JPH0792341A - Production of optical waveguide - Google Patents

Production of optical waveguide

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Publication number
JPH0792341A
JPH0792341A JP23334893A JP23334893A JPH0792341A JP H0792341 A JPH0792341 A JP H0792341A JP 23334893 A JP23334893 A JP 23334893A JP 23334893 A JP23334893 A JP 23334893A JP H0792341 A JPH0792341 A JP H0792341A
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JP
Japan
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substrate
optical waveguide
core layer
groove pattern
layer
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Application number
JP23334893A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Hattori
哲也 服部
Shigeru Semura
滋 瀬村
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPH0792341A publication Critical patent/JPH0792341A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/204Strongly index guided structures
    • H01S5/2045Strongly index guided structures employing free standing waveguides or air gap confinement

Landscapes

  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a process for production of optical waveguide which can function as an active element by receiving an external factor exclusive of heat at a plane optical waveguide. CONSTITUTION:The optical waveguide consisting of a buffer layer 2, a straight core layer 3 and an overclad layer 4 is formed on a silicon substrate 1. A groove pattern of a specified depth is formed on the rear surface of the substrate 1 by using a U-shaped groove pattern mask 5. The rear surface of the substrate 1 is then etched until the groove pattern reaches the buffer layer 2 by using a mask 6 opened in the part enclosing the groove pattern. The buffer layer 2, the core layer 3 and the overclad layer 4 are etched until the groove pattern penetrates the surface of the substrate 1 by using the substrate 1 partly formed as the thin layer as a mask to form a cantilever L having its one end 1A as a fulcrum.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、平面基板上にバッファ
層、コア層およびオーバークラッド層を形成して光導波
路を製造する光導波路の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide manufacturing method for manufacturing an optical waveguide by forming a buffer layer, a core layer and an overclad layer on a flat substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の光導波路の製造方法とし
ては、例えば、特開平3−75606号公報に開示され
た製造方法がある。この公報には、シリコン基板上に石
英系のバッファ層およびコア層を堆積し、コア層をリッ
ジ状にパターニングした後、クラッド層でパターニング
したコア層を埋め込む光導波路の製造方法が開示されて
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of manufacturing an optical waveguide of this type, there is, for example, a manufacturing method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-75606. This publication discloses a method of manufacturing an optical waveguide in which a silica-based buffer layer and a core layer are deposited on a silicon substrate, the core layer is patterned into a ridge shape, and then the core layer patterned with a clad layer is embedded. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光導波路の製造方法においては、平面基板上にコア
層を形成してこれをクラッド層で埋め込むため、光導波
路位置は面内に固定されていた。従って、この種の製造
方法によって得られる石英系光導波路は、入射された光
をコア層に閉じ込め、入射光を所定位置にまで伝搬させ
る受動素子として機能させるのが一般的である。
However, in the above-mentioned conventional method for manufacturing an optical waveguide, since the core layer is formed on the flat substrate and the core layer is filled with the cladding layer, the position of the optical waveguide is fixed in the plane. It was Therefore, the silica-based optical waveguide obtained by this type of manufacturing method generally functions as a passive element for confining incident light in the core layer and propagating the incident light to a predetermined position.

【0004】また、この種の石英系平面光導波路に熱を
加えて屈折率を変化させ、スイッチング素子や干渉計と
いった能動素子を実現させることもある。しかし、熱以
外の外因によって平面光導波路を能動素子として機能さ
せることはほとんどなく、平面光導波路の活用の途は限
られたものであった。
Further, an active element such as a switching element or an interferometer may be realized by changing the refractive index by applying heat to this type of silica type planar optical waveguide. However, the planar optical waveguide rarely functions as an active element due to an external factor other than heat, and the use of the planar optical waveguide is limited.

