JPH0786596B2 - ホログラムの偏光依存性解消方法 - Google Patents
ホログラムの偏光依存性解消方法Info
- Publication number
- JPH0786596B2 JPH0786596B2 JP62332231A JP33223187A JPH0786596B2 JP H0786596 B2 JPH0786596 B2 JP H0786596B2 JP 62332231 A JP62332231 A JP 62332231A JP 33223187 A JP33223187 A JP 33223187A JP H0786596 B2 JPH0786596 B2 JP H0786596B2
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- hologram
- polarized light
- polarization
- light
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ホログラムおよびランダム偏光レーザを用いたレーザス
キャナにおけるホログラムの偏光依存性解消方法に関
し、 ホログラムの偏光依存性の存在を回析光の時点で解消す
ることを目的とし、 ランダム偏光レーザの互いに直交する２つの直線偏光に
対し、結晶軸を45゜の角度にして1/4波長板を配し、1/4
波長板から出射される円偏光をホログラムに入射させ偏
光依存性を解消するように構成する。
キャナにおけるホログラムの偏光依存性解消方法に関
し、 ホログラムの偏光依存性の存在を回析光の時点で解消す
ることを目的とし、 ランダム偏光レーザの互いに直交する２つの直線偏光に
対し、結晶軸を45゜の角度にして1/4波長板を配し、1/4
波長板から出射される円偏光をホログラムに入射させ偏
光依存性を解消するように構成する。
本発明は、ホログラムおよびランダム偏光レーザを用い
たレーザスキャナにおけるホログラムの偏光依存性解消
方法に関する。
たレーザスキャナにおけるホログラムの偏光依存性解消
方法に関する。
ホログラムディスクでは、表面レリーフ型ホログラムが
最も量産性に適しているものである。表面レリーフ型ホ
ログラムの製造方法としては、予め作製されたマスター
（金型）からホトポリマー樹脂の注型によって得る方法
が用いられている。
最も量産性に適しているものである。表面レリーフ型ホ
ログラムの製造方法としては、予め作製されたマスター
（金型）からホトポリマー樹脂の注型によって得る方法
が用いられている。
従来、一般的に直線偏光を円偏光に変換させる素子とし
ては第４図に示すような1/4波長板１が知られている。
これは、互に直交するＳ偏光,P偏光の直線偏光２が1/4
波長板１を通ると円偏光３に変換されるものである。し
かし、この方法では、きれいな円偏光３が得られるとい
う確証がなかった。これは、ホログラムの再生に適用さ
れていたが良好な再生特性を得るものとして適当でなか
った。
ては第４図に示すような1/4波長板１が知られている。
これは、互に直交するＳ偏光,P偏光の直線偏光２が1/4
波長板１を通ると円偏光３に変換されるものである。し
かし、この方法では、きれいな円偏光３が得られるとい
う確証がなかった。これは、ホログラムの再生に適用さ
れていたが良好な再生特性を得るものとして適当でなか
った。
従来、前述の製造方法で得られた表面レリーフ型ホログ
ラムは、光学的特性として偏光依存性の存在が見られ
た。この光学的特性は表面レリーフ格子の構造並びに再
生条件に強く依存していると思われるが、製品コスト上
からランダム偏光レーザで再生すると、ホログラム透過
回析光に出力変動が生じてレーザスキャナの本質的な性
能である読取り率が低下するため、使用できないという
問題があった。
ラムは、光学的特性として偏光依存性の存在が見られ
た。この光学的特性は表面レリーフ格子の構造並びに再
生条件に強く依存していると思われるが、製品コスト上
からランダム偏光レーザで再生すると、ホログラム透過
回析光に出力変動が生じてレーザスキャナの本質的な性
能である読取り率が低下するため、使用できないという
問題があった。
本発明は、ホログラム自身の光学的特性であった偏光依
存性の存在を回析光の時点で解消状態にしてホログラム
透過回析光に出力変動を生ぜしめないホログラムの偏光
依存性解消方法を提供することを目的とする。
存性の存在を回析光の時点で解消状態にしてホログラム
透過回析光に出力変動を生ぜしめないホログラムの偏光
依存性解消方法を提供することを目的とする。
上記問題点は、ランダム偏光レーザの直交する２つの直
線偏光に対し、結晶軸を45゜の角度にして1/4波長板を
配し、1/4波長板から出射される円偏光をホログラムに
入射させて偏光依存性を解消するようにしたことを特徴
とするホログラムの偏光依存性解消方法によって解決が
達成される。
線偏光に対し、結晶軸を45゜の角度にして1/4波長板を
配し、1/4波長板から出射される円偏光をホログラムに
入射させて偏光依存性を解消するようにしたことを特徴
とするホログラムの偏光依存性解消方法によって解決が
達成される。
本発明では、ランダム偏光レーザが互いに直交する２つ
