JPH0791043B2 - Method for manufacturing silicon nitride - Google Patents

Method for manufacturing silicon nitride

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JPH0791043B2
JPH0791043B2 JP30819586A JP30819586A JPH0791043B2 JP H0791043 B2 JPH0791043 B2 JP H0791043B2 JP 30819586 A JP30819586 A JP 30819586A JP 30819586 A JP30819586 A JP 30819586A JP H0791043 B2 JPH0791043 B2 JP H0791043B2
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功 今井
省 佐野
耕一 末芳
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東芝セラミツクス株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はシリカ還元法による窒化ケイ素の製造方法に
関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing silicon nitride by a silica reduction method.

従来の技術 高純度の窒化ケイ素を経済的に製造する方法として、シ
リカとカーボンの混合物を窒素雰囲気中で加熱するシリ
カ還元法は公知である。例えば、特公昭54−23917号公
報においては、シリカ粉末、カーボン粉末、窒化ケイ素
粉末と、炭化ケイ素粉末と、酸窒化ケイ素系粉末のうち
少なくともいずれか1種とからなる混合粉末を、窒素を
含む雰囲気中で加熱処理して、還元窒化反応させそのあ
と、脱炭工程により、未反応カーボンを酸化除去する窒
化ケイ素粉末の製造方法が提案されている。
2. Description of the Related Art As a method for economically producing high-purity silicon nitride, a silica reduction method in which a mixture of silica and carbon is heated in a nitrogen atmosphere is known. For example, in Japanese Patent Publication No. 54-23917, a mixed powder of silica powder, carbon powder, silicon nitride powder, silicon carbide powder, and at least one of silicon oxynitride-based powder containing nitrogen is contained. A method for producing a silicon nitride powder has been proposed in which heat treatment is performed in an atmosphere to cause a reduction nitriding reaction, and then unreacted carbon is oxidized and removed by a decarburizing step.

発明が解決しようとする問題点 従来のシリカ還元法による窒化ケイ礎の製造方法にあっ
ては、製造された窒化ケイ素粉末中に比較的多量の炭素
が含有されることを避け得なかった。しかしながら、窒
化ケイ素粉末中の含有炭素は、周知のように粉末を焼結
する際に焼結体の緻密化を阻害するため、含有炭素量は
可能な限り低減する必要がある。
Problems to be Solved by the Invention In the conventional method for producing a silicon nitride foundation by the silica reduction method, it is unavoidable that the produced silicon nitride powder contains a relatively large amount of carbon. However, as is well known, the carbon content in the silicon nitride powder hinders the densification of the sintered body when the powder is sintered, so the carbon content needs to be reduced as much as possible.

また、原料粉末の一つとしてカーボンを混合する作業は
汚く、製品歩留り、合成炉効率の点からも好ましくない
ので、カーボン粉末を含まない原料系が望まれる。さら
に、従来法では合成粉の脱炭処理を必要とするが、これ
を削除できれば生産コストの点からも望ましい。
Further, the work of mixing carbon as one of the raw material powders is messy and is not preferable in terms of product yield and synthesis furnace efficiency, so a raw material system containing no carbon powder is desired. Furthermore, the conventional method requires decarburization of the synthetic powder, but if it can be eliminated, it is desirable from the viewpoint of production cost.

発明の目的 この発明は前述のような従来技術の現状に鑑みて、窒化
ケイ素中の含有炭素量を大幅に減少させるとともに効率
のよい窒化ケイ素の製造方法を提供することを目的とし
ている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional state of the art, and an object of the present invention is to provide a method for significantly reducing the carbon content in silicon nitride and efficiently producing silicon nitride.

発明の要旨 前述の目的を達成するために、この発明はシリカ還元法
による窒化ケイ素の製造方法において、シリカをNH3
炭化水素ガス(CmHn)との混合ガス中で加熱することを
特徴とする窒化ケイ素の製造方法を要旨としている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is characterized in that in a method for producing silicon nitride by a silica reduction method, silica is heated in a mixed gas of NH 3 and a hydrocarbon gas (CmHn). The gist is the method of manufacturing silicon nitride.

問題点を解決するための手段 この発明による窒化ケイ素の製造方法においては、シリ
カを(種子粉末を添加し又は添加せずに)NH3と炭化水
素ガス(CmHn)との混合ガス中で加熱する。なお本発明
の炭化水素ガスとは合成雰囲気中で炭化水素になるガス
を含む。必要に応じて混合ガスにN2または他の不活性ガ
スを含める。それにより窒化ケイ素粉末中の含有炭素量
を大幅に低減するものである。
Means for Solving the Problems In the method for producing silicon nitride according to the present invention, silica is heated in a mixed gas of NH 3 and hydrocarbon gas (CmHn) (with or without addition of seed powder). . The hydrocarbon gas of the present invention includes a gas that becomes a hydrocarbon in the synthesis atmosphere. Include N 2 or other inert gas in the gas mixture if necessary. Thereby, the amount of carbon contained in the silicon nitride powder is significantly reduced.

本発明者等は、シリカ還元法における窒化ケイ素粉末へ
の炭素含有の原因について究明したところ、従来考えら
れていたものと異なる原因を明らかにすることができ
た。従来は、原料カーボンがシリカを還元するのに必要
な量よりも過剰に配合されており、そのため合成後に余
剰のカーボンを大気中で加熱して酸化除去していたこと
から、窒化ケイ素への炭素含有の原因は原料カーボンが
未脱炭のまま残留しているからだと考えられていた。し
かしながら、本発明者等の研究の結果、含有炭素は合成
中に生成されるものであり、窒化ケイ素粉末の内部に存
在していることを発見した。それゆえ、窒化ケイ素粉末
の外部からの酸化によっては含有炭素を効果的に除去し
がたいということを究明した。
The inventors of the present invention have investigated the cause of carbon content in the silicon nitride powder in the silica reduction method, and have been able to clarify the cause different from what has been considered in the past. In the past, the raw material carbon was blended in excess of the amount required to reduce silica, and therefore, after synthesis, excess carbon was heated in the air to be oxidized and removed. It was thought that the cause of the inclusion was that the raw material carbon remained undecarburized. However, as a result of the research conducted by the present inventors, it was discovered that the contained carbon was generated during the synthesis and was present inside the silicon nitride powder. Therefore, it was clarified that it is difficult to effectively remove the contained carbon by externally oxidizing the silicon nitride powder.

本発明者等の研究成果によれば、窒化ケイ素粉末への炭
素混入の原因は次のとおりである。
According to the research results of the present inventors, the cause of carbon contamination in the silicon nitride powder is as follows.

シリカ還元反応は次のような反応によって進行する。式
中、Sは固体、Gは気体をそれぞれ示す。
The silica reduction reaction proceeds by the following reaction. In the formula, S represents a solid and G represents a gas.

SiO2(S)+C(S)→SiO(G)+CO(G) SiO(G)+C(S)→Si(G)+CO(G) 3Si(G)+2N2(G)→Si3N4(S) 反応系内のN2分圧が低い場合や、局部的にCO濃度が高く
なった場合は、前述の第1番目および第2番目の式の逆
反応が発生し、C(S)が析出し、成形中の窒化ケイ素
粉末内に炭素が取り込まれる。
SiO 2 (S) + C (S) → SiO (G) + CO (G) SiO (G) + C (S) → Si (G) + CO (G) 3 Si (G) + 2N 2 (G) → Si 3 N 4 ( S) When the partial pressure of N 2 in the reaction system is low, or when the CO concentration is locally high, the reverse reactions of the above-mentioned first and second equations occur and C (S) is Carbon precipitates and carbon is incorporated into the silicon nitride powder during molding.

また、シリカ還元反応の熱力学平衡関係において、N2
圧とCO分圧とで関係づけられる凝縮相の安定関係を示す
と、第1図のようになる。これは1427℃の例を示すもの
であり、Si−C−N−O系の凝縮相の安定関係を示して
いる。このような系では、凝縮相としてSi3N4、SiC、Si
O2およびCが存在するが、Si3N4の生成領域においても
CはSi3N4と平衡に存在し得る。したがって、Si3N4の合
成過程でCはSi3N4粉末の内部に取り込まれる。
Further, in the thermodynamic equilibrium relationship of the silica reduction reaction, the stable relationship of the condensed phase, which is related by the N 2 partial pressure and the CO partial pressure, is shown in FIG. This shows an example at 1427 ° C. and shows the stability relationship of the condensed phase of the Si—C—N—O system. In such systems, Si 3 N 4 , SiC, Si
O 2 and C is present but, C also in the generation region the Si 3 N 4 may be present in equilibrium with Si 3 N 4. Thus, C in the synthesis process the Si 3 N 4 is taken into the Si 3 N 4 powder.

以上述べたような原因により反応過程で生成したCがSi
3N4粉末の内部に取り込まれ、その結果、窒化ケイ素粉
末中に炭素が含有されるのである。
Due to the reasons described above, C generated in the reaction process is Si
It is taken inside the 3 N 4 powder, and as a result, carbon is contained in the silicon nitride powder.

そこで、本発明においては、Cを使用せずに、窒化ケイ
素を次の反応によって生成させるものである。
Therefore, in the present invention, silicon nitride is produced by the following reaction without using C.

3SiO2(S)+4NH3(G)→Si3N4(S)+6H2O(G) 以上のようにして合成された窒化ケイ素粉末の内部に炭
素は含まれないが、前述の式の反応で生成するH2Oによ
ってSi3N4が酸化する。H2OによるSi3N4の酸化を防止す
るには、雰囲気ガス中のH2Oの分圧を低くすればよい。H
2Oの分圧を低くする方法としては、NH3ガスの流速を速
くする、NH3ガスにN2等の不活性ガスを混合して流速を
速くする、あるいはNH3ガスにCmHnガスを混入する等が
考えられる。CmHnを混入した場合には次式の反応によっ
てH2Oを除去できる。
3SiO 2 (S) + 4NH 3 (G) → Si 3 N 4 (S) + 6H 2 O (G) Although the silicon nitride powder synthesized as described above does not contain carbon, the reaction of the above formula Si 3 N 4 is oxidized by the H 2 O generated in. To prevent oxidation the Si 3 N 4 with in H 2 O may be lowered partial pressure of H 2 O atmospheric gas. H
As a method to lower the partial pressure of 2 O, to increase the flow rate of the NH 3 gas, increasing the flow rate of a mixture of inert gas such as N 2 to NH 3 gas, or mixed CmHn gas to NH 3 gas It is possible to do it. When CmHn is mixed, H 2 O can be removed by the reaction of the following formula.

mH2O+CmHn→mCO+(m+n/2)H2 また、炭化水素ガスの混入量が多い場合には炭化水素が
熱分解する際に生ずるカーボンはシリカの還元剤として
も作用する。
mH 2 O + CmHn → mCO + (m + n / 2) H 2 When the amount of hydrocarbon gas is large, the carbon produced when the hydrocarbon is thermally decomposed also acts as a reducing agent for silica.

特公昭57−44602号公報には、シリカを炭化水素ガス、
アンモニアガス及び水素ガスの混合ガス中で還元窒化す
る方法が開示されている。本法においてはNH3の加熱分
解過程で生ずる活性期の水素、窒素を利用して還元窒化
作用を生じさせるものである。本発明者等の実験結果で
は特公昭57−44602号公報のようにもとのガス中に水素
を添加することはNH3の分解をかえって抑制し、Si3N4
成反応を遅延させるのみであり、水素を添加する効果を
見出すことができなかった。
JP-B-57-44602 discloses that silica is a hydrocarbon gas,
A method of reducing and nitriding in a mixed gas of ammonia gas and hydrogen gas is disclosed. In this method, hydrogen and nitrogen in the active phase generated during the thermal decomposition process of NH 3 are used to cause a reduction nitriding action. According to the experimental results of the present inventors, adding hydrogen to the original gas as in JP-B-57-44602 only suppresses the decomposition of NH 3 and delays the Si 3 N 4 synthesis reaction. However, the effect of adding hydrogen could not be found.

実施例 平均粒径20μmを有するSiO2(シリカ)粉末と、平均粒
径0.1μmを有するSi3N4(窒化ケイ素)粉末を表1に示
す割合で配合し、一部のものについては触媒を添加し、
表1に示す条件で還元窒化処理を行なった。
Example SiO 2 (silica) powder having an average particle size of 20 μm and Si 3 N 4 (silicon nitride) powder having an average particle size of 0.1 μm were mixed in a ratio shown in Table 1, and some of them were mixed with a catalyst. Add
The reduction nitriding treatment was performed under the conditions shown in Table 1.

そのようにして得られた窒化ケイ素粉末を調べたとこ
ろ、含有炭素量が極めて少ないことが明らかとなった。
Examination of the silicon nitride powder thus obtained revealed that the content of carbon was extremely low.

また、表1に示す4つの比較例についても実験した。こ
れらの比較例においては、NH3を含まないN2(窒素)の
み又はH2、NH3、C3H8混合ガスの雰囲気で還元窒化及び
脱炭処理を行なった。
In addition, experiments were performed on four comparative examples shown in Table 1. In these comparative examples, reductive nitriding and decarburization were performed only in N 2 (nitrogen) not containing NH 3 or in an atmosphere of a mixed gas of H 2 , NH 3 , and C 3 H 8 .

また、実施例1および比較例7の生成粉末を用いて焼結
体の特性比較を行なった。それぞれの粉末にY2O35重量
部とAl2O35重量部を添加し、n−ブタノール中で40時間
混合した。その後、溶媒を蒸発させて得られた混合粉を
タテ50mm、ヨコ50mm、厚み40mmになるように金型で成形
したのち、1ton/cm2の圧力で混合粉をラバープレスによ
り加圧成形して成形体を得た。この成形体を1760℃の窒
素雰囲気中で3時間焼成したところ、実施例1の粉末を
使用した焼結体のかさ密度が3.19g/cm3であるのに対
し、比較例7の方は2.91g/cm3であり、比較例の方は極
めて低い値であった。
In addition, the characteristics of the sintered bodies were compared using the generated powders of Example 1 and Comparative Example 7. 5 parts by weight of Y 2 O 3 and 5 parts by weight of Al 2 O 3 were added to each powder and mixed in n-butanol for 40 hours. After that, the mixed powder obtained by evaporating the solvent is molded with a mold so that the length is 50 mm, the width is 50 mm, and the thickness is 40 mm, and then the mixed powder is pressure-molded by a rubber press at a pressure of 1 ton / cm 2. A molded body was obtained. When this compact was fired for 3 hours in a nitrogen atmosphere at 1760 ° C., the bulk density of the sintered body using the powder of Example 1 was 3.19 g / cm 3 , whereas that of Comparative Example 7 was 2.91. It was g / cm 3 , which was an extremely low value in the comparative example.

本件発明による窒化ケイ素の製造方法における最適の条
件について説明すると、混合ガスの混合比は、CmHnを炭
素基準のCH4に換算してNH3/CH4=0.5〜2000(容量比)
が適当である。さらに必要に応じてN2又は他の不活性ガ
スを含有するようにする。NH3の量がNH3/CH4=2000より
も少ないと、NH3によるシリカの還元作用が弱くなり、
反応が進行せず窒化ケイ素が生成し難くなる。。逆にNH
3の量がNH3/CH4=2000よりも多いと、反応中に生成する
H2Oを除去する炭化水素ガスの効果が低くなり、合成粉
の全酸素量が多くなる。。また、加熱温度は800〜1600
℃にするのが好ましい。加熱温度が800℃よりも低いと
実質的に反応が進まないことがあり得る。また、1600℃
よりも高いと、NH3自体の熱分解の速度が速すぎて所望
の効果が得がたくなることがある。
The optimum conditions in the method for producing silicon nitride according to the present invention will be described. The mixing ratio of the mixed gas is NH 3 / CH 4 = 0.5 to 2000 (volume ratio) by converting CmHn into CH 4 of carbon standard.
Is appropriate. If necessary, N 2 or other inert gas may be contained. If the amount of NH 3 is less than the NH 3 / CH 4 = 2000, becomes weak reducing action of silica by NH 3,
The reaction does not proceed and it becomes difficult to generate silicon nitride. . Conversely, NH
When the amount of 3 is more than NH 3 / CH 4 = 2000, it is formed during the reaction.
The effect of the hydrocarbon gas for removing H 2 O is reduced, and the total oxygen content of the synthetic powder is increased. . Also, the heating temperature is 800-1600
The temperature is preferably set to ° C. If the heating temperature is lower than 800 ° C, the reaction may not proceed substantially. Also, 1600 ℃
If it is higher than this, the thermal decomposition rate of NH 3 itself may be too fast to obtain the desired effect.

発明の効果 この発明による窒化ケイ素の製造方法においては、シリ
カ還元法によるにもかかわらず炭素含有量と酸素含有量
が極端に少ない窒化ケイ素を得ることができる。
EFFECTS OF THE INVENTION In the method for producing silicon nitride according to the present invention, it is possible to obtain silicon nitride having an extremely low carbon content and an extremely low oxygen content, despite the silica reduction method.

さらには、原料カーボンを使用しないため、シリカとカ
ーボンとの混合作業がなくなる。製品歩留りが向上す
る。また合成に引き続いてNH3により脱炭する必要がな
い。それゆえ作業環境の改善が容易である。
Furthermore, since the raw material carbon is not used, the work of mixing silica and carbon is eliminated. Product yield is improved. Also, it is not necessary to decarburize with NH 3 following the synthesis. Therefore, it is easy to improve the work environment.

なお、原料中に種子粉末としてSi3N4、SiC、Si2N2O、Si
等を添加することができる。さらに原料の中に触媒とし
てMg、Ca、Zr、Be、Sr、Sn、Ge、Ti、Hfやこれらの化合
物などを添加することができる。
As seed powder in the raw material, Si 3 N 4 , SiC, Si 2 N 2 O, Si
Etc. can be added. Further, Mg, Ca, Zr, Be, Sr, Sn, Ge, Ti, Hf, or compounds thereof can be added to the raw material as a catalyst.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はSi−C−N−O系の凝縮相の安定関係を示す図
である。
FIG. 1 is a diagram showing the stability relationship of the condensed phase of the Si—C—N—O system.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】シリカ還元法による窒化ケイ素の製造方法
において、シリカをNH3と炭化水素ガス(CmHn)との混
合ガス中で加熱することを特徴とする窒化ケイ素の製造
方法。
1. A method for producing silicon nitride by a method for producing silicon nitride by a silica reduction method, which comprises heating silica in a mixed gas of NH 3 and a hydrocarbon gas (CmHn).
【請求項2】混合ガスの混合比は、CmHnを炭素基準のCH
4に換算するとNH3/CH4=0.5〜2000(容量比)である特
許請求の範囲第1項に記載した窒化ケイ素の製造方法。
2. The mixing ratio of the mixed gas is CmHn to CH based on carbon.
The method for producing silicon nitride according to claim 1, wherein NH 3 / CH 4 = 0.5 to 2000 (volume ratio) when converted to 4 .
【請求項3】加熱温度が800〜1600℃である特許請求の
範囲第1項又は第2項に記載された窒化ケイ素の製造方
法。
3. The method for producing silicon nitride according to claim 1 or 2, wherein the heating temperature is 800 to 1600 ° C.
【請求項4】窒化ケイ素の総炭素含有量が0.3重量%以
下で、総酸素量が3.5重量%以下になるようにした特許
請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1項に記載された
窒化ケイ素の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the total carbon content of the silicon nitride is 0.3% by weight or less and the total oxygen content is 3.5% by weight or less. Of manufacturing a processed silicon nitride.
【請求項5】混合ガスが、さらにN2又は他の不活性ガス
を含む特許請求の範囲第1〜4項のいずれか1項に記載
された窒化ケイ素の製造方法。
5. The method for producing silicon nitride according to any one of claims 1 to 4, wherein the mixed gas further contains N 2 or another inert gas.
【請求項6】シリカが、さらに、シリカ1重量部に対し
種子粉末として窒化ケイ素粉末、炭化ケイ素粉末、酸窒
化ケイ素粉末、金属ケイ素粉末のうち少なくともいずれ
か1種を0.005〜1重量部、さらに、もしくは触媒とし
てMg、Cg、Zr、Be、Sr、Sn、Ge、Ti、Hfやこれらの化合
物を少なくとも1種を各元素重量に換算して0.001〜0.1
重量部を含む特許請求の範囲の第1項〜第5項のいずれ
か1項に記載された窒化ケイ素の製造方法。
6. The silica further comprises 0.005 to 1 part by weight of at least one of silicon nitride powder, silicon carbide powder, silicon oxynitride powder, and metal silicon powder as seed powder with respect to 1 part by weight of silica. Or, as a catalyst, Mg, Cg, Zr, Be, Sr, Sn, Ge, Ti, Hf or at least one of these compounds is converted into each element weight by 0.001 to 0.1.
The method for producing silicon nitride according to any one of claims 1 to 5, which includes parts by weight.
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