WO2018139867A1 - Mask cleaning apparatus and laser annealing apparatus - Google Patents

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WO2018139867A1
WO2018139867A1 PCT/KR2018/001109 KR2018001109W WO2018139867A1 WO 2018139867 A1 WO2018139867 A1 WO 2018139867A1 KR 2018001109 W KR2018001109 W KR 2018001109W WO 2018139867 A1 WO2018139867 A1 WO 2018139867A1
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laser beam
laser
optical system
adhesive
rotation
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황대순
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(주)이오테크닉스
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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
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    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants

Definitions

  • the present invention relates to a mask cleaning apparatus and a laser annealing apparatus.
  • the base for exposure such as a photomask or a reticle
  • a dust cover called a pellicle is mounted on the photomask or the reticle.
  • patterning is performed by irradiating light to a photosensitive layer etc. through a photomask (it is also called an exposure disc and a reticle).
  • a photomask it is also called an exposure disc and a reticle.
  • a dust cover called a pellicle is mounted on the photo mask.
  • the pellicle includes a pellicle frame made of metal and a pellicle film disposed on one end face of the pellicle frame.
  • a mask adhesive layer for fixing the pellicle to the photomask may be formed at another end face of the pellicle frame. The pellicle must be replaced when its life is over or broken, and the adhesive layer must be removed for this purpose.
  • the adhesive layer is removed by a wet removal method using sulfuric acid or an organic chemical, but in this case, not only the adhesive layer but also the photo mask may be damaged together, and the adhesive layer removing process may be quite difficult.
  • the present invention provides a mask cleaning device and a laser annealing device for removing adhesive on a mask using a laser beam.
  • the present invention provides a mask cleaning device and a laser annealing device that can irradiate a uniform laser beam to the object to be processed by overlapping the laser beam irradiated to the adhesive through a rotating optical system to compensate for the spatial energy variation of the laser beam. do.
  • the laser irradiation unit The laser irradiation unit
  • a rotation drive unit providing a rotation drive force
  • It may be disposed in the movement path of the laser beam, rotated by the rotation drive unit, to rotate the position of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask by the rotation; may include a.
  • the variation width of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask by the rotation of the rotating optical system may be 10% or less of the size of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask.
  • the number of overlap of the laser beam irradiated on the same area of the adhesive on the photo mask may be determined by the frequency of the laser beam and the rotation speed of the rotating optical system.
  • the number of overlap of the laser beam irradiated on the same area of the adhesive on the photo mask may be 2 to 100 times.
  • the size of the rotating optical system may be 1 mm or more.
  • the size of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask may be 1 mm or more.
  • the irradiation position of the laser beam with respect to the adhesive can be moved in the width direction of the adhesive.
  • the laser irradiation unit may be configured to irradiate a laser beam to the same region of the adhesive for 30 seconds or more.
  • the cross-sectional shape of the rotating optical system may be a trapezoidal shape.
  • the cross-sectional shape of the rotating optical system may be rectangular.
  • It includes a laser irradiation unit for irradiating the laser beam to the object to be processed,
  • the laser irradiation unit The laser irradiation unit
  • a rotation drive unit providing a rotation drive force
  • Is disposed in the movement path of the laser beam, is rotated by the rotation drive unit, for rotating the position of the laser beam irradiated to the object to be processed by the rotation, may include; may include.
  • the laser annealing apparatus wherein the variation range of the laser beam irradiated to the processing object by the rotation of the rotating optical system is 10% or less of the size of the laser beam irradiated to the processing object.
  • the number of overlap of the laser beam irradiated on the same region of the object to be processed may be determined by the frequency of the laser beam and the rotation speed of the rotating optical system.
  • the number of overlap of the laser beam irradiated onto the same region of the object may be 2 to 100 times.
  • the size of the rotating optical system may be 1 mm or more.
  • the size of the laser beam irradiated onto the object may be 1 mm or more.
  • the irradiation position of the laser beam with respect to the processing object can be moved in the width direction of the processing object.
  • the laser irradiation unit may be configured to irradiate the laser beam to the same region of the object to be processed for 30 seconds or more.
  • the cross-sectional shape of the rotating optical system may be a trapezoidal shape.
  • the cross-sectional shape of the rotating optical system may be rectangular.
  • the mask cleaning apparatus and the laser annealing apparatus including the same can remove the adhesive without damaging the mask by selectively removing the adhesive on the mask using a laser.
  • the mask cleaning apparatus and the laser annealing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention, by overlapping the laser beam irradiated to the adhesive through a rotating optical system to compensate for the spatial energy deviation of the laser beam, uniform to the object to be processed
  • the laser beam can be irradiated.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a state where a pellicle is attached on a photo mask
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the photomask and the pellicle shown in FIG. 1.
  • FIG 3 is a view showing an adhesive remains on the surface of the photo mask after removing the pellicle from the photo mask.
  • 4 and 5 are views schematically showing the removal of the adhesive using a laser beam.
  • FIG. 6A is a line chart showing the spatial energy intensity of a laser beam irradiated to an adhesive, according to a comparative example
  • FIG. 6B is a raster showing the spatial energy intensity of a laser beam irradiated to an adhesive, according to a comparative example It is a chart.
  • FIG. 7 is a view conceptually illustrating a mask cleaning apparatus according to an embodiment
  • FIG. 8 is a perspective view illustrating an example of the laser irradiation part of FIG. 7.
  • Figure 10a is a view for explaining the operation of the rotating optical system of Figure 9
  • Figures 10b and 10c is a view that the laser beam of Figure 10a is irradiated to the adhesive It is conceptually explained.
  • 11A and 11B are line charts and raster charts showing spatial energy intensities of a laser beam applied to an adhesive when the rotating optical system according to FIG. 10 is rotated.
  • FIG. 12A is a diagram illustrating another embodiment of a rotating optical system
  • FIG. 12B is a diagram for describing an operation of the rotating optical system of FIG. 12A.
  • first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are only used to distinguish one component from another.
  • first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
  • the term “and / or” includes any combination of a plurality of related items or any one of a plurality of related items.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a state in which a pellicle 20 is attached to a photo mask 10
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the photo mask 10 and the pellicle 20 illustrated in FIG. 1.
  • the pellicle 20 may be attached to the photo mask 10.
  • the mask pattern 12 may be formed on the photo mask 10.
  • the shape of the mask pattern 12 may vary depending on a patterning shape to be formed through a lithography process in a semiconductor device such as an LSI, an ultra LSI, or a liquid crystal panel.
  • the photo mask 10 may include various materials.
  • the photo mask 10 may include quartz.
  • the photo mask 10 may include a quartz layer and a chromium (Cr) layer provided on the quartz layer.
  • the photomask 10 may include a quartz layer and a molybdenum silicide (MoSi) layer provided on the quartz layer.
  • the photo mask 10 may include at least one of quartz, chromium, and molybdenum silicide on the surface that meets the adhesive 30.
  • the above materials are merely exemplary and are not limited thereto.
  • the pellicle 20 may be attached to the photo mask 10.
  • the pellicle 20 may include a pellicle frame 24 and a pellicle film 22 provided on the pellicle frame 24.
  • the size and shape of the pellicle frame 24 may vary in accordance with the size and shape of the photo mask 10 used in the lithography process. In addition, the size and shape of the pellicle frame 24 may not necessarily correspond to the size and shape of the photo mask 10.
  • the pellicle film 22 may be attached to one surface of the pellicle frame 24.
  • the pellicle film 22 may be attached through the pellicle frame 24 and the pellicle adhesive layer 26.
  • the present invention is not limited thereto, and the pellicle film 22 and the pellicle frame 24 may be integrally connected without the pellicle adhesive layer 26.
  • the pellicle film 22 is a transparent material and may transmit light through the pellicle film 22 during the lithography process. The light transmitted through the pellicle film 22 can pattern the object to be processed via the photomask 10.
  • a predetermined space may be provided between the pellicle film 22 and the photo mask 10.
  • the predetermined space may be blocked from the outside by the pellicle film 22 and the pellicle frame 24. Therefore, foreign matters may be prevented from entering the photo mask 10.
  • the pellicle 20 may be attached to the photo mask 10 through the adhesive 30.
  • the adhesive 30 is made of an adhesive material having an adhesive force, and the pellicle 20 may be fixed on the photo mask 10.
  • the adhesive 30 may include a fluoropolymer-based material.
  • Exemplary of the fluoropolymer series materials include polytetrafluoroethylene polymer, tetrafluoroethylene (TFE) / perfluoro (alkyl vinyl ether) polymer and ethylene / tetrafluoroethylene polymer, chlorotrifluoroethylene (CTFE) And the like, but are not limited thereto.
  • the adhesive 30 may include other materials.
  • the adhesive 30 may include a hydrogenated substance of a block polymer having a saturated cyclic hydrocarbon structure such as styrene / isoprene / styrene-based triblock polymer, and an adhesive material containing a tackifier. It may also comprise a hot melt adhesive material containing styrene / ethylene / propylene / styrene triblock copolymers and aliphatic petroleum resins.
