JPH08138553A - Pipe connecting method and manufacture of image display device using it - Google Patents

Pipe connecting method and manufacture of image display device using it

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JPH08138553A
JPH08138553A JP27123994A JP27123994A JPH08138553A JP H08138553 A JPH08138553 A JP H08138553A JP 27123994 A JP27123994 A JP 27123994A JP 27123994 A JP27123994 A JP 27123994A JP H08138553 A JPH08138553 A JP H08138553A
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JP
Japan
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pipe
electron
hole
tube
voltage
Prior art date
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JP27123994A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiki Uda
芳己 宇田
Takeshi Yakou
猛 谷古宇
Shinichi Kawate
信一 河手
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide connectability for pipes where alignment is easy and no risk of dislocation exists resulting from vibration, etc., in the baking process by providing a columnar insert bar penetrating a pipe to reach a through hole in a vacuum vessel, aligning the pipe with the through hole using the insert bar when the pipe is to be fixed to the vacuum vessel, and thereupon securing the pipe. CONSTITUTION: A mixture of frit glass and vehicle (binder and solvent) is provisionally baked and preformed in the form of a ring so that five bits of frit glass 5 are provided, which are laid around a through hole 109 in a back base board 101. An insert bar 107 is inserted into a pipe 4, and the tip is inserted into the through hole 109. The diameter of the bar 107 is a little smaller than that of the through hole 109, and the end on the side opposite the through hole is shaped in an overhung from the outside diameter of the pipe. In this condition, the whole construction is heated to the frit baking temp., and the insert bar 107 is removed in the condition that the pipe 4 is attached to the back board 101, and thus the pipe fixing process is completed. At this time, a frame to which the back board 101 and a front base board 102 as structural members is also attached sealedly with frit glass 108, and an image display device in the form of a vacuum vessel is achieved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、主として容器の排気や
ガス交換に利用される管の接続方法に関するものであ
り、さらに、この管の接続方法を用いた画像表示装置の
製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for connecting a pipe mainly used for exhausting a gas or exchanging a gas, and further to a method for manufacturing an image display device using the method for connecting a pipe. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、主としてガラス部材で構成された
真空容器の内部を真空排気ラインに接続し、内部を排気
するためにガラス製の管がガラスフリットで固着されて
使用されている。この管を使用した画像表示装置の代表
例として蛍光表示管がある。図15は蛍光表示管に管が
固着した状態の従来例で、1は基板、2はカバーガラ
ス、3はフリットガラス、4は管、5はフリットガラス
である。この管の接続方法は、特公昭63−61741
に開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, the inside of a vacuum container mainly made of a glass member is connected to a vacuum exhaust line, and a glass tube is fixedly attached by a glass frit to exhaust the inside. A typical example of an image display device using this tube is a fluorescent display tube. FIG. 15 shows a conventional example in which a tube is fixed to a fluorescent display tube, 1 is a substrate, 2 is a cover glass, 3 is a frit glass, 4 is a tube, and 5 is a frit glass. The connection method of this pipe is Japanese Patent Publication No. 63-61741.
Is disclosed in.

【0003】図16はこの方法を示したもので、1は基
板、2はカバーガラス、3はフリットガラス、4は管、
6はクリップ治具、7は保持治具、8は管を固着するた
めのタブレットガラスである。管の固着は7の保持治具
で管の固着部に対して反対側の端部に近い部分を保持
し、全体を加熱することによって、予め固着部にセット
されたタブレットガラス8を溶かして、管を固着するこ
とにより製造される。
FIG. 16 shows this method. 1 is a substrate, 2 is a cover glass, 3 is a frit glass, 4 is a tube,
6 is a clip jig, 7 is a holding jig, and 8 is a tablet glass for fixing the tube. The tube is fixed by holding the part near the end on the opposite side to the fixed part of the tube with a holding jig 7 and heating the whole to melt the tablet glass 8 set in the fixed part in advance, It is manufactured by fixing the tube.

【0004】この他の電子放出素子等を使用する各種の
画像表示装置やプラズマ画像表示装置等にも、排気用の
管や、ガスを導入用等の管が一般にフリットガラスによ
って固着されて用いられている。
[0004] In various image display devices and plasma image display devices using other electron-emitting devices and the like, exhaust pipes and pipes for introducing gas are generally fixed and fixed by frit glass. ing.

【0005】従来、電子放出素子として熱電子源と冷陰
極電子源の2種類が知られている。冷陰極電子源には電
界放出型(以下FE型と略す)、金属/絶縁層/金属型
(以下MIM型と略す)や表面伝導型電子放出素子等が
ある。FE型の例としてはW.P.Dyke & W.
W.Dolan、”Field amission”、
Advance in Electron Physi
cs、8 89(1956)あるいはC.A.Spin
dt、”Physical Properties o
f thin−film field emissio
n cathodes with molybdeni
um”、J.Appl.Phys.、47 5248
(1976)等が知られている。
Conventionally, two types of electron emitters, a thermoelectron source and a cold cathode electron source, are known. The cold cathode electron source includes a field emission type (hereinafter abbreviated as FE type), a metal / insulating layer / metal type (hereinafter abbreviated as MIM type), a surface conduction type electron emitting device, and the like. As an example of the FE type, W. P. Dyke & W.D.
W. Dolan, "Field mission",
Advance in Electron Physi
cs, 8 89 (1956) or C.I. A. Spin
dt, "Physical Properties o
f thin-film field emissio
n cathodes with mollybdeni
um ", J. Appl. Phys., 47 5248.
(1976) and the like are known.

【0006】MIM型の例としてはC.A.Mea
d、”The tunnel−emission am
plifier、J.Appl.Phys.、32 6
46(1961)等が知られている。
An example of the MIM type is C.I. A. Mea
d, "The tunnel-emission am
plier, J. et al. Appl. Phys. , 32 6
46 (1961) and the like are known.

【0007】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
M.I.Elinson、Radio Eng.Ele
ctron Phys.、10(1965)等がある。
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積
の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放
出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型
電子放出素子としては、前記エリンソン等によるSnO
2 薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.Dit
tmer:”Thin Solid Films”、9
317(1972)]、In23 /SnO2 薄膜に
よるもの[M.Hartwell and C.G.F
onstad:”IEEE Trans.ED Con
f.”、519(1975)]、カーボン薄膜によるも
の[荒木久他:真空、第26巻、第1号、22頁(19
83)]等が報告されている。これらの表面伝導型電子
放出素子の典型的な素子構成として前述のM.ハートウ
ェルの素子構成を従来図17に示す。同図において40
1は基板である。404は導電性薄膜で、H型形状のパ
ターンに、スパッタで形成された金属酸化物薄膜等から
なり、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理によ
り電子放出部405が形成される。尚、図中の素子電極
間隔Lは、0.5〜1mm、W’は、0.1mmで設定
されている。尚、電子放出部55の位置及び形状につい
ては、不明であるので模式図として表した。
As an example of the surface conduction electron-emitting device type,
M. I. Elinson, Radio Eng. Ele
ctron Phys. 10 (1965) and so on.
The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current is applied to a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface. As the surface conduction electron-emitting device, SnO by Elinson et al.
2 using a thin film, using an Au thin film [G. Dit
tmer: "Thin Solid Films", 9
317 (1972)], by In 2 O 3 / SnO 2 thin film [M. Hartwell and C.I. G. F
onstad: "IEEE Trans.ED Con
f. , 519 (1975)], by a carbon thin film [Hiraki Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, page 22 (19).
83)] etc. have been reported. As a typical device configuration of these surface conduction electron-emitting devices, the above-mentioned M. A conventional Hartwell device structure is shown in FIG. 40 in the figure
1 is a substrate. Reference numeral 404 is a conductive thin film, which is made of a metal oxide thin film or the like formed by sputtering on an H-shaped pattern, and the electron emission portion 405 is formed by an energization process called energization forming described later. The element electrode interval L in the figure is set to 0.5 to 1 mm, and W'is set to 0.1 mm. The position and shape of the electron emitting portion 55 are not clear, and are therefore shown as a schematic diagram.

【0008】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜404を予め
通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出
部405を形成するのが一般的であった。即ち、通電フ
ォーミングとは前記導電性薄膜404の両端に直流電圧
あるいは非常にゆっくりとした昇電圧例えば1V/分程
度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もし
くは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出
部405を形成することである。尚、電子放出部405
は導電性薄膜404の一部に亀裂が発生しその亀裂付近
から電子放出が行われる。前記通電フォーミング処理を
した表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜404
に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述電子
放出部405より電子を放出せしめるものである。
Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, it has been general that the electron-emitting portion 405 is formed in advance on the conductive thin film 404 by an energization process called energization forming before electron emission. That is, the energization forming is performed by applying a direct current voltage or a very slow rising voltage, for example, about 1 V / min to both ends of the conductive thin film 404 to locally energize the conductive thin film, electrically or electrically deform it. That is, the electron emitting portion 405 having a high resistance is formed. The electron emission unit 405
A crack is generated in a part of the conductive thin film 404, and electrons are emitted from the vicinity of the crack. The surface conduction electron-emitting device that has been subjected to the energization forming process has the above-mentioned conductive thin film 404.
Electrons are emitted from the electron emission portion 405 by applying a voltage to the element and passing a current through the element.

【0009】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから大面積にわたり多数素子を配
列形成できる利点がある。そこでこの特徴を生かせるよ
うないろいろな応用が研究されている。例えば、荷電ビ
ーム源、画像表示装置等の表示装置があげられる。
Since the surface conduction electron-emitting device described above has a simple structure and is easy to manufacture, it has an advantage that a large number of devices can be arrayed over a large area. Therefore, various applications that can make full use of this feature are being researched. For example, a charged beam source, a display device such as an image display device may be used.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、保持治
具を用いて管の固着を行った上記従来例では (1)管の配置に際し、事前に保持治具を基板の貫通孔
に管が連通するように位置合わせしなくてはならない。 (2)保持治具が管の固着部に対して反対側の端部近傍
を保持する構造のため、管が保持治具の管を保持してい
る部分を中心に、固着部側に向かってふらつくため、基
板の連通部に対して位置ズレする可能性がある。 (3)管に対して荷重をかけることができないために、
焼成時の振動等で、基板の連通部に対して位置ズレする
可能性がある。 (4)製造時の都合により、基板を立ておきにして管を
固着しなければならない場合、あるいは管を下から固着
しなくてはならない場合に、管が自重でズレたり、抜け
たりするため管の固着ができない。
However, in the above-mentioned conventional example in which the tube is fixed by using the holding jig, (1) the tube is communicated with the through hole of the substrate in advance when arranging the tube. Must be aligned as shown. (2) Since the holding jig holds the vicinity of the end portion on the opposite side to the fixed portion of the pipe, the pipe faces the fixed portion with the portion of the holding jig holding the pipe as the center. Since it wobbles, there is a possibility that it may be displaced with respect to the communicating portion of the substrate. (3) Since the load cannot be applied to the pipe,
There is a possibility that the substrate is displaced with respect to the communicating portion due to vibration or the like during firing. (4) For convenience of manufacturing, when the substrate must be stood upright to fix the pipe, or when the pipe must be fixed from below, the pipe slips or falls due to its own weight. Can not be fixed.

【0011】などのような欠点があった。There are drawbacks such as the above.

【0012】すなわち、本発明の目的とするところは、
上述のような問題点を解決し得る管の接続方法を提供
し、この様な管の接続方法を用いた画像表示装置の製造
方法を提供することにある。
That is, the object of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a tube connecting method capable of solving the above-mentioned problems, and to provide an image display device manufacturing method using such a tube connecting method.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、少なくとも電子放出素子を搭載した背面板と、該
背面板と対向するように配置された対向面に画像形成部
として蛍光体を有する前面板と、該背面板と該前面板と
の間にあって外周を包囲する枠からなる画像表示装置の
構成部材と、該構成部材をフリットガラスなどの封着材
で密閉封着する画像表示装置において、該画像表示装置
の内部を真空に排気するため、あるいは外部からガスを
導入したり、あるいは排気してガスを導入したり、ある
いは排気とガス導入を表示装置の作製時に必要により使
い分けられる複数あるいは単体の管を、背面板や枠ある
いは前面板のような構成部材のいずれか、あるいはその
うちのいくつかに、該画像表示装置の製造時に封着材で
固着する管の接続方法として、管の内部に柱状の棒、す
なわち内挿棒を挿入し、該内挿棒を管の固着部端面側よ
り構成部材に設けられた連通孔に突き出すことにより、
管と貫通孔をズレない状態にし、管の固着部に配置され
たフリットガラスとともに、構成部材を焼成し管を固着
せしめる接続方法である。
The feature of the present invention resides in that at least a back plate on which an electron-emitting device is mounted, and a phosphor as an image forming portion are provided on a facing surface arranged so as to face the back plate. A component member of the image display device including a front plate having the same, a frame surrounding the outer periphery between the back plate and the front plate, and an image display device that hermetically seals the component member with a sealing material such as frit glass. In order to evacuate the inside of the image display device to a vacuum, to introduce gas from the outside, to introduce gas by exhausting, or to use exhaust and gas introduction depending on necessity when manufacturing the display device. Alternatively, a single tube may be connected to any one of the back plate, the frame, the front plate, or some of the members by a sealing material when connecting the tube to the image display device. Modulo, columnar rod inside the tube, i.e. to insert the inner 挿棒, by projecting the communicating hole provided with internal 挿棒 the component from the fixed end face side of the tube,
This is a connection method in which the pipe and the through-hole are not displaced and the constituent members are fired together with the frit glass arranged in the fixing portion of the pipe to fix the pipe.

【0014】この時配置されるフリットガラスは事前に
リング状にプリフォームされたタブレットガラスを用い
て固着温度まで焼成する場合や、フリットガラスを溶剤
とバインダーでペースト状にしたもの等を塗布等して仮
焼成および焼成を行う場合や、仮焼成せずに固着温度ま
で焼成する場合などがある。
The frit glass arranged at this time is prepared by firing the tablet glass preformed in a ring shape in advance to a fixing temperature, or by coating the frit glass in a paste form with a solvent and a binder. There are cases in which calcination and calcination are performed, or calcination is performed up to the fixing temperature without calcination.

【0015】また、内挿棒のサイズは、内挿棒の貫通孔
に設置される部分においては、構成部材の貫通孔のサイ
ズにほぼ等しく作製したものを用い、管の部分に内挿さ
れる部分においては管の内径のサイズとほぼ等しいこと
が望ましい。したがって、管の内径が貫通孔に対して大
きい場合には、内挿棒のサイズを段階的に変えたものを
用いることも管の固着精度を上げる手段として使用でき
る。
As for the size of the insertion rod, in the portion installed in the through hole of the insertion rod, the size of the through hole of the constituent member is made to be approximately the same, and the portion inserted in the pipe portion is used. In, it is desirable that the size is approximately equal to the inner diameter of the tube. Therefore, when the inner diameter of the pipe is larger than that of the through hole, it is possible to use the interpolating rod whose size is changed stepwise as a means for improving the fixing accuracy of the pipe.

【0016】また、該内挿棒の固着部側に対して反対側
の端部は管より外側に張り出した構造のものも使用する
ことができる。その張り出しは、少なくとも管の内径よ
り大きく加工されたものを用いて、構成部材に対して垂
直に配置されている管に対してこの内挿棒を挿入し、管
と貫通孔をズレない状態にするとともに、管の固着部と
反対の端部を内挿棒の張り出し部によって押さえた状態
で、管の固着部に配置されたフリットガラスとともに、
構成部材を焼成して管を固着せしめる。この管を固着す
る接続方法において、構成部材に対して管が上にある場
合は、内挿棒の自重で管を押さえることができ、内挿棒
の重量を調整することで一定の荷重で管を押さえながら
固着することができる製造方法である。
Further, it is also possible to use a structure in which the end portion on the opposite side to the fixing portion side of the insertion rod has a structure projecting outside the pipe. For the overhang, use one that has been machined at least larger than the inner diameter of the pipe, and insert this insertion rod into the pipe that is arranged perpendicular to the component members so that the pipe and the through hole do not shift. In addition, while holding the end opposite to the fixed part of the pipe by the protruding part of the insertion rod, along with the frit glass arranged in the fixed part of the pipe,
The components are fired to secure the tube. In this connection method for fixing the pipe, if the pipe is above the constituent members, the pipe can be held down by the weight of the insertion rod, and the weight of the insertion rod can be adjusted to keep the pipe under a constant load. It is a manufacturing method that can be fixed while pressing.

【0017】加えて、管が細くて長い場合には固着後の
垂直度をより良くする目的で内挿棒の張り出し部や管の
外周部などに倒れを補佐する治具を用いることもでき
る。さらに、内挿棒の自重以上の荷重をかけたい場合な
どには内挿棒の張り出し部の上などに追加の重りを置い
てより強固な接着面を得るために実施することも本発明
の管の接続方法の範囲に含まれる方法である。
In addition, when the pipe is thin and long, it is possible to use a jig for assisting the fall of the protruding portion of the insertion rod or the outer peripheral portion of the pipe for the purpose of improving the verticality after fixing. Further, when it is desired to apply a load more than the self-weight of the insertion rod, an additional weight may be placed on the protruding portion of the insertion rod to obtain a stronger adhesive surface. It is a method included in the range of the connection method.

【0018】また、構成部材に対して管が横や下に有る
状態で管を固着しなければならない場合には、内挿棒の
どちらか一方の端部と構成部材の間にバネなどを介し
て、該バネ部と内挿棒をネジなどで止めた状態で、管の
固着部に配置されたフリットガラスとともに、構成部材
を焼成し管を固着せしめることにより、一定の力で管を
押さえながら固着することができるように内挿棒を用い
て管を接続する方法も本発明に含まれる。
Further, when the pipe must be fixed to the constituent member in a state where the pipe is on the side or below the constituent member, a spring or the like is interposed between one of the ends of the insertion rod and the constituent member. Then, while the spring part and the insertion rod are fixed with screws or the like, together with the frit glass placed in the fixing part of the tube, the constituent members are baked to fix the tube, while pressing the tube with a constant force. Also included in the invention is a method of connecting the tubes using an intercalating rod so that they can be secured.

【0019】この内挿棒による管の組立方法を平板状の
画像表示装置の管として使用することができる。
This method of assembling a tube with an inserting rod can be used as a tube of a flat image display device.

【0020】この内挿棒による管の接続方法が適用でき
る平板状画像表示装置は、その表示方法に電子を加速し
て蛍光体を発光させる構造のもの、すなわち少なくとも
電子放出素子と蛍光体が画像表示装置内に配置されてい
るもので電子を空間に放出させるために真空を要する画
像表示装置に使用することができる。
A flat panel image display device to which the tube connection method using the insertion rod can be applied has a structure in which electrons are accelerated to cause the phosphor to emit light, that is, at least the electron-emitting device and the phosphor are images. It can be used in an image display device that is arranged in a display device and requires a vacuum to emit electrons into a space.

【0021】該電子放出素子を例示すれば、表面伝導
型、FE型等の冷極電子放出素子、ワイヤー状の熱電子
源などを用いた画像表示装置に使用することができる。
As an example of the electron-emitting device, the electron-emitting device can be used in an image display device using a surface conduction type, FE-type cold electrode electron-emitting device, a wire-shaped thermoelectron source, or the like.

【0022】言うまでもないが、その他の方式の画像表
示装置等で、管を有するものにも適用可能である。
Needless to say, the present invention can be applied to other types of image display devices and the like having a tube.

【0023】更に本発明で用いる冷陰極電子源は、単純
な構成であり、製法が容易な表面伝導型電子放出素子が
好適である。
Further, the cold cathode electron source used in the present invention is preferably a surface conduction electron-emitting device which has a simple structure and is easy to manufacture.

【0024】本発明に用いることのできる表面伝導型電
子放出素子は基本的に平面型表面伝導型電子放出素子及
び垂直型表面伝導型電子放出素子の2種類があげられ
る。
There are basically two types of surface conduction electron-emitting devices that can be used in the present invention: a planar surface conduction electron-emitting device and a vertical surface conduction electron-emitting device.

【0025】図5は基本的な表面伝導型電子放出素子の
構成を示す模式的平面図及び断面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view and a sectional view showing the structure of a basic surface conduction electron-emitting device.

【0026】図5において501は基板、502、50
3は素子電極、504は導電性薄膜、505は電子放出
部である。
In FIG. 5, reference numeral 501 is a substrate, and 502 and 50.
Reference numeral 3 is a device electrode, 504 is a conductive thin film, and 505 is an electron emitting portion.

【0027】基板501としては、石英ガラス、Na等
の不純物含有量の少ないガラス、青板ガラス、SiO2
を表面に形成したガラス基板及びアルミナ等のセラミッ
クス基板が用いられる。
As the substrate 501, quartz glass, glass containing a small amount of impurities such as Na, soda lime glass, SiO 2
A glass substrate and a ceramics substrate made of alumina or the like, on the surface of which are used.

【0028】素子電極502、503の材料としては一
般的導電体が用いられ、例えばNi、Cr、Au、M
o、W、Pt、Ti、Al、Cu、Pd等の金属或は合
金及びPd、Ag、Au、RuO2 、Pd−Ag等の金
属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、
In23 −SnO2 等の透明導電体及びポリシリコン
等の半導体材料等から適宜選択される。
A general conductor is used as a material for the device electrodes 502 and 503. For example, Ni, Cr, Au and M are used.
a printed conductor composed of a metal or alloy such as o, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd and a metal or metal oxide such as Pd, Ag, Au, RuO 2 , Pd-Ag, and glass;
It is appropriately selected from a transparent conductor such as In 2 O 3 —SnO 2 and a semiconductor material such as polysilicon.

【0029】素子電極間隔Lは好ましくは数百オングス
トロームより数百マイクロメートルである。
The device electrode spacing L is preferably several hundreds of angstroms to several hundreds of micrometers.

【0030】また素子電極間に印加する電圧は低い方が
望ましく、再現良く作成することが要求されるため好ま
しい素子電極間隔は数マイクロメートルより数十マイク
ロメートルである。
Further, it is desirable that the voltage applied between the device electrodes is low, and since it is required to produce it with good reproducibility, the preferred device electrode interval is several micrometers to several tens of micrometers.

【0031】素子電極長さWは電極の抵抗値、電子放出
特性から数マイクロメートルより数百マイクロメートル
であり、また素子電極502,503の膜厚は、数百オ
ングストロームより数マイクロメートルが好ましい。
The device electrode length W is preferably several micrometers to several hundreds of micrometers in view of the resistance value of the electrodes and electron emission characteristics, and the film thickness of the device electrodes 502 and 503 is preferably several micrometers to several micrometers.

【0032】尚、図5の構成だけでなく、基板1上に導
電性薄膜504、素子電極502,503間の抵抗値及
び後述する通電フォーミング条件等によって、適宜設定
されるが、好ましくは数オングストロームより500オ
ングストロームである。そのシート抵抗値は10の3乗
乃至10の7乗オーム/□である。
In addition to the structure shown in FIG. 5, it is appropriately set depending on the conductive thin film 504 on the substrate 1 and the resistance value between the device electrodes 502 and 503, and the energization forming conditions described later, but preferably several angstroms. More than 500 Angstroms. The sheet resistance value is 10 3 to 10 7 ohm / □.

【0033】また導電性薄膜504を構成する材料は、
Pd、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cr、F
e、Zn、Sn、Ta、W、Pd等の金属、PdO、S
nO2、In203、PbO、Sb203等の酸化物、
HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、G
dB4等の 化物、TiC、ZrC、HfC、SiC、
WC等の炭化物、TiN、ZrN、HfN等の窒化物、
Si、Ge等の半導体、カーボン等があげられる。
The material forming the conductive thin film 504 is
Pd, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cr, F
e, Zn, Sn, Ta, W, Pd and other metals, PdO, S
oxides such as nO2, In203, PbO, Sb203,
HfB2, ZrB2, LaB6, CeB6, YB4, G
Compounds such as dB4, TiC, ZrC, HfC, SiC,
Carbides such as WC, nitrides such as TiN, ZrN, HfN,
Examples include semiconductors such as Si and Ge, carbon, and the like.

【0034】尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒
子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が
個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接、あるいは重なり合った状態(島状も含む)の膜をさ
しており、微粒子の粒径は数オングストロームから数千
オングストロームであり、好ましくは10オングロトロ
ームより200オングストロームである。
The fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and its fine structure is not only in a state where the fine particles are dispersed and arranged but also in a state where the fine particles are adjacent to each other or overlap each other (island). The particle size of the fine particles is several angstroms to several thousand angstroms, preferably 10 angstroms to 200 angstroms.

【0035】電子放出部505は導電性薄膜504の一
部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング
等により形成される。また亀裂内には数オングストロー
ムから数百オンクストロームの粒径の導電性微粒子を有
することもある。この導電性微粒子は導電性薄膜504
を構成する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。
また電子放出部505及びその近傍の導電性薄膜504
は炭素或いは炭素化合物を有することもある。
The electron emitting portion 505 is a high resistance crack formed in a part of the conductive thin film 504, and is formed by energization forming or the like. In some cases, conductive particles having a particle diameter of several angstroms to several hundred angstroms may be contained in the cracks. The conductive fine particles are conductive thin films 504.
It contains at least a part of the elements constituting the.
In addition, the electron emitting portion 505 and the conductive thin film 504 in the vicinity thereof
May have carbon or carbon compounds.

【0036】図6は基本的な垂直型表面伝導型電子放出
素子の構成を示す模式的図面である。
FIG. 6 is a schematic view showing the structure of a basic vertical surface conduction electron-emitting device.

【0037】図6において図5と同一の部材については
同一符号を付与してある。621は段差形成部である。
In FIG. 6, the same members as those in FIG. 5 are designated by the same reference numerals. 621 is a step forming portion.

【0038】基板501、素子電極502と503、導
電性薄膜504、電子放出部505は前述した平面型表
面伝導型電子放出素子と同様の材料で構成することがで
き、段差形成部621は絶縁性材料で構成され、段差形
成部621の膜厚が先に述べた平面型表面伝導型電子放
出素子の素子電極間隔Lに相当する。その間隔は数百オ
ングストロームより数十マイクロメートルである。また
その間隔は段差形成部の製法及び素子電極間に印加する
電圧により制御することができるが、好ましくは数百オ
ングストロームより数マイクロメートルである。
The substrate 501, the device electrodes 502 and 503, the conductive thin film 504, and the electron-emitting portion 505 can be made of the same material as that of the above-mentioned planar surface conduction electron-emitting device, and the step forming portion 621 has an insulating property. The film thickness of the step forming portion 621 made of a material corresponds to the device electrode distance L of the flat surface conduction electron-emitting device described above. The spacing is tens of micrometers rather than hundreds of angstroms. The distance can be controlled by the manufacturing method of the step forming portion and the voltage applied between the device electrodes, but it is preferably several hundred angstroms to several micrometers.

【0039】導電性薄膜504は素子電極502、50
3と段差形成部621作成後に形成するため、素子電極
502、503の上に積層される。尚、図6において電
子放出部505は段差形成部621に直線状に形成され
ているように示されているが、作成条件、通電フォーミ
ング条件等に依存し、形状、位置ともこれに限るもので
はない。
The conductive thin film 504 is the device electrodes 502, 50.
3 and the step forming portion 621 are formed, so that they are laminated on the device electrodes 502 and 503. In FIG. 6, the electron emitting portion 505 is shown to be linearly formed in the step forming portion 621, but the shape and position are not limited to this, depending on the preparation conditions, energization forming conditions, and the like. Absent.

【0040】以下、図5及び図7に基づいて電子源基板
の作製方法について説明する。尚、図5と同一の部材に
ついては同一の符号を付与してある。
Hereinafter, a method of manufacturing the electron source substrate will be described with reference to FIGS. The same members as those in FIG. 5 are designated by the same reference numerals.

【0041】1)基板を洗剤、純水および有機溶剤によ
り十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子
電極材料を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技
術により該基板上に素子電極502、503を形成する
(図7(a))。
1) After thoroughly washing the substrate with a detergent, pure water and an organic solvent, a device electrode material is deposited by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like. After that, the device electrodes 502 and 503 are formed on the substrate by the photolithography technique (FIG. 7A).

【0042】2)素子電極502、503を設けた基板
501に、有機金属溶液を塗布して放置することにより
有機金属薄膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは
前述の導電性薄膜504を形成する金属を主元素とする
有機金属化合物の溶液である。その後、有機金属薄膜を
加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパタ
ーニングし、導電性薄膜504を形成する(図7
(b))。尚、ここでは有機金属溶液の塗布法により説
明したが、これに限るものでなく真空蒸着法、スパッタ
法、化学的気相堆積法、分散塗布法、ディッピング法、
スピンナー法等によって形成される場合もある。
2) An organic metal solution is applied to the substrate 501 on which the device electrodes 502 and 503 are provided and left to stand to form an organic metal thin film. The organometallic solution referred to here is a solution of an organometallic compound containing a metal forming the conductive thin film 504 as a main element. After that, the organometallic thin film is heated and baked, and is patterned by lift-off, etching or the like to form a conductive thin film 504 (FIG. 7).
(B)). Although the description has been given here by using the coating method of the organic metal solution, the present invention is not limited to this, and the vacuum deposition method, the sputtering method, the chemical vapor deposition method, the dispersion coating method, the dipping method,
It may be formed by a spinner method or the like.

【0043】3)続いて通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を行う。通電フォーミングは素子電極502、5
03間に不図示の電源より通電を行い、導電性薄膜50
4を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変
化させた部位を形成させるものである。この局所的に構
造変化させた部位を電子放出部505と呼ぶ(図7
(c))。通電フォーミングの電圧波形の例を図8に示
す。電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パルス波高
値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合(図8
a)とパルス波高値を増加させながら、電圧パルスを印
加する場合(図8b)とがある。まずパルス波高値が一
定電圧とした場合(図8a)について説明する。
3) Subsequently, an energization process called energization forming is performed. Energization forming is performed by device electrodes 502, 5
Power is supplied from a power source (not shown) between
4 is locally destroyed, deformed or altered to form a site having a changed structure. This locally changed structure is called an electron emission portion 505 (FIG. 7).
(C)). FIG. 8 shows an example of the voltage waveform of energization forming. A pulse waveform is particularly preferable as the voltage waveform, and when a voltage pulse having a constant pulse peak value is continuously applied (see FIG. 8).
a) and the case of applying a voltage pulse while increasing the pulse crest value (FIG. 8b). First, the case where the pulse peak value is a constant voltage (FIG. 8A) will be described.

【0044】図8aにおけるT1及びT2は電圧波形の
パルス幅とパルス間隔であり、T1を1マイクロ秒〜1
0ミリ秒、T2を10マイクロ秒〜100ミリ秒とし、
三角波の波高値(通電フォーミング時のピーク電圧)は
表面伝導型電子放出素子の形態に応じて適宜選択し、適
当な真空度、例えば、10の−5乗torr程度の真空
雰囲気下で、数秒から数十分印加する。尚、素子の電極
間に印加する波形は三角波に限定することはなく、矩形
波など所望の波形を用いても良い。
In FIG. 8a, T1 and T2 are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform, and T1 is 1 microsecond to 1
0 milliseconds, T2 is 10 microseconds to 100 milliseconds,
The peak value of the triangular wave (peak voltage at the time of energization forming) is appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device, and for several seconds in an appropriate vacuum degree, for example, in a vacuum atmosphere of about 10 −5 torr. Apply several tens of minutes. The waveform applied between the electrodes of the element is not limited to the triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave may be used.

【0045】図8bにおけるT1及びT2は、図8aと
同様であり、三角波の波高値(通電フォーミング時のピ
ーク電圧)は、例えば0.1Vステップ程度づつ増加さ
せ適当な真空雰囲気下で印加する。
T1 and T2 in FIG. 8b are the same as those in FIG. 8a, and the crest value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is increased by, for example, about 0.1 V step and applied in an appropriate vacuum atmosphere.

【0046】尚、この場合の通電フォーミング処理はパ
ルス間隔T2中に、導電性薄膜504を局所的に破壊、
変形しない程度の電圧、例えば0.1V程度の電圧で、
素子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、1Mオーム
以上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。
In the energization forming process in this case, the conductive thin film 504 is locally destroyed during the pulse interval T2.
With a voltage that does not deform, for example, a voltage of about 0.1 V,
The device current is measured and the resistance value is obtained. For example, the energization forming is completed when the resistance is 1 M ohm or more.

【0047】4)次に通電フォーミングが終了した素子
に活性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。活性化
工程とは、例えば、10の−4乗〜10の−5乗tor
r程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス波高
値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のことで
あり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及び炭
素化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流If、放出電
流Ieを著しく変化させる処理である。活性化工程は素
子電流Ifと放出電流Ieを測定しながら、例えば、放
出電流Ieが飽和した時点で終了する。また印加する電
圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。
4) Next, it is desirable to perform a process called an activation process on the element which has completed the energization forming. The activation step is, for example, 10 −4 to 10 −5 tor.
Similar to energization forming, this is a process of repeatedly applying a voltage pulse with a constant pulse peak value at a vacuum degree of about r. Carbon and carbon compounds derived from organic substances existing in vacuum are deposited on a conductive thin film. This is a process of remarkably changing the device current If and the emission current Ie. The activation process is completed, for example, when the emission current Ie is saturated while measuring the device current If and the emission current Ie. Further, it is preferable that the applied voltage pulse is an operation drive voltage.

【0048】尚、ここで炭素及び炭素化合物とはグラフ
ァイト(単、多結晶双方を指す),非晶質カーボン(非
晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を指
す)であり、その膜厚は500オングストローム以下が
好ましく、より好ましく300オングストローム以下で
ある。
Here, carbon and carbon compound are graphite (single and polycrystalline) and amorphous carbon (mixture of amorphous carbon and polycrystalline graphite), and their film thicknesses are It is preferably 500 angstroms or less, more preferably 300 angstroms or less.

【0049】5)こうして作成した電子放出素子をフォ
ーミング工程、活性化工程における真空度よりも高い真
空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。また
更に高い真空度の雰囲気下で、80℃〜150℃の加熱
後動作駆動させることが望ましい。
5) It is preferable that the electron-emitting device thus prepared is placed in an atmosphere having a vacuum degree higher than the vacuum degree in the forming step and the activation step and driven. In addition, it is desirable to operate after heating at 80 ° C. to 150 ° C. in an atmosphere of a higher degree of vacuum.

【0050】尚、フォーミング工程、活性化処理した真
空度より高い真空度とは、例えば約10の−6乗以上の
真空度であり、より好ましくは超高真空系であり、新た
に炭素及び炭素化合物が導電薄膜上にほとんど堆積しな
い真空度である。こうすることによって素子電流If、
放出電流Ieを安定化させることが可能になる。
The degree of vacuum higher than the degree of vacuum after the forming step and activation is, for example, a degree of vacuum of about −10 −6 or higher, more preferably an ultra-high vacuum system, and newly added carbon and carbon. The degree of vacuum is such that the compound is hardly deposited on the conductive thin film. By doing so, the device current If,
It becomes possible to stabilize the emission current Ie.

【0051】上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法
としては様々な方法が考えられるが、その一例を図7に
示す。
Various methods are conceivable as a method for manufacturing the above-mentioned surface conduction electron-emitting device, one example of which is shown in FIG.

【0052】次に本発明の画像形成装置について述べ
る。
Next, the image forming apparatus of the present invention will be described.

【0053】画像形成装置に用いられる電子源基板は複
数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列することに
より形成される。
The electron source substrate used in the image forming apparatus is formed by arranging a plurality of surface conduction electron-emitting devices on the substrate.

【0054】表面伝導型電子放出素子の配列の方式には
表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の
両端を配線で接続するはしご型配置(以下はしご型配置
電子源基板と呼ぶ)や、表面伝導型電子放出素子の一対
の素子電極にそれぞれX方向配線、Y方向配線を接続し
た単純マトリクス配置(以下マトリクス型配置電子源基
板と呼ぶ)があげられる。尚、はしご型配置電子源基板
を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子の飛
翔を制御する電極である制御電極(グリッド電極)を必
要とする。
In the arrangement method of the surface conduction electron-emitting devices, the surface conduction electron-emitting devices are arranged in parallel, and both ends of each device are connected by a ladder arrangement (hereinafter referred to as a ladder arrangement electron source substrate). ) Or a simple matrix arrangement (hereinafter referred to as a matrix-type arrangement electron source substrate) in which a pair of element electrodes of the surface conduction electron-emitting device are respectively connected with X-direction wiring and Y-direction wiring. An image forming apparatus having a ladder type electron source substrate requires a control electrode (grid electrode) which is an electrode for controlling the flight of electrons from the electron-emitting device.

【0055】以下この原理に基づき構成した電子源の構
成について、図9を用いて説明する。871は電子源基
板、872はX方向配線、873はY方向配線、874
は表面伝導型電子放出素子、875は結線である。尚、
表面伝導型電子放出素子874は前述した平面型あるい
は垂直型どちらであってもよい。
The configuration of the electron source constructed based on this principle will be described below with reference to FIG. 871 is an electron source substrate, 872 is an X direction wiring, 873 is a Y direction wiring, 874
Is a surface conduction electron-emitting device, and 875 is a connection. still,
The surface conduction electron-emitting device 874 may be either the flat type or the vertical type described above.

【0056】同図において電子源基板871に用いる基
板は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が
適宜設定される。
In the figure, the substrate used for the electron source substrate 871 is the above-mentioned glass substrate or the like, and its shape is appropriately set according to the application.

【0057】m本のX方向配線872は、DX1、DX
2、・・・DXmからなり、Y方向配線873はDY
1、DY2、・・・DYnのn本の配線よりなる。
The m X-direction wirings 872 are DX1 and DX.
2, ... DXm, and the Y-direction wiring 873 is DY
1, DY2, ..., DYn, and n wirings.

【0058】また多数の表面導電型素子にほぼ均等な電
圧が供給される様に材料、膜厚、配線幅が適宜設定され
る。これらm本のX方向配線872とn本のY方向配線
873間は不図示の層間絶縁層により電気的に分離され
てマトリックス配線を構成する。(m、nは共に正の整
数)。
Further, the material, the film thickness, and the wiring width are appropriately set so that a substantially uniform voltage is supplied to a large number of surface conduction type elements. The m number of X-direction wirings 872 and the n number of Y-direction wirings 873 are electrically separated by an interlayer insulating layer (not shown) to form a matrix wiring. (M and n are both positive integers).

【0059】不図示の層間絶縁層はX方向配線872を
形成した基板871の全面或は一部に所望の領域に形成
される。X方向配線872とY方向配線873はそれぞ
れ外部端子として引き出される。
An interlayer insulating layer (not shown) is formed in a desired region on the entire surface or a part of the substrate 871 on which the X-direction wiring 872 is formed. The X-direction wiring 872 and the Y-direction wiring 873 are drawn out as external terminals.

【0060】更に表面伝導型放出素子874の素子電極
(不図示)がm本のX方向配線872とn本のY方向配
線873と結線875によって電気的に接続されてい
る。
Further, the device electrodes (not shown) of the surface conduction electron-emitting device 874 are electrically connected to the m X-direction wirings 872 and the n Y-direction wirings 873 by the connection wires 875.

【0061】また表面伝導型電子放出素子は基板あるい
は不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。
The surface conduction electron-emitting device may be formed either on the substrate or on an interlayer insulating layer (not shown).

【0062】また詳しくは後述するが前記X方向配線8
72にはX方向に配列する表面伝導型放出素子874の
行を入力信号に応じて走査するための走査信号を印加す
るための不図示の走査信号発生手段と電気的に接続され
ている。
The X-direction wiring 8 will be described later in detail.
72 is electrically connected to a scanning signal generating means (not shown) for applying a scanning signal for scanning a row of surface conduction electron-emitting devices 874 arranged in the X direction according to an input signal.

【0063】一方、Y方向配線873にはY方向に配列
する表面伝導型放出素子874の列の各列を入力信号に
応じて、変調するための変調信号を印加するための不図
示の変調信号発生手段と電気的に接続されている。
On the other hand, a modulation signal (not shown) for applying a modulation signal for modulating each row of the surface conduction electron-emitting devices 874 arranged in the Y direction according to the input signal to the Y-direction wiring 873. It is electrically connected to the generating means.

【0064】更に表面伝導型電子放出素子の各素子に印
加される駆動電圧は当該素子に印加される走査信号と変
調信号の差電圧として供給されるものである。
Further, the drive voltage applied to each element of the surface conduction electron-emitting device is supplied as a difference voltage between the scanning signal and the modulation signal applied to the element.

【0065】上記構成において、単純なマトリクス配線
だけで個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。
In the above structure, individual elements can be selected and driven independently by using only simple matrix wiring.

【0066】つぎに以上のようにして作成した単純マト
リクス配置の電子源を用いた画像形成装置について、図
10、図11及び図12を用いて説明する。図12は画
像形成装置の基本構成図であり、図11は蛍光膜、図1
2はNTSC方式のテレビ信号に応じて表示をするため
の駆動回路のブロック図を示し、その駆動回路を含む画
像形成装置を表す。
Next, an image forming apparatus using the electron source of the simple matrix arrangement created as described above will be described with reference to FIGS. 10, 11 and 12. 12 is a basic configuration diagram of the image forming apparatus, FIG. 11 is a fluorescent film, and FIG.
Reference numeral 2 denotes a block diagram of a drive circuit for displaying in accordance with an NTSC television signal, and represents an image forming apparatus including the drive circuit.

【0067】図10において71は電子放出素子を基板
上に作製した電子源基板、81は電子源基板71を固定
したリアプレート、86はガラス83の内面に蛍光膜8
4とメタルバック85等が形成されたフェースプレー
ト、82は支持枠、81はリアプレートであり、これら
部材によって外囲器88が構成される。
In FIG. 10, 71 is an electron source substrate on which an electron-emitting device is formed, 81 is a rear plate on which the electron source substrate 71 is fixed, and 86 is the fluorescent film 8 on the inner surface of the glass 83.
4 is a face plate on which the metal back 85 and the like are formed, 82 is a support frame, 81 is a rear plate, and these members constitute an envelope 88.

【0068】図10において74は図5における電子放
出部に相当する。72、73は表面伝導型電子放出素子
の一対の素子電極と接続されたX方向配線及びY方向配
線である。
In FIG. 10, 74 corresponds to the electron emitting portion in FIG. Reference numerals 72 and 73 denote an X-direction wiring and a Y-direction wiring connected to a pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device.

【0069】外囲器88は、上述の如くフェースプレー
ト86、支持枠82、リアプレート81で外囲器88を
構成したが、リアプレート81は主に電子源基板71の
強度を補強する目的で設けられるため、電子源基板71
自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート81
は不要であり、電子源基板71に直接支持枠82を設
け、フェースプレート86、支持枠82、電子源基板7
1にて外囲器88を構成しても良い。
The envelope 88 comprises the face plate 86, the support frame 82 and the rear plate 81 as described above, but the rear plate 81 is mainly for the purpose of reinforcing the strength of the electron source substrate 71. Since it is provided, the electron source substrate 71
Separate rear plate 81 if it has sufficient strength
Is unnecessary, the support frame 82 is directly provided on the electron source substrate 71, and the face plate 86, the support frame 82, and the electron source substrate 7 are provided.
The envelope 88 may be configured by 1.

【0070】図11中1092は蛍光体である。蛍光体
1092はモノクロームの場合は蛍光体のみからなる
が、カラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラッ
クストライプあるいはブラックマトリクスなどと呼ばれ
る黒色導電材1091と蛍光体1092とで構成され
る。ブラックストライプ、ブラックマトリクスが設けら
れる目的はカラー表示の場合、必要となる三原色蛍光体
の各蛍光体1092間の塗り分け部を黒くすることで褐
色等を目立たなくすることと蛍光膜84における外光反
射によるコントラストの低下を抑制することである。ブ
ラックストライプの材料としては、通常良く用いられて
いる黒鉛を主成分とする材料だけでなく、導電性があ
り、光の透過及び反射が少ない材料であればこれに限る
ものではない。ガラス基板93に蛍光体を塗布する方法
はモノクローム、カラーによらず沈澱法や印刷法が用い
られる。
Reference numeral 1092 in FIG. 11 is a phosphor. In the case of monochrome, the phosphor 1092 is composed of only the phosphor, but in the case of a color phosphor film, it is composed of a black conductive material 1091 called a black stripe or a black matrix depending on the arrangement of the phosphor and a phosphor 1092. In the case of color display, the purpose of providing the black stripes and the black matrix is to make brown or the like inconspicuous by blackening the separately applied portions between the phosphors 1092 of the three primary color phosphors and to prevent external light in the phosphor film 84. This is to suppress a decrease in contrast due to reflection. The material of the black stripe is not limited to the commonly used material containing graphite as a main component, but is not limited to this as long as it is a material having conductivity and little light transmission and reflection. As a method of applying the phosphor to the glass substrate 93, a precipitation method or a printing method is used regardless of monochrome or color.

【0071】また蛍光膜84(図10)の内面側には通
常メタルバック85(図10)が設けられる。メタルバ
ックの目的は蛍光体の発光のうち内面側への光をフェー
スプレート86側へ鏡面反射することにより輝度を向上
すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極と
して作用すること、外囲器内で発生した負イオンの衝突
によるダメージからの蛍光体の保護等である。メタルバ
ックは蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理
(通常フィルミングと呼ばれる)を行い、その後Alを
真空蒸着等で堆積することで作製できる。
A metal back 85 (FIG. 10) is usually provided on the inner surface side of the fluorescent film 84 (FIG. 10). The purpose of the metal back is to improve the brightness by specularly reflecting the light toward the inner surface side of the light emission of the phosphor to the face plate 86 side, to act as an electrode for applying an electron beam acceleration voltage, This is to protect the phosphor from the damage caused by the collision of negative ions generated inside the container. The metal back can be produced by performing a smoothing process (usually called filming) on the inner surface of the fluorescent film after producing the fluorescent film, and then depositing Al by vacuum evaporation or the like.

【0072】フェースプレート86には、更に蛍光膜8
4の導電性を高めるため蛍光膜84の外面側に透明電極
(不図示)を設けてもよい。
On the face plate 86, the fluorescent film 8 is further provided.
A transparent electrode (not shown) may be provided on the outer surface side of the fluorescent film 84 in order to enhance the conductivity of No. 4.

【0073】外囲器88は4の管を通じ、10-7tor
r程度の真空度にされ、封止がおこなわれる。また外囲
器88の封止後の真空度を維持するためにゲッター処理
を行なう場合もある。これは外囲器88の封止を行う直
前あるいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加
熱法により、外囲器88内の所定の位置(不図示)に配
置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理であ
る。ゲッターは通常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の
吸着作用により、例えば1×10-5torr乃至は1×
10-7torrの真空度を維持するものである。尚、表
面伝導型電子放出素子のフォーミング以降の工程は適宜
設定される。
The envelope 88 is 10 −7 torr through 4 tubes.
The degree of vacuum is set to about r and sealing is performed. Further, a getter process may be performed to maintain the degree of vacuum after the envelope 88 is sealed. This is performed by heating the getter placed at a predetermined position (not shown) in the envelope 88 by a heating method such as resistance heating or high frequency heating immediately before or after the envelope 88 is sealed and vapor deposition. This is a process for forming a film. The getter usually has Ba as a main component, and due to the adsorption action of the deposited film, for example, 1 × 10 −5 torr or 1 ×.
The degree of vacuum is maintained at 10 −7 torr. The steps after forming the surface conduction electron-emitting device are appropriately set.

【0074】次に、単純マトリクス配置型基板を有する
電子源を用いて構成した画像形成装置を、NTSC方式
のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行う為の駆動
回路の概略構成を図12のブロック図を用いて説明す
る。1101は前記表示パネルであり、また1102は
走査回路、1103は制御回路、1104はシフトレジ
スタ、1105はラインメモリ、1106は同期信号分
離回路、1107は変調信号発生器、VxおよびVaは
直流電圧源である。
Next, FIG. 12 is a block diagram showing a schematic configuration of a drive circuit for performing television display on an image forming apparatus constructed by using an electron source having a simple matrix arrangement type substrate based on a television signal of the NTSC system. Will be explained. 1101 is the display panel, 1102 is a scanning circuit, 1103 is a control circuit, 1104 is a shift register, 1105 is a line memory, 1106 is a sync signal separation circuit, 1107 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources. Is.

【0075】以下、各部の機能を説明するがまず表示パ
ネル1101は端子Dox1ないしDoxmおよび端子
Doy1ないしDoynおよび高圧端子Hvを介して外
部の電気回路と接続している。このうち端子Dox1な
いしDoxmには前記表示パネル内に設けられている電
子源、すなわちM行N列の行列状にマトリクス配線され
た表面伝導型電子放出素子群を一行(N素子)ずつ順次
駆動してゆく為の走査信号が印加される。
The functions of the respective parts will be described below. First, the display panel 1101 is connected to an external electric circuit via the terminals Dox1 to Doxm, the terminals Doy1 to Doyn and the high voltage terminal Hv. Among them, the terminals Dox1 to Doxm sequentially drive electron sources provided in the display panel, that is, surface conduction electron-emitting device groups arranged in a matrix of M rows and N columns matrix by row (N elements). A scanning signal for application is applied.

【0076】一方、端子Dy1ないしDynには前記走
査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子
の各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印
加される。また高圧端子Hvには直流電圧源Vaより、
例えば10K[V]の直流電圧が供給されるが、これは
表面伝導型電子放出素子より出力される電子ビームに蛍
光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加
速電圧である。
On the other hand, a modulation signal for controlling the output electron beam of each element of the surface conduction electron-emitting devices of one row selected by the scanning signal is applied to the terminals Dy1 to Dyn. Further, from the DC voltage source Va to the high voltage terminal Hv,
For example, a DC voltage of 10 K [V] is supplied, which is an accelerating voltage for giving enough energy to excite the phosphor to the electron beam output from the surface conduction electron-emitting device.

【0077】次に走査回路1102について説明する。
同回路は内部にM個のスイッチング素子を備えるもので
(図中、S1ないしSmで模式的に示している)、各ス
イッチング素子は直流電圧源Vxの出力電圧もしくは0
[V](グランドレベル)のいずれか一方を選択し、表
示パネル1101の端子Dx1ないしDxmと電気的に
接続するものである。S1ないしSmの各スイッチング
素子は制御回路1103が出力する制御信号Tscan
に基づいて動作するものだが実際には例えばFETのよ
うなスイッチング素子を組み合わせる事により構成する
事が可能である。
Next, the scanning circuit 1102 will be described.
The circuit is provided with M switching elements therein (schematically shown by S1 to Sm in the figure), and each switching element is an output voltage of the DC voltage source Vx or 0.
One of [V] (ground level) is selected and electrically connected to the terminals Dx1 to Dxm of the display panel 1101. Each of the switching elements S1 to Sm has a control signal Tscan output from the control circuit 1103.
However, in practice, it can be constructed by combining switching elements such as FETs.

【0078】尚、前記直流電圧源Vxは前記表面伝導型
電子放出素子の特性(電子放出しきい値電圧)に基づき
走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出
しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう
設定されている。
The DC voltage source Vx is such that the driving voltage applied to an unscanned element is equal to or lower than the electron emission threshold voltage based on the characteristics (electron emission threshold voltage) of the surface conduction electron-emitting element. It is set to output a constant voltage such that

【0079】また制御回路1103は外部より入力する
画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部
の動作を整合させる働きをもつものである。次に説明す
る同期信号分離回路1106より送られる同期信号Ts
yncに基づいて各部に対してTscan、Tsftお
よびTmryの各制御信号を発生する。
The control circuit 1103 also has a function of matching the operation of each part so that an appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. The synchronization signal Ts sent from the synchronization signal separation circuit 1106 described below
The control signals of Tscan, Tsft, and Tmry are generated for each unit based on the sync.

【0080】同期信号分離回路1106は外部から入力
されるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離する為の回路で周波数分離(フィル
ター)回路を用いれば構成できるものである。同期信号
分離回路1106により分離された同期信号は良く知ら
れるように垂直同期信号と水平同期信号より成るが、こ
こでは説明の便宜上Tsync信号として図示した。一
方、前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分
を便宜上DATA信号と表すが同信号はシフトレジスタ
1104に入力される。
The sync signal separation circuit 1106 is a circuit for separating the sync signal component and the luminance signal component from the NTSC system television signal input from the outside, and can be constructed by using a frequency separation (filter) circuit. The sync signal separated by the sync signal separation circuit 1106 is composed of a vertical sync signal and a horizontal sync signal, as is well known, but it is shown here as a Tsync signal for convenience of description. On the other hand, the luminance signal component of the image separated from the television signal is referred to as a DATA signal for convenience, but the signal is input to the shift register 1104.

【0081】シフトレジスタ1104は時系列的にシリ
アルに入力される前記DATA信号を画像の1ライン毎
にシリアル/パラレル変換するためのもので前記制御回
路1103より送られる制御信号Tsftに基づいて動
作する。(すなわち制御信号Tsftは、シフトレジス
タ1104のシフトクロックであると言い換えても良
い。) シリアル/パラレル変換された画像1ライン分
(電子放出素子N素子分の駆動データに相当する)のデ
ータはId1乃至IdnのN個の並列信号として前記シ
フトレジスタ1104より出力される。
The shift register 1104 is for serially / parallel-converting the DATA signal serially input in time series for each line of the image, and operates based on the control signal Tsft sent from the control circuit 1103. . (That is, the control signal Tsft may be rephrased as a shift clock of the shift register 1104.) Data of one line of the serial / parallel converted image (corresponding to drive data for N electron-emitting devices) is Id1. To Idn are output from the shift register 1104 as N parallel signals.

【0082】ラインメモリ1105は画像1ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であ
り、制御回路1103より送られる制御信号Tmryに
したがって適宜Id1ないしIdnの内容を記憶する。
記憶された内容はId1ないしIdnとして出力され変
調信号発生器1107に入力される。
The line memory 1105 is a storage device for storing data for one line of the image for a required time, and stores the contents of Id1 to Idn as appropriate in accordance with the control signal Tmry sent from the control circuit 1103.
The stored contents are output as Id1 to Idn and input to the modulation signal generator 1107.

【0083】変調信号発生器1107は前記画像データ
Id1ないしIdnの各々に応じて表面伝導型電子放出
素子の各々を適切に駆動変調する為の信号源で、その出
力信号は端子Doy1ないしDoynを通じて表示パネ
ル1101の表面伝導型電子放出素子に印加される。
The modulation signal generator 1107 is a signal source for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices according to each of the image data Id1 to Idn, and its output signal is displayed through the terminals Doy1 to Doyn. It is applied to the surface conduction electron-emitting device of the panel 1101.

【0084】前述したように本発明に関わる電子放出素
子は放出電流Ieに対して以下の基本特性を有してい
る。すなわち前述したように電子放出には明確なしきい
値電圧Vthがあり、Vth以上の電圧を印加された時
のみ電子放出が生じる。
As described above, the electron-emitting device according to the present invention has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. That is, as described above, electron emission has a clear threshold voltage Vth, and electron emission occurs only when a voltage equal to or higher than Vth is applied.

【0085】また電子放出しきい値以上の電圧に対して
は素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化して
ゆく。尚、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変え
る事により電子放出しきい値電圧Vthの値や印加電圧
に対する放出電流の変化の度合いが変わる場合もある
が、いずれにしても以下のような事がいえる。
For a voltage above the electron emission threshold value, the emission current also changes according to the change in the voltage applied to the device. The value of the electron emission threshold voltage Vth and the degree of change of the emission current with respect to the applied voltage may be changed by changing the material, configuration, and manufacturing method of the electron emitting element. I can say things.

【0086】すなわち、本素子にパルス状の電圧を印加
する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても
電子放出は生じないが電子放出閾値以上の電圧を印加す
る場合には電子ビームが出力される。その際、第一には
パルスの波高値Vmを変化させる事により出力電子ビー
ムの強度を制御する事が可能である。第二には、パルス
の幅Pwを変化させる事により出力される電子ビームの
電荷の総量を制御する事が可能である。
That is, when a pulsed voltage is applied to this element, for example, electron emission does not occur even if a voltage below the electron emission threshold is applied, but when a voltage above the electron emission threshold is applied, the electron beam is emitted. Is output. At that time, first, it is possible to control the intensity of the output electron beam by changing the peak value Vm of the pulse. Second, it is possible to control the total amount of charges of the electron beam output by changing the pulse width Pw.

【0087】したがって、入力信号に応じて電子放出素
子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変
調方式等があげられ、電圧変調方式を実施するには変調
信号発生器1107としては一定の長さの電圧パルスを
発生するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高
値を変調するような電圧変調方式の回路を用いる。
Therefore, as a method of modulating the electron-emitting device according to the input signal, there are a voltage modulation method, a pulse width modulation method and the like. To implement the voltage modulation method, the modulation signal generator 1107 is fixed. A circuit of a voltage modulation system is used that generates a voltage pulse of a length but appropriately modulates the peak value of the pulse according to the input data.

【0088】またパルス幅変調方式を実施するには変調
信号発生器1107としては、一定の波高値の電圧パル
スを発生するが入力されるデータに応じて適宜電圧パル
スの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用い
るものである。
In order to implement the pulse width modulation method, the modulation signal generator 1107 generates a voltage pulse having a constant peak value, but a pulse for appropriately modulating the width of the voltage pulse according to the input data. A width modulation type circuit is used.

【0089】以上に説明した一連の動作により本発明の
画像表示装置は表示パネル1101を用いてテレビジョ
ンの表示を行なえる。尚、上記説明中特に記載しなかっ
たがシフトレジスタ1104やラインメモリ1105は
デジタル信号式のものでもアナログ信号式のものでも差
し支えなく、要は画像信号のシリアル/パラレル変換や
記憶が所定の速度で行なわれればよい。
Through the series of operations described above, the image display device of the present invention can display a television using the display panel 1101. Although not particularly described in the above description, the shift register 1104 and the line memory 1105 may be digital signal type or analog signal type, and the point is that serial / parallel conversion and storage of image signals are performed at a predetermined speed. It should be done.

【0090】デジタル信号式を用いる場合には同期信号
分離回路1106の出力信号DATAをデジタル信号化
する必要があるが、これは1106の出力部にA/D変
換器を備えれば可能である。また、これと関連してライ
ンメモリ1105の出力信号がデジタル信号かアナログ
信号かにより、変調信号発生器1107に用いられる回
路が若干異なったものとなる。
When the digital signal type is used, it is necessary to convert the output signal DATA of the sync signal separation circuit 1106 into a digital signal, which is possible if the output section of 1106 is equipped with an A / D converter. Further, in connection with this, the circuit used for the modulation signal generator 1107 is slightly different depending on whether the output signal of the line memory 1105 is a digital signal or an analog signal.

【0091】まずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器1107には、
例えばよく知られるD/A変換回路を用い、必要に応じ
て増幅回路などを付け加えればよい。
First, the case of digital signals will be described.
In the voltage modulation method, the modulation signal generator 1107 has
For example, a well-known D / A conversion circuit may be used, and an amplification circuit or the like may be added if necessary.

【0092】またパルス幅変調方式の場合、変調信号発
生器1107は、例えば高速の発振器および発振器の出
力する波数を計数する計数器(カウンタ)および計数器
の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器(コン
パレータ)を組み合せた回路を用いることにより構成で
きる。必要に応じて比較器の出力するパルス幅変調され
た変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで
電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。
In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 1107 compares the output value of the counter with the counter (counter) for counting the number of waves output from the high speed oscillator and the oscillator and the output value of the memory. It can be configured by using a circuit in which comparators (comparators) are combined. If necessary, an amplifier for voltage-amplifying the pulse-width-modulated modulation signal output from the comparator up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device may be added.

【0093】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器1107には、
例えばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を
用いればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付
け加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には例え
ばよく知られた電圧制御型発振回路(VCO)を用いれ
ばよく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電
圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよ
い。
Next, the case of an analog signal will be described.
In the voltage modulation method, the modulation signal generator 1107 has
For example, a well-known amplifier circuit using an operational amplifier may be used, and a level shift circuit or the like may be added if necessary. In the case of the pulse width modulation method, for example, a well-known voltage controlled oscillation circuit (VCO) may be used, and an amplifier for amplifying the voltage to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device may be added if necessary. May be.

【0094】以上のように完成した画像表示装置におい
て、こうして電子放出素子には、容器外端子Dox1な
いしDoxm、Doy1ないしDoynを通じ、電圧を
印加することにより、電子放出させ、高圧端子Hvを通
じ、メタルバック85、あるいは透明電極(不図示)に
高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜84に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示することがで
きる。
In the image display device completed as described above, electrons are emitted to the electron-emitting device by applying voltage through the terminals outside the container Dox1 to Doxm, Doy1 to Doyn, and the metal is supplied through the high voltage terminal Hv. An image can be displayed by applying a high voltage to the back 85 or a transparent electrode (not shown), accelerating the electron beam, causing the electron beam to collide with the fluorescent film 84, and exciting and emitting light.

【0095】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限
られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう
適宜選択する。また、入力信号例として、NTSC方式
をあげたが、これに限るものでなく、PAL、SECA
M方式などの諸方式でもよく、また、これよりも、多数
の走査線からなるTV信号(例えば、MUSE方式をは
じめとする高品位TV)方式でもよい。
The structure described above is a schematic structure necessary for producing a suitable image forming apparatus used for display and the like, and the detailed parts such as the material of each member are not limited to the above contents. , Is appropriately selected to suit the application of the image forming apparatus. Further, although the NTSC system is given as an example of the input signal, the input signal is not limited to this, and PAL, SECA
Various methods such as the M method may be used, or a TV signal (for example, a high-definition TV such as the MUSE method) including a number of scanning lines may be used.

【0096】次に、前述のはしご型配置電子源基板及び
それを用いた画像表示装置について図13、図14によ
り説明する。
Next, the ladder type electron source substrate and the image display device using the same will be described with reference to FIGS. 13 and 14.

【0097】図13において、1210は電子源基板、
1211は電子放出素子、1212のDx1〜Dx10
は前記電子放出素子に接続される共通配線である。電子
放出素子1211は、基板1210上に、X方向に並列
に複数個配置される。(これを素子行と呼ぶ)。この素
子行を複数個基板上に配置し、はしご型電子源基板とな
る。各素子行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加するこ
とで、各素子行を独立に駆動することが可能になる。す
なわち、電子ビームを放出させる素子行には電子放出し
きい値以上の電圧を、電子ビームを放出させない素子行
には電子放出しきい値以下の電圧を印加すればよい。ま
た、各素子行間の共通配線Dx2〜Dx9を、例えばD
x2、Dx3を同一配線とする様にしても良い。
In FIG. 13, 1210 is an electron source substrate,
Reference numeral 1211 denotes an electron-emitting device, and 1212 Dx1 to Dx10.
Is a common wire connected to the electron-emitting device. A plurality of electron-emitting devices 1211 are arranged on the substrate 1210 in parallel in the X direction. (This is called an element row). A plurality of this element row is arranged on the substrate to form a ladder type electron source substrate. By appropriately applying a drive voltage between the common wirings of each element row, each element row can be independently driven. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold value may be applied to the element row that emits the electron beam, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold value may be applied to the element row that does not emit the electron beam. In addition, the common wirings Dx2 to Dx9 between the respective element rows are, for example, D
It is also possible to use the same wiring for x2 and Dx3.

【0098】図14ははしご型配置の電子源を備えた画
像形成装置の構造を示すための図である。1320はグ
リッド電極、1321は電子が通過するための空孔、1
322はDox1、Dox2・・・Doxmよりなる容
器外端子、1323はグリッド電極1320と接続され
たG1、G2、・・・Gnからなる容器外端子、132
4は前述の様に各素子行間の共通配線を同一配線とした
電子源基板である。前述の単純マトリクス配置の画像形
成装置(図10)との違いは、電子源基板1210とフ
ェースプレート86の間にグリッド電極1320を備え
ている事である。
FIG. 14 is a diagram showing the structure of an image forming apparatus provided with a ladder-type electron source. 1320 is a grid electrode, 1321 is a hole through which electrons pass, 1
322 is an outer terminal of the container made of Dox1, Dox2 ... Doxm, 1323 is an outer terminal of the container made of G1, G2, ... Gn connected to the grid electrode 1320, 132
Reference numeral 4 is an electron source substrate in which the common wiring between each element row is the same wiring as described above. The difference from the image forming apparatus having the simple matrix arrangement (FIG. 10) described above is that a grid electrode 1320 is provided between the electron source substrate 1210 and the face plate 86.

【0099】基板1210とフェースプレート86の中
間には、グリッド電極1320が設けられている。グリ
ッド電極1320は、表面伝導型放出素子から放出され
た電子ビームを変調することができるもので、はしご型
配置の素子行と直交して設けられたストライプ状の電極
に電子ビームを通過させるため、各素子に対応して1個
ずつ円形の開口1321が設けられている。グリッドの
形状や設置位置は必ずしも図14のようなものでなくと
もよく、開口としてメッシュ状に多数の通過口をもうけ
ることもあり、また例えば表面伝導型放出素子の周囲や
近傍に設けてもよい。
A grid electrode 1320 is provided between the substrate 1210 and the face plate 86. The grid electrode 1320 is capable of modulating the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device, and passes the electron beam through a striped electrode provided orthogonally to the ladder-shaped element rows. A circular opening 1321 is provided for each element. The shape and installation position of the grid are not necessarily as shown in FIG. 14, and a large number of passage openings may be provided in the form of a mesh as openings. For example, they may be provided around or near the surface conduction electron-emitting device. .

【0100】容器外端子1322およびグリッド容器外
端子1323は、不図示の制御回路と電気的に接続され
ている。
The external terminal 1322 and the grid external terminal 1323 are electrically connected to a control circuit (not shown).

【0101】本画像形成装置では素子行を1列ずつ順次
駆動(走査)していくのと同期してグリッド電極列に画
像1ライン分の変調信号を同時に印加することにより、
各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を1ライ
ンずつ表示することができる。
In this image forming apparatus, the modulation signals for one image line are simultaneously applied to the grid electrode columns in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one column at a time.
The irradiation of each electron beam to the phosphor can be controlled to display an image line by line.

【0102】また本発明によればテレビジョン放送の表
示装置のみならずテレビ会議システム、コンピューター
等の表示装置に適した画像形成装置を提供することがで
きる。さらには感光性ドラム等で構成された光プリンタ
ーとしての画像形成装置としても用いることもできる。
また電子放出素子として表面伝導型電子放出素子ばかり
でなく、MIM型電子放出素子、電界放出型電子放出素
子等の冷陰極電子源にも適用可能である。更には電子源
による画像表示装置にも適用することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide an image forming apparatus suitable for not only a display device for television broadcasting but also a display device such as a video conference system and a computer. Further, it can be used as an image forming apparatus as an optical printer including a photosensitive drum or the like.
Further, not only the surface conduction electron-emitting devices but also cold cathode electron sources such as MIM-type electron-emitting devices and field emission-type electron-emitting devices can be applied as the electron-emitting devices. Further, it can be applied to an image display device using an electron source.

【0103】[0103]

【作用】すなわち本発明の内挿棒を用いて管の固着をす
る接続方法によれば、管と貫通孔の位置合わせを、管に
内挿する内挿棒により可能にしたものである。さらに、
内挿棒の一端が張り出した構造の内挿棒を用いることに
より管の固着時に荷重をかけることが可能であるように
したものである。
That is, according to the connection method of fixing the pipe by using the insertion rod of the present invention, the alignment between the pipe and the through hole is made possible by the insertion rod inserted in the pipe. further,
By using an insertion rod having a structure in which one end of the insertion rod projects, a load can be applied when the pipe is fixed.

【0104】[0104]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 <実施例1>図1は、本発明の管の接続方法を示す図で
ある。102は蛍光体(不図示)が配置された前面板、
105および5はフリットガラス、103は枠、101
は面状に配置された実施態様で述べた表面伝導型電子放
出素子(不図示)のある背面板、4は管、107は内挿
棒、200は内挿棒の張り出し部、109は貫通孔であ
る。
The present invention will be described below in detail with reference to examples. <Embodiment 1> FIG. 1 is a diagram showing a method of connecting pipes according to the present invention. 102 is a front plate on which a phosphor (not shown) is arranged,
105 and 5 are frit glass, 103 is a frame, 101
Is a back plate having the surface conduction electron-emitting devices (not shown) described in the embodiment arranged in a plane, 4 is a tube, 107 is an insertion rod, 200 is a protruding portion of the insertion rod, and 109 is a through hole. Is.

【0105】同図において、予め前面板にフリットガラ
スにて固着してある枠と該枠の背面板との封着面に、仮
焼成したフリットガラス108の上に、背面板を裁置し
た状態の画像表示装置の各構成部材を準備した。
In the figure, the rear plate is placed on the frit glass 108 that has been calcined on the sealing surface between the frame that has been previously fixed to the front plate with frit glass and the rear plate of the frame. Each constituent member of the image display device of No. 1 was prepared.

【0106】前記、前面板、背面板、枠および管などの
構成部材はソーダ石灰ガラスを使用し、108および5
のフリットガラスが該構成部材との膨張係数の近いもの
で410℃付近が作業温度(以下焼成温度という)であ
る低融点封着ガラスを使用した。
The front plate, the rear plate, the frame, the tube, and the like are made of soda-lime glass.
The low-melting point sealing glass whose frit glass had a coefficient of expansion close to that of the constituent member and whose working temperature was around 410 ° C. (hereinafter referred to as firing temperature) was used.

【0107】次に、本発明の管の接続方法として、フリ
ットガラスとビヒクル(バインダー+溶剤)を混合した
もの(以下「フリットペースト」と称す)を仮焼成しリ
ング状にプリフォームした5つのフリットガラスを、背
面基板上の貫通孔(109)のまわりに置いた。その
後、管(4)に内挿棒(107)を挿入し貫通孔(10
9)に先端を挿入した。内挿棒の径は貫通部の径に対し
て少し小さく、さらに貫通孔と反対側の端部は管の外径
より張り出した形状(張り出し部200)のものを事前
に準備して挿入した。この状態で全体をフリットの焼成
温度まで焼成した後、温度が下がり管が背面板に固着し
た状態で、内挿棒を除去し管の固着工程を完了した。こ
の時、構造部材である背面基板と前面基板が固着されて
いる枠も108のフリットガラスにより封着され、真空
容器であるところの画像表示装置が完成した。
Next, as a method for connecting the tubes of the present invention, five frits obtained by pre-baking a mixture of frit glass and vehicle (binder + solvent) (hereinafter referred to as “frit paste”) into a ring shape are prepared. Glass was placed around the through hole (109) on the back substrate. Then, the insertion rod (107) is inserted into the pipe (4) to insert the through hole (10
The tip was inserted in 9). The diameter of the insertion rod was slightly smaller than the diameter of the penetrating portion, and the end opposite to the penetrating hole had a shape (protruding portion 200) protruding from the outer diameter of the tube and was inserted in advance. In this state, after the whole was baked to the frit baking temperature, the temperature was lowered and the tube was fixed to the back plate, and the insertion rod was removed to complete the tube fixing process. At this time, the frame to which the rear substrate and the front substrate, which are structural members, are fixed is also sealed by the frit glass 108, and the image display device, which is a vacuum container, is completed.

【0108】内挿棒の材質は、焼成時に万一の場合フリ
ットが管の固着部からはみ出し内挿棒と接する可能性が
あるためフリツトガラスと溶着しにくいアルミ材を使用
したところ、内挿棒が溶着することなく管の固着が可能
であった。また、本実施例で使用した内挿棒のアルミは
ガラスに対して熱膨張率が二倍以上あるため、内挿棒の
先端径は焼成温度に達しても、貫通部のガラス径よりは
小さくなるよう考慮して作製した。
In the unlikely event that the frit may stick out from the fixed portion of the pipe and come into contact with the insertion rod, the material of the insertion rod is aluminum which is difficult to weld to the frit glass. It was possible to fix the tube without welding. Further, since the aluminum of the insertion rod used in this example has a coefficient of thermal expansion more than twice that of glass, even if the tip diameter of the insertion rod reaches the firing temperature, it is smaller than the glass diameter of the penetrating portion. It was produced in consideration of the above.

【0109】このように内挿棒を用いて製造することに
より、管を貫通孔に対してズレることなく固着すること
ができた。また張り出し部を設けたことによって内挿棒
の自重を管の押さえ用として使用できるため、管の先端
部に予め配置してあるプリフォームガラスを十分押さえ
ることができ、フリットガラス内の気泡を押し出し管の
固着が完全になされた。 <実施例2>図2は本発明の管の接続方法に関するもの
であり、101は面状に配置された実施態様で述べた表
面伝導型電子放出素子(不図示)のある背面板、4は
管、107は内挿棒、200は内挿棒の張り出し部、1
09は貫通孔、5はプリフォームされたフリットガラス
である。
By manufacturing using the insertion rod in this way, the pipe could be fixed to the through hole without displacement. In addition, since the weight of the insertion rod can be used to hold down the tube by providing the overhanging part, it is possible to hold down the preformed glass that has been previously placed at the tip of the tube and push out the bubbles in the frit glass. The tube was completely fixed. <Embodiment 2> FIG. 2 relates to a tube connecting method of the present invention, in which 101 is a back plate having the surface conduction electron-emitting devices (not shown) described in the embodiment arranged in a plane. Tube, 107 is an insertion rod, 200 is a protruding portion of the insertion rod, 1
Reference numeral 09 is a through hole, and 5 is a preformed frit glass.

【0110】予め前面板にフリットガラスにて固着して
ある枠と該枠の背面板との封着面に、フリットペースト
を塗布し仮焼成したもの上に、背面板を裁置した状態の
画像表示装置の各構成部材を準備した(図1と同様のた
め不図示)。
An image of a state in which the rear plate is placed on a frame which has been previously fixed to the front plate with frit glass and the sealing surface between the rear plate of the frame and frit paste which has been calcined. Each component of the display device was prepared (not shown because it is similar to FIG. 1).

【0111】本実施例で管は、貫通孔の径に対して大き
いものを用いたため、内挿棒は管の内径にあわせて先端
部と中央部で径を変えたものを用いた。
In this embodiment, since the pipe used was larger than the diameter of the through hole, the insertion rod used had a diameter changed at the tip and in the center according to the inner diameter of the pipe.

【0112】その後の管の接続方法は実施例1と同じよ
うにして製造した。
The subsequent tube connection method was the same as in Example 1.

【0113】このように内挿棒を用いて製造することに
より、管を貫通孔に対してズレることなく固着すること
ができた。また張り出し部を設けたことによって内挿棒
の自重を管の押さえ用として使用できるため、管の先端
部に予め配置してあるプリフォームガラスを十分押さえ
ることができ、フリットガラス内の気泡を押し出し管の
固着が完全になされた。
By manufacturing using the insertion rod as described above, the pipe could be fixed to the through hole without displacement. In addition, since the weight of the insertion rod can be used to hold down the tube by providing the overhanging part, it is possible to hold down the preformed glass that has been previously placed at the tip of the tube and push out the bubbles in the frit glass. The tube was completely fixed.

【0114】さらに、内挿棒を管の内径に合わせたこと
により、製造時に振動を受けた場合など、貫通孔に対す
る管の偏心をより押さえることができ、管の位置精度を
上げることができた。 <実施例3>図3は本発明の管の接続方法に関するもの
であり、101は面状に配置された実施態様で述べた表
面伝導型電子放出素子(不図示)のある背面板、4は
管、107は内挿棒、200は内挿棒の張り出し部、1
09は貫通孔、5はプリフォームされたフリットガラ
ス、110は直立補佐治具、111は補助重りである。
Furthermore, by adjusting the inner rod to the inner diameter of the pipe, it is possible to further suppress the eccentricity of the pipe with respect to the through-hole and to improve the positional accuracy of the pipe when it is subjected to vibration during manufacturing. . <Embodiment 3> FIG. 3 relates to a tube connecting method of the present invention, in which 101 is a back plate having the surface conduction electron-emitting devices (not shown) described in the embodiment arranged in a plane. Tube, 107 is an insertion rod, 200 is a protruding portion of the insertion rod, 1
Reference numeral 09 is a through hole, 5 is a preformed frit glass, 110 is an upright assistant jig, and 111 is an auxiliary weight.

【0115】予め前面板にフリットガラスにて固着して
ある枠と該枠の背面板との封着面に、フリットペースト
を塗布し仮焼成したもの上に、背面板を裁置した状態の
画像表示装置の各構成部材を準備した(図1と同様のた
め不図示)。
An image of a state in which the rear plate is placed on a frame which is previously fixed to the front plate with frit glass and the sealing surface between the rear plate of the frame and frit paste applied and pre-baked. Each component of the display device was prepared (not shown because it is similar to FIG. 1).

【0116】この時管は、外径が8mmで長さが200
mmと長めの管を使用し、内挿棒を配置した後、直立補
佐治具を配置した。さらに、内挿棒の張り出し部の上に
は補助重りを載置した。
At this time, the tube has an outer diameter of 8 mm and a length of 200 mm.
A long tube having a length of mm was used, and an upright auxiliary jig was placed after placing an insertion rod. Furthermore, an auxiliary weight was placed on the protruding portion of the insertion rod.

【0117】その後の管の接続方法は実施例1と同じよ
うにして製造した。
The subsequent tube connection method was the same as in Example 1.

【0118】このように、内挿棒と直立補佐治具を用い
たことにより、比較的細くて長い管の製造時において
も、管を貫通孔に対してズレることなく固着することが
でき、管の直立性も維持することができた。また張り出
し部の上に、補助重りを載置したことにより、内挿棒の
自重を調整する手段として使用できたために、管の先端
部に予め配置してあるプリフォームガラスを十分押さえ
ることができ、フリットガラス内の気泡を押し出し、管
の固着が完全になされた。 <実施例4>図4は本発明の管の製造方法に関するもの
であり、4は管、107は内挿棒、200は内挿棒の張
り出し部、109は貫通孔、5はプリフォームされたフ
リットガラス、112は一体化治具、113はバネ、1
14は連結ビスである。
As described above, by using the insertion rod and the upright assisting jig, it is possible to fix the pipe with respect to the through hole without displacement even when manufacturing a relatively thin and long pipe. Was able to maintain the uprightness. Also, by placing an auxiliary weight on the overhanging part, it could be used as a means to adjust the self-weight of the insertion rod, so that it is possible to sufficiently hold the preformed glass pre-arranged at the tip of the pipe. , The bubbles in the frit glass were pushed out, and the tube was completely fixed. <Embodiment 4> FIG. 4 relates to a method for manufacturing a pipe according to the present invention, in which 4 is a pipe, 107 is an insertion rod, 200 is a protruding portion of the insertion rod, 109 is a through hole, and 5 is a preform. Frit glass, 112 is an integrated jig, 113 is a spring, 1
14 is a connecting screw.

【0119】次に、本発明の管の製造方法として、図4
により説明する。
Next, as a method of manufacturing the pipe of the present invention, FIG.
This will be described below.

【0120】本実施例では図10のように管を枠に接続
する方法であり、まず、管4に内挿棒107を挿入し、
フリットペーストを仮焼成しリング状にプリフォームし
た5つのフリットガラスを管と枠の間に来るように内挿
棒の先端に置き、これを枠の側面にある貫通孔109に
先端を挿入した。内挿棒の径は貫通孔の径に対して少し
小さく、さらに貫通孔と反対側の端部は管の外径より張
り出した形状のものを事前に準備して挿入した。その
後、バネ113の付いた一体化治具112を管の反対側
から連結ビス114にて内挿棒と連結した。
In this embodiment, the pipe is connected to the frame as shown in FIG. 10. First, the insertion rod 107 is inserted into the pipe 4,
Five frit glasses, which were pre-fired from the frit paste and preformed into a ring shape, were placed on the tips of the insertion rods so as to come between the tube and the frame, and the tips were inserted into the through holes 109 on the side surfaces of the frame. The diameter of the insertion rod was a little smaller than the diameter of the through hole, and the end opposite to the through hole had a shape protruding from the outer diameter of the tube and was inserted in advance. After that, the integrated jig 112 with the spring 113 was connected to the insertion rod from the opposite side of the tube with a connecting screw 114.

【0121】また、枠の下の前面板には事前にフリット
ペーストを仮焼成した状態のフリットガラス108を配
置し、この状態で全体をフリットの焼成温度まで焼成し
た後、温度が下がり管が背面板に固着した状態で、内挿
棒を除去し管の固着工程を完了した。この時、枠と前面
板も108のフリットガラスにより固着され、管と枠と
前面板が一体化された。
Further, the front plate under the frame is provided with the frit glass 108 in which the frit paste is preliminarily fired, and after the whole is fired up to the frit firing temperature, the temperature is lowered and the tube is moved to the back. With the surface plate fixed, the insertion rod was removed to complete the tube fixing process. At this time, the frame and the front plate were also fixed by the frit glass of 108, and the tube, the frame and the front plate were integrated.

【0122】この後、背面板を事前に一体化された前面
板の枠上に載置し、フリットガラスにて封着し、図10
のように画像表示装置として完成した。
After that, the back plate is placed on the frame of the front plate integrated in advance and sealed with frit glass.
Was completed as an image display device.

【0123】このように内挿棒とバネ付き一体化治具を
用いて製造することにより、管が横向きや、下向きに配
置された状態でも貫通孔に対してズレことなく固着する
ことができた。また張り出し部とバネによって、管を十
分押さえることができ、フリットガラス内の気泡を押し
出し、管の固着が完全になされた。
By manufacturing using the insertion rod and the integrated jig with spring in this manner, the pipe can be fixed to the through hole without being displaced even when the pipe is arranged sideways or downward. . Further, the tube was sufficiently pressed by the overhanging portion and the spring, the bubbles in the frit glass were pushed out, and the tube was completely fixed.

【0124】[0124]

【発明の効果】以上説明したように、この管の接続方法
により、以下に示す効果が得られた。
As described above, the following effects are obtained by this pipe connecting method.

【0125】1)管の配置に際し事前に治具を使って位
置合わせする必要がなくなった。
1) It is no longer necessary to use a jig in advance to position the tubes.

【0126】2)管が貫通孔に対して位置ズレすること
なく固着可能となった。
2) The tube can be fixed to the through hole without being displaced.

【0127】3)管に自重または荷重をかけることがで
きるため、焼成時などに振動等があっても、管が貫通孔
に対し位置ズレは低下した。
3) Since the weight or load can be applied to the tube, the positional deviation of the tube with respect to the through hole was reduced even if vibration or the like occurred during firing.

【0128】4)管を固着部に対して側面からや下面か
ら固着することができるため、製造方法の自由度が増
し、最適な製造工程を選択できた。
4) Since the pipe can be fixed to the fixing portion from the side surface or the lower surface, the degree of freedom of the manufacturing method is increased and the optimum manufacturing process can be selected.

【0129】従って、本発明の管の接続方法は、特に画
像表示装置の管の接続方法として適している。
Therefore, the pipe connecting method of the present invention is particularly suitable as a pipe connecting method for an image display device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の管の接続方法を示す第1実施例の断面
図。
FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment showing a pipe connecting method of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例の管の接続方法を示す断面
図。
FIG. 2 is a sectional view showing a pipe connecting method according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施例の管の接続方法を示す断面
図。
FIG. 3 is a sectional view showing a method of connecting pipes according to a third embodiment of the present invention.

【図4】図4(a),(b)は本発明の第4実施例の管
の接続方法を示す上面図及び側面図。
4 (a) and 4 (b) are a top view and a side view showing a method of connecting pipes according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】図5(a),(b)は本発明の基本的な表面伝
導型電子放出素子の構成を示す模式的平面図及び断面
図。
5 (a) and 5 (b) are a schematic plan view and a sectional view showing the structure of a basic surface conduction electron-emitting device of the present invention.

【図6】本発明の基本的な垂直型表面伝導型電子放出素
子の構成を示す模式図。
FIG. 6 is a schematic diagram showing the configuration of a basic vertical surface conduction electron-emitting device of the present invention.

【図7】図7(a),(b),(c)は本発明の表面伝
導型電子放出素子の製造方法の一例を示す工程図。
7 (a), (b), and (c) are process drawings showing an example of a method of manufacturing a surface conduction electron-emitting device of the present invention.

【図8】図8(a),(b)は通電フォーミングの電圧
波形の一例を示す図。
8A and 8B are diagrams showing an example of voltage waveforms in energization forming.

【図9】単純マトリクス配置の電子源を示す図。FIG. 9 is a diagram showing an electron source having a simple matrix arrangement.

【図10】画像形成装置の概略構成を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of an image forming apparatus.

【図11】図11(a),(b)は蛍光膜の側面図及び
平面図。
11 (a) and 11 (b) are a side view and a plan view of a fluorescent film.

【図12】NTSC方式のテレビ信号に応じて表示を行
うための駆動回路のブロック図。
FIG. 12 is a block diagram of a drive circuit for performing display according to an NTSC television signal.

【図13】梯子配置の電子源を示す図。FIG. 13 is a diagram showing an electron source arranged in a ladder.

【図14】画像形成装置の概略構成図。FIG. 14 is a schematic configuration diagram of an image forming apparatus.

【図15】蛍光表示板に管が固着した状態の従来例を示
す図。
FIG. 15 is a view showing a conventional example in which a tube is fixed to a fluorescent display plate.

【図16】従来例の蛍光表示板に管を固着する方法を示
す図。
FIG. 16 is a view showing a method of fixing a tube to a conventional fluorescent display plate.

【図17】従来の表面伝導型電子放出素子の平面図。FIG. 17 is a plan view of a conventional surface conduction electron-emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 カバーガラス 3,5,105,108 フリットガラス 4 管 6 封止用クリップ治具 7 排気管保持治具 8 タブレットガラス 101 背面板 102 前面板 103 枠 107 内挿棒 109 貫通孔 110 直立補佐治具 111 補助重り 112 一体化治具 113 バネ 114 ビス 200 張り出し部 401,501 基板 402,503 素子電極 404,504 導電性薄膜 405,505 電子放出部 621 段差形成部 71 電子源基板 72 X方向配線 73 Y方向配線 74 表面伝導型電子放出素子 75,875 結線 81 リアプレート 82 支持枠 83 ガラス基板 84,984 蛍光膜 85 メタルバック 86,986 フェースプレート 87,987 高圧端子 88 外囲器 871 電子源基板 872 X方向配線 873 Y方向配線 874 表面伝導型電子放出素子 1101 表示パネル 1102 走査回路 1103 制御回路 1104 シフトレジスタ 1105 ラインメモリ 1106 同期信号分離回路 1107 変調信号発生器 1211 電子放出素子 1212 共通配線 1320 グリッド電極 1321 空孔 1322 Dox1,Dox2....Doxmよりな
る容器外端子 1323 G1,G2....Gnからなる容器外端
1 substrate 2 cover glass 3, 5, 105, 108 frit glass 4 tube 6 clip jig for sealing 7 exhaust pipe holding jig 8 tablet glass 101 back plate 102 front plate 103 frame 107 insertion rod 109 through hole 110 upright assistant Jig 111 Auxiliary weight 112 Integrated jig 113 Spring 114 Screw 200 Overhanging part 401, 501 Substrate 402, 503 Element electrode 404, 504 Conductive thin film 405, 505 Electron emitting part 621 Step difference forming part 71 Electron source substrate 72 X direction wiring 73 Y direction wiring 74 Surface conduction electron-emitting device 75,875 Connection 81 Rear plate 82 Support frame 83 Glass substrate 84,984 Fluorescent film 85 Metal back 86,986 Face plate 87,987 High voltage terminal 88 Envelope 871 Electron source substrate 872 X-direction wiring 873 Y Directional wiring 874 Surface conduction electron-emitting device 1101 Display panel 1102 Scanning circuit 1103 Control circuit 1104 Shift register 1105 Line memory 1106 Synchronous signal separation circuit 1107 Modulation signal generator 1211 Electron-emitting device 1212 Common wiring 1320 Grid electrode 1321 Void 1322 Dox1, Dox2. . . . Outer container terminal 1323 G1, G2. . . . Outer terminal made of Gn

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空容器に貫通孔を設け、該貫通孔に該
真空容器の内部と外部を接続する管が連通するように、
該管をガラスフリットにより固着する真空容器の製造方
法において、該管を固着する際、管の内部を貫通し、少
なくとも真空容器の貫通孔の一部に達する柱状の内挿棒
を用いて、管を貫通孔と位置合わせし、管を固着するこ
とを特徴とする管の接続方法。
1. A through hole is provided in a vacuum container, and a pipe connecting the inside and outside of the vacuum container is communicated with the through hole,
In a method for manufacturing a vacuum container in which the tube is fixed by a glass frit, when the tube is fixed, a tube is inserted using a columnar insertion rod that penetrates the inside of the tube and reaches at least a part of a through hole of the vacuum container. A method of connecting pipes, wherein the pipe is fixed to the through hole, and the pipe is fixed.
【請求項2】 請求項1において、少なくとも該内挿棒
の一端は管より外側に張り出しており、管に荷重を加え
ながら、管を固着することを特徴とする管の接続方法。
2. The method of connecting pipes according to claim 1, wherein at least one end of the insertion rod projects outward from the pipe, and the pipe is fixed while applying a load to the pipe.
【請求項3】 少なくとも平面状に配置した電子放出素
子が設けられた背面板と該電子放出素子から放出される
電子ビームの照射により発光する蛍光部を有する前面板
により構成される画像表示装置において、請求項1また
は2を特徴とする内挿棒を用いて、画像表示装置に1つ
以上設けられた貫通孔に、連通するように管を固着する
接続方法を有することを特徴とする画像表示装置の製造
方法。
3. An image display device comprising a back plate provided with at least planar electron-emitting devices and a front plate having a fluorescent portion that emits light when irradiated with an electron beam emitted from the electron-emitting devices. An image display characterized by having a connecting method for fixing a tube so as to communicate with a through hole provided in at least one of the image display devices by using the interpolating rod according to claim 1 or 2. Device manufacturing method.
【請求項4】 請求項3において、電子放出素子とし
て、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置の製
造方法。
4. The method for manufacturing an image display device according to claim 3, wherein a surface conduction electron-emitting device is used as the electron-emitting device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6623593B2 (en) 1997-12-10 2003-09-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of forming an outlet structure of sealed container having a hollow member with a flare-shaped opening portion

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US6623593B2 (en) 1997-12-10 2003-09-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of forming an outlet structure of sealed container having a hollow member with a flare-shaped opening portion

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