【0005】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、平面光導波路に熱以外の外因を与えて能動
素子として機能させることのできる光導波路の製造方法
を提供し、平面光導波路に新たな途を開くことを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a method of manufacturing an optical waveguide capable of functioning as an active element by giving an external factor other than heat to the planar optical waveguide. The purpose is to open new ways in the waveguide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】このために本発明は、基
板上にバッファ層、コア層およびオーバークラッド層か
らなる光導波路を形成する第1の工程と、コア層の延伸
方向に沿いコア層下の一端部を残してコア層を囲む線状
の溝パターンを基板の裏面に一定深さに形成する第2の
工程と、この溝パターンを囲む面部分が開口したマスク
を用いて溝パターンがバッファ層に達するまで基板の裏
面をエッチングし、溝パターンに囲まれた基板の裏面を
薄層化する第3の工程と、この一部薄層化された基板を
マスクに用いて溝パターンが基板表面に貫通するまで光
導波路をエッチングし、上記一端部を支点とする片持ち
梁を形成する第4の工程とを備え、光導波路を製造す
る。
To this end, the present invention provides a first step of forming an optical waveguide comprising a buffer layer, a core layer and an overclad layer on a substrate, and a core layer extending in the direction of extension of the core layer. A second step of forming a linear groove pattern surrounding the core layer with a certain depth on the back surface of the substrate leaving one end below, and a groove pattern is formed by using a mask whose surface portion surrounding the groove pattern is open. The third step of etching the back surface of the substrate until the buffer layer is reached, and thinning the back surface of the substrate surrounded by the groove pattern, and using this partially thinned substrate as a mask A fourth step of etching the optical waveguide until it penetrates the surface and forming a cantilever with the one end as a fulcrum is provided, and the optical waveguide is manufactured.

【0007】また、第1の工程においてコア層を直線状
にパターニングし、第2の工程において溝パターンを上
記一端部において四角形の一辺が欠けた「コ」の字状と
し、この欠けた一辺をコア層の延伸方向にほぼ直交して
配し、第4の工程においてこの欠けた一辺に対向する溝
パターンの一辺でコア層を分割する。
Further, in the first step, the core layer is linearly patterned, and in the second step, the groove pattern is formed into a "U" shape in which one side of the quadrangle is cut off, and the one side is cut off. The core layer is arranged substantially orthogonal to the extending direction of the core layer, and in the fourth step, the core layer is divided along one side of the groove pattern facing the one side where the chip is missing.

【0008】[0008]

【作用】本製造方法によって従来にはない新たな機能を
持つ光導波路が製造される。つまり、製造された光導波
路の片持ち梁が振動すると、溝パターンが貫通して切り
離されたコア層部を伝搬する光に、振動に応じた光漏れ
が生じる。
According to this manufacturing method, an optical waveguide having a new function which has never been obtained is manufactured. That is, when the manufactured cantilever of the optical waveguide vibrates, the light propagating through the core layer portion that is cut through by the groove pattern is leaked according to the vibration.

【0009】また、片持ち梁支点部の光導波路に応力が
加わると、光導波路を伝搬する導波光の偏光状態は、加
わった応力に応じて変化する。
When stress is applied to the optical waveguide at the fulcrum of the cantilever, the polarization state of the guided light propagating through the optical waveguide changes according to the applied stress.

【0010】[0010]

【実施例】図1および図2は本発明の一実施例による光
導波路の製造方法を示す工程断面図である。
1 and 2 are process sectional views showing a method of manufacturing an optical waveguide according to an embodiment of the present invention.

【0011】まず、厚さが0.5〜1.5mm程度のS
i(シリコン)単結晶基板1が準備される(図1(a)
参照)。この基板1の主面の面方位は(110)であ
る。次に、火炎堆積法(FHD)により、Si単結晶基
板1上にSiO2 からなるスートが堆積され、引き続い
てGeO2 が添加されたSiO2 からなるスートが堆積
される。その後、基板が加熱処理されて各スートが透明
ガラス化され、25μmの厚さのバッファ層2および8
μmの厚さのコア層3が形成される。このコア層3は、
ホトリソグラフィ技術を用いて、直線状のリッジ導波路
形状にパターニングされる。次に、パターニングされた
コア層3上に再びFHD法でSiO2 が堆積され、加熱
処理されて透明ガラス化される。この結果、コア層3を
覆う25μmの厚さのオーバークラッド層4が形成され
る(同図(b)参照)。
First, S having a thickness of about 0.5 to 1.5 mm
An i (silicon) single crystal substrate 1 is prepared (FIG. 1A).
reference). The plane orientation of the main surface of the substrate 1 is (110). Then, by flame hydrolysis deposition (FHD), soot made of SiO 2 is deposited on the Si single crystal substrate 1, the soot made of SiO 2 doped with GeO 2 are deposited subsequently. Then, the substrate is heat-treated to turn each soot into a transparent glass, and the buffer layers 2 and 8 having a thickness of 25 μm are formed.
The core layer 3 having a thickness of μm is formed. This core layer 3 is
It is patterned into a linear ridge waveguide shape by using a photolithography technique. Next, SiO 2 is again deposited on the patterned core layer 3 by the FHD method, and heat-treated to form vitrified glass. As a result, the over-cladding layer 4 having a thickness of 25 μm is formed so as to cover the core layer 3 (see FIG. 7B).