  • FIG 3 is a view showing a state in which the adhesive 30 remains on the surface of the photo mask 10 after removing the pellicle 20 from the photo mask 10.
  • the adhesive 30 when the adhesive 30 remains on the photo mask 10, it may be difficult to replace the pellicle 20 and attach the photo mask 10 to the photo mask 10 again.
  • an organic compound or a sulfuric acid compound was used to remove the adhesive on the photo mask 10. That is, the adhesive 30 may be removed through a wet cleaning process using the organic compound or the sulfuric acid compound.
  • the wet cleaning process when the wet cleaning process is performed, a problem may occur in that the transmittance of the mask pattern 12 or the material of the photomask 10 of the photomask 10 is changed. In addition, the cleaning process itself is cumbersome and time consuming.
  • 4 and 5 are views schematically showing the removal of the adhesive 30 using the laser beam (L).
  • the adhesive 30 may be removed from the photomask 10 by irradiating the laser beam L on the adhesive 30.
  • the adhesive 30 may be removed using the energy of the laser beam L.
  • FIG. The adhesive 30 may have a predetermined width w.
  • the width w of the adhesive 30 may be at least 1 mm.
  • the size of the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 may be 1 mm or more.
  • the parameters related to the optical characteristics of the laser beam L can be controlled appropriately.
  • the processing time of the laser beam L irradiated onto the same region of the adhesive 30 may be 30 seconds or more.
  • the processing time of the laser beam L irradiated onto the same region of the adhesive 30 may be 10 minutes or less.
  • a beam homogenizer for constantly adjusting the energy intensity of the laser beam L may be used.
  • a beam homogenizer due to the optical interference phenomenon, there is a spatial energy deviation of the laser beam (L).
  • FIG. 6A is a line chart showing the spatial energy intensity of the laser beam L irradiated to the adhesive 30, and FIG. 6B is a raster illustrating the spatial energy intensity of the laser beam L irradiated to the adhesive 30. raster) chart.
  • the laser beam L irradiated to the adhesive 30 through the beam homogenizer may have a predetermined deviation depending on its position in the X and Y directions.
  • regions D1, D2, and D3 of the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 have lower energy intensities than adjacent regions.
  • the mask cleaning apparatus 1 may further include a rotation optical system 210 (see FIG. 7) capable of compensating for spatial energy variation of the laser beam L.
  • FIG. 7 a rotation optical system 210 (see FIG. 7) capable of compensating for spatial energy variation of the laser beam L.
  • FIG. 7 is a view conceptually illustrating a mask cleaning apparatus 1 according to an exemplary embodiment
  • FIG. 8 is a perspective view illustrating an example of the laser irradiator 200 of FIG. 7.
  • the mask cleaning apparatus 1 includes a laser source 100 and a laser irradiator 200.
  • the laser source 100 generates a laser beam L.
  • the laser beam L may have a wavelength capable of removing the adhesive 30 without damaging the photo mask 10.
  • the wavelength of the laser beam L may be 193 nm to 290 nm.
  • the laser beam L may be a pulsed laser beam.
  • the laser beam L is not limited thereto and may be a continuous wave laser beam.
  • the laser irradiation part 200 irradiates the laser beam L to the adhesive agent 30 on the photomask 10.
  • the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 by the laser irradiator 200 may have a spatial energy deviation.
  • the spatial energy variation of the laser beam L may be 3% to 10% of the maximum energy intensity.
  • the laser irradiator 200 may include a rotating optical system 210 and a rotating driver 230 that provides a rotating driving force to the rotating optical system 210.
  • the laser irradiator 200 may further include a belt 250 that transmits the rotation driving force of the rotation driver 230 to the rotation optical system 210.
  • the laser irradiator 200 may further include an optical system used as a beam homogenizer.
  • the rotating optical system 210 is disposed in the movement path of the laser beam L and passes the laser beam L.
  • FIG. The rotation optical system 210 may be rotated by the rotation driver 230.
  • the rotation optical system 210 may overlap the laser beam L irradiated to the adhesive 30 by rotation to compensate for the spatial energy deviation of the laser beam L irradiated to the adhesive 30.
  • FIG. 9 is a view for explaining an example of the rotating optical system 210a
  • Figure 10a is a view for explaining the operation of the rotating optical system 210a of Figure 9
  • Figures 10b and 10c is a laser beam of Figure 10a L) is conceptually described how the irradiation on the adhesive (30).
  • the rotation optical system 210a may be rotated about a predetermined rotation axis R.
  • the predetermined rotation axis R may be parallel to the incident direction of the laser beam L.
  • the cross-sectional shape of the rotating optical system 210a may be a trapezoidal shape.
  • the rotating optical system 210a includes a first surface 2101 perpendicular to the incident direction of the laser beam L, and a second surface 2102 forming an acute angle ⁇ with the incident direction of the laser beam L.
  • the laser beam L generated by the laser source 100 is refracted in the process of being incident on the rotating optical system 210a and exiting to the second surface 2102.
  • the emission direction of the laser beam L incident to the rotating optical system 210a is changed.
  • the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 moves in position.
  • the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 is moved in the width direction (X direction) of the adhesive 30.
  • the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 moves in the width direction (X direction) as well as in the longitudinal direction (Y direction) of the adhesive 30.
  • the total energy of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 for a predetermined time becomes similar throughout.
  • the total amount of energy of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 is Appear differently locally. As a result, the total amount of energy of the laser beam L irradiated to a portion of the adhesive 30 is smaller than that of the other regions, and the adhesive 30 remains in the partial region without being removed.
  • the total amount of energy of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 for a predetermined time is generally the same. Therefore, it is possible to prevent or significantly reduce the phenomenon in which the adhesive 30 remains.
  • the variation width N of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 by the rotation of the rotating optical system 210a is the laser beam L irradiated to the adhesive 30. It may be less than 10% of the size (N) of.
  • the variation width N of the laser beam L is related to the angle ⁇ of the second surface 2102 with respect to the first surface 2101 of the rotating optical system 210a and the focal length f of the rotating optical system 210a. It can be determined by the following equation (1).
  • N 2ftan (sin -1 (nsintheta) - ⁇ ) ... (1)
  • the laser beam L overlaps and irradiates to the same area 30-1 of the adhesive agent 30.
  • the laser irradiator 200 irradiates the laser beam L slightly to the right with respect to the same region 30-1 of the adhesive 30, and then rotates the rotating optical system 210a.
  • the laser beam L1 can be irradiated to the left side with respect to the same area
  • the number of overlaps of the laser beam L with respect to the same region 30-1 of the adhesive 30 may be two times.
  • the number of overlaps of the laser beam L with respect to the same region 30-1 of the adhesive 30 may be four times.
  • the number of overlaps n of the laser beams L applied to the same region 30-1 of the adhesive 30 may be 2 to 100 times.
  • the number of overlaps of the laser beam L may be determined by the frequency ⁇ of the laser beam L and the rotational speed per minute of the rotating optical system 210a.
  • the number of overlaps of the laser beam L may be determined by the following equation (2).
  • n (60 ⁇ ) / rpm ... (2)
  • the size (or height) of the rotating optical system 210a of the laser irradiator 200 used to irradiate the laser beam L to the adhesive 30 is the width w of the adhesive 30. Can be greater than The size of the rotating optical system 210a may be 1 mm or more. The size of the rotating optical system 210a may be 200 mm or less.
  • the material of the rotating optical system 210a may be freely used as long as the material is used as an optical configuration.
  • the rotation optical system 210a may include at least one of fused silica, quartz, silica, nbk7, and bk7.
  • 11A and 11B are line charts and raster charts showing spatial energy intensities of the laser beam L applied to the adhesive 30 when the rotating optical system 210a according to FIG. 10 is rotated.
  • the energy intensity profile of the laser beam L is moved left and right as the rotating optical system 210a rotates.
  • the laser beam L applied to the predetermined position for a predetermined time becomes constant.
  • the rectangular laser beam L applied to the adhesive 30 has a uniform distribution with each other in two dimensions. Accordingly, the laser beam L applied to the adhesive 30 on the photo mask 10 is constant for a predetermined time, thereby preventing or minimizing the phenomenon in which the adhesive 30 is not removed.
  • FIG. 12A is a view showing another embodiment of the rotating optical system 210b
  • FIG. 12B is a view for explaining the operation of the rotating optical system 210b of FIG. 12A.
  • the cross-sectional shape of the rotating optical system 210b may be rectangular.
  • the rotating optical system 210b may be disposed obliquely with respect to the incident direction. Accordingly, the position of the laser beam L applied to the adhesive 30 may be changed by the rotation of the rotating optical system 210b.
  • the mask cleaning apparatus 1 has been described centering on the example used to remove the adhesive 30 on the photo mask 10.
  • the use of the mask cleaning apparatus 1 according to the embodiment is not limited thereto, and may be used as a laser annealing apparatus for annealing an object to be processed other than the adhesive 30 using the laser beam L.

Abstract

A mask cleaning apparatus is disclosed. The disclosed mask cleaning apparatus comprises: a laser source for generating a laser beam; and a laser emitting unit for emitting a laser beam at an adhesive on a photomask, wherein the laser emitting unit includes: a rotational driving unit for providing a rotational driving force; and a rotating optical system disposed on a moving path of the laser beam, rotated by the rotational driving unit, and moving, by the rotation, the location of the laser beam emitted at the adhesive on the photomask so as to compensate for a spatial energy variation of the laser beam.

Description

마스크 세정 장치 및 레이저 어닐링 장치Mask cleaning device and laser annealing device
본 발명은 마스크 세정 장치 및 레이저 어닐링 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a mask cleaning apparatus and a laser annealing apparatus.
반도체 장치나 액정 디스플레이 등의 회로 패턴 제조시의 리소그래피 공정에 있어서, 포토마스크 또는 레티클 등의 노광용 기반이 사용된다. 그런데 이러한 노광용 기판에 이물질이 부착되면, 리소그래피 공정의 정밀도가 떨어질 수 있는 바, 이물질 부착을 방지하기 위해, 펠리클(Pellicle)이라고 불리는 방진 커버가 포토마스크 또는 레티클 위에 장착된다.In the lithography process at the time of manufacture of circuit patterns, such as a semiconductor device and a liquid crystal display, the base for exposure, such as a photomask or a reticle, is used. However, when foreign matter adheres to the substrate for exposure, the precision of the lithography process may be reduced. In order to prevent foreign matter adhesion, a dust cover called a pellicle is mounted on the photomask or the reticle.
LSI, 초LSI 등의 반도체 디바이스나 액정 표시판 등의 제조 공정에서는, 포토 마스크(노광 원판, 레티클이라고도 한다)를 통해 감광층 등에 광을 조사하는 것에 의해 패터닝을 행한다. 그 때, 포토 마스크에 이물이 부착되어 있으면, 광이 이물에 의해 흡수 또는 굴곡되게 된다. 이 때문에, 형성되는 패턴이 변형되거나 에지가 들쭉날쭉해져 패터닝의 치수, 품질 및 외관 등이 손상되어 버린다는 문제가 생긴다. 이와 같은 문제를 해소하도록, 펠리클(Pellicle)이라고 불리는 방진 커버가 포토 마스크 위에 장착된다. In manufacturing processes, such as semiconductor devices, such as LSI and ultra-LSI, and a liquid crystal display panel, patterning is performed by irradiating light to a photosensitive layer etc. through a photomask (it is also called an exposure disc and a reticle). At this time, if a foreign matter adheres to the photomask, light is absorbed or bent by the foreign matter. For this reason, there arises a problem that the pattern to be formed is deformed or the edges are jagged and the dimension, quality and appearance of the patterning are damaged. To solve this problem, a dust cover called a pellicle is mounted on the photo mask.
펠리클은 금속제의 펠리클 프레임과, 펠리클 프레임의 일 단면에 배치된 펠리클 막을 포함한다. 그리고, 펠리클 프레임의 다른 단면에는, 펠리클을 포토 마스크에 고정하기 위한 마스크 접착제층이 형성되어 있을 수 있다. 펠리클은 그 수명이 다하거나 파손된 경우, 교체를 해주어야 하는데 이를 위해서 전술한 접착제층을 제거해주어야 한다.The pellicle includes a pellicle frame made of metal and a pellicle film disposed on one end face of the pellicle frame. In addition, a mask adhesive layer for fixing the pellicle to the photomask may be formed at another end face of the pellicle frame. The pellicle must be replaced when its life is over or broken, and the adhesive layer must be removed for this purpose.
종래 황산이나 유기 화학물을 이용하여 습식 제거방식에 의해 접착제층을 제거하였으나 이 경우, 접착제층뿐만 아니라 포토 마스크가 함께 손상 될 수 있으며, 접착제층 제거 공정이 상당히 까다로워지는 문제점이 있다.Conventionally, the adhesive layer is removed by a wet removal method using sulfuric acid or an organic chemical, but in this case, not only the adhesive layer but also the photo mask may be damaged together, and the adhesive layer removing process may be quite difficult.
본 발명은 레이저 빔을 이용하여 마스크 상의 접착제를 제거하는 마스크 세정 장치 및 레이저 어닐링 장치를 제공한다. The present invention provides a mask cleaning device and a laser annealing device for removing adhesive on a mask using a laser beam.
또한, 본 발명은 회전 광학계를 통해 접착제에 조사되는 레이저 빔을 중첩시켜 레이저 빔의 공간적인 에너지 편차를 보완함으로써, 가공 대상물에 균일한 레이저 빔을 조사할 수 있는 마스크 세정 장치 및 레이저 어닐링 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a mask cleaning device and a laser annealing device that can irradiate a uniform laser beam to the object to be processed by overlapping the laser beam irradiated to the adhesive through a rotating optical system to compensate for the spatial energy variation of the laser beam. do.
본 발명의 일 측면에 따른 마스크 세정 장치는, Mask cleaning apparatus according to an aspect of the present invention,
레이저 빔을 생성하는 레이저 소스와,A laser source for generating a laser beam,
포토 마스크 상의 접착제에 상기 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사부를 포함하며,A laser irradiation part for irradiating the laser beam to the adhesive on the photo mask,
상기 레이저 조사부는,The laser irradiation unit,
회전 구동력을 제공하는 회전 구동부; 및A rotation drive unit providing a rotation drive force; And
상기 레이저 빔의 이동 경로에 배치되며, 상기 회전 구동부에 의해 회전되며, 상기 회전에 의해 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사되는 레이저 빔의 위치를 이동시키는, 회전 광학계;를 포함할 수 있다.It may be disposed in the movement path of the laser beam, rotated by the rotation drive unit, to rotate the position of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask by the rotation; may include a.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 회전에 의해 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사되는 레이저 빔의 변동폭은, 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사되는 레이저 빔의 크기의 10 % 이하일 수 있다.In one embodiment, the variation width of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask by the rotation of the rotating optical system may be 10% or less of the size of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask.
일 실시예에 있어서, 상기 포토 마스크 상의 접착제의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는, 상기 레이저 빔의 주파수 및 상기 회전 광학계의 회전 속도에 의해 결정될 수 있다.In one embodiment, the number of overlap of the laser beam irradiated on the same area of the adhesive on the photo mask may be determined by the frequency of the laser beam and the rotation speed of the rotating optical system.
일 실시예에 있어서, 상기 포토 마스크 상의 접착제의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는 2회 ~ 100 회일 수 있다.In one embodiment, the number of overlap of the laser beam irradiated on the same area of the adhesive on the photo mask may be 2 to 100 times.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 크기는 1 mm 이상일 수 있다.In one embodiment, the size of the rotating optical system may be 1 mm or more.
일 실시예에 있어서, 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사된 상기 레이저 빔의 크기는, 1 mm 이상일 수 있다.In one embodiment, the size of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask may be 1 mm or more.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계에 회전에 의해, 상기 접착제에 대한 상기 레이저 빔의 조사 위치는 상기 접착제의 폭 방향으로 이동될 수 있다.In one embodiment, by rotating to the rotating optical system, the irradiation position of the laser beam with respect to the adhesive can be moved in the width direction of the adhesive.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저 조사부는, 상기 접착제의 동일 영역에 레이저 빔이 30초 이상 조사되도록 구성될 수 있다.In one embodiment, the laser irradiation unit may be configured to irradiate a laser beam to the same region of the adhesive for 30 seconds or more.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 단면 형상은 사다리꼴 형상일 수 있다.In one embodiment, the cross-sectional shape of the rotating optical system may be a trapezoidal shape.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 단면 형상은 직사각형일 수 있다.In one embodiment, the cross-sectional shape of the rotating optical system may be rectangular.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 어닐링 장치는 Laser annealing apparatus according to an aspect of the present invention
레이저 빔을 생성하는 레이저 소스와,A laser source for generating a laser beam,
상기 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 레이저 조사부를 포함하며,It includes a laser irradiation unit for irradiating the laser beam to the object to be processed,
상기 레이저 조사부는,The laser irradiation unit,
회전 구동력을 제공하는 회전 구동부; 및A rotation drive unit providing a rotation drive force; And
상기 레이저 빔의 이동 경로에 배치되며, 상기 회전 구동부에 의해 회전되며, 상기 회전에 의해 상기 가공 대상물에 조사되는 레이저 빔의 위치를 이동시키는, 회전 광학계;를 포함할 수 있다.Is disposed in the movement path of the laser beam, is rotated by the rotation drive unit, for rotating the position of the laser beam irradiated to the object to be processed by the rotation, may include; may include.
상기 회전 광학계의 회전에 의해 상기 가공 대상물에 조사되는 레이저 빔의 변동폭은, 상기 가공 대상물에 조사되는 레이저 빔의 크기의 10 % 이하인, 레이저 어닐링 장치.The laser annealing apparatus, wherein the variation range of the laser beam irradiated to the processing object by the rotation of the rotating optical system is 10% or less of the size of the laser beam irradiated to the processing object.
일 실시예에 있어서, 상기 가공 대상물의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는, 상기 레이저 빔의 주파수 및 상기 회전 광학계의 회전 속도에 의해 결정될 수 있다.In one embodiment, the number of overlap of the laser beam irradiated on the same region of the object to be processed may be determined by the frequency of the laser beam and the rotation speed of the rotating optical system.
