JPH08176794A - Treating liquid for shielding electric field and production thereof - Google Patents

Treating liquid for shielding electric field and production thereof

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JPH08176794A
JPH08176794A JP33808194A JP33808194A JPH08176794A JP H08176794 A JPH08176794 A JP H08176794A JP 33808194 A JP33808194 A JP 33808194A JP 33808194 A JP33808194 A JP 33808194A JP H08176794 A JPH08176794 A JP H08176794A
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JP
Japan
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film
electric field
treatment liquid
ito
polar solvent
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Application number
JP33808194A
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Japanese (ja)
Inventor
Junji Tofuku
淳司 東福
Atsushi Yamanaka
厚志 山中
Keiichi Orita
桂一 折田
Takayuki Yumura
隆之 湯村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Tohoku Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Tohoku Chemical Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To obtain a coating film having high transparency and such satisfactory electric conductivity as to shield leakage electromagnetic waves from CRT by firing at a low temp. CONSTITUTION: Fine oxide particles of <=80nm average particle diameter are dispersed in a polar solvent for dispersion contg. N-methyl-2-pyrrolidone and the resultant dispersion treating liq. is mixed with a polar solvent for dilution and a partial hydrolyzate of an alkyl silicate. Fine particles of indium oxide to which 1-15wt.% tin has been added are effectively used as the fine oxide particles.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、OA機器のテレビジョ
ンの陰極線管(CRT)フェイスパネル上における電界
シールド処理に用い、特に回転塗布法により好適な電界
シールド効果が得られる電界シールド用処理液およびそ
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for an electric field shield treatment on a cathode ray tube (CRT) face panel of a television of an OA equipment, and in particular, an electric field shield treatment liquid capable of obtaining a suitable electric field shield effect by a spin coating method. And a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のオフィスオートメーション(O
A)化により、オフィスには多くのOA機器が導入さ
れ、OA機器のCRTディスプレイと向き合って作業す
る機会が増えている。このCRTのフェイスパネル表面
は、静電気の帯電によりホコリが付着しやすい上、作業
中に人体が接触した時に放電して電気ショックを与える
ことがある。かかる対策として、パネル表面に導電膜を
付してアースすることにより帯電を防止することは広く
知られている。
2. Description of the Related Art Recent office automation (O
Due to A), many OA equipments have been introduced into the office, and the chances of working facing the CRT display of the OA equipment are increasing. The surface of the face panel of this CRT is apt to be dust-attached due to electrostatic charge, and may be discharged and give an electric shock when a human body comes into contact during the work. As a countermeasure against this, it is widely known that a conductive film is attached to the surface of the panel to be grounded to prevent charging.

【0003】しかしながら、エレクトロニクス機器から
発生する電磁波や光が人体に影響をおよぼす可能性が指
摘されるようになり、作業環境が見直されるようになっ
てきた(例えば、日経エレクトロニクス、1993年、
No.584、P85)。CRTディスプレイにおいて
は、放射線としてX線、β線、電磁界としてパルス磁
界、パルス電界および紫外線が発生しており、作業を行
う場合には単に静電気によるフェイスパネル表面のホコ
リの付着、電撃ショックに止まらず、人体への影響が安
全基準を超えるものでなければならない。
However, it has been pointed out that electromagnetic waves and light generated from electronic devices may affect the human body, and the working environment has come to be reviewed (for example, Nikkei Electronics, 1993,
No. 584, P85). In a CRT display, X-rays, β-rays as radiation, pulse magnetic fields, pulse electric fields and ultraviolet rays as electromagnetic fields are generated, and when working, simply stop dust adhesion on the face panel surface due to static electricity and shock shock. First, the impact on the human body must exceed safety standards.

【0004】このうち電磁波については、電子銃と偏向
ヨーク付近から発生し、ディスプレイの大型化に伴っ
て、益々大きな電磁波が周囲に洩れる傾向にある。漏洩
磁気についてはヨーク形状の改良およびキャンセルコイ
ルの設置により対策が可能である。漏洩電磁波を遮蔽す
るには、帯電防止と同様、CRTフェイスパネル表面に
導電膜を付して、それにより漏洩電磁波を吸収すること
で解決される。しかし、帯電防止と電界シールドでは、
膜に要求される導電性のレベルが大きく異なり、前者に
は表面抵抗にして10Ω/□程度の導電性で十分とさ
れているのに対し、後者には少なくとも10Ω/□以
下、好ましくは10Ω/□台の導電性が必要とされ
る。
Of these, electromagnetic waves are generated in the vicinity of the electron gun and the deflection yoke, and as the display becomes larger, a larger electromagnetic wave tends to leak to the surroundings. Leakage magnetism can be dealt with by improving the yoke shape and installing a cancel coil. In order to shield the leaked electromagnetic waves, a conductive film is attached to the surface of the CRT face panel to absorb the leaked electromagnetic waves, as in the case of preventing electrification. But with antistatic and electric field shields,
The conductivity level required for the film is greatly different, and the former is considered to have a surface resistance of about 10 8 Ω / □, while the latter is at least 10 5 Ω / □ or less, Preferably, a conductivity of the order of 10 3 Ω / □ is required.

【0005】さらに、ここにおける導電膜は画面表面に
形成されるために可視光域で透明であること以外に解像
度の低下を防ぐために種々の光学的特性が要求される。
CRTの内部からみた場合、表面形成膜における光の散
乱現象がある。このため形成された導電膜は、透過光に
おける拡散成分が十分に小さいものであることが必要と
される。この透過光線の散乱を評価するものとしてヘイ
ズ値があり、これは拡散透過光量の直線透過光量に対す
る百分率で定義される。実用CRTにおいては、ヘイズ
値はおおよそ2%以下であることが要求され、ヘイズ値
を低減するには、膜中および膜表面の光散乱源を極力減
らすことが必要となる。
Further, since the conductive film here is formed on the screen surface, it is required to have various optical characteristics in order to prevent deterioration of resolution in addition to being transparent in the visible light region.
When viewed from the inside of the CRT, there is a light scattering phenomenon in the surface forming film. Therefore, the formed conductive film needs to have a sufficiently small diffusion component in transmitted light. The haze value is used to evaluate the scattering of the transmitted light, and it is defined by the percentage of the diffuse transmitted light amount to the linear transmitted light amount. In a practical CRT, the haze value is required to be approximately 2% or less, and in order to reduce the haze value, it is necessary to reduce the light scattering sources in the film and the film surface as much as possible.

