JPH08102509A - Hybrid microwave integrated circuit - Google Patents

Hybrid microwave integrated circuit

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JPH08102509A
JPH08102509A JP23655694A JP23655694A JPH08102509A JP H08102509 A JPH08102509 A JP H08102509A JP 23655694 A JP23655694 A JP 23655694A JP 23655694 A JP23655694 A JP 23655694A JP H08102509 A JPH08102509 A JP H08102509A
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dielectric substrate
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microwave integrated
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dielectric
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Abstract

PURPOSE: To obtain a hybrid microwave integrated circuit employing a multilayer dielectric board in which the characteristics and reliability are enhanced by separating the electric shield from the hermetic seal structure required for ensuring the reliability of semiconductor element. CONSTITUTION: Electric shield of conventional structure is provided by making a hole in a dielectric for signal transmission above the intermediate layer, mounting a semiconductor element therein, and covering the ground face of the removed upper face with a conductor plate 13. Hermetic seal structure covers the electrically sealed part from above by welding a metal cap 15 to the base plate to form a seal ring, for example.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波集積回路に関
し、特に誘電体多層基板を用いた複数の半導体チップを
搭載したマイクロ波通信機器などに使用される複合マイ
クロ波集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave integrated circuit, and more particularly to a composite microwave integrated circuit used for a microwave communication device equipped with a plurality of semiconductor chips using a dielectric multilayer substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の誘電体基板を用いたマイクロ波集
積回路の全体を図4に示す。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows an entire microwave integrated circuit using a conventional dielectric substrate.

【0003】本図において、多層に重ね合わせたセラミ
ック等の積層多層誘電体基板(SUB)1は金属のベー
スプレート2に溶接されている。ベースプレート2は、
シールド強化のためだけではなく放熱特性の改善、機械
的強度の役割もかねている。
In FIG. 1, a multilayer multilayer dielectric substrate (SUB) 1 made of ceramic or the like superposed in multiple layers is welded to a metal base plate 2. The base plate 2
Not only for strengthening the shield, but also for improving the heat dissipation characteristics and playing a role of mechanical strength.

【0004】このSUB1の中にモノリシックマイクロ
波集積回路(MMIC),IC,トランジスタ,ダイオ
ードなどの能動機素子により構成した電圧制御発振器
(VCO)3,増幅器(AMP)4,プリスケーラ(P
SC)5,ミキサー(MIX)6,可変減衰器(AT
T)7,電力増幅器(PA)8,検波器(DET)9等
の能動回路と、ストリップライン,マイクロストリップ
ライン,コプレーナ線路などのパターンにより形成され
た方向性結合器(DC)10,バンドパスフィルタ(B
PF)11,ローパスフィルタ(LPF)12などの受
動回路が収容されて、互いに電気的に接続され、能動回
路部分は導体蓋(CAP)13によりシールドされてい
る。
A voltage controlled oscillator (VCO) 3, an amplifier (AMP) 4, a prescaler (P) composed of active machine elements such as a monolithic microwave integrated circuit (MMIC), an IC, a transistor, and a diode in the SUB1.
SC) 5, mixer (MIX) 6, variable attenuator (AT)
T) 7, a power amplifier (PA) 8, an active circuit such as a detector (DET) 9, a directional coupler (DC) 10 formed by a pattern such as a strip line, a micro strip line, a coplanar line, and a band pass. Filter (B
Passive circuits such as a PF) 11 and a low-pass filter (LPF) 12 are accommodated and electrically connected to each other, and an active circuit portion is shielded by a conductor lid (CAP) 13.

【0005】また、外部との接続端子は裏面に設けられ
た凹部に接続用のコンタクトが形成されており、バネで
圧力を与えられた専用の接続ピンをもつ接続器を介して
外部と接続されている。
[0005] Further, the connection terminal with the outside has a contact for connection formed in a concave portion provided on the back surface, and is connected to the outside via a connector having a dedicated connection pin which is pressurized by a spring. ing.

【0006】次に、本構造の電気的接続に関しては、誘
電体基板1は上層と下層にグランド面が形成されてお
り、中層部に、信号伝送のための導体層からなる信号回
路が形成され、信号回路に沿って二つのグランド面を互
いに短絡するスルーホールとビアホールによりこの信号
回路を取り囲んでシールドが形成されている。この中
に、能動機能素子や受動素子が電気的に接続され、一体
化されている。この従来の誘電体多層基板を用いたマイ
クロ波集積回路は、例えば平成5年特許願第26921
7号に記載されている。以上説明した構造において、信
号伝送のための中層より上の誘電体を切削して穴を形成
し、MMIC等の半導体素子を実装し、除去された上面
のグランド面を導体板13によって覆い(キャビティ構
造)、電気的なシールドをとる構造になっている。この
キャビティ構造が直方体形状の場合に、キャビティ内の
信号伝搬方向に対して直交する方向におけるキャビティ
の幅(W)は、使用周波数f0 の波長をλ0 とするとキ
ャビティ内伝搬の導波管モードを抑圧するためW<2λ
0 としなくてはならない。この大きさの制限のため複合
マイクロ波集積回路の様に多くの機能素子を実装するた
めには素子毎にキャビティを分離し、多くのキャビティ
が必要となる。
Next, with regard to the electrical connection of the present structure, the dielectric substrate 1 has a ground plane formed in an upper layer and a lower layer, and a signal circuit composed of a conductor layer for signal transmission is formed in an intermediate layer. A shield is formed around the signal circuit by a through hole and a via hole that short-circuit two ground planes along the signal circuit. In this, active functional elements and passive elements are electrically connected and integrated. This conventional microwave integrated circuit using a dielectric multilayer substrate is disclosed in, for example, 1993 Patent Application No. 26921.
No. 7. In the structure described above, a dielectric material above the middle layer for signal transmission is cut to form a hole, a semiconductor element such as MMIC is mounted, and the removed ground surface of the upper surface is covered with a conductor plate 13 (cavity). Structure), it has a structure that takes an electrical shield. When the cavity structure has a rectangular parallelepiped shape, the width (W) of the cavity in the direction orthogonal to the signal propagation direction in the cavity is defined as the waveguide mode of propagation in the cavity when the wavelength of the used frequency f 0 is λ 0. W <2λ to suppress
Must be 0 . Due to this size limitation, in order to mount many functional elements such as a composite microwave integrated circuit, the cavities must be separated for each element and many cavities are required.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の構
造の場合、電気的なシールドと半導体の信頼度を確保す
るための気密封止構造を同時にこの導体板による封止に
よってとっているため、導体板による封止の条件は電気
的に必要なシールド条件より厳しい気密封止条件をみた
す様に行う必要がある。このためキャビティの数が多い
複合マイクロ波集積回路では誘電体多層基板の上に溶接
等の封止方法がとり難く、気密封止性の悪いロウ付けに
しなければならないことも相侯って、複合マイクロ波集
積回路の製造上の歩留り低下の原因となっていた。
However, in the case of this conventional structure, an electric shield and a hermetic sealing structure for ensuring the reliability of the semiconductor are simultaneously obtained by sealing with this conductor plate. It is necessary to perform the sealing with the conductive plate so as to satisfy the hermetic sealing condition which is stricter than the electrically necessary shielding condition. Therefore, in the case of a composite microwave integrated circuit with a large number of cavities, it is difficult to use a sealing method such as welding on the dielectric multi-layer substrate, and it is necessary to use brazing with poor airtightness. This has been a cause of reduction in manufacturing yield of microwave integrated circuits.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は電気的に必要な
シールドと半導体の気密封止を分ける構造としたことを
特徴とする。電気的なシールドは従来構造と同様に信号
伝送のための中層より上の誘電体を切削して穴を形成
し、半導体素子を実装し、除去された上面のグランド面
を導体板によって覆う構造で形成し、気密封止の構造は
ベースプレートに金属キャップを溶接するシールリング
等を形成して電気的シールド部を上から覆う構造として
構成する。
The present invention is characterized in that it has a structure in which a shield that is electrically necessary and a hermetically sealed semiconductor are separated from each other. The electric shield has a structure similar to the conventional structure, in which a hole is formed by cutting the dielectric above the middle layer for signal transmission, a semiconductor element is mounted, and the removed ground plane on the upper surface is covered with a conductor plate. The hermetically sealed structure is formed as a structure in which a seal ring or the like for welding a metal cap is formed on a base plate to cover the electric shield portion from above.

【0009】[0009]

【実施例】本発明の一実施例を図1に示す。本図におい
て従来の技術と変わらない部分については、同一符号を
付してあり、その詳細な説明は省略する。誘電体基板1
において、電気的なシールドをとるため信号伝送のため
の中層より上の誘電体をうがって穴を形成し、MMIC
の半導体素子を内部に実装し、除去された上面のグラン
ド面を導体板13によって覆われている。一方、気密シ
ールドのためには金属キャップ15によってベースプレ
ート2に溶接等の手段によって構成する。この結果、導
体板13は電気的シールドがとれれば良いため、従来の
ように厳しい気密封止条件を満たす必要はなく、導電性
接着剤等を用いて簡単な取り付けで良い。一方、金属キ
ャップ15は、溶接等で完全な気密封止構造をとること
ができる。尚、この際に出力のRFインターフェイス、
また電源インターフェイス等は気密封止が必要なキャビ
ティ面とは反対面の誘電体多層基板を介してベースプレ
ート2の搭載面に引出し、出力を得る構造となってい
る。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In the figure, portions that are the same as those in the related art are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. Dielectric substrate 1
In order to take an electrical shield, a hole is formed in the dielectric above the middle layer for signal transmission.
Is mounted inside, and the ground plane on the removed upper surface is covered with the conductor plate 13. On the other hand, for the airtight shield, the metal cap 15 is formed on the base plate 2 by means such as welding. As a result, since the conductor plate 13 only needs to be electrically shielded, it is not necessary to satisfy strict hermetic sealing conditions as in the related art, and simple attachment using a conductive adhesive or the like is sufficient. On the other hand, the metal cap 15 can have a completely hermetically sealed structure by welding or the like. In this case, the output RF interface,
Further, the power supply interface and the like have a structure in which the power is drawn out to the mounting surface of the base plate 2 via the dielectric multilayer substrate opposite to the cavity surface requiring hermetic sealing to obtain an output.

【0010】即ち、同軸コネクタ16は、ベースプレー
ト2の裏面に取り付けられている。この同軸コネクタの
中心導体はベースプレートと誘電体基板1を介して各高
周波信号と接続される。
That is, the coaxial connector 16 is attached to the back surface of the base plate 2. The center conductor of this coaxial connector is connected to each high-frequency signal via the base plate and the dielectric substrate 1.

【0011】また、コネクタ17は、同様にベースプレ
ート2の裏面に取り付けられ電源もしくは、制御信号と
接続される。
The connector 17 is similarly attached to the back surface of the base plate 2 and is connected to a power supply or a control signal.

【0012】尚、コネクタ17を取り付けることにより
高周波信号のリークが問題となる可能性があるため、高
周波波信号と電源、制御信号とを周波数多重してその多
重化された信号を同軸コネクタ16にて伝送することも
できる。
Since the leak of the high-frequency signal may become a problem due to the attachment of the connector 17, the high-frequency signal, the power supply, and the control signal are frequency-multiplexed and the multiplexed signal is supplied to the coaxial connector 16. Can also be transmitted.

【0013】また、本構造の電気的接続に関しては、従
来の技術と同様に誘電体基板1に上層、下層のグランド
面を形成し、中層部に信号伝送のための導体層からなる
信号回路が形成される。この信号回路に沿って、二つの
グランド面を互いに短絡するスルーホールとビアホール
によってこの信号回路を取り囲むシールドが形成されて
いる。この中に、能動機能素子や受動素子が電気的に接
続され、一体化される構造となっている。
As for the electrical connection of the present structure, the upper and lower ground planes are formed on the dielectric substrate 1 as in the prior art, and a signal circuit comprising a conductor layer for signal transmission is formed in the middle layer. It is formed. Along the signal circuit, a shield surrounding the signal circuit is formed by a through hole and a via hole that short-circuit two ground planes to each other. The active function element and the passive element are electrically connected to each other and integrated.

【0014】以上説明した導体板13は、複数の電気回
路毎に異なる形状をしていたため多数必要としていた
が、本発明によると電磁シールドをとれれば気密封止の
必要性がないため1枚の電磁シールドキャップを用いる
こともできる。
Although the conductor plate 13 described above has a different shape for each of a plurality of electric circuits, a large number of conductor plates are required. An electromagnetic shield cap can also be used.

【0015】図2は、1枚の電磁シールドキャップを用
いる本発明の他の実施例である。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention using one electromagnetic shield cap.

【0016】本図において、誘電体基板1上に1枚の電
磁シールドキャップ18を取り付けて、誘電体基板の上
層のグランド面と接触することにより複数の電気回路の
シールドをとる構成を示している。図3に示すように電
磁シールドキャップ18は、誘電体基板の上層グランド
面と接触するよう図3に示すように接触面側(裏面側)
にシールド板19が取り付けられている。この場合に誘
電体基板1は、従来の構成のごとく各回路毎に異なる形
状の穴をもうけることもできるが、より汎用性をもたせ
るために複数の格子状の穴に各回路を搭載できる。
FIG. 1 shows a configuration in which one electromagnetic shield cap 18 is mounted on a dielectric substrate 1 and a plurality of electric circuits are shielded by making contact with a ground plane on an upper layer of the dielectric substrate. . As shown in FIG. 3, the electromagnetic shield cap 18 is in contact with the upper ground plane of the dielectric substrate, as shown in FIG.
The shield plate 19 is attached to the. In this case, the dielectric substrate 1 can have holes of different shapes for each circuit as in the conventional configuration, but each circuit can be mounted in a plurality of grid-like holes for more versatility.

【0017】本実施例では、一定間隔で並ぶ格子状の穴
にPA8やDET9をSUB1の内部に実装し、部品の
実装の必要のない場合は、その部分は未実装にする。こ
の結果、誘電体基板1を種々の回路に対し汎用的に使用
できる効果を有している。
In the present embodiment, PA8 and DET9 are mounted inside the SUB1 in lattice holes arranged at regular intervals, and if no components need to be mounted, those parts are not mounted. As a result, there is an effect that the dielectric substrate 1 can be generally used for various circuits.

【0018】尚、以上説明した実施例では、誘電体基板
内に複数の高周波回路を搭載する構成を示したが、低周
波回路の場合には、電磁シールドの必要はない。この場
合には、導体板13や電磁シールドキャップ18を用い
ずに、金属キャップ15を用いて、気密シールドをとる
ことで良いのは勿論のことである。
In the embodiment described above, a configuration is shown in which a plurality of high-frequency circuits are mounted in a dielectric substrate. However, in the case of a low-frequency circuit, there is no need for an electromagnetic shield. In this case, it is a matter of course that an airtight shield can be obtained by using the metal cap 15 without using the conductor plate 13 and the electromagnetic shield cap 18.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明により、電気的シールドと気密封
止シールドの方法を分けることにより複合マイクロ波集
積回路の歩留りを向上し、さらに気密封止性を確保でき
ることにより信頼度を高くすることが可能になる。
According to the present invention, the yield of composite microwave integrated circuits can be improved by separating the method of electric shielding and the method of hermetic sealing shield, and the reliability can be increased by ensuring hermetic sealing. Will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例である。FIG. 1 is a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施例である。FIG. 2 is a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の電磁シールドキャップを示す図であ
る。
FIG. 3 is a view showing an electromagnetic shield cap of the present invention.

【図4】従来の発明の複合マイクロ波集積回路の図であ
る。
FIG. 4 is a diagram of a composite microwave integrated circuit according to a conventional invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 積層多層誘電体基板 2 ベースプレート 3 電圧制御発振器(VCO) 4 増幅器(AMP) 5 プリスケーラ(PSC) 6 ミキサー(MIX) 7 可変減衰器(ATT) 8 電力増幅器(PA) 9 検波器(DET) 10 方向性結合器(DC) 11 バンドパスフィルタ(BPF) 12 ローパスフィルタ(LPF) 13 導体蓋(CAP) 14 キャビティ部 15 金属キャップ 16 RFコネクタ 17 電源コネクタ 18 電磁シールドキャップ 19 シールド板 Reference Signs List 1 laminated multilayer dielectric substrate 2 base plate 3 voltage controlled oscillator (VCO) 4 amplifier (AMP) 5 prescaler (PSC) 6 mixer (MIX) 7 variable attenuator (ATT) 8 power amplifier (PA) 9 detector (DET) 10 Directional coupler (DC) 11 Band pass filter (BPF) 12 Low pass filter (LPF) 13 Conductor cover (CAP) 14 Cavity part 15 Metal cap 16 RF connector 17 Power connector 18 Electromagnetic shield cap 19 Shield plate

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多層に重ね合わせた誘電体基板内に複数
の高周波回路を搭載した複合マイクロ波集積回路におい
て、前記誘電体基板と溶接され前記誘電体基板を固定す
る金属性のベースプレートと、 前記誘電体基板の2つの層に導体層によるグランド面を
上層と下層に形成し、前記上層と下層の間の中間部より
上の誘電体を切削して得られた複数の穴と、 前記複数の穴毎に前記高周波回路を搭載した前記誘電体
基板の上層のグランド面を覆う導体板と、 前記ベースプレートと接続され、前記誘電体基板全体を
覆う金属キャップとを具備することを特徴とする複合マ
イクロ波集積回路。
1. A composite microwave integrated circuit in which a plurality of high-frequency circuits are mounted on a multi-layered dielectric substrate, a metallic base plate welded to the dielectric substrate and fixing the dielectric substrate; A plurality of holes obtained by forming a ground plane by a conductor layer on the two layers of the dielectric substrate in an upper layer and a lower layer, and cutting a dielectric above an intermediate portion between the upper layer and the lower layer; A composite micro-computer comprising: a conductor plate covering an upper layer ground surface of the dielectric substrate on which the high-frequency circuit is mounted for each hole; and a metal cap connected to the base plate and covering the entire dielectric substrate. Wave integrated circuit.
【請求項2】 多層に重ね合わせた誘電体基板内に複数
の高周波回路を搭載した複合マイクロ波集積回路におい
て、 前記誘電体基板と溶接され前記誘電体基板を固定する金
属性のベースプレートと、 前記誘電体基板の2つの層に導体層によるグランド面を
上層と下層に形成し、前記上層と下層の間の中間部より
上の誘電体を切削して得られた複数の穴と、 前記複数の穴に前記高周波回路を搭載した誘電体基板の
上層のグランド面と接続し、誘電体基板全体を覆う電磁
シールドキャップと、 前記ベースプレートと接続され、前記誘電体基板全体を
覆う金属キャップとを具備することを特徴とする複合マ
イクロ波集積回路。
2. A composite microwave integrated circuit in which a plurality of high-frequency circuits are mounted in dielectric substrates laminated in multiple layers, wherein a metallic base plate is welded to the dielectric substrate to fix the dielectric substrate, A plurality of holes obtained by forming ground planes of conductor layers on two layers of the dielectric substrate in an upper layer and a lower layer, and cutting the dielectric above an intermediate portion between the upper layer and the lower layer; An electromagnetic shield cap, which is connected to the upper ground plane of the dielectric substrate having the high-frequency circuit mounted in the hole and covers the entire dielectric substrate, and a metal cap, which is connected to the base plate and covers the entire dielectric substrate, are provided. A composite microwave integrated circuit characterized in that
【請求項3】 前記金属キャップは、前記ベースプレー
トと溶接されて気密封止されることを特徴とする請求項
1又は2記載の複合マイクロ波集積回路。
3. The composite microwave integrated circuit according to claim 1, wherein said metal cap is welded to said base plate and hermetically sealed.
【請求項4】 前記ベースプレートは、前記誘電体基板
取り付け面と反対面において、前記高周波回路と接続す
るためのコネクタを取り付けたことを特徴とする請求項
1又は2記載の複合マイクロ波集積回路。
4. The composite microwave integrated circuit according to claim 1, wherein a connector for connecting to the high-frequency circuit is mounted on a surface of the base plate opposite to a surface on which the dielectric substrate is mounted.
【請求項5】 前記導体板と前記電磁シールドキャップ
は、前記上層のグランド面と導電性接着剤を用いて取り
付けられることを特徴とする請求項1及び2記載の複合
マイクロ波集積回路。
5. The composite microwave integrated circuit according to claim 1, wherein the conductor plate and the electromagnetic shield cap are attached to the ground plane of the upper layer by using a conductive adhesive.
【請求項6】 前記導体板と電磁シールドキャップは、
誘電体基板内に搭載される回路が低周波回路の場合に取
り付けないことを特徴とする請求項1記載の複合マイク
ロ波集積回路。
6. The conductor plate and the electromagnetic shield cap are
2. The composite microwave integrated circuit according to claim 1, wherein the circuit mounted in the dielectric substrate is not attached when the circuit is a low-frequency circuit.
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