JPH0794770A - シリコン太陽電池 - Google Patents
シリコン太陽電池Info
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- JPH0794770A JPH0794770A JP6128788A JP12878894A JPH0794770A JP H0794770 A JPH0794770 A JP H0794770A JP 6128788 A JP6128788 A JP 6128788A JP 12878894 A JP12878894 A JP 12878894A JP H0794770 A JPH0794770 A JP H0794770A
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- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 太陽エネルギーを電気エネルギーへ効率よく
変換する安価なシリコン太陽電池を提供する。 【構成】 光を吸収し電流担体を発生する材料として細
線状シリコンを用いることを特徴とするシリコン太陽電
池で、具体的には絶縁性基板９上に負、正の電極線７、
８を交互に平行に隔置し、各電極線７、８間に細線状シ
リコン１０が両側の電極線７、８に接触して形成されて
いる。
変換する安価なシリコン太陽電池を提供する。 【構成】 光を吸収し電流担体を発生する材料として細
線状シリコンを用いることを特徴とするシリコン太陽電
池で、具体的には絶縁性基板９上に負、正の電極線７、
８を交互に平行に隔置し、各電極線７、８間に細線状シ
リコン１０が両側の電極線７、８に接触して形成されて
いる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、細線状シリコンよりな
る太陽電池に関するものである。
る太陽電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来人類が利用しているエネルギー源
は、主として石炭、石油等の化石燃料であるが、これら
は近い将来枯渇のおそれがあるほか、地球温暖化など環
境問題を背景にして、太陽エネルギーを直接電気エネル
ギーに変換する太陽光発電、例えば太陽電池による発電
が注目されてきている。中でもシリコン半導体を用いる
太陽電池は、その有効な手段として、これまでも各国で
材料とその製造方法について精力的な研究が進められて
いる。しかし従来の商用電力の価格に比べ、太陽電池発
電システムによる電力が高価であることが実用化の最大
の障壁になっており、より一層低価格の太陽電池の開発
が望まれている。
は、主として石炭、石油等の化石燃料であるが、これら
は近い将来枯渇のおそれがあるほか、地球温暖化など環
境問題を背景にして、太陽エネルギーを直接電気エネル
ギーに変換する太陽光発電、例えば太陽電池による発電
が注目されてきている。中でもシリコン半導体を用いる
太陽電池は、その有効な手段として、これまでも各国で
材料とその製造方法について精力的な研究が進められて
いる。しかし従来の商用電力の価格に比べ、太陽電池発
電システムによる電力が高価であることが実用化の最大
の障壁になっており、より一層低価格の太陽電池の開発
が望まれている。
【０００３】従来のシリコン太陽電池としては、例えば
図３に示すように、ｐ型のシリコン半導体基板１の表面
に、Ｐなどを拡散させたｎ+ 層２、その上に反射防止膜
３を介して表面電極４を形成し、裏面にはＡｌペースト
の印刷などにより形成した層を焼成してｐ+ 層５、その
上に同じくＡｌペーストの印刷により裏面電極６を形成
したものが一般的である。
図３に示すように、ｐ型のシリコン半導体基板１の表面
に、Ｐなどを拡散させたｎ+ 層２、その上に反射防止膜
３を介して表面電極４を形成し、裏面にはＡｌペースト
の印刷などにより形成した層を焼成してｐ+ 層５、その
上に同じくＡｌペーストの印刷により裏面電極６を形成
したものが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらシリコン
半導体基板を、ＣＺ法またはＦＺ法により製造したシリ
コン単結晶または多結晶棒からスライスして得ようとす
ると、シリコン棒の製造およびスライスのコストが高い
うえに、スライスの際の切断ロスが多く、いちじるしく
コスト高となる。一方アモルファスシリコンを利用すれ
ば、材料コストは低いものの光電変換効率が低く、耐久
性にも問題があった。
半導体基板を、ＣＺ法またはＦＺ法により製造したシリ
コン単結晶または多結晶棒からスライスして得ようとす
ると、シリコン棒の製造およびスライスのコストが高い
うえに、スライスの際の切断ロスが多く、いちじるしく
コスト高となる。一方アモルファスシリコンを利用すれ
ば、材料コストは低いものの光電変換効率が低く、耐久
性にも問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来に比べコ
スト低減が可能な新しいシリコン太陽電池を提供するも
ので、これは光を吸収し電流担体を発生する材料として
細線状シリコンを用いることを特徴とするシリコン太陽
電池を要旨とし、具体的には絶縁性基板上に正、負の電
極線を交互に平行に隔置し、各電極線間に細線状シリコ
ンを両側の電極線に接触させて形成されていることを特
徴とするシリコン太陽電池である。
スト低減が可能な新しいシリコン太陽電池を提供するも
ので、これは光を吸収し電流担体を発生する材料として
細線状シリコンを用いることを特徴とするシリコン太陽
電池を要旨とし、具体的には絶縁性基板上に正、負の電
極線を交互に平行に隔置し、各電極線間に細線状シリコ
ンを両側の電極線に接触させて形成されていることを特
徴とするシリコン太陽電池である。
【０００６】以下図によって本発明のシリコン太陽電池
を製造する実施態様の一例を説明する。図１（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すように、細線状シリコンをｎ型と
するため添加するドナー不純物を含むＡｇよりなる負電
極線７と、ｐ型とするため添加するアクセプター不純物
を含むＡｇよりなる正電極線８（７、８の斜線模様は断
面を表すものではない）を、絶縁性基板９上に交互に平
行に間隔を置いて繰り返し密着させ形成した後、ｐ型の
細線状シリコン１０を正、負電極線８、７の各間に、両
側の電極線に平行に接触させて並べる。ついでこれを炉
中で熱処理すると、ｐ型の細線状シリコン１０の負電極
線７に接触している部分にドナータイプ不純物が拡散し
てｎ+ 層１１が形成され、正電極線８に接触している部
分にアクセプタータイプ不純物が拡散してｐ+ 層１２が
形成される。そこで正電極線８を一括して出力端子１３
に、負電極線７を一括して出力端子１４に接続すると本
発明のシリコン太陽電池が得られる。
を製造する実施態様の一例を説明する。図１（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すように、細線状シリコンをｎ型と
するため添加するドナー不純物を含むＡｇよりなる負電
極線７と、ｐ型とするため添加するアクセプター不純物
を含むＡｇよりなる正電極線８（７、８の斜線模様は断
面を表すものではない）を、絶縁性基板９上に交互に平
行に間隔を置いて繰り返し密着させ形成した後、ｐ型の
細線状シリコン１０を正、負電極線８、７の各間に、両
側の電極線に平行に接触させて並べる。ついでこれを炉
中で熱処理すると、ｐ型の細線状シリコン１０の負電極
線７に接触している部分にドナータイプ不純物が拡散し
てｎ+ 層１１が形成され、正電極線８に接触している部
分にアクセプタータイプ不純物が拡散してｐ+ 層１２が
形成される。そこで正電極線８を一括して出力端子１３
に、負電極線７を一括して出力端子１４に接続すると本
発明のシリコン太陽電池が得られる。
【０００７】絶縁性基板は、絶縁性材料であればよく、
例えばガラス、石英やアルミナ等の酸化物セラミックス
のほかに、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の非酸化物
セラミックス、ないしはこれらの複合材料が使用される
ほか、電気絶縁性の高分子材料であってもよい。また金
属基板の上にこれら絶縁性材料を貼り合わせたものでも
よい。
例えばガラス、石英やアルミナ等の酸化物セラミックス
のほかに、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の非酸化物
セラミックス、ないしはこれらの複合材料が使用される
ほか、電気絶縁性の高分子材料であってもよい。また金
属基板の上にこれら絶縁性材料を貼り合わせたものでも
よい。
【０００８】正、負の電極線の材料としては、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗも
しくはこれらの合金からなる金属に、正電極線の場合は
アクセプターとして作用するＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｂ、Ｂ
Ｎ、Ｂ2 Ｏ3 のうち少なくとも一種、負電極線の場合は
ドナーとして作用するＰ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐ2 Ｏ5 、Ａｓ
2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｂｉのうち少なくとも一種を含有
させればよい。これらの電極線は、その材料を含むペー
ストを絶縁性基板上に印刷、焼成して形成するか、絶縁
性基板上に真空蒸着、スパッタ成膜、イオンプレーティ
ング等の薄膜形成技術とパターニング技術によって形成
することができる。
ｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗも
しくはこれらの合金からなる金属に、正電極線の場合は
アクセプターとして作用するＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｂ、Ｂ
Ｎ、Ｂ2 Ｏ3 のうち少なくとも一種、負電極線の場合は
ドナーとして作用するＰ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐ2 Ｏ5 、Ａｓ
2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｂｉのうち少なくとも一種を含有
させればよい。これらの電極線は、その材料を含むペー
ストを絶縁性基板上に印刷、焼成して形成するか、絶縁
性基板上に真空蒸着、スパッタ成膜、イオンプレーティ
ング等の薄膜形成技術とパターニング技術によって形成
することができる。
【０００９】細線状シリコンは、例えば図２（ａ）に模
式的に示したように、棒状シリコン１８をその軸の周り
に回転させ、高周波加熱コイル１９でその上端部を加熱
し、溶融状態を保ちながら細線状シリコン２０を上方に
線径を制御しつつ引き出す線引法、または図２（ｂ）に
模式的に示したように、シリコン融液２１上に浮かせて
配置した、例えば窒化ケイ素よりなる線引用治具（ダ
イ）２２の細孔２３から引き上げる引上法によって作製
することができる。
式的に示したように、棒状シリコン１８をその軸の周り
に回転させ、高周波加熱コイル１９でその上端部を加熱
し、溶融状態を保ちながら細線状シリコン２０を上方に
線径を制御しつつ引き出す線引法、または図２（ｂ）に
模式的に示したように、シリコン融液２１上に浮かせて
配置した、例えば窒化ケイ素よりなる線引用治具（ダ
イ）２２の細孔２３から引き上げる引上法によって作製
することができる。
【００１０】これらの細線状シリコンは、単結晶、多結
晶いずれでも、導電型はｐ型、ｎ型いずれでもよい。ま
た導電率の制御は、使用するシリコン原料中のドーパン
トの量を変化させるか、あるいは細線状シリコンの引き
出しあるいは引き上げの際の雰囲気中にドープ剤の気体
状化合物、例えばＰＨ3 あるいはＢ2 Ｈ6 を、必要とす
る特性すなわち抵抗率が０．１Ωｃｍないし１００Ωｃ
ｍの間になるように選択した分圧で存在させるか、これ
らの方法の組み合わせ等によって行うことができる。ま
た、細線状シリコンの断面形状は円形、扁平または多角
形等特にその形状は問わない。その太さは、２００μｍ
2 から１ｍｍ2 の間の断面積のものが好ましい。前記の
正、負電極線にこの細線状シリコンを接触させて熱処理
すると、細線状シリコンの正電極線との接触部にｐ+ 層
を、負電極線との接触部にｎ+ 層を形成することができ
る。熱処理の方法としては、通常の拡散炉が使用でき、
Ｎ2 ガス等の不活性ガス雰囲気中で６００〜９００℃の
温度で５〜３０分間加熱すればよく、温度と加熱時間を
変えることにより、細線状シリコンの形状に適切となる
ｎ+ 層およびｐ+ 層を形成することができる。
晶いずれでも、導電型はｐ型、ｎ型いずれでもよい。ま
た導電率の制御は、使用するシリコン原料中のドーパン
トの量を変化させるか、あるいは細線状シリコンの引き
出しあるいは引き上げの際の雰囲気中にドープ剤の気体
状化合物、例えばＰＨ3 あるいはＢ2 Ｈ6 を、必要とす
る特性すなわち抵抗率が０．１Ωｃｍないし１００Ωｃ
ｍの間になるように選択した分圧で存在させるか、これ
らの方法の組み合わせ等によって行うことができる。ま
た、細線状シリコンの断面形状は円形、扁平または多角
形等特にその形状は問わない。その太さは、２００μｍ
2 から１ｍｍ2 の間の断面積のものが好ましい。前記の
