JPH08124506A - 表面吸着ガス測定装置 - Google Patents

表面吸着ガス測定装置

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JPH08124506A
JPH08124506A JP6262365A JP26236594A JPH08124506A JP H08124506 A JPH08124506 A JP H08124506A JP 6262365 A JP6262365 A JP 6262365A JP 26236594 A JP26236594 A JP 26236594A JP H08124506 A JPH08124506 A JP H08124506A
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JP
Japan
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gas
sample
exhaust system
vacuum container
collimator
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JP6262365A
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English (en)
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Toshiaki Kobari
利明 小針
Nobuo Hirano
暢夫 平野
Osamu Sato
佐藤  修
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面ドライプロセスの高精度化や超高真空機
器の高性能化を図るために、材料表面のコンタミネーシ
ョンとなる表面吸着ガスの分析を、高精度の位置分解能
で、定量的に把握できる表面吸着ガス分析装置を提供す
る。 【構成】 排気系7を設けた真空容器10中に試料1-
1を載置する微動可能なX-Yステージ1を設け、試料
1-1にレーザまたは電子線を照射し試料表面からガス
を脱離、放出させるガス励起装置3と、試料1-1の照
射部近傍で放出ガスを導入するコリメータ5と、別の排
気系6によりコリメータ5を通じて吸入したガスを検出
するガス検出装置2を設け、さらに予め求めたガス種ご
との基準データを有し、この基準データとガス検出装置
2の検出値と比較し、試料1-1表面のガス吸着状態を
判定する等のデータ処理を行う制御装置を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面吸着ガス測定装置
に係り、特に材料表面の吸着ガスの定性的、定量的把握
による表面ドライプロセスの高精度化や真空用材料のガ
ス放出特性の把握による真空機器の高性能化に必要な技
術に関する。
【0002】
【従来の技術】材料の表面状態を把握することは、表面
状態がそのプロセスを決定するものにおいては、非常に
重要である。例えば、サブミクロンプロセスのようなも
のでは表面の反応が主プロセスとなるため、その表面状
態を把握する必要がある。また、超高真空機器では、構
成機器内表面からのガス放出が真空性能を決定するため
に、表面状態を把握し、管理する必要がある。
【0003】従来から表面状態を把握する手段として
は、表面元素の定性分析を目的とした、オージェ電子分
光法、表面の化合物の化学結合状態を調べるための光電
子分光法などがあった。また、吸着ガスをレーザーなど
によって励起、脱離させて測定した例としては、文献バ
キューム、ボリューム44、ナンバー5-7(199
3)、第447頁から第449頁(Vacuum, volume44,
number5-7(1993) page 447to 449)で述べられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】表面元素の定性分析を
目的とした、オージェ電子分光法、表面の化合物の化学
結合状態を調べるための光電子分光法は定性分析が主で
あり、定量的データを正確に把握することや、実際にど
のような化合物が表面に吸着しているかなどの情報は得
られなかった。また、レーザー等によって表面に吸着し
たガスを脱離させ測定した例もあるが、試料のどの位置
から脱離したかという情報を得ることや、脱離量を異な
る試料間で比較するための定量性等の点で問題があっ
た。
