JP2000208084A - Scanning charged particle beam device - Google Patents

Scanning charged particle beam device

Info

Publication number
JP2000208084A
JP2000208084A JP11005053A JP505399A JP2000208084A JP 2000208084 A JP2000208084 A JP 2000208084A JP 11005053 A JP11005053 A JP 11005053A JP 505399 A JP505399 A JP 505399A JP 2000208084 A JP2000208084 A JP 2000208084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
scanning
signal
charged particle
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11005053A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsugi Yamada
貢 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP11005053A priority Critical patent/JP2000208084A/en
Publication of JP2000208084A publication Critical patent/JP2000208084A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning charged particle beam device capable clearly performing image observation even when a charged region exists on the surface of a sample. SOLUTION: The intensity of a secondary electron signal is reduced according to the intensity of an absorption current by means of a computing unit 17. Such a computation can be accomplished by using, for instance, an adder as the computing unit 17. As a result, when a charged region is scanned by a primary electron beam, the absorption current is reduced, and a secondary electron detection signal is abnormally intensified, but the intensity of the secondary electron detection signal is reduced according to the small value of the absorption current. Therefore, the luminance in the charged region of the sample is abnormally intensified, so that the observation of the whole image on a cathode-ray tube 15 is prevented from being hindered.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、試料上で電子ビー
ムを走査し、試料からの信号に基づいて像を表示するよ
うにした走査電子顕微鏡等の走査型荷電粒子ビーム装置
に関し、特に、帯電する試料の観察を行うに適した走査
型荷電粒子ビーム装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning type charged particle beam apparatus such as a scanning electron microscope which scans an electron beam on a sample and displays an image based on a signal from the sample. The present invention relates to a scanning charged particle beam apparatus suitable for observing a sample to be measured.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は、走査型荷電粒子ビーム装置とし
ての走査電子顕微鏡の一例を示しており、図中1は電子
銃である。電子銃1から発生した電子ビームEBは、集
束レンズ2と対物レンズ3によって試料4上に細く集束
される。また、電子ビームEBは、走査コイル5によっ
て偏向され、試料4上の電子ビームの照射位置は走査さ
れる。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows an example of a scanning electron microscope as a scanning type charged particle beam apparatus, wherein 1 is an electron gun. The electron beam EB generated from the electron gun 1 is narrowly focused on the sample 4 by the focusing lens 2 and the objective lens 3. The electron beam EB is deflected by the scanning coil 5, and the irradiation position of the electron beam on the sample 4 is scanned.

【0003】走査コイル5にはビーム走査制御器6から
2次元的な走査信号が供給される。また、試料4は試料
ステージ制御器7によって駆動されるモータ8により、
X,Yの2次元方向に移動させられる移動ステージ9上
に載せられている。
The scanning coil 5 is supplied with a two-dimensional scanning signal from a beam scanning controller 6. The sample 4 is moved by a motor 8 driven by a sample stage controller 7.
It is mounted on a moving stage 9 that can be moved in two-dimensional directions of X and Y.

【0004】試料4への電子ビームEBの照射によって
発生した2次電子は、2次電子検出器10によって検出
される。検出器10の検出信号は、AD変換器11によ
ってディジタル信号に変換された後、フレームメモリー
12に供給される。
Secondary electrons generated by irradiating the sample 4 with the electron beam EB are detected by a secondary electron detector 10. The detection signal of the detector 10 is supplied to a frame memory 12 after being converted into a digital signal by an AD converter 11.

【0005】13はフレームメリー12の各画素に検出
信号を記憶させる際、記憶画素の座標の選択を行うため
のアドレス発生器であり、この発生器13はビーム走査
制御器6から供給される電子ビームEBの走査信号に応
じた信号により、アドレス信号を作成する。フレームメ
モリー12に記憶されている信号は読み出され、DA変
換器14によってアナログ信号に変換された後、陰極線
管15に供給される。このような構成の動作を次に説明
する。
[0005] Reference numeral 13 denotes an address generator for selecting the coordinates of the storage pixel when the detection signal is stored in each pixel of the frame Mary 12, and this generator 13 is provided with an electron supplied from the beam scanning controller 6. An address signal is created by a signal corresponding to the scanning signal of the beam EB. The signal stored in the frame memory 12 is read out, converted into an analog signal by the DA converter 14, and then supplied to the cathode ray tube 15. The operation of such a configuration will now be described.

【0006】2次電子像を観察する場合、試料4上で電
子ビームEBの2次元走査が行われる。試料4への電子
ビームEBの照射に基づいて発生した2次電子は、検出
器10によって検出される。検出信号はAD変換器11
を介してフレームメモリー12内の電子ビームEBの走
査位置に応じたアドレスの画素対応記憶領域に記憶され
る。
When observing a secondary electron image, two-dimensional scanning of the electron beam EB is performed on the sample 4. Secondary electrons generated based on the irradiation of the sample 4 with the electron beam EB are detected by the detector 10. The detection signal is an AD converter 11
Is stored in a pixel-corresponding storage area at an address corresponding to the scanning position of the electron beam EB in the frame memory 12 via

【0007】このようにしてフレームメモリー12の各
画素には映像信号が記憶されるが、この記憶された映像
信号は読み出され、DA変換器14を介して陰極線管1
5に供給されることから、陰極線管15には試料の2次
電子像が表示される。
[0007] The video signal is stored in each pixel of the frame memory 12 in this manner. The stored video signal is read out and passed through the DA converter 14 to the cathode ray tube 1.
5, the secondary electron image of the sample is displayed on the cathode ray tube 15.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】さて、上記した走査電
子顕微鏡において、試料表面に非導電性の領域がある
と、その試料領域では一次電子ビームの電流によって帯
電現象が生じる。この帯電現象が生じた領域に一次電子
ビームを更に照射した場合、その領域からの2次電子発
生量が大きくなり、検出した像信号の輝度が異常に大き
くなってしまう。その結果、陰極線管上の像において
は、帯電領域が白く輝いて観察され、全体的に像が見ず
らくなってしまう。
In the above-mentioned scanning electron microscope, if there is a non-conductive area on the sample surface, a charging phenomenon occurs in the sample area due to the current of the primary electron beam. When a primary electron beam is further irradiated on the area where the charging phenomenon has occurred, the amount of secondary electrons generated from the area increases, and the luminance of the detected image signal becomes abnormally large. As a result, in the image on the cathode ray tube, the charged region is observed to be shining white, and the image becomes difficult to see as a whole.

【0009】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、試料表面上に帯電領域が存在して
いても、像観察を明瞭に行うことができる走査型荷電粒
子ビーム装置を実現するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a scanning charged particle beam capable of clearly observing an image even when a charged region exists on the surface of a sample. The realization of the device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】第1の発明に基づく走査
電子顕微鏡は、荷電粒子ビームを試料上に集束するため
の集束レンズと、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を
走査するための走査手段と、試料への荷電粒子ビームの
照射によって試料表面から放出された信号を検出する検
出器と、試料に吸収された電流を増幅する増幅器と、増
幅器からの試料の吸収電流信号の強度に応じて検出器か
らの検出信号の強度を調整する演算器とを備え、演算器
において演算された信号に基づいて像の表示を行うよう
にしたことを特徴としている。
A scanning electron microscope according to a first aspect of the present invention comprises a focusing lens for focusing a charged particle beam on a sample, and a scanning device for scanning an irradiation position of the charged particle beam on the sample. Means, a detector for detecting a signal emitted from the surface of the sample by irradiating the sample with a charged particle beam, an amplifier for amplifying a current absorbed by the sample, and a function of the intensity of the sampled current signal from the amplifier. And a calculator for adjusting the intensity of a detection signal from the detector, and displaying an image based on the signal calculated by the calculator.

【0011】第1の発明では、試料の表面から得られる
2次電子や反射電子を検出すると共に、試料の吸収電流
信号を得、試料の吸収電流信号の強度に応じて2次電子
や反射電子検出信号の強度を調整し、調整された信号に
基づいて像の表示を行い、表示画面上の異常に輝度が高
くなる現象を防止する。
In the first invention, secondary electrons and reflected electrons obtained from the surface of the sample are detected, an absorption current signal of the sample is obtained, and secondary electrons and reflected electrons are obtained according to the intensity of the absorption current signal of the sample. The intensity of the detection signal is adjusted, an image is displayed based on the adjusted signal, and the phenomenon that abnormally high luminance on the display screen is prevented.

【0012】第2の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、請求項1の発明において、演算器として加算器
を用いた。第3の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム装
置は、請求項1の発明において、吸収電流信号をローパ
スフィルターを介して演算器に供給するように構成し
た。
A scanning charged particle beam apparatus according to a second aspect of the present invention uses an adder as an arithmetic unit in the first aspect of the present invention. A scanning charged particle beam device according to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, is configured to supply an absorption current signal to a computing unit via a low-pass filter.

【0013】第4の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、請求項1の発明において、吸収電流の増幅器の
増幅度を可変とした。
According to a fourth aspect of the present invention, in the scanning charged particle beam apparatus according to the first aspect, the amplification degree of the amplifier of the absorption current is variable.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図2は本発明に基づく走査
電子顕微鏡の一例を示しており、図1の従来装置と同一
ないしは類似部分には同一番号が付されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows an example of a scanning electron microscope according to the present invention, and the same or similar parts as those in the conventional apparatus of FIG.

【0015】図2において、1は電子銃である。電子銃
1から発生した電子ビームEBは、集束レンズ2と対物
レンズ3によって試料4上に細く集束される。また、電
子ビームEBは、走査コイル5によって偏向され、試料
4上の電子ビームの照射位置は走査される。
In FIG. 2, reference numeral 1 denotes an electron gun. The electron beam EB generated from the electron gun 1 is narrowly focused on the sample 4 by the focusing lens 2 and the objective lens 3. The electron beam EB is deflected by the scanning coil 5, and the irradiation position of the electron beam on the sample 4 is scanned.

【0016】走査コイル5にはビーム走査制御器6から
2次元的な走査信号が供給される。また、試料4は試料
ステージ制御器7によって駆動されるモータ8により、
X,Yの2次元方向に移動させられる移動ステージ9上
に載せられている。
The scanning coil 5 is supplied with a two-dimensional scanning signal from a beam scanning controller 6. The sample 4 is moved by a motor 8 driven by a sample stage controller 7.
It is mounted on a moving stage 9 that can be moved in two-dimensional directions of X and Y.

【0017】試料4への電子ビームEBの照射によって
発生した2次電子は、2次電子検出器10によって検出
される。検出器10の検出信号は、増幅器16によって
増幅された後、演算器17に供給される。演算器17の
演算出力信号は、AD変換器11によってディジタル信
号に変換された後、フレームメモリー12に供給され
る。
Secondary electrons generated by irradiating the sample 4 with the electron beam EB are detected by a secondary electron detector 10. The detection signal of the detector 10 is supplied to the arithmetic unit 17 after being amplified by the amplifier 16. The arithmetic output signal of the arithmetic unit 17 is supplied to the frame memory 12 after being converted into a digital signal by the AD converter 11.

【0018】13はフレームメリー12の各画素に検出
信号を記憶させる際、記憶画素の座標の選択を行うため
のアドレス発生器であり、この発生器13はビーム走査
制御器6から供給される電子ビームEBの走査信号に応
じた信号により、アドレス信号を作成する。フレームメ
モリー12に記憶されている信号は読み出され、DA変
換器14によってアナログ信号に変換された後、陰極線
管15に供給される。
Reference numeral 13 denotes an address generator for selecting a coordinate of a storage pixel when a detection signal is stored in each pixel of the frame Mary 12, and this generator 13 is an electron generator supplied from the beam scanning controller 6. An address signal is created by a signal corresponding to the scanning signal of the beam EB. The signal stored in the frame memory 12 is read out, converted into an analog signal by the DA converter 14, and then supplied to the cathode ray tube 15.

【0019】試料ステージ9には試料4の吸収電流用増
幅器18が接続されている。増幅器18によって増幅さ
れた信号は、ローパスフィルタ19に供給され、ローパ
スフィルタ19を通過した信号が前記演算器17に供給
されて2次電子検出信号と演算される。このような構成
の動作を次に説明する。
An amplifier 18 for the absorption current of the sample 4 is connected to the sample stage 9. The signal amplified by the amplifier 18 is supplied to a low-pass filter 19, and the signal that has passed through the low-pass filter 19 is supplied to the computing unit 17 to be operated on a secondary electron detection signal. The operation of such a configuration will now be described.

【0020】2次電子像を観察する場合、試料4上で電
子ビームEBの2次元走査が行われる。試料4への電子
ビームEBの照射に基づいて発生した2次電子は、検出
器10によって検出される。検出信号は増幅器16、演
算器17を介してAD変換器11を介してフレームメモ
リー12内の電子ビームEBの走査位置に応じたアドレ
スの画素対応記憶領域に記憶される。
When observing a secondary electron image, two-dimensional scanning of the electron beam EB is performed on the sample 4. Secondary electrons generated based on the irradiation of the sample 4 with the electron beam EB are detected by the detector 10. The detection signal is stored in a pixel-corresponding storage area of an address corresponding to the scanning position of the electron beam EB in the frame memory 12 via the AD converter 11 via the amplifier 16 and the arithmetic unit 17.

【0021】このようにしてフレームメモリー12の各
画素には映像信号が記憶されるが、この記憶された映像
信号は読み出され、DA変換器14を介して陰極線管1
5に供給されることから、陰極線管15には試料の2次
電子像が表示される。
The video signal is stored in each pixel of the frame memory 12 in this manner. The stored video signal is read out, and is passed through the DA converter 14 to the cathode ray tube 1.
5, the secondary electron image of the sample is displayed on the cathode ray tube 15.

【0022】ところで、通常、試料上で帯電が生じてい
ない状態に比べて、帯電が生じると2次電子検出信号の
強度が大きくなる一方、試料4の吸収電流は相対的に小
さくなる。このため、図2の実施の形態では、演算器1
7によって、2次電子信号の強度を吸収電流の強度に応
じて小さくする。このような演算は、例えば、演算器1
7として加算器を用いることにより達成することができ
る。
By the way, normally, when charging occurs, the intensity of the secondary electron detection signal increases, while the absorption current of the sample 4 decreases relatively as compared with a state where no charging occurs on the sample. For this reason, in the embodiment of FIG.
7, the intensity of the secondary electron signal is reduced according to the intensity of the absorption current. Such an operation is performed by, for example, the arithmetic unit 1
7 can be achieved by using an adder.

【0023】この結果、帯電した領域を一次電子ビーム
で走査しているときは、吸収電流が小さくなり、2次電
子検出信号が異常に大きくなるが、この吸収電流の小さ
な値に応じて2次電子検出信号の強度が減少される。し
たがって、試料の帯電領域で輝度が異常に高くなり、陰
極線管15上での全体の像の観察に支障を来すことは防
止される。
As a result, when the charged area is scanned with the primary electron beam, the absorption current becomes small and the secondary electron detection signal becomes abnormally large. The intensity of the electronic detection signal is reduced. Therefore, it is possible to prevent the luminance from becoming abnormally high in the charged region of the sample, and obstructing the observation of the entire image on the cathode ray tube 15.

【0024】なお、試料の吸収電流は増幅器18によっ
て増幅された後、ローパスフィルタ19に供給される
が、ローパスフィルタ19は、吸収電流の周波数帯域の
みの信号を通過させ、ノイズ成分となる高い周波数の信
号をカットする。
After the absorption current of the sample is amplified by the amplifier 18 and supplied to the low-pass filter 19, the low-pass filter 19 passes only the signal in the frequency band of the absorption current and has a high frequency as a noise component. Cut the signal.

【0025】この増幅器18の増幅度とローパスフィル
タ19の通過帯域を適当に調節することは有効である。
すなわち、この調節を最適に行えば、帯電のない領域で
演算器17における演算により、2次電子検出信号に基
づく試料上の微細構造の信号成分がなくなったり、薄め
られたりすることを防ぐことができる。
It is effective to appropriately adjust the amplification degree of the amplifier 18 and the pass band of the low-pass filter 19.
That is, if this adjustment is optimally performed, it is possible to prevent the signal component of the fine structure on the sample based on the secondary electron detection signal from disappearing or being weakened by the calculation in the calculator 17 in the non-charged region. it can.

【0026】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、2次電子を検
出したが、反射電子を検出してもよい。また、電子ビー
ムを試料に照射する走査電子顕微鏡を例に説明したが、
イオンビームを試料に照射するようにした装置などにも
本発明を適用することができる。
Although the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although secondary electrons are detected, reflected electrons may be detected. Also, a scanning electron microscope that irradiates a sample with an electron beam has been described as an example,
The present invention can also be applied to an apparatus that irradiates a sample with an ion beam.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、第1の発明では、
試料の表面から得られる2次電子や反射電子を検出する
と共に、試料の吸収電流信号を得、試料の吸収電流信号
の強度に応じて2次電子や反射電子検出信号の強度を調
整し、調整された信号に基づいて像の表示を行うように
したので、帯電した試料領域に対応した表示画面上で、
異常に輝度が高くなる現象を防止することができ、非導
電性領域が試料上に存在していても、常に見易い画像を
得ることができる。
As described above, in the first invention,
Detects secondary electrons and reflected electrons obtained from the surface of the sample, obtains an absorption current signal of the sample, and adjusts the intensity of the secondary electron and reflection electron detection signals according to the intensity of the absorption current signal of the sample. Since the image is displayed based on the signal obtained, on the display screen corresponding to the charged sample area,
It is possible to prevent a phenomenon in which the luminance is abnormally high, and to obtain an image that is always easy to see even if a non-conductive area exists on the sample.

【0028】第2の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、第1の発明において、演算器として加算器を用
いたので、第1の発明と同様な効果が達成される。第3
の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム装置は、請求項1
の発明において、吸収電流信号をローパスフィルターを
介して演算器に供給するように構成したので、ノイズの
影響なく2次電子や反射電子信号の調整を行うことがで
きる。
In the scanning charged particle beam device according to the second invention, the same effect as that of the first invention is achieved because the adder is used as the arithmetic unit in the first invention. Third
The scanning charged particle beam device according to the invention of claim 1 is
In the present invention, since the absorption current signal is supplied to the arithmetic unit via the low-pass filter, it is possible to adjust the secondary electron and reflected electron signals without the influence of noise.

【0029】第4の発明に基づく走査型荷電粒子ビーム
装置は、請求項1の発明において、吸収電流の増幅器の
増幅度を可変としたので、帯電していない領域の像信号
に悪影響を及ぼさないような調整が可能となる。
In the scanning charged particle beam apparatus according to the fourth aspect of the present invention, since the amplification degree of the amplifier of the absorption current is variable in the first aspect of the invention, the image signal in the non-charged area is not adversely affected. Such adjustment is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の走査電子顕微鏡の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a conventional scanning electron microscope.

【図2】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一例を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a scanning electron microscope according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子銃 2 集束レンズ 3 対物レンズ 4 試料 5 走査コイル 6 ビーム走査制御器 7 ステージ制御器 8 モータ 9 移動ステージ 10 検出器 11 AD変換器 12 フレームメモリー 13 アドレス発生器 14 DA変換器 15 陰極線管 16,18 増幅器 17 演算器 19 ローパスフィルタ REFERENCE SIGNS LIST 1 electron gun 2 focusing lens 3 objective lens 4 sample 5 scanning coil 6 beam scanning controller 7 stage controller 8 motor 9 moving stage 10 detector 11 AD converter 12 frame memory 13 address generator 14 DA converter 15 cathode ray tube 16 , 18 Amplifier 17 Operation unit 19 Low-pass filter

