JPH06279755A - Fluid for shielding electric field - Google Patents

Fluid for shielding electric field

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JPH06279755A
JPH06279755A JP28697293A JP28697293A JPH06279755A JP H06279755 A JPH06279755 A JP H06279755A JP 28697293 A JP28697293 A JP 28697293A JP 28697293 A JP28697293 A JP 28697293A JP H06279755 A JPH06279755 A JP H06279755A
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JP
Japan
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film
electric field
weight
content
fluid
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Pending
Application number
JP28697293A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Yamanaka
厚志 山中
Junji Tofuku
淳司 東福
Naoto Menrai
直人 面来
Keiichi Orita
桂一 折田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Tohoku Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Tohoku Chemical Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd, Tohoku Chemical Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP28697293A priority Critical patent/JPH06279755A/en
Publication of JPH06279755A publication Critical patent/JPH06279755A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain the fluid which is excellent in transparency and film-forming properties and provides an electric conductivity enough to shield a leakage electric field from a cathode ray tube by dispersing a specific indium tin oxide powder and a specific binder in a specific polar solvent. CONSTITUTION:The fluid is obtd. by dispersing 1-15wt.% (based on the fluid) indium tin oxide powder having content of 1-10wt.% and an average particle size of 50nm or smaller and 0.1-6wt.% (based on the fluid) binder comprising a 1-4C alkyl silicate (e.g. orthoethoxy silicate) in a polar solvent contg. N- methylpyrrolidinone and at least one solvent selected from a group consisting of ethanol, acetone, tetrahydrofuran, isopropyl alcohol, diacetone alcohol, and dimethylformamide.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、OA機器のディスプレ
イ,テレビジョンのブラウン管などの電界シールドに用
いる電界シールド用処理液、特に、塗布又はスプレー,
スピンコート法による電界シールドに好適な電界シール
ド用処理液に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a treatment liquid for electric field shield used for electric field shield of displays of OA equipment, cathode ray tubes of televisions, etc., especially coating or spraying.
The present invention relates to an electric field shield treatment liquid suitable for an electric field shield by a spin coating method.

【0002】[0002]

【従来の技術】テレビジョンのブラウン管の表面には、
静電気帯電によるホコリが吸着しやすく、また、人体が
接触したときに放電して電気ショックを受けるため、電
界シールド対策を施すことは古くから知られている。
2. Description of the Related Art On the surface of a television cathode ray tube,
It has been known for a long time that electric field shielding measures are taken because dust due to electrostatic charging is easily adsorbed, and when a human body comes into contact, it discharges and receives an electric shock.

【0003】殊に、近年のオフィスオートメーション
(OA)化により、オフィスに多くのOA機器が導入さ
れ、OA機器のディスプレイと向き合って終日作業を行
うという環境は珍しいことではない。コンピュータの陰
極線管(CRT)に接して仕事を行う場合には、単に静
電気によるCRT表面のホコリの付着,電撃ショックに
止まらず、表示画面が見易く、画像の読み取りが容易で
あり、視覚疲労を感じさせないことのほか、漏洩X線,
漏洩電磁界の人体への影響が安全基準をクリヤするもの
でなければならない。
In particular, due to the recent automation of office automation (OA), many OA devices have been introduced into an office, and it is not uncommon for an environment in which work is performed all day facing the display of the OA device. When working in contact with a cathode ray tube (CRT) of a computer, the display screen is easy to see, the image is easy to read, and the visual fatigue is felt, not only due to the adhesion of dust on the CRT surface due to static electricity and electric shock. In addition to not letting it leak,
The effects of the leakage electromagnetic field on the human body must clear safety standards.

【0004】上記要求項目のうち、静電気帯電に伴う問
題は、CRT表面に導電膜を付してアースすることによ
り解決されるが、CRTは、透過画像の表面のため、導
電膜は、透明性に優れたものであることが好ましい。画
面を見やすくするためには防眩処理により画面の反射を
抑えることにより達成され、画像を読み取りやすくする
には、発光色の選定が重要な要素である。
Among the above requirements, the problems associated with electrostatic charging are solved by attaching a conductive film to the surface of the CRT and grounding it. However, since the CRT is the surface of a transmission image, the conductive film is transparent. It is preferable that it is excellent. In order to make the screen easier to see, it is achieved by suppressing the reflection of the screen by antiglare processing, and in order to make the image easier to read, the selection of the emission color is an important factor.

【0005】X線の遮蔽は、その発生箇所がシャドウマ
スク付近なので、陰極線管のガラスにPb,Ba,Sr
などの重元素を添加して遮蔽効果をもたせればよい。電
磁界は、電子銃周辺から発生し、TVの大型化に伴って
益々大きな電磁場が周囲に洩れる傾向にある。磁界の漏
洩は、逆磁場の印加により防止でき、電界の漏洩に対す
る対応は帯電防止と同様に、CRTガラス表面に導電性
の透明被膜を形成することにより防止できる。しかし、
電界シールドと帯電防止とでは、被膜に要求される導電
性のレベルには大きな差があり、帯電防止には、表面抵
抗で1011Ω/□程度で十分とされているが、漏洩電界
を防ぐためには105Ω/□未満の低抵抗の透明膜を形
成する必要がある。
The shielding of X-rays occurs near the shadow mask, so the glass of the cathode ray tube is covered with Pb, Ba, Sr.
It suffices to add a heavy element such as to have a shielding effect. The electromagnetic field is generated around the electron gun, and a larger electromagnetic field tends to leak to the surroundings as the TV becomes larger. The magnetic field leakage can be prevented by applying a reverse magnetic field, and the countermeasure against the electric field leakage can be prevented by forming a conductive transparent film on the surface of the CRT glass as in the case of preventing the charging. But,
There is a large difference in the level of conductivity required for the coating between the electric field shield and the antistatic property, and a surface resistance of about 10 11 Ω / □ is sufficient for the antistatic property. In order to prevent this, it is necessary to form a transparent film having a low resistance of less than 10 5 Ω / □.

【0006】防眩処理に対しては、反射光が入射光に対
して破壊的干渉を生ずるように被膜の膜厚および屈折率
を制御すればよい。従って、抵抗値と光学特性が満たさ
れる膜ができるならば、反射率の問題は、膜形成時の条
件を調節することにより解決されるべき問題である。
For the antiglare treatment, the film thickness and the refractive index of the film may be controlled so that the reflected light causes destructive interference with the incident light. Therefore, if a film having a resistance value and an optical characteristic is formed, the reflectance problem is a problem to be solved by adjusting the conditions at the time of film formation.

【0007】上記の要求に対応するため、従来より種々
の提案がなされている。陰極線管内部は、105Pa程
度の高真空になっているので、ガラスの肉厚を増した
り、曲面形状にして大気の圧力に耐えられるよう設計さ
れている。この状態の陰極線管を高温度に加熱すること
はできないので、表面被膜の形成は、実質的に200℃
以下の温度で行わなくてはならない。このような低温度
で成膜可能な方法として例えば、真空蒸着およびCVD
によりCRTの前面に酸化錫や酸化インジウム等の導電
性酸化物の被膜を形成する方法がある。
In order to meet the above demands, various proposals have been made conventionally. Since the inside of the cathode ray tube is in a high vacuum of about 10 5 Pa, it is designed to increase the wall thickness of glass or to have a curved surface shape to withstand the pressure of the atmosphere. Since it is not possible to heat the cathode ray tube in this state to a high temperature, the formation of the surface coating is substantially 200 ° C.
It must be done at the following temperatures: As a method capable of forming a film at such a low temperature, for example, vacuum deposition and CVD
There is a method of forming a film of a conductive oxide such as tin oxide or indium oxide on the front surface of the CRT.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法では
電界シールド効果に十分な低い抵抗値が得られるもの
の、被膜形成に多大のコストがかかるため実用的CRT
製造には極めて不都合であり、より安価なコーティング
方法が望まれている。
However, although this method can obtain a sufficiently low resistance value for the electric field shielding effect, it requires a great deal of cost to form a film, so that it is a practical CRT.
It is extremely inconvenient to manufacture, and a cheaper coating method is desired.

【0009】安価なコーティング方法として、インク組
成物の吹き付け又は塗布による方法が特開平1−299
887号に開示されている。この例では、インクは微粒
子酸化錫,シリカゾルおよび有機溶媒からなり、200
℃以下の低温でも可能なシリカゾルの重合反応を利用し
て成膜するものである。しかしながら、これでは帯電防
止機能を満たす導電性しか得られない。すなわち、この
処理液を用いて形成した透明導電膜の表面抵抗は、最低
で約107Ω/□であり、漏洩電界をシールドするのに
必要な導電性には遥かに及ばない。
As an inexpensive coating method, a method of spraying or coating an ink composition is disclosed in JP-A-1-299.
No. 887. In this example, the ink consists of particulate tin oxide, silica sol and organic solvent,
The film is formed by utilizing the polymerization reaction of silica sol which can be performed at a low temperature of ℃ or less. However, this gives only conductivity satisfying the antistatic function. That is, the surface resistance of the transparent conductive film formed using this treatment liquid is at least about 10 7 Ω / □, which is far below the conductivity required to shield the leakage electric field.

【0010】本発明の目的は、透明性,コート性に優
れ、特に陰極線管の漏洩電界のシールドに十分な導電性
を与える電界シールド用処理液を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a treatment liquid for electric field shield which is excellent in transparency and coatability, and in particular provides sufficient electric conductivity to shield a leak electric field of a cathode ray tube.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による電界シールド用処理液においては、イ
ンジウム錫酸化物粉末と結合剤とを極性溶媒に分散させ
た電界シールド用処理液であって、インジウム錫酸化物
粉末は、錫含有量が1〜10重量%,平均粒径50nm
以下であり、1〜15重量%含有し、結合剤は、アルキ
ル基がメチル,エチル,プロピル,ブチルのアルキルシ
リケートであり、アルキルシリケートの含有量は0.1
〜6重量%であり、極性溶媒は、N−メチル−2ピロリ
ジノンと、エタノール,アセトン,テトラヒドロキシフ
ラン,イソプロピルアルコール,ジアセトンアルコー
ル,ジメチルフォルムアミドの内の1以上とを含有する
ものである。
In order to achieve the above object, the treatment liquid for electric field shield according to the present invention is a treatment liquid for electric field shield in which indium tin oxide powder and a binder are dispersed in a polar solvent. The indium tin oxide powder has a tin content of 1 to 10% by weight and an average particle size of 50 nm.
The content is 1 to 15% by weight, and the binder is an alkyl silicate in which the alkyl group is methyl, ethyl, propyl, butyl, and the content of the alkyl silicate is 0.1.
The polar solvent contains N-methyl-2pyrrolidinone and one or more of ethanol, acetone, tetrahydroxyfuran, isopropyl alcohol, diacetone alcohol and dimethylformamide.

【0012】また、インジウム錫酸化物粉末とアルキル
シリケートとの混合比は、重量比で0.1〜0.6であ
る。
The weight ratio of the indium tin oxide powder to the alkyl silicate is 0.1 to 0.6.

【0013】また、極性溶媒は、N−メチル−2ピロリ
ジノンとエタノールとを含むものであり、N−メチル−
2ピロリジノンの含有量は、1〜20重量%、エタノー
ルの含有量は、25〜90重量%である。
The polar solvent contains N-methyl-2pyrrolidinone and ethanol, and is N-methyl-
The content of 2 pyrrolidinone is 1 to 20% by weight, and the content of ethanol is 25 to 90% by weight.

【0014】[0014]

【作用】導電性物質に、錫含有量が1〜10重量%,直
径50nm以下のインジウム錫酸化物粉末(ITO粉
末)を選定し、アルキルシリケートを結合剤に用い、N
−メチル−2ピロリジノンおよびエタノールを含む極性
溶媒にこれを分散させることにより、成膜時の透明性が
改善され、また、ITO粒子は、本来、酸化錫粒子に比
べて低い抵抗を有するため、低い抵抗値の導電膜が得ら
れる。ITO粒子の分散性は、ITO粒子3.25〜1
2.75重量%,アルキルシリケート0.75〜5.2
5重量%,N−メチル−2ピロリジノン3.0〜13.
5重量%およびエタノール25〜75重量%の混合割合
いの下で最も分散性に優れ、導電パスに偏りがなくなっ
て導電性が向上するほか、電磁波伝搬の揺乱要素が分散
して光の透過率やヘイズ値などに優れた光学的特性が得
られる。
The indium tin oxide powder (ITO powder) having a tin content of 1 to 10% by weight and a diameter of 50 nm or less is selected as the conductive material, and the alkyl silicate is used as the binder.
-By dispersing this in a polar solvent containing methyl-2pyrrolidinone and ethanol, the transparency at the time of film formation is improved, and since ITO particles originally have lower resistance than tin oxide particles, they are low. A conductive film having a resistance value can be obtained. The dispersibility of ITO particles is 3.25 to 1 for ITO particles.
2.75% by weight, alkyl silicate 0.75-5.2
5% by weight, N-methyl-2pyrrolidinone 3.0-13.
It has the best dispersibility under the mixing ratio of 5% by weight and 25-75% by weight of ethanol, and the conductivity is improved by eliminating the bias in the conductive path, and the disturbing elements of electromagnetic wave propagation are dispersed to transmit light. Excellent optical characteristics such as a rate and a haze value can be obtained.

【0015】ITO微粒子中の錫の含有量は、ITOの
導電性を考慮すれば、1〜10重量%、特に1〜6重量
%の範囲であることが望ましい。ITO微粒子の含有量
は、1〜15重量%であり、特に3.25〜12.75
重量%が好ましい。3.25重量%未満では、含有量が
少なくなる程膜厚が薄くなり、乾燥後のITO微粒子の
連結性が低下するため、成膜状態が悪くなり、また必要
とされる導電性を得ることができない。また含有量が1
2.75重量%を超えると、含有量が増えるに従って膜
表面からクラックなどが生じて抵抗値にバラツキが生ず
る。
The content of tin in the ITO fine particles is preferably in the range of 1 to 10% by weight, particularly 1 to 6% by weight in consideration of the conductivity of ITO. The content of the ITO fine particles is 1 to 15% by weight, and particularly 3.25 to 12.75.
Weight percent is preferred. If it is less than 3.25% by weight, the smaller the content is, the thinner the film thickness is, and the connectivity of the ITO fine particles after drying is deteriorated, so that the film forming state is deteriorated and the required conductivity is obtained. I can't. Also, the content is 1
If it exceeds 2.75% by weight, as the content increases, cracks and the like are generated from the film surface and the resistance value varies.

【0016】アルキルシリケートの含有量は、0.1〜
6重量%、特に0.75〜5.25重量%が好ましい。
これは0.75重量%より少ないと、その程度に応じて
成膜性及び膜強度が低下し、5.25重量%を超えるに
したがい、表面抵抗が要求値を上回る傾向になるためで
ある。
The content of alkyl silicate is 0.1-0.1%.
6% by weight, particularly 0.75 to 5.25% by weight is preferred.
This is because if the amount is less than 0.75% by weight, the film-forming property and the film strength will decrease depending on the degree, and as the amount exceeds 5.25% by weight, the surface resistance tends to exceed the required value.

【0017】ITO微粒子とアルキルシリケートとの混
合比は重量比で0.1〜0.6であることが望ましく、
この比が0.1未満では成膜性が悪くなり、膜強度が弱
くなる。さらに、光学特性であるヘイズ値が高くなる。
0.6を超えると光学特性及び膜強度は十分であるが表
面抵抗が高くなりすぎ、電界シールド用としては適さな
い。
The mixing ratio of the ITO fine particles to the alkyl silicate is preferably 0.1 to 0.6 by weight,
When this ratio is less than 0.1, the film forming property becomes poor and the film strength becomes weak. Furthermore, the haze value, which is an optical characteristic, becomes high.
If it exceeds 0.6, the optical characteristics and the film strength are sufficient, but the surface resistance becomes too high, and it is not suitable for electric field shielding.

【0018】アルキルシリケートは、ブラウン管などの
ガラス表面に対する結合剤であり、テトラメトキシシラ
ン,エトラエトキシシラン,テトラプロポキシシラン,
テトラブトキシシランなど、アルキル基がメチル,エチ
ル,プロピル,ブチルの中で何れでも良く、また2種類
以上を混合して用いても問題はない。
The alkyl silicate is a binder for the glass surface of a cathode ray tube or the like, and includes tetramethoxysilane, etraethoxysilane, tetrapropoxysilane,
The alkyl group such as tetrabutoxysilane may be any of methyl, ethyl, propyl and butyl, and there is no problem even if two or more kinds are mixed and used.

【0019】極性溶媒中のN−メチル−2ピロリジノン
の含有量は、1〜20重量%、特に3.0〜13.5重
量%が、またエタノール,アセトン,テトラヒドロキシ
フランにおいては、25〜90重量%、特に25〜75
重量%が好ましく、この範囲を超えると、ITO微粒子
が凝縮・沈降する傾向を現わし、分散性が悪くなる。こ
こに、ITO粒子表面は溶媒中で電荷を帯びており、溶
媒と電気的二重層を形成しているため、ITO粒子表面
近傍における溶媒分子(あるいはイオン)の吸着等によ
る静電気的斥力が、粒子同士の分散・凝集に影響を及ぼ
す一つの要因となっている。特にNMPが1重量%未満
では、電気的二重層における拡散層部分の電位差(ゼー
タ電位)の絶対値が小さく、ITO粒子同士の反発に十
分な斥力を与えないため、分散系が安定させず、20重
量%を越えると、電界シールド用処理液全体での成膜性
が低下すると共に、膜強度も低下するため、好ましくな
い。また、NMPにITO微粒子を前もって分散・混合
することにより、電界シールド用処理液における微粒子
の分散性を大幅に向上させることができる。ITOの分
散性が悪い場合、光学特性に著しい特性低下がもたらさ
れるほか、導電性も低下する。この他の溶媒としては、
上記溶媒と相溶性であれば良く、例えばイソプロピルア
ルコール,ジアセトンアルコール(4ヒドロキシ−4メ
チル−2ペンタノン),ジメチルフォルムアミド等が用
いられ、シリケートの重合反応の触媒として、水,希塩
酸又は希硝酸などが使用される。
The content of N-methyl-2pyrrolidinone in the polar solvent is 1 to 20% by weight, particularly 3.0 to 13.5% by weight, and in the case of ethanol, acetone and tetrahydroxyfuran, it is 25 to 90% by weight. % By weight, especially 25-75
Weight% is preferable, and if it exceeds this range, the ITO fine particles tend to condense and settle, and the dispersibility deteriorates. Since the surface of the ITO particles is charged in the solvent and forms an electric double layer with the solvent, electrostatic repulsion due to adsorption of solvent molecules (or ions) near the surface of the ITO particles causes It is one of the factors that influence the dispersion / aggregation of each other. In particular, when NMP is less than 1% by weight, the absolute value of the potential difference (zeta potential) in the diffusion layer portion of the electric double layer is small, and the repulsive force between ITO particles is not sufficiently repulsive, so that the dispersion system is not stabilized, If it exceeds 20% by weight, not only the film-forming property of the entire electric field shielding treatment liquid is deteriorated but also the film strength is deteriorated, which is not preferable. Further, by preliminarily dispersing and mixing the ITO fine particles in NMP, the dispersibility of the fine particles in the electric field shielding treatment liquid can be greatly improved. When the dispersibility of ITO is poor, not only the optical characteristics are significantly deteriorated, but also the conductivity is deteriorated. Other solvents include:
Any solvent may be used as long as it is compatible with the above-mentioned solvent, for example, isopropyl alcohol, diacetone alcohol (4hydroxy-4methyl-2pentanone), dimethylformamide, etc. are used, and water, dilute hydrochloric acid or dilute nitric acid is used as a catalyst for the silicate polymerization reaction. Etc. are used.

【0020】本発明の処理液は、塗布,スプレー,スピ
ンコートによりCRTのガラス表面に成膜が可能であ
る。
The treatment liquid of the present invention can be formed into a film on the glass surface of a CRT by coating, spraying or spin coating.

【0021】陰極線管ガラス表面のスピンコートに当た
っては、ガラス表面は、30〜80℃に予熱することが
望ましい。これは被膜製造の季節間差を取り除くと共
に、予熱によってインクの乾燥速度が最適値になり、特
に光学特性を向上させるからである。スピンコーターの
回転数は、100〜200rpmの範囲が適当である。
100rpm以下では溶媒粘性に対してインクを広げる
遠心力が不十分で均一な膜が得られず、200rpm以
上ではブラウン管の機能にダメージを与えるので好まし
くない。
In spin coating the glass surface of the cathode ray tube, it is desirable to preheat the glass surface to 30 to 80 ° C. This is because the seasonal difference in film production is removed, and the preheating heats the ink drying rate to an optimum value, which in particular improves the optical characteristics. The rotation speed of the spin coater is appropriately in the range of 100 to 200 rpm.
If it is 100 rpm or less, the centrifugal force for spreading the ink against the solvent viscosity is insufficient to obtain a uniform film, and if it is 200 rpm or more, the function of the cathode ray tube is damaged, which is not preferable.

【0022】[0022]

【実施例】以下に本発明の実施例を示す。まず、処理液
調製用のアルキルシリケート溶液は次のようにして得
た。オルトアルキルシリケート(多摩化学工業製)74
g,ジアセトンアルコール85g,蒸留水7.5gの混
合溶液を撹拌しながら、5%塩酸水溶液15gおよびジ
アセトンアルコール30gの混合溶液を滴下した。この
ようにしてシリケート溶液を調製した。
EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below. First, an alkyl silicate solution for treating solution preparation was obtained as follows. Orthoalkyl silicate (Tama Chemical Industry) 74
While stirring a mixed solution of g, 85 g of diacetone alcohol and 7.5 g of distilled water, a mixed solution of 15 g of a 5% hydrochloric acid aqueous solution and 30 g of diacetone alcohol was added dropwise. Thus, the silicate solution was prepared.

【0023】次にITO微粒子(住友金属鉱山製)をN
−メチル−2−ピロリジノン(NMP)およびエタノー
ルの混合溶液と共にボールミルを12時間かけることに
よりITO溶液を得た。なおボールには、直径5mmの
ジルコニアボールを用いた。
Next, ITO fine particles (produced by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.)
An ITO solution was obtained by ball milling for 12 hours with a mixed solution of -methyl-2-pyrrolidinone (NMP) and ethanol. As the balls, zirconia balls having a diameter of 5 mm were used.

【0024】以上のようにして得られた2つの溶液に、
乾燥時の膜の割れを防ぐジメチルホルムアミド(DM
F)および希釈溶剤であるアルコール(エタノール,イ
ソプロピルアルコール(IPA),ジアセトンアルコー
ル)を加え、所定の濃度に調製した。用いたITO微粉
末平均粒径およびSn含有量を表1に示す。A〜D粉末
共にX線回折により酸化錫回折線が観察されないことか
らSnの固溶が確認されている。
In the two solutions obtained as described above,
Dimethylformamide (DM to prevent film cracking during drying
F) and a diluting solvent alcohol (ethanol, isopropyl alcohol (IPA), diacetone alcohol) were added to adjust to a predetermined concentration. Table 1 shows the average particle diameter and the Sn content of the ITO fine powder used. Since no tin oxide diffraction line was observed by X-ray diffraction in all of the powders A to D, solid solution of Sn was confirmed.

【0025】また、電子顕微鏡で観察した結果は凝集体
がない粒子であった。得られた処理液を、評価のために
以下のようにガラス基板上に成膜した。ガラス基板(2
0×10cm,厚さ3mm)をアセトン洗浄後、30〜
60℃に保持した乾燥器に入れ、所定の温度に加熱を行
う。加熱したガラス基板をスピンコーターにセットし、
溶液をビーカーより供給し成膜を行う。乾燥後、120
から200℃に30分間保持し焼成した。得られた透明
導電膜の評価を表面抵抗,透過率,ヘイズおよび膜強度
について行った。表面抵抗の測定には、三菱油化(株)
製表面抵抗計MCP−T200を用いた。また透過率お
よびヘイズ値は、(株)村上色彩技術研究所製HR−1
00を用いて行った。膜強度は、(株)東洋精機製作所
製引っかき塗膜硬さ試験機により評価を行った。
The result of observation with an electron microscope showed that the particles had no aggregates. The obtained treatment liquid was formed into a film on a glass substrate for evaluation as follows. Glass substrate (2
After washing (0 × 10 cm, thickness 3 mm) with acetone,
It is put in a dryer kept at 60 ° C. and heated to a predetermined temperature. Set the heated glass substrate on the spin coater,
The solution is supplied from a beaker to form a film. After drying, 120
To 200 ° C. for 30 minutes for firing. The obtained transparent conductive film was evaluated for surface resistance, transmittance, haze and film strength. To measure the surface resistance, Mitsubishi Yuka Co., Ltd.
A surface resistance meter MCP-T200 was used. The transmittance and haze value are HR-1 manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.
00 was used. The film strength was evaluated by a scratch coating hardness tester manufactured by Toyo Seiki Seisakusho.

【0026】[0026]

【表1】ITO微粉末 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 試料 Sn含有量(重量%) 平均粒径(nm) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ A 1.3 18 B 4.3 15 C 9.1 25 D 3.3 70 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 1] ITO fine powder ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Sample Sn content (% by weight) Average particle size (nm) ━━━━━ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ A 1.3 18 B 4.3 15 C 9.1 25 D 3.3 3.3 70 ━━━━━━━━━━━━ ━━━━━━━━━━━━━

【0027】(実施例1〜8)表1に示したITO微粉
末Bを、またシリケートとしてオルトエトキシシリケー
トを用いて表2に示す処理液を調整した。評価のために
ガラス基板温度45℃,スピンコートの回転数を180
rpmとして成膜を行った。
(Examples 1 to 8) The treatment liquids shown in Table 2 were prepared using the ITO fine powder B shown in Table 1 and orthoethoxysilicate as the silicate. For evaluation, the glass substrate temperature was 45 ° C. and the spin coating rotation speed was 180.
The film was formed at rpm.