【0012】次に、基板1の裏面にホトレジストが塗布
され、このホトレジストに、片持ち梁(カンチレバー)
を基板から切り離すための「コ」の字状の線状の溝パタ
ーンを持つマスク5が形成される(同図(c)参照)。
この「コ」の字状溝パターンは一辺を欠いた四角形状を
しており、欠いたこの一辺は直線状にパターニングされ
たコア層3の延伸方向にほぼ直交して配されている。ま
た、一辺を欠いたこの一端部はコア層3の下部に位置し
ており、他の三辺はコア層3の延伸方向に沿って基板裏
面側からこのコア層3を囲んでいる。同図においては、
欠いた一辺に対向する辺の溝パターン断面が示されてい
る。次に、基板1がKOH水溶液に浸され、溝パターン
マスク5をエッチングマスクとしたウエットエッチング
が行われ、Si単結晶基板1が10μmの深さだけ削ら
れる(同図(d)参照)。このウエットエッチングによ
り、「コ」の字状の切り離し溝が基板裏面に浅く形成さ
れる。
Next, a photoresist is applied to the back surface of the substrate 1, and the cantilever is applied to the photoresist.
A mask 5 having a U-shaped linear groove pattern for separating the substrate from the substrate is formed (see FIG. 7C).
The U-shaped groove pattern has a quadrangular shape with one side cut off, and the one side cut off is arranged substantially orthogonal to the extending direction of the linearly patterned core layer 3. The one end lacking one side is located below the core layer 3, and the other three sides surround the core layer 3 from the back side of the substrate along the extending direction of the core layer 3. In the figure,
The groove pattern cross section of the side opposite to the one side which is lacked is shown. Next, the substrate 1 is dipped in a KOH aqueous solution, and wet etching is performed using the groove pattern mask 5 as an etching mask, and the Si single crystal substrate 1 is ground to a depth of 10 μm (see FIG. 3D). By this wet etching, a U-shaped separation groove is shallowly formed on the back surface of the substrate.

【0013】次に、基板裏面の溝パターンマスク5が除
去され、新たに、カンチレバーパターンマスク6が基板
裏面に形成される(図2(e)参照)。このカンチレバ
ーパターンマスク6は、「コ」の字状溝に囲まれた四角
形状の面部分が開口したパターンを有している。次に、
再度、基板1がKOH水溶液に浸され、このカンチレバ
ーパターンマスク6をエッチングマスクとしたウエット
エッチングが行われる(同図(f)参照)。このエッチ
ングは「コ」の字状の切り離し溝がバッファ層2に突き
当たるまで行われる。このエッチングにより、「コ」の
字状溝で囲まれた四角形部分の基板裏面が薄層化され
る。
Next, the groove pattern mask 5 on the back surface of the substrate is removed, and a cantilever pattern mask 6 is newly formed on the back surface of the substrate (see FIG. 2E). The cantilever pattern mask 6 has a pattern in which a square surface portion surrounded by a U-shaped groove is opened. next,
The substrate 1 is again immersed in the KOH aqueous solution, and wet etching is performed using the cantilever pattern mask 6 as an etching mask (see FIG. 6F). This etching is performed until the “U” -shaped separation groove hits the buffer layer 2. By this etching, the back surface of the substrate in the rectangular portion surrounded by the U-shaped groove is thinned.

【0014】次に、基板裏面のカンチレバーパターンマ
スク6が除去され、露出したSi基板1をエッチングマ
スクとした反応性イオンエッチング(RIE)が行われ
る(同図(g)参照)。このRIEにはC2 6 ガスが
エッチャントに用いられる。このエッチングは、SiO
2 クラッド層4/SiO2 −GeO2 コア層3/SiO
2 バッファ層2からなる導波路が、切り離し溝において
貫通するまで行われる。このRIEにより、一端部1A
を底面とする直方体状のカンチレバーLが形成される。
また、このカンチレバーLの可動端1Bは「コ」の字状
溝パターンの欠いた一辺に対向する辺でエッチングさ
れ、直線状コア層3はこの溝パターンの辺によって分割
される。
Next, the cantilever pattern mask 6 on the back surface of the substrate is removed, and reactive ion etching (RIE) is performed using the exposed Si substrate 1 as an etching mask (see FIG. 4G). C 2 F 6 gas is used as an etchant for this RIE. This etching is SiO
2 clad layer 4 / SiO 2 —GeO 2 core layer 3 / SiO
This is performed until the waveguide including the 2 buffer layer 2 penetrates through the separation groove. By this RIE, one end 1A
A rectangular parallelepiped cantilever L having a bottom surface is formed.
Further, the movable end 1B of the cantilever L is etched on the side opposite to the one side where the U-shaped groove pattern is lacking, and the linear core layer 3 is divided by the side of this groove pattern.

