JPH08122585A - 光素子モジュール - Google Patents
光素子モジュールInfo
- Publication number
- JPH08122585A JPH08122585A JP25499194A JP25499194A JPH08122585A JP H08122585 A JPH08122585 A JP H08122585A JP 25499194 A JP25499194 A JP 25499194A JP 25499194 A JP25499194 A JP 25499194A JP H08122585 A JPH08122585 A JP H08122585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- cooling element
- optical
- lens
- parallel light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、ステムと熱電子冷却素子の固
定及び、熱電子冷却素子とケースの固定を安定かつ確実
に行い、長期間の使用に対しても常に安定な光結合を得
ることを可能とする光素子モジュールを供給することに
ある。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、ステムと
熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子とケースの固
定の長期安定性を確保するために、Pb/Snはんだよ
り高融点であるSn/Sbはんだによって組み立てられ
た熱電子冷却素子を用い、ステムと熱電子冷却素子の固
定及び熱電子冷却素子とケースの固定にIn系はんだよ
り高融点であるPb/Snはんだを用いている。
定及び、熱電子冷却素子とケースの固定を安定かつ確実
に行い、長期間の使用に対しても常に安定な光結合を得
ることを可能とする光素子モジュールを供給することに
ある。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、ステムと
熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子とケースの固
定の長期安定性を確保するために、Pb/Snはんだよ
り高融点であるSn/Sbはんだによって組み立てられ
た熱電子冷却素子を用い、ステムと熱電子冷却素子の固
定及び熱電子冷却素子とケースの固定にIn系はんだよ
り高融点であるPb/Snはんだを用いている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用半導体レーザ
モジュール、光増幅器モジュール、光変調器モジュール
に関する。
モジュール、光増幅器モジュール、光変調器モジュール
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術として、特開平3−1208
84号公報に開示されている装置があり、図3にその構
造を示す。
84号公報に開示されている装置があり、図3にその構
造を示す。
【0003】同図において、半導体発光素子16、モニ
タ用フォトダイオード17、サーミスタ18、球レンズ
19がステム20を介して熱電子冷却素子21上に固定
されており、この熱電子冷却素子21は収束型ロッドレ
ンズ22、光ファイバ23と共にケース24に固定され
ている。
タ用フォトダイオード17、サーミスタ18、球レンズ
19がステム20を介して熱電子冷却素子21上に固定
されており、この熱電子冷却素子21は収束型ロッドレ
ンズ22、光ファイバ23と共にケース24に固定され
ている。
【0004】この装置において、ステム20と熱電子冷
却素子21の固定及び、熱電子冷却素子21とケース2
4の固定には、はんだ接合を用いている。
却素子21の固定及び、熱電子冷却素子21とケース2
4の固定には、はんだ接合を用いている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来例では、熱
電子冷却素子自体がはんだ接合により組み立てられてい
るので、ステムと熱電子冷却素子の固定及び、熱電子冷
却素子とケースの固定には、熱電子冷却素子自体の組み
立てに用いたはんだより低融点のはんだを用いることに
なる。すなわち、現状、熱電子冷却素子自体がPb/S
nはんだによって組み立てられているために、ステムと
熱電子冷却素子の固定及び、熱電子冷却素子とケースの
固定には、それよりも融点の低いIn系はんだを用いる
ことになる。ところが、固定部材にIn系はんだを用い
ると、長期間の使用ではんだのクリープによる接合部の
変位によって光軸ずれが生じ、長期間安定な固定が得ら
れなかった。
電子冷却素子自体がはんだ接合により組み立てられてい
るので、ステムと熱電子冷却素子の固定及び、熱電子冷
却素子とケースの固定には、熱電子冷却素子自体の組み
立てに用いたはんだより低融点のはんだを用いることに
なる。すなわち、現状、熱電子冷却素子自体がPb/S
nはんだによって組み立てられているために、ステムと
