JPH08122585A - 光素子モジュール - Google Patents

光素子モジュール

Info

Publication number
JPH08122585A
JPH08122585A JP25499194A JP25499194A JPH08122585A JP H08122585 A JPH08122585 A JP H08122585A JP 25499194 A JP25499194 A JP 25499194A JP 25499194 A JP25499194 A JP 25499194A JP H08122585 A JPH08122585 A JP H08122585A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
cooling element
optical
lens
parallel light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25499194A
Other languages
English (en)
Inventor
英之 ▲桑▼野
Hideyuki Kuwano
Satoshi Aoki
聰 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP25499194A priority Critical patent/JPH08122585A/ja
Publication of JPH08122585A publication Critical patent/JPH08122585A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、ステムと熱電子冷却素子の固
定及び、熱電子冷却素子とケースの固定を安定かつ確実
に行い、長期間の使用に対しても常に安定な光結合を得
ることを可能とする光素子モジュールを供給することに
ある。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、ステムと
熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子とケースの固
定の長期安定性を確保するために、Pb/Snはんだよ
り高融点であるSn/Sbはんだによって組み立てられ
た熱電子冷却素子を用い、ステムと熱電子冷却素子の固
定及び熱電子冷却素子とケースの固定にIn系はんだよ
り高融点であるPb/Snはんだを用いている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用半導体レーザ
モジュール、光増幅器モジュール、光変調器モジュール
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術として、特開平3−1208
84号公報に開示されている装置があり、図3にその構
造を示す。
【0003】同図において、半導体発光素子16、モニ
タ用フォトダイオード17、サーミスタ18、球レンズ
19がステム20を介して熱電子冷却素子21上に固定
されており、この熱電子冷却素子21は収束型ロッドレ
ンズ22、光ファイバ23と共にケース24に固定され
ている。
【0004】この装置において、ステム20と熱電子冷
却素子21の固定及び、熱電子冷却素子21とケース2
4の固定には、はんだ接合を用いている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来例では、熱
電子冷却素子自体がはんだ接合により組み立てられてい
るので、ステムと熱電子冷却素子の固定及び、熱電子冷
却素子とケースの固定には、熱電子冷却素子自体の組み
立てに用いたはんだより低融点のはんだを用いることに
なる。すなわち、現状、熱電子冷却素子自体がPb/S
nはんだによって組み立てられているために、ステムと
熱電子冷却素子の固定及び、熱電子冷却素子とケースの
固定には、それよりも融点の低いIn系はんだを用いる
ことになる。ところが、固定部材にIn系はんだを用い
ると、長期間の使用ではんだのクリープによる接合部の
変位によって光軸ずれが生じ、長期間安定な固定が得ら
れなかった。
【0006】本発明の目的は、ステムと熱電子冷却素子
の固定及び、熱電子冷却素子とケースの固定を安定かつ
確実に行い、長期間の使用に対しても常に安定な光結合
を得ることを可能とする光素子モジュールを供給するこ
とにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ステムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子
冷却素子とケースの固定の長期安定性を確保するため
に、Pb/Snはんだより高融点であるSn/Sbはん
だによって組み立てられた熱電子冷却素子を用い、ステ
ムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子とケース
の固定にIn系はんだより高融点であるPb/Snはん
だを用いている。
【0008】
【作用】半導体レーザダイオード、第一レンズ、サーミ
スタ、モニタ用フォトダイオードは、融点280℃のA
u/Snはんだ,融点232℃のSn/Sbはんだなど
の高融点はんだによりステムに搭載する。熱電子冷却素
子自体はSn/Sbはんだによって組み立てられてい
る。ステムと熱電子冷却素子の固定及び熱電子冷却素子
とケースの固定は、Pb/Snはんだ接合により行う。
【0009】この構造によれば、ステムと熱電子冷却素
子の固定及び熱電子冷却素子とケースの固定に従来のI
n系はんだと比較し、固相線温度が183℃と高く、ク
リープ強度が約650倍であるPb/Snを用いること
ができ、長期間の使用において、はんだのクリープによ
る固定部の変位に起因する光軸ずれを低減し、安定な光
結合を得ることが可能となる。
【0010】
【実施例】本発明の実施例を図1,図2により説明す
る。
【0011】図1は、光素子として光増幅素子1を用い
た光素子モジュールの縦断面図である。光増幅素子1、
第一レンズ2、サーミスタ3は、ステム4の所定の位置
に融点280℃のAu/Sn,融点232℃のSn/S
b,融点221℃のSn/Agはんだを用いて搭載され
ており、ステム4の底面を熱電子冷却素子5の冷却面に
融点183℃のPb/Snはんだ14で固定し、ステム
4と一体になった熱電子冷却素子5は、ケース6内の底
面に融点183℃のPb/Snはんだ14で固定してい
る。第二レンズ15は、レンズホルダ7に融点280℃
のAu/Snはんだで固定し、レンズホルダ7は、ケー
ス6の入力側側面にYAGレーザ溶接で固定している。
フェルール8付き入力ファイバ9は、ファイバホルダ1
0により支持し、ファイバホルダ10は、レンズホルダ
7端部に融点280℃のAu/Snはんだで固定してい
る。光アイソレータ11、第二レンズ15を、融点32
0℃のAu/Geはんだや融点280℃のAu/Snは
んだのような高融点,高強度の接合部材で円筒状支持部
材12の所定の位置に固定し、一体化している。この円
筒状支持部材12をケース6の出力側側面にYAGレー
ザ溶接で固定し、フェルール8付き出力光ファイバ13
を支持しているファイバホルダ10を円筒状支持部材1
2の端部に融点280℃のAu/Snはんだで固定して
いる。この構造では、ステム4と熱電子冷却素子5の固
定及び、熱電子冷却素子5とケース6の固定に、従来の
In系はんだと比較し、固相線温度が183℃と高く、
約650倍のクリープ強度であるPb/Snはんだ14
を用いているため、長期間にわたり安定に固定すること
ができ、はんだのクリープによる固定部の変位に起因す
る光結合の劣化を低減することができる。
【0012】図2(a)に従来品の光出力変動量,
(b)に本実施例の光出力変動量を比較して示す。本実
施例は、ステム4と熱電子冷却素子5の固定及び、熱電
子冷却素子5とケース6の固定に、従来のIn系はんだ
と比較し、融点が183℃と高く、約650倍のクリー
プ強度であるPb/Snはんだ14を用いており、固定
部の変位に起因する光結合効率の劣化が小さく、環境温
度70℃放置状態において、5000時間経過時の光出
力変動は、従来品の4dB以下に対し、0.5dB以下
に抑えられている。
【0013】
【発明の効果】以上、本発明によれば、ステムと熱電子
冷却素子の固定及び、熱電子冷却素子とケースの固定
に、従来のIn系はんだと比較し、固相線温度が183
℃と高く、約650倍のクリープ強度であるPb/Sn
はんだを用いることにより、はんだのクリープのよる固
定部の変位に起因する光軸ずれを低減し、長期間の使用
において安定な光結合を得ることができる。例えば、環
境温度70℃放置状態おいて、5000時間経過時の光
出力変動量は、0.5dB以下に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の縦断面図である。
【図2】(a)は従来例の光出力変動量を示す図、
(b)は本実施例の光出力変動量を示す図である。
【図3】従来技術例の縦断面図である。
【符号の説明】
1…光増幅素子、 2…第一レンズ、 3…サーミスタ、 4…ステム、 5…熱電子冷却素子、 6…ケース、 7…レンズホルダ、 8…フェルール、 9…入力ファイバ、 10…ファイバホルダ、 11…光アイソレータ、 12…円筒状支持部材、 13…出力ファイバ、 14…Pb/Snはんだ、 15…第二レンズ、 16…半導体発光素子、 17…モニタ用フォトダイオード、 18…サーミスタ、 19…球レンズ、 20…ステム、 21…熱電子冷却素子、 22…集束型ロッドレンズ、 23…光ファイバ、 24…ケース。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザダイオードとサーミスタ及
    び、前記レーザダイオードから出射した光を平行光又は
    擬似平行光に変換する第一レンズを搭載したステムと、
    前記第一レンズにより変換された平行光又は擬似平行光
    を集光する第二レンズと、前記第一,第二レンズにより
    前記半導体レーザダイオードと光結合された光ファイバ
    と、前記ステムを固定した熱電子冷却素子と、上記構成
    部品を収納,固定するケースとから成る、光素子モジュ
    ールにおいて、前記熱電子冷却素子自体が固相線温度2
    32℃のSn/Sbはんだ(以下Sn/Sbはんだ)に
    よって組み立てられており、前記ステムと前記熱電子冷
    却素子の接合部材及び前記熱電子冷却素子と前記ケース
    の接合部材に固相線温度183℃のPb/Snはんだ
    (以下Pb/Snはんだ)を用いることを特徴とする光
    素子モジュール。
  2. 【請求項2】光増幅素子と平行光又は擬似平行光として
    入射される入力光を前記光増幅素子の活性層に集光する
    入力第一レンズと前記光増幅素子の出力光を平行光又は
    擬似平行光に変換する出力第一レンズとサーミスタを搭
    載したステムと、入力光ファイバと、前記入力光ファイ
    バの出射光を平行光又は擬似平行光に変換し、前記入力
    第一レンズと光結合された入力第二レンズと、前記出力
    第一レンズにより変換された平行光又は擬似平行光を集
    光する出力第二レンズと、前記出力第一,第二レンズに
    より前記光増幅素子と光結合された出力光ファイバと、
    前記ステムを固定した熱電子冷却素子と、上記構成部品
    を収納,固定したケースとから成る、光素子モジュール
    において、前記熱電子冷却素子自体がSn/Sbはんだ
    によって組み立てられており、前記ステムと前記熱電子
    冷却素子の接合部材及び前記熱電子冷却素子と前記ケー
    スの接合部材にPb/Snはんだを用いることを特徴と
    する光素子モジュール。
  3. 【請求項3】請求項2において、光素子が光増幅素子で
    ある代わりに、光変調素子であることを特徴とする光素
    子モジュール。
JP25499194A 1994-10-20 1994-10-20 光素子モジュール Pending JPH08122585A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25499194A JPH08122585A (ja) 1994-10-20 1994-10-20 光素子モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25499194A JPH08122585A (ja) 1994-10-20 1994-10-20 光素子モジュール

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001301510A Division JP2002182078A (ja) 2001-09-28 2001-09-28 光素子モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08122585A true JPH08122585A (ja) 1996-05-17

Family

ID=17272697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25499194A Pending JPH08122585A (ja) 1994-10-20 1994-10-20 光素子モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08122585A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006222145A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザモジュール及び実装方法
JP2016028273A (ja) * 2014-07-09 2016-02-25 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光モジュールを製造する方法及び光モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006222145A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザモジュール及び実装方法
JP2016028273A (ja) * 2014-07-09 2016-02-25 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光モジュールを製造する方法及び光モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010947B1 (ko) 광결합장치와 그 제조방법, 발광장치와 그 조립방법 및 렌즈홀더
US5068865A (en) Semiconductor laser module
US20020009106A1 (en) Semiconductor laser diode module
US6758610B2 (en) Optical component attachment to optoelectronic packages
US5247530A (en) Laser diode module
KR100322134B1 (ko) 광원과 광섬유의 정렬 장치 및 이를 구비하는 광원 모듈
JP2003262766A (ja) 光結合装置
JP2627900B2 (ja) オプトエレクトロニクスパッケージ
JP3518491B2 (ja) 光結合装置
US7226218B2 (en) Method and apparatus for coupling a laser to a fiber in a two-lens laser system
JPH03120884A (ja) 半導体レーザモジュール
JPH08122585A (ja) 光素子モジュール
US5066093A (en) Method for adjusting and fixing a lens and optical coupling arrangement manufactured therewith
JPS60136387A (ja) 光素子モジユ−ル
JP2002182078A (ja) 光素子モジュール
US20060056778A1 (en) Laser module with improved lens housing and associated methods
JP2975813B2 (ja) 光素子モジュール及びそれの組立方法
JP2864587B2 (ja) 半導体レーザモジュール
JPH04243179A (ja) コネクタ着脱形半導体レーザモジュール
JP3646692B2 (ja) 光半導体素子モジュール
JP2940497B2 (ja) 光半導体モジュール
JPH03100506A (ja) 光結合装置及び光部品
JPH071811Y2 (ja) 半導体レ−ザモジユ−ル
KR0155537B1 (ko) 광증폭용 레이저 다이오드 모듈 및 그의 제조방법
WO2002039154A1 (en) Semiconductor laser module, and raman amplifier using the semiconductor laser module

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010731

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060511

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060511