JPH08167396A - Electron beam device provided with field emission type electron gun - Google Patents
Electron beam device provided with field emission type electron gunInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子銃として電界放射
型電子銃を備えた走査電子顕微鏡などの電子ビーム装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam apparatus such as a scanning electron microscope equipped with a field emission electron gun as an electron gun.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近、走査電子顕微鏡の電子銃として輝
度が高いなどの優れた特徴を有した電界放射型電子銃を
用いるケースが増えている。電界放射型電子銃のエミッ
ション電流特性は、図１に示すように一般的にエミッシ
ョンが安定領域に入った後、最終的にエミッション電流
が不安定となり、電界放射エミッタの破損に繋がる特性
を有している。なお、図１で横軸は時間、縦軸はエミッ
ション電流である。エミッション電流の変動（ノイズ）
は、一般に、エミッタ表面へのガス分子の吸着や、ガス
分子の衝撃などにより生じると考えられている。すなわ
ち、エミッション電流の変動（ノイズ）は、エミッタ表
面の状態や電界放射型電子銃の真空度に関係してくる。2. Description of the Related Art Recently, a field emission type electron gun having excellent characteristics such as high brightness has been increasingly used as an electron gun of a scanning electron microscope. As shown in FIG. 1, the emission current characteristic of the field emission type electron gun generally has a characteristic that after the emission enters the stable region, the emission current eventually becomes unstable, leading to damage of the field emission emitter. ing. In FIG. 1, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents emission current. Fluctuation of emission current (noise)
Is generally considered to occur due to adsorption of gas molecules on the emitter surface, impact of gas molecules, and the like. That is, the fluctuation (noise) of the emission current is related to the state of the emitter surface and the vacuum degree of the field emission electron gun.
【０００３】従って、通常の装置の動作においては、エ
ミッタにガス分子が吸着し、エミッション電流が不安定
になると、エミッタを加熱してエミッタに吸着したガス
分子を除去する操作、すなわちフラッシングを行うよう
にしている。このフラッシングによりエミッタ表面を元
のクリーン状態に戻し、再使用するようにしている。な
お、エミッションの不安定さから生じるエミッション電
流の変動が試料から放出される２次電子量に影響するこ
とから、走査電子顕微鏡の画面上では、輝度変化として
悪影響を及ぼすことになる。そのため、エミッタから試
料までの間で一次電子を検出し、２次電子信号の変動を
一次電子の変動により割算することにより、エミッョン
電流の変動による画面上の輝度変化をキャンセルするよ
うにしている。Therefore, in normal operation of the device, when gas molecules are adsorbed on the emitter and the emission current becomes unstable, an operation of heating the emitter to remove the gas molecules adsorbed on the emitter, that is, flushing is performed. I have to. This flushing restores the emitter surface to its original clean state and reuses it. Since the fluctuation of the emission current caused by the instability of the emission affects the amount of secondary electrons emitted from the sample, it causes an adverse effect as a brightness change on the screen of the scanning electron microscope. Therefore, the primary electron is detected between the emitter and the sample, and the fluctuation of the secondary electron signal is divided by the fluctuation of the primary electron to cancel the brightness change on the screen due to the fluctuation of the emmission current. .
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記したフラッシング
動作は、手動で行われている。すなわち、エミッタがほ
ぼ安定に動作する時間を予め設定しておき、電界放射型
電子銃の使用開始時間からタイマーにより時間を計測
し、設定時間になった場合に、フラッシング開始を指示
するメッセージを表示するようにしている。装置のオペ
ーレータはこの表示に基づいてフラッシング操作を手動
で行う。しかしながら、このような方式は、ある特定の
条件下では適切なタイミングでフラッシングを行うこと
ができるが、フラッシングを行うタイミングは個々の電
界放射型電子銃によって必ずしも同一ではない。The above flushing operation is performed manually. That is, the time when the emitter operates almost stably is set in advance, the time is measured by the timer from the use start time of the field emission electron gun, and when the set time is reached, a message instructing to start flushing is displayed. I am trying to do it. The operator of the device manually performs the flushing operation based on this display. However, although such a method can perform flushing at an appropriate timing under certain specific conditions, the timing of flushing is not necessarily the same for each field emission electron gun.
【０００５】すなわち、個々の電界放射型電子銃では、
エミッタの形状や真空度が相違し、エミッタが安定に動
作する時間はそれぞれ相違する。従って予め設定された
時間でフラッシングを行うようにしていると、フラッシ
ングが手遅れになり、エミッタが破損したり逆に未だ使
用できる状態であるにも拘らず、フラッシングを行うこ
とになる。もちろん、従来の方式では、フラッシング指
示の表示を見てオペレータがフラッシング動作を手動で
行うので、甚だ面倒な作業となる。That is, in each field emission electron gun,
The shape of the emitter and the degree of vacuum are different, and the time during which the emitter operates stably is different. Therefore, if the flushing is performed for a preset time, the flushing will be too late, and the flushing will be performed even if the emitter is damaged or conversely still usable. Of course, in the conventional method, the operator manually performs the flushing operation while seeing the display of the flushing instruction, which is a very troublesome work.
【０００６】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、個々の電界放射型電子銃の状態に
応じて正確に自動的にフラッシングを行うことができる
電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置を実現するに
ある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is a field emission type electron that can perform flushing accurately and automatically according to the state of each field emission type electron gun. It is to realize an electron beam device equipped with a gun.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の発明
は、電界放射型電子銃と電界放射型電子銃からの電子ビ
ームの一部を検出する検出手段と、一定時間ごとの検出
手段からの検出信号の周波数成分を積分する積分手段
と、積分手段からの積分値の変化に応じて自動的に電界
放射型電子銃のフラッシングを行う手段とを有したこと
を特徴としている。According to a first aspect of the present invention, a field emission type electron gun, a detection means for detecting a part of an electron beam from the field emission type electron gun, and a detection means for every fixed time are provided. It is characterized in that it has an integrating means for integrating the frequency component of the detection signal from and the means for automatically flushing the field emission type electron gun according to the change of the integrated value from the integrating means.
【０００８】本発明の請求項２の発明は、積分値の増加
量が所定以上となった場合に自動的にフラッシングを行
うようにしたことを特徴としている。本発明の請求項３
の発明は、積分値がある値以上の場合に自動的にフラッ
シングを行うようにしたことを特徴としている。The invention according to claim 2 of the present invention is characterized in that flushing is automatically performed when the increase amount of the integrated value exceeds a predetermined value. Claim 3 of the present invention
The invention of (1) is characterized in that the flushing is automatically performed when the integrated value is a certain value or more.
【０００９】本発明の請求項４の発明は、積分値変化の
傾きに応じて自動的にフラッシングを行うようにしたこ
とを特徴としている。本発明の請求項５の発明は、電界
放射型電子銃と電界放射型電子銃からの電子ビームの一
部を検出する検出手段と、一定時間ごとの検出手段から
の検出信号の周波数成分を積分する積分手段と、積分手
段からの積分値の変化に応じて自動的に電界放射型電子
銃のフラッシングを行う手段と、フラッシング後の積分
値が一定値以上の場合に真空度に関する表示を行う手段
とを有したことを特徴としている。A fourth aspect of the present invention is characterized in that the flushing is automatically performed according to the slope of the change in the integrated value. According to a fifth aspect of the present invention, the field emission type electron gun, the detection means for detecting a part of the electron beam from the field emission type electron gun, and the frequency component of the detection signal from the detection means for every fixed time are integrated. Integrating means, a means for automatically flushing the field emission electron gun according to a change in the integrated value from the integrating means, and a means for displaying the degree of vacuum when the integrated value after flushing is a certain value or more. It is characterized by having and.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の請求項１の発明は、電界放射型電子銃
からの電子ビームの一部を検出し、その検出信号の周波
数成分を積分し、この積分値の変化に応じて自動的に電
界放射型電子銃のフラッシングを行う。According to the first aspect of the present invention, a part of the electron beam from the field emission electron gun is detected, the frequency component of the detection signal is integrated, and the integrated value is automatically changed according to the change of the integrated value. Flush the field emission electron gun.
【００１１】本発明の請求項２の発明は、積分値の増加
量が所定以上となった場合に自動的にフラッシングを行
う。本発明の請求項３の発明は、積分値がある値以上の
場合に自動的にフラッシングを行う。According to the second aspect of the present invention, the flushing is automatically performed when the amount of increase in the integrated value exceeds a predetermined value. According to the third aspect of the present invention, the flushing is automatically performed when the integrated value is a certain value or more.
【００１２】本発明の請求項４の発明は、積分値変化の
傾きに応じて自動的にフラッシングを行う。本発明の請
求項５の発明は、フラッシング後の積分値が一定値以上
の場合に真空度に関する表示を行う。According to the fourth aspect of the present invention, the flushing is automatically performed according to the slope of the change in the integrated value. According to the fifth aspect of the present invention, when the integrated value after flushing is equal to or greater than a certain value, the display regarding the vacuum degree is performed.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は本発明の一実施例である走査電子顕
微鏡を示しており、１は電界放射型電子銃である。電界
放射型電子銃１はエミッタ２、引出電極３、接地電位の
加速電極４より構成されている。エミッタ２と加速電極
４との間には図示していないが加速電圧電源から加速電
圧が印加され、エミッタ２と引出電極３との間には図示
していない引出電圧電源から引出電圧が印加される。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows a scanning electron microscope which is an embodiment of the present invention, and 1 is a field emission electron gun. The field emission electron gun 1 includes an emitter 2, an extraction electrode 3, and an acceleration electrode 4 having a ground potential. Although not shown, an acceleration voltage is applied from an acceleration voltage power supply between the emitter 2 and the acceleration electrode 4, and an extraction voltage is applied from an extraction voltage power supply (not shown) between the emitter 2 and the extraction electrode 3. It
【００１４】電界放射型電子銃１のエミッタ２から引き
出され、加速電極４から発生した電子ビームＥＢは、集
束レンズ５と対物レンズ６によって試料７上に細く集束
される。また、電子ビームＥＢは、偏向コイル８によっ
て偏向され、試料７上の電子ビームの照射位置は走査さ
れる。試料７への電子ビームの照射によって発生した２
次電子は、２次電子検出器９によって検出される。検出
器９の検出信号は、増幅器１０によって増幅された後、
割算回路１１に供給される。割算回路１１の出力信号
は、増幅器１２，加算回路１３を介して陰極線管１４に
供給される。The electron beam EB extracted from the emitter 2 of the field emission electron gun 1 and generated from the acceleration electrode 4 is finely focused on the sample 7 by the focusing lens 5 and the objective lens 6. Further, the electron beam EB is deflected by the deflection coil 8 and the irradiation position of the electron beam on the sample 7 is scanned. 2 generated by irradiating sample 7 with electron beam
Secondary electrons are detected by the secondary electron detector 9. After the detection signal of the detector 9 is amplified by the amplifier 10,
It is supplied to the division circuit 11. The output signal of the division circuit 11 is supplied to the cathode ray tube 14 via the amplifier 12 and the addition circuit 13.
【００１５】電界放射型電子銃１と集束レンズ５との間
には、絞り板１５が配置されている。絞り板１５は電界
放射型電子銃１からの一次電子の一部を検出する。絞り
板１５によって検出された信号は、フィルター（ハイパ
スフィルター）１６によって検出信号の周波数成分のみ
が通過させられる。フィルター１６の出力信号は、絶対
値回路１７を介して積分回路１８に供給される。A diaphragm plate 15 is arranged between the field emission electron gun 1 and the focusing lens 5. The diaphragm plate 15 detects a part of the primary electrons from the field emission electron gun 1. As for the signal detected by the diaphragm plate 15, only the frequency component of the detection signal is passed by the filter (high-pass filter) 16. The output signal of the filter 16 is supplied to the integrating circuit 18 via the absolute value circuit 17.
【００１６】積分回路１８の出力はメモリー１９と比較
回路２０に供給される。比較回路２０の結果はコンピュ
ータ２１に供給される。コンピュータ２１はタイマー２
２を制御しているが、タイマー２２はリセット回路２３
を制御している。リセット回路２３からのリセット信号
は積分回路１８に供給されると共に、遅延回路２４を介
してメモリー１９に供給される。なお、コンピュータは
エミッタ２に接続されているフラッシング電源２５を制
御する。このような構成の動作は次の通りである。The output of the integrating circuit 18 is supplied to the memory 19 and the comparing circuit 20. The result of the comparison circuit 20 is supplied to the computer 21. Computer 21 is timer 2
2 is controlled, but the timer 22 has a reset circuit 23
Are in control. The reset signal from the reset circuit 23 is supplied to the integrating circuit 18 and the memory 19 via the delay circuit 24. The computer controls the flushing power supply 25 connected to the emitter 2. The operation of such a configuration is as follows.
【００１７】通常の２次電子像を観察する場合、図示し
ていない偏向制御回路から所定の走査信号が偏向コイル
８に供給され、試料７上の任意の２次元領域が電子ビー
ムＥＢによってラスター走査される。試料７への電子ビ
ームの照射によって発生した２次電子は、検出器９によ
って検出される。その検出信号は、増幅器１０を介して
偏向コイル８への走査信号と同期した陰極線管１４に供
給され、陰極線管１４には試料の任意の領域の２次電子
像が表示される。When observing a normal secondary electron image, a predetermined scanning signal is supplied from a deflection control circuit (not shown) to the deflection coil 8, and an arbitrary two-dimensional area on the sample 7 is raster-scanned by the electron beam EB. To be done. Secondary electrons generated by irradiating the sample 7 with the electron beam are detected by the detector 9. The detection signal is supplied to the cathode ray tube 14 synchronized with the scanning signal to the deflection coil 8 via the amplifier 10, and the cathode ray tube 14 displays a secondary electron image of an arbitrary region of the sample.
【００１８】このとき、電界放射型電子銃１からのエミ
ッション電流は微妙に変動している。この変動は、絞り
板１５に入射する一次電子の強度変化により検出するこ
とができる。絞り板１５によって検出された信号は、割
算回路１１に供給され、２次電子検出信号との比が求め
られる。この比に応じた信号は、電界放射型電子銃のエ
ミッション電流の変動がキャンセルされた信号となり、
陰極線管１４にはエミッションの変動に影響されない２
次電子像が表示される。At this time, the emission current from the field emission electron gun 1 slightly changes. This fluctuation can be detected by a change in the intensity of the primary electrons incident on the diaphragm plate 15. The signal detected by the diaphragm plate 15 is supplied to the division circuit 11, and the ratio with the secondary electron detection signal is obtained. The signal according to this ratio becomes a signal in which the fluctuation of the emission current of the field emission electron gun is canceled,
The cathode ray tube 14 is not affected by fluctuations in emissions 2
The next electron image is displayed.
【００１９】さて、絞り板１５によって検出された電界
放射型電子銃１からの一次電子の強度に応じた信号は、
ハイパスフィルター１６に供給されて周波数成分のみが
絶対値回路１７に供給される。絶対値回路１７では供給
された信号の負の信号を反転して積分回路１８に供給す
る。積分回路１８は一定時間ごとに供給された信号を積
分処理する。この積分処理は、コンピュータ２１によっ
て制御されているタイマー２２に基づき行われ、一定時
間ごとに積分回路１８の値はリセットされる。この積分
回路１８によって積分された信号の時間変化は、例え
ば、図３に示すようになる。The signal corresponding to the intensity of the primary electron from the field emission electron gun 1 detected by the diaphragm plate 15 is
It is supplied to the high pass filter 16 and only the frequency component is supplied to the absolute value circuit 17. The absolute value circuit 17 inverts the negative signal of the supplied signal and supplies it to the integrating circuit 18. The integrating circuit 18 integrates the signal supplied at regular intervals. This integration processing is performed based on the timer 22 controlled by the computer 21, and the value of the integration circuit 18 is reset at regular time intervals. The time change of the signal integrated by the integrating circuit 18 is as shown in FIG. 3, for example.
【００２０】積分回路１８によって一定時間積分された
信号はメモリー１９に供給されて記憶されると共に、積
分回路１９はリセット回路２３からのリセット信号によ
りリセットされる。例えば、ある一定時間に積分された
信号はメモリー１９に記憶されており、次の一定時間に
積分された信号とは、比較回路２０において比較され
る。この比較が終了すると、メモリー１９に記憶された
信号は遅延回路２４によって一定時間遅延されたリセッ
ト信号により消去される。The signal integrated by the integrating circuit 18 for a certain period of time is supplied to the memory 19 and stored therein, and the integrating circuit 19 is reset by a reset signal from the reset circuit 23. For example, the signal integrated for a certain fixed time is stored in the memory 19, and is compared with the signal integrated for the next fixed time in the comparison circuit 20. When this comparison is completed, the signal stored in the memory 19 is erased by the reset signal delayed by the delay circuit 24 for a predetermined time.
【００２１】このように、比較回路２０は電界放射型電
子銃１のエミッションノイズの一定時間ごとの変動量を
常に検出していることになり、このエミッションノイズ
の変動量に応じた比較回路２０の出力信号はコンピュー
タ２１に供給される。コンピュータ２１はエミッション
ノイズの変動量が所定の値以上となった場合には、電界
放射型電子銃１のフラッシングが必要と判断し、フラッ
シング電源２５を制御する。この結果、フラッシング電
源２５からエミッタ２にはフラッシング用の高電圧が印
加され、エミッタ２に吸着したガス分子などが取り除か
れる。なお、上記では、エミッションノイズの変動量に
応じてフラッシング電源２５を制御したが、エミッショ
ンノイズの大きさ（積分値の大きさ）によってフラッシ
ング電源２５を制御しても良い。As described above, the comparison circuit 20 always detects the variation amount of the emission noise of the field emission type electron gun 1 at every constant time, and the comparison circuit 20 according to the variation amount of the emission noise. The output signal is supplied to the computer 21. When the variation amount of the emission noise is equal to or larger than a predetermined value, the computer 21 determines that the field emission electron gun 1 needs to be flushed and controls the flushing power supply 25. As a result, a high voltage for flushing is applied to the emitter 2 from the flushing power supply 25, and gas molecules and the like adsorbed on the emitter 2 are removed. In the above, the flushing power supply 25 is controlled according to the variation amount of the emission noise, but the flushing power supply 25 may be controlled according to the magnitude of the emission noise (the magnitude of the integrated value).
【００２２】ここで、上記したステップによってエミッ
タ２のフラッシングを行うことにより、エミッタ２の表
面は清浄化するが、このフラッシングの後に絞り板１５
によって検出された信号を積分した場合に、その積分値
が予め定めた以上の値を示す場合がある。この場合は電
界放射型電子銃１の真空度が比較的悪い場合であり、そ
のため、フラッシングによりエミッタの表面を清浄化し
たとしても、直ちにエミッタ表面にガス分子が吸着し、
エミッションノイズが多くなる。このような場合には、
コンピュータ２１は真空度悪化についてのメッセージを
加算回路１３に供給し、陰極線管１４に供給される映像
信号に真空度悪化のメッセージを加え、陰極線管１４上
にそのメッセージを表示する。オペレータは陰極線管１
４上の表示に基づいて電界放射型電子銃の真空度を向上
させる手当て、例えば、電界放射型電子銃１のベーキン
グなどを行うことができる。Here, the surface of the emitter 2 is cleaned by performing the flushing of the emitter 2 by the steps described above, but after the flushing, the diaphragm plate 15 is formed.
When the signal detected by is integrated, the integrated value may show a value greater than or equal to a predetermined value. In this case, the vacuum degree of the field emission electron gun 1 is relatively poor. Therefore, even if the surface of the emitter is cleaned by flushing, gas molecules are immediately adsorbed on the emitter surface,
Emission noise increases. In such cases,
The computer 21 supplies a message regarding the deterioration of the degree of vacuum to the adding circuit 13, adds the message regarding the deterioration of the degree of vacuum to the video signal supplied to the cathode ray tube 14, and displays the message on the cathode ray tube 14. The operator is a cathode ray tube 1
Based on the above display, a measure for improving the vacuum degree of the field emission electron gun, for example, baking of the field emission electron gun 1 can be performed.
【００２３】図４は本発明の他の実施例を示しており、
この実施例では、積分回路１８の出力信号は直接コンピ
ュータ２１に供給され、コンピュータ２１に接続された
メモリー２６に記憶される。この結果、メモリー２６に
は図３に示した積分結果が記憶されることになる。コン
ピュータ２１はメモリー２６に記憶された積分値の変化
を監視しており、積分値の変動が所定以上となった場合
には、フラッシング電源２５を制御してエミッタ２のフ
ラッシングを実行する。また、コンピュータ２１は、積
分値変化の傾きが一定以上となった場合にも、エミッタ
２のフラッシングが必要と判断し、フラッシング電源２
５を制御してエミッタ２のフラッシングを実行する。FIG. 4 shows another embodiment of the present invention,
In this embodiment, the output signal of the integrating circuit 18 is directly supplied to the computer 21 and stored in the memory 26 connected to the computer 21. As a result, the integration result shown in FIG. 3 is stored in the memory 26. The computer 21 monitors the change in the integrated value stored in the memory 26, and when the change in the integrated value exceeds a predetermined value, it controls the flushing power supply 25 to execute the flushing of the emitter 2. Further, the computer 21 determines that the flushing of the emitter 2 is necessary even when the slope of the change in the integrated value exceeds a certain level, and the flushing power source 2
5 to control the flashing of the emitter 2.
【００２４】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、２次電子を検
出したが、反射電子を検出してもよい。また、走査電子
顕微鏡のみならず、電界放射型電子銃を用いた電子ビー
ム装置の全てに本発明を適用することができる。Although one embodiment of the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although secondary electrons are detected, reflected electrons may be detected. The present invention can be applied not only to the scanning electron microscope but also to all electron beam devices using a field emission electron gun.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
の発明では、電界放射型電子銃からの電子ビームの一部
を検出し、その検出信号の周波数成分を積分し、この積
分値の変化に応じて自動的に電界放射型電子銃のフラッ
シングを行うように構成したので、個々の電界放射型電
子銃の状態に応じて適切なタイミングで自動的にエミッ
タのフラッシングを行うことができる。従って、フラッ
シングのタイミングが遅れてエミッタが破損するような
ことはなくなり、また、早まってフラッシングを行うこ
とも防止される。すなわち、エミッタの安定領域の間を
十分に効率良く使用し続けることができる。更に、フラ
ッシングを自動的に行うことができるので、オペレータ
の負担が軽減される。As described above, according to the first aspect of the present invention.
In the invention, a part of the electron beam from the field emission electron gun is detected, the frequency component of the detection signal is integrated, and the field emission electron gun is flushed automatically according to the change of the integrated value. With this configuration, the emitter can be flushed automatically at an appropriate timing according to the state of each field emission electron gun. Therefore, the timing of flushing is not delayed and the emitter is not damaged, and premature flushing is prevented. That is, it is possible to continue to use between the stable regions of the emitter sufficiently efficiently. Further, since flushing can be performed automatically, the burden on the operator is reduced.
【００２６】本発明の請求項２の発明では、積分値の増
加量が所定以上となった場合に自動的にフラッシングを
行うように構成したので、請求項１と同様な効果が得ら
れる。According to the second aspect of the present invention, since the flushing is automatically performed when the increase amount of the integrated value exceeds a predetermined value, the same effect as the first aspect can be obtained.
【００２７】本発明の請求項３の発明では、積分値があ
る値以上の場合に自動的にフラッシングを行うように構
成したので、請求項１と同様な効果が得られる。本発明
の請求項４の発明では、積分値変化の傾きに応じて自動
的にフラッシングを行うように構成したので、請求項１
と同様な効果が得られる。。According to the third aspect of the present invention, since the flushing is automatically performed when the integrated value is equal to or more than a certain value, the same effect as that of the first aspect can be obtained. According to the invention of claim 4 of the present invention, the flushing is automatically performed in accordance with the slope of the change in the integrated value.
The same effect can be obtained. .
【００２８】本発明の請求項５の発明では、フラッシン
グ後の積分値が一定値以上の場合に真空度に関する表示
を行うように構成したので、請求項１の効果に加えて、
電界放射型電子銃の真空度悪化についても検出すること
ができる。According to the invention of claim 5 of the present invention, since the display relating to the degree of vacuum is performed when the integrated value after flushing is a certain value or more, in addition to the effect of claim 1,
It is also possible to detect deterioration of the vacuum degree of the field emission electron gun.
【図１】エミッション電流の変化を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing changes in emission current.
【図２】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一実施例を示
す図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a scanning electron microscope according to the present invention.
【図３】積分値変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing changes in integrated value.
【図４】本発明に基づく走査電子顕微鏡の他の実施例を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the scanning electron microscope according to the present invention.
１ 電界放射型電子銃 ２ エミッタ ３ 引出電極 ４ 加速電極 ５ 集束レンズ ６ 対物レンズ ７ 試料 ８ 偏向コイル ９ ２次電子検出器 １１ 割算回路 １３ 加算回路 １４ 陰極線管 １５ 絞り板 １６ ハイパスフィルター １７ 絶対値回路 １８ 積分回路 １９ メモリー ２０ 比較回路 ２１ コンピュータ ２２ タイマー ２３ リセット回路 ２４ 遅延回路 ２５ フラッシング電源 1 field emission electron gun 2 emitter 3 extraction electrode 4 acceleration electrode 5 focusing lens 6 objective lens 7 sample 8 deflection coil 9 secondary electron detector 11 division circuit 13 addition circuit 14 cathode ray tube 15 diaphragm plate 16 high-pass filter 17 absolute value Circuit 18 Integration circuit 19 Memory 20 Comparison circuit 21 Computer 22 Timer 23 Reset circuit 24 Delay circuit 25 Flushing power supply
Claims (5)
らの電子ビームの一部を検出する検出手段と、一定時間
ごとの検出手段からの検出信号の周波数成分を積分する
積分手段と、積分手段からの積分値の変化に応じて自動
的に電界放射型電子銃のフラッシングを行う手段とを有
した電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置。1. A field emission type electron gun, a detection means for detecting a part of an electron beam from the field emission type electron gun, and an integration means for integrating a frequency component of a detection signal from the detection means at regular time intervals. An electron beam apparatus provided with a field emission electron gun having means for automatically flushing the field emission electron gun according to a change in an integrated value from the integration means.
に自動的にフラッシングを行うようにした請求項１記載
の電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置。2. An electron beam apparatus equipped with a field emission electron gun according to claim 1, wherein flushing is automatically performed when the amount of increase of the integrated value exceeds a predetermined value.
ラッシングを行うようにした請求項１記載の電界放射型
電子銃を備えた電子ビーム装置。3. An electron beam apparatus equipped with a field emission electron gun according to claim 1, wherein flushing is automatically performed when the integrated value is equal to or more than a certain value.
ッシングを行うようにした請求項１記載の電界放射型電
子銃を備えた電子ビーム装置。4. An electron beam apparatus equipped with a field emission type electron gun according to claim 1, wherein flushing is automatically performed according to a slope of a change in integrated value.
らの電子ビームの一部を検出する検出手段と、一定時間
ごとの検出手段からの検出信号の周波数成分を積分する
積分手段と、積分手段からの積分値の変化に応じて自動
的に電界放射型電子銃のフラッシングを行う手段と、フ
ラッシング後の積分値が一定値以上の場合に真空度に関
する表示を行う手段とを有した電界放射型電子銃を備え
た電子ビーム装置。5. A field emission type electron gun, a detection means for detecting a part of an electron beam from the field emission type electron gun, and an integration means for integrating a frequency component of a detection signal from the detection means at regular time intervals, An electric field having means for automatically flushing the field emission electron gun in response to a change in the integrated value from the integrating means, and means for displaying a vacuum degree when the integrated value after flushing is a certain value or more. An electron beam device equipped with a radiation electron gun.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310356A JPH08167396A (en) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Electron beam device provided with field emission type electron gun |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310356A JPH08167396A (en) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Electron beam device provided with field emission type electron gun |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167396A true JPH08167396A (en) | 1996-06-25 |
Family
ID=18004252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6310356A Withdrawn JPH08167396A (en) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Electron beam device provided with field emission type electron gun |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167396A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276720A (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Hitachi High-Technologies Corp | Field emission type electron gun and electron beam application apparatus using the same |
| JP2008047309A (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Hitachi High-Technologies Corp | Field emission type electron gun, and its operation method |
| JP2009543273A (en) * | 2006-07-06 | 2009-12-03 | カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー | Method and apparatus for generating images |
| US7777404B1 (en) | 2005-09-21 | 2010-08-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Field emission type electron gun comprising single fibrous carbon electron emitter and operating method for the same |
| JP2013258030A (en) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Jeol Ltd | Electron microscope and operation method therefor |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP6310356A patent/JPH08167396A/en not_active Withdrawn
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| EP2674961A3 (en) * | 2012-06-12 | 2015-01-07 | Jeol Ltd. | Electron microscope and method of operating the same |
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