JPH0787070B2 - Electron tube cathode - Google Patents

Electron tube cathode

Info

Publication number
JPH0787070B2
JPH0787070B2 JP4031888A JP4031888A JPH0787070B2 JP H0787070 B2 JPH0787070 B2 JP H0787070B2 JP 4031888 A JP4031888 A JP 4031888A JP 4031888 A JP4031888 A JP 4031888A JP H0787070 B2 JPH0787070 B2 JP H0787070B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
oxide
substrate
cathode
earth metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4031888A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01213932A (en
Inventor
勁二 渡部
敬二 福山
誠子 石田
量 鈴木
正人 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4031888A priority Critical patent/JPH0787070B2/en
Priority to KR1019880016941A priority patent/KR910009660B1/en
Priority to US07/307,709 priority patent/US4924137A/en
Priority to DE68917174T priority patent/DE68917174T2/en
Priority to EP89301345A priority patent/EP0330355B1/en
Priority to CA000591597A priority patent/CA1327145C/en
Publication of JPH01213932A publication Critical patent/JPH01213932A/en
Publication of JPH0787070B2 publication Critical patent/JPH0787070B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、TV用ブラウン管などに用いられる電子管用
陰極に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a cathode for an electron tube used in a cathode ray tube for a TV or the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来のTV用ブラウン管や撮像管に用いられてい
る陰極を示すものであり、図において、1はシリコン
(Si),マグネシウム(Mg)などの還元性元素を微量含
む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、2はこの
基体1の底部上面に被着され、少なくともバリウム(B
a)を含み、他にストロンチウム(Sr)あるいは/及び
カルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化物からな
る電子放射物質層、3は上記基体1内に配設されたヒー
タであり、加熱により上記電子放射物質層2から熱電子
を放出させるためのものである。
FIG. 2 shows a cathode used in a conventional TV cathode ray tube or image pickup tube. In the figure, 1 is nickel as a main component containing a trace amount of reducing elements such as silicon (Si) and magnesium (Mg). A cylindrical base body 2 having a bottom is attached to the upper surface of the bottom of the base body 1, and at least barium (B
The electron-emitting material layer 3 made of an alkaline earth metal oxide containing a) and additionally containing strontium (Sr) and / or calcium (Ca) is a heater arranged in the substrate 1, and This is for emitting thermoelectrons from the electron emitting material layer 2.

このように構成された電子管用陰極において、基体1へ
の電子放射物質層2の被着は次のようにして行われる。
まず、アルカリ土類金属(Ba,Sr,Ca)の三元炭酸塩から
なる懸濁液を基体1の底部上面に塗布し、真空排気工程
中にヒータ3によって加熱する。この時、アルカリ土類
金属の炭酸塩はアルカリ土類金属の酸化物に変わる。そ
の後、アルカリ土類金属の酸化物の一部を還元して半導
体的性質を有するように活性化を行うことにより、基体
1上にアルカリ土類金属の酸化物からなる電子放射物質
層2を被着形成している。
In the cathode for an electron tube thus configured, the electron emitting material layer 2 is deposited on the substrate 1 as follows.
First, a suspension composed of a ternary carbonate of an alkaline earth metal (Ba, Sr, Ca) is applied on the upper surface of the bottom of the substrate 1 and heated by the heater 3 during the vacuum exhaust process. At this time, the alkaline earth metal carbonate is converted into an alkaline earth metal oxide. After that, a part of the alkaline earth metal oxide is reduced and activated so as to have a semiconductor property, so that the electron emitting material layer 2 made of the alkaline earth metal oxide is coated on the substrate 1. It has been formed.

この活性化工程において、アルカリ土類金属の酸化物の
一部は次のように反応する。つまり、基体1内に含有さ
れたシリコン,マグネシウム等の還元性元素は拡散によ
りアルカリ土類金属の酸化物と基体1との界面に移動
し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。例えば、アル
カリ土類金属酸化物が酸化バリウム(BaO)であれば、
次式(1),(2)のように反応する。
In this activation process, a part of the alkaline earth metal oxide reacts as follows. That is, the reducing elements such as silicon and magnesium contained in the substrate 1 move to the interface between the alkaline earth metal oxide and the substrate 1 by diffusion and react with the alkaline earth metal oxide. For example, if the alkaline earth metal oxide is barium oxide (BaO),
It reacts as in the following equations (1) and (2).

BaO+1/2Si=Ba+1/2SiO2 …(1) BaO+Mg=Ba+MgO …(2) この反応の結果、基体1上に被着形成されたアルカリ土
類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型の半導体と
なり、陰極温度700〜800℃の動作温度で0.5〜0.8A/cm2
の電子放射が得られることになる。
BaO + 1 / 2Si = Ba + 1 / 2SiO 2 (1) BaO + Mg = Ba + MgO (2) As a result of this reaction, a portion of the alkaline earth metal oxide deposited on the substrate 1 is reduced and oxygen-deficient type Becomes a semiconductor, 0.5-0.8A / cm 2 at operating temperature of cathode temperature 700-800 ℃
Will be obtained.

ところが、上記電子管用陰極では、電子放射が0.5〜0.8
A/cm2以上の電流密度は取り出せない。
However, in the cathode for the electron tube, the electron emission is 0.5 to 0.8.
Current densities above A / cm 2 cannot be extracted.

その理由として、アルカリ土類金属酸化物の一部を還元
反応させた場合、上記(1),(2)式からも明らかな
ように、基体1とアルカリ土類金属酸化物層との界面に
SiO2,MgOあるいはBaO・SiO2などの複合酸化物層(中間
層)が形成され、この中間層が高抵抗層となって電流の
流れを妨げること、及び上記中間層が基体1中の還元性
元素(Si,Mg)が電子放射物質層2の表面側へ拡散する
のを妨げるため十分な量のバリウム(Ba)が生成されな
いことが考えられている。つまり、電子管作動中に基体
1と電子放射物質層2との界面近傍、特に基体1表面近
傍のニッケル結晶粒界と上記界面より10μm程度電子放
射物質層2内側の位置に上記中間層が偏析するため、電
流の流れ及び電子放射物質層2表面側への還元性元素の
拡散が妨げられ、高電流密度下の十分な電子放出特性が
得られないという問題があった。
The reason is that when a part of the alkaline earth metal oxide is subjected to a reduction reaction, as is clear from the above formulas (1) and (2), the interface between the substrate 1 and the alkaline earth metal oxide layer is
A complex oxide layer (intermediate layer) such as SiO 2 , MgO or BaO · SiO 2 is formed, and this intermediate layer serves as a high resistance layer to prevent the flow of current, and the intermediate layer reduces reduction in the substrate 1. It is considered that a sufficient amount of barium (Ba) is not generated because the functional elements (Si, Mg) prevent diffusion to the surface side of the electron emitting material layer 2. That is, during operation of the electron tube, the intermediate layer is segregated in the vicinity of the interface between the substrate 1 and the electron-emitting substance layer 2, particularly at the nickel crystal grain boundary in the vicinity of the surface of the substrate 1 and at a position of about 10 μm inside the electron-emitting substance layer 2 from the interface. Therefore, there is a problem that the flow of current and the diffusion of the reducing element to the surface side of the electron emitting material layer 2 are hindered, and sufficient electron emission characteristics under high current density cannot be obtained.

これに対して、特願昭60-229303号の出願には、基体に
0.01〜0.5重量%の希土類金属を含有させることによっ
て、電子放射物質層を基体に被着形成する際の活性化時
にアルカリ土類金属の炭酸塩が分解する際、あるいは陰
極としての動作中に酸化バリウムが解離反応を起こす際
に基体が酸化する反応を防止するとともに、電子放射物
質層中への基体に含有された還元性元素の拡散を適度に
制御し、還元性元素による複合酸化物からなる中間層が
基体と電子放射物質層との界面近傍に集中的に形成され
ることを防止し、中間層を電子放射物質層内に分散させ
るという技術が示されている。つまり、この第2の従来
例の電子管用陰極は、中間層が分散されるために、1〜
3A/cm2程度の高電流密度動作でのエミッション劣化が少
ないという優れた特性を有するものである。ところが、
このものにおいても、3A/cm2を越える、例えば4A/cm2
高電流密度動作ではエミッション劣化が大きいという問
題がある。さらに、特願昭60-160851号の出願には、電
子放射物質層に0.1〜20重量%の希土類金属酸化物を含
有させることにより、第2の従来例と同様、基体の酸化
を防止するとともに中間層を分散させるという技術が示
されている。この場合においても上記と同様に、4A/cm2
以上の高電流密度動作でも、エミッションの劣化を少な
くできる。しかしながら、この場合には、4A/cm2以上の
高電流密度動作においては電子放射物質層を流れる電流
によるジュール熱でバリウムの蒸発が顕著になるが、電
子放射特性が劣化することがある。
On the other hand, in the application for Japanese Patent Application No. 60-229303,
By including 0.01 to 0.5% by weight of rare earth metal, oxidation occurs when the alkaline earth metal carbonate decomposes during activation when depositing the electron emitting material layer on the substrate or during operation as the cathode. It consists of a complex oxide of reducing elements, which prevents the oxidation of the substrate when barium causes a dissociation reaction and controls the diffusion of the reducing elements contained in the substrate into the electron-emitting material layer. A technique is disclosed in which the intermediate layer is prevented from being intensively formed in the vicinity of the interface between the substrate and the electron-emitting substance layer, and the intermediate layer is dispersed in the electron-emitting substance layer. That is, in the second conventional cathode for an electron tube, since the intermediate layer is dispersed,
It has the excellent characteristics of little emission deterioration at high current density operation of about 3 A / cm 2 . However,
Even in this case, there is a problem that emission deterioration is large in high current density operation exceeding 3 A / cm 2 , for example, 4 A / cm 2 . Further, in the application of Japanese Patent Application No. 60-160851, by containing 0.1 to 20% by weight of a rare earth metal oxide in the electron emitting material layer, oxidation of the substrate can be prevented as in the second conventional example. The technique of dispersing the intermediate layer is shown. Even in this case, 4 A / cm 2
Even in the above high current density operation, the emission deterioration can be reduced. However, in this case, in a high current density operation of 4 A / cm 2 or more, although the evaporation of barium becomes remarkable due to Joule heat due to the current flowing through the electron emitting material layer, the electron emitting characteristics may deteriorate.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

この発明は4A/cm2以上の高電流密度動作においても、長
時間にわたって安定したエミッション特性を有する電子
管用陰極を得ることを目的とする。
It is an object of the present invention to obtain a cathode for an electron tube which has stable emission characteristics for a long time even in a high current density operation of 4 A / cm 2 or more.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この発明に係る電子管用陰極は、主成分がニッケルから
なる基体上に、少なくともバリウムを含むアルカリ土類
金属酸化物を主成分とし、これにスカンジウムの化合物
と、ネオジウム,サマリウム,ガドリニウム,ジスプロ
シウム,ランタン,セリウム,ユウロピウム,イッテル
ビウムから選ばれた少なくとも1種の元素の化合物とを
含んだ電子放射物質層を被着させたものである。
The cathode for an electron tube according to the present invention comprises, on a substrate whose main component is nickel, an alkaline earth metal oxide containing at least barium as a main component, and a compound of scandium, neodymium, samarium, gadolinium, dysprosium and lanthanum. , An electron emitting material layer containing a compound of at least one element selected from cerium, europium and ytterbium.

〔作用〕[Action]

この発明においては、電子放射物質層中に含有されたス
カンジウム化合物が、電子放射物質層を基体に被着形成
する際の活性化時にアルカリ土類金属の炭酸塩が分解す
る際、あるいは陰極としての動作中に酸化バリウムが解
離反応を起こす際に基体が酸化する反応を防止するとと
もに、電子放射物質層中への基体に含有された還元性元
素の拡散を適度に制御し、還元性元素による複合酸化物
からなる中間層が基体と電子放射物質層との界面近傍に
集中的に形成されることを防止し、中間層を電子放射物
質層内に分散させ、又、上記電子放射物質層中に含有さ
れたネオジウム,サマリウム,ガドリニウム,ジスプロ
シウム,ランタン,セリウム,ユウロピウム,イッテル
ビウムから選ばれた少なくとも1種の元素の化合物が、
バリウムの蒸発を抑制する。
In the present invention, the scandium compound contained in the electron-emitting substance layer is used when the alkaline earth metal carbonate decomposes during activation when the electron-emitting substance layer is deposited on the substrate, or as a cathode. This prevents the oxidation of the substrate when the barium oxide undergoes a dissociation reaction during operation, and controls the diffusion of the reducing element contained in the substrate into the electron-emitting material layer appropriately, thereby forming a composite with the reducing element. It is possible to prevent the intermediate layer made of an oxide from being intensively formed in the vicinity of the interface between the substrate and the electron-emitting substance layer, disperse the intermediate layer in the electron-emitting substance layer, and The contained compound of at least one element selected from neodymium, samarium, gadolinium, dysprosium, lanthanum, cerium, europium, and ytterbium,
Suppresses the evaporation of barium.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、この発明の一実施例を第1図に基づいて説明す
る。この図において、1は主成分がニッケルからなる基
体であり、この基体1中にはSi,Mgなどの還元剤が含有
されている。2aは基体1の底部上面に被着された電子放
射物質層であり、具体的にはバリウム,ストロンチウ
ム,カルシウムの三元酸化物に酸化スカンジウム粉末と
酸化ネオジウムを0.01〜20重量%含み、かつニッケル粉
末を10重量%以下含んだものである。上記バリウムなど
のアルカリ土類金属酸化物は、はじめ炭酸塩で混合し、
従来と同様に、炭酸塩から酸化物への分解過程及び酸化
物の一部を還元する活性化過程を経る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In this figure, 1 is a substrate whose main component is nickel, and this substrate 1 contains a reducing agent such as Si and Mg. Reference numeral 2a denotes an electron emitting material layer deposited on the upper surface of the bottom of the substrate 1. Specifically, ternary oxide of barium, strontium and calcium contains scandium oxide powder and 0.01 to 20% by weight of neodymium oxide, and nickel. It contains less than 10% by weight of powder. Alkaline earth metal oxides such as barium above are mixed with carbonate first,
As in the conventional case, the decomposition process of carbonate to oxide and the activation process of reducing a part of the oxide are performed.

第3図は、第1の具体例としてバリウム,ストロンチウ
ム,カルシウムの酸化物に酸化スカンジウム(Sc2O3
を4重量%,酸化ネオジウム(Nd2O3)を3重量%,ニ
ッケル(Ni)を1重量%含むもの(a)、第2の具体例
として酸化スカンジウム(Sc2O3)を4重量%,酸化サ
マリウム(Sm2O3)を3重量%,ニッケル(Ni)を1重
量%含むもの(b)の電子管用陰極を上記の方法で作成
し、この電子管用陰極を用いて2極真空管を作成し、4.
3A/cm2の電流密度で動作させて寿命試験を行った場合の
エミッション電流の変化を調べた結果を示したものであ
る。なお、図中には酸化スカンジウム(Sc2O3)を含有
しないもの(d)、及び酸化スカンジウム(Sc2O3)を
4重量%含むもの(c)をあわせて示してある。
FIG. 3 shows, as a first specific example, oxides of barium, strontium, and calcium, and scandium oxide (Sc 2 O 3 )
4% by weight, neodymium oxide (Nd 2 O 3 ) 3% by weight, nickel (Ni) 1% by weight (a), as a second specific example, scandium oxide (Sc 2 O 3 ) 4% by weight , A cathode for an electron tube of (b) containing 3% by weight of samarium oxide (Sm 2 O 3 ) and 1% by weight of nickel (Ni) was prepared by the above-mentioned method, and a bipolar vacuum tube was formed using the cathode for the electron tube. Create and 4.
This is the result of examining the change in emission current when a life test was performed by operating at a current density of 3 A / cm 2 . In addition, in the figure, those containing no scandium oxide (Sc 2 O 3 ) (d) and those containing 4% by weight scandium oxide (Sc 2 O 3 ) (c) are also shown.

Sc2O3を含有しないもの(d),Sc2O3のみ4重量%含む
もの(c)に比較して、Sc2O3に加えてNd2O3あるいはSm
2O3、及びNiを添加したもの(a,b)はエミッション劣化
が少ない。添加するSc2O3,Nd2O3,Sm2O3,及びNiの量
に関して種々実験を行った結果、添加する希土類酸化物
の総量は0.1〜20重量%がよく、なかでもNd2O3,Sm2O3
は0.05〜10重量%がよい。又、Niは10重量%以下であれ
ばよい。さらに、酸化スカンジウム(Sc2O3)以外に添
加する希土類酸化物としては、酸化ネオジウム(Nd
2O3)や酸化サマリウム(Sm2O3)以外に、酸化ガドリニ
ウム(Gd2O3),酸化ジスプロシウム(Dy2O3),酸化ラ
ンタン(La2O3),酸化セリウム(Ce2O3),酸化ユウロ
ピウム(Eu2O3),酸化イッテルビウム(Yb2O3)などが
適当である。
Compared to those containing no Sc 2 O 3 (d) and those containing only Sc 2 O 3 at 4 wt% (c), in addition to Sc 2 O 3 , Nd 2 O 3 or Sm
The emission deterioration is small in the case of adding 2 O 3 and Ni (a, b). Added to Sc 2 O 3, Nd 2 O 3, Sm 2 O 3, and results of various experiments with respect to the amount of Ni, added to rare earth oxides in a total amount from 0.1 to 20% by weight C., among others Nd 2 O 3 , Sm 2 O 3
Is preferably 0.05 to 10% by weight. Further, Ni may be 10% by weight or less. Furthermore, as rare earth oxides to be added in addition to scandium oxide (Sc 2 O 3 ), neodymium oxide (Nd
2 O 3 ) and samarium oxide (Sm 2 O 3 ), gadolinium oxide (Gd 2 O 3 ), dysprosium oxide (Dy 2 O 3 ), lanthanum oxide (La 2 O 3 ), cerium oxide (Ce 2 O 3). ), Europium oxide (Eu 2 O 3 ) and ytterbium oxide (Yb 2 O 3 ) are suitable.

上述のように、Sc2O3に加えて他の希土類酸化物及びNi
を添加した場合、従来に比較して優れた特性が得られる
のは、以下の理由によると考えられる。Sc2O3は、電子
管用陰極の動作とともに、その一部が解離して基体1の
表面から約20μmの深さまで拡散する。一方、基体1内
の還元剤Si,MgはScとは逆に表面へ拡散し、表面でBaOと
反応し、遊離Baをつくるが、又BaSiO3を生成する。この
BaSiO3は中間層と呼ばれ、還元剤のBaOとの反応を阻害
する。しかし、この発明では、基体1の表層に存在する
Scによって上記中間層を分解するので、還元剤Siは電子
放射物質層2a内へさらに移動でき、電子放射に寄与す
る。添加したNd2O3やSm2O3などの希土類酸化物はBaの蒸
発を抑制するものと考えられる。この電子管用陰極の表
面をオージェ分光分析装置で観察したところ、Nd2O3やS
m2O3粒子の上にBaが十分に存在していることがわかっ
た。すなわち、電子放射物質層2aを高電流が流れると、
ジュール熱により電子放射物質層2aの温度上昇をひきお
こし、その結果Baの蒸発が増加することになる。Baの蒸
発増大は必然的に短寿命につがるので避けなければなら
ない。本実施例では、Nd2O3やSm2O3などの希土類酸化物
が、Baを吸着する機能を有するものと思われる。Ni粉末
は電子放射物質層2aの酸化物の導電性をよくするために
添加され、酸化物粒子間あるいは粒子の内部に入り、電
流が流れやすい状態にする。ニッケル(Ni)以外に、コ
バルト(Co),鉄(Fe),アルミニウム(Al),チタン
(Ti),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf),ニオ
ブ(Nb),タンタル(Ta),モリブデン(Mo),タング
ステン(W),マグネシウム(Mg),シリコン(Si),
レニウム(Re),オスミウム(Os),イリジウム(I
r),白金(Pt),パラジウム(Pd),ロジウム(R
h),金(Au),バナジウム(V),クロム(Cr),マ
ンガン(Mn),銅(Cu),亜鉛(Zn),ビスマス(Bi)
が有効である。
As mentioned above, in addition to Sc 2 O 3 , other rare earth oxides and Ni
It is considered that the reason why excellent characteristics are obtained in the case of adding is compared with the conventional one is as follows. A part of Sc 2 O 3 dissociates and diffuses from the surface of the substrate 1 to a depth of about 20 μm as the cathode of the electron tube operates. On the other hand, the reducing agents Si and Mg in the substrate 1 diffuse to the surface contrary to Sc and react with BaO on the surface to form free Ba, but also produce BaSiO 3 . this
BaSiO 3 is called the intermediate layer and inhibits the reaction of the reducing agent with BaO. However, in the present invention, it exists in the surface layer of the substrate 1.
Since the intermediate layer is decomposed by Sc, the reducing agent Si can further move into the electron emitting material layer 2a and contribute to electron emission. It is considered that the added rare earth oxides such as Nd 2 O 3 and Sm 2 O 3 suppress the evaporation of Ba. The surface of this cathode for electron tubes was observed with an Auger spectroscopic analyzer, which showed that Nd 2 O 3 and S
It was found that Ba was sufficiently present on the m 2 O 3 particles. That is, when a high current flows through the electron-emitting substance layer 2a,
The Joule heat causes the temperature of the electron emitting material layer 2a to rise, and as a result, the evaporation of Ba increases. Increased evaporation of Ba inevitably leads to a short life and must be avoided. In this example, it is considered that rare earth oxides such as Nd 2 O 3 and Sm 2 O 3 have a function of adsorbing Ba. The Ni powder is added to improve the conductivity of the oxide of the electron emitting material layer 2a, and enters between or inside the oxide particles to make a current easily flow. Other than nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), aluminum (Al), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum (Mo). ), Tungsten (W), magnesium (Mg), silicon (Si),
Rhenium (Re), Osmium (Os), Iridium (I
r), platinum (Pt), palladium (Pd), rhodium (R
h), gold (Au), vanadium (V), chromium (Cr), manganese (Mn), copper (Cu), zinc (Zn), bismuth (Bi)
Is effective.

なお、希土類酸化物の総量が20重量%を越えると、初期
電子放射量が低く、又この量が0.1%以下であると、中
間層形成の抑制およびBa蒸発の抑制に効果的でない。
When the total amount of rare earth oxides exceeds 20% by weight, the initial electron emission amount is low, and when this amount is 0.1% or less, it is not effective for suppressing the formation of the intermediate layer and Ba evaporation.

又、添加するNiなどの金属粉末の量は10重量%以下が良
い。この量が10重量%を越えると、電子放射物質層の焼
結状態が進み、電子放射特性が低下する。又、この量は
微量でも効果があるが、0.01重量%以上が望ましい。
Moreover, the amount of the metal powder such as Ni added is preferably 10% by weight or less. If this amount exceeds 10% by weight, the state of sintering of the electron-emitting material layer proceeds, and the electron emission characteristics deteriorate. Although this amount is effective even in a small amount, it is preferably 0.01% by weight or more.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明に係る電子管用陰極は以上に述べたように、ニ
ッケルからなる基体上に、少なくともバリウムを含むア
ルカリ土類金属酸化物を主成分とし、これにスカンジウ
ムの化合物と、ネオジウム,サマリウム,ガドリニウ
ム,ジスプロシウム,ランタン,セリウム,ユウロピウ
ム,イッテルビウムから選ばれた少なくとも1種の元素
の化合物を含ませた電子放射物質層を被着したので、通
常の活性化工程のみで、4A/cm2以上の高電流密度による
動作の下での長寿命を確実に実現できるという効果を有
する。
As described above, the cathode for an electron tube according to the present invention has, as a main component, an alkaline earth metal oxide containing at least barium on a substrate made of nickel, and a compound of scandium, neodymium, samarium, gadolinium, Since an electron emitting material layer containing a compound of at least one element selected from dysprosium, lanthanum, cerium, europium, and ytterbium was deposited, a high current of 4 A / cm 2 or more was obtained only by a normal activation process. It has an effect that a long life can be surely realized under the operation based on the density.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による電子管用陰極を示す
断面図、第2図は従来の電子管用陰極を示す断面図、第
3図は電子管用陰極を用いた2極真空管の寿命試験時間
とエミッション電流との関係を示す図である。 図において、1は基体、2aは電子放射物質層である。 なお各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
1 is a sectional view showing a cathode for an electron tube according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a conventional cathode for an electron tube, and FIG. 3 is a life test time of a bipolar vacuum tube using the cathode for an electron tube. It is a figure which shows the relationship between and emission current. In the figure, 1 is a substrate and 2a is an electron emitting material layer. In each drawing, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 量 神奈川県鎌倉市大船2丁目14番40号 三菱 電機株式会社商品研究所内 (72)発明者 斉藤 正人 神奈川県鎌倉市大船2丁目14番40号 三菱 電機株式会社商品研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−193032(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akira Suzuki 2-14-40 Ofuna, Kamakura-shi, Kanagawa Product Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation (72) Masato Saito 2-14-40 Ofuna, Kamakura-shi, Kanagawa (56) References JP 62-193032 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】主成分がニッケルからなる基体上に、少な
くともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分
とし、スカンジウムの化合物と、ネオジウム,サマリウ
ム,ガドリニウム,ジスプロシウム,ランタン,セリウ
ム,ユウロピウム,イッテルビウムから選ばれた少なく
とも1種の元素の化合物とを含んだ電子放射物質層を被
着したことを特徴とする電子管用陰極。
1. A substrate whose main component is nickel, which contains an alkaline earth metal oxide containing at least barium as a main component and a compound of scandium and neodymium, samarium, gadolinium, dysprosium, lanthanum, cerium, europium, ytterbium. A cathode for an electron tube, wherein an electron emitting material layer containing a compound of at least one element selected from the above is deposited.
JP4031888A 1988-02-23 1988-02-23 Electron tube cathode Expired - Lifetime JPH0787070B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4031888A JPH0787070B2 (en) 1988-02-23 1988-02-23 Electron tube cathode
KR1019880016941A KR910009660B1 (en) 1988-02-23 1988-12-19 Cathode for electron tube
US07/307,709 US4924137A (en) 1988-02-23 1989-02-08 Cathode for electron tube
DE68917174T DE68917174T2 (en) 1988-02-23 1989-02-13 Cathode for an electron tube.
EP89301345A EP0330355B1 (en) 1988-02-23 1989-02-13 Cathode for electron tube
CA000591597A CA1327145C (en) 1988-02-23 1989-02-21 Cathode for electron tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4031888A JPH0787070B2 (en) 1988-02-23 1988-02-23 Electron tube cathode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01213932A JPH01213932A (en) 1989-08-28
JPH0787070B2 true JPH0787070B2 (en) 1995-09-20

Family

ID=12577263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4031888A Expired - Lifetime JPH0787070B2 (en) 1988-02-23 1988-02-23 Electron tube cathode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0787070B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105788996B (en) * 2014-12-22 2018-02-06 中国电子科技集团公司第十二研究所 A kind of submicron film scandium tungsten cathode and preparation method thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62193032A (en) * 1986-02-19 1987-08-24 Mitsubishi Electric Corp Cathode for electron tube

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01213932A (en) 1989-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1327145C (en) Cathode for electron tube
EP0210805B1 (en) Cathode for electron tube
CA2037675C (en) Electron tube cathode
JPS645417B2 (en)
JPH04259725A (en) Oxide cathode
JPH0787070B2 (en) Electron tube cathode
JP4949603B2 (en) Cathode ray tube with composite cathode.
JPH08124476A (en) Cathode for electron tube
JPH06105585B2 (en) Electron tube cathode
JPH0787072B2 (en) Electron tube cathode
JPH0787071B2 (en) Electron tube cathode
KR900003175B1 (en) Cathode in cathode ray tube
JPH01315926A (en) Cathode for electron tube
JPH0743995B2 (en) Electron tube cathode
JPH02288043A (en) Cathode for electron tube
JPH0782804B2 (en) Electron tube cathode
JPH01213933A (en) Cathode of electron tube
JPH0750586B2 (en) Electron tube cathode
JPS6288239A (en) Cathode for electron tube
JP2620580B2 (en) Cathode for electron tube
JPH0626096B2 (en) Electron tube cathode
JPH07211222A (en) Cathode for electron tube
JPH02301930A (en) Cathode for electron tube
JPH0760632B2 (en) Electron tube cathode
JPH07107825B2 (en) Electron tube cathode

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070920

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920

Year of fee payment: 13