JPH0786484A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止樹脂とそれによって被覆された構成要素
との密着性を向上させる。 【構成】 半導体素子１がリードフレームのダイパッド
部２上にエポキシ系接着剤３で接着搭載し、半導体素子
１を金属細線７でリードフレームのリード部８と接続し
た。ダイパッド部２の底面部には、密着性強化用の金属
板として格子状金属枠１０を設けた。格子状金属枠１０
には複数の各面全面に微細な凹凸をもった銀メッキ層１
１を形成した。ダイパッド部２上の前記半導体素子１
と、リード部８の金属細線７をボンディングした部分と
を覆う形でエポキシ樹脂系の封止樹脂９で封止した。こ
れにより、封止樹脂９に対するアンカー効果が大幅に向
上し、密着性の高い高信頼性の樹脂封止型半導体装置を
実現できた。
との密着性を向上させる。 【構成】 半導体素子１がリードフレームのダイパッド
部２上にエポキシ系接着剤３で接着搭載し、半導体素子
１を金属細線７でリードフレームのリード部８と接続し
た。ダイパッド部２の底面部には、密着性強化用の金属
板として格子状金属枠１０を設けた。格子状金属枠１０
には複数の各面全面に微細な凹凸をもった銀メッキ層１
１を形成した。ダイパッド部２上の前記半導体素子１
と、リード部８の金属細線７をボンディングした部分と
を覆う形でエポキシ樹脂系の封止樹脂９で封止した。こ
れにより、封止樹脂９に対するアンカー効果が大幅に向
上し、密着性の高い高信頼性の樹脂封止型半導体装置を
実現できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を樹脂でモー
ルドしたタイプの樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
ルドしたタイプの樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、樹脂封止型半導体装置の信頼性評
価としての熱衝撃試験において、特に半導体素子を搭載
しているダイパッド下部と封止樹脂との間に剥離が発生
し、その剥離箇所に封止樹脂の吸湿によって水分が溜
り、その水分が熱によって気化、膨張してパッケージク
ラックが発生するという問題がある。前記問題に対して
従来は、以下に示すような技術により対策していた。
価としての熱衝撃試験において、特に半導体素子を搭載
しているダイパッド下部と封止樹脂との間に剥離が発生
し、その剥離箇所に封止樹脂の吸湿によって水分が溜
り、その水分が熱によって気化、膨張してパッケージク
ラックが発生するという問題がある。前記問題に対して
従来は、以下に示すような技術により対策していた。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。図１１は従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図である。図１１において、従来の樹脂封止型半導体
装置は、半導体素子１がリードフレームのダイパッド部
２上にエポキシ系接着剤３により搭載され、前記ダイパ
ッド部２の底面に貫通孔４を有した金属板５がポリイミ
ド樹脂６により貼着されている。そして前記半導体素子
１が金属細線７によりリードフレームのリード部８と接
続されている。そして前記ダイパッド部２上の前記半導
体素子１と、前記リード部８の金属細線７がボンディン
グされた部分とを覆う形で封止樹脂９により封止された
構成となっている。なお、前記ダイパッド部２とリード
部８とにより、リードフレーム構成としている。
て説明する。図１１は従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図である。図１１において、従来の樹脂封止型半導体
装置は、半導体素子１がリードフレームのダイパッド部
２上にエポキシ系接着剤３により搭載され、前記ダイパ
ッド部２の底面に貫通孔４を有した金属板５がポリイミ
ド樹脂６により貼着されている。そして前記半導体素子
１が金属細線７によりリードフレームのリード部８と接
続されている。そして前記ダイパッド部２上の前記半導
体素子１と、前記リード部８の金属細線７がボンディン
グされた部分とを覆う形で封止樹脂９により封止された
構成となっている。なお、前記ダイパッド部２とリード
部８とにより、リードフレーム構成としている。
【０００４】次に従来の樹脂封止型半導体装置の前記金
属板５について、図１２の平面図を参照しながら説明す
る。図１２において、金属板５には、前記封止樹脂９と
の密着性を向上させる目的で、円形の貫通孔４が規則的
に設けられている。
属板５について、図１２の平面図を参照しながら説明す
る。図１２において、金属板５には、前記封止樹脂９と
の密着性を向上させる目的で、円形の貫通孔４が規則的
に設けられている。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置に対して熱衝
撃試験やリフロー実装時の加熱処理を行なった場合、半
導体素子１を搭載しているダイパッド部２底面の金属板
５と封止樹脂９との密着性は、前記金属板５に設けられ
た複数の貫通孔４のアンカー効果により向上させてお
り、すなわちダイパッド部２底面に設けた金属板５の貫
通孔４のアンカー効果によって、密着性を向上させてい
るため、熱ストレスによって金属板５と封止樹脂９との
界面での剥離の発生は防止できる。
撃試験やリフロー実装時の加熱処理を行なった場合、半
導体素子１を搭載しているダイパッド部２底面の金属板
５と封止樹脂９との密着性は、前記金属板５に設けられ
た複数の貫通孔４のアンカー効果により向上させてお
り、すなわちダイパッド部２底面に設けた金属板５の貫
通孔４のアンカー効果によって、密着性を向上させてい
るため、熱ストレスによって金属板５と封止樹脂９との
界面での剥離の発生は防止できる。
【０００６】なお前記アンカー効果とは、二つの物質間
の密着性がその物質間の接触面積に比例して強くなる効
果をいう。
の密着性がその物質間の接触面積に比例して強くなる効
果をいう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、樹脂封止型半導体装置の高信頼性を得るた
めに、年々厳しくなってきている信頼性評価の熱衝撃試
験に対して、貫通孔４を有した金属板５と封止樹脂９と
の密着力は、貫通孔４を設けた金属板５のアンカー効果
程度では、まだまだ全体として密着性不十分であった。
そのため、熱ストレス等の影響によって金属板５と封止
樹脂９との間に剥離が発生し、前記剥離箇所に溜った水
分の気化、膨張によってパッケージクラックが発生して
しまうという課題が残り、密着力向上の必要性が強く求
められていた。
の構成では、樹脂封止型半導体装置の高信頼性を得るた
めに、年々厳しくなってきている信頼性評価の熱衝撃試
験に対して、貫通孔４を有した金属板５と封止樹脂９と
の密着力は、貫通孔４を設けた金属板５のアンカー効果
程度では、まだまだ全体として密着性不十分であった。
そのため、熱ストレス等の影響によって金属板５と封止
樹脂９との間に剥離が発生し、前記剥離箇所に溜った水
分の気化、膨張によってパッケージクラックが発生して
しまうという課題が残り、密着力向上の必要性が強く求
められていた。
【０００８】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、封止樹脂との密着性向上のためダイパッド部底面
に対して、従来の複数の貫通孔を有した金属板を設ける
技術などよりもさらなる密着性向上という技術目的のも
とに生み出されたもので、高信頼性の樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。
あり、封止樹脂との密着性向上のためダイパッド部底面
に対して、従来の複数の貫通孔を有した金属板を設ける
技術などよりもさらなる密着性向上という技術目的のも
とに生み出されたもので、高信頼性の樹脂封止型半導体
装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明にかかる樹脂封止型半導体装置は、以
下のような構成を有している。すなわち、半導体素子を
搭載しているダイパッド部底面に格子状または複数の突
起物または貫通孔を有する金属板が一体となって設けら
れ、前記金属板の表面に金属薄膜が蒸着またはメッキ法
により形成されていることを特徴とする。
るために、本発明にかかる樹脂封止型半導体装置は、以
下のような構成を有している。すなわち、半導体素子を
搭載しているダイパッド部底面に格子状または複数の突
起物または貫通孔を有する金属板が一体となって設けら
れ、前記金属板の表面に金属薄膜が蒸着またはメッキ法
により形成されていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】前記構成によって、ダイパッド部底面に一体と
なって設けられている金属板の表面に蒸着またはメッキ
法により形成された金属薄膜の凹凸形状により、金属板
に設けられた格子面または複数の突起物または貫通孔の
表面積を増加させることができ、金属薄膜の凹凸部の各
面と封止樹脂との密着する表面積増大によるアンカー効
果の増大によって、封止樹脂と金属板との界面での密着
性は、従来の技術よりも大幅に向上できる。
なって設けられている金属板の表面に蒸着またはメッキ
法により形成された金属薄膜の凹凸形状により、金属板
に設けられた格子面または複数の突起物または貫通孔の
表面積を増加させることができ、金属薄膜の凹凸部の各
面と封止樹脂との密着する表面積増大によるアンカー効
果の増大によって、封止樹脂と金属板との界面での密着
性は、従来の技術よりも大幅に向上できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例の樹脂封止型
半導体装置の断面図である。図１に示すように、本実施
例の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子１がリードフ
レームのダイパッド部２上にエポキシ系接着剤３により
搭載され、前記半導体素子１が金属細線７によりリード
フレームのリード部８と接続されている。また前記ダイ
パッド部２の底面部には、金属板として格子状金属枠１
０が高温はんだ（図示せず）で接着させて一体化して設
けられており、その前記格子状金属枠１０は、複数の各
面全面が銀（Ａｇ）メッキ１１により凹凸状の金属薄膜
の被覆処理が施されている。そして前記ダイパッド部２
上の前記半導体素子１と、前記リード部８の金属細線７
がボンディングされた部分とを覆う形でエポキシ樹脂系
の封止樹脂９により封止された構成となっている。な
お、従来同様に前記ダイパッド部２とリード部８とでリ
ードフレームが構成され、これは鉄−チタン−ニッケル
合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）からなる。
半導体装置の断面図である。図１に示すように、本実施
例の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子１がリードフ
レームのダイパッド部２上にエポキシ系接着剤３により
搭載され、前記半導体素子１が金属細線７によりリード
フレームのリード部８と接続されている。また前記ダイ
パッド部２の底面部には、金属板として格子状金属枠１
０が高温はんだ（図示せず）で接着させて一体化して設
けられており、その前記格子状金属枠１０は、複数の各
面全面が銀（Ａｇ）メッキ１１により凹凸状の金属薄膜
の被覆処理が施されている。そして前記ダイパッド部２
上の前記半導体素子１と、前記リード部８の金属細線７
がボンディングされた部分とを覆う形でエポキシ樹脂系
の封止樹脂９により封止された構成となっている。な
お、従来同様に前記ダイパッド部２とリード部８とでリ
ードフレームが構成され、これは鉄−チタン−ニッケル
合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）からなる。
【００１３】次に前記格子状金属枠１０について、図２
および図３を参照しながら説明する。図２は本発明の第
１の実施例における格子状金属枠部の平面図、図３はそ
の部分斜視図である。図２および図３に示す格子状金属
枠の各面は銀メッキ層１１で被覆されているものであ
る。ただし、ダイパッド部２と接合する面は非被覆であ
る。
および図３を参照しながら説明する。図２は本発明の第
１の実施例における格子状金属枠部の平面図、図３はそ
の部分斜視図である。図２および図３に示す格子状金属
枠の各面は銀メッキ層１１で被覆されているものであ
る。ただし、ダイパッド部２と接合する面は非被覆であ
る。
【００１４】図２および図３に示すように、格子状金属
枠１０は、鉄−チタン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎ
ｉ）の金属片を格子枠状に長方形配列した構造である。
その全厚は、ダイパッド部２の厚み以下に設定されてい
るので、３００μｍ以下の厚みである。また格子の数比
は、辺Ａの方が辺Ｂの方よりも多く構成されている。こ
れは、樹脂封止型半導体装置を熱処理した際、辺Ａ方向
の熱ストレスが辺Ｂ方向よりも大きいため、辺Ａ方向の
密着性を向上させるための配列構造である。そして、図
１に示すように、その格子状金属枠１０は、複数の各面
全面が銀メッキ層１１により薄膜凹凸状に金属（銀）膜
が被覆処理が施されたものである。前記格子状金属枠１
０の寸法については、ダイパッド部２と同等の大きさと
する。また、前記格子状金属枠１０の格子形状に関して
は、本実施例中は長方形格子としているが、正方形格
子、長方形格子、ひし形格子または円形格子等、格子状
であればよい。材質は本実施においては、ダイパッド部
２の材質との熱応力差を考慮して、鉄−チタン−ニッケ
ル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）としているが、鉄−チタン
−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）に限定したもので
はなく、リードフレーム材料、メッキ材料、封止樹脂９
との性質を考慮して選択する。
枠１０は、鉄−チタン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎ
ｉ）の金属片を格子枠状に長方形配列した構造である。
その全厚は、ダイパッド部２の厚み以下に設定されてい
るので、３００μｍ以下の厚みである。また格子の数比
は、辺Ａの方が辺Ｂの方よりも多く構成されている。こ
れは、樹脂封止型半導体装置を熱処理した際、辺Ａ方向
の熱ストレスが辺Ｂ方向よりも大きいため、辺Ａ方向の
密着性を向上させるための配列構造である。そして、図
１に示すように、その格子状金属枠１０は、複数の各面
全面が銀メッキ層１１により薄膜凹凸状に金属（銀）膜
が被覆処理が施されたものである。前記格子状金属枠１
０の寸法については、ダイパッド部２と同等の大きさと
する。また、前記格子状金属枠１０の格子形状に関して
は、本実施例中は長方形格子としているが、正方形格
子、長方形格子、ひし形格子または円形格子等、格子状
であればよい。材質は本実施においては、ダイパッド部
２の材質との熱応力差を考慮して、鉄−チタン−ニッケ
ル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）としているが、鉄−チタン
−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）に限定したもので
はなく、リードフレーム材料、メッキ材料、封止樹脂９
との性質を考慮して選択する。
【００１５】前記銀メッキ層１１の被覆処理は、電解を
短時間で集中させた電解メッキ法により、凹凸形状を故
意に析出させ、被覆することができる。また、マスク等
により不要な部分をエッチング処理して、目的とする部
分のみに薄膜凹凸状の銀メッキ層１１を形成することが
できるため、格子状金属枠１０に銀の凹凸状の金属薄膜
を被覆することができる。なお、前記電解メッキ法以外
にも、蒸着技術、たとえばスパッタリングによっても凹
凸形状を有した銀メッキ層１１の被覆処理が可能であ
る。
短時間で集中させた電解メッキ法により、凹凸形状を故
意に析出させ、被覆することができる。また、マスク等
により不要な部分をエッチング処理して、目的とする部
分のみに薄膜凹凸状の銀メッキ層１１を形成することが
できるため、格子状金属枠１０に銀の凹凸状の金属薄膜
を被覆することができる。なお、前記電解メッキ法以外
にも、蒸着技術、たとえばスパッタリングによっても凹
凸形状を有した銀メッキ層１１の被覆処理が可能であ
る。
【００１６】前記金属薄膜である銀メッキ層１１の凹凸
形状は、本実施例では電解メッキ法により形成しやすい
三角錐状としている。凹凸形状が三角錐状である場合、
図４の金属薄膜の凹凸部を示す断面図（拡大図）に示す
ように、凹凸形状の辺ａの表面積ａと辺ｂの表面積ｂと
の和は、辺ｃの表面積ｃ（凹凸がない場合）よりも大き
い。したがって、密着面積の増加によりアンカー効果は
増加し、エポキシ樹脂系の封止樹脂９に対して密着力を
向上できるものである。
形状は、本実施例では電解メッキ法により形成しやすい
三角錐状としている。凹凸形状が三角錐状である場合、
図４の金属薄膜の凹凸部を示す断面図（拡大図）に示す
ように、凹凸形状の辺ａの表面積ａと辺ｂの表面積ｂと
の和は、辺ｃの表面積ｃ（凹凸がない場合）よりも大き
い。したがって、密着面積の増加によりアンカー効果は
増加し、エポキシ樹脂系の封止樹脂９に対して密着力を
向上できるものである。
【００１７】前記銀メッキ層１１の形成は、銀メッキ層
１１による格子状金属枠１０の厚みが増大して、封止樹
脂９により封止した際に樹脂封止型半導体装置全体の厚
さが増大しないように薄く被覆されている。本実施例で
は２０μｍの厚さとした。
１１による格子状金属枠１０の厚みが増大して、封止樹
脂９により封止した際に樹脂封止型半導体装置全体の厚
さが増大しないように薄く被覆されている。本実施例で
は２０μｍの厚さとした。
【００１８】また本実施例では銀メッキ層１１である凹
凸状の金属薄膜は、封止樹脂９であるエポキシ系樹脂と
の密着性、格子状金属枠１０との密着性を考慮して銀
（Ａｇ）としている。
凸状の金属薄膜は、封止樹脂９であるエポキシ系樹脂と
の密着性、格子状金属枠１０との密着性を考慮して銀
（Ａｇ）としている。
【００１９】前記銀メッキ層１１の被覆により、封止樹
脂９と密着する表面積が大幅に増加し、前記銀メッキ層
１１の凹凸部の各面ごとにアンカー効果をもたせること
ができるため、密着性が向上する。したがって、前記格
子状金属枠１０の各面ごとのアンカー効果と前記銀メッ
キ層１１の凹凸部の各面ごとの微細なアンカー効果の二
重のアンカー効果とによって、封止樹脂９で封止した際
の格子状金属枠１０と封止樹脂９との密着性が大幅に向
上する。
脂９と密着する表面積が大幅に増加し、前記銀メッキ層
１１の凹凸部の各面ごとにアンカー効果をもたせること
ができるため、密着性が向上する。したがって、前記格
子状金属枠１０の各面ごとのアンカー効果と前記銀メッ
キ層１１の凹凸部の各面ごとの微細なアンカー効果の二
重のアンカー効果とによって、封止樹脂９で封止した際
の格子状金属枠１０と封止樹脂９との密着性が大幅に向
上する。
【００２０】本実施例の樹脂封止型半導体装置に対し
て、信頼性評価の熱衝撃試験やリフロー実装時の加熱処
理を行なった場合、格子状金属枠１０のアンカー効果
と、前記格子状金属枠１０の複数の各面全面に設けられ
た凹凸状の銀メッキ層１１のアンカー効果の二重のアン
カー効果によって、封止樹脂９と格子状金属枠１０との
界面での密着性を向上させているので、加熱による水分
の気化膨張の影響で封止樹脂９と格子状金属枠１０との
界面で剥離を生じることがない。そのため、パッケージ
クラックの発生を防止することができる。
て、信頼性評価の熱衝撃試験やリフロー実装時の加熱処
理を行なった場合、格子状金属枠１０のアンカー効果
と、前記格子状金属枠１０の複数の各面全面に設けられ
た凹凸状の銀メッキ層１１のアンカー効果の二重のアン
カー効果によって、封止樹脂９と格子状金属枠１０との
界面での密着性を向上させているので、加熱による水分
の気化膨張の影響で封止樹脂９と格子状金属枠１０との
界面で剥離を生じることがない。そのため、パッケージ
クラックの発生を防止することができる。
【００２１】次に、本実施例の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。第１工程として、鉄−チタ
ン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）を材料として、
金型を用いて格子状金属枠１０を成形する。そして、前
記格子状金属枠１０の表面に電解メッキ法により凹凸形
状を析出させて銀メッキ層１１を被覆する。ただし、ダ
イパッド部２との接合面にあたる面には銀メッキ層１１
の被覆は行なわない。
製造方法について説明する。第１工程として、鉄−チタ
ン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）を材料として、
金型を用いて格子状金属枠１０を成形する。そして、前
記格子状金属枠１０の表面に電解メッキ法により凹凸形
状を析出させて銀メッキ層１１を被覆する。ただし、ダ
イパッド部２との接合面にあたる面には銀メッキ層１１
の被覆は行なわない。
【００２２】第２工程として、ダイパッド部２とリード
部８とによるリードフレームに対して、前記ダイパッド
部２の底面に前記第１工程で作製した格子状金属枠１０
を高温はんだにより接合する。
部８とによるリードフレームに対して、前記ダイパッド
部２の底面に前記第１工程で作製した格子状金属枠１０
を高温はんだにより接合する。
【００２３】第３工程として、半導体素子１をリードフ
レームのダイパッド部２上にエポキシ系接着剤３により
接合して搭載する。
レームのダイパッド部２上にエポキシ系接着剤３により
接合して搭載する。
【００２４】第４工程として、ダイパッド部２上に搭載
した半導体素子１上の電極部とリード部８とを電気的に
接続する。前記電気的接続は、金（Ａｕ）またはアルミ
ニウム（Ａｌ）の金属細線７を用いてワイヤーボンドに
より行なう。
した半導体素子１上の電極部とリード部８とを電気的に
接続する。前記電気的接続は、金（Ａｕ）またはアルミ
ニウム（Ａｌ）の金属細線７を用いてワイヤーボンドに
より行なう。
【００２５】最後に、第５工程として、半導体素子１の
全面を覆い、リード部８の前記第４工程でワイヤーボン
ドされた領域までを封止樹脂９により封止する。封止後
はリード部８の先端部を折曲げ加工して樹脂封止型半導
体装置が完成する。
全面を覆い、リード部８の前記第４工程でワイヤーボン
ドされた領域までを封止樹脂９により封止する。封止後
はリード部８の先端部を折曲げ加工して樹脂封止型半導
体装置が完成する。
【００２６】次に本発明の第２の実施例の樹脂封止型半
導体装置について、図５，図６および図７を参照しなが
ら説明する。
導体装置について、図５，図６および図７を参照しなが
ら説明する。
【００２７】本実施例の樹脂封止型半導体装置は、図５
の断面図に示すように、半導体素子１がリードフレーム
のダイパッド部２上にエポキシ系接着剤３により搭載さ
れ、前記半導体素子１が金属細線７によりリードフレー
ムのリード部８と接続されている。ダイパッド部２の底
面部には、貫通孔１２を有した格子状金属枠１３が高温
はんだ（図示せず）で接着、一体化して設けられてお
り、その前記格子状金属枠１３は、複数の各辺全面が銀
メッキ層１１により薄膜凹凸状に被覆処理が施されてい
る。そして、前記ダイパッド部２上の前記半導体素子１
と、前記リード部８の金属細線７がボンディングされた
部分とを覆う形で封止樹脂９により封止された構成とな
っている。
の断面図に示すように、半導体素子１がリードフレーム
のダイパッド部２上にエポキシ系接着剤３により搭載さ
れ、前記半導体素子１が金属細線７によりリードフレー
ムのリード部８と接続されている。ダイパッド部２の底
面部には、貫通孔１２を有した格子状金属枠１３が高温
はんだ（図示せず）で接着、一体化して設けられてお
り、その前記格子状金属枠１３は、複数の各辺全面が銀
メッキ層１１により薄膜凹凸状に被覆処理が施されてい
る。そして、前記ダイパッド部２上の前記半導体素子１
と、前記リード部８の金属細線７がボンディングされた
部分とを覆う形で封止樹脂９により封止された構成とな
っている。
【００２８】本実施例の樹脂封止型半導体装置は、貫通
孔１２を有した格子状金属枠１３を設けている以外に
は、前記第１の実施例に示した樹脂封止型半導体装置と
同様の構成となっている。
孔１２を有した格子状金属枠１３を設けている以外に
は、前記第１の実施例に示した樹脂封止型半導体装置と
同様の構成となっている。
【００２９】次に、前記貫通孔１２を有した格子状金属
枠１３について、図６および図７を参照しながら説明す
る。図６は格子状金属枠部の平面図、図７はその部分斜
視図である。
枠１３について、図６および図７を参照しながら説明す
る。図６は格子状金属枠部の平面図、図７はその部分斜
視図である。
【００３０】図６および図７に示す貫通孔を有する格子
状金属枠の各面は銀メッキ層１１で被覆されている。た
だし、ダイパッド部２と接合する面は被覆されていな
い。
状金属枠の各面は銀メッキ層１１で被覆されている。た
だし、ダイパッド部２と接合する面は被覆されていな
い。
【００３１】図６および図７に示すように、格子状金属
枠１３は、鉄−チタン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎ
ｉ）の金属片を格子枠状に配列した構造であり、前記格
子状金属枠１３の複数の各辺にはそれぞれ貫通孔１２が
形成されている。その厚さは、ダイパッド部２の厚み以
下に設定されているので、３００μｍ以下である。また
格子の数比は、辺Ａの方が辺Ｂの方よりも多く構成され
ている。これは、樹脂封止型半導体装置を熱処理した
際、辺Ａ方向の熱ストレスが辺Ｂ方向よりも大きく、辺
Ａ方向の密着性を向上させるための配列構造である。ま
た、前記貫通孔１２の孔径はパッケージの大きさにより
異なるが、１００μｍ程度のものであり、金型等を使用
して形成することができる。そして、前記格子状金属枠
１３は、複数の各面が銀メッキ層１１により薄膜凹凸状
に被覆処理が施されたものである。格子状金属枠１３の
貫通孔１２の内部も銀メッキ層１１により被覆されてい
る。
枠１３は、鉄−チタン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎ
ｉ）の金属片を格子枠状に配列した構造であり、前記格
子状金属枠１３の複数の各辺にはそれぞれ貫通孔１２が
形成されている。その厚さは、ダイパッド部２の厚み以
下に設定されているので、３００μｍ以下である。また
格子の数比は、辺Ａの方が辺Ｂの方よりも多く構成され
ている。これは、樹脂封止型半導体装置を熱処理した
際、辺Ａ方向の熱ストレスが辺Ｂ方向よりも大きく、辺
Ａ方向の密着性を向上させるための配列構造である。ま
た、前記貫通孔１２の孔径はパッケージの大きさにより
異なるが、１００μｍ程度のものであり、金型等を使用
して形成することができる。そして、前記格子状金属枠
１３は、複数の各面が銀メッキ層１１により薄膜凹凸状
に被覆処理が施されたものである。格子状金属枠１３の
貫通孔１２の内部も銀メッキ層１１により被覆されてい
る。
【００３２】また、前記格子状金属枠１３の寸法につい
ては、前記第１の実施例と同様、ダイパッド部２と同等
の大きさとする。格子状金属枠１３の格子形状に関して
は、本実施例中は長方形格子としているが、正方形格
子、長方形格子、ひし形格子または円形格子等の格子状
であればよい。その材質は鉄−チタン−ニッケル合金
（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）に限定されるものではなく、リー
ドフレーム材料、メッキ材料、封止樹脂９との性質を考
慮して選択すればよい。
ては、前記第１の実施例と同様、ダイパッド部２と同等
の大きさとする。格子状金属枠１３の格子形状に関して
は、本実施例中は長方形格子としているが、正方形格
子、長方形格子、ひし形格子または円形格子等の格子状
であればよい。その材質は鉄−チタン−ニッケル合金
（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）に限定されるものではなく、リー
ドフレーム材料、メッキ材料、封止樹脂９との性質を考
慮して選択すればよい。
【００３３】なお、前記銀メッキ層１１の被覆処理は、
銀メッキ層１１により格子状金属枠１３の厚みが増大し
て封止樹脂９により封止した際に樹脂封止型半導体装置
全体の厚さが増大しないように、２０μｍ厚で薄く被覆
されている。
銀メッキ層１１により格子状金属枠１３の厚みが増大し
て封止樹脂９により封止した際に樹脂封止型半導体装置
全体の厚さが増大しないように、２０μｍ厚で薄く被覆
されている。
【００３４】前記銀メッキ層１１の形成は、前記第１の
実施例に記載したのと同様な電解メッキ法または蒸着技
術でも可能である。また、凹凸状の金属薄膜である銀メ
ッキ層１１は、前記第１の実施例に記載したのと同様
に、密着性を考慮して銀（Ａｇ）としている。
実施例に記載したのと同様な電解メッキ法または蒸着技
術でも可能である。また、凹凸状の金属薄膜である銀メ
ッキ層１１は、前記第１の実施例に記載したのと同様
に、密着性を考慮して銀（Ａｇ）としている。
【００３５】前記銀メッキ層１１の被覆により、樹脂封
止した際の格子状金属枠１３と封止樹脂９との密着性が
向上する。したがって、本実施例においては、前記格子
状金属枠１３の各面ごとのアンカー効果と前記銀メッキ
層１１の凹凸部の各面ごとの微細なアンカー効果に加え
て、前記格子状金属枠１３の各面にそれぞれ複数個設け
られた貫通孔１２のアンカー効果が加わるので、樹脂封
止した際の格子状金属枠１３と封止樹脂９との密着性
が、前記第１の実施例以上に大幅に向上する。
止した際の格子状金属枠１３と封止樹脂９との密着性が
向上する。したがって、本実施例においては、前記格子
状金属枠１３の各面ごとのアンカー効果と前記銀メッキ
層１１の凹凸部の各面ごとの微細なアンカー効果に加え
て、前記格子状金属枠１３の各面にそれぞれ複数個設け
られた貫通孔１２のアンカー効果が加わるので、樹脂封
止した際の格子状金属枠１３と封止樹脂９との密着性
が、前記第１の実施例以上に大幅に向上する。
【００３６】本実施例の樹脂封止型半導体装置に対し
て、信頼性評価の熱衝撃試験やリフロー実装時の加熱処
理を行なった場合、格子状金属枠１３のアンカー効果
と、各面に設けられた貫通孔１２のアンカー効果および
前記格子状金属枠１３の複数の各辺全面に設けられた凹
凸状の銀メッキ層１１による微細なアンカー効果の三重
のアンカー効果によって、封止樹脂９と格子状金属枠１
３との界面での密着性は大幅に向上させているので、加
熱による水分の気化膨張の影響で、封止樹脂９と格子状
金属枠１３との界面で剥離を生じることはない。そのた
め、パッケージクラックの発生を防止することができ
る。
て、信頼性評価の熱衝撃試験やリフロー実装時の加熱処
理を行なった場合、格子状金属枠１３のアンカー効果
と、各面に設けられた貫通孔１２のアンカー効果および
前記格子状金属枠１３の複数の各辺全面に設けられた凹
凸状の銀メッキ層１１による微細なアンカー効果の三重
のアンカー効果によって、封止樹脂９と格子状金属枠１
３との界面での密着性は大幅に向上させているので、加
熱による水分の気化膨張の影響で、封止樹脂９と格子状
金属枠１３との界面で剥離を生じることはない。そのた
め、パッケージクラックの発生を防止することができ
る。
【００３７】本実施例の樹脂封止型半導体装置の製造方
法については、第１工程が各面に複数の貫通孔１２を有
する格子状金属枠１３を成形する工程である以外は、前
記第１の実施例と同様な方法である。
法については、第１工程が各面に複数の貫通孔１２を有
する格子状金属枠１３を成形する工程である以外は、前
記第１の実施例と同様な方法である。
【００３８】次に本発明の第３の実施例の樹脂封止型半
導体装置について、図８，図９および図１０を参照しな
がら説明する。図８は本発明の第３の実施例の樹脂封止
型半導体装置の構成を示す断面図である。
導体装置について、図８，図９および図１０を参照しな
がら説明する。図８は本発明の第３の実施例の樹脂封止
型半導体装置の構成を示す断面図である。
【００３９】図８において本実施例の樹脂封止型半導体
装置は、半導体素子１がリードフレームのダイパッド部
２上にエポキシ系接着剤３により接着搭載され、前記半
導体素子１が金属細線７によりリードフレームのリード
部８と接続されている。また前記ダイパッド部２の底面
部には、複数の突起物１４よりなる金属柵体１５が高温
はんだ（図示せず）で接着させて一体化して設けられて
おり、その前記金属柵体１５は、表面が銀メッキ層１１
により薄膜凹凸状に被覆処理が施されている。そして前
記ダイパッド部２上の前記半導体素子１と、前記リード
部８の金属細線７がボンディングされた部分とを覆う形
で封止樹脂９により封止された構成となっている。
装置は、半導体素子１がリードフレームのダイパッド部
２上にエポキシ系接着剤３により接着搭載され、前記半
導体素子１が金属細線７によりリードフレームのリード
部８と接続されている。また前記ダイパッド部２の底面
部には、複数の突起物１４よりなる金属柵体１５が高温
はんだ（図示せず）で接着させて一体化して設けられて
おり、その前記金属柵体１５は、表面が銀メッキ層１１
により薄膜凹凸状に被覆処理が施されている。そして前
記ダイパッド部２上の前記半導体素子１と、前記リード
部８の金属細線７がボンディングされた部分とを覆う形
で封止樹脂９により封止された構成となっている。
【００４０】本実施例に示す樹脂封止型半導体装置は、
複数の突起物１４よりなる金属柵体１５を設けている以
外は、前記第１または第２の実施例に示した樹脂封止型
半導体装置と同様の構成となっている。
複数の突起物１４よりなる金属柵体１５を設けている以
外は、前記第１または第２の実施例に示した樹脂封止型
半導体装置と同様の構成となっている。
【００４１】次に前記複数の突起物１４よりなる金属柵
体１５について、図９および図１０を参照しながら説明
する。図９は本発明の第３の実施例の樹脂封止型半導体
装置の複数の突起物よりなる金属柵体の構成を示す平面
図である。図１０は本発明の第３の実施例の樹脂封止型
半導体装置の複数の突起物よりなる金属柵体を示す部分
斜視図である。図９および図１０に示す複数の突起物よ
りなる金属柵体の各面は銀メッキ層１１で被覆されてい
るものである。ただし、ダイパッド部２と接合する面は
非被覆である。
体１５について、図９および図１０を参照しながら説明
する。図９は本発明の第３の実施例の樹脂封止型半導体
装置の複数の突起物よりなる金属柵体の構成を示す平面
図である。図１０は本発明の第３の実施例の樹脂封止型
半導体装置の複数の突起物よりなる金属柵体を示す部分
斜視図である。図９および図１０に示す複数の突起物よ
りなる金属柵体の各面は銀メッキ層１１で被覆されてい
るものである。ただし、ダイパッド部２と接合する面は
非被覆である。
【００４２】図９および図１０に示すように、複数の突
起物１４よりなる金属柵体１５は、鉄−チタン−ニッケ
ル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）の金属により、金型によっ
て成形する。他には、平坦な金属板に対して、パンチ等
の押し出しによっても形成可能である。前記金属柵体１
５の寸法については、前記第１または第２の実施例に記
載したのと同様、ダイパッド部２と同等の大きさとす
る。そして金属柵体１５の突起物１４の数比は、辺Ａの
方が辺Ｂの方よりも多く構成されている。これは、樹脂
封止型半導体装置を熱処理した際、辺Ａ方向の熱ストレ
スが辺Ｂ方向よりも大きく、辺Ａ方向の密着性を向上さ
せるための配列構造である。
起物１４よりなる金属柵体１５は、鉄−チタン−ニッケ
ル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）の金属により、金型によっ
て成形する。他には、平坦な金属板に対して、パンチ等
の押し出しによっても形成可能である。前記金属柵体１
５の寸法については、前記第１または第２の実施例に記
載したのと同様、ダイパッド部２と同等の大きさとす
る。そして金属柵体１５の突起物１４の数比は、辺Ａの
方が辺Ｂの方よりも多く構成されている。これは、樹脂
封止型半導体装置を熱処理した際、辺Ａ方向の熱ストレ
スが辺Ｂ方向よりも大きく、辺Ａ方向の密着性を向上さ
せるための配列構造である。
【００４３】前記複数の突起物１４よりなる金属柵体１
５の前記突起物１４の配列は、本実施例中においては、
直線状に配列しているが、斜向直線状などであっても一
定の規則性をもった配列であればよい。材質は鉄−チタ
ン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）に限定したもの
ではなく、リードフレーム材料、メッキ材料、封止樹脂
との性質を考慮して選択する。
５の前記突起物１４の配列は、本実施例中においては、
直線状に配列しているが、斜向直線状などであっても一
定の規則性をもった配列であればよい。材質は鉄−チタ
ン−ニッケル合金（Ｆｅ−Ｔｉ−Ｎｉ）に限定したもの
ではなく、リードフレーム材料、メッキ材料、封止樹脂
との性質を考慮して選択する。
【００４４】複数の突起物１４の高さは、ダイパッド部
２の厚み以下に設定されているので、３００μｍ以下の
厚みである。また複数の突起物１４の太さはパッケージ
の大きさにより異なるが、それぞれほぼ１００μｍであ
る。そして前記突起物１４の数は、金属柵体１５自体の
大きさによって設定するものである。また本実施例では
突起物１４は角柱状の突起物としているが、円柱状の形
状でもかまわない。
２の厚み以下に設定されているので、３００μｍ以下の
厚みである。また複数の突起物１４の太さはパッケージ
の大きさにより異なるが、それぞれほぼ１００μｍであ
る。そして前記突起物１４の数は、金属柵体１５自体の
大きさによって設定するものである。また本実施例では
突起物１４は角柱状の突起物としているが、円柱状の形
状でもかまわない。
【００４５】なお前記銀メッキ層１１の形成は、銀メッ
キ層１１により金属柵体１５の全厚が増大して樹脂封止
した際に、樹脂封止型半導体装置全体の厚さが増大しな
いように、２０μｍ厚で薄く被覆されている。
キ層１１により金属柵体１５の全厚が増大して樹脂封止
した際に、樹脂封止型半導体装置全体の厚さが増大しな
いように、２０μｍ厚で薄く被覆されている。
【００４６】前記銀メッキ層１１の被覆処理は、前記第
１または第２の実施例と同様な電解メッキ法または蒸着
技術でも可能である。また凹凸状の金属薄膜である銀メ
ッキ層１１の材質は、前記第１または第２の実施例に記
載したのと同様に、密着性を考慮して銀（Ａｇ）として
いる。
１または第２の実施例と同様な電解メッキ法または蒸着
技術でも可能である。また凹凸状の金属薄膜である銀メ
ッキ層１１の材質は、前記第１または第２の実施例に記
載したのと同様に、密着性を考慮して銀（Ａｇ）として
いる。
【００４７】前記銀メッキ層１１の被覆によりアンカー
効果が向上し、樹脂封止した際に金属柵体１５と封止樹
脂９との密着性が向上する。したがって、本実施例にお
いては、前記金属柵体１５の複数の突起物１４の各面ご
とのアンカー効果と前記銀メッキ層１１の凹凸部の各面
ごとの微細なアンカー効果の二重のアンカー効果によっ
て、樹脂封止した際の金属柵体１５と封止樹脂９との密
着性が大幅に向上する。
効果が向上し、樹脂封止した際に金属柵体１５と封止樹
脂９との密着性が向上する。したがって、本実施例にお
いては、前記金属柵体１５の複数の突起物１４の各面ご
とのアンカー効果と前記銀メッキ層１１の凹凸部の各面
ごとの微細なアンカー効果の二重のアンカー効果によっ
て、樹脂封止した際の金属柵体１５と封止樹脂９との密
着性が大幅に向上する。
【００４８】本実施例の樹脂封止型半導体装置に対し
て、信頼性評価の熱衝撃試験やリフロー実装時の加熱処
理を行なった場合、金属柵体１５の複数の突起物１４の
アンカー効果および前記金属柵体１５の表面に設けられ
た凹凸状の銀メッキ層１１による微細なアンカー効果に
よって、封止樹脂９と金属柵体１５との界面での密着性
は大幅に向上されているので、加熱による水分の気化膨
張の影響で、封止樹脂９と金属柵体１５との界面で剥離
を生じることはない。そのため、パッケージクラックの
発生を防止することができる。
て、信頼性評価の熱衝撃試験やリフロー実装時の加熱処
理を行なった場合、金属柵体１５の複数の突起物１４の
アンカー効果および前記金属柵体１５の表面に設けられ
た凹凸状の銀メッキ層１１による微細なアンカー効果に
よって、封止樹脂９と金属柵体１５との界面での密着性
は大幅に向上されているので、加熱による水分の気化膨
張の影響で、封止樹脂９と金属柵体１５との界面で剥離
を生じることはない。そのため、パッケージクラックの
発生を防止することができる。
【００４９】本実施例の樹脂封止型半導体装置の製造方
法については、第１工程が、複数の突起物１４よりなる
金属柵体１５を成形する工程である以外は、前記第１の
実施例または前記第２の実施例と同様な方法である。
法については、第１工程が、複数の突起物１４よりなる
金属柵体１５を成形する工程である以外は、前記第１の
実施例または前記第２の実施例と同様な方法である。
【００５０】またその他の実施例として、前記第３の実
施例に示した樹脂封止型半導体装置において、複数の突
起物１４よりなる金属柵体１５の前記複数の突起物１４
の各面または金属柵体底面に貫通孔を備えたものがあ
る。勿論、金属柵体の表面には、表面が凹凸形状を有し
た金属薄膜である銀メッキが設けられている。前記貫通
孔を各面に備えた複数の突起物より成る金属柵体をダイ
パッド部底面に設けることにより、前記第３の実施例に
示した金属柵体自身のアンカー効果と銀メッキによる微
細なアンカー効果に加えて、突起物の各面に貫通孔を備
えているので、前記貫通孔によるアンカー効果が加わ
り、金属柵体と封止樹脂との界面に、前記第３の実施例
に示した以上のさらに強い密着性が生じる。前記構成に
よって、密着性が向上し、パッケージクラックを防止し
た信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が実現できる。
施例に示した樹脂封止型半導体装置において、複数の突
起物１４よりなる金属柵体１５の前記複数の突起物１４
の各面または金属柵体底面に貫通孔を備えたものがあ
る。勿論、金属柵体の表面には、表面が凹凸形状を有し
た金属薄膜である銀メッキが設けられている。前記貫通
孔を各面に備えた複数の突起物より成る金属柵体をダイ
パッド部底面に設けることにより、前記第３の実施例に
示した金属柵体自身のアンカー効果と銀メッキによる微
細なアンカー効果に加えて、突起物の各面に貫通孔を備
えているので、前記貫通孔によるアンカー効果が加わ
り、金属柵体と封止樹脂との界面に、前記第３の実施例
に示した以上のさらに強い密着性が生じる。前記構成に
よって、密着性が向上し、パッケージクラックを防止し
た信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が実現できる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置によれ
ば、封止樹脂とダイパッド部底面に設けた金属板との密
着性において、金属板表面に形成された表面が凹凸形状
を有した金属薄膜によるアンカー効果の増大によって、
密着性は大幅に向上する。したがって、厳しい条件での
熱衝撃試験によっても、封止樹脂と金属板との界面で剥
離を生じることはなくなり、パッケージクラックの発生
を防止でき、年々高まる樹脂封止型半導体装置に求めら
れている信頼性を大幅に向上できる。
ば、封止樹脂とダイパッド部底面に設けた金属板との密
着性において、金属板表面に形成された表面が凹凸形状
を有した金属薄膜によるアンカー効果の増大によって、
密着性は大幅に向上する。したがって、厳しい条件での
熱衝撃試験によっても、封止樹脂と金属板との界面で剥
離を生じることはなくなり、パッケージクラックの発生
を防止でき、年々高まる樹脂封止型半導体装置に求めら
れている信頼性を大幅に向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置
の断面図
の断面図
【図２】本発明の第１の実施例における格子状金属枠部
の平面図
の平面図
【図３】本発明の第１の実施例における格子状金属枠部
の部分斜視図
の部分斜視図
【図４】本発明の第１の実施例における金属薄膜の凹凸
部を示す断面図
部を示す断面図
【図５】本発明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装置
の断面図
の断面図
【図６】本発明の第２の実施例における格子状金属枠部
の平面図
の平面図
【図７】本発明の第２の実施例における格子状金属枠部
の部分斜視図
の部分斜視図
【図８】本発明の第３の実施例の樹脂封止型半導体装置
の断面図
の断面図
【図９】本発明の第３の実施例における金属柵体の平面
図
図
【図１０】本発明の第３の実施例における金属柵体の部
分斜視図
分斜視図
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図
【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置の金属板の平面
図
図
１ 半導体素子 ２ ダイパッド部 ３ エポキシ系接着剤 ７ 金属細線 ８ リード部 ９ 封止樹脂 １０ 格子状金属枠 １１ 銀メッキ層 １２ 貫通孔 １３ 格子状金属枠 １４ 突起物 １５ 金属柵体
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載しているダイパッド部
底面に格子状金属枠が一体となって設けられ、前記格子
状金属枠の表面に金属薄膜が形成されていることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 格子状金属枠の表面に形成された金属薄
膜が蒸着法またはメッキ法により形成されていることを
特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 格子状金属枠の格子金属辺各面に貫通孔
を備えていることを特徴とする請求項１または請求項２
記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体素子を搭載しているダイパッド部
底面に複数の突起物を有する金属柵体が一体となって設
けられ、前記金属柵体の表面に金属薄膜が形成されてい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 金属柵体の表面に形成された金属薄膜が
蒸着法またはメッキ法により形成されていることを特徴
とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 金属柵体に貫通孔を備えていることを特
徴とする請求項４または請求項５記載の樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22857693A JPH0786484A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22857693A JPH0786484A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786484A true JPH0786484A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16878534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22857693A Pending JPH0786484A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786484A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6930377B1 (en) * | 2002-12-04 | 2005-08-16 | National Semiconductor Corporation | Using adhesive materials as insulation coatings for leadless lead frame semiconductor packages |
| JP2008311644A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Hectotek Corp | 発光ダイオードパッケージのベースユニット |
| JP2014060370A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
| JP2017135286A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| EP4124678A1 (en) * | 2021-07-28 | 2023-02-01 | Mitsui High-Tec, Inc. | Metal component |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP22857693A patent/JPH0786484A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6930377B1 (en) * | 2002-12-04 | 2005-08-16 | National Semiconductor Corporation | Using adhesive materials as insulation coatings for leadless lead frame semiconductor packages |
| JP2008311644A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Hectotek Corp | 発光ダイオードパッケージのベースユニット |
| JP2014060370A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
| JP2017135286A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| EP4124678A1 (en) * | 2021-07-28 | 2023-02-01 | Mitsui High-Tec, Inc. | Metal component |
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