【0005】本発明の目的は、試料の表面吸着ガスの定
性的、定量的把握を行い、表面ドライプロセスの高精度
化や、真空用材料のガス放出特性の把握による真空機器
の高性能化ために、吸着ガスが脱離した試料位置の位置
分解能を高め、さらに表面での吸着量を比較検討するた
めに、脱離ガスを測定する装置の定量化能力を高性能化
した表面吸着ガス測定装置を得ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の表面吸着ガス測定装置は、第1の排
気系を設けた真空容器中に試料を載置する移動可能な試
料台を設け、試料に励起種を照射しこの試料表面からガ
スを放出させるガス励起装置と、放出するガスを導入す
るコリメータと、第2の排気系を設けコリメータから導
入されたガスを検出するガス検出装置を設け、さらに各
機器の動作の制御およびガスの検出データを処理する制
御装置を設けて構成したものである。
【0007】ここで、励起種はレーザ光または電子線で
ある。コリメータは試料の励起種照射部分に局部的に対
向させて設置するのがよい。またガス検出装置はガス励
起装置の励起信号と同期してガス検出することを特徴と
する。さらに制御部は、あらかじめ求めたガス種ごとの
基準データを有し、この基準データとガス検出装置によ
って得た検出値と比較し、試料表面のガス吸着状態を判
定する。
【0008】本発明の第2の表面吸着ガス測定装置は、
上記第1の表面吸着ガス測定装置に、試料搬入出機構、
すなわち第3の排気系を有し真空容器に隔離弁を介して
連通し試料を一時保管する試料準備室と、試料準備室か
ら隔離弁を通して真空容器内に試料を搬送し試料台にセ
ットする搬送装置とを設けたものである。
【0009】
【作用】本発明の第1の表面吸着ガス測定装置におい
て、第1の排気系により排気された真空容器中で、試料
台に載置され位置調整された試料に対してガス励起装置
により励起種が照射され、この時、照射された試料部分
から表面吸着ガスが離脱して放出され、この放出された
ガスは第2の真空系によりコリメータを介してガス検出
装置に吸入され、ガス検出装置はガス量を測定し、そし
て制御装置はガスの検出データを処理する。
【0010】ここで、コリメータを試料の励起種照射部
分に局部的に対向させて設置することにより、放出ガス
の大部分を捕捉でき、表面吸着ガスの分析を、高精度で
行うことができる。また制御部は、あらかじめ求めたガ
ス種ごとの基準データを有し、この基準データとガス検
出装置による検出値と比較し、試料表面のガス吸着状態
を判定する処理を行う。
【0011】また第2の表面吸着ガス測定装置において
は、試料準備室は試料を入れて第3の排気系により真空
状態として一時的に保管し、必要に応じて搬送装置によ
り試料を真空容器内の試料台にセットする。これによ
り、試料を真空容器内に搬入出する作業を、真空容器内
の真空度を低下させることなく行うことができ、真空引
きに要する時間を低減できる。
【0012】以上の結果、本発明によれば、表面ドライ
プロセス等の高精度プロセスを行う上で、材料表面での
コンタミネーションとなって高精度化を阻害する要因と
なる表面吸着ガスや、超高真空機器の高性能化のために
必要となる表面吸着ガスの分析を、高精度の位置分解能
で、定量的に把握できる表面吸着ガス分析装置が得られ
る。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。本発明による表面吸着ガス測定装置は、概して、高
真空の容器からなる測定室内に配置された試料に対し
て、励起装置によって局部的に励起種を照射し、その際
に試料表面の局部から放出されるガスをガス検出装置に
よって測定する装置である。この装置をさらに詳しく説
明する。
【0014】図1に示すように、本実施例の表面吸着ガ
ス測定装置は、真空容器10と、真空容器10内に入れ
る試料1-1を一時的に保管し、真空容器10とは隔離
弁11を介してつながる試料準備室8と、試料1-1を
試料準備室8から真空容器10内に搬送する搬送装置9
と、搬入された試料1-1を載置する試料台としてのX
−Yステージ1と、X−Yステージ1上の試料1-1に
励起種を照射し、試料1-1の表面吸着ガスを励起、脱
離させるガス励起装置3と、脱離したガス放出を検出す
るガス検出装置2を備えている。またX−Yステージ
1、ガス励起装置3、ガス検出装置2、その他の機器の
動作を制御し、かつ検出した信号処理などを行う制御部
4が設けられている。真空容器10の真空排気を行うた
