JPH08102224A - 超電導ケーブル及び複合超電導導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 結合損失が小さく、素線間の電流再配分が可
能な被膜で被覆された超電導素線により構成された超電
導ケーブル及び複合超電導導体を提供する。 【構成】 超電導ケーブル１を構成する超電導素線を被
覆する被膜として、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉ
ｎ合金、あるいはこれらの合金にＣｕ等の他の元素を添
加したものを用いたり、表面酸化処理を施した被膜４で
被覆された超電導素線２ｂと表面酸化処理が施されてい
ない超電導素線２ａとを交互に配列して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面が被膜で被覆され
た超電導素線を用いた超電導ケーブル及びこの超電導ケ
ーブルを用いた複合超電導導体に関し、特に、結合損失
が小さく、素線間の電流再配分が可能な被膜で被覆され
た超電導素線により構成された超電導ケーブル及び複合
超電導導体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、超電導ケーブルとして、表面がＳ
ｎ−Ａｇ合金の被膜で被覆された超電導素線をケーブリ
ングしたものが知られている（Greg Snitchler et al.,
"HeatGeneration and Cooling of SSC Magnets at Hig
h Ramp Rates" 及び R.K. Maix et al., "MANUFACTURE
AND TESTING OF 465 km SUPERCONDUCTING CABLE FORTH
E HERA DIPOLE MAGNETS", Applied Superconductivity
Conference, 1988参照）。

【０００３】また、超電導ケーブルとして、表面がエナ
メル絶縁被膜で被覆された超電導素線をケーブリングし
たものも知られている（N. Koizumi et al., "Experime
ntalresults on instability caused by non-uniform c
urrent distribution in the 30 kA NbTi Demo Poloida
l Coil ( DPC-U ) conductor", Cryogenics, Vol.34, N
o.2, 1994参照）。

【０００４】また、他の超電導ケーブルとして、表面酸
化処理（以下、「黒化処理」という。）が施された被膜
で被覆された超電導素線と黒化処理が施されていない超
電導素線とが交互に配列され、素線群の中心に芯材が配
置されて構成されたものも知られている。

【０００５】そして、その他の超電導ケーブルとして、
図６に示す構成のものも知られている。この超電導ケー
ブル２１は、表面がＳｎ−Ａｇ合金の被膜２３で被覆さ
れた超電導素線２２ａと、表面に黒化処理被膜２４が形
成された超電導素線２２ｂが交互に配列され、素線群の
中心にステンレス鋼材やカプトンテープなどからなる芯
材２６が配置されて構成されている（M.Wake et al., "
AC LOSS IN ENERGY DOUBLER MAGNETS", IEEE 15, 141,
1979 参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の超
電導ケーブルにおいては、素線間の結合電流が流れるこ
とによって大きな結合損失が生じる。結合損失は、一般
に、結合電流が減衰する割合を示す時定数τに比例す
る。時定数τは下式 τ＝μo ／２ｒ（ｌｐ／２π）2 ………（１） で表わされる。上式（１）において、μo は真空の透磁
率を、ｒは結合電流経路の抵抗値（以下、「等価抵抗
値」という。）を、ｌｐはツイストピッチを、それぞれ
表わしている。

【０００７】等価抵抗値ｒは、素線間の接触抵抗、接触
面積、あるいは介在する材料の抵抗値などによって決ま
る値である。従来の超電導素線のように、表面処理が施
されていない場合や、比抵抗値２．０×１０-9Ωｍ程度
と抵抗値の小さいＳｎ−Ａｇ合金の被膜で被覆された場
合には、等価抵抗値が小さくなり、時定数τが低下する
ので、結合損失が大きくなる。特にパルス通電や交流通
電が行われた場合には結合損失は大きくなる。この結合
損失がある値よりも大きくなると、超電導ケーブルを巻
回して構成した超電導コイルがクエンチする可能性が増
加する。

【０００８】一方、超電導ケーブルとしては、超電導素
線の表面にエナメル塗布処理が施され絶縁被膜が形成さ
れて構成されたものや、超電導素線の表面に黒化処理が
施され被膜が形成されて構成されたものなどもあるが、
複数の素線をケーブリングしたものにこれらのエナメル
絶縁処理や黒化処理を施すと、電流ターミナルのジョイ
ント抵抗や素線間のインダクタンスの差により生じた電
流の不均一分配がなされたままとなり、良好な臨界電流
値が得られない。また、すべての素線表面にエナメル絶
縁処理や黒化処理を行うと、素線間の抵抗が大きくなり
すぎるため、不均一分配された電流の再配分が行われな
くなる。

【０００９】したがって本発明の目的は、結合損失が小
さく、素線間の電流再配分が可能な被膜で被覆された超
電導素線により構成された超電導ケーブル及びこの超電
導ケーブルを用いた複合超電導導体を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明のうちの第１の発明に係る超電導ケーブル
は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合金により被
覆された超電導素線を備えて構成される。

【００１１】上記において、前記超電導素線は、黒化処
理が施された超電導素線とＳｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳ
ｎ−Ｉｎ合金により被覆された超電導素線とを交互に配
列して構成してもよいし、前記超電導素線をラザフォー
ド撚りしてもよい。また、第１の発明において、前記Ｉ
ｎの重量比をｘパーセントとし、ｍ，ｎを０＜ｍ＜１，
０＜ｎ＜１，ｍ＋ｎ＝１なる実数としたとき、前記Ｓｎ
−Ａｇ−Ｉｎ合金を、重量比（９６．５−ｍｘ）パーセ
ントのＳｎと、重量比（３．５−ｎｘ）パーセントのＡ
ｇと、重量比ｘパーセントのＩｎとからなるように構成
し、前記Ｓｎ−Ｉｎ合金を、重量比（１００−ｘ）パー
セントのＳｎと、重量比ｘパーセントのＩｎとからなる
ように構成してもよく、前記重量比ｘパーセントを０＜
ｘ≦１５の範囲内の値に設定してもよい。

【００１２】また、本発明のうちの第３の発明に係る複
合超電導導体は、複数の超電導素線からなる超電導ケー
ブルを安定化Ｃｕ内に収納しハンダ中に埋設してなる複
合超電導導体において、前記超電導素線をＳｎ−Ａｇ−
Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合金により被覆して構成され
る。

【００１３】

【作用】上記構成を有する本発明によれば、超電導素線
を被覆する被膜として、従来のＳｎ−Ａｇ合金のかわり
に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合金、あるい
はＳｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合金に他の元素
を添加したものを用い、それで一部又は全部の超電導素
線の表面を被覆したので、４．２Ｋでの比抵抗が大きく
なる。これにより、等価抵抗値が増加し、結合損失の時
定数が低下するので、超電導素線の結合損失が低減され
る。また、素線間の抵抗が大きくなりすぎることはない
ため、不均一分配された電流の再配分が行われる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。図１には、本発明の一実施例である超電導ケー
ブルの断面の構成が示されている。図１に示すように、
この超電導ケーブル１は、表面がＳｎ−３．５％Ａｇ−
５％Ｉｎ合金の被膜３で被覆された超電導素線２ａと、
表面酸化処理（黒化処理）を施した被膜４が形成された
超電導素線２ｂが交互に配列され、素線群の中心にステ
ンレス鋼材やカプトンテープなどからなる芯材６が配置
されて構成されている。ここに、Ｓｎ−３．５％Ａｇ−
５％Ｉｎ合金とは、Ｓｎ−３．５％Ａｇ合金（９６．５
重量％（以下、「ｗ％」という。）のＳｎと３．５ｗ％
のＩｎとからなる合金）に５ｗ％のＩｎを添加して構成
された合金であり、９４重量％のＳｎと、１ｗ％のＡｇ
と、５ｗ％のＩｎとからなる。

【００１５】超電導素線２ａ又は２ｂは、公知の超電導
材料で形成されるが、例えばＮｉ−Ｔｉフィラメントや
Ｎｂ3 ＳｎフィラメントなどがＣｕのマトリックス内に
多数分散配置されている。

【００１６】次に、超電導ケーブル１の製造手順につい
て説明する。まず、ラザフォード型等に撚られた超電導
素線を用意し、その中の複数本の表面にフラックスを塗
布する。次に、そのフラックスが塗布された超電導素線
を加熱され溶融したＳｎ−３．５％Ａｇ−５％Ｉｎ合金
で満たされた溶融合金槽に通すことにより、超電導素線
の表面にＳｎ−３．５％Ａｇ−５％Ｉｎ合金からなる被
覆を形成する。一方、残余の超電導素線の表面を黒染液
で酸化処理して黒化した被膜４で被覆されたものを作製
する。次に、表面が黒化処理された超電導素線２ｂと、
Ｓｎ−３．５％Ａｇ−５％Ｉｎ合金被膜３で被覆された
超電導素線２ａとをステンレス鋼材やカプトンテープな
どからなる芯材６を中心にして交互に配列した形に撚り
線して超電導ケーブル１を形成する。

【００１７】上記のＳｎ−３．５％Ａｇ−５％Ｉｎ合金
のかわりにＳｎ−５％Ｉｎ合金を用いてもよい。Ｓｎ−
５％Ｉｎ合金とは、９５ｗ％のＳｎと５ｗ％のＩｎとか
らなる合金である。

【００１８】次に、本発明の第２実施例を図面にもとづ
いて説明する。図２には、本発明の第２実施例である複
合超電導導体の断面の構成が示されている。図２（Ａ）
に示すように、この複合超電導導体１１は、「ケーブル
・イン・コンジット」型複合超電導導体であり、ＳｕＳ
（ステンレス鋼材）からなる中空管状のコンジット１６
内に１２個のＵ字状の安定化Ｃｕ材１４ａ及び２個の安
定化Ｃｕ材１４ｂが配設され、これらの安定化Ｃｕ材に
囲まれた空間内に収納された超電導ケーブル１５がＳｎ
−３．５％Ａｇ−５％Ｉｎ合金１３中に埋設され、Ｕ字
状に形成された安定化Ｃｕ材１４ａの溝１９内に超臨界
ヘリウムが強制的に流されることにより超電導ケーブル
１５が超電導状態に維持されるように構成されている。

【００１９】また、図２（Ｂ）に示すように、超電導ケ
ーブル１５は、複数の超電導素線１２を撚り、例えばＣ
ｕ−Ｓｎ合金などからなる被覆体１７で被覆したもので
あり、この例においてはこの超電導ケーブル１５を超電
導素線と見做すことができる。超電導素線１２は、上記
の第１実施例における超電導素線と同様に、表面酸化処
理（黒化処理）を施した超電導素線と表面酸化処理が施
されていない超電導素線とを交互に配列して構成されて
いてもよい。

【００２０】この複合超電導導体１１は、コンジット材
料としてステンレス鋼材を使用しているので、導体とし
ての機械的強度が向上している。

【００２１】複合超電導導体１１の製造手順について説
明する。まず、複数の超電導素線１２を被覆体１７で被
覆した超電導ケーブル１５を作製し、その複数本を撚り
線して全体を平角状に形成する。次に安定化材１４ａ及
び１４ｂにより形成される収納空間内に、前に形成した
平角状のものを収納して収納体を作製する。次に、この
収納体の収納空間内に溶融したＳｎ−３．５％Ａｇ−５
％Ｉｎ合金１３を充填することにより収納体の収納空間
内の複数の超電導ケーブル１５をＳｎ−３．５％Ａｇ−
５％Ｉ合金１３の中に埋設する。

【００２２】次に、上記のＳｎ−３．５％Ａｇ−５％Ｉ
ｎ合金の比抵抗を測定した結果について説明する。比抵
抗は、図３に示す比抵抗測定装置により測定された。図
３に示すように、この比抵抗測定装置６０は、有底筒状
の第１容器６１と、第１容器６１を収納するように配置
された有底筒状の第２容器６２と、第２容器６２を収納
するように配置された有底筒状の第３容器６３を備えて
いる。

【００２３】第１容器６１内には、リング状のバックグ
ラウンドマグネット６６が配置され、比抵抗を測定する
被検体６７が先端部に無誘導巻きされた支持具６８がバ
ックグラウンドマグネット６６の中央開口内に挿入され
ている。第１容器６１の内部には液体ヘリウム６４が充
填され、被検体６７及びバックグラウンドマグネット６
６は液体ヘリウム６４中に浸漬されている。第１容器６
１の開口部には断熱性の良い蓋７３が装着されている。
したがって、第１容器６１と第２容器６２と第３容器６
３と蓋７３，７４により断熱容器が構成されている。

【００２４】第２容器６２の側面は二重構造となってお
り、その内部には液体窒素６５が充填されている。ま
た、第１容器６１と第２容器６２との間、及び第２容器
６２と第３容器６３との間には真空層６９が設けられて
いる。そして、第２容器６２及び第３容器６３の開口部
には断熱性の良い蓋７４が装着されている。

【００２５】支持具６８の先端部にコイル状に巻かれた
被検体６７の一端には導線７５が接続され、他端には導
線７６が接続されている。導線７６には電源７２が接続
し、導線７６はシャント抵抗７１を介して電源７２に接
続している。シャント抵抗７１の両端にはＸ−Ｙレコー
ダ７０が接続している。

【００２６】次に測定方法について説明する。まず、電
源７２から導線７５及び７６を介して被検体６７に電流
を通電する。このときの電圧はシャント抵抗７１の両端
からＸ−Ｙレコーダ７０が測定する。最大通電電流値を
Ｉ（単位：Ａ）としたときの発生電圧をＶ（単位：Ｖ）
とし、被検体６７の長さをＬ（単位：ｍ）とし、被検体
６７の断面積をＳとすると、比抵抗ρ（単位：Ωｍ）
は、下式 ρ＝Ｖ・Ｓ／Ｉ・Ｌ ………（２） で表わされる。比抵抗測定は、通電電流値Ｉが１０Ａの
場合について行い、４．２Ｋでかつ４．３Ｔにおける値
を求めた。

【００２７】その測定結果を図４に示す。図４に示すよ
うに、この測定では、ＩｎがＳｎ−Ａｇ合金に０〜１５
ｗ％添加された場合についての比抵抗と、ＩｎがＳｎに
０〜１５ｗ％添加された場合についての比抵抗とを、そ
れぞれ求めた。

【００２８】その結果、ＩｎがＳｎ−Ａｇ合金に添加さ
れる場合もＩｎがＳｎに添加される場合も、０〜１０ｗ
％までは添加濃度を上げると、Ｉｎが添加されない場合
よりも比抵抗が増加するが、ほぼ１０ｗ％を境界として
添加濃度を上げると比抵抗が低下することがわかった。
比抵抗が増大すれば等価抵抗値が増大し、その結果結合
損失の時定数が低下するので、超電導素線の結合損失は
低減される。

【００２９】しかし、ＩｎがＳｎ−Ａｇ合金に添加され
る場合もＩｎがＳｎに添加される場合も、境界点（１０
ｗ％）を越えてＩｎ添加濃度を増加させた場合でも、比
抵抗の値はＩｎが添加されない場合の値（図４の縦軸上
における値）よりも５倍程度大きいことがわかる。した
がって、いずれの場合も、Ｉｎ添加濃度ｘが０＜ｘ≦１
５ｗ％の範囲が比抵抗の増大について有効な範囲である
ことがわかった。

【００３０】Ｉｎの添加濃度をｘ（ｗ％）とすると、Ｉ
ｎを添加する分だけＳｎとＡｇ、又はＳｎの組成比を減
じる必要がある。Ｉｎが添加される前の組成が９６．５
％Ｓｎ−３．５％Ａｇ合金の場合は、ＳｎとＡｇの両者
から均等に減じることにすれば、生成されるＳｎ−Ａｇ
−Ｉｎ合金は、重量比（９６．５−ｘ／２）パーセント
のＳｎと、重量比（３．５−ｘ／２）パーセントのＡｇ
と、重量比ｘパーセントのＩｎからなる。

