JPH08153887A - フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ - Google Patents
フォトダイオード及びフォトダイオードアレイInfo
- Publication number
- JPH08153887A JPH08153887A JP6296333A JP29633394A JPH08153887A JP H08153887 A JPH08153887 A JP H08153887A JP 6296333 A JP6296333 A JP 6296333A JP 29633394 A JP29633394 A JP 29633394A JP H08153887 A JPH08153887 A JP H08153887A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- junction
- impurity concentration
- depletion layer
- type diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓ／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジ
が広いフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを
提供する。 【構成】 不純物濃度が低いｎ- 基板と不純物濃度が非
常に高いｐ型拡散層の接合面付近で、大きい空乏層ＶL
が発生し、不純物濃度が高いｎ+ 領域とこのｐ型拡散層
の接合面付近では、小さい空乏層ＶS が発生する。この
ため、かかる大きい空乏層ＶL によって光の受感領域が
増大し受光素子機能が向上すると共に、かかる小さい空
乏層ＶS によって、静電容量が増大し電荷蓄積機能も向
上する。
が広いフォトダイオード及びフォトダイオードアレイを
提供する。 【構成】 不純物濃度が低いｎ- 基板と不純物濃度が非
常に高いｐ型拡散層の接合面付近で、大きい空乏層ＶL
が発生し、不純物濃度が高いｎ+ 領域とこのｐ型拡散層
の接合面付近では、小さい空乏層ＶS が発生する。この
ため、かかる大きい空乏層ＶL によって光の受感領域が
増大し受光素子機能が向上すると共に、かかる小さい空
乏層ＶS によって、静電容量が増大し電荷蓄積機能も向
上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分光分析装置等の各種
分析装置において、光センサとして用いられるフォトダ
イオード及びフォトダイオードアレイに関する。
分析装置において、光センサとして用いられるフォトダ
イオード及びフォトダイオードアレイに関する。
【０００２】
【従来技術】所定のエネルギーを与えられた試料から発
生した光を分析することで、その試料の定量、定性分析
等を行う分光分析装置等の各種分析装置において、光を
検出するためのセンサとして、フォトダイオードやそれ
を複数個集積したフォトダイオードアレイが広く用いら
れている。
生した光を分析することで、その試料の定量、定性分析
等を行う分光分析装置等の各種分析装置において、光を
検出するためのセンサとして、フォトダイオードやそれ
を複数個集積したフォトダイオードアレイが広く用いら
れている。
【０００３】図５は、従来の電荷蓄積モードで動作する
フォトダイオード１２の概略図であり、図６は、このフ
ォトダイオード１２のＰＮ接合部を示す図である。図６
に示される従来のフォトダイオードは、ｎ型シリコン基
板の一部にｐ型拡散層が形成されてなり、かかるｎ型シ
リコン基板とｐ型拡散層とで形成されるＰＮ接合部付近
に電子及び正孔の拡散で空乏層Ｖが生じ、この空乏層Ｖ
に入射した光によって励起された電子が電荷としてＰＮ
接合部が有する静電容量によって蓄積される。そして、
このフォトダイオード１２に接続した図５の読出スイッ
チ１３をオンにすることで、入射した光に応じた電気信
号がビデオアウトＶ0 に出力される。
フォトダイオード１２の概略図であり、図６は、このフ
ォトダイオード１２のＰＮ接合部を示す図である。図６
に示される従来のフォトダイオードは、ｎ型シリコン基
板の一部にｐ型拡散層が形成されてなり、かかるｎ型シ
リコン基板とｐ型拡散層とで形成されるＰＮ接合部付近
に電子及び正孔の拡散で空乏層Ｖが生じ、この空乏層Ｖ
に入射した光によって励起された電子が電荷としてＰＮ
接合部が有する静電容量によって蓄積される。そして、
このフォトダイオード１２に接続した図５の読出スイッ
チ１３をオンにすることで、入射した光に応じた電気信
号がビデオアウトＶ0 に出力される。
【０００４】このように電荷蓄積モードでフォトダイオ
ードを動作させる場合、フォトダイオードはＰＮ接合障
壁の内部光電効果による受光素子機能と接合容量による
電荷蓄積機能とを兼ね備えることとなる。
ードを動作させる場合、フォトダイオードはＰＮ接合障
壁の内部光電効果による受光素子機能と接合容量による
電荷蓄積機能とを兼ね備えることとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトダイオード１２では、ｎ型シリコン基板とｐ型拡
散層の不純物濃度を比較的低くして両者の接合部付近に
生じる空乏層を広げると、光の受感領域が増加し受光素
子機能を向上するが、空乏層を広げた分だけ静電容量が
減少するため電荷蓄積機能が低下する。一方、ｎ型シリ
コン基板とｐ型拡散層の不純物濃度を高くすることによ
って空乏層を狭めると、静電容量が増加して電荷蓄積機
能が向上するが、空乏層を狭まった分だけ受感領域が減
少するため受光素子機能が低下する。
フォトダイオード１２では、ｎ型シリコン基板とｐ型拡
散層の不純物濃度を比較的低くして両者の接合部付近に
生じる空乏層を広げると、光の受感領域が増加し受光素
子機能を向上するが、空乏層を広げた分だけ静電容量が
減少するため電荷蓄積機能が低下する。一方、ｎ型シリ
コン基板とｐ型拡散層の不純物濃度を高くすることによ
って空乏層を狭めると、静電容量が増加して電荷蓄積機
能が向上するが、空乏層を狭まった分だけ受感領域が減
少するため受光素子機能が低下する。
【０００６】このため、従来のフォトダイオードでは、
受光素子機能と電荷蓄積機能の双方の機能を同時に高め
ることができないため、Ｓ／Ｎ比が良く、しかもダイナ
ミックレンジが広い、という分析装置の光センサに要求
される機能を同時に満足させることができなかった。
受光素子機能と電荷蓄積機能の双方の機能を同時に高め
ることができないため、Ｓ／Ｎ比が良く、しかもダイナ
ミックレンジが広い、という分析装置の光センサに要求
される機能を同時に満足させることができなかった。
【０００７】そこで、本発明はかかる課題を解消するた
め、Ｓ／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジが広い
フォトダイオード及びフォトダイオードアレイの提供を
目的とする。
め、Ｓ／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジが広い
フォトダイオード及びフォトダイオードアレイの提供を
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、ＰＮ接合部に入射した光を電気
信号として出力するフォトダイオードであって、前記Ｐ
Ｎ接合部は、Ｐ型領域又はＮ型領域の少なくとも一方の
不純物濃度が低い接合部と、Ｐ型領域及びＮ型領域の両
者の不純物濃度が高い接合部とを有することを特徴とす
る。
に、請求項１の発明は、ＰＮ接合部に入射した光を電気
信号として出力するフォトダイオードであって、前記Ｐ
Ｎ接合部は、Ｐ型領域又はＮ型領域の少なくとも一方の
不純物濃度が低い接合部と、Ｐ型領域及びＮ型領域の両
者の不純物濃度が高い接合部とを有することを特徴とす
る。
【０００９】また、請求項２の発明は、ＰＮ接合部に入
射した光を電気信号として出力するフォトダイオードで
あって、前記ＰＮ接合部の接合断面を櫛形状に形成した
ことを特徴とする。
射した光を電気信号として出力するフォトダイオードで
あって、前記ＰＮ接合部の接合断面を櫛形状に形成した
ことを特徴とする。
【００１０】さらに、請求項３の発明は、複数のフォト
ダイオードをアレイ状に形成し、それぞれのフォトダイ
オードからの信号を読み出すスイッチと、このスイッチ
に信号読み出し指示を与えるシフトレジスターとを備え
たフォトダイオードアレイであって、前記フォトダイオ
ードが、請求項１または請求項２の構成を備えたことを
特徴とする。
ダイオードをアレイ状に形成し、それぞれのフォトダイ
オードからの信号を読み出すスイッチと、このスイッチ
に信号読み出し指示を与えるシフトレジスターとを備え
たフォトダイオードアレイであって、前記フォトダイオ
ードが、請求項１または請求項２の構成を備えたことを
特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１の発明の作用を図２に基づいて説明す
ると、不純物濃度が低いｎ- 基板と不純物濃度が非常に
高いｐ+ 型拡散層の接合面付近で、大きい空乏層ＶL が
発生し、不純物濃度が高いｎ+ 領域とこのｐ+ 型拡散層
の接合面付近では、小さい空乏層ＶS が発生する。この
ため、かかる大きい空乏層ＶL によって光の受感領域が
増大し受光素子機能が向上すると共に、かかる小さい空
乏層ＶS によって、静電容量が増大し電荷蓄積機能も向
上する。
ると、不純物濃度が低いｎ- 基板と不純物濃度が非常に
高いｐ+ 型拡散層の接合面付近で、大きい空乏層ＶL が
発生し、不純物濃度が高いｎ+ 領域とこのｐ+ 型拡散層
の接合面付近では、小さい空乏層ＶS が発生する。この
ため、かかる大きい空乏層ＶL によって光の受感領域が
増大し受光素子機能が向上すると共に、かかる小さい空
乏層ＶS によって、静電容量が増大し電荷蓄積機能も向
上する。
【００１２】次に、請求項２の発明の作用を図４に基づ
いて説明すると、不純物濃度が低いｎ- 基板と不純物濃
度が高いｐ+ 型拡散層の接合面付近で、大きい空乏層Ｖ
L が発生して光の受感領域が増大し、受光素子機能が向
上すると共に、これらの接合断面が櫛形状に形成されて
いるため、かかるｎ- 基板とｐ+ 型拡散層の接合面積が
増大し、それにより静電容量が増大して電荷蓄積機能も
向上する。
いて説明すると、不純物濃度が低いｎ- 基板と不純物濃
度が高いｐ+ 型拡散層の接合面付近で、大きい空乏層Ｖ
L が発生して光の受感領域が増大し、受光素子機能が向
上すると共に、これらの接合断面が櫛形状に形成されて
いるため、かかるｎ- 基板とｐ+ 型拡散層の接合面積が
増大し、それにより静電容量が増大して電荷蓄積機能も
向上する。
【００１３】請求項３の発明の作用を図１に基づいて説
明すると、シフトレジスタ４は所定時間毎にスイッチン
グ素子であるＭＯＳＦＥＴ３に読み出し指示を与え、か
かる指示を受けたＭＯＳＦＥＴ３は、それに接続した上
記請求項１又は請求項２の構成を備えたフォトダイオー
ド２とビデオラインＶO を導通させる。これにより、フ
ォトダイオード２から検出信号が順次ビデオラインＶO
に出力される。
明すると、シフトレジスタ４は所定時間毎にスイッチン
グ素子であるＭＯＳＦＥＴ３に読み出し指示を与え、か
かる指示を受けたＭＯＳＦＥＴ３は、それに接続した上
記請求項１又は請求項２の構成を備えたフォトダイオー
ド２とビデオラインＶO を導通させる。これにより、フ
ォトダイオード２から検出信号が順次ビデオラインＶO
に出力される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図４に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１５】図１は請求項３の本発明にかかるフォトダ
イオードアレイの概略図であり、このフォトダイオード
アレイは、シリコン基板１上に多数集積されたフォトダ
イオード２と、それぞれのフォトダイオード２に接続さ
れ、そのフォトダイオード２の検出信号をビデオライン
ＶO に出力するＭＯＳＦＥＴ３、及びそれぞれのＭＯＳ
ＦＥＴ３に信号読み出し指示を与えるシフトレジスタ４
とを有する。そして、シフトレジスタ４は所定時間毎に
スイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ３に読み出し指示
を与え、それぞれのフォトダイオード２の検出信号が順
次ビデオラインＶO に出力される。以下、図２〜図４に
より、かかるフォトダイオード２の構成を説明する。
イオードアレイの概略図であり、このフォトダイオード
アレイは、シリコン基板１上に多数集積されたフォトダ
イオード２と、それぞれのフォトダイオード２に接続さ
れ、そのフォトダイオード２の検出信号をビデオライン
ＶO に出力するＭＯＳＦＥＴ３、及びそれぞれのＭＯＳ
ＦＥＴ３に信号読み出し指示を与えるシフトレジスタ４
とを有する。そして、シフトレジスタ４は所定時間毎に
スイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ３に読み出し指示
を与え、それぞれのフォトダイオード２の検出信号が順
次ビデオラインＶO に出力される。以下、図２〜図４に
より、かかるフォトダイオード２の構成を説明する。
【００１６】図２は、請求項１の発明にかかるフォトダ
イオードのＰＮ接合部の一実施例を示す概略図であり、
比較的不純物濃度が低いｎー 基板の一部分に不純物濃度
が高いｎ+ 領域がイオン注入法により形成され、さら
に、このｎ+ 領域より幅が広く深さが薄くなるように、
イオン注入法又は拡散法により不純物濃度が非常に高い
Ｐ+ 型拡散層が形成される。
イオードのＰＮ接合部の一実施例を示す概略図であり、
比較的不純物濃度が低いｎー 基板の一部分に不純物濃度
が高いｎ+ 領域がイオン注入法により形成され、さら
に、このｎ+ 領域より幅が広く深さが薄くなるように、
イオン注入法又は拡散法により不純物濃度が非常に高い
Ｐ+ 型拡散層が形成される。
【００１７】ここで、それぞれの不純物濃度は、例え
ば、 ｎー 基板 ：１×１０15cm-3 Ｐ+ 型拡散層：５×１０17cm-3 ｎ+ 領域 ：１×１０17cm-3 程度にすればよく、この場合Ｐ+ 型拡散層とｎ+ 領域と
が重なる複合領域Ｐ+では、Ｐ+ 型拡散層とｎ+ 領域の
それぞれのキャリアが対消滅し、不純物濃度が４×１０
17cm-3のＰ+ 型拡散層となる。
ば、 ｎー 基板 ：１×１０15cm-3 Ｐ+ 型拡散層：５×１０17cm-3 ｎ+ 領域 ：１×１０17cm-3 程度にすればよく、この場合Ｐ+ 型拡散層とｎ+ 領域と
が重なる複合領域Ｐ+では、Ｐ+ 型拡散層とｎ+ 領域の
それぞれのキャリアが対消滅し、不純物濃度が４×１０
17cm-3のＰ+ 型拡散層となる。
【００１８】かかる場合、ＰＮ接合部には、図２の２点
鎖線で示されるような空乏層が発生するが、Ｐ+ 型拡散
層とｎー 基板との境界部付近ではｎー 基板の不純物濃度
が低いため、大きな空乏層ＶL が発生し、複合領域Ｐ+
とｎ+ 領域との境界部付近では両者の不純物濃度が高い
ため、小さな空乏層ＶS が発生する。
鎖線で示されるような空乏層が発生するが、Ｐ+ 型拡散
層とｎー 基板との境界部付近ではｎー 基板の不純物濃度
が低いため、大きな空乏層ＶL が発生し、複合領域Ｐ+
とｎ+ 領域との境界部付近では両者の不純物濃度が高い
ため、小さな空乏層ＶS が発生する。
【００１９】したがって、請求項１の発明にかかるフォ
トダイオードでは、大きい空乏層ＶL によって、光の受
感領域が増大し、受光素子機能が向上すると共に、小さ
い空乏層ＶS によって、静電容量が増大し、電荷蓄積機
能も向上する。このため、請求項１の発明によれば、Ｓ
／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジが広いフォト
ダイオードを提供できる。
トダイオードでは、大きい空乏層ＶL によって、光の受
感領域が増大し、受光素子機能が向上すると共に、小さ
い空乏層ＶS によって、静電容量が増大し、電荷蓄積機
能も向上する。このため、請求項１の発明によれば、Ｓ
／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジが広いフォト
ダイオードを提供できる。
【００２０】図３は、請求項１の発明にかかるフォトダ
イオードのＰＮ接合部の他の実施例を示す概略図であ
り、不純物濃度が高いｎ+ 基板の一部分にイオン注入法
又は拡散法により不純物濃度が高いＰ+ 型拡散層が形成
され、その上にエピタキシャル法によって不純物濃度が
低いｎー 層が形成され、さらに、このｎー 層からこのＰ
+ 型拡散層にかけてイオン注入法により、不純物濃度が
高いｐ+ 領域が形成されている。ここで、ｎ+ 基板、ｎ
ー 層、Ｐ+ 型拡散層の不純物濃度は、例えば、上述した
図２の場合と同様でよく、ｐ+ 領域の不純物濃度は、Ｐ
+ 型拡散層と同じでよい。これにより、断面が逆Ｔ字形
で横棒部がｎ+ 基板にあり縦棒部がｎ- 層にある不純物
濃度が高いＰ型領域が形成される。
イオードのＰＮ接合部の他の実施例を示す概略図であ
り、不純物濃度が高いｎ+ 基板の一部分にイオン注入法
又は拡散法により不純物濃度が高いＰ+ 型拡散層が形成
され、その上にエピタキシャル法によって不純物濃度が
低いｎー 層が形成され、さらに、このｎー 層からこのＰ
+ 型拡散層にかけてイオン注入法により、不純物濃度が
高いｐ+ 領域が形成されている。ここで、ｎ+ 基板、ｎ
ー 層、Ｐ+ 型拡散層の不純物濃度は、例えば、上述した
図２の場合と同様でよく、ｐ+ 領域の不純物濃度は、Ｐ
+ 型拡散層と同じでよい。これにより、断面が逆Ｔ字形
で横棒部がｎ+ 基板にあり縦棒部がｎ- 層にある不純物
濃度が高いＰ型領域が形成される。
【００２１】かかる場合、ＰＮ接合部には、図３の２点
鎖線で示されるような空乏層が生じるが、Ｐ+ 領域とｎ
ー 層との境界部付近ではｎー 層の不純物濃度が低いた
め、大きな空乏層ＶL が発生し、Ｐ+ 型拡散層とｎ+ 基
板との境界部付近では両者の不純物濃度が高いため、小
さな空乏層ＶS が発生する。
鎖線で示されるような空乏層が生じるが、Ｐ+ 領域とｎ
ー 層との境界部付近ではｎー 層の不純物濃度が低いた
め、大きな空乏層ＶL が発生し、Ｐ+ 型拡散層とｎ+ 基
板との境界部付近では両者の不純物濃度が高いため、小
さな空乏層ＶS が発生する。
【００２２】したがって、図２の場合と同様に、図３に
示したフォトダイオードによれば、大きい空乏層ＶL に
よって、光の受感領域が増大し、受光素子機能が向上す
ると共に、小さい空乏層ＶS によって、静電容量が増大
し、電荷蓄積機能も向上する。このため、図３に示した
請求項１の発明の他の実施例によれば、Ｓ／Ｎ比がよ
く、しかもダイナミックレンジが広いフォトダイオード
を提供できる。
示したフォトダイオードによれば、大きい空乏層ＶL に
よって、光の受感領域が増大し、受光素子機能が向上す
ると共に、小さい空乏層ＶS によって、静電容量が増大
し、電荷蓄積機能も向上する。このため、図３に示した
請求項１の発明の他の実施例によれば、Ｓ／Ｎ比がよ
く、しかもダイナミックレンジが広いフォトダイオード
を提供できる。
【００２３】図４は、請求項２の発明にかかるフォトダ
イオードのＰＮ接合部の一実施例を示す概略図であり、
比較的不純物濃度が低いｎー 基板の一部分に不純物濃度
が高いＰ+ 型拡散層が櫛形状に形成されている。かかる
櫛形状のＰ+ 型拡散層は、例えば、高エネルギーイオン
注入装置を用いて変化させながら不純物イオンを注入す
ることにより容易に形成できる。
イオードのＰＮ接合部の一実施例を示す概略図であり、
比較的不純物濃度が低いｎー 基板の一部分に不純物濃度
が高いＰ+ 型拡散層が櫛形状に形成されている。かかる
櫛形状のＰ+ 型拡散層は、例えば、高エネルギーイオン
注入装置を用いて変化させながら不純物イオンを注入す
ることにより容易に形成できる。
【００２４】ここで、それぞれの不純物濃度は、例え
ば、 ｎー 基板 ：１×１０15cm-3 Ｐ+ 型拡散層：５×１０17cm-3 程度にすればよい。
ば、 ｎー 基板 ：１×１０15cm-3 Ｐ+ 型拡散層：５×１０17cm-3 程度にすればよい。
【００２５】かかる場合、ＰＮ接合部には、図４の２点
鎖線で示されるような比較的大きい空乏層ＶL が生じ、
光の受感領域が増大し、受光素子機能が向上すると共
に、これらの接合断面が櫛形状に形成されているため、
ｎ- 基板とｐ型拡散層の接合面積が増大し、それにより
静電容量が増大して電荷蓄積機能も向上する。このた
め、請求項２の発明によれば、請求項１の発明と同様
に、Ｓ／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジが広い
フォトダイオードを提供できる。
鎖線で示されるような比較的大きい空乏層ＶL が生じ、
光の受感領域が増大し、受光素子機能が向上すると共
に、これらの接合断面が櫛形状に形成されているため、
ｎ- 基板とｐ型拡散層の接合面積が増大し、それにより
静電容量が増大して電荷蓄積機能も向上する。このた
め、請求項２の発明によれば、請求項１の発明と同様
に、Ｓ／Ｎ比がよく、しかもダイナミックレンジが広い
フォトダイオードを提供できる。
【００２６】なお、上述した実施例では、ｎ型領域の不
純物濃度が異なるよう構成したが、ｎ型とｐ型領域を入
れ換えて、ｐ型領域の不純物濃度が異なるように構成し
てもよい。また、ｎ型領域或いはｐ型領域の不純物濃度
は、受光素子機能と電荷蓄積機能の両機能を十分満足さ
せるよう適宜設定すればよい。
純物濃度が異なるよう構成したが、ｎ型とｐ型領域を入
れ換えて、ｐ型領域の不純物濃度が異なるように構成し
てもよい。また、ｎ型領域或いはｐ型領域の不純物濃度
は、受光素子機能と電荷蓄積機能の両機能を十分満足さ
せるよう適宜設定すればよい。
【００２７】以上の通り、本発明によれば、Ｓ／Ｎ比が
よく、しかもダイナミックレンジが広いフォトダイオー
ド又はフォトダイオードアレイを提供できるため、これ
を分光分析装置の光センサとして用いれば、非常に精度
の高い定性、定量分析等を行うことができる。
よく、しかもダイナミックレンジが広いフォトダイオー
ド又はフォトダイオードアレイを提供できるため、これ
を分光分析装置の光センサとして用いれば、非常に精度
の高い定性、定量分析等を行うことができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明にかかるフォトダイオードまたは
フィトダイオードアレイによれば、ＰＮ接合部をＰ型領
域又はＮ型領域の少なくとも一方の不純物濃度が低い接
合部と、Ｐ型領域及びＮ型領域の両者の不純物濃度が高
い接合部とにより形成し、或いは、このＰＮ接合部の接
合断面を櫛形状に形成したため、受光素子機能と電荷蓄
積機能の双方を同時に高めることができ、光センサとし
てＳ／Ｎ比を良くし、しかもダイナミックレンジを広げ
ることがきる。
フィトダイオードアレイによれば、ＰＮ接合部をＰ型領
域又はＮ型領域の少なくとも一方の不純物濃度が低い接
合部と、Ｐ型領域及びＮ型領域の両者の不純物濃度が高
い接合部とにより形成し、或いは、このＰＮ接合部の接
合断面を櫛形状に形成したため、受光素子機能と電荷蓄
積機能の双方を同時に高めることができ、光センサとし
てＳ／Ｎ比を良くし、しかもダイナミックレンジを広げ
ることがきる。
【図１】本発明にかかるフォトダイオードアレイの一実
施例の概略図である。
施例の概略図である。
【図２】本発明にかかるフォトダイオードの概略図であ
る。
る。
【図３】本発明にかかるフォトダイオードの概略図であ
る。
る。
【図４】本発明にかかるフォトダイオードの概略図であ
る。
る。
【図５】従来のフォトダイオードを電荷蓄積モードで動
作せる場合の構成を示す図である。
作せる場合の構成を示す図である。
【図６】従来のフォトダイオードのＰＮ接合面の概略図
である。
である。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＰＮ接合部に入射した光を電気信号とし
て出力するフォトダイオードにおいて、 前記ＰＮ接合部は、Ｐ型領域又はＮ型領域の少なくとも
一方の不純物濃度が低い接合部と、Ｐ型領域及びＮ型領
域の両者の不純物濃度が高い接合部とを有することを特
徴とするフォトダイオード。 - 【請求項２】 ＰＮ接合部に入射した光を電気信号とし
て出力するフォトダイオードにおいて、 前記ＰＮ接合部の接合断面を櫛形状に形成したことを特
徴とするフォトダイオード。 - 【請求項３】 複数のフォトダイオードをアレイ状に形
成し、それぞれのフォトダイオードからの信号を読み出
すスイッチと、このスイッチに信号読み出し指示を与え
るシフトレジスターとを備えたフォトダイオードアレイ
において、 前記フォトダイオードが、請求項１または請求項２の構
成を備えたことを特徴とするフォトダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296333A JPH08153887A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296333A JPH08153887A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153887A true JPH08153887A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17832187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6296333A Pending JPH08153887A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153887A (ja) |
Cited By (2)
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1994
- 1994-11-30 JP JP6296333A patent/JPH08153887A/ja active Pending
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