【0015】図3は本実施例による光導波路の製造方法
で製造された光導波路構造を示しており、同図(a)は
平面図、同図(b)はIb−Ib線に沿った破断断面
図、同図(c)はIc−Ic線に沿った破断断面図であ
る。なお、図1および図2に示される製造工程断面図
は、図3(a)のII−II線で光導波路を破断した断面図
に相当している。
3A and 3B show an optical waveguide structure manufactured by the method for manufacturing an optical waveguide according to this embodiment. FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a fracture along the line Ib-Ib. A cross-sectional view, the same figure (c) is a fracture | rupture sectional view along the Ic-Ic line. The manufacturing process sectional views shown in FIGS. 1 and 2 correspond to the sectional view taken along the line II-II of FIG.

【0016】図3に示されるように、光導波路基板1上
には、バッファ層2、コア層3およびオーバークラッド
層4が積層されており、コア層3は直線状にパターニン
グされ、リッジ状光導波路が形成されている。また、コ
ア層3の下部にある基板1の裏面の一部は、直線状コア
層3の延伸方向に沿って薄層化されている。この一部薄
層化された基板1およびこれの上部にあるバッファ層
2、コア層3およびオーバークラッド層4は、コア層3
に係る一端部1Aを底面とする直方体状に形成されてい
る。この直方体状部分は残りの他の三面において基板か
ら切り離されており、切り離されたこの直方体状部分
は、一端部1Aを支点とするカンチレバーLを構成して
いる。
As shown in FIG. 3, a buffer layer 2, a core layer 3 and an overclad layer 4 are laminated on an optical waveguide substrate 1. The core layer 3 is linearly patterned to form a ridge-shaped optical waveguide. A waveguide is formed. A part of the back surface of the substrate 1 below the core layer 3 is thinned along the extending direction of the linear core layer 3. The partially thinned substrate 1 and the buffer layer 2, core layer 3 and overclad layer 4 on the substrate 1 are the core layer 3
It is formed in a rectangular parallelepiped shape having the one end 1A according to the above as a bottom surface. This rectangular parallelepiped portion is separated from the substrate on the other three remaining surfaces, and the separated rectangular parallelepiped portion constitutes a cantilever L having one end 1A as a fulcrum.

【0017】このように製造された平面光導波路の動作
原理は図4の斜視図に表される。
The operating principle of the thus manufactured flat optical waveguide is shown in the perspective view of FIG.

【0018】カンチレバーLの可動端1Bは図示される
ように切り離されており、基板1に振動を加えることに
より、この可動端1Bは一端部1Aを支点として矢示の
方向に振動する。また、直線状リッジ導波路を形成する
コア層3は、カンチレバーLの可動端1Bで分割されて
いる。従って、リッジ状導波路に光を通しながらカンチ
レバーLを振動させることにより、分割された一方のコ
ア層3から他方のコア層3に伝搬する光に、振動に応じ
た漏れが生じる。この導波光の漏れ、つまり、光導波損
失はカンチレバーLの振動に比例し、カンチレバーLと
共に振動する一方のコア層3から、基板1に固定された
他方のコア層3へ伝搬される導波光の強度は、振動の振
幅が大きくなれば低下する。また、振動周波数が高くな
ると、分割された各コア層3間の光軸のずれが減少し、
光漏れが小さくなって光導波損失は減少する。従って、
カンチレバーLの振動周波数に応じた光強度変調も可能
となる。
The movable end 1B of the cantilever L is separated as shown in the drawing, and when the substrate 1 is vibrated, the movable end 1B vibrates in the direction of the arrow with the one end 1A as a fulcrum. Further, the core layer 3 forming the linear ridge waveguide is divided by the movable end 1B of the cantilever L. Therefore, by vibrating the cantilever L while allowing light to pass through the ridge-shaped waveguide, the split light propagating from the one core layer 3 to the other core layer 3 leaks according to the vibration. The leak of the guided light, that is, the optical waveguide loss is proportional to the vibration of the cantilever L, and the guided light propagating from the one core layer 3 vibrating together with the cantilever L to the other core layer 3 fixed to the substrate 1. The intensity decreases as the amplitude of the vibration increases. Moreover, when the vibration frequency becomes high, the deviation of the optical axis between the divided core layers 3 decreases,
Light leakage is reduced and optical waveguide loss is reduced. Therefore,
It is also possible to modulate the light intensity according to the vibration frequency of the cantilever L.

【0019】また、リッジ状導波路に光を通しながらカ
ンチレバーLを振動させたり、可動端1Bに圧力を加え
ることにより、カンチレバーLの支点になる一端部1A
の光導波路には応力が加わる。光導波路に応力が加わる
と、光導波路を伝搬する導波光Bの偏光状態は加わった
応力に応じて変化する。従って、出射端に図示のように
ポーラライザ(偏光子)7を置いておけば、印加応力に
応じて偏光を受けた光は、このポーラライザ7を通過す
ることによって偏光の度合に応じた光強度変調を受ける
ことになる。例えば、導波路に大きな応力が加わって導
波光に大きな偏光が生じると、光の垂直成分が減少し、
ポーラライザ7を通過する光の強度は小さくなる。
Further, by vibrating the cantilever L while allowing light to pass through the ridge-shaped waveguide or by applying pressure to the movable end 1B, the one end portion 1A serving as a fulcrum of the cantilever L.
Stress is applied to the optical waveguide of. When stress is applied to the optical waveguide, the polarization state of the guided light B propagating through the optical waveguide changes according to the applied stress. Therefore, if a polarizer (polarizer) 7 is placed at the exit end as shown in the figure, the light polarized according to the applied stress passes through the polarizer 7 to modulate the light intensity according to the degree of polarization. Will be received. For example, when a large stress is applied to the waveguide and a large polarization is generated in the guided light, the vertical component of the light decreases,
The intensity of light passing through the polarizer 7 becomes small.

【0020】すなわち、導波路に光を通しながらカンチ
レバーLを振動させることにより、またはカンチレバー
Lに応力を加えることにより、振動強度や振動周波数、
印加応力といった外因に応じた光変調を行うことが可能
になる。よって、本実施例によって製造された平面光導
波路は光変調器といった能動素子に用いることができ、
また、加速度計といったセンサにも応用することができ
る。
That is, by vibrating the cantilever L while passing light through the waveguide, or by applying stress to the cantilever L, the vibration intensity and the vibration frequency,
It is possible to perform optical modulation according to external factors such as applied stress. Therefore, the planar optical waveguide manufactured according to this example can be used for an active element such as an optical modulator,
It can also be applied to sensors such as accelerometers.

【0021】なお、上記実施例においては、カンチレバ
ーLの下部に薄層化した基板1を一部残して製造した場
合について説明したが、必ずしもカンチレバーLの下部
に薄層化した基板部分を残す必要はない。つまり、カン
チレバー下部の基板1を全部除去し、除去した基板部分
の上部にあるバッファ層2、コア層3およびオーバーク
ラッド層4のみによってカンチレバーLを形成するよう
にしてもよい。この場合においても、上記実施例と同様
な効果が奏される。
In the above embodiment, the case where the thinned substrate 1 is partially left under the cantilever L is described, but the thinned substrate portion is not necessarily left under the cantilever L. There is no. That is, the substrate 1 under the cantilever may be entirely removed, and the cantilever L may be formed only by the buffer layer 2, the core layer 3 and the overclad layer 4 on the removed substrate portion. Also in this case, the same effect as that of the above-described embodiment is obtained.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来にはない新たな機能を持つ光導波路が製造される。つ
まり、製造された光導波路の片持ち梁が振動すると、切
り離されたコア層部を伝搬する光に、振動に応じた光漏
れが生じる。従って、光導波路を伝搬する導波光の強度
は、片持ち梁の振動の振幅や周波数に応じて変化する。
また、片持ち梁支点部の光導波路に応力が加わると、光
導波路を伝搬する導波光の偏光状態は、加わった応力に
応じて変化する。従って、この光導波路に偏光子を組み
合わせることにより、導波光の光強度変調を行えるよう
になる。このため、平面光導波路に熱以外の外因を加え
ることによって導波光に光変調を与えることが可能にな
り、平面光導波路に新たな用途を見出だすことが可能に
なる。
As described above, according to the present invention, an optical waveguide having a new function which has not been heretofore produced can be manufactured. That is, when the manufactured cantilever of the optical waveguide vibrates, the light propagating in the separated core layer portion causes light leakage according to the vibration. Therefore, the intensity of the guided light propagating through the optical waveguide changes according to the amplitude and frequency of the vibration of the cantilever.
When stress is applied to the optical waveguide of the cantilever fulcrum, the polarization state of the guided light propagating through the optical waveguide changes according to the applied stress. Therefore, by combining a polarizer with this optical waveguide, the light intensity of the guided light can be modulated. Therefore, it becomes possible to apply optical modulation to the guided light by adding an external factor other than heat to the planar optical waveguide, and it is possible to find a new application for the planar optical waveguide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による光導波路の製造方法の
前半を示す工程断面図である。
FIG. 1 is a process sectional view showing a first half of a method for manufacturing an optical waveguide according to an embodiment of the present invention.

【図2】本実施例の光導波路の製造方法の後半を示す工
程断面図である。
FIG. 2 is a process sectional view showing the latter half of the method for manufacturing an optical waveguide of the present embodiment.

【図3】本実施例による製造方法で得られた光導波路の
平面図および断面図である。
3A and 3B are a plan view and a sectional view of an optical waveguide obtained by the manufacturing method according to the present embodiment.

【図4】本実施例によって得られた光導波路の動作原理
を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing the operating principle of the optical waveguide obtained in this example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…Si単結晶基板、2…バッファ層、3…コア層、4
…オーバークラッド層、5…溝パターンマスク、6…カ
ンチレバーパターンマスク、7…ポーラライザ(偏光
子)、L…カンチレバー、1A…カンチレバーLの一端
面、1B…可動端。
1 ... Si single crystal substrate, 2 ... buffer layer, 3 ... core layer, 4
... over cladding layer, 5 ... groove pattern mask, 6 ... cantilever pattern mask, 7 ... Polarizer (polarizer), L ... cantilever, 1A ... one end surface of cantilever L, 1B ... movable end.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上にバッファ層、コア層およびオー
バークラッド層からなる光導波路を形成する第1の工程
と、前記コア層の延伸方向に沿い前記コア層下の一端部
を残して前記コア層を囲む線状の溝パターンを前記基板
の裏面に一定深さに形成する第2の工程と、この溝パタ
ーンを囲む面部分が開口したマスクを用いて前記溝パタ
ーンが前記バッファ層に達するまで前記基板の裏面をエ
ッチングして前記溝パターンに囲まれた前記基板の裏面
を薄層化する第3の工程と、この一部薄層化された基板
をマスクに用いて前記溝パターンが基板表面に貫通する
まで前記光導波路をエッチングして前記一端部を支点と
する片持ち梁を形成する第4の工程とを備えたことを特
徴とする光導波路の製造方法。
1. A first step of forming an optical waveguide comprising a buffer layer, a core layer and an overclad layer on a substrate, and the core leaving one end below the core layer along the extending direction of the core layer. A second step of forming a linear groove pattern surrounding the layer on the back surface of the substrate to a constant depth, and using a mask having an open surface portion surrounding the groove pattern until the groove pattern reaches the buffer layer. A third step of etching the back surface of the substrate to thin the back surface of the substrate surrounded by the groove pattern, and using the partially thinned substrate as a mask And a fourth step of forming a cantilever having the one end as a fulcrum until the end of the cantilever is penetrated.
【請求項2】 前記第1の工程において前記コア層を直
線状にパターニングし、前記第2の工程において前記溝
パターンを前記一端部において四角形の一辺が欠けた
「コ」の字状とし、この欠けた一辺を前記コア層の延伸
方向にほぼ直交して配し、前記第4の工程においてこの
欠けた一辺に対向する前記溝パターンの一辺で前記コア
層を分割することを特徴とする請求項1記載の光導波路
の製造方法。
2. In the first step, the core layer is linearly patterned, and in the second step, the groove pattern has a "U" shape in which one side of a quadrangle is cut off. The chipped side is arranged substantially orthogonal to the extending direction of the core layer, and the core layer is divided by one side of the groove pattern facing the chipped side in the fourth step. 1. The method for manufacturing an optical waveguide according to 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7957048B2 (en) 2006-08-07 2011-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

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