【００３１】しかし、一般には、ｍ，ｎを０＜ｍ＜１，
０＜ｎ＜１，ｍ＋ｎ＝１なる実数とし、この範囲内でＳ
ｎとＡｇの両者から減じることにすれば、生成されるハ
ンダは、重量比（９６．５−ｍｘ）パーセントのＳｎ
と、重量比（３．５−ｎｘ）パーセントのＡｇと、重量
比ｘパーセントのＩｎからなる。

【００３２】また、Ｉｎが添加される前の組成がＳｎの
場合は、生成されるＳｎ−Ｉｎ合金は、重量比（１００
−ｘ）パーセントのＳｎと、重量比ｘパーセントのＩｎ
からなる。

【００３３】上記に加え、添加される元素がさらに多い
場合であっても結合損失低減に有効である組み合せが存
在すると考えられる。

【００３４】次に、上記のようにＳｎ−Ａｇ合金又はＳ
ｎにＩｎを添加して構成された合金の結合損失を測定し
た結果について説明する。結合損失は、図５に示す結合
損失測定装置により測定された。図５に示すように、こ
の結合損失測定装置は、有底筒状の断熱容器８１を備
え、断熱容器８１内には、リング状のバックグラウンド
マグネット８４が配置され、結合損失が測定される被検
体８５及び被検体の回りに巻回されたピックアップコイ
ル８６がバックグラウンドマグネット８４の中央開口内
に挿入されている。断熱容器８１の内部には液体ヘリウ
ム８２が充填され、被検体８５及びピックアップコイル
８６及びバックグラウンドマグネット８４は液体ヘリウ
ム８２中に浸漬されている。断熱容器８１の開口部には
断熱性の良い蓋８３が装着されている。

【００３５】被検体８６の回りに巻回されたピックアッ
プコイル８６の一端には導線８８が接続され、他端には
導線８９が接続されている。各導線８８，８９の他端は
シャント抵抗９０に接続している。シャント抵抗９０の
タップ出力線は積分器８７に接続している。バックグラ
ウンドマグネット８４には、図示しない電源と制御装置
が接続している。

【００３６】次に測定方法について説明する。まず、図
示しない電源と制御装置により、バックグラウンドマグ
ネット８４のバックグラウンド磁界を変動させる。この
磁界変動により被検体８５に誘発される電圧をピックア
ップコイル８６により検出する。ピックアップコイル８
６で検出された電流は、導線８８，８９によりシャント
抵抗９０に通電され、電圧として積分器８７に入力され
る。積分器８７はこの入力を磁束変換することにより被
検体８５の結合損失を求める。

【００３７】その測定結果を表１に示す。

【表１】

【００３８】表１に示すように、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金
の場合も、Ｓｎ−Ｉｎ合金の場合も、結合損失の値は、
Ｉｎが添加されない場合の値（表１のＳｎ−３．５Ａｇ
における値）よりも小さく、７０％程度低減されること
が実証された。

【００３９】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００４０】例えば、ケーブル・イン・コンジット型超
電導導体に構成した場合に、表面がＳｎ−Ａｇ−Ｉｎ合
金又はＳｎ−Ｉｎ合金の被膜で被覆された超電導素線の
複数本を中空管状のコンジット内に比較的粗に挿入した
ような構成としても差支えない。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
超電導ケーブルを構成する超電導素線を、Ｓｎ−Ａｇ−
Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合金で被覆したり表面に酸化処
理を施し超電導素線の結合損失を低減させるようにした
ので、超電導ケーブルを巻回して構成した超電導コイル
がクエンチする可能性を減少させることができる。ま
た、素線間の抵抗が大きくなりすぎることはなく不均一
分配された電流の再配分が行われるので、超電導ケーブ
ルを巻回して構成した超電導コイルの臨界電流値が良好
となる。また、ケーブル・イン・コンジット型複合超電
導導体に構成した場合には、素線間の結合電流時定数を
小さくするために従来行われていた超電導素線表面への
Ｃｒメッキが不要となるので、高価なＣｒメッキにかか
るコストが低減され、経済的にも有利なものとすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である超電導ケーブルの断
面の構成を示す斜視図である。

【図２】本発明の第２実施例である複合超電導導体の断
面の構成を示す斜視図である。

【図３】図１又は図２に示す超電導ケーブルの比抵抗を
測定する方法を説明する図である。

【図４】図１又は図２に示す超電導ケーブルを形成する
Sn-3.4%Ag-5%In合金及びSn-3.5%In 合金の４．２Ｋ，
４．３Ｔにおける比抵抗を示す特性図である。

【図５】図１又は図２に示す超電導ケーブルの結合損失
を測定する方法を説明する図である。

【図６】超電導ケーブルの従来例の構成を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１ 超電導ケーブル ２ａ，２ｂ 超電導素線 ３ 被膜 ４ 黒化処理被膜 ６ 芯材 １１ 複合超電導導体 １２ 超電導素線 １３ Ｓｎ−３．５％Ａｇ−５％Ｉｎ合金 １４ａ，１４ｂ 安定化Ｃｕ材 １５ 超電導ケーブル １６ コンジット １７ 被覆体 １９ 溝 ２１ 超電導ケーブル ２２ａ，２２ｂ 超電導素線 ２３ 被膜 ２４ 黒化処理被膜 ２６ 芯材 ６０ 比抵抗測定装置 ６１ 第１容器 ６２ 第２容器 ６３ 第３容器 ６４ 液体ヘリウム ６５ 液体窒素 ６６ バックグラウンドマグネット ６７ 被検体 ６８ 支持具 ６９ 真空層 ７０ Ｘ−Ｙレコーダ ７１ シャント抵抗 ７２ 電源 ７３，７４ 蓋 ７５〜７８ 導線 ８０ 結合損失測定装置 ８１ 断熱容器 ８２ 液体ヘリウム ８３ 蓋 ８４ バックグラウンドマグネット ８５ 被検体 ８６ ピックアップコイル ８７ 積分器 ８８，８９ 導線 ９０ シャント抵抗

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合
   金により被覆された超電導素線を備えたことを特徴とす
   る超電導ケーブル。
2. 【請求項２】 表面処理が施された超電導素線とＳｎ−
   Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ合金により被覆された超
   電導素線とが交互に配列されて構成されたことを特徴と
   する請求項１記載の超電導ケーブル。
3. 【請求項３】 前記超電導素線はラザフォード撚りされ
   ていることを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の
   超電導ケーブル。
4. 【請求項４】 前記Ｉｎの重量比をｘパーセントとし、
   ｍ，ｎを０＜ｍ＜１，０＜ｎ＜１，ｍ＋ｎ＝１なる実数
   としたとき、 前記Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金は、重量比（９６．５−ｍ
   ｘ）パーセントのＳｎと、重量比（３．５−ｎｘ）パー
   セントのＡｇと、重量比ｘパーセントのＩｎとからな
   り、 前記Ｓｎ−Ｉｎ合金は、重量比（１００−ｘ）パ
   ーセントのＳｎと、重量比ｘパーセントのＩｎとからな
   ることを特徴とする請求項１記載の超電導ケーブル。
5. 【請求項５】 前記重量比ｘパーセントは０＜ｘ≦１５
   の範囲内の値であることを特徴とする請求項５記載の超
   電導ケーブル。
6. 【請求項６】 複数の超電導素線からなる超電導ケーブ
   ルを安定化Ｃｕ内に収納しハンダ中に埋設してなる複合
   超電導導体において、 前記超電導素線はＳｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金又はＳｎ−Ｉｎ
   合金により被覆されたことを特徴とする複合超電導導
   体。