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 荷電粒子ビームを試料上に集束するため
の集束レンズと、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を
走査するための走査手段と、試料への荷電粒子ビームの
照射によって試料表面から放出された信号を検出する検
出器と、試料に吸収された電流を増幅する増幅器と、増
幅器からの試料の吸収電流信号の強度に応じて検出器か
らの検出信号の強度を調整する演算器とを備え、演算器
において演算された信号に基づいて像の表示を行うよう
にした走査型荷電粒子ビーム装置。
A focusing lens for focusing the charged particle beam on the sample; a scanning unit for scanning an irradiation position of the charged particle beam on the sample; and a sample surface by irradiating the sample with the charged particle beam. A detector for detecting the emitted signal, an amplifier for amplifying the current absorbed by the sample, and a calculator for adjusting the intensity of the detection signal from the detector in accordance with the intensity of the absorption current signal of the sample from the amplifier. And a scanning charged particle beam apparatus configured to display an image based on a signal calculated by the calculator.
【請求項2】 演算器は加算器である請求項1記載の走
査型荷電粒子ビーム装置。
2. The scanning type charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the arithmetic unit is an adder.
【請求項3】 吸収電流信号はローパスフィルターを介
して演算器に供給されるように構成した請求項1記載の
走査型荷電粒子ビーム装置。
3. The scanning type charged particle beam apparatus according to claim 1, wherein the absorption current signal is supplied to an arithmetic unit via a low-pass filter.
【請求項4】 吸収電流を増幅する増幅器の増幅度が可
変である請求項1記載の走査電子顕微鏡。
4. The scanning electron microscope according to claim 1, wherein the amplification degree of the amplifier for amplifying the absorption current is variable.
JP11005053A 1999-01-12 1999-01-12 Scanning charged particle beam device Withdrawn JP2000208084A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11005053A JP2000208084A (en) 1999-01-12 1999-01-12 Scanning charged particle beam device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11005053A JP2000208084A (en) 1999-01-12 1999-01-12 Scanning charged particle beam device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000208084A true JP2000208084A (en) 2000-07-28

Family

ID=11600669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11005053A Withdrawn JP2000208084A (en) 1999-01-12 1999-01-12 Scanning charged particle beam device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000208084A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009246012A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Hitachi High-Technologies Corp Charged potential measuring method, and charged particle microscope

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009246012A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Hitachi High-Technologies Corp Charged potential measuring method, and charged particle microscope

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8604430B2 (en) Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam
US9368324B2 (en) Measurement and inspection device
US20190362930A1 (en) Charged Particle Beam Apparatus and Image Acquisition Method
JP3987208B2 (en) Scanning transmission electron microscope
JP2001235438A (en) Image observation method and scanning electron microscope
JP3153391B2 (en) Focused ion beam equipment
JP2000208084A (en) Scanning charged particle beam device
JP5274897B2 (en) Scanning electron microscope for cross-sectional observation
JP4843319B2 (en) Scanning electron microscope
US6995369B1 (en) Scanning electron beam apparatus and methods of processing data from same
JP3101089B2 (en) Brightness correction method for scanning electron microscope
JPH08167396A (en) Electron beam device provided with field emission type electron gun
JP2839732B2 (en) Automatic brightness / contrast adjuster for scanning electron microscope
JP3112548B2 (en) Image signal processing method in charged particle beam device
JP2005005056A (en) Scanning electron microscope
JP2009181863A (en) Image-signal processing method, device, and charged-particle beam apparatus
JPS6364255A (en) Particle beam radiating device
JP3790629B2 (en) Scanning charged particle beam apparatus and method of operating scanning charged particle beam apparatus
JP3114335B2 (en) Focusing method in scanning electron microscope
JP3114416B2 (en) Focusing method in charged particle beam device
JPS5914222B2 (en) Magnification control device for scanning electron microscopes, etc.
JP2001202914A (en) Method of observing secondary charged particle image on focused ion beam apparatus
JPH07161327A (en) Focusing method in charged particle beam
JPH11144664A (en) Electron beam device
JP3032397B2 (en) Field emission scanning electron microscope

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060404