【0006】外部光線がもたらす画像の乱れの原因とし
ては、画面表面での反射による蛍光灯あるいは外景の映
り込みが上げられる。この対策の一つとしてCRT表面
に凸凹の膜を形成する方法があり、これは外部光線を乱
反射させることで映り込み像をぼかすものであり、防眩
処理として実用化されている。他の方法として、表面に
形成する膜とCRTガラスとの屈折率の差を利用し、反
射を低減する方法が知られている。これは、界面で生じ
る反射光の相互干渉を膜厚制御することで破壊的干渉に
導くものである。CRT表面処理としては、解像度を考
慮すると防眩処理は内部光線も散乱させるため、反射防
止機能を付加するものが望ましい。
As a cause of image disturbance caused by external light rays, reflection of a fluorescent lamp or an external scene due to reflection on the screen surface is raised. As one of the countermeasures, there is a method of forming an uneven film on the surface of a CRT, which blurs a reflected image by irregularly reflecting an external light ray, and has been put to practical use as an antiglare treatment. As another method, there is known a method of reducing reflection by utilizing a difference in refractive index between a film formed on the surface and CRT glass. This leads to destructive interference by controlling the film thickness of mutual interference of reflected light generated at the interface. As the CRT surface treatment, in consideration of resolution, the antiglare treatment scatters internal light rays as well, so that it is desirable to add an antireflection function.

【0007】陰極線管内部は、数Pa以下の高真空にな
っているので、ガラスの肉厚を増したり、曲面形状にし
て大気の圧力に耐えられるよう設計されている。この状
態の陰極線管を高温度に加熱することは強度上好ましく
ない。内部の電子銃、シャドウマスク等の光学系の精度
を確保するためにも表面被膜の形成は、実質的に200
℃以下の温度で行わなくてはならない。
Since the inside of the cathode ray tube is in a high vacuum of several Pa or less, it is designed to increase the wall thickness of the glass or to have a curved shape so as to withstand atmospheric pressure. It is not preferable in terms of strength to heat the cathode ray tube in this state to a high temperature. In order to secure the accuracy of the optical system such as the electron gun and the shadow mask inside, the surface coating is formed to substantially 200
It must be done at a temperature below ℃.

【0008】上記要求を満たす透明導電膜の形成方法と
しては、真空蒸着やCVD法がある。これらの方法を用
いて形成した膜は、電磁遮蔽効果を得るのに十分な導電
性と高い透過性を持ち合わせている。またさらには膜厚
制御を行うことで反射防止機能を付加することも可能で
ある。しかしながら、真空系を用いるため、被膜形成に
は多大なコストがかかり、実用CRTの製造には不向き
である。
As a method of forming the transparent conductive film which satisfies the above requirements, there are vacuum vapor deposition and CVD method. The film formed by these methods has sufficient conductivity and high transparency to obtain an electromagnetic shielding effect. Furthermore, it is possible to add an antireflection function by controlling the film thickness. However, since a vacuum system is used, a large amount of cost is required to form the film, and it is not suitable for manufacturing a practical CRT.

【0009】また、インジウムや錫、アンチモンの有機
化合物と有機溶媒を混合した処理液を基板に塗布し、熱
分解によって錫・ドープ・酸化インジウムや、アンチモ
ン・ドープ・酸化錫の高導電性被膜を安価に形成する方
法も広く知られているが、熱分解反応を完了させるた
め、焼成温度を400℃以上にする必要があり、上記の
理由からは工程上、実用CRTの製造には極めて不都合
である。
Further, a treatment liquid in which an organic compound of indium, tin or antimony is mixed with an organic solvent is applied to the substrate, and a highly conductive film of tin-doped indium oxide or antimony-doped tin oxide is thermally decomposed. Although a method of forming at low cost is widely known, in order to complete the thermal decomposition reaction, it is necessary to set the firing temperature to 400 ° C. or higher. From the above reason, it is extremely inconvenient for the production of a practical CRT in the process. is there.

【0010】帯電防止被膜の安価な低温形成方法として
は、帯電防止処理液の回転塗布による方法が知られてい
る(特開平1−211830号公報、特開平1−299
887号公報等参照)。また処理液としては、導電性微
粒子をシリケート溶液および有機溶媒中に分散させ、ア
ルキルシリケートの重合反応を利用して成膜する方法が
知られている(例えば、特開昭62−273270号公
報、特開平1−299887号公報、特開平2−202
443号公報、特開平2−77473号公報等参照)。
しかしながら、これらの処理液では帯電防止機能を満た
す程度の導電性被膜は得られるものの、漏洩電磁波をシ
ールドするのに十分な導電性を得ることはできない。
As an inexpensive low-temperature method for forming an antistatic coating, a method of spin coating an antistatic treatment liquid is known (Japanese Patent Laid-Open Nos. 1-211830 and 1-299).
887, etc.). As a treatment liquid, a method is known in which conductive fine particles are dispersed in a silicate solution and an organic solvent, and a film is formed by utilizing a polymerization reaction of alkyl silicate (for example, JP-A-62-273270). Japanese Patent Laid-Open Nos. 1-29887 and 2-202
443, JP-A-2-77473, etc.).
However, with these treatment liquids, although a conductive coating film that satisfies the antistatic function can be obtained, it is not possible to obtain sufficient conductivity to shield leakage electromagnetic waves.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
CRTにおいて人体に影響をおよぼす可能性のあるパル
ス電界の遮蔽に十分な導電性を持ち、優れた光学特性を
有するため反射防止機能を付加できる被膜を200℃以
下という低温でCRT表面パネル上に直接成膜が可能で
ある電界シールド用処理液とその製造方法を提案するこ
とにある。
The object of the present invention is to provide an antireflection function because it has sufficient conductivity to shield a pulsed electric field which may affect the human body, especially in a CRT, and has excellent optical characteristics. An object of the present invention is to propose a treatment liquid for an electric field shield capable of forming a coating film that can be added directly on a CRT surface panel at a low temperature of 200 ° C. or less, and a manufacturing method thereof.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、平均粒径が8
0nm以下で、錫を1〜15重量%添加した酸化インジ
ウム微粒子(ITO)を極性溶剤であるNMPを用いて
分散させることを要旨とするものである。
The present invention has an average particle size of 8
The gist is to disperse indium oxide fine particles (ITO) having a thickness of 0 nm or less and 1 to 15% by weight of tin added thereto by using NMP which is a polar solvent.

