JPS62261223A - High frequency oscillation type proximity switch - Google Patents

High frequency oscillation type proximity switch

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Publication number
JPS62261223A
JPS62261223A JP10512786A JP10512786A JPS62261223A JP S62261223 A JPS62261223 A JP S62261223A JP 10512786 A JP10512786 A JP 10512786A JP 10512786 A JP10512786 A JP 10512786A JP S62261223 A JPS62261223 A JP S62261223A
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JP
Japan
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circuit
voltage
oscillation
control
output
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JP10512786A
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Japanese (ja)
Inventor
Iichi Hirao
平尾 猪一
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve the resonse speed of the detection of an object by connecting a voltage control resistor circuit as a resistor deciding a conductance of an oscillation circuit, amplifying inversely the detection output of the oscillation circuit, controlling the voltage control resistance circuit so as to keep the amplitude of the oscillation circuit nearly constant thereby detecting the object based on the control signal of the voltage control circuit. CONSTITUTION:When an object approaches a proximity switch, an amplitude VL, of the oscillation circuit is lowered slightly, a detection voltage Vd is lowered attended therewith and a control voltage VG is increased remarkably. Thus, the conductance gx of the oscillation circuit is increased from a conductance gx2 into gx1. The position of the object is unchanged. the amplitude of the oscillation circuit is nearly constant and the control voltage VG of a voltage control circuit 23 is changed corresponding to the distance. That is, when the control voltage VG exceeds the threshold value level Vref of a comaprator 9 decided in response to the output level of the control voltage, an object detection output is outputted from an output circuit 10. Thus, the response speed of the proximity switch depends on the response speed of the voltage control circuit 23 to improve the response speed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は物体検知の応答速度を向上させた高周波発振型
の近接スイッチに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of the Invention] The present invention relates to a high frequency oscillation type proximity switch with improved response speed for object detection.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明による近接スイッチは、発振回路のコンダクタン
スを定める抵抗として電圧制御抵抗回路を接続し、発振
回路の検波出力を反転増幅して電圧制御抵抗回路を制御
することによって物体の位置にかかわらず発振回路の振
幅をほぼ一定に保つと共に、電圧制御回路の制御信号に
基づいて物体を検知するようにして物体検知の応答速度
を向上させるようにしたものである。
The proximity switch according to the present invention connects a voltage-controlled resistance circuit as a resistor that determines the conductance of the oscillation circuit, inverts and amplifies the detection output of the oscillation circuit, and controls the voltage-controlled resistance circuit, thereby creating an oscillation circuit regardless of the position of the object. The amplitude of the voltage control circuit is kept almost constant, and the object is detected based on the control signal of the voltage control circuit, thereby improving the response speed of object detection.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

(従来技術) 従来高周波発振型の近接スイッチには例えば第9図に示
すような発振回路が用いられている。この発振回路はコ
イルLとコンデンサC1から成る共振回路にトランジス
タ1,2から成る電流ミラー回路3の一方のトランジス
タ1のコレクタが接続される。トランジスタ1,2のエ
ミッタには夫々同一の抵抗値を有するエミッタ抵抗R1
,R2が電源端に接続されている。又共振回路には更に
電源端より抵抗R3,ダイオード4.5と抵抗R4が接
続される。トランジスタ2のコレクタはトランジスタ1
.2のベースに接続され、又トランジスタ6と抵抗R5
を介して接地されている。抵抗R3とダイオード4の接
続点にはトランジスタ7のベースが接続される。トラン
ジスタ7はエミッタフォロワ型のトランジスタであって
、エミッタ抵抗R6がトランジスタ6のベースに与えら
れる。そしてトランジスタ7のエミッタからの発振出力
がエミッタフォロワ接続されたトランジスタ8を介して
取出されて整流され、その出力が比較器9及び出力回路
10に与えられる。
(Prior Art) Conventionally, a high frequency oscillation type proximity switch uses an oscillation circuit as shown in FIG. 9, for example. In this oscillation circuit, the collector of one transistor 1 of a current mirror circuit 3 consisting of transistors 1 and 2 is connected to a resonant circuit consisting of a coil L and a capacitor C1. The emitters of transistors 1 and 2 each have an emitter resistor R1 having the same resistance value.
, R2 are connected to the power supply terminal. Further, a resistor R3, a diode 4.5, and a resistor R4 are further connected to the resonant circuit from the power source end. The collector of transistor 2 is transistor 1
.. 2 and is also connected to the base of transistor 6 and resistor R5.
is grounded through. The base of the transistor 7 is connected to the connection point between the resistor R3 and the diode 4. Transistor 7 is an emitter follower type transistor, and emitter resistor R6 is provided to the base of transistor 6. The oscillation output from the emitter of the transistor 7 is taken out via the emitter follower-connected transistor 8 and rectified, and the output is given to the comparator 9 and the output circuit 10.

このような従来の高周波発振型近接スイッチにおいて、
共振回路に流れる電流はトランジスタ7によって電圧に
変換されエミッタフォロワ出力がトランジスタ6に帰還
される。従ってトランジスタ6を流れる電流が電流ミラ
ー回路3を介して共振回路に正帰還されて発振を継続し
ている。そして第10.11図に示すように共振回路の
コイルしに物体が近接すると共振回路のコンダクタンス
g8が大きくなり(ga=gs、)、物体がなくなれば
共振回路のコンダクタンスg、が小さくなるCg−=g
s□)。この共振回路のコンダクタンスg3の変化が抵
抗R5の逆数で定まる発振回路の負性コンダクタンスg
xoより大きくなれば発振を停止し、このコンダクタン
スgxoより小さくなれば発振するためその発振の有無
によって物体の近接を検出することができる。
In such conventional high frequency oscillation type proximity switches,
The current flowing through the resonant circuit is converted into a voltage by transistor 7, and the emitter follower output is fed back to transistor 6. Therefore, the current flowing through the transistor 6 is positively fed back to the resonant circuit via the current mirror circuit 3 to continue oscillation. As shown in Figure 10.11, when an object approaches the coil of a resonant circuit, the conductance g8 of the resonant circuit increases (ga=gs,), and when the object disappears, the conductance g of the resonant circuit decreases Cg- =g
s□). The change in the conductance g3 of this resonant circuit is determined by the reciprocal of the resistance R5, which is the negative conductance g of the oscillation circuit.
When the conductance becomes larger than xo, the oscillation is stopped, and when the conductance becomes smaller than the conductance gxo, the oscillation starts. Therefore, the proximity of an object can be detected based on the presence or absence of the oscillation.

(発明が解決しようとする問題点) このような従来の近接スイッチにおいて、第11図に示
すように物体が近接すれば発振が停止し物体が遠ざかれ
ば発振が再開される。従って近接スイッチの応答速度は
発振の開始速度と停止速度との合計時間であると考える
ことができる。一般的に発振回路は発振の立上り(開始
)速度が非常に遅く停止速度は比較的速い。そのため近
接スイッチの応答速度が発振開始速度によって制限され
るという問題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) In such a conventional proximity switch, as shown in FIG. 11, oscillation stops when an object approaches, and oscillation resumes when the object moves away. Therefore, the response speed of the proximity switch can be considered to be the total time of the oscillation start speed and oscillation stop speed. Generally, an oscillation circuit has a very slow oscillation rise (start) speed and a relatively fast oscillation stop speed. Therefore, there is a problem in that the response speed of the proximity switch is limited by the oscillation start speed.

