JPH02211406A - Optical waveguide with fiber guide groove and its manufacture - Google Patents

Optical waveguide with fiber guide groove and its manufacture

Info

Publication number
JPH02211406A
JPH02211406A JP3222389A JP3222389A JPH02211406A JP H02211406 A JPH02211406 A JP H02211406A JP 3222389 A JP3222389 A JP 3222389A JP 3222389 A JP3222389 A JP 3222389A JP H02211406 A JPH02211406 A JP H02211406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
optical waveguide
guide groove
fiber guide
core layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3222389A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2893093B2 (en
Inventor
Yasubumi Yamada
泰文 山田
Masao Kawachi
河内 正夫
Toshimi Kominato
俊海 小湊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP1032223A priority Critical patent/JP2893093B2/en
Publication of JPH02211406A publication Critical patent/JPH02211406A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2893093B2 publication Critical patent/JP2893093B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To form the fiber guide groove in a buried type optical waveguide by using an Si substrate which has a recessed part and a projection part on the surface, and forming an optical waveguide in the recessed part and the fiber guide groove in the projection part. CONSTITUTION:The Si substrate 1 has the recessed part 1b and projection part 1a formed on the surface, a buffer layer 2b is formed on the recessed part 1b, and its top surface is the same in level with the top surface of the projection part 1a. On the buffer layer 2b, an optical waveguide core layer 2a and a clad layer 2c are formed and at the Si substrate projection part 1a nearby the end part of the optical waveguide core layer 2a, the fiber guide groove 4 for the positioning between an optical fiber and an optical waveguide 2 is formed so that the Si substrate surface is exposed. Thus, the fiber guide groove 4 is formed in the projection part 1a, so a fiber guide groove pattern and an optical waveguide pattern are formed at the same time by using one photomask and the fiber guide groove to the buried type optical waveguide can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導波路回路実現のためのキーテクノロジで
ある簡便な光導波路−光フアイバ間の接続技術に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a simple optical waveguide-to-optical fiber connection technology, which is a key technology for realizing an optical waveguide circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

先導波回路実現のために光導波路への簡便な光フアイバ
接続技術の開発が求められている。石英系光導波路基板
上に光回路パタン化と同時に光フアイバ位置合わせ用の
ガイドを形成し、このガイドを利用してファイバ接続を
行う方法[特開昭60−17406]は、簡便で信頼性
の高い光フアイバ接続技術として期待される。第10図
は、この接続方法の説明図であり、同図において、11
は光回路基板、12はリッジ状光導波路であり、12b
はそのバッファ層、12aはコア層、12Cはクラッド
層である。13はファイバ・ガイド、14は光ファイバ
 14aはそのコア層である。
In order to realize a leading wave circuit, there is a need to develop a simple optical fiber connection technology to an optical waveguide. A method of forming a guide for optical fiber alignment on a silica-based optical waveguide substrate at the same time as forming an optical circuit pattern, and using this guide to connect fibers [JP 60-17406] is a simple and reliable method. It is expected to be a highly advanced optical fiber connection technology. FIG. 10 is an explanatory diagram of this connection method, and in the same figure, 11
12 is an optical circuit board, 12 is a ridge-shaped optical waveguide, and 12b is an optical circuit board.
is its buffer layer, 12a is its core layer, and 12C is its cladding layer. 13 is a fiber guide, 14 is an optical fiber, and 14a is its core layer.

ガイド13に囲まれたガイド溝部の幅及び深さは適切に
設定されているので光ファイバ14をガイド中に挿入す
るだけで光ファイバと光導波路との位置合わせが実現で
きる。しかも、光ファイバ14はガイド13によりその
位置が機械的に決定されるので、光ファイバの固定後に
おいて使用環境の温度変動が生じたとしても位置ずれが
発生せず、したがって、信頼性の高いファイバ接続が実
現できる。
Since the width and depth of the guide groove surrounded by the guide 13 are appropriately set, alignment of the optical fiber and the optical waveguide can be realized simply by inserting the optical fiber 14 into the guide. Moreover, since the position of the optical fiber 14 is determined mechanically by the guide 13, even if the temperature changes in the usage environment after the optical fiber is fixed, the position will not shift, and therefore the highly reliable fiber Connection can be achieved.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、上記のガイド溝接続法を埋め込み形光導波路
(クラッド層を厚く形成してコア層を埋め込んだ構造の
光導波路)に適用することは従来は困難であった。この
理由は、埋め込み型光導波路を製作する場合、従来は、
ガイドと光導波路とを1枚のフォトマスクを用いて同時
に形成することができず、例えば、第11図に示す工程
で製作していたからである。まず第11図(a)に示す
ように基板11上に光導波路12のコア部12aを形成
し、クラッド層12cで埋め込んだ後、同図(b)に示
すようにクラッド層上面に形成したマスク材15をガイ
ドパタンが描かれたフォトマスク16を用いてパタン化
する。次いで同図(C)のようにクラッド層12Gの不
要部分をエツチングすることによりファイバガイド13
を形成していた。このような工程においては、ガイドパ
タンを既に形成された光導波路12の位置に対して誤差
lμ1以内の位置合わせ精度でパタン化する必要がある
。しかし、下層に形成された光導波路12は、コア層、
クラッド層ともに透明であるので精密位置合わせを実現
することはきわめて困難であった。
By the way, it has heretofore been difficult to apply the above guide groove connection method to a buried optical waveguide (an optical waveguide having a structure in which a thick cladding layer is formed and a core layer is buried). The reason for this is that when manufacturing a buried optical waveguide, conventionally,
This is because the guide and the optical waveguide cannot be formed at the same time using one photomask, and the guide and the optical waveguide are manufactured using the steps shown in FIG. 11, for example. First, as shown in FIG. 11(a), the core part 12a of the optical waveguide 12 is formed on the substrate 11, and after it is embedded with a cladding layer 12c, a mask is formed on the upper surface of the cladding layer as shown in FIG. 11(b). The material 15 is patterned using a photomask 16 on which a guide pattern is drawn. Next, the fiber guide 13 is etched by etching unnecessary parts of the cladding layer 12G as shown in FIG.
was forming. In such a process, it is necessary to form the guide pattern into a pattern with alignment accuracy within an error lμ1 with respect to the position of the optical waveguide 12 that has already been formed. However, the optical waveguide 12 formed in the lower layer has a core layer,
Since both the cladding layers are transparent, it is extremely difficult to achieve precise alignment.

