JPH08190883A - Electron beam exposing device - Google Patents
Electron beam exposing deviceInfo
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- JPH08190883A JPH08190883A JP7003847A JP384795A JPH08190883A JP H08190883 A JPH08190883 A JP H08190883A JP 7003847 A JP7003847 A JP 7003847A JP 384795 A JP384795 A JP 384795A JP H08190883 A JPH08190883 A JP H08190883A
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- electron beam
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子線露光装置に関
し、特に、高集積半導体デバイス等の製造においてリソ
グラフィ工程に用いられる電子線露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to an electron beam exposure apparatus used in a lithography process in manufacturing highly integrated semiconductor devices and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子線リソグラフィに用いられる装置
は、電子線走査方式のものが一般的である。この方式で
は、電子銃から発射される電子ビームをレンズで収束
し、電子ビームを走査するかまたは試料台を移動させる
ことによって、試料上に微細なパターンの集合を描いて
いく。この電子ビーム描画技術では、通常の転写技術に
必要なマスクパターンを必要とせず、データからパター
ンを形成していく。2. Description of the Related Art An apparatus used for electron beam lithography is generally of an electron beam scanning type. In this method, an electron beam emitted from an electron gun is converged by a lens, and the electron beam is scanned or the sample stage is moved to draw a set of fine patterns on the sample. In this electron beam drawing technique, a pattern is formed from data without the need for a mask pattern required in a normal transfer technique.
【０００３】電子ビーム描画方式は、用いる収束ビーム
の形状によってガウス型ビーム式と成形ビーム式に分け
ることができる。ガウス型ビームは、通常の電子銃から
出た電子を電子収束系で集めた場合に得られるもので、
その電流密度分布はガウス分布をしている。一方、成形
ビームは、収束ビームの断面形状を所望の形状に加工し
たビームである。ガウス型ビーム方式は、さらにラスタ
走査方式とベクタ走査方式に分けられる。ラスタ走査方
式は、描画すべき画面をパターンの有無に関係なくすべ
て走査する方式であり、ベクタ走査方式は、描画すべき
ところのみを描画に適した方向に走査するものである。The electron beam drawing method can be classified into a Gauss type beam type and a shaped beam type depending on the shape of the convergent beam used. The Gaussian beam is obtained when electrons emitted from an ordinary electron gun are collected by an electron focusing system.
The current density distribution has a Gaussian distribution. On the other hand, the shaped beam is a beam obtained by processing the cross-sectional shape of the convergent beam into a desired shape. The Gaussian beam system is further divided into a raster scanning system and a vector scanning system. The raster scanning method is a method of scanning the entire screen to be drawn regardless of the presence or absence of a pattern, and the vector scanning method is a method of scanning only the area to be drawn in a direction suitable for drawing.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】電子ビーム描画装置で
は、パターンの位置と形状を表わすデータを使い、収束
されたビームの位置、形状、電流などを電子計算機で制
御してパターンを描画する。収束したビームでパターン
を描画する基本的な方法は、２次元像を１次元像片の逐
次描写によって描き出すことである。このように電子線
走査方式では２次元情報を１次元情報で伝達するため、
パターンの数が多くなり、時間がかかっている。したが
って、半導体デバイスの生産においてスループット（処
理量）が稼げないという問題があった。In the electron beam drawing apparatus, data representing the position and shape of the pattern is used, and the position, shape, current, etc. of the converged beam are controlled by an electronic computer to draw the pattern. The basic method of drawing a pattern with a convergent beam is to draw a two-dimensional image by sequentially drawing one-dimensional image pieces. Thus, in the electron beam scanning method, two-dimensional information is transmitted as one-dimensional information,
There are many patterns and it takes time. Therefore, there is a problem that throughput (processing amount) cannot be earned in the production of semiconductor devices.
【０００５】本発明の目的は、これまでにない新しい電
子線露光装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an unprecedented new electron beam exposure apparatus.
【０００６】本発明のさらなる目的は、パターン形成時
間を短くすることが可能な電子線露光装置を提供するこ
とにある。A further object of the present invention is to provide an electron beam exposure apparatus capable of shortening pattern formation time.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】従来の装置では、電子銃
における電子放出過程として熱電子放出または電界放出
を用いていた。一方、本発明では、電子放出過程として
光電子放出を用いる。光電子放出とは、物質に外部から
光を照射したとき、その光のエネルギーが物質の仕事関
数より大きいときに光励起された物質内電子が表面から
外に放出される現象を言う。以下に説明するように、光
電子放出によれば、照射する電子ビームの断面形状を容
易に制御することができ、パターン形成時間を短くする
ことが可能となる。In the conventional device, thermionic emission or field emission is used as the electron emission process in the electron gun. On the other hand, in the present invention, photoelectron emission is used as the electron emission process. Photoelectron emission refers to a phenomenon in which when a substance is irradiated with light from the outside, electrons in the substance photoexcited when the energy of the light is larger than the work function of the substance are emitted from the surface to the outside. As will be described below, according to the photoelectron emission, the sectional shape of the electron beam to be irradiated can be easily controlled, and the pattern formation time can be shortened.
【０００８】本発明に従う第１の装置は、対象材料の所
定の部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置
であって、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光
電子を放出させるためのカソードとを備え、カソード
が、量子効率の異なる複数の材料からなり、カソードに
レーザ光を照射することによって、量子効率の高い部分
のみから光電子を放出させ、光電子が放出される部分の
パターンに応じた電子線露光を行なうことを特徴とす
る。A first device according to the present invention is a device for selectively irradiating a predetermined portion of a target material with an electron beam from an electron gun, wherein the electron gun irradiates a laser and a laser beam to a photoelectron. And a cathode for emitting light. The cathode is made of a plurality of materials having different quantum efficiencies. By irradiating the cathode with laser light, photoelectrons are emitted only from a portion having high quantum efficiency, and photoelectrons are emitted. The feature is that the electron beam exposure is performed according to the pattern of the part.
【０００９】量子効率とは、量子収量とも言い、光電子
放出において入射光による励起によって物質から放出さ
れた光電子あるいは光子の数と、物質に吸収された入射
光の光子数または入射光子数との比を指す。この装置に
おいて、レーザには、ネオジウムＹＡＧレーザの２倍高
調波（波長０．５３μｍ）等を用いることができる。カ
ソードは、複数の材料から形成されるが、レーザ光に対
し量子効率が高く、光電子放出が可能な材料として、６
ホウ化ランタン（ＬａＢ6 ）等を用いることができる。
一方、レーザ光に対して量子効率が低いかまたは光電子
放出が起きない材料として、アルミナ等の絶縁材料等を
用いることができる。この装置において、量子効率の高
い材料は、所望のパターンに加工され、カソードに設け
られる。カソードは、たとえば平板とすることができ、
所定のパターンに形成した光電材料と、レーザ光に対し
て光電子放出の起こらない材料とを組合せて形成するこ
とができる。たとえば、光電材料の周りに光電効果の起
こらない材料を配してカソードとするか、または光電効
果の起こらない材料上に、光電材料を所定のパターンで
堆積することによってカソードを形成することができ
る。このようなカソードの全面にレーザ光を照射すれ
ば、光電材料の部分から選択的に光電子を放出させるこ
とができ、放出された光電子のビームは、光電材料のパ
ターンに従った断面形状を有するようになる。この装置
において、電子ビームの収束には、通常の収束系を用い
ることができる。Quantum efficiency is also called quantum yield, and is the ratio of the number of photoelectrons or photons emitted from a substance by excitation by incident light in photoelectron emission to the number of photons or incident photons of incident light absorbed by the substance. Refers to. In this device, the laser used may be a second harmonic of a neodymium YAG laser (wavelength 0.53 μm) or the like. The cathode is formed of a plurality of materials, and has a high quantum efficiency with respect to laser light and is a material capable of emitting photoelectrons.
Lanthanum boride (LaB 6 ) or the like can be used.
On the other hand, an insulating material such as alumina can be used as a material that has low quantum efficiency with respect to laser light or does not emit photoelectrons. In this device, a material having high quantum efficiency is processed into a desired pattern and provided on the cathode. The cathode can be, for example, a flat plate,
It is possible to form a combination of a photoelectric material formed in a predetermined pattern and a material that does not emit photoelectrons with respect to laser light. For example, a cathode can be formed by arranging a material having no photoelectric effect around a photoelectric material as a cathode, or by depositing a photoelectric material in a predetermined pattern on the material having no photoelectric effect. . By irradiating the entire surface of such a cathode with laser light, photoelectrons can be selectively emitted from the portion of the photoelectric material, and the emitted photoelectron beam has a cross-sectional shape according to the pattern of the photoelectric material. become. In this apparatus, an ordinary focusing system can be used for focusing the electron beam.
【００１０】本発明に従う第２の装置は、対象材料の所
定の部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置
であって、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光
電子を放出させるためのカソードとを備え、レーザ光を
走査しながらカソードに照射することにより、カソード
の所定の部分から光電子を放出させ、走査パターンに応
じた電子線露光を行なうことを特徴とする。この装置に
おいて、レーザには、ネオジウムＹＡＧレーザの２倍高
調波（波長０．５３μｍ）等を用いることができる。こ
の装置では、カソード全体を、レーザ光に対して量子効
率の高い光電材料で構成することができる。カソードの
ための光電材料として、６ホウ化ランタン（ＬａＢ6 ）
等を挙げることができる。この装置において、電子ビー
ムの収束には、通常の収束系を用いることができる。A second apparatus according to the present invention is an apparatus for selectively irradiating a predetermined portion of a target material with an electron beam from an electron gun, wherein the electron gun irradiates a laser and a laser beam to generate a photoelectron. And a cathode for emitting laser light, and irradiating the cathode while scanning the laser light to emit photoelectrons from a predetermined portion of the cathode and perform electron beam exposure according to the scanning pattern. In this device, the laser used may be a second harmonic of a neodymium YAG laser (wavelength 0.53 μm) or the like. In this device, the entire cathode can be made of a photoelectric material having high quantum efficiency for laser light. Lanthanum hexaboride (LaB 6 ) as a photoelectric material for the cathode
Etc. can be mentioned. In this apparatus, an ordinary focusing system can be used for focusing the electron beam.
【００１１】本発明の第３の装置は、対象材料の所定の
部分に電子銃からの電子線を選択的に照射する装置であ
って、電子銃が、レーザと、レーザ光を照射することに
より光電子を放出させるためのカソードと、レーザとカ
ソードとの間に設けられるマスクとを備え、マスクを介
してレーザ光をカソードに照射することにより、マスク
のパターンに従ったカソードの部分から光電子を放出さ
せ、マスクのパターンに応じた電子線露光を行なうこと
を特徴とする。この装置において、レーザには、ネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波（波長０．５３μｍ）等
を用いることができる。この装置では、カソード全体を
レーザ光に対して量子効率の高い光電材料で構成するこ
とができる。カソードのための光電材料として、６ホウ
化ランタン（ＬａＢ6 ）等を挙げることができる。この
装置において、電子ビームの収束のため通常の収束系を
用いることができる。装置において、レーザとカソード
の間には、レーザ光の断面を所定の形状にするためのマ
スクが設けられる。マスクは、電子露光を行ないたい部
分の形状に合わせたパターンとされる。A third apparatus of the present invention is an apparatus for selectively irradiating a predetermined portion of a target material with an electron beam from an electron gun, and the electron gun irradiates a laser and a laser beam. A cathode for emitting photoelectrons and a mask provided between the laser and the cathode are provided, and the cathode is irradiated with laser light through the mask to emit photoelectrons from the cathode portion according to the pattern of the mask. Then, electron beam exposure is performed according to the mask pattern. In this device, the laser used may be a second harmonic of a neodymium YAG laser (wavelength 0.53 μm) or the like. In this device, the entire cathode can be made of a photoelectric material having high quantum efficiency with respect to laser light. Examples of photoelectric materials for the cathode include lanthanum hexaboride (LaB 6 ). In this device, a normal focusing system can be used for focusing the electron beam. In the apparatus, a mask is provided between the laser and the cathode to make the cross section of the laser light into a predetermined shape. The mask has a pattern that matches the shape of the portion to be electronically exposed.
【００１２】[0012]
【作用】以下、本発明の装置を図を参照しながらより具
体的に説明する。The device of the present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.
【００１３】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明に従う
第１の装置の一具体例を示す模式図である。この装置に
おいて、レーザ装置８から出力されたレーザ光７は、カ
ソード１に照射される。カソード１から放出された光電
子６は、カソード１とアノード２の間に印加された加速
電圧によって加速され、電子レンズ４で収束され試料５
（たとえば基板上に塗布されたレジスト）に照射され
る。加速電圧は、電源３によって発生する。この機構に
おいて、レーザ装置８、カソード１、アノード２および
電源３は電子銃を構成する。ここで、カソード１として
図１（ｂ）に示すように、量子効率の極めて小さな基板
９上に量子効率の大きな物質１０を所望のパターンで配
置しておく。そして基板９全体にレーザ光を照射する
と、量子効率の大きな物質１０のところのみから電子が
放出され、それ以外のところからは放出されない。した
がって、光電子ビーム６の断面は、物質１０のパターン
と相似形状になり、試料５には物質１０と相似のパター
ンを形成することができる。この装置では、所望のパタ
ーン形成を一度の電子線露光によって行なうことがで
き、電子線によるパターン形成の時間が短縮される。FIGS. 1A and 1B are schematic views showing a specific example of the first device according to the present invention. In this device, the laser light 7 output from the laser device 8 is applied to the cathode 1. Photoelectrons 6 emitted from the cathode 1 are accelerated by an accelerating voltage applied between the cathode 1 and the anode 2, converged by the electron lens 4, and the sample 5
(For example, the resist applied on the substrate) is irradiated. The acceleration voltage is generated by the power supply 3. In this mechanism, the laser device 8, the cathode 1, the anode 2 and the power source 3 form an electron gun. Here, as the cathode 1, as shown in FIG. 1B, a substance 10 having high quantum efficiency is arranged in a desired pattern on a substrate 9 having extremely low quantum efficiency. When the entire substrate 9 is irradiated with laser light, electrons are emitted only from the substance 10 having a large quantum efficiency, and are not emitted from other places. Therefore, the cross section of the photoelectron beam 6 has a shape similar to the pattern of the substance 10, and a pattern similar to the substance 10 can be formed on the sample 5. In this apparatus, a desired pattern can be formed by one-time electron beam exposure, and the time for pattern formation by the electron beam can be shortened.
【００１４】図２は、本発明に従う第２の装置の一具体
例を示す模式図である。この装置において、レーザ装置
８から出力されたレーザ光７が、カソード１に照射され
る。カソード１から放出された光電子６は、カソード１
とアノード２との間に印加された加速電圧によって加速
され、電子レンズ４で収束され試料５に照射される。こ
の装置では、カソードとして図１（ｂ）に示すようなも
のは使用せず、全面が量子効率の大きな物質からなるも
のを用いる。この装置では、レーザ光７をレーザ光スキ
ャン装置１１に入力し、レーザ光７を絞ったうえでスキ
ャンさせる。カソード１では、レーザ光が照射されたと
ころのみから電子が放出されるので、レーザ光を所望の
パターンでスキャンさせれば、試料５にパターンどおり
の描画を行なうことができる。この装置では、レーザ光
のスキャンが従来の装置に比べて容易であり、パターン
形成の高速化を図ることができる。FIG. 2 is a schematic view showing a specific example of the second device according to the present invention. In this device, the cathode 1 is irradiated with the laser light 7 output from the laser device 8. The photoelectrons 6 emitted from the cathode 1 are
The sample 5 is accelerated by the acceleration voltage applied between the anode 2 and the anode 2, converged by the electron lens 4, and irradiated on the sample 5. In this device, the cathode as shown in FIG. 1B is not used as the cathode, but the one entirely made of a material having a high quantum efficiency is used. In this device, the laser light 7 is input to the laser light scanning device 11, and the laser light 7 is narrowed and then scanned. In the cathode 1, electrons are emitted only from the place where the laser light is irradiated, so that the sample 5 can be drawn according to the pattern by scanning the laser light in a desired pattern. In this device, scanning of laser light is easier than in a conventional device, and pattern formation can be speeded up.
【００１５】図３は、本発明に従う第３の装置の一具体
例を示す模式図である。この装置において、レーザ装置
８から出力されたレーザ光７は、電子銃のカソード１に
照射される。カソード１において放出された光電子６
は、カソード１とアノード２との間に印加された加速電
圧によって加速され、電子レンズ４で収束されて試料５
に照射される。カソードとして図１（ｂ）のようなもの
は使用せず、全面量子効率の大きな物質からなるものを
用いる。この装置では、レーザ装置８とカソード１との
間に、光マスク１２を設け、マスク１２の所望のパター
ンに従ってレーザ光７を透過させる。これにより、レー
ザ光７はマスクのパターンに成形され、カソード１に照
射される。カソード１では、レーザ光７が照射された部
分のみから光電子が放出されるので、試料５には、マス
クのパターンに従った形状で電子ビームが照射される。
この装置において、所望のパターンを一度の電子線露光
によって形成することができ、パターン形成の高速化を
図ることができる。FIG. 3 is a schematic view showing a specific example of the third device according to the present invention. In this device, the laser beam 7 output from the laser device 8 is applied to the cathode 1 of the electron gun. Photoelectrons 6 emitted at the cathode 1
Are accelerated by an accelerating voltage applied between the cathode 1 and the anode 2 and are converged by the electron lens 4 so that the sample 5
Is irradiated. As the cathode, the one shown in FIG. 1B is not used, but a cathode made of a material having a large quantum efficiency is used. In this device, an optical mask 12 is provided between the laser device 8 and the cathode 1, and the laser light 7 is transmitted according to a desired pattern of the mask 12. As a result, the laser light 7 is shaped into a mask pattern and is applied to the cathode 1. In the cathode 1, photoelectrons are emitted only from the portion irradiated with the laser beam 7, so that the sample 5 is irradiated with the electron beam in a shape according to the pattern of the mask.
In this apparatus, a desired pattern can be formed by one electron beam exposure, and the pattern formation can be speeded up.
【００１６】[0016]
実施例１ 図１に模式的に示す装置において、レーザとしてネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。量子効率の極めて小さい基板として、ア
ルミナを用いる。その上に、蒸着により、６ホウ化ラン
タンからなるパターンを形成する。このような基板に、
ピークパワー１ＭＷの照射エネルギーでレーザ光を照射
する。カソードとアノードとの間に印加される高調波加
速電圧は１ＭＶである。これにより、ＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリート）レジストの露光を行なうことができ
る。Example 1 In the apparatus schematically shown in FIG. 1, the laser is a second harmonic laser of neodymium YAG laser (wavelength 0.53 μm).
m) is used. Alumina is used as a substrate having extremely low quantum efficiency. A pattern made of lanthanum hexaboride is formed thereon by vapor deposition. On such a substrate,
Laser light is irradiated with an irradiation energy with a peak power of 1 MW. The harmonic acceleration voltage applied between the cathode and the anode is 1 MV. As a result, the PMMA (polymethylmethacrylate) resist can be exposed.
【００１７】実施例２ 図２に模式的に示す装置において、レーザとしてネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。カソードは、６ホウ化ランタンから構成
される。カソードに、レーザ光スキャン装置によってレ
ーザ光を走査しながらピークパワー１ＭＷの照射エネル
ギーでレーザ光を照射する。高調波加速電圧は１ＭＶで
ある。これにより、ＰＭＭＡレジストの露光を行なうこ
とができる。Example 2 In the apparatus schematically shown in FIG. 2, the laser is a second harmonic laser of neodymium YAG laser (wavelength 0.53 μm).
m) is used. The cathode is composed of lanthanum hexaboride. The cathode is irradiated with laser light at an irradiation energy with a peak power of 1 MW while scanning the laser light with a laser light scanning device. The harmonic acceleration voltage is 1 MV. Thus, the PMMA resist can be exposed.
【００１８】実施例３ 図３に模式的に示す装置において、レーザとしてネオジ
ウムＹＡＧレーザの２倍高調波レーザ（波長０．５３μ
ｍ）を用いる。カソードは、６ホウ化ランタンから構成
する。光マスクとして、所望のパターンに形成された光
学窓を有するステンレス鋼から構成されたマスクを用い
る。レーザ光をマスクを介してカソードにピークパワー
１ＭＷのエネルギーで照射する。高調波加速電圧は１Ｍ
Ｖである。これにより、ＰＭＭＡレジストの露光を行な
うことができる。Example 3 In the apparatus schematically shown in FIG. 3, the laser is a second harmonic laser of neodymium YAG laser (wavelength 0.53 μm).
m) is used. The cathode is composed of lanthanum hexaboride. As the light mask, a mask made of stainless steel having an optical window formed in a desired pattern is used. The cathode is irradiated with laser light at an energy of 1 MW peak power through a mask. Harmonic acceleration voltage is 1M
V. Thus, the PMMA resist can be exposed.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料台を移動させずに電子線の露光を行なうことができ
る。また本発明によれば、照射する電子ビームの断面形
状を容易に加工することができ、所望のパターンの電子
線露光を一度に行なうこともできる。本発明によれば、
電子線露光の高速化を図ることができる。したがって、
本発明を半導体デバイスの生産に利用すれば、スループ
ットを稼ぐことができ、経済的である。As described above, according to the present invention,
The electron beam can be exposed without moving the sample table. Further, according to the present invention, the cross-sectional shape of the electron beam to be irradiated can be easily processed, and the electron beam exposure of a desired pattern can be performed at one time. According to the present invention,
The electron beam exposure can be speeded up. Therefore,
If the present invention is applied to the production of semiconductor devices, the throughput can be increased and it is economical.
【図１】本発明の一具体例を説明するための模式図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a specific example of the present invention.
【図２】本発明のもう１つの具体例を示す模式図であ
る。FIG. 2 is a schematic view showing another specific example of the present invention.
【図３】本発明の他の具体例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing another specific example of the present invention.
１ カソード ２ アノード ３ 電源 ４ 電子レンズ ５ 試料 ６ 光電子ビーム ７ レーザ光 ８ レーザ装置 ９ 基板 １０ 量子効率の大きな物質 １１ レーザ光スキャン装置 １２ 光マスク 1 Cathode 2 Anode 3 Power Supply 4 Electron Lens 5 Sample 6 Photoelectron Beam 7 Laser Light 8 Laser Device 9 Substrate 10 Material with High Quantum Efficiency 11 Laser Light Scan Device 12 Photomask
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｇ２１Ｋ 5/04 Ｍ Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｂ 9508−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI Technical display location G03F 7/20 521 G21K 5/04 MH01J 37/305 B 9508-2G H01L 21/027
Claims (3)
子線を選択的に照射する装置であって、 前記電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光電子を
放出させるためのカソードとを備え、 前記カソードが、量子効率の異なる複数の材料からな
り、 前記カソードにレーザ光を照射することによって、量子
効率の高い部分からのみ光電子を放出させ、前記光電子
が放出される部分のパターンに応じた電子線露光を行な
うことを特徴とする、電子線露光装置。1. A device for selectively irradiating a predetermined portion of a target material with an electron beam from an electron gun, wherein the electron gun irradiates a laser and a laser beam to emit photoelectrons. The cathode is made of a plurality of materials having different quantum efficiencies, and by irradiating the cathode with laser light, photoelectrons are emitted only from a portion having high quantum efficiency, and the pattern of the portion from which the photoelectrons are emitted. An electron beam exposure apparatus, which performs electron beam exposure according to.
子線を選択的に照射する装置であって、 前記電子銃が、レーザと、レーザ光を照射して光電子を
放出させるためのカソードとを備え、 前記レーザ光を走査しながら前記カソードに照射するこ
とにより、前記カソードの所定の部分から光電子を放出
させ、前記走査パターンに応じた電子線露光を行なうこ
とを特徴とする、電子線露光装置。2. A device for selectively irradiating a predetermined portion of a target material with an electron beam from an electron gun, wherein the electron gun irradiates a laser and a laser beam to emit photoelectrons. And irradiating the cathode while scanning the laser beam to emit photoelectrons from a predetermined portion of the cathode, and perform electron beam exposure according to the scanning pattern. Exposure equipment.
子線を選択的に照射する装置であって、 前記電子銃が、レーザと、レーザ光を照射することによ
り光電子を放出させるためのカソードと、前記レーザと
前記カソードとの間に設けられるマスクとを備え、 前記マスクを介してレーザ光を前記カソードに照射する
ことにより、前記マスクのパターンに従った前記カソー
ドの部分から光電子を放出させ、前記マスクのパターン
に応じた電子線露光を行なうことを特徴とする、電子線
露光装置。3. An apparatus for selectively irradiating a predetermined portion of a target material with an electron beam from an electron gun, wherein the electron gun emits photoelectrons by irradiating a laser and a laser beam. A cathode and a mask provided between the laser and the cathode are provided, and photoelectrons are emitted from the portion of the cathode according to the pattern of the mask by irradiating the cathode with laser light through the mask. And an electron beam exposure device according to the pattern of the mask.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003847A JPH08190883A (en) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | Electron beam exposing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003847A JPH08190883A (en) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | Electron beam exposing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190883A true JPH08190883A (en) | 1996-07-23 |
Family
ID=11568585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003847A Withdrawn JPH08190883A (en) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | Electron beam exposing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190883A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500924A (en) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | Apparatus and method for confining an ion beam using photoelectrons in an ion beam guide |
| JP2008052909A (en) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ion beam source device |
| KR101104484B1 (en) * | 2009-07-06 | 2012-01-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | Apparatus for generating femtosecond electron beam |
| JP2015204404A (en) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Multi-beam drawing method and multi-beam drawing device |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP7003847A patent/JPH08190883A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500924A (en) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | Apparatus and method for confining an ion beam using photoelectrons in an ion beam guide |
| JP2008052909A (en) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Ion beam source device |
| KR101104484B1 (en) * | 2009-07-06 | 2012-01-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | Apparatus for generating femtosecond electron beam |
| JP2015204404A (en) * | 2014-04-15 | 2015-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Multi-beam drawing method and multi-beam drawing device |
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| Date | Code | Title | Description |
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