリウ
ムやフェリシアン化カリウムなどが好ましい。前記pH
調整剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
カルシウムから選ばれる少なくとも1種であり、塩基性
化合物である。トリアルカノールアミンは、塩基性条件
下で錯体を形成するからである。As the iron compound, potassium ferrocyanide, potassium ferricyanide and the like are preferable. The pH
The adjusting agent is at least one selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide and calcium hydroxide, and is a basic compound. This is because the trialkanolamine forms a complex under basic conditions.
【0021】前記pH調整剤の濃度は、0.3〜0.7
M程度がよい。この範囲でpHを11〜13程度に調製
できるからである。本願第一群の発明の無電解めっき液
は、特に銅化合物、ニッケル化合物あるいはコバルト化
合物、トリアルカノールアミン、還元剤、pH調整剤か
らなることが望ましい。この理由は、このめっき液によ
り得られる銅とニッケル(あるいはコバルト)、還元剤
として次亜リン酸塩を使用した場合は、銅、ニッケル
(あるいはコバルト)およびリンの合金が得られ、これ
らの合金は強度に優れ、電気導電性にも優れているた
め、配線板の導体パターンには好適であるからである。The concentration of the pH adjusting agent is 0.3 to 0.7.
M is good. This is because the pH can be adjusted to about 11 to 13 within this range. The electroless plating solution of the invention of the first group of the present application is preferably composed of a copper compound, a nickel compound or a cobalt compound, a trialkanolamine, a reducing agent, and a pH adjusting agent. The reason for this is that copper and nickel (or cobalt) obtained by this plating solution, and when hypophosphite is used as a reducing agent, alloys of copper, nickel (or cobalt) and phosphorus are obtained. Is excellent in strength and also excellent in electric conductivity, and is suitable for a conductor pattern of a wiring board.
【0022】前記銅化合物の濃度は、1.0〜4.3m
M、ニッケル化合物あるいはコバルト化合物の濃度が2
0〜82mM、トリアルカノールアミンの濃度が0.1
〜0.8Mであることが望ましい。銅化合物、ニッケル
化合物あるいはコバルト化合物の濃度が、上記範囲の場
合に、電気電導性と強度に優れためっき膜の組成が得ら
れるからである。またトリアルカノールアミンの濃度が
上記範囲でなければ析出反応、特に共析反応が生じない
からである。The concentration of the copper compound is 1.0 to 4.3 m.
Concentration of M, nickel compound or cobalt compound is 2
0-82mM, trialkanolamine concentration 0.1
It is desirable to be 0.8M. This is because when the concentration of the copper compound, nickel compound or cobalt compound is in the above range, the composition of the plated film having excellent electric conductivity and strength can be obtained. Also, if the concentration of trialkanolamine is not within the above range, the precipitation reaction, especially the eutectoid reaction does not occur.
【0023】銅、ニッケル、コバルト化合物は、硫酸
銅、硫酸ニッケル、硫酸コバルト、塩化銅、塩化ニッケ
ル、塩化コバルトなどの銅、ニッケル、コバルトの硫酸
化物、塩化物などがよい。The copper, nickel, and cobalt compounds are preferably copper sulfate, nickel sulfate, cobalt sulfate, copper chloride, nickel chloride, cobalt chloride, and other copper, nickel, cobalt sulfates, and chlorides.
【0024】本願発明の無電解めっき液の使用方法とし
ては、表面が粗化処理された無電解めっき用接着剤層の
上に、触媒核を付与して、これを本願発明の無電解めっ
き液からなるめっき浴に浸漬してめっき膜を析出させる
手段が一般的である。As a method of using the electroless plating solution of the present invention, a catalyst nucleus is provided on an adhesive layer for electroless plating whose surface is roughened, and this is used as the electroless plating solution of the present invention. The means for precipitating a plating film by immersing the plating bath in
【0025】本願第一群の発明の無電解めっき液を使用
した好適なめっき方法は、基材上に一次めっきを施した
後に、この一次めっき膜に対して二次めっきを行う無電
解めっき方法において、前記一次めっき用のめっき浴は
前述の無電解めっき液を用いるとともに、二次めっきと
して、トリアルカノールアミンと、銅化合物、還元剤、
pH調整剤からなる無電解めっき液を使用する。A preferable plating method using the electroless plating solution of the invention of the first group of the present invention is an electroless plating method in which the primary plating is applied on the substrate and then the secondary plating is performed on the primary plating film. In the plating bath for the primary plating, the electroless plating solution described above is used, and as the secondary plating, a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent,
An electroless plating solution containing a pH adjuster is used.
【0026】一次めっき膜は、無電解めっき用接着剤の
粗化面に直接接触するため、このめっき膜の強度がピー
ル強度を支配する。このため、一次めっき膜は、微細結
晶粒子で強度が高いことが望ましい。本願発明の無電解
めっき液を使用することにより、EDTAと同程度の微
細な結晶粒子を持つめっき膜を実現できる。また、この
無電解めっき液は複合金属を容易に析出させることがで
きるため、ピール強度向上を実現できる。Since the primary plating film directly contacts the roughened surface of the adhesive for electroless plating, the strength of the plating film controls the peel strength. For this reason, it is desirable that the primary plating film be fine crystal grains and have high strength. By using the electroless plating solution of the present invention, it is possible to realize a plating film having fine crystal particles as fine as EDTA. Further, since the electroless plating solution can easily deposit the composite metal, the peel strength can be improved.
【0027】また、二次めっきとして、トリアルカノー
ルアミンを錯化剤とした高速めっき(析出速度5μm/
時間以上)を採用しても、二次めっきが未析出となるこ
とはなく、また、新たに触媒核を一次めっき膜に付与す
る必要もなく、全体としてめっき速度(平均めっき速
度)を上げることができる。As the secondary plating, high-speed plating using a trialkanolamine as a complexing agent (precipitation rate 5 μm /
(Over time), the secondary plating does not become unprecipitated, and it is not necessary to newly add catalyst nuclei to the primary plating film, and the plating rate (average plating rate) is increased as a whole. You can
【0028】また、この方法によれば、一次めっきと二
次めっきの錯化剤が同種類であるため、一次めっきの
後、水洗せずに直接二次めっき液に浸漬しても、二次め
っき液を汚染しないため、工程数の低減が可能である。Further, according to this method, since the complexing agents of the primary plating and the secondary plating are of the same type, the secondary plating solution can be directly immersed in the secondary plating solution without washing with water after the primary plating. Since the plating solution is not contaminated, the number of steps can be reduced.
【0029】本願第二群の発明にかかる方法は、基材上
に一次めっきを施した後に、この一次めっき膜に対して
二次めっきを行う無電解めっき方法において、前記一次
めっき用のめっき浴は、銅化合物、トリアルカノールア
ミン、0.1M以下の還元剤、pH調整剤からなる無電
解めっき液か、銅化合物、トリアルカノールアミン、還
元剤、pH調整剤からなり、その液温度が50℃以下で
ある無電解めっき液を用いて、その析出速度を2μm/
時間以下とするとともに、二次めっきとして、トリアル
カノールアミンと、銅化合物、還元剤、pH調整剤から
なる無電解めっき液を使用して、その析出速度を5μm
/時間以上にすることを特徴とする。The method according to the invention of the second group of the present application is an electroless plating method in which primary plating is performed on a substrate and then secondary plating is performed on the primary plating film. Is an electroless plating solution containing a copper compound, a trialkanolamine, a reducing agent of 0.1 M or less, and a pH adjusting agent, or a copper compound, a trialkanolamine, a reducing agent, and a pH adjusting agent, and the temperature of the solution is 50 ° C. Using the following electroless plating solution, the deposition rate was 2 μm /
In addition to the time, the electroless plating solution containing a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent, and a pH adjusting agent is used as the secondary plating, and the deposition rate is 5 μm.
/ It is characterized in that it is more than an hour.
【0030】この方法では、一次めっき膜の析出速度が
2μm/時間以下と低く、無電解めっき用接着剤層表面
の蛸壺状アンカーに対する充填率が高く、ピール強度の
低下を防止でき、また二次めっきの速度を5μm/時間
以上としているため、導体回路を短時間で形成でき、工
業上有利である。しかも一次めっきと二次めっきの錯化
剤が同種類であるため、水洗の必要がなく、めっき液に
浸漬しても、二次めっき液を汚染しないため、工程数の
低減が可能である。According to this method, the deposition rate of the primary plating film is as low as 2 μm / hour or less, the filling rate of the surface of the adhesive layer for electroless plating with respect to the octopus-like anchor is high, and the decrease in peel strength can be prevented. Since the subsequent plating rate is 5 μm / hour or more, a conductor circuit can be formed in a short time, which is industrially advantageous. Moreover, since the complexing agents for the primary plating and the secondary plating are of the same type, there is no need for washing with water, and the secondary plating solution is not contaminated even when immersed in the plating solution, so the number of steps can be reduced.
【0031】なお、一次めっきの下限は、0.1μm/
時間とし、二次めっきの上限は、10μm/時間とする
ことが望ましい。また、一次めっき膜と二次めっき膜が
同一の銅であるため、めっき界面でヒートサイクルによ
る剥離などを防止することができる。The lower limit of the primary plating is 0.1 μm /
It is desirable to set the time and the upper limit of the secondary plating to be 10 μm / hour. Further, since the primary plating film and the secondary plating film are made of the same copper, it is possible to prevent peeling due to heat cycle at the plating interface.
【0032】この二次めっきは、液温度を50℃〜90
℃の温度とするか、還元剤の量を0.1M〜0.24M
とするか、もしくは、液温度を50℃〜90℃の温度と
し、還元剤の量を0.1M〜0.24Mとすることで5
μm/時間の析出速度を達成できる。This secondary plating has a liquid temperature of 50 ° C. to 90 ° C.
℃ or the amount of reducing agent 0.1M ~ 0.24M
Or by setting the liquid temperature to a temperature of 50 ° C to 90 ° C and the amount of the reducing agent to 0.1M to 0.24M.
A deposition rate of μm / hour can be achieved.
【0033】なお、この方法における一次めっき液の還
元剤の好適濃度は、0.01〜0.05であり、液温度
は、15〜45℃以下である。本願第一、二群の発明で
使用される銅化合物は、一次、二次めっきとも硫酸銅、
塩化銅などの硫酸化物、塩化物がよい。また、還元剤
は、アルデヒド、次亜リン酸塩、水素化ホウ素塩、ヒド
ラジンから選ばれる少なくとも1種であることが望まし
いが、特にホルムアルデヒドが好適である。イオンが残
留せず、プリント配線板のマイグレーションを防止でき
るからである。The suitable concentration of the reducing agent in the primary plating solution in this method is 0.01 to 0.05, and the solution temperature is 15 to 45 ° C. or lower. The copper compounds used in the first and second inventions of the present application are copper sulfate in both primary and secondary plating,
Sulfates and chlorides such as copper chloride are preferred. The reducing agent is preferably at least one selected from aldehydes, hypophosphites, borohydrides, and hydrazine, and formaldehyde is particularly preferable. This is because ions do not remain and migration of the printed wiring board can be prevented.
【0034】本願第一、二群の発明で使用されるpH調
整剤は、一次、二次めっきとも水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化カルシウムから選ばれる少なくとも
1種であり、塩基性化合物である。トリアルカノールア
ミンは、塩基性条件下で錯体を形成するからである。The pH adjusting agent used in the first and second groups of the present invention is at least one selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide and calcium hydroxide for both primary and secondary plating, and is a basic compound. is there. This is because the trialkanolamine forms a complex under basic conditions.
【0035】ついで、プリント配線板の製造方法につい
て説明する。第一群に係る発明は、基板上に一次めっき
を施した後に、この一次めっき膜に対して二次めっきを
行い導体回路を形成するプリント配線板の製造方法にお
いて、前記一次めっき用のめっき浴は、前述の無電解め
っき液を用いるとともに、二次めっきとして、トリアル
カノールアミンと、銅化合物、還元剤、pH調整剤から
なる無電解めっき液を使用するものである。Next, a method of manufacturing the printed wiring board will be described. The invention according to the first group is a method for manufacturing a printed wiring board, wherein a primary circuit is formed on a substrate and then a secondary circuit is formed on the primary plated film to form a conductor circuit. In addition to using the above-mentioned electroless plating solution, as the secondary plating, an electroless plating solution containing a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent, and a pH adjusting agent is used.
【0036】また、第二群に係る発明は、基板上に一次
めっきを施した後に、この一次めっき膜に対して二次め
っきを行い導体回路を形成するプリント配線板の製造方
法において、前記一次めっき用のめっき浴は、第二群に
かかる無電解めっき液を用いて、その析出速度を2μm
/時間以下とするとともに、二次めっきとして、トリア
ルカノールアミンと、銅化合物、還元剤、pH調整剤か
らなる無電解めっき液を使用して、その析出速度を5μ
m/時間以上にすることを特徴とするプリント配線板の
製造方法。The invention according to the second group is a method for manufacturing a printed wiring board, wherein a primary circuit is formed on a substrate and then a secondary circuit is formed on the primary plated film to form a conductor circuit. The plating bath for plating uses the electroless plating solution of the second group and has a deposition rate of 2 μm.
/ Hour or less, and the secondary plating uses a trialkanolamine, an electroless plating solution containing a copper compound, a reducing agent, and a pH adjusting agent, and the deposition rate is 5 μm.
A method of manufacturing a printed wiring board, characterized in that the printed wiring board has a speed of at least m / hour.
【0037】これらの製造方法が奏する作用、効果は、
前述の無電解めっき方法において説明したものと同一で
ある。また、使用される各元素の化合物、還元剤、pH
調製剤、濃度等の条件は、無電解めっき液で説明したも
のに準拠する。The actions and effects of these manufacturing methods are
It is the same as that described in the above electroless plating method. In addition, compounds of each element used, reducing agent, pH
The conditions such as the preparation agent and the concentration are based on those described for the electroless plating solution.
【0038】前記一次めっきの下限は、0.1μm/時
間とし、二次めっきの上限は、10μm/時間とするこ
とが望ましい。プリント配線板の製造方法について具体
的に説明する。The lower limit of the primary plating is preferably 0.1 μm / hour, and the upper limit of the secondary plating is preferably 10 μm / hour. A method for manufacturing the printed wiring board will be specifically described.
【0039】基板は、銅張積層板をエッチングして銅パ
ターンとするか、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基
板、セラミック基板、金属基板などに無電解めっき用接
着剤層を形成し、これを粗化して粗化面を形成し、ここ
に無電解めっきを施して銅パターンとすることもでき
る。As the substrate, a copper clad laminate is etched to form a copper pattern, or an adhesive layer for electroless plating is formed on a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, etc. and roughened. It is also possible to form a roughened surface and subject it to electroless plating to form a copper pattern.
【0040】ついで、基板上に無電解めっき用接着剤層
を形成する。無電解めっき用接着剤は、酸あるいは酸化
剤に可溶性の耐熱性樹脂(耐熱性樹脂マトリックス)中
に予め硬化処理された耐熱性樹脂粒子を含有してなるも
のが望ましく、これを塗布あるいはフィルム化したもの
を積層することにより行う。耐熱性樹脂粒子を溶解除去
して蛸壺状のアンカーを形成することにより行うことが
できる。Then, an adhesive layer for electroless plating is formed on the substrate. It is desirable that the adhesive for electroless plating contains heat-resistant resin particles that have been pre-cured in a heat-resistant resin (heat-resistant resin matrix) that is soluble in acid or oxidant. This is done by stacking the above. The heat-resistant resin particles can be dissolved and removed to form an octopus-shaped anchor.
【0041】前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒径
が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させて平均粒径が前記粒子
の粒子径の3倍以上の大きさとした凝集粒子、平均粒
径が10μm以下の耐熱性粉末樹脂粉末と、平均粒径が
前記粒子の粒子径の1/5以下かつ2μm以下の耐熱性
樹脂粉末との混合物、平均粒径が2μm〜10μmの
耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が2μm以下の耐熱
性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも1種を
付着させてなる疑似粒子から選ばれることが望ましい。As the heat-resistant resin particles, a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powders to have an average particle size of 3 times or more the particle size of the particles, heat-resistant powder resin powders having an average particle size of 10 μm or less, and the particles having an average particle size of the particles A mixture with a heat resistant resin powder having a particle diameter of ⅕ or less and 2 μm or less, a heat resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less or an inorganic powder on the surface of the heat resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm to 10 μm. It is desirable to be selected from pseudo particles formed by adhering at least one of the above.
【0042】また、耐熱性樹脂マトリックスとしては、
感光性樹脂が望ましい。露光、現像によりバイアホール
形成用の孔を形成できるからである。前記耐熱性樹脂マ
トリックスとしては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
エポキシアクリレート樹脂などの熱硬化性樹脂、あるい
はこれらにポリエーテルスルフォンなどの熱可塑性樹脂
を混合した複合体などが望ましく、また耐熱性樹脂粒子
としては、エポキシ樹脂、アミノ樹脂(メラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂)などがよい。Further, as the heat resistant resin matrix,
Photosensitive resin is desirable. This is because the holes for forming via holes can be formed by exposure and development. The heat-resistant resin matrix, epoxy resin, polyimide resin,
A thermosetting resin such as an epoxy acrylate resin or a composite obtained by mixing a thermoplastic resin such as a polyether sulfone with these is desirable, and the heat resistant resin particles include an epoxy resin, an amino resin (melamine resin,
Urea resin, guanamine resin) and the like are preferable.
【0043】なお、エポキシ樹脂は、そのオリゴマーの
種類、硬化剤の種類、架橋密度を変えることにより任意
に酸や酸化剤に対する溶解度を変えることができる。例
えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂オリゴマーをア
ミン系硬化剤で硬化処理したものは、酸化剤に溶解しや
すい。しかし、ノボラックエポキシ樹脂オリゴマーをイ
ミダゾール系硬化剤で硬化させたものは、酸化剤に溶解
しにくい。The solubility of the epoxy resin in an acid or an oxidizing agent can be arbitrarily changed by changing the kind of the oligomer, the kind of the curing agent, and the crosslinking density. For example, a bisphenol A type epoxy resin oligomer cured with an amine curing agent is easily dissolved in an oxidizing agent. However, what hardened the novolak epoxy resin oligomer with the imidazole type curing agent is difficult to dissolve in the oxidizing agent.
【0044】本願発明で使用される酸は、リン酸、塩
酸、硫酸、又は蟻酸、酢酸などの有機酸があるが特に有
機酸が望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールか
ら露出する金属導体層を腐食させにくいからである。The acids used in the present invention include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, or organic acids such as formic acid and acetic acid, and organic acids are particularly desirable. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is unlikely to corrode.
【0045】また、酸化剤は、クロム酸、過マンガン酸
塩(過マンガン酸カリウムなど)、が望ましい。特に、
アミノ樹脂を溶解除去する場合は、酸と酸化剤で交互に
粗化処理することが望ましい。The oxidant is preferably chromic acid or permanganate (eg potassium permanganate). In particular,
When the amino resin is removed by dissolution, it is desirable to perform a roughening treatment alternately with an acid and an oxidizing agent.
【0046】このように形成された粗化面に、触媒核を
付与する。触媒核は、貴金属イオンやコロイドなどが望
ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロ
イドを使用する。触媒核を固定するために加熱処理を行
うことが望ましい。Catalyst nuclei are applied to the roughened surface thus formed. The catalyst nucleus is preferably a noble metal ion or colloid, and generally palladium chloride or palladium colloid is used. It is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst nuclei.
【0047】次にめっきレジストを塗布あるいはフィル
ム状にしたものを積層した後、露光、現像してめっきレ
ジストパターンを設ける。めっきレジストが形成されて
いない部分に一次めっきを施す、一次めっき液は「コバ
ルト、ニッケル、金、銀、スズ、鉛、硼素、遷移元素か
ら選ばれる少なくとも1種以上からなる元素の化合物、
もしくはこれらと銅化合物、およびトリアルカノールア
ミン、還元剤、pH調整剤からなる無電解めっき液」で
ある。この一次めっき膜の表面に二次めっきを施す。二
次めっきは、「トリアルカノールアミンと、銅化合物、
還元剤、pH調整剤からなる無電解めっき液」を使用す
ることが望ましい。錯化剤が同種類であり、二次めっき
液として、トリアルカノールアミンを錯化剤とした高速
めっきを採用しても、未析出となることがなく、一次め
っき膜の表面に触媒核を新たに付与する必要もないから
である。Next, a plating resist is applied or laminated in the form of a film, and then exposed and developed to provide a plating resist pattern. Primary plating is performed on a portion where the plating resist is not formed. The primary plating solution is "a compound of an element consisting of at least one selected from cobalt, nickel, gold, silver, tin, lead, boron, and transition elements,
Alternatively, it is an electroless plating solution containing these, a copper compound, a trialkanolamine, a reducing agent, and a pH adjusting agent. Secondary plating is applied to the surface of this primary plating film. The secondary plating is "trialkanolamine, copper compound,
It is desirable to use an "electroless plating solution comprising a reducing agent and a pH adjusting agent". The complexing agents are of the same type, and even if high-speed plating with a trialkanolamine as a complexing agent is used as the secondary plating solution, no precipitation occurs, and catalyst nuclei are newly added to the surface of the primary plating film. It is not necessary to give it to
【0048】また、第二群にかかる発明のプリント配線
板の製造方法によれば、基板上に一次めっきを施した後
に、この一次めっき膜に対して二次めっきを行い導体回
路を形成するプリント配線板の製造方法において、前記
一次めっき用のめっき浴は、銅化合物、トリアルカノー
ルアミン、0.1M以下の還元剤、pH調整剤からなる
無電解めっき液か、銅化合物、トリアルカノールアミ
ン、還元剤、pH調整剤からなり、その液温度が50℃
以下である無電解めっき液を使用し、その析出速度を2
μm/時間以下とともに、二次めっきとして、トリアル
カノールアミンと、銅化合物、還元剤、pH調整剤から
なる無電解めっき液を使用して、その析出速度を5μm
/時間以上にすることを特徴とする。According to the method for manufacturing a printed wiring board of the invention according to the second group, after the primary plating is applied to the substrate, the primary plating film is subjected to the secondary plating to form a conductor circuit. In the method for manufacturing a wiring board, the plating bath for the primary plating is an electroless plating solution containing a copper compound, a trialkanolamine, a reducing agent of 0.1 M or less, and a pH adjusting agent, or a copper compound, a trialkanolamine, and a reducing agent. It consists of an agent and a pH adjuster, and its liquid temperature is 50 ° C.
The following electroless plating solution is used and its deposition rate is 2
With an electroless plating solution consisting of a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent, and a pH adjusting agent as the secondary plating, the deposition rate is 5 μm or less.
/ It is characterized in that it is more than an hour.
【0049】このようなプリント配線板の製造方法で
は、一次めっき膜の析出速度が2μm/時間以下と低
く、無電解めっき用接着剤層表面の蛸壺状アンカーにた
いする充填率が高く、ピール強度を向上させることがで
き、また二次めっきの速度を5μm/時間以上としてい
るため、導体回路を短時間で形成でき、工業上有利であ
る。しかも一次めっきと二次めっきの錯化剤が同種類で
あるため、水洗の必要がなく、めっき液に浸漬しても、
二次めっき液を汚染しないため、工程数の低減が可能で
ある。In such a printed wiring board manufacturing method, the deposition rate of the primary plating film is as low as 2 μm / hour or less, the filling rate of the octopus-shaped anchor on the surface of the adhesive layer for electroless plating is high, and the peel strength is high. Further, since the secondary plating rate is 5 μm / hour or more, the conductor circuit can be formed in a short time, which is industrially advantageous. Moreover, since the complexing agents for the primary plating and the secondary plating are of the same type, there is no need for washing with water, and even when immersed in the plating solution,
Since the secondary plating solution is not contaminated, the number of steps can be reduced.
【0050】また、一次めっき膜と二次めっき膜が同一
の銅であるため、めっき界面でヒートサイクルによる剥
離などを低減させることができる。また、トリアルカノ
ールアミンは、導体回路に残留しないので、電気抵抗も
低い。Further, since the primary plating film and the secondary plating film are made of the same copper, it is possible to reduce peeling due to heat cycle at the plating interface. Moreover, since the trialkanolamine does not remain in the conductor circuit, the electrical resistance is low.
【0051】さらに、銅パターンだけでなく、バイアホ
ールを形成して多層プリント配線板を製造することもで
きる。Furthermore, not only the copper pattern but also via holes can be formed to manufacture a multilayer printed wiring board.
【0052】[0052]
【発明の実施形態】以下、本発明をプリント配線板の製
造プロセスにおける無電解めっき方法に具体化した実施
形態を図1(a)〜図1(d)に基づき詳細に説明す
る。 (実施形態1)本実施形態では、フルアディティブプロ
セスによってプリント配線板の導体パターン8を作製し
ている。以下、そのプロセスを順を追って説明する。 (1) まず、基材としてのガラスエポキシ板1上に、
アディティブ用の接着剤を塗布する。接着剤の調製は次
のように行った。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment in which the present invention is embodied in an electroless plating method in a manufacturing process of a printed wiring board will be described in detail with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (d). (Embodiment 1) In this embodiment, a conductor pattern 8 of a printed wiring board is manufactured by a full additive process. Hereinafter, the process will be described step by step. (1) First, on the glass epoxy plate 1 as a base material,
Apply additive adhesive. The adhesive was prepared as follows.
【0053】ジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解したクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂(日本化薬製 分子量2500)の25%アクリル
化物を70重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)
30重量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品
名:2E4MZ-CN)4重量部、、感光製モノマーであるカプ
ロラクトン変成トリス(アクロキシエチル)イソシアヌ
レート(東亜合成製、商品名;アロニックスM325)
10重量部、光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化
学製)5重量部、光増感剤ミヒラーケトン(関東化学
製)0.5重量部、さらにこの混合物に対してメラミン
樹脂粒子の平均粒径5.5μmを35重量部、平均粒径
0.5μmのものを5重量部を混合した後、NMPを添
加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度200
0 CPSに調整し、続いて、3本ロールで混練する。 (2)この接着剤溶液を、めっき工程を終えた基材1を
水洗・乾燥した後、基材2上に、ロールコーターを用い
て塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で乾
燥(プリベーク)を行なった。 (3)前記(2)の処理を施した配線板に、超高圧水銀
灯300mj /cm2 で露光した。さらに、前記配線板を超高
圧水銀灯により約3000mj/cm2 で露光し、100 ℃で1時
間、その後150 ℃で5時間の加熱処理(ポストベーク)
することによりフォトマスクフィルムに相当する寸法精
度に優れた開口を有する厚さ50μmの樹脂接着剤層2
を形成した。70 parts by weight of 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (Nippon Kayaku molecular weight 2500) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG), polyether sulfone (PES)
30 parts by weight, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN) 4 parts by weight, caprolactone modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate (a product of Toagosei, trade name; Aronix M325) which is a photosensitive monomer
4. 10 parts by weight, 5 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator, 0.5 part by weight of photosensitizer Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku), and an average particle size of melamine resin particles of 5. After mixing 35 parts by weight of 5 μm and 5 parts by weight of particles having an average particle size of 0.5 μm, NMP was added thereto and the viscosity was adjusted to 200 with a homodisper agitator.
Adjust to 0 CPS and then knead with 3 rolls. (2) After washing and drying the base material 1 that has undergone the plating process, this adhesive solution is applied onto the base material 2 by using a roll coater and left standing in a horizontal state for 20 minutes, and then at 60 ° C. Was dried (prebaked). (3) The wiring board subjected to the treatment of (2) was exposed with an ultrahigh pressure mercury lamp of 300 mj / cm 2 . Further, the wiring board was exposed by an ultra-high pressure mercury lamp at about 3000 mj / cm 2 and heat-treated at 100 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 5 hours (post bake).
By doing so, a resin adhesive layer 2 having a thickness of 50 μm and having an opening corresponding to a photomask film with excellent dimensional accuracy
Was formed.
【0054】この接着剤は、クロム酸やリン酸等のよう
な粗化液に対して難溶の樹脂マトリックス中に、粗化液
に対して可溶の樹脂フィラーを分散させたものである。
この場合、次いで、常法に従ってクロム酸、過マンガン
酸カリウム等による表面粗化処理を行い、接着剤層2中
の樹脂フィラーを溶解させる。This adhesive is obtained by dispersing a resin filler which is soluble in the roughening liquid in a resin matrix which is hardly soluble in the roughening liquid such as chromic acid and phosphoric acid.
In this case, a surface roughening treatment with chromic acid, potassium permanganate or the like is then carried out by a conventional method to dissolve the resin filler in the adhesive layer 2.
【0055】具体的にはpH=13に調整した過マンガ
ン酸カリウム(KMnO4 、60 g/l )に70℃で1分間浸漬
し、ついでリン酸に30分浸漬して層間樹脂絶縁層の表
面を粗化して、その結果、図1(a)に示されるよう
に、接着剤層2の表面に微細なアンカー3が多数形成さ
れた粗化面が形成される。Specifically, the surface of the interlayer resin insulation layer was immersed in potassium permanganate (KMnO 4 , 60 g / l) adjusted to pH = 13 at 70 ° C. for 1 minute and then in phosphoric acid for 30 minutes. Is roughened, and as a result, as shown in FIG. 1A, a roughened surface in which a large number of fine anchors 3 are formed on the surface of the adhesive layer 2 is formed.
【0056】次いで、無電解めっき金属の最初の析出に
必要な触媒核を付与した後、感光性エポキシや感光性ポ
リイミド等の感光性樹脂を塗布し、露光・現像を行う。
その結果、図1(b)に示されるように、部分的に開口
部5を有する永久レジスト4を接着剤層2の上面に形成
する。Next, after providing the catalyst nuclei necessary for the first deposition of the electroless plated metal, a photosensitive resin such as photosensitive epoxy or photosensitive polyimide is applied and exposed and developed.
As a result, as shown in FIG. 1B, the permanent resist 4 partially having the opening 5 is formed on the upper surface of the adhesive layer 2.
【0057】具体的には次のような手順に従った。DM
DG(ジメチルグリコールジメチルエーテル)に溶解さ
せたクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製
商品名 EOCN−103S)のエポキシ基25%を
アクリル化した感光性付与のオリゴマー(分子量400
0)、PES(分子量17000)、イミダゾール系硬
化剤(四国化成製 商品名 2PMHZ−PW)、感光
性モノマーであるアクリル化イソシアネート(東亜合成
製商品名 アロニックス M215)、光開始剤として
ベンゾフェノン(関東化学製)、光増感剤ミヒラーケト
ン(関東化学製)を用い、下記組成でNMPを用いて混
合した後、ホモディスパー攪拌機で粘度3000cps
に調整し、続いて3本ロールで混練して、液状レジスト
を得た。Specifically, the following procedure was followed. DM
A cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, trade name: EOCN-103S) dissolved in DG (dimethyl glycol dimethyl ether) is sensitized with 25% of the epoxy groups acrylated (molecular weight 400.
0), PES (molecular weight 17,000), imidazole type curing agent (Shikoku Kasei product name 2 PMHZ-PW), photosensitive monomer acrylated isocyanate (Toagosei product name Aronix M215), benzophenone (Kanto Chemical Co., Inc.) as a photoinitiator. , A photosensitizer Michler Ketone (manufactured by Kanto Kagaku), and mixed with NMP with the following composition, and then the viscosity is 3000 cps with a homodisper agitator.
And then kneading with a three-roll mill to obtain a liquid resist.
【0058】樹脂組成物:感光性エポキシ/PES/M
325/BP/MK/イミダゾール=70/30/10
/5/0.5/5 この液状レジストを前記(7)の樹脂絶縁層上にロール
コーターを用いて塗布し、60℃で乾燥させて厚さ約3
0μmのレジスト層を形成した。さらに、L/S=50
/50の導体回路パターンが描画されたマスクフィルム
を密着させ、超高圧水銀灯1000mJ/cm2 で露光
した。Resin composition: Photosensitive epoxy / PES / M
325 / BP / MK / imidazole = 70/30/10
/5/0.5/5 This liquid resist is applied on the resin insulation layer of (7) above using a roll coater and dried at 60 ° C. to a thickness of about 3
A 0 μm resist layer was formed. Furthermore, L / S = 50
A mask film on which a conductor circuit pattern of / 50 was drawn was brought into close contact and exposed with an ultrahigh pressure mercury lamp of 1000 mJ / cm 2 .
【0059】これをトリエチレングリコールジメチルエ
ーテル(DMDG)でスプレー現像処理することによ
り、配線板上に導体回路パターン部の抜けためっき用レ
ジストを形成した。さらに超高圧水銀灯により、600
0mJ/cm2 で露光し、1000℃で1時間、その後
150℃で3時間の加熱処理を行った。This was spray-developed with triethylene glycol dimethyl ether (DMDG) to form a plating resist having a missing conductor circuit pattern portion on the wiring board. With an ultra-high pressure mercury lamp, 600
Exposure was performed at 0 mJ / cm 2 , and heat treatment was performed at 1000 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours.
【0060】このレジスト用樹脂を用いて永久レジスト
4を形成した。次いで、従来公知のめっき前処理を行っ
た後、開口部5に対する一次めっきを行う。ここで、一
次めっき用のめっき浴としては、TEAを錯化剤として
含む無電解ニッケルめっき浴あるいは無電解銅−ニッケ
ル合金めっき浴のうちのいずれかが使用される。A permanent resist 4 was formed using this resist resin. Then, after performing a conventionally known plating pretreatment, the opening 5 is subjected to primary plating. Here, as the plating bath for the primary plating, either an electroless nickel plating bath containing TEA as a complexing agent or an electroless copper-nickel alloy plating bath is used.
【0061】本実施形態においては、一次めっきとして
具体的には下記の組成を有する無電解銅−ニッケル合金
めっき浴が用いられている。めっき浴の温度は50℃〜
80℃であり、めっき浸漬時間は20分〜120分であ
る。In this embodiment, an electroless copper-nickel alloy plating bath having the following composition is specifically used as the primary plating. The temperature of the plating bath is 50 ℃
The temperature is 80 ° C., and the plating immersion time is 20 minutes to 120 minutes.
【0062】金属塩…CuSO4 ・5H2 O; 0.6
25g/リットル,(1.8mM) …NiSO4 ・6H2 O; 12.485g/リット
ル,(51.0mM) 錯化剤…TEA; 50g/リットル,(0.33
M) 還元剤…ホスフィン酸Na一水和物; 21.2g/
リットル,(0.2M) pH調節剤…NaOH; 30g/リットル,(0.
75M) その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。Metal salt: CuSO 4 .5H 2 O; 0.6
25 g / l, (1.8 mM) ... NiSO 4 .6H 2 O; 12.485 g / l, (51.0 mM) Complexing agent ... TEA; 50 g / l, (0.33
M) reducing agent: Na phosphinate monohydrate; 21.2 g /
Liter, (0.2M) pH adjuster ... NaOH; 30 g / liter, (0.
75M) Others: a small amount of stabilizer (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.).
【0063】析出速度は、1.5μm/時間 以上の条件でめっきを行うことによって、図1(c)に
示されるように、レジスト非形成部分である開口部5に
厚さ約0.5μm〜5.0μmの銅−ニッケル−リンめ
っき薄膜6が形成される。この後、ガラスエポキシ板1
をめっき浴から引き上げ、表面に付着しているめっき浴
を水で洗い流す。As shown in FIG. 1 (c), the deposition rate is about 0.5 μm / hour by performing plating at a rate of 1.5 μm / hour or more. A 5.0 μm copper-nickel-phosphorus plating thin film 6 is formed. After this, glass epoxy board 1
Is removed from the plating bath, and the plating bath adhering to the surface is washed off with water.
【0064】次いで、ガラスエポキシ板1を酸性溶液で
処理する活性化処理によって、銅−ニッケル−リンめっ
き薄膜6表層の酸化皮膜を除去する。その後、Pd置換
を行うことなく、銅−ニッケル−リンめっき薄膜6上に
対する二次めっきを行う。ここで二次めっき用のめっき
浴としては、TEAを錯化剤として含む二次めっき用の
無電解銅めっき浴が使用される。Next, the oxide film on the surface layer of the copper-nickel-phosphorus plating thin film 6 is removed by the activation process of treating the glass epoxy plate 1 with an acidic solution. Then, secondary plating is performed on the copper-nickel-phosphorus plating thin film 6 without performing Pd substitution. Here, as the plating bath for secondary plating, an electroless copper plating bath for secondary plating containing TEA as a complexing agent is used.
【0065】本実施形態においては、二次めっきとして
具体的には下記の組成を有するめっき浴が用いられてい
る。めっき浴の温度は50℃〜70℃であり、めっき浸
漬時間は90分〜360分である。In this embodiment, a plating bath having the following composition is specifically used as the secondary plating. The temperature of the plating bath is 50 ° C. to 70 ° C., and the plating immersion time is 90 minutes to 360 minutes.
【0066】金属塩…CuSO4 ・5H2 O; 3.0
g/リットル,(8.6mM) 錯化剤…TEA; 22.5g/リットル,(0.1
5M) 還元剤…HCHO; 2cc/リットル(0.1M) その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。Metal salt ... CuSO 4 .5H 2 O; 3.0
g / l, (8.6 mM) Complexing agent ... TEA; 22.5 g / l, (0.1
5M) Reducing agent ... HCHO; 2cc / liter (0.1M) Others. Stabilizer (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.) in a small amount.
【0067】析出速度は、6μm/時間 全めっき膜の厚みは、30μmであり、一次めっき膜と
して2μmとすると、一次めっきと二次めっきの平均析
出速度は、5.0μm/時間である。Deposition rate is 6 μm / hour. The thickness of the entire plating film is 30 μm. If the primary plating film is 2 μm, the average deposition rate of primary plating and secondary plating is 5.0 μm / hour.
【0068】平均析出時間=全めっき膜の厚さ/(一次
めっき膜の厚さ/一次めっき膜析出速度+二次めっき膜
の厚さ/二次めっき膜析出速度)で計算した。 30μm/{(2/1.5)時間+(28/6)時間} =30μm/6時間 =5μm/時間 これは、EDTAを錯化剤として使用した銅めっき液の
みを使用した場合の析出速度2.0μm/時間よりも早
い。The average deposition time = total plating film thickness / (primary plating film thickness / primary plating film deposition rate + secondary plating film thickness / secondary plating film deposition rate). 30 μm / {(2 / 1.5) hours + (28/6) hours} = 30 μm / 6 hours = 5 μm / hour This is the deposition rate when only the copper plating solution using EDTA as a complexing agent was used. Faster than 2.0 μm / hour.
【0069】以上の条件でめっきを行うことによって、
図1(d)に示されるように、一次めっき膜である銅−
ニッケルめっき薄膜6の表面に銅めっき膜7が形成され
る。従って、2種の金属層からなる導体パターン8が得
られる。By performing the plating under the above conditions,
As shown in FIG. 1D, the primary plating film of copper-
A copper plating film 7 is formed on the surface of the nickel plating thin film 6. Therefore, the conductor pattern 8 including two kinds of metal layers is obtained.
【0070】なお、2種類の金属層の厚さは、一次めっ
き層が0.5〜3μmで、二次めっき層が10〜30μ
mであり、二次めっき層/一次めっき層=3.3〜60
の範囲が望ましい。一次めっき層が大きくなりすぎると
一次めっき膜と二次めっき膜との界面で剥離が起き、一
次めっき膜が小さすぎるとピール強度の低下を招く。The thickness of the two types of metal layers is 0.5 to 3 μm for the primary plating layer and 10 to 30 μm for the secondary plating layer.
m, and secondary plating layer / primary plating layer = 3.3 to 60
The range of is desirable. When the primary plating layer becomes too large, peeling occurs at the interface between the primary plating film and the secondary plating film, and when the primary plating film is too small, the peel strength decreases.
【0071】さて、本実施形態の無電解めっき方法で
は、一次めっき用のめっき浴に含まれている錯化剤と、
二次めっき用のめっき浴に含まれている錯化剤とが同じ
もの、即ちいずれもTEAである。従って、無電解めっ
き用接着剤層の粗化面に接している銅−ニッケル−リン
めっき薄膜6とその上に析出する銅めっきとの相性が、
EDTA浴のときに比較してよくなるものと考えられ、
この組合せによると銅−ニッケル−リンめっき薄膜6と
二次めっき液との濡れ性が向上し、その上に銅めっきが
析出しやすくなる。ゆえに、めっきの初期反応が途中で
停止してしまうこともなく、銅めっき膜7が確実にかつ
スムーズに形成される。In the electroless plating method of the present embodiment, the complexing agent contained in the plating bath for primary plating,
The complexing agent contained in the plating bath for secondary plating is the same, that is, TEA. Therefore, the compatibility between the copper-nickel-phosphorus plating thin film 6 in contact with the roughened surface of the adhesive layer for electroless plating and the copper plating deposited thereon is
It is thought that it will improve compared to when using an EDTA bath,
According to this combination, the wettability between the copper-nickel-phosphorus plating thin film 6 and the secondary plating solution is improved, and the copper plating is easily deposited on the wettability. Therefore, the initial reaction of plating does not stop midway, and the copper plating film 7 is reliably and smoothly formed.
【0072】よって、この無電解めっき方法によると、
従来必須であった一次めっき膜へのPd置換が不要にな
ることから、その分だけ確実にコストダウンが図られ
る。しかも、銅−ニッケル−リンめっき薄膜6からのP
dの脱落という問題も起き得ないため、めっき金属の異
状析出という事態も解消される。さらに、Pd置換を行
うための処理液の保存・管理等も不要になるというメリ
ットがある。Therefore, according to this electroless plating method,
Since it is unnecessary to replace Pd with the primary plating film, which has been indispensable in the past, the cost can be surely reduced accordingly. Moreover, P from the copper-nickel-phosphorus plating thin film 6
Since the problem of falling off of d cannot occur, the situation of abnormal deposition of plated metal can be solved. Further, there is an advantage that storage and management of the processing liquid for Pd substitution are unnecessary.
【0073】また、上記二つのめっき浴は同種の錯化剤
を含むものであることから、互いが混合しても、めっき
浴の汚染などの問題は生じない。つまり、二次めっき用
の無電解銅めっき浴の早期劣化が回避され、また一次め
っきと二次めっきとの間の洗浄を省略できる。Further, since the above two plating baths contain the same type of complexing agent, there is no problem such as contamination of the plating baths even if they are mixed with each other. That is, early deterioration of the electroless copper plating bath for the secondary plating is avoided, and cleaning between the primary plating and the secondary plating can be omitted.
【0074】なお、上述した条件によって形成された導
体パターン8のピール強度を測定したところ、その値は
1.8kg/cmであり、実用に耐えうるものであっ
た。ピール強度の測定は、JIS−C−6481に準じ
た。 (実施形態2)基本的には、実施形態1と同様である
が、一次めっき液として、下記のニッケルめっき液、コ
バルトめっき液、銅とコバルトの混合めっき液を使用し
た。The peel strength of the conductor pattern 8 formed under the above-mentioned conditions was measured and found to be 1.8 kg / cm, which was acceptable for practical use. The peel strength was measured according to JIS-C-6481. (Embodiment 2) Basically, the same as in Embodiment 1, but the following nickel plating solution, cobalt plating solution, and mixed plating solution of copper and cobalt were used as the primary plating solution.
【0075】(ニッケルめっき液) めっき温度60℃ 金属塩…NiSO4 ・6H2 O; 13.5g/リット
ル,(55.2mM) 錯化剤…TEA; 50g/リットル,(0.33
M) 還元剤…ホスフィン酸Na一水和物; 21.2g/
リットル,(0.2M) pH調節剤…NaOH; 30g/リットル,(0.
75M) その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。(Nickel plating solution) Plating temperature 60 ° C. Metal salt ... NiSO 4 .6H 2 O; 13.5 g / liter, (55.2 mM) Complexing agent ... TEA; 50 g / liter, (0.33
M) reducing agent: Na phosphinate monohydrate; 21.2 g /
Liter, (0.2M) pH adjuster ... NaOH; 30 g / liter, (0.
75M) Others: a small amount of stabilizer (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.).
【0076】平均析出速度は、1.5μm/時間 (コバルトめっき液) めっき温度60℃ 金属塩…CoCl2 ・6H2 O; 55.0mM 錯化剤…TEA; 0.3 M 還元剤…ホスフィン酸Na一水和物; 0.2M pH調節剤…NaOH; 0.75M その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。The average deposition rate is 1.5 μm / hour (cobalt plating solution) Plating temperature 60 ° C. Metal salt ... CoCl 2 .6H 2 O; 55.0 mM Complexing agent ... TEA; 0.3 M Reducing agent ... Phosphinic acid Na monohydrate; 0.2M pH adjuster ... NaOH; 0.75M Other ... Stabilizers (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.) in small amounts.
【0077】平均析出速度は、1.5μm/時間 (コバルト−銅複合めっき液) めっき温度60℃ 金属塩…CoCl2 ・6H2 O; 25.0mM CuSO4 ・5H2 O; 30.0mM 錯化剤…TEA; 0.3 M 還元剤…水酸化ホウ酸ナトリウム; 0.2M pH調節剤…NaOH; 0.75M その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。The average deposition rate is 1.5 μm / hour (Cobalt-copper composite plating solution) Plating temperature 60 ° C. Metal salt ... CoCl 2 .6H 2 O; 25.0 mM CuSO 4 .5H 2 O; 30.0 mM Complexation Agent: TEA; 0.3 M Reducing agent: Sodium hydroxide borate; 0.2 M pH adjusting agent: NaOH; 0.75 M Others: Stabilizer (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.) in a small amount.
【0078】析出速度は、1.0μm/時間 ピール強度を測定したところ、その値はニッケルめっき
で1.6kg/cm、コバルトめっきで1.6kg/c
m、銅−コバルトめっきで1.7kg/cm、という値
であった。さらに、比較例として、直接TEAを含むめ
っき浴によるめっきを行ったところ、析出速度は、6μ
m/時間であるものの、そのピール強度は0.8kg/
cmという低いものであった。 (実施形態3)基本的には、実施形態1と同様である
が、一次、二次めっき液として、下記の組成のものを使
用した。The deposition rate was 1.0 μm / hour. When peel strength was measured, the values were 1.6 kg / cm for nickel plating and 1.6 kg / c for cobalt plating.
m and copper-cobalt plating was 1.7 kg / cm. Further, as a comparative example, when plating was directly performed with a plating bath containing TEA, the deposition rate was 6 μm.
Although it is m / hour, its peel strength is 0.8 kg /
It was as low as cm. (Embodiment 3) Basically, the same as in Embodiment 1, but the following compositions were used as the primary and secondary plating solutions.
【0079】(TEA低速めっき) めっき温度40℃であり、 金属塩…CuSO4 ・5H2 O; 1.8mM 錯化剤…TEA; 0.33M 還元剤…ホルムアルデヒド: 0.05M pH調節剤…NaOH; 0.5M その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。(TEA low speed plating) Plating temperature is 40 ° C., metal salt: CuSO 4 .5H 2 O; 1.8 mM complexing agent: TEA; 0.33M reducing agent: formaldehyde: 0.05M pH adjusting agent: NaOH 0.5 M Others. Stabilizers (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.) in small amounts.
【0080】析出速度は、1μm/時間 (TEA高速めっき) 二次めっき液として、下記の組成のものを使用した。The deposition rate was 1 μm / hour (TEA high-speed plating). The secondary plating solution having the following composition was used.
【0081】めっき温度60℃であり、 金属塩…CuSO4 ・5H2 O; 1.8mM 錯化剤…TEA; 0.33M 還元剤…ホルムアルデヒド: 1.5M pH調節剤…NaOH; 0.5M その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等)少量。Plating temperature is 60 ° C., metal salt: CuSO 4 .5H 2 O; 1.8 mM complexing agent: TEA; 0.33M reducing agent: formaldehyde: 1.5M pH adjusting agent: NaOH; 0.5M and others ... Stabilizers (bipyridyl, potassium ferrocyanide, etc.) in small amounts.
【0082】析出速度は、6μm/時間 厚さ30μmの平均析出速度は、4.5μm/時間であ
る。ピール強度を測定したところ、その値は1.4kg
/cmという値であった。The deposition rate is 6 μm / hour, and the average deposition rate for a thickness of 30 μm is 4.5 μm / hour. When the peel strength was measured, the value was 1.4 kg.
The value was / cm.
【0083】なお、比較例として、EDTAを錯化剤と
しためっき液により、一次めっきを行い、TEAを錯化
剤とした二次めっき液に浸漬したが、析出反応が起きな
かった。As a comparative example, primary plating was carried out with a plating solution containing EDTA as a complexing agent and immersed in a secondary plating solution containing TEA as a complexing agent, but no precipitation reaction occurred.
【0084】(実施形態4)金、銀、スズ、鉛、硼素、
遷移元素から選ばれる少なくとも1種からなる元素の化
合物について無電解めっき液を調製して、無電解めっき
を行った。使用した金属化合物、還元剤、pH調整剤、
析出速度、ピール強度について表1に結果を示した。(Embodiment 4) Gold, silver, tin, lead, boron,
Electroless plating solutions were prepared for compounds of at least one element selected from transition elements, and electroless plating was performed. Used metal compounds, reducing agents, pH adjusters,
The results of the deposition rate and the peel strength are shown in Table 1.
【0085】また、金、銀、スズ、鉛、硼素、遷移元素
から選ばれる少なくとも1種からなる元素の化合物と銅
化合物の混合物について無電解めっき液を調製して、無
電解めっきを行った。使用した金属化合物、還元剤、p
H調整剤、析出速度、ピール強度について表2に結果を
示した。Further, an electroless plating solution was prepared for a mixture of a compound of at least one element selected from gold, silver, tin, lead, boron, and transition elements and a copper compound, and electroless plating was performed. Used metal compound, reducing agent, p
The results are shown in Table 2 for the H modifier, the deposition rate, and the peel strength.
【0086】[0086]
【表1】 [Table 1]
【0087】[0087]
【表2】 なお、いずれも二次めっきの条件は、実施形態1の条件
に準じる。このように、実施形態の条件であれば、各々
について導体パターン8に充分なピール強度が確保され
ることがわかる。これは、粗化面に強度の高い合金めっ
きが充填されていること、また、TEAを含むめっき浴
であっても、低速めっき浴であればアンカー3へのめっ
き充填性に遜色がないからであると推測される。また、
無電解銅めっき浴より無電解ニッケルめっき浴のほう
が、無電解ニッケルめっき浴より無電解銅−ニッケル
(−リン)合金めっき浴のほうがピール強度が大きくな
ることがわかる。これは、金属単体よりも合金のほうが
強度が高いため金属破壊が生じにくい、ということを意
味する。[Table 2] The conditions of the secondary plating are the same as those of the first embodiment. As described above, under the conditions of the embodiment, it is found that the conductor pattern 8 has a sufficient peel strength for each. This is because the roughened surface is filled with high-strength alloy plating, and even in the case of a TEA-containing plating bath, if the plating bath is the low-speed plating bath, the fillability of the anchor 3 is comparable. Presumed to be. Also,
It can be seen that the electroless nickel plating bath has a larger peel strength than the electroless copper plating bath and the electroless copper-nickel (-phosphorus) alloy plating bath has a larger peel strength than the electroless nickel plating bath. This means that the alloy is stronger than the elemental metal, and thus metal breakage is less likely to occur.
【0088】なお、本発明は例えば次のように変更する
ことが可能である。 (1)無電解一次めっき浴中の錯化剤を、TEAと同じ
くエタノールアミン類であるモノエタノールアミンやジ
エタノールアミンに変更してもよい。The present invention can be modified as follows, for example. (1) The complexing agent in the electroless primary plating bath may be changed to monoethanolamine or diethanolamine which is an ethanolamine like TEA.
【0089】(2)錯化剤としてTEAが含まれている
のであれば、実施形態において例示したものと異なる組
成の二次無電解銅めっき浴を使用しても構わない。 (3)実施形態に代えて、例えば次のような手順で無電
解めっきを行ってもよい。まず、一次無電解めっき浴を
用いて一次めっきを行う。次いで、前記めっき浴から基
材を引き上げ、水洗・乾燥等を行うことなく、基材をそ
のまま二次の無電解銅めっき浴に浸漬する。この場合、
酸化皮膜の形成を防ぐために、一次の無電解めっき浴か
ら二次の無電解銅めっき浴への移送は、迅速に行われる
必要がある。上記の方法であると、酸化皮膜除去のため
の活性化処理が不要になるため、より工程が簡略化され
る。また、この方法に限られなくとも、酸化皮膜が形成
されにくい条件で一連のめっきプロセスが行われるので
あれば、活性化処理を省くことも可能である。(2) If TEA is contained as a complexing agent, a secondary electroless copper plating bath having a composition different from that exemplified in the embodiment may be used. (3) Instead of the embodiment, electroless plating may be performed by the following procedure, for example. First, primary plating is performed using a primary electroless plating bath. Then, the base material is pulled out from the plating bath, and the base material is directly immersed in the secondary electroless copper plating bath without washing with water or drying. in this case,
In order to prevent the formation of an oxide film, the transfer from the primary electroless plating bath to the secondary electroless copper plating bath needs to be performed quickly. With the above method, the activation process for removing the oxide film is not necessary, and the process is further simplified. Further, if not limited to this method, the activation treatment can be omitted as long as a series of plating processes are performed under conditions where an oxide film is difficult to form.
【0090】(4)本発明の無電解めっき方法は、プリ
ント配線板の製造プロセスのみに限定されず、その他の
用途、例えば自動車部品の表面めっき等にも適用される
ことができる。(4) The electroless plating method of the present invention is not limited to the manufacturing process of a printed wiring board, but can be applied to other uses such as surface plating of automobile parts.
【0091】[0091]
【発明の効果】以上詳述したように、本願発明によれ
ば、平均めっき析出速度を向上させた場合でも得られる
導体パターンのピール強度を低下させることがなく、し
かも二次めっき前のPd置換の必要性をなくすことがで
きる。また、平均めっき析出速度を改善できる。As described above in detail, according to the present invention, even when the average plating deposition rate is improved, the peel strength of the conductor pattern obtained is not lowered, and the Pd substitution before the secondary plating is performed. The need for can be eliminated. Also, the average plating deposition rate can be improved.
【図1】(a)〜(d)は、実施形態の無電解めっき方
法を示す部分概略断面図。1A to 1D are partial schematic cross-sectional views showing an electroless plating method according to an embodiment.
1…基材としてのガラスエポキシ板、6…一次めっき膜
としての銅−ニッケル−リンめっき薄膜。1 ... A glass epoxy plate as a base material, 6 ... a copper-nickel-phosphorus plating thin film as a primary plating film.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 18/52 B H05K 3/18 F 7511−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication C23C 18/52 B H05K 3/18 F 7511-4E
Claims (12)
鉛、硼素、遷移元素から選ばれる少なくとも1種からな
る元素の化合物、もしくはこれらと銅化合物、およびト
リアルカノールアミン、還元剤、pH調整剤からなる無
電解めっき液。1. Cobalt, nickel, gold, silver, tin,
An electroless plating solution comprising a compound of at least one element selected from lead, boron, and transition elements, or a copper compound with these, a trialkanolamine, a reducing agent, and a pH adjusting agent.
0.1M以下の還元剤、pH調整剤からなる無電解めっ
き液。2. A copper compound, a trialkanolamine,
An electroless plating solution comprising a reducing agent of 0.1 M or less and a pH adjusting agent.
元剤、pH調整剤からなり、その液温度が50℃以下で
ある無電解めっき液。3. An electroless plating solution comprising a copper compound, a trialkanolamine, a reducing agent, and a pH adjusting agent, the solution temperature of which is 50 ° C. or lower.
ケル化合物あるいはコバルト化合物、トリアルカノール
アミン、還元剤、pH調整剤からなり、前記銅化合物の
濃度は、1.0〜4.3mM、ニッケル化合物あるいは
コバルト化合物の濃度が20〜82mM、トリアルカノ
ールアミンの濃度が0.1〜0.8Mである請求項1に
記載の無電解めっき液。4. The electroless plating solution comprises a copper compound, a nickel compound or a cobalt compound, a trialkanolamine, a reducing agent and a pH adjuster, and the concentration of the copper compound is 1.0 to 4.3 mM, nickel. The electroless plating solution according to claim 1, wherein the concentration of the compound or the cobalt compound is 20 to 82 mM, and the concentration of the trialkanolamine is 0.1 to 0.8M.
タノールアミン、トリイソパノールアミン、トリメタノ
ールアミン、トリプロパノールアミンから選ばれる少な
くとも1種である請求項1〜4のいずれか一つに記載の
無電解めっき液。5. The electroless material according to claim 1, wherein the trialkanolamine is at least one selected from triethanolamine, triisopropanolamine, trimethanolamine and tripropanolamine. Plating solution.
塩、水素化ホウ素塩、ヒドラジンから選ばれる少なくと
も1種である請求項1〜4のいずれか一つに記載の無電
解めっき液。6. The electroless plating solution according to claim 1, wherein the reducing agent is at least one selected from aldehyde, hypophosphite, borohydride and hydrazine.
び/又はビピリジルを含有してなる請求項1〜4のいず
れか一つに記載の無電解めっき液。7. The electroless plating solution according to claim 1, wherein the electroless plating solution contains an iron compound and / or bipyridyl.
水酸化カリウム、水酸化カルシウムから選ばれる少なく
とも1種である請求項1〜4のいずれか一つに記載の無
電解めっき液。8. The pH adjusting agent is sodium hydroxide,
The electroless plating solution according to claim 1, which is at least one selected from potassium hydroxide and calcium hydroxide.
一次めっき膜に対して二次めっきを行う無電解めっき方
法において、 前記一次めっき用のめっき浴は、請求項1〜8のいずれ
か一つの無電解めっき液を用いるとともに、二次めっき
用のめっき浴として、トリアルカノールアミンと、銅化
合物、還元剤、pH調整剤からなる無電解めっき液を使
用することを特徴とする無電解めっき方法。9. An electroless plating method in which primary plating is applied to a substrate and then secondary plating is performed on the primary plating film, wherein the plating bath for primary plating is any one of claims 1 to 8. An electroless plating solution comprising one electroless plating solution and a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent and a pH adjuster as a plating bath for secondary plating. Plating method.
の一次めっき膜に対して二次めっきを行う無電解めっき
方法において、 前記一次めっき用のめっき浴は、請求項2あるいは3の
無電解めっき液を用いて、その析出速度を2μm/時間
以下とするとともに、二次めっき用のめっき浴として、
トリアルカノールアミンと、銅化合物、還元剤、pH調
整剤からなる無電解めっき液を使用して、その析出速度
を5μm/時間以上にすることを特徴とする無電解めっ
き方法。10. An electroless plating method in which primary plating is applied to a substrate and then secondary plating is performed on the primary plating film, wherein the plating bath for the primary plating is the plating bath according to claim 2 or 3. An electrolytic plating solution was used to control the deposition rate to 2 μm / hour or less, and as a plating bath for secondary plating,
An electroless plating method characterized in that an electroless plating solution comprising a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent and a pH adjuster is used and the deposition rate thereof is 5 μm / hour or more.
の一次めっき膜に対して二次めっきを行い導体回路を形
成するプリント配線板の製造方法において、 前記一次めっき用のめっき浴は、請求項1〜8のいずれ
か一つの無電解めっき液を用いるとともに、二次めっき
用のめっき浴として、トリアルカノールアミンと、銅化
合物、還元剤、pH調整剤からなる無電解めっき液を使
用することを特徴とするプリント配線板の製造方法。11. A method of manufacturing a printed wiring board, comprising: performing a primary plating on a substrate and then performing a secondary plating on the primary plating film to form a conductor circuit; wherein the plating bath for the primary plating is In addition to using the electroless plating solution according to any one of Items 1 to 8, use an electroless plating solution containing a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent, and a pH adjuster as a plating bath for secondary plating A method for manufacturing a printed wiring board, comprising:
の一次めっき膜に対して二次めっきを行い導体回路を形
成するプリント配線板の製造方法において、 前記一次めっき用のめっき浴は、請求項2あるいは3の
無電解めっき液を用いて、その析出速度を2μm/時間
以下とするとともに、二次めっき用のめっき浴として、
トリアルカノールアミンと、銅化合物、還元剤、pH調
整剤からなる無電解めっき液を使用して、その析出速度
を5μm/時間以上にすることを特徴とするプリント配
線板の製造方法。12. A method of manufacturing a printed wiring board, comprising: performing a primary plating on a substrate and then performing a secondary plating on the primary plating film to form a conductor circuit; wherein the plating bath for the primary plating is Using the electroless plating solution according to Item 2 or 3, the deposition rate is set to 2 μm / hour or less, and a plating bath for secondary plating is used.
A method for producing a printed wiring board, characterized in that an electroless plating solution comprising a trialkanolamine, a copper compound, a reducing agent and a pH adjusting agent is used and the deposition rate thereof is 5 μm / hour or more.
Priority Applications (1)
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---|---|
JP (1) | JPH08193275A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003514995A (en) * | 1999-11-26 | 2003-04-22 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | Dielectric metallization method |
JP2008294060A (en) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Composition for forming conductor layer, forming method of conductor layer, and manufacturing method of circuit board |
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1995
- 1995-08-07 JP JP20102695A patent/JPH08193275A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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