JPH08102399A - 励起原子線源 - Google Patents
励起原子線源Info
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- JPH08102399A JPH08102399A JP23674494A JP23674494A JPH08102399A JP H08102399 A JPH08102399 A JP H08102399A JP 23674494 A JP23674494 A JP 23674494A JP 23674494 A JP23674494 A JP 23674494A JP H08102399 A JPH08102399 A JP H08102399A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速の励起原子線を生成する。
【構成】 絶縁物でできたガスノズル１２とスキマー１
３の間にマイクロ波プラズマを発生させることにより、
プラズマ中の高速中性及び励起原子がスキマーを通過し
たのち超音速の励起原子線を得ることができる。
３の間にマイクロ波プラズマを発生させることにより、
プラズマ中の高速中性及び励起原子がスキマーを通過し
たのち超音速の励起原子線を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体への不純物ドーピ
ングに用いる励起原子線源に関する。
ングに用いる励起原子線源に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に、従来の励起原子線源（ＯＸＦＯ
ＲＤ ＡＰＰＬＩＥＤ ＲＥＳＥＡＲＣＨ製 ラジカル
ビーム源）について説明する。
ＲＤ ＡＰＰＬＩＥＤ ＲＥＳＥＡＲＣＨ製 ラジカル
ビーム源）について説明する。
【０００３】図６は従来の励起原子線源であり、ガラス
でできたプラズマ生成室１の周りに高周波コイル２が巻
いてあり、ガス導入管３から窒素ガスを送ると高周波プ
ラズマ４が生成される。プラズマ４中の窒素ラジカルは
ビーム引き出し板５の孔から電子、イオン、中性粒子と
一緒に圧力差によってプロセス室６に放出される。
でできたプラズマ生成室１の周りに高周波コイル２が巻
いてあり、ガス導入管３から窒素ガスを送ると高周波プ
ラズマ４が生成される。プラズマ４中の窒素ラジカルは
ビーム引き出し板５の孔から電子、イオン、中性粒子と
一緒に圧力差によってプロセス室６に放出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の方式では、孔から出た励起原子は拡散して被加工物
に到達するために、例えば、Ｐ型ＺｎＳｅを作るために
必要な窒素ドーズ量が得られにくいという課題があっ
た。
来の方式では、孔から出た励起原子は拡散して被加工物
に到達するために、例えば、Ｐ型ＺｎＳｅを作るために
必要な窒素ドーズ量が得られにくいという課題があっ
た。
【０００５】そこで本発明は、上記課題に鑑み、超音速
の原子ビームを発生させるノズルとスキマーとの間にプ
ラズマを発生させる手段を設け方向が揃った高速の励起
原子を被加工物に到達させることができる励起原子線源
の提供を目的とする。
の原子ビームを発生させるノズルとスキマーとの間にプ
ラズマを発生させる手段を設け方向が揃った高速の励起
原子を被加工物に到達させることができる励起原子線源
の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、超音速の原子ビームを発生させる誘電体でで
きたノズルとスキマーとを備え、ノズルとスキマーの間
に磁界を発生させる手段と、高周波プラズマを発生させ
る手段を設けた構成である。
するため、超音速の原子ビームを発生させる誘電体でで
きたノズルとスキマーとを備え、ノズルとスキマーの間
に磁界を発生させる手段と、高周波プラズマを発生させ
る手段を設けた構成である。
【０００７】
【作用】この構成により、方向性を持った励起窒素ビー
ムを半導体薄膜に供給することができる。
ムを半導体薄膜に供給することができる。
【０００８】
（第１の実施例）本発明の励起原子線源の好適な第１の
実施例を図１を用い、ＺｎＳｅ薄膜への窒素ドーピング
を行なう場合を例にして説明する。
実施例を図１を用い、ＺｎＳｅ薄膜への窒素ドーピング
を行なう場合を例にして説明する。
【０００９】図１において、ガス導入管１１から導入さ
れたガス流は窒化ボロンでできたノズル１２を通り過
ぎ、流束の中心部だけを通過させる窒化ボロンのスキマ
ー１３と呼ばれる孔を通る。空気力学の一般法則から、
例えば、「アトム アンド イオン ソースズ」（L.Va
lyi著ATOM AND ION SOURCES（JOHN WILEY & SONS出版、
ロンドン、1977年））p.91の設計によれば、スキマー１
３を通過した原子は超音速となりビームを形成するに十
分な速度と方向性が得られる。ここで、ノズル１２とス
キマー１３との間を流れるガスにループアンテナ１４か
ら、例えば同軸コネクター１５を通して２．４５ＧHzの
マイクロ波を放射する。また、ノズル１２とスキマー１
３は磁性体でできた磁極１６、１７に、例えば化学的気
相成長法で多結晶の窒化ボロンを約１ｍｍ成長させてお
り、磁性体１６、１７は磁性体の上部フランジ１８と磁
性体の下部フランジ１９にそれぞれつながっており、上
部フランジ１８と下部フランジ１９の間には非磁性体の
ガイドリング２０で支持されたリング状の永久磁石２１
と磁性体の継ぎ鉄２２が非磁性体のプラズマ室２３には
め込んであり、ノズル１２とスキマー１３の間に例え
ば、１kGの磁界を発生させる事ができる。
れたガス流は窒化ボロンでできたノズル１２を通り過
ぎ、流束の中心部だけを通過させる窒化ボロンのスキマ
ー１３と呼ばれる孔を通る。空気力学の一般法則から、
例えば、「アトム アンド イオン ソースズ」（L.Va
lyi著ATOM AND ION SOURCES（JOHN WILEY & SONS出版、
ロンドン、1977年））p.91の設計によれば、スキマー１
３を通過した原子は超音速となりビームを形成するに十
分な速度と方向性が得られる。ここで、ノズル１２とス
キマー１３との間を流れるガスにループアンテナ１４か
ら、例えば同軸コネクター１５を通して２．４５ＧHzの
マイクロ波を放射する。また、ノズル１２とスキマー１
３は磁性体でできた磁極１６、１７に、例えば化学的気
相成長法で多結晶の窒化ボロンを約１ｍｍ成長させてお
り、磁性体１６、１７は磁性体の上部フランジ１８と磁
性体の下部フランジ１９にそれぞれつながっており、上
部フランジ１８と下部フランジ１９の間には非磁性体の
ガイドリング２０で支持されたリング状の永久磁石２１
と磁性体の継ぎ鉄２２が非磁性体のプラズマ室２３には
め込んであり、ノズル１２とスキマー１３の間に例え
ば、１kGの磁界を発生させる事ができる。
【００１０】このような構造において、ノズル１２のＸ
方向から、例えば窒素ガスを流す。窒素ガスは、例え
ば、磁極１６の内部管２４から３０度の円錐勾配を経て
０．３mm径、長さ０．６mmの管に導かれノズル１２を出
る。そして、ノズル１２の先から、例えば２．６mm離れ
たところに開口径０．６mmのスキマー１３がある。スキ
マー１３は、例えば磁極１７の内部の傾斜２５度、外部
が３５度の窒化ボロンの円錐管である。マイクロ波はア
ンテナ１４により、ノズル１２とスキマー１３の間隙を
狙って周囲から放射され、窒素の電離によりプラズマが
生成される。磁界により、マイクロ波プラズマはノズル
１２とスキマー１３との間に強く閉じ込められる。この
プラズマにより窒素ガスは励起され、励起窒素を含む超
音速のビームとして、放出される。この時、スキマー１
３は誘電体でできているため、通過する励起窒素は内壁
に衝突しても消滅する確立は少なく、金属内壁に比べ多
くの励起窒素が得られる。また、磁極１６、１７も誘電
体で覆われているために、プラズマ密度も高くなる。
方向から、例えば窒素ガスを流す。窒素ガスは、例え
ば、磁極１６の内部管２４から３０度の円錐勾配を経て
０．３mm径、長さ０．６mmの管に導かれノズル１２を出
る。そして、ノズル１２の先から、例えば２．６mm離れ
たところに開口径０．６mmのスキマー１３がある。スキ
マー１３は、例えば磁極１７の内部の傾斜２５度、外部
が３５度の窒化ボロンの円錐管である。マイクロ波はア
ンテナ１４により、ノズル１２とスキマー１３の間隙を
狙って周囲から放射され、窒素の電離によりプラズマが
生成される。磁界により、マイクロ波プラズマはノズル
１２とスキマー１３との間に強く閉じ込められる。この
プラズマにより窒素ガスは励起され、励起窒素を含む超
音速のビームとして、放出される。この時、スキマー１
３は誘電体でできているため、通過する励起窒素は内壁
に衝突しても消滅する確立は少なく、金属内壁に比べ多
くの励起窒素が得られる。また、磁極１６、１７も誘電
体で覆われているために、プラズマ密度も高くなる。
【００１１】その結果、第１の実施例に係る装置により
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することによって、窒
素ドーピングを行なう。分子線エピタキシャル（ＭＢ
Ｅ）装置に第１の実施例に係る装置を設置し、ＭＢＥ成
長中のＺｎＳｅ膜に窒素励起原子線を照射することによ
って、キャリア密度５．７×１０17ｃｍー3のｐ型ＺｎＳ
ｅを作成することができた。尚、ノズル１２の外壁を誘
電体としたが、金属でも同じ効果が得られる。
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することによって、窒
素ドーピングを行なう。分子線エピタキシャル（ＭＢ
Ｅ）装置に第１の実施例に係る装置を設置し、ＭＢＥ成
長中のＺｎＳｅ膜に窒素励起原子線を照射することによ
って、キャリア密度５．７×１０17ｃｍー3のｐ型ＺｎＳ
ｅを作成することができた。尚、ノズル１２の外壁を誘
電体としたが、金属でも同じ効果が得られる。
【００１２】（第２の実施例）以下、本発明の第２の実
施例について、図２を参照しながら説明する。図２は本
発明に係る励起原子線源の第２の実施例の構成を示す断
面図である。
施例について、図２を参照しながら説明する。図２は本
発明に係る励起原子線源の第２の実施例の構成を示す断
面図である。
【００１３】図２において、３１はガラス製の円筒、３
２、３３は円筒の上端面、下端面のそれぞれに中心軸上
で対向するように取り付けられたガラス製のノズルとス
キマーで、ノズル３２は、円筒３１の上端面から円筒３
１内部に突き出し、スキマー３３は、円筒３１の下端面
から円筒３１内部に突き出している。３４は円筒３１の
側面からノズル３２とスキマー３３とが形成する空間の
前記中心軸の手前まで挿入された針金等の針状のアンテ
ナで、円筒３１の外側に位置するアンテナ３４の周囲に
は円筒状の外部導体３５が挿入されている。
２、３３は円筒の上端面、下端面のそれぞれに中心軸上
で対向するように取り付けられたガラス製のノズルとス
キマーで、ノズル３２は、円筒３１の上端面から円筒３
１内部に突き出し、スキマー３３は、円筒３１の下端面
から円筒３１内部に突き出している。３４は円筒３１の
側面からノズル３２とスキマー３３とが形成する空間の
前記中心軸の手前まで挿入された針金等の針状のアンテ
ナで、円筒３１の外側に位置するアンテナ３４の周囲に
は円筒状の外部導体３５が挿入されている。
【００１４】以上のような第２の実施例に示す構造にお
いて、アンテナ３４と外部導体３５で構成される同軸管
３６に矢印Ｘで示す方向に、例えば２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を導入する。また、ガス供給管３７から、例え
ば窒素ガスを矢印Ｙで示す方向に導入する。そうする
と、第１の実施例と同様に、アンテナ３４の先からノズ
ル３２とスキマー３３との間にマイクロ波を放射した状
態で、ノズル３２から窒素ガスを噴出させると、マイク
ロ波放電が引き起こされる。この放電により、窒素は電
子とイオンに電離され、ノズル３２とスキマー３３の間
に窒素ガスのプラズマ流束が発生する。
いて、アンテナ３４と外部導体３５で構成される同軸管
３６に矢印Ｘで示す方向に、例えば２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を導入する。また、ガス供給管３７から、例え
ば窒素ガスを矢印Ｙで示す方向に導入する。そうする
と、第１の実施例と同様に、アンテナ３４の先からノズ
ル３２とスキマー３３との間にマイクロ波を放射した状
態で、ノズル３２から窒素ガスを噴出させると、マイク
ロ波放電が引き起こされる。この放電により、窒素は電
子とイオンに電離され、ノズル３２とスキマー３３の間
に窒素ガスのプラズマ流束が発生する。
【００１５】その結果、第２の実施例に係る装置により
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することにより、窒素
ドーピングを行なうことができる。
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することにより、窒素
ドーピングを行なうことができる。
【００１６】（第３の実施例）以下、本発明の第３の実
施例について、図３を参照しながら説明する。図３は本
発明に係る励起原子線源の第３の実施例の構成を示す断
面図である。
施例について、図３を参照しながら説明する。図３は本
発明に係る励起原子線源の第３の実施例の構成を示す断
面図である。
【００１７】図３において、ガラス製の楕円筒４１の上
面には楕円筒４１内部に一列に突き出した３個のガラス
製のノズル４２ａ、ｂ、ｃが設けられている。楕円筒４
１の下面には楕円筒４１内部に突き出し、ノズル４２
ａ、ｂ、ｃのそれぞれに対向した３個のガラス製のスキ
マー４３ａ、ｂ、ｃが設けられている。また、楕円筒４
１の側面からはノズル４２ａ、ｂ、ｃとスキマー４３
ａ、ｂ、ｃが形成するそれぞれの空間に向けて３本の針
状のアンテナ４４ａ、ｂ、ｃが挿入されている。楕円筒