の直線偏光であることに着目し、直線偏光を円偏光に変
換する1/4波長板を、レーザ光の２つの直線偏光に対し
結晶軸を45゜の角度にして配することにより、ホログラ
ムにおける偏光依存性を解消するものである。
の直線偏光であることに着目し、直線偏光を円偏光に変
換する1/4波長板を、レーザ光の２つの直線偏光に対し
結晶軸を45゜の角度にして配することにより、ホログラ
ムにおける偏光依存性を解消するものである。
従って、ホログラムをレーザスキャナで再生するに当り
出力変動を生ぜしめない。
出力変動を生ぜしめない。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明す
る。
る。
第１図は本発明方法の一実施例における説明図である。
４はランダム偏光レーザチューブであり、このランダム
偏光レーザチューブ４からは直交するＳ偏光,P偏光の直
線偏光２が発振して得られる。５は表面レリーフ型のホ
ログラムである。このランダム偏光レーザチューブ４と
ホログラム５との間には1/4波長板１が配されている。
ｘは1/4波長板１の結晶軸方向であり、Ｓ偏光,P偏光に
対し45゜の角度をもって配され、1/4波長板１のレーザ
光出射側には円偏光３が得られるようになっている。６
はホログラム５で生じた透過回析光である。
偏光レーザチューブ４からは直交するＳ偏光,P偏光の直
線偏光２が発振して得られる。５は表面レリーフ型のホ
ログラムである。このランダム偏光レーザチューブ４と
ホログラム５との間には1/4波長板１が配されている。
ｘは1/4波長板１の結晶軸方向であり、Ｓ偏光,P偏光に
対し45゜の角度をもって配され、1/4波長板１のレーザ
光出射側には円偏光３が得られるようになっている。６
はホログラム５で生じた透過回析光である。
このようにＳ偏光,P偏光に対し結晶軸ｘを45゜の角度を
もって1/4波長板１を配すると、円偏光に変換されたレ
ーザ光がホログラム５に入射したときに回析光６の出力
変動がほとんどみられない。
もって1/4波長板１を配すると、円偏光に変換されたレ
ーザ光がホログラム５に入射したときに回析光６の出力
変動がほとんどみられない。
次に、この1/4波長板１の設定方法とその特性結果を第
２図および第３図の特性図によって説明する。
２図および第３図の特性図によって説明する。
まず第２図（Ａ）においてランダム偏光レーザチューブ
４の出力側Ａのランダム偏光レーザを、偏光子７を介し
位置Ｂに直線偏光を得る。この直線偏光に対し偏光子７
と偏光軸を直交するように検光子８を配する。その結
果、検光子８の光の出射側Ｃに光電変換素子９とパワメ
ータ10とを設け、光の受光状態を電気的に検知すると、
出射側Ｃは出力がほぼ零の状態になる。
４の出力側Ａのランダム偏光レーザを、偏光子７を介し
位置Ｂに直線偏光を得る。この直線偏光に対し偏光子７
と偏光軸を直交するように検光子８を配する。その結
果、検光子８の光の出射側Ｃに光電変換素子９とパワメ
ータ10とを設け、光の受光状態を電気的に検知すると、
出射側Ｃは出力がほぼ零の状態になる。
次に、第２図（Ｂ）で示すように第２図（Ａ）における
位置Ｂの所に1/4波長板１を配し、その結晶軸ｘを変化
させる。この変化は、直線偏光に対する角度θ０とする
と、検光子８の出射側Ｃへの出力が最大値となる状態で
θ０が45゜となる。
位置Ｂの所に1/4波長板１を配し、その結晶軸ｘを変化
させる。この変化は、直線偏光に対する角度θ０とする
と、検光子８の出射側Ｃへの出力が最大値となる状態で
θ０が45゜となる。
その後、上記第２図（Ｂ）におけるθ０が45゜となる状
態で第２図（Ｃ）で示すように偏光子７を取り除く。そ
して、検光子８の偏光軸の角度θ１を０〜180゜変化さ
せ、そのときの出力比を得る。
態で第２図（Ｃ）で示すように偏光子７を取り除く。そ
して、検光子８の偏光軸の角度θ１を０〜180゜変化さ
せ、そのときの出力比を得る。
この結果は、第３図によって示される。この特性図は横
軸が検光子８である偏光板の回転角度θ１を示し、縦軸
は偏光度Ｐを示す。偏光度Ｐは、検光子８の出射側Ｃへ
の出力の最大値をImax,出力最長値をIminとして なる関係とする。又、同時に参考のために1/4波長板１
の角度θ０をも変化させた。
軸が検光子８である偏光板の回転角度θ１を示し、縦軸
は偏光度Ｐを示す。偏光度Ｐは、検光子８の出射側Ｃへ
の出力の最大値をImax,出力最長値をIminとして なる関係とする。又、同時に参考のために1/4波長板１
の角度θ０をも変化させた。
その結果、特性図中、θ０＝45度の特性曲線ｔで最小の
偏光度Ｐの周期が得られることが判明される。従って、
このような方法によって、偏光依存性を解消できるもの
である。
偏光度Ｐの周期が得られることが判明される。従って、
このような方法によって、偏光依存性を解消できるもの
である。
以上のように本発明によれば、ランダム偏光レーザの互
いに直交するＳ偏光,P偏光に対し結晶軸を45゜の角度に
して1/4波長板を配し、ホログラムにおける偏光依存性
を解消することができる。
いに直交するＳ偏光,P偏光に対し結晶軸を45゜の角度に
して1/4波長板を配し、ホログラムにおける偏光依存性