上記のように、従来のガイド溝接続法では埋め込み形光
導波路への適用が困難であるという問題があった。本発
明の第1の目的は、埋め込み形光導波路への適用を可能
とする新しい構造のファイバガイド溝を有する光導波路
を提供することにあり、第2の目的は、上記の新構造の
ファイバ・ガイド付き光導波路の製作方法を提供するこ
とにある。
As mentioned above, the conventional guide groove connection method has a problem in that it is difficult to apply to a buried optical waveguide. The first object of the present invention is to provide an optical waveguide having a fiber guide groove with a new structure that can be applied to a buried optical waveguide. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a guided optical waveguide.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のファイバ・ガイド溝付き光導波路は、表面に凹
部及び凸部が形成されたSi基板上に形成した石英系光
導波路において、該石英系光導波路バッファ層が上記S
i基板凹部に、かつ、その上面の高さが上記Si基板凸
部上面の高さと一致するように形成されてあり、該石英
系光導波路コア層が、該バッファ層上に形成されてあり
、光ファイバと光導波路との位置合わせ用のファイバ・
ガイド溝が該光導波路コア層端部付近のSi基板凸部に
設けてあることを特徴とするものである。
The fiber guide grooved optical waveguide of the present invention is a silica-based optical waveguide formed on a Si substrate having concave portions and convex portions formed on the surface, in which the silica-based optical waveguide buffer layer is
is formed in the i-substrate recess so that the height of its upper surface matches the height of the upper surface of the Si substrate convex part, and the silica-based optical waveguide core layer is formed on the buffer layer, Fiber for alignment between optical fiber and optical waveguide
It is characterized in that a guide groove is provided in a convex portion of the Si substrate near the end of the optical waveguide core layer.

また、本発明のファイバ・ガイド溝付き光導波路の製作
方法は、表面に凹部及び凸部が形成されたSi基板上に
、石英系光導波路バッファ層を形成するバッファ層形成
工程と、該基板表面を研磨しSi基板凸部表面を露出さ
せ、かつ、Si基板凹部上に形成した該石英系光導波路
バッファ層表面の高さを該Si基板凸部の高さと一致さ
せる研磨工程と、該基板上に光導波路コア層を形成する
コア層形成工程と、ファイバ・ガイド溝パタンと光導波
路パタンとか同時に描かれた一枚のフォトマスクを用い
、かつ、該Si基板凸部上面のコア層表面に該ファイバ
・ガイド溝パタンか形成され、該Si基板凹部上面のコ
ア層表面に該光導波路パタンか形成されるように位置合
わせをしてマスク材をパタン化する第1フォトリソグラ
フィ工程と、不要部分の石英系光導波路コア層を除去し
該Si基板凸部表面を露出させるコア層エツチング工程
と、該基板上にクラッド層を形成する埋め込み工程と、
該クラッド層上面に該光導波路パタンか形成された領域
を覆うようにマスク材をパタン化する第2フォトリソグ
ラフィ工程と、不要部分のクラッド層を除去しコア層で
形成したファイバ・ガイド溝パタンを残してSi基板凹
部を露出させるクラッド層エツチング工程と、該コア層
で形成したファイバ・ガイド溝パタンをマスクとしてS
i基板凸部をエツチングしファイバ・ガイ)’ 溝ヲ形
成するSi基板エツチング工程、とからなることを特徴
としている。
Further, the method for manufacturing an optical waveguide with a fiber guide groove of the present invention includes a buffer layer forming step of forming a silica-based optical waveguide buffer layer on a Si substrate having concave portions and convex portions formed on the surface; a polishing step of exposing the surface of the convex portion of the Si substrate and matching the height of the surface of the silica-based optical waveguide buffer layer formed on the concave portion of the Si substrate with the height of the convex portion of the Si substrate; A core layer forming step is performed in which an optical waveguide core layer is formed on the surface of the core layer on the top surface of the convex portion of the Si substrate using a single photomask on which the fiber guide groove pattern and the optical waveguide pattern are simultaneously drawn. A first photolithography step in which a fiber guide groove pattern is formed and the mask material is patterned by alignment so that the optical waveguide pattern is formed on the core layer surface on the upper surface of the recessed portion of the Si substrate; a core layer etching step of removing the quartz-based optical waveguide core layer and exposing the surface of the convex portion of the Si substrate; and a embedding step of forming a cladding layer on the substrate;
A second photolithography step of patterning a mask material so as to cover the area where the optical waveguide pattern is formed on the upper surface of the cladding layer, and removing unnecessary portions of the cladding layer and forming a fiber guide groove pattern formed by the core layer. A cladding layer etching process is carried out to expose the Si substrate concave portion, and an S etching process is performed using the fiber guide groove pattern formed in the core layer as a mask.
The method is characterized in that it consists of an Si substrate etching process in which the protrusions of the i-substrate are etched to form fiber guides and grooves.

上記クラッド層エツチング工程としては、該ファイバ・
ガイド溝パタン形成部とその他の部分での膜厚差および
コア層・クラッド層間でのエツチング速度差を利用して
、コア層で形成したファイバ・ガイド溝パタンを残すこ
とができる。
The above cladding layer etching process involves
The fiber guide groove pattern formed in the core layer can be left by utilizing the difference in film thickness between the guide groove pattern forming part and other parts and the difference in etching speed between the core layer and the cladding layer.

また、上記バッファ層形成工程において、Si基板とし
て(100)面結晶を行い、上記第1フォトリソグラフ
ィ工程において、ファイバ・ガイド溝をSi基板[11
0]方向と平行に設けるようにし、かつ、上記Si基板
エツチング工程においてSi基板異方性エツチングを行
うことにより寸法精度の高いガイド溝を容易に形成する
ことができる。 従来技術と本発明との相違点としては
、従来のファイバ・ガイド溝付き光導波路は平坦なSi
基板上形成していた点が本発明と大きく異なる。また、
従来の製作方法では導波路パタンとガイドパタンとが同
時に描かれたフォトマスクを使用することができない点
が本発明の製作方法と大きく異なる。
In addition, in the buffer layer forming step, a (100) plane crystal is formed as the Si substrate, and in the first photolithography step, the fiber guide groove is formed on the Si substrate [11
0] direction, and by performing anisotropic etching of the Si substrate in the Si substrate etching step, a guide groove with high dimensional accuracy can be easily formed. The difference between the prior art and the present invention is that the conventional fiber guide grooved optical waveguide is
This is largely different from the present invention in that it is formed on a substrate. Also,
The conventional manufacturing method differs greatly from the manufacturing method of the present invention in that it is not possible to use a photomask on which a waveguide pattern and a guide pattern are drawn at the same time.

〔実施例〕〔Example〕

実施例1 第1図は、本発明の第1の実施、例を説明する斜視図で
ある。lはSi基板であり、1aはその凸部、■bはそ
の凹部である。2は石英系光導波路であり、2aはコア
層、2bはバッ゛ファ層、2cはクラッド層である。バ
ッファ層2bとクラッド層2cの屈折率は等しく、これ
はコア層2aの屈折率より低い値となっている。3はフ
ァイバ・ガイド・コア層パタン(ファイバ・ガイド溝パ
タン)であり、4はファイバ・ガイド溝である。バッフ
ァ層2bはSi基板凹部1b上に形成されており、その
上面はSi・基板凸部1aの上面と同一の高さとなって
いる。ファイバ・ガイド溝4はSi基板凸部に形成され
ている。
Embodiment 1 FIG. 1 is a perspective view illustrating a first embodiment of the present invention. 1 is a Si substrate, 1a is a convex portion thereof, and 2b is a concave portion thereof. 2 is a quartz-based optical waveguide, 2a is a core layer, 2b is a buffer layer, and 2c is a cladding layer. The buffer layer 2b and the cladding layer 2c have the same refractive index, which is lower than the refractive index of the core layer 2a. 3 is a fiber guide core layer pattern (fiber guide groove pattern), and 4 is a fiber guide groove. The buffer layer 2b is formed on the Si substrate concave portion 1b, and its upper surface is at the same height as the upper surface of the Si/substrate convex portion 1a. The fiber guide groove 4 is formed in the convex portion of the Si substrate.

第2図は、本実施例の機能を説明するための断面図であ
る。5は光ファイバであり、5aはそのコア層である。
FIG. 2 is a sectional view for explaining the functions of this embodiment. 5 is an optical fiber, and 5a is its core layer.

光ファイバ5とファイバ・ガイド溝4とはA、B、Cの
3点で接触している。ここに、AおよびBはファイバ・
ガイド・コア層パタン3の厚さ方向の中点にあたり、A
Cを結ぶ直線は導波路コア層の中心Oとほぼ交わる。B
はファイバガイド溝の底面上の点である。ガイド溝の寸
法は、ファイバ半径R,ガイド溝幅WIガイド溝深さ(
導波路コア中心0からガイド底面まで)Dとすると D#R1W均2R と設定しであるので、ファイバをガイド溝中に挿入した
だけでファイバと導波路間の位置合わせが実現できる。
The optical fiber 5 and the fiber guide groove 4 are in contact at three points A, B, and C. Here, A and B are fibers.
At the midpoint of the guide/core layer pattern 3 in the thickness direction, A
The straight line connecting C almost intersects with the center O of the waveguide core layer. B
is a point on the bottom surface of the fiber guide groove. The dimensions of the guide groove are: fiber radius R, guide groove width WI guide groove depth (
If D is the distance from the waveguide core center 0 to the guide bottom surface, it is set as D#R1W average 2R, so the alignment between the fiber and the waveguide can be achieved simply by inserting the fiber into the guide groove.

このようなガイド付き光導波路は第3図に示す方法で製
作できる。同図(a)は、凹部1bおよび凸部1aを有
するSi基板1上に石英系光導波路バッファ層2bを形
成し光導波路基板を形成する工程である。本実施例にお
いては、火炎堆積法[M、 Kawachi et、 
al、 、 Jan、 J、 Appl、 Phys、
 、 Vol、 22. (1983)、 p。193
2コを用いた。すなわち、5iCI4゜TiCIa等の
ガラス形成原料ガスの火炎加水分解反応を利用してSi
基板l上にガラス微粒子膜を堆積させた後、電気炉中で
、ガラス微粒子膜を加熱して透明ガラス化することによ
り形成する。
Such a guided optical waveguide can be manufactured by the method shown in FIG. FIG. 2A shows a step of forming an optical waveguide substrate by forming a silica-based optical waveguide buffer layer 2b on a Si substrate 1 having concave portions 1b and convex portions 1a. In this example, a flame deposition method [M, Kawachi et.
al, , Jan, J., Appl, Phys.
, Vol, 22. (1983), p. 193
Two pieces were used. That is, Si
After depositing a glass particulate film on the substrate 1, the glass particulate film is heated in an electric furnace to make it transparent vitrified.

この際、バッファ層2bの厚さはSi基板凹部・凸部間
の段差より厚(なるように形成した。
At this time, the thickness of the buffer layer 2b was formed so that it was thicker than the step difference between the concave and convex portions of the Si substrate.

同図(b)は、上記光導波路基板表面を研磨することに
より、Si基板凸部表面を露出し、かつ、表面を平坦化
する工程である。同図<c>は、上記光回路基板上に光
導波路コア層2Cを形成する工程である。ここでは、再
び火炎堆積法を用いた。
FIG. 2B shows a step of polishing the surface of the optical waveguide substrate to expose the surface of the convex portion of the Si substrate and flatten the surface. <c> in the figure is a step of forming an optical waveguide core layer 2C on the optical circuit board. Here, the flame deposition method was used again.

同図(d)は、ファイバ・ガイド・コア層パタン3と光
導波路パタン2aとが同時に描かれた1枚のフォトマス
クパクンを用いて、ファイバ・ガイド・コア層パタン3
がSi基板凸部上に来るように位置合わせをしてマスク
材10をパタン化するフォトリングラフィ工程である。
In the same figure (d), the fiber guide core layer pattern 3 and the optical waveguide pattern 2a are drawn simultaneously using one photomask pattern.
This is a photolithography process in which the mask material 10 is patterned by aligning the mask material 10 so that it is located on the convex portion of the Si substrate.

ここでは、マスク材10としてアモルファス5i(a−
3i)膜を用いた。
Here, amorphous 5i (a-
3i) A membrane was used.

同図(e)は、マスク材10を用いたエツチングにより
石英系光導波路膜の不要部分を除去し光導波路コア層パ
タン2aおよびファイバ・ガイド・コア層パタン3を形
成する工程である。ここでは、エツチングの手段として
フッ素系エツチングガスによる反応性イオンエツチング
(RI E−)を用いた。エツチングは不要部分のコア
層が完全に除去できるまで行った。この時ファイバ・ガ
イド溝部ではSi凸部表面が露出する。、同図(f)は
クラッド層2cを形成し下層パタンを埋め込む工程、同
図(g)は、クラツド層2c上面に光導波路を形成した
領域を覆うようにマスク材10aをパタン化する工程で
ある。
FIG. 3(e) shows a step of removing unnecessary portions of the quartz-based optical waveguide film by etching using a mask material 10 to form an optical waveguide core layer pattern 2a and a fiber guide core layer pattern 3. Here, reactive ion etching (RIE-) using a fluorine-based etching gas was used as the etching method. Etching was continued until unnecessary portions of the core layer were completely removed. At this time, the surface of the Si convex portion is exposed in the fiber guide groove. , (f) in the same figure shows the step of forming the cladding layer 2c and embedding the lower layer pattern, and (g) of the same figure shows the step of patterning the mask material 10a so as to cover the region where the optical waveguide is formed on the upper surface of the cladding layer 2c. be.

同図(h)はクラッド層の不要部分をエツチングにより
除去し、ファイバ・ガイド・コア層パタン3およびその
間に挟まれたガイド溝部のSi基板を露出する工程であ
る。この工程において、エツチングの終了判定を適切に
行うとファイバ・ガイド・コア層パタン3を残したまま
、その間の領域のSi基板表面を露出できる。これは、
第4図に示した理由による。すなわち、埋め込みクラッ
ド層を形成した場合、コア層が下層にある部分とない部
分では前者の部分の膜厚が後者より厚くなる(第4図a
)。これに加えて、エツチング速度がクラッド層とコア
層でわずかに異なり、コア層のエツチング速度がクラッ
ド層の速度より若干遅い(l〜2割程度)。そこで、本
実施例のようにSi基板凸部上にコア層およびクラッド
層が形成された2層構造の場合、必要となるエツチング
量が少ないために上記の膜厚差およびわずかのエツチン
グ速度差のためにコア層を残してSi基板表面を露出さ
せることが出来る(第4図す、c)。
FIG. 6(h) shows a step in which unnecessary portions of the cladding layer are removed by etching to expose the fiber guide core layer pattern 3 and the Si substrate in the guide groove portion sandwiched therebetween. In this step, if the end of etching is properly determined, the fiber guide core layer pattern 3 can be left and the Si substrate surface in the area between them can be exposed. this is,
This is due to the reason shown in Figure 4. In other words, when a buried cladding layer is formed, the film thickness of the former part is thicker than the latter part in the part where the core layer is the underlying layer and the part without the core layer (Fig. 4a).
). In addition, the etching rate is slightly different between the cladding layer and the core layer, and the etching rate of the core layer is slightly slower than that of the cladding layer (about 1 to 20%). Therefore, in the case of a two-layer structure in which a core layer and a cladding layer are formed on a convex portion of a Si substrate as in this example, the amount of etching required is small, so that the above-mentioned difference in film thickness and slight difference in etching speed can be avoided. Therefore, it is possible to leave the core layer and expose the Si substrate surface (Fig. 4, c).

これに対して、平坦なSi基板上にバッファ層、コア層
およびクラッド層を形成した従来の光導波路の場合、S
i基板を露出させるにはバッファ層までの深いエツチン
グが必要なこと、および、バッファ層においては両者の
間のエツチング速度の差が無いことのために、エツチン
グの進行とともにファイバ・ガイド・コア層パタンか不
鮮明になり、第5図に示すように明確な段差が形成でき
なくなる。したがって、ガイド溝幅を正確に決定するこ
とは困難となる。
In contrast, in the case of a conventional optical waveguide in which a buffer layer, core layer, and cladding layer are formed on a flat Si substrate, S
Because deep etching to the buffer layer is required to expose the i-substrate, and because there is no difference in etching speed between the buffer layers, the fiber guide core layer pattern changes as the etching progresses. As a result, a clear step cannot be formed as shown in FIG. 5. Therefore, it is difficult to accurately determine the guide groove width.

この後、・上記のエツチング工程の後に残ったファイバ
・ガイド・コア層パタン3をマスクとして、Si基板を
第2図に示した深さの条件を満足するようにエツチング
すれば第1図に示すファイバ・ガイド溝付き光り導波路
が形成できる。
After this, using the fiber guide core layer pattern 3 remaining after the above etching process as a mask, the Si substrate is etched so as to satisfy the depth condition shown in FIG. 2, as shown in FIG. 1. Optical waveguides with fiber guide grooves can be formed.

以上のように、本実施例では、ガイド溝をSi基板凸部
上面に形成するようにしたので、第3図(h)における
エツチング深さを浅(することができる。この結果、光
導波路の膜厚差およびコア層、クラッド層間のわずかの
エツチング速度差を利用できるようになり、ファイバ・
ガイド・コア層パタン3を残したまま、その間の領域の
Si基板表面を露出できるようになった。このファイバ
・ガイド・コア層パタン3をマスクとしてSi基板をエ
ツチングすることによりファイバ・ガイド溝が形成でき
る。このようにして、本発明で埋め込み形光導波路への
ガイド溝形成にあたり、1枚のフォトマスクを用いてフ
ァイバ・ガイド溝と光導波路とを形成できるようになっ
たのである。
As described above, in this example, since the guide groove is formed on the upper surface of the convex portion of the Si substrate, the etching depth in FIG. 3(h) can be made shallow. As a result, the optical waveguide It is now possible to utilize the difference in film thickness and the slight difference in etching speed between the core layer and cladding layer, making it possible to
It is now possible to expose the surface of the Si substrate in the area between the guide core layer patterns 3 while leaving them intact. A fiber guide groove can be formed by etching the Si substrate using this fiber guide core layer pattern 3 as a mask. In this way, the present invention has made it possible to form a fiber guide groove and an optical waveguide using one photomask when forming a guide groove in a buried optical waveguide.

なお、上記第3図(h)のクラッド層エツチング工程に
おいて、ファイバ・ガイド・コア層パタン3を残したま
まその間の領域のSi基板表面を露出するためには、本
実施例で説明した方法の他に埋め込みマスク法[特開昭
62−94936]を用いることも可能である。すなわ
ち、同図(f)の埋め込み工程において、ファイバ・ガ
イド・コア層パタン3上にマスク材10を残したままク
ラッド層2で埋め込み、この埋め込まれたマスク材10
を同図(h)のクラッド層エツチング工程におけるマス
クとする方法である。しかし、この方法と比較すると、
本実施例の製作方法はプロセス数が少ない点で有利であ
る。
In the cladding layer etching process shown in FIG. 3(h), in order to expose the Si substrate surface in the area between while leaving the fiber guide core layer pattern 3, the method described in this embodiment is used. Alternatively, it is also possible to use a buried mask method [JP-A-62-94936]. That is, in the embedding process shown in FIG.
In this method, the mask is used as a mask in the cladding layer etching process shown in FIG. However, compared to this method,
The manufacturing method of this embodiment is advantageous in that the number of processes is small.

実施例2 第6図は、本発明の第2の実施例を説明する斜視図であ
る。Si基基板色して(100)面結晶を用いる。光導
波路2はSi基板凹部1bに形成し、ガイド溝4はSi
基板凸部1aに[110]方向と平行に設ける。ガイド
溝はV溝形状で、その側壁は5i(111)面4aによ
り形成されている。これは後に述べるようにSi基板の
異方性エツチングにより形成したものである。また、光
導波路端部20は、凸状に突き出した形状とした。
Embodiment 2 FIG. 6 is a perspective view illustrating a second embodiment of the present invention. A (100) plane crystal is used as the Si base substrate. The optical waveguide 2 is formed in the Si substrate recess 1b, and the guide groove 4 is formed in the Si substrate recess 1b.
It is provided on the substrate convex portion 1a in parallel to the [110] direction. The guide groove has a V-groove shape, and its side wall is formed by a 5i (111) plane 4a. This is formed by anisotropic etching of a Si substrate, as will be described later. Further, the optical waveguide end portion 20 was shaped to protrude convexly.

第7図は、本実施例のファイバ・ガイド溝の機能を説明
するための断面図である。ガイド溝側壁4aが基板面と
なす角度θ、光ファイバ50半径R1導波路コア層2a
の厚さhのとき、ファイバ・ガイド・コア層パタン3の
間隔Wは、 W−2[(R/sinθ)   (h/(2tanθ)
)コの関係を満たすように設定する。このような寸法に
設定すると、光ファイバ5とガイド溝4との接触点Aお
よびBから光導波路コア層中心0までの距離はRとなる
ので、光ファイバ5をガイド溝4に挿入するだけで光導
波路コア層2aと光ファイバ・コア層5aの中心が一致
し、ファイバー導波路間の位置合わせが実現できる。本
実施例1こおいては、Si基板(100)面の異方性エ
ツチングにより■溝を形成したので、θ=54.74°
となる。したがって、光フアイバ外径125μx(R=
62.5μII) 、導波路コア層厚h=8μlの時、
最適なファイバ・ガイド・コア層パタン3の間隔Wは、
148μ肩となる。
FIG. 7 is a sectional view for explaining the function of the fiber guide groove of this embodiment. Angle θ between the guide groove side wall 4a and the substrate surface, optical fiber 50 radius R1, waveguide core layer 2a
When the thickness h is, the interval W of the fiber guide core layer pattern 3 is W-2[(R/sinθ) (h/(2tanθ)
) to satisfy the following relationship. If these dimensions are set, the distance from the contact points A and B between the optical fiber 5 and the guide groove 4 to the center 0 of the optical waveguide core layer will be R, so simply inserting the optical fiber 5 into the guide groove 4 will result in a distance of R. The centers of the optical waveguide core layer 2a and the optical fiber core layer 5a coincide, and alignment between the fiber waveguides can be realized. In this Example 1, the ■groove was formed by anisotropic etching of the (100) surface of the Si substrate, so θ=54.74°
becomes. Therefore, the optical fiber outer diameter is 125 μx (R=
62.5μII), when the waveguide core layer thickness h=8μl,
The optimum spacing W of the fiber guide core layer pattern 3 is:
It becomes 148μ shoulder.

このような構造のファイバ・ガイド溝は基本的には実施
例1の製作方法と同様の方法で製作できる。すなわち、
ファイバ・ガイド・コア層パタン3を形成するにあたっ
ては、第3図と同様のフロセスにしたがった後、Si基
板の異方性エツチングを行えばよい。Si基板の異方性
エツチングには、例えば、エチレンジアミンピロカテコ
ール等のアルカリエツチング液を用いる。エツチング液
に光導波路基板を浸せば、石英系ガラス膜でできたファ
イバ・ガイド・コア層パタン3および光導波路2をマス
クとしてSi基板がエツチングされてSi基板にV溝が
形成される。
The fiber guide groove having such a structure can be basically manufactured by the same method as that of the first embodiment. That is,
To form the fiber guide core layer pattern 3, the Si substrate may be anisotropically etched after following the process similar to that shown in FIG. For anisotropic etching of the Si substrate, for example, an alkaline etching solution such as ethylenediamine pyrocatechol is used. When the optical waveguide substrate is immersed in the etching solution, the Si substrate is etched using the fiber guide core layer pattern 3 made of a silica-based glass film and the optical waveguide 2 as a mask, thereby forming a V-groove in the Si substrate.

本実施例のガイド溝構造のメリットは、実施例1のガイ
ド溝構造と比較して、ガイド溝の加工精度を高めること
が容易な点にある。すなわち、上記のエツチング液を用
いた場合、Si結晶面とエツチング速度の関係は、(1
00):  (110):  (111)=50:30
:3であるので(111)面が現れると、その面は、そ
れ以上エツチングされなぐなる。このため、ファイバ・
ガイド・コア層パタン3の間隔Wさえ精度よく形成すれ
ばガイド溝寸法が正確に決定でき、したがって、エツチ
ング深さの制御が不要となる。これに対して、実施例1
ではファイバ・ガイド・コア層パタン3の間隔Wととも
に、ガイド溝の深さも精密に制御する必要があった◇ なお、本実施例において第6図に示したように光導波路
端部20をSi基板凸部1aに突出させたのは以下の理
由による。導波路端部20が平坦であると、第8図のよ
うに導波路端部20直下のSi基板にも(111)面4
aが現れて、この結果、同図(b)に示すように、光フ
ァイバ5と光導波路2の端面どうしを接触させることが
できなくなる。導波路端部20をSi基板凸部に突出さ
せると、第9図に示すように、(111)面ではない液
晶面4a’ が現れ、この結果、光導波路下部のSi基
板がエツチングされるので同図(b)に示すようにファ
イバおよび導波路端部を接触することが可能となる。
The advantage of the guide groove structure of this embodiment is that, compared to the guide groove structure of the first embodiment, it is easier to improve the machining accuracy of the guide groove. That is, when the above etching solution is used, the relationship between the Si crystal plane and the etching rate is (1
00): (110): (111)=50:30
:3, so when a (111) plane appears, that plane will not be etched any further. For this reason, fiber
As long as the interval W between the guide core layer patterns 3 is precisely formed, the guide groove dimensions can be determined accurately, and therefore, there is no need to control the etching depth. In contrast, Example 1
In this case, it was necessary to precisely control the distance W of the fiber guide core layer pattern 3 as well as the depth of the guide groove.In addition, in this example, as shown in FIG. The reason why the convex portion 1a is made to protrude is as follows. If the waveguide end 20 is flat, the (111) plane 4 also exists on the Si substrate directly under the waveguide end 20, as shown in FIG.
a appears, and as a result, the end surfaces of the optical fiber 5 and the optical waveguide 2 cannot be brought into contact with each other, as shown in FIG. 2(b). When the waveguide end 20 is made to protrude into the convex portion of the Si substrate, a liquid crystal surface 4a' which is not a (111) plane appears as shown in FIG. 9, and as a result, the Si substrate at the bottom of the optical waveguide is etched. As shown in FIG. 6(b), it becomes possible to bring the fiber and the waveguide end into contact with each other.

以上のように、本実施例においては、ガイド溝をSi基
板凸部に設けるにあたり、異方性エツチングによるV溝
形状としたので、ガイド溝は、その幅のみ精度良く形成
すればよくなり、゛この結果、精密ガイド溝の形成が容
易となった。
As described above, in this embodiment, when forming the guide groove in the convex portion of the Si substrate, the V-groove shape is formed by anisotropic etching, so that the guide groove only needs to be formed precisely in its width. As a result, it became easy to form precision guide grooves.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。
Since the present invention is configured as described above, it produces the effects described below.

請求項1のファイバ・ガイド溝付き光導波路においては
、表面に凹部および凸部を有するSi基板を用い、凹部
にバッファ層、コア層およびクラッド層からなる光導波
路を形成し、凸部にファイバ・ガイド溝を設けるように
したので、1枚のフォトマスクを用いてファイバ・ガイ
ド溝パタンおよび光導波路パタンを同時にパタン化でき
るようになり、埋め込み形光導波路へのファイバ・ガイ
ド溝の形成が可能となる。また、請求項2の製作方法に
よれば、埋め込み形のファイバ・ガイド溝付き光導波路
を製作することができる。また請求項3の製作方法によ
れば、他の製作方法に較べてプロセス数を少な(するこ
とができる。また、請求項4の製作方法によれば、ガイ
ド溝をSi基板凸部に形成するにあたり、ガイド溝をS
i基板異方性エツチングにより形成するので、ガイド溝
の幅のみ正確に設定すれば深さ方向の制御をする必要が
なくなり、寸法制度の高いガイド溝を容易に製作できる
In the optical waveguide with a fiber guide groove according to the first aspect, a Si substrate having concave portions and convex portions on the surface is used, an optical waveguide consisting of a buffer layer, a core layer, and a cladding layer is formed in the concave portion, and a fiber guide groove is formed in the convex portion. By providing guide grooves, it is now possible to simultaneously pattern the fiber guide groove pattern and the optical waveguide pattern using one photomask, making it possible to form fiber guide grooves in embedded optical waveguides. Become. Further, according to the manufacturing method of claim 2, it is possible to manufacture an optical waveguide with an embedded fiber guide groove. Furthermore, according to the manufacturing method of claim 3, the number of processes can be reduced compared to other manufacturing methods.Furthermore, according to the manufacturing method of claim 4, guide grooves are formed in the protrusions of the Si substrate. , set the guide groove to S.
Since it is formed by i-substrate anisotropic etching, if only the width of the guide groove is set accurately, there is no need to control the depth direction, and guide grooves with high dimensional accuracy can be easily manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例の斜視図、第2図は第1
の実施例のガイド溝の構造を説明する断面図、第3図(
a)〜(h)は本発明のガイド溝付き光導波路の製作方
法の工程図、第4図(a)〜(C)および第5図(a)
〜(C)はファイバ・ガイド・コア層パタンの形成過程
の説明図、第6図は本発明の第2の実施例の斜視図、第
7図は第2の実施例のガイド溝構造を説明する断面図、
゛第8図(a)、(b)および第9図(a)、(b)は
本実施例における光導波路端部の構造の説明図、第10
図は従来のガイド付き光導波路の斜視図、第11図は従
来の方法で、埋め込み形光導波路にガイドを形成する工
程を示す工程図である。 1・・・Si基板、1a・・・Si基板凸部、1b・・
・Si基板凹部、2・・・光導波路、2a・・・光導波
路コア層、2b・・・光導波路バッファ層、2c・・・
光導波路クラッド層、3・・・ファイバ・ガイド・コア
層パタン、4・・・ファイバ・ガイド溝、4a・・・ガ
イド溝側壁(Si(111)面)、5・・・光ファイバ
 5a・・・光ファイバ・コアN、10 +  l O
a・・・マスク材。
FIG. 1 is a perspective view of the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the structure of the guide groove in the embodiment of
a) to (h) are process diagrams of the method for manufacturing an optical waveguide with a guide groove of the present invention, Fig. 4 (a) to (C) and Fig. 5 (a).
~(C) is an explanatory diagram of the formation process of the fiber guide core layer pattern, FIG. 6 is a perspective view of the second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an explanation of the guide groove structure of the second embodiment. cross-sectional view,
8 (a), (b) and 9 (a), (b) are explanatory diagrams of the structure of the optical waveguide end in this example, and 10.
This figure is a perspective view of a conventional optical waveguide with a guide, and FIG. 11 is a process diagram showing the process of forming a guide in a buried optical waveguide by a conventional method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Si substrate, 1a...Si substrate convex part, 1b...
- Si substrate recess, 2... optical waveguide, 2a... optical waveguide core layer, 2b... optical waveguide buffer layer, 2c...
Optical waveguide cladding layer, 3... Fiber guide core layer pattern, 4... Fiber guide groove, 4a... Guide groove side wall (Si (111) surface), 5... Optical fiber 5a...・Optical fiber core N, 10 + l O
a...Mask material.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)表面に凹部及び凸部が形成されたSi基板上に形
成した石英系光導波路において、 該石英系光導波路バッファ層が上記Si基板凹部に、か
つ、その上面の高さが上記Si基板凸部上面の高さと一
致するように形成されてあり、該石英系光導波路コア層
が、該バッファ層上に形成されてあり、 光ファイバと光導波路との位置合わせ用のファイバ・ガ
イド溝が該光導波路コア層端部付近のSi基板凸部に設
けてある ことを特徴とするファイバ・ガイド溝付き光導波路。
(1) In a silica-based optical waveguide formed on a Si substrate having concave portions and convex portions formed on its surface, the silica-based optical waveguide buffer layer is located in the concave portion of the Si substrate, and the height of its upper surface is the same as that of the Si substrate. The quartz-based optical waveguide core layer is formed on the buffer layer, and a fiber guide groove for aligning the optical fiber and the optical waveguide is formed to match the height of the upper surface of the convex portion. An optical waveguide with a fiber guide groove, characterized in that the fiber guide groove is provided on a convex portion of a Si substrate near an end of the optical waveguide core layer.
(2)表面に凹部及び凸部が形成されたSi基板上に、
石英系光導波路バッファ層を形成するバッファ層形成工
程と、 該基板表面を研磨しSi基板凸部表面を露出させ、かつ
、Si基板凹部上に形成した該石英系光導波路、バッフ
ァ層表面の高さを該Si基板凸部の高さと一致させる研
磨工程と、 該基板上に光導波路コア層を形成するコア層形成工程と
、 ファイバ・ガイド溝パタンと光導波路パタンとが同時に
描かれた一枚のフォトマスクを用い、かつ、該Si基板
凸部上面のコア層表面に該ファイバ・ガイド溝パタンが
形成され、該Si基板凹部上面のコア層表面に該光導波
路パタンが形成されるように位置合わせをしてマスク材
をパタン化する第1フォトリソグラフィ工程と、 不要部分の石英系光導波路コア層を除去し該Si基板凸
部表面を露出させるコア層エッチング工程と、 該基板上にクラッド層を形成する埋め込み工程と、 該クラッド層上面に該光導波路パタンが形成された領域
を覆うようにマスク材をパタン化する第2フォトリソグ
ラフィ工程と、 不要部分のクラッド層を除去しコア層で形成したファイ
バ・ガイド溝パタンを残してSi基板凹部を露出させる
クラッド層エッチング工程と、該コア層で形成したファ
イバ・ガイド溝パタンをマスクとしてSi基板凸部をエ
ッチングしファイバ・ガイド溝を形成するSi基板エッ
チング工程、 とからなることを特徴とするファイバ・ガイド溝付き光
導波路の製作方法。
(2) On a Si substrate with depressions and protrusions formed on the surface,
A buffer layer forming step of forming a silica-based optical waveguide buffer layer, polishing the substrate surface to expose the surface of the convex portion of the Si substrate, and increasing the height of the surface of the silica-based optical waveguide and buffer layer formed on the concave portion of the Si substrate. A polishing step to match the height of the convex portion of the Si substrate, a core layer forming step to form an optical waveguide core layer on the substrate, and a single sheet in which the fiber guide groove pattern and the optical waveguide pattern are drawn simultaneously. using a photomask, and positioned so that the fiber guide groove pattern is formed on the surface of the core layer on the top surface of the convex portion of the Si substrate, and the optical waveguide pattern is formed on the surface of the core layer on the top surface of the concave portion of the Si substrate. a first photolithography step for patterning the mask material; a core layer etching step for removing unnecessary portions of the quartz-based optical waveguide core layer and exposing the surface of the convex portions of the Si substrate; and forming a cladding layer on the substrate. a second photolithography step of patterning a mask material so as to cover the region where the optical waveguide pattern is formed on the upper surface of the cladding layer; removing unnecessary portions of the cladding layer and forming a core layer; A cladding layer etching process that exposes the concave portion of the Si substrate while leaving the fiber guide groove pattern formed in the core layer, and a Si substrate etching process that etches the convex portion of the Si substrate using the fiber guide groove pattern formed in the core layer as a mask to form the fiber guide groove. A method for manufacturing an optical waveguide with a fiber guide groove, comprising the steps of: substrate etching process.
(3)上記クラッド層エッチング工程において、該ファ
イバ・ガイド溝パタン形成部とその他の部分での膜厚差
およびコア層・クラッド層間でのエッチング速度差を利
用して、コア層で形成したファイバ・ガイド溝パタンを
残したことを特徴とする請求項2記載のファイバ・ガイ
ド溝付き光導波路の製作方法。
(3) In the cladding layer etching process, the difference in film thickness between the fiber guide groove pattern forming part and other parts and the difference in etching speed between the core layer and the cladding layer are utilized to 3. The method of manufacturing an optical waveguide with fiber guide grooves according to claim 2, wherein a guide groove pattern remains.
(4)上記バッファ層形成工程において、Si基板とし
て(100)面結晶を用い、上記第1フォトリソグラフ
ィ工程において、ファイバ・ガイド溝をSi基板[11
0]方向と平行に設けるようにしてあり、かつ、上記S
i基板エッチング工程においてSi基板異方性エッチン
グを行うことを特徴とする請求項2記載のファイバ・ガ
イド溝付き光導波路の製作方法。
(4) In the buffer layer forming step, a (100) plane crystal is used as the Si substrate, and in the first photolithography step, the fiber guide groove is formed on the Si substrate [11
0] direction, and the above-mentioned S
3. The method of manufacturing an optical waveguide with a fiber guide groove according to claim 2, wherein an anisotropic etching of the Si substrate is performed in the i-substrate etching step.
JP1032223A 1989-02-10 1989-02-10 Fabrication method of optical waveguide with fiber guide Expired - Fee Related JP2893093B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1032223A JP2893093B2 (en) 1989-02-10 1989-02-10 Fabrication method of optical waveguide with fiber guide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1032223A JP2893093B2 (en) 1989-02-10 1989-02-10 Fabrication method of optical waveguide with fiber guide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02211406A true JPH02211406A (en) 1990-08-22
JP2893093B2 JP2893093B2 (en) 1999-05-17

Family

ID=12352957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1032223A Expired - Fee Related JP2893093B2 (en) 1989-02-10 1989-02-10 Fabrication method of optical waveguide with fiber guide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2893093B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08122552A (en) * 1994-10-19 1996-05-17 Nec Corp Optical fiber mounted optical waveguide circuit and its production
WO2006135050A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Seikoh Giken Co., Ltd. Optical waveguide element and method for manufacturing same
US8180189B2 (en) 2008-02-21 2012-05-15 Sony Corporation Optical module and optical waveguide
JP2015072330A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 富士通株式会社 Optical waveguide component, manufacturing method of the same, and optical waveguide device
CN114578486A (en) * 2020-11-30 2022-06-03 深南电路股份有限公司 Waveguide-optical fiber coupling device, manufacturing method thereof and optical transmission system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61117513A (en) * 1984-11-13 1986-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical circuit with fiber guide and its production
JPS61267010A (en) * 1985-05-21 1986-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical waveguide circuit and its manufacture
JPS63131104A (en) * 1986-11-20 1988-06-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Hybrid optical integrated circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61117513A (en) * 1984-11-13 1986-06-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical circuit with fiber guide and its production
JPS61267010A (en) * 1985-05-21 1986-11-26 Sumitomo Electric Ind Ltd Optical waveguide circuit and its manufacture
JPS63131104A (en) * 1986-11-20 1988-06-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Hybrid optical integrated circuit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08122552A (en) * 1994-10-19 1996-05-17 Nec Corp Optical fiber mounted optical waveguide circuit and its production
WO2006135050A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Seikoh Giken Co., Ltd. Optical waveguide element and method for manufacturing same
JP2006350014A (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Seikoh Giken Co Ltd Optical waveguide element and its manufacturing method
US8180189B2 (en) 2008-02-21 2012-05-15 Sony Corporation Optical module and optical waveguide
JP2015072330A (en) * 2013-10-02 2015-04-16 富士通株式会社 Optical waveguide component, manufacturing method of the same, and optical waveguide device
CN114578486A (en) * 2020-11-30 2022-06-03 深南电路股份有限公司 Waveguide-optical fiber coupling device, manufacturing method thereof and optical transmission system

Also Published As

Publication number Publication date
JP2893093B2 (en) 1999-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4933262A (en) Method of making integrated optical component
JP2003107273A (en) Optical coupler with many mutually self-aligned etching grooves and its manufacturing method
EP0552218A1 (en) Self-aligned v-grooves and waveguides.
JP2784503B2 (en) Guided optical waveguide and method of manufacturing the same
JPH02211406A (en) Optical waveguide with fiber guide groove and its manufacture
JPH08313756A (en) Plane optical circuit parts with optical fiber fixing groove and its production
JP2949282B2 (en) Method of manufacturing optical waveguide substrate with V-groove and optical waveguide substrate with V-groove manufactured by the method
JP2771167B2 (en) Optical integrated circuit mounting method
TWI252339B (en) Self-aligned optical waveguide to optical fiber connection system
US5529595A (en) Method of positioning elements of an optical integrated circuit
JPS6325644B2 (en)
JPH09230167A (en) Connection structure for optical guide
JP2743847B2 (en) Optical fiber mounted optical waveguide circuit and method of manufacturing the same
JPS61267010A (en) Optical waveguide circuit and its manufacture
JPH0313907A (en) Production of substrate type optical waveguide
JPS6294936A (en) Dry etching method
JPS6343105A (en) Single mode optical waveguide
JPS61260208A (en) Light guide with fiber guide
JPS5933883B2 (en) How to form an optical fiber connection groove
JPH11133267A (en) Production of optical waveguide part
JPH05257035A (en) Production of waveguide device
JP2004198653A (en) Planar optical circuit component and manufacturing method therefor
JP2001201647A (en) Optical waveguide circuit and its manufacturing method
EP1302795A1 (en) Apparatus and method for coupling an optical fibre to an optical waveguide
JP2002196170A (en) Manufacturing method of optical waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees