JPH08138969A - Manufacture of electronic component - Google Patents
Manufacture of electronic componentInfo
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- JPH08138969A JPH08138969A JP29401794A JP29401794A JPH08138969A JP H08138969 A JPH08138969 A JP H08138969A JP 29401794 A JP29401794 A JP 29401794A JP 29401794 A JP29401794 A JP 29401794A JP H08138969 A JPH08138969 A JP H08138969A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に関し、詳し
くは、チップ型積層セラミックコンデンサなどのような
外部電極を備えた電子部品の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to electronic parts, and more particularly to a method for manufacturing electronic parts having external electrodes such as chip type multilayer ceramic capacitors.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】表面実
装型の電子部品の一つであるチップ型積層セラミックコ
ンデンサは、例えば図１に示すように、セラミック１中
に複数の内部電極２が配設された構造を有するコンデン
サ素子（電子部品素子）３の両端側に、内部電極２と導
通する外部電極４が配設された構造を有している。2. Description of the Related Art A chip type monolithic ceramic capacitor, which is one of surface mount type electronic parts, has a plurality of internal electrodes 2 arranged in a ceramic 1 as shown in FIG. The external electrodes 4 that are electrically connected to the internal electrodes 2 are arranged on both ends of the capacitor element (electronic component element) 3 having the provided structure.
【０００３】そして、上記外部電極４は、通常、金属粉
（例えばＡｇ粉やＡｇ−Ｐｄ合金粉など）、溶剤、有機
ビヒクル、及びガラスフリットなどを配合、混練してな
る導電ペーストをコンデンサ素子３に塗布し、５００〜
１１００℃で焼付けを行って厚膜電極（外部電極本体）
５を形成した後、はんだくわれを防止するために、厚膜
電極５上にＮｉメッキを施してＮｉメッキ膜６を設け、
さらに、はんだ付け性を向上させるために、Ｎｉメッキ
膜６の上にＳｎ（またはＳｎ−Ｐｂ）メッキを施してＳ
ｎ（またはＳｎ−Ｐｂ）メッキ膜７を設けることにより
形成されている。The external electrode 4 is usually made of a conductive paste prepared by mixing and kneading metal powder (for example, Ag powder or Ag-Pd alloy powder), solvent, organic vehicle, glass frit, etc. To 500,
Thick film electrode (external electrode body) after baking at 1100 ° C
After forming 5, the Ni plating film 6 is provided on the thick film electrode 5 by Ni plating in order to prevent solder scraping,
Furthermore, in order to improve the solderability, Sn (or Sn-Pb) plating is performed on the Ni plating film 6 to form S.
It is formed by providing an n (or Sn-Pb) plating film 7.
【０００４】ところで、上記厚膜電極を形成するために
用いられる導電ペーストとしては、従来、ホウケイ酸鉛
を主成分とするガラスフリット（絶縁性ガラスフリッ
ト）を配合した導電ペーストが使用されており、ガラス
フリットは、導電ペーストの焼付け工程における金属粉
の焼結時に流動して、コンデンサ素子表面のセラミック
と反応し、外部電極のコンデンサ素子への固着力を向上
させる機能を果す。By the way, as a conductive paste used for forming the thick film electrode, a conductive paste containing a glass frit (insulating glass frit) containing lead borosilicate as a main component is conventionally used. The glass frit flows during the sintering of the metal powder in the step of baking the conductive paste, reacts with the ceramic on the surface of the capacitor element, and has the function of improving the adhesion of the external electrode to the capacitor element.
【０００５】しかし、ガラスフリットは、導電ペースト
の焼付け時に、厚膜電極の表層側にも流れて表面に露出
する場合があり、この厚膜電極の表層側への流動は、導
電ペーストの焼付け温度が９００℃を越えると顕著にな
る。なお、内部電極材料としてＰｄを用いた場合には、
焼付け温度が１１００℃程度にまで達することがあり、
そのような場合にはガラスフリットの厚膜電極の表層側
への流動はより顕著になる。However, when the conductive paste is baked, the glass frit may flow to the surface side of the thick film electrode and be exposed on the surface, and the flow to the surface side of the thick film electrode depends on the baking temperature of the conductive paste. Becomes remarkable when the temperature exceeds 900 ° C. When Pd is used as the internal electrode material,
The baking temperature may reach up to about 1100 ° C,
In such a case, the flow of the glass frit to the surface side of the thick film electrode becomes more remarkable.
【０００６】そして、ガラスフリットが厚膜電極の表面
に露出すると、次工程のＮｉメッキ及びＳｎ（又はＳｎ
−Ｐｂ）メッキを行う際に、ガラスフリットが露出した
部分にメッキが施されず、その部分において、はんだ付
け不良が発生するという問題点がある。When the glass frit is exposed on the surface of the thick film electrode, Ni plating and Sn (or Sn) in the next step are performed.
-Pb) When plating is performed, the exposed portion of the glass frit is not plated, and there is a problem that defective soldering occurs in that portion.
【０００７】なお、上記問題点は積層セラミックコンデ
ンサのみではなく、厚膜電極上に金属メッキ膜が形成さ
れた構造を有する外部電極を備えた種々の電子部品に当
てはまるものである。The above problems apply not only to the monolithic ceramic capacitor but also to various electronic parts having an external electrode having a structure in which a metal plating film is formed on a thick film electrode.
【０００８】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、はんだ付け性の良好な外部電極を備えた電子部品を
容易かつ確実に製造することが可能な電子部品の製造方
法を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems and provides a method of manufacturing an electronic component capable of easily and reliably manufacturing an electronic component provided with an external electrode having good solderability. With the goal.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品の製造方法は、厚膜電極上に金属
メッキ膜が形成された構造を有する外部電極を備えた電
子部品の製造方法において、導電性ガラスフリットを含
有する導電ペーストを、電子部品素子の所定の位置に塗
布し、これを焼き付けて厚膜電極を形成する工程を含む
ことを特徴としている。In order to achieve the above object, a method of manufacturing an electronic component according to the present invention provides an electronic component including an external electrode having a structure in which a metal plating film is formed on a thick film electrode. The manufacturing method is characterized by including a step of applying a conductive paste containing a conductive glass frit to a predetermined position of an electronic component element and baking the applied paste to form a thick film electrode.
【００１０】また、前記導電ペーストとして、導電性ガ
ラスフリット（Ａ）と絶縁性ガラスフリット（Ｂ）を、
Ａ：Ｂ＝５：９５〜１００：０の重量比で配合したガラ
スフリットを含有する導電ペーストを用いることを特徴
としている。As the conductive paste, a conductive glass frit (A) and an insulating glass frit (B) are used.
It is characterized by using a conductive paste containing a glass frit blended in a weight ratio of A: B = 5: 95 to 100: 0.
【００１１】[0011]
【作用】導電性ガラスフリットを含有する導電ペースト
を、電子部品素子の所定の位置に塗布、焼付けして厚膜
電極を形成することにより、次工程で、該厚膜電極上に
ＮｉメッキやＳｎ（又はＳｎ−Ｐｂ）メッキなどの金属
メッキを行う際に、ガラスフリットが露出した部分にも
確実に金属メッキ膜が形成される。したがって、実装工
程などにおけるはんだ付け性の良好な外部電極を備えた
電子部品を容易かつ確実に製造することができるように
なる。The conductive paste containing the conductive glass frit is applied to a predetermined position of the electronic component element and baked to form a thick film electrode. In the next step, Ni plating or Sn is applied on the thick film electrode. When metal plating such as (or Sn-Pb) plating is performed, the metal plating film is surely formed on the exposed portion of the glass frit. Therefore, it becomes possible to easily and reliably manufacture an electronic component provided with an external electrode having a good solderability in a mounting process or the like.
【００１２】なお、導電性ガラスフリット（例えばバナ
ジン酸塩系ガラスフリットなど）と絶縁性ガラスフリッ
ト（例えばホウケイ酸鉛系ガラスフリットなど）の両方
を含むガラスフリットを添加した導電ペーストを用いる
ことにより、はんだ付け性に優れているばかりでなく、
電子部品素子への固着力にも優れた外部電極を形成する
ことが可能になる。すなわち、導電性ガラスフリットと
絶縁性ガラスフリットを、５：９５〜１００：０の重量
比で配合したガラスフリットを含有する導電ペーストを
用いることにより、本願発明をより実効あらしめ、はん
だ付け性の良好な外部電極を備えた信頼性の高い電子部
品を確実に製造することができるようになる。By using a conductive paste to which a glass frit containing both a conductive glass frit (for example, vanadate glass frit) and an insulating glass frit (for example, lead borosilicate glass frit) is added, Not only has excellent solderability,
It becomes possible to form an external electrode which is also excellent in the adhesion to the electronic component element. That is, by using a conductive paste containing a glass frit in which a conductive glass frit and an insulating glass frit are mixed in a weight ratio of 5:95 to 100: 0, the present invention is more effectively made and solderability is improved. It becomes possible to reliably manufacture a highly reliable electronic component including a good external electrode.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を示してその特徴とす
るところをさらに詳しく説明する。なお、この実施例で
は、チップ型積層セラミックコンデンサを製造する場合
を例にとって説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below to explain the features thereof in more detail. In this embodiment, a case of manufacturing a chip type monolithic ceramic capacitor will be described as an example.
【００１４】まず、バナジン酸塩系ガラスフリット（導
電性ガラスフリット）とホウケイ酸鉛系ガラスフリット
（絶縁性ガラスフリット）を用意し、両者を表１に示す
ような割合で配合することにより、ガラスフリットを作
成した。First, a vanadate glass frit (conductive glass frit) and a lead borosilicate glass frit (insulating glass frit) were prepared, and both were mixed in the proportions shown in Table 1 to obtain glass. Created a frit.
【００１５】[0015]
【表１】 [Table 1]
【００１６】なお、この実施例では、バナジン酸塩系ガ
ラスフリットとして、Ｖ2Ｏ5とＰ2Ｏ5を、Ｖ2Ｏ5：Ｐ2
Ｏ5＝８７．５：１２．５の重量比で配合して作成した
ガラスフリットを用いた。ただし、バナジン酸塩系ガラ
スフリットとしては、上記組成のものに限らず、例え
ば、表２に示すような種々の組成のガラスフリットを用
いることが可能であり、さらにその他の組成のガラスフ
リットを用いることも可能である。In this embodiment, V 2 O 5 and P 2 O 5 were used as the vanadate glass frit, and V 2 O 5 : P 2
A glass frit prepared by compounding in a weight ratio of O 5 = 87.5: 12.5 was used. However, the vanadate-based glass frit is not limited to the one having the above composition, and, for example, glass frits having various compositions as shown in Table 2 can be used, and glass frits having other compositions can be used. It is also possible.
【００１７】[0017]
【表２】 [Table 2]
【００１８】そして、金属粉（この実施例ではＡｇ
粉）、有機ビヒクル（例えば、エチルセルロースをブチ
ルセルソルブに溶解させたもの）、及び表１にその組成
比を示す各ガラスフリットを、以下の割合で配合して混
練することにより導電ペーストを調製した。 金属粉 ：８０．０重量部 有機ビヒクル ：１５．０重量部 導電性ガラスフリット： ５．０重量部Metal powder (Ag in this embodiment)
Powder), an organic vehicle (for example, ethyl cellulose dissolved in butyl cellosolve), and each glass frit whose composition ratio is shown in Table 1 were blended in the following proportions to prepare a conductive paste. . Metal powder: 80.0 parts by weight Organic vehicle: 15.0 parts by weight Conductive glass frit: 5.0 parts by weight
【００１９】そして、この導電ペーストを、図１に示す
ように、セラミック（この実施例ではチタン酸バリウム
系セラミック）１中に複数の内部電極２が配設された構
造を有するコンデンサ素子３の両端に塗布し、空気中に
おいて９００℃で焼付けを行って厚膜電極（外部電極本
体）５を形成した後、はんだくわれを防止するために、
厚膜電極５上にＮｉメッキを施してＮｉメッキ膜６を設
け、さらに、はんだ付け性を付与するために、Ｎｉメッ
キ膜６の上にＳｎ−Ｐｂメッキを施してＳｎ−Ｐｂメッ
キ膜７を設けることにより外部電極４を形成した。Then, as shown in FIG. 1, this conductive paste is applied to both ends of a capacitor element 3 having a structure in which a plurality of internal electrodes 2 are arranged in a ceramic (barium titanate-based ceramic in this embodiment) 1. To form a thick film electrode (external electrode main body) 5 by baking at 900 ° C. in air and then to prevent solder shaving.
Ni plating is applied on the thick film electrode 5 to form a Ni plating film 6, and Sn-Pb plating is applied on the Ni plating film 6 to form a Sn-Pb plating film 7 in order to provide solderability. The external electrode 4 was formed by providing.
【００２０】それから、下記の条件ではんだ付けを行
い、はんだ濡れ面積率を測定することによりはんだ付け
性を調べた（試料数（ｎ）＝１００個）。Then, soldering was performed under the following conditions, and the solderability was examined by measuring the solder wetted area ratio (the number of samples (n) = 100).
【００２１】［はんだ付け条件］ はんだの種類：Ｈ６０Ａ はんだ浴温度：２３０℃ 浸漬時間 ：３秒 フラックス ：ロジン２５重量％エタノ−ル溶液[Soldering Conditions] Type of solder: H60A Solder bath temperature: 230 ° C. Immersion time: 3 seconds Flux: Rosin 25% by weight ethanol solution
【００２２】その結果を表３に示す。The results are shown in Table 3.
【００２３】[0023]
【表３】 [Table 3]
【００２４】なお、はんだ濡れ面積率（％）は、外部電
極の表面にはんだが付着した面積の、外部電極の表面積
に対する割合（（はんだ付着面積／外部電極の表面積）
×１００）を意味する。この実施例では、はんだ濡れ面
積率が９０％以上の場合に、はんだ付け性が良好である
と判断した。The solder wetted area ratio (%) is the ratio of the area where the solder is attached to the surface of the external electrode to the surface area of the external electrode ((solder attachment area / surface area of the external electrode)).
X100) is meant. In this example, it was judged that the solderability was good when the solder wetted area ratio was 90% or more.
【００２５】表３より、導電性ガラスフリット（バナジ
ン酸塩系ガラスフリット）を５重量％以上含有するガラ
スフリットを用いた場合（No.１，２，３，４，５）に
は、焼付け温度が９００℃と高温であるにもかかわら
ず、すべての試料（１００個）について、はんだ濡れ面
積率が９０％以上となっており、良好なはんだ付け性を
有する外部電極が得られていることがわかる。From Table 3, when the glass frit containing 5% by weight or more of the conductive glass frit (vanadate glass frit) is used (No. 1, 2, 3, 4, 5), the baking temperature is Although the sample has a high temperature of 900 ° C., the solder wetted area ratio is 90% or more for all the samples (100 pieces), and the external electrodes having good solderability are obtained. Recognize.
【００２６】一方、絶縁性ガラスフリット（ホウケイ酸
鉛系ガラスフリット）のみを用いた場合（No.６）に
は、はんだ濡れ面積率が９０％に達しないものが相当数
認められた。これは、厚膜電極（外部電極本体）の表面
に露出した絶縁性ガラスフリットがメッキ皮膜の形成を
妨害することによるものである。On the other hand, when only the insulating glass frit (lead borosilicate type glass frit) was used (No. 6), a considerable number of solder wetted areas did not reach 90%. This is because the insulating glass frit exposed on the surface of the thick film electrode (external electrode body) interferes with the formation of the plating film.
【００２７】なお、上記実施例では、導電性ガラスフリ
ットとして、バナジン酸塩系ガラスフリットを用いた場
合について説明したが、導電性ガラスフリットはこれに
限られるものではなく、バナジン酸塩の他にマンガンな
どを含む酸化物塩や、カルコゲナイドガラス（Ｍ−Ｓ，
Ｍ−Ｓｅ，Ｍ−Ｔｅ、ただし、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ａｓ，
Ｐ，Ｓｂ他）などを用いることが可能であり、さらに他
の種類の導電性ガラスフリットを用いることも可能であ
る。なお、カルコゲナイドガラスを用いた場合には、加
熱すると酸化分解が起こるため、減圧雰囲気中や還元性
雰囲気中などで焼付けを行うことが必要である。In the above embodiment, the case where the vanadate glass frit is used as the conductive glass frit has been described, but the conductive glass frit is not limited to this, and other than vanadate. Oxide salts containing manganese, chalcogenide glass (MS,
M-Se, M-Te, where M is Si, Ge, As,
(P, Sb, etc.) and the like, and it is also possible to use another type of conductive glass frit. When chalcogenide glass is used, it is necessary to perform baking in a reduced pressure atmosphere or a reducing atmosphere because oxidative decomposition occurs when heated.
【００２８】また、上記実施例では、絶縁性ガラスフリ
ットとして、ホウケイ酸鉛系ガラスフリットを用いた場
合について説明したが、絶縁性ガラスフリットはこれに
限られるものではなく、ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリッ
ト、ホウケイ酸鉛ビスマス系ガラスフリットなどを用い
ることが可能であり、さらに他の種類の絶縁性ガラスフ
リットを用いることも可能である。In the above embodiment, the case where the lead glass borosilicate type glass frit is used as the insulating glass frit has been described, but the insulating glass frit is not limited to this, and the zinc borosilicate type glass frit is not limited thereto. It is possible to use lead borosilicate bismuth-based glass frit or the like, and it is also possible to use other types of insulating glass frit.
【００２９】さらに、上記実施例では、導電性ガラスフ
リットと絶縁性ガラスフリットを別々に作成した後、所
定の重量比で混合してガラスフリットを作成した場合に
ついて説明したが、ガラスフリット作成時に所定の組成
になるように各成分を配合して、一度に調合することも
可能である。Further, in the above embodiment, the case where the conductive glass frit and the insulating glass frit are separately prepared and then mixed at a predetermined weight ratio to prepare the glass frit is explained. It is also possible to mix each component so as to have the above composition and prepare them all at once.
【００３０】また、上記実施例では、チップ型積層セラ
ミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明した
が、本発明はこれに限らず、積層セラミックフィルタ、
圧電共振部品、正特性サーミスタ、負特性サーミスタな
どのような外部電極を有する種々の電子部品を製造する
場合に適用することが可能である。In the above embodiment, the case of manufacturing a chip type monolithic ceramic capacitor has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and a monolithic ceramic filter,
It can be applied when manufacturing various electronic components having external electrodes such as piezoelectric resonance components, positive characteristic thermistors, negative characteristic thermistors, and the like.
【００３１】本発明は、さらにその他の点においても上
記実施例に限定されるものではなく、導電ペーストを構
成する成分（金属粉、溶剤、有機ビヒクルなど）の種類
や配合割合などに関し、発明の要旨の範囲内において種
々の応用、変形を加えることが可能である。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments in other points as well, and relates to the kinds and blending ratios of the components (metal powder, solvent, organic vehicle, etc.) constituting the conductive paste. Various applications and modifications can be made within the scope of the gist.
【００３２】[0032]
【発明の効果】上述のように、本発明の電子部品の製造
方法は、導電性ガラスフリットを含有する導電ペースト
を用いて厚膜電極（外部電極本体）を形成するようにし
ているので、外部電極のはんだ付け性を大幅に向上させ
ることが可能になる。As described above, according to the method of manufacturing an electronic component of the present invention, the thick film electrode (external electrode body) is formed by using the conductive paste containing the conductive glass frit. It is possible to greatly improve the solderability of the electrodes.
【００３３】したがって、本発明によれば、実装工程で
はんだ付け不良が発生したりすることのない信頼性の高
い電子部品を容易かつ確実に製造することが可能にな
る。Therefore, according to the present invention, it is possible to easily and reliably manufacture a highly reliable electronic component which does not cause a soldering failure in the mounting process.
【図１】チップ型積層セラミックコンデンサの構造を示
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a chip type monolithic ceramic capacitor.
１ セラミック ２ 内部電極 ３ コンデンサ素子（電子部品素子） ４ 外部電極 ５ 厚膜電極（外部電極本体） ６ Ｎｉメッキ膜 ７ Ｓｎ−Ｐｂメッキ膜 1 Ceramic 2 Internal Electrode 3 Capacitor Element (Electronic Component Element) 4 External Electrode 5 Thick Film Electrode (External Electrode Main Body) 6 Ni Plating Film 7 Sn-Pb Plating Film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasunobu Yoneda 2 26-10 Tenjin Tenjin, Nagaokakyo City, Kyoto Prefecture Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (2)
構造を有する外部電極を備えた電子部品の製造方法にお
いて、 導電性ガラスフリットを含有する導電ペーストを、電子
部品素子の所定の位置に塗布し、これを焼き付けて厚膜
電極を形成する工程を含むことを特徴とする電子部品の
製造方法。1. A method of manufacturing an electronic component including an external electrode having a structure in which a metal plating film is formed on a thick film electrode, wherein a conductive paste containing a conductive glass frit is added to a predetermined position of an electronic component element. A method for manufacturing an electronic component, which comprises a step of applying the composition to a substrate and baking it to form a thick film electrode.
フリット（Ａ）と絶縁性ガラスフリット（Ｂ）を、 Ａ：Ｂ＝５：９５〜１００：０ の重量比で配合したガラスフリットを含有する導電ペー
ストを用いることを特徴とする請求項１記載の電子部品
の製造方法。2. A conductive material containing, as the conductive paste, a glass frit in which a conductive glass frit (A) and an insulating glass frit (B) are mixed in a weight ratio of A: B = 5: 95 to 100: 0. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a paste is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29401794A JPH08138969A (en) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | Manufacture of electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29401794A JPH08138969A (en) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | Manufacture of electronic component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138969A true JPH08138969A (en) | 1996-05-31 |
Family
ID=17802184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29401794A Pending JPH08138969A (en) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | Manufacture of electronic component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08138969A (en) |
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