JPH0794764A - Photoelectric converter apparatus - Google Patents
Photoelectric converter apparatusInfo
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- JPH0794764A JPH0794764A JP5233250A JP23325093A JPH0794764A JP H0794764 A JPH0794764 A JP H0794764A JP 5233250 A JP5233250 A JP 5233250A JP 23325093 A JP23325093 A JP 23325093A JP H0794764 A JPH0794764 A JP H0794764A
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、単一または複数の矩
形のシリコンセルによって構成した太陽電池等の光電変
換装置に関し、特に無反射表面構造を有した光電変換装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion device such as a solar cell composed of single or plural rectangular silicon cells, and more particularly to a photoelectric conversion device having a non-reflection surface structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高効率の太陽電池としてブラックセルが
知られている。このブラックセルは、入射光の反射を低
減し、また、基板内部での実効的な光路長を増加させる
べく、表面に多数の微小なピラミッド形状の凹凸を形成
したものである。さらに、この表面の凹凸形状として、
ピラミッドの頂点がセルの内側を向いた逆ピラミッドパ
ターンやＶ字型の溝からなるＶグルーブパターン等の開
発が進められている。これらは、ＮＲＳ（Ｎｏｎ−Ｒｅ
ｆｒｅｃｔｉｎｇ−Ｓｕｒｆａｃｅ：無反射表面形状）
と総称されている。ＮＲＳは、面方位が（１００）のシ
リコン単結晶板を、約摂氏８０度に加熱した弱アルカリ
性のエッチング液で数十分間エッチングすることにより
形成される。このエッチングにより図８および図９に示
すように、シリコンセル８１，９１の上面には例えば微
細なピラミッド形状８２やＶ字型の溝９２が表面電極８
３，９３の設置部分を除いて多数形成される。2. Description of the Related Art Black cells are known as high-efficiency solar cells. This black cell has a large number of minute pyramid-shaped irregularities formed on its surface in order to reduce reflection of incident light and increase the effective optical path length inside the substrate. Furthermore, as the uneven shape of this surface,
The development of an inverted pyramid pattern in which the apex of the pyramid faces the inside of the cell, a V-groove pattern composed of V-shaped grooves, and the like are under development. These are NRS (Non-Re
frying-Surface: non-reflective surface shape)
Is collectively called. The NRS is formed by etching a silicon single crystal plate having a plane orientation of (100) for several tens of minutes with a weak alkaline etching solution heated to about 80 degrees Celsius. By this etching, as shown in FIGS. 8 and 9, fine pyramid shapes 82 and V-shaped grooves 92 are formed on the upper surfaces of the silicon cells 81 and 91, for example.
A large number are formed except the installation portions of 3,93.
【０００３】なお、シリコンセル８１，９１は、シリコ
ン基板の表面からリン等のＮ型不純物を拡散し、表面近
傍にはＰＮ接合が形成されている。表電極は入射光を妨
げず有効にキャリアを収集するために例えば櫛型電極８
３，９３を配置し、基板８５，９５の裏面にＰ型不純物
を拡散したＰ+ 拡散層８８，９８を形成するとともに全
面に裏電極８６，９６を備えて構成されている。一般
に、太陽電池モジュールは複数のシリコンセル８１，９
１をインタコネクタと呼ばれる金属片を介して並列また
は直列に電気的に接続して構成される。In the silicon cells 81 and 91, N-type impurities such as phosphorus are diffused from the surface of the silicon substrate, and a PN junction is formed near the surface. The front electrode is, for example, a comb-shaped electrode 8 in order to collect carriers effectively without blocking incident light.
3, 93 are arranged, P + diffusion layers 88 and 98 in which P-type impurities are diffused are formed on the back surfaces of the substrates 85 and 95, and back electrodes 86 and 96 are provided on the entire surfaces. Generally, a solar cell module has a plurality of silicon cells 81, 9
1 are electrically connected in parallel or in series through metal pieces called interconnectors.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｎ
ＲＳを有するシリコンセルにおいて、ピラミッド形状や
Ｖ字型の溝等の無反射パターンの形成方向は、シリコン
セルの（１００）面内における＜０１０＞または＜００
１＞方向であり、結晶の劈開方向と同方向に形成され
る。このため、表面が平滑なシリコンセルに比べて取扱
い時に割れを発生しやすい問題があった。特に、従来の
ＮＲＳ構造のシリコンセルでは、無反射パターンが表面
の端部まで形成されていたため、この部分から割れやク
ラックを発生しやすい問題があった。However, the above N
In a silicon cell having RS, the formation direction of a non-reflective pattern such as a pyramid-shaped or V-shaped groove is <010> or <00> in the (100) plane of the silicon cell.
1> direction, which is formed in the same direction as the crystal cleavage direction. For this reason, there is a problem that cracks are likely to occur during handling, as compared with a silicon cell having a smooth surface. Particularly, in the conventional silicon cell having the NRS structure, since the non-reflective pattern is formed up to the end portion of the surface, there is a problem that cracks or cracks are easily generated from this portion.
【０００５】また、図７（同図においてＮＲＳは省略し
ている。）に示すように従来のシリコンセル８１では、
表面の４辺のいずれかが劈開方向である無反射パターン
の形成方向に一致していたため、シリコンセル８１に接
続用のインタコネクタ８４を溶接する際に、劈開方向に
溶接方向が一致して溶接歪みが蓄積し、外部応力の増加
にともなってシリコンセルが脆弱化する問題がある。さ
らに、無反射パターンにより基板の厚さが薄い部分は熱
容量が小さいため、他の部分と比べて溶接時に急激に加
熱されることとなり、熱応力の発生によりクラックを生
じやすくなる問題があった。特に、インタコネクタの接
続強度を大きくするために溶接電力を上昇させるとクラ
ックの発生率が高くなり、歩留りが低下して生産コスト
の上昇を招く問題があった。Further, as shown in FIG. 7 (NRS is omitted in the figure), in the conventional silicon cell 81,
Since any of the four sides of the surface coincided with the formation direction of the non-reflective pattern which is the cleavage direction, when the interconnector 84 for connection was welded to the silicon cell 81, the welding direction coincided with the cleavage direction. There is a problem that strain accumulates and the silicon cell becomes brittle with an increase in external stress. Further, since the portion of the substrate having a small thickness due to the non-reflective pattern has a small heat capacity, it is heated more rapidly during welding than other portions, and there is a problem that cracks are likely to occur due to generation of thermal stress. In particular, when welding power is increased in order to increase the connection strength of the interconnector, there is a problem that the crack occurrence rate increases, the yield decreases, and the production cost increases.
【０００６】この発明の目的は、シリコンセルの表面の
外縁部において無反射パターンを形成しないようにする
とともに、表面の各辺がシリコンセルの劈開方向に一致
しないようにすることにより、シリコンセルの取扱い時
や溶接作業時における割れやクラックの発生率を低下さ
せ、作業性の向上およびコストの低廉化を実現できる光
電変換装置を提供することにある。An object of the present invention is to prevent a non-reflective pattern from being formed at the outer edge portion of the surface of the silicon cell and to prevent each side of the surface from being aligned with the cleavage direction of the silicon cell. It is an object of the present invention to provide a photoelectric conversion device that can reduce the occurrence rate of cracks and cracks during handling and welding work, improve workability, and reduce costs.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明
は、単一または複数の矩形のシリコンセルにより構成さ
れ、各シリコンセルの受光面に微細な立体形状の無反射
パターンを連続して形成した光電変換装置において、シ
リコンセルの表面の外縁部の所定範囲に無反射パターン
を形成せず、シリコンセルの劈開方向に一致しない４辺
によりシリコンセルの表面を構成したことを特徴とす
る。The invention described in claim 1 is constituted by a single or a plurality of rectangular silicon cells, and a fine three-dimensional antireflection pattern is continuously formed on the light receiving surface of each silicon cell. In the formed photoelectric conversion device, the non-reflective pattern is not formed in a predetermined range of the outer edge portion of the surface of the silicon cell, and the surface of the silicon cell is constituted by four sides that do not coincide with the cleavage direction of the silicon cell.
【０００８】請求項２に記載した発明は、前記シリコン
セルの表面の４辺が劈開方向となす角度を４５度とした
ものである。According to the second aspect of the invention, the angle formed by the four sides of the surface of the silicon cell with the cleavage direction is 45 degrees.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１に記載した発明においては、光電変換
装置を構成する矩形のシリコンセルの表面の外縁部の所
定範囲において、無反射パターンが形成されず、また、
シリコンセルの表面の４辺はいずれも劈開方向に一致し
ない。したがって、シリコンセルの外縁部の所定範囲に
おいて充分な厚さが確保され、この部分から割れやクラ
ックが発生する確率が低くなる。また、溶接方向はシリ
コンセルの劈開方向に一致せず、溶接歪みによる内部応
力の蓄積に起因する割れやクラックの発生確率が低くな
る。In the invention described in claim 1, the non-reflective pattern is not formed in the predetermined range of the outer edge portion of the surface of the rectangular silicon cell constituting the photoelectric conversion device, and
None of the four sides of the surface of the silicon cell coincide with the cleavage direction. Therefore, a sufficient thickness is secured in a predetermined range of the outer edge portion of the silicon cell, and the probability of cracks or cracks occurring from this portion is reduced. In addition, the welding direction does not coincide with the cleavage direction of the silicon cell, and the probability of cracks or cracks due to the accumulation of internal stress due to welding strain is reduced.
【００１０】請求項２に記載した発明においては、シリ
コンセルの表面の４片が劈開方向となす角度を４５度と
することにより、複数のシリコンセルによって構成され
るモジュール内の１枚のシリコンセルに割れを生じた場
合にも、モジュールの電気的接続の一部を維持できる可
能性が高くなる。According to the second aspect of the invention, one silicon cell in a module constituted by a plurality of silicon cells is formed by setting the angle formed by the four pieces of the surface of the silicon cell with the cleavage direction to 45 degrees. If there is a crack in the module, it is more likely that a part of the electrical connection of the module can be maintained.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は、この発明の実施例である光電変換装
置を構成するシリコンセルの平面図である。同図におい
てＮＲＳは省略されている。シリコンセル１の表面に
は、外縁部９を除く全面に渡って無反射パターンが形成
されている。このシリコンセル１の表面の一辺には表面
電極３が備えられており、この表面電極４にインタコネ
クタ４が溶接されている。面方位が（１００）のシリコ
ンセル１においてエッチングにより形成された無反射パ
ターンはシリコンセル１の＜０１０＞または＜００１＞
の劈開方向に連続的に形成される。シリコンセル１は表
面を構成する４辺がこの劈開方向に例えば４５度の角度
で交わるように単結晶ウエハから取り出される。1 is a plan view of a silicon cell constituting a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention. In the figure, the NRS is omitted. A non-reflective pattern is formed on the entire surface of the silicon cell 1 except the outer edge portion 9. A surface electrode 3 is provided on one side of the surface of the silicon cell 1, and an interconnector 4 is welded to the surface electrode 4. The non-reflective pattern formed by etching in the silicon cell 1 having a plane orientation of (100) is <010> or <001> of the silicon cell 1.
Are continuously formed in the cleavage direction. The silicon cell 1 is taken out from the single crystal wafer so that the four sides constituting the surface intersect with each other in the cleavage direction at an angle of, for example, 45 degrees.
【００１２】図２は、上記シリコンセルの要部の拡大斜
視図である。同図に示すように、シリコンセル１を構成
するシリコン基板５の表面には多数の逆ピラミッド状の
無反射パターン２が形成されている。この逆ピラミッド
形状の無反射パターン２は面方位（１００）における＜
０１０＞および＜００１＞の劈開方向と同方向に連続的
に形成されている。この無反射パターン２は基板５の表
面において表面電極３の設置部分およびセルの外縁部に
おいて形成されていない。FIG. 2 is an enlarged perspective view of the main part of the silicon cell. As shown in the figure, a large number of inverted pyramid-shaped antireflection patterns 2 are formed on the surface of a silicon substrate 5 which constitutes the silicon cell 1. This inverted pyramid-shaped antireflection pattern 2 has a surface orientation (100) of <
010> and <001> are continuously formed in the same direction as the cleavage direction. The antireflection pattern 2 is not formed on the surface of the substrate 5 at the installation portion of the surface electrode 3 and the outer edge portion of the cell.
【００１３】図３は、この発明の別の実施例に係るシリ
コンセルの要部の拡大斜視図である。シリコンセル１１
を構成するシリコン基板１５の表面にはＶ字型の溝形状
の無反射パターン１２が多数形成されている。このＶ字
型の溝は＜０１０＞または＜００１＞の劈開方向と同方
向に連続して形成されている。このシリコンセル１１に
おいても前述のシリコンセル１と同様に、基板１５の表
面において表面電極１３の設置部およびセルの外縁部近
傍において無反射パターン１２は形成されていない。FIG. 3 is an enlarged perspective view of a main part of a silicon cell according to another embodiment of the present invention. Silicon cell 11
A large number of V-shaped groove-shaped non-reflective patterns 12 are formed on the surface of the silicon substrate 15 constituting the. The V-shaped groove is continuously formed in the same direction as the cleavage direction of <010> or <001>. In this silicon cell 11 as well, as in the above-described silicon cell 1, the non-reflective pattern 12 is not formed on the surface of the substrate 15 near the installation portion of the surface electrode 13 and the outer edge portion of the cell.
【００１４】図４は、この発明の実施例である光電変換
装置を構成するシリコンセルの製造工程の一部を示す図
である。シリコン単結晶のウエハ４１は上面の面方位が
（１００）のものを用い、その上下両面に酸化膜４２を
形成する。次いでウエハ４１の上面に無反射パターンを
形成する部分の酸化膜４２をエッチングするためのフォ
トレジスト４３が載置される。このフォトレジスト４３
は、シリコンセルの表面に形成される無反射パターンを
構成する逆ピラミッド形状に対応した位置に窓開け部４
４が多数形成されている。このフォトレジスト４３はウ
エハ４１の上面の劈開方向＜０１０＞および＜００１＞
に対して所定角度θだけ傾けて載置される。この角度θ
は前述の例では４５度である。FIG. 4 is a diagram showing a part of a manufacturing process of a silicon cell constituting a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention. A silicon single crystal wafer 41 having an upper surface orientation of (100) is used, and an oxide film 42 is formed on both upper and lower surfaces thereof. Next, a photoresist 43 for etching the oxide film 42 in the portion where the antireflection pattern is formed is placed on the upper surface of the wafer 41. This photoresist 43
Is the window opening 4 at a position corresponding to the inverted pyramid shape forming the non-reflective pattern formed on the surface of the silicon cell.
Many 4 are formed. The photoresist 43 is formed on the upper surface of the wafer 41 in the cleavage directions <010> and <001>.
It is placed at a predetermined angle θ with respect to. This angle θ
Is 45 degrees in the above example.
【００１５】このようにして、無反射パターンを形成す
る位置において酸化膜をフォトリソグラフィにより除去
し、前述のアルカリ性のエッチング液でエッチングして
無反射パターンを形成する。続いて、表裏面の酸化膜を
別々に除去し、それぞれにＮ型およびＰ型の不純物を拡
散して表面近傍にＰＮ接合を形成し、フォトリソグラフ
ィにより表面に電極パターンを形成した後に、表面およ
び裏面の蒸着、表面に反射防止膜の蒸着を行い、ウエハ
をダイシングして複数のシリコンセルを得る。In this way, the oxide film is removed by photolithography at the position where the antireflection pattern is to be formed, and the antireflection pattern is formed by etching with the above-mentioned alkaline etching solution. Subsequently, the oxide films on the front and back surfaces are separately removed, N-type and P-type impurities are diffused into each to form a PN junction near the surface, and an electrode pattern is formed on the surface by photolithography. A back surface is vapor-deposited, an anti-reflection film is vapor-deposited on the front surface, and the wafer is diced to obtain a plurality of silicon cells.
【００１６】なお、図５に示すようにウエハ４１の上面
に電極をフォトリソグラフィにより形成する際に用いら
れるフォトレジスト５４も、ウエハ４１の上面における
劈開方向＜０１０＞または＜００１＞に対して所定角度
θだけ傾けて載置される。As shown in FIG. 5, the photoresist 54 used when the electrodes are formed on the upper surface of the wafer 41 by photolithography is also predetermined with respect to the cleavage direction <010> or <001> on the upper surface of the wafer 41. It is placed with an angle θ.
【００１７】以上の工程により作成されたシリコンセル
を用いることにより、図６（Ａ）に示すように、複数の
シリコンセル１を直列に接続したモジュールにおいて、
１つのシリコンセル１ａに割れを生じた場合でも、シリ
コンセル１ａの上下辺と劈開方向とが傾斜しているた
め、シリコンセル８１の上下辺が劈開方向に一致する場
合（同図（Ｂ）参照）に比較して、シリコンセル１ａの
上下に位置するシリコンセル１ｂ，１ｃとの接続状態を
一部において維持することができる可能性が高くなる。
なお、図６においてＮＲＳは省略されている。By using the silicon cells produced through the above steps, as shown in FIG. 6A, in a module in which a plurality of silicon cells 1 are connected in series,
Even when one silicon cell 1a is cracked, the upper and lower sides of the silicon cell 1a are inclined with respect to the cleavage direction, so that the upper and lower sides of the silicon cell 81 coincide with the cleavage direction (see FIG. 6B). Compared to (), there is a high possibility that the connection state with the silicon cells 1b and 1c located above and below the silicon cell 1a can be partially maintained.
The NRS is omitted in FIG.
【００１８】また、本願発明のシリコンセルを用いるこ
とにより、割れやクラックの発生率を低減するのみなら
ず、出力特性を改善することが可能となった。これは、
シリコンセルの表面の外縁部近傍９を平滑化することに
よる逆方向のリーク電流が低減され、曲線因子が改善さ
れるためである。Further, by using the silicon cell of the present invention, not only the occurrence rate of cracks and cracks can be reduced but also output characteristics can be improved. this is,
This is because the leak current in the opposite direction due to the smoothing of the vicinity 9 of the outer edge of the surface of the silicon cell is reduced, and the fill factor is improved.
【００１９】[0019]
【発明の効果】この発明によれば、シリコンセルの表面
の外縁部近傍の所定範囲を平滑化しておくことにより端
部からの割れやクラックの発生を防止することができ、
取扱い作業性が向上する利点がある。また、シリコンセ
ルの表面を構成する４辺は劈開方向に一致せず、インタ
コネクタ等の溶接時における溶接歪みおよび加熱による
割れやクラックの発生を防止することができる利点があ
る。さらに、並列または直列接続されたモジュールの一
部のシリコンセルにおいて劈開方向の割れが生じた場合
でも、その一部において左右または上下のシリコンセル
との接続状態を維持できる可能性が高く、特にシリコン
セルの表面を構成する４辺が劈開方向となす角度を４５
度とすることにより接続状態を維持できる可能性が極め
て大きくなり、モジュール内での発生電圧および発生電
流の不均一を生じることがなく、信頼性の向上を図るこ
とができる利点がある。加えて、１枚のウエハから複数
のシリコンセルをダイシングにより作成する場合、ウエ
ハ端部から割れを生じた場合にも、シリコンセルの表面
を構成する４辺を劈開方向に一致させた場合に比較して
シリコンセルの破損数を少なくすることができる可能性
が高く、歩留りを向上できる利点がある。According to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of cracks and cracks from the ends by smoothing a predetermined area near the outer edge of the surface of the silicon cell.
There is an advantage that handling workability is improved. Further, the four sides forming the surface of the silicon cell do not coincide with the cleavage direction, and there is an advantage that it is possible to prevent welding distortion during welding of an interconnector or the like and generation of cracks or cracks due to heating. Furthermore, even if some of the silicon cells of the modules connected in parallel or series are cracked in the cleavage direction, there is a high possibility that the connection state with the left and right or upper and lower silicon cells can be maintained in that part, especially in the case of silicon. The angle formed by the four sides forming the surface of the cell with the cleavage direction is 45
The possibility that the connection state can be maintained becomes extremely large depending on the degree, and there is an advantage that the generated voltage and the generated current in the module are not uneven and the reliability can be improved. In addition, when creating multiple silicon cells from a single wafer by dicing, even when cracks occur from the wafer edge, comparison is made when the four sides that make up the surface of the silicon cell are aligned in the cleavage direction. There is a high possibility that the number of breakage of the silicon cell can be reduced, and there is an advantage that the yield can be improved.
【００２０】また、シリコンセル表面の外縁部近傍の所
定範囲を平滑化することとシリコンセルの表面を構成す
る４辺を劈開方向に一致させないこととの組み合わせに
より、セル外縁部からのリーク電流が低減され、シリコ
ンセル自身の出力特性が改善されるという利点がある。Further, the combination of smoothing a predetermined range in the vicinity of the outer edge of the silicon cell surface and not aligning the four sides constituting the surface of the silicon cell in the cleavage direction causes leakage current from the outer edge of the cell. There is an advantage that it is reduced and the output characteristics of the silicon cell itself are improved.
【図１】この発明の実施例である光電変換装置を構成す
るシリコンセルの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a silicon cell that constitutes a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention.
【図２】同シリコンセルの要部の拡大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view of a main part of the same silicon cell.
【図３】この発明の別の実施例に係るシリコンセルの要
部の拡大斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view of a main part of a silicon cell according to another embodiment of the present invention.
【図４】この発明の実施例に係るシリコンセルの製造工
程における状態を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a state in a manufacturing process of a silicon cell according to an embodiment of the present invention.
【図５】同製造工程における状態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a state in the same manufacturing process.
【図６】この発明の実施例に係る光電変換装置を構成す
るシリコンセルに割れが生じた場合を従来と比較して説
明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a case where a silicon cell constituting a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention is cracked, as compared with a conventional case.
【図７】従来の光電変換装置を構成するシリコンセルの
平面図である。FIG. 7 is a plan view of a silicon cell that constitutes a conventional photoelectric conversion device.
【図８】従来のシリコンセルの要部の拡大斜視図であ
る。FIG. 8 is an enlarged perspective view of a main part of a conventional silicon cell.
【図９】同従来のシリコンセルの要部の拡大斜視図であ
る。FIG. 9 is an enlarged perspective view of a main part of the conventional silicon cell.
１−シリコンセル ２−無反射パターン ３−表面電極 ５−シリコン基板 ９−無反射パターンの形成されない外縁部 1-Silicon Cell 2-Non-Reflective Pattern 3-Surface Electrode 5-Silicon Substrate 9-Outer Edge without Non-Reflective Pattern
Claims (2)
り構成され、各シリコンセルの受光面に微細な立体形状
の無反射パターンを連続して形成した光電変換装置にお
いて、 シリコンセルの表面の外縁部の所定範囲に無反射パター
ンを形成せず、シリコンセルの劈開方向に一致しない４
辺によりシリコンセルの表面を構成したことを特徴とす
る光電変換装置。1. A photoelectric conversion device comprising a single or a plurality of rectangular silicon cells, wherein a light-receiving surface of each silicon cell is continuously formed with a fine three-dimensional non-reflective pattern. A non-reflective pattern is not formed in a predetermined area of the part and does not coincide with the cleavage direction of the silicon cell. 4
A photoelectric conversion device characterized in that a surface of a silicon cell is constituted by edges.
となす角度を４５度とした請求項１に記載の光電変換装
置。2. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein an angle formed by the four sides of the surface of the silicon cell with the cleavage direction is 45 degrees.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233250A JP3026903B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233250A JP3026903B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Photoelectric conversion device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794764A true JPH0794764A (en) | 1995-04-07 |
| JP3026903B2 JP3026903B2 (en) | 2000-03-27 |
Family
ID=16952132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233250A Expired - Lifetime JP3026903B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Photoelectric conversion device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026903B2 (en) |
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