JPH08101250A - Ｉｃの高温検査方法 - Google Patents
Ｉｃの高温検査方法Info
- Publication number
- JPH08101250A JPH08101250A JP6261872A JP26187294A JPH08101250A JP H08101250 A JPH08101250 A JP H08101250A JP 6261872 A JP6261872 A JP 6261872A JP 26187294 A JP26187294 A JP 26187294A JP H08101250 A JPH08101250 A JP H08101250A
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- JP
- Japan
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- temperature
- high temperature
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- current
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、簡単な構成により、コストが低減さ
れ得ると共に、検査全体に要する時間が短縮され得るよ
うにした、ＩＣの高温検査方法を提供することを目的と
する。 【構成】出力がオープンコレクタであってＧＮＤ・Ｖｏ
ｕｔ間の寄生ダイオードを備えた出力トランジスタ１１
を有する、ＩＣ１０において、上記寄生ダイオードに電
流Ｉを印加することにより、該寄生ダイオードに発生す
る熱により、ＩＣ全体を高温である所定温度に保持し
て、ＩＣテスタにより該ＩＣの高温検査を行なうよう
に、ＩＣ１０の高温検査方法を構成する。
れ得ると共に、検査全体に要する時間が短縮され得るよ
うにした、ＩＣの高温検査方法を提供することを目的と
する。 【構成】出力がオープンコレクタであってＧＮＤ・Ｖｏ
ｕｔ間の寄生ダイオードを備えた出力トランジスタ１１
を有する、ＩＣ１０において、上記寄生ダイオードに電
流Ｉを印加することにより、該寄生ダイオードに発生す
る熱により、ＩＣ全体を高温である所定温度に保持し
て、ＩＣテスタにより該ＩＣの高温検査を行なうよう
に、ＩＣ１０の高温検査方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣの高温検査方法に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣの検査を行なう場合、先づ常
温にて、ＩＣの常温検査を行ない、続いてＩＣの高温検
査を行なうようになっている。この場合、ＩＣの高温検
査においては、例えば高温ハンドラ等を使用することに
より、ＩＣを恒温槽内に入れて、周囲温度を高温である
所定温度に上げることにより、ＩＣ全体をこの所定温度
に保持し、この状態にて、所定の各種検査を行なうよう
にしている。
温にて、ＩＣの常温検査を行ない、続いてＩＣの高温検
査を行なうようになっている。この場合、ＩＣの高温検
査においては、例えば高温ハンドラ等を使用することに
より、ＩＣを恒温槽内に入れて、周囲温度を高温である
所定温度に上げることにより、ＩＣ全体をこの所定温度
に保持し、この状態にて、所定の各種検査を行なうよう
にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高温ハンドラあるいは恒温槽を使用して、ＩＣ全体
を所定温度に上げるためには、高温ハンドラまたは恒温
槽の設備が必要であると共に、ＩＣと共に周囲の大気も
所定温度に上げる必要がある。従って、設備に要するコ
ストが高くなってしまうと共に、常温検査の終了後、Ｉ
Ｃの温度が所定温度まで上がるのに時間がかかるので、
検査時間が長くなってしまうという問題があった。
うな高温ハンドラあるいは恒温槽を使用して、ＩＣ全体
を所定温度に上げるためには、高温ハンドラまたは恒温
槽の設備が必要であると共に、ＩＣと共に周囲の大気も
所定温度に上げる必要がある。従って、設備に要するコ
ストが高くなってしまうと共に、常温検査の終了後、Ｉ
Ｃの温度が所定温度まで上がるのに時間がかかるので、
検査時間が長くなってしまうという問題があった。
【０００４】本発明は、以上の点に鑑み、簡単な構成に
より、コストが低減され得ると共に、検査全体に要する
時間が短縮され得るようにした、ＩＣの高温検査方法を
提供することを目的としている。
より、コストが低減され得ると共に、検査全体に要する
時間が短縮され得るようにした、ＩＣの高温検査方法を
提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、出力がオープンコレクタであってＧＮＤ・Ｖｏｕ
ｔ間の寄生ダイオードを備えた出力トランジスタを有す
る、ＩＣにおいて、上記寄生ダイオードに電流を印加す
ることにより、該寄生ダイオードに発生する熱により、
ＩＣ全体を高温である所定温度に保持して、ＩＣテスタ
により該ＩＣの高温検査を行なうようにした、ＩＣの高
温検査方法により、達成される。
れば、出力がオープンコレクタであってＧＮＤ・Ｖｏｕ
ｔ間の寄生ダイオードを備えた出力トランジスタを有す
る、ＩＣにおいて、上記寄生ダイオードに電流を印加す
ることにより、該寄生ダイオードに発生する熱により、
ＩＣ全体を高温である所定温度に保持して、ＩＣテスタ
により該ＩＣの高温検査を行なうようにした、ＩＣの高
温検査方法により、達成される。
【０００６】本発明によるＩＣの高温検査方法は、好ま
しくは、電流印加の前後にて、出力トランジスタのＶＦ
を測定して、ＶＦの差により、温度差を判定するように
なっている。
しくは、電流印加の前後にて、出力トランジスタのＶＦ
を測定して、ＶＦの差により、温度差を判定するように
なっている。
【０００７】本発明によるＩＣの高温検査方法は、好ま
しくは、先づ所定温度より僅かに高い温度まで上げた
後、所定温度に設定するようになっている。
しくは、先づ所定温度より僅かに高い温度まで上げた
後、所定温度に設定するようになっている。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、ＩＣ内の出力トランジスタ
の寄生トランジスタに電流を印加することによって、該
ＩＣを直接に加熱するようにしたので、簡単な構成によ
り容易にＩＣが高温に保持され得る。これにより、ＩＣ
の高温検査は、高温ハンドラや恒温槽を使用することな
く、常温検査で使用するＩＣテスタを使用して、行なわ
れ得ることになる。
の寄生トランジスタに電流を印加することによって、該
ＩＣを直接に加熱するようにしたので、簡単な構成によ
り容易にＩＣが高温に保持され得る。これにより、ＩＣ
の高温検査は、高温ハンドラや恒温槽を使用することな
く、常温検査で使用するＩＣテスタを使用して、行なわ
れ得ることになる。
【０００９】電流印加の前後にて、出力トランジスタの
ＶＦを測定して、ＶＦの差により、温度差を判定する場
合には、出力トランジスタのＶＦの温度依存性を利用し
て、ＩＣテスタを使用したＶＦ測定により、ＩＣの温度
が正確に検出され得るので、印加電流の電流値，及び印
加時間を適宜に選択することにより、ＩＣが所定温度に
設定され得ることになる。
ＶＦを測定して、ＶＦの差により、温度差を判定する場
合には、出力トランジスタのＶＦの温度依存性を利用し
て、ＩＣテスタを使用したＶＦ測定により、ＩＣの温度
が正確に検出され得るので、印加電流の電流値，及び印
加時間を適宜に選択することにより、ＩＣが所定温度に
設定され得ることになる。
【００１０】先づ所定温度より僅かに高い温度まで上げ
た後、所定温度に設定する場合には、高温検査時におけ
る所定温度の安定性が向上するので、正確な高温検査が
行なわれ得ることになる。
た後、所定温度に設定する場合には、高温検査時におけ
る所定温度の安定性が向上するので、正確な高温検査が
行なわれ得ることになる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明による方法の一実
施例を適用したＩＣを示している。即ち、図１におい
て、ＩＣ１０は、全体が公知の構成であって、出力トラ
ンジスタ１１が、コレクタが出力端子Ｖｏｕｔに接続さ
れていると共に、エミッタがＧＮＤに接続されている。
これにより、出力がオープンコレクタであって、ＧＮＤ
・Ｖｏｕｔ間に寄生ダイオードを備えるように構成され
ている。
明を詳細に説明する。図１は、本発明による方法の一実
施例を適用したＩＣを示している。即ち、図１におい
て、ＩＣ１０は、全体が公知の構成であって、出力トラ
ンジスタ１１が、コレクタが出力端子Ｖｏｕｔに接続さ
れていると共に、エミッタがＧＮＤに接続されている。
これにより、出力がオープンコレクタであって、ＧＮＤ
・Ｖｏｕｔ間に寄生ダイオードを備えるように構成され
ている。
【００１２】ここで、上記出力トランジスタ１１は、具
体的には、半導体基板上にて、図２に示すように構成さ
れている。即ち、図２において、出力トランジスタ１１
は、ｐ型基板１２上に形成されたｎ＋型埋込み層１３
と、その上から基板１２上に形成され且つ周囲のｐ型層
１４により分離されたｎ型層１５と、該ｎ型層１５の表
面に形成されたｐ型拡散層１６と、そして該ｐ型拡散層
１６及びｎ型層１５の表面に形成されたｎ＋型拡散層１
７，１８とから構成されている。これにより、ｎ＋型層
１８がＶｏｕｔとして作用し、またｐ型層１４がＧＮＤ
として作用するようになっている。
体的には、半導体基板上にて、図２に示すように構成さ
れている。即ち、図２において、出力トランジスタ１１
は、ｐ型基板１２上に形成されたｎ＋型埋込み層１３
と、その上から基板１２上に形成され且つ周囲のｐ型層
１４により分離されたｎ型層１５と、該ｎ型層１５の表
面に形成されたｐ型拡散層１６と、そして該ｐ型拡散層
１６及びｎ型層１５の表面に形成されたｎ＋型拡散層１
７，１８とから構成されている。これにより、ｎ＋型層
１８がＶｏｕｔとして作用し、またｐ型層１４がＧＮＤ
として作用するようになっている。
【００１３】このように構成されたＩＣ１０において、
図１の出力端子Ｖｏｕｔ・アースＧＮＤ間に、電流Ｉを
印加する。即ち、図２におけるｎ＋型層１８及びｐ型層