【0028】[0028]

【表2】 [Table 2]

【0029】評価の結果を表3に示す。またITO含有
量と表面抵抗およびヘイズ値との関係を図1に示す。
The evaluation results are shown in Table 3. The relationship between the ITO content and the surface resistance and haze value is shown in FIG.

【0030】[0030]

【表3】 透明導電膜の評価結果 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 実施例 表面抵抗 透過率 ヘイズ値 膜強度(剥がれ) (kΩ/□) (%) (%) (鉛筆値) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 1 47.2 96.7 1.5 4H 2 7.62 96.2 5.4 3H 3 13.5 95.2 3.2 6H 4 1.15 93.5 5.2 3H 5 1.0 93.4 5.6 3H 6 9.7 95.1 3.3 4H 7 1.23 93.8 5.1 4H 8 4.6 94.4 4.5 6H ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 3] Evaluation result of transparent conductive film ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Example Surface resistance Transmittance haze value Film strength (peeling) ) (KΩ / □) (%) (%) (pencil value) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 1 47.2 96. 7 1.5 4H 2 7.62 96.2 5.4 3H 3 13.5 95.2 3.2 6H 4 1.15 93.5 5.2 3H 5 1.0 93.4 5.6 3H 6 9.7 95.1 3.3 4H 7 1.23 93.8 5.1 4H 8 4.6 94.4 4.5 6H ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ━━━━━━━━━━

【0031】図1の実用的範囲Rxにおいては、表面抵
抗5×104Ω/□以下,ヘイズ値6%以下であり、電
界シールド用の透明導電膜としての特性を満足している
ことがわかる。また膜強度は、さらに保護コート層を付
すことにより向上が図れるため、3H程度でも十分であ
る。請求項1は、前記実用的範囲RxのITO微粉末含
有量を特定したものである。
In the practical range Rx of FIG. 1, the surface resistance is 5 × 10 4 Ω / □ or less and the haze value is 6% or less, which shows that the characteristics as a transparent conductive film for electric field shielding are satisfied. . Further, the film strength can be improved by further adding a protective coat layer, and therefore about 3H is sufficient. Claim 1 specifies the content of the ITO fine powder within the practical range Rx.

【0032】(実施例9)表1におけるITO微粉末A
を、またシリケートとしてオルトメトキシシリケートを
用いて実施例6に示す組成の処理液を調製した。成膜条
件は、基板温度36℃,回転数120rpmで行った。
膜の特性として表面抵抗1.05×104Ω/□ヘイズ
値3.4%を得た。
(Example 9) ITO fine powder A in Table 1
And orthomethoxysilicate as the silicate were used to prepare a treatment liquid having the composition shown in Example 6. The film forming conditions were a substrate temperature of 36 ° C. and a rotation speed of 120 rpm.
As a characteristic of the film, a surface resistance of 1.05 × 10 4 Ω / □ haze value of 3.4% was obtained.

【0033】(実施例10)表1におけるITO微粉末
Cを、またシリケートとしてオルトメトキシシリケート
およびオルトブトキシシリケート(メトキシとブトキシ
の比率は1:1)を用いて実施例6に示す組成の処理液
を調製した。成膜条件は、基板温度56℃,回転数15
0rpmで行った。膜特性として表面抵抗9.4×10
3Ω/□ヘイズ値3.6%を得た。
(Example 10) A treatment liquid having the composition shown in Example 6 was prepared by using the ITO fine powder C in Table 1 and orthomethoxysilicate and orthobutoxysilicate (the ratio of methoxy and butoxy was 1: 1) as the silicate. Was prepared. The film forming conditions are a substrate temperature of 56 ° C. and a rotation speed of 15
It was carried out at 0 rpm. Surface resistance 9.4 × 10 as film characteristics
A 3 Ω / □ haze value of 3.6% was obtained.

【0034】(実施例11)表1におけるITO微粉末
Cを、またシリケートとしてオルトプロポキシシリケー
トを用いて実施例6に示す組成の処理液を調製した。成
膜条件は、基板温度55℃,回転数150rpmで行っ
た。膜の特性として表面抵抗9.7×103Ω/□,ヘ
イズ値3.8%を得た。
Example 11 A treatment liquid having the composition shown in Example 6 was prepared by using the ITO fine powder C in Table 1 and orthopropoxysilicate as a silicate. The film forming conditions were a substrate temperature of 55 ° C. and a rotation speed of 150 rpm. As the characteristics of the film, a surface resistance of 9.7 × 10 3 Ω / □ and a haze value of 3.8% were obtained.

【0035】以上実施例9〜11よりITO微粉末A〜
Cを使用してもまたシリケートとしてメトキシ,エトキ
シ,プロポキシおよびブトキシのいずれを使用しても請
求の範囲に記載した条件を満たす限り、電界シールド用
の透明導電膜としての要求項目を満たすものであること
が分かる。
From the above Examples 9 to 11, ITO fine powder A to
Whether C is used or methoxy, ethoxy, propoxy or butoxy is used as the silicate, as long as the conditions described in the claims are satisfied, the requirements for a transparent conductive film for an electric field shield are satisfied. I understand.

【0036】(比較例1)表1におけるITO微粉末D
を、またシリケートとしてオルトメトキシシリケートを
用いて実施例6に示す組成の処理液を調製した。成膜条
件は、基板温度50℃,回転数150rpmで行った。
膜特性として表面抵抗9.8×103Ω/□ヘイズ値2
0.8%を得た。形成された膜は、ヘイズ値が高いた
め、陰極線管のコーティング膜としては不適切である。
ITO微粉末Dによる処理液は、陰極線管のコーティン
グ用としては使用できない。
Comparative Example 1 ITO fine powder D in Table 1
And orthomethoxysilicate as the silicate were used to prepare a treatment liquid having the composition shown in Example 6. The film forming conditions were a substrate temperature of 50 ° C. and a rotation speed of 150 rpm.
Surface resistance 9.8 × 10 3 Ω / □ haze value 2 as film characteristics
0.8% was obtained. Since the formed film has a high haze value, it is unsuitable as a coating film for a cathode ray tube.
The treatment liquid with the ITO fine powder D cannot be used for coating a cathode ray tube.

【0037】(比較例2〜7)表1に示したITO微粉
末Bを、またシリケートとしてオルトメトキシシリケー
トを用いて表4に示す処理液を調製した。
(Comparative Examples 2 to 7) The treatment liquids shown in Table 4 were prepared using the ITO fine powder B shown in Table 1 and orthomethoxysilicate as the silicate.

【0038】(比較例8)表1に示したITO微粉末B
を、またシリケートとしてオルトメトキシシリケートを
用いて表4に示す処理液を調製した。ただし、調製方法
として、NMPはボールミルをかける際の分散溶液とし
ては使用せず、エタノールのみでITO溶液を作製した
後、実施例6と同一組成になるように、アルコール類と
共に希釈溶液として添加した。
(Comparative Example 8) ITO fine powder B shown in Table 1
And orthomethoxysilicate as the silicate were used to prepare the treatment liquids shown in Table 4. However, as a preparation method, NMP was not used as a dispersion solution when applying a ball mill, and an ITO solution was prepared only with ethanol, and then added as a dilute solution together with alcohols so that the composition was the same as that of Example 6. .

【0039】なお、比較例の評価のためにガラス基板温
度40℃,スピンコートの回転数を160rpmに統一
して成膜を行った。
For the evaluation of the comparative example, the glass substrate temperature was 40 ° C. and the spin coating rotation speed was 160 rpm to form a film.

【0040】[0040]

【表4】 [Table 4]

【0041】評価の結果を表5に示す。Table 5 shows the evaluation results.

【0042】[0042]

【表5】 透明導電膜の評価結果 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 比較例 表面抵抗 透過率 ヘイズ値 膜強度(剥がれ) (kΩ/□) (%) (%) (鉛筆値) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 2 4.7×109 99 0.8 3H 3 7.52 93.2 12.2 一部に割れあり 4 14.5 95.1 4.5 HB未満(成膜せず) 5 4.5×108 95.2 4.7 9H 6 23.5 93.1 12.1 3H 7 8.3 95.2 3.0 HB未満(膜ムラあり) 8 20.2 93.0 11.5 2H ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━[Table 5] Evaluation results of transparent conductive film ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Comparative example Surface resistance Transmittance Haze value Film strength (peeling) (kΩ / □) (%) (%) (pencil value) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ━━━━━━━ 2 4.7 × 10 9 99 0.8 3H 3 7.52 93.2 12.2 There is some cracking 4 14.5 95.1 Less than 4.5 HB (no film formation) ) 5 4.5 × 10 8 95.2 4.7 9H 6 23.5 93.1 12.1 3H 7 8.3 95.2 3.0 Less than HB (with film unevenness) 8 20.2 93.0 11.5 2H ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━

【0043】比較例2ではITO濃度が低いため、膜厚
が薄く、また均一な膜が得られなかった。また形成した
膜の表面抵抗が高いため電界シールド膜として効果が得
られない。比較例3ではITO濃度が高い例を示してい
る。比較例3の処理液を用いて形成した膜は、厚くなり
一部において割れが発生した。また膜の均一性において
も問題がある。比較例4は、ITOに対するシリケート
の比が小さい例を示している。シリケートの含有率が低
いとほとんど成膜せず、表面抵抗を計る際、その測定用
プローブで膜が損傷をうけてしまう。比較例5では、シ
リケートのITO粉末に対する含有率が大きい場合の例
を示している。この場合には、得られた膜の表面抵抗が
高く、電界シールド効果がないことがわかる。
In Comparative Example 2, since the ITO concentration was low, the film thickness was thin and a uniform film could not be obtained. Further, since the formed film has high surface resistance, it cannot be effective as an electric field shield film. Comparative Example 3 shows an example in which the ITO concentration is high. The film formed using the treatment liquid of Comparative Example 3 became thicker and some cracks occurred. There is also a problem with the uniformity of the film. Comparative Example 4 shows an example in which the ratio of silicate to ITO is small. If the content of silicate is low, the film is hardly formed, and the film is damaged by the measuring probe when measuring the surface resistance. Comparative Example 5 shows an example in which the content of silicate in the ITO powder is large. In this case, it can be seen that the obtained film has high surface resistance and no electric field shielding effect.

