JPH08124822A - Projection exposure device - Google Patents

Projection exposure device

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JPH08124822A
JPH08124822A JP25493994A JP25493994A JPH08124822A JP H08124822 A JPH08124822 A JP H08124822A JP 25493994 A JP25493994 A JP 25493994A JP 25493994 A JP25493994 A JP 25493994A JP H08124822 A JPH08124822 A JP H08124822A
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mask
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glass plate
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work
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Ushio Denki KK
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Abstract

PURPOSE: To prevent dust from adhering to the surface of a mask pattern by a method wherein a glass plate is used in place of a pellicle formed of thin film. CONSTITUTION: A projection light exposure device is composed of a light irradiation section 1, a mask M, a mask stage 2, a projection lens 3, and a work W, wherein a double telecentric lens is used as the projection lens 3, and a glass plate 11 is disposed on the mask stage 2 in parallel with the mask M so as to form a closed space surrounded with the glass plate 11 and the surface of the mask M where a pattern is provided to prevent dust from being attached to the surface of the mask pattern. As a double telecentric lens is made to serve as the projection lens 3, primary light rays pass through the glass plate 11 vertically, so that no optical aberration is induced even if a thick glass plate is used. Another means that gas is made to flow through the closed space or ionized gas is introduced into the closed space to prevent the mask from being charged with electricity is jointly used, whereby dust attached to the surface of a mask pattern is much lessened.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マスクを通して光をワ
ークに照射する露光装置に関し、さらに詳細には、紫外
線を用いてマスクのパターンの像を投影レンズによりフ
ォトレジストを塗布したワークに投影露光する投影露光
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus which irradiates a work with light through a mask, and more specifically, it projects and exposes an image of a mask pattern using ultraviolet rays onto a work coated with a photoresist by a projection lens. The present invention relates to a projection exposure apparatus that does.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子や液晶画面、インクジェット
方式のプリンターヘッド、一枚の基板の上に多種多数の
電気素子を製作して一つのモジュールにするマルチチッ
プモジュール等、ミクロンサイズの加工が必要である様
々な電気部品の製作工程に露光工程が用いられている。
2. Description of the Related Art Micron-sized processing is required for semiconductor elements, liquid crystal screens, ink jet printer heads, multichip modules that produce a large number of various electrical elements on a single substrate into a single module. An exposure process is used in a process of manufacturing a variety of electric parts.

【0003】この露光工程とはガラス等の透明基板上に
クロム等の金属を蒸着・エッチングしてパターンを形成
したマスクを使用し、このマスクを通して紫外線をワー
クに照射し、ワーク上に塗布されているフォトレジスト
にマスクのパターンを転写するものである。露光方式は
マスクの像を投影レンズでワーク上に結像させる投影露
光方式、マスクとワークを密着させた状態で平行光を照
射する密着露光方式、マスクとワークの間にわずかな間
隙を設けた状態で平行光を照射するプロキシミティ露光
方式に大別される。
This exposure process uses a mask in which a metal such as chrome is vapor-deposited and etched on a transparent substrate such as glass to form a pattern, and the work is irradiated with ultraviolet rays through the mask to be applied on the work. The mask pattern is transferred to the existing photoresist. The exposure method is a projection exposure method in which the image of the mask is formed on the work with a projection lens, a contact exposure method in which parallel light is emitted while the mask and the work are in close contact, and a slight gap is provided between the mask and the work. It is roughly classified into a proximity exposure method in which parallel light is emitted in a state.

【0004】投影露光方式は、密着露光方式およびプロ
キシミティ露光方式に比べ解像度が良いという利点をも
つ。さらに、密着露光方式に比べ、マスクとワークが接
触しないためにマスクに汚れが付きにくく、マスクが長
寿命であるという利点をもつ。図6は上記した投影露光
装置の構成を示す図である。同図において、1は光照射
装置であり、1aはシャッタ、1bは光学フィルタ、1
cはコンデンサレンズ、1dはランプ、1eは集光鏡で
ある。
The projection exposure method has an advantage that it has a better resolution than the contact exposure method and the proximity exposure method. Further, as compared with the contact exposure method, the mask and the work do not come into contact with each other, so that the mask is less likely to be contaminated and the mask has a long life. FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the projection exposure apparatus described above. In the figure, 1 is a light irradiation device, 1a is a shutter, 1b is an optical filter, 1
c is a condenser lens, 1d is a lamp, and 1e is a condenser mirror.

【0005】また、2はマスクステージであり、マスク
ステージ2には真空チャック等によりマスクMが固定さ
れ、マスクステージ2は図示しない駆動装置によりX,
Y,Z,θ(X,Y軸:マスク面に平行な平面上の直交
軸、Z軸:同図の上下方向の軸、θ:Z軸を中心とした
回転軸)に駆動される。3は投影レンズ、Wはワーク、
4はワークステージであり、ワークステージ4には真空
チャック等によりワークWが固定され、ワーク駆動ステ
ージ4は図示しない駆動装置により駆動される。
A mask stage 2 has a mask M fixed to the mask stage 2 by a vacuum chuck or the like.
It is driven by Y, Z, θ (X, Y axes: orthogonal axes on a plane parallel to the mask surface, Z axis: vertical axis in the figure, θ: rotation axis about Z axis). 3 is a projection lens, W is a work,
Reference numeral 4 denotes a work stage. The work W is fixed to the work stage 4 by a vacuum chuck or the like, and the work drive stage 4 is driven by a drive device (not shown).

【0006】5はアライメント・ユニットであり、アラ
イメント・ユニット5により、ワークWに印されたアラ
イメント・マークとマスクに印されたアライメント・マ
ーク(図示せず)を観察する。なお、アライメント・ユ
ニットは同図のAの位置以外に同図のBまたはCの位置
に設けることもできる。同図において、ワークW上に露
光処理を行う際には、まず、アライメント・ユニット5
により、ワークとマスクのアライメント・マークを観察
し、両者が一致するように、マスクMもしくはワークW
をX,Y,θ方向に移動させる。そして、位置合わせ終
了後、光照射装置1から紫外線を照射し、マスクパター
ンMPをワークW上に投影して露光を行う。
Reference numeral 5 denotes an alignment unit, and the alignment unit 5 observes an alignment mark on the work W and an alignment mark (not shown) on the mask. The alignment unit may be provided at the position B or C in the figure other than the position A in the figure. In the figure, when performing the exposure process on the work W, first, the alignment unit 5
Observe the alignment marks of the work and the mask by using the mask M or work W
Are moved in the X, Y, and θ directions. After the alignment is completed, the light irradiation device 1 irradiates ultraviolet rays to project the mask pattern MP on the work W for exposure.

【0007】ところで、上記した投影露光装置における
マスクMの材料には、通常、ガラス板が使用されること
が多い。ガラス板は絶縁体であるため静電気を帯びやす
い。このため、使用してる間に帯電した静電気により空
気中に浮遊する塵埃を吸い寄せ、マスクが汚れるという
問題がある。マスクの汚れ、特に、パターンを形成した
面に付着した汚れは、その像がそのままワークに投影さ
れてしまうため製品不良の原因となる。
By the way, a glass plate is often used as the material of the mask M in the projection exposure apparatus. Since the glass plate is an insulator, it is easily charged with static electricity. For this reason, there is a problem in that dust floating in the air is attracted by static electricity charged during use, and the mask becomes dirty. The dirt on the mask, especially the dirt attached to the surface on which the pattern is formed, causes an image thereof to be directly projected onto the work, which causes a defective product.

【0008】この問題を解決する方法として、ペリクル
と呼ばれる透明な薄膜でマスクのパターンが形成された
面を覆う技術が開発された。これはミクロンサイズの微
細なパターン露光用の投影レンズの焦点深度が極端に浅
いことを利用したものである。図7は上記したペリクル
で覆われたマスクを示す図である。同図において、2は
マスクMを載置するマスクステージ、Mはマスクであ
り、同図に示すように、マスクMの外周部に高さ数mm
のスペーサSPをマスクMのパターンMPを囲むように
形成し、その上にニトロセルロース等の透明な薄膜でで
きたペリクルPを被せて密閉する。これにより、塵埃が
直接マスクMのパターン面に付着することを防止するこ
とができる。
As a method for solving this problem, a technique has been developed for covering the surface on which the mask pattern is formed with a transparent thin film called a pellicle. This utilizes the extremely shallow depth of focus of the projection lens for micron-sized fine pattern exposure. FIG. 7 is a diagram showing a mask covered with the above pellicle. In the figure, 2 is a mask stage on which the mask M is placed, and M is a mask.
Spacer SP is formed so as to surround the pattern MP of the mask M, and a pellicle P made of a transparent thin film of nitrocellulose or the like is covered on the spacer SP to seal it. This can prevent dust from directly adhering to the pattern surface of the mask M.

【0009】また、ペリクル面に塵埃が付着しても、投
影レンズの焦点深度が極端に浅いため、マスクのパター
ン形成面から数mm離れたペリクル上の塵埃はボケてし
まい、ワーク面に結像しない。
Further, even if dust adheres to the pellicle surface, the depth of focus of the projection lens is extremely shallow, so the dust on the pellicle several mm away from the pattern forming surface of the mask is blurred and forms an image on the work surface. do not do.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところが、ペリクルを
使った従来の方法では、ペリクルの厚さは薄くかつ高精
度な厚みの均一性が必要とされ非常に高価であるという
問題があった。これは投影レンズとして、片テレセント
リック・レンズを使用すると、主光線がペリクルを斜め
に通過するため、ペリクルが厚かったり厚さが均一でな
いと、光学的収差が発生するためである。
However, the conventional method using the pellicle has a problem that the thickness of the pellicle is thin and highly accurate thickness uniformity is required, which is very expensive. This is because when a one-telecentric lens is used as the projection lens, the principal ray passes obliquely through the pellicle, and optical aberration occurs if the pellicle is thick or not uniform in thickness.

【0011】片テレセントリック・レンズは、投影レン
ズに通常用いられているレンズで、図8に示すように、
投影レンズ3の主光線が出射側(ワーク側)では平行、
入射側(マスク側)では非平行なレンズであり、片テレ
セントリック・レンズを使用する場合、マスクMを通過
する主光線の各光軸は非平行と見なすので、ペリクルが
厚いと、図9に示すようにペリクルを通過する光はdだ
けシフトし、ワークW上に投影される像がずれる。
The one-telecentric lens is a lens usually used for a projection lens, and as shown in FIG.
The chief ray of the projection lens 3 is parallel on the exit side (work side),
9 is a non-parallel lens on the incident side (mask side), and when a one-telecentric lens is used, each optical axis of the principal ray passing through the mask M is considered to be non-parallel, and therefore the thick pellicle is shown in FIG. Thus, the light passing through the pellicle is shifted by d, and the image projected on the work W is displaced.

【0012】これを避けるため、ペリクルとしては厚さ
が数μmという極薄いものが要求され、ガラス板のよう
に厚いものは使用することができなかった。以上のよう
にペリクルは厚さが非常に薄いため、破損し易く、取扱
いが難しいという問題をもっていた。また、ペリクルは
ニトロセルロースを代表とする有機薄膜でできているた
め、紫外線や雰囲気に含まれる化学物質(主に工場内で
使用する化学薬品が空気中に揮発したもの)による劣化
が起こり、定期的に新しいものと取り替える必要がある
といった問題があった。
To avoid this, an extremely thin pellicle having a thickness of several μm is required, and a thick pellicle such as a glass plate cannot be used. As described above, since the pellicle has a very small thickness, it is easily damaged and difficult to handle. In addition, since the pellicle is made of an organic thin film such as nitrocellulose, it deteriorates due to ultraviolet rays and chemical substances contained in the atmosphere (mainly chemicals used in the factory volatilized in the air), and There was a problem that it had to be replaced with a new one.

【0013】さらに、ペリクルによりマスクのパターン
面を閉空間で密閉しても、この閉空間に存在する塵埃を
ゼロにすることは実際上難しく、ペリクルの交換時等に
わずかな量の塵埃が入り込むことがあり、マスクの静電
気に吸い寄せられてマスク面に付着し、製品不良の原因
となる場合があった。本発明は上記した従来技術の問題
点を考慮してなされたものであって、本発明の第1の目
的は、上記した薄膜から形成されたペリクルに換えて、
ガラス板を使用することができ、薄膜から形成されたペ
リクルを使用する場合に生ずる上記各種の問題点を解消
することが可能な投影露光装置を提供することである。
Further, even if the pattern surface of the mask is sealed in the closed space by the pellicle, it is practically difficult to reduce the dust existing in the closed space to zero, and a small amount of dust enters when the pellicle is replaced. In some cases, the static electricity of the mask is attracted and adheres to the mask surface, which may cause product defects. The present invention has been made in consideration of the above-mentioned problems of the prior art, and the first object of the present invention is to replace the pellicle formed from the above-mentioned thin film with
It is an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus which can use a glass plate and can solve the above-mentioned various problems that occur when a pellicle formed of a thin film is used.

【0014】本発明の第2の目的は、上記閉空間に入り
込む塵埃の影響を大幅に減少させることができる投影露
光装置を提供することである。
A second object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus capable of greatly reducing the influence of dust entering the closed space.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項1の発明は、紫外線を照射する光照
射部と、マスクと、該マスクを保持するマスクステージ
を含むマスクステージ部と、投影レンズと、ワークと、
該ワークを保持するワークステージを含むワークステー
ジ部とからなる投影露光装置において、上記投影レンズ
を両テレセントリックレンズとし、また、上記マスクス
テージにマスクと平行に配置されたガラス板を設け、上
記マスクのパターンを形成された面と上記マスクステー
ジと上記ガラス板とで閉空間を形成したものである。
In order to solve the above problems, the invention of claim 1 of the present invention is directed to a mask stage section including a light irradiation section for irradiating ultraviolet rays, a mask, and a mask stage for holding the mask. ,, projection lens, work,
In a projection exposure apparatus comprising a work stage section including a work stage for holding the work, the projection lens is a both telecentric lens, and the mask stage is provided with a glass plate arranged in parallel with the mask. A closed space is formed by the patterned surface, the mask stage and the glass plate.

【0016】本発明の請求項2の発明は、請求項1の発
明において、マスクステージに、マスクのパターンを形
成された面とマスクステージとガラス板で形成された閉
空間に空気または不活性ガスを供給するガス導入口と、
導入した上記空気または不活性ガスを排出するガス排気
口を設けたものである。本発明の請求項3の発明は、請
求項2の発明において、空気または不活性ガスをガス導
入口に導く流路中に、一対または複数対の放電電極を設
け、該放電電極に交流または直流電圧を印加して、空気
または不活性ガスをイオン化させるようにしたものであ
る。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, air or an inert gas is contained in the mask stage, the surface on which the pattern of the mask is formed, and the closed space formed by the mask stage and the glass plate. Gas inlet for supplying
A gas exhaust port for discharging the introduced air or inert gas is provided. According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the invention, a pair or a plurality of pairs of discharge electrodes are provided in a flow path for introducing air or an inert gas into the gas inlet, and the discharge electrodes are AC or DC. A voltage is applied to ionize air or an inert gas.

【0017】本発明の請求項4の発明は、請求項2また
は請求項3の発明において、ガス導入口およびガス排出
口の閉空間側における穴の形状をスリット状とし、該ス
リットの長辺をマスク面と平行としたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect of the invention, the shape of the holes on the closed space side of the gas inlet and the gas outlet is slit-like, and the long sides of the slits are defined. It is parallel to the mask surface.

【0018】[0018]

【作用】本発明の請求項1の発明においては、上記のよ
うに、投影レンズを両テレセントリックレンズとし、ま
た、上記マスクステージにマスクと平行に配置されたガ
ラス板を設け、上記マスクのパターンを形成された面と
上記マスクステージと上記ガラス板とで閉空間を形成し
たので、薄くかつ厚みの均一性が必要とされる高価なペ
リクルを用いることなく、塵埃がマスクのパターン面に
付着することを防止することができる。
According to the first aspect of the present invention, as described above, the projection lens is the both telecentric lenses, and the mask stage is provided with the glass plate arranged in parallel with the mask, and the pattern of the mask is formed. Since the closed space is formed by the formed surface, the mask stage, and the glass plate, dust can be attached to the pattern surface of the mask without using an expensive pellicle that needs to be thin and uniform in thickness. Can be prevented.

【0019】特に、ガラス板は前記したペリクルに比べ
厚く破損しにくく取扱いも容易であり、また、紫外線や
雰囲気に含まれる化学物質による劣化を起こしにくいの
で定期的に交換する必要もない。さらに、石英ガラスを
使用することにより、300nmより短波長の紫外線を
露光に使用することが可能となる。本発明の請求項2の
発明においては、上記閉空間に空気または不活性ガスを
供給するガス導入口と、導入した上記空気または不活性
ガスを排出するガス排気口を設けたので、閉空間に存在
するわずかな塵埃をも流し去ることができ、マスク面へ
の塵埃の付着を大幅に改善することができる。
In particular, the glass plate is thicker than the pellicle and less likely to be damaged, and is easy to handle. Further, since the glass plate is less likely to deteriorate due to ultraviolet rays and chemical substances contained in the atmosphere, it does not need to be replaced periodically. Further, by using quartz glass, it becomes possible to use ultraviolet rays having a wavelength shorter than 300 nm for exposure. In the invention of claim 2 of the present invention, the closed space is provided with a gas inlet for supplying air or inert gas and a gas outlet for discharging the introduced air or inert gas. Even a small amount of existing dust can be washed away, and the adhesion of dust to the mask surface can be greatly improved.

【0020】本発明の請求項3の発明においては、空気
または不活性ガスの流路中に、一対または複数対の放電
電極を設け、該放電電極に交流または直流電圧を印加し
て、空気または不活性ガスをイオン化させるようにした
ので、マスクの帯電を除電することができ、マスクに塵
埃が付着する確率を低くすることができる。また乾燥し
たガスを使用することができるので、結露や金属部の腐
食の心配もない。
According to the third aspect of the present invention, a pair of or a plurality of pairs of discharge electrodes are provided in the flow path of air or an inert gas, and AC or DC voltage is applied to the discharge electrodes so that air or Since the inert gas is ionized, the charge on the mask can be eliminated, and the probability that dust adheres to the mask can be reduced. Moreover, since a dry gas can be used, there is no fear of condensation or corrosion of metal parts.

【0021】本発明の請求項4の発明においては、ガス
導入口およびガス排出口の閉空間側における穴の形状を
スリット状とし、該スリットの長辺をマスク面と平行と
したので、閉空間におけるガスの流れを均一化すること
ができ、塵埃が滞留することがないので、マスクの塵埃
の付着を減少させることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the shape of the holes on the closed space side of the gas inlet and the gas outlet is slit-like and the long side of the slit is parallel to the mask surface, the closed space is closed. It is possible to make the flow of gas uniform and to prevent dust from accumulating, so that the adhesion of dust to the mask can be reduced.

【0022】[0022]

【実施例】図1は本発明の第1の実施例の投影露光装置
の構成を示す図である。同図において、図6に示したも
のと同一のものには同一の符号が付されており、1は光
照射装置、1aはシャッタ、1bは光学フィルタ、1c
はコンデンサレンズ、1dは超高圧水銀ランプ、1eは
集光鏡である。
1 is a diagram showing the construction of a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those shown in FIG. 6 are designated by the same reference numerals, 1 is a light irradiation device, 1a is a shutter, 1b is an optical filter, and 1c.
Is a condenser lens, 1d is an ultra-high pressure mercury lamp, and 1e is a condenser mirror.

【0023】2はマスクステージであり、マスクステー
ジ2にはマスクMが固定され、光照射装置1からマスク
Mに光が平行に入射する。また、マスクステージ2に
は、マスクMのマスクパターンMP側にマスクと平行に
石英ガラス等からなるガラス板11が取り付けられ、マ
スクMのマスクパターン面、マスクステージ2およびガ
ラス板11により閉空間を形成している。
Reference numeral 2 denotes a mask stage. The mask M is fixed to the mask stage 2, and light is incident on the mask M from the light irradiation device 1 in parallel. A glass plate 11 made of quartz glass or the like is attached to the mask stage 2 on the mask pattern MP side of the mask M parallel to the mask, and a closed space is formed by the mask pattern surface of the mask M, the mask stage 2 and the glass plate 11. Is forming.

【0024】3は投影レンズであり、本実施例における
投影レンズ3としては、両テレセントリックレンズが使
用される。両テレセントリックレンズは、同図に示すよ
うに、レンズの主光線が出射側(ワーク側)、入射側
(マスク側)の両方で平行であるレンズであり、投影レ
ンズ3として両テレセントリックレンズを用いることに
より、主光線は上記ガラス板11を垂直に通過し、ガラ
ス板11が厚くても光学的収差によりワークW上に投影
される像がずれることがない。
Reference numeral 3 denotes a projection lens, and both telecentric lenses are used as the projection lens 3 in this embodiment. As shown in the figure, both telecentric lenses are lenses in which the principal ray of the lens is parallel on both the emission side (work side) and the incident side (mask side), and both telecentric lenses should be used as the projection lens 3. Thus, the chief ray passes through the glass plate 11 vertically, and even if the glass plate 11 is thick, the image projected on the work W is not displaced due to optical aberration.

【0025】また、Wはワーク、4はワークステージ、
5はアライメント・ユニットであり、アライメント・ユ
ニット5により、ワークWに印されたアライメント・マ
ークとマスクに印されたアライメント・マーク(図示せ
ず)が観察され図6で説明したように両者の位置合わせ
が行われる。本実施例においては、上記のように投影レ
ンズとして両テレセントリックレンズを使用し、また、
薄膜のペリクルに換えガラス板を用いているので、従来
例のように、薄くかつ高精度な厚みの均一性が必要とさ
れる非常に高価なペリクルを用いることなく、塵埃がマ
スクMのパターン面に付着することを防止することがで
きる。
W is a work, 4 is a work stage,
Reference numeral 5 denotes an alignment unit, and the alignment unit 5 observes an alignment mark on the work W and an alignment mark (not shown) on the mask, and positions the both as described in FIG. Matching is done. In this embodiment, both telecentric lenses are used as the projection lens as described above, and
Since a glass plate is used instead of the thin film pellicle, dust is not generated on the pattern surface of the mask M without using a very expensive pellicle that requires a thin and highly accurate thickness uniformity as in the conventional example. Can be prevented.

【0026】また、ガラス板は厚いため破損しにくく、
取扱も容易であり、さらに、紫外線や雰囲気に含まれる
化学物質による劣化を起こしにくいので定期的に交換す
る必要がない。特に、石英ガラスを使用した場合には、
300nmより短波長の紫外線を露光に使用することが
可能となる。図2は本発明の第2の実施例を示す図であ
る。
Further, since the glass plate is thick, it is hard to break,
It is easy to handle and does not need to be replaced periodically because it is less susceptible to deterioration due to ultraviolet rays and chemical substances contained in the atmosphere. Especially when quartz glass is used,
Ultraviolet rays having a wavelength shorter than 300 nm can be used for exposure. FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【0027】本実施例は第1の実施例において、マスク
ステージ2にガス導入管2aとガス排出管2bを取り付
け、マスクステージ2に設けた穴を介して、マスクパタ
ーン面、マスクステージ2とガラス板で形成された閉空
間にガスを導入するように構成したものである。すなわ
ち、マスクパターン面を第1の実施例のように閉空間で
密閉しても、この閉空間に存在する塵埃を皆無にするこ
とは実際上困難であり、マスクの交換時等にわずかな量
の塵埃が入り込む。そして、入り込んだ塵埃は、いずれ
マスクの静電気に吸い寄せられるマスク面に付着する。
In this embodiment, the gas introduction pipe 2a and the gas discharge pipe 2b are attached to the mask stage 2 in the first embodiment, and the mask pattern surface, the mask stage 2 and the glass are inserted through the holes provided in the mask stage 2. The gas is introduced into the closed space formed by the plate. That is, even if the mask pattern surface is sealed in the closed space as in the first embodiment, it is practically difficult to completely eliminate the dust existing in the closed space. Dust will get in. Then, the dust that has entered will eventually adhere to the mask surface that is attracted to the static electricity of the mask.

【0028】そこで、図2に示すように、清浄な空気ま
たは不活性ガスをガス導入管2aから上記閉空間に流し
込み、ガス排出管2bから排出させる。これにより、上
記閉空間に入り込んだわずかな塵埃を流し去ることがで
き、マスク面への塵埃の付着を大幅に改善することがで
きる。ところで、上記第2の実施例のように、マスクパ
ターン面、マスクステージとガラス板で形成された閉空
間にガスを導入することにより、塵埃の影響を大幅に改
善することができるが、上記閉空間に導入するガスが乾
燥している場合には、ガスとマスクとの摩擦でマスクが
帯電する。
Therefore, as shown in FIG. 2, clean air or an inert gas is flown into the closed space through the gas introduction pipe 2a and is discharged through the gas discharge pipe 2b. As a result, a small amount of dust that has entered the closed space can be washed away, and the adhesion of dust to the mask surface can be greatly improved. By the way, as in the second embodiment, by introducing gas into the closed space formed by the mask pattern surface, the mask stage and the glass plate, the influence of dust can be greatly reduced. If the gas introduced into the space is dry, the mask is charged by the friction between the gas and the mask.

【0029】通常、電子素子や半導体素子の製造工場内
で使用される清浄な空気または窒素やアルゴン等の不活
性ガスは、露点が−40°程度もしくはそれ以下の非常
に乾燥したものであり、このような乾燥したガスを流す
とマスクとの摩擦で静電気が発生し、ガスに含まれる塵
埃が極微量であってもマスクが帯電していると塵埃が付
着する確率が高くなる。一方、湿ったガスは結露や金属
部の腐食の原因となるので使用することができない。
Normally, clean air or an inert gas such as nitrogen or argon used in a factory for manufacturing electronic devices or semiconductor devices is a very dry one having a dew point of about -40 ° or lower, When such a dry gas is flowed, static electricity is generated due to friction with the mask, and even if the amount of dust contained in the gas is extremely small, if the mask is charged, the probability of dust attachment increases. On the other hand, moist gas cannot be used because it causes condensation and corrosion of metal parts.

【0030】本発明の第3の実施例は上記したマスクの
帯電による塵埃の付着を防止するようにしたものであ
り、本実施例においては、図2に示したガス導入管2a
へのガス流路中に、図3に示すように一対の放電電極2
2、23を設ける。そして、電源21から上記放電電極
22,23に交流もしくは直流の電圧を印加し、コロナ
放電を発生させて流路中のガスをイオン化する。
The third embodiment of the present invention is designed to prevent the adhesion of dust due to the charging of the mask described above. In this embodiment, the gas introduction pipe 2a shown in FIG. 2 is used.
In the gas flow path to the
2, 23 are provided. Then, an AC or DC voltage is applied from the power source 21 to the discharge electrodes 22 and 23 to generate corona discharge and ionize the gas in the flow path.

【0031】これにより、前記閉空間にはイオン化した
ガスが導入され、マスクMとガスにより静電気が発生す
ることがない。また、マスクMが最初から帯電していて
も、それを除去することができる。したがって、前記閉
空間に導入されるガスに極微量な塵埃が含まれていて
も、マスクに付着する確率を低くすることができる。ま
た、乾燥したガスを使用することができるので、結露や
金属腐食の心配もない。
As a result, the ionized gas is introduced into the closed space, and static electricity is not generated by the mask M and the gas. Further, even if the mask M is charged from the beginning, it can be removed. Therefore, even if the gas introduced into the closed space contains a very small amount of dust, it is possible to reduce the probability of adhering to the mask. Moreover, since a dry gas can be used, there is no concern about dew condensation or metal corrosion.

【0032】なお、図3では一対の電極を設けた例を示
したが、複数対の電極を設けてもよい。図4は本発明の
第4の実施例を示す図であり、本実施例は上記第2また
は第3の実施例において、前記閉空間へのガス導入口、
およびガス排出口をスリット状に形成するとともに、ガ
ス導入流路中にガス溜まりを設け、前記閉空間における
ガス流の均一化を図ったものである。
Although FIG. 3 shows an example in which a pair of electrodes is provided, a plurality of pairs of electrodes may be provided. FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. This embodiment is the same as the second or third embodiment, except that a gas inlet to the closed space,
In addition, the gas discharge port is formed in a slit shape, and a gas reservoir is provided in the gas introduction flow path to make the gas flow in the closed space uniform.

【0033】図4において、図2に示したものと同一の
ものには同一の符号が付されており、本実施例において
は、同図に示すようにマスクステージ2に設けられたガ
ス流路に、スリットから放出されるガスの流速分布を均
一にするガス溜まり2cを設け、また、閉空間へのガス
導入口およびガス排出口をスリット状に形成している。
In FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and in this embodiment, as shown in the diagram, the gas flow passages provided in the mask stage 2 are provided. Further, a gas reservoir 2c that makes the flow velocity distribution of the gas discharged from the slit uniform is provided, and a gas inlet and a gas outlet to the closed space are formed in a slit shape.

【0034】図5は上記マスクステージ2の斜視図であ
り(同図ではマスクMが載置されていない状態が示され
ている)、同図に示すように、上記スリット2dの長辺
はマスク面と平行でかつその長さは閉空間の一辺の長さ
に略等しい。本実施例においては、上記のように、ガス
溜まり2cを設けるとともに閉空間へのガス導入口およ
びガス排出口をスリット状に形成しているので、閉空間
におけるガスの流れに淀みができることがない。このた
め、該淀み部に塵埃が滞留し、部分的に塵埃濃度の高い
部分が生成することがなく、マスクへの塵埃の付着を減
少させることができる。
FIG. 5 is a perspective view of the mask stage 2 (the state in which the mask M is not placed is shown in FIG. 5). As shown in FIG. 5, the long side of the slit 2d is the mask. It is parallel to the surface and its length is approximately equal to the length of one side of the closed space. In this embodiment, as described above, since the gas reservoir 2c is provided and the gas inlet and the gas outlet to the closed space are formed in a slit shape, the gas flow in the closed space is not stagnant. . Therefore, the dust does not stay in the stagnation portion and a portion having a high dust concentration is not generated locally, and the adhesion of the dust to the mask can be reduced.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。 (1) 投影レンズを両テレセントリックレンズとし、ま
た、上記マスクステージにマスクと平行に配置されたガ
ラス板を設け、上記マスクのパターンを形成された面と
上記マスクステージと上記ガラス板とで閉空間を形成し
たので、薄くかつ厚みの均一性が必要とされる高価なペ
リクルを用いることなく、塵埃がマスクのパターン面に
付着することを防止することができる。また、ガラス板
は前記したペリクルに比べ厚く破損しにくく取扱いも容
易であり、また、紫外線や雰囲気に含まれる化学物質に
よる劣化を起こしにくいので定期的に交換する必要もな
い。
As described above, in the present invention,
The following effects can be obtained. (1) The projection lens is a bi-telecentric lens, and the mask stage is provided with a glass plate arranged in parallel with the mask, and the mask pattern-formed surface, the mask stage and the glass plate form a closed space. Since it is formed, it is possible to prevent dust from adhering to the pattern surface of the mask without using an expensive pellicle that is thin and requires uniform thickness. Further, the glass plate is thicker than the above pellicle and less likely to be damaged, and is easy to handle. Further, since it is less likely to be deteriorated by ultraviolet rays and chemical substances contained in the atmosphere, it is not necessary to replace it regularly.

【0036】このため、従来のものに比して、保守・管
理を容易にすることができ、また、コストダウンを図る
ことができる。 (2) 上記閉空間に空気または不活性ガスを供給するガス
導入口と、導入した上記空気または不活性ガスを排出す
るガス排気口を設け、閉空間にガスを流すことにより、
閉空間に存在するわずかな塵埃をも流し去ることがで
き、マスク面への塵埃の付着を大幅に改善することがで
きる。 (3) 空気または不活性ガスの流路中に、一対または複数
対の放電電極を設け、該放電電極に交流または直流電圧
を印加して、空気または不活性ガスをイオン化させるこ
とにより、マスクの帯電を除電することができ、マスク
に塵埃が付着する確率を低くすることができる。また乾
燥したガスを使用することができるので、結露や金属部
の腐食の心配もない。 (4) ガス導入口およびガス排出口の閉空間側における穴
の形状をスリット状とし、スリットの長辺をマスク面と
平行とすることにより、塵埃の滞留を防止し、マスクの
塵埃の付着を減少させることができる。
Therefore, maintenance and management can be facilitated and costs can be reduced as compared with the conventional ones. (2) A gas inlet for supplying air or an inert gas to the closed space and a gas outlet for discharging the introduced air or an inert gas are provided, and by flowing a gas into the closed space,
Even a small amount of dust existing in the closed space can be washed away, and the adhesion of dust to the mask surface can be greatly improved. (3) In the flow path of air or an inert gas, a pair of or a plurality of pairs of discharge electrodes are provided, and an AC or DC voltage is applied to the discharge electrodes to ionize the air or the inert gas. The charge can be removed, and the probability that dust adheres to the mask can be reduced. Moreover, since a dry gas can be used, there is no fear of condensation or corrosion of metal parts. (4) By making the shape of the holes on the closed space side of the gas inlet and gas outlets slit-shaped and making the long sides of the slits parallel to the mask surface, the accumulation of dust is prevented and the dust on the mask is prevented from adhering. Can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図5】第4の実施例のマスクステージの斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view of a mask stage according to a fourth embodiment.

【図6】投影露光装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a projection exposure apparatus.

【図7】ペリクルを用いた従来のマスクの防塵方法を示
す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a conventional dustproof method for a mask using a pellicle.

【図8】片テレセントリック・レンズの特性を説明する
図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating characteristics of a one-side telecentric lens.

【図9】光が斜めに入射することにより生ずる光学的収
差を説明する図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating optical aberration caused by oblique incidence of light.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光照射装置 1a シャッタ 1b 光学フィルタ 1c コンデンサレンズ 1d ランプ 1e 集光鏡 2 マスクステージ 2a ガス導入管 2b ガス排出管 2c ガス溜まり 2d スリット 3 投影レンズ 4 ワークステージ 5 アライメント・ユニット 11 ガラス板 21 電源 22,23 放電電極 M マスク MP マスクパターン W ワーク P ペリクル SP スペーサ 1 Light Irradiation Device 1a Shutter 1b Optical Filter 1c Condenser Lens 1d Lamp 1e Condensing Mirror 2 Mask Stage 2a Gas Introducing Tube 2b Gas Discharge Tube 2c Gas Reservoir 2d Slit 3 Projection Lens 4 Work Stage 5 Alignment Unit 11 Glass Plate 21 Power Supply 22 , 23 Discharge electrode M mask MP mask pattern W work P pellicle SP spacer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 紫外線を照射する光照射部と、 マスクと、該マスクを保持するマスクステージを含むマ
スクステージ部と、 投影レンズと、 ワークと、該ワークを保持するワークステージを含むワ
ークステージ部とからなる投影露光装置において、 上記投影レンズは両テレセントリックレンズであり、 上記マスクステージは、マスクと平行に配置されたガラ
ス板を含み、 上記マスクのパターンを形成された面と、上記マスクス
テージと、上記ガラス板とで閉空間を形成することを特
徴とする投影露光装置。
1. A light irradiation unit that irradiates ultraviolet rays, a mask, a mask stage unit that includes a mask stage that holds the mask, a projection lens, a work, and a work stage unit that includes the work stage that holds the work. In the projection exposure apparatus, the projection lens is a bi-telecentric lens, the mask stage includes a glass plate arranged in parallel with the mask, the mask pattern surface, and the mask stage, A projection exposure apparatus, wherein a closed space is formed with the glass plate.
【請求項2】 マスクステージは、マスクのパターンを
形成された面とマスクステージとガラス板で形成された
閉空間に空気または不活性ガスを供給するガス導入口
と、導入した上記空気または不活性ガスを排出するガス
排気口を持つことを特徴とする請求項1の投影露光装
置。
2. The mask stage is provided with a gas inlet for supplying air or an inert gas to a closed surface formed by the mask stage, the mask stage and the glass plate, and the introduced air or the inert gas. The projection exposure apparatus according to claim 1, further comprising a gas exhaust port for exhausting gas.
【請求項3】 空気または不活性ガスをガス導入口に導
く流路中に、一対または複数対の放電電極を設け、該放
電電極に交流または直流電圧を印加して、空気または不
活性ガスをイオン化させることを特徴とする請求項2の
投影露光装置。
3. A pair of or a plurality of pairs of discharge electrodes are provided in a flow path for introducing air or an inert gas into the gas inlet, and an AC or DC voltage is applied to the discharge electrodes to remove the air or the inert gas. The projection exposure apparatus according to claim 2, wherein the projection exposure apparatus is ionized.
【請求項4】 ガス導入口およびガス排出口の閉空間側
における穴の形状がスリット状であり、該スリットの長
辺がマスク面と平行であることを特徴とする請求項2ま
たは請求項3の投影露光装置。
4. The gas inlet and the gas outlet on the closed space side are shaped like slits, and the long sides of the slits are parallel to the mask surface. Projection exposure equipment.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168027A (en) * 1999-11-05 2001-06-22 Asm Lithography Bv Lithography device
JP2001194801A (en) * 2000-01-14 2001-07-19 Toshiba Corp Exposure device
WO2002063396A1 (en) * 2001-01-04 2002-08-15 Asml Us, Inc. In-situ lithography mask cleaning
JP2005010700A (en) * 2003-06-23 2005-01-13 Toppan Printing Co Ltd Inspection apparatus and method for original plate for exposure
KR100842479B1 (en) * 2006-12-28 2008-07-01 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for preventing a contamination of a scanner lens and apparatus thereof
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2010501999A (en) * 2006-12-08 2010-01-21 キヤノン株式会社 Exposure equipment
US7911588B2 (en) 2007-04-06 2011-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and original
JP2015126044A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 ウシオ電機株式会社 Vacuum-ultraviolet light irradiation processing apparatus

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168027A (en) * 1999-11-05 2001-06-22 Asm Lithography Bv Lithography device
KR100496072B1 (en) * 2000-01-14 2005-06-17 가부시끼가이샤 도시바 Exposure apparatus
JP2001194801A (en) * 2000-01-14 2001-07-19 Toshiba Corp Exposure device
US6396563B2 (en) 2000-01-14 2002-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure apparatus
WO2002063396A1 (en) * 2001-01-04 2002-08-15 Asml Us, Inc. In-situ lithography mask cleaning
US6589354B2 (en) 2001-01-04 2003-07-08 Paul B. Reid Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning
KR100722905B1 (en) * 2001-01-04 2007-05-30 에이에스엠엘 유에스, 인크. In-situ lithography mask cleaning
JP2005010700A (en) * 2003-06-23 2005-01-13 Toppan Printing Co Ltd Inspection apparatus and method for original plate for exposure
US7522263B2 (en) 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8064038B2 (en) 2005-12-27 2011-11-22 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample
JP2010501999A (en) * 2006-12-08 2010-01-21 キヤノン株式会社 Exposure equipment
KR100842479B1 (en) * 2006-12-28 2008-07-01 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for preventing a contamination of a scanner lens and apparatus thereof
US7911588B2 (en) 2007-04-06 2011-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and original
JP2015126044A (en) * 2013-12-26 2015-07-06 ウシオ電機株式会社 Vacuum-ultraviolet light irradiation processing apparatus

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