そこで例えば実開昭59−145742号等において発
振出力の振幅を所定レベルで弁別し、発振出力が低下す
れば振幅調整用のスイッチング回路を動作させて発振を
継続するようにした発振回路が提案されている。このよ
うな発振回路では物体が近接したときに発振を継続させ
ることができるが、スイッチング動作によって共振回路
の発振状態制御抵抗の抵抗値を切換えているため一定の
振幅で発振を継続させることができなかった。そして比
較的レベルが小さい発振状態から発振を立上らせるため
には所定の時間がかかり、応答速度があまり速くならな
いことがあるという問題点があった。
Therefore, for example, in Utility Model Application Publication No. 59-145742, an oscillation circuit was proposed in which the amplitude of the oscillation output is discriminated at a predetermined level, and if the oscillation output decreases, a switching circuit for adjusting the amplitude is operated to continue oscillation. ing. This kind of oscillation circuit can continue oscillating when an object approaches, but since the resistance value of the oscillation state control resistor of the resonant circuit is changed by a switching operation, it is not possible to continue oscillating with a constant amplitude. There wasn't. Furthermore, there is a problem in that it takes a certain amount of time to start up oscillation from an oscillation state where the level is relatively low, and the response speed may not be very fast.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明はこのよう”な従来の高周波発振型近接スイッチ
の問題点に鑑みてなされたものであって、物体の位置に
かかわらず発振レベルを一定とし応答速度を振幅の立上
り速度とは無関係に定めるようにすることを技術的課題
とする。
The present invention has been made in view of the problems of conventional high-frequency oscillation type proximity switches, and the oscillation level is constant regardless of the position of the object, and the response speed is determined regardless of the rise speed of the amplitude. The technical challenge is to do so.

〔発明の構成と効果〕[Structure and effects of the invention]

(構成) 本発明は発振回路と、発振状態の変化により物体を検知
する検知回路を有する高周波発振型近接スイッチであっ
て、第1図に示すように、発振回路のコンダクタンスを
制御する抵抗として接続された電圧制御抵抗回路(25
)と、発振回路の検波出力を反転増幅してその増幅出力
を制御信号として電圧制御抵抗回路(25)に与える電
圧制御回路(23)と、電圧制御回路(23)の制御信
号を所定の閾値レベルと比較する比較回路(9)と、比
較回路(9)の比較出力によって物体検知信号を出す出
力回路(10)と、を有することを特徴とするものであ
る。
(Structure) The present invention is a high frequency oscillation type proximity switch that has an oscillation circuit and a detection circuit that detects an object by a change in the oscillation state, and as shown in FIG. 1, the switch is connected as a resistor to control the conductance of the oscillation circuit. voltage controlled resistance circuit (25
), a voltage control circuit (23) that inverts and amplifies the detected output of the oscillation circuit and supplies the amplified output as a control signal to the voltage control resistance circuit (25), and a voltage control circuit (23) that controls the control signal of the voltage control circuit (23) to a predetermined threshold value. The device is characterized in that it has a comparison circuit (9) for comparing with the level, and an output circuit (10) for outputting an object detection signal based on the comparison output of the comparison circuit (9).

(作用) このような特徴を有する本発明によれば、物体が近接し
共振回路のコンダクタンスが大きくなれば発振出力が低
下し、それに基づいて電圧制御抵抗回路(25)のコン
ダクタンスがそれに゛追従して増加するため、物体の位
置にかかわらず発振回路の振幅は常にほぼ一定になるよ
うに自動的に制御される。そしてこの制御電圧が物体の
位置に基づいて変化するため制御電圧を比較回路(9)
に与えることによって近接する物体を検出するようにし
ている。
(Function) According to the present invention having such characteristics, when an object approaches and the conductance of the resonant circuit increases, the oscillation output decreases, and based on this, the conductance of the voltage controlled resistance circuit (25) follows it. Therefore, the amplitude of the oscillation circuit is automatically controlled so that it always remains approximately constant regardless of the position of the object. Since this control voltage changes based on the position of the object, a comparison circuit (9)
Detects nearby objects by applying

(効果) そのため本発明によれば、物体の位置にかかわらず発振
回路の振幅はほとんど変化せずほぼ一定に保たれ、制御
電圧の変化によって物体を検知することができる。そし
て物体検出の応答速度は発振の振幅の変化にかかわらず
増幅回路の制御電圧によって定まる。通常制御回路の応
答速度は発振振幅の変化よりも十分に速いので、発振振
幅の変化によって物体の近接を検知する従来の近接スイ
ッチに比べて十分速い応答速度を得ることができる。
(Effects) Therefore, according to the present invention, the amplitude of the oscillation circuit hardly changes and is kept almost constant regardless of the position of the object, and the object can be detected by changing the control voltage. The response speed of object detection is determined by the control voltage of the amplifier circuit, regardless of changes in the amplitude of oscillation. Since the response speed of the control circuit is usually sufficiently faster than the change in the oscillation amplitude, it is possible to obtain a response speed sufficiently faster than in a conventional proximity switch that detects the proximity of an object based on the change in the oscillation amplitude.

〔実施例の説明〕[Explanation of Examples]

(実施例の構成) 第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。 (Configuration of Example) FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

本図において従来例と同一部分は同一符号を付している
。本実施例においても発振コイルLとコンデンサC1か
ら成る共振回路にトランジスタ1゜2から成る電流ミラ
ー回路3を接続し、その発振出力をエミッタフォロワ型
に接続されたトランジスタ7で電圧信号に変換し、更に
トランジスタ6のベースに与えてそのコレクタ電流によ
って電流ミラー回路3を介して共振回路に正帰還してい
る。
In this figure, the same parts as in the conventional example are given the same reference numerals. In this embodiment as well, a current mirror circuit 3 consisting of a transistor 1.2 is connected to a resonant circuit consisting of an oscillation coil L and a capacitor C1, and the oscillation output is converted into a voltage signal by a transistor 7 connected in an emitter follower type. Further, the current is applied to the base of the transistor 6, and its collector current is positively fed back to the resonant circuit via the current mirror circuit 3.

さ°ζζ本実側例はトランジスタ8のエミッタ抵抗R7
,R8の中点に増幅率αの加減算増幅器21の非反転入
力端を接続する。加減算増幅器21の反転入力端子には
基準電圧E。が与えられている。そして加減算増幅器2
1の出力は加減算増幅器22の反転入力端子に与えられ
る。加減算増幅器22の非反転入力端子には基準電圧E
1が与えられ、増幅器21.22によって電圧制御回路
23が構成されている。電圧制御回路23の出力電圧V
Gは電圧制御素子、例えば電界効果型トランジスタ(以
下FETという)24のゲート端子に与えられる。FE
T24には抵抗R9が直列に接続されており、抵抗R9
及びFET24の直列接続体がトランジスタ6のエミッ
タ抵抗として接続されて電圧制御抵抗回路25を形成し
ている。そして電圧制御回路23の出力が比較器9に与
えられ所定レベルの電圧信号が弁別されて出力回路IO
に与えられる。出力回路10はこの出力を増幅して外部
にスイッチ出力として与えるものである。
In this actual example, the emitter resistor R7 of transistor 8
, R8 is connected to the non-inverting input terminal of an adding/subtracting amplifier 21 having an amplification factor α. A reference voltage E is applied to the inverting input terminal of the adding/subtracting amplifier 21. is given. and addition/subtraction amplifier 2
The output of 1 is applied to the inverting input terminal of the addition/subtraction amplifier 22. A reference voltage E is applied to the non-inverting input terminal of the adding/subtracting amplifier 22.
1 is given, and a voltage control circuit 23 is configured by amplifiers 21 and 22. Output voltage V of voltage control circuit 23
G is applied to the gate terminal of a voltage control element, for example, a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) 24. FE
A resistor R9 is connected in series to T24.
A series connection body of FET 24 and FET 24 is connected as an emitter resistance of transistor 6 to form a voltage controlled resistance circuit 25. Then, the output of the voltage control circuit 23 is given to the comparator 9, and a voltage signal of a predetermined level is discriminated and the output circuit IO
given to. The output circuit 10 amplifies this output and provides it to the outside as a switch output.

(動作) 次に本実施例の動作について説明する。この発振回路を
動作させると共振回路に流れる電流がトランジスタ7に
よって電圧信号に変換され、その電圧信号がトランジス
タ6のエミッタフォロワを介して電流ミラー回路3の一
方のトランジスタ2に流れ、その電流と同一の電流がト
ランジスタ1より共振回路に帰還されて発振が開始され
る。そしてトランジスタ8のエミッタ抵抗R7,R8の
中点の電圧がコンデンサC2によって平滑され、検波電
圧Vdとして電圧制御回路23に与えられる。第2図は
この検波電圧Vdに対する電圧制御回路23の出力制御
電圧V6を示す特性曲線であって、制御電圧VGは加減
算増幅器21.22の入出力電圧より次式で与えられる
(Operation) Next, the operation of this embodiment will be explained. When this oscillator circuit is operated, the current flowing through the resonant circuit is converted into a voltage signal by the transistor 7, and that voltage signal flows through the emitter follower of the transistor 6 to one transistor 2 of the current mirror circuit 3, and the current is the same as that current. The current is fed back from transistor 1 to the resonant circuit, and oscillation is started. Then, the voltage at the midpoint of the emitter resistors R7 and R8 of the transistor 8 is smoothed by the capacitor C2 and provided to the voltage control circuit 23 as the detected voltage Vd. FIG. 2 is a characteristic curve showing the output control voltage V6 of the voltage control circuit 23 with respect to the detected voltage Vd, and the control voltage VG is given by the following equation from the input and output voltages of the addition/subtraction amplifiers 21 and 22.

Vc”’El   (r(Vd  Eo)従って検波電
圧Vdに対して制御電圧vGは直線的に変化しこの制御
電圧によってFET24の抵抗値が定まる。従ってFE
T24の検波電圧Vdにより定まる抵抗RFITと抵抗
R9との合成抵抗によって電圧制御抵抗回路25の抵抗
値Rxが第3図に示すように変化することとなる。そし
てこの電圧の逆数が第4図に示すように電圧制御抵抗回
路25のコンダクタンスgxとなる。このように検波電
圧Vdに応じて電圧制御抵抗回路25の抵抗値Rxと発
振回路のコンダクタンスgxが連続的に変化する。
Vc"'El (r(Vd Eo) Therefore, the control voltage vG changes linearly with respect to the detection voltage Vd, and the resistance value of the FET 24 is determined by this control voltage. Therefore, the FE
The resistance value Rx of the voltage controlled resistance circuit 25 changes as shown in FIG. 3 due to the combined resistance of the resistor RFIT and the resistor R9 determined by the detected voltage Vd of T24. The reciprocal of this voltage becomes the conductance gx of the voltage controlled resistance circuit 25, as shown in FIG. In this way, the resistance value Rx of the voltage control resistance circuit 25 and the conductance gx of the oscillation circuit continuously change according to the detected voltage Vd.

一方検出コイルしに物体が近接すると渦電流損が生じる
ため共振回路の損失抵抗が増加し、共振回路のコンダク
タンスg3は近接スイッチから物体までの距離lに対し
て第5図に示すように大きくなる。従って物体が近接ス
イッチに近い距、?1III及びほぼ無限大の距離12
にある場合には、共振回路のコンダクタンスgaは第5
図及び第6図(a)に示すようにga+とg3□のよう
に変化する。物体が距離I12にある状態から近接スイ
ッチに近づくと、第6図(blに示すように発振回路の
振幅■1がやや低下しそれに伴って検波電圧Vdも低下
するが、第2図に示すように検波電圧Vdの低下によっ
て制御電圧■、は大幅に増加する。従って発振回路のコ
ンダクタンスgx も第4図及び第6図telに示すよ
うに同様にgxzからgx+に増加する。そのため物体
の位置にかかわらず発振回路の振幅は第6図(bl及び
第7図に示すようにほぼ一定となり、距離に対応して電
圧制御回路23の制御電圧■6は第8図に示すように変
化する。従ってこの制御電圧のレベルに基づいて物体の
近接を検知することができる。第6図(d)は制御電圧
の出力レベルに対応して定められた比較器9の閾値レベ
ルVrefを示す図である。制御電圧■6がこの閾値レ
ベルVrefを越えれば出力回路10より物体検知出力
が出力される。
On the other hand, when an object approaches the detection coil, eddy current loss occurs, which increases the loss resistance of the resonant circuit, and the conductance g3 of the resonant circuit increases as shown in Figure 5 with respect to the distance l from the proximity switch to the object. . Therefore, the distance at which the object is close to the proximity switch, ? 1III and nearly infinite distance 12
, the conductance ga of the resonant circuit is the fifth
As shown in the figure and FIG. 6(a), it changes like ga+ and g3□. When the object approaches the proximity switch from a distance I12, the amplitude 1 of the oscillation circuit decreases slightly as shown in FIG. 6 (bl), and the detection voltage Vd also decreases accordingly, but as shown in FIG. As the detection voltage Vd decreases, the control voltage (2) increases significantly.Therefore, the conductance gx of the oscillation circuit also increases from gxz to gx+ as shown in Figures 4 and 6. Regardless, the amplitude of the oscillation circuit remains almost constant as shown in FIG. 6 (bl) and FIG. 7, and the control voltage 6 of the voltage control circuit 23 changes as shown in FIG. The proximity of an object can be detected based on the level of this control voltage. Fig. 6(d) is a diagram showing the threshold level Vref of the comparator 9 determined in correspondence to the output level of the control voltage. If the control voltage (6) exceeds this threshold level Vref, the output circuit 10 outputs an object detection output.

こうすれば近接スイッチの応答速度は発振回路の振幅値
をそのまま検波して比較することなく制御電圧に基づい
て検知しているので、電圧制御回路23の応答速度によ
って近接スイッチの応答速度が定まる。そのため従来の
近接スイッチに比べて物体検知の時間遅れがほとんどな
く速い応答速度を有する近接スイッチとすることができ
る。
In this way, the response speed of the proximity switch is detected based on the control voltage without directly detecting and comparing the amplitude value of the oscillation circuit, so the response speed of the proximity switch is determined by the response speed of the voltage control circuit 23. Therefore, compared to conventional proximity switches, it is possible to provide a proximity switch with almost no time delay in object detection and a faster response speed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例による高周波発振型近接スイ
ッチの回路図、第2図は検波電圧Vdに対する電圧制御
回路の制御電圧■6の特性を示すグラフ、第3図は検波
電圧Vdに対する電圧制御抵抗回路の合成抵抗を示すグ
ラフ、第4図は検波電圧Vdに対する電圧制御抵抗回路
の合成コンダクタンス(発振回路のコンダクタンス)g
Xを示すグラフ、第5図は近接スイッチから物体までの
距離βに対する共振回路のコンダクタンスgaを示すグ
ラフ、第6図(al〜telは物体の位置に対する共振
回路のコンダクタンスg□と発振回路のコンダクタンス
gx及び各部の波形を示すタイムチャートであり、第7
図は近接スイッチから物体までの距離lに対する発振回
路の振幅■、を示すグラフ、第8図は距離lに対する電
圧制御回路の制御電圧Vcを示すグラフ、第9図は従来
の高周波発振型近接スイッチの一例を示す回路図、第1
0図は従来の近接スイッチの物体の距離に対する発振振
幅の変化を示すグラフ、第11図は従来の近接スイッチ
の物体の位置に対する共振回路のコンダクタンスg、と
発振回路のコンダクタンスgxoの変化及び発振振幅の
変化を示すグラフである。 L−・−・・コイル  1,2.6〜8−−−−−−−
 トランジスタ  3−−−−−一電流ミラー回路  
9−・・−比較器i’ o−−−−−−一出力回路  
21.22−・−一一一一加減算増幅器  23−−−
−−一電圧制御回路  24−−−−− F E T2
5−−−−−一電圧制御抵抗回路 特許出願人   立石電機株式会社 代理人 弁理士 岡本宜喜(他1名) 第3図Rx(n) t 第5図 第7図 第8図 第6図 第9図 第10図 1i11図
FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency oscillation type proximity switch according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing the characteristics of the control voltage 6 of the voltage control circuit with respect to the detected voltage Vd, and FIG. 3 is a graph showing the characteristics of the control voltage 6 of the voltage control circuit with respect to the detected voltage Vd. A graph showing the combined resistance of the voltage controlled resistance circuit, Figure 4 shows the combined conductance of the voltage controlled resistance circuit (conductance of the oscillation circuit) g with respect to the detected voltage Vd.
Graph showing X, Figure 5 is a graph showing the conductance ga of the resonant circuit with respect to the distance β from the proximity switch to the object, Figure 6 (al to tel are the conductance g of the resonant circuit and the conductance of the oscillation circuit with respect to the position of the object) This is a time chart showing waveforms of gx and each part, and the seventh
The figure is a graph showing the amplitude of the oscillation circuit versus the distance l from the proximity switch to the object, Figure 8 is a graph showing the control voltage Vc of the voltage control circuit versus the distance l, and Figure 9 is a graph of the conventional high frequency oscillation type proximity switch. Circuit diagram showing an example of
Figure 0 is a graph showing the change in oscillation amplitude with respect to the object distance of a conventional proximity switch, and Figure 11 is a graph showing the change in the conductance g of the resonant circuit and the conductance gxo of the oscillation circuit and the oscillation amplitude with respect to the position of the object in the conventional proximity switch. It is a graph showing changes in. L-... Coil 1, 2.6-8------
Transistor 3-----One current mirror circuit
9-...-Comparator i' o-----One output circuit
21.22--1111 addition/subtraction amplifier 23--
---Voltage control circuit 24-----F E T2
5-----Voltage controlled resistance circuit Patent applicant Tateishi Electric Co., Ltd. Agent Patent attorney Yoshiki Okamoto (and one other person) Figure 3 Rx(n) t Figure 5 Figure 7 Figure 8 Figure 6 Figure 9 Figure 10 Figure 1i Figure 11

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)発振回路と、発振状態の変化により物体を検知す
る検知回路を有する高周波発振型近接スイッチであって
、 前記発振回路のコンダクタンスを制御する抵抗として接
続された電圧制御抵抗回路と、 前記発振回路の検波出力を反転増幅してその増幅出力を
制御信号として前記電圧制御抵抗回路に与える電圧制御
回路と、 前記電圧制御回路の制御信号を所定の閾値レベルと比較
する比較回路と、 前記比較回路の比較出力によって物体検知信号を出す出
力回路と、を有することを特徴とする高周波発振型近接
スイッチ。
(1) A high frequency oscillation type proximity switch having an oscillation circuit and a detection circuit that detects an object based on a change in the oscillation state, the voltage controlled resistance circuit being connected as a resistor to control the conductance of the oscillation circuit, and the oscillation circuit. a voltage control circuit that inverts and amplifies the detection output of the circuit and supplies the amplified output as a control signal to the voltage control resistance circuit; a comparison circuit that compares the control signal of the voltage control circuit with a predetermined threshold level; and the comparison circuit. A high frequency oscillation type proximity switch characterized by having an output circuit that outputs an object detection signal based on a comparison output of.
(2)前記電圧制御抵抗回路は、電界効果型トランジス
タを有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の高周波発振型近接スイッチ。
(2) The high frequency oscillation type proximity switch according to claim 1, wherein the voltage controlled resistance circuit includes a field effect transistor.
JP10512786A 1986-05-07 1986-05-07 High frequency oscillation type proximity switch Pending JPS62261223A (en)

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