JPH08184834A

JPH08184834A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH08184834A
Application number: JP33762194A
Authority: JP
Inventors: Yoshinaga Miyazawa; 善永宮澤
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1994-12-28
Filing date: 1994-12-28
Publication date: 1996-07-16

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】広視野角で、高品質の画像を表示できる液晶
表示素子を提供する。【構成】画素分割法を用いて液晶表示素子の各画素を
２分割又はストライプ状に分割する。各部分画素には、
液晶分子のツイスト方向が各部分画素で同一であり、初
期配向状態における液晶分子の平面方向の平均的なダイ
レクタが部分画素の境界線に実質的に平行で、プレチル
ト角が４°以下となるように、配向処理を行う。例え
ば、部分画素の境界線に対する法線方向を０°としたと
きに、一方の部分画素には、一方の基板に１３５°の方
向に配向処理を施し、他方の基板に２２５°の方向に配
向処理を施し、他の部分画素には、一方の基板に３１５
°の方向に配向処理を施し、他方の基板に４５°の方向
に配向処理を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は広視野角の液晶表示素
子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、薄型化及び軽量化が可
能であり、種々の電子機器の表示装置として使用されて
いる。しかし、液晶表示素子には、ＣＲＴ等の他の表示
装置と比較して、視野角が狭い、即ち、表示画像が正常
に見える角度範囲が狭いという欠点がある。

【０００３】視野角を広くする手法としては、各画素を
複数の部分画素に分割し、配向方向を異ならせることに
より各部分画素での液晶の配向状態を変化させる手法が
知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この手法で
は、部分画素の境界部分で配向状態が変化して、配向が
乱れ、表示輝度が変化し、表示画像の品質が低下する等
の問題がある。

【０００５】この発明は上記実状に鑑みてなされたもの
で、広視野角で高品質の画像を表示できる液晶表示素子
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかる液晶表示素子は、対向面に互いに
対向する電極が形成され、その表面に配向処理を施した
基板間に液晶が封止され、それぞれの前記電極が対向す
る領域で形成される各画素が複数の部分画素に分割さ
れ、隣接する部分画素に異なった配向処理が施された液
晶表示素子において、前記液晶は、その分子のツイスト
方向が各部分画素で同一であり、且つ、初期配向状態に
おける液晶分子の平均的なダイレクタが部分画素の境界
面に実質的に平行で、プレチルト角が４°以下であるこ
とを特徴とする。

【０００７】

【作用】画素分割法を用いた液晶表示素子において、上
記のように配向方向を設定すると、部分画素の境界部分
での配向の乱れが小さくなる。従って、境界部分での輝
度の不連続性を低減することができ、広視野角でかつ高
品質の画像を表示できる。

【０００８】

【実施例】次に、この発明の一実施例にかかる液晶表示
素子を説明する。この液晶表示素子は、ＴＦＴ液晶表示
素子であり、図１に示すように、シール材ＳＣとスペー
サ１９を介して接合された一対の透明基板１１、１２
と、一対の透明基板１１、１２間に封止された液晶１３
とより構成される液晶セル１６と、液晶セル１６を挟ん
で配置された偏光板１４、１５と、より構成される。

【０００９】透明基板１１、１２はガラス等から構成さ
れる。下側の透明基板（以下、ＴＦＴ基板）１１の上面
には、図１及び図２に示すように、アクティブ素子とし
てのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２１と画素電極２２と
がマトリクス状に配置され、これらの上に配向膜（下配
向膜）２３が配置されている。ＴＦＴ２１はＴＦＴ基板
１１上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を覆って
形成されたゲート絶縁膜と、ゲート電極に対向してゲー
ト絶縁膜上に形成された半導体層と、半導体層に接続さ
れたソース電極とドレイン電極と、より構成されてい
る。

【００１０】図２に示すように、各ＴＦＴ２１のソース
電極は対応する画素電極２２に接続され、各行のＴＦＴ
２１のゲート電極は対応するゲートラインＧＬに接続さ
れ、各列のＴＦＴ２１のドレイン電極は対応するデータ
ラインＤＬに接続されている。画素電極２２は、ＩＴＯ
（インジウムとスズの酸化物）等からなる透明導電膜か
ら形成され、１００μｍ程度のピッチで配列されてい
る。

【００１１】下配向膜２３はポリイミド等から形成さ
れ、その表面には、図３（Ａ）を参照して後述するよう
に、各画素内の２つの部分画素毎に破線矢印に示すよう
に１８０°ずれた方向にラビング処理が施されている。

【００１２】下配向膜２３は、近傍の液晶分子のプレチ
ルト角が４°以下となるように、その材質、焼成温度等
の成膜条件及びラビング等の配向処理の条件が選択され
る。例えば、ラビング処理の強度（ラビング処理が強く
なるに従ってプレチルト角は小さくなる）等を調整する
ことにより、近傍の液晶分子を４°以下のプレチルト角
で初期配向させている。

【００１３】他方の透明基板（以下、対向基板）１２の
ＴＦＴ基板１１と対向する面には対向電極３１が形成さ
れている。対向電極３１はＩＴＯから形成され、所定の
電圧、例えば、接地電圧が印加されている。

【００１４】対向電極３１の下面には、配向膜（上配向
膜）３２が形成されている。上配向膜３２は、下配向膜
２３と同様にポリイミド等から形成され、その表面に
は、図３（Ａ）に実線矢印で示すようにラビング処理が
施されている。上配向膜３２は、近傍の液晶分子のプレ
チルト角が４°以下となるように、その材質、焼成温度
等の成膜条件及びラビング等の配向処理の条件が選択さ
れている。

【００１５】下側の下偏光板１４の光軸（透過軸又は吸
収軸）は下配向膜２３に施された配向処理の方向と平行
又は垂直に設定され、上側の上偏光板１５の光軸（透過
軸又は吸収軸）は上配向膜３２に施された配向処理の方
向と平行又は垂直に設定されている。

【００１６】液晶１３はカイラルネマティック液晶等か
ら構成され、配向膜２３と３２に施された配向処理に従
って、ＴＦＴ基板１１から対向基板１２に向かって左回
りに９０°ツイストしている。また、液晶分子は、４°
以下のプレチルト角で初期配向している。

【００１７】次に、配向膜２３と３２に施される配向処
理について図３（Ａ）を参照して詳細に説明する。図３
（Ａ）は、１つの画素を上側から見た時の配向処理（ラ
ビング）方向を示す。破線矢印は光入射側の下配向膜２
３に施された配向処理の方向を示し、実線の矢印は光出
射側の上配向膜３２に施された配向処理の方向を示す。
図示するように、画素電極２２と対向電極３１とこれら
の間に介在された液晶１３とからなる各画素は、それぞ
れ２つの領域に分割されてそれぞれ部分画素を形成し、
１つの画素の部分画素はそれぞれ異なった配向処理が施
されている。

【００１８】１つの画素内の部分画素の境界線に対する
法線方向を０°とすると、図３（Ａ）に示すラビング方
法では、左側部分画素については、下配向膜２３に１３
５°の方向に、上配向膜３２に２２５°の方向に配向処
理を施し、右側部分画素については、下配向膜２３に３
１５°の方向に、上配向膜３２に４５°の方向に配向処
理を施す。

【００１９】上記配向処理を施すことにより、左右両方
の部分画素の液晶分子の平均的なダイレクタは、１つの
画素の隣接する部分画素の領域が接する境界面（境界線
を含み、基板主面と直交する面）と平行になる。換言す
ると、左右両方の部分画素で配列した液晶分子のダイレ
クタの平面方向成分の（基板主面に平行な面方向の）平
均的な方向は、２つの部分画素の平面上の境界線に平行
である。また、左側部分画素の視角方向Ｐ（コントラス
トが最も高く観察される方向）は上方向、右側部分画素
の視角方向Ｐは下方向で共に境界線に平行である。ま
た、２つの部分画素の液晶分子１３は、共に、ＴＦＴ基
板１１から対向基板１２に向かって左回りに９０°ツイ
ストしている。

