JPH08117702A - Treatment of work and device - Google Patents

Treatment of work and device

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JPH08117702A
JPH08117702A JP25330994A JP25330994A JPH08117702A JP H08117702 A JPH08117702 A JP H08117702A JP 25330994 A JP25330994 A JP 25330994A JP 25330994 A JP25330994 A JP 25330994A JP H08117702 A JPH08117702 A JP H08117702A
Authority
JP
Japan
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work
liquid
plate
semiconductor wafer
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP25330994A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Natori
清 名取
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP25330994A priority Critical patent/JPH08117702A/en
Publication of JPH08117702A publication Critical patent/JPH08117702A/en
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Abstract

PURPOSE: To surely remove a foreign matter stuck on the surface of a platelike work by holding the platelike work on a work-holding means and rotating the work-holding means in a horizontal plane in a treating liquid. CONSTITUTION: A semiconductor wafer 1 is stuck and held on the work-holding face 4a of a work-holding means 4 positioned in a liquid tank 2 by means of sticking force caused by cleaning liquid 3b flowing through a duct 7. Then, the semiconductor wafer 1 is rotated in the horizontal direction in the liquid tank 2 by rotating the work-holding means 4 by a motor 5. Cleaning liquid 3c is sprayed toward the semiconductor wafer 1 from a liquid-spouting means 10. At this point, the difference of number of revolutions between the semiconductor wafer 1 and cleaning liquid 3a acts on a foreign matter stuck on the surface of the semiconductor wafer 1 as stripping force. On one side, the rotated semiconductor wafer 1 is sprayed with a cleaning liquid 3c through the liquid- spouting means 10 and hydraulic power acts on the semiconductor wafer 1. Therefore, the foreign matter stuck to the semiconductor wafer 1 is forcedly removed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はワーク処理方法および装
置に関し、特に、処理液を使用した板状ワークの処理に
適用して有効な技術に関する
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for processing a work, and more particularly to a technique effectively applied to the processing of a plate-like work using a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】板状ワークである半導体ウエハやフォト
マスクの表面に付着した粒子、有機物、金属表面不純物
など(以下「異物」という。)を純水などの洗浄液(処
理液)を用いて除去する洗浄装置のように、たとえば半
導体産業においては、種々の処理液を用いて板状ワーク
に所定の処理を施すことが行われている。
2. Description of the Related Art Particles, organic substances, metal surface impurities, etc. (hereinafter referred to as "foreign substances") adhering to the surface of a semiconductor wafer or a photomask, which is a plate-like work, are removed by using a cleaning liquid (treatment liquid) such as pure water. In the semiconductor industry, for example, such a cleaning device is used to perform a predetermined process on a plate-like work using various process liquids.

【0003】ここで、洗浄液によって半導体ウエハの表
面を清浄にする技術としては、たとえば、工業調査会発
行、「超LSI製造・試験装置ガイドブック<1994年版
>」(平成 5年11月20日発行)、P115〜P120に記載され
ているように、複数枚の半導体ウエハをカセットに収納
して洗浄槽に浸漬するものや、チャックにより半導体ウ
エハを直接掴んで洗浄槽に浸漬するものなどが知られて
いる。
Here, as a technique for cleaning the surface of a semiconductor wafer with a cleaning solution, for example, "VLSI Manufacturing / Testing Equipment Guidebook <1994 Edition>" issued by the Industrial Research Committee (issued November 20, 1993) ), As described in P115 to P120, a method in which a plurality of semiconductor wafers are stored in a cassette and immersed in a cleaning tank, a method in which a semiconductor wafer is directly gripped by a chuck and immersed in the cleaning tank, etc. are known. ing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、付着し
た異物の板状ワークに対する付着力が強い場合には、前
記した洗浄装置ではこれを除去することができず、板状
ワーク表面の清浄度を所望のレベルにまで高めることが
困難になる。
However, when the adhered foreign matter has a strong adhesive force to the plate-like work, it cannot be removed by the above-mentioned cleaning device and the cleanliness of the surface of the plate-like work is desired. It becomes difficult to raise to the level of.

【0005】そこで、本発明の目的は、板状ワークの表
面に付着した異物を確実に除去することのできる技術を
提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of reliably removing foreign matter attached to the surface of a plate-like work.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0008】すなわち、本発明によるワーク処理方法
は、液槽中の処理液内で回転可能なワーク保持手段を用
意し、板状ワークをワーク保持手段に保持させてこれを
処理液中で水平面内で回転させるものである。また、液
槽中の処理液内で回転可能なワーク保持手段を用意し、
板状ワークをワーク保持手段に保持させてこれを処理液
中で回転させながら板状ワークの少なくとも一方面に処
理液と同種の処理液を吹き付けるものである。
That is, in the work treatment method according to the present invention, a work holding means which is rotatable in the treatment liquid in the liquid tank is prepared, a plate-like work is held by the work holding means, and the work is held in a horizontal plane in the treatment liquid. It is something that rotates. In addition, a work holding means that can rotate in the processing liquid in the liquid tank is prepared,
The plate-shaped work is held by the work holding means, and while being rotated in the processing liquid, a processing liquid of the same type as the processing liquid is sprayed onto at least one surface of the plate-shaped work.

【0009】また、本発明によるワーク処理装置は、処
理液が入れられて板状ワークが浸漬される液槽と、この
液槽内で回転可能に設けられ、ワーク保持面に板状ワー
クを保持してこれを回転させるワーク保持手段とを有す
るものである。また、処理液が入れられて板状ワークが
浸漬される液槽と、この液槽内で回転可能に設けられ、
ワーク保持面に板状ワークを保持してこれを回転させる
ワーク保持手段と、処理液中で回転する板状ワークに処
理液と同種の処理液を吹き付ける液噴出手段とを有する
ものである。
Further, the work processing apparatus according to the present invention is provided with a liquid tank in which the processing liquid is put and the plate-like work is immersed, and rotatably provided in the liquid tank, and the plate-like work is held on the work holding surface. And a work holding means for rotating the work. Further, a liquid tank in which the treatment liquid is put and the plate-shaped workpiece is immersed, and rotatably provided in the liquid tank,
It has a work holding means for holding a plate-like work on the work holding surface and rotating it, and a liquid jetting means for spraying a treatment liquid of the same kind as the treatment liquid onto the plate-like work rotating in the treatment liquid.

【0010】これらの場合において、前記したワーク保
持手段には、処理液と同種の処理液が流れる管路と連通
する中空孔を形成し、前記したワーク保持面には、この
中空孔と連通する多数の吸着孔を形成することができ
る。このワーク保持面は、複数に分割形成したり、板状
ワークよりも狭く形成することが可能である。ワーク保
持面を狭く形成した場合には、板状ワークの一方面のみ
ならず他方面にも処理液を吹き付けることができるよう
に、第1の液噴出手段と第2の液噴出手段とを設けるこ
とができる。
In these cases, the above-mentioned work holding means is formed with a hollow hole which communicates with a pipeline through which a processing liquid of the same kind as the processing liquid flows, and the above-mentioned work holding surface communicates with this hollow hole. A large number of adsorption holes can be formed. This work holding surface can be divided into a plurality of parts or formed narrower than a plate-like work. When the work holding surface is formed narrow, the first liquid jetting means and the second liquid jetting means are provided so that the treatment liquid can be sprayed not only on one surface but also on the other surface of the plate-shaped work. be able to.

【0011】なお、処理液としては洗浄液またはエッチ
ング溶液を、板状ワークとしては半導体ウエハまたはフ
ォトマスクを、それぞれ適用することができる。
A cleaning liquid or an etching solution can be applied as the processing liquid, and a semiconductor wafer or a photomask can be applied as the plate-like work.

【0012】[0012]

【作用】上記した手段によれば、板状ワークに付着した
異物には、ワーク保持手段と液槽内の処理液との回転差
によるはぎ取り力が、あるいはこれに加えて液噴出手段
による水圧が作用することになるので、強い付着力で板
状ワークに付着した異物も板状ワークから確実に除去す
ることが可能になる。
According to the above-mentioned means, the foreign matter adhering to the plate-like work is peeled off by the difference in rotation between the work holding means and the processing liquid in the liquid tank, or in addition to this, the water pressure by the liquid ejection means. Since it acts, foreign matter attached to the plate-like work with a strong adhesive force can be reliably removed from the plate-like work.

【0013】ワーク保持手段のワーク保持面を複数に分
割形成することにより、あるいは、ワーク保持面を板状
ワークよりも狭く形成することにより、板状ワークのワ
ーク保持手段に保持された面の一部も処理液と接触する
ことになるので、この部分に付着した異物もはぎ取り力
によって除去することができる。この場合、板状ワーク
のワーク保持手段に保持された面にも処理液を吹き付け
る第2の液噴出手段を設けることにより、この面に付着
した異物をより確実に除去することが可能になる。
One of the surfaces of the plate-shaped work held by the work holding means is formed by dividing the work holding surface of the work holding means into a plurality of parts or by forming the work holding surface narrower than the plate-like work. Since the part also comes into contact with the processing liquid, foreign matter attached to this part can be removed by the peeling force. In this case, by providing the second liquid jetting means for spraying the treatment liquid also on the surface of the plate-shaped work held by the work holding means, it becomes possible to more reliably remove the foreign matter attached to this surface.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0015】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
るワーク処理装置を概略的に示す断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus which is an embodiment of the present invention.

【0016】本実施例のワーク処理装置は、半導体ウエ
ハ(板状ワーク)1の表面に付着した異物(図示せず)
を除去するためのものである。図示するように、液槽2
の中には純水などの洗浄液(処理液)3aが入れられて
半導体ウエハ1が浸漬されるようになっている。
The work processing apparatus of the present embodiment has a foreign substance (not shown) attached to the surface of the semiconductor wafer (plate-shaped work) 1.
Is for removing. As shown, liquid tank 2
A semiconductor wafer 1 is immersed in a cleaning liquid (treatment liquid) 3a such as pure water.

【0017】たとえば石英により形成された液槽2の底
面を貫通するようにして、ワーク保持手段4が設けられ
ている。ワーク保持手段4は、半導体ウエハ1とほぼ同
形状に形成されて該半導体ウエハ1を保持するワーク保
持面4aが液槽2内に位置して設けられており、モータ
5によって回転可能とされている。したがって、モータ
5によって回転されるワーク保持手段4によって、該ワ
ーク保持手段4に保持された半導体ウエハ1は洗浄液3
a内で回転されるようになっている。なお、液槽2とワ
ーク保持手段4との間はシール材6によってシールされ
て液漏れが防止されている。
A work holding means 4 is provided so as to penetrate the bottom surface of the liquid tank 2 formed of, for example, quartz. The work holding means 4 is provided with a work holding surface 4 a which is formed in substantially the same shape as the semiconductor wafer 1 and holds the semiconductor wafer 1 inside the liquid tank 2, and is rotatable by a motor 5. There is. Therefore, the semiconductor wafer 1 held by the work holding means 4 is washed with the cleaning liquid 3 by the work holding means 4 rotated by the motor 5.
It is designed to be rotated in a. The liquid tank 2 and the work holding means 4 are sealed by a sealing material 6 to prevent liquid leakage.

【0018】たとえばフッ素樹脂よりなるワーク保持手
段4の内部には、管路7と連通する中空孔8が形成され
ている。管路7には液槽2内の洗浄液3aと同種の洗浄
液(処理液)3bが流れており、よって、該中空孔8内
は管路7からの洗浄液3bが充填された状態になってい
る。また、半導体ウエハ1を保持するワーク保持面4a
には、中空孔8と連通する多数の吸着孔4bが開設され
ている。したがって、管路7を流れる洗浄液3bによっ
て中空孔8内の洗浄液3bが引っ張られ、これによって
発生する吸着孔4bの吸引力によってワーク保持面4a
に半導体ウエハ1が吸着、保持されるようになってい
る。なお、ワーク保持手段4と管路7との間もシール材
9によってシールされて液漏れが防止されている。
A hollow hole 8 communicating with the conduit 7 is formed inside the work holding means 4 made of, for example, a fluororesin. A cleaning liquid (treatment liquid) 3b of the same type as the cleaning liquid 3a in the liquid tank 2 flows through the pipe line 7, and thus the hollow hole 8 is filled with the cleaning liquid 3b from the pipe line 7. . Further, a work holding surface 4a for holding the semiconductor wafer 1
A large number of suction holes 4b communicating with the hollow holes 8 are formed in the. Therefore, the cleaning liquid 3b in the hollow hole 8 is pulled by the cleaning liquid 3b flowing in the pipe line 7, and the suction force of the suction hole 4b generated by this causes the work holding surface 4a.
The semiconductor wafer 1 is sucked and held by the semiconductor wafer 1. The space between the work holding means 4 and the conduit 7 is also sealed by the sealing material 9 to prevent liquid leakage.

【0019】液槽2の上方には、液槽2内の洗浄液3a
と同種の洗浄液(処理液)3cを噴出する液噴出手段1
0が設けられている。半導体ウエハ1の方向に向けられ
たこの液噴出手段10の噴出口10aは、半導体ウエハ
1が浸漬された洗浄液3a内に位置しており、回転する
半導体ウエハ1に対して液中から洗浄液3cを吹き付け
るようになっている。なお、噴出口10aは液槽2内の
洗浄液3aに浸らない位置に設けてもよい。
Above the liquid tank 2, the cleaning liquid 3a in the liquid tank 2 is provided.
Liquid ejecting means 1 for ejecting a cleaning liquid (treatment liquid) 3c of the same type as
0 is provided. The jet port 10a of the liquid jetting means 10 directed toward the semiconductor wafer 1 is located in the cleaning liquid 3a in which the semiconductor wafer 1 is immersed, and the cleaning liquid 3c is supplied from the liquid to the rotating semiconductor wafer 1. It is supposed to be sprayed. The ejection port 10a may be provided at a position in the liquid tank 2 that does not soak into the cleaning liquid 3a.

【0020】このようなワーク処理装置による半導体ウ
エハ1に付着した異物の除去は次のようにして行われ
る。
Removal of foreign matter attached to the semiconductor wafer 1 by such a work processing apparatus is performed as follows.

【0021】先ず、管路7を流れる洗浄液3bにより発
生する吸着力によって、液槽2内に位置するワーク保持
手段4のワーク保持面4aに半導体ウエハ1を吸着、保
持させる。次に、モータ5によりワーク保持手段4を回
転させて液槽2内で半導体ウエハ1を水平方向に回転さ
せる。そして、半導体ウエハ1を回転させておきなが
ら、液噴出手段10から半導体ウエハ1に向けて洗浄液
3cを吹き付け、異物の除去を行う。
First, the semiconductor wafer 1 is sucked and held on the work holding surface 4a of the work holding means 4 located in the liquid tank 2 by the suction force generated by the cleaning liquid 3b flowing through the pipe 7. Next, the work holding means 4 is rotated by the motor 5 to rotate the semiconductor wafer 1 in the liquid tank 2 in the horizontal direction. Then, while the semiconductor wafer 1 is being rotated, the cleaning liquid 3c is sprayed from the liquid ejection means 10 toward the semiconductor wafer 1 to remove the foreign matter.

【0022】ここで、ワーク保持手段4が回転すると、
これに伴って液槽2内の洗浄液3aも同時に回転を始め
るが、洗浄液3aは自らの有する粘性のためにワーク保
持手段4によって回転されるので、両者の回転数、換言
すれば、ワーク保持手段4に保持された半導体ウエハ1
とこの半導体ウエハ1が浸漬されている洗浄液3aとの
回転数には差が発生する。そして、このような回転数の
差は、半導体ウエハ1の表面に付着した異物に対しては
はぎ取り力として作用することになる。一方、回転する
半導体ウエハ1には、液噴出手段10によって洗浄液3
cが吹き付けられて水圧が作用している。したがって、
半導体ウエハ1に付着した異物は、回転差によるはぎ取
り力と液噴出手段10による水圧によって半導体ウエハ
1の表面から強制的に除去されることになる。
When the work holding means 4 rotates,
Along with this, the cleaning liquid 3a in the liquid tank 2 also starts to rotate at the same time, but since the cleaning liquid 3a is rotated by the work holding means 4 due to its own viscosity, the rotation speed of both, in other words, the work holding means. Semiconductor wafer 1 held by
There is a difference in the number of rotations with the cleaning liquid 3a in which the semiconductor wafer 1 is immersed. Then, such a difference in the number of rotations acts as a peeling force for the foreign matter attached to the surface of the semiconductor wafer 1. On the other hand, the cleaning liquid 3 is applied to the rotating semiconductor wafer 1 by the liquid ejecting means 10.
c is sprayed and water pressure is acting. Therefore,
The foreign matter attached to the semiconductor wafer 1 is forcibly removed from the surface of the semiconductor wafer 1 by the peeling force due to the rotation difference and the water pressure by the liquid jetting means 10.

【0023】すなわち、本実施例によるワーク処理装置
によれば、異物が強い付着力で半導体ウエハ1に付着し
ていたとしても、該異物に対してはぎ取り力と水圧とが
作用することになるので、これを半導体ウエハ1の表面
から確実に除去することが可能になる。
That is, according to the work processing apparatus of this embodiment, even if foreign matter adheres to the semiconductor wafer 1 with a strong adhesive force, the peeling force and the water pressure act on the foreign matter. This makes it possible to reliably remove this from the surface of the semiconductor wafer 1.

【0024】(実施例2)図2は本発明の他の実施例で
あるワーク処理装置を概略的に示す断面図、図3は図2
のワーク処理装置に用いられたワーク保持手段を示す斜
視図である。
(Embodiment 2) FIG. 2 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus which is another embodiment of the present invention, and FIG.
3 is a perspective view showing a work holding means used in the work processing apparatus of FIG.

【0025】本実施例のワーク処理装置は、ワーク保持
手段4のワーク保持面4aが複数に分割形成されている
もので、その他の箇所においては前記実施例1のワーク
処理装置と同様に構成されている。したがって、本実施
例において実施例1と共通する部材には同一の符号が付
されている。
In the work processing apparatus of this embodiment, the work holding surface 4a of the work holding means 4 is divided into a plurality of parts, and the rest of the construction is the same as that of the work processing apparatus of the first embodiment. ing. Therefore, in this embodiment, the members common to those in the first embodiment are designated by the same reference numerals.

【0026】図3に示すように、本実施例によるワーク
保持手段は上方に向かって5つに分岐されており、それ
ぞれの分岐部分に吸着孔4bの開設されたワーク保持面
4aが形成されている。したがって、半導体ウエハ1は
5箇所のワーク保持面4aによって吸着、保持されるこ
とになる。
As shown in FIG. 3, the work holding means according to this embodiment is upwardly branched into five parts, and a work holding surface 4a having suction holes 4b is formed at each branch part. There is. Therefore, the semiconductor wafer 1 is sucked and held by the five work holding surfaces 4a.

【0027】本実施例によるワーク処理装置によれば、
半導体ウエハ1に付着した異物が確実に除去できるとい
う実施例1のワーク処理装置による作用に加えて、半導
体ウエハ1のワーク保持手段4に保持された面の一部も
液槽2中の洗浄液3aと接触することになるので、この
部分に付着した異物もはぎ取り力によって除去されるよ
うになる。
According to the work processing apparatus of this embodiment,
In addition to the function of the work processing apparatus of the first embodiment that foreign substances attached to the semiconductor wafer 1 can be reliably removed, a part of the surface of the semiconductor wafer 1 held by the work holding means 4 is also the cleaning liquid 3a in the liquid tank 2. Since it comes into contact with the foreign matter, the foreign matter attached to this portion is also removed by the peeling force.

【0028】(実施例3)図4は本発明のさらに他の実
施例であるワーク処理装置を概略的に示す断面図であ
る。
(Embodiment 3) FIG. 4 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus which is still another embodiment of the present invention.

【0029】本実施例のワーク処理装置は、ワーク保持
面4aが半導体ウエハ1よりも狭く形成されているもの
である。その他の箇所においては前記実施例1のワーク
処理装置と同様に構成されており、本実施例において実
施例1と共通する部材には同一の符号が付されている。
In the work processing apparatus of this embodiment, the work holding surface 4a is formed narrower than the semiconductor wafer 1. The other parts are configured similarly to the work processing apparatus of the first embodiment, and the members common to the first embodiment in the present embodiment are designated by the same reference numerals.

【0030】本実施例によるワーク処理装置によれば、
前記実施例2のワーク処理装置と同様に、半導体ウエハ
1のワーク保持手段4に保持された面の一部も洗浄液3
aに接触することになるので、この部分に付着した異物
もはぎ取り力によって除去される。
According to the work processing apparatus of this embodiment,
Similar to the work processing apparatus of the second embodiment, a part of the surface of the semiconductor wafer 1 held by the work holding means 4 also has the cleaning liquid 3
Since it comes into contact with a, the foreign matter attached to this portion is also removed by the peeling force.

【0031】(実施例4)図5は本発明のさらに他の実
施例であるワーク処理装置を概略的に示す断面図であ
る。
(Embodiment 4) FIG. 5 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus which is still another embodiment of the present invention.

【0032】本実施例のワーク処理装置は、前記した実
施例4のワーク処理装置に加えて、半導体ウエハ1のワ
ーク保持手段4に保持された面にも洗浄液3cを吹き付
けるようにしたものである。
In addition to the work processing apparatus of the fourth embodiment described above, the work processing apparatus of this embodiment sprays the cleaning liquid 3c onto the surface of the semiconductor wafer 1 held by the work holding means 4. .

【0033】すなわち、本ワーク処理装置は、ワーク保
持手段4に保持されていない半導体ウエハ1の一方面に
洗浄液3cを吹き付けるための第1の液噴出手段20a
に加えて、保持された他方面にもこの洗浄液3cを吹き
付けるように第2の液噴出手段20bが設けられてい
る。その他の箇所においては前記ワーク処理装置と同様
に構成されており、共通する部材には同一の符号が付さ
れている。
That is, the present work processing apparatus has the first liquid jetting means 20a for spraying the cleaning liquid 3c onto one surface of the semiconductor wafer 1 which is not held by the work holding means 4.
In addition to the above, the second liquid jetting means 20b is provided so as to spray the cleaning liquid 3c also on the held other surface. The other parts are configured similarly to the work processing apparatus, and common members are denoted by the same reference numerals.

【0034】本実施例によるワーク処理装置によれば、
半導体ウエハ1のワーク保持手段4に保持された面に付
着した異物に対し、ワーク保持手段4の回転によるはぎ
取り力に加えて第2の液噴出手段20bによる水圧も作
用することになるので、該異物をより確実に除去するこ
とが可能になる。
According to the work processing apparatus of this embodiment,
Since the foreign matter adhered to the surface of the semiconductor wafer 1 held by the work holding means 4 is not only peeled off by the rotation of the work holding means 4 but also water pressure by the second liquid ejecting means 20b acts. It becomes possible to remove the foreign matter more reliably.

【0035】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0036】たとえば、本実施例においては、吸着孔4
bの吸着作用によって板状ワークである半導体ウエハ1
が保持されているが、ワーク保持手段4に半導体ウエハ
1をロックする固定部材を取り付けて機械的に半導体ウ
エハ1を保持するようにしてもよい。
For example, in this embodiment, the suction holes 4
Semiconductor wafer 1 which is a plate-like work by the adsorption action of b
However, it is also possible to attach a fixing member for locking the semiconductor wafer 1 to the work holding means 4 to mechanically hold the semiconductor wafer 1.

【0037】また、本実施例においては、板状ワークと
して半導体ウエハ1が用いられているが、これに限定さ
れるものではなく、たとえばフォトマスクのように微小
な異物の付着が問題になる他の種々の板状ワークを用い
ることができる。
Further, in this embodiment, the semiconductor wafer 1 is used as the plate-shaped work, but the present invention is not limited to this, and adhesion of minute foreign matter such as a photomask becomes a problem. Various plate-shaped workpieces can be used.

【0038】なお、本実施例のワーク処理装置では、回
転差によるはぎ取り力と水圧とを併用して付着異物を除
去しているが、はぎ取り力のみで異物を除去することも
可能である。
In the work processing apparatus of this embodiment, the foreign matter adhered is removed by using both the peeling force due to the rotation difference and the water pressure, but it is also possible to remove the foreign matter only by the peeling force.

【0039】さらに、本実施例における処理液には、板
状ワークである半導体ウエハ1を洗浄するための洗浄液
3a,3b,3cが用いられているが、たとえばエッチ
ング溶液などのような他の処理液を用いることも可能で
ある。ここで、エッチング溶液を用いて板状ワークに生
成された薄膜をエッチングする場合には、エッチング液
が食刻される薄膜に積極的に作用することになってエッ
チング時間を短縮することができる。
Further, as the processing liquid in this embodiment, cleaning liquids 3a, 3b and 3c for cleaning the semiconductor wafer 1 which is a plate-like work are used, but other processing such as etching solution is used. It is also possible to use a liquid. Here, when the thin film formed on the plate-shaped work is etched using the etching solution, the etching solution positively acts on the etched thin film, and thus the etching time can be shortened.

【0040】[0040]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.

【0041】(1).すなわち、本発明のワーク処理技術に
よれば、板状ワークに付着した異物には、ワーク保持手
段と液槽内の処理液との回転差によるはぎ取り力が、あ
るいはこれに加えて液噴出手段による水圧が作用するこ
とになる。したがって、異物が強い付着力で板状ワーク
に付着していたとしても、該異物を板状ワークから確実
に除去することが可能になる。
(1) That is, according to the work processing technique of the present invention, the foreign matter attached to the plate-like work has a peeling force due to the rotation difference between the work holding means and the processing liquid in the liquid tank, or In addition to this, the water pressure by the liquid ejection means acts. Therefore, even if the foreign matter adheres to the plate-like work with a strong adhesive force, the foreign matter can be reliably removed from the plate-like work.

【0042】(2).また、板状ワークは1枚ずつ洗浄処理
されることになるので、バッチ処理に比べて液槽への持
ち込み異物が減少することになり、板状ワークが液槽内
で異物に汚染されるおそれが減少する。
(2) Further, since the plate-shaped works are washed one by one, foreign matters brought into the liquid tank are reduced as compared with the batch processing, and the plate-shaped works are kept in the liquid tank. Reduces the risk of contamination with foreign matter.

【0043】(3).ワーク保持手段のワーク保持面を複数
に分割形成することにより、あるいは、ワーク保持面を
板状ワークよりも狭く形成することにより、板状ワーク
のワーク保持手段に保持された面の一部も処理液に接触
することになる。したがって、この部分に付着した異物
もはぎ取り力によって除去することができる。
(3) The work holding surface of the work holding means is held by the work holding means of the plate-shaped work by dividing the work holding surface into a plurality of parts or by forming the work holding surface narrower than the plate-shaped work. A part of the exposed surface also comes into contact with the processing liquid. Therefore, the foreign matter attached to this portion can be removed by the stripping force.

【0044】(4).前記した(3) において、板状ワークの
ワーク保持手段に保持された面にも処理液を吹き付ける
ように、第1の液噴出手段に加えて第2の液噴出手段を
も設けることにより、この面に付着した異物に対して水
圧も作用することになるので、該異物をより確実に除去
することが可能になる。
(4) In the above (3), in addition to the first liquid jetting means, the second liquid jetting means is arranged so that the treatment liquid is also sprayed on the surface of the plate-shaped work held by the work holding means. By also providing the above, since the water pressure also acts on the foreign matter attached to this surface, the foreign matter can be removed more reliably.

【0045】(5).処理液としてエッチング溶液を用いた
場合には、該エッチング溶液がエッチングされる薄膜に
積極的に作用することになるので、エッチング時間を短
縮することが可能になる。
(5) When an etching solution is used as the processing liquid, the etching solution positively acts on the thin film to be etched, so that the etching time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1によるワーク処理装置を概略
的に示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例2によるワーク処理装置を概略
的に示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図3】図2のワーク処理装置に用いられたワーク保持
手段を示す斜視図である。
3 is a perspective view showing a work holding means used in the work processing apparatus of FIG. 2. FIG.

【図4】本発明の実施例3によるワーク処理装置を概略
的に示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例4によるワーク処理装置を概略
的に示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view schematically showing a work processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハ(板状ワーク) 2 液槽 3a 洗浄液(処理液) 3b 洗浄液(処理液) 3c 洗浄液(処理液) 4 ワーク保持手段 4a ワーク保持面 4b 吸着孔 5 モータ 6 シール材 7 管路 8 中空孔 9 シール材 10 液噴出手段 10a 噴出口 20a 第1の液噴出手段 20b 第2の液噴出手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer (plate-shaped work) 2 Liquid tank 3a Cleaning liquid (processing liquid) 3b Cleaning liquid (processing liquid) 3c Cleaning liquid (processing liquid) 4 Work holding means 4a Work holding surface 4b Adsorption hole 5 Motor 6 Seal material 7 Pipe line 8 Hollow Hole 9 Sealing material 10 Liquid jetting means 10a Jet outlet 20a First liquid jetting means 20b Second liquid jetting means

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液槽中の処理液内で回転可能なワーク保
持手段を用意し、 板状ワークを前記ワーク保持手段に保持させてこれを処
理液中で水平面内で回転させることを特徴とするワーク
処理方法。
1. A method is provided in which a work holding means rotatable in a processing liquid in a liquid tank is prepared, a plate-shaped work is held by the work holding means, and the work is rotated in a horizontal plane in the processing liquid. Work processing method.
【請求項2】 液槽中の処理液内で回転可能なワーク保
持手段を用意し、 板状ワークを前記ワーク保持手段に保持させてこれを処
理液中で回転させながら前記板状ワークの少なくとも一
方面に前記処理液と同種の処理液を吹き付けることを特
徴とするワーク処理方法。
2. A work holding means that is rotatable in the processing liquid in a liquid tank is prepared, and the plate-shaped work is held by the work holding means and is rotated in the processing liquid, and at least the plate-shaped work is rotated. A method for treating a work, characterized in that a treatment liquid of the same kind as the treatment liquid is sprayed on one surface.
【請求項3】 処理液が入れられて板状ワークが浸漬さ
れる液槽と、 前記液槽内で回転可能に設けられ、ワーク保持面に前記
板状ワークを保持してこれを回転させるワーク保持手段
とを有することを特徴とするワーク処理装置。
3. A liquid tank in which a treatment liquid is put and a plate-like work is immersed, and a work which is rotatably provided in the liquid tank and holds the plate-like work on a work holding surface to rotate the work. A work processing apparatus comprising: a holding unit.
【請求項4】 処理液が入れられて板状ワークが浸漬さ
れる液槽と、 前記液槽内で回転可能に設けられ、ワーク保持面に前記
板状ワークを保持してこれを回転させるワーク保持手段
と、 前記処理液中で回転する前記板状ワークに前記処理液と
同種の処理液を吹き付ける液噴出手段とを有することを
特徴とするワーク処理装置。
4. A liquid tank in which a treatment liquid is put and a plate-like work is immersed, and a work which is rotatably provided in the liquid tank and holds the plate-like work on a work holding surface to rotate the work. A work processing apparatus comprising: a holding unit and a liquid ejecting unit that sprays a processing liquid of the same type as the processing liquid onto the plate-shaped workpiece that rotates in the processing liquid.
【請求項5】 前記ワーク保持手段には、前記処理液と
同種の処理液が流れる管路と連通する中空孔が形成さ
れ、 前記ワーク保持面には、前記中空孔と連通する多数の吸
着孔が開設されていることを特徴とする請求項3または
4記載のワーク処理装置。
5. The work holding means is formed with a hollow hole communicating with a pipeline through which a processing liquid of the same kind as the processing liquid flows, and the work holding surface has a large number of suction holes communicating with the hollow holes. 5. The work processing apparatus according to claim 3, wherein the work processing apparatus is opened.
【請求項6】 前記ワーク保持面は複数に分割形成され
ていることを特徴とする請求項3、4または5記載のワ
ーク処理装置。
6. The work processing apparatus according to claim 3, wherein the work holding surface is divided into a plurality of parts.
【請求項7】 前記ワーク保持面は前記板状ワークより
も狭く形成されていることを特徴とする請求項3、4ま
たは5記載のワーク処理装置。
7. The work processing apparatus according to claim 3, wherein the work holding surface is formed narrower than the plate-like work.
【請求項8】 前記液噴出手段は、前記板状ワークの一
方面に前記処理液を吹き付ける第1の液噴出手段と、前
記板状ワークの他方面に前記処理液を吹き付ける第2の
液噴出手段とからなることを特徴とする請求項7記載の
ワーク処理装置。
8. The liquid ejecting means comprises a first liquid ejecting means for ejecting the treatment liquid onto one surface of the plate-like work and a second liquid ejecting means for ejecting the treatment liquid onto the other surface of the plate-like work. The work processing apparatus according to claim 7, further comprising a means.
【請求項9】 前記処理液は洗浄液またはエッチング溶
液であり、前記板状ワークは半導体ウエハまたはフォト
マスクであることを特徴とする請求項3、4、5、6、
7または8記載のワーク処理装置。
9. The processing liquid is a cleaning liquid or an etching solution, and the plate-shaped work is a semiconductor wafer or a photomask.
7. The work processing device according to 7 or 8.
JP25330994A 1994-10-19 1994-10-19 Treatment of work and device Pending JPH08117702A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6199563B1 (en) 1997-02-21 2001-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method
US6767840B1 (en) 1997-02-21 2004-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method
KR20210042711A (en) * 2019-10-10 2021-04-20 한미반도체 주식회사 Sawing Apparatus of Semiconductor Device

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US6199563B1 (en) 1997-02-21 2001-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method
US6767840B1 (en) 1997-02-21 2004-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method
KR20210042711A (en) * 2019-10-10 2021-04-20 한미반도체 주식회사 Sawing Apparatus of Semiconductor Device

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