正、負電極線にこの細線状シリコンを接触させて熱処理
すると、細線状シリコンの正電極線との接触部にｐ+ 層
を、負電極線との接触部にｎ+ 層を形成することができ
る。熱処理の方法としては、通常の拡散炉が使用でき、
Ｎ2 ガス等の不活性ガス雰囲気中で６００〜９００℃の
温度で５〜３０分間加熱すればよく、温度と加熱時間を
変えることにより、細線状シリコンの形状に適切となる
ｎ+ 層およびｐ+ 層を形成することができる。
【００１１】
【作用】こうして得た本発明の太陽電池に、太陽光１５
を照射すると、この細線状シリコンに電流担体としての
電子および正孔が発生し、出力端子１３より１４に向け
て起電力を生じ、太陽エネルギーが直接電気エネルギー
に変換される。さらに細線状シリコンの表面を酸化して
パッシベーション膜１６を形成し、その上に反射防止膜
１７をコーティングし、さらにその上に有機材料をコー
ティングしたり、ガラス板で覆うことも可能である。こ
の場合、図１（ｃ）に示すように、太陽光線が細線状シ
リコン１０に投射した際、細線状シリコン１０内に入射
し起電力を生ずるが、細線状シリコンの表面で太陽光１
５の一部が反射されても、隣接の細線状シリコン１０に
入射する。又細線状シリコン内に入射された太陽光１５
は細線状シリコン内部で反射を繰り返し吸収され、外部
に逃げることがないので、変換効率が向上する。
を照射すると、この細線状シリコンに電流担体としての
電子および正孔が発生し、出力端子１３より１４に向け
て起電力を生じ、太陽エネルギーが直接電気エネルギー
に変換される。さらに細線状シリコンの表面を酸化して
パッシベーション膜１６を形成し、その上に反射防止膜
１７をコーティングし、さらにその上に有機材料をコー
ティングしたり、ガラス板で覆うことも可能である。こ
の場合、図１（ｃ）に示すように、太陽光線が細線状シ
リコン１０に投射した際、細線状シリコン１０内に入射
し起電力を生ずるが、細線状シリコンの表面で太陽光１
５の一部が反射されても、隣接の細線状シリコン１０に
入射する。又細線状シリコン内に入射された太陽光１５
は細線状シリコン内部で反射を繰り返し吸収され、外部
に逃げることがないので、変換効率が向上する。
【００１２】
【実施例】抵抗率が１．５Ωｃｍ、直径が５ｍｍのｐ型
シリコン単結晶棒を、垂直に保持して回転させながら、
その上端部を高周波コイルを用いて加熱溶融し、融液を
半球状に保ちつつ、直径がおよそ５００μｍ、長さがお
よそ１ｍのｐ型細線状シリコンを引き上げ、これを２０
ｍｍの長さにカットしたところ、このｐ型細線状シリコ
ンの抵抗率は２〜３Ωｃｍに相当した。つぎにこの細線
状シリコンの外側およそ１００μｍをエッチングして除
去し、ついで酸化しておよそ１０ｎｍのパッシベーショ
ン膜を形成した。つぎに一辺が２５ｍｍ、厚さ１．５ｍ
ｍの正方形の石英基板上に、Ａｇ粉末、Ａｌ粉末、ガラ
スフリット、セルローズ系有機バインダー、有機溶媒を
配合した正電極線材料、およびＡｇ粉末、Ｐ2 Ｏ5 粉
末、ガラスフリット、セルローズ系有機バインダー、有
機溶媒を配合した負電極線材料をそれぞれ交互にスクリ
ーン印刷法により印刷し、１５０℃で１０分間乾燥し櫛
形状の正、負電極線を形成した。このときの各電極線の
幅はおよそ２００μｍ、間隔はおよそ２００μｍであっ
た。
シリコン単結晶棒を、垂直に保持して回転させながら、
その上端部を高周波コイルを用いて加熱溶融し、融液を
半球状に保ちつつ、直径がおよそ５００μｍ、長さがお
よそ１ｍのｐ型細線状シリコンを引き上げ、これを２０
ｍｍの長さにカットしたところ、このｐ型細線状シリコ
ンの抵抗率は２〜３Ωｃｍに相当した。つぎにこの細線
状シリコンの外側およそ１００μｍをエッチングして除
去し、ついで酸化しておよそ１０ｎｍのパッシベーショ
ン膜を形成した。つぎに一辺が２５ｍｍ、厚さ１．５ｍ
ｍの正方形の石英基板上に、Ａｇ粉末、Ａｌ粉末、ガラ
スフリット、セルローズ系有機バインダー、有機溶媒を
配合した正電極線材料、およびＡｇ粉末、Ｐ2 Ｏ5 粉
末、ガラスフリット、セルローズ系有機バインダー、有
機溶媒を配合した負電極線材料をそれぞれ交互にスクリ
ーン印刷法により印刷し、１５０℃で１０分間乾燥し櫛
形状の正、負電極線を形成した。このときの各電極線の
幅はおよそ２００μｍ、間隔はおよそ２００μｍであっ
た。
【００１３】このように交互に配列された正、負電極線
の各間隔上に、これらと平行に上記パッシベーション処
理された細線状シリコンを両電極線に接触させて順次並
べ、細線状シリコン全体が一辺２０ｍｍの正方形を作る
ようにした。ついでこれを窒素ガス雰囲気中で７５０℃
で１０分間加熱し、細線状シリコン中にＰ、Ａｌを拡散
させてそれぞれｎ+ 層、ｐ+ 層を形成し、受光面側にＴ
ｉＯ2 の反射防止膜を熱ＣＶＤにより形成し、本発明に
よるシリコン太陽電池を作製した。この太陽電池に、Ａ
Ｍ１．５、２５℃、１００ｍＷ／ｃｍ2 の条件で変換効
率を測定したところ１５．３％であった。
の各間隔上に、これらと平行に上記パッシベーション処
理された細線状シリコンを両電極線に接触させて順次並
べ、細線状シリコン全体が一辺２０ｍｍの正方形を作る
ようにした。ついでこれを窒素ガス雰囲気中で７５０℃
で１０分間加熱し、細線状シリコン中にＰ、Ａｌを拡散
させてそれぞれｎ+ 層、ｐ+ 層を形成し、受光面側にＴ
ｉＯ2 の反射防止膜を熱ＣＶＤにより形成し、本発明に
よるシリコン太陽電池を作製した。この太陽電池に、Ａ
Ｍ１．５、２５℃、１００ｍＷ／ｃｍ2 の条件で変換効
率を測定したところ１５．３％であった。
【００１４】
【発明の効果】本発明による太陽電池は、材料となる細
線状シリコンを切断したり加工したりする際、材料ロス
がほとんどなく、かつ比較的小型の設備で製造すること
ができるうえに、結晶質であるため太陽エネルギーの変
換効率が高く、さらに太陽エネルギーの吸収効率が高い
ため、従来のシリコン太陽電池に比べて安価かつ高い材
料歩留りで高効率の太陽電池を提供することができる。
線状シリコンを切断したり加工したりする際、材料ロス
がほとんどなく、かつ比較的小型の設備で製造すること
ができるうえに、結晶質であるため太陽エネルギーの変
換効率が高く、さらに太陽エネルギーの吸収効率が高い
ため、従来のシリコン太陽電池に比べて安価かつ高い材
料歩留りで高効率の太陽電池を提供することができる。
【図１】本発明のシリコン太陽電池の（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿う拡大
断面図である。
（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ａ）のＸ−Ｘ線に沿う拡大
断面図である。
【図２】細線状シリコンの製造方法のうち、（ａ）は線
引法、（ｂ）は引上法を模式的に示した図である。
引法、（ｂ）は引上法を模式的に示した図である。
【図３】従来の太陽電池の説明用断面図である。
１…ｐ型シリコン基板 ２０…細線状シリ
コン ２…ｎ+ 層 ２１…シリコン融
液 ３…反射防止膜 ２２…ダイ ４…表面電極 ２３…細孔 ５…ｐ+ 層 ６…裏面電極 ７…負電極線 ８…正電極線 ９…基板 １０…細線状シリコン １１…ｎ+ 層 １２…ｐ+ 層 １３…出力端子 １４…出力端子 １５…太陽光 １６…パッシベーション膜 １７…反射防止膜 １８…シリコン棒 １９…高周波加熱コイル
コン ２…ｎ+ 層 ２１…シリコン融
液 ３…反射防止膜 ２２…ダイ ４…表面電極 ２３…細孔 ５…ｐ+ 層 ６…裏面電極 ７…負電極線 ８…正電極線 ９…基板 １０…細線状シリコン １１…ｎ+ 層 １２…ｐ+ 層 １３…出力端子 １４…出力端子 １５…太陽光 １６…パッシベーション膜 １７…反射防止膜 １８…シリコン棒 １９…高周波加熱コイル
フロントページの続き (72)発明者 山田 透 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内 (72)発明者 平沢 照彦 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内
Claims (16)
- 【請求項１】 光を吸収し電流担体を発生する材料とし
て細線状シリコンを用いることを特徴とするシリコン太
陽電池。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に正、負の電極線を交互に
平行に隔置し、各電極線間に細線状シリコンを両側の電
極線に接触させて形成した請求項１に記載の太陽電池。 - 【請求項３】 細線状シリコンが単結晶ないし多結晶の
結晶質である請求項１または２に記載の太陽電池。 - 【請求項４】 細線状シリコンの断面積が２００μｍ2
ないし１ｍｍ2 の間である請求項１、２または３に記載
の太陽電池。 - 【請求項５】 細線状シリコンの抵抗率が０．１ないし
１００Ωｃｍの間である請求項１、２、３または４に記
載の太陽電池。 - 【請求項６】 細線状シリコンが、溶融したシリコンよ
り線引法あるいは引上法によって製造される請求項１〜
５のいずれかに記載の太陽電池。 - 【請求項７】 線引法は、棒状シリコンをその軸の周り
に回転させつつその上端部を加熱、溶融しながら、線径
を制御しつつ細線状シリコンを引き上げて製造する方法
である請求項６に記載の太陽電池。 - 【請求項８】 引上法は、細孔を有する線引用治具を溶
融シリコン上に浮かせ、細孔より細線状シリコンを引き
出して製造する方法である請求項６に記載の太陽電池。 - 【請求項９】 細線状シリコンを引上法あるいは線引法
によって製造する際に、シリコン融液周辺の雰囲気中に
ドーパントガスを含ませて導電型および抵抗率が制御さ
れる請求項６に記載の太陽電池。 - 【請求項１０】 電極材料がアルミニウム、銀、金、白
金、チタン、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗのうちの１種
あるいはこれらの少なくとも１種を含むものである請求
項２に記載の太陽電池。 - 【請求項１１】 正の電極材料がＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、
Ｂ、ＢＮ、Ｂ2 Ｏ3 のうち、少なくとも１種を含む請求
項２に記載の太陽電池。 - 【請求項１２】 負の電極材料がＰ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐ2
Ｏ5 、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、Ｂｉのうちの少なくと
も１種を含んでなる請求項２に記載の太陽電池。 - 【請求項１３】 正および／または負の電極が、その材
料を含むペーストを絶縁性基板上に印刷、焼成して形成
される請求項２に記載の太陽電池。 - 【請求項１４】 正および／または負の電極が、真空蒸
着、スパッタあるいはイオンプレーティングにより形成
される請求項２に記載の太陽電池。 - 【請求項１５】 絶縁性基板がセラミックスからなる請
求項１３に記載の太陽電池。 - 【請求項１６】 絶縁性基板が高分子材料からなる請求
項１３に記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6128788A JPH0794770A (ja) | 1993-07-26 | 1994-06-10 | シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18385893 | 1993-07-26 | ||
| JP5-183858 | 1993-07-26 | ||
| JP6128788A JPH0794770A (ja) | 1993-07-26 | 1994-06-10 | シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794770A true JPH0794770A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=26464377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6128788A Pending JPH0794770A (ja) | 1993-07-26 | 1994-06-10 | シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114695572A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 分片太阳能电池制作工艺及由其制作的分片太阳能电池 |
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1994
- 1994-06-10 JP JP6128788A patent/JPH0794770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114695572A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 分片太阳能电池制作工艺及由其制作的分片太阳能电池 |
| CN114695572B (zh) * | 2020-12-28 | 2024-03-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 分片太阳能电池制作工艺及由其制作的分片太阳能电池 |
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