일 실시예에 있어서, 상기 가공 대상물의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는 2회 ~ 100 회일 수 있다.In one embodiment, the number of overlap of the laser beam irradiated onto the same region of the object may be 2 to 100 times.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 크기는 1 mm 이상일 수 있다.In one embodiment, the size of the rotating optical system may be 1 mm or more.
일 실시예에 있어서, 상기 가공 대상물에 조사된 상기 레이저 빔의 크기는, 1 mm 이상일 수 있다.In an embodiment, the size of the laser beam irradiated onto the object may be 1 mm or more.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계에 회전에 의해, 상기 가공 대상물에 대한 상기 레이저 빔의 조사 위치는 상기 가공 대상물의 폭 방향으로 이동될 수 있다.In one embodiment, by rotating to the rotating optical system, the irradiation position of the laser beam with respect to the processing object can be moved in the width direction of the processing object.
일 실시예에 있어서, 상기 레이저 조사부는, 상기 가공 대상물의 동일 영역에 상기 레이저 빔이 30초 이상 조사되도록 구성될 수 있다.In one embodiment, the laser irradiation unit may be configured to irradiate the laser beam to the same region of the object to be processed for 30 seconds or more.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 단면 형상은 사다리꼴 형상일 수 있다.In one embodiment, the cross-sectional shape of the rotating optical system may be a trapezoidal shape.
일 실시예에 있어서, 상기 회전 광학계의 단면 형상은 직사각형일 수 있다.In one embodiment, the cross-sectional shape of the rotating optical system may be rectangular.
본 발명의 실시예에 따른 마스크 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 어닐링 장치는, 레이저를 이용해 마스크 상의 접착제를 선택적으로 제거함으로써 마스크의 손상 없이 접착제를 제거할 수 있다.The mask cleaning apparatus and the laser annealing apparatus including the same according to the embodiment of the present invention can remove the adhesive without damaging the mask by selectively removing the adhesive on the mask using a laser.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 마스크 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 어닐링 장치는, 회전 광학계를 통해 접착제에 조사되는 레이저 빔을 중첩시켜 레이저 빔의 공간적인 에너지 편차를 보완함으로써, 가공 대상물에 균일한 레이저 빔을 조사할 수 있다.In addition, the mask cleaning apparatus and the laser annealing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention, by overlapping the laser beam irradiated to the adhesive through a rotating optical system to compensate for the spatial energy deviation of the laser beam, uniform to the object to be processed The laser beam can be irradiated.
도 1은 펠리클이 포토 마스크 상에 부착된 모습을 나타낸 사시도이이며, 1 is a perspective view showing a state where a pellicle is attached on a photo mask,
도 2는 도 1에서 나타낸 포토 마스크와 펠리클의 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the photomask and the pellicle shown in FIG. 1.
도 3은 포토 마스크에서 펠리클을 제거한 후, 접착제가 포토 마스크의 표면에 남아있는 모습을 나타낸 도면이다.3 is a view showing an adhesive remains on the surface of the photo mask after removing the pellicle from the photo mask.
도 4 및 도 5는 레이저 빔을 이용하여 접착제를 제거하는 모습을 대략적으로 나타낸 도면이다.4 and 5 are views schematically showing the removal of the adhesive using a laser beam.
도 6a는 비교예에 따라, 접착제에 조사된 레이저 빔의 공간적인 에너지 강도를 나타낸 라인 차트이며, 도 6b는 비교예에 따라, 접착제에 조사된 레이저 빔의 공간적인 에너지 강도를 나타낸 래스터(raster) 차트이다.6A is a line chart showing the spatial energy intensity of a laser beam irradiated to an adhesive, according to a comparative example, and FIG. 6B is a raster showing the spatial energy intensity of a laser beam irradiated to an adhesive, according to a comparative example It is a chart.
도 7은 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 개념적으로 나타낸 도면이며, 도 8은 도 7의 레이저 조사부의 일 예를 나타낸 사시도이다.7 is a view conceptually illustrating a mask cleaning apparatus according to an embodiment, and FIG. 8 is a perspective view illustrating an example of the laser irradiation part of FIG. 7.
도 9는 회전 광학계의 일 예를 설명하기 위한 도면이며, 도 10a는 도 9의 회전 광학계의 작동을 설명하기 위한 도면이며, 도 10b 및 도 10c는 도 10a의 레이저 빔이 접착제에 조사되는 모습을 개념적으로 설명한 것이다.9 is a view for explaining an example of a rotating optical system, Figure 10a is a view for explaining the operation of the rotating optical system of Figure 9, Figures 10b and 10c is a view that the laser beam of Figure 10a is irradiated to the adhesive It is conceptually explained.
도 11a 및 도 11b는 도 10에 따른 회전 광학계를 회전시켰을 때, 접착제에 가해진 레이저 빔의 공간적인 에너지 강도를 나타낸 라인 차트 및 래스터 차트이다.11A and 11B are line charts and raster charts showing spatial energy intensities of a laser beam applied to an adhesive when the rotating optical system according to FIG. 10 is rotated.
도 12a는 회전 광학계의 다른 실시예를 나타낸 도면이며, 도 12b는 도 12a의 회전 광학계의 작동을 설명하기 위한 도면이다.12A is a diagram illustrating another embodiment of a rotating optical system, and FIG. 12B is a diagram for describing an operation of the rotating optical system of FIG. 12A.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; Like reference numerals in the drawings refer to like elements, and the size or thickness of each element may be exaggerated for clarity.
“제1”, “제2” 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. “및/또는” 이라는 용어는 복수의 관련된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 항목들 중의 어느 하나의 항목을 포함한다. Terms including ordinal numbers such as “first” and “second” may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are only used to distinguish one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. The term “and / or” includes any combination of a plurality of related items or any one of a plurality of related items.
도 1은 펠리클(20)이 포토 마스크(10) 상에 부착된 모습을 나타낸 사시도이이며, 도 2는 도 1에서 나타낸 포토 마스크(10)와 펠리클(20)의 단면을 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a state in which a pellicle 20 is attached to a photo mask 10, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the photo mask 10 and the pellicle 20 illustrated in FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 포토 마스크(10) 상에 펠리클(20)이 부착되어 있을 수 있다. 포토 마스크(10)에는 마스크 패턴(12)이 형성되어 있을 수 있다. 마스크 패턴(12)의 모양은 LSI, 초LSI 등의 반도체 디바이스나 액정 표시판에서 리소그래피 공정을 통해 형성하려는 패터닝 모양에 따라 달라질 수 있다. 포토 마스크(10)는 다양한 물질을 포함할 수 있다. 예시적으로 포토 마스크(10)는 석영(Quartz)을 포함할 수 있다. 또한, 포토 마스크(10)는 석영층 및 석영층 위에 마련된 크롬(Cr)층을 포함할 수 있다. 다른 예로, 포토 마스크(10)는 석영층 및 석영층 위에 마련된 몰디브덴 실리사이드(molybdenum silicide; MoSi)층을 포함할 수 있다. 따라서, 포토 마스크(10)는 접착제(30)과 만나는 표면에 석영, 크롬 및 몰디브덴 실리사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 위의 물질들은 예시적인 것에 불과할 뿐 이에 제한되는 것은 아니다.1 and 2, the pellicle 20 may be attached to the photo mask 10. The mask pattern 12 may be formed on the photo mask 10. The shape of the mask pattern 12 may vary depending on a patterning shape to be formed through a lithography process in a semiconductor device such as an LSI, an ultra LSI, or a liquid crystal panel. The photo mask 10 may include various materials. In exemplary embodiments, the photo mask 10 may include quartz. In addition, the photo mask 10 may include a quartz layer and a chromium (Cr) layer provided on the quartz layer. As another example, the photomask 10 may include a quartz layer and a molybdenum silicide (MoSi) layer provided on the quartz layer. Accordingly, the photo mask 10 may include at least one of quartz, chromium, and molybdenum silicide on the surface that meets the adhesive 30. The above materials are merely exemplary and are not limited thereto.
포토 마스크(10) 상에는 펠리클(20)이 부착되어 있을 수 있다. 펠리클(20)은 펠리클 프레임(24)과 펠리클 프레임(24) 상에 마련된 펠리클 막(22)을 포함할 수 있다. 펠리클 프레임(24)의 크기 및 모양은 리소그래피 공정에 사용되는 포토 마스크(10)의 크기 및 모양에 대응하여 다양하게 바뀔 수 있다. 또한, 펠리클 프레임(24)의 크기 및 모양은 포토 마스크(10)의 크기 및 모양과 반드시 대응하지 않을 수도 있다. 펠리클 프레임(24)의 일면에는 펠리클 막(22)이 부착되어 있을 수 있다. 펠리클 막(22)은 펠리클 프레임(24)과 펠리클 접착층(26)을 통해 부착되어 있을 수 있다. 하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 펠리클 막(22)과 펠리클 프레임(24)이 펠리클 접착층(26) 없이 일체로 연결되어 있을 수도 있다. 펠리클 막(22)은 투명성 재질로서, 리소그래피 공정시 펠리클 막(22)을 통해 광이 투과할 수 있다. 펠리클 막(22)을 투과한 광은 포토 마스크(10)를 거쳐 가공 대상물을 패터닝 할 수 있다.The pellicle 20 may be attached to the photo mask 10. The pellicle 20 may include a pellicle frame 24 and a pellicle film 22 provided on the pellicle frame 24. The size and shape of the pellicle frame 24 may vary in accordance with the size and shape of the photo mask 10 used in the lithography process. In addition, the size and shape of the pellicle frame 24 may not necessarily correspond to the size and shape of the photo mask 10. The pellicle film 22 may be attached to one surface of the pellicle frame 24. The pellicle film 22 may be attached through the pellicle frame 24 and the pellicle adhesive layer 26. However, the present invention is not limited thereto, and the pellicle film 22 and the pellicle frame 24 may be integrally connected without the pellicle adhesive layer 26. The pellicle film 22 is a transparent material and may transmit light through the pellicle film 22 during the lithography process. The light transmitted through the pellicle film 22 can pattern the object to be processed via the photomask 10.
펠리클(20)이 포토 마스크(10) 상에 부착되어 있을 때, 펠리클 막(22)과 포토 마스크(10) 사이에는 소정의 공간이 마련될 수 있다. 그리고 상기 소정의 공간은 펠리클 막(22) 및 펠리클 프레임(24)에 의해 외부와 차단될 수 있다. 따라서 포토 마스크(10)에 이물질이 유입되는 것이 방지될 수 있다.When the pellicle 20 is attached on the photo mask 10, a predetermined space may be provided between the pellicle film 22 and the photo mask 10. The predetermined space may be blocked from the outside by the pellicle film 22 and the pellicle frame 24. Therefore, foreign matters may be prevented from entering the photo mask 10.
펠리클(20)은 접착제(30)를 통해 포토 마스크(10)에 부착될 수 있다. 접착제(30)은 접착력을 가진 접착 물질로 구성되며, 펠리클(20)을 포토 마스크(10) 상에 고정시킬 수 있다. 예시적으로, 접착제(30)은 플루오르 폴리머 계열 물질을 포함할 수 있다. 예시적으로 상기 플루오르 폴리머 계열 물질은 폴리테트라플루오로에틸렌 중합체, 테트라플루오로에틸렌(TFE)/퍼플루오로(알킬 비닐 에테르)중합체 및 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 중합체, 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE) 등을 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 플루오르 폴리머 계열 외에도 접착제(30)는 다른 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 접착제(30)은 스타이렌/아이소프렌/스타이렌계 트라이블록 중합체 등의 포화 환상 탄화수소 구조를 갖는 블록 중합체의 수소 첨가체와, 점착 부여제를 함유하는 접착제 물질을 포함할 수 있다. 또한, 스타이렌/에틸렌/프로필렌/스타이렌 트라이블록 공중합체와, 지방족계 석유 수지를 함유하는 핫 멜트 접착제 물질을 포함할 수도 있다.The pellicle 20 may be attached to the photo mask 10 through the adhesive 30. The adhesive 30 is made of an adhesive material having an adhesive force, and the pellicle 20 may be fixed on the photo mask 10. In exemplary embodiments, the adhesive 30 may include a fluoropolymer-based material. Exemplary of the fluoropolymer series materials include polytetrafluoroethylene polymer, tetrafluoroethylene (TFE) / perfluoro (alkyl vinyl ether) polymer and ethylene / tetrafluoroethylene polymer, chlorotrifluoroethylene (CTFE) And the like, but are not limited thereto. In addition to the fluoropolymer series, the adhesive 30 may include other materials. For example, the adhesive 30 may include a hydrogenated substance of a block polymer having a saturated cyclic hydrocarbon structure such as styrene / isoprene / styrene-based triblock polymer, and an adhesive material containing a tackifier. It may also comprise a hot melt adhesive material containing styrene / ethylene / propylene / styrene triblock copolymers and aliphatic petroleum resins.
도 3은 포토 마스크(10)에서 펠리클(20)을 제거한 후, 접착제(30)가 포토 마스크(10)의 표면에 남아있는 모습을 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a state in which the adhesive 30 remains on the surface of the photo mask 10 after removing the pellicle 20 from the photo mask 10.
도 3에서 나타낸 바와 같이, 포토 마스크(10)에 접착제(30)가 남아있으면, 펠리클(20)을 교체하여 다시 포토 마스크(10)에 부착하는데 어려움이 있을 수 있다. 종래에는 포토 마스크(10) 상의 접착제를 제거하기 위해 유기화합물이나 황산 화합물을 사용했다. 즉, 상기 유기 화합물이나 황산 화합물을 이용한 습식 세정 공정을 통해 접착제(30)를 제거할 수 있다. 하지만 상기 습식 세정 공정에 의할 경우 포토 마스크(10)의 마스크 패턴(12)이나 포토 마스크(10) 재질의 투과율 등이 변하는 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 세정 공정 자체가 번거롭고 많은 시간이 소모될 수 있다.As shown in FIG. 3, when the adhesive 30 remains on the photo mask 10, it may be difficult to replace the pellicle 20 and attach the photo mask 10 to the photo mask 10 again. Conventionally, an organic compound or a sulfuric acid compound was used to remove the adhesive on the photo mask 10. That is, the adhesive 30 may be removed through a wet cleaning process using the organic compound or the sulfuric acid compound. However, when the wet cleaning process is performed, a problem may occur in that the transmittance of the mask pattern 12 or the material of the photomask 10 of the photomask 10 is changed. In addition, the cleaning process itself is cumbersome and time consuming.
도 4 및 도 5는 레이저 빔(L)을 이용하여 접착제(30)를 제거하는 모습을 대략적으로 나타낸 도면이다.4 and 5 are views schematically showing the removal of the adhesive 30 using the laser beam (L).
도 4 및 도 5를 참조하면, 접착제(30)에 레이저 빔(L)을 조사함으로써, 포토 마스크(10)에서 접착제(30)를 제거할 수 있다. 도 4 및 도 5에서 나타낸 접착제(30) 제거방법에서는 전술한 습식 세정 공정 대신, 레이저 빔(L)의 에너지를 이용해 접착제(30)를 제거할 수 있다. 접착제(30)는 소정의 폭(w)을 가질 수 있다. 예를 들어, 접착제(30)의 폭(w)은 1 mm 이상일 수 있다. 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)의 크기는 1 mm 이상일 수 있다.4 and 5, the adhesive 30 may be removed from the photomask 10 by irradiating the laser beam L on the adhesive 30. In the method of removing the adhesive 30 shown in FIGS. 4 and 5, instead of the wet cleaning process described above, the adhesive 30 may be removed using the energy of the laser beam L. FIG. The adhesive 30 may have a predetermined width w. For example, the width w of the adhesive 30 may be at least 1 mm. The size of the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 may be 1 mm or more.
레이저 빔(L)으로 접착제(30)를 제거할 때, 접착제(30)를 남김없이 제거하는 것이 중요하다. 또한, 포토 마스크(10)의 마스크 패턴(12)이나 투과율 등에 영향을 주지 않고 접착제(30)만을 선택적으로 제거하는 것이 중요하다. 이를 위해, 레이저 빔(L)의 광 특성과 관련된 파라미터들을 적절히 제어될 수 있다.When removing the adhesive 30 with the laser beam L, it is important to remove the adhesive 30 completely. In addition, it is important to selectively remove only the adhesive 30 without affecting the mask pattern 12, transmittance, etc. of the photomask 10. For this purpose, the parameters related to the optical characteristics of the laser beam L can be controlled appropriately.
포토 마스크(10)의 손상 없이, 접착제(30)를 남김 없이 제거하기 위하여, 레이저 빔(L)을 일정한 에너지 강도로 소정 시간 동안 조사할 필요가 있다. 접착제(30)의 동일 영역에 조사되는 레이저 빔(L)의 가공 시간은 30 초 이상일 수 있다. 접착제(30)의 동일 영역에 조사되는 레이저 빔(L)의 가공 시간은 10 분 이하일 수 있다.In order to remove the adhesive 30 without leaving the photo mask 10, it is necessary to irradiate the laser beam L at a constant energy intensity for a predetermined time. The processing time of the laser beam L irradiated onto the same region of the adhesive 30 may be 30 seconds or more. The processing time of the laser beam L irradiated onto the same region of the adhesive 30 may be 10 minutes or less.
레이저 빔(L)을 일정한 에너지 강도로 조사하기 위하여, 레이저 빔(L)의 에너지 강도를 일정하게 조정하기 위한 빔 균질기(homogenizer)가 사용될 수 있다. 그러나, 이러한 빔 균질기를 사용한다 하더라도, 광학적인 간섭 현상에 의해, 레이저 빔(L)은 공간적인 에너지 편차가 존재하게 된다.In order to irradiate the laser beam L with a constant energy intensity, a beam homogenizer for constantly adjusting the energy intensity of the laser beam L may be used. However, even if such a beam homogenizer is used, due to the optical interference phenomenon, there is a spatial energy deviation of the laser beam (L).
도 6a는 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)의 공간적인 에너지 강도를 나타낸 라인 차트이며, 도 6b는 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)의 공간적인 에너지 강도를 나타낸 래스터(raster) 차트이다.6A is a line chart showing the spatial energy intensity of the laser beam L irradiated to the adhesive 30, and FIG. 6B is a raster illustrating the spatial energy intensity of the laser beam L irradiated to the adhesive 30. raster) chart.
도 6a를 참조하면, 빔 균질기를 통과하여 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)은 X방향 및 Y방향으로 위치에 따라 소정의 편차가 나타나게 된다. 도 6b를 참조하면, 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)은 인접 영역보다 낮은 에너지 강도를 가지는 영역(D1, D2, D3)이 나타나게 된다.Referring to FIG. 6A, the laser beam L irradiated to the adhesive 30 through the beam homogenizer may have a predetermined deviation depending on its position in the X and Y directions. Referring to FIG. 6B, regions D1, D2, and D3 of the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 have lower energy intensities than adjacent regions.
이러한 레이저 빔(L)이 접착제(30)에 소정 시간 동안 조사될 경우, 대부분의 접착제(30)가 제거되지만, 상대적으로 에너지 강도가 낮은 레이저 빔(L)이 조사된 접착제(30)의 일부 영역은 포토 마스크(10) 상에 남아있게 된다.When such a laser beam L is irradiated to the adhesive 30 for a predetermined time, most of the adhesive 30 is removed, but a portion of the adhesive 30 irradiated with a laser beam L having a relatively low energy intensity. Is left on the photo mask 10.
실시예에 따른 마스크 세정 장치(1)는, 이러한 레이저 빔(L)의 공간적인 에너지 편차를 보완할 수 있는 회전 광학계(210; 도 7 참조)를 더 포함할 수 있다.The mask cleaning apparatus 1 according to the embodiment may further include a rotation optical system 210 (see FIG. 7) capable of compensating for spatial energy variation of the laser beam L. FIG.
도 7은 실시예에 따른 마스크 세정 장치(1)를 개념적으로 나타낸 도면이며, 도 8은 도 7의 레이저 조사부(200)의 일 예를 나타낸 사시도이다.FIG. 7 is a view conceptually illustrating a mask cleaning apparatus 1 according to an exemplary embodiment, and FIG. 8 is a perspective view illustrating an example of the laser irradiator 200 of FIG. 7.
도 7을 참조하면, 마스크 세정 장치(1)는 레이저 소스(100)와 레이저 조사부(200)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the mask cleaning apparatus 1 includes a laser source 100 and a laser irradiator 200.
레이저 소스(100)는 레이저 빔(L)을 생성한다. 레이저 빔(L)은 포토 마스크(10)를 손상시키지 않으면서 접착제(30)를 제거할 수 있는 파장을 가질 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(L)의 파장은 193nm 내지 290nm 일 수 있다. The laser source 100 generates a laser beam L. The laser beam L may have a wavelength capable of removing the adhesive 30 without damaging the photo mask 10. For example, the wavelength of the laser beam L may be 193 nm to 290 nm.
레이저 빔(L)은 펄스 레이저 빔일 수 있다. 다만, 레이저 빔(L)은 이에 한정되지는 아니하며, 연속 파장(continuous wave) 레이저 빔일 수도 있다.The laser beam L may be a pulsed laser beam. However, the laser beam L is not limited thereto and may be a continuous wave laser beam.
레이저 조사부(200)는, 포토 마스크(10) 상의 접착제(30)에 레이저 빔(L)을 조사한다. 레이저 조사부(200)에 의해 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)은 공간적인 에너지 편차를 가질 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔(L)의 공간적인 에너지 편차는, 최대 에너지 강도의 3 % ~10 % 일 수 있다. The laser irradiation part 200 irradiates the laser beam L to the adhesive agent 30 on the photomask 10. The laser beam L irradiated onto the adhesive 30 by the laser irradiator 200 may have a spatial energy deviation. For example, the spatial energy variation of the laser beam L may be 3% to 10% of the maximum energy intensity.
도 8을 참조하면, 레이저 조사부(200)는 회전 광학계(210)와, 회전 광학계(210)에 회전 구동력을 제공하는 회전 구동부(230)를 포함할 수 있다. 레이저 조사부(200)는 회전 구동부(230)의 회전 구동력을 회전 광학계(210)로 전달하는 벨트(250)를 더 포함할 수 있다. 이 외에도, 도면상 도시하지 않았으나, 레이저 조사부(200)는 빔 균질기로 사용되는 광학계를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the laser irradiator 200 may include a rotating optical system 210 and a rotating driver 230 that provides a rotating driving force to the rotating optical system 210. The laser irradiator 200 may further include a belt 250 that transmits the rotation driving force of the rotation driver 230 to the rotation optical system 210. In addition, although not shown in the drawings, the laser irradiator 200 may further include an optical system used as a beam homogenizer.
회전 광학계(210)는 레이저 빔(L)의 이동 경로에 배치되며, 레이저 빔(L)을 통과시킨다. 회전 광학계(210)는 회전 구동부(230)에 의해 회전될 수 있다.The rotating optical system 210 is disposed in the movement path of the laser beam L and passes the laser beam L. FIG. The rotation optical system 210 may be rotated by the rotation driver 230.
회전 광학계(210)는, 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)의 공간적인 에너지 편차를 보완하도록, 회전에 의해 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)을 중첩시킬 수 있다.The rotation optical system 210 may overlap the laser beam L irradiated to the adhesive 30 by rotation to compensate for the spatial energy deviation of the laser beam L irradiated to the adhesive 30.
도 9는 회전 광학계(210a)의 일 예를 설명하기 위한 도면이며, 도 10a는 도 9의 회전 광학계(210a)의 작동을 설명하기 위한 도면이며, 도 10b 및 도 10c는 도 10a의 레이저 빔(L)이 접착제(30)에 조사되는 모습을 개념적으로 설명한 것이다.9 is a view for explaining an example of the rotating optical system 210a, Figure 10a is a view for explaining the operation of the rotating optical system 210a of Figure 9, Figures 10b and 10c is a laser beam of Figure 10a L) is conceptually described how the irradiation on the adhesive (30).
도 9를 참조하면, 회전 광학계(210a)는 소정의 회전축(R)을 중심으로 회전 가능하다. 상기 소정의 회전축(R)은 레이저 빔(L)의 입사 방향과 평행할 수 있다.Referring to FIG. 9, the rotation optical system 210a may be rotated about a predetermined rotation axis R. Referring to FIG. The predetermined rotation axis R may be parallel to the incident direction of the laser beam L.
회전 광학계(210a)의 단면 형상은 사다리꼴 형상일 수 있다. 회전 광학계(210a)는 레이저 빔(L)의 입사 방향과 수직인 제1면(2101)과, 레이저 빔(L)의 입사 방향과 예각 θ을 이루는 제2면(2102)을 포함한다.The cross-sectional shape of the rotating optical system 210a may be a trapezoidal shape. The rotating optical system 210a includes a first surface 2101 perpendicular to the incident direction of the laser beam L, and a second surface 2102 forming an acute angle θ with the incident direction of the laser beam L.
레이저 소스(100)에서 생성된 레이저 빔(L)은 회전 광학계(210a)에 입사되어 제2 면(2102)으로 출사되는 과정에서 굴절된다.The laser beam L generated by the laser source 100 is refracted in the process of being incident on the rotating optical system 210a and exiting to the second surface 2102.
도 10a를 참조하면, 회전 광학계(210a)가 회전함에 따라, 회전 광학계(210a)로 입사된 레이저 빔(L)의 출사 방향이 달라지게 된다. 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)이 위치 이동하게 된다. 일 예로서, 도 10b를 참조하면, 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)은 접착제(30)의 폭 방향(X 방향)으로 위치 이동하게 된다. 다른 예로서, 도 10c를 참조하면, 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)은 폭 방향(X 방향)으로는 물론 접착제(30)의 길이 방향(Y 방향)도 위치 이동하게 된다.Referring to FIG. 10A, as the rotating optical system 210a rotates, the emission direction of the laser beam L incident to the rotating optical system 210a is changed. The laser beam L irradiated onto the adhesive 30 moves in position. As an example, referring to FIG. 10B, the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 is moved in the width direction (X direction) of the adhesive 30. As another example, referring to FIG. 10C, the laser beam L irradiated onto the adhesive 30 moves in the width direction (X direction) as well as in the longitudinal direction (Y direction) of the adhesive 30.
그에 따라, 레이저 빔(L)의 에너지 강도(intensity)가 위치에 따라 다르더라도, 레이저 빔(L)이 위치 이동되기 때문에, 소정 시간 동안 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)의 총 에너지량은 전체적으로 유사해진다.Accordingly, even if the energy intensity of the laser beam L varies with position, since the laser beam L is moved in position, the total energy of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 for a predetermined time. The amount becomes similar throughout.
만일, 레이저 빔(L)의 에너지 강도가 위치에 따라 다른 상태에서 레이저 빔(L)이 위치 이동 없이 소정 시간 동안 조사될 경우, 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)의 총 에너지량은 국부적으로 다르게 나타난다. 그에 따라, 접착제(30)의 일부 영역에 조사된 레이저 빔(L)의 총 에너지 량이 다른 영역에 비해 작아져, 상기 일부 영역에서는 접착제(30)가 제거되지 않고 남게 된다.If the laser beam L is irradiated for a predetermined time without moving the position when the energy intensity of the laser beam L varies depending on the position, the total amount of energy of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 is Appear differently locally. As a result, the total amount of energy of the laser beam L irradiated to a portion of the adhesive 30 is smaller than that of the other regions, and the adhesive 30 remains in the partial region without being removed.
그러나, 실시예에 따르면, 회전 광학계(210a)에 의해 레이저 빔(L)의 조사 위치가 이동되기 때문에, 소정 시간 동안 접착제(30)에 조사된 레이저 빔(L)의 총 에너지량은 전체적으로 동일하기 때문에, 접착제(30)가 남는 현상을 방지하거나 현저히 줄일 수 있다.However, according to the embodiment, since the irradiation position of the laser beam L is moved by the rotating optical system 210a, the total amount of energy of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 for a predetermined time is generally the same. Therefore, it is possible to prevent or significantly reduce the phenomenon in which the adhesive 30 remains.
다시 도 10a 및 도 10b를 참조하면, 회전 광학계(210a)의 회전에 의해 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)의 변동폭(N)은, 접착제(30)에 조사되는 레이저 빔(L)의 크기(N)의 10 % 이하일 수 있다. Referring back to FIGS. 10A and 10B, the variation width N of the laser beam L irradiated to the adhesive 30 by the rotation of the rotating optical system 210a is the laser beam L irradiated to the adhesive 30. It may be less than 10% of the size (N) of.
레이저 빔(L)의 변동폭(N)은 회전 광학계(210a)의 제1면(2101)에 대한 제2면(2102)의 각도(θ) 및 회전 광학계(210a)의 초점 거리(f)에 관한 아래 식 (1)에 의해 결정될 수 있다.The variation width N of the laser beam L is related to the angle θ of the second surface 2102 with respect to the first surface 2101 of the rotating optical system 210a and the focal length f of the rotating optical system 210a. It can be determined by the following equation (1).
N = 2·f·tan(sin-1(n·sinθ)- θ) ... (1)N = 2ftan (sin -1 (nsintheta) -θ) ... (1)
한편, 레이저 빔(L)의 조사 위치가 이동함에 따라, 접착제(30)의 동일 영역(30-1)에 레이저 빔(L)이 중첩되어 조사된다. 예를 들어, 도 10b과 같이, 레이저 조사부(200)는 접착제(30)의 동일 영역(30-1)에 대해 약간 우측으로 치우쳐 레이저 빔(L)을 조사한 후, 회전 광학계(210a)의 회전에 의해, 접착제(30)의 동일 영역(30-1)에 대해 약간 좌측으로 치우쳐 레이저 빔(L1)을 조사할 수 있다. 이 경우, 접착제(30)의 동일 영역(30-1)에 대한 레이저 빔(L)의 중첩 횟수는 2회일 수 있다. 도 10c를 참조하면, 접착제(30)의 동일 영역(30-1)에 대한 레이저 빔(L)의 중첩 횟수는 4회일 수 있다.On the other hand, as the irradiation position of the laser beam L moves, the laser beam L overlaps and irradiates to the same area 30-1 of the adhesive agent 30. For example, as shown in FIG. 10B, the laser irradiator 200 irradiates the laser beam L slightly to the right with respect to the same region 30-1 of the adhesive 30, and then rotates the rotating optical system 210a. Thereby, the laser beam L1 can be irradiated to the left side with respect to the same area | region 30-1 of the adhesive agent 30 slightly. In this case, the number of overlaps of the laser beam L with respect to the same region 30-1 of the adhesive 30 may be two times. Referring to FIG. 10C, the number of overlaps of the laser beam L with respect to the same region 30-1 of the adhesive 30 may be four times.
접착제(30)의 동일 영역(30-1) 상에 가해지는 레이저 빔(L)의 중첩 횟수(n)는 2 회 ~ 100 회일 수 있다. 이러한 레이저 빔(L)의 중첩 횟수는 레이저 빔(L)의 주파수 (ω) 및 회전 광학계(210a)의 분당 회전 속도(rpm)에 의해 결정될 수 있다.The number of overlaps n of the laser beams L applied to the same region 30-1 of the adhesive 30 may be 2 to 100 times. The number of overlaps of the laser beam L may be determined by the frequency ω of the laser beam L and the rotational speed per minute of the rotating optical system 210a.
레이저 빔(L)의 중첩 횟수는 아래 식 (2)에 의해 결정될 수 있다.The number of overlaps of the laser beam L may be determined by the following equation (2).
n = (60·ω) / rpm ... (2)n = (60ω) / rpm ... (2)
도 10b를 다시 참조하면, 접착제(30)에 레이저 빔(L)을 조사하기 위해 사용되는 레이저 조사부(200)의 회전 광학계(210a)의 크기(또는 높이)는 접착제(30)의 폭(w)보다 클 수 있다. 회전 광학계(210a)의 크기는 1 mm 이상일 수 있다. 회전 광학계(210a)의 크기는 200 mm 이하일 수 있다. Referring again to FIG. 10B, the size (or height) of the rotating optical system 210a of the laser irradiator 200 used to irradiate the laser beam L to the adhesive 30 is the width w of the adhesive 30. Can be greater than The size of the rotating optical system 210a may be 1 mm or more. The size of the rotating optical system 210a may be 200 mm or less.
회전 광학계(210a)의 재질은 광학 구성으로 사용되는 재질이라면 자유롭게 사용될 수 있다. 예를 들어, 회전 광학계(210a)는 용융 실리카(fused silica), 석영(quartz), 실리카(silica), nbk7 및 bk7 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The material of the rotating optical system 210a may be freely used as long as the material is used as an optical configuration. For example, the rotation optical system 210a may include at least one of fused silica, quartz, silica, nbk7, and bk7.
도 11a 및 도 11b는 도 10에 따른 회전 광학계(210a)를 회전시켰을 때, 접착제(30)에 가해진 레이저 빔(L)의 공간적인 에너지 강도를 나타낸 라인 차트 및 래스터 차트이다.11A and 11B are line charts and raster charts showing spatial energy intensities of the laser beam L applied to the adhesive 30 when the rotating optical system 210a according to FIG. 10 is rotated.
도 11a를 참조하면, 회전 광학계(210a)가 회전함에 따라 레이저 빔(L)의 에너지 강도 프로파일이 좌우로 이동한 점을 알 수 있다. 그에 따라, 결과적으로 소정 시간 동안 소정의 위치에 가해진 레이저 빔(L)이 일정해 지는 점을 알 수 있다. Referring to FIG. 11A, it can be seen that the energy intensity profile of the laser beam L is moved left and right as the rotating optical system 210a rotates. As a result, it can be seen that the laser beam L applied to the predetermined position for a predetermined time becomes constant.
도 11b를 참조하면, 접착제(30)에 가해진 사각 형상의 레이저 빔(L)은 2차원적으로 서로 균일한 분포를 가짐을 알 수 있다. 그에 따라, 소정 시간 동안 포토 마스크(10) 상의 접착제(30)에 가해지는 레이저 빔(L)이 일정해져, 접착제(30)가 제거되지 않고 남는 현상을 방지 또는 최소화 할 수 있다.Referring to FIG. 11B, it can be seen that the rectangular laser beam L applied to the adhesive 30 has a uniform distribution with each other in two dimensions. Accordingly, the laser beam L applied to the adhesive 30 on the photo mask 10 is constant for a predetermined time, thereby preventing or minimizing the phenomenon in which the adhesive 30 is not removed.
도 12a는 회전 광학계(210b)의 다른 실시예를 나타낸 도면이며, 도 12b는 도 12a의 회전 광학계(210b)의 작동을 설명하기 위한 도면이다.12A is a view showing another embodiment of the rotating optical system 210b, and FIG. 12B is a view for explaining the operation of the rotating optical system 210b of FIG. 12A.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 회전 광학계(210b)의 단면 형상은 직사각형일 수 있다. 회전 광학계(210b)는 입사 방향에 대해 비스듬히 배치될 수 있다. 그에 따라, 회전 광학계(210b)의 회전에 의해, 접착제(30)에 가해지는 레이저 빔(L)의 위치가 변경될 수 있다.12A and 12B, the cross-sectional shape of the rotating optical system 210b may be rectangular. The rotating optical system 210b may be disposed obliquely with respect to the incident direction. Accordingly, the position of the laser beam L applied to the adhesive 30 may be changed by the rotation of the rotating optical system 210b.
한편, 상술한 실시예에서는, 마스크 세정 장치(1)가 포토 마스크(10) 상의 접착제(30)를 제거하는 데 사용된 예를 중심으로 설명하였다. 그러나, 실시예에 따른 마스크 세정 장치(1)의 사용은 이에 한정되지 아니하며, 레이저 빔(L)을 이용하여 접착제(30)가 아닌 가공 대상물을 어닐링(annealing)하는 레이저 어닐링 장치로서 사용될 수 있다.On the other hand, in the above-described embodiment, the mask cleaning apparatus 1 has been described centering on the example used to remove the adhesive 30 on the photo mask 10. However, the use of the mask cleaning apparatus 1 according to the embodiment is not limited thereto, and may be used as a laser annealing apparatus for annealing an object to be processed other than the adhesive 30 using the laser beam L.
이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described above, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.

Claims (20)

  1. 레이저 빔을 생성하는 레이저 소스와,A laser source for generating a laser beam,
    포토 마스크 상의 접착제에 상기 레이저 빔을 조사하는 레이저 조사부를 포함하며,A laser irradiation part for irradiating the laser beam to the adhesive on the photo mask,
    상기 레이저 조사부는,The laser irradiation unit,
    회전 구동력을 제공하는 회전 구동부; 및A rotation drive unit providing a rotation drive force; And
    상기 레이저 빔의 이동 경로에 배치되며, 상기 회전 구동부에 의해 상기 레이저 빔의 입사 방향과 평행한 회전축을 중심으로 회전되며, 상기 회전에 의해 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사되는 레이저 빔의 위치를 이동시키는, 회전 광학계;를 포함하는, 마스크 세정 장치.Is disposed in the movement path of the laser beam, is rotated about the axis of rotation parallel to the direction of incidence of the laser beam by the rotation drive unit, for moving the position of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask by the rotation And a rotating optical system.
  2. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 회전 광학계의 회전에 의해 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사되는 레이저 빔의 변동폭은, 상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사되는 레이저 빔의 크기의 10 % 이하인, 마스크 세정 장치.The fluctuation range of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask by the rotation of the rotating optical system is 10% or less of the size of the laser beam irradiated to the adhesive on the photo mask.
  3. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 포토 마스크 상의 접착제의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는, 상기 레이저 빔의 주파수 및 상기 회전 광학계의 회전 속도에 의해 결정되는, 마스크 세정 장치.The number of superimposition of the said laser beam irradiated on the same area | region of the adhesive agent on the said photo mask is determined by the frequency of the said laser beam and the rotational speed of the said rotational optical system.
  4. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 포토 마스크 상의 접착제의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는 2회 ~ 100 회인, 마스크 세정 장치.And the number of overlapping of the laser beams irradiated on the same area of the adhesive on the photomask is 2 to 100 times.
  5. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 회전 광학계의 크기는 1 mm 이상인, 마스크 세정 장치.The size of the rotating optical system is 1 mm or more, the mask cleaning apparatus.
  6. 제5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 포토 마스크 상의 접착제에 조사된 상기 레이저 빔의 크기는, 1 mm 이상인, 마스크 세정 장치.The size of the said laser beam irradiated to the adhesive agent on the said photo mask is 1 mm or more, The mask cleaning apparatus.
  7. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 회전 광학계에 회전에 의해, 상기 접착제에 대한 상기 레이저 빔의 조사 위치는 상기 접착제의 폭 방향으로 이동되는, 마스크 세정 장치.The rotation position of the said rotation optical system WHEREIN: The mask cleaning apparatus which moves the irradiation position of the said laser beam with respect to the said adhesive agent to the width direction of the said adhesive agent.
  8. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 레이저 조사부는, 상기 접착제의 동일 영역에 레이저 빔이 30초 이상 조사되도록 구성된, 마스크 세정 장치.And the laser irradiation part is configured to irradiate a laser beam to the same region of the adhesive for 30 seconds or more.
  9. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 회전 광학계의 단면 형상은 사다리꼴 형상인, 마스크 세정 장치.The cross-sectional shape of the rotating optical system is a trapezoidal shape, mask cleaning apparatus.
  10. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 회전 광학계의 단면 형상은 직사각형인, 마스크 세정 장치.The cross-sectional shape of the said rotating optical system is rectangular, The mask cleaning apparatus.
  11. 레이저 빔을 생성하는 레이저 소스와,A laser source for generating a laser beam,
    상기 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 레이저 조사부를 포함하며,It includes a laser irradiation unit for irradiating the laser beam to the object to be processed,
    상기 레이저 조사부는,The laser irradiation unit,
    회전 구동력을 제공하는 회전 구동부; 및A rotation drive unit providing a rotation drive force; And
    상기 레이저 빔의 이동 경로에 배치되며, 상기 회전 구동부에 의해 상기 레이저 빔의 입사 방향과 평행한 회전축을 중심으로 회전되며, 상기 회전에 의해 상기 가공 대상물에 조사되는 레이저 빔의 위치를 이동시키는, 회전 광학계;를 포함하는, 레이저 어닐링 장치.Is disposed in the movement path of the laser beam, rotated about the axis of rotation parallel to the direction of incidence of the laser beam by the rotation drive unit, the rotation to move the position of the laser beam irradiated to the processing object by the rotation Optical system; comprising, laser annealing device.
  12. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 회전 광학계의 회전에 의해 상기 가공 대상물에 조사되는 레이저 빔의 변동폭은, 상기 가공 대상물에 조사되는 레이저 빔의 크기의 10 % 이하인, 레이저 어닐링 장치.The laser annealing apparatus, wherein the variation range of the laser beam irradiated to the processing object by the rotation of the rotating optical system is 10% or less of the size of the laser beam irradiated to the processing object.
  13. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 가공 대상물의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는, 상기 레이저 빔의 주파수 및 상기 회전 광학계의 회전 속도에 의해 결정되는, 레이저 어닐링 장치.The number of superimposition of the said laser beam irradiated on the same area | region of the said to-be-processed object is determined by the frequency of the said laser beam and the rotational speed of the said rotating optical system.
  14. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 가공 대상물의 동일 영역 상에 조사되는 상기 레이저 빔의 중첩 횟수는 2회 ~ 100 회인, 레이저 어닐링 장치.A laser annealing apparatus, wherein the number of times of superimposition of the laser beam irradiated on the same region of the object to be processed is 2 to 100 times.
  15. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 회전 광학계의 크기는 1 mm 이상인, 레이저 어닐링 장치.The size of the rotating optical system is 1 mm or more, the laser annealing device.
  16. 제15항에 있어서,The method of claim 15,
    상기 가공 대상물에 조사된 상기 레이저 빔의 크기는, 1 mm 이상인, 레이저 어닐링 장치.The laser annealing apparatus of Claim 1 whose magnitude | size of the said laser beam irradiated to the process object is 1 mm or more.
  17. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 회전 광학계에 회전에 의해, 상기 가공 대상물에 대한 상기 레이저 빔의 조사 위치는 상기 가공 대상물의 폭 방향으로 이동되는, 레이저 어닐링 장치.The laser annealing apparatus, wherein the irradiation position of the laser beam with respect to the object to be processed is moved in the width direction of the object by the rotation to the rotating optical system.
  18. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 레이저 조사부는, 상기 가공 대상물의 동일 영역에 상기 레이저 빔이 30초 이상 조사되도록 구성된, 레이저 어닐링 장치.The laser annealing device is configured so that the laser beam is irradiated to the same region of the object to be processed for 30 seconds or more.
  19. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 회전 광학계의 단면 형상은 사다리꼴 형상인, 레이저 어닐링 장치.The cross-sectional shape of the rotating optical system is a trapezoidal shape, laser annealing device.
  20. 제11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 회전 광학계의 단면 형상은 직사각형인, 레이저 어닐링 장치.A laser annealing device, wherein the cross-sectional shape of the rotating optical system is rectangular.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335235A (en) * 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp Aligner, optical cleaning method thereof and manufacture of semiconductor device
JP2002277914A (en) * 2001-12-21 2002-09-25 Nikon Corp Device for generating higher harmonic of laser beam, exposure device using the same, method for generating higher harmonic of laser beam, exposing method using the same, and device manufacturing method using the same
JP2005101335A (en) * 2003-09-25 2005-04-14 Mitsubishi Electric Corp Laser annealing method and laser annealer of semiconductor film
KR20130113154A (en) * 2012-04-05 2013-10-15 삼성전기주식회사 Laser processing device
KR101682467B1 (en) * 2015-03-25 2016-12-12 주식회사 이오테크닉스 Method and apparatus for separating pellicle

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335235A (en) * 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp Aligner, optical cleaning method thereof and manufacture of semiconductor device
JP2002277914A (en) * 2001-12-21 2002-09-25 Nikon Corp Device for generating higher harmonic of laser beam, exposure device using the same, method for generating higher harmonic of laser beam, exposing method using the same, and device manufacturing method using the same
JP2005101335A (en) * 2003-09-25 2005-04-14 Mitsubishi Electric Corp Laser annealing method and laser annealer of semiconductor film
KR20130113154A (en) * 2012-04-05 2013-10-15 삼성전기주식회사 Laser processing device
KR101682467B1 (en) * 2015-03-25 2016-12-12 주식회사 이오테크닉스 Method and apparatus for separating pellicle

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