熱電子冷却素子の固定及び、熱電子冷却素子とケースの
固定には、それよりも融点の低いIn系はんだを用いる
ことになる。ところが、固定部材にIn系はんだを用い
ると、長期間の使用ではんだのクリープによる接合部の
変位によって光軸ずれが生じ、長期間安定な固定が得ら
れなかった。
【0006】本発明の目的は、ステムと熱電子冷却素子
の固定及び、熱電子冷却素子とケースの固定を安定かつ
確実に行い、長期間の使用に対しても常に安定な光結合
を得ることを可能とする光素子モジュールを供給するこ
とにある。
の固定及び、熱電子冷却素子とケースの固定を安定かつ
確実に行い、長期間の使用に対しても常に安定な光結合
を得ることを可能とする光素子モジュールを供給するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ステムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子
冷却素子とケースの固定の長期安定性を確保するため
に、Pb/Snはんだより高融点であるSn/Sbはん
だによって組み立てられた熱電子冷却素子を用い、ステ
ムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子とケース
の固定にIn系はんだより高融点であるPb/Snはん
だを用いている。
するために、ステムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子
冷却素子とケースの固定の長期安定性を確保するため
に、Pb/Snはんだより高融点であるSn/Sbはん
だによって組み立てられた熱電子冷却素子を用い、ステ
ムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子とケース
の固定にIn系はんだより高融点であるPb/Snはん
だを用いている。
【0008】
【作用】半導体レーザダイオード、第一レンズ、サーミ
スタ、モニタ用フォトダイオードは、融点280℃のA
u/Snはんだ,融点232℃のSn/Sbはんだなど
の高融点はんだによりステムに搭載する。熱電子冷却素
子自体はSn/Sbはんだによって組み立てられてい
る。ステムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子
とケースの固定は、Pb/Snはんだ接合により行う。
スタ、モニタ用フォトダイオードは、融点280℃のA
u/Snはんだ,融点232℃のSn/Sbはんだなど
の高融点はんだによりステムに搭載する。熱電子冷却素
子自体はSn/Sbはんだによって組み立てられてい
る。ステムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子
とケースの固定は、Pb/Snはんだ接合により行う。
【0009】この構造によれば、ステムと熱電子冷却素
子の固定及び熱電子冷却素子とケースの固定に従来のI
n系はんだと比較し、固相線温度が183℃と高く、ク
リープ強度が約650倍であるPb/Snを用いること
ができ、長期間の使用において、はんだのクリープによ
る固定部の変位に起因する光軸ずれを低減し、安定な光
結合を得ることが可能となる。
子の固定及び熱電子冷却素子とケースの固定に従来のI
n系はんだと比較し、固相線温度が183℃と高く、ク
リープ強度が約650倍であるPb/Snを用いること
ができ、長期間の使用において、はんだのクリープによ
る固定部の変位に起因する光軸ずれを低減し、安定な光
結合を得ることが可能となる。
【0010】
【実施例】本発明の実施例を図1,図2により説明す
る。
る。
【0011】図1は、光素子として光増幅素子1を用い
た光素子モジュールの縦断面図である。光増幅素子1、
第一レンズ2、サーミスタ3は、ステム4の所定の位置
に融点280℃のAu/Sn,融点232℃のSn/S
b,融点221℃のSn/Agはんだを用いて搭載され
ており、ステム4の底面を熱電子冷却素子5の冷却面に
融点183℃のPb/Snはんだ14で固定し、ステム
4と一体になった熱電子冷却素子5は、ケース6内の底
面に融点183℃のPb/Snはんだ14で固定してい
る。第二レンズ15は、レンズホルダ7に融点280℃
のAu/Snはんだで固定し、レンズホルダ7は、ケー
ス6の入力側側面にYAGレーザ溶接で固定している。
フェルール8付き入力ファイバ9は、ファイバホルダ1
0により支持し、ファイバホルダ10は、レンズホルダ
7端部に融点280℃のAu/Snはんだで固定してい
る。光アイソレータ11、第二レンズ15を、融点32
0℃のAu/Geはんだや融点280℃のAu/Snは
んだのような高融点,高強度の接合部材で円筒状支持部
材12の所定の位置に固定し、一体化している。この円
筒状支持部材12をケース6の出力側側面にYAGレー
ザ溶接で固定し、フェルール8付き出力光ファイバ13
を支持しているファイバホルダ10を円筒状支持部材1
2の端部に融点280℃のAu/Snはんだで固定して
いる。この構造では、ステム4と熱電子冷却素子5の固