めには真空容器排気系7が、試料準備室8の真空排気の
ために準備室排気系11が、またガス検出装置2にはガ
ス検出部排気系6がそれぞれ備えられている。さらにガ
ス検出装置2には、試料1-1の面上で励起種が照射さ
れた局部を臨み、局部から脱離したガスをコリメートす
るコリメータ5が取り付けられている。
【0015】次に図2〜図6を用いて、本実施例の表面
吸着ガス測定装置の測定原理および測定法について説明
する。図2は試料1-1表面に吸着しているガスを脱離
させ、検出する方法を説明する図である。試料準備室8
が排気系11によって真空排気された後、隔離弁12が
開けられ、試料準備室8内の試料1-1は搬送装置9に
よって真空容器10に運びこまれ、X−Yステージ1の
所定位置に載置される。隔離弁12が閉められ、試料1
-1は、X−Yステージ1を移動させて所望の局部位置
に励起種が照射されるようにセットされる。制御部4か
らの命令によって、ガス励起装置3は試料1-1の吸着
ガスを励起する励起種を放射する。励起種としては、レ
ーザー光や電子線などを利用する。ガス検出装置2は、
励起種の放射に併せて試料1-1の照射面からのガス放
出を測定する。その後、試料可動部のX−Yステージを
駆動し、試料面内の他の測定点が照射部にセットされ、
その位置でのガス放出が測定される。図2には、励起種
の照射によって、試料1-1表面に吸着していたガスが
脱離して発生したガス放出がガス検出装置2へ向かう様
子を示している。ガス検出装置2に設けられたコリメー
タ5は、ガス検出部のセンサーを覆う構造となってい
る。ガス検出用のセンサーは、電気的に中性なガスを検
出するのであれば、イオン化室やマス分析そしてイオン
電流検出器を有する質量分析器が用いられ、イオンの状
態で脱離するガスを測定するのであれば、チャンネルプ
レート等が用いられる。
【0016】図3は、試料への励起種照射面と、ガス検
出装置2に設けたコリメータ5先端のスリット5-1を
示す拡大図である。ガス検出用のセンサーはコリメータ
5で覆われているので、ガス検出部へ外部から入るガス
は全てこのスリット5-1を通過してくることになる。
試料1-1からは、励起種の有無に関係なく、常に熱エ
ネルギーに基づく熱脱離と呼ばれるガス放出がある。こ
れらは、主に表面から余弦法則に従って放出している
が、このうちスリット5-1を望む方向のものは、コリ
メータ5内部へ入射し、検出されることになる。しか
し、コリメータ5に設けられたスリット5-1を、励起
種の試料への照射面のみを臨む位置に設置すれば、照射
面からのガス放出に対する感度を大きく高めることが可
能となる。さらに、ガス検出装置2にはガス検出部排気
系6が設けられているので、コリメータ5を通してガス
検出部へ入射したガスは、次々に排気される。このため
に、ガス検出部内部の圧力は、励起種の放射を停止すれ
ば、元の状態にすぐ復帰させることが可能であり、試料
1-1の照射面を変えた測定が簡単に行え、試料の局部
位置によるガス放出の違い、すなわち表面でのガスの吸
着状態の違いを知ることができる。この試料位置の分解
能を高めるには、高精度で位置を変えることが可能なX
−Yステージを用いて試料を移動させるとともに、励起
種のビーム径とスリット径を小さくすれば、所望の分解
能を得ることが可能である。
【0017】図4は本実施例の表面吸着ガス測定装置の
制御及び測定における信号のタイミングを説明する図で
ある。制御部4からトリガー信号を発し、ガス励起装置
3に励起種の放出を命令する。トリガー信号から時間t
1後にレーザーや電子線などの励起種が放出される。こ
の励起種はある時間幅を有するパルスビームとする。ト
リガー信号は、ガス検出装置2へも高速の取り込みを命
令する。励起種の放射開始から時間t2後に、励起種に
よって脱離させられた試料1-1表面の吸着ガスが検出
装置2に到着し、制御部4の演算部に検出信号強度とし
て送られる。この検出信号は、信号検出器の種類によっ
て変わり、通常は2次電子増倍管等を用いたイオン電流
として表されるが、増倍管の出力をカウントして個数で
表すこともできる。トリガー信号から(t1+t2)直後
に得られる検出信号の初期の立ち上がりは、明らかに試
料1-1の照射部から吸着ガスが脱離して放出し、直接
スリット5-1を通ってガス検出部に届いたものであ
る。その後の検出信号には、試料の照射部から放出した
ガスが、真空容器10内部に衝突し、反射したものが時
間遅れでスリット5-1を通って検出されたものが含ま
れている。直接スリット5-1からガス検出部へ入射し
