JPH08129050A - Icのプリヒート装置 - Google Patents

Icのプリヒート装置

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JPH08129050A
JPH08129050A JP6290417A JP29041794A JPH08129050A JP H08129050 A JPH08129050 A JP H08129050A JP 6290417 A JP6290417 A JP 6290417A JP 29041794 A JP29041794 A JP 29041794A JP H08129050 A JPH08129050 A JP H08129050A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プリヒート容量が少なく、ICの昇温時間を
短縮するプリヒート装置を提供する。 【構成】 加熱プレート1はICを収容する複数の凹部
1Aを縦横に形成し、ICの下面から加熱する。加熱プ
レート2は凹部1Aの1列に対応する凸部2Aを形成
し、ICの上面から加熱する。昇降手段3は加熱プレー
ト1のICを凸部2Aで押圧する。移動手段4は加熱プ
レート2を行方向に移送する。加熱プレート1はICの
加熱とICの放熱が均衡を保つよう温度制御する。加熱
プレート2は設定温度に温度制御する。加熱プレート1
の1列にICが満杯になった時点で、供給順に1列のI
Cを加熱プレート2で一定時間押圧すれば、この間、I
Cの放熱が無くなるので設定温度までのICの昇温時間
が速くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ICのプリヒート装
置についてのものである。高温測定機能をもつハンドラ
では、高温環境でICの電気的特性を測定するため、測
定に先立ちICを予め加熱する必要がある。
【0002】
【従来の技術】次に、従来のプリヒート装置の構成を図
9により説明する。図9の5は吸着搬送部、6は温調
器、7は加熱プレート、10はICである。
【0003】図9では、加熱プレート7の上面はIC1
0を収容する複数の凹部7Aが縦横に形成されている。
加熱プレート7はヒータ7Bと温度センサ7Cを内蔵す
る。ヒータ7Bと温度センサ7Cは温調器6に接続され
る。吸着搬送部5はヒータ5Bと温度センサ5Cを内蔵
する。ヒータ5Bと温度センサ5Cは温調器6に接続さ
れる。温調器6は加熱プレート7と吸着搬送部5がそれ
ぞれ所定の温度になるように温度制御する。
【0004】吸着搬送部5は図示されない負圧手段の切
り換えにより、IC10を吸着または脱着する。吸着搬
送部5は縦横に移動または昇降可能であり、加熱プレー
ト7の凹部7Aに順次IC10を供給する。
【0005】加熱プレート7の凹部7AにIC10が満
杯になると、加熱プレート7に最初に供給したIC10
を吸着搬送部5は吸着し、次工程に搬送する。次工程に
搬送され空きになった凹部7Aには、全工程から新たに
IC10が供給される。続いて2番目に供給されたIC
10についても同様な処理され、以後はこの動作が繰り
返される。
【0006】加熱プレート7上でのIC10が室温から
目的の温度に達する昇温時間は、IC10と同形状、同
素材で温度センサを埋め込んだサンプルによって予め実
験的に求められている。図9では、全ての凹部7AにI
C10を供給する所要時間が、ICの前記昇温時間を超
えるように凹部7Aの数を設定してある。したがって、
全ての凹部7AにIC10を供給終了した時点では、最
初の凹部7Aに供給されたIC10は目的の温度に達し
ている。
【0007】また、加熱されたIC10を吸着搬送部5
で次工程に移動する際にも、吸着搬送部5の底部はIC
の上面に接して移動するので、IC10は温度低下させ
ることはない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図9では、ICを下面
からのみ加熱するためICへの熱伝熱効率が低く、IC
の昇温時間が長くなる。ICの昇温時間を確保するため
には、プリヒート容量を増加すればよいが、装置を大型
化し、消費電力も増すという問題もある。
【0009】図9の装置の他にも加熱プレートを2枚用
いてICの上面および下面の両側からICを一括して挟
みつけて加熱する装置がある。この装置では、上下の加
熱プレートは選定温度に温度制御されているので、IC
の上面側の加熱プレートが離れると、いかに素早くIC
を取り出したとしてもICの温度が設定温度より低下
し、次工程にいたるまで十分な温度精度が保証できない
おそれがある。
【0010】前述の加熱プレートによるプリヒート装置
と異なる装置に、断熱材で囲まれた内部を熱風循環で加
熱して高温槽を形成し、一定温度内に保たれた内部でI
Cを加熱するチャンバ方式のプリヒート装置もある。チ
ャンバ方式では、装置が大型化する一方、製造コスト面
で高価になることが避けられないので、一般的には、加
熱プレート方式が採用される場合が多い。
【0011】この発明は、前述の課題をバランスよく解
消するためになされたもので、第1の加熱プレートはI
Cの放熱と均衡するようICを下面から加熱し、第2の
加熱プレートはICの上面から設定温度で列毎に一定時
間加熱することにより、プリヒート容量を減少させ、I
Cの昇温時間を短縮するプリヒート装置の提供を目的と
する。
【0012】
【課題を解説するための手段】この目的を達成するため
に、この発明は、縦横に複数の凹部1Aを形成し、前記
凹部1AにIC10を収容し、IC10の下面から加熱
する加熱プレート1と、前記凹部1Aの1列に対応する
凸部2Aを形成し、前記1列の凹部1Aに収容されたI
C10の上面から加熱する加熱プレート2と、加熱プレ
ート1に収容されるIC10を加熱プレート2の凸部2
Aで押圧する昇降手段3と、加熱プレート2を加熱プレ
ート1の行方向に移送する移動手段4とを備え、加熱プ
レート1によるIC10の加熱とIC10の放熱が均衡
を保つよう加熱プレート1の加熱温度を制御し、加熱プ
レート2を設定温度に温度制御し、前記加熱プレート1
に列毎に順次IC10を供給し、前記加熱プレート1の
1列にIC10を供給終了すると加熱プレート2が押下
し、前記1列の最初に供給したIC10が設定温度に達
するまで加熱プレート2は前記1列のIC10を一括し
て押圧する。
【0013】
【作用】前述の構成に依れば、加熱プレート2は設定温
度に温度制御されている。加熱プレート1にIC10が
満杯になった時点で、供給順に1列のICを加熱プレー
ト2で一定時間押圧すれば、この間のICの放熱が無く
なるため、設定温度までのIC10の昇温時間が速くな
る。
【0014】
【実施例】次に、この発明によるプリヒート装置の構成
を図1から図3の実施例により説明する。図1の1と2
は加熱プレートであり、その他は図9と同じものであ
る。図1では、加熱プレート1、吸着搬送部5、温調器
6は図9と同様に構成されているので、この構成品の説
明は省略する。ただし、この実施例の加熱プレート1
は、放熱を極力抑えるために、底面および側面をポリイ
ミド等でできた断熱材1Dによって覆われた構造となっ
ている。また、加熱プレート1の上面はIC10を収容
するための凹部1Aが縦横に格子状に配列されている。
【0015】加熱プレート2は加熱プレート1と同様
に、ヒータ2Bと温度センサ2Cを内蔵する。ヒータ2
Bと温度センサ2Cは温調器6に接続され、温調器6は
加熱プレート2を温度制御する。加熱プレート2は、加
熱プレート1の1列分の凹部1Aを完全に覆うことので
きる面積をもつ。また、加熱プレート2の下面は凹部1
Aに収容されたIC10の上面に接触させて加熱できる
よう、凹部1Aの配列に対応した凸部2Aが形成されて
いる。
【0016】図2は図1の平面図である。図2では、加
熱プレート2は2本の直動ガイド4A・4B上に連結さ
れており、加熱プレート2の一端はベルト4Cに支持さ
れる。ベルト4Cはプーリ4D・4Eに巻き掛けされ、
モータ4Fが駆動すると、加熱プレート2は直動ガイド
4A・4Bに案内され、加熱プレート1の行方向に移動
する。図2では、直動ガイド4A・4B、ベルト4C、
プーリ4D・4E、モータ4Fで加熱プレート2の移動
手段4を構成する。
【0017】図3は図2の1列での断面図である。図3
では、加熱プレート2は2本の直動ガイド3A・3Bに
案内され、シリンダ3Cにより昇降する。直動ガイド3
A・3Bとシリンダ3Cで加熱プレート2の昇降手段3
を構成する。
【0018】次に、この発明によるプリヒート装置の加
熱方法を説明する。加熱プレート1は、温度を任意に設
定でき、加熱プレート1の凹部1Aに載置されたIC1
0を下面から加熱する。IC10は加熱プレート1によ
る下面からの加熱とIC10上面からの放熱によって平
衡状態に達する。前記平衡状態で温度がIC10の測定
温度となるように加熱プレート1の加熱温度を予め設定
ておく。
【0019】加熱プレート2は、前述と同様に加熱温度
が設定可能で、IC10を上面から押圧し凸部2Aで熱
伝導する。
【0020】図4の11は加熱プレート1に載置された
IC10の昇温曲線である。図4の昇温曲線11に示さ
れるように、加熱プレート1にIC10が載置される
と、IC10は設定温度T℃に対する温度保証範囲の下
限(T−δ)℃に達するのにt1 秒を要する。
【0021】図5は加熱プレート1上のIC10を加熱
プレート2で押圧したときのIC10の昇温グラフであ
る。図5に示されるように、IC10の上下面から同時
に加熱し続けるため、IC10の昇温曲線12は図4の
昇温曲線11より勾配の急な曲線となる。しかし、この
まま加熱し続けると、図5ではIC10の温度が平衡状
態に達する温度T' は、ICの設定温度T℃よりも高く
なってしまう。
【0022】図6は、この発明によるIC10の昇温グ
ラフである。この発明では、図6の昇温曲線13に示さ
れるように、IC10は加熱プレート1に載置され、T
0 秒間、昇温曲線11と同じ温度勾配で加熱される。そ
の後、t秒間、加熱プレート1と加熱プレート2により
IC10は両面から加熱され、昇温曲線12と同じ温度
勾配で昇温する。そして、加熱プレート2による一定時
間の加熱が終了すると再び加熱プレート1のみによる加
熱に戻る。
【0023】この発明による加熱方法によれば、IC1
0を両面から加熱しているt秒間にT1 からT2 まで温
度が上昇しているが、前述の温度にIC10を上昇させ
るのに図4ではt' 秒を要している。したがって、設定
温度に達するまでの昇温時間t2 は加熱プレート1のみ
による場合と比較して(t' −t)秒短縮される。
【0024】加熱プレート2の制御温度は、高いほど昇
温時間の短縮には有効であるが、IC10を加熱プレー
ト1上に置いてから加熱プレート2による加熱が開始す
るまでの時間t0 を多くすると、加熱プレート2の加熱
終了後の温度T2 ℃が温度保証範囲上限(T+δ)℃を
越えてしまう恐れがある。T2 がこれを越えない範囲で
加熱プレート2の加熱開始・終了の時間と加熱温度を決
定する必要がある。
【0025】次に、この発明によるプリヒート装置の動
作を図7のタイムチャートにより説明する。図7は図2
を実施例として動作を説明している。すなわち、図2の
第1列1行目の凹部1Aを「 1」番地として説明する。第
3列5行は「15」番地となる。
【0026】図7のFLは加熱プレート1の前工程を示
しており、RLは加熱プレート1の後工程を示してい
る。また、P1は加熱プレート1上の位置を示してい
る。吸着搬送部5は前工程からIC10を加熱プレート
1に搬送し、加熱プレート1上のIC10を後工程に搬
送する。また、L1、L2、L3は加熱プレート2の第
1列、第2列、第3列の位置を示している。初期状態で
は加熱プレート2は第3列に待機してる。
【0027】図7では、吸着搬送部5は前工程からIC
10を加熱プレート1に搬送する。凹部1Aの1列目か
ら順次、収容されていく。1列目の凹部「 1」〜「 5」番地
が満杯になると、加熱プレート2は第1列目の凹部1A
上に移動し、降下し、凹部「1」〜「 5」番地のIC10を
一定時間加熱後、上昇する。
【0028】この間、吸着搬送部5は、第2列目の凹部
「 6」〜「10」番地へIC10を供給しており、加熱プレー
ト2は凹部「10」番地へIC10を収容するまで、第1列
上で待機している。吸着搬送部5が凹部「10」番地へIC
10を収容し、前工程に戻ると、加熱プレート2は第2
列目の凹部「 6」〜「10」番地上に移動し、降下し、凹部「
6」〜「10」番地のIC10を一定時間加熱後、上昇する。
【0029】この間、吸着搬送部5は、第3列目の凹部
「11」〜「15」番地へIC10を供給しており、加熱プレー
ト2は凹部「15」番地へIC10を収容するまで、第2列
上で待機している。吸着搬送部5が凹部「15」番地へIC
10を収容すると、加熱プレート2は第3列目の凹部「
6」〜「10」番地に移動し、降下し、凹部「 6」〜「10」番地の
IC10を一定時間加熱後、上昇する。
【0030】加熱プレート1にIC10を全て収容する
と、吸着搬送部5は凹部「 1」番地のIC10を後工程に
搬送する。次に、吸着搬送部5は前工程に戻り、前工程
からIC10を空の凹部「 1」番地に収容後、吸着搬送部
5は凹部「 2」番地に移動し、凹部「 2」番地のIC10を
後工程に搬送する。次に、吸着搬送部5は前工程に戻
り、前工程からIC10を空の凹部「 2」番地に収容す
る。以下、吸着搬送部5は前工程のICが無くなるま
で、同様の動作を繰り返す。
【0031】一方、第3列目上で待機している加熱プレ
ート2は、吸着搬送部5が前工程から凹部「 5」番地へI
C10を収容し、凹部「 6」番地の加熱完了のIC10を
後工程に搬送するタイミングで第1列目上に移動する。
第1列目上に移動した加熱プレート2は降下し、一定時
間加熱後、上昇し、凹部「 6」〜「10」番地にIC10が収
容されるまで待機する。次に、前記と同様のタイミング
で、加熱プレート2は第2列目上に移動する。以下、同
様の動作を繰り返す。
【0032】このように、初期状態以降は、吸着搬送部
5は前工程からIC10を加熱プレート1に供給し、設
定温度に達したIC10を後工程に搬送する。加熱プレ
ート2は加熱プレート1の供給されたIC10を列毎に
補助加熱する。
【0033】この発明では、各列の1番最初のICが供
給されてから1番最後のICが供給されるまでにいくら
かの時間が経過しているため、加熱プレート2による加
熱が始まる直前の同列のIC間には温度差が生じてい
る。
【0034】図8は、図2における第1列の第1行目と
第5行目のICの昇温図である。図8のA11は第1列の
第1行目のICの昇温曲線であり、A15は第1列の第5
行目のICの昇温曲線である。Pは加熱プレート2によ
る補助加熱区間を示している。
【0035】図8に示されるように、この発明では、加
熱プレート2による加熱により、1番初めに供給された
ICが設定温度に丁度到達するよう加熱プレート2の温
度と加熱時間を決定する。これに対して、1番最後に供
給されたICは、加熱プレート2が上昇したとき、まだ
ICの設定温度まで到達していないが、この後、この列
のICが取り出されるまでには、吸着搬送部5がさらに
1列分のICの入れ替え作業するため、この間の時間を
利用してICの最後のICが設定温度範囲まで到達する
仕組みになっている。
【0036】この発明による実施例では、ICを室温
(25℃)から125℃に昇温させる場合に、ICを下
面からのみ加熱する場合と比較して、ICの昇温時間を
約3分の2に短縮できた。プリヒート容量を従来の約3
分の2に削減できるため、装置を小型化し、消費電力を
低減できる。
【0037】
【発明の効果】この発明は、第1の加熱プレートはIC
の放熱と均衡するようICを下面から加熱し、第2の加
熱プレートはICの上面から設定温度で列毎に一定時間
補助加熱するので、プリヒート容量を減少させ、ICの
昇温時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明によるプリヒート装置の実施例による
構成図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】図2の1列での断面図である。
【図4】加熱プレート1でIC下面から加熱した場合の
ICの昇温グラフである。
【図5】加熱プレート1・2でIC両面から加熱した場
合のICの昇温グラフである。
【図6】この発明によるICの昇温グラフである。
【図7】この発明によるプリヒート装置の動作を説明す
るタイムチャートである。
【図8】図2における第1列の第1行目と第5行目のI
Cの昇温図である。
【図9】従来技術によるプリヒート装置の構成図であ
る。
【符号の説明】
1 加熱プレート 1A 凹部 2 加熱プレート 2A 凸部 3 昇降手段 4 移動手段 5 吸着搬送部 6 温調器 10 IC

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 IC(10)が所定の温度になるようIC(1
    0)を下面から加熱する第1のプレート(1) と、 第1の加熱プレート(1) に対向して配置され、第1の加
    熱プレート(1) 上のIC(10)を上方から押し付けて補助
    加熱する第2の加熱プレート(2) を備え、 第2の加熱プレート(2) を移動し、第1の加熱プレート
    (1) 上で加熱しているIC(10)を第2の加熱プレート
    (2) で一定時間補助加熱することを特徴とするICのプ
    リヒート装置。
  2. 【請求項2】 縦横に複数の凹部(1A)を形成し、前記凹
    (1A)にIC(10)を収容し、IC(10)の下面から加熱する
    第1の加熱プレート(1) と、 前記凹部(1A)の1列に対応する凸部(2A)を形成し、前記
    1列の凹部(1A)に収容されたIC(10)の上面から加熱す
    る第2の加熱プレート(2)と、 第1の加熱プレート(2) を収容されるIC(10)を第2の
    加熱プレート(2) の凸部(2A)で押圧する昇降手段(3)
    と、 第2の加熱プレート(2) を第1の加熱プレート(1) の行
    方向に移送する移動手段(4)とを備え、 第1の加熱プレート(1) によるIC(10)の加熱とIC(1
    0)の放熱が均衡を保つよう第1の加熱プレート(1) の加
    熱温度を制御し、 第2の加熱プレート(2) を設定温度に温度制御し、 前記第1の加熱プレート(1) に列毎に順次IC(10)を供
    給し、 前記第1の加熱プレート(1) の1列にIC(10)を供給終
    了すると第2の加熱プレート(2) が押下することを特徴
    とする請求項1記載のICのプリヒート装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の加熱プレート(1) の前記1列
    の最初に供給したIC(10)が設定温度に達するまで第2
    の加熱プレート(2) は前記1列のIC(10)を一括して押
    圧することを特徴とする請求項2記載のICのプリヒー
    ト装置。
  4. 【請求項4】 吸着搬送部(5) の底部を設定温度に温度
    制御し、第1の加熱プレート(1) の1列にIC(10)が満
    杯になると、吸着搬送部(5) は第1の加熱プレート(1)
    へのIC(10)の供給順にIC(10)を吸着して次工程へ移
    動し、第1の加熱プレート(1) の1列のIC(10)が移動
    すると、吸着搬送部(5) は前記空の1列にIC(10)を供
    給することを特徴とする請求項2記載のICのプリヒー
    ト装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008175701A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Yokogawa Electric Corp ハンドラ装置

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