１４間に、電流Ｉを印加すると、出力トランジスタ１１
の寄生ダイオードに電流Ｉが流れることになり、これに
よって該寄生ダイオードが発熱することになる。
図１の出力端子Ｖｏｕｔ・アースＧＮＤ間に、電流Ｉを
印加する。即ち、図２におけるｎ＋型層１８及びｐ型層
１４間に、電流Ｉを印加すると、出力トランジスタ１１
の寄生ダイオードに電流Ｉが流れることになり、これに
よって該寄生ダイオードが発熱することになる。
【００１４】この場合、発熱によるＩＣ１０の温度上昇
によって、出力トランジスタのＶＦは、例えば−２ｍＶ
／℃の温度依存性を有している。従って、電流印加前後
の出力トランジスタのＶＦを測定することにより、この
ＶＦの差に基づいて、上昇温度が検出され得ることにな
る。
によって、出力トランジスタのＶＦは、例えば−２ｍＶ
／℃の温度依存性を有している。従って、電流印加前後
の出力トランジスタのＶＦを測定することにより、この
ＶＦの差に基づいて、上昇温度が検出され得ることにな
る。
【００１５】かくして、ＩＣ１０の検査，即ち常温検査
及び高温検査を行なう場合には、例えば以下のようにし
て検査が行なわれる。
及び高温検査を行なう場合には、例えば以下のようにし
て検査が行なわれる。
【００１６】即ち、先づ常温にて、ＩＣテスタを使用し
て、ＩＣ１０の耐圧テスト，オフ時消費電流，オン時消
費電流等を行なった後、供給電圧を徐々に（例えば１ｍ
ｓ／５０ｍＶ）降下させて、オフ検出電圧を測定し、さ
らに供給電圧を徐々に（例えば２ｍｓ／２０ｍＶ）上昇
させて、オン検出電圧を測定する。以上で、常温検査が
終了する。
て、ＩＣ１０の耐圧テスト，オフ時消費電流，オン時消
費電流等を行なった後、供給電圧を徐々に（例えば１ｍ
ｓ／５０ｍＶ）降下させて、オフ検出電圧を測定し、さ
らに供給電圧を徐々に（例えば２ｍｓ／２０ｍＶ）上昇
させて、オン検出電圧を測定する。以上で、常温検査が
終了する。
【００１７】その後、出力トランジスタ１１のＶＦ測定
を行ない、該出力トランジスタ１１の寄生トランジスタ
に対して、例えば１５００ｍｓの間、５５０ｍＡの電流
を流す。これにより、例えば室温が２０℃の場合、７５
℃程度までＩＣ１０が加熱されることになる。
を行ない、該出力トランジスタ１１の寄生トランジスタ
に対して、例えば１５００ｍｓの間、５５０ｍＡの電流
を流す。これにより、例えば室温が２０℃の場合、７５
℃程度までＩＣ１０が加熱されることになる。
【００１８】ここで、再度上記ＶＦ測定を行なう。これ
により、７５℃の温度上昇の場合には、−１５０ｍＶが
測定されることになる。その後、高温検査の温度である
６０℃、即ちＶＦが−１２０ｍＶになるまで、ＩＣ１０
が冷めるのを待つ。
により、７５℃の温度上昇の場合には、−１５０ｍＶが
測定されることになる。その後、高温検査の温度である
６０℃、即ちＶＦが−１２０ｍＶになるまで、ＩＣ１０
が冷めるのを待つ。
【００１９】ＩＣ１０が６０℃まで冷めたら、ＩＣテス
タを使用して、高温検査、例えばリーク電流，出力電流
の検査を行なう。その後、再度ＶＦ測定を行なって、高
温測定中にＩＣ１０の温度がどの程度下がったかを確認
する。
タを使用して、高温検査、例えばリーク電流，出力電流
の検査を行なう。その後、再度ＶＦ測定を行なって、高
温測定中にＩＣ１０の温度がどの程度下がったかを確認
する。
【００２０】かくして、常温検査及び高温検査が、連続
的に、ＩＣテスタを使用して、容易に且つ短時間で行な
われ得ることになる。
的に、ＩＣテスタを使用して、容易に且つ短時間で行な
われ得ることになる。
【００２１】上述した実施例においては、ＩＣ１０は、
高温検査において、先づ７５℃まで加熱された後、高温
検査の温度である６０℃まで冷却されるようになってい
るが、これは、高温検査時の温度安定性を確保するため
であり、最初からＩＣ１０は６０℃まで加熱されるよう
にしてもよいことは明らかである。
高温検査において、先づ７５℃まで加熱された後、高温
検査の温度である６０℃まで冷却されるようになってい
るが、これは、高温検査時の温度安定性を確保するため
であり、最初からＩＣ１０は６０℃まで加熱されるよう
にしてもよいことは明らかである。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｉ
Ｃ内の出力トランジスタの寄生トランジスタに電流を印
加することによって、該ＩＣを直接に加熱するようにし
たので、簡単な構成により容易にＩＣが高温に保持され
得る。これにより、ＩＣの高温検査は、高温ハンドラや
恒温槽を使用することなく、常温検査で使用するＩＣテ
スタを使用して、行なわれ得ることになる。従って、Ｉ
Ｃの常温検査に続いて、連続的にＩＣの高温検査が行な
われ得ることから、ＩＣの検査時間が短縮され得ると共
に、コストが低減され得ることになる。
Ｃ内の出力トランジスタの寄生トランジスタに電流を印
加することによって、該ＩＣを直接に加熱するようにし
たので、簡単な構成により容易にＩＣが高温に保持され
得る。これにより、ＩＣの高温検査は、高温ハンドラや
恒温槽を使用することなく、常温検査で使用するＩＣテ
スタを使用して、行なわれ得ることになる。従って、Ｉ
Ｃの常温検査に続いて、連続的にＩＣの高温検査が行な
われ得ることから、ＩＣの検査時間が短縮され得ると共
に、コストが低減され得ることになる。
【００２３】電流印加の前後にて、出力トランジスタの
ＶＦを測定して、ＶＦの差により、上昇温度差を判定す
る場合には、出力トランジスタのＶＦの温度依存性を利
用して、ＩＣテスタを使用したＶＦ測定により、ＩＣの
温度上昇が正確に検出され得るので、印加電流の電流
値，及び印加時間を適宜に選択することにより、ＩＣが
所定温度に設定され得ることになる。
ＶＦを測定して、ＶＦの差により、上昇温度差を判定す
る場合には、出力トランジスタのＶＦの温度依存性を利
用して、ＩＣテスタを使用したＶＦ測定により、ＩＣの
温度上昇が正確に検出され得るので、印加電流の電流
値，及び印加時間を適宜に選択することにより、ＩＣが
所定温度に設定され得ることになる。
【００２４】先づ所定温度より僅かに高い温度まで上げ
た後、所定温度に設定する場合には、高温検査時におけ
る所定温度の安定性が向上するので、正確な高温検査が
行なわれ得ることになる。
た後、所定温度に設定する場合には、高温検査時におけ
る所定温度の安定性が向上するので、正確な高温検査が
行なわれ得ることになる。
【００２５】かくして、本発明によれば、簡単な構成に
より、コストが低減され得ると共に、検査全体に要する
時間が短縮され得るようにした、極めて優れたＩＣの高
温検査方法が提供され得ることになる。
より、コストが低減され得ると共に、検査全体に要する
時間が短縮され得るようにした、極めて優れたＩＣの高
温検査方法が提供され得ることになる。
【図１】本発明によるＩＣの高温検査方法の一実施例を
適用したＩＣの等価回路図である。
適用したＩＣの等価回路図である。
【図２】図１のＩＣの出力トランジスタの具体的構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
１０ ＩＣ １１ 出力トランジスタ １２ ｐ型基板 １３ ｎ＋型埋込み層 １４ ｐ型層 １５ ｎ型層 １６ ｐ型拡散層 １７ ｎ＋型拡散層 １８ ｎ＋型拡散層 Ｖｏｕｔ 出力端子 ＧＮＤ アース
Claims (3)
- 【請求項１】 出力がオープンコレクタであってＧＮＤ
・Ｖｏｕｔ間の寄生ダイオードを備えた出力トランジス
タを有する、ＩＣにおいて、 上記寄生ダイオードに電流を印加することにより、該寄
生ダイオードに発生する熱により、ＩＣ全体を高温であ
る所定温度に保持して、ＩＣテスタにより該ＩＣの高温
検査を行なうようにした、ＩＣの高温検査方法。 - 【請求項２】 電流印加の前後にて、出力トランジスタ
のＶＦを測定して、ＶＦの差により、温度差を判定する
ことを特徴とする、請求項１に記載のＩＣの高温検査方
法。 - 【請求項３】 先づ所定温度より僅かに高い温度まで上
げた後、所定温度に設定するようにしたことを特徴とす
る、請求項１または２に記載のＩＣの高温検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261872A JPH08101250A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｉｃの高温検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261872A JPH08101250A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｉｃの高温検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08101250A true JPH08101250A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17367936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261872A Pending JPH08101250A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｉｃの高温検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08101250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021128065A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の試験方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6261872A patent/JPH08101250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021128065A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の試験方法 |
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