を解消することができる。
従って、レーザスキャナによるホログラムの読取りに当
り、読取り率が向上するために、この技術を応用した製
品を高性能化することができるとともに、最も量産に適
している表面レリーフ型ホログラムの読取り率を向上さ
れるため使用可能となる。
り、読取り率が向上するために、この技術を応用した製
品を高性能化することができるとともに、最も量産に適
している表面レリーフ型ホログラムの読取り率を向上さ
れるため使用可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、 第２図は第１図における1/4波長板の設定方法を示す説
明図、 第３図は第２図によって得られた特性結果を示す特性
図、 第４図は1/4波長板の原理を示す説明図である。 1;1/4波長板 2;ランダム偏光レーザの直線偏光 3;円偏光 4;ランダム偏光レーザチューブ 5;ホログラム 6;透過回析光。
明図、 第３図は第２図によって得られた特性結果を示す特性
図、 第４図は1/4波長板の原理を示す説明図である。 1;1/4波長板 2;ランダム偏光レーザの直線偏光 3;円偏光 4;ランダム偏光レーザチューブ 5;ホログラム 6;透過回析光。
Claims (1)
- 【請求項１】ランダム偏光レーザの直交する２つ（S,
P）の直線偏光（２）に対し、結晶軸を45゜の角度にし
て1/4波長板（１）を配し、 前記1/4波長板（１）から出射される円偏光（３）をホ
ログラム（５）に入射させて偏光依存性を解消するよう
にしたことを 特徴とするホログラムの偏光依存性解消方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332231A JPH0786596B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | ホログラムの偏光依存性解消方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332231A JPH0786596B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | ホログラムの偏光依存性解消方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177012A JPH01177012A (ja) | 1989-07-13 |
| JPH0786596B2 true JPH0786596B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=18252640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332231A Expired - Fee Related JPH0786596B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | ホログラムの偏光依存性解消方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786596B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049649B2 (en) | 1995-06-05 | 2006-05-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device and method for fabricating the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2627819B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1997-07-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 光偏向器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58152220A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | ホログラムスキヤナ |
| JPH0668582B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1994-08-31 | 富士通株式会社 | 光走査方法 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62332231A patent/JPH0786596B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049649B2 (en) | 1995-06-05 | 2006-05-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01177012A (ja) | 1989-07-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |