JPH0791948A - Non-contact type film thickness measuring apparatus - Google Patents
Non-contact type film thickness measuring apparatusInfo
- Publication number
- JPH0791948A JPH0791948A JP26181093A JP26181093A JPH0791948A JP H0791948 A JPH0791948 A JP H0791948A JP 26181093 A JP26181093 A JP 26181093A JP 26181093 A JP26181093 A JP 26181093A JP H0791948 A JPH0791948 A JP H0791948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- eddy current
- current sensor
- temperature
- film thickness
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、導電体上に被覆された
絶縁物の厚さを測定する非接触式膜厚測定器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-contact type film thickness measuring device for measuring the thickness of an insulating material coated on a conductor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、導電性基体、例えば金属基体
上に被覆された絶縁性被膜の膜厚を正確に測定するため
の種々の技術が公知であり、特に非接触式に膜厚測定を
行う装置として、特開平１−１３６００９号公報に開示
された「非接触式膜厚測定器」や特開平１−１４３９０
８号公報に開示された「薄膜厚測定器」が知られてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, various techniques for accurately measuring the film thickness of an insulating film coated on a conductive substrate such as a metal substrate have been known. As a device to be used, a "non-contact type film thickness measuring device" disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-136009 and a Japanese Patent Laid-Open No. 14390/1991.
The "thin film thickness measuring device" disclosed in Japanese Patent No. 8 is known.
【０００３】上述した２つの公報に開示された各膜厚測
定器は、いずれも基本原理は同じであり、導電性基体ま
での距離を基体上に発生する渦電流を利用することによ
り電磁式センサで測定するとともに、絶縁性被膜までの
距離を投光部と受光部とを有する光学式センサで測定す
る。そして、これらの各測定値の差から膜厚を求める。Each of the film thickness measuring devices disclosed in the above-mentioned two publications has the same basic principle, and an electromagnetic sensor is used by utilizing the eddy current generated on the substrate for the distance to the conductive substrate. And the distance to the insulating film is measured by an optical sensor having a light projecting section and a light receiving section. Then, the film thickness is obtained from the difference between these measured values.
【０００４】これらの膜厚測定器を用いることにより、
測定対象物に触れることなく、しかも測定対象物を破壊
することなく膜厚測定を行うことができるというもので
ある。By using these film thickness measuring devices,
The film thickness can be measured without touching the measurement object and without destroying the measurement object.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した非
接触式膜厚測定器および薄膜厚測定器のそれぞれは、概
して測定精度が低く、高精度な非接触測定が行えないと
いう問題があった。そのため、被測定膜厚が厚い場合や
低い測定精度でも充分な場合に限り使用されていた。従
って、例えば自動車の塗装工程においてその塗装膜厚を
測定するような場合には、１μｍ程度の測定精度が必要
であり、上述した従来の膜厚測定器では対応できなかっ
た。Each of the non-contact type film thickness measuring device and the thin film thickness measuring device described above has a problem that the measuring accuracy is generally low and high-precision non-contact measuring cannot be performed. Therefore, it has been used only when the film thickness to be measured is thick or when low measurement accuracy is sufficient. Therefore, for example, when the coating film thickness is measured in the coating process of an automobile, a measurement accuracy of about 1 μm is required, and the conventional film thickness measuring device described above cannot handle this.
【０００６】上述した従来の膜厚測定器における測定精
度が低い主な理由は、電磁式センサと光学式センサとい
う２種のセンサの動作原理，機能，性能が異なるため
に、測定範囲，測定距離，分解能・精度などが大きく異
なっていることにある。このため、膜厚測定器全体の精
度は、低い性能を有するセンサの精度により制限される
ことになる。The main reason for the low measurement accuracy in the above-mentioned conventional film thickness measuring device is that the operating principle, function, and performance of the two types of sensors, that is, the electromagnetic sensor and the optical sensor, are different. , The resolution and accuracy are very different. Therefore, the accuracy of the entire film thickness measuring device is limited by the accuracy of the sensor having low performance.
【０００７】例えば、光学式センサとして三角測量式の
ものが周知でありよく用いられるが、被測定物である絶
縁物までの距離、つまりその表面までの距離を正確に測
定するには、照射されたレーザ光のうち表面反射するレ
ーザ光のみを選択的に受光するタイプ（以下、このよう
に投光系と受光系が被測定面の法線に対し対称の角度で
配置されていている正反射光学系にあるものを「正反射
タイプ」という。）の光学式センサである必要がある。
ところが、一般的に用いられている光学式センサのほと
んどはこのタイプではなく、絶縁物表面の法線上に投光
系を配置し、この法線と一定の角度を有する方向に受光
系を配置している。このため、絶縁物の表面下に潜り込
んだビームスポットを受光・検出しており、表面までの
距離を正確に測定していないため、測定精度が低くなっ
ていた。For example, a triangulation type optical sensor is well known and often used, but in order to accurately measure the distance to the insulator to be measured, that is, the distance to the surface of the insulator, the irradiation is performed. Type that selectively receives only the laser light that is reflected from the surface of the laser light (hereinafter, the projection system and the light receiving system are arranged at symmetrical angles with respect to the normal to the surface to be measured. What is in the optical system is called a "regular reflection type" optical sensor.
However, most of the commonly used optical sensors are not of this type, but the light projection system is arranged on the normal line of the insulator surface, and the light receiving system is arranged in a direction having a certain angle with this normal line. ing. For this reason, the beam spot that has sunk under the surface of the insulator is received and detected, and the distance to the surface is not accurately measured, resulting in low measurement accuracy.
【０００８】また、上述した正反射タイプの光学式セン
サであっても、被測定物表面までの距離を高精度に測定
するには重大な問題がある。すなわち、光学式センサに
用いられるレーザからのビーム光の出射方向が変動する
ことにより、被測定物表面上に照射されるスポット位置
が変動し、これにより出力変動つまり測定距離のばらつ
きが生じていた。このことは、サブミクロン以下の分解
能が要求される高精度な測定を行う場合になって初めて
無視できない問題となって明らかになったものであり、
それ以前は問題点という認識すら無かったことである。Further, even the above-mentioned specular reflection type optical sensor has a serious problem in measuring the distance to the surface of the object to be measured with high accuracy. That is, since the emitting direction of the beam light from the laser used for the optical sensor is changed, the spot position irradiated on the surface of the object to be measured is changed, which causes the output fluctuation, that is, the fluctuation of the measurement distance. . This became clear as a problem that cannot be ignored only when performing high-precision measurements that require sub-micron resolution or less,
Before that, there was no recognition that it was a problem.
【０００９】一方、電磁式センサの一つである渦電流セ
ンサでは、センサの先端が測定範囲の基準点となってお
りこの基準点における電磁場の状態を検出している。従
って、非接触式で使う場合には被測定物である絶縁物及
び導電体から離さなければならず、どうしても測定範囲
が大きくなってしまう。このことは、センサ出力のＳ／
Ｎ比を低減させ、測定分解能及び測定精度の低下を引き
起こす。On the other hand, in the eddy current sensor which is one of the electromagnetic sensors, the tip of the sensor serves as a reference point of the measurement range, and the state of the electromagnetic field at this reference point is detected. Therefore, in the case of using the non-contact type, it has to be separated from the insulator and the conductor which are the objects to be measured, which inevitably increases the measurement range. This means that the sensor output S /
The N ratio is reduced, which causes deterioration of measurement resolution and measurement accuracy.
【００１０】非接触式の渦電流センサに関するこれらの
欠点をを改善する方法としては、ノイズを徹底的に排除
するとともに測定距離と出力の関係を厳密に把握するこ
とも考えられる。しかし、１μｍ以下の測定精度を有
し、実用に耐えうる高精度な膜厚測定を実現するために
は、このような対策をもってしても十分でないことが明
らかになった。As a method of improving these drawbacks of the non-contact type eddy current sensor, it is possible to thoroughly eliminate noise and grasp the relationship between the measurement distance and the output strictly. However, it has been clarified that even such a measure is not sufficient to realize a highly accurate film thickness measurement that has a measurement accuracy of 1 μm or less and can be used practically.
【００１１】以上より、従来の膜厚測定器では、塗装直
後のウェット膜厚等を再現性良く、しかも高精度に測定
することができず、このような測定が可能な非接触式か
つ非破壊式の膜厚測定器が望まれていた。As described above, the conventional film thickness measuring device cannot measure the wet film thickness immediately after coating with good reproducibility and with high accuracy. A film thickness meter of the formula was desired.
【００１２】本発明は、このような従来の課題に鑑みな
されたものであり、高い精度で測定することができる非
接触式膜厚測定器を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a non-contact type film thickness measuring device which can measure with high accuracy.
【００１３】[0013]
第１発明 ［構成］上述した課題を解決するために、請求項１の発
明は、投光部と受光部とを含んでおり、導体上の絶縁物
表面における光の反射を利用して前記絶縁物表面までの
距離を測定する光学式センサと、前記導体に発生する渦
電流を利用して前記導体までの距離を測定する渦電流セ
ンサと、前記光学式センサによって測定される距離と前
記渦電流センサとによって測定される距離との差から前
記絶縁物の膜厚を算出する膜厚算出手段とを備える非接
触式膜厚測定器において、前記光学式センサの投光部
は、前記絶縁物に対して光を照射するレーザ光源と、前
記レーザ光源から入射された光の中の所定の固有モード
の光のみを通過させ、前記絶縁物表面に向け出射する光
ファイバと、を含むことを特徴とする。First Invention [Structure] In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 includes a light projecting portion and a light receiving portion, and utilizes the reflection of light on the surface of an insulator on a conductor to perform the insulation. An optical sensor for measuring a distance to an object surface, an eddy current sensor for measuring a distance to the conductor by using an eddy current generated in the conductor, a distance measured by the optical sensor and the eddy current In a non-contact type film thickness measuring instrument comprising a film thickness calculating means for calculating a film thickness of the insulator from a difference measured by a sensor, a light projecting section of the optical sensor is provided on the insulator. A laser light source that irradiates light to the light source; and an optical fiber that passes only light of a predetermined eigenmode in light incident from the laser light source and emits the light toward the surface of the insulator. To do.
【００１４】上述した構成を有する請求項１に係る非接
触式膜厚測定器は、従来の膜厚測定器がレーザからのビ
ーム光の出射方向が変動することにより、被測定物表面
上に照射されるスポット位置が変動して測定距離のばら
つきが生じていた点に着目し、この点を改善したもので
ある。In the non-contact type film thickness measuring device according to claim 1 having the above-mentioned structure, the conventional film thickness measuring device irradiates the surface of the object to be measured by changing the emitting direction of the beam light from the laser. This point is improved by paying attention to the fact that the measured spot position fluctuates and the measurement distance fluctuates.
【００１５】すなわち、レーザから出射するビーム光の
変動そのものを無くすことは原理的に不可能であるた
め、結局、投光系の出射端からのビーム光の位置変動を
制御するようにしたものである。具体的には、通常は光
通信などで光を伝達するために用いられている光ファイ
バを利用し、その幾何学的構造に起因する光の閉じ込め
作用により所定の固有モード（導波モード）の光のみを
通過させることによって、出射ビーム光の位置変動を低
減し、これにより測定精度を上げようというものであ
る。That is, since it is impossible in principle to eliminate the fluctuation itself of the beam light emitted from the laser, the position fluctuation of the beam light from the emission end of the light projecting system is eventually controlled. is there. Specifically, an optical fiber that is usually used for transmitting light in optical communication is used, and a predetermined eigenmode (guided mode) is generated due to the confinement of light due to its geometric structure. By passing only the light, the positional fluctuation of the emitted beam light is reduced, and thereby the measurement accuracy is improved.
【００１６】上述した構成において、光ファイバは、シ
ングルモード光ファイバを用いることが望ましく、その
長さは例えば数１００ｍｍ程度とすることができる。In the above-mentioned structure, it is desirable to use a single mode optical fiber as the optical fiber, and the length thereof can be, for example, about several hundred mm.
【００１７】また、膜厚算出手段は、最も簡単な場合に
は、導体までの距離から絶縁物までの距離を減算するこ
とにより、絶縁物の膜厚を求めることができる。 ［作用］請求項１の発明は以上の構成からなり、次に、
その作用を説明する。Further, in the simplest case, the film thickness calculating means can obtain the film thickness of the insulator by subtracting the distance to the insulator from the distance to the conductor. [Operation] The invention of claim 1 is configured as described above.
The operation will be described.
【００１８】光学式センサの投光部において、レーザ光
源から光を照射すると、この照射された光は光ファイバ
を通った後絶縁物に向けて一定の入射角θをなすように
出射される。When light is emitted from a laser light source in the light projecting portion of the optical sensor, the emitted light passes through the optical fiber and is emitted toward the insulator at a constant incident angle θ.
【００１９】例えば、光ファイバの一方端である入射端
近傍にマイクロレンズからなる投光レンズを設け、他方
端である出射端近傍に同様にマイクロレンズからなる受
光レンズを設ける。これにより、レーザ光源から照射さ
れた光が投光レンズによりほぼ一定に集光されて光ファ
イバの入射端に入射され、光ファイバ内を伝送された後
に光ファイバの出射端から出射される。さらに、出射さ
れた光が受光レンズによって平行ビームとなって絶縁物
表面に入力角θで照射され、ごく狭い範囲のスポットを
形成する。For example, a light projecting lens composed of a microlens is provided near the incident end which is one end of the optical fiber, and a light receiving lens similarly composed of a microlens is provided near the exit end which is the other end. As a result, the light emitted from the laser light source is condensed almost uniformly by the light projecting lens, is incident on the incident end of the optical fiber, is transmitted through the optical fiber, and is then emitted from the emitting end of the optical fiber. Further, the emitted light is converted into a parallel beam by the light receiving lens and irradiated on the surface of the insulator at an input angle θ to form a spot in a very narrow range.
【００２０】このスポット部分で反射された光は、その
後受光部に入射され、受光部内の位置検出器上に結像が
生じる。このようにして生じた結像の位置に基づいて、
三角測量の原理により絶縁物までの距離が求められる。The light reflected by this spot portion is then incident on the light receiving portion, and an image is formed on the position detector in the light receiving portion. Based on the position of the image formed in this way,
The distance to the insulator can be determined by the principle of triangulation.
【００２１】特に、上述した投光部に所定の固有モード
のみの光を通過させるシングルモードの光ファイバを用
いることにより、ある固有モード以外の光は伝送される
途中において減衰し、所定の固有モードの光のみが通過
してその出射端から絶縁物に向けて照射されることにな
る。このため、出射光の重心位置が光ファイバの中心に
一致するため出射方向が安定し、絶縁物上に生じる照射
スポットの光量重心も安定し、受光部内の位置検出器上
に結像するスポット重心も安定することになり、この像
に基づいて絶縁物表面までの距離が求められる。In particular, by using a single-mode optical fiber for transmitting only light of a predetermined eigenmode in the above-mentioned light projecting portion, light other than a certain eigenmode is attenuated during transmission, and a predetermined eigenmode is obtained. Only the light passes through and is emitted from the emission end toward the insulator. For this reason, the center of gravity of the emitted light coincides with the center of the optical fiber, so that the emission direction is stable, the center of light quantity of the irradiation spot generated on the insulator is also stable, and the center of gravity of the spot imaged on the position detector in the light receiving part is stabilized. Is also stable, and the distance to the surface of the insulator can be obtained based on this image.
【００２２】一方、渦電流センサを用いることにより、
導体上に発生する渦電流を利用して導体表面までの距離
が求められる。On the other hand, by using the eddy current sensor,
The distance to the conductor surface can be obtained by utilizing the eddy current generated on the conductor.
【００２３】膜厚算出手段は、このようにして求めた２
つの距離に基づいて、最も簡単な場合には、導体までの
距離から絶縁物までの距離を減算することにより、絶縁
物の膜圧を算出する。 ［発明の効果］以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、投光部に所定の固有モードの光のみを通過させ
る光ファイバを含み、レーザ光源から照射した光をこの
光ファイバ内を通した後に絶縁物に向け出射させること
により、この出射光の出射方向の変動を防止して、正確
に絶縁物表面までの距離を測定することができる。従っ
て、この正確な絶縁物表面までの距離に基づいて、絶縁
物の膜厚を高い精度で測定することができる。The film-thickness calculating means calculates 2
Based on the two distances, in the simplest case, the film thickness of the insulator is calculated by subtracting the distance to the insulator from the distance to the conductor. [Effects of the Invention] As described above, according to the invention of claim 1, the light projecting section includes an optical fiber that allows only light of a predetermined eigenmode to pass through, and the light emitted from the laser light source is included in the optical fiber. By emitting the light toward the insulator after passing through, it is possible to prevent the variation of the emission direction of the emitted light and accurately measure the distance to the surface of the insulator. Therefore, the film thickness of the insulator can be measured with high accuracy based on the accurate distance to the surface of the insulator.
【００２４】他の発明 ［構成］また、上述した課題を解決するために、請求項
２の発明は、導体上の絶縁物表面における光の反射を利
用して前記絶縁物表面までの距離を測定する光学式セン
サと、前記導体に発生する渦電流を利用して前記導体ま
での距離を測定する渦電流センサと、前記渦電流センサ
の温度を検出する温度センサと、前記渦電流センサを加
熱するヒータと前記温度センサによって検出される前記
渦電流センサの温度を前記ヒータによる加熱を行うこと
により一定に維持する温度制御手段と、前記光学式セン
サによって測定される距離と前記渦電流センサとによっ
て測定される距離との差から前記絶縁物の膜厚を算出す
る膜厚算出手段と、を備え、前記渦電流センサの温度を
制御して温度ドリフトを防止しながら、前記絶縁物の膜
厚測定を行うことを特徴とする。Another Invention [Structure] In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 2 measures the distance to the surface of the insulator by utilizing the reflection of light on the surface of the insulator on the conductor. Optical sensor, an eddy current sensor that measures the distance to the conductor by using an eddy current generated in the conductor, a temperature sensor that detects the temperature of the eddy current sensor, and the eddy current sensor is heated. Temperature control means for keeping the temperature of the eddy current sensor detected by the heater and the temperature sensor constant by performing heating by the heater, distance measured by the optical sensor, and measurement by the eddy current sensor A film thickness calculating means for calculating the film thickness of the insulator from the difference between the insulator and the insulator while controlling the temperature of the eddy current sensor to prevent temperature drift. The film thickness is measured.
【００２５】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、前記温度制御手段による前記渦電流センサの温度調
整は、前記ヒータに対する通電を断続することにより行
い、前記渦電流センサによる距離の測定は、前記ヒータ
に対する通電が中断したときに行うことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the temperature control of the eddy current sensor by the temperature control means is performed by intermittently energizing the heater, and the distance is measured by the eddy current sensor. Is performed when power supply to the heater is interrupted.
【００２６】請求項４の発明は、導体上の絶縁物表面に
おける光の反射を利用して前記絶縁物表面までの距離を
測定する光学式センサと、前記導体に発生する渦電流を
利用して前記導体までの距離を測定する渦電流センサ
と、前記渦電流センサの温度を検出する温度センサと、
前記渦電流センサを加熱するヒータと前記温度センサに
よって検出される前記渦電流センサの温度を、前記ヒー
タに交流電流を流して加熱することにより一定に維持す
る温度制御手段と、前記渦電流センサの出力に現れる前
記ヒータの電流周波数成分を除去する周波数成分除去手
段と、前記光学式センサによって測定される距離と、前
記周波数成分除去手段によってヒータ電流の周波数成分
が除去された前記渦電流センサの出力に基づいて測定さ
れる距離との差から前記絶縁物の膜厚を算出する膜厚算
出手段と、を備え、前記渦電流センサの温度を制御する
ことにより温度ドリフトを防止することを特徴とする。According to a fourth aspect of the invention, an optical sensor for measuring the distance to the surface of the insulator by utilizing the reflection of light on the surface of the insulator on the conductor, and an eddy current generated in the conductor are used. An eddy current sensor that measures the distance to the conductor, and a temperature sensor that detects the temperature of the eddy current sensor,
Temperature control means for maintaining the temperature of the heater for heating the eddy current sensor and the eddy current sensor detected by the temperature sensor constant by flowing an alternating current through the heater to heat the eddy current sensor; Frequency component removing means for removing the current frequency component of the heater appearing in the output, the distance measured by the optical sensor, and the output of the eddy current sensor from which the frequency component of the heater current has been removed by the frequency component removing means. A film thickness calculating means for calculating a film thickness of the insulator from a difference from a distance measured based on the above, and temperature drift is prevented by controlling the temperature of the eddy current sensor. .
【００２７】請求項５の発明は、請求項２〜４のいずれ
かにおいて、前記ヒータは、発熱用導体を１箇所あるい
は複数箇所で折り返すことにより、あるいは偶数本の発
熱用導体を組み合わせて用いることにより、隣接する前
記発熱用導体を通電電流の向きが反対になるように配置
して用いることを特徴とする。According to a fifth aspect of the invention, in the heater according to any one of the second to fourth aspects, the heater is formed by folding back the heat generating conductor at one place or at a plurality of places, or by using an even number of heat generating conductors in combination. Thus, the adjacent heat generating conductors are arranged and used so that the directions of the energizing currents are opposite to each other.
【００２８】上述した請求項２〜５の各発明は、渦電流
センサが使われる環境、特に周囲の僅かな温度変動が高
精度測定に悪影響をもたらす支配的な要因であることに
着目し、これらの点を改善したものである。Each of the above-mentioned inventions of claims 2 to 5 pays attention to the fact that a slight temperature fluctuation in the environment in which the eddy current sensor is used, especially in the surroundings, is a dominant factor that adversely affects high-precision measurement. This is an improvement of the point.
【００２９】そもそも渦電流センサは、内蔵されたコイ
ルに高周波電流を与え、導電体との距離に応じた磁界及
び電界の変化をコイルのインダクタンスの変化として検
出するものであって電磁気的に非常に敏感なものであ
る。従って、渦電流センサ近傍にヒータを配置するとい
った電磁気的に影響を与えることは好ましくないとされ
ていた。ところが、温度変動による悪影響を防止して高
精度化を実現するには、渦電流センサに対して積極的に
温度制御を施さなければならず、しかも、渦電流センサ
本来の動作や機能を保たなければならないという相反す
る要求を満たす必要があった。このために種々の実験・
検討を行った結果、いくつかの手法により上記相反する
要求を満たすことができることが判明した。In the first place, the eddy current sensor applies a high-frequency current to the built-in coil and detects a change in the magnetic field and electric field according to the distance from the conductor as a change in the inductance of the coil. It is sensitive. Therefore, it has been considered unfavorable to electromagnetically affect the arrangement of a heater near the eddy current sensor. However, in order to prevent the adverse effects of temperature fluctuations and achieve high accuracy, the eddy current sensor must be actively temperature-controlled, and the original operation and function of the eddy current sensor must be maintained. They had to meet the conflicting requirements of having to. For this, various experiments
As a result of examination, it has been found that the above conflicting requirements can be satisfied by some methods.
【００３０】一つの方法は、渦電流センサ（例えば渦電
流センサ内の測定プローブ部のみ、あるいは測定プロー
ブ部とこの測定プローブ部の出力電圧を増幅するアンプ
部の両方）にヒータを配置し、ヒータ電流をオンオフす
ることにより、渦電流センサを常温よりも高い一定温度
に保つようにする。そして、ヒータ電流オフ時を捕らえ
て測定信号の取り込みを行う方法である。One method is to dispose a heater on the eddy current sensor (for example, only the measurement probe section in the eddy current sensor, or both the measurement probe section and the amplifier section that amplifies the output voltage of the measurement probe section), By turning the current on and off, the eddy current sensor is kept at a constant temperature higher than room temperature. Then, it is a method of capturing the measurement signal by capturing when the heater current is off.
【００３１】他の方法は、同様に渦電流センサにヒータ
を配置し、ヒータ電流としてある一定の周波数の交流電
流を流す。この交流電流の振幅を制御することにより、
渦電流センサを常温よりも高い一定温度に保つようにす
る。そして、渦電流センサの処理回路部にヒータ電流の
周波数成分を除去する回路を付加する方法である。但
し、この手法においてヒータ電流振幅の急激な変調を行
う場合には、ヒータ電流に含まれる周波数帯域が広くな
ることを考慮し、渦電流センサのプローブ部に付加され
る高周波電界の帯域が干渉しないように、ヒータ電流の
周波数を設定する必要がある。In another method, a heater is similarly arranged in the eddy current sensor and an alternating current having a certain frequency is supplied as the heater current. By controlling the amplitude of this alternating current,
Keep the eddy current sensor at a constant temperature above room temperature. Then, a circuit for removing the frequency component of the heater current is added to the processing circuit section of the eddy current sensor. However, when abruptly modulating the heater current amplitude with this method, considering that the frequency band included in the heater current becomes wide, the band of the high frequency electric field added to the probe portion of the eddy current sensor does not interfere. Therefore, it is necessary to set the frequency of the heater current.
【００３２】さらに他の方法は、ヒータ線（発熱用導
体）折り返すことにより通電電流の向きが反対となるよ
うにヒータを配置し、あるいは通電電流の向きが反対と
なるように偶数本のヒータ線を対にして配置することに
より、ヒータ電流によって生じる磁界を軽減する方法で
ある。この方法は、上述した２つの方法と併用しても良
い。Still another method is to arrange the heaters so that the directions of the energizing currents are opposite by folding back the heater wires (heat-generating conductors), or to even the number of heater wires so that the directions of the energizing currents are opposite. Is a method of reducing the magnetic field generated by the heater current. This method may be used in combination with the above two methods.
【００３３】また、渦電流センサの測定プローブにヒー
タ線を巻く場合、ヒータ線は導電体であるために、密に
巻きすぎると渦電流センサの感度を低下するので注意が
必要である。 ［作用］請求項２〜５の発明は以上の構成からなり、次
に、その作用を説明する。When the heater wire is wound around the measuring probe of the eddy current sensor, care must be taken because the heater wire is a conductor, and if it is wound too tightly, the sensitivity of the eddy current sensor decreases. [Operation] The inventions of claims 2 to 5 are configured as described above. Next, the operation will be described.
【００３４】請求項２の非接触式膜厚測定器では、渦電
流センサの温度を検出するために温度センサが設けられ
ており、温度制御手段によってこの検出した温度を監視
する。そして、渦電流センサが所定の設定温度より低い
場合には渦電流センサに装着されているヒータに通電
し、設定温度に達したら通電を停止することにより、渦
電流センサが一定温度に制御される。In the non-contact type film thickness measuring device according to the second aspect, a temperature sensor is provided for detecting the temperature of the eddy current sensor, and the detected temperature is monitored by the temperature control means. Then, when the eddy current sensor is lower than a predetermined set temperature, the heater mounted on the eddy current sensor is energized, and when the set temperature is reached, the energization is stopped to control the eddy current sensor to a constant temperature. .
【００３５】このようにして一定温度に制御された渦電
流センサにより、例えば測定プローブ内のコイルのイン
ダクタンスを検出して導体までの距離を測定する。この
コイルのインダクタンスは、導体までの距離が一定でも
温度が変化するとコイル形状が変化してしまう。従っ
て、本発明では渦電流センサを一定温度に制御しながら
検出信号の取り込みを行っている。With the eddy current sensor thus controlled to a constant temperature, the inductance of the coil in the measuring probe is detected to measure the distance to the conductor. As for the inductance of this coil, the shape of the coil changes when the temperature changes, even if the distance to the conductor is constant. Therefore, in the present invention, the detection signal is fetched while controlling the eddy current sensor at a constant temperature.
【００３６】請求項３の非接触式膜厚測定器では、上述
した請求項２の温度制御手段による温度調整をヒータに
対する通電を断続することにより行っており、ヒータに
対する通電を中断したときのタイミングで渦電流センサ
による検出動作を行っている。上述したように、測定プ
ローブ内のコイルのインダクタンスは、導体までの距離
が一定でも温度が変化するとコイル形状が変化してしま
うが、導体までの距離と温度が一定でもヒータへの通電
による電磁障害を受けた場合には変化してしまう。従っ
て、本発明では渦電流センサを一定温度に制御するとと
もに、ヒータへの通電を中断したタイミングで検出信号
の取り込みを行っている。In the non-contact type film thickness measuring device of the third aspect, the temperature control by the temperature control means of the second aspect is performed by intermittently energizing the heater, and the timing when the energizing of the heater is interrupted. The eddy current sensor is used for detection. As described above, the inductance of the coil in the measurement probe changes the coil shape when the temperature changes even if the distance to the conductor is constant. However, even if the distance and temperature to the conductor are constant, electromagnetic interference due to energization of the heater If you receive it, it will change. Therefore, in the present invention, the eddy current sensor is controlled to a constant temperature, and the detection signal is taken in at the timing when the power supply to the heater is interrupted.
【００３７】請求項４の非接触式膜厚測定器では、渦電
流センサに装着されているヒータに交流電流を流すこと
により加熱を行っており、温度制御手段は、この交流電
流の振幅（すなわちヒータに印加する交流電圧の振幅）
を現在の渦電流センサの温度と設定温度との差に応じて
制御することにより、渦電流センサが一定温度に制御さ
れるようになっている。In the non-contact type film thickness measuring device of the fourth aspect, heating is carried out by supplying an alternating current to the heater mounted on the eddy current sensor, and the temperature control means is controlled by the amplitude (that is, the amplitude) of this alternating current. Amplitude of AC voltage applied to heater)
Is controlled according to the difference between the current temperature of the eddy current sensor and the set temperature, so that the eddy current sensor is controlled to a constant temperature.
【００３８】本発明では、このようにヒータ電流として
振幅変調したある一定の周波数の交流電流を流している
ため、渦電流センサの検出出力にも同じ周波数成分が現
れ、この周波数成分を周波数成分除去手段によって除去
することにより、電磁障害のない良好な検出結果を得て
いる。In the present invention, since the AC current of a certain constant frequency whose amplitude is modulated is supplied as the heater current, the same frequency component appears in the detection output of the eddy current sensor, and this frequency component is removed. By removing by means, good detection results without electromagnetic interference are obtained.
【００３９】但し、ヒータ電流に含まれる周波数帯域
が、渦電流センサプローブに付加している高周波電圧の
帯域と干渉した場合には、ヒータ電流に含まれる周波数
成分のみを良好に除去できないため、このような干渉が
生じないようにヒータの通電電流の周波数を決定する必
要がある。However, if the frequency band contained in the heater current interferes with the band of the high frequency voltage applied to the eddy current sensor probe, only the frequency component contained in the heater current cannot be satisfactorily removed. It is necessary to determine the frequency of the current passed through the heater so that such interference does not occur.
【００４０】請求項５の非接触式膜厚測定器では、上述
したヒータの発熱用導体を折り返すことにより、あるい
は偶数本を対にして組み合わせて用いることにより、隣
接する発熱用導体の通電の向きが反対になる。従って、
電流値が同じ強度で逆向きの２本の発熱用導体を束ねる
ことにより、お互いが発生する磁界が打ち消し合う。 ［発明の効果］以上説明したように、請求項２〜５の発
明によれば、ヒータで加熱することにより渦電流センサ
を一定温度に保っており、温度ドリフトを防止すること
により、正確に導体までの距離を測定することができ
る。In the non-contact type film thickness measuring device according to the fifth aspect, the heating conductors of the above-mentioned heater are folded back, or even pairs of them are used in combination so that the directions of conduction of the adjacent heating conductors are changed. Is the opposite. Therefore,
By bundling two heat generating conductors having the same strength and opposite directions, the magnetic fields generated by each other cancel each other out. [Advantages of the Invention] As described above, according to the inventions of claims 2 to 5, the eddy current sensor is kept at a constant temperature by being heated by the heater, and the temperature drift is prevented, so that the conductor is accurately conducted. The distance to can be measured.
【００４１】また、ヒータ加熱を中断した際に測定を行
うことにより、あるいは、ヒータ通電電流により現れる
周波数成分を後に除去することにより、あるいは、ヒー
タの発熱用導体同士を互いに発生する磁界を打ち消すよ
うに配置することにより、ヒータ通電による電磁障害を
防止して、正確に導体までの距離を測定することができ
る。Further, by making a measurement when the heating of the heater is interrupted, by removing a frequency component appearing due to the heater energizing current later, or by canceling the magnetic fields generated by the heating conductors of the heaters with each other. By arranging at, the electromagnetic interference due to energization of the heater can be prevented and the distance to the conductor can be accurately measured.
【００４２】この結果、正確な導体までの距離に基づい
て、絶縁物の膜厚を高い精度で測定することができる。As a result, the film thickness of the insulator can be measured with high accuracy based on the accurate distance to the conductor.
【００４３】[0043]
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００４４】図１は、本発明を適用した一実施例の非接
触式膜厚測定器の全体構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the overall construction of a non-contact type film thickness measuring instrument of an embodiment to which the present invention is applied.
【００４５】本実施例は、光学式センサの投光部に半導
体レーザ（ＬＤ）と光ファイバとを有し、渦電流センサ
およびアンプにヒータを配してアクティブな温度制御を
行うことにより、非接触・非破壊型の高精度測定を可能
にしたことに特徴がある。In the present embodiment, a semiconductor laser (LD) and an optical fiber are provided in the light projecting portion of the optical sensor, and a heater is provided for the eddy current sensor and the amplifier to perform active temperature control, so that It is characterized by enabling high-precision contact / non-destructive measurement.
【００４６】図１に示す本実施例の非接触式膜厚測定器
は、基体１００上に被覆された被膜１１０の膜厚を高精
度に測定するものである。基体１００は導体により形成
されており、被膜１１０は絶縁体により形成されてい
る。The non-contact type film thickness meter of this embodiment shown in FIG. 1 measures the film thickness of the coating film 110 coated on the substrate 100 with high accuracy. The base 100 is made of a conductor, and the coating 110 is made of an insulator.
【００４７】この非接触式膜厚測定器は、プローブケー
ス１０内に収納固定された渦電流センサプローブ１２及
び光学式センサプローブ１４と、これらの各プローブか
ら出力される検出信号に基づいて基体１００までの距離
Ｄａ及び被膜１１０までの距離Ｄｂを算出するとともに
被膜１１０の膜厚Ｄを算出する信号処理部１６と、信号
処理部１６による算出結果を表示する表示部１８とを含
んで構成されている。This non-contact type film thickness measuring device is based on an eddy current sensor probe 12 and an optical sensor probe 14 housed and fixed in a probe case 10, and a substrate 100 based on detection signals output from these probes. To a film thickness D of the coating film 110 and a display unit 18 for displaying the calculation result of the signal processing unit 16. There is.
【００４８】上述した信号処理部１６は、渦電流センサ
プローブ１２から出力される検出信号Ｓa を増幅するア
ンプ２０を含んでおり、このアンプ２０と渦電流センサ
プローブ１２とが室温より高い一定温度に制御されるよ
うになっている。The above-mentioned signal processing unit 16 includes an amplifier 20 for amplifying the detection signal Sa output from the eddy current sensor probe 12, and the amplifier 20 and the eddy current sensor probe 12 are kept at a constant temperature higher than room temperature. It is controlled.
【００４９】この温度制御を行うために、ヒータ及び温
度センサを含む２つの温度制御装置２２，２４が設けら
れており、一方の温度制御装置２２が渦電流センサプロ
ーブ１２を覆うように配置され、他方の温度制御装置２
４がアンプ２０を覆うように配置されている。In order to perform this temperature control, two temperature control devices 22 and 24 including a heater and a temperature sensor are provided, and one temperature control device 22 is arranged so as to cover the eddy current sensor probe 12, The other temperature control device 2
4 is arranged so as to cover the amplifier 20.
【００５０】光学式センサプローブ１４は、三角測量の
原理を用いることにより被膜１１０までの距離を測定す
るためのものであり、正反射構造を有する投光部２６と
受光部２８とを含んでいる。The optical sensor probe 14 is for measuring the distance to the coating film 110 by using the principle of triangulation, and includes a light projecting portion 26 having a regular reflection structure and a light receiving portion 28. .
【００５１】一般に、表面反射光と内部拡散光の光強度
を比べると、表面反射光の方が圧倒的に大きい。例え
ば、自動車の外板塗装のように光沢を有する塗膜面で
は、内部拡散光より表面反射光の方が４０ｄＢも大きく
なる。それに加え、正反射光強度は被膜の色にほとんど
左右されないため、正反射構成の光学式センサでは、被
膜の色による補正や調整を必要とせずに正確に表面の位
置を測定することができる利点があり、このため本実施
例の光学式センサプローブ１４も正反射構成としたもの
である。なお、この光学式センサプローブ１４の詳細な
構成については後述する。Generally, comparing the light intensities of the surface reflected light and the internal diffused light, the surface reflected light is overwhelmingly larger. For example, in the case of a coating film surface having a luster like the coating of an outer panel of an automobile, the surface reflected light is 40 dB larger than the internal diffused light. In addition, since the intensity of specular reflection light is almost independent of the color of the coating, an optical sensor with a specular reflection configuration can accurately measure the position of the surface without the need for correction or adjustment depending on the color of the coating. Therefore, for this reason, the optical sensor probe 14 of this embodiment also has a regular reflection configuration. The detailed configuration of the optical sensor probe 14 will be described later.
【００５２】本実施例の非接触式膜厚測定器はこのよう
な構成を有しており、上述したプローブケース１０を基
体１００及び被膜１１０に向け隔離的に対向配置するこ
とにより、渦電流センサプローブ１２を用いて基体１０
０の表面までの距離Ｄａが測定される。また、光学式セ
ンサプローブ１４を用いて被膜１１０の表面までの距離
Ｄｂが測定される。両センサプローブ１２，１４から出
力される各測定信号Ｓａ及びＳｂは、ともに信号処理部
１６へ向け出力される。The non-contact type film thickness measuring instrument of this embodiment has such a structure, and by disposing the above-mentioned probe case 10 facing the substrate 100 and the coating 110 in an isolated manner, an eddy current sensor is obtained. Substrate 10 using probe 12
The distance Da to the surface of 0 is measured. Further, the distance Db to the surface of the coating 110 is measured using the optical sensor probe 14. The measurement signals Sa and Sb output from both sensor probes 12 and 14 are output to the signal processing unit 16 together.
【００５３】信号処理部１６は、各プローブ１２，１４
から入力される信号ＳａおよびＳｂに基づいて上述した
２つの距離Ｄａ，Ｄｂを演算し、さらにこれらの値に基
づいて被膜１１０の膜厚Ｄを演算し、その演算結果を測
定信号Ｓｄとして外部及び表示部１８に向け出力する。
このように、外部に信号Ｓｄを出力することにより、こ
の測定信号Ｓｄに基づいて塗装ラインの自動制御を行っ
たり、その他各種用途に広く用いることが可能になる。The signal processing section 16 includes the probes 12, 14
The above-mentioned two distances Da and Db are calculated based on the signals Sa and Sb input from the above, and the film thickness D of the coating film 110 is calculated based on these values, and the calculation result is used as a measurement signal Sd for the outside and the outside. Output to the display unit 18.
In this way, by outputting the signal Sd to the outside, it becomes possible to perform automatic control of the coating line based on the measurement signal Sd or to use it for various other purposes.
【００５４】表示部１８は、信号処理部１６から入力さ
れる測定信号Ｓｄに基づき、被膜１１０の膜厚測定結果
を表示する。また、信号処理部１６において膜厚の測定
値が要求される許容範囲に入っているか否かを判断する
ようにすれば、表示部１８からこの許容範囲内にあるか
否かを同時に表示することも可能であり、許容範囲を外
れた場合の対策を即座に行うこともできる。The display unit 18 displays the film thickness measurement result of the film 110 based on the measurement signal Sd input from the signal processing unit 16. Further, if the signal processing unit 16 determines whether or not the film thickness measurement value is within the required permissible range, the display unit 18 can simultaneously display whether or not the film thickness is within the permissible range. It is also possible to take measures immediately when the tolerance is exceeded.
【００５５】図２は、上述した光学式センサプローブ１
４の詳細な構成を示す図である。同図に示すように、光
学式センサプローブ１４は、投光部２６と受光部２８と
を正反射構造に配置して形成されている。FIG. 2 shows the optical sensor probe 1 described above.
It is a figure which shows the detailed structure of No. 4. As shown in the figure, the optical sensor probe 14 is formed by arranging a light projecting section 26 and a light receiving section 28 in a regular reflection structure.
【００５６】また、図３は本実施例の投光系の概略を示
す図であり、図４は一般的な光学式三角測量を行う従来
の投光系を示す図である。FIG. 3 is a schematic view of the light projecting system of this embodiment, and FIG. 4 is a view showing a conventional light projecting system for performing general optical triangulation.
【００５７】本実施例の投光部２６は、光源となるレー
ザダイオード（ＬＤ）３０と、光を伝搬する光ファイバ
３４と、光ファイバ３４の入射端及び出射端に設けられ
る２つのレンズ３２，３６とを含んで構成される。The light projecting section 26 of this embodiment includes a laser diode (LD) 30 as a light source, an optical fiber 34 for propagating light, and two lenses 32 provided at the entrance end and the exit end of the optical fiber 34. And 36.
【００５８】図３に概略を示した本実施例の投光系にお
いては、ＬＤ３０から照射される光は、レンズ３２によ
って集光され、光ファイバ３４に導かれる。このように
して光ファイバ３４に入射された光は光ファイバ３４内
を伝搬し、出射光が光ファイバ３２の出射端に配置され
たレンズ３６によって平行光線となる。In the light projecting system of this embodiment, which is schematically shown in FIG. 3, the light emitted from the LD 30 is condensed by the lens 32 and guided to the optical fiber 34. The light thus entering the optical fiber 34 propagates in the optical fiber 34, and the outgoing light becomes parallel rays by the lens 36 disposed at the outgoing end of the optical fiber 32.
【００５９】図３に示した投光系では、ＬＤ３０の出射
光の中心位置変動は、光ファイバ３４の入射端でのスポ
ット変動となるが、レンズによる結像系の倍率を等倍程
度にしておけば、光ファイバ３４への結合効率にもほと
んど影響を与えない。In the light projecting system shown in FIG. 3, the variation in the center position of the light emitted from the LD 30 results in the variation in the spot at the incident end of the optical fiber 34. Therefore, the coupling efficiency with the optical fiber 34 is hardly affected.
【００６０】また、光ファイバ３４内を伝搬する光波
は、光ファイバ３４の固有モード群の重ね合わせとして
伝搬する。固有モード群に一致しない光波成分は、光フ
ァイバ３４を伝搬することができず、途中で光ファイバ
３４の外に放射される。この固有モード群に一致しない
導波モードを一般に漏れモードと呼ぶ。ほとんどの漏れ
モードが光ファイバ３４の外へ放射されるには、ある程
度光ファイバ３４を長くする必要がある。例えば、光フ
ァイバ３４の構造等によって異なるが、一般に、数１０
０ｍｍ程度の長さがあれば充分である。また、各固有モ
ードの光波については、光ファイバ３４の長手方向に垂
直な成分の光強度分布は、光ファイバの長手方向位置に
よらず一定となる。The light wave propagating in the optical fiber 34 propagates as a superposition of eigenmode groups of the optical fiber 34. The light wave component that does not match the eigenmode group cannot propagate through the optical fiber 34 and is radiated to the outside of the optical fiber 34 on the way. A guided mode that does not match this eigenmode group is generally called a leaky mode. It is necessary to lengthen the optical fiber 34 to some extent so that most of the leaky modes are emitted to the outside of the optical fiber 34. For example, although it depends on the structure of the optical fiber 34, etc.
A length of about 0 mm is sufficient. Further, regarding the light waves of each eigenmode, the light intensity distribution of the component perpendicular to the longitudinal direction of the optical fiber 34 is constant regardless of the position in the longitudinal direction of the optical fiber.
【００６１】図５は、３種類の固有モードを例にとり、
上述した垂直方向成分の強度分布を示す図である。同図
に示すように、光ファイバ３４中を伝搬する光波の導波
モードの強度分布は中心対称であり、重心位置はどれも
光ファイバの中心Ｏに一致する。従って、固有モードの
異なる複数種類の光波の重ね合わせで表される光波の光
強度重心位置も常に光ファイバ中心に位置する。すなわ
ち、光ファイバ３４の出射端における光強度重心位置は
光ファイバ３４の中心に位置し変動しない。その結果、
測定対象物１２０上の照射スポット位置中心は、ＬＤ出
射中心位置の変動に全く影響されず、安定したものとな
る。FIG. 5 shows an example of three types of eigenmodes.
It is a figure which shows the intensity distribution of the above-mentioned vertical direction component. As shown in the figure, the intensity distribution of the guided mode of the light wave propagating in the optical fiber 34 is centrosymmetric, and all the barycentric positions coincide with the center O of the optical fiber. Therefore, the position of the center of gravity of the light intensity of the light wave represented by the superposition of light waves of different eigenmodes is always located at the center of the optical fiber. That is, the center of gravity of the light intensity at the emission end of the optical fiber 34 is located at the center of the optical fiber 34 and does not change. as a result,
The center of the irradiation spot position on the measurement object 120 is stable without being affected by the variation of the LD emission center position.
【００６２】しかし、光ファイバ３４として複数の固有
モードを有するマルチモード光ファイバを用いると、入
射時に結合される各固有モードのパワーの比率が変化し
たり、外乱等により光ファイバ内で固有モード間の変換
が生じる。その結果、光ファイバの出射端において、光
強度重心位置は変化しなくとも、光強度分布自体が変化
してしまう。実際に図２に示す受光部２８によって反射
光を検出する際には、光スポットの重心位置を求めるた
め、光強度分布の変動は原理的には出力に影響を与えな
い。但し、位置検出器としてＰＳＤ（Position Sensiti
ve Device ）を用いた場合には、ＰＳＤの有する非線形
性などによって誤差を生じることが考えられるため、こ
の場合にはマルチモード光ファイバの使用は好ましくな
い。However, when a multimode optical fiber having a plurality of eigenmodes is used as the optical fiber 34, the ratio of the powers of the respective eigenmodes coupled at the time of incidence changes, and the eigenmodes between the eigenmodes in the optical fiber change due to disturbance or the like. The conversion of As a result, the light intensity distribution itself changes at the emission end of the optical fiber even if the light intensity barycentric position does not change. When the reflected light is actually detected by the light receiving unit 28 shown in FIG. 2, the barycentric position of the light spot is obtained, so that the fluctuation of the light intensity distribution does not affect the output in principle. However, PSD (Position Sensiti
ve Device), an error may occur due to the non-linearity of the PSD, and in this case, it is not preferable to use the multimode optical fiber.
【００６３】一方、光ファイバとして固有モードを１つ
しか有しないシングルモード光ファイバを用いた場合に
は、光ファイバの出射端の光強度分布は、重心位置だけ
でなくそのプロファイル（輪郭形状）も一定に保たれる
ことから、ＰＳＤの非線形性にも影響されずに正しい出
力が得られる。従って、本実施例で用いる光ファイバ３
４は、特にシングルモード光ファイバとすることが好ま
しい。On the other hand, when a single mode optical fiber having only one eigenmode is used as the optical fiber, the light intensity distribution at the exit end of the optical fiber is not only the position of the center of gravity but also its profile (contour shape). Since it is kept constant, a correct output can be obtained without being affected by PSD nonlinearity. Therefore, the optical fiber 3 used in this embodiment
4 is particularly preferably a single mode optical fiber.
【００６４】また、光ファイバ３４の出射端に設けられ
たレンズ３６は、光ファイバ３４の出射端に接して配置
可能なセルフォックレンズを使用するのが便利であり、
しかもこのように出射端に接して配置した場合には出射
端近傍での光の漏れが少なく集光効率も良い。As the lens 36 provided at the emitting end of the optical fiber 34, it is convenient to use a SELFOC lens which can be arranged in contact with the emitting end of the optical fiber 34.
Moreover, in the case of being arranged in contact with the emission end in this way, light leakage near the emission end is small and the light collection efficiency is good.
【００６５】ところで、図４に示す従来の投光系におい
ては、ＬＤ３０の出射光はレンズ３１により、平行光線
となるか、あるいは測定対象物１２０上の測定範囲の中
心位置で集光されるようになっている。一般に、ＬＤ出
射光は大きな広がり角を有するため、ＬＤ３０とレンズ
３１との距離Ｌａは数ｍｍ以下に近接して置かれる。そ
れに対し、レンズ３１と測定対象物１２０の距離Ｌｂは
大きいため、拡大光学系になっているのが普通である。
一般にＬＤ３０の出射開口の大きさは、厚さが１μｍ以
下、幅が数μｍであり、ＬＤ出射光の中心位置は数ｎｍ
程度は変動している。例えば、ＬＤ３０とレンズ３１と
の距離Ｌａが１ｍｍで、レンズ３１と測定対象物１２０
の距離Ｌｂが５０ｍｍであった場合には、ＬＤ出射光の
中心位置が数ｎｍ程度変動することにより、測定対象物
上では０．１μｍのスポット変動となって現れる。従っ
て、図４のような従来の投光系ではサブμｍの高分解能
測定を達成することは困難であった。By the way, in the conventional light projecting system shown in FIG. 4, the light emitted from the LD 30 is collimated by the lens 31 or is condensed at the center position of the measuring range on the object 120 to be measured. It has become. In general, since the LD emission light has a large divergence angle, the distance La between the LD 30 and the lens 31 is placed close to several mm or less. On the other hand, since the distance Lb between the lens 31 and the measuring object 120 is large, it is usually a magnifying optical system.
In general, the size of the exit aperture of the LD 30 is 1 μm or less in thickness and several μm in width, and the center position of the LD exit light is several nm.
The degree is variable. For example, when the distance La between the LD 30 and the lens 31 is 1 mm, the lens 31 and the measurement target 120
When the distance Lb is 50 mm, the center position of the LD emission light fluctuates by about several nm, and a spot fluctuation of 0.1 μm appears on the measurement target. Therefore, it has been difficult to achieve high resolution measurement of sub-μm with the conventional projection system as shown in FIG.
【００６６】また、図２に示した本実施例の受光部２８
は、被覆１１０からの反射光を全反射するミラー３８
と、このミラー３８によって全反射された光を集光する
レンズ４０と、フィルタ４２と、結像の位置を検出する
位置検出器４４とを含んで構成される。Further, the light receiving portion 28 of this embodiment shown in FIG.
Is a mirror 38 that totally reflects the reflected light from the coating 110.
A lens 40 for condensing the light totally reflected by the mirror 38, a filter 42, and a position detector 44 for detecting the position of image formation.
【００６７】この受光部２８は、上述した投光部２６か
らの正反射光を受光するように配置されている。被膜１
１０から入射される反射光は、ミラー３８によって所定
の方向に向け全反射され、レンズ４０及びフィルタ４２
を通過した後位置検出器４４上に投射される。被膜１１
０と位置検出器４４とは、レンズ４０を挟んで結像位置
に配置してある。従って、被膜１１０の測定対象面が傾
いていても、その正反射光がレンズ４０の開口内にある
限り位置検出器４４上のスポット位置（結像位置）は変
動しないため、被膜１１０の測定対象面の傾きに影響さ
れずに、正確な表面位置の測定が可能となる。The light receiving section 28 is arranged so as to receive the specularly reflected light from the light projecting section 26 described above. Film 1
Reflected light incident from 10 is totally reflected in a predetermined direction by the mirror 38, and the lens 40 and the filter 42
After passing through, the image is projected on the position detector 44. Film 11
0 and the position detector 44 are arranged at the image forming position with the lens 40 in between. Therefore, even if the surface of the coating 110 to be measured is inclined, the spot position (image forming position) on the position detector 44 does not change as long as the specularly reflected light is inside the aperture of the lens 40, and thus the object of measurement of the coating 110 is not changed. Accurate surface position measurement is possible without being affected by the inclination of the surface.
【００６８】位置検出器４４上に形成される結像位置と
被膜１１０の反射位置、すなわち被膜１１０までの距離
とは１対１に対応しており、位置検出器４４による検出
結果は、光学式センサプローブ１４の出力信号Ｓｂとし
て信号処理部１６に入力され、信号処理部１６において
光学式センサプローブ１４の先端から被膜１１０の表面
までの距離Ｄｂが算出される。The image formation position formed on the position detector 44 and the reflection position of the coating film 110, that is, the distance to the coating film 110, have a one-to-one correspondence, and the detection result by the position detector 44 is the optical type. The output signal Sb of the sensor probe 14 is input to the signal processing unit 16, and the signal processing unit 16 calculates the distance Db from the tip of the optical sensor probe 14 to the surface of the coating 110.
【００６９】また、位置検出器４４とレンズ４０との間
に波長選択用のフィルタ４２を介在させることにより、
ＬＤ３０から照射される光の波長成分のみを選択的に透
過させることが可能となる。これにより、光源であるＬ
Ｄ３０の出力が比較的小さくても、外乱光の影響を受け
ずに精度の高い測定を行うことが可能となる。Further, by interposing a filter 42 for wavelength selection between the position detector 44 and the lens 40,
Only the wavelength component of the light emitted from the LD 30 can be selectively transmitted. As a result, the light source L
Even if the output of D30 is relatively small, highly accurate measurement can be performed without being affected by ambient light.
【００７０】図６は、温度ドリフトの影響を除去するた
めに渦電流センサプローブ１２を覆うように設けられた
温度制御装置２２の詳細構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a detailed structure of the temperature control device 22 provided so as to cover the eddy current sensor probe 12 in order to remove the influence of temperature drift.
【００７１】同図に示す温度制御装置２２は、渦電流セ
ンサプローブ１２を加熱するヒータ４６と、渦電流セン
サプローブ１２の温度を検出する温度センサ４８と、ヒ
ータ４６に通電を行う直流電源５０と、ヒータ４６に対
する通電をオンオフするリレー５２と、渦電流センサプ
ローブ１２の温度を一定に保つための制御を行う温度調
整器５４とを含んで構成されている。The temperature control device 22 shown in the figure includes a heater 46 for heating the eddy current sensor probe 12, a temperature sensor 48 for detecting the temperature of the eddy current sensor probe 12, and a DC power supply 50 for energizing the heater 46. A relay 52 for turning on and off the power supply to the heater 46, and a temperature adjuster 54 for performing control for keeping the temperature of the eddy current sensor probe 12 constant.
【００７２】温度調整器５４は、渦電流センサプローブ
１２の温度を温度センサ４８で監視している。渦電流セ
ンサプローブ１２の温度が設定温度より低い場合には、
リレー５２内のリレーコイルに通電することによりリレ
ー接点をオン状態にしてヒータ４６に通電を行う。そし
て、設定温度に達した場合には、ヒータ４６に対する通
電を停止する。このようにして、渦電流センサプローブ
１２が一定温度に制御される。The temperature controller 54 monitors the temperature of the eddy current sensor probe 12 with the temperature sensor 48. When the temperature of the eddy current sensor probe 12 is lower than the set temperature,
By energizing the relay coil in the relay 52, the relay contact is turned on and the heater 46 is energized. When the set temperature is reached, the power supply to the heater 46 is stopped. In this way, the eddy current sensor probe 12 is controlled to a constant temperature.
【００７３】また、上述したリレー５２からは、あるい
は温度調整器５４からはレリー５２内のリレー接点のオ
ンオフ状態を示すオンオフ信号Ｓｋを出力しており、こ
のオンオフ信号Ｓｋを渦電流センサプローブ１２の出力
Ｓａとともに上述した信号処理部１６に送っている。Further, the above-mentioned relay 52 or the temperature controller 54 outputs an on / off signal Sk indicating the on / off state of the relay contact in the relay 52, and this on / off signal Sk of the eddy current sensor probe 12 is outputted. It is sent to the signal processing unit 16 described above together with the output Sa.
【００７４】信号処理部１６は、入力されるオンオフ信
号Ｓｋに基づいてリレー５２のリレー接点がオン状態か
らオフ状態に変わる時点、すなわちヒータ４６に対する
通電が中断したタイミングを判断し、その後渦電流セン
サプローブ１２の出力Ｓａを取り込んでアンプ２０によ
る増幅を行う。これにより、ヒータ電流が流れていない
ときに信号Ｓａを取り込むことになるため、渦電流セン
サプローブ１２によって測定される基体１００までの距
離は、ヒータ電流による電磁障害を受けることはなく、
高精度に測定することができる。The signal processing unit 16 determines the time when the relay contact of the relay 52 changes from the ON state to the OFF state, that is, the timing at which the energization of the heater 46 is interrupted, based on the input ON / OFF signal Sk, and then the eddy current sensor. The output Sa of the probe 12 is taken in and amplified by the amplifier 20. As a result, the signal Sa is taken in when the heater current is not flowing, so that the distance to the substrate 100 measured by the eddy current sensor probe 12 is not affected by electromagnetic interference due to the heater current.
It can be measured with high accuracy.
【００７５】また、信号処理部１６内のアンプ２０を一
定温度に制御するために設けられた温度制御装置２４も
上述した温度制御装置２２と同じ構成を有しており、ア
ンプ２０を一定温度に保っている。但し、アンプ２０の
動作が周辺の電磁場により影響を受けず、温度を一定に
保つことにより常に安定した動作が行われる場合には、
ヒータに対する通電を中断したタイミングで動作させる
必要はない。Further, the temperature control device 24 provided for controlling the amplifier 20 in the signal processing unit 16 to a constant temperature has the same structure as the above-mentioned temperature control device 22, and keeps the amplifier 20 at a constant temperature. I keep it. However, in the case where the operation of the amplifier 20 is not affected by the electromagnetic field in the vicinity and the stable operation is always performed by keeping the temperature constant,
It is not necessary to operate the heater at the timing when power supply to the heater is interrupted.
【００７６】なお、渦電流センサプローブ１２を冷却し
て室温より低い一定温度に保った場合にも温度ドリフト
の発生を防止することができる。しかし、この場合には
プローブケース１０等の結露を防止するための手段を講
じる必要がある。The temperature drift can be prevented even when the eddy current sensor probe 12 is cooled and kept at a constant temperature lower than room temperature. However, in this case, it is necessary to take measures to prevent dew condensation on the probe case 10 and the like.
【００７７】図７は、渦電流センサプローブ１２を覆う
ように設けられた温度制御装置２２の他の例を示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing another example of the temperature control device 22 provided so as to cover the eddy current sensor probe 12.
【００７８】同図に示す温度制御装置２２は、ヒータ４
６と温度センサ４８の他、ヒータ４６に所定の交流電流
を通電する交流電源５６と、特定の周波数帯域の信号の
みを除去するためのフィルタ回路５８と、渦電流センサ
プローブ１２の温度を一定に保つための制御を行う温度
調整器６０とを含んで構成されている。The temperature control device 22 shown in FIG.
6 and the temperature sensor 48, an AC power supply 56 for supplying a predetermined AC current to the heater 46, a filter circuit 58 for removing only a signal in a specific frequency band, and a constant temperature of the eddy current sensor probe 12. The temperature controller 60 performs control for maintaining the temperature.
【００７９】温度調整器６０は、渦電流センサプローブ
１２の温度を温度センサ４８で監視している。そして、
渦電流センサプローブ１２の温度が設定温度より低い場
合にはヒータ４６に流す交流電流の振幅を大きく、設定
温度に達した場合にはヒータ４６に流す交流電流の振幅
を小さく制御することにより、渦電流センサプローブ１
２が一定温度に制御される。The temperature controller 60 monitors the temperature of the eddy current sensor probe 12 with the temperature sensor 48. And
When the temperature of the eddy current sensor probe 12 is lower than the set temperature, the amplitude of the alternating current flowing through the heater 46 is increased, and when the temperature reaches the set temperature, the amplitude of the alternating current flowing through the heater 46 is controlled to be small. Current sensor probe 1
2 is controlled to a constant temperature.
【００８０】このように、ヒータ電流として一定周波数
の交流電流を流すと、渦電流センサプローブ１２内のコ
イルのインダクタンスが変化し、渦電流センサプローブ
１２の出力Ｓａにはヒータ電流と同じ周波数成分が現れ
る。フィルタ回路５８は、渦電流センサプローブ１２の
出力からこの周波数成分のみを除去するためのものであ
り、フィルタ回路５８を介した信号Ｓａが信号処理部１
６内のアンプ２０に入力される。As described above, when an alternating current having a constant frequency is supplied as the heater current, the inductance of the coil in the eddy current sensor probe 12 changes, and the output Sa of the eddy current sensor probe 12 has the same frequency component as the heater current. appear. The filter circuit 58 is for removing only this frequency component from the output of the eddy current sensor probe 12, and the signal Sa from the filter circuit 58 is the signal Sa.
6 is input to the amplifier 20.
【００８１】なお、信号処理部１６内のアンプ２０を一
定温度に制御するために設けられた温度制御装置２４も
図７に示した温度制御装置２２と同じ構成とすることが
できる。但し、アンプ２０の動作が周辺の電磁場により
影響を受けず、温度を一定に保つことにより常に安定し
た動作が行われる場合には、フィルタ５８を省略するこ
とができる。また、温度制御装置２４のみを図６に示す
構成とすることもできる。The temperature control device 24 provided for controlling the amplifier 20 in the signal processing unit 16 to a constant temperature may have the same structure as the temperature control device 22 shown in FIG. However, the filter 58 can be omitted when the operation of the amplifier 20 is not affected by the surrounding electromagnetic field and the operation is always stable by keeping the temperature constant. Alternatively, only the temperature control device 24 may be configured as shown in FIG.
【００８２】図８は、渦電流センサプローブ１２に装着
するヒータの配置を工夫することにより、渦電流センサ
プローブ１２に及ぼす電磁障害を軽減する場合の構成を
示す図である。同図に示す構成は、図６あるいは図７に
示す構成とともに用いることができる他、単独で用いる
ことができる。FIG. 8 is a diagram showing a configuration in which electromagnetic interference exerted on the eddy current sensor probe 12 is reduced by devising the arrangement of heaters mounted on the eddy current sensor probe 12. The configuration shown in the figure can be used alone with the configuration shown in FIG. 6 or 7.
【００８３】図８に示すヒータ４６は、１本の発熱用導
体６４を渦電流センサプローブ１２の外周に巻き込むこ
とにより形成されている。具体的には、１本の発熱用導
体６４を中央部Ａで折り返し、この折り返された２本の
発熱用導体６４を一対にして渦電流センサプローブ１２
に巻き付けてある。このように発熱用導体６４を巻き付
けることにより、ヒータ４６に流れる電流が図８に示す
矢印方向に流れるため、隣接する発熱用導体６４によっ
て生じる磁界が互いに打ち消し合う。従って、渦電流セ
ンサプローブ１２の出力Ｓａに対する電磁障害を軽減す
ることができる。The heater 46 shown in FIG. 8 is formed by winding one heating conductor 64 around the outer circumference of the eddy current sensor probe 12. Specifically, one heating conductor 64 is folded back at the central portion A, and the two folded heating conductors 64 are paired to form an eddy current sensor probe 12.
It is wrapped around. By thus winding the heat-generating conductor 64, the current flowing through the heater 46 flows in the direction of the arrow shown in FIG. 8, so that the magnetic fields generated by the adjacent heat-generating conductors 64 cancel each other out. Therefore, it is possible to reduce electromagnetic interference with the output Sa of the eddy current sensor probe 12.
【００８４】このように、本実施例の非接触式膜厚測定
器は、投光部２６に光ファイバ３４を用いており、これ
により被膜１１０上に生じる照射スポットの中心は、Ｌ
Ｄ出射中心位置の変動に全く影響されず、安定したもの
となる。従って、光学式センサプローブ１４の出力に基
づいて信号処理部１６によって算出される被膜１１０ま
での距離Ｄｂも誤差の少ない精度の高いものとなる。As described above, the non-contact type film thickness measuring instrument of this embodiment uses the optical fiber 34 in the light projecting portion 26, and the center of the irradiation spot produced on the coating film 110 by this is L.
It is stable without being affected by the variation of the D emission center position. Therefore, the distance Db to the coating film 110 calculated by the signal processing unit 16 based on the output of the optical sensor probe 14 also becomes highly accurate with little error.
【００８５】また、上述した光ファイバ３４をシングル
モード光ファイバとすることにより、光ファイバ３４の
出射端の光強度分布を重心位置だけでなくその輪郭形状
も一定に保つことができることから、光ファイバ３４か
らの出射光をさらに安定させることができ、さらに高い
測定精度を実現することができる。By using the above-mentioned optical fiber 34 as a single-mode optical fiber, the light intensity distribution at the emission end of the optical fiber 34 can be maintained not only at the position of the center of gravity but also at its contour shape. The emitted light from 34 can be further stabilized, and higher measurement accuracy can be realized.
【００８６】また、光学式センサプローブ１４の投光部
２６に光ファイバ３４を用いることにより、その可とう
性から測定装置の光源であるＬＤ３０の配置に自由度を
持たせることができるため、例えばプローブケース１０
の小型化や非接触式膜厚測定器の設計が容易になるとい
った効果もある。Further, by using the optical fiber 34 for the light projecting portion 26 of the optical sensor probe 14, the flexibility of the LD 30 which is the light source of the measuring device can be given because of its flexibility, and therefore, for example, Probe case 10
It also has the effects of downsizing and easy design of the non-contact type film thickness measuring device.
【００８７】また、本実施例の非接触式膜厚測定器は、
渦電流センサプローブ１２に対する電磁障害をなくすた
めに以下の方法を用いている。Further, the non-contact type film thickness measuring device of this embodiment is
The following method is used to eliminate electromagnetic interference with the eddy current sensor probe 12.
【００８８】(1) ヒータ４６に直流電流を流すことによ
り渦電流センサプローブ１２の温度を一定に保つととも
に、ヒータ４６に対する通電を中断した後に基体１００
までの距離を測定する。(1) The temperature of the eddy current sensor probe 12 is kept constant by causing a direct current to flow through the heater 46, and after the energization of the heater 46 is interrupted, the substrate 100
Measure the distance to.
【００８９】(2) ヒータ４６に一定周波数の交流電流を
流し、この交流電流の振幅を可変に制御することにより
渦電流センサプローブ１２の温度を一定に保つととも
に、渦電流センサプローブ１２の出力信号からヒータ電
流の周波数成分のみを除去した信号に基づいて基体１０
０までの距離を測定する。(2) An alternating current having a constant frequency is passed through the heater 46, and the amplitude of the alternating current is variably controlled to keep the temperature of the eddy current sensor probe 12 constant and to output the output signal of the eddy current sensor probe 12. Based on the signal obtained by removing only the frequency component of the heater current from the base 10
Measure the distance to zero.
【００９０】(3) ヒータ４６を形成する発熱用導体６４
を折り返すことにより、隣接する発熱用導体６４に流れ
る電流の向きを反対にし、発生する磁界が互いに打ち消
し合うようにする。(3) Heat generating conductor 64 forming the heater 46
By folding back, the directions of the currents flowing through the adjacent heat generating conductors 64 are reversed, and the generated magnetic fields cancel each other out.
【００９１】これらの方法により渦電流センサプローブ
１２の温度を一定に保つとともに、ヒータ４６の通電電
流により生じる電磁障害をなくすことができ、渦電流セ
ンサプローブ１２の出力に基づいて信号処理部１６によ
って算出される基体１００までの距離Ｄａも誤差の少な
い精度の高いものとなる。By these methods, the temperature of the eddy current sensor probe 12 can be kept constant, and the electromagnetic interference caused by the current flowing through the heater 46 can be eliminated. Based on the output of the eddy current sensor probe 12, the signal processing unit 16 The calculated distance Da to the base 100 is also highly accurate with little error.
【００９２】このように本実施例によれば、基体１００
及び被膜１１０までの距離Ｄａ，Ｄｂを高い精度で測定
することができ、これら基づいて算出される被膜１１０
の膜厚Ｄの値も高い精度で求めることができる。As described above, according to this embodiment, the substrate 100
And the distances Da and Db to the coating 110 can be measured with high accuracy, and the coating 110 calculated based on them can be calculated.
The value of the film thickness D can be obtained with high accuracy.
【００９３】次に、本実施例の非接触式膜厚測定器を用
いて、自動車鋼板の平板サンプル上の塗装膜厚測定を実
際に行った結果の一例を説明する。Next, an example of the result of actually measuring the coating film thickness on a flat plate sample of an automobile steel plate by using the non-contact type film thickness measuring device of this embodiment will be described.
【００９４】図９は、塗装被膜測定装置の構成を示す図
である。FIG. 9 is a diagram showing the structure of the coating film measuring device.
【００９５】同図に示す塗装被膜測定装置は、図１に示
した本実施例の非接触式膜厚測定器にＺ軸ステージ７０
とコンピュータ７２とを加えて構成されており、温度制
御装置２２としては図６に示した構成を有する場合が示
されている。The coating film measuring apparatus shown in the figure is the same as the non-contact type film thickness measuring apparatus of this embodiment shown in FIG.
And a computer 72 are added, and the case where the temperature control device 22 has the configuration shown in FIG. 6 is shown.
【００９６】Ｚ軸ステージ７０は、図１に示したプロー
ブケース１０を垂直方向に移動させるものであり、下端
近傍に取り付け固定された塗板１３０とプローブケース
１０内の渦電流センサプローブ１２及び光学式センサプ
ローブ１４の各先端との距離を固定する。また、この固
定された距離はコンピュータ７２からの指示により任意
に変えることができる。The Z-axis stage 70 moves the probe case 10 shown in FIG. 1 in the vertical direction, and has a coating plate 130 mounted and fixed near the lower end, an eddy current sensor probe 12 in the probe case 10, and an optical type. The distance from each tip of the sensor probe 14 is fixed. Further, this fixed distance can be arbitrarily changed by an instruction from the computer 72.
【００９７】コンピュータ７２は、信号処理部１６に接
続されており、Ｚ軸ステージ７０に取り付けられたプロ
ーブケース１０を垂直方向に移動させる指示を行うとも
に、塗装被膜の膜厚計算を行う。なお、信号処理部１６
において膜厚計算まで行う場合には、このコンピュータ
７２によってプローブケース１０の垂直位置のみを制御
すればよい。The computer 72, which is connected to the signal processing unit 16, gives an instruction to move the probe case 10 attached to the Z-axis stage 70 in the vertical direction and calculates the thickness of the coating film. The signal processing unit 16
In the case where the calculation of the film thickness is performed in step 2, the computer 72 may control only the vertical position of the probe case 10.
【００９８】図９に示した塗装被膜測定装置において、
光学式センサプローブ１４は図２に示した構成を有して
いる。そして、ＬＤ３０のＬＤ発振波長は８３０ｎｍ
で、出力は２ｍＷとする。また、光ファイバ３４はコア
径がφ６μｍ、クラッド径がφ１２５μｍ、長さが１ｍ
のシングルモードファイバを用い、ファイバ出射端にセ
ルフォックレンズ３６を配置した。実際に塗板１３０上
での照射スポットサイズを測定したところ約φ０．２ｍ
ｍであった。また、受光部２８の結像倍率は約３倍であ
る。In the coating film measuring device shown in FIG.
The optical sensor probe 14 has the configuration shown in FIG. The LD oscillation wavelength of LD30 is 830 nm.
Then, the output is set to 2 mW. The optical fiber 34 has a core diameter of 6 μm, a cladding diameter of 125 μm, and a length of 1 m.
The SELFOC lens 36 was arranged at the exit end of the fiber using the single mode fiber of. When the irradiation spot size on the coated plate 130 was actually measured, it was about φ0.2 m.
It was m. Further, the image forming magnification of the light receiving unit 28 is about 3 times.
【００９９】なお、この光学式センサプローブ１４によ
る測定範囲は７．５±０．５ｍｍであり、光学式センサ
プローブ１４の先端から塗板１３０の導体表面までの距
離がこの範囲にある場合に限り高分解能測定が可能とな
る。The measuring range of the optical sensor probe 14 is 7.5 ± 0.5 mm, and is high only when the distance from the tip of the optical sensor probe 14 to the conductor surface of the coated plate 130 is in this range. Resolution measurement is possible.
【０１００】また、渦電流センサプローブ１２は、図６
に構成を示した温度制御装置２２により一定温度４０±
０．１℃に保たれている。４０℃付近での温度ドリフト
を測定したところ最大０．２４μｍ／℃であったことか
ら、温度制御下における渦電流センサプローブ１２の温
度ドリフトは０．０２４μｍ以下であり、測定結果に全
く影響しない。The eddy current sensor probe 12 is shown in FIG.
With the temperature controller 22 having the structure shown in FIG.
It is kept at 0.1 ° C. When the temperature drift near 40 ° C. was measured and found to be 0.24 μm / ° C. at the maximum, the temperature drift of the eddy current sensor probe 12 under the temperature control was 0.024 μm or less and had no effect on the measurement result.
【０１０１】なお、この渦電流センサプローブ１２によ
る測定範囲は、低分解能測定の場合は０〜１０ｍｍであ
り、高分解能測定の場合は７．５±０．５ｍｍである。The measurement range of the eddy current sensor probe 12 is 0 to 10 mm for low resolution measurement and 7.5 ± 0.5 mm for high resolution measurement.
【０１０２】信号処理部１６は、渦電流センサプローブ
１４の出力に基づいて塗板１３０表面までの距離を求
め、低分解能出力Ｄｃと高分解能出力Ｄａをコンピュー
タ７２に向け出力する。実際には、渦電流センサプロー
ブ１２の出力信号をカットオフ周波数１０Ｈｚのフィル
タを通してＳ／Ｎ比を上げることにより、高分解能出力
Ｄａを得ている。また、信号処理部１６は、光学式セン
サプローブ１２の出力に基づいて塗板１３０の鋼板表面
までの距離を求め、高分解能出力Ｄｂをコンピュータ７
２に向け出力する。The signal processing unit 16 obtains the distance to the surface of the coating plate 130 based on the output of the eddy current sensor probe 14, and outputs the low resolution output Dc and the high resolution output Da to the computer 72. Actually, a high resolution output Da is obtained by increasing the S / N ratio of the output signal of the eddy current sensor probe 12 through a filter having a cutoff frequency of 10 Hz. Further, the signal processing unit 16 obtains the distance to the steel plate surface of the coated plate 130 based on the output of the optical sensor probe 12, and outputs the high resolution output Db to the computer 7.
Output to 2.
【０１０３】測定は次のようにして行った。The measurement was performed as follows.
【０１０４】まず、渦電流センサプローブ１２の出力を
信号処理部１６で処理した低分解能出力Ｓｃをコンピュ
ータ７２でモニタしながら、渦電流センサプローブ１２
及び光学式センサプローブ１４の高分解能測定範囲
（７．５±０．５ｍｍ）までＺ軸ステージ７０を駆動
し、プローブケース１０を移動させる。First, the eddy current sensor probe 12 is monitored while the computer 72 monitors the low resolution output Sc obtained by processing the output of the eddy current sensor probe 12 by the signal processing unit 16.
Also, the Z-axis stage 70 is driven to the high resolution measurement range (7.5 ± 0.5 mm) of the optical sensor probe 14 to move the probe case 10.
【０１０５】プローブケース１０を高分解能測定範囲に
移動したら、Ｚ軸ステージ７０を固定し測定を開始す
る。図６に示した温度制御装置２２のリレー５２の立ち
下がり信号Ｓｋをトリガ信号にして、信号処理部１６
は、渦電流センサプローブ１２の出力に基づく高分解能
出力Ｄａと光学式センサプローブ１４の出力に基づく高
分解能出力Ｄｂと求める。コンピュータ７２は、これら
２つの高分解能出力Ｄａ，Ｄｂを同時に取り込み、所定
の演算処理を行って膜厚Ｄを求め、内蔵されたディスプ
レイ上に表示する。When the probe case 10 is moved to the high resolution measurement range, the Z-axis stage 70 is fixed and the measurement is started. The signal processing unit 16 uses the falling signal Sk of the relay 52 of the temperature control device 22 shown in FIG. 6 as a trigger signal.
Is calculated as a high resolution output Da based on the output of the eddy current sensor probe 12 and a high resolution output Db based on the output of the optical sensor probe 14. The computer 72 takes in these two high resolution outputs Da and Db at the same time, performs a predetermined arithmetic processing to obtain the film thickness D, and displays it on a built-in display.
【０１０６】以下、コンピュータ内の演算処理について
付け加える。μｍオーダーの高精度測定のためには、渦
電流センサプローブ１２を用いた測定原理による距離と
出力の非線形性と、光学式センサプローブ１４内のレン
ズの収差や位置検出器４４による距離と出力の非線形性
は無視できない。そのため、予め求めておいた校正曲線
と両センサプローブの出力から、塗板１３０の下地鋼板
までの距離Ｄａと塗膜表面までの距離Ｄｂを換算した。The arithmetic processing in the computer will be added below. In order to perform high-precision measurement on the order of μm, the nonlinearity of the distance and the output due to the measurement principle using the eddy current sensor probe 12, the aberration of the lens in the optical sensor probe 14 and the distance and the output by the position detector 44 are measured. Non-linearity cannot be ignored. Therefore, the distance Da to the base steel plate of the coating plate 130 and the distance Db to the coating film surface were converted from the calibration curve obtained in advance and the outputs of both sensor probes.
【０１０７】較正曲線の測定は、塗膜のない鋼板あるい
は膜厚の既知である塗板を対象にして、コンピュータ７
２でＺ軸ステージ７０を制御し、プローブケース１０と
塗板との距離を一定間隔づつ変えていって、２つの高分
解能出力Ｄａ，Ｄｂを測定することにより行った。この
測定結果に基づいて、測定点以外を補間することにより
校正曲線の全体を求めることができる。For the measurement of the calibration curve, a computer 7 without a coating film or a coated plate with a known film thickness is used.
The Z axis stage 70 was controlled by 2 and the distance between the probe case 10 and the coated plate was changed at regular intervals, and the two high resolution outputs Da and Db were measured. Based on this measurement result, the entire calibration curve can be obtained by interpolating the points other than the measurement points.
【０１０８】このように、容易に較正曲線を測定できる
ことは望ましいことである。渦電流センサプローブ１２
の出力は、塗板１３０の厚さや曲率、材質によって左右
される。従って、より正確な測定を行うには、予め、塗
料を塗布する前の下地鋼板を用いて較正曲線を算出して
おき、塗料を塗布後に膜厚を測定することが望ましい。
こうすることにより、鋼板の厚さや曲率、材質の違いに
よる影響を補正し、真に正確な膜厚を測定することがで
きる。Thus, it is desirable to be able to easily measure the calibration curve. Eddy current sensor probe 12
Output depends on the thickness, curvature, and material of the coated plate 130. Therefore, in order to perform more accurate measurement, it is desirable to calculate the calibration curve using the base steel sheet before applying the coating material and measure the film thickness after applying the coating material.
By doing so, it is possible to correct the influence of the difference in the thickness, curvature, and material of the steel sheet, and to measure a truly accurate film thickness.
【０１０９】また、複数層の塗膜が重ね塗りされる場合
において、その内の１層の膜厚を測定することも可能で
ある。例えば、２層の塗膜の上の層の膜厚を測定したい
場合には、１層目を塗布した塗板を用いて較正曲線を算
出し、２層目塗布後に膜厚を測定すれば、正確に２層目
の膜厚のみを測定することができる。In addition, when a plurality of coating films are overlaid, it is also possible to measure the film thickness of one of the coating films. For example, if you want to measure the film thickness of the layer above the two-layer coating, calculate the calibration curve using the coated plate coated with the first layer, and measure the film thickness after coating the second layer. Moreover, only the film thickness of the second layer can be measured.
【０１１０】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実
施が可能である。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.
【０１１１】例えば、上述した実施例においては、基体
１００上に形成された１層の被膜１１０の膜厚を測定す
る場合、あるいは校正曲線を用いることにより複数層の
内の１層の膜厚のみを測定する場合を説明したが、基体
１００上に積層された複数層の絶縁被膜の各膜厚を測定
することもできる。この場合には、それぞれの層が積層
された直後に膜厚を測定し、それぞれの測定結果を減算
することにより各層の膜厚を求めることができる。For example, in the above-described embodiment, when measuring the film thickness of the one-layer coating film 110 formed on the substrate 100, or by using the calibration curve, only the film thickness of one layer of the plurality of layers is measured. In the above description, the film thickness is measured, but it is also possible to measure each film thickness of a plurality of insulating coating layers laminated on the substrate 100. In this case, the film thickness of each layer can be obtained by measuring the film thickness immediately after the respective layers are laminated and subtracting the respective measurement results.
【図１】本発明を適用した一実施例の非接触式膜厚測定
器の全体構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an entire configuration of a non-contact type film thickness measuring instrument of an embodiment to which the present invention is applied.
【図２】光学式センサプローブの詳細な構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of an optical sensor probe.
【図３】本実施例の投光系の概略を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an outline of a light projecting system of the present embodiment.
【図４】一般的な光学式三角測量を行う従来の投光系を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional light projecting system for performing general optical triangulation.
【図５】光ファイバ内の３種類の固有モードの強度分布
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing intensity distributions of three types of eigenmodes in an optical fiber.
【図６】温度ドリフトの影響を除去するために渦電流セ
ンサプローブを覆うように設けられた温度制御装置の詳
細構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a detailed configuration of a temperature control device provided so as to cover the eddy current sensor probe in order to remove the influence of temperature drift.
【図７】温度制御装置の他の例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another example of the temperature control device.
【図８】渦電流センサプローブに装着するヒータの配置
を工夫することにより電磁障害を軽減する場合の構成を
示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration in a case where electromagnetic interference is reduced by devising a layout of heaters attached to the eddy current sensor probe.
【図９】本実施例の非接触式膜厚測定器が適用される塗
装被膜測定装置の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a coating film measuring device to which the non-contact type film thickness measuring device of the present embodiment is applied.
１０ プローブケース １２ 渦電流センサプローブ １４ 光学式センサプローブ １６ 信号処理部 ２２，２４ 温度制御装置 ２６ 投光部 ２８ 受光部 ３０ レーザダイオード（ＬＤ） ３４ 光ファイバ ４４ 位置検出器 ４６ ヒータ ４８ 温度センサ ５４ 温度調整器 ５８ フィルタ回路 10 probe case 12 eddy current sensor probe 14 optical sensor probe 16 signal processing unit 22,24 temperature control device 26 light emitting unit 28 light receiving unit 30 laser diode (LD) 34 optical fiber 44 position detector 46 heater 48 temperature sensor 54 temperature Regulator 58 Filter circuit
Claims (5)
の絶縁物表面における光の反射を利用して前記絶縁物表
面までの距離を測定する光学式センサと、 前記導体に発生する渦電流を利用して前記導体までの距
離を測定する渦電流センサと、 前記光学式センサによって測定される距離と前記渦電流
センサとによって測定される距離との差から前記絶縁物
の膜厚を算出する膜厚算出手段とを備える非接触式膜厚
測定器において、 前記光学式センサの投光部は、 前記絶縁物に対して光を照射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から入射された光の中の所定の導波モー
ドの光のみを通過させ、前記絶縁物表面に向け出射する
光ファイバと、 を含むことを特徴とする非接触式膜厚測定器。1. An optical sensor including a light projecting portion and a light receiving portion, which measures the distance to the surface of the insulator by utilizing the reflection of light on the surface of the insulator on the conductor, Film thickness of the insulator from the difference between the distance measured by the optical sensor and the distance measured by the eddy current sensor. In the non-contact type film thickness measuring device including a film thickness calculating means for calculating, the light projecting portion of the optical sensor is a laser light source for irradiating the insulator with light, A non-contact type film thickness measuring instrument, comprising: an optical fiber that passes only light of a predetermined guided mode in the light and emits the light toward the surface of the insulator.
利用して前記絶縁物表面までの距離を測定する光学式セ
ンサと、 前記導体に発生する渦電流を利用して前記導体までの距
離を測定する渦電流センサと、 前記渦電流センサの温度を検出する温度センサと、 前記渦電流センサを加熱するヒータと 前記温度センサによって検出される前記渦電流センサの
温度を前記ヒータによる加熱を行うことにより一定に維
持する温度制御手段と、 前記光学式センサによって測定される距離と前記渦電流
センサとによって測定される距離との差から前記絶縁物
の膜厚を算出する膜厚算出手段と、 を備え、前記渦電流センサの温度を制御して温度ドリフ
トを防止しながら、前記絶縁物の膜厚測定を行うことを
特徴とする非接触式膜厚測定器。2. An optical sensor for measuring a distance to the insulator surface by utilizing light reflection on an insulator surface on the conductor, and a distance to the conductor by using an eddy current generated in the conductor. An eddy current sensor that measures the temperature, a temperature sensor that detects the temperature of the eddy current sensor, a heater that heats the eddy current sensor, and a temperature that the eddy current sensor detects by the temperature sensor is heated by the heater. Temperature control means for maintaining a constant by this, film thickness calculating means for calculating the film thickness of the insulator from the difference between the distance measured by the optical sensor and the distance measured by the eddy current sensor, A non-contact type film thickness measuring device comprising: a film thickness measuring device for insulating the insulating material while controlling a temperature of the eddy current sensor to prevent temperature drift.
は、前記ヒータに対する通電を断続することにより行
い、 前記渦電流センサによる距離の測定は、前記ヒータに対
する通電が中断したときに行うことを特徴とする非接触
式膜厚測定器。3. The temperature adjustment of the eddy current sensor by the temperature control means is performed by intermittently energizing the heater, and the distance measurement by the eddy current sensor is performed by energizing the heater. A non-contact type film thickness measuring device characterized in that it is carried out at the time of interruption.
利用して前記絶縁物表面までの距離を測定する光学式セ
ンサと、 前記導体に発生する渦電流を利用して前記導体までの距
離を測定する渦電流センサと、 前記渦電流センサの温度を検出する温度センサと、 前記渦電流センサを加熱するヒータと 前記温度センサによって検出される前記渦電流センサの
温度を、前記ヒータに交流電流を流して加熱することに
より一定に維持する温度制御手段と、 前記渦電流センサの出力に現れる前記ヒータの電流周波
数成分を除去する周波数成分除去手段と、 前記光学式センサによって測定される距離と、前記周波
数成分除去手段によってヒータ電流の周波数成分が除去
された前記渦電流センサの出力に基づいて測定される距
離との差から前記絶縁物の膜厚を算出する膜厚算出手段
と、 を備え、前記渦電流センサの温度を制御することにより
温度ドリフトを防止することを特徴とする非接触式膜厚
測定器。4. An optical sensor for measuring a distance to the insulator surface by utilizing light reflection on an insulator surface on the conductor, and a distance to the conductor using an eddy current generated in the conductor. An eddy current sensor that measures the temperature of the eddy current sensor, a temperature sensor that detects the temperature of the eddy current sensor, a heater that heats the eddy current sensor, and a temperature of the eddy current sensor that is detected by the temperature sensor. Temperature control means for maintaining a constant by flowing and heating, a frequency component removing means for removing the current frequency component of the heater appearing in the output of the eddy current sensor, a distance measured by the optical sensor, The insulator film is obtained from the difference from the distance measured based on the output of the eddy current sensor from which the frequency component of the heater current is removed by the frequency component removing means. A non-contact type film thickness measuring device comprising: a film thickness calculating means for calculating a thickness, and preventing temperature drift by controlling the temperature of the eddy current sensor.
折り返すことにより、あるいは偶数本の発熱用導体を組
み合わせて用いることにより、隣接する前記発熱用導体
を通電電流の向きが反対になるように配置して用いるこ
とを特徴とする非接触式膜厚測定器。5. The heater according to claim 2, wherein the heaters are adjacent to each other by folding the heat-generating conductors at one place or a plurality of places, or by using an even number of heat-generating conductors in combination. A non-contact type film thickness measuring device, characterized in that heat-generating conductors are arranged and used so that the directions of the energizing currents are opposite.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26181093A JP3214190B2 (en) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Non-contact type film thickness measuring instrument |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26181093A JP3214190B2 (en) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Non-contact type film thickness measuring instrument |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0791948A true JPH0791948A (en) | 1995-04-07 |
| JP3214190B2 JP3214190B2 (en) | 2001-10-02 |
Family
ID=17367035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26181093A Expired - Fee Related JP3214190B2 (en) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | Non-contact type film thickness measuring instrument |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214190B2 (en) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020035786A (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 나까무라 규조 | Apparatus for measuring the thickness of a thin film |
| US6966816B2 (en) | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
| US7042558B1 (en) * | 2001-03-19 | 2006-05-09 | Applied Materials | Eddy-optic sensor for object inspection |
| US7101254B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | System and method for in-line metal profile measurement |
| JP2007292769A (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Snecma | Measurement of blade thickness in particular by eddy current |
| JP2008304471A (en) * | 2000-03-28 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | Film thickness measuring device, film thickness measuring method, and recording medium |
| JP2009500829A (en) * | 2005-06-30 | 2009-01-08 | ラム リサーチ コーポレーション | Method and apparatus for optimizing the electrical response of a conductive layer |
| JP2011046470A (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Method and device for detecting abnormality of screw feeder |
| JP2013019760A (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Mitsubishi Heavy Industries Bridge & Steel Structures Engineering Co Ltd | Film thickness measuring tool and method |
| WO2013031583A1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 三菱重工業株式会社 | Film thickness measurement device and film thickness measurement method |
| JP5436776B2 (en) * | 2006-05-25 | 2014-03-05 | 三菱電機株式会社 | Elevator equipment |
| JP2017078640A (en) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 株式会社フジエンジニアリング | Film thickness measuring device |
| WO2017089738A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Oxford University Innovation Limited | Multi-mode sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5477275B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-04-23 | アイシン精機株式会社 | Coating film inspection apparatus and inspection method |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP26181093A patent/JP3214190B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304471A (en) * | 2000-03-28 | 2008-12-18 | Toshiba Corp | Film thickness measuring device, film thickness measuring method, and recording medium |
| KR20020035786A (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 나까무라 규조 | Apparatus for measuring the thickness of a thin film |
| US7042558B1 (en) * | 2001-03-19 | 2006-05-09 | Applied Materials | Eddy-optic sensor for object inspection |
| US6966816B2 (en) | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
| US7682221B2 (en) | 2001-05-02 | 2010-03-23 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
| US7101254B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | System and method for in-line metal profile measurement |
| JP2009500829A (en) * | 2005-06-30 | 2009-01-08 | ラム リサーチ コーポレーション | Method and apparatus for optimizing the electrical response of a conductive layer |
| JP2007292769A (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Snecma | Measurement of blade thickness in particular by eddy current |
| JP5436776B2 (en) * | 2006-05-25 | 2014-03-05 | 三菱電機株式会社 | Elevator equipment |
| JP2011046470A (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Method and device for detecting abnormality of screw feeder |
| JP2013019760A (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Mitsubishi Heavy Industries Bridge & Steel Structures Engineering Co Ltd | Film thickness measuring tool and method |
| WO2013031583A1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-07 | 三菱重工業株式会社 | Film thickness measurement device and film thickness measurement method |
| US8988668B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-03-24 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Film thickness measurement apparatus and film thickness measurement method |
| JP2017078640A (en) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 株式会社フジエンジニアリング | Film thickness measuring device |
| WO2017089738A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Oxford University Innovation Limited | Multi-mode sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3214190B2 (en) | 2001-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3214190B2 (en) | Non-contact type film thickness measuring instrument | |
| JP3192161B2 (en) | Non-contact measurement method and system for heated object temperature by radiation | |
| US4849694A (en) | Thickness measurements of thin conductive films | |
| KR940011933B1 (en) | Method and apparatus for sensing a measurand | |
| JP5666687B2 (en) | Optical pumping magnetometer, magnetoencephalograph and MRI apparatus | |
| JP2006337373A (en) | Method for correcting disturbance in level sensor optical path | |
| TW201300760A (en) | Interferometric material sensing apparatus including adjustable coupling and associated methods | |
| JP2004513363A (en) | Especially for plasma resonance sensors for biosensor technology | |
| EP0586053A1 (en) | Dual interferometer spectroscopic imaging system | |
| TW201249406A (en) | Interferometric biological sensing apparatus including adjustable reference arm and associated methods | |
| TW201411294A (en) | Projection exposure apparatus for microlithography comprising an optical distance measurement system | |
| US9097636B2 (en) | Thermoelectric component with plasmonic guide, integrating a device for measuring the power coupled in the guided mode | |
| JP3776073B2 (en) | Semiconductor carrier lifetime measurement method and apparatus | |
| JP2004164883A (en) | Induction heating cooking device | |
| US4019381A (en) | Transparent optical power meter | |
| JP2002202204A (en) | Spherical semiconductor device for measuring temperature | |
| JPH03214043A (en) | Method and apparatus for measuring reflectivity | |
| JPH02184706A (en) | Dimension measuring device | |
| JP3844688B2 (en) | Sensor using total reflection attenuation | |
| JP3202183B2 (en) | Scale and length measurement method using laser light | |
| JPH10170430A (en) | Method and device for measuring surface plasmon | |
| JP3213503B2 (en) | Physical quantity measurement device | |
| CN116929724B (en) | Device and method for measuring thermal focal length of laser medium | |
| JPH05223632A (en) | Calibrating system for light power meter | |
| JP7291723B2 (en) | Measuring device for determining the thickness of material layers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010626 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |