JPH0810825B2 - High frequency oscillation type proximity switch - Google Patents

High frequency oscillation type proximity switch

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JPH0810825B2
JPH0810825B2 JP61105126A JP10512686A JPH0810825B2 JP H0810825 B2 JPH0810825 B2 JP H0810825B2 JP 61105126 A JP61105126 A JP 61105126A JP 10512686 A JP10512686 A JP 10512686A JP H0810825 B2 JPH0810825 B2 JP H0810825B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は物体検知の応答速度を向上させた高周波発振
型の近接スイッチに関するものである。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a high-frequency oscillation type proximity switch with improved response speed for object detection.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明による近接スイッチは、発振回路にそのコンダ
クタンスを定める抵抗に電圧制御抵抗素子を並列に接続
し発振回路の検波出力を反転増幅して電圧制御抵抗素子
を制御することにより、物体が近接した場合にも小さい
一定の振幅値で発振を継続させて物体検知の応答速度を
向上させるようにしたものである。
In the proximity switch according to the present invention, when a voltage control resistance element is connected in parallel to a resistance that determines the conductance of the oscillation circuit and the detection output of the oscillation circuit is inverted and amplified to control the voltage control resistance element, an object is brought into proximity. In particular, the oscillation is continued with a small constant amplitude value to improve the response speed of object detection.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

(従来技術) 従来高周波発振型の近接スイッチには例えば第8図に
示すような発振回路が用いられている。この発振回路は
コイルLとコンデンサC1から成る共振回路にトランジス
タ1,2から成る電流ミラー回路3の一方のトランジスタ
1のコレクタが接続される。トランジスタ1,2のエミッ
タには夫々同一の抵抗値を有するエミッタ抵抗R1,R2が
電源端に接続されている。又共振回路には更に電源端よ
り抵抗R3,ダイオード4,5と抵抗R4が接続される。トラン
ジスタ2のコレクタはトランジスタ1,2のベースに接続
され、又トランジスタ6と抵抗R5を介して接地されてい
る。抵抗R3とダイオード4の接続点にはトランジスタ7
のベースが接続される。トランジスタ7はエミッタフォ
ロワ型のトランジスタであって、エミッタ抵抗R6がトラ
ンジスタ6のベースに与えられる。そしてトランジスタ
7のエミッタからの発振出力がエミッタフォロワ接続さ
れたトランジスタ8を介して取出されて整流され、その
出力が比較器9及び出力回路10に与えられる。
(Prior Art) Conventionally, an oscillating circuit as shown in FIG. 8 has been used for a high-frequency oscillation type proximity switch. In this oscillation circuit, the collector of one transistor 1 of the current mirror circuit 3 composed of transistors 1 and 2 is connected to a resonance circuit composed of a coil L and a capacitor C1. The emitters of the transistors 1 and 2 have emitter resistors R1 and R2 having the same resistance value connected to the power supply terminal. A resistor R3, diodes 4, 5 and a resistor R4 are further connected to the resonance circuit from the power source end. The collector of the transistor 2 is connected to the bases of the transistors 1 and 2, and is grounded via the transistor 6 and the resistor R5. A transistor 7 is provided at the connection point between the resistor R3 and the diode 4.
The base of is connected. The transistor 7 is an emitter follower type transistor, and the emitter resistance R6 is given to the base of the transistor 6. The oscillation output from the emitter of the transistor 7 is taken out through the transistor 8 connected to the emitter follower and rectified, and the output is given to the comparator 9 and the output circuit 10.

このような従来の高周波発振型近接スイッチにおい
て、共振回路に流れる電流はトランジスタ7によって電
圧に変換されエミッタフォロワ出力がトランジスタ6に
帰還される。従ってトランジスタ6を流れる電流が電流
ミラー回路3を介して共振回路に正帰還されて発振を継
続している。そして第9,10図に示すように共振回路のコ
イルLに物体が近接すると共振回路のコンダクタンスga
が大きくなり(ga=ga1)、物体がなくなれば共振回路
のコンダクタンスgaが小さくなる(ga=ga2)。この共
振回路のコンダクタンスgaの変化が抵抗R5の逆数で定ま
る発振回路の負性コンダクタンスgx0より大きくなけれ
ば発振を停止し、このコンダクタンスgx0より小さくな
れば発振するためその発振の有無によって物体の近接を
検出することができる。
In such a conventional high frequency oscillation type proximity switch, the current flowing in the resonance circuit is converted into a voltage by the transistor 7, and the emitter follower output is fed back to the transistor 6. Therefore, the current flowing through the transistor 6 is positively fed back to the resonance circuit via the current mirror circuit 3 to continue the oscillation. Then, as shown in FIGS. 9 and 10, when an object approaches the coil L of the resonance circuit, the conductance g a of the resonance circuit
Becomes larger (g a = g a1 ), and the conductance g a of the resonant circuit becomes smaller when there is no object (g a = g a2 ). Object by the presence or absence of the oscillation for a change in conductance g a is not greater than the negative conductance g x0 of the oscillation circuit defined by the reciprocal of the resistor R5 stops oscillating, oscillation becomes smaller than the conductance g x0 of the resonant circuit Can be detected.

(発明が解決しようとする問題点) このような従来の近接スイッチにおいて、第10図に示
すように物体が近接すれば発振が停止し物体が遠ざかれ
ば発振が再開される。従って近接スイッチの応答速度は
発振の開始速度と停止速度との合計時間であると考える
ことができる。一般的に発振回路は発振の立上り(開
始)速度が非常に遅く停止速度は比較的速い。そのため
近接スイッチの応答速度が発振開始速度によって制限さ
れるという問題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) In such a conventional proximity switch, as shown in FIG. 10, oscillation is stopped when an object approaches, and oscillation is restarted when the object moves away. Therefore, the response speed of the proximity switch can be considered to be the total time of the oscillation start speed and the oscillation stop speed. In general, the oscillation circuit has a very slow rising (starting) speed and a relatively high stopping speed. Therefore, there is a problem that the response speed of the proximity switch is limited by the oscillation start speed.

そこで例えば実開昭60−145 742号等において発振出
力の振幅を所定レベルで弁別し、発振出力が低下すれば
振幅調整用のスイッチング回路を動作させて発振を継続
するようにした発振回路が提案されている。このような
発振回路では物体が近接したときに発振を継続させるこ
とができるが、スイッチング動作によって共振回路の発
振状態制御抵抗の抵抗値を切換えているため一定の振幅
で発振を継続させることができなかった。そして物体が
更に接近したときには発振が停止してしまうことがあっ
た。このため発振が停止した状態から発振を立上らせる
ためには所定の時間がかかり、応答速度があまり速くな
らないことがあるという問題点があった。
Therefore, for example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 60-145742, an oscillation circuit is proposed in which the amplitude of the oscillation output is discriminated at a predetermined level, and when the oscillation output decreases, a switching circuit for amplitude adjustment is operated to continue oscillation. Has been done. With such an oscillation circuit, oscillation can be continued when an object approaches, but since the resistance value of the oscillation state control resistor of the resonance circuit is switched by switching operation, oscillation can be continued with a constant amplitude. There wasn't. And when the object gets closer, the oscillation may stop. Therefore, there is a problem that it takes a predetermined time to start the oscillation from the state where the oscillation is stopped, and the response speed may not be so fast.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明はこのような従来の近接スイッチの問題点に鑑
みてなされたものであって、物体の近接時には発振を一
定のレベルで継続させるようにすることを技術的課題と
する。
The present invention has been made in view of the above problems of the conventional proximity switch, and it is a technical object to continue oscillation at a constant level when an object approaches.

〔発明の構成と効果〕[Constitution and effect of the invention]

(構成) 本発明は発振回路と、発振出力の出力の低下により物
体を検知する検知回路を有する高周波発振型近接スイッ
チであって、第1図に示すように、発振回路のコンダク
タンスを定める抵抗(R5)と入力電圧によって抵抗値が
連続的に変化する電圧制御抵抗素子(24)とを並列に接
続した電圧制御抵抗回路(25)と、発振回路の検波出力
を反転増幅してそのアナログ増幅出力を制御信号として
電圧制御抵抗回路(25)に与えることにより、発振レベ
ルの低下時に発振回路のコンダクタンスを連続して上昇
させる電圧制御回路(25)と、を有することを特徴とす
るものである。
(Structure) The present invention is a high-frequency oscillation type proximity switch having an oscillation circuit and a detection circuit for detecting an object due to a decrease in the output of the oscillation output, and as shown in FIG. R5) and a voltage control resistance circuit (25) in which the resistance value changes continuously according to the input voltage are connected in parallel, and the detection output of the oscillation circuit is inverted and amplified to obtain its analog amplified output. To the voltage control resistance circuit (25) as a control signal, the voltage control circuit (25) continuously increases the conductance of the oscillation circuit when the oscillation level decreases.

(作用) このような特徴を有する本発明によれば、物体が近接
し共振回路のコンダクタンスが所定レベル以上となれば
発振回路のコンダクタンスを定める電圧制御抵抗回路に
制御電圧が与えられるため、発振振幅が一定になるよう
に自動的に制御される。又物体が遠ざかって共振回路の
コンダクタンスがこのレベル以下となれば発振回路の電
圧制御抵抗回路に電圧制御が行われなくなり発振振幅は
急激に増大する。従って物体が近接して共振回路のコン
ダクタンスが増加してもほぼ一定のレベルで発振を継続
させることができる。
(Operation) According to the present invention having such a feature, a control voltage is applied to the voltage control resistor circuit that determines the conductance of the oscillation circuit when an object approaches and the conductance of the resonance circuit becomes equal to or higher than a predetermined level. Is automatically controlled to be constant. When the object goes away and the conductance of the resonance circuit becomes lower than this level, voltage control is not performed on the voltage control resistor circuit of the oscillation circuit, and the oscillation amplitude sharply increases. Therefore, even if an object approaches and the conductance of the resonance circuit increases, the oscillation can be continued at a substantially constant level.

(効果) そのため本発明によれば、物体が近接スイッチに接近
した場合にはその距離が変化しても発振振幅はほとんど
変化することがなく、ほぼ一定レベルで発振が継続され
ている。しかも発振回路のコンダクタンスが従来の回路
より大きいため、物体が遠ざかった場合には発振が急激
に立上り、必要な振幅レベルまで極めて短時間で振幅を
増大させることができる。従って本発明によれば比較的
簡単な回路を付加することによって常に高い応答速度を
得ることができる。
(Effect) Therefore, according to the present invention, when the object approaches the proximity switch, the oscillation amplitude hardly changes even if the distance changes, and the oscillation is continued at a substantially constant level. Moreover, since the conductance of the oscillation circuit is larger than that of the conventional circuit, the oscillation rapidly rises when the object moves away, and the amplitude can be increased to a required amplitude level in an extremely short time. Therefore, according to the present invention, it is possible to always obtain a high response speed by adding a relatively simple circuit.

〔実施例の説明〕[Explanation of Example]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。本図
において従来例と同一部分は同一符号を付している。本
実施例においても発振コイルLとコンデンサC1から成る
共振回路にトランジスタ1,2から成る電流ミラー回路3
を接続し、その発振出力をエミッタフォロワ型に接続さ
れたトランジスタ7で電圧信号に変換し、更にトランジ
スタ6のベースに与えてそのコレクタ電流によって電流
ミラー回路3を介して共振回路に正帰還している。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In this figure, the same parts as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals. Also in this embodiment, the current mirror circuit 3 including the transistors 1 and 2 is provided in the resonance circuit including the oscillation coil L and the capacitor C1.
Is connected, and its oscillation output is converted into a voltage signal by the transistor 7 connected in the emitter follower type, which is further given to the base of the transistor 6 and positively fed back to the resonance circuit via the current mirror circuit 3 by its collector current. There is.

さて本実施例ではトランジスタ8のエミッタ抵抗R7,R
8の中点に増幅率αの演算増幅器21の入力端を接続し、
更にその増幅出力を反転増幅器22の反転入力端に与えて
増幅する。反転増幅器22の非反転入力端には電圧Eから
成る基準電圧信号を与えるものとする。そして増幅器2
1,22から成る電圧制御回路23の出力を電圧制御抵抗素
子、例えば電界効果型トランジスタ(以下FETという)2
4のゲート端子に与える。FET24には抵抗R9が直列に接続
されており、抵抗R9及びFET24の直列接続体はトランジ
スタ6のエミッタ抵抗R5に並列に接続されて電圧制御抵
抗回路25を形成している。
In this embodiment, the emitter resistances R7 and R7 of the transistor 8 are
Connect the input terminal of the operational amplifier 21 with the amplification factor α to the middle point of 8,
Further, the amplified output is given to the inverting input terminal of the inverting amplifier 22 for amplification. It is assumed that the non-inverting input terminal of the inverting amplifier 22 is supplied with a reference voltage signal composed of the voltage E. And amplifier 2
The output of the voltage control circuit 23 composed of 1, 22 is used as a voltage control resistance element, for example, a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) 2
Give to the gate terminal of 4. The resistor R9 is connected in series to the FET24, and the series connection body of the resistor R9 and the FET24 is connected in parallel to the emitter resistor R5 of the transistor 6 to form the voltage control resistor circuit 25.

そして前述した従来例と同様にトランジスタ8のエミ
ッタ抵抗R7,R8の中点に比較器9が接続され、所定レベ
ルの電圧信号が弁別されて出力回路10に与えられる。出
力回路10はこの出力を増幅して外部にスイッチ出力とし
て与えるものである。
Similarly to the above-mentioned conventional example, the comparator 9 is connected to the middle point of the emitter resistances R7 and R8 of the transistor 8, and the voltage signal of a predetermined level is discriminated and given to the output circuit 10. The output circuit 10 amplifies this output and gives it to the outside as a switch output.

(動作) 次に本実施例の動作について説明する。この発振回路
を動作させると共振回路に流れる電流がトランジスタ7
によって電圧信号に変換され、その電圧信号がトランジ
スタ6のエミッタフォロワを介して電流ミラー回路3の
一方のトランジスタ2に流れ、その電流と同一の電流が
トランジスタ1より共振回路に帰還されて発振が開始さ
れる。そしてトランジスタ8のエミッタ抵抗R7,R8の中
点の電圧がコンデンサC2によって平滑され、検波電圧Vd
として電圧制御回路23及び比較器9に与えられる。第2
図はこの検波電圧Vdに対する電圧制御回路23の出力電圧
VGを示す特性曲線であって、電圧制御回路23は増幅器22
の出力電圧(即ちE−αVd)を制御電圧VGとしてFET24
のゲートに与えている。従って第3図に示すように検波
電圧Vdに対する電圧制御抵抗回路25の抵抗は、検波電圧
Vdに依存しない抵抗R5の一定の抵抗値と、抵抗R9及びFE
T24の検波電圧Vdにより定まる抵抗RFETの和R9+RFET
の並列合成抵抗として曲線RXで与えられる抵抗値とな
る。そして第4図に示すようにこの抵抗値の逆数が検波
電圧Vdに対する電圧制御抵抗回路25の合成コンダクタン
スgXとなる。そして第3図に示すように検波電圧VdがVd
1以下となればFET24に与えられるゲート電圧VGが上昇す
るため、FET24がオとなって電圧制御抵抗回路25の合成
抵抗は抵抗R5及び抵抗R9の並列合成抵抗となり、検波電
圧がVd2を越えればFET24のゲート端子に制御電圧が与え
られなくなるため、FET24がオフとなって電圧制御抵抗
回路25の合成抵抗は元のエミッタ抵抗R5のみとなる。従
って検波電圧VdがVd1とVd2の間にあるときにはFET24は
アナログ的な動作を行い、第3図及び第4図に示すよう
に電圧制御抵抗回路25の合成抵抗RX及びその逆数である
発振回路の負性コンダクタンスgXは夫々図示のように連
続的に変化することとなる。
(Operation) Next, the operation of this embodiment will be described. When this oscillator circuit is operated, the current flowing in the resonance circuit causes the transistor 7
Is converted into a voltage signal by the voltage signal, and the voltage signal flows to one transistor 2 of the current mirror circuit 3 through the emitter follower of the transistor 6, and the same current is fed back from the transistor 1 to the resonance circuit to start oscillation. To be done. The voltage at the midpoint of the emitter resistances R7 and R8 of the transistor 8 is smoothed by the capacitor C2, and the detected voltage Vd
Is given to the voltage control circuit 23 and the comparator 9. Second
The figure shows the output voltage of the voltage control circuit 23 with respect to this detection voltage Vd.
The voltage control circuit 23 is a characteristic curve showing V G
The output voltage (that is, E-αVd) of the FET 24 is set as the control voltage V G.
Is giving to the gate. Therefore, as shown in FIG. 3, the resistance of the voltage control resistance circuit 25 with respect to the detection voltage Vd is
A constant resistance value of resistor R5 that does not depend on Vd
It becomes the resistance value given by the curve R X as the parallel combined resistance with the sum R9 + R FET of the resistance R FET determined by the detection voltage Vd of T24. Then, as shown in FIG. 4, the reciprocal of this resistance value becomes the combined conductance g X of the voltage control resistance circuit 25 with respect to the detection voltage Vd. Then, as shown in FIG. 3, the detected voltage Vd is Vd
If it becomes 1 or less, the gate voltage V G given to the FET 24 rises, so that the FET 24 is turned on and the combined resistance of the voltage control resistance circuit 25 becomes a parallel combined resistance of the resistor R5 and the resistor R9, and the detected voltage becomes Vd 2 If it exceeds, the control voltage is not applied to the gate terminal of the FET 24, so that the FET 24 is turned off and the combined resistance of the voltage control resistance circuit 25 is only the original emitter resistance R5. Therefore, when the detection voltage Vd is between Vd 1 and Vd 2 , the FET 24 performs an analog operation, and is the combined resistance R X of the voltage control resistance circuit 25 and its reciprocal as shown in FIGS. 3 and 4. The negative conductance g X of the oscillator circuit changes continuously as shown in the figure.

一方検出コイルLに物体が近接すると渦電流損が生じ
るため共振回路の損失抵抗が増加し、共振回路のコンダ
クタンスgaは近接スイッチから物体までの距離lに対し
て第5図に示すように大きくなる。そして所定の距離l2
より離れると共振回路のコンダクタンスgaより発振回路
のコンダクタンスgXが大きくなるため、第6図に示すよ
うに発振回路が飽和するまで発振振幅が大きくなって検
波出力Vdも大きくなる。又距離l2より近づけば検波電圧
Vdの低下によって共振回路のコンダクタンスgaに発振回
路のコンダクタンスgXが追従するように制御され、第6
図及び第7図(a)に示すように近接スイッチに物体が
近接した場合にもほぼ一定の振幅で発振を継続させるこ
とができる。そして検波出力Vdについて前述したVd2
上の所定値Vrefを比較器9の閾値レベルとしておくこと
によって近接する物体を検出することができる。そして
第7図に示すように物体が距離l2から近接スイッチの近
傍に接近する場合にも所定の振幅レベルから発振の振幅
が拡大する。従って発振回路の振幅の立上りが速く、極
めて短時間で物体の近接を検知するレベルにまで達する
ことが可能となり、近接スイッチの応答速度を大幅に向
上させることができる。
On the other hand, when an object comes close to the detection coil L, eddy current loss occurs, so that the loss resistance of the resonance circuit increases, and the conductance g a of the resonance circuit becomes large with respect to the distance l from the proximity switch to the object as shown in FIG. Become. And the predetermined distance l 2
When the distance is further, the conductance g X of the oscillation circuit becomes larger than the conductance g a of the resonance circuit. Therefore, as shown in FIG. 6, the oscillation amplitude increases and the detection output Vd also increases until the oscillation circuit is saturated. If the distance is closer than l 2 , the detection voltage
The decrease in Vd is controlled so that the conductance g X of the oscillator circuit follows the conductance g a of the resonance circuit.
As shown in FIG. 7 and FIG. 7A, even when an object approaches the proximity switch, oscillation can be continued with a substantially constant amplitude. By setting the predetermined value Vref of Vd 2 or more for the detection output Vd as the threshold level of the comparator 9, it is possible to detect an adjacent object. Then, as shown in FIG. 7, when the object approaches the vicinity of the proximity switch from the distance l 2 , the amplitude of oscillation increases from the predetermined amplitude level. Therefore, the amplitude of the oscillation circuit rises quickly, and it becomes possible to reach the level at which the proximity of an object is detected in an extremely short time, and the response speed of the proximity switch can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例による高周波発振型近接スイ
ッチの回路図、第2図は検波電圧Vdに対する増幅回路の
出力電圧VGの特性を示すグラフ、第3図は検波電圧Vdに
対する電圧制御抵抗回路の合成抵抗を示すグラフ、第4
図は検波電圧Vdに対する電圧制御抵抗回路の合成コンダ
クタンス(発振回路のコンダクタンス)gXを示すグラ
フ、第5図は近接スイッチから物体までの距離lに対す
る共振回路のコンダクタンスgaを示すグラフ、第6図は
物体までの距離lに対する検波出力Vdを示すグラフ、第
7図は物体の位置に対する共振回路のコンダクタンスga
及び発振回路のコンダクタンスgXと発振振幅の変化を示
すグラフ、第8図は従来の高周波発振型近接スイッチの
一例を示す回路図、第9図は従来の近接スイッチの物体
の距離に対する発振振幅の変化を示すグラフ、第10図は
従来の近接スイッチの物体の位置に対する共振回路のコ
ンダクタンスgaと発振回路のコンダクタンスgX0の変化
及び発振振幅の変化を示すグラフである。 L……コイル、1,2,6〜8……トランジスタ、3……電
流ミラー回路、9……比較器、10……出力回路、21……
増幅器、22……反転増幅器、23……電圧制御回路、24…
…FET、25……電圧制御抵抗回路
FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency oscillation type proximity switch according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing characteristics of an output voltage V G of an amplifier circuit with respect to a detection voltage Vd, and FIG. 3 is a voltage with respect to a detection voltage Vd. Graph showing combined resistance of control resistance circuit, 4th
FIG. 5 is a graph showing the combined conductance (conductance of the oscillating circuit) g X of the voltage controlled resistance circuit with respect to the detection voltage Vd, and FIG. 5 is a graph showing the conductance g a of the resonant circuit with respect to the distance 1 from the proximity switch to the object. Figure is a graph showing the detection output Vd with respect to the distance l to the object. Figure 7 is the conductance g a of the resonant circuit with respect to the position of the object
And a graph showing changes in the conductance g X and the oscillation amplitude of the oscillation circuit, FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of a conventional high-frequency oscillation type proximity switch, and FIG. 9 is an oscillation amplitude of the conventional proximity switch with respect to the object distance. FIG. 10 is a graph showing changes, and FIG. 10 is a graph showing changes in the conductance g a of the resonance circuit and the conductance g X0 of the oscillation circuit and changes in the oscillation amplitude with respect to the position of the object of the conventional proximity switch. L: coil, 1,2,6 to 8 ... transistor, 3 ... current mirror circuit, 9 ... comparator, 10 ... output circuit, 21 ...
Amplifier, 22 ... Inverting amplifier, 23 ... Voltage control circuit, 24 ...
… FET, 25 …… voltage control resistor circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】発振回路と、発振回路の出力の低下により
物体を検知する検知回路を有する高周波発振型近接スイ
ッチにおいて、 前記発振回路のコンダクタンスを定める抵抗と入力電圧
によって抵抗値が連続的に変化する電圧制御抵抗素子と
を並列に接続した電圧制御抵抗回路と、 前記発振回路の検波出力を反転増幅してそのアナログ増
幅出力を制御信号として前記電圧制御抵抗回路に与える
ことにより、発振レベルの低下時に前記発振回路のコン
ダクタンスを連続して上昇させる電圧制御回路と、を有
することを特徴とする高周波発振型近接スイッチ。
1. A high frequency oscillation type proximity switch having an oscillating circuit and a detection circuit for detecting an object when the output of the oscillating circuit is lowered, wherein the resistance value is continuously changed by a resistance defining a conductance of the oscillating circuit and an input voltage. And a voltage control resistance circuit in which a voltage control resistance element is connected in parallel, and a detection output of the oscillation circuit is inverted and amplified and its analog amplified output is given as a control signal to the voltage control resistance circuit, thereby lowering the oscillation level. And a voltage control circuit for continuously increasing the conductance of the oscillation circuit, the high-frequency oscillation type proximity switch.
【請求項2】前記電圧制御抵抗素子は、電界効果型トラ
ンジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の高周波発振型近接スイッチ。
2. The high frequency oscillation type proximity switch according to claim 1, wherein the voltage controlled resistance element is a field effect transistor.
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JP2850456B2 (en) * 1990-03-13 1999-01-27 富士電機株式会社 High frequency oscillation type proximity switch

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60145742U (en) * 1984-03-09 1985-09-27 オムロン株式会社 Proximity switch oscillation circuit
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