JPH0786074A - 半導体コンデンサ - Google Patents
半導体コンデンサInfo
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- JPH0786074A JPH0786074A JP18882093A JP18882093A JPH0786074A JP H0786074 A JPH0786074 A JP H0786074A JP 18882093 A JP18882093 A JP 18882093A JP 18882093 A JP18882093 A JP 18882093A JP H0786074 A JPH0786074 A JP H0786074A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な製造工程を必要とせず、生産性に優
れ、かつ、小型で大容量の半導体コンデンサを提供す
る。 【構成】 金属基体１と、前記金属基体１の表面に形成
された、金属基体１を構成する金属を含む複合酸化物半
導体薄膜２と、前記複合酸化物半導体薄膜２を介して前
記金属基体１と対向する対向電極３とを具備する。
れ、かつ、小型で大容量の半導体コンデンサを提供す
る。 【構成】 金属基体１と、前記金属基体１の表面に形成
された、金属基体１を構成する金属を含む複合酸化物半
導体薄膜２と、前記複合酸化物半導体薄膜２を介して前
記金属基体１と対向する対向電極３とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンデンサに関し、
詳しくは、複合酸化物半導体薄膜を用いた半導体コンデ
ンサに関する。
詳しくは、複合酸化物半導体薄膜を用いた半導体コンデ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体コンデンサとしては、従来より、
堰層容量型、粒界絶縁型及び還元再酸化型などの種々の
タイプの半導体コンデンサが実用に供されている。
堰層容量型、粒界絶縁型及び還元再酸化型などの種々の
タイプの半導体コンデンサが実用に供されている。
【０００３】そして、これらの半導体コンデンサのう
ち、堰層容量型半導体コンデンサは、大きな容量を得る
ことができるという特徴を有している。すなわち、堰層
は整流性を有しており、半導体側を正として電圧を加え
たとき、逆方向バイアスとなって電流が流れにくくな
り、半導体と金属の間に大きな静電容量が形成される。
ち、堰層容量型半導体コンデンサは、大きな容量を得る
ことができるという特徴を有している。すなわち、堰層
は整流性を有しており、半導体側を正として電圧を加え
たとき、逆方向バイアスとなって電流が流れにくくな
り、半導体と金属の間に大きな静電容量が形成される。
【０００４】また、粒界絶縁型半導体コンデンサは、堰
層が各結晶粒ごとに分布しているので等価的に多層誘電
体となる。この粒界絶縁型半導体コンデンサは、堰層容
量型半導体コンデンサと比べて堰層の数が多くなるの
で、誘電体としての有効厚みを大きくとることが容易
で、定格電圧の高い半導体コンデンサが得られる。
層が各結晶粒ごとに分布しているので等価的に多層誘電
体となる。この粒界絶縁型半導体コンデンサは、堰層容
量型半導体コンデンサと比べて堰層の数が多くなるの
で、誘電体としての有効厚みを大きくとることが容易
で、定格電圧の高い半導体コンデンサが得られる。
【０００５】さらに、還元再酸化型コンデンサは、上記
の堰層容量型半導体コンデンサと還元再酸化型半導体コ
ンデンサの中間の特性を有している。
の堰層容量型半導体コンデンサと還元再酸化型半導体コ
ンデンサの中間の特性を有している。
【０００６】上記従来の半導体コンデンサは、いずれも
チタン酸バリウム系半導体磁器を利用したものであり、
従来の高誘電率系磁器コンデンサに比べて小型大容量化
が可能であるという特徴を有している。
チタン酸バリウム系半導体磁器を利用したものであり、
従来の高誘電率系磁器コンデンサに比べて小型大容量化
が可能であるという特徴を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の半
導体コンデンサにおいては、その構成材料である半導体
を得るために、原料を還元雰囲気下で焼成することが必
要であったり、還元雰囲気下での焼成後に粒界を絶縁化
するために酸化剤を塗布して再焼成するという２段階焼
成が必要であったりすることから、製造工程が複雑で、
生産性が低いという問題点がある。
導体コンデンサにおいては、その構成材料である半導体
を得るために、原料を還元雰囲気下で焼成することが必
要であったり、還元雰囲気下での焼成後に粒界を絶縁化
するために酸化剤を塗布して再焼成するという２段階焼
成が必要であったりすることから、製造工程が複雑で、
生産性が低いという問題点がある。
【０００８】また、品質を維持するために、高精度の条
件管理が必要であり、この点からも生産効率を向上させ
ることは困難である。
件管理が必要であり、この点からも生産効率を向上させ
ることは困難である。
【０００９】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、複雑な製造工程を必要とせず、生産性に優れ、か
つ、小型で大容量の半導体コンデンサを提供することを
目的とする。
あり、複雑な製造工程を必要とせず、生産性に優れ、か
つ、小型で大容量の半導体コンデンサを提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の半導体コンデンサは、金属基体と、前記
金属基体の表面に形成された、前記金属基体を構成する
金属を含む複合酸化物半導体薄膜と、前記複合酸化物半
導体薄膜を介して前記金属基体と対向する対向電極とを
具備することを特徴とする。
に、この発明の半導体コンデンサは、金属基体と、前記
金属基体の表面に形成された、前記金属基体を構成する
金属を含む複合酸化物半導体薄膜と、前記複合酸化物半
導体薄膜を介して前記金属基体と対向する対向電極とを
具備することを特徴とする。
【００１１】また、前記金属基体が多孔体であることを
特徴とする。
特徴とする。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。
する。
【００１３】実施例１ 図１は、この実施例にかかる半導体コンデンサを示す断
面図である。この半導体コンデンサは、チタン金属基板
（金属基体）１上にチタン酸バリウム系半導体薄膜（複
合酸化物半導体薄膜）２を配設するとともに、チタン酸
バリウム系半導体薄膜２上に銀電極（対向電極）３を配
設し、さらに、銀電極３に取出しリード線４を取り付
け、全体を外装樹脂５で被覆することにより形成されて
いる。
面図である。この半導体コンデンサは、チタン金属基板
（金属基体）１上にチタン酸バリウム系半導体薄膜（複
合酸化物半導体薄膜）２を配設するとともに、チタン酸
バリウム系半導体薄膜２上に銀電極（対向電極）３を配
設し、さらに、銀電極３に取出しリード線４を取り付
け、全体を外装樹脂５で被覆することにより形成されて
いる。
【００１４】次に、この半導体コンデンサの製造方法に
ついて説明する。この半導体コンデンサを製造するにあ
たっては、まず、チタン金属基板１の両面をフッ化水素
（ＨＦ）水溶液を用いて処理することにより付着物を除
去するとともに、その表面積を増大させる。
ついて説明する。この半導体コンデンサを製造するにあ
たっては、まず、チタン金属基板１の両面をフッ化水素
（ＨＦ）水溶液を用いて処理することにより付着物を除
去するとともに、その表面積を増大させる。
【００１５】それから、このチタン金属基板１を超音波
洗浄した後、０．５mol／L水酸化バリウム水溶液に浸漬
し、９５℃の温度で１時間化成処理を行い、チタン金属
基板１の表面にチタン酸バリウム系半導体薄膜２を直接
形成する。
洗浄した後、０．５mol／L水酸化バリウム水溶液に浸漬
し、９５℃の温度で１時間化成処理を行い、チタン金属
基板１の表面にチタン酸バリウム系半導体薄膜２を直接
形成する。
【００１６】次に、チタン金属基板１の表面にチタン酸
バリウム系半導体薄膜２が形成された複合体の両面に銀
を蒸着することにより、銀電極３を形成する。そして、
この銀電極３に取出しリード線４を取り付けることによ
り半導体コンデンサ素子を得る。
バリウム系半導体薄膜２が形成された複合体の両面に銀
を蒸着することにより、銀電極３を形成する。そして、
この銀電極３に取出しリード線４を取り付けることによ
り半導体コンデンサ素子を得る。
【００１７】それから、この半導体コンデンサ素子全体
を液体エポキシ樹脂に浸漬して、エポキシ樹脂（外装樹
脂）５による外装を行うことにより、図１に示すような
半導体コンデンサを得る。
を液体エポキシ樹脂に浸漬して、エポキシ樹脂（外装樹
脂）５による外装を行うことにより、図１に示すような
半導体コンデンサを得る。
【００１８】このようにして得られた半導体コンデンサ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：６２ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：３．２×１０7Ω 絶縁破壊電圧 ：８Ｖ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：６２ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：３．２×１０7Ω 絶縁破壊電圧 ：８Ｖ
【００１９】実施例２ 以下の方法により、上記実施例１（図１）と同様の半導
体コンデンサを作製した。
体コンデンサを作製した。
【００２０】まず、チタン金属基板（金属基体）１の両
面をＨＦ水溶液を用いて処理することにより付着物を除
去するとともに、その表面積を増大させる。
面をＨＦ水溶液を用いて処理することにより付着物を除
去するとともに、その表面積を増大させる。
【００２１】それから、このチタン金属基板１を超音波
洗浄した後、０．５mol／L水酸化バリウム水溶液（処理
溶液）に浸漬し、チタン金属基板１を陽極に、白金プレ
ート（図示せず）を対極に用いて、１５０℃の温度で、
１２Ｖの定電圧電解を行う水熱電気化学処理を１時間施
し、チタン金属基板１の表面にチタン酸バリウム系半導
体薄膜２を直接形成する。
洗浄した後、０．５mol／L水酸化バリウム水溶液（処理
溶液）に浸漬し、チタン金属基板１を陽極に、白金プレ
ート（図示せず）を対極に用いて、１５０℃の温度で、
１２Ｖの定電圧電解を行う水熱電気化学処理を１時間施
し、チタン金属基板１の表面にチタン酸バリウム系半導
体薄膜２を直接形成する。
【００２２】次に、チタン金属基板１の表面にチタン酸
バリウム系半導体薄膜２が形成された複合体の両面に銀
を蒸着することにより、銀電極３を形成する。そして、
この銀電極３に取出しリード線４を取り付けることによ
り半導体コンデンサ素子を得る。
バリウム系半導体薄膜２が形成された複合体の両面に銀
を蒸着することにより、銀電極３を形成する。そして、
この銀電極３に取出しリード線４を取り付けることによ
り半導体コンデンサ素子を得る。
【００２３】それから、この半導体コンデンサ素子全体
を外装樹脂である液体エポキシ樹脂に浸漬して、エポキ
シ樹脂（外装樹脂）５による外装を行うことにより図１
に示す半導体コンデンサと同様の半導体コンデンサを得
る。
を外装樹脂である液体エポキシ樹脂に浸漬して、エポキ
シ樹脂（外装樹脂）５による外装を行うことにより図１
に示す半導体コンデンサと同様の半導体コンデンサを得
る。
【００２４】このようにして得られた半導体コンデンサ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．２×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：１２Ｖ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：１．２×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：１２Ｖ
【００２５】実施例３ 図２は、この実施例にかかる半導体コンデンサを示す断
面図である。この半導体コンデンサは、チタン金属基板
（金属基体）１上にチタン酸バリウム系半導体薄膜（複
合酸化物半導体薄膜）２を配設するとともに、チタン酸
バリウム系半導体薄膜２上に酸化銅薄膜６及び銀電極
（対向電極）３を配設し、さらに、銀電極３に取出しリ
ード線４を取り付け、全体を外装樹脂５で被覆すること
により形成されている。
面図である。この半導体コンデンサは、チタン金属基板
（金属基体）１上にチタン酸バリウム系半導体薄膜（複
合酸化物半導体薄膜）２を配設するとともに、チタン酸
バリウム系半導体薄膜２上に酸化銅薄膜６及び銀電極
（対向電極）３を配設し、さらに、銀電極３に取出しリ
ード線４を取り付け、全体を外装樹脂５で被覆すること
により形成されている。
【００２６】次に、この半導体コンデンサの製造方法に
ついて説明する。この半導体コンデンサを製造するにあ
たっては、まず、実施例１と同様の化成処理を施すこと
により、チタン金属基板１の表面にチタン酸バリウム系
半導体薄膜２を直接形成した複合体を作製する。
ついて説明する。この半導体コンデンサを製造するにあ
たっては、まず、実施例１と同様の化成処理を施すこと
により、チタン金属基板１の表面にチタン酸バリウム系
半導体薄膜２を直接形成した複合体を作製する。
【００２７】次に、この複合体の両面に酸化銅を電子ビ
ーム蒸着の方法により蒸着して酸化銅薄膜６を形成し、
さらにその上に銀を蒸着することにより銀電極３を形成
する。
ーム蒸着の方法により蒸着して酸化銅薄膜６を形成し、
さらにその上に銀を蒸着することにより銀電極３を形成
する。
【００２８】その後、上記実施例１と同様の方法にした
がって、図２に示すような半導体コンデンサを得る。
がって、図２に示すような半導体コンデンサを得る。
【００２９】なお、この実施例の半導体コンデンサにお
いては、酸化銅薄膜６がＰ型半導体を形成するととも
に、この酸化銅薄膜６が、あらかじめ形成されているＮ
型半導体であるチタン酸バリウム系半導体薄膜２とＰＮ
接合をなし、これにより静電容量を発現する。
いては、酸化銅薄膜６がＰ型半導体を形成するととも
に、この酸化銅薄膜６が、あらかじめ形成されているＮ
型半導体であるチタン酸バリウム系半導体薄膜２とＰＮ
接合をなし、これにより静電容量を発現する。
【００３０】このようにして得られた半導体コンデンサ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：６．５×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：１５Ｖ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５ｎＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：６．５×１０8Ω 絶縁破壊電圧 ：１５Ｖ
【００３１】実施例４ 図３は、この実施例にかかる半導体コンデンサを示す断
面図であり、図４は、半導体コンデンサを構成する複合
構造体のミクロ断面概略図である。この半導体コンデン
サにおいては、金属基体として、チタン金属粒子１１ａ
（図４）を成形してなるチタン金属多孔体１１が用いら
れており、チタン金属多孔体１１には、図３に示すよう
に、取出しリード線４の一部が埋設されている。
面図であり、図４は、半導体コンデンサを構成する複合
構造体のミクロ断面概略図である。この半導体コンデン
サにおいては、金属基体として、チタン金属粒子１１ａ
（図４）を成形してなるチタン金属多孔体１１が用いら
れており、チタン金属多孔体１１には、図３に示すよう
に、取出しリード線４の一部が埋設されている。
【００３２】また、チタン金属多孔体１１を構成するチ
タン金属粒子１１ａの表面にはチタン酸バリウム系半導
体薄膜（複合酸化物半導体薄膜）２が形成され、かつ、
銀電極（対向電極）３ａがその細部にまで形成されてい
る。
タン金属粒子１１ａの表面にはチタン酸バリウム系半導
体薄膜（複合酸化物半導体薄膜）２が形成され、かつ、
銀電極（対向電極）３ａがその細部にまで形成されてい
る。
【００３３】さらに、このチタン金属多孔体１１，チタ
ン酸バリウム系半導体薄膜２及び銀電極（対向電極）３
ａからなる複合構造体の表面にカーボン層７を配設する
とともに、その上に銀電極３ｂを形成することにより複
合電極焼結体８ａ，８ｂが形成されている。
ン酸バリウム系半導体薄膜２及び銀電極（対向電極）３
ａからなる複合構造体の表面にカーボン層７を配設する
とともに、その上に銀電極３ｂを形成することにより複
合電極焼結体８ａ，８ｂが形成されている。
【００３４】そして、２つの複合電極焼結体８ａ，８ｂ
を互に接合し、全体を外装樹脂５で被覆することによ
り、図３に示すような半導体コンデンサが形成されてい
る。
を互に接合し、全体を外装樹脂５で被覆することによ
り、図３に示すような半導体コンデンサが形成されてい
る。
【００３５】次に、この半導体コンデンサの製造方法に
ついて説明する。この半導体コンデンサを製造するにあ
たっては、まず、チタン金属粉末を短冊状に成形し、９
００〜１０００℃の温度で真空焼結することによりチタ
ン金属多孔体１１を作製する。なお、成形時に陽極用の
取出しリード線４の一部をチタン金属多孔体１１中に埋
設しておく。
ついて説明する。この半導体コンデンサを製造するにあ
たっては、まず、チタン金属粉末を短冊状に成形し、９
００〜１０００℃の温度で真空焼結することによりチタ
ン金属多孔体１１を作製する。なお、成形時に陽極用の
取出しリード線４の一部をチタン金属多孔体１１中に埋
設しておく。
【００３６】それから、上記実施例２と同様の水熱電気
化学処理を施すことにより、チタン金属多孔体１１を構
成するチタン金属粒子１１ａ（図４）の表面にチタン酸
バリウム系半導体薄膜２（図４）を形成する。次に、銀
を無電解メッキすることにより、チタン金属多孔体１１
の細部にまで銀電極（対向電極）３ａが形成された複合
構造体を得る。そして、この複合構造体をコロイダルカ
ーボン中に浸漬し、必要に応じて複数回の浸漬、乾燥を
繰り返し、その表面にカーボン層７を形成する。そし
て、このカーボン層７の上に、銀ペースト（銀電極）３
ｂを塗布、焼付けすることにより複合電極焼結体８ａ，
８ｂを得る。
化学処理を施すことにより、チタン金属多孔体１１を構
成するチタン金属粒子１１ａ（図４）の表面にチタン酸
バリウム系半導体薄膜２（図４）を形成する。次に、銀
を無電解メッキすることにより、チタン金属多孔体１１
の細部にまで銀電極（対向電極）３ａが形成された複合
構造体を得る。そして、この複合構造体をコロイダルカ
ーボン中に浸漬し、必要に応じて複数回の浸漬、乾燥を
繰り返し、その表面にカーボン層７を形成する。そし
て、このカーボン層７の上に、銀ペースト（銀電極）３
ｂを塗布、焼付けすることにより複合電極焼結体８ａ，
８ｂを得る。
【００３７】それから、この複合電極焼結体８ａ，８ｂ
を２個一組とし、銀電極３ｂが形成された面が接合する
ように組み合わせることにより、整流性のない半導体コ
ンデンサ素子を得る。次いで、この半導体コンデンサ素
子全体を外装樹脂である液体エポキシ樹脂に浸漬して、
外層樹脂５による外装を行うことにより図３に示すよう
な半導体コンデンサを得る。
を２個一組とし、銀電極３ｂが形成された面が接合する
ように組み合わせることにより、整流性のない半導体コ
ンデンサ素子を得る。次いで、この半導体コンデンサ素
子全体を外装樹脂である液体エポキシ樹脂に浸漬して、
外層樹脂５による外装を行うことにより図３に示すよう
な半導体コンデンサを得る。
【００３８】このようにして得られた半導体コンデンサ
について、静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定
したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５μＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：４．８×１０7Ω 絶縁破壊電圧 ：１５Ｖ
について、静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定
したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：３５μＦ 絶縁抵抗（１０Ｖ直流電圧下で測定） ：４．８×１０7Ω 絶縁破壊電圧 ：１５Ｖ
【００３９】実施例５ 以下の方法により、上記実施例４（図３）と同様の半導
体コンデンサを作製した。
体コンデンサを作製した。
【００４０】チタン金属粉末を短冊状に成形し、９００
〜１０００℃の温度で真空焼結を行い、チタン金属多孔
体１１を作製する。なお、成形時に陽極用の取出しリー
ド線４の一部をチタン金属多孔体１１中に埋設してお
く。
〜１０００℃の温度で真空焼結を行い、チタン金属多孔
体１１を作製する。なお、成形時に陽極用の取出しリー
ド線４の一部をチタン金属多孔体１１中に埋設してお
く。
【００４１】それから、上記実施例２と同様の水熱電気
化学処理を施すことにより、チタン金属多孔体１１を構
成するチタン金属粒子１１ａ（図４）の表面にチタン酸
バリウム系半導体薄膜２（図４）を形成する。なお、こ
の実施例においては、水熱電気化学処理を施す際に、処
理溶液に、バリウムに対して０．１mol％の水酸化鉄を
添加する。このように、水酸化鉄を添加した処理溶液を
用いることにより、チタン金属（粒子）の表面のチタン
酸バリウム系半導体薄膜の半導体化が促進される。
化学処理を施すことにより、チタン金属多孔体１１を構
成するチタン金属粒子１１ａ（図４）の表面にチタン酸
バリウム系半導体薄膜２（図４）を形成する。なお、こ
の実施例においては、水熱電気化学処理を施す際に、処
理溶液に、バリウムに対して０．１mol％の水酸化鉄を
添加する。このように、水酸化鉄を添加した処理溶液を
用いることにより、チタン金属（粒子）の表面のチタン
酸バリウム系半導体薄膜の半導体化が促進される。
【００４２】それから、実施例４と同様の方法にしたが
って、図３に示すような半導体コンデンサを作製する。
って、図３に示すような半導体コンデンサを作製する。
【００４３】このようにして得られた半導体コンデンサ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：２８μＦ 絶縁抵抗（１Ｖ直流電圧下で測定） ：１．０×１０7Ω 絶縁破壊電圧 ：１５Ｖ
について、その静電容量、絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を
測定したところ、以下のような結果が得られた。 静電容量（周波数１ｋＨｚ，印加電圧１Ｖｒｍｓ）：２８μＦ 絶縁抵抗（１Ｖ直流電圧下で測定） ：１．０×１０7Ω 絶縁破壊電圧 ：１５Ｖ
【００４４】なお、この発明の半導体コンデンサは、上
記実施例に限定されるものではなく、金属基体を構成す
る金属の種類、複合酸化物半導体薄膜の組成、対向電極
を構成する電極材料の種類、あるいは、金属基体、複合
酸化物半導体薄膜及び対向電極を組合せてなる半導体コ
ンデンサ素子の細部の構造などに関し、発明の要旨を逸
脱しない範囲において、種々の応用、変形を加えること
が可能である。
記実施例に限定されるものではなく、金属基体を構成す
る金属の種類、複合酸化物半導体薄膜の組成、対向電極
を構成する電極材料の種類、あるいは、金属基体、複合
酸化物半導体薄膜及び対向電極を組合せてなる半導体コ
ンデンサ素子の細部の構造などに関し、発明の要旨を逸
脱しない範囲において、種々の応用、変形を加えること
が可能である。
【００４５】
【発明の効果】上述のように、この発明の半導体コンデ
ンサは、金属基体と、その表面に形成された、金属基体
を構成する金属を含む複合酸化物半導体薄膜と、前記複
合酸化物半導体薄膜を介して前記金属基体と対向する対
向電極とを備えて構成されているので、小型、大容量
で、かつ複雑な製造工程を必要とせず容易に製造するこ
とが可能なコンデンサを得ることができる。
ンサは、金属基体と、その表面に形成された、金属基体
を構成する金属を含む複合酸化物半導体薄膜と、前記複
合酸化物半導体薄膜を介して前記金属基体と対向する対
向電極とを備えて構成されているので、小型、大容量
で、かつ複雑な製造工程を必要とせず容易に製造するこ
とが可能なコンデンサを得ることができる。
【００４６】また、金属基体として、多孔体を用いるこ
とにより、さらに大きな静電容量を得ることができる。
とにより、さらに大きな静電容量を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例にかかる半導体コンデンサ
の内部構造を示す断面図である。
の内部構造を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例にかかる半導体コンデン
サの内部構造を示す断面図である。
サの内部構造を示す断面図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例にかかる半導体コ
ンデンサの内部構造を示す断面図である。
ンデンサの内部構造を示す断面図である。
【図４】チタン金属多孔体（金属基体）を構成するチタ
ン金属粒子上にチタン酸バリウム系半導体薄膜が形成さ
れた状態を示すミクロ断面概略図である。
ン金属粒子上にチタン酸バリウム系半導体薄膜が形成さ
れた状態を示すミクロ断面概略図である。
１ チタン金属基板（金属基体） ２ チタン酸バリウム系半導体薄膜（複合酸
化物半導体薄膜） ３，３ａ 対向電極（銀電極） ４ 取出しリード線 ５ 外装樹脂 ６ 酸化銅薄膜 ７ カーボン層 ８ａ，８ｂ 複合電極焼結体 １１ チタン金属多孔体（金属基体） １１ａ チタン金属粒子
化物半導体薄膜） ３，３ａ 対向電極（銀電極） ４ 取出しリード線 ５ 外装樹脂 ６ 酸化銅薄膜 ７ カーボン層 ８ａ，８ｂ 複合電極焼結体 １１ チタン金属多孔体（金属基体） １１ａ チタン金属粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜地 幸生 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 吉村 昌弘 神奈川県綾瀬市寺尾中一丁目６番12
Claims (2)
- 【請求項１】 金属基体と、前記金属基体の表面に形成
された、前記金属基体を構成する金属を含む複合酸化物
半導体薄膜と、前記複合酸化物半導体薄膜を介して前記
金属基体と対向する対向電極とを具備することを特徴と
する半導体コンデンサ。 - 【請求項２】 前記金属基体が多孔体であることを特徴
とする請求項１記載の半導体コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18882093A JPH0786074A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18882093A JPH0786074A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786074A true JPH0786074A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16230394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18882093A Pending JPH0786074A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786074A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103606457A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-26 | 宜春市六和电子有限公司 | 一种电极为箔式有机薄膜卷绕型y电容器 |
| KR200477755Y1 (ko) * | 2013-11-06 | 2015-07-16 | 이춘 니스트로닉스 컴퍼니 리미티드 | 일종의 전극이 포일형인 유기박막 권취형 y 커패시터 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18882093A patent/JPH0786074A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103606457A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-26 | 宜春市六和电子有限公司 | 一种电极为箔式有机薄膜卷绕型y电容器 |
| KR200477755Y1 (ko) * | 2013-11-06 | 2015-07-16 | 이춘 니스트로닉스 컴퍼니 리미티드 | 일종의 전극이 포일형인 유기박막 권취형 y 커패시터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021015 |