JPH0784513B2 - 硬化プリプレグ及び硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
硬化プリプレグ及び硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH0784513B2 JPH0784513B2 JP3345293A JP34529391A JPH0784513B2 JP H0784513 B2 JPH0784513 B2 JP H0784513B2 JP 3345293 A JP3345293 A JP 3345293A JP 34529391 A JP34529391 A JP 34529391A JP H0784513 B2 JPH0784513 B2 JP H0784513B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロニクス機器
用等の多層配線板素材に用いる硬化プリプレグ及びエポ
キシ樹脂組成物に関する。
用等の多層配線板素材に用いる硬化プリプレグ及びエポ
キシ樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】一般に多層配線板素材として
は、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維等の
基材に熱硬化性樹脂を含浸又は塗布し、硬化してなる
板、或いはフィルム板の薄板が用いられている。しか
し、配線導体を形成した段階では、その樹脂は既にＣス
テージの状態（完全硬化状態）にあり、その状態のまま
で層間接着を行なっても充分な接着強度が得られない。
このため、Ｂステージの状態（プリプレグ状態）にある
樹脂を挟んで層間接着を行なっていた。
は、ガラス繊維、アラミド繊維、ポリエステル繊維等の
基材に熱硬化性樹脂を含浸又は塗布し、硬化してなる
板、或いはフィルム板の薄板が用いられている。しか
し、配線導体を形成した段階では、その樹脂は既にＣス
テージの状態（完全硬化状態）にあり、その状態のまま
で層間接着を行なっても充分な接着強度が得られない。
このため、Ｂステージの状態（プリプレグ状態）にある
樹脂を挟んで層間接着を行なっていた。
【０００３】しかしながら、上記の方法では樹脂同志の
接着はできても、上記Ｂステージが硬化してなるＣステ
ージの樹脂と配線導体との接着強度は未だ充分なもので
はない。そこで、上記樹脂と配線導体との接着強度の向
上を図るため、例えば上記配線導体が銅箔の場合には酸
化第２銅形式による黒化処理、過酸化水素と硫酸とによ
るソフトエッチング等による方法が採られている。
接着はできても、上記Ｂステージが硬化してなるＣステ
ージの樹脂と配線導体との接着強度は未だ充分なもので
はない。そこで、上記樹脂と配線導体との接着強度の向
上を図るため、例えば上記配線導体が銅箔の場合には酸
化第２銅形式による黒化処理、過酸化水素と硫酸とによ
るソフトエッチング等による方法が採られている。
【０００４】このような方法により常温における接着強
度の向上を図ることは可能となるものの、エポキシ樹脂
のガラス転移温度（Ｔｇ）に近い１２０〜１５０℃程度
の高温下では、その接着強度が常温のときの１／１０〜
１／３となってしまうという問題がある。これに対して
プラズマスパッタリングによる表面処理方法も知られて
いるが、この方法でも充分な接着強度を得ることはでき
ない。
度の向上を図ることは可能となるものの、エポキシ樹脂
のガラス転移温度（Ｔｇ）に近い１２０〜１５０℃程度
の高温下では、その接着強度が常温のときの１／１０〜
１／３となってしまうという問題がある。これに対して
プラズマスパッタリングによる表面処理方法も知られて
いるが、この方法でも充分な接着強度を得ることはでき
ない。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明は、耐薬品性、
低収縮性等に優れた硬化プリプレグ、及びこれを製造す
るためのエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とす
る。
低収縮性等に優れた硬化プリプレグ、及びこれを製造す
るためのエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とす
る。
【０００６】本発明者らは、上記従来技術の問題を解決
するための手段として被接着物同志をＢステージの状態
にとどめておく方法とＣステージの樹脂を粗面化する方
法との双方について検討した。しかし、前者の場合、Ｂ
ステージの樹脂は耐薬品性に欠けるので、例えばエッチ
ングで使用される塩化第２鉄、塩化第２銅等、電気メッ
キで使用される硫酸銅、シアン化銅等、化学メッキで用
いられるロッシェル塩銅、ホルマリン、エチレンジアミ
ンテトラソーダ等の各種薬品の作用により変質劣化し、
電気絶縁材料としての安定性を失うばかりでなく、原形
を留めないくらいに溶解・腐食されてしまう場合があ
る。それ故にＢステージの樹脂には、エッチング、メッ
キ、加工等の処理を任意に施すことができない。また、
後者の粗面化、例えばソフトエッチング、レーザー又は
プラズマエッチング等の各種方法でも、Ｃステージの樹
脂における電気絶縁材料としての性能の劣化や樹脂自体
の破壊等を避けることができないという問題がある。
するための手段として被接着物同志をＢステージの状態
にとどめておく方法とＣステージの樹脂を粗面化する方
法との双方について検討した。しかし、前者の場合、Ｂ
ステージの樹脂は耐薬品性に欠けるので、例えばエッチ
ングで使用される塩化第２鉄、塩化第２銅等、電気メッ
キで使用される硫酸銅、シアン化銅等、化学メッキで用
いられるロッシェル塩銅、ホルマリン、エチレンジアミ
ンテトラソーダ等の各種薬品の作用により変質劣化し、
電気絶縁材料としての安定性を失うばかりでなく、原形
を留めないくらいに溶解・腐食されてしまう場合があ
る。それ故にＢステージの樹脂には、エッチング、メッ
キ、加工等の処理を任意に施すことができない。また、
後者の粗面化、例えばソフトエッチング、レーザー又は
プラズマエッチング等の各種方法でも、Ｃステージの樹
脂における電気絶縁材料としての性能の劣化や樹脂自体
の破壊等を避けることができないという問題がある。
【０００７】一方、高温での接着強度を向上させる手段
として、ガラス転移温度を高める働きがある硬化剤を使
用すること等が考えられる。しかし、そのような硬化剤
を用いた場合、樹脂が完全硬化する温度にまで加熱しな
ければ耐薬品性が発現されず、また完全硬化させた場合
には結局上記のようなエッチング等における問題が生じ
ることになる。
として、ガラス転移温度を高める働きがある硬化剤を使
用すること等が考えられる。しかし、そのような硬化剤
を用いた場合、樹脂が完全硬化する温度にまで加熱しな
ければ耐薬品性が発現されず、また完全硬化させた場合
には結局上記のようなエッチング等における問題が生じ
ることになる。
【０００８】そこで、本発明者らは、鋭意研究を重ねた
結果、エポキシ樹脂の硬化剤として１，８−ジアゾビシ
クロ［５，４，０］ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記す
る）を採用する場合、Ｔｇを高める働きをもつ芳香族ア
ミンを同時に併用しても互いにその性能を損なうことな
く、ガラス転移温度を高めて高温下での接着強度を向上
させると共に半硬化状態を比較的低温域で導入すること
に成功した。しかも斯かる状態は通常のＢステージと異
なり、優れた耐薬品性と低収縮性を発現することを見出
し、本発明を完成するに至った。
結果、エポキシ樹脂の硬化剤として１，８−ジアゾビシ
クロ［５，４，０］ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記す
る）を採用する場合、Ｔｇを高める働きをもつ芳香族ア
ミンを同時に併用しても互いにその性能を損なうことな
く、ガラス転移温度を高めて高温下での接着強度を向上
させると共に半硬化状態を比較的低温域で導入すること
に成功した。しかも斯かる状態は通常のＢステージと異
なり、優れた耐薬品性と低収縮性を発現することを見出
し、本発明を完成するに至った。
【０００９】即ち、本発明は、 １．基材にエポキシ樹脂、ＤＢＵ及び芳香族アミンから
なる組成物を含浸又は塗布し、該組成物を６５〜１２５
℃で硬化させて得られることを特徴とする硬化プリプレ
グ、並びに ２．エポキシ樹脂、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，
０］ウンデセン（ＤＢＵ）及び芳香族アミンからなるこ
とを特徴とする硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物、
に係るものである。
なる組成物を含浸又は塗布し、該組成物を６５〜１２５
℃で硬化させて得られることを特徴とする硬化プリプレ
グ、並びに ２．エポキシ樹脂、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，
０］ウンデセン（ＤＢＵ）及び芳香族アミンからなるこ
とを特徴とする硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物、
に係るものである。
【００１０】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１１】本発明の硬化プリプレグは、基材にエポキ
シ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）を含浸又
は塗布し、これを６５〜１２５℃の温度で硬化したもの
である。
シ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）を含浸又
は塗布し、これを６５〜１２５℃の温度で硬化したもの
である。
【００１２】本発明硬化プリプレグにおいて用いる基材
としては、例えば紙基材、合成樹脂繊維基材、ガラス基
材等の公知の各種基材が使用できる。
としては、例えば紙基材、合成樹脂繊維基材、ガラス基
材等の公知の各種基材が使用できる。
【００１３】上記基材に対して、２種の硬化剤が配合さ
れたエポキシ樹脂組成物（本発明樹脂組成物）を含浸又
は塗布し、これを加熱して硬化させる（以下、Ｃ1 ステ
ージという）。上記２種の硬化剤としてはＤＢＵ（第１
硬化剤）及び芳香族アミン（第２硬化剤）を用いる。上
記芳香族アミンは公知のものが使用でき、特に限定はさ
れないが、好ましくは４，４´−メチレンジアニリン、
４，４´−チオジアニリン、４，４´−ビス（ｏ−トル
イジン）、ジアミノジフェニルエーテル等が良い。ま
た、各硬化剤の配合割合は、芳香族アミンの種類、配線
板の用途、メッキの種類及び方法等によって一様ではな
いが、エポキシ樹脂１００重量部に対してＤＢＵは通常
１〜３重量部程度、芳香族アミンは通常２０〜４０重量
部程度とするのが好ましい。また、上記組成物は、必要
に応じて公知の難燃剤、表面処理剤、消泡剤、カップリ
ング剤、チクソ性剤等の各種添加剤を使用することがで
きる。
れたエポキシ樹脂組成物（本発明樹脂組成物）を含浸又
は塗布し、これを加熱して硬化させる（以下、Ｃ1 ステ
ージという）。上記２種の硬化剤としてはＤＢＵ（第１
硬化剤）及び芳香族アミン（第２硬化剤）を用いる。上
記芳香族アミンは公知のものが使用でき、特に限定はさ
れないが、好ましくは４，４´−メチレンジアニリン、
４，４´−チオジアニリン、４，４´−ビス（ｏ−トル
イジン）、ジアミノジフェニルエーテル等が良い。ま
た、各硬化剤の配合割合は、芳香族アミンの種類、配線
板の用途、メッキの種類及び方法等によって一様ではな
いが、エポキシ樹脂１００重量部に対してＤＢＵは通常
１〜３重量部程度、芳香族アミンは通常２０〜４０重量
部程度とするのが好ましい。また、上記組成物は、必要
に応じて公知の難燃剤、表面処理剤、消泡剤、カップリ
ング剤、チクソ性剤等の各種添加剤を使用することがで
きる。
【００１４】含浸又は塗布後の硬化において、その硬化
温度は通常６５〜１２５℃程度で３〜６０分程度、好ま
しくは８０〜１００℃で３〜５０分程度で行なうのが良
い。この硬化により第１硬化剤であるＤＢＵが作用して
指触性であるＣ1 ステージの状態となり、耐薬品性と低
収縮性を備えた本発明硬化プリプレグとなる。本発明硬
化プリプレグは完全硬化状態ではないが、その性質は従
来のＢステージと異なり、耐エッチング溶性や耐メッキ
浴性を発現し、表面処理、加工等の各種処理が容易とな
り、多層配線体の層間等における接着強度の向上を図る
ことが可能となる。
温度は通常６５〜１２５℃程度で３〜６０分程度、好ま
しくは８０〜１００℃で３〜５０分程度で行なうのが良
い。この硬化により第１硬化剤であるＤＢＵが作用して
指触性であるＣ1 ステージの状態となり、耐薬品性と低
収縮性を備えた本発明硬化プリプレグとなる。本発明硬
化プリプレグは完全硬化状態ではないが、その性質は従
来のＢステージと異なり、耐エッチング溶性や耐メッキ
浴性を発現し、表面処理、加工等の各種処理が容易とな
り、多層配線体の層間等における接着強度の向上を図る
ことが可能となる。
【００１５】本発明の硬化プリプレグの使用において
は、多岐にわたる応用例、組み合わせが可能であり、例
えば本発明硬化プリプレグに銅箔を被着したものを通常
のエッチング処理をした板とをペアとし、従来のＢステ
ージのプリプレグを介して或いは介さずに複層乃至多層
に積層することができる。また、孔加工も常法に従って
容易に行なえ、ボトムスルー（ＢＴＨ）、インナビアホ
ール（ＩＶＨ）等の工法も任意に行なうことができる。
は、多岐にわたる応用例、組み合わせが可能であり、例
えば本発明硬化プリプレグに銅箔を被着したものを通常
のエッチング処理をした板とをペアとし、従来のＢステ
ージのプリプレグを介して或いは介さずに複層乃至多層
に積層することができる。また、孔加工も常法に従って
容易に行なえ、ボトムスルー（ＢＴＨ）、インナビアホ
ール（ＩＶＨ）等の工法も任意に行なうことができる。
【００１６】更に、本発明の硬化プリプレグを、積層プ
レス工程等において１５０〜１８０℃程度の温度で３０
〜１２０分程度硬化させることにより、ＤＢＵの影響を
受けることなく、第２硬化剤である芳香族アミンが作用
し、低収縮率で完全硬化状態（以下、Ｃ2 ステージとい
う）となる。また積層プレスを行なう場合は、予め上記
硬化プリプレグに表面処理を施しておくと、その樹脂層
同志、或いは樹脂層と金属箔とが充分な接着強度を発現
し、多層配線体等を容易に且つ確実に製造することがで
きる。この際、従来のＢステージのプリプレグを介在さ
せることも可能である。
レス工程等において１５０〜１８０℃程度の温度で３０
〜１２０分程度硬化させることにより、ＤＢＵの影響を
受けることなく、第２硬化剤である芳香族アミンが作用
し、低収縮率で完全硬化状態（以下、Ｃ2 ステージとい
う）となる。また積層プレスを行なう場合は、予め上記
硬化プリプレグに表面処理を施しておくと、その樹脂層
同志、或いは樹脂層と金属箔とが充分な接着強度を発現
し、多層配線体等を容易に且つ確実に製造することがで
きる。この際、従来のＢステージのプリプレグを介在さ
せることも可能である。
【００１７】
【発明の効果】本発明の硬化プリプレグは、半硬化状態
であるにも拘らず、優れた耐薬品性と低収縮性を有して
いるので、完全硬化前に予めエッチング、加工等の処理
を容易に施すことができ、多層配線体における層間同志
等の接着強度を高めることができる。また、従来のＢス
テージ樹脂層の設置を省くことができ、層間接着等の後
処理を容易に且つ確実に行なうことが可能となり、多層
配線体の製造等において優れた効果を発揮する。
であるにも拘らず、優れた耐薬品性と低収縮性を有して
いるので、完全硬化前に予めエッチング、加工等の処理
を容易に施すことができ、多層配線体における層間同志
等の接着強度を高めることができる。また、従来のＢス
テージ樹脂層の設置を省くことができ、層間接着等の後
処理を容易に且つ確実に行なうことが可能となり、多層
配線体の製造等において優れた効果を発揮する。
【００１８】更に、第２硬化剤として芳香族アミンを使
用しているため、ＤＢＵが含まれているにも拘らず、樹
脂のガラス転移温度を高めることができ、比較的高温下
でも高い接着強度を有する多層配線体を提供することが
できる。
用しているため、ＤＢＵが含まれているにも拘らず、樹
脂のガラス転移温度を高めることができ、比較的高温下
でも高い接着強度を有する多層配線体を提供することが
できる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を更
に詳しく説明する。尚、本発明はこれら実施例において
限定されるものではない。
に詳しく説明する。尚、本発明はこれら実施例において
限定されるものではない。
【００２０】実施例１ 本発明の硬化プリプレグを用いて多層配線体を製造し
た。その製造工程の一例を第１図（工程１〜８）に示
す。
た。その製造工程の一例を第１図（工程１〜８）に示
す。
【００２１】まず、基材として公称厚さ０．２mmのアラ
ミド不織布を用いた。この基材に対してエポキシ樹脂１
００重量部、ＤＢＵ３重量部及び４，４´−メチレンジ
アニリン３０重量部からなる樹脂組成物を含浸し、乾燥
することにより耐薬品性を有しない、いわゆる従来のＢ
ステージ状態とした（工程１）。次いで、これを８５℃
の炉中で３０分間加熱し、硬化させることにより指触性
のＣ1 ステージの薄板を得た（工程２）。次に、打抜加
工による孔あけを行なった後、１５０℃にて３分間逆ス
パッタリングを薄板表面及び孔壁について行なった（工
程３）。尚、逆スパッタリングの条件は高周波パワー１
KW、アルゴンガス導入前の真空度６．５×１０-7Torr、
アルゴンガス導入後の真空度４．１×１０-3Torrであっ
た。
ミド不織布を用いた。この基材に対してエポキシ樹脂１
００重量部、ＤＢＵ３重量部及び４，４´−メチレンジ
アニリン３０重量部からなる樹脂組成物を含浸し、乾燥
することにより耐薬品性を有しない、いわゆる従来のＢ
ステージ状態とした（工程１）。次いで、これを８５℃
の炉中で３０分間加熱し、硬化させることにより指触性
のＣ1 ステージの薄板を得た（工程２）。次に、打抜加
工による孔あけを行なった後、１５０℃にて３分間逆ス
パッタリングを薄板表面及び孔壁について行なった（工
程３）。尚、逆スパッタリングの条件は高周波パワー１
KW、アルゴンガス導入前の真空度６．５×１０-7Torr、
アルゴンガス導入後の真空度４．１×１０-3Torrであっ
た。
【００２２】続いて、逆スパッタされた薄板の表層と孔
壁に対して銅メッキ層を形成した。この場合、従来の銅
箔を被着した薄板ヘのパネルメッキと異なり、孔壁部と
表層部とを同じめっき厚さに形成する。メッキ処理は、
無電解メッキした後、さらに電気メッキを行なった（工
程４）。無電解メッキ条件はＥＤＴＡ浴、ｐＨ１２、温
度７０℃で３時間で厚さ１５μｍとした。また、電気メ
ッキ条件は硫酸銅浴、ｐＨ９〜１０、温度６５℃、３〜
５分で厚さ１３〜１４μｍとした。
壁に対して銅メッキ層を形成した。この場合、従来の銅
箔を被着した薄板ヘのパネルメッキと異なり、孔壁部と
表層部とを同じめっき厚さに形成する。メッキ処理は、
無電解メッキした後、さらに電気メッキを行なった（工
程４）。無電解メッキ条件はＥＤＴＡ浴、ｐＨ１２、温
度７０℃で３時間で厚さ１５μｍとした。また、電気メ
ッキ条件は硫酸銅浴、ｐＨ９〜１０、温度６５℃、３〜
５分で厚さ１３〜１４μｍとした。
【００２３】次に上記で得られた銅メッキパネルに対し
て、フォトポリマーフィルムの両面テンティングによる
公知のフォトレジスト形成を行ない、次いで公知の選択
エッチング処理を施して表層の導体パターン及びスルー
ホールパターンを得た（工程５）。
て、フォトポリマーフィルムの両面テンティングによる
公知のフォトレジスト形成を行ない、次いで公知の選択
エッチング処理を施して表層の導体パターン及びスルー
ホールパターンを得た（工程５）。
【００２４】次いで、上記パネル及びこれに接続するた
めに用意された別のパターンをもつパネルを通常のＢス
テージの樹脂を介して複層とし、別途用意したＣ1 ステ
ージの薄葉体をこの複層の上と下に設置してなる多層体
を得た（工程６）。この多層体を１５ kg/cm2 、１６０
℃の条件で成型プレスにかけて完全硬化させ、Ｃ2 ステ
ージの樹脂からなる多層体を得た（工程７）。
めに用意された別のパターンをもつパネルを通常のＢス
テージの樹脂を介して複層とし、別途用意したＣ1 ステ
ージの薄葉体をこの複層の上と下に設置してなる多層体
を得た（工程６）。この多層体を１５ kg/cm2 、１６０
℃の条件で成型プレスにかけて完全硬化させ、Ｃ2 ステ
ージの樹脂からなる多層体を得た（工程７）。
【００２５】硬化後、上記多層体の表層及び孔壁に逆ス
パッタを施す。この逆スパッタは、導体部分と配線部分
の両方にまたがって行なう。その後、銅メッキを表層及
び銅メッキのあるスルーホールと銅メッキのないスルー
ホールの両者に対して行ない（工程８）、６層で厚さ
１．０mmの多層配線体を得た。
パッタを施す。この逆スパッタは、導体部分と配線部分
の両方にまたがって行なう。その後、銅メッキを表層及
び銅メッキのあるスルーホールと銅メッキのないスルー
ホールの両者に対して行ない（工程８）、６層で厚さ
１．０mmの多層配線体を得た。
【００２６】尚、第１表には、１）工程２における耐エ
ッチング浴メッキ浴性が得られる硬化温度、２）第１硬
化剤及び第２硬化剤におけるガラス転移温度、３）２５
〜１２５℃での薄板間接着強度、４）樹脂上の２５〜８
５℃での３５μｍ厚み銅箔接着強度、５）工程７におけ
る重ね誤差、６）工程８におけるメッキ接着強度（銅メ
ッキのあるスルーホールと銅メッキのないスルーホー
ル）、７）表層部のメッキ接着強度をそれぞれ評価した
結果を示す。
ッチング浴メッキ浴性が得られる硬化温度、２）第１硬
化剤及び第２硬化剤におけるガラス転移温度、３）２５
〜１２５℃での薄板間接着強度、４）樹脂上の２５〜８
５℃での３５μｍ厚み銅箔接着強度、５）工程７におけ
る重ね誤差、６）工程８におけるメッキ接着強度（銅メ
ッキのあるスルーホールと銅メッキのないスルーホー
ル）、７）表層部のメッキ接着強度をそれぞれ評価した
結果を示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】比較例１ 樹脂組成物の硬化剤をジシアンジアミドのみとした以外
は実施例１と同様にして多層配線体を得た。また実施例
１と同様にして評価を行なった結果を第１表に示す。
は実施例１と同様にして多層配線体を得た。また実施例
１と同様にして評価を行なった結果を第１表に示す。
【００２９】比較例２ 樹脂組成物の硬化剤を４，４´−メチレンジアニリンの
みとした以外は実施例１と同様にして多層配線体を得
た。実施例１と同様にして評価を行なった結果を第１表
に示す。
みとした以外は実施例１と同様にして多層配線体を得
た。実施例１と同様にして評価を行なった結果を第１表
に示す。
【００３０】比較例３ 樹脂組成物の硬化剤を４，４´−メチレンジアニリンの
代わりにジシアンジアミドを用いた以外は実施例１と同
様にして多層配線体を得た。実施例１と同様にして評価
した結果を第１表に示す。
代わりにジシアンジアミドを用いた以外は実施例１と同
様にして多層配線体を得た。実施例１と同様にして評価
した結果を第１表に示す。
【００３１】以上の結果より、本発明のエポキシ樹脂組
成物によって得られる硬化プリプレグが諸性能におい
て、より優れた効果を発揮していることがわかる。
成物によって得られる硬化プリプレグが諸性能におい
て、より優れた効果を発揮していることがわかる。
【図１】本発明の硬化プリプレグを用いて多層配線体を
製造する工程の一例である。
製造する工程の一例である。
１…本発明エポキシ樹脂組成物が含浸されたＢステージ
のプリプレグ ２…ＤＢＵの作用によりＣ1 ステージとした本発明硬化
プリプレグ ３…孔 ４…逆スパッタされた層 ５…無電解メッキ層 ６…電気メッキ層 ７…表面孔周辺ランド ８…孔壁配線層 ９…表面配線（両面） 10…本発明硬化プリプレグ 11…本発明硬化プリプレグ 12…Ｂステージのプリプレグ 13…多層配線体 14…積層プレスされたＣ2 ステージの多層配線体パネル 15…Ｃ2 ステージの多層配板 16…インナビアホール（ＩＶＨ） 17…インナビアホール（ＩＶＨ）＋スルーホール 18…表面配線（多層）
のプリプレグ ２…ＤＢＵの作用によりＣ1 ステージとした本発明硬化
プリプレグ ３…孔 ４…逆スパッタされた層 ５…無電解メッキ層 ６…電気メッキ層 ７…表面孔周辺ランド ８…孔壁配線層 ９…表面配線（両面） 10…本発明硬化プリプレグ 11…本発明硬化プリプレグ 12…Ｂステージのプリプレグ 13…多層配線体 14…積層プレスされたＣ2 ステージの多層配線体パネル 15…Ｃ2 ステージの多層配板 16…インナビアホール（ＩＶＨ） 17…インナビアホール（ＩＶＨ）＋スルーホール 18…表面配線（多層）
Claims (2)
- 【請求項１】基材にエポキシ樹脂、１，８−ジアゾビシ
クロ［５，４，０］ウンデセン（ＤＢＵ）及び芳香族ア
ミンからなる組成物を含浸又は塗布し、該組成物を６５
〜１２５℃で硬化させて得られることを特徴とする硬化
プリプレグ。 - 【請求項２】エポキシ樹脂、１，８−ジアゾビシクロ
［５，４，０］ウンデセン（ＤＢＵ）及び芳香族アミン
からなることを特徴とする硬化プリプレグ用エポキシ樹
脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345293A JPH0784513B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 硬化プリプレグ及び硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345293A JPH0784513B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 硬化プリプレグ及び硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05178966A JPH05178966A (ja) | 1993-07-20 |
| JPH0784513B2 true JPH0784513B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=18375612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3345293A Expired - Fee Related JPH0784513B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 硬化プリプレグ及び硬化プリプレグ用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0784513B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5126999A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS61151231A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3345293A patent/JPH0784513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126999A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH05178966A (ja) | 1993-07-20 |
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