JPH0792399A - Optical waveguide - Google Patents

Optical waveguide

Info

Publication number
JPH0792399A
JPH0792399A JP23334193A JP23334193A JPH0792399A JP H0792399 A JPH0792399 A JP H0792399A JP 23334193 A JP23334193 A JP 23334193A JP 23334193 A JP23334193 A JP 23334193A JP H0792399 A JPH0792399 A JP H0792399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
core layer
optical waveguide
layer
cantilever
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23334193A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Hattori
哲也 服部
Shigeru Semura
滋 瀬村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP23334193A priority Critical patent/JPH0792399A/en
Publication of JPH0792399A publication Critical patent/JPH0792399A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide an optical waveguide structure which can function as an active element by receiving an external factor exclusive of heat at a plane optical waveguide. CONSTITUTION:A buffer layer 2, a core layer 3 and an overclad layer 4 are laminated on an optical waveguide substrate 1 and this core layer 3 is patterned to be a straight shape. The rear surface of this substrate 1 is partly formed as a thin layer along the stretching direction of the core layer 3. The substrate 1 partly formed as the thin layer and the buffer layer 2, core layer 3 and overclad layer 4 existing in the upper part thereof are formed as a rectangular parallelepiped having its one end 1A as a base and is disconnected from the substrate at the other remaining three surfaces. This disconnected rectangular parallelepiped part constitutes a cantilever L having its one end 1A as a fulcrum.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、平面基板上にバッファ
層、コア層およびオーバークラッド層が形成された光導
波路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide having a buffer layer, a core layer and an overclad layer formed on a flat substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の光導波路としては、例え
ば、特開平3−75606号公報に開示された光導波路
がある。この公報には、シリコン基板上に石英系のバッ
ファ層、コア層およびクラッド層が順次堆積されて形成
されたリッジ状光導波路構造が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an optical waveguide of this type, for example, there is an optical waveguide disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-75606. This publication discloses a ridge-shaped optical waveguide structure formed by sequentially depositing a silica-based buffer layer, a core layer and a clad layer on a silicon substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光導波路構造は、コア層が平面基板上に形成された
構造をしているため、光導波路位置は面内に固定されて
いた。従って、この種の石英系光導波路は、入射された
光をコア層に閉じ込め、入射光を所定位置にまで伝搬さ
せる受動素子として機能させるのが一般的である。
However, in the above-mentioned conventional optical waveguide structure, since the core layer is formed on the flat substrate, the optical waveguide position is fixed in the plane. Therefore, this type of silica-based optical waveguide generally functions as a passive element that confines the incident light in the core layer and propagates the incident light to a predetermined position.

【0004】また、この種の石英系平面光導波路に熱を
加えて屈折率を変化させ、スイッチング素子や干渉計と
いった能動素子を実現させることもある。しかし、熱以
外の外因によって平面光導波路を能動素子として機能さ
せることはほとんどなく、平面光導波路の活用の途は限
られたものであった。
Further, an active element such as a switching element or an interferometer may be realized by changing the refractive index by applying heat to this type of silica type planar optical waveguide. However, the planar optical waveguide rarely functions as an active element due to an external factor other than heat, and the use of the planar optical waveguide is limited.

【0005】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、平面光導波路に熱以外の外因を与えて能動
素子として機能させることのできる光導波路構造を提供
し、平面光導波路に新たな途を開くことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides an optical waveguide structure capable of giving an external factor other than heat to a planar optical waveguide to cause it to function as an active element. The purpose is to open new ways.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】このために本発明は、基
板と、この基板上に形成されたバッファ層と、このバッ
ファ層上に形成されたコア層と、このコア層上に形成さ
れたオーバークラッド層とを備えて形成された光導波路
において、基板の一部並びにこれの上部のバッファ層、
コア層およびオーバークラッド層をコア層に係る一端部
を残して切り離し、切り離した部分をこの一端部を支点
とする片持ち梁とした。
To this end, the present invention provides a substrate, a buffer layer formed on the substrate, a core layer formed on the buffer layer, and a core layer formed on the core layer. In an optical waveguide formed with an overclad layer, a part of the substrate and a buffer layer above the substrate,
The core layer and the overclad layer were separated by leaving one end of the core layer, and the separated part was used as a cantilever having this one end as a fulcrum.

【0007】また、基板の一部の裏面をコア層の延伸方
向に沿って薄層化または除去した。
The back surface of a part of the substrate was thinned or removed along the extending direction of the core layer.

【0008】[0008]

【作用】片持ち梁が振動すると、切り離されたコア層部
を伝搬する光に、振動に応じた光漏れが生じる。
When the cantilever vibrates, the light propagating through the separated core layer portion causes light leakage according to the vibration.

【0009】また、片持ち梁支点部の光導波路に応力が
加わると、光導波路を伝搬する導波光の偏光状態は、加
わった応力に応じて変化する。
When stress is applied to the optical waveguide at the fulcrum of the cantilever, the polarization state of the guided light propagating through the optical waveguide changes according to the applied stress.

【0010】[0010]

【実施例】図1は本発明の一実施例による光導波路の構
造を示す図であり、同図(a)は平面図、同図(b)は
Ib−Ib線に沿った破断断面図、同図(c)はIc−
Ic線に沿った破断断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing the structure of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a sectional view taken along line Ib-Ib, The same figure (c) shows Ic-
It is a fracture | rupture sectional view along the Ic line.

【0011】これら各図に示されるように、光導波路基
板1上には、バッファ層2、コア層3およびオーバーク
ラッド層4が積層されており、コア層3は直線状にパタ
ーニングされ、リッジ状光導波路が形成されている。ま
た、コア層3の下部にある基板1の裏面の一部は、直線
状コア層3の延伸方向に沿って薄層化されている。この
一部薄層化された基板1およびこれの上部にあるバッフ
ァ層2、コア層3およびオーバークラッド層4は、コア
層3に係る一端部1Aを底面とする直方体状に形成され
ている。この直方体状部分は残りの他の三面において基
板から切り離されており、切り離されたこの直方体状部
分は、一端部1Aを支点とする片持ち梁(カンチレバ
ー)Lを構成している。また、一端部1Aにおける直方
体状部分底面の面方向は、直線状コア層3の延伸方向に
ほぼ直交する方向に配されている。直線状コア層3は、
この底面に対向する内端面である可動端1Bにおいて分
割されている。
As shown in each of these figures, a buffer layer 2, a core layer 3 and an overclad layer 4 are laminated on an optical waveguide substrate 1. The core layer 3 is linearly patterned to form a ridge shape. An optical waveguide is formed. A part of the back surface of the substrate 1 below the core layer 3 is thinned along the extending direction of the linear core layer 3. The partially thinned substrate 1 and the buffer layer 2, the core layer 3 and the overclad layer 4 above the substrate 1 are formed in a rectangular parallelepiped shape having one end 1A of the core layer 3 as a bottom surface. The rectangular parallelepiped portion is separated from the substrate on the other three remaining surfaces, and the separated rectangular parallelepiped portion constitutes a cantilever L having one end 1A as a fulcrum. Further, the plane direction of the bottom surface of the rectangular parallelepiped portion in the one end portion 1A is arranged in a direction substantially orthogonal to the extending direction of the linear core layer 3. The linear core layer 3 is
The movable end 1B, which is the inner end face facing the bottom face, is divided.

【0012】このようなカンチレバーLを有する光導波
路は、図2および図3に示される工程を経て製造され
る。なお、この工程断面図は、図1(a)のII−II線に
沿って破断したものである。
An optical waveguide having such a cantilever L is manufactured through the steps shown in FIGS. 2 and 3. In addition, this process cross-sectional view is taken along the line II-II in FIG.

【0013】まず、厚さが0.5〜1.5mm程度のS
i(シリコン)単結晶基板1が準備される(図2(a)
参照)。この基板1の主面の面方位は(110)であ
る。次に、火炎堆積法(FHD)により、Si単結晶基
板1上にSiO2 からなるスートが堆積され、引き続い
てGeO2 が添加されたSiO2 からなるスートが堆積
される。その後、基板が加熱処理されて各スートが透明
ガラス化され、25μmの厚さのバッファ層2および8
μmの厚さのコア層3が形成される。このコア層3は、
ホトリソグラフィ技術を用いて、直線状のリッジ導波路
形状にパターニングされる。次に、パターニングされた
コア層3上に再びFHD法でSiO2 が堆積され、加熱
処理されて透明ガラス化される。この結果、コア層3を
覆う25μmの厚さのオーバークラッド層4が形成され
る(同図(b)参照)。
First, S having a thickness of about 0.5 to 1.5 mm
An i (silicon) single crystal substrate 1 is prepared (FIG. 2A).
reference). The plane orientation of the main surface of the substrate 1 is (110). Then, by flame hydrolysis deposition (FHD), soot made of SiO 2 is deposited on the Si single crystal substrate 1, the soot made of SiO 2 doped with GeO 2 are deposited subsequently. Then, the substrate is heat-treated to turn each soot into a transparent glass, and the buffer layers 2 and 8 having a thickness of 25 μm are formed.
The core layer 3 having a thickness of μm is formed. This core layer 3 is
It is patterned into a linear ridge waveguide shape by using a photolithography technique. Next, SiO 2 is again deposited on the patterned core layer 3 by the FHD method, and heat-treated to form vitrified glass. As a result, the over-cladding layer 4 having a thickness of 25 μm is formed so as to cover the core layer 3 (see FIG. 7B).

【0014】次に、基板1の裏面にホトレジストが塗布
され、このホトレジストに、カンチレバーLを基板から
切り離すための「コ」の字状の溝パターンを持つマスク
5が形成される(同図(c)参照)。この「コ」の字状
溝パターンは一辺を欠いた四角形状をしており、同図に
おいては、欠いたこの一辺に対向する辺の溝パターン断
面が示されている。次に、基板1がKOH水溶液に浸さ
れ、溝パターンマスク5をエッチングマスクとしたウエ
ットエッチングが行われ、Si単結晶基板1が10μm
の深さだけ削られる(同図(d)参照)。このウエット
エッチングにより、「コ」の字状の切り離し溝が基板裏
面に浅く形成される。
Next, a photoresist is applied to the back surface of the substrate 1, and a mask 5 having a U-shaped groove pattern for separating the cantilever L from the substrate is formed on the photoresist (FIG. )reference). The "U" -shaped groove pattern has a quadrangular shape with one side cut off, and in this figure, a groove pattern cross section of the side opposite to this one side is shown. Next, the substrate 1 is immersed in a KOH aqueous solution, and wet etching is performed using the groove pattern mask 5 as an etching mask.
Is cut by the depth of (see (d) in the figure). By this wet etching, a U-shaped separation groove is shallowly formed on the back surface of the substrate.

【0015】次に、基板裏面の溝パターンマスク5が除
去され、新たに、カンチレバーパターンマスク6が基板
裏面に形成される(図3(e)参照)。このカンチレバ
ーパターンマスク6は、「コ」の字状溝に囲まれた四角
形部分が開口したパターンを有している。次に、再度、
基板1がKOH水溶液に浸され、カンチレバーパターン
マスク6をエッチングマスクとしたウエットエッチング
が行われる(同図(f)参照)。このエッチングは
「コ」の字状の切り離し溝がバッファ層2に突き当たる
まで行われる。このエッチングにより、「コ」の字状溝
で囲まれた四角形部分の基板1が薄層化される。
Next, the groove pattern mask 5 on the back surface of the substrate is removed and a cantilever pattern mask 6 is newly formed on the back surface of the substrate (see FIG. 3E). This cantilever pattern mask 6 has a pattern in which a square portion surrounded by a U-shaped groove is opened. Then again
The substrate 1 is dipped in a KOH aqueous solution, and wet etching is performed using the cantilever pattern mask 6 as an etching mask (see FIG. 6F). This etching is performed until the “U” -shaped separation groove hits the buffer layer 2. By this etching, the rectangular portion of the substrate 1 surrounded by the U-shaped groove is thinned.

【0016】次に、基板裏面のカンチレバーパターンマ
スク6が除去され、露出したSi基板1をエッチングマ
スクとした反応性イオンエッチング(RIE)が行われ
る(同図(g)参照)。このRIEにはC2 6 ガスが
エッチャントに用いられる。このエッチングは、SiO
2 クラッド層4/SiO2 −GeO2 コア層3/SiO
2 バッファ層2からなる導波路が、切り離し溝において
貫通するまで行われる。このRIEにより、一端部1A
を底面とする直方体状のカンチレバーLが形成される。
Next, the cantilever pattern mask 6 on the back surface of the substrate is removed, and reactive ion etching (RIE) is performed using the exposed Si substrate 1 as an etching mask (see FIG. 9 (g)). C 2 F 6 gas is used as an etchant for this RIE. This etching is SiO
2 clad layer 4 / SiO 2 —GeO 2 core layer 3 / SiO
This is performed until the waveguide including the 2 buffer layer 2 penetrates through the separation groove. By this RIE, one end 1A
A rectangular parallelepiped cantilever L having a bottom surface is formed.

【0017】このような平面光導波路の動作原理は図4
の斜視図に表される。
The principle of operation of such a planar optical waveguide is shown in FIG.
Is shown in the perspective view of FIG.

【0018】カンチレバーLの可動端1Bは図示される
ように切り離されており、基板1に振動を加えることに
より、この可動端1Bは一端部1Aを支点として矢示の
方向に振動する。また、直線状リッジ導波路を形成する
コア層3は可動端1Bで分割されている。従って、リッ
ジ状導波路に光を通しながらカンチレバーLを振動させ
ることにより、分割された一方のコア層3から他方のコ
ア層3に伝搬する光に、振動に応じた漏れが生じる。こ
の導波光の漏れ、つまり、光導波損失はカンチレバーL
の振動に比例し、カンチレバーLと共に振動する一方の
コア層3から、基板1に固定された他方のコア層3へ伝
搬される導波光の強度は、振動の振幅が大きくなれば低
下する。また、振動周波数が高くなると、分割された各
コア層3間の光軸のずれが減少し、光漏れが小さくなっ
て光導波損失は減少する。従って、カンチレバーLの振
動周波数に応じた光強度変調も可能となる。
The movable end 1B of the cantilever L is separated as shown in the drawing, and when the substrate 1 is vibrated, the movable end 1B vibrates in the direction of the arrow with the one end 1A as a fulcrum. The core layer 3 forming the linear ridge waveguide is divided at the movable end 1B. Therefore, by vibrating the cantilever L while allowing light to pass through the ridge-shaped waveguide, the split light propagating from the one core layer 3 to the other core layer 3 leaks according to the vibration. The leakage of the guided light, that is, the optical waveguide loss is caused by the cantilever L.
The intensity of the guided light propagating from the one core layer 3 vibrating together with the cantilever L to the other core layer 3 fixed to the substrate 1 decreases in proportion to the vibration of the above. Further, when the vibration frequency is increased, the deviation of the optical axis between the divided core layers 3 is reduced, the light leakage is reduced, and the optical waveguide loss is reduced. Therefore, the light intensity modulation according to the vibration frequency of the cantilever L is also possible.

【0019】また、リッジ状導波路に光を通しながらカ
ンチレバーLを振動させたり、可動端1Bに圧力を加え
ることにより、カンチレバーLの支点になる一端部1A
の光導波路には応力が加わる。光導波路に応力が加わる
と、光導波路を伝搬する導波光Bの偏光状態は加わった
応力に応じて変化する。従って、出射端に図示のように
ポーラライザ(偏光子)7を置いておけば、印加応力に
応じて偏光を受けた光は、このポーラライザ7を通過す
ることによって偏光の度合に応じた光強度変調を受ける
ことになる。例えば、導波路に大きな応力が加わって導
波光に大きな偏光が生じると、光の垂直成分が減少し、
ポーラライザ7を通過する光の強度は小さくなる。
Further, by vibrating the cantilever L while allowing light to pass through the ridge-shaped waveguide or by applying pressure to the movable end 1B, the one end portion 1A serving as a fulcrum of the cantilever L.
Stress is applied to the optical waveguide of. When stress is applied to the optical waveguide, the polarization state of the guided light B propagating through the optical waveguide changes according to the applied stress. Therefore, if a polarizer (polarizer) 7 is placed at the exit end as shown in the figure, the light polarized according to the applied stress passes through the polarizer 7 to modulate the light intensity according to the degree of polarization. Will be received. For example, when a large stress is applied to the waveguide and a large polarization is generated in the guided light, the vertical component of the light decreases,
The intensity of light passing through the polarizer 7 becomes small.

【0020】すなわち、導波路に光を通しながらカンチ
レバーLを振動させることにより、またはカンチレバー
Lに応力を加えることにより、振動強度や振動周波数、
印加応力といった外因に応じた光変調を行うことが可能
になる。よって、本実施例による平面光導波路は光変調
器といった能動素子に用いることができ、また、加速度
計といったセンサにも応用することができる。
That is, by vibrating the cantilever L while passing light through the waveguide, or by applying stress to the cantilever L, the vibration intensity and the vibration frequency,
It is possible to perform optical modulation according to external factors such as applied stress. Therefore, the planar optical waveguide according to the present embodiment can be used for an active element such as an optical modulator, and can also be applied to a sensor such as an accelerometer.

【0021】なお、上記実施例においては、カンチレバ
ーLの下部に薄層化した基板1が一部残っている構造に
ついて説明したが、必ずしもこの構造に限定される必要
はない。例えば、カンチレバー下部の基板を薄層化せず
にそのまま残し、そのまま残っている基板並びにこの上
部にあるバッファ層2、コア層3およびオーバークラッ
ド層4によってカンチレバーLを形成するようにしても
よい。また、逆に、カンチレバー下部の基板1を全部除
去し、除去した基板部分の上部にあるバッファ層2、コ
ア層3およびオーバークラッド層4のみによってカンチ
レバーLを形成するようにしてもよい。これら各場合に
おいても、上記実施例と同様な効果が奏される。
In the above embodiment, the structure in which the thinned substrate 1 is partially left under the cantilever L has been described, but the structure is not necessarily limited to this structure. For example, the substrate under the cantilever may be left as it is without being thinned, and the cantilever L may be formed by the remaining substrate and the buffer layer 2, the core layer 3 and the overclad layer 4 on the substrate. On the contrary, the entire substrate 1 under the cantilever may be removed, and the cantilever L may be formed only by the buffer layer 2, the core layer 3 and the over cladding layer 4 on the removed substrate portion. In each of these cases, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、片
持ち梁が振動すると、切り離されたコア層部を伝搬する
光に、振動に応じた光漏れが生じる。従って、光導波路
を伝搬する導波光の強度は、片持ち梁の振動の振幅や周
波数に応じて変化する。また、片持ち梁支点部の光導波
路に応力が加わると、光導波路を伝搬する導波光の偏光
状態は、加わった応力に応じて変化する。従って、この
光導波路に偏光子を組み合わせることにより、導波光の
光強度変調を行えるようになる。このため、平面光導波
路に熱以外の外因を加えることによって導波光に光変調
を与えることが可能になり、平面光導波路に新たな用途
を見出だすことが可能になる。
As described above, according to the present invention, when the cantilever vibrates, the light propagating through the separated core layer portion leaks light according to the vibration. Therefore, the intensity of the guided light propagating through the optical waveguide changes according to the amplitude and frequency of the vibration of the cantilever. When stress is applied to the optical waveguide of the cantilever fulcrum, the polarization state of the guided light propagating through the optical waveguide changes according to the applied stress. Therefore, by combining a polarizer with this optical waveguide, the light intensity of the guided light can be modulated. Therefore, it becomes possible to apply optical modulation to the guided light by adding an external factor other than heat to the planar optical waveguide, and it is possible to find a new application for the planar optical waveguide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による光導波路の平面図およ
び断面図である。
FIG. 1 is a plan view and a sectional view of an optical waveguide according to an embodiment of the present invention.

【図2】本実施例の光導波路を製造するための前半の製
造工程断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a first half of manufacturing steps for manufacturing the optical waveguide according to the present embodiment.

【図3】本実施例の光導波路を製造するための後半の製
造工程断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the latter half of the manufacturing process for manufacturing the optical waveguide of this embodiment.

【図4】本実施例による光導波路の動作原理を示す斜視
図である。
FIG. 4 is a perspective view showing the operating principle of the optical waveguide according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…Si単結晶基板、2…バッファ層、3…コア層、4
…オーバークラッド層、5…溝パターンマスク、6…カ
ンチレバーパターンマスク、7…ポーラライザ(偏光
子)、L…カンチレバー、1A…カンチレバーLの一端
面、1B…可動端。
1 ... Si single crystal substrate, 2 ... buffer layer, 3 ... core layer, 4
... over cladding layer, 5 ... groove pattern mask, 6 ... cantilever pattern mask, 7 ... Polarizer (polarizer), L ... cantilever, 1A ... one end surface of cantilever L, 1B ... movable end.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、この基板上に形成されたバッフ
ァ層と、このバッファ層上に形成されたコア層と、この
コア層上に形成されたオーバークラッド層とを備えて形
成された光導波路において、 前記基板の一部並びにこれの上部の前記バッファ層、コ
ア層およびオーバークラッド層が前記コア層に係る一端
部を残して切り離され、 切り離された部分が前記一端部を支点とする片持ち梁を
形成していることを特徴とする光導波路。
1. An optical device including a substrate, a buffer layer formed on the substrate, a core layer formed on the buffer layer, and an overclad layer formed on the core layer. In the waveguide, a part of the substrate and the buffer layer, the core layer, and the overclad layer above the substrate are separated by leaving one end relating to the core layer, and the separated part is a piece whose fulcrum is the one end. An optical waveguide characterized by forming a cantilever.
【請求項2】 前記基板の一部の裏面が前記コア層の延
伸方向に沿って薄層化または除去されていることを特徴
とする請求項1記載の光導波路。
2. The optical waveguide according to claim 1, wherein the back surface of a part of the substrate is thinned or removed along the extending direction of the core layer.
【請求項3】 前記コア層は直線状にパターニングさ
れ、 前記片持ち梁は、前記一端部を底面とする直方体状に形
成され、かつ、この底面の面方向は前記コア層の延伸方
向にほぼ直交する方向に配され、前記直方体の残りの面
において切り離されて前記コア層が前記直方体の底面に
対向する面で分割されていることを特徴とする請求項1
または請求項2記載の光導波路。
3. The core layer is linearly patterned, the cantilever is formed in a rectangular parallelepiped shape having the one end as a bottom surface, and the surface direction of the bottom surface is substantially parallel to the extending direction of the core layer. 2. The core layers are arranged in orthogonal directions and separated at the remaining surface of the rectangular parallelepiped, and the core layer is divided by a surface facing the bottom surface of the rectangular parallelepiped.
Alternatively, the optical waveguide according to claim 2.
JP23334193A 1993-09-20 1993-09-20 Optical waveguide Pending JPH0792399A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23334193A JPH0792399A (en) 1993-09-20 1993-09-20 Optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23334193A JPH0792399A (en) 1993-09-20 1993-09-20 Optical waveguide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0792399A true JPH0792399A (en) 1995-04-07

Family

ID=16953637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23334193A Pending JPH0792399A (en) 1993-09-20 1993-09-20 Optical waveguide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0792399A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5281305A (en) Method for the production of optical waveguides employing trench and fill techniques
US7012752B2 (en) Tunable-wavelength optical filter and method of manufacturing the same
TW526165B (en) Microstructure switches
JPH04230708A (en) Integrated optical element protected from outside and manufacture thereof
JP2964941B2 (en) Manufacturing method and mounting structure of optical device
US5483609A (en) Optical device with mode absorbing films deposited on both sides of a waveguide
US5069517A (en) Integrated optical waveguide
JP2002277661A (en) Method for cutting out optical waveguide device
CN112097754A (en) Lithium niobate and SU-8 hybrid integrated hollow-core photonic crystal fiber optic gyroscope
JPH0194305A (en) Optical circuit device
JPH0792340A (en) Production of optical waveguide
JPH0792399A (en) Optical waveguide
JPH0792341A (en) Production of optical waveguide
JPH07281041A (en) Waveguide and mach-zehnder type optical circuit using it
JPH0792400A (en) Optical waveguide
EP0762162A1 (en) Article comprising fiber-to-planar waveguide coupling and method of making the article
JPS61267010A (en) Optical waveguide circuit and its manufacture
JPS6343105A (en) Single mode optical waveguide
CN114721094B (en) Hollow-core photonic crystal fiber resonant cavity based on lithium niobate waveguide coupler
JPH02211406A (en) Optical waveguide with fiber guide groove and its manufacture
JPH01214803A (en) Optical directional coupler
JPH06281899A (en) Branch interferring optical waveguide device
JP3264256B2 (en) Manufacturing method and mounting structure of optical device
JPH06140620A (en) Optical waveguide and manufacture thereof
JP2002196170A (en) Manufacturing method of optical waveguide