定及び、熱電子冷却素子5とケース6の固定に、従来の
In系はんだと比較し、固相線温度が183℃と高く、
約650倍のクリープ強度であるPb/Snはんだ14
を用いているため、長期間にわたり安定に固定すること
ができ、はんだのクリープによる固定部の変位に起因す
る光結合の劣化を低減することができる。
た光素子モジュールの縦断面図である。光増幅素子1、
第一レンズ2、サーミスタ3は、ステム4の所定の位置
に融点280℃のAu/Sn,融点232℃のSn/S
b,融点221℃のSn/Agはんだを用いて搭載され
ており、ステム4の底面を熱電子冷却素子5の冷却面に
融点183℃のPb/Snはんだ14で固定し、ステム
4と一体になった熱電子冷却素子5は、ケース6内の底
面に融点183℃のPb/Snはんだ14で固定してい
る。第二レンズ15は、レンズホルダ7に融点280℃
のAu/Snはんだで固定し、レンズホルダ7は、ケー
ス6の入力側側面にYAGレーザ溶接で固定している。
フェルール8付き入力ファイバ9は、ファイバホルダ1
0により支持し、ファイバホルダ10は、レンズホルダ
7端部に融点280℃のAu/Snはんだで固定してい
る。光アイソレータ11、第二レンズ15を、融点32
0℃のAu/Geはんだや融点280℃のAu/Snは
んだのような高融点,高強度の接合部材で円筒状支持部
材12の所定の位置に固定し、一体化している。この円
筒状支持部材12をケース6の出力側側面にYAGレー
ザ溶接で固定し、フェルール8付き出力光ファイバ13
を支持しているファイバホルダ10を円筒状支持部材1
2の端部に融点280℃のAu/Snはんだで固定して
いる。この構造では、ステム4と熱電子冷却素子5の固
定及び、熱電子冷却素子5とケース6の固定に、従来の
In系はんだと比較し、固相線温度が183℃と高く、
約650倍のクリープ強度であるPb/Snはんだ14
を用いているため、長期間にわたり安定に固定すること
ができ、はんだのクリープによる固定部の変位に起因す
る光結合の劣化を低減することができる。
【0012】図2(a)に従来品の光出力変動量,
(b)に本実施例の光出力変動量を比較して示す。本実
施例は、ステム4と熱電子冷却素子5の固定及び、熱電
子冷却素子5とケース6の固定に、従来のIn系はんだ
と比較し、融点が183℃と高く、約650倍のクリー
プ強度であるPb/Snはんだ14を用いており、固定
部の変位に起因する光結合効率の劣化が小さく、環境温
度70℃放置状態において、5000時間経過時の光出
力変動は、従来品の4dB以下に対し、0.5dB以下
に抑えられている。
(b)に本実施例の光出力変動量を比較して示す。本実
施例は、ステム4と熱電子冷却素子5の固定及び、熱電
子冷却素子5とケース6の固定に、従来のIn系はんだ
と比較し、融点が183℃と高く、約650倍のクリー
プ強度であるPb/Snはんだ14を用いており、固定
部の変位に起因する光結合効率の劣化が小さく、環境温
度70℃放置状態において、5000時間経過時の光出
力変動は、従来品の4dB以下に対し、0.5dB以下
に抑えられている。
【0013】
【発明の効果】以上、本発明によれば、ステムと熱電子
冷却素子の固定及び、熱電子冷却素子とケースの固定
に、従来のIn系はんだと比較し、固相線温度が183
℃と高く、約650倍のクリープ強度であるPb/Sn
はんだを用いることにより、はんだのクリープのよる固
定部の変位に起因する光軸ずれを低減し、長期間の使用
において安定な光結合を得ることができる。例えば、環
境温度70℃放置状態おいて、5000時間経過時の光
出力変動量は、0.5dB以下に抑えることができる。
冷却素子の固定及び、熱電子冷却素子とケースの固定
に、従来のIn系はんだと比較し、固相線温度が183
℃と高く、約650倍のクリープ強度であるPb/Sn
はんだを用いることにより、はんだのクリープのよる固
定部の変位に起因する光軸ずれを低減し、長期間の使用
において安定な光結合を得ることができる。例えば、環
境温度70℃放置状態おいて、5000時間経過時の光
出力変動量は、0.5dB以下に抑えることができる。
【図1】本発明の実施例の縦断面図である。
【図2】(a)は従来例の光出力変動量を示す図、
(b)は本実施例の光出力変動量を示す図である。
(b)は本実施例の光出力変動量を示す図である。
【図3】従来技術例の縦断面図である。
1…光増幅素子、 2…第一レンズ、 3…サーミスタ、 4…ステム、 5…熱電子冷却素子、 6…ケース、 7…レンズホルダ、 8…フェルール、 9…入力ファイバ、 10…ファイバホルダ、 11…光アイソレータ、 12…円筒状支持部材、 13…出力ファイバ、 14…Pb/Snはんだ、 15…第二レンズ、 16…半導体発光素子、 17…モニタ用フォトダイオード、 18…サーミスタ、 19…球レンズ、 20…ステム、 21…熱電子冷却素子、 22…集束型ロッドレンズ、 23…光ファイバ、 24…ケース。
Claims (3)
- 【請求項1】半導体レーザダイオードとサーミスタ及
び、前記レーザダイオードから出射した光を平行光又は
擬似平行光に変換する第一レンズを搭載したステムと、
前記第一レンズにより変換された平行光又は擬似平行光
を集光する第二レンズと、前記第一,第二レンズにより
前記半導体レーザダイオードと光結合された光ファイバ
と、前記ステムを固定した熱電子冷却素子と、上記構成
部品を収納,固定するケースとから成る、光素子モジュ
ールにおいて、前記熱電子冷却素子自体が固相線温度2
32℃のSn/Sbはんだ(以下Sn/Sbはんだ)に
よって組み立てられており、前記ステムと前記熱電子冷
却素子の接合部材及び前記熱電子冷却素子と前記ケース
の接合部材に固相線温度183℃のPb/Snはんだ
(以下Pb/Snはんだ)を用いることを特徴とする光
素子モジュール。 - 【請求項2】光増幅素子と平行光又は擬似平行光として
入射される入力光を前記光増幅素子の活性層に集光する
入力第一レンズと前記光増幅素子の出力光を平行光又は
擬似平行光に変換する出力第一レンズとサーミスタを搭
載したステムと、入力光ファイバと、前記入力光ファイ
バの出射光を平行光又は擬似平行光に変換し、前記入力
第一レンズと光結合された入力第二レンズと、前記出力
第一レンズにより変換された平行光又は擬似平行光を集
光する出力第二レンズと、前記出力第一,第二レンズに
より前記光増幅素子と光結合された出力光ファイバと、
前記ステムを固定した熱電子冷却素子と、上記構成部品
を収納,固定したケースとから成る、光素子モジュール
において、前記熱電子冷却素子自体がSn/Sbはんだ
によって組み立てられており、前記ステムと前記熱電子
冷却素子の接合部材及び前記熱電子冷却素子と前記ケー
スの接合部材にPb/Snはんだを用いることを特徴と
する光素子モジュール。 - 【請求項3】請求項2において、光素子が光増幅素子で
ある代わりに、光変調素子であることを特徴とする光素
子モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25499194A JPH08122585A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 光素子モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25499194A JPH08122585A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 光素子モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001301510A Division JP2002182078A (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 光素子モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08122585A true JPH08122585A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17272697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25499194A Pending JPH08122585A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 光素子モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08122585A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222145A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザモジュール及び実装方法 |
JP2016028273A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光モジュールを製造する方法及び光モジュール |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP25499194A patent/JPH08122585A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006222145A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザモジュール及び実装方法 |
JP2016028273A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光モジュールを製造する方法及び光モジュール |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010731 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060511 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060511 |