JPH08162422A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH08162422A JPH08162422A JP33022594A JP33022594A JPH08162422A JP H08162422 A JPH08162422 A JP H08162422A JP 33022594 A JP33022594 A JP 33022594A JP 33022594 A JP33022594 A JP 33022594A JP H08162422 A JPH08162422 A JP H08162422A
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- lid
- reaction container
- treatment apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 構造を簡単にし、水蒸気の発生防止及び反応
生成物の反応容器の開口部及び蓋体への付着を防止す
る。 【構成】 ヒータ３を包囲して内部が所定温度に加熱さ
れる筒状の反応容器１の下部開口部２を介して半導体ウ
エハＷを支持する支持体１３を搬入・搬出可能に形成す
る。反応容器１の開口部２を開閉する蓋体６の反応容器
内側面に間隙１４を介して面状ヒータ１５を設ける。こ
れにより、面状ヒータ１５からの熱を反応容器内側面に
伝熱することができ、反応容器１内の水蒸気の発生防止
及び反応生成物の反応容器１の開口部２及び蓋体６への
付着を防止することができる。
生成物の反応容器の開口部及び蓋体への付着を防止す
る。 【構成】 ヒータ３を包囲して内部が所定温度に加熱さ
れる筒状の反応容器１の下部開口部２を介して半導体ウ
エハＷを支持する支持体１３を搬入・搬出可能に形成す
る。反応容器１の開口部２を開閉する蓋体６の反応容器
内側面に間隙１４を介して面状ヒータ１５を設ける。こ
れにより、面状ヒータ１５からの熱を反応容器内側面に
伝熱することができ、反応容器１内の水蒸気の発生防止
及び反応生成物の反応容器１の開口部２及び蓋体６への
付着を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程においては、被処
理体である半導体ウエハ（以下にウエハという）の表面
に薄膜や酸化膜を積層したり、あるいは不純物の拡散等
を行うために、ＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、あるいは
拡散装置等の熱処理装置が用いられている。
理体である半導体ウエハ（以下にウエハという）の表面
に薄膜や酸化膜を積層したり、あるいは不純物の拡散等
を行うために、ＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、あるいは
拡散装置等の熱処理装置が用いられている。
【０００３】この種の熱処理装置は、耐熱材料例えば石
英製の筒状反応容器を直立させて設け、この反応容器を
包囲して内部を１０００〜１２００℃以上の高温の温度
に加熱するヒータ部を具備してなる。また、反応容器の
下方は開口部となっており、この開口部を介してウエハ
を水平に支持する耐熱性のウエハボートが搬入・搬出可
能に構成されている。開口部には、内部を気密に保持す
るＯリング等を介して蓋体が設けられており、この蓋体
は、スプリングを介して上下駆動機構に連結された支持
体に支持されて、反応容器の開口部を開閉し得るように
構成されている。また、蓋体の外側には、冷却水の循環
路が設けられており、蓋体を冷却することにより反応容
器の下方に設けられた装置や機器類が加熱されるのを防
止している。
英製の筒状反応容器を直立させて設け、この反応容器を
包囲して内部を１０００〜１２００℃以上の高温の温度
に加熱するヒータ部を具備してなる。また、反応容器の
下方は開口部となっており、この開口部を介してウエハ
を水平に支持する耐熱性のウエハボートが搬入・搬出可
能に構成されている。開口部には、内部を気密に保持す
るＯリング等を介して蓋体が設けられており、この蓋体
は、スプリングを介して上下駆動機構に連結された支持
体に支持されて、反応容器の開口部を開閉し得るように
構成されている。また、蓋体の外側には、冷却水の循環
路が設けられており、蓋体を冷却することにより反応容
器の下方に設けられた装置や機器類が加熱されるのを防
止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近では、
内部温度を約７００℃に加熱してウエハに所定の処理を
施す低温プロセスが行われている。この低温プロセスに
おいて、従来と同様に蓋体を水冷により冷却すると、温
度が下がり過ぎて水蒸気が発生し、結露水が開口部近傍
の排気口付近に溜まるという問題がある。また、反応ガ
ス例えばＨＣｌ等が水に溶けた反応生成物が反応容器の
開口部付近及び蓋体等に付着し、排気管等を腐食させる
虞れがあると共に、付着物が剥離してウエハの汚染を招
くという問題があった。
内部温度を約７００℃に加熱してウエハに所定の処理を
施す低温プロセスが行われている。この低温プロセスに
おいて、従来と同様に蓋体を水冷により冷却すると、温
度が下がり過ぎて水蒸気が発生し、結露水が開口部近傍
の排気口付近に溜まるという問題がある。また、反応ガ
ス例えばＨＣｌ等が水に溶けた反応生成物が反応容器の
開口部付近及び蓋体等に付着し、排気管等を腐食させる
虞れがあると共に、付着物が剥離してウエハの汚染を招
くという問題があった。
【０００５】この問題を解決する手段として、蓋体上に
載置される保温筒にヒータを内蔵することにより、開口
部付近の温度を上げて水蒸気の発生を防止するもの、あ
るいは、蓋体にヒータを埋設して、同様に開口部付近の
温度を上げて水蒸気の発生を防止するものなどが考えら
れる。
載置される保温筒にヒータを内蔵することにより、開口
部付近の温度を上げて水蒸気の発生を防止するもの、あ
るいは、蓋体にヒータを埋設して、同様に開口部付近の
温度を上げて水蒸気の発生を防止するものなどが考えら
れる。
【０００６】しかしながら、前者すなわち保温筒内にヒ
ータを内蔵する構造のものにおいては、ウエハボートと
共に保温筒を洗浄する際の防水のために防水処理を施す
必要あり、そのため、構造が複雑となる共に、メンテナ
ンス性が悪いという問題がある。これに対して、後者す
なわち蓋体内にヒータを埋設するものは、メンテナンス
性の問題はないが、蓋体内にヒータを埋設することによ
り、ヒータの加熱温度（１００℃以上）が蓋体に伝熱さ
れるため、蓋体が変形する虞れがあり、反応容器の開口
部の気密性が低下し、ひいては処理能率の低下を招くと
いう問題がある。
ータを内蔵する構造のものにおいては、ウエハボートと
共に保温筒を洗浄する際の防水のために防水処理を施す
必要あり、そのため、構造が複雑となる共に、メンテナ
ンス性が悪いという問題がある。これに対して、後者す
なわち蓋体内にヒータを埋設するものは、メンテナンス
性の問題はないが、蓋体内にヒータを埋設することによ
り、ヒータの加熱温度（１００℃以上）が蓋体に伝熱さ
れるため、蓋体が変形する虞れがあり、反応容器の開口
部の気密性が低下し、ひいては処理能率の低下を招くと
いう問題がある。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、構造を簡単にし、水蒸気の発生防止及び反応生成物
が反応容器の開口部及び蓋体に付着するのを防止するよ
うにした熱処理装置を提供することを目的とするもので
ある。
で、構造を簡単にし、水蒸気の発生防止及び反応生成物
が反応容器の開口部及び蓋体に付着するのを防止するよ
うにした熱処理装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の熱処理装置は、被処理体を支持す
る支持手段を下方から挿入する開口部を有すると共に、
導入される反応ガスにより被処理体に所定の処理を施す
筒状の反応容器と、この反応容器の上記開口部を開閉す
る蓋体と、上記反応容器を包囲して設けられる加熱部と
を具備する熱処理装置を前提とし、上記蓋体の上記反応
容器内側面に間隙を介して加熱手段を設けたことを特徴
とするものである（請求項１）。
に、この発明の第１の熱処理装置は、被処理体を支持す
る支持手段を下方から挿入する開口部を有すると共に、
導入される反応ガスにより被処理体に所定の処理を施す
筒状の反応容器と、この反応容器の上記開口部を開閉す
る蓋体と、上記反応容器を包囲して設けられる加熱部と
を具備する熱処理装置を前提とし、上記蓋体の上記反応
容器内側面に間隙を介して加熱手段を設けたことを特徴
とするものである（請求項１）。
【０００９】また、この発明の第２の熱処理装置は、上
記第１の熱処理装置と同様に、被処理体を支持する支持
手段を下方から挿入する開口部を有すると共に、導入さ
れる反応ガスにより被処理体に所定の処理を施す筒状の
反応容器と、この反応容器の上記開口部を開閉する蓋体
と、上記反応容器を包囲して設けられる加熱部とを具備
する熱処理装置を前提とし、上記蓋体の上記反応容器内
側面に凹部を設け、この凹部内に間隙を介して加熱手段
を設けたことを特徴とするものである（請求項２）。
記第１の熱処理装置と同様に、被処理体を支持する支持
手段を下方から挿入する開口部を有すると共に、導入さ
れる反応ガスにより被処理体に所定の処理を施す筒状の
反応容器と、この反応容器の上記開口部を開閉する蓋体
と、上記反応容器を包囲して設けられる加熱部とを具備
する熱処理装置を前提とし、上記蓋体の上記反応容器内
側面に凹部を設け、この凹部内に間隙を介して加熱手段
を設けたことを特徴とするものである（請求項２）。
【００１０】この発明において、上記加熱手段は任意の
構造のものでよいが、好ましくは加熱手段を面状ヒータ
にて形成し、この面状ヒータの反応容器内側面に表面板
を積層すると共に、反対側面に均熱板を積層してなる方
がよい（請求項３）。
構造のものでよいが、好ましくは加熱手段を面状ヒータ
にて形成し、この面状ヒータの反応容器内側面に表面板
を積層すると共に、反対側面に均熱板を積層してなる方
がよい（請求項３）。
【００１１】また、加熱手段を面状ヒータにて形成し、
この面状ヒータの反応容器内側面に表面板を積層すると
共に、反対側面に均熱板を積層し、上記面状ヒータ及び
均熱板に設けられた透孔を遊嵌する支持部材を介して上
記蓋体と表面板とを固定する方が好ましい（請求項
４）。
この面状ヒータの反応容器内側面に表面板を積層すると
共に、反対側面に均熱板を積層し、上記面状ヒータ及び
均熱板に設けられた透孔を遊嵌する支持部材を介して上
記蓋体と表面板とを固定する方が好ましい（請求項
４）。
【００１２】加えて、上記加熱手段及び開口部に温度検
出手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号に基
いて上記加熱手段の温度を制御する方が好ましい（請求
項５）。
出手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号に基
いて上記加熱手段の温度を制御する方が好ましい（請求
項５）。
【００１３】
【作用】上記のように構成されるこの発明の熱処理装置
によれば、蓋体の反応容器内側面に間隙を介して加熱手
段を設けることにより、加熱手段からの熱を蓋体の反応
容器内側面に伝熱して、被処理体の処理後の反応容器内
の温度低下に伴う水蒸気の発生を防止することができる
と共に、反応生成物の反応容器内及び蓋体への付着を防
止することができる。また、間隙により加熱手段からの
蓋体自体への伝熱を阻止することができるので、蓋体の
熱変形を防止することができる。
によれば、蓋体の反応容器内側面に間隙を介して加熱手
段を設けることにより、加熱手段からの熱を蓋体の反応
容器内側面に伝熱して、被処理体の処理後の反応容器内
の温度低下に伴う水蒸気の発生を防止することができる
と共に、反応生成物の反応容器内及び蓋体への付着を防
止することができる。また、間隙により加熱手段からの
蓋体自体への伝熱を阻止することができるので、蓋体の
熱変形を防止することができる。
【００１４】また、加熱手段及び反応容器の開口部に温
度検出手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号
に基いて加熱手段の温度を制御することにより、開口部
雰囲気の温度及び加熱手段の加熱温度を適正状態に制御
することができる。
度検出手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号
に基いて加熱手段の温度を制御することにより、開口部
雰囲気の温度及び加熱手段の加熱温度を適正状態に制御
することができる。
【００１５】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の熱処理装置を半導体
ウエハの縦型熱熱処理装置に適用した場合について説明
する。
に説明する。ここでは、この発明の熱処理装置を半導体
ウエハの縦型熱熱処理装置に適用した場合について説明
する。
【００１６】図１はこの発明の熱処理装置の概略断面
図、図２はその要部断面図である。
図、図２はその要部断面図である。
【００１７】上記縦型熱処理装置は、例えば石英等の耐
熱材料にて形成される有底筒状の反応容器１を開口部２
を下方側にして直立して設け、この反応容器１の外周に
は、加熱部であるヒータ３が反応容器１を包囲して設け
られている。ヒータ３の外周は、断熱材にて形成される
外容器４で包囲し、ヒータ３の熱が効率よく反応容器１
内を約７００℃に加熱し得るように構成されている。
熱材料にて形成される有底筒状の反応容器１を開口部２
を下方側にして直立して設け、この反応容器１の外周に
は、加熱部であるヒータ３が反応容器１を包囲して設け
られている。ヒータ３の外周は、断熱材にて形成される
外容器４で包囲し、ヒータ３の熱が効率よく反応容器１
内を約７００℃に加熱し得るように構成されている。
【００１８】反応容器１の開口部２には、ステンレス鋼
製の蓋体６が開閉可能に設けられ、開口部２を開閉して
反応容器１内に処理体であるウエハＷを水平に複数枚支
持する石英製の支持手段であるウエハボート７の搬入・
搬出可能としている。ウエハボート７は、蓋体６上に設
けられる保温筒８上に載置されウエハボート７全体を反
応容器１の均熱部分に保持し得るように構成されてい
る。また、保温筒８は保温筒カバー８ａによって覆われ
ており、この保温筒カバー８ａのフランジ部８ｂが反応
容器１の開口部２を閉塞すると共に、開口部２の反応容
器１の下面側に設けられた周溝１ａを閉塞し、周溝１ａ
内の雰囲気を図示しない吸引手段によって反応容器１内
を気密にシールし得るように構成されている。
製の蓋体６が開閉可能に設けられ、開口部２を開閉して
反応容器１内に処理体であるウエハＷを水平に複数枚支
持する石英製の支持手段であるウエハボート７の搬入・
搬出可能としている。ウエハボート７は、蓋体６上に設
けられる保温筒８上に載置されウエハボート７全体を反
応容器１の均熱部分に保持し得るように構成されてい
る。また、保温筒８は保温筒カバー８ａによって覆われ
ており、この保温筒カバー８ａのフランジ部８ｂが反応
容器１の開口部２を閉塞すると共に、開口部２の反応容
器１の下面側に設けられた周溝１ａを閉塞し、周溝１ａ
内の雰囲気を図示しない吸引手段によって反応容器１内
を気密にシールし得るように構成されている。
【００１９】反応容器１の開口部２近傍には、反応ガス
供給手段（図示せず）に接続された反応ガス導入管９が
反応容器１の内壁面に沿って設けられ、反応ガス導入管
９の管壁の軸方向に複数設けられる供給孔９ａから反応
ガスが反応容器１内に供給されるようになっている。ま
た、反応容器１の下部に排気装置（図示せず）に接続さ
れた排気口１０が設けられ、ウエハＷを処理して生成さ
れる反応生成物や余剰反応ガスを排気し、内部を所望の
圧力に維持し得るようになっている。排気口１０は、複
数例えば３箇所設けられており、反応容器１内の反応ガ
ス流を均一に形成し得るようになっている。
供給手段（図示せず）に接続された反応ガス導入管９が
反応容器１の内壁面に沿って設けられ、反応ガス導入管
９の管壁の軸方向に複数設けられる供給孔９ａから反応
ガスが反応容器１内に供給されるようになっている。ま
た、反応容器１の下部に排気装置（図示せず）に接続さ
れた排気口１０が設けられ、ウエハＷを処理して生成さ
れる反応生成物や余剰反応ガスを排気し、内部を所望の
圧力に維持し得るようになっている。排気口１０は、複
数例えば３箇所設けられており、反応容器１内の反応ガ
ス流を均一に形成し得るようになっている。
【００２０】上記蓋体６は、スプリング１１を介して例
えばボールねじにて形成される上下駆動機構１２に連結
される支持体１３により支持され、上下駆動機構１２に
より上下動されて、反応容器１の開口部２を開閉すると
共に、ウエハＷを支持したウエハボート７を上下動して
反応容器１内に搬入・搬出するようになっている。
えばボールねじにて形成される上下駆動機構１２に連結
される支持体１３により支持され、上下駆動機構１２に
より上下動されて、反応容器１の開口部２を開閉すると
共に、ウエハＷを支持したウエハボート７を上下動して
反応容器１内に搬入・搬出するようになっている。
【００２１】また、蓋体６は、反応容器内側面の中央部
に凹部６ａを有する蓋体本体６ｂにて形成され、この蓋
体本体６ｂの凹部６ａ内に間隙１４を介して加熱手段１
５を設けてなる。この場合、加熱手段１５は、図４に示
すように、ドーナツ状のマイカ板１５ａにヒータ線１５
ｂを巻き付けたヒータ線巻付部１５ｃと、このヒータ線
巻付部１５ｃの両面にそれぞれドーナツ状のマイカ板１
５ｄ，１５ｅを積層した面状ヒータにて形成されてい
る。なお、図４において、符号１５ｆはリード線であ
る。このように形成される加熱手段すなわち面状ヒータ
１５の加熱温度は、反応生成物の気化温度、例えば１０
０℃以上に設定されている。
に凹部６ａを有する蓋体本体６ｂにて形成され、この蓋
体本体６ｂの凹部６ａ内に間隙１４を介して加熱手段１
５を設けてなる。この場合、加熱手段１５は、図４に示
すように、ドーナツ状のマイカ板１５ａにヒータ線１５
ｂを巻き付けたヒータ線巻付部１５ｃと、このヒータ線
巻付部１５ｃの両面にそれぞれドーナツ状のマイカ板１
５ｄ，１５ｅを積層した面状ヒータにて形成されてい
る。なお、図４において、符号１５ｆはリード線であ
る。このように形成される加熱手段すなわち面状ヒータ
１５の加熱温度は、反応生成物の気化温度、例えば１０
０℃以上に設定されている。
【００２２】上記のように形成される加熱手段すなわち
面状ヒータ１５の反応容器１内側面に、熱伝導性を有す
るアルミニウム合金製の表面板１６が積層されると共
に、反対側面には、面状ヒータ１５の熱を均一にするた
めのアルミニウム合金製の均熱板１７が積層されてい
る。また、均熱板１７の下面にはヒータ取付板１８が積
層されて、これら表面板１６，面状ヒータ１５，均熱板
１７及びヒータ取付板１８は連結ねじ１９にて固定され
て一体となっている（図３参照）。したがって、面状ヒ
ータ１５からの熱が均熱板１７によって均一に拡散され
て表面板１６に伝熱されて反応容器１の開口部２付近、
具体的には蓋体６上に載置される保温筒カバー８ａの反
応容器１内に面する表面部及び周辺部を所定の温度、例
えば１００℃以上に加熱することができる。また、面状
ヒータ１５，均熱板１７及びヒータ取付板１８の同一円
周上には３個の透孔２０が穿設されており、この透孔２
０内を遊嵌する支持部材である円柱状のステンレス鋼製
のスペーサ２１を介して固定ねじ２２をもって蓋体本体
６ｂと表面板１６とが固定されている（図５及び図６参
照）。このようにスペーサ２１を介して蓋体本体６ｂと
表面板１６とを固定することにより面状ヒータ１５から
の熱が直接蓋体本体６ｂに伝達されることがないので、
面状ヒータ１５の熱の放熱を防止することができると共
に、面状ヒータ１５の加熱によって蓋体自体が変形する
のを防止することができる。
面状ヒータ１５の反応容器１内側面に、熱伝導性を有す
るアルミニウム合金製の表面板１６が積層されると共
に、反対側面には、面状ヒータ１５の熱を均一にするた
めのアルミニウム合金製の均熱板１７が積層されてい
る。また、均熱板１７の下面にはヒータ取付板１８が積
層されて、これら表面板１６，面状ヒータ１５，均熱板
１７及びヒータ取付板１８は連結ねじ１９にて固定され
て一体となっている（図３参照）。したがって、面状ヒ
ータ１５からの熱が均熱板１７によって均一に拡散され
て表面板１６に伝熱されて反応容器１の開口部２付近、
具体的には蓋体６上に載置される保温筒カバー８ａの反
応容器１内に面する表面部及び周辺部を所定の温度、例
えば１００℃以上に加熱することができる。また、面状
ヒータ１５，均熱板１７及びヒータ取付板１８の同一円
周上には３個の透孔２０が穿設されており、この透孔２
０内を遊嵌する支持部材である円柱状のステンレス鋼製
のスペーサ２１を介して固定ねじ２２をもって蓋体本体
６ｂと表面板１６とが固定されている（図５及び図６参
照）。このようにスペーサ２１を介して蓋体本体６ｂと
表面板１６とを固定することにより面状ヒータ１５から
の熱が直接蓋体本体６ｂに伝達されることがないので、
面状ヒータ１５の熱の放熱を防止することができると共
に、面状ヒータ１５の加熱によって蓋体自体が変形する
のを防止することができる。
【００２３】一方、図５、図７及び図８に示すように、
上記表面板１６には制御用の温度検出センサ２３とモニ
ター用の温度検出センサ２４が埋設されており、また、
反応容器１の開口部２近傍には、蓋体６を貫通して開口
部近傍に臨む制御用及びモニター用の雰囲気温度検出セ
ンサ２５，２６が配設されている。なお、モニター用の
温度検出センサ２４とモニター用の雰囲気温度検出セン
サ２６は必要に応じて取り付けることができるようにな
っている。これら温度センサ２３〜２６によって検出さ
れた検出信号は例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）にて
形成される制御部２７に伝達され、制御部２７にて予め
記憶された情報と比較演算されて、その出力信号が面状
ヒータ１５の駆動電源部（図示せず）に伝達されるよう
になっている。したがって、制御用温度センサ２３によ
り面状ヒータ１５の加熱温度を検出し、制御用の雰囲気
温度検出センサ２５により反応容器１の開口部の雰囲気
温度を検出（監視）することができるので、面状ヒータ
１５の加熱温度を適正温度に制御して、処理後の水蒸気
の発生を防止することができる。
上記表面板１６には制御用の温度検出センサ２３とモニ
ター用の温度検出センサ２４が埋設されており、また、
反応容器１の開口部２近傍には、蓋体６を貫通して開口
部近傍に臨む制御用及びモニター用の雰囲気温度検出セ
ンサ２５，２６が配設されている。なお、モニター用の
温度検出センサ２４とモニター用の雰囲気温度検出セン
サ２６は必要に応じて取り付けることができるようにな
っている。これら温度センサ２３〜２６によって検出さ
れた検出信号は例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）にて
形成される制御部２７に伝達され、制御部２７にて予め
記憶された情報と比較演算されて、その出力信号が面状
ヒータ１５の駆動電源部（図示せず）に伝達されるよう
になっている。したがって、制御用温度センサ２３によ
り面状ヒータ１５の加熱温度を検出し、制御用の雰囲気
温度検出センサ２５により反応容器１の開口部の雰囲気
温度を検出（監視）することができるので、面状ヒータ
１５の加熱温度を適正温度に制御して、処理後の水蒸気
の発生を防止することができる。
【００２４】上記のように構成される縦型熱処理装置を
用いてウエハＷの処理を行うには、まず、図示しない搬
送装置で未処理のウエハＷを載置したウエハボート７を
上下駆動機構１２で下降された蓋体６上の保温筒８上に
載置し、上下駆動機構１２を上昇させてウエハボート７
を反応容器１内に搬入させ、蓋体６上に載置される保温
筒カバー８ａで反応容器１の開口部２を閉塞させる。次
に、排気口１０から反応容器１内の空気を吸引すると共
に、ヒータ３により反応容器１を所望の温度約７００℃
に加熱する。その後、反応ガスを反応ガス導入管９から
反応容器１内に導入する。反応ガスは反応ガス導入管９
に穿設された供給孔９ａから支持体１３上のウエハＷに
供給される。例えば、縦型熱処理装置を拡散処理に使用
する場合には、反応ガスとしてＰｏＣｌ2，Ｏ2等が使用
され、ウエハＷにリン（ｐ）を拡散させることができ
る。このようにしてウエハＷに所定の処理を施した後、
図示しない排気装置により排気口１０から吸引し、余剰
の反応ガスと共に反応生成物を排気する。
用いてウエハＷの処理を行うには、まず、図示しない搬
送装置で未処理のウエハＷを載置したウエハボート７を
上下駆動機構１２で下降された蓋体６上の保温筒８上に
載置し、上下駆動機構１２を上昇させてウエハボート７
を反応容器１内に搬入させ、蓋体６上に載置される保温
筒カバー８ａで反応容器１の開口部２を閉塞させる。次
に、排気口１０から反応容器１内の空気を吸引すると共
に、ヒータ３により反応容器１を所望の温度約７００℃
に加熱する。その後、反応ガスを反応ガス導入管９から
反応容器１内に導入する。反応ガスは反応ガス導入管９
に穿設された供給孔９ａから支持体１３上のウエハＷに
供給される。例えば、縦型熱処理装置を拡散処理に使用
する場合には、反応ガスとしてＰｏＣｌ2，Ｏ2等が使用
され、ウエハＷにリン（ｐ）を拡散させることができ
る。このようにしてウエハＷに所定の処理を施した後、
図示しない排気装置により排気口１０から吸引し、余剰
の反応ガスと共に反応生成物を排気する。
【００２５】この時、面状ヒータ１５の駆動電源部が作
動し、面状ヒータ１５が発熱して表面板１６を１００℃
以上に加熱することにより、水蒸気の発生が防止される
と共に、反応生成物が開口部近傍及び蓋体６に付着する
のを防止することができる。ウエハＷの処理後、一定の
冷却時間経過後に上下駆動機構１２により、蓋体６を下
降させると共に、ウエハボート７を下降させ、処理済み
のウエハＷを搬出させる。
動し、面状ヒータ１５が発熱して表面板１６を１００℃
以上に加熱することにより、水蒸気の発生が防止される
と共に、反応生成物が開口部近傍及び蓋体６に付着する
のを防止することができる。ウエハＷの処理後、一定の
冷却時間経過後に上下駆動機構１２により、蓋体６を下
降させると共に、ウエハボート７を下降させ、処理済み
のウエハＷを搬出させる。
【００２６】なお、上記実施例では、ウエハボート７が
回転しない固定式のものについて説明したが、ウエハボ
ート７を回転させる回転機構を有する縦型熱処理装置に
おいても適用できる。この場合には、反応容器１の外側
に配設されるモータの軸を蓋体６に設けられる貫通孔を
介して上部に突出させて保温筒８を支持させるようにす
ればよい。
回転しない固定式のものについて説明したが、ウエハボ
ート７を回転させる回転機構を有する縦型熱処理装置に
おいても適用できる。この場合には、反応容器１の外側
に配設されるモータの軸を蓋体６に設けられる貫通孔を
介して上部に突出させて保温筒８を支持させるようにす
ればよい。
【００２７】また、上記実施例では、この発明の熱処理
装置を半導体ウエハの縦型熱処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の例えばガラス基
板、ＬＣＤ基板等の被処理体の熱処理装置にも適用でき
ることは勿論である。
装置を半導体ウエハの縦型熱処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の例えばガラス基
板、ＬＣＤ基板等の被処理体の熱処理装置にも適用でき
ることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の熱処
理装置によれば、上記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。
理装置によれば、上記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。
【００２９】反応容器の開口部を開閉する蓋体の反応容
器内側面に間隙を介して加熱手段を設けるので、加熱手
段からの熱を蓋体の反応容器内側面に伝熱して、被処理
体の処理後の反応容器内の温度低下に伴う水蒸気の発生
を防止することができると共に、反応生成物の反応容器
内及び蓋体への付着を防止することができる。したがっ
て、装置の寿命の増大が図れると共に、被処理体の汚染
を防止し、歩留まりの向上を図ることができる。
器内側面に間隙を介して加熱手段を設けるので、加熱手
段からの熱を蓋体の反応容器内側面に伝熱して、被処理
体の処理後の反応容器内の温度低下に伴う水蒸気の発生
を防止することができると共に、反応生成物の反応容器
内及び蓋体への付着を防止することができる。したがっ
て、装置の寿命の増大が図れると共に、被処理体の汚染
を防止し、歩留まりの向上を図ることができる。
【００３０】また、間隙により加熱手段からの蓋体自体
への伝熱を阻止することができるので、蓋体の熱変形を
防止することができ、反応容器の開口部の気密性を維持
して処理能率の向上を図ることができる。
への伝熱を阻止することができるので、蓋体の熱変形を
防止することができ、反応容器の開口部の気密性を維持
して処理能率の向上を図ることができる。
【００３１】また、加熱手段及び反応容器の開口部に温
度検出手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号
に基いて加熱手段の温度を制御することにより、開口部
雰囲気の温度及び加熱手段の加熱温度を適正状態に制御
することができる。
度検出手段を配設し、この温度検出手段からの検出信号
に基いて加熱手段の温度を制御することにより、開口部
雰囲気の温度及び加熱手段の加熱温度を適正状態に制御
することができる。
【図１】この発明の熱処理装置の一例を示す概略断面図
である。
である。
【図２】図１の要部断面図である。
【図３】図２の III部拡大図である。
【図４】この発明における加熱手段の分解斜視図であ
る。
る。
【図５】この発明における蓋体の底面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図８】図５のＣ−Ｃ断面図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 反応容器 ２ 開口部 ３ ヒータ（加熱部） ６ 蓋体 ６ａ 凹部 ６ｂ 蓋体本体 ７ ウエハボート（支持手段） １４ 間隙 １５ 面状ヒータ（加熱手段） １６ 表面板 １７ 均熱板 ２０ 透孔 ２１ スペーサ（支持部材） ２３ 制御用温度センサ ２４ モニター用温度センサ ２５ 制御用雰囲気温度検出センサ ２６ モニター用雰囲気温度検出センサ ２７ 制御部
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理体を支持する支持手段を下方から
挿入する開口部を有すると共に、導入される反応ガスに
より被処理体に所定の処理を施す筒状の反応容器と、こ
の反応容器の上記開口部を開閉する蓋体と、上記反応容
器を包囲して設けられる加熱部とを具備する熱処理装置
において、 上記蓋体の上記反応容器内側面に間隙を介して加熱手段
を設けたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 被処理体を支持する支持手段を下方から
挿入する開口部を有すると共に、導入される反応ガスに
より被処理体に所定の処理を施す筒状の反応容器と、こ
の反応容器の上記開口部を開閉する蓋体と、上記反応容
器を包囲して設けられる加熱部とを具備する熱処理装置
において、 上記蓋体の上記反応容器内側面に凹部を設け、この凹部
内に間隙を介して加熱手段を設けたことを特徴とする熱
処理装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の熱処理装置におい
て、 加熱手段を面状ヒータにて形成し、 上記面状ヒータの反応容器内側面に表面板を積層すると
共に、反対側面に均熱板を積層してなることを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の熱処理装置におい
て、 加熱手段を面状ヒータにて形成し、 上記面状ヒータの反応容器内側面に表面板を積層すると
共に、反対側面に均熱板を積層してなり、 上記面状ヒータ及び均熱板に設けられた透孔を遊嵌する
支持部材を介して上記蓋体と表面板とを固定することを
特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】 請求項１又は２記載の熱処理装置におい
て、 加熱手段及び開口部に温度検出手段を配設し、この温度
検出手段からの検出信号に基いて上記加熱手段の温度を
制御することを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33022594A JP3493530B2 (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33022594A JP3493530B2 (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162422A true JPH08162422A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3493530B2 JP3493530B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=18230260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33022594A Expired - Fee Related JP3493530B2 (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3493530B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289603A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP2009033019A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| WO2014021220A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| KR102359596B1 (ko) * | 2021-04-21 | 2022-02-08 | 주식회사 알씨테크 | 실캡 및 이를 포함하는 반도체 생산 설비 |
-
1994
- 1994-12-06 JP JP33022594A patent/JP3493530B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289603A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP2009033019A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| KR20150018876A (ko) * | 2012-07-27 | 2015-02-24 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
| JPWO2014017638A1 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-07-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US9587313B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-03-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium |
| WO2014021220A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| JP5792390B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2015-10-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2015233157A (ja) * | 2012-07-30 | 2015-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び記録媒体 |
| US9816182B2 (en) | 2012-07-30 | 2017-11-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| KR102359596B1 (ko) * | 2021-04-21 | 2022-02-08 | 주식회사 알씨테크 | 실캡 및 이를 포함하는 반도체 생산 설비 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3493530B2 (ja) | 2004-02-03 |
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