【0044】比較例6,7,8は、実施例6に対する比
較対象となるものである。比較例6では、NMP含有率
が1重量%未満の例を示している。この場合には、IT
O微粒子の分散性が悪く、ヘイズが高いことがわかる。
比較例7では、NMP含有率が20重量%以上の例を示
している。この場合には、成膜性が悪く、膜強度が低い
ことがわかる。比較例8では、表2の実施例6に示す処
理液と同一組成ではあるが、処理液の調製方法(ITO
粒子の分散方法)を変えた場合の例である。この場合に
は、ITO粒子の分散性が悪く、ヘイズが高いことがわ
かる。
Comparative Examples 6, 7 and 8 are to be compared with Example 6. Comparative Example 6 shows an example in which the NMP content is less than 1% by weight. In this case, IT
It can be seen that the dispersibility of the O fine particles is poor and the haze is high.
Comparative Example 7 shows an example in which the NMP content is 20% by weight or more. In this case, it is found that the film forming property is poor and the film strength is low. In Comparative Example 8, although the composition was the same as that of the treatment liquid shown in Example 6 of Table 2, a method for preparing the treatment liquid (ITO
This is an example when the method of dispersing particles) is changed. In this case, it can be seen that the dispersibility of ITO particles is poor and the haze is high.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように本発明によるときには、導
電性粒子に、錫含有量1〜10重量%,平均粒径が50
nm以下のインジウム錫酸化物粒子(ITO)を用い、
結合剤にアルキルシリケート、極性溶媒にN−メチル−
2ピロジノン及びエタノール,アセトン,テトラヒドロ
キノンなどを選定使用して、低温焼成により、表面抵抗
が小さく、塗布,スプレー,スピンコートによる成膜が
可能な電界シールド用処理液が得られる。特に、アルキ
ルシリケートの含有量0.1〜6重量%、さらに、IT
O粒子と、アルキルシリケートとの混合比を重量比で
0.1〜0.6に選定してヘイズ値,表面抵抗値が適正
な透明導電膜が得られ、陰極線管の表面処理に適用して
漏洩電界による障害を有効に阻止できる効果を有する。
As described above, according to the present invention, the conductive particles have a tin content of 1 to 10% by weight and an average particle size of 50.
using indium tin oxide particles (ITO) of
Alkyl silicate as binder, N-methyl- as polar solvent
By selecting and using 2pyridinone, ethanol, acetone, tetrahydroquinone, etc., a low-temperature firing gives a processing liquid for electric field shielding which has a small surface resistance and enables film formation by coating, spraying or spin coating. In particular, the content of alkyl silicate is 0.1 to 6% by weight, and IT
By selecting the mixing ratio of O particles and alkyl silicate in a weight ratio of 0.1 to 0.6, a transparent conductive film having an appropriate haze value and surface resistance value can be obtained, and applied to the surface treatment of a cathode ray tube. It has an effect of effectively preventing the obstacle due to the leakage electric field.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ITO含有量と表面抵抗およびヘイズ値との関
係を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between an ITO content and a surface resistance and a haze value.

フロントページの続き (72)発明者 折田 桂一 東京都品川区西五反田7丁目9番4号 東 北化工株式会社内Front page continuation (72) Keiichi Orita Inventor Keiichi Orita 7-9-4 Nishigotanda, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Tohoku Kako Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 インジウム錫酸化物粉末と結合剤とを極
性溶媒に分散させた電界シールド用処理液であって、 インジウム錫酸化物粉末は、錫含有量が1〜10重量
%,平均粒径50nm以下であり、1〜15重量%含有
し、 結合剤は、アルキル基がメチル,エチル,プロピル,ブ
チルのアルキルシリケートであり、アルキルシリケート
の含有量は0.1〜6重量%であり、 極性溶媒は、N−メチル−2ピロリジノンと、エタノー
ル,アセトン,テトラヒドロキシフラン,イソプロピル
アルコール,ジアセトンアルコール,ジメチルフォルム
アミドの内の1以上とを含有するものであることを特徴
とする電界シールド用処理液。
1. A treatment liquid for electric field shield in which indium tin oxide powder and a binder are dispersed in a polar solvent, wherein the indium tin oxide powder has a tin content of 1 to 10% by weight and an average particle diameter. 50 nm or less, containing 1 to 15 wt%, the binder is an alkyl silicate whose alkyl group is methyl, ethyl, propyl, butyl, the content of alkyl silicate is 0.1 to 6 wt%, and polar. The solvent contains N-methyl-2pyrrolidinone and one or more of ethanol, acetone, tetrahydroxyfuran, isopropyl alcohol, diacetone alcohol, and dimethylformamide. liquid.
【請求項2】 インジウム錫酸化物粉末とアルキルシリ
ケートとの混合比は、重量比で0.1〜0.6である請
求項1に記載の電界シールド用処理液。
2. The treatment liquid for electric field shield according to claim 1, wherein the mixing ratio of the indium tin oxide powder and the alkyl silicate is 0.1 to 0.6 in weight ratio.
【請求項3】 極性溶媒は、N−メチル−2ピロリジノ
ンとエタノールとを含むものであり、N−メチル−2ピ
ロリジノンの含有量は、1〜20重量%、エタノールの
含有量は、25〜90重量%であることを特徴とする請
求項1に記載の電界シールド用処理液。
3. The polar solvent contains N-methyl-2pyrrolidinone and ethanol, the content of N-methyl-2pyrrolidinone is 1 to 20% by weight, and the content of ethanol is 25 to 90. The treatment liquid for electric field shield according to claim 1, wherein the treatment liquid is wt%.
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