【００２０】この様な構成の液晶表示素子においては、
各画素内の部分画素の配向処理が異なるので、各画素内
に配向状態の異なる領域が形成されることとなり、これ
らの光学特性が平均化され、視野角が広くなる。また、
図３（Ａ）に示すラビング方法を採用し、しかも、プレ
チルト角を４°以下としているので、部分画素の境界部
での液晶分子の配向の乱れが少なく、高品質の画像を表
示できる。

【００２１】なお、図３（Ａ）に示すラビングは、例え
ば、配向膜２３、３２全体を一方の配向方向にラビング
した後、部分画素の一方をフォトレジスト等でマスク
し、露出されている部分（部分画素の他方）に他方の配
向方向にラビング処理を行い、最後にフォトレジストを
除去することにより実現できる。

【００２２】次に、上記構成の液晶表示素子の特性につ
いて図４〜図１０を参照して具体的に説明する。

【００２３】まず、上記構成の液晶表示素子のセルギャ
ップを５μｍとし、Ｋ３／Ｋ１＝１．５７、Ｋ３／Ｋ２
＝１．８９、Δｎ・ｄ＝３８０ｎｍ（λ＝５９０ｎｍ）
の液晶１３を封入して、１．５Ｖを印加し、印加から５
０ｍｓ経過して配向が安定した時点での、液晶分子のダ
イレクタと等電位面、ダイレクタとＹ値をそれぞれ図４
に示す。

【００２４】さらに、比較例として、図３（Ｂ）〜
（Ｄ）に示すようにラビング処理を施し、他の条件を実
施例と同一とした液晶表示素子の特性を図５〜図７に示
す。図３（Ｂ）に示すラビング方法では、左側部分画素
については、下配向膜２３に９０°の方向に、上配向膜
３２に１８０°の方向に配向処理を施す。また、右側部
分画素については、下配向膜２３に２７０°の方向に、
上配向膜３２に０°の方向に配向処理を施す。この様な
配向処理の場合、左右両方の部分画素の液晶分子の平面
方向の平均的なダイレクタは部分画素の境界線に４５°
で交差する。また、左側部分画素の視角方向Ｐは右上方
向、右側部分画素の視角方向Ｐは左下方向で共に境界線
に４５°で交差する。また、２つの部分画素の液晶分子
１３は、共に、ＴＦＴ基板１１から対向基板１２に向か
って左回りに９０°ツイストしている。

【００２５】図３（Ｃ）に示すラビング方法では、左側
部分画素については、下配向膜２３に４５°の方向に、
上配向膜３２に１３５°の方向に配向処理を施し、右側
部分画素については、下配向膜２３に２２５°の方向
に、上配向膜３２に３１５°の方向に配向処理を施す。
この様な配向処理の場合、左右両方の部分画素の液晶分
子の平面方向の平均的なダイレクタは部分画素の境界線
に垂直となり、左側部分画素の視角方向Ｐは右方向、右
側部分画素の視角方向Ｐは左方向で共に境界線に垂直と
なる。また、２つの部分画素の液晶分子１３は、共に、
ＴＦＴ基板１１から対向基板１２に向かって左回りに９
０°ツイストしている。

【００２６】図３（Ｄ）に示すラビング方法では、左側
部分画素については、下配向膜２３に０°の方向に、上
配向膜３２に９０°の方向に配向処理を施し、右側部分
画素については、下配向膜２３に１８０°の方向に、上
配向膜３２に２７０°の方向に配向処理を施す。この様
な配向処理の場合、左右両方の部分画素の液晶分子の平
面方向の平均的なダイレクタは部分画素の境界線に４５
°で交差し、左側部分画素の視角方向Ｐは右下方向、右
側部分画素の視角方向Ｐは左上方向で共に境界線に４５
°で交差する。また、２つの部分画素の液晶分子１３
は、共に、ＴＦＴ基板１１から対向基板１２に向かって
左回りに９０°ツイストしている。

【００２７】図４（Ａ）と（Ｂ）は、液晶セル１６に図
３（Ａ）に示す配向処理を行い、下（入射側）偏光板１
４の透過軸を４５°の方向に、上（出射側）偏光板１５
の透過軸を１３５°の方向に配置した時の、液晶分子の
ダイレクタと等電位面、ダイレクタとＹ値をそれぞれ示
す。図示するように、部分画素の境界部でのダイレクタ
の乱れ、等電位線の変化、Ｙ値の変化は小さい。

【００２８】図５（Ａ）と（Ｂ）は、液晶セル１６に図
３（Ｂ）に示す配向処理を行い、下偏光板１４の透過軸
を０°の方向に、上偏光板１５の透過軸を９０°の方向
に配置した時の、液晶分子のダイレクタと等電位面、ダ
イレクタとＹ値をそれぞれ示す。図示するように、部分
画素の境界部でのダイレクタの乱れ、等電位線の変化、
Ｙ値の変化は大きい。

【００２９】図６（Ａ）と（Ｂ）は、液晶セル１６に図
３（Ｃ）に示す配向処理を行い、下偏光板１４の透過軸
を−４５°の方向に、上偏光板１５の透過軸を４５°の
方向に配置した時の、液晶分子のダイレクタと等電位
面、ダイレクタとＹ値をそれぞれ示す。図示するよう
に、部分画素の境界部でのダイレクタの乱れ、等電位線
の変化、Ｙ値の変化は大きい。

【００３０】図７（Ａ）と（Ｂ）は、液晶セルに図３
（Ｄ）に示す配向処理を行い、下偏光板の透過軸を−９
０°の方向に、上偏光板の透過軸を０°の方向に配置し
た時の、液晶分子のダイレクタと等電位面、ダイレクタ
とＹ値をそれぞれ示す。図示するように、部分画素の境
界部でのダイレクタの乱れ、等電位線の変化、Ｙ値の変
化は大きい。

【００３１】次に、図８に示すように、均一のＹ値（境
界から充分離れた位置でのＹ値）から５％変化する部分
の長さΔｘをＹ値の乱れの長さと定義し、各配向処理の
組み合わせについて、Ｙ値の乱れの長さΔｘとセルギャ
ップｄの比Δｘ／ｄと液晶分子のプレチルト角θｅの関
係を求めた。この結果を図９に示す。また、境界部分の
Ｙ値とプレチルト角θｅとの関係を図１０に示す。

【００３２】図９及び図１０から明らかなように、配向
状態が図３（Ａ）の時のＹ値の乱れの長さの割合Δｘ／
ｄは、配向状態が図３（Ｂ）〜（Ｄ）の時のＹ値の乱れ
の長さの割合Δｘ／ｄよりも小さい。また、プレチルト
角θeが大きくなるに従って、Ｙ値の乱れの長さΔｘ／
ｄが大きくなり、さらに、境界部のＹ値の変化量も大き
くなる。さらに、図９及び図１０より、プレチルト角が
４°程度でΔｘ／ｄ及びＹ値が急激に変化することがわ
かる。

【００３３】以上の実験結果から、図３（Ａ）に示す配
向処理を採用し、且つ、プレチルト角θｅを４°以下と
したときに、部分画素の境界部での電位勾配の乱れ、そ
れに伴う配向の乱れ及び透過率の乱れを最も小さくする
ことができる。従って、この実施例の液晶表示素子の構
成によれば、部分画素の境界部での電位勾配の乱れ、そ
れに伴う配向の乱れ及び透過率の乱れを最も小さ抑え、
高画質の画像を表示することができる。

【００３４】なお、この発明は上記実施例に限定され
ず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実
施例の左右の部分画素を交換した図１１（Ａ）〜（Ｄ）
に示す配向処理も存在する。しかし、図１１（Ａ）に示
す配向処理と図３（Ａ）に示す配向処理とが対応し、図
１１（Ｂ）に示す配向処理と図３（Ｂ）に示す配向処理
とが対応し、図１１（Ｃ）に示す配向処理と図３（Ｃ）
に示す配向処理とが対応し、図１１（Ｄ）に示す配向処
理と図３（Ｄ）に示す配向処理とが対応する。そして、
図１１（Ａ）〜（Ｄ）に示す配向処理を施した素子の特
性は、図３（Ａ）〜（Ｄ）に示す配向処理を施した素子
の特性と同一であり、それぞれ図４〜図９に示した特性
を有する。従って、図１１（Ａ）に示す配向処理の特性
が最も優れている。

【００３５】また、上記実施例では、各画素を２つの部
分画素に分割したが、例えば、図１２に示すように、ス
リット状に複数の部分画素に分割してもよい。この場
合、各部分画素のツイスト方向を同一とし、図３（Ａ）
又は図１１（Ａ）に示す配置のラビング処理を繰り返
し、プレチルト角θeを４°以下とする。

【００３６】プレチルト角θeは配向膜２３、３２の材
質や配向処理（ラビングが強くなればプレチルト角が小
さくなる）の強度により変化する。従って、プレチルト
角が、４°以下となるように、配向膜２３、３２の材質
や配向処理の強度を選択すればよい。また、斜方蒸着法
等を用いてプレチルト角を設定してもよい。

【００３７】上記実施例においては、ＴＦＴ液晶表示素
子を例にこの発明を説明したが、この発明は、ＭＩＭを
アクティブ素子とする液晶表示素子にも適用可能であ
る。また、アクティブ素子を使用しないパッシブマトリ
クス方式の液晶表示素子にも適用可能である。

【００３８】上記実施例では、対向する配向膜２３と３
２に施されたラビングの方向は９０°シフトしていた
が、ラビング方向の交差角は丁度９０°に限定されず、
±１５°程度ずれてもよい。この発明は、透過型液晶表
示素子に限らず、反射膜を備えた反射型液晶表示素子に
も適用可能である。この場合、反射膜側の偏光板を省略
してもよい。

【００３９】以上説明したように、この実施例の液晶表
示素子によれば、各画素を複数の部分画素に分割して、
図３（Ａ）又は図１１に（Ａ）に示すように、各部分画
素の液晶１３のツイスト方向が同一で、平均的なダイレ
クタの方向が部分画素の境界面に平行（平面方向の平均
的なダイレクタの方向が境界線に平行）となるように配
向処理を施し、且つ、プレチルト角を４°以下としたの
で、部分画素の境界部分での配向の乱れが小さく、表示
画像の輝度変化が小さく、高品質の画像を提供すること
ができる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、部分画素法により視野角が広くなる。しかも、初期
配向状態における液晶分子の平均的なダイレクタが部分
画素の境界線にほぼ平行となるように配向し、かつ、プ
レチルト角が４°以下に設定されているので、境界領域
での配向の乱れが小さく、表示の乱れの少なく高品質の
画像を表示できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例にかかる液晶表示素子の構
造を示す断面図である。

【図２】図１に示す液晶表示素子のＴＦＴ基板の構成を
示す図である。

【図３】隣接する２つの部分画素に施す配向処理の方向
の組み合わせの４つのパターンを説明するための図であ
り、（Ａ）は実施例にかかる配向処理の方向の組み合わ
せを示し、（Ｂ）〜（Ｄ）は比較例の配向処理の方向の
組み合わせを示す。

【図４】図３（Ａ）に示す配向処理を施し、プレチルト
角を３°とした画素に１．５Ｖの電圧を印加した際の液
晶分子の配向、電位分布、輝度の変化を示す図である。

【図５】図３（Ｂ）に示す配向処理を施し、プレチルト
角を３°とした画素に１．５Ｖの電圧を印加した際の液
晶分子の配向、電位分布、輝度の変化を示す図である。

【図６】図３（Ｃ）に示す配向処理を施し、プレチルト
角を３°とした画素に１．５Ｖの電圧を印加した際の液
晶分子の配向、電位分布、輝度の変化を示す図である。

【図７】図３（Ｄ）に示す配向処理を施し、プレチルト
角を３°とした画素に１．５Ｖの電圧を印加した際の液
晶分子の配向、電位分布、輝度の変化を示す図である。

【図８】Ｙ値の乱れとその長さとを説明する図である。

【図９】Ｙ値の乱れの長さとプレチルト角θｅの関係を
説明する図である。

【図１０】部分画素の境界部での輝度とプレチルト角θ
ｅの関係を示す図である。

【図１１】隣接する２つの部分画素に施す配向処理の方
向の組み合わせの他の４つのパターンを説明するための
図であり、（Ａ）は図３（Ａ）に示す配向処理の方向の
組み合わせの左右を入れ替えた関係を示し、（Ｂ）〜
（Ｄ）は図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示す比較例の配向処理の
方向の組み合わせの左右を入れ替えた関係を示す。

【図１２】画素をストライプ状に４つの部分画素に分割
した例を示す図である。

【符号の説明】

１１・・・ＴＦＴ基板、１２・・・対向基板、１３・・・液晶、
１４・・・下偏光板、１５・・・偏光板、１６・・・液晶セル、
１９・・・スペーサ、２１・・・ＴＦＴ、２２・・・画素電極、
２３・・・下配向膜、３１・・・対向電極、３２・・・上配向
膜、ＳＣ・・・シール材、ＧＬ・・・ゲートライン、ＤＬ・・・
データライン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向面に互いに対向する電極が形成され、
その表面に配向処理を施した基板間に液晶が封止され、
それぞれの前記電極が対向する領域で形成される各画素
が複数の部分画素に分割され、隣接する部分画素に異な
った配向処理が施された液晶表示素子において、前記液晶は、その分子のツイスト方向が各部分画素で同
一であり、且つ、初期配向状態における液晶分子の平均
的なダイレクタが部分画素の境界面に実質的に平行で、
プレチルト角が４°以下であることを特徴とする液晶表
示素子。
【請求項２】対向面に互いに対向する電極が形成され、
その表面に配向処理を施した基板間に液晶が封止され、
それぞれの前記電極が対向する領域で形成される各画素
が複数の部分画素に分割され、隣接する部分画素に異な
った配向処理が施された液晶表示素子において、前記液晶は、その分子のツイスト方向が各部分画素で同
一で、且つ、初期配向状態の液晶分子のダイレクタの平
面方向成分の平均的な方向が部分画素の境界線に実質的
に平行で、プレチルト角が４°以下であることを特徴と
する液晶表示素子。
【請求項３】部分画素の境界線に対する法線方向を０°
としたときに、各画素は、一方の基板に１３５°の方向に配向処理が施
され、他方の基板に２２５°の方向に配向処理が施され
た第１の部分画素と、一方の基板に３１５°の方向に配
向処理が施され、他方の基板に４５°の方向に配向処理
が施されている第２の部分画素とに分割されている、こ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】部分画素の境界線に対する法線方向を０°
としたときに、各画素は複数の部分画素に分割されており、一方の基板
に１３５°の方向に配向処理が施され、他方の基板に２
２５°の方向に配向処理が施された第１の部分画素と、
一方の基板に３１５°の方向に配向処理が施され、他方
の基板に４５°の方向に配向処理が施されている第２の
部分画素とが交互に配置されていることを特徴とする請
求項１又は２に記載の液晶表示素子。
【請求項５】第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面に形成さ
れた第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の配向膜と、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面に配置さ
れ、前記第１の電極と対向する領域により複数の画素領
域を形成する第２の電極と、前記第２の電極上に形成された第２の配向膜と、前記第１と第２の基板間に封止された液晶と、を備え、各画素は複数の部分画素に分割されており、前記第１と第２の配向膜は、初期配向状態における液晶
分子の平均的なダイレクタが部分画素の境界面と実質的
に平行で、プレチルト角が４°以下で、且つ、液晶分子
が同一方法にツイストするように、配向処理が施されて
いることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項６】第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板の前記第２の基板に対向する面に形成さ
れた第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の配向膜と、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面に配置さ
れ、前記第１の電極と対向する領域により複数の画素領
域を形成する第２の電極と、前記第２の電極上に形成された第２の配向膜と、前記第１と第２の基板間に封止された液晶と、を備え、各画素は複数の部分画素に分割されており、前記第１と第２の配向膜は、初期配向状態から電圧を印
加した時の液晶分子のダイレクタの平面方向成分の平均
的な方向を部分画素の境界線に実質的に水平とし、プレ
チルト角が４°以下で、且つ、液晶分子が同一方法にツ
イストするように、配向処理が施されていることを特徴
とする液晶表示素子。