４１の外側に位置するアンテナ４４ａ、ｂ、ｃの周囲に
は第２の実施例に示したように円筒状の外部導体（図示
せず）が挿入されている。
面には楕円筒４１内部に一列に突き出した３個のガラス
製のノズル４２ａ、ｂ、ｃが設けられている。楕円筒４
１の下面には楕円筒４１内部に突き出し、ノズル４２
ａ、ｂ、ｃのそれぞれに対向した３個のガラス製のスキ
マー４３ａ、ｂ、ｃが設けられている。また、楕円筒４
１の側面からはノズル４２ａ、ｂ、ｃとスキマー４３
ａ、ｂ、ｃが形成するそれぞれの空間に向けて３本の針
状のアンテナ４４ａ、ｂ、ｃが挿入されている。楕円筒
４１の外側に位置するアンテナ４４ａ、ｂ、ｃの周囲に
は第２の実施例に示したように円筒状の外部導体（図示
せず）が挿入されている。
【００１８】第３の実施例に示す構造において、アンテ
ナ４４ａ、ｂ、ｃのそれぞれに例えば２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を導入する。また、ガス供給管４５ａ、ｂ、
ｃから、例えば窒素ガスを矢印Ｘで示す方向に導入す
る。そうすると、第２の実施例と同様に、アンテナ４４
の先からノズル４２とスキマー４３との間にマイクロ波
を放射した状態で、ノズル４２から窒素ガスを噴出させ
ると、マイクロ波放電が引き起こされる。この放電によ
り、窒素は電子とイオンに電離され、ノズル４２とスキ
マー４３の間に窒素ガスのプラズマ流束が発生する。
ナ４４ａ、ｂ、ｃのそれぞれに例えば２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を導入する。また、ガス供給管４５ａ、ｂ、
ｃから、例えば窒素ガスを矢印Ｘで示す方向に導入す
る。そうすると、第２の実施例と同様に、アンテナ４４
の先からノズル４２とスキマー４３との間にマイクロ波
を放射した状態で、ノズル４２から窒素ガスを噴出させ
ると、マイクロ波放電が引き起こされる。この放電によ
り、窒素は電子とイオンに電離され、ノズル４２とスキ
マー４３の間に窒素ガスのプラズマ流束が発生する。
【００１９】その結果、第３の実施例に係る装置により
横長（スリット状）の窒素励起原子線が生成される。こ
の励起された窒素原子線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射
することにより、窒素ドーピングを行なうことができ
る。
横長（スリット状）の窒素励起原子線が生成される。こ
の励起された窒素原子線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射
することにより、窒素ドーピングを行なうことができ
る。
【００２０】（第４の実施例）以下、本発明の第４の実
施例について、図４を参照しながら説明する。図４は本
発明に係る励起原子線源の第２の実施例の構成を示す断
面図である。なお、図２に示す第２の実施例と同一の番
号を付した部材は実質的に同一のものであるため、その
説明は省略する。
施例について、図４を参照しながら説明する。図４は本
発明に係る励起原子線源の第２の実施例の構成を示す断
面図である。なお、図２に示す第２の実施例と同一の番
号を付した部材は実質的に同一のものであるため、その
説明は省略する。
【００２１】図４において、ガラス製の円筒３１の上面
のノズル３２の周りにループアンテナ５１が設置されて
いる。ループアンテナ５１には割が入っており、割の一
端は同軸管の中心導体５２につながっており、その周囲
には円筒状の外部導体５３が挿入されている。
のノズル３２の周りにループアンテナ５１が設置されて
いる。ループアンテナ５１には割が入っており、割の一
端は同軸管の中心導体５２につながっており、その周囲
には円筒状の外部導体５３が挿入されている。
【００２２】第４の実施例に示す構造において、ループ
アンテナ５１に、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
導入する。また、ガス供給管３７から、例えば窒素ガス
を矢印Ｘで示す方向に導入する。そうすると、前記第２
の実施例と同様に、ループアンテナ５１の周辺からノズ
ル３２の近傍にマイクロ波を放射した状態で、ノズル３
２から窒素ガスを噴出させると、マイクロ波放電が引き
起こされる。この放電により、窒素は電子とイオンに電
離され、ノズル３２とスキマー３３の間に窒素ガスのプ
ラズマ流束が発生する。
アンテナ５１に、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
導入する。また、ガス供給管３７から、例えば窒素ガス
を矢印Ｘで示す方向に導入する。そうすると、前記第２
の実施例と同様に、ループアンテナ５１の周辺からノズ
ル３２の近傍にマイクロ波を放射した状態で、ノズル３
２から窒素ガスを噴出させると、マイクロ波放電が引き
起こされる。この放電により、窒素は電子とイオンに電
離され、ノズル３２とスキマー３３の間に窒素ガスのプ
ラズマ流束が発生する。
【００２３】その結果、第４の実施例に係る装置により
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することにより、窒素
ドーピングを行なう。
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することにより、窒素
ドーピングを行なう。
【００２４】（第５の実施例）以下、本発明の第５の実
施例について、図５を参照しながら説明する。図５は本
発明に係る励起原子線源の第５の実施例の構成を示す上
面図である。尚、図４に示す第４の実施例と同一の番号
を付した部材は実質的に同一のものであるため、その説
明は省略する。
施例について、図５を参照しながら説明する。図５は本
発明に係る励起原子線源の第５の実施例の構成を示す上
面図である。尚、図４に示す第４の実施例と同一の番号
を付した部材は実質的に同一のものであるため、その説
明は省略する。
【００２５】図５において、ガラス製の円筒３１の上面
のノズル３２の周りにループアンテナ５１が設置されて
いる。ループアンテナ５１の周囲にはノズル３２を中心
として等間隔でノズル６１ａ、ｂ、ｃ、ｄが配置されて
いる。また、ノズル６１の周囲にはループアンテナ６２
が設置されている。
のノズル３２の周りにループアンテナ５１が設置されて
いる。ループアンテナ５１の周囲にはノズル３２を中心
として等間隔でノズル６１ａ、ｂ、ｃ、ｄが配置されて
いる。また、ノズル６１の周囲にはループアンテナ６２
が設置されている。
【００２６】第５の実施例に示す構造において、ループ
アンテナ５１、６２に、例えば２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を導入する。また、ガス供給管３７から、例えば窒
素ガスを導入する。そうすると、第４の実施例と同様
に、ループアンテナ５１、６２の周辺からノズル３２、
６１の近傍にマイクロ波を放射した状態で、ノズル３
２、６１から窒素ガスを噴出させると、マイクロ波放電
が引き起こされる。この放電により、窒素は電子とイオ
ンに電離され、ノズル３２、６１とそれぞれに対向した
スキマー（図示せず）の間に窒素ガスのプラズマ流束が
発生する。
アンテナ５１、６２に、例えば２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を導入する。また、ガス供給管３７から、例えば窒
素ガスを導入する。そうすると、第４の実施例と同様
に、ループアンテナ５１、６２の周辺からノズル３２、
６１の近傍にマイクロ波を放射した状態で、ノズル３
２、６１から窒素ガスを噴出させると、マイクロ波放電
が引き起こされる。この放電により、窒素は電子とイオ
ンに電離され、ノズル３２、６１とそれぞれに対向した
スキマー（図示せず）の間に窒素ガスのプラズマ流束が
発生する。
【００２７】その結果、第５の実施例に係る装置により
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することにより、窒素
ドーピングを行なう。
窒素励起原子線が生成される。この励起された窒素原子
線を成長中のＺｎＳｅ薄膜に照射することにより、窒素
ドーピングを行なう。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明の励起原子線源によ
れば、超音速の励起原子線を得る事ができ、ＺｎＳｅ薄
膜への窒素ドーピングを行うことができる。
れば、超音速の励起原子線を得る事ができ、ＺｎＳｅ薄
膜への窒素ドーピングを行うことができる。
【図１】本発明の実施例１における励起原子線源を示す
断面図
断面図
【図２】本発明の実施例２における励起原子線源を示す
断面図
断面図
【図３】本発明の実施例３における励起原子線源を示す
断面図
断面図
【図４】本発明の実施例４における励起原子線源を示す
断面図
断面図
【図５】本発明の実施例５における励起原子線源を示す
上面図
上面図
【図６】従来の励起原子線源を示す断面図
１１ ガス導入管 １２ ノズル １３ スキマー １４ アンテナ １５ コネクタ １６ 磁極 １７ 磁極 １８ 上部フランジ １９ 下部フランジ ２０ ガイドリング ２１ 永久磁石 ２２ 継ぎ鉄
Claims (11)
- 【請求項１】超音速の原子ビームを発生させる誘電体で
できたノズルとスキマーとを備え、前記ノズルとスキマ
ーの間に磁界を発生させる手段と、高周波プラズマを発
生させる手段が設けられた励起原子線源。 - 【請求項２】超音速の原子ビームを発生させる磁性体金
属でできたノズルと誘電体でできたスキマーとを備え、
前記ノズルとスキマーの間に磁界を発生させる手段と、
高周波プラズマを発生させる手段が設けられた励起原子
線源。 - 【請求項３】ガラス製の円筒と、前記円筒の両端のそれ
ぞれに中心軸上で対向するように取り付けられたガラス
製のノズルとスキマーと、前記円筒の側面から前記ノズ
ルとスキマーの間に中心軸の手前まで挿入された針金
と、前記ノズルにガスを導入するための手段と、前記針
金に高周波電力を印加する手段が設けられた励起原子線
源。 - 【請求項４】ガラス製の楕円筒と、前記楕円筒の一端面
から楕円筒内部に突き出した複数個のガラス製のノズル
と、前記楕円筒のもう一方の端面から楕円筒内部にそれ
ぞれのノズルに対向するように取り付けられた複数個の
ガラス製のスキマーと、前記楕円筒の側面から前記ノズ
ルとスキマーとが形成する空間の近傍に挿入された複数
個の針金と、前記ノズルにガスを導入するための手段
と、前記針金に高周波電力を印加する手段が設けられた
励起原子線源。 - 【請求項５】ガラス製の円筒と、前記円筒の両端のそれ
ぞれに中心軸上で対向するように取り付けられたガラス
製のノズルとスキマーと、前記円筒のノズル側の端面の
外側に前記ノズルの先端近傍に巻かれた針金と、前記ノ
ズルにガスを導入するための手段と、前記針金に高周波
電力を印加する手段が設けられた励起原子線源。 - 【請求項６】ガラス製の円筒と、前記円筒の一端面から
円筒内部に向けて取り付けられた複数個のガラス製のノ
ズルと、前記円筒にもう一方の端面から円筒内部にそれ
ぞれのノズルに対向するように取り付けられた複数個の
ガラス製のスキマーと、前記円筒のノズル側の端面の外
側にノズルの先端近傍に巻かれた複数の針金と、前記ノ
ズルにガスを導入するための手段と、前記針金に高周波
電力を印加する手段が設けられた励起原子線源。 - 【請求項７】高周波をノズルとスキマーの間に放射する
アンテナがある請求項１から６のいずれかに記載の励起
原子線源。 - 【請求項８】高周波の周波数は２．４５ＧＨｚである請
求項１から６のいずれかに記載の励起原子線源。 - 【請求項９】誘電体は磁性体のノズルとスキマーに成長
させた多結晶窒化ボロンである請求項１記載の励起原子
線源。 - 【請求項１０】誘電体は磁性体のスキマーに成長させた
多結晶窒化ボロンである請求項２記載の励起原子線源。 - 【請求項１１】磁場発生コイルが円筒の周囲に設置され
ている請求項３から６のいずれかに記載の励起原子線
源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23674494A JPH08102399A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 励起原子線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23674494A JPH08102399A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 励起原子線源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102399A true JPH08102399A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17005151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23674494A Pending JPH08102399A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 励起原子線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105430864A (zh) * | 2015-11-12 | 2016-03-23 | 华中科技大学 | 一种原子发生器 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23674494A patent/JPH08102399A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105430864A (zh) * | 2015-11-12 | 2016-03-23 | 华中科技大学 | 一种原子发生器 |
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