JPH08120228A - Conductor connecting structure, its production and connecting member - Google Patents

Conductor connecting structure, its production and connecting member

Info

Publication number
JPH08120228A
JPH08120228A JP6255521A JP25552194A JPH08120228A JP H08120228 A JPH08120228 A JP H08120228A JP 6255521 A JP6255521 A JP 6255521A JP 25552194 A JP25552194 A JP 25552194A JP H08120228 A JPH08120228 A JP H08120228A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection
layer
adhesive layer
thickness
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6255521A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Kie Ueda
希絵 植田
Munehisa Kishimoto
宗久 岸本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6255521A priority Critical patent/JPH08120228A/en
Publication of JPH08120228A publication Critical patent/JPH08120228A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/29076Plural core members being mutually engaged together, e.g. through inserts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/2908Plural core members being stacked
    • H01L2224/29082Two-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/2908Plural core members being stacked
    • H01L2224/29083Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a conductor connecting member with which finely pitched terminals of conductors can be connected to each other in high reliability in a manner in which the components are repairable. CONSTITUTION: This structure is one provided at least two members 1 and 2 which have their respective connecting terminals 12 and 21, wherein the connecting terminals 12 of the 1st member 1 is connected to the connecting terminal 21 of the 2nd member with a conductive material 810, and the area outside the connecting terminal 21 of the 1st member is adhered to the area outside the conductor of the 2nd member with a nonconductive material, provided that the conductive material comprises a conductive polymer having a main chain having conjugated double bonds, the nonconductive material comprises a connecting layer 820 containing a nonconductive polymer having a main chain having conjugated double bonds and a connecting layer 71 containing a thermoplastic polymer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、導体を備える二の部材
の接続された導体接続構造体、その製造方法、および接
続部材に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductor connection structure in which two members each having a conductor are connected, a manufacturing method thereof, and a connection member.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント基板、セラミック基板、ガラス
基板等の配線基板上へ、液晶表示素子、LSI(Large
Scale Integration)等の電子部品を実装する際には、
電気的に接続するとともに、機械的にも接続あるいは固
定する必要がある。現在このような実装においては、以
下の(a)〜(d)のような技術が用いられている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device, an LSI (Large
When mounting electronic components such as Scale Integration),
It is necessary to electrically connect and mechanically connect or fix. Currently, in such mounting, the following techniques (a) to (d) are used.

【0003】(a)図13に示すように、接着剤6によ
り、配線基板1にLSIチップ2をフェースアップで固
定する。そして、LSIチップ2の接続端子21と配線
基板1の接続端子12とを金ワイヤ4で接続する。
(A) As shown in FIG. 13, the LSI chip 2 is fixed face-up to the wiring board 1 with an adhesive 6. Then, the connection terminal 21 of the LSI chip 2 and the connection terminal 12 of the wiring board 1 are connected by the gold wire 4.

【0004】(b)図14に示すように、LSIチップ
2の接続端子21の上に金バンプ23を形成する。そし
て、該金バンプ23を配線基板1の接続端子12に圧着
する。また、これと同時に、これらを樹脂5で固定する
(例えば、特開平5−21522号公報に記載されてい
る)。
(B) As shown in FIG. 14, gold bumps 23 are formed on the connection terminals 21 of the LSI chip 2. Then, the gold bumps 23 are pressure-bonded to the connection terminals 12 of the wiring board 1. At the same time, these are fixed with a resin 5 (for example, it is described in JP-A-5-21522).

【0005】(c)図15に示すように、配線基板1の
LSIチップ搭載部に接着剤6を塗布する。一方、LS
Iチップ2の接続端子21には導電粒子7を含む樹脂を
パターン印刷し、これらを位置あわせした後、熱圧着
し、硬化させる(例えば、特開平5−90443号公報
に記載されている)。
(C) As shown in FIG. 15, an adhesive 6 is applied to the LSI chip mounting portion of the wiring board 1. On the other hand, LS
A resin containing the conductive particles 7 is pattern-printed on the connection terminal 21 of the I-chip 2, these are aligned, then thermocompression bonded and cured (for example, described in JP-A-5-90443).

【0006】(d)図16に示すように、導電粒子31
を熱可塑性または熱硬化性ポリマ32に分散させて形成
したフィルム(いわゆる、異方性導電性フィルム)3
を、接続端子21に突出電極23aを備えるLSIチッ
プ2と基板1との間に挾んで、位置あわせした後、熱圧
着する(例えば、特開平5−206208号公報に記載
されている)。
(D) As shown in FIG.
A film (so-called anisotropic conductive film) formed by dispersing a resin in a thermoplastic or thermosetting polymer 32 3
Is sandwiched between the LSI chip 2 provided with the protruding electrode 23a on the connection terminal 21 and the substrate 1 and aligned, and then thermocompression bonded (for example, described in JP-A-5-206208).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の接続方
式にはそれぞれ以下のような課題があった。
The above-mentioned conventional connection systems have the following problems, respectively.

【0008】上記(a)の方法には、配線基板1の接続
端子12に金のメタライズが必要なため、高価であっ
た。また、実装面積が大きいという欠点がある。
The method (a) is expensive because the connection terminals 12 of the wiring board 1 need to be metallized with gold. Further, there is a drawback that the mounting area is large.

【0009】上記(b)の方法は、配線基板1の接続端
子12に金のメタライズが必要であるとともに、LSI
チップ2にも金バンプ23を形成する必要があるため、
極めてコストが高いという欠点がある。また、金バンプ
23の高さにバラツキがあったり、図17に示すように
接続端子12の高さにバラツキがあったり、図18に示
すように基板11に反りがあったりすると、電気的接続
がなされない部分が生じるという問題もある。
The above method (b) requires gold metallization of the connection terminals 12 of the wiring board 1 and the LSI.
Since it is necessary to form the gold bump 23 also on the chip 2,
It has the drawback of being extremely expensive. Also, if the height of the gold bumps 23 varies, the height of the connection terminals 12 varies as shown in FIG. 17, or the substrate 11 warps as shown in FIG. 18, electrical connection is made. There is also a problem that some parts are not processed.

【0010】上記(c)および(d)の方法では、電気
的な接続が導電粒子7、31と接続端子12、21との
単なる接触のみにより確保されるものであるため、接続
の信頼性が低いという欠点がある。例えば、図19に示
すように、接続端子12の高さにバラツキがあったり、
図20に示すように基板11に反りがあったりすると、
電気的接続がなされない部分が生じる。また、配線の微
細化がさらに進むと、隣接する配線との短絡を防止する
ことが極めて困難になるという欠点がある。
In the above methods (c) and (d), the electrical connection is ensured only by the simple contact between the conductive particles 7, 31 and the connection terminals 12, 21. It has the drawback of being low. For example, as shown in FIG. 19, there are variations in the height of the connection terminal 12,
If the substrate 11 is warped as shown in FIG. 20,
Some parts are not electrically connected. Further, if the wiring is further miniaturized, it is extremely difficult to prevent a short circuit with an adjacent wiring.

【0011】なぜなら、導電粒子31が完全に分散して
いることは期し難く、分散性が完全でない場合は、図2
1に示すように、導電粒子31どうしが接触している部
分33が生じてしまうからである。この接触している導
電粒子群33が隣接する配線間に跨った場合には、短絡
が発生する。
This is because it is difficult for the conductive particles 31 to be completely dispersed, and when the dispersibility is not perfect, as shown in FIG.
This is because a portion 33 where the conductive particles 31 are in contact with each other is generated as shown in FIG. When the conductive particle groups 33 in contact with each other extend between adjacent wirings, a short circuit occurs.

【0012】また、接続端子12、21が、導電粒子3
1の存在しない領域34に位置すると、電気的接続は達
成されないという問題もある。なお、配線基板1とLS
Iチップ2との接続の際に、位置ずれがまったくないよ
うにするのは事実上不可能であり、配線が微細になる
と、この位置ずれが短絡発生に及ぼす影響が加速度的に
大きくなる。さらに、配線が微細になるにつれて、接続
端子12、21と接触する導電粒子7、31の数が少な
くなるため、一つの接続端子あたりの接続抵抗が大きく
なるとともに接続の信頼性が低下してしまうという問題
もある。
Further, the connection terminals 12 and 21 are made of conductive particles 3.
When located in the region 34 where 1 does not exist, there is also a problem that electrical connection is not achieved. The wiring board 1 and the LS
In connection with the I-chip 2, it is practically impossible to prevent any positional deviation, and if the wiring becomes fine, the effect of this positional deviation on the occurrence of a short circuit will increase at an accelerating rate. Furthermore, as the wiring becomes finer, the number of conductive particles 7 and 31 that come into contact with the connection terminals 12 and 21 decreases, so that the connection resistance per one connection terminal increases and the reliability of the connection decreases. There is also a problem.

【0013】近年あらゆる電子回路等は微細化の一途を
たどっており、上述した問題はますます大きくなりつつ
ある。従って、より狭ピッチで端子の接続を可能とする
技術が広く要望されていた。
In recent years, all electronic circuits and the like have been miniaturized, and the above-mentioned problems are becoming more and more serious. Therefore, there has been a widespread demand for a technique capable of connecting terminals at a narrower pitch.

【0014】本発明は、このような問題点を解決し、端
子間の間隔が狭い場合でも信頼性が高い、LSIチップ
の配線基板への接続、TAB(Tape Automated Bondin
g)基板の液晶表示板への接続、など、電子部品の配線
基板へ低コストで高信頼性の実装方法を提供することを
目的とする。
The present invention solves such a problem and has high reliability even when the distance between terminals is narrow, connection of an LSI chip to a wiring board, and TAB (Tape Automated Bondin).
g) An object of the present invention is to provide a low-cost and high-reliability mounting method for a wiring board for electronic components, such as connecting the board to a liquid crystal display board.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、導体からなる接続端子を有する少な
くとも2つの部材を備え、第1の部材に設けられた接続
端子と、第2の部材に設けられた接続端子とが、導電性
材料を用いて接続され、第1の部材の導体以外の部分と
第2の部材の導体以外の部分とが、非導電性材料により
接着された導体接続構造体において、上記導電性材料
は、共役二重結合を主鎖骨格として有する導電性の高分
子を含み、上記非導電性材料は、共役二重結合を主鎖骨
格として有する非導電性の高分子を含む接続層と、熱可
塑性高分子を含む接着層とを備えることを特徴とする導
体接続構造体が提供される。
In order to achieve the above object, the present invention comprises at least two members each having a connecting terminal made of a conductor, and a connecting terminal provided on a first member and a second connecting member. Of the first member is connected to the connection terminal provided on the member by a conductive material, and the portion other than the conductor of the first member and the portion other than the conductor of the second member are bonded by a non-conductive material. In the conductor connection structure, the conductive material includes a conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, and the non-conductive material has a non-conductive material having a conjugated double bond as a main chain skeleton. There is provided a conductor connecting structure comprising a connecting layer containing the polymer of 1. and an adhesive layer containing a thermoplastic polymer.

【0016】上記非導電性の高分子には、共役二重結合
を主鎖骨格として有する導電性の高分子の共役二重結合
のうち、少なくとも一部が非共役化するか、または、切
断されたことにより非導電性となった高分子を用いるこ
とができる。また、上記導電性材料および上記非導電性
材料の接続層は、熱可塑性高分子および熱硬化性高分子
の少なくともいずれかを含むことができる。
In the non-conductive polymer, at least a part of the conjugated double bond of the conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is non-conjugated or is cleaved. As a result, a polymer that has become non-conductive can be used. Further, the connection layer of the conductive material and the non-conductive material may include at least one of a thermoplastic polymer and a thermosetting polymer.

【0017】また、本発明では、共役二重結合を主鎖骨
格として有する高分子を含む接続層と、熱可塑性高分子
からなる接着層とを備え、上記接続層の高分子は、光の
照射により導電性が変化する性質を有することを特徴と
する接続部材が提供される。
Further, in the present invention, a connection layer containing a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton and an adhesive layer made of a thermoplastic polymer are provided, and the polymer of the connection layer is irradiated with light. Thus, a connecting member having a property of changing conductivity is provided.

【0018】この接続部材は、上記接着層と接続層とが
積層されていることが望ましく、上記接着層を2層備
え、第1の上記接着層と、接続層と、第2の上記接着層
との3層が、この順で積層されている構造を備えること
が望ましい。
This connecting member preferably has the adhesive layer and the connecting layer laminated, and comprises two layers of the adhesive layer, the first adhesive layer, the connecting layer, and the second adhesive layer. It is desirable to have a structure in which the above three layers are laminated in this order.

【0019】さらに、本発明では、導体からなる接続端
子を有する2つの部材の接続端子を接続する導体接続構
造体の製造方法であって、第1の部材の上記接続端子を
備える面と、第2の部材の上記接続端子を備える面との
間に、共役二重結合を主鎖骨格として有し、光の照射に
より導電性が変化する性質を備える高分子を含む接続層
と、熱可塑性高分子からなる接着層とを備える接続部材
を挾持させる工程と、上記第1の部材と第2の部材とを
熱圧着する工程と、上記接続層の少なくとも一部に光を
照射する工程とを有することを特徴とする導体接続構造
体の製造方法が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a conductor connection structure for connecting connection terminals of two members having a connection terminal made of a conductor, the first member having a surface provided with the connection terminal, and The connecting layer containing a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton between the surface of the second member and the surface provided with the connection terminal, and having a property of changing conductivity by light irradiation, and a thermoplastic layer. It has a step of holding a connecting member provided with an adhesive layer made of molecules, a step of thermocompression-bonding the first member and a second member, and a step of irradiating at least a part of the connecting layer with light. A method for manufacturing a conductor connection structure is provided.

【0020】上記接続部材は、あらかじめ作製された接
続層と接着層とを備えるフィルムであることが望まし
い。あるいは、上記接続部材は、上記第1の部材の上記
接続端子を備える面に、上記接続層を形成する工程と、
上記接続層の表面に、上記接着層を形成する工程とによ
り形成してもよい。また、上記接続部材は、上記第1の
部材の上記接続端子を備える面に、上記接続層を形成す
る工程と、上記第2の部材の上記接続端子を備える面
に、上記接着層を形成する工程とにより形成してもよ
い。上記接着層を2層備える場合には、上記第1の部材
の上記接続端子を備える面に、第1の上記接着層を形成
する工程と、上記第1の接着層の表面に、上接続層を形
成する工程と、上記第2の部材の上記接続端子を備える
面に、第2の上記接着層を形成する工程と、上記接続層
と上記第2の接着層とを接合することにより形成しても
よい。
The connection member is preferably a film having a connection layer and an adhesive layer which are prepared in advance. Alternatively, the connection member includes a step of forming the connection layer on a surface of the first member including the connection terminal,
It may be formed by a step of forming the adhesive layer on the surface of the connection layer. In the connection member, the step of forming the connection layer on the surface of the first member provided with the connection terminal, and the step of forming the adhesive layer on the surface of the second member provided with the connection terminal. You may form by a process. When two adhesive layers are provided, a step of forming the first adhesive layer on the surface of the first member on which the connection terminals are provided, and an upper connection layer on the surface of the first adhesive layer. And a step of forming a second adhesive layer on the surface of the second member on which the connection terminal is provided, and a step of joining the connection layer and the second adhesive layer. May be.

【0021】上記第1の部材および第2の部材の少なく
ともいずれかが光を透過する場合には、上記光を照射す
る工程は、光を、上記光を透過する部材を通して照射す
る工程とすることが望ましい。また、上記第1の部材お
よび第2の部材の少なくともいずれかが光を透過する場
合には、上記光を照射する工程を、上記熱圧着する工程
の後に行ってもよい。
When at least one of the first member and the second member transmits light, the step of irradiating the light is a step of irradiating the light through the member which transmits the light. Is desirable. Moreover, when at least one of the first member and the second member transmits light, the step of irradiating the light may be performed after the step of thermocompression bonding.

【0022】[0022]

【作用】まず、本発明による電子部品の接続方法ついて
説明する。ここでは、LSIチップを配線基板に実装す
る場合を例にするが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、接続端子を備える電子部品の接続であれば適用
できる。
First, a method of connecting electronic components according to the present invention will be described. Here, the case where the LSI chip is mounted on the wiring board is taken as an example, but the present invention is not limited to this, and can be applied to any connection of an electronic component having a connection terminal.

【0023】(1)本発明の接続方法としては、まず、
図1に示す接続方法が挙げられる。図1(a)に示すよ
うに、配線基板1上に、導電性高分子を含む組成物から
なる接続層81と、熱可塑性高分子からなる接着層71
との2層を、この順に積層されるように形成する。
(1) As the connection method of the present invention, first,
The connection method shown in FIG. 1 may be used. As shown in FIG. 1A, a connection layer 81 made of a composition containing a conductive polymer and an adhesive layer 71 made of a thermoplastic polymer are provided on a wiring board 1.
And 2 are formed so as to be laminated in this order.

【0024】ついで、配線基板1の接続層81および接
着層71を形成した側から、フォトマスク9を介して接
続端子12上部以外の部分に光を照射する。これによ
り、図1(b)に示すように、接続層81の接続端子1
2上部のみが導電体部分810として残り、他の部分
(光の照射された部分)の接続層81は、選択的に高抵
抗化する。この高抵抗化した部分を、図1では「高抵抗
化部分820」として図示した。
Next, from the side of the wiring substrate 1 where the connection layer 81 and the adhesive layer 71 are formed, light is irradiated to the portion other than the upper portion of the connection terminal 12 through the photomask 9. As a result, as shown in FIG. 1B, the connection terminal 1 of the connection layer 81 is
Only the upper part 2 remains as the conductor part 810, and the connection layer 81 of the other part (the part irradiated with light) selectively has a high resistance. This high resistance portion is shown as "high resistance portion 820" in FIG.

【0025】その後、導電性部分810と、バンプ付き
LSIチップ2の接続端子21とを位置を合わせて熱圧
着すれば、熱可塑性高分子の層71は加熱により低粘度
になるため、加圧によりバンプ23に押されて、バンプ
23と導電性部分810との接続部位から排除され、図
1(c)に示すように、配線基板1とLSIチップ2と
の導電性部分810を介する接続が達成される。なお、
各端子12間の絶縁は高抵抗化部分820により保たれ
る。
After that, if the conductive portion 810 and the connection terminal 21 of the LSI chip 2 with bumps are aligned and thermocompression-bonded, the thermoplastic polymer layer 71 becomes low in viscosity by heating, so that it is pressed. The bumps 23 push the bumps 23 and remove the bumps 23 from the conductive portions 810, so that the wiring board 1 and the LSI chip 2 are connected to each other via the conductive portions 810, as shown in FIG. 1C. To be done. In addition,
The insulation between the terminals 12 is maintained by the high resistance portion 820.

【0026】(2)上述の(1)の方法では、光が照射
されると高抵抗になる高分子を用いて接続部材を作成し
たが、光が照射されると導電性になる高分子を用いても
よい。この場合を図2に示す。
(2) In the above method (1), the connecting member is made of a polymer that becomes high in resistance when exposed to light. However, a polymer that becomes conductive when exposed to light is used. You may use. This case is shown in FIG.

【0027】まず、配線基板1上に、高抵抗の導電性高
分子前駆体を含む組成物からなる接続層91と、熱可塑
性高分子の接着層71とを形成する。そして、図2
(a)に示すように、フォトマスク9を使用し、接着層
71の側から、接続端子12の上部のみに光を照射す
る。これにより、図2(b)参照に示すように、接続端
子12上部の接続層91は、導電性が高められ、導電化
部分910となり、他の部分は抵抗が高いままで残され
る(この部分を高抵抗性部分920として図示した)。
First, a connection layer 91 made of a composition containing a high-resistance conductive polymer precursor and a thermoplastic polymer adhesive layer 71 are formed on the wiring board 1. And FIG.
As shown in (a), the photomask 9 is used, and light is applied only to the upper portion of the connection terminal 12 from the adhesive layer 71 side. As a result, as shown in FIG. 2B, the connection layer 91 above the connection terminal 12 has increased conductivity and becomes a conductive portion 910, and the other portions are left with high resistance (this portion). Is shown as high resistance portion 920).

【0028】その後、導電化部分910と、バンプ23
付きLSIチップ2の接続端子21との位置を合わせて
熱圧着すれば、熱可塑性高分子の層71は加熱により低
粘度になるため、加圧によりバンプ23に押されて、バ
ンプ23と導電化部分910との接続部位から熱可塑性
高分子が排除され、LSIチップ2のバンプ23と配線
基板1の接続端子12とが導電化部分910を介して接
続されるので、図2(c)に示すように、配線基板1と
LSIチップ2との接続が達成される。この場合、各端
子12間の絶縁は高抵抗性部分920により保たれる。
Thereafter, the conductive portion 910 and the bump 23 are formed.
If the position of the attached LSI chip 2 and the connection terminal 21 are aligned and thermocompression-bonded, the thermoplastic polymer layer 71 has a low viscosity due to heating, and thus is pressed by the bump 23 to be electrically conductive with the bump 23. Since the thermoplastic polymer is excluded from the connection portion with the portion 910 and the bumps 23 of the LSI chip 2 and the connection terminals 12 of the wiring board 1 are connected via the conductive portion 910, it is shown in FIG. Thus, the connection between the wiring board 1 and the LSI chip 2 is achieved. In this case, the insulation between the terminals 12 is maintained by the high resistance portion 920.

【0029】(3)上述した(1)および(2)では、
基板の接着層71を形成した側から光を照射したが、接
続層81,91および接着層71を形成していない側か
ら光を照射するようにしてもよい。この方法を図3に示
す。なお、この方法では、ガラス基板などのように、照
射された光を透過する基板を用いる。
(3) In the above (1) and (2),
Although the light is emitted from the side of the substrate on which the adhesive layer 71 is formed, the light may be emitted from the side on which the connection layers 81 and 91 and the adhesive layer 71 are not formed. This method is shown in FIG. In this method, a substrate that transmits the irradiated light, such as a glass substrate, is used.

【0030】まず、配線基板1の一方の側に、導電性高
分子を含む組成物からなる接続層81と、熱可塑性高分
子からなる接着層71とを、順次形成する。次いで、バ
ンプ23付きLSIチップ2を、バンプ23と接着層7
1とが対向するように載置し、熱圧着すると、熱可塑性
高分子の層は加熱により低粘度になるため、加圧により
バンプ23に押されてバンプ23と導電性部分810と
の接続部位から排除され、配線基板1の接続端子12と
LSIチップ2の端子21との電気的接続が導電性高分
子を介して達成される。
First, a connection layer 81 made of a composition containing a conductive polymer and an adhesive layer 71 made of a thermoplastic polymer are sequentially formed on one side of the wiring board 1. Next, the LSI chip 2 with the bumps 23 is attached to the bumps 23 and the adhesive layer 7.
When they are placed so as to face each other and thermocompression-bonded, the thermoplastic polymer layer has a low viscosity due to heating, and therefore is pressed by the bumps 23 by pressure to connect the bumps 23 and the conductive portion 810. The electrical connection between the connection terminal 12 of the wiring board 1 and the terminal 21 of the LSI chip 2 is achieved via the conductive polymer.

【0031】このようにしてLSIチップを搭載した透
明基板11の、LSIチップ2を搭載していない側か
ら、図3(a)に示すように、導電性高分子の接続層8
1に光を照射する。すると、接続端子12は、これが光
を遮断する物質からなる場合、フォトマスクトとして機
能し、接続端子12のない部分の導電性高分子81に
は、光が照射されて、高抵抗化され、図3(b)に示す
ように、高抵抗化部分820が形成される。これによ
り、隣接する接続端子間の絶縁性を確保することができ
る。一方、接続端子12の上部に位置する接続層81の
導電性高分子(導電性部分810)には、接続端子12
に遮られて光が照射されないため、そのまま導電性が維
持される。このようにすれば、フォトマスクを別段に用
意する必要がなく、接続端子12のない位置の接着層8
1に正確に光を照射することができる。また、配線基板
1とLSIチップ2とは、高抵抗化部分820において
も接着されているため、十分な接合力が得られる。
As shown in FIG. 3A, from the side of the transparent substrate 11 on which the LSI chip is mounted, on which the LSI chip 2 is not mounted, as shown in FIG.
1 is irradiated with light. Then, when the connection terminal 12 is made of a substance that blocks light, the connection terminal 12 functions as a photomask, and the conductive polymer 81 in the portion without the connection terminal 12 is irradiated with light to have a high resistance, As shown in FIG. 3B, the high resistance portion 820 is formed. This ensures the insulation between the adjacent connection terminals. On the other hand, in the conductive polymer (conductive portion 810) of the connection layer 81 located above the connection terminal 12, the connection terminal 12
Since it is blocked by and is not irradiated with light, the conductivity is maintained as it is. In this way, it is not necessary to separately prepare a photomask, and the adhesive layer 8 at the position where the connection terminal 12 is not present.
It is possible to irradiate 1 with light accurately. Further, since the wiring board 1 and the LSI chip 2 are also bonded to each other in the high resistance portion 820, a sufficient bonding force can be obtained.

【0032】なお、接続端子12が透明導電膜からなる
場合、あるいは、金属配線を併用していてもその膜厚が
薄くフォトマスクとして十分に光を遮断できない場合に
は、図3(c)に示すように、別途フォトマスク9を設
けて、接続端子12の位置に照射される光を遮断すれ
ば、同様にして接続端子12とバンプ23との導通を図
りつつ、接続端子12間の絶縁を確保できる。
Incidentally, when the connection terminal 12 is made of a transparent conductive film, or when the metal wiring is also used and the film thickness is thin and the light cannot be sufficiently shielded as a photomask, FIG. As shown in the drawing, if a photomask 9 is separately provided to block the light radiated to the position of the connection terminal 12, the connection terminal 12 and the bump 23 are electrically connected in the same manner and the connection terminal 12 is insulated. Can be secured.

【0033】(4)上述の(3)の方法では、配線基板
1にLSIチップ2を搭載してから光照射を行ったが、
先に光を照射してから配線基板1とLSIチップ2とを
熱圧着してもよい。基板11がガラスのように光を透過
し、さらに、接続端子12は透明電極のように光を透過
するものからなり、基板11内の配線材料も透明導電膜
のように光を透過するものの場合は、つぎに説明するよ
うな、図4に示す方法を用いることもできる。
(4) In the above method (3), the light irradiation is performed after the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1.
The wiring board 1 and the LSI chip 2 may be thermocompression-bonded after first irradiating light. In the case where the substrate 11 transmits light like glass and the connection terminal 12 transmits light like a transparent electrode, and the wiring material in the substrate 11 also transmits light like a transparent conductive film. Can also use the method shown in FIG. 4 as described below.

【0034】まず、配線基板1の一方の側に、導電性高
分子前駆体を含む組成物からなる接続層81と、熱可塑
性高分子の接着層71とを、順次形成する。次いで、バ
ンプ23付きLSIチップ2を、バンプ23と接着層7
1とが対向するように載置し、熱圧着すると、熱可塑性
高分子の層は加熱により低粘度になるため、加圧により
バンプ23に押されて、バンプ23と接続層81との接
続部位から排除され、配線基板1の接続端子12とLS
Iチップ2の端子21とが接続層81を介して接続され
る。
First, a connection layer 81 made of a composition containing a conductive polymer precursor and a thermoplastic polymer adhesive layer 71 are sequentially formed on one side of the wiring board 1. Next, the LSI chip 2 with the bumps 23 is attached to the bumps 23 and the adhesive layer 7.
When they are placed so as to face each other and thermocompression-bonded, the thermoplastic polymer layer has a low viscosity due to heating, and thus is pressed by the bumps 23 by pressure to connect the bumps 23 to the connection layer 81. And the LS and the connection terminal 12 of the wiring board 1
The terminal 21 of the I-chip 2 is connected via the connection layer 81.

【0035】このLSIチップ2を搭載した配線基板1
の、LSIチップ2の搭載されていない側から、図4
(a)に示すように、フォトマスク9を介して、接続端
子12の位置の接続層91の導電性高分子前駆体にのみ
光を照射する。すると、光が照射された部分は、導電性
が高まり、高導電化部分910が得られる。一方、接続
端子12のない部分には、フォトマスク9の存在により
光が照射されず、抵抗の高い状態のまま残る。これが、
高抵抗性部分920である。
Wiring board 1 on which this LSI chip 2 is mounted
From the side where the LSI chip 2 is not mounted, as shown in FIG.
As shown in (a), light is irradiated through the photomask 9 only to the conductive polymer precursor of the connection layer 91 at the position of the connection terminal 12. Then, the light-irradiated portion has increased conductivity, and the highly-conductive portion 910 is obtained. On the other hand, the portion without the connection terminal 12 is not irradiated with light due to the existence of the photomask 9, and remains in a high resistance state. This is,
The high resistance portion 920.

【0036】これにより、接続端子12とLSIチップ
2の端子21とを電気的に接続するとともに、隣接する
配線間の絶縁性を確保することができる。また、配線基
板1とLSIチップ2とは、高抵抗性部分920におい
ても接着されているため十分な接合力が得られる。
As a result, the connection terminal 12 and the terminal 21 of the LSI chip 2 can be electrically connected and the insulation between adjacent wirings can be secured. Further, since the wiring board 1 and the LSI chip 2 are also adhered to each other in the high resistance portion 920, a sufficient joining force can be obtained.

【0037】(5)基板11および基板11内の配線が
光を透過し、接続端子12が光を透過しない場合は、つ
ぎに説明するような、図5に示す方法を用いることもで
きる。
(5) When the substrate 11 and the wiring in the substrate 11 transmit light and the connection terminal 12 does not transmit light, the method shown in FIG. 5 as described below can also be used.

【0038】まず、導電性高分子を含む組成物からなる
接続層81と、熱可塑性高分子の接着層71とを配線基
板1に順次形成し、この接続層81に、図5(a)に示
すように、配線基板1の基板11を通して光を照射す
る。このとき、接続端子12が光を遮断するものであれ
ば、該接続端子12そのものがフォトマスクとして機能
する。これにより、図5(b)に示すように、接続端子
12により光が遮断された部分のみが導電性部分810
として残り、他の部分は照射された光により抵抗が高く
なって、高抵抗化部分820が得られる。
First, a connection layer 81 made of a composition containing a conductive polymer and an adhesive layer 71 of a thermoplastic polymer are sequentially formed on the wiring board 1, and the connection layer 81 is formed as shown in FIG. As shown, light is emitted through the substrate 11 of the wiring substrate 1. At this time, if the connection terminal 12 blocks light, the connection terminal 12 itself functions as a photomask. As a result, as shown in FIG. 5B, only the portion where the light is blocked by the connection terminal 12 is the conductive portion 810.
As a result, the resistance of the other portion is increased by the irradiated light, and the high resistance portion 820 is obtained.

【0039】つぎに、導電性部分810とバンプ23付
きLSIチップ2の接続端子21との位置を合わせて、
接着層71とバンプ23とが対向するようにLSIチッ
プ2を基板1上に載置し、熱圧着する。このとき、接着
層71の熱可塑性高分子は加熱により低粘度になるの
で、加圧によりバンプ23に押されて、バンプ23と導
電性部分810との接続部位から排除され、図5(c)
に示すように、接続層81の導電性部分810を介して
の配線基板1の接続端子12とLSIチップ2のバンプ
23との接続が達成される。この場合も、端子間の絶縁
は高抵抗化部分820により保たれる。
Next, the conductive portion 810 and the connection terminal 21 of the LSI chip 2 with the bump 23 are aligned with each other,
The LSI chip 2 is placed on the substrate 1 so that the adhesive layer 71 and the bumps 23 face each other and thermocompression bonded. At this time, since the thermoplastic polymer of the adhesive layer 71 has a low viscosity due to heating, it is pushed by the bumps 23 by pressure and is eliminated from the connection portion between the bumps 23 and the conductive portion 810, and the adhesive layer 71 is removed as shown in FIG.
As shown in, the connection between the connection terminal 12 of the wiring board 1 and the bump 23 of the LSI chip 2 is achieved through the conductive portion 810 of the connection layer 81. Also in this case, insulation between terminals is maintained by the high resistance portion 820.

【0040】(6)また、基板11および基板11内の
配線が光を透過する材料からなる場合は、接続端子12
の透光性の有無に拘らず、図6に示すような実装方法を
用いることができる。
(6) When the substrate 11 and the wiring in the substrate 11 are made of a material that transmits light, the connection terminal 12
It is possible to use the mounting method as shown in FIG.

【0041】まず、配線基板1の一方の面に、導電性高
分子を含む組成物からなる接続層81と、熱可塑性高分
子の接着層71とを、順次形成する。ついで、配線基板
1の接着層71を形成していない側から、フォトマスク
9を介して、接続層81の接続端子12のない部分にの
み光を照射する。これによって、該部分の導電性高分子
のみを高抵抗化し、高抵抗化部分820が得られる。そ
の後、接着層71とバンプ23とを対向させて配線基板
1にLSIチップ2を載置し、導電性部分810とLS
Iチップ2の接続端子21との位置を合わせて熱圧着す
れば、熱可塑性高分子の層71は加熱により低粘度にな
るため、加圧によりバンプ23に押されて、バンプ23
と導電性部分810との接続部位から排除され、図6
(c)に示すように、導電性部分810を介して配線基
板1とLSIチップ2との接続が達成される。
First, a connection layer 81 made of a composition containing a conductive polymer and an adhesive layer 71 of a thermoplastic polymer are sequentially formed on one surface of the wiring board 1. Next, from the side of the wiring board 1 where the adhesive layer 71 is not formed, light is irradiated through the photomask 9 only to the portion of the connection layer 81 where the connection terminals 12 are not provided. As a result, only the conductive polymer in that portion has a high resistance, and the high resistance portion 820 is obtained. After that, the LSI chip 2 is placed on the wiring board 1 with the adhesive layer 71 and the bumps 23 facing each other, and the conductive portion 810 and the LS are placed.
When the I-chip 2 is aligned with the connection terminal 21 and thermocompression-bonded, the thermoplastic polymer layer 71 has a low viscosity due to heating, and thus is pressed by the bump 23 to be pressed by the bump 23.
And the conductive portion 810 is removed from the connection site, as shown in FIG.
As shown in (c), the connection between the wiring board 1 and the LSI chip 2 is achieved through the conductive portion 810.

【0042】(7)基板11がガラスのように光を透過
し、かつ、配線材料が透明導電膜のように光を透過する
ものである場合には、図7に示す実装方法を適用するこ
ともできる。
(7) When the substrate 11 transmits light like glass and the wiring material transmits light like transparent conductive film, the mounting method shown in FIG. 7 is applied. You can also

【0043】まず、配線基板1の一方の面に、導電性高
分子前駆体を含む組成物からなる接続層91と、熱可塑
性高分子からなる接着層71とを、順次積層する。つい
で、図7(a)に示すように、配線基板1の接着層71
を形成していない側からフォトマスク9を介して接続端
子12の部分にのみ光を照射する。これにより、図7
(b)に示すように、接続端子12の上部の接続層91
のみを導電化部分910とし、他の部分は高抵抗性部分
920として残すことができる。
First, a connection layer 91 made of a composition containing a conductive polymer precursor and an adhesive layer 71 made of a thermoplastic polymer are sequentially laminated on one surface of the wiring board 1. Then, as shown in FIG. 7A, the adhesive layer 71 of the wiring board 1 is formed.
Light is applied only to the portion of the connection terminal 12 through the photomask 9 from the side where the wiring is not formed. As a result, FIG.
As shown in (b), the connection layer 91 above the connection terminal 12 is formed.
Only the conductive portion 910 can be left, and the other portion can be left as the high resistance portion 920.

【0044】その後、接着層71とバンプ23とが対向
するように、配線基板1とLSIチップとを配置し、導
電化部分910とLSIチップ2の接続端子21との位
置を合わせて熱圧着すれば、熱可塑性高分子の層は、加
熱により低粘度になるため、加圧によりバンプ23で押
されて、バンプ23と導電化部分910との接続部位か
ら排除され、図7(c)に示すように、配線基板1の接
続端子12とLSIチップ2のバンプ23との導電化部
分910を介しての接続が達成される。この場合も、端
子間の絶縁は高抵抗性部分920により保たれる。
Thereafter, the wiring board 1 and the LSI chip are arranged so that the adhesive layer 71 and the bump 23 face each other, and the conductive portion 910 and the connection terminal 21 of the LSI chip 2 are aligned and thermocompression bonded. For example, since the thermoplastic polymer layer has a low viscosity due to heating, it is pressed by the bumps 23 by pressure and is removed from the connection portion between the bumps 23 and the conductive portion 910, as shown in FIG. Thus, the connection between the connection terminal 12 of the wiring board 1 and the bump 23 of the LSI chip 2 through the conductive portion 910 is achieved. Again, insulation between the terminals is maintained by the high resistance portion 920.

【0045】(8)上述した(1)〜(7)では、配線
基板1に接続層81または91と接着層71とを形成し
たが、搭載する電子部品(ここではLSIチップ2を例
にしている)に接続層81または91と接着層71とを
形成してもよい。この場合の実装方法の例を図8に示
す。
(8) In the above (1) to (7), the connection layer 81 or 91 and the adhesive layer 71 are formed on the wiring board 1, but the electronic components to be mounted (here, the LSI chip 2 is used as an example. Connection layer 81 or 91 and the adhesive layer 71 may be formed. An example of the mounting method in this case is shown in FIG.

【0046】まず、バンプ23付きLSIチップ2のバ
ンプ23を備える側に、熱可塑性高分子からなる接着層
71と、導電性高分子を含む組成物からなる接続層81
とを順次形成する。そして、図8(a)に示すように、
接続層81を形成した側から、接続端子21の部分に照
射される光を遮断するフォトマスク9を介して、接続層
81に光を照射する。これにより、図8(b)に示すよ
うに、光が照射された部分のみが高抵抗化して高抵抗化
部分820となり、光が遮断された領域(接続端子21
に対応した部分)は導電性のまま残って導電性部分81
0となる。
First, an adhesive layer 71 made of a thermoplastic polymer and a connection layer 81 made of a composition containing a conductive polymer are provided on the bump 23 side of the LSI chip 2 having the bumps 23.
And are sequentially formed. Then, as shown in FIG.
From the side where the connection layer 81 is formed, the connection layer 81 is irradiated with light through the photomask 9 that blocks the light irradiated to the portion of the connection terminal 21. As a result, as shown in FIG. 8B, only the light-irradiated portion has a high resistance and becomes a high-resistance portion 820, and a light-shielded area (connection terminal 21
(Corresponding to the part) remains conductive and the conductive part 81
It becomes 0.

【0047】その後、接続層81(導電性部分810お
よび高抵抗化部分820)と接続端子12とが対向する
ように、配線基板1とLSIチップ2とを配置し、導電
性部分810と、配線基板1の接続端子12との位置を
合わせて熱圧着する。これにより、熱圧着前には図8
(b)に示すようにバンプ23が導電性部分810に接
していなくても、接続層71の熱可塑性樹脂は加熱によ
り低粘度になるため、加圧によりバンプ23で押され
て、バンプ23と導電性部分810との接続部位から排
除され、図8(c)に示すように、配線基板1とLSI
チップ2との導電性部分810を介する接続が達成され
る。この場合も、端子間の絶縁は高抵抗化部分820に
より保たれる。
Thereafter, the wiring board 1 and the LSI chip 2 are arranged so that the connection layer 81 (the conductive portion 810 and the high resistance portion 820) and the connection terminal 12 face each other, and the conductive portion 810 and the wiring are arranged. The substrate 1 and the connection terminal 12 are aligned with each other and thermocompression bonded. As a result, before thermocompression bonding,
Even if the bump 23 is not in contact with the conductive portion 810 as shown in (b), since the thermoplastic resin of the connection layer 71 has a low viscosity by heating, it is pressed by the bump 23 due to pressure, and the Excluded from the connection portion with the conductive portion 810, as shown in FIG.
A connection with the chip 2 via the conductive part 810 is achieved. Also in this case, insulation between terminals is maintained by the high resistance portion 820.

【0048】(9)また、光を照射すると導電性になる
導電性高分子前駆体を用いても、上述の(8)と同様
に、LSIチップ2の側に接着層および接続層を形成す
る実装方法を実現することができる。この実装方法を図
9に示す。
(9) Further, even if a conductive polymer precursor which becomes conductive when irradiated with light is used, an adhesive layer and a connection layer are formed on the side of the LSI chip 2 as in (8) above. Implementation method can be realized. This mounting method is shown in FIG.

【0049】まず、バンプ23付きLSIチップ2のバ
ンプ23を備える側の面に、熱可塑性高分子からなる接
着層71と、導電性高分子前駆体を含む組成物からなる
接続層91とを順次形成する。このLSIチップ2に、
図9(a)に示すように、接続端子21の部分以外に照
射される光を遮断する(すなわち、接続端子21の領域
のみに光が照射されるようにする)フォトマスク9を介
して、接続層91を形成した側から光を照射する。これ
により、図9(b)に示すように、光の照射された領域
(接続端子21のある領域)の接続層91は導電化され
て導電化部分910となり、光の遮断された領域(接続
端子21のない領域)の接続層91は導電性のないまま
残されて高抵抗性部分920となる。
First, an adhesive layer 71 made of a thermoplastic polymer and a connection layer 91 made of a composition containing a conductive polymer precursor are sequentially formed on the surface of the LSI chip 2 having the bumps 23 on which the bumps 23 are provided. Form. In this LSI chip 2,
As shown in FIG. 9A, through the photomask 9 that blocks the light radiated to other than the portion of the connection terminal 21 (that is, the light is radiated only to the region of the connection terminal 21), Light is emitted from the side where the connection layer 91 is formed. As a result, as shown in FIG. 9B, the connection layer 91 in the light-irradiated region (the region where the connection terminal 21 is present) becomes conductive and becomes the conductive portion 910, and the light-shielded region (connection The connection layer 91 in the region where the terminals 21 are not present) is left as it is not conductive and becomes the high resistance portion 920.

【0050】その後、接続層91(導電化部分910お
よび高抵抗性部分920)と接続端子12とが対向する
ように、配線基板1とLSIチップ2とを配置し、導電
化部分910と、配線基板1の接続端子12との位置を
合わせて熱圧着する。加熱により接着層71の熱可塑性
樹脂は低粘度になるため、熱圧着前には図9(b)に示
すようにバンプ23が導電性部分810に接していなく
ても、加圧によりバンプ23で押されて、バンプ23と
導電性部分810との接続部位から排除され、図9
(c)に示すように、配線基板1とLSIチップ2との
導電化部分910による接続が達成される。この場合
も、端子間の絶縁は高抵抗性部分920により保たれ
る。
After that, the wiring substrate 1 and the LSI chip 2 are arranged so that the connection layer 91 (the conductive portion 910 and the high resistance portion 920) and the connection terminal 12 face each other, and the conductive portion 910 and the wiring are arranged. The substrate 1 and the connection terminal 12 are aligned with each other and thermocompression bonded. Since the thermoplastic resin of the adhesive layer 71 has a low viscosity due to the heating, even if the bump 23 is not in contact with the conductive portion 810 as shown in FIG. When pushed, the bump 23 and the conductive portion 810 are removed from the connection site,
As shown in (c), the connection between the wiring board 1 and the LSI chip 2 by the conductive portion 910 is achieved. Again, insulation between the terminals is maintained by the high resistance portion 920.

【0051】以上の(1)〜(9)では、LSIチップ
の実装を例にとって説明したが、本発明は、LSIチッ
プ以外の表面実装部品(例えば、トランジスタ、チップ
コンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、パッケー
ジLSI)などの電子部品の配線基板への搭載や、液晶
表示板のTAB基板への搭載などの、電子部品の接続に
適用することができる。
In the above (1) to (9), the mounting of the LSI chip has been described as an example, but the present invention is not limited to surface mounting components (for example, transistors, chip capacitors, chip inductors, chip resistors, etc.). The present invention can be applied to connection of electronic components such as mounting of electronic components such as package LSI) on a wiring substrate and mounting of a liquid crystal display panel on a TAB substrate.

【0052】ガラス基板を使用するものとしては、液晶
表示素子を代表として挙げることができる。該液晶表示
素子では、配線(接続端子12)の材料として透明導電
膜のみが使用される場合と、透明導電膜と金属材料との
2層配線が使用される場合とがある。配線材料に透明導
電膜と金属材料との2層配線が使用されている場合に
は、上述したとおり、配線自体をフォトマスクとして使
用することができる。従って、極めて合理的な製造プロ
セスが実現できる。一方、配線材料が透明導電膜のみの
場合には、上述したとおり、フォトマスクを介して光を
照射すればよい。
A liquid crystal display device can be mentioned as a typical example of a device using a glass substrate. In the liquid crystal display element, there are cases where only the transparent conductive film is used as the material of the wiring (connection terminal 12) and cases where two-layer wiring of the transparent conductive film and the metal material is used. When a two-layer wiring of a transparent conductive film and a metal material is used as the wiring material, the wiring itself can be used as a photomask as described above. Therefore, a very rational manufacturing process can be realized. On the other hand, when the wiring material is only the transparent conductive film, light may be emitted through the photomask as described above.

【0053】プリント基板やセラミック基板のように透
光性のない配線基板上の接続端子との接続においては、
上述したように、別途フォトマスクを設けて導電性高分
子等の膜の側から光を照射すれば良い。
In connection with a connection terminal on a wiring board that does not transmit light, such as a printed board or a ceramic board,
As described above, a separate photomask may be provided and light may be irradiated from the side of the film of a conductive polymer or the like.

【0054】以上のように、本発明では、電子部品の接
続に、熱可塑性高分子からなる接着層と、導電性高分子
または導電性高分子前駆体を含む組成物から得られる接
続層との多層構造を有する接続部材を用いる。なお、本
発明の導電性高分子または導電性高分子前駆体を含む組
成物は、光の照射により導電性(すなわち抵抗)が変化
する。このように多層の接続部材を用いれば、光の照射
により抵抗が変化する導電性高分子を用いて導通および
絶縁を確保しつつ、接続部分の接着性を高め、かつ光の
照射に対する感度を高めることができる。
As described above, according to the present invention, an adhesive layer made of a thermoplastic polymer and a connection layer made of a composition containing a conductive polymer or a conductive polymer precursor are used for connecting electronic parts. A connecting member having a multilayer structure is used. The composition containing the conductive polymer or the conductive polymer precursor of the present invention changes in conductivity (that is, resistance) by irradiation with light. By using a multi-layered connecting member in this way, it is possible to increase the adhesiveness of the connection portion and increase the sensitivity to light irradiation while ensuring conduction and insulation by using a conductive polymer whose resistance changes with light irradiation. be able to.

【0055】光の照射により抵抗が変化する高分子組成
物に含まれる高分子(導電性高分子または導電性高分子
前駆体)として、本発明では、共役二重結合を主鎖骨格
として有する高分子を用いる。この高分子化合物には、
ホットメルト接着剤として使用される熱可塑性高分子と
比較して接着力が低いという欠点がある。しかし、本発
明では、導通を図るための導電性高分子を含む接続層
と、接着性の高い熱可塑性高分子の層との層状構造によ
り電子部品を接続するため、導電性高分子の低い接着性
を補って、高い接着力を得ることができる。なお、本発
明では、接着層を熱可塑性高分子を用いて形成する。こ
の接着層の熱可塑性高分子は、熱圧着時の加熱により軟
化し、導体の接合部位より押し退けられるため、導通を
阻害することがなく、本発明の接続方法に適している。
In the present invention, as a polymer (conductive polymer or conductive polymer precursor) contained in a polymer composition whose resistance changes by irradiation of light, a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is used in the present invention. Use the molecule. This polymer compound contains
There is a drawback that the adhesive strength is low as compared with a thermoplastic polymer used as a hot melt adhesive. However, in the present invention, since the electronic component is connected by the layered structure of the connection layer containing the conductive polymer for achieving electrical continuity and the layer of the thermoplastic polymer having high adhesiveness, low adhesion of the conductive polymer is obtained. The adhesiveness can be supplemented and high adhesive strength can be obtained. In the present invention, the adhesive layer is formed by using a thermoplastic polymer. The thermoplastic polymer of the adhesive layer is softened by heating during thermocompression bonding and is pushed away from the joint portion of the conductor, so that it does not hinder conduction and is suitable for the connection method of the present invention.

【0056】また、本発明では、接続部材が、光の照射
により抵抗が変化する高分子組成物からなる接続層と、
熱可塑性高分子からなる接着層との層状構造を備えるた
め、十分な接着性の得られる厚さの接続部材を用いて
も、光の照射により抵抗が変化する高分子組成物の量は
少ない。従って、十分な導電性または絶縁性を得るため
に必要な光の照射量は、接続部材を光の照射により抵抗
が変化する高分子組成物のみで形成する場合より、少な
くて済む。本発明では、電気的接続に必要な厚さだけを
光の照射により抵抗が変化する高分子組成物からなる接
続層とし、接着性を担保するために必要な厚さは、光の
照射の必要がない熱可塑性高分子により保持するため、
少ない光照射量で、接続層の導電性を大きく変化させる
ことができる。
Further, in the present invention, the connection member comprises a connection layer made of a polymer composition whose resistance changes by irradiation with light,
Since it has a layered structure with an adhesive layer made of a thermoplastic polymer, the amount of the polymer composition whose resistance is changed by irradiation with light is small even if a connecting member having a thickness capable of obtaining sufficient adhesiveness is used. Therefore, the irradiation amount of light required to obtain sufficient conductivity or insulation is smaller than that in the case where the connecting member is made of only the polymer composition whose resistance changes by the irradiation of light. In the present invention, only the thickness necessary for electrical connection is a connection layer made of a polymer composition whose resistance changes by irradiation with light, and the thickness required to secure adhesiveness is Since it is held by a thermoplastic polymer that has no
The conductivity of the connection layer can be significantly changed with a small light irradiation amount.

【0057】本発明では、導電性の変化する高分子とし
て、共役二重結合を主鎖骨格として有する高分子を用い
る。この高分子には、酸化状態または還元状態では導電
性があり中性状態では導電性のないものと、塩基状態で
は導電性がなく塩状態では導電性があるものとがある。
ここでは、導電性のある状態(酸化状態、還元状態、塩
状態)のものを導電性高分子とよび、高抵抗状態(中性
状態、塩基状態)のものを非導電性高分子または導電性
高分子前駆体と呼ぶ。
In the present invention, a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is used as the polymer whose conductivity changes. This polymer is classified into those that are conductive in the oxidized or reduced state and not conductive in the neutral state, and those that are not conductive in the basic state and conductive in the salt state.
Here, a conductive state (oxidized state, reduced state, salt state) is called a conductive polymer, and a high resistance state (neutral state, basic state) is a non-conductive polymer or conductive state. It is called a polymer precursor.

【0058】つぎに、酸化還元状態で導電性が得られる
高分子について説明する。このような共役二重結合を主
鎖骨格として有する高分子は、ドーパント(酸化剤また
は還元剤)によるドーピング処理を施すと、高い導電性
をが付与される。このような高分子の代表的な例とし
て、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、
ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン等を
挙げることができる。これらの高分子は中性状態では極
めて抵抗が高く、実質的に絶縁物であるが、上述のドー
パントによるドーピング処理を行なって酸化状態あるい
は還元状態に変化させると、導電性は著しく高まる。本
明細書では、酸化状態あるいは還元状態にある高い導電
性の付与された上記高分子を導電性高分子と呼び、中性
状態で実質的に絶縁物である上記高分子を導電性高分子
前駆体と呼ぶ。
Next, the polymer that can obtain conductivity in the redox state will be described. A polymer having such a conjugated double bond as a main chain skeleton is imparted with high conductivity when subjected to a doping treatment with a dopant (oxidizing agent or reducing agent). Typical examples of such polymers are polypyrrole, polythiophene, polyacetylene,
Examples thereof include polyphenylene vinylene and polythienylene vinylene. These polymers have extremely high resistance in a neutral state and are substantially insulators, but when they are changed into an oxidized state or a reduced state by performing the doping treatment with the above-mentioned dopant, the conductivity is remarkably increased. In the present specification, the above-mentioned polymer having a high conductivity in an oxidized state or a reduced state is referred to as a conductive polymer, and the above-mentioned polymer which is substantially an insulator in a neutral state is referred to as a conductive polymer precursor. Call it the body.

【0059】ドーパントとして用いることのできる酸化
剤の例としては、ヨウ素、臭素、塩化第二鉄、五フッ化
アンチモンが挙げられる。なお、一般的には、上記高分
子は還元状態より酸化状態の方が安定である。ドーパン
トとして用いることのできる還元剤の例としては、金属
ナトリウムおよび金属カリウムが挙げられる。ドーパン
トとしてこれらの還元剤を使用する場合には、高分子に
ポリチオフェンを使用することが好ましい。
Examples of the oxidizing agent that can be used as the dopant include iodine, bromine, ferric chloride and antimony pentafluoride. In general, the polymer is more stable in the oxidized state than in the reduced state. Examples of reducing agents that can be used as dopants include metallic sodium and metallic potassium. When these reducing agents are used as the dopant, it is preferable to use polythiophene as the polymer.

【0060】これらの高分子は一般的には溶剤に対する
溶解性が低いものが多く、加工性に乏しい。しかし、チ
オフェン環、ピロール環、ベンゼン環、またはアセチレ
ンの水素原子を、アルキル基やアルコキシル基で置き換
えるか、あるいは、水酸基、エステル基、ウレタン基、
アミノ基、アミド基、ケトン基、またはシアノ基等を有
する、アルキル基、アルコキシル基およびチオアルキル
基のいずれかで置き換えることによって、有機溶剤に対
する溶解性を高めることができる。なお、これらの置換
基を導入することより接着性を発現させることもでき
る。
Many of these polymers generally have a low solubility in a solvent and are poor in processability. However, the hydrogen atom of a thiophene ring, a pyrrole ring, a benzene ring, or acetylene is replaced with an alkyl group or an alkoxyl group, or a hydroxyl group, an ester group, a urethane group,
By substituting any of an alkyl group, an alkoxyl group, and a thioalkyl group having an amino group, an amide group, a ketone group, a cyano group, or the like, the solubility in an organic solvent can be increased. In addition, the adhesiveness can be exhibited by introducing these substituents.

【0061】これらの高分子を、光を照射することで、
上記高分子を酸化状態(すなわち、導電性の高い状態)
から中性状態(すなわち、抵抗の高い状態)に変化させ
るには、光を受けると還元剤を発生する物質(以下、
「潜在性還元剤」という)を、導電性高分子の膜に混在
させておけばよい。潜在性還元剤に光が照射されると還
元剤が発生し、該還元剤が酸化状態の導電性高分子を還
元し、中性状態、すなわち高抵抗状態とする。この潜在
性還元剤の例としては、トリカルボニル(シクロペンタ
ジエニル)マンガン(I)[Mn(CO)3(C
55)]、トリカルボニル(シクロオクタテトラエン)
鉄(0)[Fe(CO)3(C88)]等の金属カルボ
ニル錯体を挙げることができる。この金属カルボニル錯
体は光を受けると還元性物質である一酸化炭素を発生す
る。なお、これらの潜在性還元剤は、中性状態の高分子
を還元状態に変化させるのに用いることもできる。
By irradiating these polymers with light,
Oxidized state of the above polymer (that is, highly conductive state)
To a neutral state (that is, a state with high resistance), a substance that generates a reducing agent when receiving light (hereinafter,
The “latent reducing agent”) may be mixed in the conductive polymer film. When the latent reducing agent is irradiated with light, the reducing agent is generated, and the reducing agent reduces the conductive polymer in an oxidized state to a neutral state, that is, a high resistance state. Examples of this latent reducing agent include tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) [Mn (CO) 3 (C
5 H 5 )], tricarbonyl (cyclooctatetraene)
Mention may be made of metal carbonyl complexes such as iron (0) [Fe (CO) 3 (C 8 H 8 )]. This metal carbonyl complex generates carbon monoxide as a reducing substance when receiving light. In addition, these latent reducing agents can also be used to change a polymer in a neutral state into a reduced state.

【0062】光を照射することで、これらの高分子を中
性状態(すなわち、高抵抗状態)から酸化状態(すなわ
ち、高い導電性を有する状態)に変化させるためには、
光照射により酸化剤を発生する物質(以下、「潜在性酸
化剤」という)を導電性高分子前駆体の膜に混在させて
おけばよい。潜在性酸化剤に光が照射されると、酸化剤
が発生して、中性状態の導電性高分子前駆体を酸化し、
酸化状態すなわち高導電性状態にする。この潜在性酸化
剤の例としては、[Co(NH35I]2+(ペンタアン
ミンヨードコバルト(III)イオン)や、[Co(N
3532+(ペンタアンミンアジドコバルト(III)
イオン)を挙げることができる。これらのイオンは光を
照射されると強い酸化剤であるヨウ素ラジカルを発生す
る。なお、これらのイオンは塩の形で導電性高分子前駆
体に添加される。
In order to change these polymers from a neutral state (that is, a high resistance state) to an oxidation state (that is, a state having high conductivity) by irradiating with light,
A substance that generates an oxidant upon irradiation with light (hereinafter referred to as “latent oxidant”) may be mixed in the film of the conductive polymer precursor. When the latent oxidant is irradiated with light, the oxidant is generated to oxidize the conductive polymer precursor in a neutral state,
The oxidization state, that is, the high conductivity state. Examples of this latent oxidant include [Co (NH 3 ) 5 I] 2+ (pentaammine iodocobalt (III) ion) and [Co (N
H 3 ) 5 N 3 ] 2+ (pentaammine azidocobalt (III)
Ion). When irradiated with light, these ions generate iodine radicals, which are strong oxidants. These ions are added to the conductive polymer precursor in the form of salt.

【0063】導電性高分子を高抵抗状態にする他の方法
としては、導電性高分子の共役鎖を光照射により部分的
に非共役化、もしくは切断することにより導電性を消失
させる方法を挙げることができる。この非共役化を起こ
す光反応として、光異性化反応、光環化反応、光開裂反
応、などがある。このような光反応を促進させるための
光反応剤として、例えば、アジド化合物、シンナモイル
化合物、アクリル化合物、ジアゾ化合物、カルボニル化
合物、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエー
テル、ジスルフィド化合物を挙げることができる。この
なかでも、特に、ベンゾインアルキルエーテル類、α−
ジケトン類が好適である。
As another method for bringing the conductive polymer into a high resistance state, a method in which the conjugated chain of the conductive polymer is partially deconjugated or cleaved by light irradiation to lose the conductivity can be mentioned. be able to. The photoreaction that causes this non-conjugation includes a photoisomerization reaction, a photocyclization reaction, and a photocleavage reaction. Examples of the photoreactive agent for promoting such photoreaction include azide compounds, cinnamoyl compounds, acrylic compounds, diazo compounds, carbonyl compounds, benzyl, benzoin, benzoin alkyl ethers, and disulfide compounds. Among these, particularly, benzoin alkyl ethers and α-
Diketones are preferred.

【0064】上述したように、中性状態の非導電性高分
子は、潜在性酸化剤または潜在性還元剤の存在下で、光
の照射を受けると、還元または酸化され、導電性高分子
となる。従って、本発明の接続層の形成に用いられる組
成物は、酸化還元により導電性の変化する非導電性高分
子を含む場合には、さらに潜在性酸化剤または潜在性還
元剤を含む。このときの潜在性酸化剤または潜在性還元
剤の、共役二重結合を主鎖骨格として有する非導電性高
分子に対する重量比は、0.1〜10であることが望ま
しい。潜在性酸化剤または潜在性還元剤がこの範囲より
少ない場合には、添加剤の効果が十分ではなく、この範
囲より多い場合には得られる導電性の付与された膜の導
電率が不十分となる。なお、一般に、共役二重結合を主
鎖骨格として有する非導電性高分子は、還元状態よりも
酸化状態の方が安定なので、この組成物は、潜在性還元
剤よりも潜在性酸化剤を含むことが望ましい。
As described above, the non-conductive polymer in the neutral state is reduced or oxidized when exposed to light in the presence of a latent oxidant or a latent reducing agent, and becomes a conductive polymer. Become. Therefore, when the composition used for forming the connection layer of the present invention contains a non-conductive polymer whose conductivity changes by redox, it further contains a latent oxidant or a latent reducing agent. At this time, the weight ratio of the latent oxidizing agent or the latent reducing agent to the non-conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is preferably 0.1 to 10. If the latent oxidizing agent or the latent reducing agent is less than this range, the effect of the additive is not sufficient, and if it is more than this range, the conductivity of the obtained film with conductivity is insufficient. Become. Note that, in general, a non-conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is more stable in an oxidized state than in a reduced state. Therefore, this composition contains a latent oxidizing agent rather than a latent reducing agent. Is desirable.

【0065】また、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る、酸化状態の導電性高分子は、潜在性還元剤の存在下
で光の照射を受けると、還元され、中性状態になって非
導電性となる。共役二重結合を主鎖骨格として有する、
還元状態の導電性高分子は、潜在性酸化剤の存在下で光
の照射を受けると、酸化され、中性状態になって非導電
性となる。また、共役二重結合を主鎖骨格として有する
導電性高分子は、光反応剤の存在下で光の照射を受ける
と、共役系が部分的に破壊され、非導電性になる。従っ
て、本発明の接続層の形成に用いられる組成物は、共役
二重結合を主鎖骨格として有する導電性高分子を含む場
合は、さらに潜在性還元剤、潜在性酸化剤または光反応
剤を含む。このときの潜在性還元剤、潜在性酸化剤およ
び光反応剤の、共役二重結合を主鎖骨格として有する導
電性高分子に対する重量比は、0.1〜10であること
が望ましい。潜在性還元剤、潜在性酸化剤または光反応
剤の量がこの範囲より少ない場合には、添加剤の効果が
十分ではなく、この範囲より多い場合には光を照射され
ずに残される部分(導電性部分)の膜の導電率が不十分
となる。
Further, a conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton in an oxidized state is reduced to a neutral state by being irradiated with light in the presence of a latent reducing agent, and becomes a non-neutral state. Be conductive. Having a conjugated double bond as a main chain skeleton,
When a conductive polymer in a reduced state is irradiated with light in the presence of a latent oxidant, it is oxidized to be in a neutral state and nonconductive. In addition, when a conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is irradiated with light in the presence of a photoreactive agent, the conjugated system is partially destroyed and becomes non-conductive. Therefore, when the composition used for forming the connection layer of the present invention contains a conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, a latent reducing agent, a latent oxidizing agent or a photoreactive agent is further added. Including. At this time, the weight ratio of the latent reducing agent, the latent oxidizing agent, and the photoreactive agent to the conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is preferably 0.1 to 10. If the amount of the latent reducing agent, latent oxidant or photoreactive agent is less than this range, the effect of the additive is not sufficient, and if the amount is more than this range, the portion left unirradiated with light ( The conductivity of the film of the conductive portion) becomes insufficient.

【0066】つぎに、塩基状態では導電性がなく塩状態
では導電性がある高分子について説明する。このような
高分子として、具体的には、エメラルジン構造のポリア
ニリン(以下では、単に「ポリアニリン」と呼ぶ)を用
いることができる。ポリアニリンはドーピング処理をす
る前には塩基状態である。この塩基状態のポリアニリン
は、下記構造式(化1)で表される繰返し単位を有する
高分子である。ポリアニリンは、この状態では極めて抵
抗が高く、実用的には絶縁体である。本明細書では、こ
のような塩基状態にあるポリアニンをも導電性高分子前
駆体と呼ぶ。
Next, a polymer that is not conductive in the basic state and conductive in the salt state will be described. As such a polymer, specifically, polyaniline having an emeraldine structure (hereinafter, simply referred to as “polyaniline”) can be used. Polyaniline is in a basic state before the doping process. The basic polyaniline is a polymer having a repeating unit represented by the following structural formula (Formula 1). Polyaniline has an extremely high resistance in this state and is practically an insulator. In the present specification, polyanine in such a basic state is also referred to as a conductive polymer precursor.

【0067】[0067]

【化1】 Embedded image

【0068】この塩基状態のポリアニリンは、酸で処理
されると塩状態となり、高い導電性を有するようにな
る。この塩状態のポリアニリンは、下記構造式(化2)
で表される繰返し単位を有する高分子である。なお、本
発明では、アルキル基、アルコキシル基、等で水素を置
換したポリアニリンも使用することができる。また、接
着性を向上させるためにエポキシ基で置換することもで
きる。
The polyaniline in the basic state becomes a salt state when treated with an acid, and has high conductivity. This salt-form polyaniline has the following structural formula (Formula 2).
It is a polymer having a repeating unit represented by. In addition, in the present invention, polyaniline in which hydrogen is substituted with an alkyl group, an alkoxyl group, or the like can also be used. It may also be substituted with an epoxy group in order to improve the adhesiveness.

【0069】[0069]

【化2】 Embedded image

【0070】ポリアニリンのドーピングのためのドーパ
ントとしては、塩酸、硫酸、硝酸およびリン酸等の鉱酸
類、酢酸、プロピオン酸およびトリフルオロ酢酸等のカ
ルボン酸類、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、
p−トルエンスルホン酸および樟脳スルホン酸等のスル
ホン酸類等が使用できる。ポリアニリンを溶かす溶剤と
しては、N−メチルピロリドンが望ましい。
As dopants for doping polyaniline, mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, carboxylic acids such as acetic acid, propionic acid and trifluoroacetic acid, methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid,
Sulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and camphor sulfonic acid can be used. N-methylpyrrolidone is preferable as a solvent for dissolving polyaniline.

【0071】非導電性のポリアニリンを光照射で導電性
ポリアニリンとするために、非導電性のポリアニリンの
膜に、光を受けると酸を発生する物質(以下、「酸発生
剤」という)を添加する。酸発生剤は光の照射を受ける
と酸を発生する。発生した酸により、塩基状態の非導電
性のポリアニリンがドーピングされ、塩状態の導電性の
ポリアニリンに変化する。このため、非導電性ポリアニ
リンおよび酸発生剤を含む膜に光を照射した場合、光照
射部のみが選択的に導電性となる。
In order to convert the non-conductive polyaniline into a conductive polyaniline by light irradiation, a substance (hereinafter, referred to as “acid generator”) which generates an acid when receiving light is added to the non-conductive polyaniline film. To do. The acid generator generates acid when exposed to light. By the generated acid, the non-conductive polyaniline in the base state is doped and converted into the conductive polyaniline in the salt state. Therefore, when the film containing the non-conductive polyaniline and the acid generator is irradiated with light, only the light irradiation part is selectively conductive.

【0072】酸発生剤としては、ハロゲン原子と炭素原
子との結合を有するハロゲン化物が挙げられる。なかで
も、トリハロメチル基を有するハロゲン化物が好適であ
る。ハロゲンとしては、塩素、臭素、またはヨウ素が適
するが、中でも臭素が最も適する。このようなハロゲン
化物の酸発生剤の例として、テトラ(ブロモメチル)メ
タン、1,2−ジブロモ−1,2−ジフェニルエタン、
1,2−ジブロモエチルベンゼン、2,2,2−トリブ
ロモエタノール、トリブロモメチルフェニルスルホン、
トリクロロ酢酸ペンタクロロフェニルエステル、および
トリクロロアセトアミドが挙げられる。さらに、アセナ
フチルテトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネートも酸発生剤として用いることができる。
Examples of the acid generator include halides having a bond between a halogen atom and a carbon atom. Among them, a halide having a trihalomethyl group is preferable. Suitable halogens are chlorine, bromine or iodine, with bromine being most suitable. Examples of such a halide acid generator include tetra (bromomethyl) methane, 1,2-dibromo-1,2-diphenylethane,
1,2-dibromoethylbenzene, 2,2,2-tribromoethanol, tribromomethylphenyl sulfone,
Examples include trichloroacetic acid pentachlorophenyl ester, and trichloroacetamide. Furthermore, acenaphthyl tetramethylene sulfonium trifluoromethane sulfonate can also be used as an acid generator.

【0073】また、導電性のポリアニリンを光照射で非
導電性ポリアニリンとするためには、光を受けると塩基
を発生する物質(以下、「塩基発生剤」という)を、導
電性ポリアニリンの膜に混在させておけばよい。塩基発
生剤は、光の照射を受けると塩基を発生する。発生した
塩基により、導電性のポリアニリンは脱ドーピングさ
れ、塩基状態の非導電性のポリアニリンに変化する。こ
のため、導電性ポリアニリンおよび塩基発生剤を含む膜
に光を照射した場合、光照射部のみが選択的に絶縁体と
なる。
In order to make conductive polyaniline into non-conductive polyaniline by light irradiation, a substance that generates a base upon receiving light (hereinafter referred to as "base generator") is formed on the conductive polyaniline film. You can mix them. The base generator generates a base when irradiated with light. Due to the generated base, the conductive polyaniline is undoped and converted into a non-conductive polyaniline in the basic state. For this reason, when the film containing the conductive polyaniline and the base generator is irradiated with light, only the light irradiation portion selectively becomes an insulator.

【0074】塩基発生剤の例としては、N−シクロヘキ
シルカルバミン酸−2−ニトロベンジルエステル、N−
シクロヘキシルカルバミン酸−2−ニトロ−α−メチル
ベンジルエステル、N−シクロヘキシルカルバミン酸−
2,6−ジニトロベンジルエステル、N−シクロヘキシ
ルカルバミン酸−2,6−ジニトロ−α−メチルベンジ
ルエステル、N−メチルカルバミン酸−2−ニトロベン
ジルエステル、N−エチルカルバミン酸−2−ニトロベ
ンジルエステルなどのカルバミン酸エステル類を挙げる
ことができる。
Examples of the base generator include N-cyclohexylcarbamic acid-2-nitrobenzyl ester, N-
Cyclohexylcarbamic acid-2-nitro-α-methylbenzyl ester, N-cyclohexylcarbamic acid-
2,6-dinitrobenzyl ester, N-cyclohexylcarbamic acid-2,6-dinitro-α-methylbenzyl ester, N-methylcarbamic acid-2-nitrobenzyl ester, N-ethylcarbamic acid-2-nitrobenzyl ester, etc. Carbamate esters may be mentioned.

【0075】導電性のポリアニリンを高抵抗状態にする
方法として、光照射によりポリアニリンと光反応を起こ
す光反応剤を混在させておき、光照射により導電性のポ
リアニリンの共役鎖を部分的に非共役化させるか、ある
いは、ポリアニリンの主鎖の一部を切断することにより
導電性を消失させる方法を用いることもできる。この場
合には、塩基発生剤のかわりに、光反応剤を用いる。光
反応剤の例として、例えば、アジド化合物、シンナモイ
ル化合物、アクリル化合物、ジアゾ化合物、カルボニル
化合物、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエ
ーテル、ジスルフィド化合物を挙げることができる。こ
のなかでも、特に、ベンゾインアルキルエーテル類、α
−ジケトン類が好適である。
As a method for making conductive polyaniline in a high resistance state, a photoreactant which causes a photoreaction with polyaniline by light irradiation is mixed and the conjugated chain of conductive polyaniline is partially unconjugated by light irradiation. It is also possible to use a method in which the conductivity is lost by converting the polyaniline into a main chain or by cutting a part of the main chain of polyaniline. In this case, a photoreactive agent is used instead of the base generator. Examples of the photoreactive agent include azide compounds, cinnamoyl compounds, acrylic compounds, diazo compounds, carbonyl compounds, benzyl, benzoin, benzoin alkyl ethers, and disulfide compounds. Among these, particularly, benzoin alkyl ethers, α
-Diketones are preferred.

【0076】上述したように、塩基状態のポリアニリン
は、酸発生剤の存在下で光の照射を受けると、塩とな
り、導電性が付与される。従って、本発明の接続層の形
成に用いられる組成物は、塩基状態のポリアニリンを含
む場合は、さらに酸発生剤を含む。このときの酸発生剤
のポリアニリンに対する重量比は、0.1〜10である
ことが望ましい。酸発生剤のポリアニリンに対する重量
比が0.1より少ない場合には、ドーピングの効果が十
分ではなく、10より多い場合には得られる導電性の付
与された膜の導電率が不十分となる。
As described above, when polyaniline in the basic state is irradiated with light in the presence of an acid generator, it becomes a salt and is given conductivity. Therefore, when the composition used for forming the connection layer of the present invention contains polyaniline in the basic state, it further contains an acid generator. At this time, the weight ratio of the acid generator to polyaniline is preferably 0.1 to 10. When the weight ratio of the acid generator to polyaniline is less than 0.1, the doping effect is not sufficient, and when it is more than 10, the conductivity of the obtained film having conductivity is insufficient.

【0077】また、塩状態のポリアニリンは、塩基発生
剤の存在下で光の照射を受けると、塩基状態になり、導
電性が失われる。また、塩状態のポリアニリンは、光反
応剤の存在下で光の照射を受けると、共役系が部分的に
破壊され、導電性が失われる。従って、本発明の接続層
の形成に用いられる組成物は、塩状態のポリアニリンを
含む場合は、さらに塩基発生剤または光反応剤を含む。
このときの塩基発生剤および光反応剤のポリアニリンに
対する重量比は、0.1〜10であることが望ましい。
塩基発生剤または光反応剤の量がこの範囲よりより少な
い場合には、脱ドーピングが十分ではなく、この範囲よ
り多い場合には光を照射されずに残される部分(導電性
部分)の膜の導電率が不十分となる。
When polyaniline in a salt state is irradiated with light in the presence of a base generator, it becomes in a base state and loses conductivity. Further, when polyaniline in a salt state is irradiated with light in the presence of a photoreactive agent, the conjugated system is partially destroyed and the conductivity is lost. Therefore, when the composition used for forming the connection layer of the present invention contains polyaniline in a salt state, it further contains a base generator or a photoreactive agent.
At this time, the weight ratio of the base generator and the photoreactive agent to polyaniline is preferably 0.1 to 10.
If the amount of the base generator or the photoreactive agent is less than this range, dedoping is not sufficient, and if the amount of the base generator or the photoreactive agent is more than this range, the film of the portion (conductive portion) left unexposed to light is left. The conductivity becomes insufficient.

【0078】上記接続層の形成に用いる組成物には、導
電性高分子または導電性高分子前駆体に加えて、熱可塑
性高分子または熱硬化性高分子を含んでいてもよい。こ
のようにすることにより、接続層自体の接着性を高める
ことができる。また、熱可塑性の高分子は溶剤に溶け易
いため、接着、接続した部品に不具合があった場合に部
品を容易に取外すことができ、簡単にリペアできるとい
うメリットがある。本発明の接続層に用いることのでき
る熱可塑性高分子の例としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリエチレンオキシド、ポリビニルエーテル、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレ
ン、アルリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニ
ル、エチレン酢酸ビニルコポリマ、エチレン塩化ビニル
コポリマ、ケトン樹脂、ポリブタジエン、ポリアセター
ル、ポリサルホン、ポリアミド、共重合ナイロン、熱可
塑性ポリイミド等が挙げられる。高い接着性が必要な場
合には、接着力の高い熱硬化性高分子、例えば、エポキ
シ樹脂やポリイミド等を混合する。また、必要に応じ
て、熱可塑性高分子と熱硬化性高分子とをブレンドして
添加することもできる。
The composition used for forming the connection layer may contain a thermoplastic polymer or a thermosetting polymer in addition to the conductive polymer or the conductive polymer precursor. By doing so, the adhesiveness of the connection layer itself can be enhanced. Further, since the thermoplastic polymer is easily dissolved in the solvent, there is an advantage that the component can be easily removed and the repair can be easily performed when the component bonded or connected has a defect. Examples of thermoplastic polymers that can be used in the connection layer of the present invention include polyvinyl alcohol, polyethylene oxide, polyvinyl ether, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polystyrene, allyl resin, methacrylic resin, polyvinyl chloride,
Examples thereof include polyvinylidene chloride, vinyl acetate, vinyl propionate, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene vinyl chloride copolymer, ketone resin, polybutadiene, polyacetal, polysulfone, polyamide, copolymerized nylon and thermoplastic polyimide. When high adhesiveness is required, a thermosetting polymer having high adhesiveness, such as epoxy resin or polyimide, is mixed. If necessary, the thermoplastic polymer and the thermosetting polymer may be blended and added.

【0079】上記接続層の形成に用いる組成物に含まれ
る、熱可塑性高分子または熱硬化性高分子の重量は、組
成物に含まれる高分子化合物全体を100%としたと
き、80%以下であることが望ましい。80%以上であ
ると、導電性が不足するからである。すなわち、組成物
に含まれる高分子化合物全体を100%としたとき、共
役二重結合を主鎖骨格として有する高分子は、20%以
上であることが望ましい。この組成物の導電性は、ほぼ
その組成物の含む導電性高分子の量に依存し、20%以
下では、十分な導電性が得られない。
The weight of the thermoplastic polymer or the thermosetting polymer contained in the composition used for forming the connection layer is 80% or less when the total amount of the polymer compounds contained in the composition is 100%. Is desirable. This is because if it is 80% or more, the conductivity is insufficient. That is, when the total amount of polymer compounds contained in the composition is 100%, it is desirable that the polymer having a conjugated double bond as the main chain skeleton is 20% or more. The conductivity of this composition depends substantially on the amount of the conductive polymer contained in the composition, and if it is 20% or less, sufficient conductivity cannot be obtained.

【0080】本発明の接着層の熱可塑性高分子として
は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポ
リビニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニル
ホルマール、ポリスチレン、アルリル樹脂、メタクリル
樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、エチレン酢酸ビニルコポリ
マ、エチレン塩化ビニルコポリマ、ケトン樹脂、ポリブ
タジエン、ポリアセタール、ポリサルホン、ポリアミ
ド、共重合ナイロン、熱可塑性ポリイミド等が挙げるこ
とができる。
As the thermoplastic polymer of the adhesive layer of the present invention, polyvinyl alcohol, polyethylene oxide, polyvinyl ether, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polystyrene, allyl resin, methacrylic resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, vinyl acetate, Examples thereof include vinyl propionate, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene vinyl chloride copolymer, ketone resin, polybutadiene, polyacetal, polysulfone, polyamide, copolymerized nylon and thermoplastic polyimide.

【0081】本発明で用いられる導電性高分子(酸化状
態あるいは還元状態の共役二重結合を主鎖として有する
高分子、または、塩状態のポリアニリン)または導電性
高分子前駆体(中性状態の共役二重結合を主鎖として有
する高分子、または、塩基状態のポリアニリン)の組成
物は、溶剤を含むことができる。溶剤を含むことによ
り、組成物の粘性を塗布に適するように調整することが
できる。
The conductive polymer (polymer having a conjugated double bond in the oxidized or reduced state as the main chain or polyaniline in the salt state) or the conductive polymer precursor (in the neutral state) used in the present invention. The composition of a polymer having a conjugated double bond as a main chain or a polyaniline in a basic state) may include a solvent. By including a solvent, the viscosity of the composition can be adjusted to be suitable for coating.

【0082】本発明で接続層を形成するのに用いられる
組成物の粘性を調整するのに適する溶剤としては、アル
コール類、エチレングリコールのモノあるいはジアルキ
ルエーテル、ジエチレングリコールのモノあるいはジア
ルキルエーテル、N−メチルピロリドン、ジメチルスル
ホキシドを挙げることができる。また、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族化合物や、さらには、ニトリ
ル類、酢酸エステル類、アセトン等のケトン類を溶剤と
して用いることもできる。なお、これらの溶剤は、接着
層を形成するための熱可塑性高分子の粘性を、塗布に適
するように調整するために用いることもできる。溶剤の
量は、共役二重結合を主鎖として有する高分子の量が、
10wt%以上となるようにすることが望ましい。10
wt%以下では、十分な厚さの膜を得ることが困難だか
らである。
Suitable solvents for adjusting the viscosity of the composition used for forming the connecting layer in the present invention include alcohols, ethylene glycol mono- or dialkyl ethers, diethylene glycol mono- or dialkyl ethers, and N-methyl. Pyrrolidone and dimethyl sulfoxide can be mentioned. In addition, aromatic compounds such as benzene, toluene, xylene, and ketones such as nitriles, acetic acid esters, and acetone can be used as a solvent. In addition, these solvents can also be used for adjusting the viscosity of the thermoplastic polymer for forming the adhesive layer so as to be suitable for coating. The amount of the solvent, the amount of polymer having a conjugated double bond as the main chain,
It is desirable that the content be 10 wt% or more. 10
This is because it is difficult to obtain a film having a sufficient thickness if it is less than wt%.

【0083】次に、接続部材の形成方法について説明す
る。最初に、接続層の形成方法について述べる。
Next, a method of forming the connecting member will be described. First, a method for forming the connection layer will be described.

【0084】まず、ポリアニリン以外の導電性高分子、
すなわち、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチ
レン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレ
ン等の共役二重結合を主鎖骨格として有する高分子を含
む組成物を用いる場合について述べる。
First, a conductive polymer other than polyaniline,
That is, the case of using a composition containing a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton such as polypyrrole, polythiophene, polyacetylene, polyphenylene vinylene, and polythienylene vinylene will be described.

【0085】導電性の接続層を成膜する場合には、はじ
めに、中性状態にあるこれらの高分子(導電性高分子前
駆体であって、絶縁性を有する)と、潜在性還元剤ある
いは光反応剤とを含む組成物を、配線基板、電子部品ま
たは接着層の上にロールコート法、スクリーン印刷法、
ディップ法、刷毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤
を蒸発させる。これにより、一旦、導電性高分子前駆体
を主成分とする膜を形成する。続いて、この導電性高分
子前駆体の膜を、ヨウ素、五塩化アンチモン等の酸化性
蒸気、あるいは、塩化第2鉄の溶液で酸化処理すること
で、導電性高分子前駆体を導電性高分子とする。これに
より、導電性の接続層を得ることができる。
When forming a conductive connection layer, first, these polymers in a neutral state (a conductive polymer precursor having an insulating property) and a latent reducing agent or A composition containing a photoreactive agent, a wiring board, a roll coating method on an electronic component or an adhesive layer, a screen printing method,
It is applied by a method such as a dipping method or brush coating, and then the solvent is evaporated. As a result, a film containing the conductive polymer precursor as a main component is once formed. Subsequently, the conductive polymer precursor film is subjected to oxidation treatment with an oxidizing vapor such as iodine or antimony pentachloride, or a solution of ferric chloride, so that the conductive polymer precursor is highly conductive. The numerator. This makes it possible to obtain a conductive connection layer.

【0086】また、あらかじめ酸化状態にした高分子
(導電性高分子)と、潜在性還元剤あるいは光反応剤と
を含む組成物を、配線基板、電子部品または接着層の上
にロールコート法、スクリーン印刷法、ディップ法、刷
毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤を蒸発させる方
法により、導電性の接続層を形成することもできる。同
様に、あらかじめ還元状態にした高分子(導電性高分
子)と、潜在性酸化剤あるいは光反応剤とを含む組成物
を塗布、乾燥して導電性の接続層を形成することもでき
るが、一般に、共役二重結合を主鎖として有する高分子
は、還元状態より酸化状態が安定であるから、酸化状態
の高分子を含む組成物を用いることが望ましい。
Further, a composition containing a polymer (conductive polymer) which has been oxidized in advance and a latent reducing agent or a photoreactive agent is roll-coated on a wiring board, an electronic component or an adhesive layer by a roll coating method, It is also possible to form the conductive connection layer by applying by a method such as a screen printing method, a dipping method, a brush coating method, and then by evaporating the solvent. Similarly, it is also possible to form a conductive connection layer by applying a composition containing a polymer (conductive polymer) that has been reduced in advance and a latent oxidizing agent or a photoreactive agent, and drying the composition. Generally, a polymer having a conjugated double bond as a main chain is more stable in an oxidized state than in a reduced state, and therefore it is desirable to use a composition containing the polymer in an oxidized state.

【0087】絶縁性の接続層を成膜する場合には、中性
状態にある高分子と、潜在性酸化剤または潜在性還元剤
を含む組成物を、配線基板、電子部品または接着層の上
にロールコート法、スクリーン印刷法、ディップ法、刷
毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤を蒸発させる。
これにより、絶縁性の接続層を得ることができる。上述
したように、酸化状態の方が安定であることから、上記
組成物は、潜在性還元剤よりも、潜在性酸化剤を含むこ
とが望ましい。
When forming an insulating connection layer, a composition containing a polymer in a neutral state and a latent oxidizing agent or a latent reducing agent is applied on a wiring board, an electronic component or an adhesive layer. Is applied by a method such as a roll coating method, a screen printing method, a dipping method or a brush coating method, and then the solvent is evaporated.
This makes it possible to obtain an insulating connection layer. As mentioned above, it is desirable that the composition contain a latent oxidizing agent rather than a latent reducing agent because the oxidation state is more stable.

【0088】次に、ポリアニリンを含む組成物を、光の
照射により抵抗の変化する組成物として用いる場合につ
て述べる。
Next, the case where the composition containing polyaniline is used as a composition whose resistance changes by irradiation with light will be described.

【0089】ポリアニリンを用いて導電性の接続層を成
膜する場合には、まず、塩基状態のポリアニリン(非導
電性高分子、すなわち、導電性高分子前駆体)と、塩基
発生剤または光反応剤とを含む組成物を、配線基板、電
子部品または接着層の上にロールコート法、スクリーン
印刷法、ディップ法、刷毛塗り等の方法で塗布し、溶剤
を蒸発させて、非導電性ポリアニリンを含む接続層を形
成する。つぎに、この非導電性の接続層を酸の溶液に浸
漬するか、あるいは、酸の蒸気に曝すことにより、ポリ
アニリンを塩状態にして、導電性とする。これにより、
導電性の接続層が得られる。
In the case of forming a conductive connection layer using polyaniline, first, polyaniline in the basic state (non-conductive polymer, that is, conductive polymer precursor), and a base generator or photoreaction A composition containing an agent is applied to a wiring board, an electronic component or an adhesive layer by a roll coating method, a screen printing method, a dipping method, a brush coating method or the like, and the solvent is evaporated to give a non-conductive polyaniline. Forming a connection layer including. Next, this non-conductive connecting layer is immersed in an acid solution or exposed to acid vapor to bring polyaniline into a salt state to make it conductive. This allows
A conductive connecting layer is obtained.

【0090】また、あらかじめドーパントを加えて塩状
態にしたポリアニリンと、塩基発生剤または光反応剤と
を含む組成物を、ロールコート法、スクリーン印刷法、
ディップ法、刷毛塗り等の方法で塗布、乾燥し、ポリア
ニリンを含む導電性の接続層を形成してもよい。
Further, a composition containing polyaniline, which has been added with a dopant in advance into a salt state, and a base generator or a photoreactive agent, is subjected to roll coating, screen printing,
The conductive connecting layer containing polyaniline may be formed by coating and drying by a method such as a dipping method or brush coating.

【0091】ポリアニリンを用いて非導電性の接続層を
成膜する場合には、塩基状態のポリアニリンと、酸発生
剤とを含む組成物を用いて、上述の場合と同様に塗布、
乾燥する。このようにすれば、ポリアニリンを含む非導
電性の接続層が得られる。
When a non-conductive connecting layer is formed using polyaniline, a composition containing polyaniline in a basic state and an acid generator is used and applied in the same manner as in the above case.
dry. In this way, a non-conductive connecting layer containing polyaniline can be obtained.

【0092】接着層は、熱可塑性高分子と溶剤とからな
る熱可塑性高分子組成物を、配線基板、電子部品または
接続層の上に、ロールコート法、スクリーン印刷法、デ
ィップ法、刷毛塗り等の方法で塗布し、次いで、溶剤を
蒸発させることにより得られる。なお、溶剤を用いず、
熱可塑性高分子を加熱して粘性を下げ、これを塗布して
冷却することにより接続層を得ることもできる。
For the adhesive layer, a thermoplastic polymer composition composed of a thermoplastic polymer and a solvent is applied onto a wiring board, an electronic component or a connection layer by a roll coating method, a screen printing method, a dipping method, brush coating, etc. It is obtained by coating by the method of 1 and then evaporating the solvent. In addition, without using a solvent,
It is also possible to obtain a connection layer by heating a thermoplastic polymer to reduce its viscosity, applying it and cooling it.

【0093】以上に説明した接続層および接着層の形成
方法は、直接配線基板等の表面に高分子またはその組成
物を塗布し、その塗膜を乾燥することにより形成する方
法であるが、あらかじめ高分子またはその組成物からな
るフィルムを形成し、これを用いて接続層および/また
は接着層を形成してもよい。
The method of forming the connecting layer and the adhesive layer described above is a method of directly coating the surface of a wiring board or the like with a polymer or its composition and drying the coating film. You may form the film which consists of a polymer or its composition, and you may use it for forming a connection layer and / or an adhesive layer.

【0094】つぎに、接着層と接続層とからなる接続部
材の形成方法について説明する。接続部材は、つぎの第
1〜第4の方法により形成することができる。
Next, a method of forming a connecting member composed of an adhesive layer and a connecting layer will be described. The connection member can be formed by the following first to fourth methods.

【0095】第1の方法は、配線基板または電子部品上
に、接続層5と接着層71とを順次、形成する方法であ
る。この方法では、接続層5と接着層71とからなる接
続部材を配線基板および部品のいずれか片方のみに形成
してもよいし、また、双方に形成してもよい。
The first method is a method of sequentially forming the connection layer 5 and the adhesive layer 71 on the wiring board or the electronic component. In this method, the connection member including the connection layer 5 and the adhesive layer 71 may be formed on only one of the wiring board and the component, or may be formed on both.

【0096】図22に、配線基板1上に接続部材220
を形成する場合の工程を図示する。この方法では、ま
ず、図22(a)に示す配線基板1の接続端子12を備
える側に、図22(b)に示すように、上述した方法に
より導電性高分子または導電性高分子前駆体を含む組成
物からなる接続層5を形成し、図22(c)に示すよう
に、この接続層5上に接着層71を上述した方法により
形成する。これにより、接続部材220が形成される。
なお、電子部品2は、バンプ23が接続層5に対向する
ように、この接続部材220上に図22(d)に示すよ
うに載置される。
In FIG. 22, a connecting member 220 is formed on the wiring board 1.
The process in the case of forming is illustrated. In this method, first, as shown in FIG. 22B, a conductive polymer or a conductive polymer precursor is provided on the side of the wiring substrate 1 shown in FIG. A connection layer 5 made of a composition containing is formed, and an adhesive layer 71 is formed on the connection layer 5 by the method described above, as shown in FIG. As a result, the connecting member 220 is formed.
The electronic component 2 is placed on the connection member 220 as shown in FIG. 22D so that the bumps 23 face the connection layer 5.

【0097】上述の図22に示した方法では、ま接続端
子12のみでバンプ23を備えない部品(または基板)
の側に接続部材220を形成したが、バンプ23を備え
る部品(または基板)の側に接続部材220を形成して
もよい。バンプ23を備える電子部品2に接続部材22
を形成する場合の工程を図24に図示する。この方法で
は、まず、接続する2つの部品または基板のうち、バン
プ23を備える方に、接着層71を形成する。すなわ
ち、図24(a)に示すような電子部品2のバンプ23
を備える面に、図24(b)に示すように、接着層71
を形成し、図24(c)に示すように、この接着層71
表面に接続層5を形成する。これにより、接続部材22
0が形成される。なお、この部品2の接続対象(図23
に示した例では基板1)は、図24(d)に示すよう
に、接続端子12が接続層5に対向するようにこの接続
部材220の接続層5表面に配置される。
In the method shown in FIG. 22 described above, the component (or the substrate) only having the connecting terminal 12 and not having the bump 23 is provided.
Although the connection member 220 is formed on the side of, the connection member 220 may be formed on the side of the component (or the substrate) including the bump 23. Connecting member 22 to electronic component 2 having bumps 23
The process for forming the film is shown in FIG. In this method, first, the adhesive layer 71 is formed on one of the two components or the substrate to be connected, whichever has the bump 23. That is, the bump 23 of the electronic component 2 as shown in FIG.
24B, the adhesive layer 71
And the adhesive layer 71 is formed as shown in FIG.
The connection layer 5 is formed on the surface. Thereby, the connecting member 22
0 is formed. The connection target of this component 2 (see FIG.
In the example shown in FIG. 24, the substrate 1) is arranged on the surface of the connection layer 5 of the connection member 220 so that the connection terminals 12 face the connection layer 5, as shown in FIG.

【0098】本発明では、第1の接着層と、接続層と、
第2の接着層とがこの順で積層された3層からなる接続
部材を用いることもできる。この3層の接続部材を形成
する場合の工程を図23に図示する。この方法では、ま
ず、図23(a)に示す配線基板1の接続端子12を備
える側に、図23(b)に示すように、第1の接着層7
1を形成し、この接着層71表面に図23(c)に示す
ように接続層5を形成し、図23(d)に示すように、
この接続層5表面に第2の接着層71を形成する。これ
により、3層構造の接続部材230が形成される。な
お、電子部品2は、図23(e)に示すように、バンプ
23が接続層5に対向するようにこの接続部材230上
に載置される。
In the present invention, the first adhesive layer, the connection layer,
A connection member composed of three layers in which the second adhesive layer and the second adhesive layer are laminated in this order can also be used. FIG. 23 illustrates the process for forming the three-layer connecting member. In this method, first, as shown in FIG. 23B, the first adhesive layer 7 is formed on the side of the wiring substrate 1 shown in FIG.
1 is formed, the connection layer 5 is formed on the surface of the adhesive layer 71 as shown in FIG. 23 (c), and as shown in FIG. 23 (d).
A second adhesive layer 71 is formed on the surface of the connection layer 5. As a result, the connecting member 230 having a three-layer structure is formed. The electronic component 2 is mounted on the connecting member 230 so that the bumps 23 face the connecting layer 5, as shown in FIG.

【0099】図23に示した方法では、接続端子12の
みでバンプ23を備えない部品(または基板)の側に接
続部材230を形成したが、バンプ23を備える部品
(または基板)の側に接続部材230を形成してもよ
い。この方法では、まず、図25(a)に示す電子部品
2のバンプ23を備える側に、図25(b)に示すよう
に、第1の接着層71を形成し、この接着層71表面に
図25(c)に示すように接続層5を形成し、図25
(d)に示すように、この接続層5表面に第2の接着層
71を形成する。これにより、3層構造の接続部材23
0が形成される。なお、配線基板1は、図25(e)に
示すように、接続端子12が接続層5に対向するように
この接続部材230表面に配置される。
In the method shown in FIG. 23, the connecting member 230 is formed only on the side of the component (or substrate) which does not have the bumps 23 but only the connecting terminals 12, but it is connected to the side of the component (or substrate) which has the bumps 23. The member 230 may be formed. In this method, first, as shown in FIG. 25B, a first adhesive layer 71 is formed on the side of the electronic component 2 shown in FIG. The connection layer 5 is formed as shown in FIG.
As shown in (d), the second adhesive layer 71 is formed on the surface of the connection layer 5. Thereby, the connecting member 23 having a three-layer structure
0 is formed. The wiring board 1 is arranged on the surface of the connection member 230 so that the connection terminal 12 faces the connection layer 5, as shown in FIG.

【0100】第2の方法は、接続する2つの部品(また
は基板)のうちのいずれか一方に接続層5を形成し、他
方に接着層71を形成して、この接続層5と接着層71
とを接合することにより、接続部材220を形成する方
法である。
In the second method, the connection layer 5 is formed on either one of the two components (or the substrate) to be connected, and the adhesive layer 71 is formed on the other, and the connection layer 5 and the adhesive layer 71 are formed.
This is a method of forming the connection member 220 by joining and.

【0101】接続する2つの部品(または基板)のうち
の、バンプ23を備えない方に接続層5を形成し、バン
プ23を備える方に接着層71を形成する場合の工程を
図26に図示する。図26に示した例は、配線基板1と
電子部品2との接続の場合の接続部材220の形成工程
であり、バンプ23は電子部品2に備えられている。こ
の場合、図26(a)に示す配線基板1の接続端子12
を備える側に、図26(b)に示すように接続層5を形
成する。一方、図26(c)に示す電子部品2のバンプ
23を備える側に、図26(d)に示すように接着層7
1を形成する。この接続層5を備える配線基板1と、接
着層71を備える電子部品2とを、接続層5と接着層7
1とが対向するように配置すると、接着層71と接続層
5とからなる接続部材220が得られる。
FIG. 26 shows a process in which the connecting layer 5 is formed on one of the two parts (or the substrate) to be connected that does not have the bump 23, and the adhesive layer 71 is formed on the one having the bump 23. To do. The example shown in FIG. 26 is a step of forming the connecting member 220 in the case of connecting the wiring board 1 and the electronic component 2, and the bump 23 is provided in the electronic component 2. In this case, the connection terminals 12 of the wiring board 1 shown in FIG.
The connection layer 5 is formed on the side provided with as shown in FIG. On the other hand, the adhesive layer 7 is formed on the side of the electronic component 2 shown in FIG.
1 is formed. The wiring board 1 including the connection layer 5 and the electronic component 2 including the adhesive layer 71 are connected to the connection layer 5 and the adhesive layer 7.
When they are arranged so as to face each other, the connection member 220 including the adhesive layer 71 and the connection layer 5 is obtained.

【0102】第3の方法は、接続する2つの部品(また
は基板)のうちのいずれか一方に第1の接着層71およ
び接続層5の2層を形成し、他方に第2の接着層71を
形成して、この接続層5と第2の接着層71とを接合す
ることにより、接続部材230を形成する方法である。
In the third method, two layers of the first adhesive layer 71 and the connection layer 5 are formed on one of the two components (or the substrate) to be connected, and the second adhesive layer 71 is formed on the other. Is formed and the connecting layer 5 and the second adhesive layer 71 are joined together to form the connecting member 230.

【0103】接続する2つの部品(または基板)のうち
の、バンプ23を備えない方に接着層71および接続層
5の2層を形成し、バンプ23を備える方に接着層71
を形成する場合の工程を図28に図示する。図28に示
した例は、配線基板1と電子部品2との接続の場合の接
続部材230の形成工程であり、バンプ23は電子部品
2に備えられている。この場合、図28(a)に示す配
線基板1の接続端子12を備える側に、図28(b)に
示すように第1の接着層71および接続層5をこの順に
積層する。一方、図28(c)に示す電子部品2のバン
プ23を備える側に、図28(d)に示すように第2の
接着層71を形成する。この第1の接着層71および接
続層5を備える配線基板1と、第2の接着層71を備え
る電子部品2とを、接続層5と第2の接着層71とが対
向するように配置すると、第1の接着層71と接続層5
と第2の接着層71とからなる接続部材230が得られ
る。
Of the two components (or substrate) to be connected, the adhesive layer 71 and the connecting layer 5 are formed on the side not having the bumps 23, and the side having the bumps 23 has the adhesive layer 71.
FIG. 28 illustrates a process for forming the film. The example shown in FIG. 28 is a step of forming the connecting member 230 in the case of connecting the wiring board 1 and the electronic component 2, and the bump 23 is provided in the electronic component 2. In this case, as shown in FIG. 28B, the first adhesive layer 71 and the connection layer 5 are laminated in this order on the side of the wiring board 1 shown in FIG. On the other hand, as shown in FIG. 28D, a second adhesive layer 71 is formed on the side of the electronic component 2 shown in FIG. 28C where the bumps 23 are provided. When the wiring board 1 including the first adhesive layer 71 and the connecting layer 5 and the electronic component 2 including the second adhesive layer 71 are arranged so that the connecting layer 5 and the second adhesive layer 71 face each other. , The first adhesive layer 71 and the connection layer 5
A connecting member 230 including the second adhesive layer 71 and the second adhesive layer 71 is obtained.

【0104】接続する2つの部品(または基板)のうち
の、バンプ23を備える方に接着層71および接続層5
の2層を形成し、バンプ23を備えない方に接着層71
を形成する場合の工程を図29に図示する。図29に示
した例は、配線基板1と電子部品2との接続の場合の接
続部材230の形成工程であり、バンプ23は電子部品
2に備えられている。この場合、図29(a)に示す配
線基板1の接続端子12を備える側に、図29(b)に
示すように第1の接着層71を形成する。一方、図29
(c)に示す電子部品2のバンプ23を備える側に、図
29(d)に示すように第2の接着層71および接続層
5をこの順に積層する。この第1の接着層71を備える
配線基板1と、第2の接着層71および接続層5を備え
る電子部品2とを、接続層5と第1の接着層71とが対
向するように配置すると、第1の接着層71と接続層5
と第2の接着層71とからなる接続部材230が得られ
る。
Of the two parts (or substrate) to be connected, the adhesive layer 71 and the connection layer 5 are provided on the side having the bump 23.
The adhesive layer 71 is formed on the side not having the bumps 23.
The process for forming the is shown in FIG. The example shown in FIG. 29 is a step of forming the connecting member 230 when the wiring board 1 and the electronic component 2 are connected, and the bump 23 is provided in the electronic component 2. In this case, the first adhesive layer 71 is formed on the side of the wiring board 1 shown in FIG. 29A having the connection terminal 12 as shown in FIG. 29B. On the other hand, FIG.
The second adhesive layer 71 and the connection layer 5 are laminated in this order on the side of the electronic component 2 shown in FIG. When the wiring board 1 including the first adhesive layer 71 and the electronic component 2 including the second adhesive layer 71 and the connecting layer 5 are arranged such that the connecting layer 5 and the first adhesive layer 71 face each other. , The first adhesive layer 71 and the connection layer 5
A connecting member 230 including the second adhesive layer 71 and the second adhesive layer 71 is obtained.

【0105】第4の方法は、あらかじめ接続層5と接着
層71との積層体である接続部材を別途作製しておく方
法である。3層からなる接続部材230を例に、このあ
らかじめ作成された接続部材を図30(a)に図示す
る。
The fourth method is a method in which a connection member, which is a laminate of the connection layer 5 and the adhesive layer 71, is separately prepared in advance. The connection member 230 made of three layers is taken as an example, and the connection member created in advance is shown in FIG.

【0106】この方法では、光により導電性の変化する
高分子を含む組成物からなるフィルムを形成し、これを
熱可塑性高分子でラミネートして接着層71を形成し
て、接続部材である接続用フィルムを作製する。あるい
は、熱可塑性高分子のフィルム71の表面に、塗布など
により上記組成物からなる接続層5を形成して接続部材
である接続用フィルムを作製してもよい。また、第1の
接着層71、接続層5および第2の接着層71の、3層
からなる接続部材のように、多層の接着層71を備える
接続部材では、各接着層71をなす熱可塑性高分子は、
互いに同じであっても、異なっていてもよい。さらに、
接続部材をなす各層を、あらかじめ、別個にフィルムと
して作製しておき、このフィルムを積層することによ
り、接続部材を形成してもよい。
In this method, a film made of a composition containing a polymer whose conductivity is changed by light is formed, and the film is laminated with a thermoplastic polymer to form an adhesive layer 71, which is a connection member. A film for use is prepared. Alternatively, the connection film 5 serving as a connection member may be produced by forming the connection layer 5 made of the above composition on the surface of the thermoplastic polymer film 71 by coating or the like. Further, in a connection member including a multilayer adhesive layer 71, such as a three-layered connection member including the first adhesive layer 71, the connection layer 5, and the second adhesive layer 71, the thermoplastic material forming each adhesive layer 71 is thermoplastic. The macromolecule is
They may be the same as or different from each other. further,
Each layer forming the connecting member may be separately prepared in advance as a film, and the connecting member may be formed by laminating the films.

【0107】このあらかじめ作成された接続部材を用い
て2つの電子部品(または基板)を接続する場合には、
あらかじめ接続層5の所定の箇所に光を照射して導電化
部分あるいは非導電化部分を形成したのち、接続する2
つの電子部品(または基板)でこの接続部材を挾持し、
熱圧着するか、あるいは、接続する2つの電子部品(ま
たは基板)でこの接続部材を挾持したのち、接続層5の
所定の箇所に光を照射して導電化部分あるいは非導電化
部分を形成し、熱圧着する。図30(b)に、電子部品
2と配線基板1とにより、3層からなる接続部材230
を挾持した場合の断面図を示す。
When connecting two electronic parts (or substrates) using this pre-made connecting member,
Light is applied to a predetermined portion of the connection layer 5 in advance to form a conductive portion or a non-conductive portion, and then connection 2
Hold this connecting member with one electronic component (or board),
After thermocompression bonding or holding the connecting member with two electronic parts (or substrates) to be connected, light is irradiated to a predetermined portion of the connecting layer 5 to form a conductive portion or a non-conductive portion. , Thermocompression bonding. In FIG. 30B, the electronic component 2 and the wiring board 1 are used to form a three-layer connection member 230.
The cross-sectional view at the time of holding is shown.

【0108】つぎに、上述した接続部材を用いた接続方
法について述べる。上記した方法で作製した接続層およ
び/または接着層を形成した、2つの接続対象物(電子
部品または配線基板)の接続端子どうしの位置を合わせ
て配置し、熱圧着する。これにより電気的接続と機械的
接着とが達成される。接続層に、導電性高分子または非
導電性高分子の他に、熱可塑性高分子あるいは熱硬化性
高分子を含む組成物から形成される層を用いた場合に
は、より容易に接着することができる。なお、該熱圧着
後、接続部分が冷却するまで加圧を続けることが好まし
いが、接続部が室温まで下がる前に加圧を止めることも
できる。また、熱圧着の際に接続部分に超音波を作用さ
せることにより、電気的接続および機械的接着の信頼性
を向上させることも可能である。
Next, a connecting method using the above-mentioned connecting member will be described. The connection terminals of the two connection objects (electronic components or wiring boards) on which the connection layer and / or the adhesive layer formed by the above-described method are formed are aligned with each other and thermocompression bonded. This achieves electrical connection and mechanical bonding. If a layer formed of a composition containing a thermoplastic polymer or a thermosetting polymer in addition to a conductive polymer or a non-conductive polymer is used for the connection layer, the bonding should be easier. You can After the thermocompression bonding, it is preferable to continue the pressurization until the connection part is cooled, but the pressurization can be stopped before the connection part is cooled to room temperature. In addition, it is possible to improve the reliability of electrical connection and mechanical adhesion by applying ultrasonic waves to the connection portion during thermocompression bonding.

【0109】上述したように、本発明では、電子部品の
接続は、接着力の低い導電性高分子および非導電性高分
子のみにより行われるのではなく、接着力の高い熱可塑
性高分子からなる層により行われるので、強固な接着が
実現できる。従って、接続についての高い信頼性が得ら
れる。また、光照射で導電性が変化する接続層の厚さが
薄いため、導電性を変化させるために必要な光照射量が
少なくて済む。
As described above, in the present invention, the connection of the electronic parts is not made only by the conductive polymer and the non-conductive polymer having a low adhesive force, but by the thermoplastic polymer having a high adhesive force. Since the layers are used, a strong bond can be achieved. Therefore, high reliability of connection can be obtained. Further, since the thickness of the connection layer whose conductivity is changed by light irradiation is thin, the light irradiation amount required for changing the conductivity can be small.

【0110】さらに、本発明によれば、配線基板の表面
に凹凸があっても、高分子の膜により接続面の平坦化を
図ることができる。また、接続端子の高さのバラツキな
どがあっても、影響を受けることがない。従って、高い
接続歩留りと高い信頼性が得られる。なお、図10に接
続端子23の高さにバラツキがある場合を、図11に接
続端子12の高さにバラツキがある場合を、図12に基
板11の反りがある場合を、それぞれ図示する。図10
〜12に示すように、これらの従来技術による場合の接
触不良の原因があっても、本発明によれば、接続層5を
介して良好な接続が得られる。
Further, according to the present invention, even if the surface of the wiring board has irregularities, the connection surface can be flattened by the polymer film. Further, even if there is variation in the height of the connection terminals, it is not affected. Therefore, high connection yield and high reliability can be obtained. 10 shows the case where the height of the connection terminal 23 varies, FIG. 11 shows the case where the height of the connection terminal 12 varies, and FIG. 12 shows the case where the substrate 11 warps. Figure 10
As shown in FIGS. 12 to 12, according to the present invention, good connection can be obtained through the connection layer 5 even if there is a cause of poor contact in the case of these conventional techniques.

【0111】また、本発明の接続層5は、光を照射する
ことによって所望の部分のみの導電性を変化させること
ができるため、微細なピッチの接続端子の接続にも対応
することができる。
Further, since the connection layer 5 of the present invention can change the conductivity of only a desired portion by irradiating with light, it can be applied to connection of connection terminals with a fine pitch.

【0112】なお、本発明では、上述したように、基板
およびそこに搭載する電子部品のいずれに接続部材を形
成してもよいが、基板上に形成する方が好ましい。これ
は、基板上に形成する方が、電子部品上に形成する場合
に比べて、基板表面の凹凸の影響を無くするうえで効果
が大きいとともに、一つの基板上に多数個の電子部品を
搭載する際に、個々の電子部品に接続部材を形成するの
ではなく、基板あたり1つの接続部材を一括形成すれば
済むため、作業効率が高いという長所もあるからであ
る。実際、LSIチップのように小さい部品を実装する
際には、電子部品の接続端子側に高分子の膜を形成する
ことは、作業性の点で好ましいとはいえない。しかし、
接続対象となる部品等が比較的大きい場合、例えば、液
晶表示板をTAB基板に実装する場合には、基板ではな
く、電子部品(液晶表示板など)の側に接続部材を形成
しても、作業性に問題はない。
In the present invention, as described above, the connecting member may be formed on either the substrate or the electronic component mounted thereon, but it is preferable to form the connecting member on the substrate. This is more effective when it is formed on the substrate than when it is formed on the electronic component, in order to eliminate the influence of the unevenness of the substrate surface, and multiple electronic components are mounted on one substrate. This is because there is an advantage that the work efficiency is high because it is sufficient to form one connecting member for each substrate at once instead of forming the connecting member for each electronic component. Actually, when mounting a small component such as an LSI chip, it is not preferable in terms of workability to form a polymer film on the connection terminal side of the electronic component. But,
When the components to be connected are relatively large, for example, when the liquid crystal display panel is mounted on the TAB substrate, even if the connection member is formed on the electronic component (liquid crystal display panel) side instead of the substrate, There is no problem in workability.

【0113】本発明の接続層は、光の照射により導電性
が変化するが、電子部品の実装後は接続部分を筐体等に
より覆って、外部からの光を遮断することにより、導電
性の変化を阻害することが望ましい。なお、通常の使用
状況で照射される光の、ガラス基板等の多重反射により
接続層に入射するものによる導電性の変化は、それほど
大きくなく、使用に際して実用性を損なうほどのもので
はない。長時間使用するものの場合には、紫外線遮断フ
ィルタを取り付けるなどして、紫外線の照射を防止する
ことが望ましい。
The conductivity of the connection layer of the present invention is changed by irradiation of light, but after mounting the electronic parts, the connection part is covered with a casing or the like to block the light from the outside, and thus the conductivity of the connection layer is improved. It is desirable to inhibit the change. The change in conductivity due to the incident light on the connection layer due to the multiple reflection of the glass substrate or the like of the light irradiated in the normal use condition is not so large and does not impair the practical use. When used for a long period of time, it is desirable to prevent the irradiation of ultraviolet rays by attaching an ultraviolet ray blocking filter or the like.

【0114】[0114]

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。なお、
実施例1〜実施例31は配線基板にLSIチップを実装
する場合のものである。実施例32〜実施例54は液晶
表示板をTAB基板に実装する例である。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. In addition,
Embodiments 1 to 31 are for mounting an LSI chip on a wiring board. Example 32 to Example 54 are examples in which a liquid crystal display plate is mounted on a TAB substrate.

【0115】[実施例1]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 1] This corresponds to the example shown in FIG.

【0116】まず、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る高分子であるポリ(3−n−オクチルチオフェン)を
5wt%、および、潜在性還元剤であるトリカルボニル
(シクロペンタジエニル)マンガン(I)を5wt%含
むクロロホルム溶液(溶質の濃度は10wt%である)
である接続用組成物を調製した。
First, 5 wt% of poly (3-n-octylthiophene), which is a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, and tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (, which is a latent reducing agent, Chloroform solution containing 5% by weight of I) (concentration of solute is 10% by weight)
Was prepared.

【0117】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発させ、
厚さ5μmの導電性高分子前駆体を含む膜を形成した。
この膜をヨウ素蒸気で酸化処理して導電性高分子の接続
層81を得た。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, a metal chrome having a thickness of 0.25 μm, and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate chloroform as a solvent,
A film containing a conductive polymer precursor having a thickness of 5 μm was formed.
This film was oxidized with iodine vapor to obtain a conductive polymer connecting layer 81.

【0118】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 were formed to provide the connection terminals 21, and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm. The adhesive layer 71 was formed.

【0119】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。なお、本実施例では、配線は接
続端子12に垂直に設けられており、紫外線は配線に平
行に照射されるので、配線による遮光は問題とならな
い。得られた実装体は、図3(b)に図示したような構
造となった。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端
子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. In this embodiment, the wiring is provided perpendicularly to the connection terminal 12 and the ultraviolet rays are irradiated in parallel with the wiring, so that light shielding by the wiring does not pose a problem. The obtained mount has a structure as shown in FIG. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0120】[実施例2]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 2] This corresponds to the example shown in FIG.

【0121】まず、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る高分子であるポリ(チエニレンビニレン)(1重量
部)を5wt%、および、潜在性還元剤であるトリカル
ボニル(シクロペンタジエニル)マンガン(I)(1重
量部)を5wt%含むクロロホルム溶液(溶質の濃度は
10wt%である)である接続用組成物を調製した。
First, 5 wt% of poly (thienylenevinylene) (1 part by weight), which is a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, and tricarbonyl (cyclopentadienyl), which is a latent reducing agent. A connecting composition which is a chloroform solution containing 5 wt% of manganese (I) (1 part by weight) (solute concentration is 10 wt%) was prepared.

【0122】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発させ、
厚さ5μmの導電性高分子前駆体を含む膜を形成した。
これをヨウ素蒸気で酸化処理して導電性高分子を含む接
続層81を得た。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a chromium metal film having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, a metal chromium film having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate chloroform as a solvent,
A film containing a conductive polymer precursor having a thickness of 5 μm was formed.
This was oxidized with iodine vapor to obtain a connection layer 81 containing a conductive polymer.

【0123】一方、金バンプを形成したLSIチップ2
の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラールの
10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルム
を蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラール膜を形
成した。
On the other hand, the LSI chip 2 on which gold bumps are formed
A 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied to the surface provided with the connection terminal 21 of 1. and chloroform was evaporated to form a polyvinyl butyral film having a thickness of 8 μm.

【0124】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0125】[実施例3]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Third Embodiment] This corresponds to the example shown in FIG.

【0126】まず、共役二重結合を主鎖骨格として有す
る高分子であるポリ(パラフェニレンビニレン)を5w
t%(1重量部)、および、潜在性還元剤であるトリカ
ルボニル(シクロペンタジエニル)マンガン(I)を5
wt%(1重量部)を含むクロロホルム溶液(溶質の濃
度は10wt%である)を調製した。
First, 5 w of poly (paraphenylene vinylene), which is a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, is used.
t% (1 part by weight) and 5% of tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) which is a latent reducing agent.
A chloroform solution containing wt% (1 part by weight) (concentration of solute is 10 wt%) was prepared.

【0127】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および明導電膜からなる、256個の50μm×50μ
mの接続端子12を備える0.7mmの厚さのガラス配
線基板1に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発さ
せ、導電性高分子前駆体であるポリ(パラフェニレンビ
ニレン)(1重量部)と、トリカルボニル(シクロペン
タジエニル)マンガン(I)(1重量部)とを含む厚さ
5μmの膜を形成した。この膜を、塩化第二鉄で酸化処
理して導電性高分子を含む接続層81を得た。
This connecting composition is composed of a wiring having a width of 25 μm, which is made of chrome metal having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, and a metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a bright conductive film. 256 50μm x 50μ
It is applied to a glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm provided with m connecting terminals 12 to evaporate chloroform as a solvent and poly (paraphenylene vinylene) as a conductive polymer precursor (1 part by weight). And tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) (1 part by weight) were formed to a thickness of 5 μm. This film was oxidized with ferric chloride to obtain a connection layer 81 containing a conductive polymer.

【0128】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 were formed and the connection terminals 21 were formed. The adhesive layer 71 was formed.

【0129】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0130】[実施例4]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 4] This corresponds to the example shown in FIG.

【0131】まず、溶質が、ポリアニリン、ドーパント
であるショウノウスルホン酸、および、塩基発生剤であ
るN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル
エステルからなる、10wt%メタクレゾール溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンと、ショウノ
ウスルホン酸と、N−シクロヘキシルカルバミン酸2−
ニトロベンジルエステルとの重量比は、1:1.3:3
である。
First, a connection composition was prepared in which the solute was a 10 wt% meta-cresol solution consisting of polyaniline, camphorsulfonic acid as a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester as a base generator. did. Polyaniline, camphor sulfonic acid, N-cyclohexylcarbamic acid 2-
The weight ratio with the nitrobenzyl ester is 1: 1.3: 3.
Is.

【0132】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリンとショウノウスルホン酸とN−シクロ
ヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとを
1:1.3:3の重量比で含む導電性ポリアニリン膜で
ある接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a chromium metal film having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, a metal chromium film having a film thickness of 0.25 μm and a film thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm having the connection terminal 12 to evaporate the solvent metacresol, and polyaniline, camphorsulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester A connection layer 81, which is a conductive polyaniline film containing in a weight ratio of: 1.3: 3, was formed.

【0133】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the LSI chip 2 having the gold bumps 23 on which the connection terminals 21 were provided, and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm. The adhesive layer 71 was formed.

【0134】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0135】[実施例5]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 5] This corresponds to the example shown in FIG.

【0136】まず、溶質が、共役二重結合を主鎖骨格と
して有する高分子であるポリ(3−n−オクチルチオフ
ェン)と、熱可塑性高分子であるポリビニルブチラール
と、潜在性還元剤であるトリカルボニル(シクロペンタ
ジエニル)マンガン(I)とからなる10wt%のクロ
ロホルム溶液である接続用組成物を調製した。ポリ(3
−n−オクチルチオフェン)と、ポリビニルブチラール
と、トリカルボニル(シクロペンタジエニル)マンガン
(I)の重量比は1:2:1である。
First, the solute is poly (3-n-octylthiophene) which is a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and a trit which is a latent reducing agent. A 10 wt% chloroform solution containing carbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) was prepared as a connecting composition. Poly (3
The weight ratio of -n-octylthiophene), polyvinyl butyral, and tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) is 1: 2: 1.

【0137】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるクロロホルムを蒸発させ、
導電性高分子前駆体であるポリ(3−n−オクチルチオ
フェン)(1重量部)とポリビニルブチラール(2重量
部)とトリカルボニル(シクロペンタジエニル)マンガ
ン(I)(1重量部)とを含む、厚さ5μmの膜を形成
した。これをヨウ素蒸気で酸化処理して導電性とし、接
続層81を得た。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate chloroform as a solvent,
The conductive polymer precursor poly (3-n-octylthiophene) (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), and tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) (1 part by weight) were used. A film having a thickness of 5 μm was formed. This was oxidized with iodine vapor to make it conductive, and a connection layer 81 was obtained.

【0138】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 were formed to provide the connection terminals 21, and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm. The adhesive layer 71 was formed.

【0139】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0140】[実施例6]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Sixth Embodiment] This corresponds to the example shown in FIG.

【0141】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0142】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル
エステル(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜で
ある厚さ5μmの接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, a metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), and camphor sulfonic acid ( 1.3 parts by weight)
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0143】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the LSI chip 2 having the gold bumps 23 on which the connection terminals 21 were provided, and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm. The adhesive layer 71 was formed.

【0144】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0145】[実施例7]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 7] This corresponds to the example shown in FIG.

【0146】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルホルマールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルホルマ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2.5:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl formal which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl formal, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2.5: 1.3: 3.

【0147】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルホルマール
(2.5重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量
部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン
膜である厚さ5μmの接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a metallic chromium film having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, a metallic chromium film having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl formal (2.5 parts by weight), and camphor sulfone. A connection layer 81 having a thickness of 5 μm which is a conductive polyaniline film containing an acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight) was formed.

【0148】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルホルマー
ルの10wt%メタクレゾール溶液を塗布して、メタク
レゾールを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルホルマー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% meta-cresol solution of polyvinyl formal is applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 are formed to have the connection terminals 21, and meta-cresol is evaporated to form a polyvinyl formal having a thickness of 8 μm. A film was formed and used as the adhesive layer 71.

【0149】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0150】[実施例8]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 8] This corresponds to the example shown in FIG.

【0151】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるエチレン/酢酸ビニル共重合体(エチレン
酢酸ビニルコポリマ)と、ドーパントであるショウノウ
スルホン酸と、塩基発生剤であるN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとからなる、1
0wt%のメタクレゾール溶液である接続用組成物を調
製した。ポリアニリンとエチレン/酢酸ビニル共重合体
とショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカルバミ
ン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、1:
1:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, an ethylene / vinyl acetate copolymer (ethylene vinyl acetate copolymer) which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid which is a base generator. 1 consisting of 2-nitrobenzyl ester
A connection composition which is a 0 wt% meta-cresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, ethylene / vinyl acetate copolymer, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester was 1:
It is 1: 1.3: 3.

【0152】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とエチレン/酢酸ビニル
共重合体(1重量部)とショウノウスルホン酸(1.3
重量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロ
ベンジルエステル(3重量部)とを含む導電性ポリアニ
リン膜である厚さ5μmの接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a metal chromium film having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, a metal chromium film having a film thickness of 0.25 μm and a film thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate the solvent metacresol, and polyaniline (1 part by weight) and ethylene / vinyl acetate copolymer (1 part by weight). And camphor sulfonic acid (1.3
Part by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), and a connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film, was formed.

【0153】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、エチレン/酢酸ビニ
ル共重合体の10wt%メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8μmのエチレン
/酢酸ビニル共重合体からなる膜を形成し、接着層71
とした。
On the other hand, a 10 wt% meta-cresol solution of ethylene / vinyl acetate copolymer was applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 were formed to have the connection terminals 21, and the meta-cresol was evaporated to a thickness of 8 μm. A film made of ethylene / vinyl acetate copolymer of
And

【0154】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0155】[実施例9]これは、図3(a)に示した
例に対応するものである。
[Embodiment 9] This corresponds to the example shown in FIG.

【0156】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2,6−ジニトロベンジルエス
テルとからなる、10wt%のメタクレゾール溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニル
ブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシ
ルカルバミン酸2,6−ジニトロベンジルエステルとの
重量比は、1:2:1.3:3.7である。
First, the solute consists of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2,6-dinitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a 10 wt% meta-cresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphorsulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2,6-dinitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.7.

【0157】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とN−シクロヘキシルカルバミン酸2,6−ジニトロベ
ンジルエステル(3.7重量部)とを含む導電性ポリア
ニリン膜である厚さ5μmの接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a chromium metal film having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, a metal chromium film having a film thickness of 0.25 μm and a film thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), and camphor sulfonic acid ( 1.3 parts by weight)
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing N-cyclohexylcarbamic acid 2,6-dinitrobenzyl ester (3.7 parts by weight), was formed.

【0158】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の10wt%メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral copolymer in meta-cresol was applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 were formed to provide the connection terminals 21, and the meta-cresol was evaporated to give polyvinyl chloride having a thickness of 8 μm. A film made of butyral was formed as an adhesive layer 71.

【0159】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0160】[実施例10]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。
[Embodiment 10] This corresponds to the example shown in FIG.

【0161】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−エチ
ルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとからな
る、10wt%のメタクレゾール溶液である接続用組成
物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
ショウノウスルホン酸とN−エチルカルバミン酸2−ニ
トロベンジルエステルとの重量比は、1:3:1.3:
3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-ethylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphorsulfonic acid, and N-ethylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester was 1: 3: 1.3 :.
It is 3.

【0162】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(3重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とN−エチルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ
5μmの接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a chromium metal film having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, a metal chromium film having a film thickness of 0.25 μm and a film thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (3 parts by weight), and camphor sulfonic acid ( 1.3 parts by weight)
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing N-ethylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0163】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の10wt%メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% meta-cresol solution of a polyvinyl butyral copolymer is applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 are formed to have the connection terminals 21, and the meta-cresol is evaporated to give a polyvinyl chloride having a thickness of 8 μm. A film made of butyral was formed as an adhesive layer 71.

【0164】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0165】[実施例11]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。
[Embodiment 11] This corresponds to the example shown in FIG.

【0166】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、光反応剤であるテトラエチ
ルチウラムジスルフィドとからなる、10wt%のメタ
クレゾール溶液である接続用組成物を調製した。ポリア
ニリンとポリビニルブチラールとショウノウスルホン酸
とテトラエチルチウラムジスルフィドとの重量比は、
1:2.5:1.3:2.6である。
First, the solute is a 10 wt% meta-cresol solution consisting of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and tetraethyl thiuram disulfide which is a photoreactant. A composition for use was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and tetraethyl thiuram disulfide is
It is 1: 2.5: 1.3: 2.6.

【0167】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2.5重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量
部)とテトラエチルチウラムジスルフィド(2.6重量
部)とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ5μmの
接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a chromium metal film having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, a metal chromium film having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm to be provided with the connection terminals 12 to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2.5 parts by weight) and camphor sulfone. A connection layer 81 having a thickness of 5 μm which is a conductive polyaniline film containing an acid (1.3 parts by weight) and tetraethylthiuram disulfide (2.6 parts by weight) was formed.

【0168】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の10wt%メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% meta-cresol solution of a polyvinyl butyral copolymer is applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 are formed to have the connection terminals 21, and the meta-cresol is evaporated to give a polyvinyl chloride having a thickness of 8 μm. A film made of butyral was formed as an adhesive layer 71.

【0169】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0170】[実施例12]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。
[Embodiment 12] This corresponds to the example shown in FIG.

【0171】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、光反応剤であるベンゾイン
イソプロピルエーテルとからなる、10wt%のメタク
レゾール溶液である接続用組成物を調製した。ポリアニ
リンとポリビニルブチラールとショウノウスルホン酸と
ベンゾインイソプロピルエーテルとの重量比は、1:
2:1.3:2.8である。
First, the solute is a 10 wt% meta-cresol solution containing polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and benzoin isopropyl ether which is a photoreactant. A composition for use was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and benzoin isopropyl ether was 1:
It is 2: 1.3: 2.8.

【0172】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とベンゾインイソプロピルエーテル(2.8重量部)と
を含む導電性ポリアニリン膜である厚さ5μmの接続層
81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is composed of chrome metal having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), and camphor sulfonic acid ( 1.3 parts by weight)
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing benzoin isopropyl ether (2.8 parts by weight), was formed.

【0173】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ル共重合体の10wt%メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% meta-cresol solution of a polyvinyl butyral copolymer is applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 are formed to have the connection terminals 21, and the meta-cresol is evaporated to give a polyvinyl chloride film having a thickness of 8 μm. A film made of butyral was formed as an adhesive layer 71.

【0174】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置
合わせして載置し、150℃、1.5MPa/cm2
加熱圧着して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載
置していない側から紫外線(365nm)を5分間照射
して、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体は、図3(b)
に図示したような構造となった。この実装体の接続抵抗
は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上で
あった。
Next, as shown in FIG. 3A, the LSI chip 2 is aligned and placed on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 and heated at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 . After pressure bonding, ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 was not mounted, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 was made to have high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mounting body is shown in FIG.
The structure is as shown in Fig. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0175】[実施例13]これは、図3(c)に示し
た例に対応するものである。
[Embodiment 13] This corresponds to the example shown in FIG.

【0176】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:1:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 1: 1.3: 3.

【0177】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(1重量
部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ
5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and a thickness of 50 μm × 50, which was made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm.
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm having 256 μm connecting terminals 12 and having the connecting terminals 12 to evaporate metacresol, which is a solvent, to obtain polyaniline (1 part by weight). A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing polyvinyl butyral (1 part by weight), camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight). Was formed.

【0178】一方、金バンプ23を形成したLSIチッ
プ2の接続端子21を備える面に、ポリビニルブチラー
ルの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホ
ルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラールか
らなる膜を形成し、接着層71とした。
On the other hand, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the LSI chip 2 on which the gold bumps 23 were formed to provide the connection terminals 21, and the chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm. The adhesive layer 71 was formed.

【0179】つぎに、図3(c)に図示したように、接
続層81と接着層71とが対向するように、ガラス配線
基板1の接続層81上にLSIチップ2を位置合わせし
て載置し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着
して、ガラス配線基板1のLSIチップ2を載置してい
ない側から、接続端子12の部分に照射される光を遮断
するようにフォトマスク9を介して紫外線(365n
m)を5分間照射し、マスクされない部分820を高抵
抗化した。得られた実装体は、図3(b)に図示したよ
うな構造となった。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
Next, as shown in FIG. 3C, the LSI chip 2 is aligned and mounted on the connection layer 81 of the glass wiring board 1 so that the connection layer 81 and the adhesive layer 71 face each other. Then, it is heated and pressed at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 so as to block the light radiated to the connection terminal 12 from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 is not mounted. Ultraviolet rays (365n
m) was irradiated for 5 minutes to increase the resistance of the unmasked portion 820. The obtained mount has a structure as shown in FIG. The connection resistance of this mounting body is 1Ω or less,
The insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0180】[実施例14]これは、図1に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 14] This corresponds to the example shown in FIG.

【0181】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:1.5:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 1.5: 1.3: 3.

【0182】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(1.5重
量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−
シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステ
ル(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜である厚
さ5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm and 50 μm × 50.
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm having 256 μm connecting terminals 12 and having the connecting terminals 12 to evaporate metacresol, which is a solvent, to obtain polyaniline (1 part by weight). Polyvinyl butyral (1.5 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0183】この接続層81の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
On the surface of the connection layer 81, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71.

【0184】つぎに、図1(a)に図示したように、接
着層71上から、接続端子12の部分に照射される光を
遮断するようにフォトマスク9を介して紫外線(365
nm)を5分間照射し、図1(b)に示されるように、
マスクされない部分820を高抵抗化した。
Next, as shown in FIG. 1A, an ultraviolet ray (365) is passed through the photomask 9 so as to block the light radiated from the adhesive layer 71 to the portion of the connection terminal 12.
nm) for 5 minutes, and as shown in FIG.
The unmasked portion 820 has a high resistance.

【0185】図1(c)に図示したように、接続層71
と金バンプ23とが対向するように、ガラス配線基板1
の接着層71上にLSIチップ2を位置合わせして載置
し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 1C, the connection layer 71
And the gold bumps 23 face each other so that the glass wiring board 1
The LSI chip 2 was aligned and placed on the adhesive layer 71, and thermocompression bonded at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 .
The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0186】[実施例15]これは、図5に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 15] This corresponds to the example shown in FIG.

【0187】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:1.5:1.3:1.5である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 1.5: 1.3: 1.5.

【0188】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(1.5重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量
部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル(1.5重量部)とを含む導電性ポリアニ
リン膜である厚さ5μmの接続層81を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of chrome metal having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, metal chrome having a film thickness of 0.25 μm and a film thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of mm, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (1.5 parts by weight) and camphor sulfone. A connection layer 81 having a thickness of 5 μm which is a conductive polyaniline film containing an acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (1.5 parts by weight) was formed.

【0189】この接続層81の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
A 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 81, the chloroform was evaporated, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed as an adhesive layer 71.

【0190】つぎに、図5(a)に図示したように、接
着層71上から、紫外線(365nm)を5分間照射
し、図5(b)に示されるように、接続端子12の投影
部分以外の部分820を高抵抗化した。この場合、接続
端子12の金属クロムがフォトマスクとして機能してい
る。
Next, as shown in FIG. 5A, ultraviolet rays (365 nm) are radiated from above the adhesive layer 71 for 5 minutes, and as shown in FIG. The other part 820 has a higher resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask.

【0191】図5(c)に図示したように、接続層71
と金バンプ23とが対向するように、ガラス配線基板1
の接着層71上にLSIチップ2を位置合わせして載置
し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 5C, the connection layer 71
And the gold bumps 23 face each other so that the glass wiring board 1
The LSI chip 2 was aligned and placed on the adhesive layer 71, and thermocompression bonded at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 .
The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0192】[実施例16]これは、図6に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 16] This corresponds to the example shown in FIG.

【0193】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:1:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 1: 1.3: 3.

【0194】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(1重量
部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ
5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and 50 μm × 50, which was made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm.
It is applied to the surface of the glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm having 256 μm connecting terminals 12 and having the connecting terminals 12 to evaporate metacresol, which is a solvent, to obtain polyaniline (1 part by weight). A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing polyvinyl butyral (1 part by weight), camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight). Was formed.

【0195】この接続層81の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
A 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied to the surface of the connection layer 81, the chloroform was evaporated, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed to form an adhesive layer 71.

【0196】つぎに、図6(a)に図示したように、ガ
ラス基板11の接続端子12を備えていない側から、接
続端子12の部分に照射される光を遮断するようにフォ
トマスク9を介して紫外線(365nm)を5分間照射
し、図6(b)に示されるように、マスクされない部分
820を高抵抗化した。
Next, as shown in FIG. 6A, a photomask 9 is provided so as to block the light radiated to the connection terminal 12 from the side of the glass substrate 11 where the connection terminal 12 is not provided. Ultraviolet rays (365 nm) were radiated for 5 minutes to increase the resistance of the unmasked portion 820, as shown in FIG. 6B.

【0197】図6(c)に図示したように、接続層71
と金バンプ23とが対向するように、ガラス配線基板1
の接着層71上にLSIチップ2を位置合わせして載置
し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 6C, the connection layer 71
And the gold bumps 23 face each other so that the glass wiring board 1
The LSI chip 2 was aligned and placed on the adhesive layer 71, and thermocompression bonded at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 .
The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0198】[実施例17]これは、図2に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 17] This corresponds to the example shown in FIG.

【0199】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと2,
2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:2:
1.6である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. Polyaniline, polyvinyl butyral and 2,
The weight ratio with 2,2-tribromoethanol is 1: 2 :.
It is 1.6.

【0200】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and a thickness of 50 μm × 50, which was made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm.
The glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm and having 256 μm connection terminals 12 formed thereon is applied to the surface provided with the connection terminals 12 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0201】この接続層91の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
A 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 91 to evaporate the chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71.

【0202】つぎに、図2(a)に図示したように、接
着層71上から、接続端子12のない部分に照射される
光を遮断するようにフォトマスク9を介して紫外線(3
65nm)を5分間照射し、図2(b)に示されるよう
に、マスクされない部分910を低抵抗化して導電性を
付与した。
Next, as shown in FIG. 2A, ultraviolet rays (3) are passed through the photomask 9 so as to block the light radiated from above the adhesive layer 71 to the portions where the connection terminals 12 are not present.
(65 nm) for 5 minutes to reduce the resistance of the unmasked portion 910 to give conductivity, as shown in FIG. 2 (b).

【0203】図2(c)に図示したように、接着層71
と金バンプ23とが対向するように、ガラス配線基板1
の接着層71上にLSIチップ2を位置合わせして載置
し、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 2C, the adhesive layer 71
And the gold bumps 23 face each other so that the glass wiring board 1
The LSI chip 2 was aligned and placed on the adhesive layer 71, and was thermocompression-bonded at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C.
The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0204】[実施例18]これは、図2に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 18] This corresponds to the example shown in FIG.

【0205】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
トリブロモメチルフェニルスルホンとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールとトリ
ブロモメチルフェニルスルホンとの重量比は、1:1:
2.1である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and tribromomethylphenyl sulfone which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, and tribromomethylphenyl sulfone is 1: 1:
2.1.

【0206】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(1
重量部)とトリブロモメチルフェニルスルホン(2.1
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜であるで
ある厚さ5μmの接続層91を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and a thickness of 50 μm × 50, which was made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm.
The glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm and having 256 μm connection terminals 12 formed thereon is applied to the surface provided with the connection terminals 12 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (1
Parts by weight) and tribromomethylphenyl sulfone (2.1
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film including

【0207】この接続層91の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
A 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied to the surface of the connection layer 91, the chloroform was evaporated, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed as an adhesive layer 71.

【0208】つぎに、図2(a)に図示したように、接
着層71上から、接続端子12のない部分に照射される
光を遮断するようにフォトマスク9を介して紫外線(3
65nm)を5分間照射し、図2(b)に示されるよう
に、マスクされない部分910を低抵抗化して導電性を
付与した。
Next, as shown in FIG. 2A, ultraviolet rays (3) are applied through the photomask 9 so as to block the light radiated from above the adhesive layer 71 to the portion where the connection terminal 12 is not present.
(65 nm) for 5 minutes to reduce the resistance of the unmasked portion 910 to give conductivity, as shown in FIG. 2 (b).

【0209】図2(c)に図示したように、接続層71
と金バンプ23とが対向するように、ガラス配線基板1
の接着層71上にLSIチップ2を位置合わせして載置
し、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 2C, the connection layer 71
And the gold bumps 23 face each other so that the glass wiring board 1
The LSI chip 2 was aligned and placed on the adhesive layer 71, and was thermocompression-bonded at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C.
The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0210】[実施例19]これは、図4に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 19] This corresponds to the example shown in FIG.

【0211】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと2,
2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:2:
1.6である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. Polyaniline, polyvinyl butyral and 2,
The weight ratio with 2,2-tribromoethanol is 1: 2 :.
It is 1.6.

【0212】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and a thickness of 50 μm × 50, which was made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm.
The glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm and having 256 μm connection terminals 12 formed thereon is applied to the surface provided with the connection terminals 12 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0213】この接続層91の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
A 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied to the surface of the connection layer 91 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71.

【0214】つぎに、接着層71と金バンプ23とが対
向するように、ガラス配線基板1の接着層71上にLS
Iチップ2を位置合わせして載置し、1.5MPa/c
2、150℃で加熱圧着して、図4(a)に図示した
ように、ガラス基板11の接続端子12を備えない側か
ら、接続端子12のない部分に照射される光を遮断する
ようにフォトマスク9を介して紫外線(365nm)を
5分間照射し、図4(b)に示されるように、マスクさ
れない部分910を低抵抗化して導電性を付与した。得
られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁
抵抗は200MΩ以上であった。
Next, the LS is formed on the adhesive layer 71 of the glass wiring board 1 so that the adhesive layer 71 and the gold bump 23 face each other.
I-chip 2 is aligned and placed at 1.5 MPa / c
As shown in FIG. 4 (a), heat and pressure are applied at m 2 at 150 ° C. to block the light radiated from the side of the glass substrate 11 not provided with the connection terminal 12 to the portion without the connection terminal 12. The film was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes through the photomask 9, and as shown in FIG. 4B, the unmasked portion 910 was made low in resistance to give conductivity. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0215】[実施例20]これは、図7に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 20] This corresponds to the example shown in FIG.

【0216】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと2,
2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:2:
1.6である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. Polyaniline, polyvinyl butyral and 2,
The weight ratio with 2,2-tribromoethanol is 1: 2 :.
It is 1.6.

【0217】この接続用組成物を、膜厚0.2μmの透
明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×50
μmの接続端子12を256個形成した0.7mmの厚
さのガラス配線基板1の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring having a width of 25 μm and a thickness of 50 μm × 50, which was made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm.
The glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm and having 256 μm connection terminals 12 formed thereon is applied to the surface provided with the connection terminals 12 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0218】この接続層91の表面に、ポリビニルブチ
ラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロ
ロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜を形成し、接着層71とした。
A 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 91 to evaporate the chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71.

【0219】つぎに、図7(a)に図示したように、ガ
ラス基板11の接続端子12を備えていない側から、接
続端子12のない部分に照射される光を遮断するように
フォトマスク9を介して紫外線(365nm)を5分間
照射し、図7(b)に示されるように、マスクされない
部分910を低抵抗化して導電性を付与した。
Next, as shown in FIG. 7A, the photomask 9 is arranged so as to block the light radiated from the side of the glass substrate 11 where the connection terminal 12 is not provided to the portion where the connection terminal 12 is not provided. Ultraviolet rays (365 nm) were irradiated for 5 minutes through the film to reduce the resistance of the unmasked portion 910 to give conductivity, as shown in FIG. 7B.

【0220】図7(c)に図示したように、接着層71
と金バンプ23とが対向するように、ガラス配線基板1
の接着層71上にLSIチップ2を位置合わせして載置
し、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧着した。
得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶
縁抵抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 7C, the adhesive layer 71
And the gold bumps 23 face each other so that the glass wiring board 1
The LSI chip 2 was aligned and placed on the adhesive layer 71, and was thermocompression-bonded at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C.
The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0221】[実施例21]これは、図8に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 21] This corresponds to the example shown in FIG.

【0222】まず、256個の50μm×50μmの接
続端子21を有し、接続端子21に金バンプ23を形成
したLSIチップ2の接続端子21を備える面に、ポリ
ビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布
して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とした。
First, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the LSI chip 2 having 256 50 μm × 50 μm connection terminals 21 and the connection terminals 21 on which gold bumps 23 are formed. Then, chloroform was evaporated and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed to form an adhesive layer 71.

【0223】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0224】この接続用組成物を、接着層71表面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN
−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエス
テル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜である
厚さ5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition is applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0225】つぎに、図8(a)に図示したように、接
続層81の側から、接続端子21の部分に照射される光
を遮断するようにフォトマスク9を介して紫外線(36
5nm)を5分間照射し、図7(b)に示されるよう
に、マスクされない部分820を高抵抗化した。
Next, as shown in FIG. 8A, ultraviolet rays (36) are passed through the photomask 9 so as to block the light irradiated from the connection layer 81 side to the connection terminal 21 portion.
(5 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the unmasked portion 820 as shown in FIG. 7 (b).

【0226】最後に、図8(c)に図示したように、接
続端子12と接続層81の導電性部分810とが接合す
るように、膜厚0.2μmの透明導電膜からなる、幅2
5μmの配線と50μm×50μmの接続端子12を2
56個形成した0.7mmの厚さのガラス配線基板1上
にLSIチップ2を位置合わせして載置し、1.5MP
a/cm2、150℃で加熱圧着した。得られた実装体
の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200
MΩ以上であった。
Finally, as shown in FIG. 8C, the width 2 made of a transparent conductive film having a thickness of 0.2 μm is formed so that the connection terminal 12 and the conductive portion 810 of the connection layer 81 are joined.
2 μm wiring and 50 μm x 50 μm connecting terminal 12
The LSI chip 2 is aligned and placed on the glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm and formed of 56 pieces.
It was thermocompression bonded at 150 ° C. at a / cm 2 . The connection resistance of the obtained mounting body is 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals is 200.
It was MΩ or more.

【0227】[実施例22]これは、図9に示した例に
対応するものである。
[Embodiment 22] This corresponds to the example shown in FIG.

【0228】まず、256個の50μm×50μmの接
続端子21を有し、接続端子21に金バンプ23を形成
したLSIチップ2の接続端子21を備える面に、ポリ
ビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布
して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニ
ルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とした。
First, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the LSI chip 2 having 256 50 μm × 50 μm connection terminals 21 and the gold bumps 23 formed on the connection terminals 21. Then, chloroform was evaporated and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed to form an adhesive layer 71.

【0229】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤であ
る2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10
wt%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物
を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
2,2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:
2:1.6である。
Next, the solute comprises polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connection composition, which is a wt% N-methylpyrrolidone solution, was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral and 2,2,2-tribromoethanol was 1:
2: 1.6.

【0230】この接続用組成物を、接続層91表面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
This connecting composition was applied to the surface of the connecting layer 91 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0231】つぎに、図9(a)に図示したように、接
続層91の側から、接続端子21のない部分に照射され
る光を遮断するようにフォトマスク9を介して紫外線
(365nm)を5分間照射し、図9(b)に示される
ように、マスクされない部分910を低抵抗化して導電
性を付与した。
Next, as shown in FIG. 9A, ultraviolet rays (365 nm) are passed through the photomask 9 so as to block the light radiated from the side of the connection layer 91 to the portion without the connection terminal 21. Was irradiated for 5 minutes, and as shown in FIG. 9B, the unmasked portion 910 was made low in resistance to give conductivity.

【0232】図9(c)に図示したように、LSIチッ
プ2の接続層91の導電化部分910とガラス配線基板
1の接続端子12とが対向するように、膜厚0.2μm
の透明導電膜からなる、幅25μmの配線と50μm×
50μmの接続端子12を256個形成した0.7mm
の厚さのガラス配線基板1の、接続端子12が備えられ
ている面上にLSIチップ2を位置合わせして載置し、
1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧着した。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
As shown in FIG. 9C, the conductive layer 910 of the connection layer 91 of the LSI chip 2 and the connection terminal 12 of the glass wiring board 1 are arranged to face each other with a film thickness of 0.2 μm.
With a width of 25 μm and 50 μm ×
0.7 mm with 256 connection terminals 12 of 50 μm formed
The LSI chip 2 is aligned and placed on the surface of the glass wiring board 1 having the thickness
It thermocompression-bonded at 1.5 MPa / cm < 2 > and 150 degreeC. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0233】[実施例23]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。
[Embodiment 23] This corresponds to the example shown in FIG.

【0234】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニル
ブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシ
ルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比
は、1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a N-methylpyrrolidone solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0235】この接続用組成物を、剥離用基材に塗布し
たのち、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN
−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエス
テル(3重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜である
厚さ5μmの接続層81を形成し、さらにこの接続層8
1上にポリビニルブチラールの10wt%クロロホルム
溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μm
のポリビニルブチラールからなる接着層71を形成し
て、剥離用基材上に2層の積層体を得た。この積層体を
剥離用基材から剥離して、2層構造のフィルムである接
続部材を得た。
After applying this connecting composition to a release substrate, the solvent N-methylpyrrolidone was evaporated,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polyaniline film containing cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), is formed.
A 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was coated on 1 and the chloroform was evaporated to a thickness of 8 μm.
The polyvinyl butyral adhesive layer 71 was formed to obtain a two-layer laminate on the peeling base material. The laminate was peeled from the peeling base material to obtain a connecting member which was a film having a two-layer structure.

【0236】この接続部材を、膜厚0.25μmの金属
クロムと、膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、幅
25μmの配線と50μm×50μmの接続端子12を
256個形成した1.0mmの厚さのガラス配線基板1
の、接続端子12を備える面と、LSIチップ2の接続
端子21および金バンプ23を備える面との間に、接続
層81はガラス配線基板1に接合し、接着層71はLS
Iチップ2に接合するように挾持し、150℃、1.5
MPa/cm2で加熱圧着した。
This connection member was formed by forming a wiring having a width of 25 μm and 256 connection terminals 12 of 50 μm × 50 μm, which is made of metallic chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, and is 1.0 mm. Thickness of glass wiring board 1
Between the surface provided with the connection terminal 12 and the surface provided with the connection terminal 21 and the gold bump 23 of the LSI chip 2, the connection layer 81 is bonded to the glass wiring substrate 1, and the adhesive layer 71 is LS.
Hold it so that it can be bonded to I-chip 2, 150 ℃, 1.5
It was thermocompression bonded at MPa / cm 2 .

【0237】つぎに、図3(a)に図示したように、ガ
ラス配線基板1のLSIチップ2を載置していない側か
ら紫外線(365nm)を5分間照射して、接続端子1
2の非投影部分820を高抵抗化した。この場合、接続
端子12の金属クロムがフォトマスクとして機能してい
る。得られた実装体は、図3(b)に図示したような構
造となった。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端
子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
Next, as shown in FIG. 3A, ultraviolet rays (365 nm) are irradiated for 5 minutes from the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 is not mounted, and the connection terminal 1
The second non-projection portion 820 has a high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The obtained mount has a structure as shown in FIG. The connection resistance of this mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0238】[実施例24]これは、図23に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 24] This corresponds to the example shown in FIG.

【0239】まず、膜厚0.25μmの金属クロムおよ
び膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μmの
配線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、256個の50μm×
50μmの接続端子12を備える0.7mmの厚さのガ
ラス配線基板1(図23(a)に図示)の、接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ2μmのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、図23(b)に示す第1の接着層71を得た。
First, a wiring having a width of 25 μm, which is made of metal chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, metal chromium having a film thickness of 0.25 μm, and a film thickness of 0.
256 pieces of 50 μm x made of 12 μm transparent conductive film
Connection terminal 1 of glass wiring board 1 (illustrated in FIG. 23 (a)) having a thickness of 0.7 mm provided with connection terminal 12 of 50 μm
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
A film made of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm was formed to obtain a first adhesive layer 71 shown in FIG. 23 (b).

【0240】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0241】この接続用組成物を、第1の接着層71表
面に塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発
させ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラー
ル(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量
部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物
膜である厚さ5μmの接続層5(図23(c)に図示)
を形成した。
This connecting composition was applied to the surface of the first adhesive layer 71 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone, and polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfone. The connection layer 5 (FIG. 23 (c)) having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing an acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight). (Shown)
Was formed.

【0242】さらに、この接続層5の表面に、ポリビニ
ルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ6μmのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、図23(d)に示すよ
うに、第2の接着層71を得た。これにより、3層から
なる接続部材230が形成された。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied on the surface of the connection layer 5 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm, as shown in FIG. 23 (d). Thus, the second adhesive layer 71 was obtained. As a result, the connecting member 230 composed of three layers was formed.

【0243】つぎに、図23(e)に図示したように、
LSIチップ2の接続端子21を備える面と第2の接着
層71とが対向するように、ガラス配線基板1の接着層
71上にLSIチップ2を位置合わせして載置する。
Next, as shown in FIG. 23 (e),
The LSI chip 2 is aligned and placed on the adhesive layer 71 of the glass wiring board 1 so that the surface of the LSI chip 2 having the connection terminal 21 and the second adhesive layer 71 face each other.

【0244】これを、1.5MPa/cm2、150℃
で加熱圧着して、ガラス基板11の接続端子12を備え
ない側から、接続層5に紫外線(365nm)を5分間
照射し、接続端子12の非投影部分を高抵抗化した。こ
の場合、接続端子12の金属クロムがフォトマスクとし
て機能している。得られた実装体の接続抵抗は1Ω以
下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
[0244] This was applied at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C.
Then, the connection layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes from the side of the glass substrate 11 not provided with the connection terminal 12 to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0245】[実施例25]これは、図24に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 25] This corresponds to the example shown in FIG.

【0246】まず、図24(a)に示す金バンプ23を
形成したLSIチップ2の接続端子21を備える面に、
ポリビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を
塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリ
ビニルブチラールからなる膜を形成し、図24(b)に
示すように接着層71を得た。
First, on the surface of the LSI chip 2 having the gold bumps 23 shown in FIG.
A 10 wt% polyvinyl butyral chloroform solution was applied to evaporate the chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, and an adhesive layer 71 was obtained as shown in FIG.

【0247】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0248】この接続用組成物を、接続層71の表面に
塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル
エステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜で
ある厚さ5μmの接続層5(図24(c)に図示)を形
成した。これにより、2層からなる接続部材220が得
られた。
This connecting composition was applied to the surface of the connecting layer 71 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone, and polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphorsulfonic acid ( 1.3 parts by weight)
A connection layer 5 (shown in FIG. 24C) having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed. As a result, the connecting member 220 having two layers was obtained.

【0249】つぎに、膜厚0.25μmの金属クロムお
よび膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μm
の配線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚
0.12μmの透明導電膜とからなる、256個の50
μm×50μmの接続端子12を備える0.7mmの厚
さのガラス配線基板1を用意し、図24(d)に図示し
たように、LSIチップ2の接続層5と、このガラス配
線基板1の接続端子12とが対向するように、ガラス配
線基板1の接続端子12が備えられている面上にLSI
チップ2を位置合わせして載置し、1.5MPa/cm
2、150℃で加熱圧着した。
Next, a width of 25 μm formed of metallic chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm.
And the transparent conductive film with a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film with a thickness of 0.12 μm.
A glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm provided with connection terminals 12 of μm × 50 μm is prepared, and as shown in FIG. 24D, the connection layer 5 of the LSI chip 2 and the glass wiring board 1 are connected. The LSI is provided on the surface of the glass wiring board 1 on which the connection terminals 12 are provided so as to face the connection terminals 12.
Chip 2 is aligned and placed, 1.5 MPa / cm
2 , heated and pressed at 150 ° C.

【0250】このLSIチップ2を搭載したガラス基板
11の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫外
線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非投
影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金属
クロムがフォトマスクとして機能している。得られた実
装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は2
00MΩ以上であった。
From the side of the glass substrate 11 having the LSI chip 2 not provided with the connection terminal 12, the connection layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body is 1Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals is 2
It was more than 00 MΩ.

【0251】[実施例26]これは、図25に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 26] This corresponds to the example shown in FIG.

【0252】まず、図25(a)に示す金バンプ23を
形成したLSIチップ2の接続端子21を備える面に、
ポリビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を
塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ6μmのポリ
ビニルブチラールからなる膜を形成し、図25(b)に
示すように第1の接着層71aを得た。
First, the surface of the LSI chip 2 having the gold bumps 23 shown in FIG.
A 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm, and a first adhesive layer 71a was obtained as shown in FIG. 25 (b).

【0253】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0254】この接続用組成物を、第1の接続層71a
の表面に塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを
蒸発させ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチ
ラール(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重
量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベ
ンジルエステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成
物膜である厚さ5μmの接続層5(図25(c)に図
示)を形成した。
This connecting composition was used as the first connecting layer 71a.
N-methylpyrrolidone, which is a solvent, is evaporated to give polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2 A connection layer 5 (illustrated in FIG. 25C) having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0255】さらに、この接続層5の表面に、ポリビニ
ルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ2μmのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、図25(d)に示すよ
うに、第2の接着層71bを得た。これにより、3層か
らなる接続部材230が形成された。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied on the surface of the connection layer 5 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm, as shown in FIG. 25 (d). Thus, the second adhesive layer 71b was obtained. As a result, the connecting member 230 composed of three layers was formed.

【0256】つぎに、膜厚0.25μmの金属クロムお
よび膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μm
の配線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚
0.12μmの透明導電膜からなる、256個の50μ
m×50μmの接続端子12を備える0.7mmの厚さ
のガラス配線基板1を用意し、図25(e)に図示した
ように、LSIチップ2の第2の接着層71bと、この
ガラス配線基板1の接続端子12とが対向するように、
ガラス配線基板1の接続端子12が備えられている面上
にLSIチップ2を位置合わせして載置し、1.5MP
a/cm2、150℃で加熱圧着した。
Next, a width of 25 μm composed of chrome film having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm.
Of the wiring, the metal chrome having a film thickness of 0.25 μm, and the transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm.
A glass wiring board 1 having a thickness of 0.7 mm provided with connection terminals 12 of m × 50 μm is prepared, and as shown in FIG. 25 (e), the second adhesive layer 71b of the LSI chip 2 and this glass wiring are provided. So that the connection terminals 12 of the substrate 1 face each other,
The LSI chip 2 is aligned and placed on the surface of the glass wiring board 1 on which the connection terminal 12 is provided,
It was thermocompression bonded at 150 ° C. at a / cm 2 .

【0257】このLSIチップ2を搭載したガラス基板
11の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫外
線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非投
影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金属
クロムがフォトマスクとして機能している。得られた実
装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は2
00MΩ以上であった。
From the side of the glass substrate 11 on which the LSI chip 2 is mounted, which does not have the connection terminal 12, the connection layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body is 1Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals is 2
It was more than 00 MΩ.

【0258】[実施例27]これは、図26に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 27] This corresponds to the example shown in FIG.

【0259】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液であ
る接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニル
ブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシ
ルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比
は、1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a N-methylpyrrolidone solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0260】この接続用組成物を、膜厚0.25μmの
金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からな
る幅25μmの配線と、膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、256
個の50μm×50μmの接続端子12を備える0.7
mmの厚さのガラス配線基板1(図26(a)に図示)
の、接続端子12を備える面に、塗布して、溶剤である
N−メチルピロリドンを蒸発させ、ポリアニリン(1重
量部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノ
ウスルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層
5(図26(b)に図示)を形成した。
A wiring having a width of 25 μm, which is made of a chromium metal film having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, metal chromium film having a film thickness of 0.25 μm and a film thickness of 0.12 μm, 256 made of transparent conductive film of
0.7 with 50 μm × 50 μm connecting terminals 12
Glass wiring substrate 1 with a thickness of mm (illustrated in FIG. 26 (a))
Of N-methylpyrrolidone, which is a solvent, is applied to the surface having the connection terminal 12 to evaporate polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), and camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight). A connection layer 5 (illustrated in FIG. 26B) having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0261】つぎに、256個の50μm×50μmの
接続端子21を有し、接続端子21に金バンプ23を形
成したLSIチップ2(図26(c)に図示)の接続端
子21を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt
%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発さ
せ、厚さ8μmのポリビニルブチラールからなる膜を形
成し、図26(d)に示すような接着層71を得た。
Next, on the surface of the LSI chip 2 (shown in FIG. 26C) having 256 50 μm × 50 μm connection terminals 21 and gold bumps 23 formed on the connection terminals 21, Polyvinyl butyral 10wt
% Chloroform solution was applied and chloroform was evaporated to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm to obtain an adhesive layer 71 as shown in FIG.

【0262】ガラス配線基板1の接続端子12と、LS
Iチップ2の接続端子21との位置を合わせて、図26
(e)に示すように、この接続層5と接着層71とを接
合させ、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧着し
た。
The connection terminal 12 of the glass wiring board 1 and the LS
26, by aligning the position with the connection terminal 21 of the I-chip 2.
As shown in (e), the connection layer 5 and the adhesive layer 71 were joined and thermocompression bonded at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C.

【0263】このLSIチップ2を搭載したガラス基板
11の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫外
線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非投
影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金属
クロムがフォトマスクとして機能している。得られた実
装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は2
00MΩ以上であった。
The connecting layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes from the side of the glass substrate 11 on which the LSI chip 2 was not mounted to have the connecting terminal 12 to increase the resistance of the non-projected portion of the connecting terminal 12. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body is 1Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals is 2
It was more than 00 MΩ.

【0264】[実施例28]これは、図27に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 28] This corresponds to the example shown in FIG.

【0265】まず、膜厚0.25μmの金属クロムおよ
び膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μmの
配線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、256個の50μm×
50μmの接続端子12を備えた0.7mmの厚さのガ
ラス配線基板1(図27(a)に図示)の、接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ8μmのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、図27(b)に示すような接着層71を得た。
First, a wiring having a width of 25 μm, which is made of chrome metal having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, metal chrome having a thickness of 0.25 μm, and a thickness of 0.1 μm.
256 pieces of 50 μm x made of 12 μm transparent conductive film
Connection terminal 1 of glass wiring board 1 (illustrated in FIG. 27A) having a thickness of 0.7 mm provided with connection terminal 12 of 50 μm
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
A film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed to obtain an adhesive layer 71 as shown in FIG. 27 (b).

【0266】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0267】この接続用組成物を、256個の50μm
×50μmの接続端子21を有し、接続端子21に金バ
ンプ23を形成したLSIチップ2(図27(c)に図
示)の接続端子21を備える面に塗布して、溶剤である
N−メチルピロリドンを蒸発させ、ポリアニリン(1重
量部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノ
ウスルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層
5(図27(d)に図示)を形成した。
This connecting composition was used to prepare 256 pieces of 50 μm.
It is applied to the surface of the LSI chip 2 (shown in FIG. 27 (c)) having the connecting terminals 21 having a size of 50 μm and the gold bumps 23 formed on the connecting terminals 21, and the solvent is N-methyl. Pyrrolidone is evaporated to conduct electricity containing polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight). A connection layer 5 (illustrated in FIG. 27D) having a thickness of 5 μm, which is a film of a high-molecular composition was formed.

【0268】ガラス配線基板1の接続端子12と、LS
Iチップ2の接続端子21との位置を合わせて、図27
(e)に示すように、接着層71と接続層5とを接合さ
せ、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧着した。
これにより、2層からなる接続部材220が形成され、
LSIチップ2が基板1上に搭載された。
The connection terminal 12 of the glass wiring board 1 and the LS
Aligning the position with the connection terminal 21 of the I-chip 2,
As shown in (e), the adhesive layer 71 and the connection layer 5 were joined and thermocompression-bonded at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C.
As a result, the connecting member 220 composed of two layers is formed,
The LSI chip 2 is mounted on the substrate 1.

【0269】このLSIチップ2を搭載したガラス配線
基板1の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫
外線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
200MΩ以上であった。
From the side of the glass wiring board 1 having the LSI chip 2 not provided with the connection terminal 12, the connection layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. . In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0270】[実施例29]これは、図28に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 29] This corresponds to the example shown in FIG.

【0271】まず、膜厚0.25μmの金属クロムおよ
び膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μmの
配線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、256個の50μm×
50μmの接続端子12を備える0.7mmの厚さのガ
ラス配線基板1(図28(a)に図示)の、接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ2μmのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、第1の接着層71aを得た。
First, a wiring having a width of 25 μm, which is made of metal chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, metal chromium having a film thickness of 0.25 μm, and a film thickness of 0.1 μm.
256 pieces of 50 μm x made of 12 μm transparent conductive film
The connection terminal 1 of the glass wiring board 1 (illustrated in FIG. 28A) having a thickness of 0.7 mm provided with the connection terminal 12 of 50 μm.
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
A film made of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm was formed to obtain a first adhesive layer 71a.

【0272】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0273】この接続用組成物を、第1の接着層71a
の表面に塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを
蒸発させ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチ
ラール(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重
量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベ
ンジルエステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成
物膜である厚さ5μmの接続層5を形成した。これによ
り、配線基板1の接続端子12を備える面に、図28
(b)に示すように、第1の接着層71aと接続層5と
の2層の積層体が得られた。
This connecting composition was applied to the first adhesive layer 71a.
N-methylpyrrolidone, which is a solvent, is evaporated to give polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2 A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed. As a result, the surface of the wiring board 1 provided with the connection terminals 12 is attached to
As shown in (b), a two-layer laminate of the first adhesive layer 71a and the connection layer 5 was obtained.

【0274】一方、256個の50μm×50μmの接
続端子21を有し、接続端子21に金バンプ23を形成
したLSIチップ2(図28(c)に図示)の接続端子
21を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%
クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発さ
せ、厚さ6μmのポリビニルブチラールからなる膜を形
成し、図28(d)に示す第2の接着層71bを得た。
On the other hand, on the surface having the connection terminals 21 of the LSI chip 2 (shown in FIG. 28C), which has 256 50 μm × 50 μm connection terminals 21 and the gold bumps 23 are formed on the connection terminals 21, 10 wt% of polyvinyl butyral
A chloroform solution was applied, chloroform was evaporated, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm was formed to obtain a second adhesive layer 71b shown in FIG. 28 (d).

【0275】ガラス配線基板1の接続端子12と、LS
Iチップ2の接続端子21との位置を合わせて、図28
(e)に示すように、接続層5と第2の接着層71bと
を接合させ、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧
着した。これにより、3層からなる接続部材230が形
成され、LSIチップ2が基板1上に搭載された。
[0275] The connection terminal 12 of the glass wiring board 1 and the LS
Aligning the position of the I-chip 2 with the connection terminal 21,
As shown in (e), the connection layer 5 and the second adhesive layer 71b were joined and thermocompression-bonded at 1.5 MPa / cm 2 and 150 ° C. As a result, the connecting member 230 composed of three layers was formed, and the LSI chip 2 was mounted on the substrate 1.

【0276】このLSIチップ2を搭載したガラス配線
基板1の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫
外線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
200MΩ以上であった。
From the side of the glass wiring board 1 having the LSI chip 2 not provided with the connection terminals 12, the connection layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portions of the connection terminals 12. . In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0277】[実施例30]これは、図29に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 30] This corresponds to the example shown in FIG.

【0278】まず、膜厚0.25μmの金属クロムおよ
び膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μmの
配線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、256個の50μm×
50μmの接続端子12を備える0.7mmの厚さのガ
ラス配線基板1(図29(a)に図示)の、接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
厚さ2μmのポリビニルブチラールからなる膜を形成
し、図29(b)に示すように、第1の接着層71aを
得た。
First, a wiring having a width of 25 μm, which is made of chrome metal having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, metal chrome having a film thickness of 0.25 μm, and a film thickness of 0.1 μm.
256 pieces of 50 μm x made of 12 μm transparent conductive film
The connection terminal 1 of the glass wiring board 1 (illustrated in FIG. 29A) having a thickness of 0.7 mm provided with the connection terminal 12 of 50 μm.
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
A film made of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm was formed to obtain a first adhesive layer 71a as shown in FIG. 29 (b).

【0279】一方、256個の50μm×50μmの接
続端子21を有し、接続端子21に金バンプ23を形成
したLSIチップ2(図29(c)に図示)の接続端子
21を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%
クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発さ
せ、厚さ6μmのポリビニルブチラールからなる膜を形
成し、第2の接着層71bを得た。
On the other hand, on the surface having the connection terminals 21 of the LSI chip 2 (shown in FIG. 29C) having 256 connection terminals 21 of 50 μm × 50 μm, and gold bumps 23 formed on the connection terminals 21, 10 wt% of polyvinyl butyral
A chloroform solution was applied, chloroform was evaporated, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm was formed to obtain a second adhesive layer 71b.

【0280】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0281】この接続用組成物を、第2の接着層71b
の表面に塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを
蒸発させ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチ
ラール(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重
量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベ
ンジルエステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成
物膜である厚さ5μmの接続層5を形成した。これによ
り、LSIチップ2の接続端子21を備える面に、図2
9(d)に示すように、第2の接着層71aと接続層5
との2層の積層体が得られた。
This connecting composition is used as a second adhesive layer 71b.
N-methylpyrrolidone, which is a solvent, is evaporated to give polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2 A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed. As a result, the surface of the LSI chip 2 on which the connection terminals 21 are provided is
As shown in FIG. 9 (d), the second adhesive layer 71a and the connection layer 5
A two-layer laminate was obtained.

【0282】ガラス配線基板1の接続端子12と、LS
Iチップ2の接続端子21との位置を合わせて、図29
(e)に示すように、第1の接着層71aと接続層5と
を接合させ、1.5MPa/cm2、150℃で加熱圧
着した。これにより、3層からなる接続部材230が形
成され、LSIチップ2が基板1上に搭載された。
The connection terminal 12 of the glass wiring board 1 and the LS
29, by aligning the position with the connection terminal 21 of the I-chip 2.
As shown in (e), the first adhesive layer 71a and the connection layer 5 were joined together and thermocompression bonded at 150 ° C. at 1.5 MPa / cm 2 . As a result, the connecting member 230 composed of three layers was formed, and the LSI chip 2 was mounted on the substrate 1.

【0283】このLSIチップ2を搭載したガラス配線
基板1の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫
外線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
200MΩ以上であった。
From the side of the glass wiring board 1 on which the LSI chip 2 is mounted, which does not have the connection terminals 12, the connection layer 5 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portions of the connection terminals 12. . In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0284】[実施例31]これは、図30に示した例
に対応するものである。
[Embodiment 31] This corresponds to the example shown in FIG.

【0285】まず、剥離用基材の表面に、ポリビニルブ
チラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、厚さ2μmのポリビニルブチラ
ールからなる膜を形成し、第1の接着層71を得た。
First, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the peeling base material to evaporate the chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm, and the first adhesive layer 71 is formed. Obtained.

【0286】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0287】この接続用組成物を、第1の接着層71の
表面に塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸
発させ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラ
ール(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量
部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物
膜である厚さ5μmの接続層5を形成した。
This connecting composition is applied to the surface of the first adhesive layer 71 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone, and polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor. A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight) was formed.

【0288】さらに、この接続層5の表面に、ポリビニ
ルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ6μmのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、第2の接着層71を得
た。これにより、剥離用基材表面に、第1の接着層7
1、接続層5、および第2の接着層71の3層の積層体
が形成されたので、この積層体を剥離用基材から剥離
し、図30(a)に示す3層構造のフィルムである接続
部材230を得た。
Furthermore, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the connection layer 5 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm, and the second adhesive layer 71 is formed. Obtained. As a result, the first adhesive layer 7 is formed on the surface of the peeling base material.
Since a three-layer laminated body including the connection layer 5, the connection layer 5, and the second adhesive layer 71 was formed, the laminated body was peeled from the peeling base material, and the three-layer film shown in FIG. A certain connecting member 230 was obtained.

【0289】この接続部材を、図30(b)に示すよう
に、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12
μmの透明導電膜からなる幅25μmの配線と、膜厚
0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透
明導電膜からなる、256個の50μm×50μmの接
続端子12を備える1.0mmの厚さのガラス配線基板
1の、接続端子12を備える面と、LSIチップ2の接
続端子21および金バンプ23を備える面との間に挾持
し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着した。
これにより、LSIチップ2がガラス配線基板1上に搭
載された。
As shown in FIG. 30B, this connecting member is made of metal chrome having a thickness of 0.25 μm and a thickness of 0.12.
A wiring of 25 μm in width made of a transparent conductive film of μm, 256 pieces of connecting terminals 12 of 50 μm × 50 μm made of a transparent conductive film having a film thickness of 0.25 μm and chromium metal and a thickness of 0.12 μm. The glass wiring board 1 having a thickness is sandwiched between the surface provided with the connection terminals 12 and the surface provided with the connection terminals 21 and the gold bumps 23 of the LSI chip 2 and thermocompression bonded at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2. did.
As a result, the LSI chip 2 was mounted on the glass wiring board 1.

【0290】このLSIチップ2を搭載したガラス配線
基板1の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫
外線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
200MΩ以上であった。
From the side of the glass wiring board 1 having the LSI chip 2 not provided with the connection terminal 12, the connection layer 5 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. . In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0291】[実施例32]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。実施例
32〜実施例54で用いている液晶表示板の基板は、ガ
ラスからなり光を透過する。
[Embodiment 32] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board. The substrate of the liquid crystal display panel used in Examples 32 to 54 is made of glass and transmits light.

【0292】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0293】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、配線が膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなり、接続端
子12が膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、厚さ0.7mmの液晶
表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶剤で
あるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン(1重量
部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノウ
スルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを
含む導電性ポリアニリン膜である厚さ5μmの接続層8
1を形成した。
This connection composition was prepared by using an electrode width and an electrode interval of 25 μm, a wiring made of metal chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, and the connection terminal 12 having a film thickness of 0. 25 μm metallic chromium and a film thickness of 0.
A liquid crystal display panel having a thickness of 0.7 mm and formed of a transparent conductive film having a thickness of 12 μm is applied to the surface provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent, and polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2 parts). Part by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), which is a conductive polyaniline film and has a thickness of 5 μm.
1 was formed.

【0294】さらに、得られた接続層81の表面に、ポ
リビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗
布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビ
ニルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とし
た。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the obtained connection layer 81 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71. .

【0295】この接着層71上に、接続端子位置を合わ
せてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/c
2で加熱圧着して、液晶表示板のTAB基板を載置し
ていない側から紫外線(365nm)を5分間照射し
て、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化した。
この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
On the adhesive layer 71, the TAB substrate was placed with the connecting terminal positions aligned, and at 150 ° C. and 1.5 MPa / c.
The liquid crystal display plate was heated and pressed under m 2 and irradiated with ultraviolet rays (365 nm) from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion 820 of the connection terminal 12.
In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of this mounting body is 1Ω or less,
The insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0296】[実施例33]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 33] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0297】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリ酢酸ビニルと、ドーパントであるショ
ウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとからな
る、10wt%のメタクレゾール溶液である接続用組成
物を調製した。ポリアニリンとポリ酢酸ビニルとショウ
ノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−
ニトロベンジルエステルとの重量比は、1:1.5:
1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl acetate which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. Polyaniline, polyvinyl acetate, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-
The weight ratio with the nitrobenzyl ester is 1: 1.5:
It is 1.3: 3.

【0298】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、配線材料が膜厚0.25μmの金属ク
ロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からなり、接
続端子12が膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚
0.12μmの透明導電膜からなる、厚さ0.7mmの
液晶表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶
剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン(1
重量部)とポリ酢酸ビニル(1.5重量部)とショウノ
ウスルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)と
を含む導電性ポリアニリン膜である厚さ5μmの接続層
81を形成した。
This connection composition was prepared by using an electrode width and an electrode interval of 25 μm, a wiring material made of metallic chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, and the connection terminal 12 having a film thickness of 0. .25 μm metallic chrome and a 0.12 μm-thick transparent conductive film are applied to the surface of a 0.7 mm-thick liquid crystal display panel on which the connection terminals 12 are provided to evaporate metacresol, which is a solvent. (1
Parts by weight), polyvinyl acetate (1.5 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight). A connection layer 81 having a thickness of 5 μm was formed.

【0299】さらに、得られた接続層81の表面に、ポ
リ酢酸ビニルの10wt%メタクレゾール溶液を塗布し
て、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8μmのポリ酢酸
ビニルからなる膜を形成し、接着層71とした。
Further, a 10 wt% meta-cresol solution of polyvinyl acetate was applied to the surface of the obtained connection layer 81 to evaporate the meta-cresol and form a film of polyvinyl acetate having a thickness of 8 μm, followed by adhesion. It was layer 71.

【0300】この接着層71上に、接続端子位置を合わ
せてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/c
2で加熱圧着して、液晶表示板のTAB基板を載置し
ていない側から紫外線(365nm)を5分間照射し
て、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化した。
この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
A TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa / c.
The liquid crystal display plate was heated and pressed under m 2 and irradiated with ultraviolet rays (365 nm) from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion 820 of the connection terminal 12.
In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of this mounting body is 1Ω or less,
The insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0301】[実施例34]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 34] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0302】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるエチレン/酢酸ビニル共重合体と、ドーパ
ントであるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤である
N−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエ
ステルとからなる、10wt%のメタクレゾール溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとエチレン
/酢酸ビニル共重合体とショウノウスルホン酸とN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
との重量比は、1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, an ethylene / vinyl acetate copolymer which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. Was prepared, which was a 10 wt% meta-cresol solution. The weight ratio of polyaniline, ethylene / vinyl acetate copolymer, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0303】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、配線材料が膜厚0.25μmの金属ク
ロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からなり、接
続端子12が膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚
0.12μmの透明導電膜からなる、厚さ0.7mmの
液晶表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶
剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン(1
重量部)とエチレン/酢酸ビニル共重合体(2重量部)
とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−シクロ
ヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル(3
重量部)とを含む導電性ポリアニリン膜である厚さ5μ
mの接続層81を形成した。
This connecting composition was used, in which the electrode width and the electrode interval were 25 μm, the wiring material was made of metallic chrome having a film thickness of 0.25 μm and the transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, and the connecting terminal 12 had a film thickness of 0. .25 μm metallic chrome and a 0.12 μm-thick transparent conductive film are applied to the surface of a 0.7 mm-thick liquid crystal display panel on which the connection terminals 12 are provided to evaporate metacresol, which is a solvent. (1
Parts by weight) and ethylene / vinyl acetate copolymer (2 parts by weight)
And camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3
A conductive polyaniline film containing 5 parts by weight and
m of the connection layer 81 was formed.

【0304】さらに、得られた接続層81の表面に、エ
チレン/酢酸ビニル共重合体の10wt%メタクレゾー
ル溶液を塗布して、メタクレゾールを蒸発させ、厚さ8
μmのポリ酢酸ビニルからなる膜を形成し、接着層71
とした。
Further, a 10 wt% solution of ethylene / vinyl acetate copolymer in metacresol was applied to the surface of the obtained connection layer 81 to evaporate metacresol to a thickness of 8
An adhesive layer 71 is formed by forming a film made of polyvinyl acetate having a thickness of μm.
And

【0305】この接着層71上に、接続端子位置を合わ
せてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/c
2で加熱圧着して、液晶表示板のTAB基板を載置し
ていない側から紫外線(365nm)を5分間照射し
て、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化した。
この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
On the adhesive layer 71, the TAB substrate was placed with the connecting terminals aligned, and the temperature was 150 ° C. and the pressure was 1.5 MPa / c.
The liquid crystal display plate was heated and pressed under m 2 and irradiated with ultraviolet rays (365 nm) from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion 820 of the connection terminal 12.
In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of this mounting body is 1Ω or less,
The insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0306】[実施例35]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 35] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0307】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−エチ
ルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとからな
る、10wt%のメタクレゾール溶液である接続用組成
物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
ショウノウスルホン酸とN−エチルカルバミン酸2−ニ
トロベンジルエステルとの重量比は、1:2:1.3:
3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-ethylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphorsulfonic acid, and N-ethylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester was 1: 2: 1.3:
It is 3.

【0308】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、配線が膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなり、接続端
子12が膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、厚さ0.7mmの液晶
表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶剤で
あるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン(1重量
部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノウ
スルホン酸(1.3重量部)とN−エチルカルバミン酸
2−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを含む導電
性ポリアニリン膜である厚さ5μmの接続層81を形成
した。
This connection composition was prepared by using an electrode width and an electrode interval of 25 μm, a wiring made of metallic chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, and the connection terminal 12 having a film thickness of 0. 25 μm metallic chromium and a film thickness of 0.
A liquid crystal display panel having a thickness of 0.7 mm and formed of a transparent conductive film having a thickness of 12 μm is applied to the surface provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent, and polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2 parts). Part by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight), and N-ethylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), which is a conductive polyaniline film and has a thickness of 5 μm.

【0309】さらに、得られた接続層81の表面に、ポ
リビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗
布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビ
ニルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とし
た。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the obtained connection layer 81 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71. .

【0310】この接着層71上に、接続端子位置を合わ
せてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/c
2で加熱圧着して、液晶表示板のTAB基板を載置し
ていない側から紫外線(365nm)を5分間照射し
て、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化した。
この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
A TAB substrate was placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature was 150 ° C. and the pressure was 1.5 MPa / c.
The liquid crystal display plate was heated and pressed under m 2 and irradiated with ultraviolet rays (365 nm) from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion 820 of the connection terminal 12.
In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of this mounting body is 1Ω or less,
The insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0311】[実施例36]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 36] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0312】まず、溶質が、共役二重結合を主鎖として
有する高分子であるポリ(3−n−オクチルチオフェ
ン)と、熱可塑性高分子であるポリビニルブチラール
と、潜在性還元剤であるトリカルボニル(シクロペンタ
ジエニル)マンガン(I)とからなる、10wt%のク
ロロホルム溶液である接続用組成物を調製した。ポリ
(3−n−オクチルチオフェン)とポリビニルブチラー
ルとトリカルボニル(シクロペンタジエニル)マンガン
(I)との重量比は、1:2:1である。
First, the solute is poly (3-n-octylthiophene) which is a polymer having a conjugated double bond as a main chain, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and tricarbonyl which is a latent reducing agent. A 10 wt% chloroform solution containing (cyclopentadienyl) manganese (I) was prepared as a connecting composition. The weight ratio of poly (3-n-octylthiophene), polyvinyl butyral and tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) is 1: 2: 1.

【0313】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、配線が膜厚0.25μmの金属クロム
および膜厚0.12μmの透明導電膜からなり、接続端
子12が膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる、厚さ0.7mmの液晶
表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶剤で
あるクロロホルムを蒸発させ、ポリ(3−n−オクチル
チオフェン)(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)とトリカルボニル(シクロペンタジエニル)マ
ンガン(I)(1重量部)とを含む導電性ポリアニリン
膜である厚さ5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition was prepared by using an electrode width and an electrode interval of 25 μm, a wiring made of metallic chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, and the connection terminal 12 having a film thickness of 0. 25 μm metallic chromium and a film thickness of 0.
It is applied to a surface of a liquid crystal display panel having a thickness of 0.7 mm, which is made of a transparent conductive film of 12 μm and has a connection terminal 12, to evaporate chloroform as a solvent, and poly (3-n-octylthiophene) (1 wt. Part) and polyvinyl butyral (2)
(Part by weight) and tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) (1 part by weight), which is a conductive polyaniline film and has a thickness of 5 μm.

【0314】さらに、得られた接続層81の表面に、ポ
リビニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗
布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビ
ニルブチラールからなる膜を形成し、接着層71とし
た。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied on the surface of the obtained connection layer 81 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm, which was used as the adhesive layer 71. .

【0315】この接着層71上に、接続端子位置を合わ
せてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/c
2で加熱圧着して、液晶表示板のTAB基板を載置し
ていない側から紫外線(365nm)を5分間照射し
て、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化した。
この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマスクと
して機能している。この実装体の接続抵抗は1Ω以下、
隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
A TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa / c.
The liquid crystal display plate was heated and pressed under m 2 and irradiated with ultraviolet rays (365 nm) from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion 820 of the connection terminal 12.
In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of this mounting body is 1Ω or less,
The insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0316】[実施例37]これは、図3(c)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 37] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0317】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0318】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.25μmの金属クロムおよび
膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、配線(図示せ
ず)および接続端子12を備えた0.7mmの厚さの液
晶表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶剤
であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン(1重
量部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノ
ウスルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層
81を形成した。
Wirings (not shown) and connecting terminals 12 were prepared by using this connecting composition, which had an electrode width and an electrode interval of 25 μm, and was made of metal chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm. Is applied to the surface of the 0.7 mm-thick liquid crystal display panel provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent, and to obtain polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2 parts by weight). A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight) was formed.

【0319】つぎに、この接続層81の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Next, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 81 to evaporate chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0320】この接着層71上に、接続端子位置を合わ
せてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/c
2で加熱圧着して、液晶表示板のTAB基板を載置し
ていない側から、図3(c)に示すように、接続端子1
2の部分に照射される光を遮断するフォトマスク9を介
して、接続層81に紫外線(365nm)を5分間照射
し、図3(b)に示すように、接続端子12の非投影部
分820を高抵抗化した。得られた実装体の接続抵抗は
1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であ
った。
On this adhesive layer 71, the TAB substrate was placed with the connecting terminals aligned, and at 150 ° C. and 1.5 MPa / c.
As shown in FIG. 3 (c), the connection terminal 1 is pressed from the side of the liquid crystal display panel on which the TAB substrate is not mounted by thermocompression bonding with m 2 .
The connection layer 81 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes through the photomask 9 that blocks the light applied to the second portion, and the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 is exposed as shown in FIG. Has a high resistance. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0321】[実施例38]これは、図1に示した例に
対応するものである。ただし、図1に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 38] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0322】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0323】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.25μmの金属クロムおよび
膜厚0.12μmの透明導電膜からなる、配線(図示せ
ず)および接続端子12を備えた0.7mmの厚さの液
晶表示板の、接続端子12を備える面に塗布して、溶剤
であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリアニリン(1重
量部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノ
ウスルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)と
を含む導電性高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層
81を形成した。
Wirings (not shown) and connection terminals 12 were prepared by using this composition for connection, which had an electrode width and an electrode interval of 25 μm, and which consisted of metallic chrome with a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film with a film thickness of 0.12 μm. Is applied to the surface of the 0.7 mm-thick liquid crystal display panel provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent, and to obtain polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2 parts by weight). A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing camphorsulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight) was formed.

【0324】さらに、この接続層81の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied on the surface of the connection layer 81 to evaporate the chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0325】つぎに、接着層71上から、図1(a)に
示すように、接続端子12の部分に照射される光を遮断
するフォトマスク9を介して、接続層81に紫外線(3
65nm)を5分間照射し、図1(b)に示すように、
接続端子12の非投影部分820を高抵抗化した。
Next, as shown in FIG. 1A, ultraviolet rays (3) are applied to the connection layer 81 from above the adhesive layer 71 through a photomask 9 that blocks the light irradiated to the connection terminals 12.
65 nm) for 5 minutes, and as shown in FIG.
The non-projection portion 820 of the connection terminal 12 has a high resistance.

【0326】最後に、接着層71上に、接続端子位置を
合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa
/cm2で加熱圧着して、図1(c)に示すような、液
晶表示板上にTAB基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Finally, the TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa.
By thermocompression bonding at / cm 2 , a mounting body having a TAB substrate mounted on a liquid crystal display plate as shown in FIG. 1C was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0327】[実施例39]これは、図5に示した例に
対応するものである。ただし、図5に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 39] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0328】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0329】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.25μmの金属クロムおよび
膜厚0.12μmの透明導電膜からなる配線(図示せ
ず)と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる接続端子12とを備えた
0.7mmの厚さの液晶表示板の、接続端子12を備え
る面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル
エステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜で
ある厚さ5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring (not shown) made of metallic chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, with an electrode width and an electrode interval of 25 μm, and a thickness of 0. 0.25 μm metallic chromium and a film thickness of 0.
A liquid crystal display panel having a thickness of 0.7 mm provided with a connection terminal 12 made of a transparent conductive film of 12 μm is applied to the surface provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent, and polyaniline (1 wt. Parts), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight)
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0330】さらに、この接続層81の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 81 to evaporate chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0331】つぎに、液晶表示板の接続部材(接続層8
1および接着層71)を形成していない側から、図5
(a)に示すように、接続層81に紫外線(365n
m)を5分間照射し、図5(b)に示すように、接続端
子12の非投影部分820を高抵抗化した。この場合、
接続端子12の金属クロムがフォトマスクとして機能し
ている。
Next, a connecting member for the liquid crystal display panel (connecting layer 8
1 and the side where the adhesive layer 71) is not formed,
As shown in (a), ultraviolet rays (365n
m) was irradiated for 5 minutes to increase the resistance of the non-projection portion 820 of the connection terminal 12, as shown in FIG. in this case,
The metal chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask.

【0332】最後に、接着層71上に、接続端子位置を
合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa
/cm2で加熱圧着して、図5(c)に示すような、液
晶表示板上にTAB基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Finally, the TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminal positions aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa.
By thermocompression bonding at / cm 2 , a mounting body having a TAB substrate mounted on a liquid crystal display plate as shown in FIG. 5C was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0333】[実施例40]これは、図6に示した例に
対応するものである。ただし、図6に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 40] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0334】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0335】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.2μmの透明導電膜からなる
配線(図示せず)および接続端子12を備えた0.7m
mの厚さの液晶表示板の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2重量
部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜である厚さ
5μmの接続層81を形成した。
[0335] This connecting composition was applied to a wiring (not shown) made of a transparent conductive film having an electrode width and an electrode interval of 25 µm and a film thickness of 0.2 µm, and 0.7 m including a connecting terminal 12.
It is applied to the surface of the liquid crystal display panel having a thickness of m to be provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent, polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfonic acid (1 part by weight). .3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), which is a conductive polymer composition film, and a connection layer 81 having a thickness of 5 μm was formed.

【0336】さらに、この接続層81の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 81 to evaporate the chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0337】つぎに、液晶表示板の接続部材(接続層8
1および接着層71)を形成していない側から、図6
(a)に示すように、接続端子12の部分に照射される
光を遮断するフォトマスク9を介して、接続層81に紫
外線(365nm)を5分間照射し、図6(b)に示す
ように、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。
Next, a connecting member of the liquid crystal display panel (connecting layer 8
1 and the side where the adhesive layer 71) is not formed,
As shown in FIG. 6A, the connection layer 81 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes through the photomask 9 that blocks the light irradiated to the connection terminal 12, and as shown in FIG. In addition, the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 has a high resistance.

【0338】最後に、接着層71上に、接続端子位置を
合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa
/cm2で加熱圧着して、図6(c)に示すような、液
晶表示板上にTAB基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Finally, the TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa.
By thermocompression bonding at / cm 2 , a mounting body having a TAB substrate mounted on a liquid crystal display plate as shown in FIG. 6C was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0339】[実施例41]これは、図2に示した例に
対応するものである。ただし、図2に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 41] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0340】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと2,
2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:2:
1.6である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. Polyaniline, polyvinyl butyral and 2,
The weight ratio with 2,2-tribromoethanol is 1: 2 :.
It is 1.6.

【0341】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.2μmの透明導電膜からなる
配線(図示せず)および接続端子12を備えた0.7m
mの厚さの液晶表示板の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
[0341] This connecting composition was provided with a wiring (not shown) made of a transparent conductive film having an electrode width and an electrode interval of 25 µm and a film thickness of 0.2 µm, and a connecting terminal 12 having a thickness of 0.7 m.
It is applied to the surface of the liquid crystal display panel having a thickness of m, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0342】さらに、この接続層91の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied on the surface of the connection layer 91 to evaporate the chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0343】つぎに、接着層71上から、図2(a)に
示すように、接続端子12の部分に照射される光のみを
通すフォトマスク9を介して、接続層91に紫外線(3
65nm)を5分間照射し、図2(b)に示すように、
接続層91の接続端子12上部910を低抵抗化して導
電性を付与した。
Next, as shown in FIG. 2A, an ultraviolet ray (3) is applied to the connection layer 91 from above the adhesive layer 71 through a photomask 9 that allows only the light irradiated to the connection terminal 12 portion to pass therethrough.
65 nm) for 5 minutes, and as shown in FIG.
The resistance of the upper portion 910 of the connection terminal 12 of the connection layer 91 was reduced to give conductivity.

【0344】最後に、接着層71上に、接続端子位置を
合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa
/cm2で加熱圧着して、図2(c)に示すような、液
晶表示板上にTAB基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Finally, the TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa.
By thermocompression bonding at / cm 2 , a mounting body having a TAB substrate mounted on a liquid crystal display plate as shown in FIG. 2C was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0345】[実施例42]これは、図4に示した例に
対応するものである。ただし、図4に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 42] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0346】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと2,
2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:2:
1.6である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. Polyaniline, polyvinyl butyral and 2,
The weight ratio with 2,2-tribromoethanol is 1: 2 :.
It is 1.6.

【0347】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.2μmの透明導電膜からなる
配線(図示せず)および接続端子12を備えた0.7m
mの厚さの液晶表示板の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
[0347] This connecting composition was provided with a wiring (not shown) made of a transparent conductive film having an electrode width and an electrode interval of 25 µm and a film thickness of 0.2 µm, and a connecting terminal 12 having a thickness of 0.7 m.
It is applied to the surface of the liquid crystal display panel having a thickness of m, which is provided with the connection terminal 12, to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0348】さらに、この接続層91の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 91 to evaporate chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0349】つぎに、接着層71上に、接続端子位置を
合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa
/cm2で加熱圧着して、液晶表示板上にTAB基板を
搭載した。
Next, the TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminals aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa.
A TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate by thermocompression bonding at / cm 2 .

【0350】最後に、液晶表示板の接続部材(接続層9
1および接着層71)を形成していない側から、図4
(a)に示すように、接続端子12の部分に照射される
光のみを通すフォトマスク9を介して、接続層91に紫
外線(365nm)を5分間照射し、図4(b)に示す
ように、接続層91の接続端子12上部910を低抵抗
化して導電性を付与した。得られた実装体の接続抵抗は
1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であ
った。
Finally, the connecting member of the liquid crystal display panel (connecting layer 9
1 and the side where the adhesive layer 71) is not formed,
As shown in FIG. 4A, the connection layer 91 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes through the photomask 9 that allows only the light irradiated to the connection terminal 12 to pass therethrough, and as shown in FIG. In addition, the resistance of the upper portion 910 of the connection terminal 12 of the connection layer 91 was reduced to give conductivity. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0351】[実施例43]これは、図7に示した例に
対応するものである。ただし、図7に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 43] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0352】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤である
2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10w
t%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物を
調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと2,
2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:2:
1.6である。
First, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connecting composition was prepared which was a t% N-methylpyrrolidone solution. Polyaniline, polyvinyl butyral and 2,
The weight ratio with 2,2-tribromoethanol is 1: 2 :.
It is 1.6.

【0353】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.2μmの透明導電膜からなる
配線(図示せず)および接続端子12を備えた0.7m
mの厚さの液晶表示板の、接続端子12を備える面に塗
布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発させ、
ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2
重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール(1.6
重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜である厚
さ5μmの接続層91を形成した。
[0353] This connecting composition was used to form a wiring (not shown) made of a transparent conductive film having an electrode width and an electrode interval of 25 µm and a film thickness of 0.2 µm, and a connecting terminal 12 having a thickness of 0.7 m.
It is applied to the surface of the liquid crystal display panel having a thickness of m, which is provided with the connection terminals 12, to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone,
Polyaniline (1 part by weight) and polyvinyl butyral (2
Parts by weight) and 2,2,2-tribromoethanol (1.6
And a connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing

【0354】さらに、この接続層91の表面に、ポリビ
ニルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μmのポリビニル
ブチラールからなる膜である接着層71を形成した。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the connection layer 91 to evaporate chloroform to form an adhesive layer 71 which was a film of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm.

【0355】つぎに、図7(a)に示すように、液晶表
示板の接続部材(接続層91および接着層71)を形成
していない側から、接続端子12の部分に照射される光
のみを通すフォトマスク9を介して、接続層91に紫外
線(365nm)を5分間照射し、図7(b)に示すよ
うに、接続層91の接続端子12上部910を低抵抗化
して導電性を付与した。
Next, as shown in FIG. 7A, only the light radiated to the connection terminals 12 from the side of the liquid crystal display panel on which the connection members (connection layer 91 and adhesive layer 71) are not formed. The connection layer 91 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes through the photomask 9 that passes through, and as shown in FIG. 7B, the resistance of the upper portion 910 of the connection terminal 12 of the connection layer 91 is reduced to improve conductivity. Granted.

【0356】最後に、接着層71上に、接続端子位置を
合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa
/cm2で加熱圧着して、図7(c)に示すような、液
晶表示板上にTAB基板を搭載した実装体を得た。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Finally, the TAB substrate is placed on the adhesive layer 71 with the connecting terminal position aligned, and the temperature is 150 ° C. and the pressure is 1.5 MPa.
By thermocompression bonding at / cm 2 , a mounting body having a TAB substrate mounted on a liquid crystal display plate as shown in FIG. 7C was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0357】[実施例44]これは、図8に示した例に
対応するものである。ただし、図8に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 44] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0358】まず、電極幅および電極間隔が25μmで
あり、厚さが18μmのTAB基板の接続端子を備える
面に、ポリビニルブチラールの10wt%クロロホルム
溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μm
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層71を
形成した。
First, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the TAB substrate having an electrode width and electrode spacing of 25 μm and a thickness of 18 μm, which had a connection terminal, and chloroform was evaporated to a thickness of 8 μm.
An adhesive layer 71, which is a film made of polyvinyl butyral, was formed.

【0359】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0360】この接続用組成物を、接着層71表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、ポリア
ニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2重量
部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜である厚さ
5μmの接続層81を形成した。
This connecting composition was applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate the solvent metacresol to give polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight). Part by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), and a connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film, was formed.

【0361】この接続層81から、図8(a)に示すよ
うに、TAB基板の接続端子の部分に照射される光を遮
断するフォトマスク9を介して、接続層81に紫外線
(365nm)を5分間照射し、図8(b)に示すよう
に、接続端子の非投影部分820を高抵抗化した。
As shown in FIG. 8A, ultraviolet rays (365 nm) are radiated from the connection layer 81 to the connection layer 81 through a photomask 9 which blocks the light radiated to the connection terminals of the TAB substrate. Irradiation was carried out for 5 minutes to increase the resistance of the non-projection portion 820 of the connection terminal as shown in FIG.

【0362】最後に、電極幅および電極間隔が20μm
で、膜厚0.2の透明導電膜からなる、配線(図示せ
ず)および接続端子12を備えた0.7mmの厚さの液
晶表示板の、接続端子12を備える面の上に、TAB基
板を、液晶表示板の接続端子12と接続層81の導電性
部分810とが接合するように、接続端子の位置を合わ
せて載置し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧
着して、図8(c)に示すような、液晶表示板上にTA
B基板を搭載した実装体を得た。得られた実装体の接続
抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以
上であった。
Finally, the electrode width and the electrode interval are 20 μm.
Then, on the surface of the liquid crystal display panel having a thickness of 0.2 mm and including the wiring (not shown) and the connection terminal 12, which has the connection terminal 12, the TAB is formed. The substrate is placed by aligning the positions of the connection terminals so that the connection terminals 12 of the liquid crystal display panel and the conductive portions 810 of the connection layer 81 are joined, and heat-pressed at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2. On the liquid crystal display panel as shown in FIG. 8 (c).
A mounting body having the B board mounted thereon was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0363】[実施例45]これは、図9に示した例に
対応するものである。ただし、図9に図示した例では、
配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施例で
は、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 45] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG.
The LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in the present embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0364】まず、電極幅および電極間隔が25μmで
あり、厚さが18μmのTAB基板の接続端子を備える
面に、ポリビニルブチラールの10wt%クロロホルム
溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、厚さ8μm
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層71を
形成した。
First, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied to the surface of the TAB substrate having the electrode width and the electrode interval of 25 μm and the thickness of 18 μm, and the chloroform was evaporated to a thickness of 8 μm.
An adhesive layer 71, which is a film made of polyvinyl butyral, was formed.

【0365】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、酸発生剤であ
る2,2,2−トリブロモエタノールとからなる、10
wt%のN−メチルピロリドン溶液である接続用組成物
を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラールと
2,2,2−トリブロモエタノールとの重量比は、1:
2:1.6である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, and 2,2,2-tribromoethanol which is an acid generator.
A connection composition, which is a wt% N-methylpyrrolidone solution, was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral and 2,2,2-tribromoethanol was 1:
2: 1.6.

【0366】この接続用組成物を、接着層71の表面に
塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)と2,2,2−トリブロモエタノール
(1.6重量部)とを含む導電性高分子前駆体組成物膜
である厚さ5μmの接続層91を形成した。
This connecting composition was applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate N-methylpyrrolidone which was a solvent, and polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), 2,2,2. A connection layer 91 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer precursor composition film containing 2-tribromoethanol (1.6 parts by weight), was formed.

【0367】つぎに、図9(a)に示すように、接続層
91の側から、接続端子12の部分に照射される光のみ
を通すフォトマスク9を介して、接続層91に紫外線
(365nm)を5分間照射し、図9(b)に示すよう
に、接続層91の接続端子12上部910を低抵抗化し
て導電性を付与した。
Next, as shown in FIG. 9A, ultraviolet rays (365 nm) are applied to the connection layer 91 from the connection layer 91 side through a photomask 9 which allows only the light with which the connection terminal 12 is irradiated. ) Was irradiated for 5 minutes, and the resistance of the upper portion 910 of the connection terminal 12 of the connection layer 91 was reduced to give conductivity, as shown in FIG. 9B.

【0368】最後に、電極幅および電極間隔が20μm
で、膜厚0.2の透明導電膜からなる、配線(図示せ
ず)および接続端子12を備えた0.7mmの厚さの液
晶表示板の、接続端子12を備える面の上に、TAB基
板を、液晶表示板の接続端子12と接続層81の導電化
部分910とが接合するように、接続端子の位置を合わ
せて載置し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱圧
着して、図9(c)に示すような、液晶表示板上にTA
B基板を搭載した実装体を得た。得られた実装体の接続
抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以
上であった。
Finally, the electrode width and the electrode interval are 20 μm.
Then, on a surface of the liquid crystal display panel having a thickness of 0.2 mm and having a wiring (not shown) and a connection terminal 12 of 0.7 mm, the TAB The substrate is placed by aligning the positions of the connection terminals so that the connection terminals 12 of the liquid crystal display panel and the conductive portions 910 of the connection layer 81 are joined, and heat-pressed at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2. On the liquid crystal display panel as shown in FIG. 9 (c).
A mounting body having the B board mounted thereon was obtained. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0369】[実施例46]これは、図3(a)に示し
た例に対応するものである。ただし、図3に図示した例
では、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実
施例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 46] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 3, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0370】まず、剥離用基材の表面に、ポリビニルブ
チラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、厚さ2μmのポリビニルブチラ
ールからなる膜を形成し、接着層71を得た。
First, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral was applied to the surface of the peeling base material, chloroform was evaporated, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm was formed to obtain an adhesive layer 71.

【0371】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0372】この接続用組成物を、接着層71の表面に
塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール
(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)
とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジル
エステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜で
ある厚さ5μmの接続層81を形成した。これにより、
剥離用基材表面に、接着層71および接続層81の2層
の積層体が形成されたので、この積層体を剥離用基材か
ら剥離し、2層構造フィルムである接続部材230を得
た。
This connecting composition was applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate the solvent N-methylpyrrolidone, and polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphorsulfonic acid ( 1.3 parts by weight)
A connection layer 81 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed. This allows
Since a two-layer laminate of the adhesive layer 71 and the connecting layer 81 was formed on the surface of the peeling base material, the laminate was peeled from the peeling base material to obtain the connection member 230 which was a two-layer structure film. .

【0373】この接続部材を、電極幅および電極間隔が
25μmであり、膜厚0.25μmの金属クロムおよび
膜厚0.12μmの透明導電膜からなる幅25μmの配
線と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.1
2μmの透明導電膜からなる接続端子を備える1.0m
mの厚さの液晶表示板の、接続端子を備える面と、電極
幅および電極間隔が25μmであり、厚さが18μmの
TAB基板の電極を備える面との間に挾持し、150
℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着した。
This connecting member had a width of 25 μm and an electrode width and an electrode interval of 25 μm, and was made of metallic chrome having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, and a thickness of 0.25 μm. Metal chrome and film thickness 0.1
1.0m with connection terminal made of transparent conductive film of 2μm
The liquid crystal display panel having a thickness of m is sandwiched between the surface provided with the connection terminal and the surface provided with the electrode of the TAB substrate having an electrode width and an electrode interval of 25 μm and a thickness of 18 μm.
It was thermocompression bonded at 1.5 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 .

【0374】最後に、図3(a)に示すように、液晶表
示板の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫外
線(365nm)を5分間照射し、図3(b)に示すよ
うに、接続端子12の非投影部分820を高抵抗化し
た。この場合、接続端子12の金属クロムがフォトマス
クとして機能している。得られた実装体の接続抵抗は1
Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であっ
た。
Finally, as shown in FIG. 3 (a), the connection layer 5 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes from the side of the liquid crystal display panel which is not provided with the connection terminals 12, as shown in FIG. 3 (b). As described above, the non-projection portion 820 of the connection terminal 12 has a high resistance. In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body is 1
Ω or less, insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0375】[実施例47]これは、図23に示した例
に対応するものである。ただし、図23に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 47] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 23, the LSI chip 2 is mounted on the wiring substrate 1, but in this embodiment, the TAB substrate is mounted on the liquid crystal display plate.

【0376】まず、電極幅および電極間隔が25μm
で、膜厚0.2μmの透明導電膜からなる配線(図示せ
ず)と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる接続端子12とを備えた
0.7mmの厚さの液晶表示板の、接続端子12を備え
る面に、ポリビニルブチラールの10wt%クロロホル
ム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、図23
(b)に示すように、厚さ2μmのポリビニルブチラー
ルからなる膜である第1の接着層71を形成した。
First, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
, A wiring (not shown) made of a transparent conductive film having a film thickness of 0.2 μm, metallic chrome having a film thickness of 0.25 μm, and a film thickness of 0.
A 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the 0.7 mm-thick liquid crystal display panel having a connecting terminal 12 made of a transparent conductive film of 12 μm and having the connecting terminal 12 to evaporate chloroform. , FIG. 23
As shown in (b), a first adhesive layer 71, which is a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm, was formed.

【0377】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0378】この接続用組成物を、接着層71表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図23
(c)に示すように、ポリアニリン(1重量部)とポリ
ビニルブチラール(2重量部)とショウノウスルホン酸
(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2
−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層5を形成し
た。
This connection composition is applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate the solvent metacresol, and the composition shown in FIG.
As shown in (c), polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2
A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0379】さらに、この接続層5の表面に、ポリビニ
ルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、図23(d)に示すよう
に、厚さ6μmのポリビニルブチラールからなる膜であ
る第2の接着層71を形成した。これにより、第1の接
着層71、接続層5、および第2の接着層71の3層か
らなる接続部材230が形成された。
Further, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the connection layer 5 to evaporate chloroform, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm is formed as shown in FIG. 23 (d). A certain second adhesive layer 71 was formed. As a result, the connecting member 230 including the three layers of the first adhesive layer 71, the connecting layer 5, and the second adhesive layer 71 was formed.

【0380】この第2の接着層71上に、接続端子位置
を合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5MP
a/cm2で加熱圧着して、図23(e)に示すように
液晶表示板上にTAB基板を搭載した。この液晶表示板
のTAB基板を搭載していない側から、接続端子12の
部分に照射される光を遮断するフォトマスク9を介し
て、接続層81に紫外線(365nm)を5分間照射
し、接続端子12の非投影部分を高抵抗化した。得られ
た実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗
は200MΩ以上であった。
On the second adhesive layer 71, the TAB substrate is placed with the connecting terminals aligned, and at 150 ° C. and 1.5MP.
It was thermocompression bonded at a / cm 2 and a TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate as shown in FIG. From the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate is not mounted, the connection layer 81 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes through the photomask 9 that blocks the light irradiated to the connection terminal 12 portion to connect. The non-projection portion of the terminal 12 has a high resistance. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0381】[実施例48]これは、図24に示した例
に対応するものである。ただし、図24に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 48] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 24, the LSI chip 2 is mounted on the wiring substrate 1, but in the present embodiment, the TAB substrate is mounted on the liquid crystal display plate.

【0382】まず、電極幅および電極間隔が25μm
で、厚さ18μmのTAB基板(図24(a)に図示)
の、接続端子12を備える面に、ポリビニルブチラール
の10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホル
ムを蒸発させ、図24(b)に示すように、厚さ8μm
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層71を
形成した。
First, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
And a 18 μm thick TAB substrate (illustrated in FIG. 24 (a))
Of 10% by weight of polyvinyl butyral in chloroform is applied to the surface having the connection terminal 12 to evaporate chloroform, and the thickness is 8 μm as shown in FIG.
An adhesive layer 71, which is a film made of polyvinyl butyral, was formed.

【0383】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0384】この接続用組成物を、接着層71表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図24
(c)に示すように、ポリアニリン(1重量部)とポリ
ビニルブチラール(2重量部)とショウノウスルホン酸
(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2
−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層5を形成し
た。これにより、接着層71および接続層5からなる接
続部材220が形成された。
This connecting composition is applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate the metacresol which is a solvent.
As shown in (c), polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2
A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed. As a result, the connecting member 220 including the adhesive layer 71 and the connecting layer 5 was formed.

【0385】電極幅および電極間隔が25μmで、膜厚
0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.2μmの透明
導電膜からなる配線(図示せず)と、膜厚0.25μm
の金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜から
なる接続端子12とを備えた0.7mmの厚さの液晶表
示板の接続端子12を備える面の上に、接続層5が接続
端子12に接合するようにして、接続端子位置を合わせ
てTAB基板を載置し、150℃、1.5MPa/cm
2で加熱圧着して、図24(d)に示すように液晶表示
板上にTAB基板を搭載した。この液晶表示板のTAB
基板を搭載していない側から、接続層81に紫外線(3
65nm)を5分間照射し、接続端子12の非投影部分
を高抵抗化した。この場合、接続端子の金属クロムがフ
ォトマスクとして機能している。得られた実装体の接続
抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は200MΩ以
上であった。
Wiring (not shown) made of metal chrome with a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film with a film thickness of 0.2 μm, with an electrode width and electrode spacing of 25 μm, and a film thickness of 0.25 μm.
The connecting layer 5 is formed on the surface of the liquid crystal display panel having a thickness of 0.7 mm including the metallic chromium and the connecting terminal 12 made of the transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm. The TAB substrate is placed by aligning the positions of the connection terminals so as to be bonded to the substrate, and at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm.
After heat-pressing at 2 , a TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate as shown in FIG. TAB of this liquid crystal display board
From the side where the substrate is not mounted, ultraviolet rays (3
(65 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metal chrome of the connection terminal functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0386】[実施例49]これは、図25に示した例
に対応するものである。ただし、図25に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[49th Embodiment] This corresponds to the embodiment shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 25, the LSI chip 2 is mounted on the wiring substrate 1, but in the present embodiment, the TAB substrate is mounted on the liquid crystal display plate.

【0387】まず、電極幅および電極間隔が25μm
で、厚さ18μmのTAB基板(図25(a)の、接続
端子12を備える面に、ポリビニルブチラールの10w
t%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発
させ、図25(b)に示すように、厚さ2μmのポリビ
ニルブチラールからなる膜である第1の接着層71aを
形成した。
First, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
Then, on the surface of the TAB substrate having a thickness of 18 μm (FIG. 25A) provided with the connection terminals 12, polyvinyl butyral 10 w
A t% chloroform solution was applied and chloroform was evaporated to form a first adhesive layer 71a, which is a film made of polyvinyl butyral and having a thickness of 2 μm, as shown in FIG. 25 (b).

【0388】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0389】この接続用組成物を、接着層71表面に塗
布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図25
(c)に示すように、ポリアニリン(1重量部)とポリ
ビニルブチラール(2重量部)とショウノウスルホン酸
(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2
−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層5を形成し
た。
This connecting composition is applied to the surface of the adhesive layer 71 to evaporate the metacresol which is a solvent.
As shown in (c), polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2
A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0390】さらに、この接続層5の表面に、ポリビニ
ルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、図25(d)に示すよう
に、厚さ6μmのポリビニルブチラールからなる膜であ
る第2の接着層71bを形成した。これにより、第1の
接着層71a、接続層5および第2の接着層71bがこ
の順で積層されている接続部材230が形成された。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform was applied on the surface of the connection layer 5 to evaporate chloroform, and a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm was formed as shown in FIG. 25 (d). A certain second adhesive layer 71b was formed. Thereby, the connection member 230 in which the first adhesive layer 71a, the connection layer 5, and the second adhesive layer 71b were laminated in this order was formed.

【0391】電極幅および電極間隔が25μmで、膜厚
0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透
明導電膜からなる配線(図示せず)と、膜厚0.25μ
mの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜か
らなる接続端子12とを備えた0.7mmの厚さの液晶
表示板の接続端子12を備える面の上に、第1の接着層
71bが接続端子12に接合するようにして、接続端子
位置を合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.5
MPa/cm2で加熱圧着して、図25(e)に示すよ
うに液晶表示板上にTAB基板を搭載した。この液晶表
示板のTAB基板を搭載していない側から、接続層81
に紫外線(365nm)を5分間照射し、接続端子12
の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
200MΩ以上であった。
Wiring (not shown) made of metal chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm with an electrode width and an electrode interval of 25 μm, and a film thickness of 0.25 μm.
m of metallic chromium and a connecting terminal 12 made of a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, and a first adhesive layer 71b is formed on a surface of the 0.7 mm thick liquid crystal display panel having the connecting terminal 12. So as to join the connection terminal 12, align the position of the connection terminal and mount the TAB substrate at 150 ° C. for 1.5
After thermocompression bonding at MPa / cm 2 , a TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate as shown in FIG. From the side of the liquid crystal display panel on which the TAB substrate is not mounted, the connection layer 81
UV rays (365 nm) for 5 minutes, and the connection terminal 12
The non-projected part of was made high resistance. In this case, the metal chrome of the connection terminal functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0392】[実施例50]これは、図26に示した例
に対応するものである。ただし、図26に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 50] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 26, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0393】まず、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑性
高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントであ
るショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シク
ロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルと
からなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接続
用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチラ
ールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
First, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphor sulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator. A connection composition which is a meta-cresol solution of was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0394】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、膜厚0.25μmの金属クロムおよび
膜厚0.12μmの透明導電膜からなる配線(図示せ
ず)と、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.
12μmの透明導電膜からなる接続端子12とを備えた
0.7mmの厚さの液晶表示板(図26(a)に図示)
の接続端子12を備える面に塗布して、溶剤であるメタ
クレゾールを蒸発させ、図26(b)に示すように、ポ
リアニリン(1重量部)とポリビニルブチラール(2重
量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量部)とN−
シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステ
ル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物膜である厚
さ5μmの接続層5を形成した。
This connecting composition was applied to a wiring (not shown) consisting of metallic chrome having a film thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a film thickness of 0.12 μm, with an electrode width and an electrode interval of 25 μm, and a film thickness of 0. 0.25 μm metallic chromium and a film thickness of 0.
A liquid crystal display panel having a thickness of 0.7 mm, which is provided with a connection terminal 12 made of a transparent conductive film having a thickness of 12 μm (illustrated in FIG. 26A).
26 is applied to the surface provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol, which is a solvent, and polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfonic acid ( 1.3 parts by weight) and N-
A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0395】一方、電極幅および電極間隔が25μm
で、厚さ18μmのTAB基板(図26(c)に図示)
の、接続端子12を備える面に、ポリビニルブチラール
の10wt%クロロホルム溶液を塗布して、クロロホル
ムを蒸発させ、図26(d)に示すように、厚さ8μm
のポリビニルブチラールからなる膜である接着層71を
形成した。
On the other hand, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
And a 18 μm thick TAB substrate (illustrated in FIG. 26 (c))
Of 10 wt% of polyvinyl butyral in chloroform is applied to the surface provided with the connection terminal 12 to evaporate chloroform, and the thickness is 8 μm as shown in FIG.
An adhesive layer 71, which is a film made of polyvinyl butyral, was formed.

【0396】つぎに、接続層5を備える液晶表示板の接
続層5上に、接着層71を備えるTAB基板を、接着層
71と接続層5とが接合するように、接続端子位置を合
わせて載置し、150℃、1.5MPa/cm2で加熱
圧着して、図26(e)に示すように液晶表示板上にT
AB基板を搭載した。これにより、接続層5と接着層7
1とを備える接合部材220が形成されるとともに、T
AB基板の搭載された液晶表示板が得られた。この液晶
表示板のTAB基板を搭載していない側から、接続層8
1に紫外線(365nm)を5分間照射し、接続端子1
2の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子の
金属クロムがフォトマスクとして機能している。得られ
た実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗
は200MΩ以上であった。
Next, on the connection layer 5 of the liquid crystal display panel provided with the connection layer 5, the TAB substrate provided with the adhesive layer 71 is aligned with the connection terminals so that the adhesion layer 71 and the connection layer 5 are joined. The sample is placed, and thermocompression-bonded at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 , and as shown in FIG.
An AB board was mounted. Thereby, the connection layer 5 and the adhesive layer 7
1 and a joining member 220 including
A liquid crystal display panel on which an AB substrate was mounted was obtained. From the side of the liquid crystal display panel on which the TAB substrate is not mounted, the connection layer 8
1 is irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes, and the connection terminal 1
The non-projected portion of No. 2 has a high resistance. In this case, the metal chrome of the connection terminal functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0397】[実施例51]これは、図27に示した例
に対応するものである。ただし、図27に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Example 51] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 27, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0398】まず、電極幅および電極間隔が25μm
で、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12
μmの透明導電膜からなる配線(図示せず)と、膜厚
0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透
明導電膜からなる接続端子12とを備えた0.7mmの
厚さの液晶表示板(図27(a)に図示)の接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
図27(b)に示すように、厚さ8μmのポリビニルブ
チラールからなる膜である接着層71を形成した。
First, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
With a thickness of 0.25 μm of metallic chromium and a thickness of 0.12
A liquid crystal having a thickness of 0.7 mm, including wiring (not shown) made of a transparent conductive film having a thickness of μm, and a connection terminal 12 made of a transparent conductive film having a thickness of 0.25 μm and metal chromium and a thickness of 0.12 μm. Connection terminal 1 of display board (illustrated in FIG. 27 (a))
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
As shown in FIG. 27B, an adhesive layer 71 which is a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 8 μm was formed.

【0399】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0400】この接続用組成物を、電極幅および電極間
隔が25μmで、厚さ18μmのTAB基板(図27
(c)に図示)の、接続端子12を備える面に塗布し
て、溶剤であるメタクレゾールを蒸発させ、図27
(d)に示すように、ポリアニリン(1重量部)とポリ
ビニルブチラール(2重量部)とショウノウスルホン酸
(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2
−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを含む導電性
高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層5を形成し
た。
This connecting composition was applied to a TAB substrate having an electrode width and an electrode interval of 25 μm and a thickness of 18 μm (see FIG. 27).
27 (FIG. 27C) is applied to the surface provided with the connection terminal 12 to evaporate metacresol which is a solvent.
As shown in (d), polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight), camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2
A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing -nitrobenzyl ester (3 parts by weight), was formed.

【0401】つぎに、接着層71を備える液晶表示板の
接着層71上に、接続層5を備えるTAB基板を、接着
層71と接続層5とが接合するように、接続端子位置を
合わせて載置し、150℃、1.5MPa/cm2で加
熱圧着して、図27(e)に示すように液晶表示板上に
TAB基板を搭載した。これにより、接続層5と接着層
71とを備える接合部材220が形成されるとともに、
TAB基板の搭載された液晶表示板が得られた。この液
晶表示板のTAB基板を搭載していない側から、接続層
81に紫外線(365nm)を5分間照射し、接続端子
12の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子
の金属クロムがフォトマスクとして機能している。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Next, on the adhesive layer 71 of the liquid crystal display panel provided with the adhesive layer 71, the TAB substrate provided with the connection layer 5 is aligned with the connection terminals so that the adhesive layer 71 and the connection layer 5 are joined. It was placed and thermocompression bonded at 150 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 , and the TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate as shown in FIG. Thereby, the joining member 220 including the connection layer 5 and the adhesive layer 71 is formed, and
A liquid crystal display panel on which a TAB substrate was mounted was obtained. The connection layer 81 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metal chrome of the connection terminal functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0402】[実施例52]これは、図28に示した例
に対応するものである。ただし、図28に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 52] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 28, the LSI chip 2 is mounted on the wiring substrate 1, but in this embodiment, the TAB substrate is mounted on the liquid crystal display plate.

【0403】まず、電極幅および電極間隔が25μm
で、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12
μmの透明導電膜からなる配線(図示せず)と、膜厚
0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透
明導電膜からなる接続端子12とを備えた0.7mmの
厚さの液晶表示板(図28(a)に図示)の接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
図28(b)に示すように、厚さ2μmのポリビニルブ
チラールからなる膜である第1の接着層71aを形成し
た。
First, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
With a thickness of 0.25 μm of metallic chromium and a thickness of 0.12
A liquid crystal having a thickness of 0.7 mm, including wiring (not shown) made of a transparent conductive film having a thickness of μm, and a connection terminal 12 made of a transparent conductive film having a thickness of 0.25 μm and metal chromium and a thickness of 0.12 μm. Connection terminal 1 of display board (illustrated in FIG. 28 (a))
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
As shown in FIG. 28B, a first adhesive layer 71a, which is a film made of polyvinyl butyral and having a thickness of 2 μm, was formed.

【0404】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0405】この接続用組成物を、第1の接着層71a
の表面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、図28(b)に示すように、ポリアニリン(1重量
部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノウ
スルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを
含む導電性高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層5
を形成した。
[0405] This connecting composition was applied to the first adhesive layer 71a.
28), the solvent metacresol is evaporated, and as shown in FIG. 28 (b), polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight). ) And N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), which is a conductive polymer composition film and has a thickness of 5 μm.
Was formed.

【0406】一方、電極幅および電極間隔が25μm
で、厚さ18μmのTAB基板(図28(c)に図示)
の、接続端子12を備える面に、塗布して、ポリビニル
ブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、
クロロホルムを蒸発させ、図28(d)に示すように、
厚さ6μmのポリビニルブチラールからなる膜である第
2の接着層71bを形成した。
On the other hand, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
Then, a TAB substrate having a thickness of 18 μm (illustrated in FIG. 28C)
Of 10% by weight of polyvinyl butyral in chloroform is applied to the surface provided with the connection terminal 12.
The chloroform was evaporated, and as shown in FIG. 28 (d),
A second adhesive layer 71b, which is a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm, was formed.

【0407】つぎに、液晶表示板の接続層5上に、第2
の接着層71bと接続層5とが接合するように、接続端
子位置を合わせてTAB基板を載置し、150℃、1.
5MPa/cm2で加熱圧着して、図28(e)に示す
ように液晶表示板上にTAB基板を搭載した。これによ
り、第1の接着層71a、接続層5および第2の接着層
71bを備える接合部材230が形成されるとともに、
TAB基板の搭載された液晶表示板が得られた。この液
晶表示板のTAB基板を搭載していない側から、接続層
81に紫外線(365nm)を5分間照射し、接続端子
12の非投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子
の金属クロムがフォトマスクとして機能している。得ら
れた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵
抗は200MΩ以上であった。
Next, the second layer is formed on the connection layer 5 of the liquid crystal display panel.
The TAB substrate is placed by aligning the positions of the connection terminals so that the adhesive layer 71b of 1) and the connection layer 5 are joined, and the TAB substrate is placed at 150 ° C.
It was thermocompression bonded at 5 MPa / cm 2 , and a TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate as shown in FIG. 28 (e). As a result, the joining member 230 including the first adhesive layer 71a, the connection layer 5 and the second adhesive layer 71b is formed, and
A liquid crystal display panel on which a TAB substrate was mounted was obtained. The connection layer 81 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metal chrome of the connection terminal functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0408】[実施例53]これは、図29に示した例
に対応するものである。ただし、図29に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 53] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 29, the LSI chip 2 is mounted on the wiring substrate 1, but in this embodiment, the TAB substrate is mounted on the liquid crystal display plate.

【0409】まず、電極幅および電極間隔が25μm
で、膜厚0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12
μmの透明導電膜からなる配線(図示せず)と、膜厚
0.25μmの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透
明導電膜からなる接続端子12とを備えた0.7mmの
厚さの液晶表示板(図29(a)に図示)の接続端子1
2を備える面に、ポリビニルブチラールの10wt%ク
ロロホルム溶液を塗布して、クロロホルムを蒸発させ、
図29(b)に示すように、厚さ2μmのポリビニルブ
チラールからなる膜である第1の接着層71aを形成し
た。
First, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
With a thickness of 0.25 μm of metallic chromium and a thickness of 0.12
A liquid crystal having a thickness of 0.7 mm, including wiring (not shown) made of a transparent conductive film having a thickness of μm, and a connection terminal 12 made of a transparent conductive film having a thickness of 0.25 μm and metal chromium and a thickness of 0.12 μm. Connection terminal 1 of display board (illustrated in FIG. 29 (a))
2 wt% of a polyvinyl butyral chloroform solution is applied to the surface having 2 to evaporate chloroform,
As shown in FIG. 29B, a first adhesive layer 71a, which is a film made of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm, was formed.

【0410】一方、電極幅および電極間隔が25μm
で、厚さ18μmのTAB基板(図29(c)に図示)
の、接続端子12を備える面に塗布して、ポリビニルブ
チラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、図29(d)に示すように、厚
さ6μmのポリビニルブチラールからなる膜である第2
の接着層71bを形成した。
On the other hand, the electrode width and the electrode interval are 25 μm.
Then, a TAB substrate having a thickness of 18 μm (illustrated in FIG. 29C)
Of a polyvinyl butyral 10 wt% chloroform solution is applied to evaporate the chloroform, and as shown in FIG. 29D, a film of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm is formed. There is a second
Adhesive layer 71b was formed.

【0411】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のメタクレゾール溶液である接
続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニルブチ
ラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキシルカ
ルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量比は、
1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % Metacresol solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is
It is 1: 2: 1.3: 3.

【0412】この接続用組成物を、第2の接着層71b
の表面に塗布して、溶剤であるメタクレゾールを蒸発さ
せ、図29(d)に示すように、ポリアニリン(1重量
部)とポリビニルブチラール(2重量部)とショウノウ
スルホン酸(1.3重量部)とN−シクロヘキシルカル
バミン酸2−ニトロベンジルエステル(3重量部)とを
含む導電性高分子組成物膜である厚さ5μmの接続層5
を形成した。
[0412] This connecting composition is applied to the second adhesive layer 71b.
29, the solvent metacresol is evaporated, and as shown in FIG. 29 (d), polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor sulfonic acid (1.3 parts by weight). ) And N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight), which is a conductive polymer composition film and has a thickness of 5 μm.
Was formed.

【0413】つぎに、液晶表示板の第1の接着層71a
に、第1の接着層71aと接続層5とが接合するよう
に、接続端子位置を合わせてTAB基板を載置し、15
0℃、1.5MPa/cm2で加熱圧着して、図29
(e)に示すように液晶表示板上にTAB基板を搭載し
た。これにより、第1の接着層71a、接続層5および
第2の接着層71bを備える接合部材230が形成され
るとともに、TAB基板の搭載された液晶表示板が得ら
れた。この液晶表示板のTAB基板を搭載していない側
から、接続層81に紫外線(365nm)を5分間照射
し、接続端子12の非投影部分を高抵抗化した。この場
合、接続端子の金属クロムがフォトマスクとして機能し
ている。得られた実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端
子間の絶縁抵抗は200MΩ以上であった。
Next, the first adhesive layer 71a of the liquid crystal display panel.
Then, the TAB substrate is placed by aligning the positions of the connection terminals so that the first adhesive layer 71a and the connection layer 5 are bonded to each other.
By thermocompression bonding at 0 ° C. and 1.5 MPa / cm 2 , FIG.
As shown in (e), a TAB substrate was mounted on the liquid crystal display plate. As a result, the bonding member 230 including the first adhesive layer 71a, the connection layer 5, and the second adhesive layer 71b was formed, and the liquid crystal display panel on which the TAB substrate was mounted was obtained. The connection layer 81 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes from the side of the liquid crystal display plate on which the TAB substrate was not mounted to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. In this case, the metal chrome of the connection terminal functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0414】[実施例54]これは、図30に示した例
に対応するものである。ただし、図30に図示した例で
は、配線基板1にLSIチップ2を搭載するが、本実施
例では、液晶表示板にTAB基板を搭載する。
[Embodiment 54] This corresponds to the example shown in FIG. However, in the example shown in FIG. 30, the LSI chip 2 is mounted on the wiring board 1, but in this embodiment, the TAB board is mounted on the liquid crystal display board.

【0415】まず、剥離用基材の表面に、ポリビニルブ
チラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布して、ク
ロロホルムを蒸発させ、厚さ2μmのポリビニルブチラ
ールからなる膜を形成し、第1の接着層71を得た。
First, a 10 wt% chloroform solution of polyvinyl butyral is applied to the surface of the peeling base material to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 2 μm, and the first adhesive layer 71 is formed. Obtained.

【0416】つぎに、溶質が、ポリアニリンと、熱可塑
性高分子であるポリビニルブチラールと、ドーパントで
あるショウノウスルホン酸と、塩基発生剤であるN−シ
クロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステル
とからなる、10wt%のN−メチルピロリドン溶液で
ある接続用組成物を調製した。ポリアニリンとポリビニ
ルブチラールとショウノウスルホン酸とN−シクロヘキ
シルカルバミン酸2−ニトロベンジルエステルとの重量
比は、1:2:1.3:3である。
Next, the solute is composed of polyaniline, polyvinyl butyral which is a thermoplastic polymer, camphorsulfonic acid which is a dopant, and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester which is a base generator, 10 wt. % N-methylpyrrolidone solution was prepared. The weight ratio of polyaniline, polyvinyl butyral, camphor sulfonic acid and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester is 1: 2: 1.3: 3.

【0417】この接続用組成物を、第1の接着層71の
表面に塗布して、溶剤であるN−メチルピロリドンを蒸
発させ、ポリアニリン(1重量部)とポリビニルブチラ
ール(2重量部)とショウノウスルホン酸(1.3重量
部)とN−シクロヘキシルカルバミン酸2−ニトロベン
ジルエステル(3重量部)とを含む導電性高分子組成物
膜である厚さ5μmの接続層5を形成した。
This connecting composition was applied to the surface of the first adhesive layer 71 to evaporate N-methylpyrrolidone as a solvent, to give polyaniline (1 part by weight), polyvinyl butyral (2 parts by weight) and camphor. A connection layer 5 having a thickness of 5 μm, which is a conductive polymer composition film containing sulfonic acid (1.3 parts by weight) and N-cyclohexylcarbamic acid 2-nitrobenzyl ester (3 parts by weight) was formed.

【0418】さらに、この接続層5の表面に、ポリビニ
ルブチラールの10wt%クロロホルム溶液を塗布し
て、クロロホルムを蒸発させ、厚さ6μmのポリビニル
ブチラールからなる膜を形成し、第2の接着層71を得
た。これにより、剥離用基材表面に、第1の接着層7
1、接続層5、および第2の接着層71の3層の積層体
が形成されたので、この積層体を剥離用基材から剥離
し、図30(a)に示す3層構造のフィルムである接続
部材230を得た。
Further, a 10 wt% solution of polyvinyl butyral in chloroform is applied to the surface of the connection layer 5 to evaporate chloroform to form a film of polyvinyl butyral having a thickness of 6 μm, and the second adhesive layer 71 is formed. Obtained. As a result, the first adhesive layer 7 is formed on the surface of the peeling base material.
Since a three-layer laminated body including the connection layer 5, the connection layer 5, and the second adhesive layer 71 was formed, the laminated body was peeled from the peeling base material, and the three-layer film shown in FIG. A certain connecting member 230 was obtained.

【0419】この接続部材を、図30(b)に示すよう
に、電極幅および電極間隔が25μmで、膜厚0.25
μmの金属クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜
からなる配線(図示せず)と、膜厚0.25μmの金属
クロムおよび膜厚0.12μmの透明導電膜からなる接
続端子12とを備えた0.7mmの厚さの液晶表示板の
接続端子12を備える面と、電極幅および電極間隔が2
5μmで、厚さ18μmのTAB基板の、接続端子12
を備える面との間に挾持し、150℃、1.5MPa/
cm2で加熱圧着した。これにより、LSIチップ2が
ガラス配線基板1上に搭載された。
As shown in FIG. 30 (b), this connecting member has an electrode width and electrode spacing of 25 μm and a film thickness of 0.25.
A wiring (not shown) made of metallic chromium having a thickness of 0.12 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm, and a connection terminal 12 made of metallic chromium having a thickness of 0.25 μm and a transparent conductive film having a thickness of 0.12 μm are provided. The surface of the liquid crystal panel having a thickness of 0.7 mm, which has the connection terminals 12, and the electrode width and the electrode interval are 2
The connection terminal 12 of the TAB substrate having a thickness of 5 μm and a thickness of 18 μm
It is held between the surface equipped with and at 150 ° C, 1.5 MPa /
It was thermocompression-bonded at cm 2 . As a result, the LSI chip 2 was mounted on the glass wiring board 1.

【0420】このLSIチップ2を搭載したガラス配線
基板1の接続端子12を備えない側から、接続層5に紫
外線(365nm)を5分間照射し、接続端子12の非
投影部分を高抵抗化した。この場合、接続端子12の金
属クロムがフォトマスクとして機能している。得られた
実装体の接続抵抗は1Ω以下、隣接端子間の絶縁抵抗は
200MΩ以上であった。
From the side of the glass wiring board 1 having the LSI chip 2 not provided with the connection terminal 12, the connection layer 5 was irradiated with ultraviolet rays (365 nm) for 5 minutes to increase the resistance of the non-projected portion of the connection terminal 12. . In this case, the metallic chrome of the connection terminal 12 functions as a photomask. The connection resistance of the obtained mounting body was 1 Ω or less, and the insulation resistance between adjacent terminals was 200 MΩ or more.

【0421】以上に説明したとおり、上記各実施例にお
いては、微細接続ピッチが可能となった。また、その製
造方法は、量産性、経済性に優れている。
As described above, in the above embodiments, fine connection pitch is possible. In addition, the manufacturing method is excellent in mass productivity and economical efficiency.

【0422】[0422]

【発明の効果】本発明によれば、様々な分野において重
要な、微細接続ピッチの配線構造体の、信頼性の高い実
装が実現できる。また、本発明の製造方法は、量産性、
経済性に優れた方法であり工業的意義が大きい。特に、
近年ますます重要性を増している、超高精細画像の液晶
表示素子、高密度実装回路等の開発において有効であ
る。
According to the present invention, highly reliable mounting of a wiring structure having a fine connection pitch, which is important in various fields, can be realized. Further, the manufacturing method of the present invention, mass productivity,
It is an economical method and has great industrial significance. In particular,
It is effective in the development of liquid crystal display devices for ultra-high-definition images, high-density mounting circuits, etc., which have become increasingly important in recent years.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図2】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図3】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図4】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図5】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図6】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図7】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図8】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図9】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a mounting method of the present invention.

【図10】本発明を適用して実装した場合の接続部分の
状態を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state of a connecting portion when the present invention is applied and mounted.

【図11】本発明を適用して実装した場合の接続部分の
状態を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state of a connecting portion when the present invention is applied and mounted.

【図12】本発明を適用して実装した場合の接続部分の
状態を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state of a connecting portion when the present invention is applied and mounted.

【図13】従来の実装方法を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a conventional mounting method.

【図14】従来の実装方法を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional mounting method.

【図15】従来の実装方法を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a conventional mounting method.

【図16】従来の実装方法を示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing a conventional mounting method.

【図17】従来の実装方法を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a conventional mounting method.

【図18】従来の実装方法により実装した場合の接合部
分を示す断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a joint portion when mounted by a conventional mounting method.

【図19】従来の実装方法により実装した場合の接合部
分を示す断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a joint portion when mounted by a conventional mounting method.

【図20】従来の実装方法により実装した場合の接合部
分を示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing a joint portion when mounted by a conventional mounting method.

【図21】異方性導電性フィルム中における導電粒子の
分散状態を示す断面図である。
FIG. 21 is a cross-sectional view showing a dispersed state of conductive particles in an anisotropic conductive film.

【図22】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図23】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図24】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図25】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図26】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図27】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図28】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 28 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図29】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 29 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【図30】本発明の実装方法を示す断面図である。FIG. 30 is a cross-sectional view showing the mounting method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……回路基板、2……LSIチップ、3……異方性導
電性フィルム、4……金ワイヤ、5……樹脂、6……接
着剤、7……導電粒子、9……フォトマスク、11……
基板、12……接続端子、21……接続端子、23……
金バンプ、31……導電粒子、32……高分子材料、3
3……導電粒子の接触状態、34……導電粒子のない領
域、71……熱可塑性高分子、81……導電性高分子、
810……導電性部分、820……高抵抗化部分、91
……導電性高分子前駆体、910……導電化部分、92
0……高抵抗性部分。
1 ... Circuit board, 2 ... LSI chip, 3 ... Anisotropic conductive film, 4 ... Gold wire, 5 ... Resin, 6 ... Adhesive, 7 ... Conductive particles, 9 ... Photomask , 11 ……
Substrate, 12 ... Connection terminal, 21 ... Connection terminal, 23 ...
Gold bumps, 31 ... Conductive particles, 32 ... Polymer materials, 3
3 ... Contact state of conductive particles, 34 ... Area without conductive particles, 71 ... Thermoplastic polymer, 81 ... Conductive polymer,
810 ... Conductive part, 820 ... High resistance part, 91
... Conductive polymer precursor, 910 ... Conductive portion, 92
0: High resistance part.

Claims (34)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導体からなる接続端子を有する少なくとも
2つの部材を備え、第1の部材に設けられた接続端子
と、第2の部材に設けられた接続端子とが、導電性材料
を用いて接続され、第1の部材の導体以外の部分と第2
の部材の導体以外の部分とが、非導電性材料により接着
された導体接続構造体において、 上記導電性材料は、 共役二重結合を主鎖骨格として有する導電性の高分子を
含み、 上記非導電性材料は、 共役二重結合を主鎖骨格として有する非導電性の高分子
を含む接続層と、 熱可塑性高分子を含む接着層とを備えることを特徴とす
る導体接続構造体。
1. At least two members having a connecting terminal made of a conductor are provided, and the connecting terminal provided on the first member and the connecting terminal provided on the second member are made of a conductive material. Connected to a portion other than the conductor of the first member and the second
In a conductor connection structure in which a portion of the member other than the conductor is bonded by a non-conductive material, the conductive material includes a conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, The conductor connecting structure, wherein the conductive material includes a connection layer containing a non-conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton and an adhesive layer containing a thermoplastic polymer.
【請求項2】請求項1において、 上記非導電性の高分子は、 共役二重結合を主鎖骨格として有する導電性の高分子の
共役二重結合のうち、少なくとも一部が非共役化するこ
とにより非導電性となった高分子であることを特徴とす
る導体接続構造体。
2. The non-conductive polymer according to claim 1, wherein at least a part of the conjugated double bonds of the conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is non-conjugated. A conductor connection structure characterized by being a polymer that has become non-conductive by doing so.
【請求項3】請求項1において、 上記非導電性の高分子は、共役二重結合を主鎖骨格とし
て有する導電性の高分子の共役二重結合のうち、少なく
とも一部が切断された高分子であることを特徴とする導
体接続構造体。
3. The non-conductive polymer according to claim 1, wherein at least a part of the conjugated double bond of the conductive polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton is cut. A conductor connection structure characterized by being a molecule.
【請求項4】請求項1において、 上記導電性材料は、酸化状態または還元状態にある上記
導電性の高分子を含み、 上記非導電性材料の接続層は、中性状態にある上記非導
電性の高分子を含むことを特徴とする導体接続構造体。
4. The conductive material according to claim 1, wherein the conductive polymer includes the conductive polymer in an oxidized state or a reduced state, and the connection layer of the non-conductive material is the non-conductive material in a neutral state. A conductive connection structure comprising a conductive polymer.
【請求項5】請求項1において、 上記非導電性の高分子は、塩基状態にあるエメラルジン
構造のポリアニリンを含み、 上記導電性の高分子は、塩状態にあるエメラルジン構造
のポリアニリンを含むことを特徴とする導体接続構造
体。
5. The non-conductive polymer according to claim 1, wherein the conductive polymer includes a polyaniline having an emeraldine structure in a basic state, and the conductive polymer includes a polyaniline having an emeraldine structure in a salt state. Characteristic conductor connection structure.
【請求項6】請求項4において、 上記非導電性の高分子を含む上記接続層は、 光を受けると酸化剤を発生する物質である潜在性酸化剤
を、さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
6. The conductor according to claim 4, wherein the connection layer containing the non-conductive polymer further contains a latent oxidant that is a substance that generates an oxidant when receiving light. Connection structure.
【請求項7】請求項4において、 上記導電性材料は、 光を受けると還元剤を発生する物質である潜在性還元剤
を、さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
7. The conductor connecting structure according to claim 4, wherein the conductive material further includes a latent reducing agent that is a substance that generates a reducing agent when receiving light.
【請求項8】請求項5において、 上記非導電性の高分子を含む接続層は、 光を受けると酸を発生する物質である酸発生剤を、さら
に含むことを特徴とする導体接続構造体。
8. The conductor connection structure according to claim 5, wherein the connection layer containing the non-conductive polymer further contains an acid generator that is a substance that generates an acid when receiving light. .
【請求項9】請求項5において、 上記導電性材料は、 光を受けると塩基を発生する物質である塩基発生剤を、
さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
9. The conductive material according to claim 5, wherein the conductive material is a base generator that is a substance that generates a base when receiving light.
A conductor connection structure further comprising:
【請求項10】請求項1において、 上記導電性材料は、 上記導電性の高分子と光反応を起こす物質である光反応
剤を、さらに含むことを特徴とする導体接続構造体。
10. The conductor connecting structure according to claim 1, wherein the conductive material further includes a photoreactive agent that is a substance that causes a photoreaction with the conductive polymer.
【請求項11】請求項6において、 上記非導電性の高分子の重量を1としたとき、 上記潜在性酸化剤の重量は、0.1〜10であることを
特徴とする導体接続構造体。
11. The conductor connection structure according to claim 6, wherein the weight of the latent oxidant is 0.1 to 10 when the weight of the non-conductive polymer is 1. .
【請求項12】請求項8において、 上記非導電性の高分子の重量を1としたとき、 上記酸発生剤の重量は、0.1〜10であることを特徴
とする導体接続構造体。
12. The conductor connecting structure according to claim 8, wherein the weight of the non-conductive polymer is 1, and the weight of the acid generator is 0.1 to 10.
【請求項13】請求項7において、 上記導電性の高分子の重量を1としたとき、 上記潜在性還元剤の重量は、0.1〜10であることを
特徴とする導体接続構造体。
13. The conductor connecting structure according to claim 7, wherein the weight of the latent reducing agent is 0.1 to 10 when the weight of the conductive polymer is 1.
【請求項14】請求項9において、 上記導電性の高分子の重量を1としたとき、 上記塩基発生剤の重量は、0.1〜10であることを特
徴とする導体接続構造体。
14. The conductor connection structure according to claim 9, wherein the weight of the base generator is 0.1 to 10 when the weight of the conductive polymer is 1.
【請求項15】請求項10において、 上記導電性の高分子の重量を1としたとき、 上記光反応剤の重量は、0.1〜10であることを特徴
とする導体接続構造体。
15. The conductor connection structure according to claim 10, wherein the weight of the electroconductive polymer is 1, and the weight of the photoreactive agent is 0.1 to 10.
【請求項16】請求項1において、 上記導電性材料および上記非導電性材料の接続層は、熱
可塑性高分子および熱硬化性高分子のすくなくともいず
れかを含むことを特徴とする導体接続構造体。
16. The conductor connecting structure according to claim 1, wherein the connecting layer of the conductive material and the non-conductive material contains at least one of a thermoplastic polymer and a thermosetting polymer. .
【請求項17】請求項6において、 上記潜在性酸化剤は、 ペンタアンミンヨードコバルト(III)イオンおよびペン
タアンミンアジドコバルト(III)イオンのうちの少なく
とも一方の塩を含むことを特徴とする導体接続構造体。
17. The conductor connection according to claim 6, wherein the latent oxidant contains a salt of at least one of pentaammine iodocobalt (III) ion and pentaammine azidocobalt (III) ion. Structure.
【請求項18】請求項7において、 上記潜在性還元剤は、 トリカルボニル(シクロペンタジエニル)マンガン
(I)およびトリカルボニル(シクロオクタテトラエ
ン)鉄(0)のうちの少なくとも一方を含むことを特徴
とする導体接続構造体。
18. The latent reducing agent according to claim 7, wherein the latent reducing agent contains at least one of tricarbonyl (cyclopentadienyl) manganese (I) and tricarbonyl (cyclooctatetraene) iron (0). And a conductor connection structure.
【請求項19】請求項8において、 上記酸発生剤は、 2,2,2−トリブロモエタノ−ルであることを特徴と
する導体接続構造体。
19. The conductor connecting structure according to claim 8, wherein the acid generator is 2,2,2-tribromoethanol.
【請求項20】請求項9において、 上記塩基発生剤は、 N−シクロヘキシルカルバミン酸−2−ニトロベンジル
エステル、N−シクロヘキシルカルバミン酸−2−ニト
ロ−α−メチルベンジルエステル、N−シクロヘキシル
カルバミン酸−2、6−ジニトロベンジルエステル、N
−シクロヘキシルカルバミン酸−2、6−ジニトロ−α
−メチルベンジルエステル、N−メチルカルバミン酸−
2−ニトロベンジルエステル、およびN−エチルカルバ
ミン酸−2−ニトロベンジルエステルのうちの少なくと
も一つを含むことを特徴とする導体接続構造体。
20. The base generator according to claim 9, wherein the base generator is N-cyclohexylcarbamic acid-2-nitrobenzyl ester, N-cyclohexylcarbamic acid-2-nitro-α-methylbenzyl ester, N-cyclohexylcarbamic acid- 2,6-dinitrobenzyl ester, N
-Cyclohexylcarbamic acid-2,6-dinitro-α
-Methylbenzyl ester, N-methylcarbamic acid-
A conductor connection structure comprising at least one of 2-nitrobenzyl ester and N-ethylcarbamic acid-2-nitrobenzyl ester.
【請求項21】請求項10において、 上記光反応剤は、 アジド化合物、シンナモイル化合物、アクリル化合物、
ジアゾ化合物、カルボニル化合物、ベンジル、ベンゾイ
ン、ベンゾインアルキルエ−テル類、およびジスルフィ
ド化合物のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とす
る導体接続構造体。
21. The photoreactive agent according to claim 10, wherein the photoreactive agent is an azide compound, a cinnamoyl compound, an acrylic compound,
A conductor connection structure comprising at least one of a diazo compound, a carbonyl compound, benzyl, benzoin, benzoin alkyl ethers, and a disulfide compound.
【請求項22】請求項21において、 上記光反応剤は、ベンゾインイソプロピルエ−テルであ
ることを特徴とする導体接続構造体。
22. The conductor connecting structure according to claim 21, wherein the photoreactive agent is benzoin isopropyl ether.
【請求項23】請求項1において、 上記接着層の熱可塑性高分子は、 ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリビ
ニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリスチレン、アルリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、酢酸ビニ
ル、プロピオン酸ビニル、エチレン酢酸ビニルコポリ
マ、エチレン塩化ビニルコポリマ、ケトン樹脂、ポリブ
タジエン、ポリアセタール、ポリサルホン、ポリアミ
ド、共重合ナイロンおよび熱可塑性ポリイミドのうちの
いずれかであることを特徴とする導体接続構造体。
23. The thermoplastic polymer of the adhesive layer according to claim 1, wherein: polyvinyl alcohol, polyethylene oxide, polyvinyl ether, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polystyrene, allyl resin, methacrylic resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride. , Vinyl acetate, vinyl propionate, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene vinyl chloride copolymer, ketone resin, polybutadiene, polyacetal, polysulfone, polyamide, copolymerized nylon and thermoplastic polyimide. Structure.
【請求項24】共役二重結合を主鎖骨格として有する高
分子を含む接続層と、 熱可塑性高分子からなる接着層とを備え、 上記接続層の高分子は、光の照射により導電性が変化す
る性質を有することを特徴とする接続部材。
24. A connecting layer containing a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton, and an adhesive layer made of a thermoplastic polymer, wherein the polymer of the connecting layer has conductivity when irradiated with light. A connecting member having a changing property.
【請求項25】請求項24において、 上記接着層と接続層とが積層されていることを特徴とす
る接続部材。
25. The connection member according to claim 24, wherein the adhesive layer and the connection layer are laminated.
【請求項26】請求項24において、 上記接着層を2層備え、 第1の上記接着層と、接続層と、第2の上記接着層との
3層が、この順で積層されていることを特徴とする接続
部材。
26. The adhesive layer according to claim 24, wherein two layers of the adhesive layer are provided, and three layers of the first adhesive layer, the connection layer, and the second adhesive layer are laminated in this order. A connecting member characterized by.
【請求項27】導体からなる接続端子を有する2つの部
材の接続端子を接続する導体接続構造体の製造方法にお
いて、 第1の部材の上記接続端子を備える面と、第2の部材の
上記接続端子を備える面との間に、 共役二重結合を主鎖骨格として有し、光の照射により導
電性が変化する性質を備える高分子を含む接続層と、熱
可塑性高分子からなる接着層とを備える接続部材を挾持
させる工程と、 上記第1の部材と第2の部材とを熱圧着する工程と、 上記接続層の少なくとも一部に光を照射する工程とを有
することを特徴とする導体接続構造体の製造方法。
27. A method of manufacturing a conductor connection structure for connecting connection terminals of two members having a connection terminal made of a conductor, comprising: a surface of the first member having the connection terminals; and a connection of the second member. A connecting layer containing a polymer having a conjugated double bond as a main chain skeleton and having a property of changing conductivity by light irradiation, and an adhesive layer made of a thermoplastic polymer. A conductor comprising: a step of holding a connection member including: a step of thermocompression bonding the first member and a second member; and a step of irradiating at least a part of the connection layer with light. Method for manufacturing connection structure.
【請求項28】請求項27において、 上記接続部材は、あらかじめ作製された接続層と接着層
とを備えるフィルムであることを特徴とする導体接続構
造体の製造方法。
28. The method of manufacturing a conductor connection structure according to claim 27, wherein the connection member is a film including a connection layer and an adhesive layer which are produced in advance.
【請求項29】請求項27において、 上記接続部材は、 上記第1の部材の上記接続端子を備える面に、上記接続
層を形成する工程と、 上記接続層の表面に、上記接着層を形成する工程とによ
り形成されることを特徴とする導体接続構造体の製造方
法。
29. The connecting member according to claim 27, wherein the connecting layer is formed on a surface of the first member having the connecting terminal, and the adhesive layer is formed on a surface of the connecting layer. And a step of forming a conductor connection structure.
【請求項30】請求項27において、 上記接続部材は、 上記第1の部材の上記接続端子を備える面に、上記接続
層を形成する工程と、 上記第2の部材の上記接続端子を備える面に、上記接着
層を形成する工程とにより形成されることを特徴とする
導体接続構造体の製造方法。
30. The connection member according to claim 27, wherein the connection member has a step of forming the connection layer on a surface of the first member provided with the connection terminal, and a surface of the second member provided with the connection terminal. And a step of forming the above-mentioned adhesive layer, the method for producing a conductor connection structure.
【請求項31】請求項27において、 上記接着層は2層備えられ、 上記接続部材は、 上記第1の部材の上記接続端子を備える面に、第1の上
記接着層を形成する工程と、 上記第1の接着層の表面に、上接続層を形成する工程
と、 上記第2の部材の上記接続端子を備える面に、第2の上
記接着層を形成する工程と、 上記接続層と上記第2の接着層とを接合することにより
形成されることを特徴とする導体接続構造体の製造方
法。
31. The method according to claim 27, wherein the adhesive layer is provided in two layers, and the connecting member has a step of forming the first adhesive layer on a surface of the first member on which the connection terminal is provided, A step of forming an upper connection layer on the surface of the first adhesive layer; a step of forming a second adhesion layer on the surface of the second member provided with the connection terminals; A method for manufacturing a conductor connection structure, which is formed by joining with a second adhesive layer.
【請求項32】請求項27において、 上記第1の部材および第2の部材の少なくともいずれか
は、光を透過し、 上記光を照射する工程は、光を、上記光を透過する部材
を通して照射する工程であることを特徴とする導体接続
構造体の製造方法。
32. The method according to claim 27, wherein at least one of the first member and the second member transmits light, and in the step of irradiating the light, the light is irradiated through the member transmitting the light. A method of manufacturing a conductor connection structure, comprising:
【請求項33】請求項27において、 上記熱圧着する工程は、上記光を照射する工程の後に行
われることを特徴とする導体接続構造体の製造方法。
33. The method of manufacturing a conductor connection structure according to claim 27, wherein the step of thermocompression bonding is performed after the step of irradiating with light.
【請求項34】請求項32において、 上記光を照射する工程は、上記熱圧着する工程の後に行
われることを特徴とする導体接続構造体の製造方法。
34. The method for manufacturing a conductor connection structure according to claim 32, wherein the step of irradiating with light is performed after the step of thermocompression bonding.
JP6255521A 1994-10-20 1994-10-20 Conductor connecting structure, its production and connecting member Pending JPH08120228A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6255521A JPH08120228A (en) 1994-10-20 1994-10-20 Conductor connecting structure, its production and connecting member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6255521A JPH08120228A (en) 1994-10-20 1994-10-20 Conductor connecting structure, its production and connecting member

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08120228A true JPH08120228A (en) 1996-05-14

Family

ID=17279910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6255521A Pending JPH08120228A (en) 1994-10-20 1994-10-20 Conductor connecting structure, its production and connecting member

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08120228A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001086716A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same
JP2006310257A (en) * 2005-03-31 2006-11-09 Seiko Epson Corp Electro-optical device and method of manufacturing same
JP2008290454A (en) * 2007-05-23 2008-12-04 Samsung Electronics Co Ltd Image forming element and manufacturing method of the same
JP2013211352A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Dexerials Corp Circuit connection material, and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2015129220A (en) * 2014-01-07 2015-07-16 テック大洋工業株式会社 Rust preventive coating composition precursor
JP2018080320A (en) * 2016-08-30 2018-05-24 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company Electrostatic dissipative compositions and methods thereof
WO2019216155A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film, and capacitor

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001086716A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same
US6909180B2 (en) 2000-05-12 2005-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, mounting circuit board, method of producing the same, and method of producing mounting structure using the same
JP2006310257A (en) * 2005-03-31 2006-11-09 Seiko Epson Corp Electro-optical device and method of manufacturing same
US7772759B2 (en) 2005-03-31 2010-08-10 Seiko Epson Corporation Electrooptical apparatus and method of manufacturing electrooptical apparatus
JP2008290454A (en) * 2007-05-23 2008-12-04 Samsung Electronics Co Ltd Image forming element and manufacturing method of the same
JP2013211352A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Dexerials Corp Circuit connection material, and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2015129220A (en) * 2014-01-07 2015-07-16 テック大洋工業株式会社 Rust preventive coating composition precursor
JP2018080320A (en) * 2016-08-30 2018-05-24 ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company Electrostatic dissipative compositions and methods thereof
WO2019216155A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film, and capacitor
CN112088191A (en) * 2018-05-08 2020-12-15 出光兴产株式会社 Composition, method for producing conductive film, and capacitor
JPWO2019216155A1 (en) * 2018-05-08 2021-07-08 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film and capacitor
EP3792315A4 (en) * 2018-05-08 2022-03-16 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Composition, method for producing conductive film, conductive film, and capacitor
US11767399B2 (en) 2018-05-08 2023-09-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Composition, method for producing conductive film, conductive film, capacitor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4146826B2 (en) Wiring substrate and semiconductor device
US5374469A (en) Flexible printed substrate
WO1991014015A1 (en) Method and materials for forming multi-layer circuits by an additive process
JPH11126978A (en) Multilayered wiring board
JPH11312868A (en) Multilayer wiring board with built-in element and its manufacture
JP2001332866A (en) Circuit board and method of production
JP3226489B2 (en) Suspension board with circuit
JPH08120228A (en) Conductor connecting structure, its production and connecting member
JP2005317953A (en) Multilayer interconnection board and manufacturing method of the multilayer interconnection board
JP3143007B2 (en) Conductor connection method and structure
JP3178417B2 (en) Semiconductor carrier and method of manufacturing the same
JP3840043B2 (en) Photosensitive solder resist layer, wiring board using the same, and electronic component module
US20020024138A1 (en) Wiring board for high dense mounting and method of producing the same
JP2004186227A (en) Wiring board and its producing process
JP3101265B1 (en) Anisotropic conductive adhesive
JP2002204078A (en) Multilayer circuit board and semiconductor integrated circuit device
JP4181239B2 (en) Connecting member
JP2000294933A (en) Multilayer circuit substrate and manufacture thereof
JP2004134467A (en) Multilayered wiring board, material for it, and method of manufacturing it
JPH11233906A (en) Circuit board
JPS6215777A (en) Film-like connector and manufacture thereof
JP3129217B2 (en) Fine pitch connector members
JP2006216869A (en) Composite substrate and its manufacturing method
JP2004335602A (en) Printed wiring board
JPH05335316A (en) Electronic component and connecting structure therefor