JPH08172145A - Semiconductor device and heat dissipating parts - Google Patents

Semiconductor device and heat dissipating parts

Info

Publication number
JPH08172145A
JPH08172145A JP6333851A JP33385194A JPH08172145A JP H08172145 A JPH08172145 A JP H08172145A JP 6333851 A JP6333851 A JP 6333851A JP 33385194 A JP33385194 A JP 33385194A JP H08172145 A JPH08172145 A JP H08172145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
heat sink
package
group
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6333851A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chikayoshi Azuma
千加良 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Japan Ltd
Original Assignee
Texas Instruments Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Japan Ltd filed Critical Texas Instruments Japan Ltd
Priority to JP6333851A priority Critical patent/JPH08172145A/en
Publication of JPH08172145A publication Critical patent/JPH08172145A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

PURPOSE: To provide a semiconductor device which does not require any additional device by preventing a heat sink from being eliminated and falling off and improving the heat dissipating performance and reliability of a package and at the same time improving working efficiency when assembling a package or manufacturing the heat sink. CONSTITUTION: A semiconductor chip 2 and a sheet-shaped heat sink 21 consist of a package 40 which is sealed by a sealing material 3, the heat sink 21 has a first main surface, a second main surface, and a side surface between both main surfaces, a first cut-out group with a specific pattern is provided at the boundary line part between the first main surface and the side surface, a second group of cut-out 29B with a specific pattern is provided at the boundary line part between the second main surface and the side surface, and each cut-out of the first cut-out group and each cut-out 29B of the second cut-out group are provided while they are shifted by half pitch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップが放熱性
部品(例えば、ヒートシンクとしての放熱板:以下、放
熱板と称する。)と共に封止材(例えば、絶縁性及び耐
湿性のある樹脂)によって封止されたパッケージからな
る半導体装置及び放熱性部品に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip and a heat radiating component (for example, a heat radiating plate as a heat sink: hereinafter referred to as a heat radiating plate) and a sealing material (for example, a resin having insulation and moisture resistance). The present invention relates to a semiconductor device and a heat-radiating component that are formed by a package sealed by.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のパッケージの放熱性を向
上させるため、熱伝導の良い金属、例えば銅又はアルミ
ニウム等を放熱板として用い、パッケージ内部に樹脂封
止している。この金属製の放熱板はヒートシンク又はヒ
ートスプレッダと称される。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to improve the heat dissipation of a package of this type, a metal having good heat conductivity, such as copper or aluminum, is used as a heat dissipation plate and is sealed with a resin inside the package. This metal heat sink is called a heat sink or a heat spreader.

【0003】図22〜図24には、こうしたヒートシンク1
を半導体集積回路チップ(半導体チップ)2と共にエポ
キシ樹脂3等によって封止した例えばQFP(Quad Fla
t Package)タイプのほぼ長方形のパッケージ構造の一例
10(モールド厚は 2.7mm)が示されている。
22 to 24 show such a heat sink 1
A semiconductor integrated circuit chip (semiconductor chip) 2 and an epoxy resin 3 etc.
(T Package) type almost rectangular package structure
10 (mold thickness is 2.7 mm) is shown.

【0004】即ち、ダイパッド4上にマウントされた半
導体チップ2がワイヤ5によってリードフレーム6のイ
ンナーリード7(ここではチップの四辺に対向して設け
た。)にワイヤボンディングされ、ダイパッド4がヒー
トシンク1に接着された状態で、全体が樹脂3によって
封止されている。なお、図中の8は樹脂モールド時のエ
ジェクタピンの跡形である。
That is, the semiconductor chip 2 mounted on the die pad 4 is wire-bonded to the inner leads 7 of the lead frame 6 (here, they are provided so as to face the four sides of the chip) by the wires 5, and the die pad 4 is heat-sunk. The whole is sealed with the resin 3 in a state of being adhered to. It should be noted that reference numeral 8 in the figure is a trace of the ejector pin at the time of resin molding.

【0005】こうしたパッケージ構造において、半導体
チップ2がドライブ用のリニアIC等の如き自己発熱性
のデバイスを内蔵していると、その熱をリードフレーム
6を通して放散させるだけでは不十分であり、パッケー
ジ10の外面に露出して配されたヒートシンク1を用いて
ダイパッド4から直接にパッケージ外へ放熱することが
必要となる。
In such a package structure, if the semiconductor chip 2 contains a self-heating device such as a linear IC for a drive, it is not enough to dissipate the heat through the lead frame 6, and the package 10 It is necessary to radiate heat directly from the die pad 4 to the outside of the package by using the heat sink 1 exposed on the outer surface of the die.

【0006】図25〜図27は、このパッケージ10の樹脂モ
ールド工程が示されている。金型11の下型11Aには、上
型11Bとで形成されるキャビティ12の一部分を形成する
凹部13を設け、この凹部13内の所定位置にまずヒートシ
ンク1をセットする。
25 to 27 show a resin molding process of the package 10. The lower mold 11A of the mold 11 is provided with a recess 13 forming a part of the cavity 12 formed with the upper mold 11B, and the heat sink 1 is first set in a predetermined position in the recess 13.

【0007】そして次に、ヒートシンク1の上面に、必
要とあれば接着剤を介して、半導体チップ2をマウント
したダイパッド4、インナーリード7、アウターリード
17を一体に支持してなるリードフレーム6(例えば42ア
ロイ等)を下型11A上にセットする。
Then, the die pad 4, on which the semiconductor chip 2 is mounted, the inner lead 7, and the outer lead are mounted on the upper surface of the heat sink 1 with an adhesive if necessary.
A lead frame 6 (for example, 42 alloy or the like) integrally supporting 17 is set on the lower mold 11A.

【0008】次に、上型11Bを下型11Aに接合し、これ
らの両型間にリードフレーム6を固定する。この状態
で、金型11に設けた注入口(ゲート)(図示せず)から
モールド用の樹脂をキャビティ12内に加圧下で注入し、
キャビティ12に対応した形状に樹脂をトランスファ成形
し、図27に示す如くに半導体チップを樹脂3によってモ
ールドする。なお、図25中の15及び16は、このトランス
ファ成形時に上型11Bを分離後に成形品(パッケージ)
を下型11Aから取り出すのに用いるエジェクタピンであ
る。
Next, the upper mold 11B is joined to the lower mold 11A, and the lead frame 6 is fixed between these two molds. In this state, a molding resin is injected into the cavity 12 under pressure from an injection port (gate) (not shown) provided in the mold 11,
A resin is transfer-molded into a shape corresponding to the cavity 12, and a semiconductor chip is molded with the resin 3 as shown in FIG. In addition, 15 and 16 in FIG. 25 are molded products (packages) after separating the upper mold 11B during this transfer molding.
Is an ejector pin used to take out from the lower mold 11A.

【0009】このトランスファ成形後は、リードフレー
ム6の不要部分をトリミング作業により除去し、更にそ
のアウターリード17を図21に示した如くに折曲加工し、
いわゆるガルウィング型のパッケージ10を完成させる。
After this transfer molding, unnecessary portions of the lead frame 6 are removed by trimming work, and the outer leads 17 are bent as shown in FIG.
A so-called gull wing type package 10 is completed.

【0010】こうして作製されたパッケージ10において
は、半導体チップ2のダイパッド4に近接若しくは接触
したヒートシンク1はパッケージ10の表面に露出してお
り、半導体チップ2の発熱によって生じる熱をパッケー
ジ外に放散する。
In the package 10 thus manufactured, the heat sink 1 in the vicinity of or in contact with the die pad 4 of the semiconductor chip 2 is exposed on the surface of the package 10, and the heat generated by the heat generation of the semiconductor chip 2 is dissipated to the outside of the package. .

【0011】ヒートシンク1の形状は、上記の図22〜図
27に例示したように、銅等からなる長方形の金属板の四
隅を円弧状に切除したものである。この切除部分18はす
べて同一形状であって、上記した金型にセットする際に
ヒートシンク1を位置決めするのに用いられる。
The shape of the heat sink 1 is as shown in FIGS.
As illustrated in FIG. 27, the four corners of a rectangular metal plate made of copper or the like are cut into arc shapes. All the cutout portions 18 have the same shape and are used for positioning the heat sink 1 when the heat sink 1 is set in the mold.

【0012】こうしたヒートシンク1の形状は、パッケ
ージ10の構造に応じて様々な形状をとり得る。しかし、
樹脂封止材料3(一般にエポキシ樹脂)とヒートシンク
1とは、各々の材料特性の違いによって熱膨張係数が互
いに異なっているため、パッケージが受ける種々の熱ス
トレスによって、樹脂3とヒートシンク1との界面に剥
離(極小の隙間)が生じてしまう。
The shape of the heat sink 1 can take various shapes depending on the structure of the package 10. But,
Since the resin sealing material 3 (generally an epoxy resin) and the heat sink 1 have different thermal expansion coefficients due to the difference in their material characteristics, the interface between the resin 3 and the heat sink 1 is affected by various thermal stresses that the package receives. Peeling (minimum gap) occurs on the surface.

【0013】例えば、図28に示すように、ガルウィング
型のパッケージ10のアウターリード17の先端部をプリン
ト配線板(図示せず)上に赤外線照射下での半田リフロ
ーで接続する際の熱によって、樹脂3とヒートシンク1
との界面が剥離し、この剥離箇所で放熱性が劣化した
り、耐湿性が不良となり、クラックが発生したり、ま
た、場合によっては仮想線のようにヒートシンク1がパ
ッケージから脱落することがある。これでは、パッケー
ジの放熱性能が得られないと共に信頼性が著しく低下す
ることになる。
For example, as shown in FIG. 28, due to the heat generated when the tip ends of the outer leads 17 of the gull wing type package 10 are connected to a printed wiring board (not shown) by solder reflow under infrared irradiation, Resin 3 and heat sink 1
The interface between the heat sink 1 and the heat sink 1 may be peeled off, the heat dissipation may be deteriorated at this peeled portion, the moisture resistance may be poor, and a crack may be generated. In some cases, the heat sink 1 may fall off from the package like a virtual line. . With this, the heat radiation performance of the package cannot be obtained, and the reliability is significantly lowered.

【0014】図29には、上記した半田リフローによる半
田付け後のパッケージ10(モールド厚は 2.7mm)の超音
波探査画像を示す。ここでは、サンプルは次の通りのも
のであった。
FIG. 29 shows an ultrasonic probe image of the package 10 (mold thickness is 2.7 mm) after soldering by the solder reflow described above. Here, the sample was as follows:

【0015】パッケージ10:128ピンのQFP(14.0
×20.0×2.7(t)mm) 半導体チップ2:熱抵抗測定用チップ(6.0×6.0mm 、11
(t)mil) リードフレーム6:銅合金製(ダイパッド4のサイズ:
13.50 ×9.50mm) マウント材:銀フィラー入りのエポキシ樹脂(半導体チ
ップ2とダイパッド4との接着剤) モールド樹脂3:エポキシ系モールド樹脂 ヒートシンク1:銅合金製(0.5(t)mm、Niメッキ1〜
5μm)
Package 10: 128-pin QFP (14.0
Semiconductor chip 2: Thermal resistance measurement chip (6.0 × 6.0 mm, 11 × 20.0 × 2.7 (t) mm)
(t) mil) Lead frame 6: Made of copper alloy (size of die pad 4:
13.50 × 9.50mm) Mount material: Epoxy resin containing silver filler (adhesive between semiconductor chip 2 and die pad 4) Mold resin 3: Epoxy type mold resin Heat sink 1: Made of copper alloy (0.5 (t) mm, Ni plating 1) ~
5 μm)

【0016】図29において、各測定条件A、B、Cは次
のようにした。 条件A:樹脂モールド後に熱抵抗Rθja測定。 条件B:樹脂モールド後に、85℃、60%RH(相対湿度)
で72時間吸湿+215℃で60秒間のベーパーフェィズ・リ
フロー処理を3回繰り返し(ストレスI)後に熱抵抗R
θja測定。 条件C:条件Bの後、更に85℃、60%RH(相対湿度)で
168時間吸湿+215℃で60秒間のベーパーフェィズ・リ
フロー処理を3回繰り返し(ストレスII)後に熱抵抗R
θja測定。
In FIG. 29, the measurement conditions A, B and C are as follows. Condition A: Thermal resistance Rθja measurement after resin molding. Condition B: 85 ° C, 60% RH (relative humidity) after resin molding
After 72 hours of moisture absorption + 215 ° C for 60 seconds, vapor phase reflow treatment is repeated 3 times (stress I) before thermal resistance R
θja measurement. Condition C: After condition B, at 85 ° C, 60% RH (relative humidity)
Heat resistance R after repeating 168 hours moisture absorption + 215 ° C for 60 seconds vapor phase reflow treatment 3 times (stress II)
θja measurement.

【0017】図29には、2個のサンプルについての超音
波探査画像を示したが、各画像の上部に記した数字は熱
抵抗Rθjaを表し、下記のように定義され(VLSI
パッケージング技術(上)「熱抵抗の測定」, P180〜19
0 、日経BP社刊参照)、値が小さい程放熱し易いこと
を示す。
FIG. 29 shows ultrasonic probe images for two samples. The numbers above each image represent the thermal resistance Rθja and are defined as follows (VLSI
Packaging technology (above) "Measurement of thermal resistance", P180 ~ 19
0, see Nikkei BP), the smaller the value, the easier it is to radiate heat.

【0018】 Rθja=(Tj−Ta)/Q 〔単位:℃/W〕 ここで、Tj(℃)は半導体チップのジャンクション温
度(熱電対で測定)。Ta(℃)はパッケージの周囲温
度(電気的パラメータを用いて測定:TSP法(Temper
ature sensitive parameter method))。Q(W)はパ
ッケージ内で消費する全電力。
Rθja = (Tj−Ta) / Q [Unit: ° C / W] Here, Tj (° C) is the junction temperature of the semiconductor chip (measured by a thermocouple). Ta (° C) is the ambient temperature of the package (measured using electrical parameters: TSP method (Temper
ature sensitive parameter method)). Q (W) is the total power consumed in the package.

【0019】また、図29の各画像の下部に記した数字
は、条件A→条件B、条件Cへと処理したときの熱抵抗
の増加割合を表し、そのカッコ内には上記した界面剥離
箇所の面積割合を表す。但し、界面剥離が生じている箇
所は、画像上では白っぽく見える部分である。
Further, the numbers shown at the bottom of each image in FIG. 29 represent the increasing rate of the thermal resistance when processed from condition A to condition B and condition C. Represents the area ratio. However, the part where the interface peeling occurs is a part that looks whitish on the image.

【0020】この結果から明らかなように、吸水+熱ス
トレスの処理(加速劣化試験)によって、ヒートシンク
1の剥離が存在していた場合には熱抵抗値が増大し、剥
離も一層進行することがある。
As is clear from the results, when the heat sink 1 is peeled off by the treatment of water absorption + heat stress (accelerated deterioration test), the heat resistance value is increased and the peeling is further promoted. is there.

【0021】[0021]

【発明に至る経過】上記したことから、ヒートシンク1
が半田リフロー時等において熱による膨張、収縮を繰り
返す際に、モールド樹脂3との接合界面に与える機械的
ストレスを最小限に抑えるようなヒートシンク形状の工
夫が重要である。
Process leading to the invention From the above, the heat sink 1
It is important to devise the shape of the heat sink so as to minimize the mechanical stress applied to the bonding interface with the mold resin 3 when repeatedly expanding and contracting due to heat during solder reflow.

【0022】ヒートシンク1は、金型による打抜き又は
エッチングによって製造することが一般的である。これ
らの製法により、熱ストレスを小さく抑えるためのヒー
トシンクは、その形状及び構造を工夫することによって
実現は可能である。
The heat sink 1 is generally manufactured by punching with a die or etching. By these manufacturing methods, a heat sink for suppressing thermal stress can be realized by devising its shape and structure.

【0023】例えば、図30及び図31に示すように、ヒー
トシンク1の四辺の側縁に切欠き19を各側縁に沿って形
成し、ひさし状の凸条部20をそれぞれ形成すると、樹脂
モールドしたパッケージにおいて樹脂3からヒートシン
ク1が剥離しようとしてもその凸条部20がストッパ(抜
け止め)として作用し、ヒートシンク1の剥離を減少さ
せ、脱落を防ぐことができる。
For example, as shown in FIGS. 30 and 31, when the notches 19 are formed on the four side edges of the heat sink 1 along the respective side edges and the eave-shaped ridges 20 are formed respectively, the resin mold is formed. Even if the heat sink 1 is peeled off from the resin 3 in the package, the ridge portion 20 acts as a stopper (prevention of coming off) to reduce the peeling of the heat sink 1 and prevent the heat sink 1 from falling off.

【0024】しかしながら、このようにヒートシンク1
の形状を変更する場合、例えばその厚み方向における形
状の対称性が失われるため、図25で示した如き金型への
セット時に表、裏を誤ってセットしてしまったときに
は、図32に示すようにモールドされてしまう。
However, the heat sink 1
When changing the shape of, for example, because the symmetry of the shape in the thickness direction is lost, when the front and back are mistakenly set when set in the mold as shown in FIG. It will be molded like.

【0025】即ち、ヒートシンク1の上記した凸条部20
がパッケージ10の外面側に、切欠き部(凹部)19がその
内部に位置してしまうので、凸条部20は上記したストッ
パの作用を果たさないことになり、ヒートシンク1が樹
脂3から剥離し易くなる。
That is, the above-mentioned ridge portion 20 of the heat sink 1
Since the notch (recess) 19 is located inside the package 10 on the outer surface side thereof, the protrusion 20 does not function as the stopper described above, and the heat sink 1 is separated from the resin 3. It will be easier.

【0026】従って、これを避けるには、その表、裏を
選択しながらヒートシンク1を金型にセットする必要が
あり、作業性が低下したり、或いは、表、裏の方向性を
検知するための装置を付加する必要がある。これでは、
工数が増加し、また、検知ミスもなくせないために不良
品の発生は防止できない。
Therefore, in order to avoid this, it is necessary to set the heat sink 1 in the mold while selecting the front side and the back side, which reduces workability or detects the directionality of the front side and the back side. It is necessary to add the device. With this,
Since the number of man-hours is increased and the detection error cannot be eliminated, the generation of defective products cannot be prevented.

【0027】また、ヒートシンク1を作製する段階で
も、上記の凸条部20又は切欠き部19を設ける側を特定し
て加工する必要があり、これも作業性等の点で上記と同
様の欠点がある。
In addition, even at the stage of manufacturing the heat sink 1, it is necessary to specify and process the side on which the above-mentioned ridge portion 20 or the notch portion 19 is provided. This is also the same drawback as the above in terms of workability. There is.

【0028】[0028]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
したヒートシンクの如き放熱性部品の剥離や脱落をなく
してパッケージの信頼性を向上させると共に、パッケー
ジの組み立てや放熱性部品の作製においても作業性を向
上させ、付加的装置を必要としない半導体装置、及びこ
れに用いる放熱性部品を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the reliability of a package by eliminating the peeling and dropping of the heat dissipation component such as the heat sink described above, and also in the assembly of the package and the production of the heat dissipation component. (EN) A semiconductor device which improves workability and does not require an additional device, and a heat dissipation component used for the same.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、半導体
チップと放熱性部品(特に板状放熱性部品)とが共に封
止材によって封止されたパッケージからなり、前記放熱
性部品は第1の主面と第2の主面とこれら両主面間の側
面とを有し、前記第1の主面と前記側面との境界線部に
おいて所定のパターンの第1の切欠き群が設けられ、前
記第2の主面と前記側面との境界線部において所定のパ
ターンの第2の切欠き群が設けられ、前記第1の切欠き
群の各切欠きと前記第2の切欠き群の各切欠きとは相互
に分離されて配設されている半導体装置に係るものであ
る。
That is, the present invention comprises a package in which a semiconductor chip and a heat-dissipating component (particularly a plate-shaped heat-dissipating component) are both sealed by a sealing material, and the heat-dissipating component is a first package. A first notch group having a first pattern, a second main surface, and a side surface between the two main surfaces, and having a predetermined pattern at a boundary part between the first main surface and the side surface. And a second notch group having a predetermined pattern is provided at a boundary line portion between the second main surface and the side surface, and each notch of the first notch group and the second notch group. Each of the notches relates to a semiconductor device that is arranged separately from each other.

【0030】本発明の半導体装置によれば、前記側面に
前記第1及び第2の切欠き群を互いに分離してそれぞれ
有する前記放熱性部品(例えば、ヒートシンク)を用い
ているので、この放熱性部品の各主面のいずれの側を向
けても(例えば前記放熱性部品をその表、裏を誤ってセ
ットし、封止された場合でも)、即ち、方向性を選ばず
にセットしても、前記第1及び第2の切欠き群のいずれ
かによるストッパ作用を確実かつ十二分に発揮すること
ができる。
According to the semiconductor device of the present invention, since the heat radiating component (for example, heat sink) having the first and second notch groups separated from each other on the side surface is used, this heat radiating property is used. Whichever side of each major surface of the component is facing (for example, even if the heat-dissipating component is mistakenly set on the front side and the back side and sealed), that is, set regardless of the directionality The stopper action by any of the first and second notch groups can be reliably and sufficiently exerted.

【0031】このため、封止材からの放熱性部品の剥離
を確実になくし、また、その脱落も生じることはない。
これによって、表、裏を選択しなくても放熱性部品をセ
ットしてよいことになるから、パッケージの組み立ての
作業性が向上し、また、放熱性部品の表、裏を検知する
装置を付加する必要もない。
Therefore, peeling of the heat radiation component from the sealing material is surely prevented, and the heat radiation component does not fall off.
As a result, the heat radiation components can be set without selecting the front and back sides, improving the workability of the package assembly and adding a device to detect the front and back sides of the heat radiation components. You don't even have to.

【0032】また、前記放熱性部品の作製時にも、放熱
性部品の表、裏の選択を行う必要はなく、エッチングや
スタンピング等による凹凸の加工が容易となる。
Also, when manufacturing the heat-dissipating component, it is not necessary to select the front and back sides of the heat-dissipating component, and it is easy to process the unevenness by etching, stamping or the like.

【0033】こうして、前記放熱性部品が熱ストレスを
受けた場合に前記切欠き群によってその熱ストレス(熱
による機械的な応力)を緩和し、放熱性部品の剥離、脱
落を確実に防止し、パッケージの信頼性を保持すること
ができる。
Thus, when the heat radiation component is subjected to heat stress, the heat stress (mechanical stress due to heat) is alleviated by the notch group, and the heat radiation component is surely prevented from peeling and dropping. The reliability of the package can be maintained.

【0034】本発明の半導体装置において、放熱性部品
の第1の切欠き群の各切欠きと第2の切欠き群の各切欠
きとは位置的に相互にずれて配設されているのがよい。
In the semiconductor device of the present invention, the notches of the first notch group and the notches of the second notch group of the heat-dissipating component are arranged so as to be positionally offset from each other. Is good.

【0035】また、放熱性部品の第1の切欠き群と第2
の切欠き群とがほぼ同一パターンであるのがよい。
Further, the first cutout group and the second cutout group of the heat radiation component are
It is preferable that the notch group and the notch group have substantially the same pattern.

【0036】また、放熱性部品の第1の切欠き群と第2
の切欠き群とのパターンが波状であって互いに半ピッチ
ずれているのが望ましい。
Further, the first notch group and the second
It is desirable that the pattern with the group of notches is wavy and deviated from each other by a half pitch.

【0037】また、放熱性部品の第1及び第2の切欠き
群が前記放熱性部品の側面のほぼ全域に亘って形成され
ていてよい。
The first and second cutout groups of the heat-dissipating component may be formed over substantially the entire side surface of the heat-dissipating component.

【0038】そして、放熱性部品の第1の切欠き群と第
2の切欠き群とのうち少なくとも一方が封止材の内部に
埋没され、この封止材と嵌合しているのがよい。
It is preferable that at least one of the first cutout group and the second cutout group of the heat-dissipating component is buried inside the sealing material and fitted with this sealing material. .

【0039】本発明はまた、半導体チップと放熱性部品
(特に板状放熱性部品)とが共に封止材によって封止さ
れたパッケージからなり、前記放熱性部品は第1の主面
と第2の主面とこれら両主面間の側面とを有し、この側
面にその側縁に沿って延びる凹条部と凸条部とが形成さ
れている半導体装置も提供するものである。これらの凹
条部及び凸条部によって、上記した切欠き群と同等のス
トッパ作用が得られる。
The present invention also comprises a package in which a semiconductor chip and a heat-dissipating component (particularly a plate-shaped heat-dissipating component) are both sealed with a sealing material, and the heat-dissipating component has a first main surface and a second main surface. The present invention also provides a semiconductor device having a main surface and a side surface between the two main surfaces, and a concave line portion and a convex line portion extending along the side edge of the side face. With these concave and convex portions, a stopper action equivalent to that of the above-described cutout group can be obtained.

【0040】本発明の上記の各半導体装置においては、
放熱性部品の主面の平面的な形状が少なくとも線対称で
あることが望ましい。
In each of the above semiconductor devices of the present invention,
It is desirable that the planar shape of the main surface of the heat dissipation component is at least line-symmetric.

【0041】また、放熱性部品の側面に位置決め用の切
除部が設けられているのがよい。
Further, it is preferable that a cutting portion for positioning be provided on the side surface of the heat radiating component.

【0042】本発明の半導体装置においては、具体的に
は、半導体チップがダイパッドにマウントされ、このダ
イパッドに放熱板が近接若しくは接触した状態で全体が
樹脂封止されており、放熱性部品が前記放熱板及び/又
は前記ダイパッドである。
In the semiconductor device of the present invention, specifically, the semiconductor chip is mounted on the die pad, and the entire die is sealed with resin in the state where the radiator plate is close to or in contact with the die pad. A heat sink and / or the die pad.

【0043】また、本発明は、上記した顕著な効果を奏
する放熱性部品、即ち、側面において上記した第1及び
第2の切欠き群を有するか、或いは上記した凹条部及び
凸条部を有する放熱性部品も提供するものである。
Further, the present invention has a heat-dissipating component having the above-mentioned remarkable effect, that is, it has the above-mentioned first and second cutout groups on its side surface, or has the above-mentioned concave stripes and convex stripes. It also provides a heat-dissipating component having the same.

【0044】[0044]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【0045】図1〜図14は、本発明をQFPタイプのパ
ッケージに適用した実施例を示すものである(但し、図
22〜図32に示した従来例と共通する部分には共通符号を
付し、その説明を省略することがある:以下の他の実施
例でも同様)。
1 to 14 show an embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package (however,
22 to 32, parts common to those of the conventional example are denoted by common reference numerals, and description thereof may be omitted: the same applies to other embodiments described below).

【0046】本実施例のパッケージ40によれば、樹脂封
止された半導体チップ2の放熱に用いるヒートシンク
(放熱板又はヒートスプレッダ)21がパッケージ40の外
面に露出して配されているが、ヒートシンク21の側面に
おいて、その厚み方向に表側の波状の切欠き29Aの群と
裏側の波状の切欠き29Bの群とを側縁31に沿って交互に
(即ち、位置的に半ピッチずつずらして)分離して有し
ていることが特徴的である。切欠き29Aと29Bの群は同
一パターンとなっている。そして、切欠き29Aによって
裏側には凸部30Bが、切欠き29Bによって表側には凸部
30Aがやはり側縁31に沿って交互に配されることにな
る。
According to the package 40 of the present embodiment, the heat sink (radiating plate or heat spreader) 21 used for radiating the resin-sealed semiconductor chip 2 is arranged so as to be exposed on the outer surface of the package 40. On the side surface of the, the group of the wavy cutouts 29A on the front side and the group of the wavy cutouts 29B on the back side are alternately (that is, positionally shifted by half pitch) separated in the thickness direction. It is characteristic that it has. The groups of notches 29A and 29B have the same pattern. The notch 29A causes a convex portion 30B on the back side, and the notch 29B causes a convex portion on the front side.
The 30A are also arranged alternately along the side edge 31.

【0047】このヒートシンク21は、ニッケルメッキを
施した銅板を図2及び図3に明示する如き形状に打抜き
又はエッチング等で加工したものであり、互いに平行な
左右、前後方向における対向辺のうち、前後の対向辺の
両側には位置決め用の切除部分18に連設した突出部41が
それぞれ設けられ、これらの突出部の側面にも上記した
切欠き29A、29B及び凸部30A、30Bがやはり交互に形
成されている。これらの切欠きや凸部は、図4に示すよ
うに、ヒートシンクの側面の全域に亘って設けられてい
てもよい。
The heat sink 21 is formed by punching or etching a nickel-plated copper plate into a shape as clearly shown in FIGS. 2 and 3. Protrusions 41 are provided on both sides of the front and rear opposite sides, which are connected to the cutout portion 18 for positioning. The cutouts 29A and 29B and the protrusions 30A and 30B are also alternately formed on the side surfaces of these protrusions. Is formed in. As shown in FIG. 4, these notches and protrusions may be provided over the entire side surface of the heat sink.

【0048】そして、ヒートシンク21は、上記した形状
によって、その厚み方向、前後方向及び左右方向のいず
れにおいても実質的に方向性がなく、各方向での向きを
逆にしても実質的に同等の形状を呈している。即ち、厚
み方向では表、裏のいずれを向けても側面の形状は同等
であり、また、前後及び左右方向では、ほぼ線対称の同
等の形状になっている。
Due to the above-described shape, the heat sink 21 has substantially no directivity in any of the thickness direction, the front-rear direction, and the left-right direction, and even if the directions in each direction are reversed, they are substantially equivalent. It has a shape. That is, in the thickness direction, the shape of the side surface is the same whether facing the front or the back, and in the front-rear direction and the left-right direction, the shapes are substantially line-symmetrical.

【0049】なお、側面の切欠きについては、図3中に
A’で示すように、表側の切欠き29Aと裏側の切欠き29
Bとが位置的に重なり合い、これらの間に凸条部30を設
けるようにしても、図3中のAと同等に後述するストッ
パ作用を発揮できる。
Regarding the notches on the side surface, as shown by A'in FIG. 3, the notch 29A on the front side and the notch 29 on the back side are provided.
Even if B and B overlap each other in position and the ridge portion 30 is provided between them, the stopper action described later can be achieved similarly to A in FIG.

【0050】厚み方向について図3〜図7で更に詳細に
説明すると、上記の切欠き29A及び29Bはヒートシンク
の厚みのほぼ1/2の深さにかつ円弧状に形成される
が、これは例えば塩化第二鉄を主成分とするエッチング
液によるハーフエッチングによって可能である。そし
て、ヒートシンク21の各部のサイズは次の通りとする。
The thickness direction will be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 7. The notches 29A and 29B are formed in an arc shape at a depth approximately half the thickness of the heat sink. It is possible by half etching with an etching solution containing ferric chloride as a main component. The size of each part of the heat sink 21 is as follows.

【0051】板厚t:0.08〜3.0mm (これはリードフレ
ーム6も同様) 切欠き29A及び29Bの大きさ(円弧の半径R): 0.5t
〜3t(これは小さすぎると凹凸の効果が弱くなり、大
きすぎると形状の同等さが低下し、ハンドリング性も損
ない易い。) 切欠き29A及び29Bのピッチ: 0.2〜0.6mm (これも小
さすぎると凹凸の効果が弱くなり、大きすぎると形状の
同等さが低下し、ハンドリング性も損ない易い。)
Thickness t: 0.08 to 3.0 mm (This is the same for the lead frame 6) Size of notches 29A and 29B (radius R of arc): 0.5t
-3t (If this is too small, the effect of unevenness is weakened, and if it is too large, the equality of the shape deteriorates and the handling is easy to be impaired.) Pitch of the notches 29A and 29B: 0.2 to 0.6mm (this is also too small And the effect of the unevenness becomes weak, and if it is too large, the equality of the shape is deteriorated and the handling property is likely to be impaired.)

【0052】このように、ヒートシンク21の側面におい
て切欠き29A及び29Bを交互に設けることによって、ヒ
ートシンク21の面が表、裏のいずれの側を向いてもその
側面形状は厚み方向において等価となる。これを図6及
び図7で説明する。
As described above, by alternately providing the notches 29A and 29B on the side surface of the heat sink 21, even if the surface of the heat sink 21 faces either the front side or the back side, the side surface shape becomes equivalent in the thickness direction. . This will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

【0053】即ち、図6のように樹脂モールドしたとき
に、切欠き29Bがパッケージの外面側に向くようにヒー
トシンク21がセットされると、プリント配線板42の回路
パターン43にアウターリード17を赤外線照射下での半田
リフローによる半田付け44で接続した際(但し、図中、
他のアウターリードについては半田付けの状態は図示省
略した:以下、同様)、切欠き29Bにより形成された凸
部30Aが樹脂3の内部に位置してストッパ作用をなす。
この結果、樹脂3とヒートシンク21との間に生じる機械
的ストレスを緩和し、樹脂3からのヒートシンク21の剥
離、脱落、クラックの発生を防止することができる。
That is, when the heat sink 21 is set so that the notch 29B faces the outer surface side of the package when resin-molded as shown in FIG. 6, the outer lead 17 is connected to the circuit pattern 43 of the printed wiring board 42 by infrared rays. When connected by soldering 44 by solder reflow under irradiation (however, in the figure,
Regarding the other outer leads, the soldering state is omitted in the drawings: the same shall apply hereinafter), and the convex portion 30A formed by the notch 29B is located inside the resin 3 to serve as a stopper.
As a result, the mechanical stress generated between the resin 3 and the heat sink 21 can be relaxed, and the heat sink 21 can be prevented from peeling off from the resin 3, falling off, and cracking.

【0054】他方、樹脂モールド時に、図6とは逆に図
7のようにヒートシンク21が表裏逆にセットされた場合
には、上記の凸部30Aがパッケージの外面側に向いてそ
のストッパ作用はなくなるが、今度は切欠き29Aにより
形成された凸部30Bが樹脂3の内部に位置してストッパ
作用をなすことになる。この結果、やはり樹脂3とヒー
トシンク21との間に生じる機械的ストレスを緩和し、樹
脂3からのヒートシンク21の剥離、脱落、クラックの発
生を防止できる。
On the other hand, at the time of resin molding, when the heat sink 21 is set upside down as shown in FIG. 7 contrary to FIG. 6, the above-mentioned convex portion 30A faces the outer surface side of the package and its stopper action is However, this time, the convex portion 30B formed by the notch 29A is located inside the resin 3 and functions as a stopper. As a result, the mechanical stress generated between the resin 3 and the heat sink 21 can be relieved, and the heat sink 21 can be prevented from peeling off from the resin 3, falling off, and cracking.

【0055】このように、ヒートシンク21を表側を向け
てセットしても、或いは、裏側を向けてセットしても、
切欠きで生じる凸部によるストッパ作用が得られるため
に、ヒートシンク21はその厚み方向における側面の形状
において表、裏のいずれを向けても等価である。
In this way, even if the heat sink 21 is set with its front side facing, or with its back side facing,
Since the stopper function is obtained by the convex portion generated by the notch, the shape of the side surface of the heat sink 21 in the thickness direction is equivalent whether the front surface or the back surface is oriented.

【0056】これによって、ヒートシンク21のセットに
おいてその表、裏の向きを配慮せずとも作業を行うこと
ができるから、パッケージ40の組み立てが容易となり、
また、表、裏を検知する装置は全く不要である。また、
ヒートシンク21の側面を加工して上記の切欠きを形成す
る作業においても、その表、裏を選択する必要なしにハ
ーフエッチング、スタンピング等の加工が可能となる。
As a result, the work can be performed in the set of the heat sink 21 without considering the orientation of the front and back sides, so that the assembly of the package 40 becomes easy,
Further, a device for detecting the front and back sides is completely unnecessary. Also,
Even in the work of processing the side surface of the heat sink 21 to form the above-mentioned notch, it is possible to carry out processing such as half etching and stamping without the need to select the front and back.

【0057】また、ヒートシンク21の平面形状を図2や
図4に示したように前後、左右方向においてほぼ線対称
とし、同等の対称形状としたので、ヒートシンク21は表
側と裏側とが平面的に同一形状となり、そのセット時に
方向性を配慮しなくてもよくなり、位置的制約がなくな
って作業性を向上させることができる。
As shown in FIGS. 2 and 4, the plane shape of the heat sink 21 is substantially line-symmetrical in the front-rear direction and the left-right direction, so that the heat sink 21 has the same symmetrical shape. Since the shapes are the same, there is no need to consider the directionality when setting them, and there is no positional restriction, and workability can be improved.

【0058】特に、本実施例のようにヒートシンク21が
パッケージの表面に露出したタイプのパッケージでは、
ヒートシンクの表裏の対称性が重要な要素となるため、
その側面の凹凸形状が極めて有効である。この側面の凹
凸形状により、ヒートシンクの脱落防止に効果があるこ
とは上記した通りである。
Particularly, in the package of the type in which the heat sink 21 is exposed on the surface of the package as in this embodiment,
Since the symmetry of the front and back of the heat sink is an important factor,
The uneven shape of the side surface is extremely effective. As described above, the uneven shape of the side surface is effective in preventing the heat sink from falling off.

【0059】薄型パッケージの場合、ヒートシンクも肉
厚の薄いものを選択する必要がある。この場合、表裏面
よりは側面の方が、凹凸を形成するには都合が良く、ま
た、凹凸をエッチングで形成するときには厚み方向の自
由度があまりないために側面での加工が有効である。
In the case of a thin package, it is necessary to select a thin heat sink. In this case, the side surface is more convenient for forming the unevenness than the front and back surfaces, and when the unevenness is formed by etching, there is not much freedom in the thickness direction, and therefore processing on the side surface is effective.

【0060】なお、ヒートシンク21の平面形状は、パッ
ケージ40に対応した長方形状とし、その四隅にはセット
時の位置決め用の円弧状の切除部18を設けている。
The heat sink 21 has a rectangular planar shape corresponding to the package 40, and arc-shaped cutout portions 18 for positioning at the time of setting are provided at four corners thereof.

【0061】また、ヒートシンク21の材質は種々採用で
きるが、Niメッキ又はCuO処理した銅板をはじめ、
アルミニウム板、アルマイト板、アルマイト被膜付きの
アルミニウム板、ベリリア板等が挙げられる。
Various materials can be used for the heat sink 21, but a Ni-plated or CuO-treated copper plate,
Examples thereof include an aluminum plate, an alumite plate, an aluminum plate with an alumite coating, and a beryllia plate.

【0062】図8及び図9(更には図10)は、本実施例
によるパッケージ40の完成品の断面及び裏面をそれぞれ
示すものであるが、このパッケージの製造工程、特に樹
脂モールド工程を図11〜図13について説明する。
FIG. 8 and FIG. 9 (and further FIG. 10) respectively show a cross section and a back surface of a completed product of the package 40 according to this embodiment. The manufacturing process of this package, particularly the resin molding process is shown in FIG. ~ FIG. 13 will be described.

【0063】図11及び図12に示すように、金型11の下型
11Aには、上型11Bとで形成されるキャビティ12の一部
分を形成する凹部13を設け、この凹部13内の所定位置に
まずヒートシンク21をセットする。
As shown in FIGS. 11 and 12, the lower mold of the mold 11
A recess 13 which forms a part of a cavity 12 formed with the upper mold 11B is provided in 11A, and a heat sink 21 is first set at a predetermined position in the recess 13.

【0064】そして次に、ヒートシンク21の上面に、必
要とあれば接着剤を介して、半導体チップ2をマウント
したダイパッド4、インナーリード7、アウターリード
17を一体に支持してなるリードフレーム6を下型11A上
にセットする。
Then, on the upper surface of the heat sink 21, a die pad 4, on which the semiconductor chip 2 is mounted, an inner lead 7, and an outer lead are mounted with an adhesive if necessary.
The lead frame 6 that integrally supports 17 is set on the lower mold 11A.

【0065】次に、上型11Bを下型11Aに接合し、これ
らの両型間にリードフレーム6を固定する。この状態
で、金型11に設けた注入口(ゲート)(図示せず)から
モールド用の樹脂をキャビティ12内に加圧下で注入し、
キャビティ12に対応した形状に樹脂をトランスファ成形
し、図13に示す如くに半導体チップを樹脂3によってモ
ールドする。なお、図12中の15及び16は、このトランス
ファ成形時に上型11Bを分離後に成形品(パッケージ)
を下型11Aから取り出すのに用いるエジェクタピンであ
る。
Next, the upper mold 11B is joined to the lower mold 11A, and the lead frame 6 is fixed between these two molds. In this state, a molding resin is injected into the cavity 12 under pressure from an injection port (gate) (not shown) provided in the mold 11,
A resin is transfer-molded into a shape corresponding to the cavity 12, and a semiconductor chip is molded with the resin 3 as shown in FIG. 12 and 15 are molded products (packages) after separating the upper mold 11B during this transfer molding.
Is an ejector pin used to take out from the lower mold 11A.

【0066】このトランスファ成形時に、ヒートシンク
21とダイパッド4とは、上下の金型が閉じ、リードフレ
ーム6がクランプされた状態では、両者間は密着してい
るので、これらの間に樹脂が侵入しにくいが、侵入して
固化することもある(前者の方が放熱効率は良い)。
At the time of this transfer molding, a heat sink
21 and the die pad 4 are in close contact with each other when the upper and lower molds are closed and the lead frame 6 is clamped, so it is difficult for the resin to enter between them, but it should invade and solidify. There is also (the former has better heat dissipation efficiency).

【0067】このトランスファ成形後は、リードフレー
ム6の不要部分をトリミング作業により除去し、更にそ
のアウターリード17を図1に示した如くに折曲加工し、
いわゆるガルウィング型のパッケージ40を完成させる。
After this transfer molding, unnecessary parts of the lead frame 6 are removed by trimming work, and the outer leads 17 are bent as shown in FIG.
A so-called gull wing type package 40 is completed.

【0068】図14には、上記した半田リフローによる半
田付け後のパッケージ40(モールド厚は 2.7mm)の3個
のサンプルについての超音波探査画像を示す。ここで使
用したサンプル及び測定条件A、B、Cは既述したもの
と同じとした(但し、ヒートシンクは図2〜図9の形状
のもの)。
FIG. 14 shows an ultrasonic probe image of three samples of the package 40 (mold thickness is 2.7 mm) after soldering by the above-mentioned solder reflow. The sample and the measurement conditions A, B, and C used here were the same as those described above (however, the heat sink had the shape shown in FIGS. 2 to 9).

【0069】また、図29と同様に、図14の各画像の下部
に記した数字は、条件A→条件B、条件Cへと処理した
ときの熱抵抗(既述したRθja)の増加割合を表し、
そのカッコ内には上記した界面剥離箇所の面積割合を表
す。但し、界面剥離が生じている箇所は、画像上では白
っぽく見える部分である。
As in FIG. 29, the numbers shown at the bottom of each image in FIG. 14 indicate the increase rate of the thermal resistance (Rθja described above) when processing from condition A to condition B and condition C. Represents
In the parentheses, the area ratio of the above-mentioned interface peeling portion is shown. However, the part where the interface peeling occurs is a part that looks whitish on the image.

【0070】この結果から明らかなように、モールド後
(A)ではヒートシンク21の剥離は図29で示したように
初めから観察されるが、本実施例では全く剥離が生じて
いない。また、吸水+熱ストレスの処理(加速劣化試
験)において、条件Bでは、ヒートシンク21の剥離は約
10%であってパッケージ間でのバラツキが小さい。そし
て、熱抵抗値の増加割合も図29のものに比べると小さい
(これは条件Cでも同様である)。
As is clear from this result, peeling of the heat sink 21 is observed from the beginning as shown in FIG. 29 after the molding (A), but no peeling occurs in this embodiment. Further, in the treatment of water absorption + heat stress (accelerated deterioration test), under the condition B, peeling of the heat sink 21 is about
It is 10% and the variation between packages is small. The rate of increase in the thermal resistance value is also smaller than that in FIG. 29 (this is the same for condition C).

【0071】このように、本実施例のパッケージ40で
は、ヒートシンク21の剥離が見られないか或いは著しく
減少していることから、ヒートシンク21の側面の凹凸
が、半田リフロー時の熱応力による剥離の防止に効果が
あることが分かる。
As described above, in the package 40 of the present embodiment, peeling of the heat sink 21 is not seen or is significantly reduced. Therefore, the unevenness of the side surface of the heat sink 21 is peeled by thermal stress during solder reflow. It turns out that it is effective in prevention.

【0072】図15は、本発明をQFPタイプのパッケー
ジに適用した他の実施例を示すものである。
FIG. 15 shows another embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package.

【0073】図15には、パッケージ40がほぼ正方形のパ
ッケージ(モールド厚は 1.4mm)を示す。
FIG. 15 shows a package in which the package 40 is substantially square (the mold thickness is 1.4 mm).

【0074】このパッケージについて、上記と同様の処
理を行った後の超音波探査画像(図示せず)を観察する
と、図14と殆ど同様の傾向を示していることが分かっ
た。
Observation of an ultrasonic probe image (not shown) after performing the same processing as above on this package revealed that the same tendency as in FIG. 14 was exhibited.

【0075】図16及び図17は、本発明をQFPタイプの
パッケージに適用した他の実施例を示すものである。
16 and 17 show another embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package.

【0076】この実施例によれば、上述した実施例とは
異なり、ダイパッドの側面に上述した凹凸を設け、ダイ
パッドの剥離防止効果を奏している。その他は、上述し
た実施例と同様である(但し、ヒートシンクは使用して
いない)。
According to this embodiment, unlike the above-mentioned embodiment, the above-mentioned unevenness is provided on the side surface of the die pad to exert the effect of preventing the die pad from peeling. Others are the same as the above-mentioned embodiment (however, the heat sink is not used).

【0077】即ち、本実施例のダイパッド54は、側面に
図3〜図5で示したものと同様の切欠き29Aと29B(凸
部30Aと30B)を側縁に沿って交互に設け、かつ、ダイ
パッド54の平面形状も前後、左右方向でほぼ線対称な形
状(例えば正方形)をなしている。図16中のA部の拡大
図は、図3と同じである。ダイパッド54のサイズは 8.0
×8.0mm であり、材質は既述したものと同じである。
That is, the die pad 54 of the present embodiment is provided with notches 29A and 29B (projections 30A and 30B) similar to those shown in FIGS. 3 to 5 on the side surface alternately along the side edges, and The plane shape of the die pad 54 is also substantially line-symmetrical in the front-rear direction and the left-right direction (for example, a square). An enlarged view of part A in FIG. 16 is the same as FIG. The size of the die pad 54 is 8.0
The material is the same as that described above.

【0078】このように、ダイパッド54の側面に凹凸を
設けることによって、その凸部30A又は30Bが、半田リ
フロー時等の加熱による機械的ストレスを緩和し、樹脂
3からのダイパッドの剥離を防止する効果があり、パッ
ケージクラックの発生を抑える作用があるため、パッケ
ージの信頼性が向上する。なお、このパッケージは、上
述したようなヒートシンク21(又は1)を設けてはいな
いので、発熱量の少ない半導体チップに使用される。
As described above, by providing the side surface of the die pad 54 with irregularities, the convex portion 30A or 30B relieves the mechanical stress due to heating during solder reflow or the like, and prevents the die pad from being separated from the resin 3. Since it is effective and has the effect of suppressing the generation of package cracks, the reliability of the package is improved. Since this package does not have the heat sink 21 (or 1) as described above, it is used for a semiconductor chip that generates a small amount of heat.

【0079】図18は、本発明をQFPタイプのパッケー
ジに適用した他の実施例を示すものである。
FIG. 18 shows another embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package.

【0080】この実施例は、上記の図16及び図17の実施
例と同様に側面に凹凸を設けたダイパッド54を使用する
と共に、上述した図1〜図14の実施例で述べたヒートシ
ンク21をダイパッド54に近接若しくは接触させて配して
いる(図中の50は接着剤である)。
In this embodiment, the die pad 54 having the unevenness on the side surface is used similarly to the embodiment of FIGS. 16 and 17, and the heat sink 21 described in the embodiment of FIGS. 1 to 14 is used. It is arranged close to or in contact with the die pad 54 (50 in the figure is an adhesive).

【0081】従って、ダイパッド54及びヒートシンク21
の各側面に設けた凹凸によって、上述の図16及び図17の
実施例で述べた効果(ダイパッドの剥離防止効果)と、
上述の図1〜図14の実施例で述べた効果(ヒートシンク
の剥離防止及びその加工性の向上)とを併せて得ること
ができる。
Therefore, the die pad 54 and the heat sink 21
Due to the unevenness provided on each side surface, the effect described in the embodiment of FIGS. 16 and 17 described above (the effect of preventing peeling of the die pad),
The effect (prevention of peeling of the heat sink and improvement of its workability) described in the embodiments of FIGS. 1 to 14 can be obtained together.

【0082】図19は、本発明をQFPタイプのパッケー
ジに適用した他の実施例を示すものである。
FIG. 19 shows another embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package.

【0083】この実施例では、ヒートシンク21の内側に
矩形状の貫通孔51、52を設け、これらの貫通孔の側面に
も上記した凹凸を設けている。これによっても、ヒート
シンク21の剥離をその内側においても防止できることに
なる。なお、貫通孔51−52間にダイパッド4が位置する
ことが望ましい。
In this embodiment, rectangular through holes 51 and 52 are provided inside the heat sink 21, and the above-mentioned unevenness is also provided on the side surfaces of these through holes. This also makes it possible to prevent the heat sink 21 from peeling off inside. It is desirable that the die pad 4 be located between the through holes 51-52.

【0084】図20は、本発明をQFPタイプのパッケー
ジに適用した他の実施例を示すものである。
FIG. 20 shows another embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package.

【0085】この実施例では、ヒートシンク21の側面に
設ける凹凸として、例えば厚み方向に複数個の凸部30
A’、30B’、30C’及びこれら凸部間の凹部29A’、
29B’を側縁に沿って平行線状に設けている。即ち、凸
部30A’、30B’、30C’はそれぞれ凸条部、凹部29
A’、29B’は凹条部として、図2に示した凹凸形成領
域に亘って設けられている。
In this embodiment, the unevenness provided on the side surface of the heat sink 21 is, for example, a plurality of convex portions 30 in the thickness direction.
A ', 30B', 30C 'and concave portions 29A' between these convex portions,
29B 'are provided in parallel lines along the side edges. That is, the protrusions 30A ', 30B', and 30C 'are the protrusions and the recesses 29, respectively.
Reference numerals A'and 29B 'are provided as recessed portions over the unevenness forming region shown in FIG.

【0086】これらの凸部によってヒートシンク21は、
厚み方向においてもほぼ線対称となり、上述の第1の実
施例と比べて更に形状の対称性が向上しているため、
表、裏の方向性が皆無となり、ヒートシンク21の剥離防
止及びパッケージのクラック防止効果に優れる。
With these convex portions, the heat sink 21 is
Also in the thickness direction, it becomes almost line symmetric, and the shape symmetry is further improved as compared with the above-mentioned first embodiment,
Since there is no directionality on the front and back sides, it is excellent in the effect of preventing the heat sink 21 from peeling and preventing the package from cracking.

【0087】図21は、本発明をQFPタイプのパッケー
ジに適用した更に他の実施例を示すものである。
FIG. 21 shows still another embodiment in which the present invention is applied to a QFP type package.

【0088】この実施例では、ヒートシンク21が樹脂3
中に完全に埋め込まれていて、パッケージ40の外面に露
出していない。この場合も、上述した実施例と同様にヒ
ートシンク21の側面にストッパとしての凹凸を設けてい
るので、ヒートシンク21は樹脂3との熱膨張係数が異な
るために加熱によって樹脂3から剥離しようとしてもこ
れが効果的に防止される。その他、上述した実施例と同
様の効果を得ることができる。
In this embodiment, the heat sink 21 is made of resin 3
It is completely embedded therein and is not exposed on the outer surface of the package 40. Also in this case, since the unevenness as a stopper is provided on the side surface of the heat sink 21 as in the above-described embodiment, the heat sink 21 has a different coefficient of thermal expansion from the resin 3, and therefore even if it is peeled from the resin 3 by heating, Effectively prevented. In addition, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

【0089】以上、本発明の実施例を述べたが、上述の
実施例は本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可
能である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the above-mentioned embodiments can be variously modified based on the technical idea of the present invention.

【0090】例えば、上述したヒートシンク21の側面に
設ける凹凸については、その形状、個数等は様々に変形
が可能であり、同様にヒートシンク21の平面形状も様々
に変形してよい。また、ヒートシンク21の作製方法や凹
凸の形成方法も、エッチング、スタンピング等が採用可
能である。
For example, the unevenness provided on the side surface of the heat sink 21 can be variously modified in shape, number, etc., and similarly, the planar shape of the heat sink 21 may be variously modified. Further, etching, stamping, or the like can be adopted as the method of manufacturing the heat sink 21 and the method of forming the unevenness.

【0091】また、パッケージ40の構成部分の形状、材
質等についても上述した例に限られることはない。例え
ば、QFPタイプのみならず、デュアルインタイプのパ
ッケージとしてよく、アウターリードの折曲方向も上述
した例とは逆方向であってよい。半導体チップとリード
との接続はワイヤボンディング以外の方法に依ってもよ
い。
Further, the shape and material of the components of the package 40 are not limited to the above examples. For example, not only the QFP type, but also a dual-in type package may be used, and the bending direction of the outer lead may be opposite to the above-mentioned example. The semiconductor chip and the lead may be connected by a method other than wire bonding.

【0092】また、本発明が適用される放熱性部品は、
リードフレームのリード(パッケージ構造によっては、
例えばLOC(Lead on chip)タイプのリードであって
もよい。)、その他の放熱作用のある部品であってよ
い。
Further, the heat dissipation component to which the present invention is applied is
Lead frame lead (depending on the package structure,
For example, a LOC (Lead on chip) type lead may be used. ), And other components having a heat dissipation effect.

【0093】[0093]

【発明の作用効果】本発明の半導体装置によれば、側面
に互いに分離された第1及び第2の切欠き群を有する放
熱性部品(例えば、ヒートシンク)を用いているので、
この放熱性部品の各主面のいずれの側を向けても(例え
ば前記放熱性部品をその表、裏を誤ってセットし、封止
された場合でも)、即ち、方向性を選ばずにセットして
も、前記第1及び第2の切欠き群のいずれかによるスト
ッパ作用を確実かつ十二分に発揮することができる。
According to the semiconductor device of the present invention, since the heat dissipating component (for example, heat sink) having the first and second notch groups separated from each other on the side surface is used,
Whichever side of each main surface of this heat-dissipating component is facing (for example, even when the heat-dissipating component is incorrectly set on the front and back sides and sealed), that is, set regardless of the directionality Even if it does, the stopper action by either of the first and second notch groups can be reliably and sufficiently exerted.

【0094】このため、封止材からの放熱性部品の剥離
を確実になくし、また、その脱落も生じることはない。
これによって、表、裏を選択しなくても放熱性部品をセ
ットしてよいことになるから、パッケージの組み立ての
作業性が向上し、また、放熱性部品の表、裏を検知する
装置を付加する必要もない。
Therefore, peeling of the heat radiation component from the encapsulating material is surely prevented, and the heat radiation component does not fall off.
As a result, the heat radiation components can be set without selecting the front and back sides, improving the workability of the package assembly and adding a device to detect the front and back sides of the heat radiation components. You don't even have to.

【0095】また、前記放熱性部品の作製時にも、放熱
性部品の表、裏の選択を行う必要はなく、エッチングや
スタンピング等による凹凸の加工が容易となる。
Also, when manufacturing the heat-dissipating component, it is not necessary to select the front and back of the heat-dissipating component, and it is easy to process the unevenness by etching, stamping or the like.

【0096】こうして、前記放熱性部品が熱ストレスを
受けた場合に前記切欠き群によってその熱ストレス(熱
による機械的な応力)を緩和し、放熱性部品の剥離、脱
落を確実に防止し、パッケージの信頼性を保持すること
ができる。
Thus, when the heat radiation component is subjected to heat stress, the heat stress (mechanical stress due to heat) is alleviated by the notch group, and the heat radiation component is surely prevented from peeling and dropping. The reliability of the package can be maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例によるQFPタイプのパッケー
ジの一部破断斜視図である。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of a QFP type package according to an embodiment of the present invention.

【図2】同パッケージに用いるヒートシンクの拡大平面
図とその正面図である。
FIG. 2 is an enlarged plan view and a front view of a heat sink used in the package.

【図3】同ヒートシンクの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the heat sink.

【図4】同パッケージに用いる他のヒートシンクの拡大
平面図とその正面図である。
FIG. 4 is an enlarged plan view and another front view of another heat sink used in the package.

【図5】同ヒートシンクの一部分の拡大平面図とその断
面図である。
FIG. 5 is an enlarged plan view of a part of the heat sink and a sectional view thereof.

【図6】同パッケージをプリント配線板に半田付けした
状態の半断面図である。
FIG. 6 is a half cross-sectional view showing a state where the same package is soldered to a printed wiring board.

【図7】同ヒートシンクの表裏を逆にセットして樹脂モ
ールドされたパッケージの図6と同様の半断面図であ
る。
FIG. 7 is a half cross-sectional view similar to FIG. 6 of a resin-molded package in which the heat sink is set upside down.

【図8】図6のパッケージの半断面図(図9及び図10の
VIII−VIII線半断面図)である。
8 is a half cross-sectional view of the package of FIG. 6 (see FIGS. 9 and 10).
VIII-VIII line half sectional view).

【図9】同パッケージの裏面図である。FIG. 9 is a back view of the package.

【図10】他の同様のパッケージの裏面図である。FIG. 10 is a back view of another similar package.

【図11】同パッケージを樹脂モールドする工程において
各部分を分離して示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing the respective parts separated in a process of resin-molding the package.

【図12】同パッケージを金型内にセットした状態の断面
図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state where the package is set in a mold.

【図13】同樹脂モールド後のパッケージ裏面側の斜視図
である。
FIG. 13 is a perspective view of the package back surface side after the resin molding.

【図14】同パッケージにおいてヒートシンクの剥離状況
を各条件について示す超音波探査画像のスケッチ図であ
る。
FIG. 14 is a sketch diagram of an ultrasonic probe image showing the peeling state of the heat sink for each condition in the same package.

【図15】本発明の他の実施例によるQFPタイプのパッ
ケージの裏面図である。
FIG. 15 is a back view of a QFP type package according to another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の他の実施例によるQFPタイプのパッ
ケージに用いるリードフレームのダイパッド及びインナ
ーリードの拡大平面図である。
FIG. 16 is an enlarged plan view of a die pad and an inner lead of a lead frame used in a QFP type package according to another embodiment of the present invention.

【図17】図16のリードフレームを用いて樹脂モールドさ
れたパッケージのXVII−XVII線に沿う一部分の拡大断面
図である。
FIG. 17 is an enlarged cross-sectional view of a part of the package resin-molded using the lead frame of FIG. 16 along the line XVII-XVII.

【図18】本発明の他の実施例によるQFPタイプのパッ
ケージの図17と同様の拡大断面図である。
18 is an enlarged cross-sectional view similar to FIG. 17 of a QFP type package according to another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の他の実施例によるQFPタイプのパッ
ケージに用いるヒートシンクの拡大平面図である。
FIG. 19 is an enlarged plan view of a heat sink used in a QFP type package according to another embodiment of the present invention.

【図20】本発明の他の実施例によるQFPタイプのパッ
ケージの半断面図である。
FIG. 20 is a half cross-sectional view of a QFP type package according to another embodiment of the present invention.

【図21】本発明の更に他の実施例によるQFPタイプの
パッケージの半断面図である。
FIG. 21 is a half cross-sectional view of a QFP type package according to still another embodiment of the present invention.

【図22】従来例によるQFPタイプのパッケージの一部
破断斜視図である。
FIG. 22 is a partially cutaway perspective view of a QFP type package according to a conventional example.

【図23】同パッケージの半断面図(図24の XXIII−XXII
I 線半断面図)である。
FIG. 23 is a half sectional view of the package (XXIII-XXII in FIG. 24)
It is the I line half sectional view).

【図24】同パッケージの裏面図である。FIG. 24 is a back view of the package.

【図25】同パッケージを樹脂モールドする工程において
各部分を分離して示す斜視図である。
FIG. 25 is a perspective view showing the individual parts separated in a step of resin-molding the package.

【図26】同パッケージを金型内にセットした状態の断面
図である。
FIG. 26 is a cross-sectional view showing a state where the same package is set in a mold.

【図27】同樹脂モールド後のパッケージ裏面側の斜視図
である。
FIG. 27 is a perspective view of the package back surface side after the resin molding.

【図28】同パッケージにおいてヒートシンクの剥離を説
明するための半断面図である。
FIG. 28 is a half cross-sectional view for explaining peeling of the heat sink in the same package.

【図29】同パッケージにおいてヒートシンクの剥離状況
を各条件について示す超音波探査画像のスケッチ図であ
る。
[Fig. 29] Fig. 29 is a sketch diagram of an ultrasonic probe image showing the peeling condition of the heat sink in each of the packages under each condition.

【図30】他の従来例によるQFPタイプのパッケージに
用いるヒートシンクの拡大平面図である。
FIG. 30 is an enlarged plan view of a heat sink used in a QFP type package according to another conventional example.

【図31】同パッケージの半断面図である。FIG. 31 is a half cross-sectional view of the same package.

【図32】同ヒートシンクの表裏を逆にセットして樹脂モ
ールドされたパッケージの図31と同様の半断面図であ
る。
32 is a half cross-sectional view similar to FIG. 31 of the package in which the front and back of the heat sink are set upside down and resin-molded.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2・・・半導体チップ 3・・・モールド樹脂 4、54・・・ダイパッド 5・・・ワイヤ 6・・・リードフレーム 7・・・インナーリード 17・・・アウターリード 18・・・位置決め用の切除部 21・・・ヒートシンク(放熱板) 29A、29B、29’・・・切欠き 30A、30B・・・凸部 31・・・側縁 40・・・パッケージ 42・・・プリント配線板 43・・・回路パターン 44・・・半田 2 ... Semiconductor chip 3 ... Mold resin 4, 54 ... Die pad 5 ... Wire 6 ... Lead frame 7 ... Inner lead 17 ... Outer lead 18 ... Cutting for positioning Part 21 ... Heat sink (heat sink) 29A, 29B, 29 '... Notch 30A, 30B ... Convex part 31 ... Side edge 40 ... Package 42 ... Printed wiring board 43 ...・ Circuit pattern 44 ・ ・ ・ Solder

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップと放熱性部品とが共に封止
材によって封止されたパッケージからなり、前記放熱性
部品は第1の主面と第2の主面とこれら両主面間の側面
とを有し、前記第1の主面と前記側面との境界線部にお
いて所定のパターンの第1の切欠き群が設けられ、前記
第2の主面と前記側面との境界線部において所定のパタ
ーンの第2の切欠き群が設けられ、前記第1の切欠き群
の各切欠きと前記第2の切欠き群の各切欠きとは相互に
分離されて配設されている半導体装置。
1. A semiconductor chip and a heat-dissipating component are both packaged with a sealing material, and the heat-dissipating component has a first main surface, a second main surface, and a side surface between these main surfaces. And a first cutout group having a predetermined pattern is provided at a boundary line portion between the first main surface and the side surface, and a predetermined notch group is provided at a boundary line portion between the second main surface and the side surface. A second notch group of the pattern, and each notch of the first notch group and each notch of the second notch group are arranged separately from each other. .
【請求項2】 放熱性部品の第1の切欠き群の各切欠き
と前記第2の切欠き群の各切欠きとは位置的に相互にず
れて配設されている、請求項1に記載した半導体装置。
2. The cutouts of the first cutout group and the cutouts of the second cutout group of the heat-dissipating component are arranged to be displaced from each other in terms of position. The semiconductor device described.
【請求項3】 放熱性部品の第1の切欠き群と第2の切
欠き群とがほぼ同一パターンである、請求項1又は2に
記載した半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first cutout group and the second cutout group of the heat dissipation component have substantially the same pattern.
【請求項4】 放熱性部品の第1の切欠き群と第2の切
欠き群とのパターンが波状で互いに半ピッチずれてい
る、請求項2又は3に記載した半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 2, wherein the patterns of the first notch group and the second notch group of the heat dissipation component are wavy and are displaced from each other by a half pitch.
【請求項5】 放熱性部品の第1及び第2の切欠き群が
前記放熱性部品の側面のほぼ全域に亘って形成されてい
る、請求項1〜4のいずれか1項に記載した半導体装
置。
5. The semiconductor according to claim 1, wherein the first and second cutout groups of the heat dissipation component are formed over substantially the entire side surface of the heat dissipation component. apparatus.
【請求項6】 放熱性部品の第1の切欠き群と第2の切
欠き群とのうち少なくとも一方が封止材の内部に埋没さ
れ、この封止材と嵌合している、請求項1〜5のいずれ
か1項に記載した半導体装置。
6. The heat-dissipating component, wherein at least one of the first notch group and the second notch group is buried inside the encapsulating material and fitted with the encapsulating material. The semiconductor device according to any one of 1 to 5.
【請求項7】 半導体チップと放熱性部品とが共に封止
材によって封止されたパッケージからなり、前記放熱性
部品は第1の主面と第2の主面とこれら両主面間の側面
とを有し、この側面にその側縁に沿って延びる凹条部と
凸条部とが形成されている半導体装置。
7. A package in which a semiconductor chip and a heat dissipation component are both sealed with a sealing material, and the heat dissipation component is a first main surface, a second main surface, and a side surface between these main surfaces. And a grooved portion and a grooved portion extending along the side edge of the semiconductor device.
【請求項8】 放熱性部品の主面の平面的な形状が少な
くとも線対称である、請求項1〜7のいずれか1項に記
載した半導体装置。
8. The semiconductor device according to claim 1, wherein the planar shape of the main surface of the heat dissipation component is at least line-symmetrical.
【請求項9】 放熱性部品の側面に位置決め用の切除部
が設けられている、請求項1〜8のいずれか1項に記載
した半導体装置。
9. The semiconductor device according to claim 1, wherein a cutout portion for positioning is provided on a side surface of the heat dissipation component.
【請求項10】 放熱性部品が板状である、請求項1〜9
のいずれか1項に記載した半導体装置。
10. The heat-dissipating component has a plate-like shape.
The semiconductor device according to any one of 1.
【請求項11】 半導体チップがダイパットにマウントさ
れ、このダイパッドに放熱性部品が近接若しくは接触し
た状態で全体が樹脂封止されており、前記放熱性部品が
放熱板及び/又は前記ダイパッドである、請求項1〜10
のいずれか1項に記載した半導体装置。
11. The semiconductor chip is mounted on a die pad, and the die pad is entirely resin-sealed in a state where a heat-dissipating component is in proximity to or in contact with the die pad, and the heat-dissipating component is a heat sink and / or the die pad. Claims 1-10
The semiconductor device according to any one of 1.
【請求項12】 請求項1〜11のいずれか1項に記載した
放熱性部品。
12. The heat dissipating component according to claim 1.
JP6333851A 1994-12-16 1994-12-16 Semiconductor device and heat dissipating parts Withdrawn JPH08172145A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6333851A JPH08172145A (en) 1994-12-16 1994-12-16 Semiconductor device and heat dissipating parts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6333851A JPH08172145A (en) 1994-12-16 1994-12-16 Semiconductor device and heat dissipating parts

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08172145A true JPH08172145A (en) 1996-07-02

Family

ID=18270657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6333851A Withdrawn JPH08172145A (en) 1994-12-16 1994-12-16 Semiconductor device and heat dissipating parts

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08172145A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016847A (en) * 2002-04-24 2009-01-22 Sanyo Electric Co Ltd Methods of manufacturing a hybrid integrated circuit device
JP2009238805A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Semiconductor device
JP2010165951A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd Reactor and molded coil body
JP2011517113A (en) * 2008-04-08 2011-05-26 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Lead frame for packaged electronic devices with improved molding adhesion
JP2014154688A (en) * 2013-02-07 2014-08-25 Denso Corp Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR20160024786A (en) 2014-08-26 2016-03-07 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Manufacturing method of semiconductor device
WO2020246456A1 (en) * 2019-06-03 2020-12-10 三菱電機株式会社 Semiconductor device and power conversion device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016847A (en) * 2002-04-24 2009-01-22 Sanyo Electric Co Ltd Methods of manufacturing a hybrid integrated circuit device
JP2009238805A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Semiconductor device
JP2011517113A (en) * 2008-04-08 2011-05-26 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Lead frame for packaged electronic devices with improved molding adhesion
JP2010165951A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Sumitomo Electric Ind Ltd Reactor and molded coil body
JP2014154688A (en) * 2013-02-07 2014-08-25 Denso Corp Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR20160024786A (en) 2014-08-26 2016-03-07 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Manufacturing method of semiconductor device
WO2020246456A1 (en) * 2019-06-03 2020-12-10 三菱電機株式会社 Semiconductor device and power conversion device
JPWO2020246456A1 (en) * 2019-06-03 2021-10-21 三菱電機株式会社 Semiconductor devices and power converters

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3170182B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
US6075288A (en) Semiconductor package having interlocking heat sinks and method of fabrication
US5157478A (en) Tape automated bonding packaged semiconductor device incorporating a heat sink
US6723582B2 (en) Method of making a semiconductor package having exposed metal strap
TWI316740B (en) Package having exposed integrated circuit device
US5541446A (en) Integrated circuit package with improved heat dissipation
US5796159A (en) Thermally efficient integrated circuit package
US5299091A (en) Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same
US5532905A (en) Thermally enhanced leadframe for packages that utilize a large number of leads
TW201740528A (en) Resin-encapsulated semiconductor device
TW510158B (en) Heat dissipation structure for semiconductor device
US5796160A (en) Resin-sealed semiconductor device
JPH08172145A (en) Semiconductor device and heat dissipating parts
JP2770947B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
US5248895A (en) Semiconductor apparatus having resin encapsulated tab tape connections
JPH08139218A (en) Hybrid integrated circuit device and its manufacture
EP0436126A2 (en) Resin-encapsulated semiconductor device
JP2518994B2 (en) Semiconductor device
JP2006049694A (en) Dual gauge lead frame
JP3894749B2 (en) Semiconductor device
JPH0817975A (en) Semiconductor device
JP2713141B2 (en) Semiconductor device
KR100984857B1 (en) Memory module and method of fabricating the same
US7951651B2 (en) Dual flat non-leaded semiconductor package
JPH06334069A (en) Semiconductor package incorporating heat spreader

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020305