【0013】また、ITO微粒子同士や、CRTフェイ
スパネルガラス表面に対しての結合剤として、シリケー
ト溶液を用いることを特徴とする。このバインダー用シ
リケート溶液は、アルキルシリケートの部分加水分解物
であり、例えばオルトアルキルシリケートに水および酸
触媒を加えて加水分解と脱水縮重合を進行させたもので
ある。この時のアルキル基としては、メチル、エチル等
のような低級アルキル基が好ましい。オルトアルキルシ
リケートを予め4〜5量体まで重合させたものが市販さ
れているが、このようなものを原料としてさらに加水分
解および脱水縮重合を進行させてもシリケート溶液とし
て使用できる。シリケートは基本構造としてシロキサン
結合を有し、ポリシロキサンとなっている。屈折率調整
や強度補強のためにTi、ZrあるいはAlでポリシロ
キ酸中のSiを置換したシリケート溶液を使用しても問
題はない。Al、Ti、Zrで置換するためには、これ
らの金属アルコキシドの加水分解物とアルキルシリケー
トの加水分解物を混合し共重合させるなどの方法をとれ
ばよい。
Further, the invention is characterized in that a silicate solution is used as a binder for the ITO fine particles or for the surface of the glass of the CRT face panel. The silicate solution for a binder is a partial hydrolyzate of an alkyl silicate, and is, for example, an orthoalkyl silicate to which water and an acid catalyst are added to proceed hydrolysis and dehydration polycondensation. At this time, the alkyl group is preferably a lower alkyl group such as methyl and ethyl. A product obtained by previously polymerizing an orthoalkyl silicate to a tetramer to a pentamer is commercially available, but it can be used as a silicate solution even if hydrolysis and dehydration polycondensation are further progressed using such a material as a raw material. The silicate has a siloxane bond as a basic structure and is a polysiloxane. There is no problem even if a silicate solution in which Si in polysiloxane is replaced with Ti, Zr, or Al is used for adjusting the refractive index and reinforcing the strength. In order to substitute with Al, Ti or Zr, a method such as mixing and hydrolyzing a hydrolyzate of these metal alkoxides and a hydrolyzate of an alkyl silicate may be used.

【0014】溶液中にはアルコキシドの加水分解・縮重
合反応に必要な水と、酸触媒としての塩酸もしくは硝酸
が含まれる。シリケート溶液中の固形成分の含有量は、
該ITO微粒子の含有重量比に対して、SiO換算で
40/60以下であることが好ましい。
The solution contains water necessary for the hydrolysis / polycondensation reaction of the alkoxide and hydrochloric acid or nitric acid as an acid catalyst. The content of solid components in the silicate solution,
The ratio by weight of the ITO fine particles is preferably 40/60 or less in terms of SiO 2 .

【0015】分散を向上させる目的でカップリング剤が
用いられることがあるが、本発明においては導電性に影
響をおよぼすものでなければよく、また少量の添加であ
れば問題はなく、シラン系、アルミ系、ジルコニア系等
のカップリング剤の使用が可能である。例えば、シラン
系カップリング剤としては、γーアミノプロピルトリエ
トキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジ
エトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γーメル
カプトプロピルシラン等が、アルミ系カップリング剤と
しては、アルミニウムイソプロピレート、エチルアセト
アセテートアルミニウムジイソプロピレート、モノse
cープトキシアルミニウムジイソプロピレート等が、ジ
ルコニア系カップリング剤としては、官能基としてカル
ボキシル基、メタクリルオキシ基を持ったジルコニアア
ルミネートカップリング剤が、それぞれ知られている。
A coupling agent may be used for the purpose of improving the dispersion, but in the present invention, any coupling agent may be used as long as it does not affect the conductivity, and if added in a small amount, no problem occurs. It is possible to use an aluminum-based or zirconia-based coupling agent. For example, as the silane coupling agent, γ-aminopropyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-mercaptopropylsilane and the like, and as the aluminum coupling agent, aluminum is used. Isopropylate, ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, mono se
As zirconia-based coupling agents such as c-poxyoxyaluminum diisopropylate, zirconia aluminate coupling agents having a carboxyl group and a methacryloxy group as functional groups are known.

【0016】本発明の電界シールド用処理液の製造方法
としては、平均粒径80nm以下のITO微粒子をNM
Pを含む分散用極性溶媒中に高分散する分散処理工程
と、そのITO微粒子分散液、シリケート溶液および希
釈用極性溶媒を混合する工程とからなる。
As a method for producing the treatment liquid for electric field shielding of the present invention, the fine ITO particles having an average particle diameter of 80 nm or less are NM.
It comprises a dispersion treatment step of highly dispersing in a polar solvent for dispersion containing P, and a step of mixing the ITO fine particle dispersion, the silicate solution and the polar solvent for dilution.

【0017】[0017]

【作用】本発明では、電界シールド処理液の導電性物質
として、平均粒径80nm以下のITO微粒子を選定
し、これをシリカゾルとNMPを含む極性溶媒の混合液
に分散させることにより、低温成膜時の透明性が改善さ
れ、該ITO微粒子が酸化錫微粒子等に比べて極めて高
い導電性を有するため、電界シールド効果が十分な高導
電性被膜を得ることができる。ここで、ITO粒子が平
均粒径80nmを超えるとヘイズ値が大きくなり、解像
度が悪化する。より好ましくは50nm以下である。
In the present invention, ITO fine particles having an average particle size of 80 nm or less are selected as the conductive substance of the electric field shield treatment liquid, and the ITO fine particles are dispersed in a mixed liquid of silica sol and a polar solvent containing NMP to form a low temperature film. Since the transparency at the time is improved and the ITO fine particles have extremely high conductivity as compared with the tin oxide fine particles and the like, a highly conductive coating having a sufficient electric field shielding effect can be obtained. Here, when the ITO particles have an average particle size of more than 80 nm, the haze value becomes large and the resolution deteriorates. More preferably, it is 50 nm or less.

【0018】ITO微粒子の錫の含有量は、ITO粒子
として高い導電性を確保するためおよび処理液中での粒
子の分散性を考慮すると、1〜15重量%の範囲内であ
ることが望ましい。より好ましくは1〜12重量%であ
る。
The content of tin in the ITO fine particles is preferably in the range of 1 to 15% by weight in order to secure high conductivity as the ITO particles and considering the dispersibility of the particles in the treatment liquid. It is more preferably 1 to 12% by weight.

【0019】また、固形分濃度は、膜厚に大きく依存し
ており、厚膜化は膜導電性向上に貢献はするものの、膜
の光透過率や、ヘイズ値に悪影響をおよぼすため、特に
CRTフェイスパネルに好適な、該電界シールド用処理
液の固形分濃度は1〜12重量%が好ましい。ITO粒
子の処理液中での含有量としては1〜10重量%が好ま
しい。
Further, the solid content concentration largely depends on the film thickness, and although increasing the film thickness contributes to the improvement of the film conductivity, it has a bad influence on the light transmittance and the haze value of the film. The solid content concentration of the treatment liquid for electric field shield suitable for a face panel is preferably 1 to 12% by weight. The content of ITO particles in the treatment liquid is preferably 1 to 10% by weight.

【0020】さらに、ITO粒子に対するシリケート溶
液の重量比はSiO換算で40/60以下であること
が望ましく、40/60以上では膜強度は向上するが、
光学特性が悪化し導電性が低下するため、CRTフェイ
スパネル表面の電界シールド用としては適さない。ま
た、1/98未満では光学特性は良いものの、膜強度が
極度に悪化する傾向がある。しかし、シリケート溶液で
オーバーコートを行うことによりシリケートが浸透しバ
インダーとなり良好な特性を示すため、反射防止機能を
付加するために2層構造をとる場合には問題はない。
Further, the weight ratio of the silicate solution to the ITO particles is preferably 40/60 or less in terms of SiO 2 , and when it is 40/60 or more, the film strength is improved.
It is not suitable as an electric field shield for the surface of a CRT face panel because it deteriorates the optical characteristics and reduces the conductivity. If it is less than 1/98, the optical properties are good, but the film strength tends to be extremely deteriorated. However, by overcoating with a silicate solution, the silicate permeates and functions as a binder, exhibiting good characteristics. Therefore, there is no problem when a two-layer structure is adopted to add an antireflection function.

【0021】電界シールド処理液中のNMPの含有量は
1〜20重量%が好ましい。ITO微粒子の分散性が悪
い場合は、その処理液により形成された膜の光学特性は
悪く、膜導電率も低いため、CRTフェイスパネル用と
しては好ましくない。ITO微粒子表面は溶媒中で電荷
を帯びており、溶媒と電気的二重層を形成しているた
め、ITO粒子表面近傍における溶媒分子(あるいはイ
オン)の吸着等による静電気的斥力が、粒子どうしの分
散・凝集に影響をおよぼす一つの要因となっている。特
に、NMPが1重量%未満では、電気的二重層における
拡散層部分の電位差(ゼータ電位)の絶対値が小さく、
ITO粒子どうしの反発に十分な斥力を与えないため、
分散系が安定せず、粒子の凝集・沈降が生じて、その処
理液により形成された膜の光学特性、導電性は劣悪とな
る。しかし、20重量%以上になると、ITO微粒子の
分散性は向上するものの、NMPが高沸点溶剤であるた
め、低温焼成(250℃以下)では高強度膜が得られな
い。また、乾燥速度が遅くなるため、膜ムラの原因にな
りやすく、特に連続多層コーティングには適さない。N
MPの処理液中での含有量として、より好ましくは1〜
10重量%である。
The content of NMP in the electric field shield treatment liquid is preferably 1 to 20% by weight. When the dispersibility of the ITO fine particles is poor, the film formed by the treatment liquid has poor optical properties and the film conductivity is low, which is not preferable for a CRT face panel. Since the surface of the ITO fine particles is charged in the solvent and forms an electric double layer with the solvent, electrostatic repulsion due to adsorption of solvent molecules (or ions) near the surface of the ITO particles causes dispersion of the particles.・ It is one of the factors that affect the aggregation. Particularly, when NMP is less than 1% by weight, the absolute value of the potential difference (zeta potential) in the diffusion layer portion of the electric double layer is small,
In order not to give a sufficient repulsive force to the repulsion between ITO particles,
The dispersion system is not stable and particles are aggregated / precipitated, resulting in poor optical properties and conductivity of the film formed by the treatment liquid. However, when it is 20% by weight or more, the dispersibility of the ITO fine particles is improved, but since NMP is a high boiling point solvent, a high strength film cannot be obtained by low temperature firing (250 ° C. or less). In addition, since the drying speed becomes slow, it is likely to cause unevenness of the film, which is not particularly suitable for continuous multi-layer coating. N
The content of MP in the treatment liquid is more preferably 1 to
It is 10% by weight.

【0022】また、NMPと相溶性で、成膜時、特に塗
布時に、ムラなく平滑な被膜が得られるよう、基板との
塗り性を向上させるために、その希釈剤として、メタノ
ール、エタノール、1ープロパノール、2ープロパノー
ル(IPA)、1ーブタノール、2ーブタノール、ジア
セトンアルコール(DAA)等のアルコール類、2ーメ
トキシエタノール(MCS)、2ーエトキシエタノール
(ECS)、プロピレングリコールメチルエーテル(P
GM)等のグリコール類、シクロヘキサノン、メチルエ
チルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン(MI
BK)等のケトン類等の極性溶媒を添加して、液調整を
行うことが望ましい。これら希釈剤の含有量は25〜9
9重量%、特に90〜97重量%が好ましく、液調整
剤、つまり潜熱調整剤もしくは粘度や表面張力調整剤と
することで、該電界シールド用処理液の基板に対しての
塗り性、成膜性を大幅に向上させることができる。
Further, in order to improve coatability with the substrate so as to obtain an even and smooth coating film that is compatible with NMP during film formation, particularly during coating, methanol, ethanol, 1 -Propanol, 2-propanol (IPA), 1-butanol, 2-butanol, diacetone alcohol (DAA) and other alcohols, 2-methoxyethanol (MCS), 2-ethoxyethanol (ECS), propylene glycol methyl ether (P
GM) and other glycols, cyclohexanone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MI
It is desirable to adjust the solution by adding a polar solvent such as ketones such as BK). The content of these diluents is 25-9
9% by weight, particularly 90 to 97% by weight is preferable. By using a liquid regulator, that is, a latent heat regulator or a viscosity or surface tension regulator, the coating property of the treatment liquid for electric field shielding on a substrate and film formation. It is possible to significantly improve the sex.

【0023】製造方法として、NMPにITO微粒子を
前もって分散・混合した後、シリケート溶液および希釈
用極性溶媒と混合することにより、ITO微粒子が高度
に分散された電界シールド用処理液を得ることができ
る。
As a manufacturing method, ITO fine particles are previously dispersed and mixed in NMP, and then mixed with a silicate solution and a diluting polar solvent to obtain a treatment liquid for electric field shielding in which ITO fine particles are highly dispersed. .

【0024】本発明の処理液は、ディップ、スプレー、
スピンコート法によりCRTフェイスパネル表面に成膜
可能であり、特にCRTフェイスパネル表面のスピンコ
ートにあたっては、基板となるパネル表面は25〜80
℃、特に35〜50℃予熱することが望ましい。これは
被膜製造における環境温度の季節較差を取除くととも
に、予熱によって、該電界シールド処理液の乾燥速度が
最適化され、成膜性を向上させるからである。また、ス
ピンコートの回転数は、75〜200rpmの範囲が望
ましく、75rpm未満では溶媒粘性に対して、該電界
シールド用処理液を塗布するだけの遠心力が不十分であ
り、均一で、平滑な被膜を得ることができない。反対に
200rpm以上の高速回転ではCRTの機能にダメー
ジを与えるので好ましくない。
The treatment liquid of the present invention is a dip, spray,
A film can be formed on the surface of the CRT face panel by a spin coating method. Particularly, when spin coating the surface of the CRT face panel, the surface of the panel serving as a substrate is 25 to 80.
It is desirable to preheat to ℃, especially 35 to 50 ℃. This is because the seasonal difference of the environmental temperature in the film production is removed, and the preheating optimizes the drying speed of the electric field shield treatment liquid, thereby improving the film forming property. In addition, the rotation speed of the spin coating is preferably in the range of 75 to 200 rpm. If the rotation speed is less than 75 rpm, the centrifugal force for applying the electric field shielding treatment liquid is insufficient with respect to the solvent viscosity, and the spin coating is uniform and smooth. No film can be obtained. On the contrary, high speed rotation of 200 rpm or more is not preferable because it damages the function of the CRT.

【0025】[0025]

【実施例】本発明の実施例を以下に示す。なお、結合剤
となるシリケート溶液は、メチルシリケート51(多摩
化学工業株式会社製)17.6g、DAA27.1gを
撹拌しながら、5%塩酸水溶液3.5g、蒸留水1.8
gの混合溶液を滴下し、SiO換算で17.9重量%
のメチルシリケートゾルとしたものを用いた。
EXAMPLES Examples of the present invention are shown below. The silicate solution serving as the binder was 17.6 g of methyl silicate 51 (manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.) and 27.1 g of DAA while stirring, 3.5 g of a 5% hydrochloric acid aqueous solution, and 1.8 g of distilled water.
g of the mixed solution was added dropwise, and 17.9% by weight in terms of SiO 2
Was used as the methyl silicate sol.

【0026】反射防止として2層構造をとる際のオーバ
ーコート用シリケートは、以下のように調整したものを
適当なSiO量となるようエタノールで希釈して用い
た。24gのメチルシリケート51、43.6gのエタ
ノールを混合し、撹拌しながら水ーエタノール溶液(蒸
留水45.65g+エタノール20g)を滴下し、さら
に1重量%HNO水溶液9.66gとエタノール7.
1gの混合溶液を滴下して得た。
The silicate for overcoat used when taking a two-layer structure for antireflection was prepared as follows, and diluted with ethanol so as to have an appropriate amount of SiO 2 and used. 24 g of methyl silicate 51 and 43.6 g of ethanol were mixed, a water-ethanol solution (45.65 g of distilled water + 20 g of ethanol) was added dropwise with stirring, and 9.66 g of a 1 wt% HNO 3 aqueous solution and ethanol 7.
It was obtained by dropping 1 g of the mixed solution.

【0027】また、処理液を評価するための成膜は、次
のように行った。一層による場合は、青板ガラス基板
(20×10cm、厚さ3mm:屈折率1.53)を洗
浄後、35〜50℃に保持した乾燥器に入れ、所定の成
膜基板温度に加熱する。温度調製された基板上に、電界
シールド用処理液をビーカーより供給し、回転数160
rpmでスピンコーティングを行う。3分間振り切り乾
燥後、180℃で30分間保持し焼成した。
The film formation for evaluating the treatment liquid was performed as follows. In the case of one layer, a soda lime glass substrate (20 × 10 cm, thickness 3 mm: refractive index 1.53) is washed and then placed in a drier kept at 35 to 50 ° C. and heated to a predetermined film formation substrate temperature. The processing liquid for electric field shielding is supplied from the beaker onto the temperature-adjusted substrate, and the rotation speed is set to 160.
Spin coating at rpm. After being shaken off for 3 minutes and dried, it was held at 180 ° C. for 30 minutes and baked.

【0028】オーバーコートを行い2層膜を形成する場
合は処理液を塗布し、3分間振り切り乾燥後、さらにオ
ーバーコート用シリケート液を塗布し1分間振り切り、
180℃で同様に焼成する。
When a two-layer film is formed by overcoating, the treatment liquid is applied, shaken off for 3 minutes and dried, and then a silicate solution for overcoating is applied and shaken off for 1 minute.
The same is fired at 180 ° C.

【0029】表面抵抗の測定には、三菱油化株式会社製
のハイレスタIP MCPー260およびロレスタFP
MCPテスタを使用した。ヘイズ値の測定にはヘイス
メータHRー200(村上色彩研究所製)を、反射率測
定には分光光度計MPSー2000をそれぞれ用いた。
膜厚測定荷は、表面粗さ計サーフコム570A(株式会
社東京精密製)を使用した。
For measuring the surface resistance, Hiresta IP MCP-260 and Loresta FP manufactured by Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd.
An MCP tester was used. A haze meter HR-200 (manufactured by Murakami Color Research Laboratory) was used to measure the haze value, and a spectrophotometer MPS-2000 was used to measure the reflectance.
As a film thickness measurement load, a surface roughness meter Surfcom 570A (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) was used.

【0030】実施例1〜4および比較例1 ITO微粒子(住友金属鉱山株式会社製:平均粒径30
nm)とNMPを混合、撹拌した後、直径5mmのジル
コニアボールを用いたボールミルを12時間かけること
によってITO分散処理液を得た。次に、ITO分散処
理液とシリケート溶液を、ITO微粒子とSiOの比
率に応じて混合、スターラーで撹拌した後、希釈用極性
溶媒(DMF、DAA、エタノール)を加え、所定の固
形分濃度に調整した。組成および膜特性を表1に示す。
Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 ITO fine particles (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30)
nm) and NMP were mixed and stirred, and an ITO dispersion treatment liquid was obtained by applying a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm for 12 hours. Next, the ITO dispersion treatment liquid and the silicate solution are mixed according to the ratio of the ITO fine particles and the SiO 2 and stirred with a stirrer, and then a polar solvent for dilution (DMF, DAA, ethanol) is added to obtain a predetermined solid content concentration. It was adjusted. The composition and film properties are shown in Table 1.

【0031】表1の実施例1〜4および比較例1は、本
発明による製造工程にしたがいSiO/ITO比を変
化させた例である。いずれの処理液も良好な分散性を示
した。
Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 in Table 1 are examples in which the SiO 2 / ITO ratio was changed according to the manufacturing process according to the present invention. All the treatment solutions showed good dispersibility.

【0032】実施例2は、SiO/ITO比が2/9
8の例である。SiO/ITO比が5/95より大き
くなると、バインダーシリケートが少ないためITOの
一層膜では膜強度および表面抵抗率が低下し、膜特性は
悪いが、オーバーコートを施した二層膜では良好な膜特
性を示している。
In Example 2, the SiO 2 / ITO ratio was 2/9.
8 is an example. When the SiO 2 / ITO ratio is larger than 5/95, the film strength and the surface resistivity of the ITO single-layer film decrease due to the small amount of binder silicate, and the film characteristics are poor, but the double-layer film with an overcoat is good. The film characteristics are shown.

【0033】実施例1、3および4は、SiO/IT
O比がそれぞれ10/90、20/80および35/6
5の例である。SiOの含有量が増えるにつれてヘイ
ズ値、面抵抗が上昇することがわかる。
Examples 1, 3 and 4 are SiO 2 / IT
O ratios of 10/90, 20/80 and 35/6 respectively
5 is an example. It can be seen that the haze value and the sheet resistance increase as the content of SiO 2 increases.

【0034】比較例1はSiO/ITO比が50/5
0の例である。処理液の分散性は良好ではあるが、Si
/ITO比が本発明の範囲外であり、1層膜および
2層膜ともに面抵抗、ヘイズ値が高く、さらに2層膜に
おける反射率も高いため実用上問題であることがわか
る。
Comparative Example 1 has a SiO 2 / ITO ratio of 50/5.
This is an example of 0. The dispersibility of the treatment liquid is good, but Si
It is understood that the O 2 / ITO ratio is out of the range of the present invention, both the one-layer film and the two-layer film have high sheet resistance and haze value, and the reflectance of the two-layer film is also high, which is a problem in practical use.

【0035】実施例5 ITO微粒子(住友金属鉱山株式会社製:平均粒径30
nm)とNMPおよびDAAを混合、撹拌した後、直径
5mmのジルコニアボールを用いたボールミルを12時
間かけることによってITO分散処理液を得た。次に、
ITO分散処理液とシリケート溶液を混合し、スターラ
で撹拌した後、希釈用極性溶媒(DAA、エタノール)
を加え、所定の固形分濃度に調整した。組成および膜特
性を表2に示す。
Example 5 ITO fine particles (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30)
nm), NMP and DAA were mixed and stirred, and an ITO dispersion treatment liquid was obtained by applying a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm for 12 hours. next,
The ITO dispersion treatment liquid and the silicate solution are mixed and stirred with a stirrer, and then a polar solvent for dilution (DAA, ethanol)
Was added to adjust the concentration of the solid content. The composition and film properties are shown in Table 2.

【0036】実施例6 ITO微粒子(住友金属鉱山株式会社製:平均粒径30
nm)とNMPおよびDAAを混合、撹拌した後、直径
5mmのジルコニアボールを用いたボールミルを12時
間かけることによってITO分散処理液を得た。次に、
ITO分散処理液とシリケート溶液を混合し、スターラ
で撹拌した後、希釈用極性溶媒(DMF、エタノール)
を加え、所定の固形分濃度に調整した。組成および膜特
性を表2に示す。
Example 6 ITO fine particles (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30)
nm), NMP and DAA were mixed and stirred, and an ITO dispersion treatment liquid was obtained by applying a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm for 12 hours. next,
The ITO dispersion treatment liquid and the silicate solution are mixed and stirred with a stirrer, and then a polar solvent for dilution (DMF, ethanol)
Was added to adjust the concentration of the solid content. The composition and film properties are shown in Table 2.

【0037】分散用溶媒としてNMPと他の極性溶媒
(例えばDMF、DAA)を用いた場合、僅かであるが
分散性の低下が認められるものの、得られる膜の特性は
実用上問題なく、処理液として十分であることがわか
る。
When NMP and another polar solvent (eg DMF, DAA) are used as the dispersing solvent, the dispersibility is slightly reduced, but the characteristics of the obtained film are practically no problem and the treatment liquid It turns out that is enough.

【0038】実施例7、8 ITO微粒子(住友金属鉱山株式会社製:平均粒径30
nm)とNMPおよびカップリング剤を混合、撹拌した
後、直径5mmのジルコニアボールを用いたボールミル
を12時間かけることによってITO分散処理液を得
た。次に、ITO分散処理液と希釈用極性溶媒(DM
F、DAA、エタノール)を混合し、所定の固形分濃度
に調整した。組成および膜特性を表3に示す。
Examples 7 and 8 ITO fine particles (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30)
nm), NMP, and a coupling agent were mixed and stirred, and then an ITO dispersion treatment liquid was obtained by applying a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm for 12 hours. Next, the ITO dispersion treatment liquid and the diluting polar solvent (DM
(F, DAA, ethanol) were mixed and adjusted to a predetermined solid content concentration. The composition and film properties are shown in Table 3.

【0039】実施例7はカップリング剤としてビニルト
リエトキシシラン(TSL8311:東芝シリコーン株
式会社製)を、実施例8はメチルトリメトキシシラン
(TSL811:東芝シリコーン株式会社製)をそれぞ
れ用いて作製した処理液である。バインダーシリケート
が含まれないため、ITO膜単層では面抵抗、ヘイズ値
は高く、十分な膜強度も得ることはできない。しかし、
オーバーコート液を連続塗布して得られた二層膜は面抵
抗、ヘイズ値共に低く、電界シールド用として実用上十
分な特性を示している。
Example 7 is a treatment prepared by using vinyltriethoxysilane (TSL8311: manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) as a coupling agent, and Example 8 is prepared by using methyltrimethoxysilane (TSL811: manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.). It is a liquid. Since the binder silicate is not included, the ITO film single layer has high sheet resistance and haze value, and sufficient film strength cannot be obtained. But,
The two-layer film obtained by continuously applying the overcoat solution has low surface resistance and haze value, and shows practically sufficient characteristics for electric field shielding.

【0040】比較例2 ITO微粒子(住友金属鉱山株式会社製:平均粒径30
nm)とエタノールを混合、撹拌した後、直径5mmの
ジルコニアボールを用いたボールミルを12時間かける
ことによってITO分散処理液を得た。次に、ITO分
散処理液とシリケート溶液を、ITO粒子とSiO
比率に応じて混合、スターラーで撹拌した後、希釈用極
性溶媒(NMP、DMF、DAA、)を加え、所定の固
形分濃度に調整した。組成および膜特性を表4に示す。
Comparative Example 2 ITO fine particles (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30)
nm) and ethanol were mixed and stirred, and an ITO dispersion treatment liquid was obtained by applying a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm for 12 hours. Next, the ITO dispersion treatment liquid and the silicate solution are mixed according to the ratio of the ITO particles and SiO 2 , and after stirring with a stirrer, a polar solvent for dilution (NMP, DMF, DAA,) is added, and a predetermined solid content concentration is obtained. Adjusted to. The composition and film properties are shown in Table 4.

【0041】この比較例2は実施例1と同一の組成で、
分散用溶媒としてエタノールを用いた例である。分散溶
媒としてNMPを使用しない場合、処理液は得られるも
のの分散性が悪く、表4に示すように電界シールド対策
用の膜を得ることはできない。また、処理液としての安
定性も悪く、粒子の沈降が認められた。
This Comparative Example 2 has the same composition as that of Example 1,
In this example, ethanol is used as the dispersion solvent. When NMP is not used as the dispersion solvent, the treatment liquid can be obtained but the dispersibility is poor, and as shown in Table 4, a film for electric field shielding cannot be obtained. Further, the stability as a treatment liquid was poor, and sedimentation of particles was observed.

【0042】比較例3 ITO微粒子(住友金属鉱山株式会社製:平均粒径30
nm)とエタノール、NMP、DMF、DAAおよびシ
リケートバインダーを混合、撹拌した後、直径5mmの
ジルコニアボールを用いたボールミルを12時間かける
ことによってITO分散処理液を調製した。調製法が異
なる場合、実施例1と同一組成であっても分散性が悪
く、スピンコーターにより均一な膜を成膜することがで
きなかった。
Comparative Example 3 ITO fine particles (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30)
nm), ethanol, NMP, DMF, DAA, and a silicate binder were mixed and stirred, and then an ITO dispersion treatment liquid was prepared by applying a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm for 12 hours. When the preparation methods were different, the dispersibility was poor even with the same composition as in Example 1, and a uniform film could not be formed by a spin coater.

【0043】比較例4 錫含有量が18.7重量%のITO微粒子(住友金属鉱
山株式会社製:平均粒径30nm)とNMPを混合、撹
拌した後、直径5mmのジルコニアボールを用いたボー
ルミルを12時間かけることによってITO分散処理液
を得た。次に、ITO分散処理液とシリケート溶液を混
合、スターラーで撹拌した後、希釈用極性溶媒(DM
F、DAA、エタノール)を加え、所定の固形分濃度に
調整した。組成および特性を表4に示す。錫含有量が1
8.7重量%の場合、面抵抗が高くなり十分な電界シー
ルド効果を得ることができない。また粒子の沈降が観察
され分散も十分ではない。
Comparative Example 4 ITO fine particles having a tin content of 18.7% by weight (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd .: average particle size 30 nm) were mixed and stirred, and then a ball mill using zirconia balls having a diameter of 5 mm was used. An ITO dispersion treatment liquid was obtained by spending 12 hours. Next, after mixing the ITO dispersion treatment liquid and the silicate solution and stirring with a stirrer, a polar solvent for dilution (DM
(F, DAA, ethanol) was added to adjust to a predetermined solid content concentration. The composition and properties are shown in Table 4. Tin content is 1
When it is 8.7% by weight, the sheet resistance becomes high and a sufficient electric field shielding effect cannot be obtained. Further, sedimentation of particles is observed and the dispersion is not sufficient.

【0044】以上本発明の実施例について説明したが、
二層膜構造をとった場合の反射防止機能については、膜
を形成しようとする基体に合わせて膜厚等を設定し得ら
れるものであり、本発明による処理液の特性は実施例に
限定されるものではない。
The embodiment of the present invention has been described above.
Regarding the antireflection function when the two-layer film structure is adopted, the film thickness and the like can be set according to the substrate on which the film is to be formed, and the characteristics of the treatment liquid according to the present invention are not limited to those of the examples. Not something.

【0045】[0045]

【表1】 [Table 1]

【0046】[0046]

【表2】 [Table 2]

【0047】[0047]

【表3】 [Table 3]

【0048】[0048]

【表4】 [Table 4]

【0049】[0049]

【発明の効果】以上説明したごとく、本発明によれば、
予めITO微粒子を分散用極性溶媒(特にNMP)に分
散した後に、シリケート溶液、希釈用極性溶媒(DN
F、DAA等)と混合することにより、効率よくITO
微粒子を高分散させることができるため、光学特性、お
よび導電性の良好な透明導電膜を200℃という低温焼
成で得ることができる上、陰極線管の表面処理に適用し
て漏洩電磁波による障害を有効に阻止できる効果を奏す
る。さらに、該電界シールド処理液を用いた二層透明導
電膜は、電界シールド効果のみならず、低反射効果を備
えた低コストのCRTを供給可能であり、工業的価値が
極めて大きい。
As described above, according to the present invention,
After the ITO fine particles are previously dispersed in a polar solvent for dispersion (particularly NMP), a silicate solution and a polar solvent for dilution (DN
F, DAA, etc.) makes ITO efficient.
Since the fine particles can be highly dispersed, a transparent conductive film having good optical characteristics and conductivity can be obtained by baking at a low temperature of 200 ° C., and it can be applied to the surface treatment of a cathode ray tube to effectively prevent damage by electromagnetic waves leaking. It has the effect of being able to prevent. Furthermore, the two-layer transparent conductive film using the electric field shield treatment liquid can supply a low-cost CRT having not only an electric field shield effect but also a low reflection effect, and has an extremely great industrial value.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 折田 桂一 東京都品川区西五反田7−9−4 東北化 工株式会社内 (72)発明者 湯村 隆之 東京都品川区西五反田7−9−4 東北化 工株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Keiichi Orita 7-9-4 Nishigotanda, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Tohoku Kako Co., Ltd. (72) Takayuki Yumura 7-9-4 Nishigotanda, Shinagawa-ku, Tokyo Tohoku Kako Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平均粒径80nm以下の導電性酸化物微
粒子を含有する分散用極性溶媒と、希釈用極性溶媒およ
びバインダー用シリケート溶液とからなる電界シールド
用処理液。
1. A treatment liquid for electric field shield comprising a polar solvent for dispersion containing fine conductive oxide particles having an average particle diameter of 80 nm or less, a polar solvent for dilution and a silicate solution for a binder.
【請求項2】 導電性酸化物微粒子が錫を1〜15重量
%添加した酸化インジウム(ITO)であり、該ITO
微粒子を1〜10重量%含有することを特徴とする請求
項1記載の電界シールド用処理液。
2. The conductive oxide fine particles are indium oxide (ITO) containing 1 to 15% by weight of tin.
The treatment liquid for electric field shield according to claim 1, which contains 1 to 10% by weight of fine particles.
【請求項3】 分散用極性溶媒中に、Nーメチルー2ー
ピロリドン(NMP)を含有することを特徴とする請求
項1記載の電界シールド用処理液。
3. The treatment liquid for electric field shield according to claim 1, wherein N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) is contained in the polar solvent for dispersion.
【請求項4】 バインダー用シリケート溶液中に含有さ
れるSiO量がITO微粒子に対して重量比で40/
60以下であることを特徴とする請求項1記載の電界シ
ールド用処理液。
4. The amount of SiO 2 contained in the silicate solution for binder is 40 / weight ratio with respect to the ITO fine particles.
It is 60 or less, The processing liquid for electric field shields of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 平均粒径80nm以下の導電性酸化物微
粒子を分散用極性溶媒中に分散した後、希釈用極性溶媒
およびバインダー用シリケート溶液を混合することを特
徴とする電界シールド用処理液の製造方法。
5. A treatment liquid for an electric field shield, characterized in that conductive oxide fine particles having an average particle diameter of 80 nm or less are dispersed in a polar solvent for dispersion, and then a polar solvent for dilution and a silicate solution for a binder are mixed. Production method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2006046431A1 (en) * 2004-10-26 2008-05-22 旭硝子株式会社 Inorganic coating composition, conductive coating film and method for forming conductive coating

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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