たガスは、試料表面の吸着ガス量の情報を含んでいる
が、容器10内壁等に衝突した時間遅れで検出された信
号は、真空容器排気系7によって排気されてしまったガ
ス放出の情報は含んでおらず不確実な吸着ガス量の情報
しか持たないことになる。また、ガス検出部の感度は、
試料1-1の照射面からのガス放出に対して一番高いこ
とから、この検出信号の初期ピーク値を表面の吸着ガス
量の指標にすることができる。
【0018】図5は実際に検出された信号の一例であ
る。ガス検出部に質量分析器を用いた場合、注目するガ
ス種の質量に分析ガス種を固定しておけば、そのガス種
についての信号が得られる。ある時間t0から励起種に
より発生したガスの検出信号強度が得られたとすれば、
0以前の信号s0は検出ガス種のバックグラウンドとな
る。時間toからtr経過した時点でピーク検出強度が得
られれば、この検出強度からs0を差し引いたs1が実際
に励起種によって脱離した、試料表面に吸着していたガ
ス量に比例した値である。そこで、図4におけるトリガ
ー信号の前に、制御部4では他のトリガー信号を出し
て、ガス検出装置2に対しバックグラウンド値の測定を
命令しておく。その値を保存しておき、実際の励起種に
よって得られた強度から、自動的に差し引く処理を行
う。これによってバックグラウンドのわずかな変動も実
際の励起種による放出ガスの検出強度に与える影響を無
視することが可能となる。前述した通り検出強度は、2
次電子増倍管等によって得られる場合はイオン電流であ
り、実際のガス量ではない。しかし、事前にこのイオン
電流を実際のガス量に変換するための校正を行っておけ
ば、実際に脱離したガスの分子数に変換することができ
る。このデータは試料1-1表面に吸着していたガス量
に比例する値であり、異なる試料や試料の位置による吸
着量の違いを容易に比較可能である。吸着量の絶対値を
得るには、吸着量が既知の試料を用いて校正すればよ
い。図5に示した検出強度を、時間(tr+tf)間でバ
ックグラウンドを除いて積分すれば、測定室真空排気系
によって排気されたガス量を除いた、全脱離量となるの
で、このデータからもおおよその全吸着量を得ることが
できる。
【0019】図6はガス検出装置2が脱離ガスを測定す
る際、高速で質量数のスキャンを行い、同時に複数のガ
ス種について測定した例である。高速でスキャンするこ
とによって、このように複数のガス種について一度に測
定することも可能である。
【0020】ガス種を分離するのに質量分析器を検出部
に有する場合は、注目する質量数に設定しておくこと
や、高速でスキャンすることで複数のガス種の測定可能
であるが、イオンの状態で脱離するガスを計測する場合
などは、ガス種によって検出部への到達時間が異なるの
で、質量分析器の変わりにガスの飛行時間を計測するこ
とで、そのガス種および脱離量を知ることができる。
【0021】以上の実施例では吸着ガスの測定について
述べたが、励起種あるいは試料をスキャンすることによ
って、表面の吸着ガスを脱離させることができるので、
表面のクリーニングも行うことができる。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、第1の排気系により真
空に引かれた容器中で表面吸着ガスを励起源によって脱
離させ、励起種によって脱離を起こした特定の試料位置
からのガス放出を第2の排気系により吸入し、このガス
放出量を測定することによって、表面吸着ガスの分析
を、高精度で行うことができる。
【0023】以上の結果、本発明によれば、表面ドライ
プロセス等の高精度プロセスを行う上で、表面でのコン
タミネーションとなって高精度化を阻害する要因となる
表面吸着ガスや、超高真空機器の高性能化のために必要
となる表面吸着ガスの分析を、高精度の位置分解能で、
定量的に把握できる表面吸着ガス測定装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による表面吸着ガス測定装置の一実施例
を示す図である。
【図2】表面吸着ガスの測定原理を説明する図である。
【図3】励起種によって脱離した吸着ガスと被検出ガス
を示す図である。
【図4】ガス検出に係わる信号のタイミングを示す図で
ある。
【図5】実施例の吸着ガス測定装置で得られた信号の一
例を示す図である。
【図6】吸着ガス測定装置で得られた複数のガス種の信
号の一例を示す図である。
【符号の説明】
1 X−Yステージ 1-1 試料 2 ガス検出装置 3 ガス励起装置 4 制御部 5 コリメータ 5-1 スリット 6 ガス検出部排気系 7 真空容器排気系 8 試料準備室 9 搬送装置 10 真空容器 11 準備室排気系 12 隔離弁

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の排気系を設けた真空容器と、該真
    空容器中で試料を載置する移動可能な試料台と、前記試
    料に励起種を照射し該試料表面からガスを放出させるガ
    ス励起装置と、該試料表面から放出するガスを導入する
    コリメータと、第2の排気系を設け該コリメータから導
    入されたガスを検出するガス検出装置と、前記各機器の
    動作の制御およびガスの検出データを処理する制御装置
    と、から構成された表面吸着ガス測定装置。
  2. 【請求項2】 前記励起種はレーザ光または電子線であ
    ることを特徴とする請求項1記載の表面吸着ガス測定装
    置。
  3. 【請求項3】 前記コリメータを、前記試料の励起種照
    射部分に局部的に対向させて設置したことを特徴とする
    請求項1記載の表面吸着ガス測定装置。
  4. 【請求項4】 前記ガス励起装置の励起信号と同期して
    ガス検出装置がガス検出することを特徴とする請求項
    1、2または3記載の表面吸着ガス測定装置。
  5. 【請求項5】 前記制御部は、あらかじめ求めたガス種
    ごとの基準データを有し、該基準データと前記ガス検出
    装置によって得た検出値と比較し、試料表面のガス吸着
    状態を判定することを特徴とする請求項1ないしし4い
    ずれかに記載の表面吸着ガス測定装置。
  6. 【請求項6】 第1の排気系を設けた真空容器と、該真
    空容器中で試料を載置する移動可能な試料台と、前記試
    料に励起種を照射し該試料表面からガスを放出させるガ
    ス励起装置と、該試料表面から放出するガスを導入する
    コリメータと、第2の排気系を設け該コリメータから導
    入されたガスを検出するガス検出装置と、前記真空容器
    に隔離弁を介して連通し試料を一時保管する試料準備室
    と、該試料準備室に設けた第3の排気系と、前記試料準
    備室から隔離弁を通して前記真空容器内に試料を搬送し
    前記試料台にセットする搬送装置と、前記各機器の動作
    の制御およびガスの検出データを処理する制御装置と、
    から構成された表面吸着ガス測定装置。
JP6262365A 1994-10-26 1994-10-26 表面吸着ガス測定装置 Pending JPH08124506A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010520630A (ja) * 2007-03-07 2010-06-10 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 脱ガス測定方法ならびにeuvリソグラフィ装置および測定構成
CN108387691A (zh) * 2018-04-02 2018-08-10 杭州赛威斯真空技术有限公司 一种材料吸气放气率测试装置
KR20210069932A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 국방과학연구소 가스 포집 유닛, 이를 포함하는 가스 분석 장치, 및 가스 분석 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010520630A (ja) * 2007-03-07 2010-06-10 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 脱ガス測定方法ならびにeuvリソグラフィ装置および測定構成
CN108387691A (zh) * 2018-04-02 2018-08-10 杭州赛威斯真空技术有限公司 一种材料吸气放气率测试装置
CN108387691B (zh) * 2018-04-02 2023-08-22 杭州赛威斯真空技术有限公司 一种材料吸气放气率测试装置
KR20210069932A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 국방과학연구소 가스 포집 유닛, 이를 포함하는 가스 분석 장치, 및 가스 분석 방법

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