JPH0778941A - Overheat protecting circuit for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Overheat protecting circuit for semiconductor integrated circuit

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JPH0778941A
JPH0778941A JP16126093A JP16126093A JPH0778941A JP H0778941 A JPH0778941 A JP H0778941A JP 16126093 A JP16126093 A JP 16126093A JP 16126093 A JP16126093 A JP 16126093A JP H0778941 A JPH0778941 A JP H0778941A
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JP
Japan
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circuit
temperature
overheat protection
output
protection circuit
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Application number
JP16126093A
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Japanese (ja)
Inventor
Jun Tanaka
純 田中
Hiromi Miki
弘美 三木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent malfunction due to disturbance such as noise when an overheat protecting circuit is used within temperature hysteresis. CONSTITUTION:An overheat protecting circuit is provided with a temperature monitor circuit 1 and a cutoff circuit 2 which stops the operation of other major circuits in the IC chip in response to temperature detecting output. A timer circuit 23 is provided in the cutoff circuit 2 so as to judge whether a signal in the temperature monitor circuit 1 is at the same level at least for a certain period of time, and the cutoff circuit is permitted to operate after the judgement. Therefore, even when heat dissipation is deteriorated under the excessively mounted condition, stable operation of the overheat protecting circuit is allowed without malfunction due to disturbance such as noise.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路におけ
る過熱保護回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overheat protection circuit in a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】図8は従来の第1例の過熱保護回路を示
す図であり、図において、1は温度モニタ回路、2はI
Cチップ内の他の主要回路の動作を止める遮断回路、2
1は遮断回路内の入力部、22は遮断信号を出力する出
力部である。
2. Description of the Related Art FIG. 8 is a diagram showing a first conventional overheat protection circuit. In the figure, 1 is a temperature monitor circuit and 2 is an I.
Cutoff circuit that stops the operation of other main circuits in the C chip, 2
Reference numeral 1 is an input section in the interruption circuit, and 22 is an output section for outputting a interruption signal.

【0003】次に動作について説明する。通常、ICの
過熱保護回路は、遮断回路2に温度ヒステリシスを設け
て熱発振などが起きないようにしている。これは、過熱
保護回路が働くとIC内の他の主要回路が遮断状態にな
り電力が消費されなくなってICチップの温度が下がる
が、温度ヒステリシスがない場合には、温度が下がると
すぐに遮断状態が解除され、再び電力が消費されて温度
が上がってまた遮断状態になり、以下同様にこれを繰り
返すこととなり、熱的な発振状態となってしまうからで
ある。
Next, the operation will be described. Normally, the IC overheat protection circuit is provided with a temperature hysteresis in the cutoff circuit 2 to prevent thermal oscillation or the like. This is because when the overheat protection circuit operates, the other main circuits in the IC are cut off and the power is not consumed and the temperature of the IC chip decreases, but if there is no temperature hysteresis, it shuts off as soon as the temperature decreases. This is because the state is released, the power is consumed again, the temperature rises, and the cutoff state is resumed. This is repeated in the same manner, and the thermal oscillation state occurs.

【0004】図2は過熱保護回路の動作曲線を示す。図
に示すように、この過熱保護回路の動作曲線は温度ヒス
テリシスを持っている。ICの実使用状態としては、通
常図中のA点の温度で使用するが、この場合、ノイズ等
の外乱で半導体集積回路における過熱保護回路中の遮断
回路2が誤動作しても、該過熱保護回路の動作曲線は、
温度ヒステリシスを有する外に、チップ温度は上記A点
の温度の近傍にあるので、該過熱保護回路はすぐに解除
状態に復帰することとなり、実使用上問題とはならな
い。
FIG. 2 shows an operating curve of the overheat protection circuit. As shown in the figure, the operating curve of this overheat protection circuit has temperature hysteresis. The IC is normally used at the temperature of point A in the figure, but in this case, even if the cutoff circuit 2 in the overheat protection circuit in the semiconductor integrated circuit malfunctions due to disturbance such as noise, the overheat protection is performed. The operating curve of the circuit is
Besides having the temperature hysteresis, since the chip temperature is near the temperature at the point A, the overheat protection circuit immediately returns to the released state, which is not a problem in practical use.

【0005】ところが、過密実装等で放熱が悪い状態で
は、図中B点で使用することもあり得る。この場合、過
熱保護回路の動作状態としては、図中C点(解除状態)
にあることとなる。ここで前述のような外乱が飛び込ん
できた時を考えると、遮断回路2が誤動作して復帰する
時、外部の温度条件よりD点へ状態が移るため、依然と
して遮断状態が続くことになる。そして、最悪ICの電
源をオフしないと過熱保護回路の解除状態(図中A点の
状態)へ復帰しない場合もあることとなる。
However, in a state where heat radiation is poor due to overcrowded mounting or the like, it may be used at point B in the figure. In this case, the operating state of the overheat protection circuit is point C in the figure (released state)
It will be in. Considering the case where the disturbance as described above has jumped in, when the cutoff circuit 2 malfunctions and returns, the state shifts to point D from the external temperature condition, so the cutoff state continues. Then, unless the power of the worst IC is turned off, the overheat protection circuit may not be returned to the released state (the state of point A in the figure).

【0006】図16は、従来の第2例の半導体集積回路
における過熱保護回路を示す図であり、図において、5
1は定電圧回路、52は温度検出回路、53は定電圧回
路51、温度検出回路52の出力信号によりヒステリシ
ス信号を作成し、チップ内の他の主要回路の動作を止め
る温度ヒステリシス遮断回路である。ここで、過熱保護
回路とは、ICが過熱状態になった時、一時的に他の主
要回路の動作を止めることにより、チップ温度が過熱さ
れることを防ぐ回路であり、図17に過熱保護回路の動
作曲線を示す。
FIG. 16 is a diagram showing an overheat protection circuit in a semiconductor integrated circuit of a second conventional example, and in FIG.
Reference numeral 1 is a constant voltage circuit, 52 is a temperature detection circuit, 53 is a temperature hysteresis cutoff circuit that creates a hysteresis signal based on the output signals of the constant voltage circuit 51 and the temperature detection circuit 52, and stops the operation of other main circuits in the chip. . Here, the overheat protection circuit is a circuit that prevents the chip temperature from being overheated by temporarily stopping the operation of other main circuits when the IC is in an overheated state. The operating curve of the circuit is shown.

【0007】次に動作について説明する。温度検出回路
52により、チップ温度を検出する。また、定電圧回路
51の出力電圧を、あらかじめ設定温度(T1)のとき
出力する電圧に設定しておくことにより、チップ温度が
所望の温度に上昇した時、ヒステリシス遮断回路53は
ICの主要回路の動作を止めるように、出力信号として
“H”の信号を出力する。
Next, the operation will be described. The temperature detection circuit 52 detects the chip temperature. Further, by setting the output voltage of the constant voltage circuit 51 in advance to the voltage output at the set temperature (T1), when the chip temperature rises to the desired temperature, the hysteresis cutoff circuit 53 is the main circuit of the IC. A signal of "H" is output as an output signal so as to stop the operation of.

【0008】また、周囲温度がT1より下がって来た時
に、すぐに保護回路の動作を解除せずに、即ち、温度ヒ
ステリシス遮断回路53が“L”の信号を出力するとい
うことをせずに、該温度ヒステリシス遮断回路53の機
能により一定温度T2まで下がった時に初めて動作を解
除(“L”の信号を出力)し、ICの主要回路を通常動
作にもどす。
Further, when the ambient temperature falls below T1, the operation of the protection circuit is not immediately released, that is, the temperature hysteresis cutoff circuit 53 does not output the "L" signal. By the function of the temperature hysteresis cutoff circuit 53, the operation is released (the signal of “L” is output) only when the temperature drops to the constant temperature T2, and the main circuit of the IC is returned to the normal operation.

【0009】このように、この従来の第2例の過熱保護
回路では、チップ温度を検出し、温度によりヒステリシ
スをかけてICの過熱保護を行っている。
As described above, in the conventional overheat protection circuit of the second example, the chip temperature is detected, and hysteresis is applied to the temperature to protect the IC from overheating.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来の第1例の過熱保
護回路は以上のように構成されているので、過密実装等
で放熱が悪い状態で、温度ヒステリシス内の温度で使用
すると、ノイズ等の外乱で誤動作した場合、容易に遮断
状態から解除状態へ復帰しないという問題点があった。
Since the conventional overheat protection circuit of the first example is constructed as described above, when it is used at a temperature within the temperature hysteresis in a state where heat radiation is bad due to overcrowded mounting, noise etc. However, there is a problem in that it does not easily return from the cutoff state to the released state when it malfunctions due to the disturbance.

【0011】また、従来の第2例の過熱保護回路は以上
のような構成となっているので、放熱の良いパッケージ
を使用している場合などには、動作遮断後に容易に冷却
されるため、遮断状態から解除状態への復帰動作が早
く、熱発振をおこしてしまうという問題があった。
Further, since the conventional overheat protection circuit of the second example has the above-mentioned structure, it is easily cooled after the operation is shut off when a package with good heat dissipation is used. There is a problem that the return operation from the cutoff state to the release state is quick and thermal oscillation occurs.

【0012】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、過密実装状態で放熱が悪くなっ
た場合でも、外乱により誤動作した場合に、遮断状態か
ら解除状態へ復帰しないということなく、安定した過熱
保護回路動作を得ることのできる過熱保護回路を提供す
ることを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and even if the heat radiation is deteriorated in the densely packed state, it does not return from the cutoff state to the released state when malfunction occurs due to disturbance. It is an object of the present invention to provide an overheat protection circuit that can obtain a stable operation of the overheat protection circuit.

【0013】またこの発明は、放熱の良いパッケージを
使用していても、遮断状態から解除状態への復帰動作が
早く、熱発振をおこしてしまうということなく、安定し
た過熱保護回路動作を得ることのできる過熱保護回路を
提供することを目的とする。
Further, according to the present invention, even if a package with good heat dissipation is used, the operation of returning from the cutoff state to the release state is quick, and a stable operation of the overheat protection circuit can be obtained without causing thermal oscillation. It is an object of the present invention to provide an overheat protection circuit capable of achieving the above.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路における過熱保護回路は、遮断回路部に、温度モ
ニタ回路の信号が一定時間以上同一レベルであることを
判定し、このように判定したのちに遮断の動作を行うよ
うにするタイマ回路を内蔵したものである。
In the overheat protection circuit in the semiconductor integrated circuit according to the present invention, it is determined in the shutoff circuit section that the signals of the temperature monitor circuit are at the same level for a certain time or longer, and the determination is made in this way. It has a built-in timer circuit to perform the shut-off operation later.

【0015】この発明に係る半導体集積回路における過
熱保護回路は、温度ヒステリシス回路の出力を受けてか
ら一定時間後に信号を出力する時間幅設定回路と、該時
間幅設定回路から信号が出力された時点で温度ヒステリ
シス回路の出力をラッチするラッチ回路とを備えたもの
である。
The overheat protection circuit in the semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a time width setting circuit which outputs a signal after a fixed time has elapsed after receiving the output of the temperature hysteresis circuit, and a time point when the signal is output from the time width setting circuit. And a latch circuit for latching the output of the temperature hysteresis circuit.

【0016】[0016]

【作用】この発明の過熱保護回路においては、タイマ機
能を備えているので、遮断回路への入力信号がある一定
期間以上同一状態を維持して初めて遮断状態となるよう
制御が行われる。
Since the overheat protection circuit of the present invention has the timer function, control is performed so that the input signal to the cutoff circuit remains in the cutoff state only after the same state is maintained for a certain period.

【0017】また、この発明の過熱保護回路において
は、時間幅設定回路と、ラッチ回路とを備えているの
で、温度ではなく時間により、遮断信号にヒステリシス
をかけるように制御が行われる。
Further, since the overheat protection circuit of the present invention is provided with the time width setting circuit and the latch circuit, control is performed so that the cutoff signal is hysteretic not by temperature but by time.

【0018】[0018]

【実施例】【Example】

実施例1.以下、この発明の第1の実施例を図について
説明する。図1は本発明の実施例1による過熱保護回路
を示し、図1(a) はその回路ブロック図を、図1(b) は
その詳細な回路構成図を示す。図1(a) において、1は
温度モニタ回路、2は温度モニタ回路1の出力信号に応
じてICチップ内の他の主要回路の動作を停止させる遮
断回路、21は遮断回路2内の入力部、22は遮断回路
2内の遮断信号を出力する出力部、23は該入力部21
と出力部22との間に設けられ、上記温度モニタ回路1
の信号が一定時間以上同一レベルであることを判定し、
このように判定したのちに該遮断回路2の遮断の動作を
行うようにするタイマ回路である。この図1(a) の回路
の詳細を示す図1(b) において、Q1〜Q17はトラン
ジスタ、R1〜R6,Ra,Rbは抵抗、Caはコンデ
ンサ、I1〜I3は電流源、Comp1は比較器である。
Example 1. Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 shows an overheat protection circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1 (a) is a circuit block diagram thereof, and FIG. 1 (b) is a detailed circuit configuration diagram thereof. In FIG. 1 (a), 1 is a temperature monitor circuit, 2 is a cutoff circuit for stopping the operation of other main circuits in the IC chip according to the output signal of the temperature monitor circuit 1, and 21 is an input section in the cutoff circuit 2. , 22 is an output section for outputting a cutoff signal in the cutoff circuit 2, and 23 is the input section 21.
And the output unit 22 and is provided between the temperature monitor circuit 1 and
It is judged that the signals of are at the same level for a certain period of time,
The timer circuit is configured to perform the shutoff operation of the shutoff circuit 2 after the determination is made in this manner. In FIG. 1B showing the details of the circuit of FIG. 1A, Q1 to Q17 are transistors, R1 to R6, Ra and Rb are resistors, Ca is a capacitor, I1 to I3 are current sources, and Comp1 is a comparator. Is.

【0019】本実施例1では、温度モニタ回路1はいわ
ゆるバンドギャップ型の定電圧回路の温度比例電圧を用
いるようにしている。そして、該温度モニタ回路1の点
(T)から出力される温度比例電圧は、差動入力回路から
なる遮断回路2の入力部21に入り、ここで基準電圧
(A) と比較される。入力部21で比較された結果は、出
力部22のトランジスタQ15,Q16,Q17を経て
出力されるが、本実施例1では、トランジスタQ15と
Q16との間にタイマ回路23を入れている。
In the first embodiment, the temperature monitor circuit 1 uses a temperature proportional voltage of a so-called bandgap type constant voltage circuit. The point of the temperature monitor circuit 1
The temperature-proportional voltage output from (T) enters the input section 21 of the cutoff circuit 2 composed of a differential input circuit, where the reference voltage
Compared with (A). The result of the comparison at the input section 21 is output via the transistors Q15, Q16, Q17 of the output section 22, but in the first embodiment, the timer circuit 23 is inserted between the transistors Q15 and Q16.

【0020】次に動作について説明する。図1の本実施
例1の過熱保護回路においても、従来例と同様、温度ヒ
ステリシスを設けている。タイマ回路23は、遮断回路
2の入力部21にはいった信号が、タイマ部23で設定
する時間t以上同一状態を保って初めて出力部22が動
作するよう、該出力部22を制御する機能を持つ。
Next, the operation will be described. Also in the overheat protection circuit of the first embodiment of FIG. 1, temperature hysteresis is provided as in the conventional example. The timer circuit 23 has a function of controlling the output unit 22 so that the signal input to the input unit 21 of the cutoff circuit 2 remains in the same state for a time t set by the timer unit 23 or more until the output unit 22 operates. To have.

【0021】このように、図1の回路にノイズ等の外乱
がはいった場合、遮断回路2の入力部21が反転信号を
出してもタイマ回路23が設定する時間幅t以上反転信
号が持続しなければ、出力部22は遮断信号を出力しな
いことになる。即ち、図3の遮断回路2の出力は、この
とき解除状態にあるということを意味する。
In this way, when a disturbance such as noise is applied to the circuit of FIG. 1, even if the input section 21 of the cutoff circuit 2 outputs an inversion signal, the inversion signal continues for a time width t or more set by the timer circuit 23. If not, the output unit 22 does not output the cutoff signal. That is, the output of the cutoff circuit 2 in FIG. 3 means that it is in the release state at this time.

【0022】このとき、図2の過熱保護回路の動作曲線
上の各動作点での動作を考えると、次のようになる。図
中、A点で使用する場合は前述の通り実用上問題はない
が、B点の温度、つまり動作点がC点にある状態で使用
する時は、本実施例1の回路の場合、ノイズがタイマ回
路23で設定する時間幅以上の時間幅を持つものになら
ないと、遮断回路21は遮断信号を出力しない。通常、
ノイズの時間幅は非常に短く、タイマ回路23の設定す
る時間幅はノイズの時間幅よりも十分に大きく設定でき
る。そのため、C点でも誤動作のない安定した動作を続
けることができる。
At this time, considering the operation at each operation point on the operation curve of the overheat protection circuit of FIG. 2, the operation is as follows. In the figure, when used at point A, there is no practical problem as described above, but when used at the temperature at point B, that is, when the operating point is at point C, in the case of the circuit of the first embodiment, noise is generated. The cutoff circuit 21 does not output the cutoff signal unless the time width exceeds the time width set by the timer circuit 23. Normal,
The time width of noise is very short, and the time width set by the timer circuit 23 can be set sufficiently larger than the time width of noise. Therefore, stable operation without malfunction can be continued even at the point C.

【0023】次に、この動作を図1(b) の詳細回路構成
図、及び図3(a) ,(b) のタイミングチャートを用いて
説明する。まず、ICの温度が上がってくると、温度モ
ニタ回路の出力である(T) 点の電圧は図3(a) に示すよ
うに下がってくる。そして、このT点の電圧が比較する
電圧(A) を下まわると、トランジスタQ15がオフ状態
となり、定電流I2はコンデンサCaへ流れ込む。する
と、(B) 点の電位は図3(a) のように、徐々に上昇して
いき、電圧VR を上まわるようになる。(B) 点はコンパ
レータComp1の非反転入力側なので、コンパレータの出
力(C) は“L”から“H”へ切りかわる。その結果、出
力(D) も遮断状態に入る。図3(a) からわかるように、
この実施例1ではタイマ回路23を入れているので、I
Cの温度が有る基準値を越えてもすぐに出力が切りかわ
るのではなく、Δtだけの時間遅れを持って切りかわ
る。Δtは以下のように表される。
Next, this operation will be described with reference to the detailed circuit configuration diagram of FIG. 1B and the timing charts of FIGS. 3A and 3B. First, when the temperature of the IC rises, the voltage at the point (T), which is the output of the temperature monitor circuit, drops as shown in FIG. 3 (a). Then, when the voltage at the point T falls below the compared voltage (A), the transistor Q15 is turned off, and the constant current I2 flows into the capacitor Ca. Then, the potential at the point (B) gradually rises and exceeds the voltage VR as shown in FIG. 3 (a). Since the point (B) is on the non-inverting input side of the comparator Comp1, the output (C) of the comparator switches from "L" to "H". As a result, the output (D) also enters the cutoff state. As can be seen from Fig. 3 (a),
Since the timer circuit 23 is included in the first embodiment, I
Even if the temperature of C exceeds a certain reference value, the output does not switch immediately, but switches with a time delay of Δt. Δt is expressed as follows.

【0024】[0024]

【数1】 [Equation 1]

【0025】次に、図3(b) に示すように、ノイズ状の
信号が入った時を考えてみる。(T)点の電圧に図3(b)
のようなノイズNがのった場合、遮断回路2の入力部2
1は、ICの温度が基準値を越えたと判断し、トランジ
スタQ15をオフさせる。そして、前述のようにコンデ
ンサCaが充電しはじめるが、ノイズの時間幅が上述の
(1) 式で示すΔtに満たない場合は、図3(b) に示すと
おり(C) 点は反転せず、従って、(D) 点も遮断状態には
ならないことになる。
Next, consider the case where a noise-like signal is input, as shown in FIG. 3 (b). Figure 3 (b) shows the voltage at point (T)
When a noise N such as
1 judges that the temperature of the IC has exceeded the reference value and turns off the transistor Q15. Then, as described above, the capacitor Ca starts to be charged, but the noise time width is
If it is less than Δt shown in the equation (1), the point (C) is not inverted as shown in Fig. 3 (b), and therefore the point (D) is not cut off.

【0026】このような本実施例1では、遮断回路2の
入力部21と出力部22との間にタイマ回路23を挿入
して、遮断回路2の入力部21が反転信号を出してもタ
イマ回路23が設定する時間幅t以上反転信号が持続し
なければ、出力部22は遮断信号を出力しないようにし
たので、過密実装状態で放熱が悪くなった場合でも、安
定した過熱保護回路動作を得ることができる効果があ
る。
In the first embodiment as described above, the timer circuit 23 is inserted between the input section 21 and the output section 22 of the cutoff circuit 2 so that the timer section 23 outputs the inverted signal even if the input section 21 of the cutoff circuit 2 outputs an inverted signal. Since the output unit 22 does not output the cutoff signal unless the inverted signal continues for the time width t set by the circuit 23 or more, the stable overheat protection circuit operation can be performed even when the heat radiation deteriorates in the overcrowded mounting state. There is an effect that can be obtained.

【0027】実施例2.上記実施例1のタイマ回路とし
ては、ロジックのカウンタ回路を用いても同様の効果を
得ることができる。即ち、最近のIC回路は内部クロッ
クを使っているものが多いので、この内部クロックを用
い、これをカウンタ回路でカウントすることにより、同
様の時間幅設定をすることができる。この場合、カウン
タ回路を使用することによって、充放電用の外付けコン
デンサや、抵抗が不要になる他、ロジック回路を組むだ
けなので、非常に簡単な回路,パターンで回路構成を実
現することができるものである。
Example 2. The same effect can be obtained by using a logic counter circuit as the timer circuit of the first embodiment. That is, since many recent IC circuits use the internal clock, the same time width can be set by using this internal clock and counting it by the counter circuit. In this case, by using the counter circuit, an external capacitor for charging / discharging and a resistor are not necessary, and since only a logic circuit is assembled, the circuit configuration can be realized with a very simple circuit and pattern. It is a thing.

【0028】図4にこのようにした本発明の第2の実施
例を示す。図4(a) はその回路ブロック図を、図4(b)
はその詳細な回路構成図を示す。本実施例2は図4(a)
,(b) に示されるように、タイマ回路23aとして、
3つのDFF(Dタイプフリップフロップ)を用いたも
のであり、そのタイミングチャートは図5に示すように
なる。該図5からわかるように、Δtをクロックの周期
から作るようにしている。この例では、DFFを3個使
用しているが、クロック周期とΔtをどれくらいにする
かにより3個より多くてもすくなくてもよいものであ
る。
FIG. 4 shows the second embodiment of the present invention as described above. Fig. 4 (a) shows the circuit block diagram of Fig. 4 (b).
Shows a detailed circuit configuration diagram thereof. The second embodiment is shown in FIG.
, (B), as the timer circuit 23a,
It uses three DFFs (D type flip-flops), and its timing chart is as shown in FIG. As can be seen from FIG. 5, Δt is made from the clock cycle. In this example, three DFFs are used, but more or less than three may be used depending on the clock cycle and Δt.

【0029】このような本実施例2では、タイマ回路と
してロジックのカウンタ回路を用いたことにより、充放
電用の外付けコンデンサや、抵抗が不要になるばかりで
なく、非常に簡単な回路,パターンで回路構成を実現す
ることができる効果がある。
In the second embodiment as described above, since the logic counter circuit is used as the timer circuit, not only the external capacitor for charging and discharging and the resistor are not required, but also a very simple circuit and pattern are provided. There is an effect that the circuit configuration can be realized by.

【0030】実施例3.図6に本発明の第3の実施例に
よる過熱保護回路を示す。本実施例3では、タイマ回路
23bは外部コンデンサ31の充電時間を利用したもの
で、このコンデンサ31を外付けにすることにより、時
間幅Δtを可変にしているものである。
Example 3. FIG. 6 shows an overheat protection circuit according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the timer circuit 23b uses the charging time of the external capacitor 31, and the time width Δt is made variable by attaching the capacitor 31 externally.

【0031】このような本実施例3では、タイマ回路2
3bを外付けのコンデンサ31の充電時間を利用したも
のとしたので、タイマ回路が設定する上記時間幅Δtを
可変とすることができる効果がある。
In the third embodiment as described above, the timer circuit 2
Since 3b uses the charging time of the externally attached capacitor 31, there is an effect that the time width Δt set by the timer circuit can be made variable.

【0032】実施例4.図7に本発明の第4の実施例に
よる過熱保護回路を示し、図7(a) はそのブロック構成
図、図7(b) はその詳細な回路構成図である。本実施例
4では、タイマ回路23cにおいて、実施例3における
定電流I2 の代わりに外付け抵抗32を接続可能にし、
その外付け抵抗値でΔtを可変にしたものである。ここ
で、Δtは以下の式で表される。
Example 4. FIG. 7 shows an overheat protection circuit according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 7 (a) is its block configuration diagram and FIG. 7 (b) is its detailed circuit configuration diagram. In the fourth embodiment, in the timer circuit 23c, an external resistor 32 can be connected instead of the constant current I2 in the third embodiment,
Δt is made variable by the external resistance value. Here, Δt is represented by the following formula.

【0033】[0033]

【数2】 [Equation 2]

【0034】このように本実施例4では、タイマ回路2
3cはコンデンサCaの放電時間を利用したものとし、
かつ、抵抗32を外付けすることでコンデンサCaの放
電時間を可変としたので、上記時間幅Δtを上記外付け
抵抗32の抵抗値により可変とすることができる効果が
ある。
As described above, in the fourth embodiment, the timer circuit 2
3c uses the discharge time of the capacitor Ca,
Moreover, since the discharge time of the capacitor Ca is made variable by externally attaching the resistor 32, there is an effect that the time width Δt can be made variable by the resistance value of the external resistor 32.

【0035】実施例5.図8に本発明の第5の実施例に
よる過熱保護回路を示す。本実施例5のタイマ回路23
dは、上記実施例3,4に示した外付け素子31,32
(本実施例5では、実施例4の抵抗32をトランジスタ
により実現している)を内蔵するものとしたものであ
る。
Example 5. FIG. 8 shows an overheat protection circuit according to a fifth embodiment of the present invention. Timer circuit 23 of the fifth embodiment
d is the external element 31, 32 shown in the third and fourth embodiments.
(In the fifth embodiment, the resistor 32 of the fourth embodiment is realized by a transistor).

【0036】このような本実施例5では、上記実施例
3,4における外付け素子31,32を内蔵することに
より、時間幅Δtは一定であるが、外付け素子を削減し
たので、素子を外付する手間を省くことができる。
In the fifth embodiment as described above, the time width Δt is constant by incorporating the externally mounted elements 31 and 32 of the above-described third and fourth embodiments. It is possible to save the trouble of attaching externally.

【0037】実施例6.以下、この発明の第6の実施例
を図について説明する。図10は本発明の第6の実施例
による過熱保護回路を示し、図10(a) はその回路ブロ
ック図を、図10(b) はその詳細な回路構成図を、図1
1(a) ,(b) ,(c) はそのタイミングチャートを示す。
図10(a) において、51は温度に応じて設定できる定
電圧を発生する定電圧回路、52はICチップの温度を
検出する温度検出回路である。56はICチップ内の他
の主要回路の動作を止める遮断回路部であり、該遮断回
路部56において、53は上記定電圧回路51の出力
と、上記温度検出回路52との出力とを、温度ヒステリ
シスを持って比較する温度ヒステリシス回路、54は温
度ヒステリシス回路53の出力53を受け、その出力が
入力した時間から一定時間後に信号を出力する時間幅設
定回路、55は該時間幅設定回路54から信号が出力さ
れた時点で上記温度ヒステリシス回路53の出力波形C
をラッチするラッチ回路である。
Example 6. The sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 10 shows an overheat protection circuit according to a sixth embodiment of the present invention, FIG. 10 (a) is a circuit block diagram thereof, FIG. 10 (b) is a detailed circuit configuration diagram thereof, and FIG.
1 (a), (b), and (c) show the timing chart.
In FIG. 10A, 51 is a constant voltage circuit that generates a constant voltage that can be set according to temperature, and 52 is a temperature detection circuit that detects the temperature of the IC chip. Reference numeral 56 denotes a cutoff circuit section for stopping the operation of other main circuits in the IC chip. In the cutoff circuit section 56, 53 indicates the temperature of the output of the constant voltage circuit 51 and the output of the temperature detection circuit 52. A temperature hysteresis circuit for comparing with hysteresis, 54 is a time width setting circuit that receives an output 53 of the temperature hysteresis circuit 53, and outputs a signal after a fixed time from the time when the output is input, 55 is a time width setting circuit 54 The output waveform C of the temperature hysteresis circuit 53 at the time when the signal is output.
Is a latch circuit that latches

【0038】また、図11(b) において、図1(b) と同
一符号は同一部分を示し、本実施例6の温度モニタ回路
1は、定電圧回路51と、温度検出回路52とからな
り、上記実施例1の温度モニタ回路1と同じ構成となっ
ている。また、遮断回路部56は、上記実施例1の遮断
回路の入力部21と、遮断回路の出力部22とをあわせ
たものと同等の構成となっており、温度ヒステリシス回
路53に接続される上記時間幅設定回路54は、2つの
NAND,NAND1,2と、抵抗対R7,R8と、コ
ンデンサC2とからなっている。また、上記ラッチ回路
55は、2つのトランジスタQ17,Q18と、反転バ
ッファINVとからなっている。
Further, in FIG. 11B, the same reference numerals as those in FIG. 1B indicate the same parts, and the temperature monitor circuit 1 of the sixth embodiment comprises a constant voltage circuit 51 and a temperature detection circuit 52. The temperature monitor circuit 1 of the first embodiment has the same configuration. Further, the cutoff circuit section 56 has the same structure as the combination of the input section 21 of the cutoff circuit and the output section 22 of the cutoff circuit of the first embodiment, and is connected to the temperature hysteresis circuit 53. The time width setting circuit 54 includes two NANDs, NAND1 and NAND2, resistor pairs R7 and R8, and a capacitor C2. The latch circuit 55 is composed of two transistors Q17 and Q18 and an inverting buffer INV.

【0039】次に本実施例6の動作を、図11のタイミ
ングチャートを参照して説明する。図10(a) ,(b) の
本実施例6の過熱保護回路においては、従来例と同様、
温度ヒステリシス回路53を備えているとともに、さら
に、該温度ヒステリシス回路53の温度検出波形Aをラ
ッチして一定時間T経過後に遮断解除信号を出すよう
に、時間幅設定回路54と、ラッチ回路55とを備えて
いる。即ち、時間幅設定回路54と、ラッチ回路55が
ない場合は、遮断回路部56の最終遮断出力Dは上記出
力Aに対応してTA 時間のみ“L" (遮断状態)となる
が、時間幅設定回路54は、温度ヒステリシス回路53
の出力波形Cの立下がりでトリガされ、その後上記T時
間,遮断状態を保持する(出力信号B)。そして、ラッ
チ回路55で上記信号Cと上記信号Bの2つの信号が合
成され、最終的に図11に示すような遮断出力Dが得ら
れる。ここで、時間TA はICの放熱状態によって決ま
るが、上記時間Tは時間幅設定回路54に内蔵するコン
デンサC2 によって決まる一定値である。そのため、時
間TA が小さくなっても時間Tをある一定の値とすれ
ば、常に一定以上の遮断時間を維持できることとなる。
Next, the operation of the sixth embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. In the overheat protection circuit of the sixth embodiment shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), similar to the conventional example,
A temperature hysteresis circuit 53 is provided, and a time width setting circuit 54 and a latch circuit 55 are further provided so that the temperature detection waveform A of the temperature hysteresis circuit 53 is latched and a cutoff release signal is output after a lapse of a certain time T. Is equipped with. That is, when the time width setting circuit 54 and the latch circuit 55 are not provided, the final interruption output D of the interruption circuit unit 56 becomes "L" (interruption state) only for the TA time corresponding to the output A, but the time width The setting circuit 54 is a temperature hysteresis circuit 53.
Is triggered by the falling edge of the output waveform C, and then the cutoff state is maintained for the time T (output signal B). Then, the latch circuit 55 combines the two signals of the signal C and the signal B, and finally a cutoff output D as shown in FIG. 11 is obtained. Here, the time TA is determined by the heat radiation state of the IC, but the time T is a constant value determined by the capacitor C2 incorporated in the time width setting circuit 54. Therefore, even if the time TA becomes small, if the time T is set to a certain constant value, it is possible to always maintain the interruption time above a certain value.

【0040】このような本実施例6の過熱保護回路で
は、時間幅設定回路54と、ラッチ回路55とを備え、
これにより温度ヒステリシス回路53の出力波形が遮断
解除状態となったのちも、時間幅設定回路54による時
間Tの間,遮断状態が維持されたのち、遮断解除状態と
なるようにし、いわば温度ではなく時間幅にてヒステリ
シスをかけるようにしたので、放熱の良いパッケージを
使用していても、すぐに遮断状態が解除されるというこ
とがなくなり、安定した過熱保護回路動作を得ることが
できる効果がある。
The overheat protection circuit according to the sixth embodiment is provided with the time width setting circuit 54 and the latch circuit 55.
As a result, even after the output waveform of the temperature hysteresis circuit 53 is in the cutoff release state, the cutoff state is maintained for the time T by the time width setting circuit 54, and then the cutoff release state is set. Since hysteresis is applied in the time width, even if a package with good heat dissipation is used, the cutoff state will not be released immediately and stable overheat protection circuit operation can be obtained. .

【0041】実施例7.図12は本発明の第7の実施例
を示し、図12(a) は本実施例7による過熱保護回路の
詳細な回路構成図、図12(b) は本実施例の動作タイミ
ングチャート図である。本実施例7の回路構成は、温度
ヒステリシス回路53Aの出力側に、コンパレータ50
を含む時間幅設定回路54Aを接続したものであり、こ
の時間幅設定回路54Aでは、温度ヒステリシス回路5
3Aの出力波形Cに比例した電圧を、トランジスタQ1
6,トランジスタQ17を介してコンパレータ50に正
入力端に入力するようにしている。このとき、この正入
力端にはコンデンサCaが接続されており、上記電圧に
より該コンデンサCaは充電されることとなる。一方、
抵抗対R7,R8は、比較電圧VR を作成してこれをコ
ンパレータ50の非反転入力に入力するようにしてお
り、このコンパレータ50の出力が遮断出力Dとなるも
のである。なお、図中I4は定電流源である。また、本
実施例7の遮断回路部56では、上記実施例6における
ラッチ回路55は設けられていない。
Example 7. FIG. 12 shows a seventh embodiment of the present invention, FIG. 12 (a) is a detailed circuit configuration diagram of an overheat protection circuit according to the seventh embodiment, and FIG. 12 (b) is an operation timing chart of the present embodiment. is there. In the circuit configuration of the seventh embodiment, the comparator 50 is provided on the output side of the temperature hysteresis circuit 53A.
A time width setting circuit 54A including a temperature hysteresis circuit 5A is connected.
The voltage proportional to the output waveform C of 3A is applied to the transistor Q1.
6, the positive input terminal is input to the comparator 50 via the transistor Q17. At this time, the capacitor Ca is connected to the positive input terminal, and the capacitor Ca is charged by the above voltage. on the other hand,
The resistor pair R7 and R8 creates a comparison voltage VR and inputs it to the non-inverting input of the comparator 50, and the output of this comparator 50 becomes the cutoff output D. In the figure, I4 is a constant current source. Further, the cutoff circuit section 56 of the seventh embodiment does not include the latch circuit 55 of the sixth embodiment.

【0042】次に、図12(b) のタイミングチャートと
ともに、動作について説明する。図12(a) におけるC
点が温度ヒステリシス回路53Aの出力となるが、この
信号Cを時間幅設定回路54Aがそのコンパレータ50
に受けて、遮断状態から解除状態になったとき(C点の
立下がり)に、コンデンサCaの充電時間を利用してT
時間の遅れをもたせている。従って、時間幅設定回路5
4Aの出力Dとしては、上記温度ヒステリシス回路53
Aの出力であるC点の電圧により決まる時間TA と、上
記コンデンサCaの充電時間により決まる時間Tとの和
が、遮断状態を保持する時間となる。
Next, the operation will be described with reference to the timing chart of FIG. C in Fig. 12 (a)
The point becomes the output of the temperature hysteresis circuit 53A, and the time width setting circuit 54A outputs this signal C to the comparator 50.
Therefore, when the cutoff state is changed to the release state (falling point C), the charging time of the capacitor Ca is used to
There is a delay in time. Therefore, the time width setting circuit 5
The output D of 4A is the temperature hysteresis circuit 53.
The sum of the time TA determined by the voltage at the point C, which is the output of A, and the time T determined by the charging time of the capacitor Ca is the time for maintaining the cutoff state.

【0043】このような本実施例7では、上記実施例6
と同様、温度ヒステリシス動作を用いずに、温度ヒステ
リシス回路の温度検出出力Cから、温度ではなく時間幅
にてヒステリシスをかけるようにしたので、温度ヒステ
リシス回路53Aの出力が遮断解除状態となったのち
も、時間幅設定回路54Aによる時間Tの間,遮断状態
が維持されたのち、遮断解除状態となることとなり、放
熱の良いパッケージを使用している場合においても、安
定した過熱保護回路動作を得ることができる効果があ
る。
In the seventh embodiment, the sixth embodiment described above is used.
Similarly to the above, without using the temperature hysteresis operation, the temperature detection output C of the temperature hysteresis circuit is adapted to apply hysteresis not in temperature but in the time width. Also, the cutoff state is maintained for the time T by the time width setting circuit 54A, and then the cutoff state is released, so that stable overheat protection circuit operation can be obtained even when a package with good heat dissipation is used. There is an effect that can be.

【0044】実施例8.本実施例8は、実施例6の時間
幅設定回路54として、図13(a) ,(b) に示すよう
に、外付けコンデンサ57(C2)を設け、該外付けの
コンデンサC2の容量値を変化させることにより容易に
ヒステリシスの時間幅Tを変化させることのできる時間
幅設定回路54Bとしたものである。その他、温度ヒス
テリシス回路53,及びラッチ回路55は、上記実施例
6と全く同様である。
Example 8. In the eighth embodiment, as the time width setting circuit 54 of the sixth embodiment, an external capacitor 57 (C2) is provided as shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b), and the capacitance value of the external capacitor C2 is set. The time width setting circuit 54B can easily change the time width T of the hysteresis by changing the time width. In addition, the temperature hysteresis circuit 53 and the latch circuit 55 are exactly the same as those in the sixth embodiment.

【0045】本実施例8では、時間幅設定回路54Bを
用いて、温度ではなく時間幅にてヒステリシスをかける
ようにしたので、上記実施例6,7と同様、安定した過
熱保護回路動作を得ることができる効果がある。また、
外付けのコンデンサC2の容量値を変化させることによ
り、容易にヒステリシスの時間幅Tを変化させることが
できる効果がある。
In the eighth embodiment, the time width setting circuit 54B is used to apply the hysteresis not in the temperature but in the time width, so that a stable operation of the overheat protection circuit can be obtained as in the sixth and seventh embodiments. There is an effect that can be. Also,
By changing the capacitance value of the externally attached capacitor C2, there is an effect that the time width T of the hysteresis can be easily changed.

【0046】実施例9.本発明の第9の実施例は、実施
例6における時間幅設定回路54として、図14(a) ,
(b) に示すようにロジックのカウンタ回路、ここでは、
3つのDFF,即ちFF1,FF2,FF3を用いて構
成したロジックのカウンタ回路54Cを用いたものであ
る。
Example 9. In the ninth embodiment of the present invention, as the time width setting circuit 54 in the sixth embodiment, as shown in FIG.
A logic counter circuit, as shown in (b),
It uses a logic counter circuit 54C configured by using three DFFs, that is, FF1, FF2, and FF3.

【0047】本実施例9のタイミングチャートを図15
に示し、次に動作を説明する。上記ロジックのカウンタ
回路54Cを構成する3つのDFF(FF1,FF2,
FF3)は、温度ヒステリシス回路53のC点の電圧が
“L”→“H”になった時リセットがかかり、そのQ出
力は“L”になる。そして、C点の電圧が“L”に反転
した時動きだすので、各DFFのQ出力は、図15に示
すような波形となる。
FIG. 15 is a timing chart of the ninth embodiment.
The operation will be described next. Three DFFs (FF 1, FF 2,
The FF3) is reset when the voltage at the point C of the temperature hysteresis circuit 53 changes from "L" to "H", and its Q output becomes "L". Then, when the voltage at the point C inverts to "L", the operation starts, so that the Q output of each DFF has a waveform as shown in FIG.

【0048】本実施例9においても、時間幅設定回路5
4としてロジックのカウンタ回路54Cを用いて、温度
ではなく時間幅にてヒステリシスをかけるようにしたの
で、上記実施例6,7,8と同様、安定した過熱保護回
路動作を得ることができる効果がある。
Also in the ninth embodiment, the time width setting circuit 5
Since the logic counter circuit 54C is used as No. 4 and the hysteresis is applied not by the temperature but by the time width, there is an effect that a stable operation of the overheat protection circuit can be obtained as in the sixth, seventh and eighth embodiments. is there.

【0049】なお本実施例9では、DFFを3個並べて
いるが、これはクロックCLKの周期と時間Tをどの程
度にするかでDFFの個数が決まるもので、3個より多
くても少なくてもよいものである。
In the ninth embodiment, three DFFs are arranged. However, the number of DFFs is determined by how much the cycle of the clock CLK and the time T are set. Is also good.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
集積回路における過熱保護回路によれば、遮断回路部
に、温度モニタ回路の信号が一定時間以上同一レベルで
あることを判定し、このように判定したのちに遮断の動
作を行なわせるタイマ回路を内蔵したので、過密実装状
態で放熱が悪くなった場合でも、ノイズ等による誤動作
がなく安定した過熱保護回路動作を得られる効果があ
る。
As described above, according to the overheat protection circuit in the semiconductor integrated circuit of the present invention, it is determined in the shutoff circuit section that the signals of the temperature monitor circuit are at the same level for a certain period of time or more. Since the timer circuit for performing the shut-off operation after the judgment is made is provided, there is an effect that a stable overheat protection circuit operation can be obtained without malfunction due to noise or the like even when the heat radiation is deteriorated in a densely packed state.

【0051】また、この発明にかかる過熱保護回路によ
れば、遮断回路部に、温度ヒステリシス回路の出力を受
けてから一定時間後に信号を出力する時間幅設定回路
を、さらには該時間幅設定回路から信号が出力された時
点で温度ヒステリシス回路の出力をラッチするラッチ回
路とを設け、いわば温度ではなく時間幅にてヒステリシ
スをかけるようにしたので、放熱の良いパッケージを使
用している時にも熱発振することなく、安定した過熱保
護回路動作を得られる効果がある。
Further, according to the overheat protection circuit of the present invention, the shut-off circuit section further includes a time width setting circuit for outputting a signal after a predetermined time has elapsed after receiving the output of the temperature hysteresis circuit, and further, the time width setting circuit. A latch circuit that latches the output of the temperature hysteresis circuit when the signal is output from is provided, and so to speak, the hysteresis is applied not by temperature but by the time width, so even when using a package with good heat dissipation, There is an effect that a stable operation of the overheat protection circuit can be obtained without oscillating.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施例による過熱保護回路を
示す図(図(a) は回路ブロック図,図(b) は詳細回路構
成図)である。
FIG. 1 is a diagram showing an overheat protection circuit according to a first embodiment of the present invention (FIG. 1A is a circuit block diagram and FIG. 1B is a detailed circuit configuration diagram).

【図2】実施例1の過熱保護回路の動作を表す動作曲線
を示す図(図(a) ),及び外乱によるノイズが加わった
ときの動作を説明する図(図(b) )である。
FIG. 2 is a diagram showing an operation curve showing the operation of the overheat protection circuit of the first embodiment (FIG. 2A) and an operation diagram when noise due to disturbance is added (FIG. 2B).

【図3】実施例1の過熱保護回路の動作タイミングチャ
ート図(図(a) は通常動作時,図(b) は外乱ノイズが加
わったときのもの)である。
3A and 3B are operation timing charts of the overheat protection circuit according to the first embodiment (FIG. 3A is for normal operation, and FIG. 3B is for when disturbance noise is added).

【図4】この発明の第2の実施例による過熱保護回路を
示す図(図(a) は回路ブロック図,図(b) は詳細回路構
成図)である。
FIG. 4 is a diagram showing an overheat protection circuit according to a second embodiment of the present invention (FIG. 4A is a circuit block diagram and FIG. 4B is a detailed circuit configuration diagram).

【図5】実施例2の過熱保護回路の動作タイミングチャ
ート図である。
FIG. 5 is an operation timing chart of the overheat protection circuit according to the second embodiment.

【図6】この発明の第3の実施例による過熱保護回路を
示す図(図(a) は回路ブロック図,図(b) は詳細回路構
成図)である。
FIG. 6 is a diagram showing an overheat protection circuit according to a third embodiment of the present invention (FIG. 6A is a circuit block diagram, and FIG. 6B is a detailed circuit configuration diagram).

【図7】この発明の第4の実施例による過熱保護回路を
示す図(図(a) は回路ブロック図,図(b) は詳細回路構
成図)である。
FIG. 7 is a diagram showing an overheat protection circuit according to a fourth embodiment of the present invention (FIG. 7A is a circuit block diagram and FIG. 7B is a detailed circuit configuration diagram).

【図8】この発明の第5の実施例による過熱保護回路を
示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an overheat protection circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】従来の第1例による過熱保護回路を示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing a conventional overheat protection circuit according to a first example.

【図10】この発明の第6の実施例による過熱保護回路
を示す構成図(図(a) ,図(b) )である。
FIG. 10 is a configuration diagram (FIGS. (A) and (b)) showing an overheat protection circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】実施例6の過熱保護回路の動作説明図であ
る。
FIG. 11 is an operation explanatory diagram of the overheat protection circuit according to the sixth embodiment.

【図12】この発明の第7の実施例による過熱保護回路
を示す回路構成図(図(a) )、及びその動作タイミング
チャート図(図(b) )である。
FIG. 12 is a circuit configuration diagram (FIG. (A)) showing an overheat protection circuit according to a seventh embodiment of the present invention and an operation timing chart diagram (FIG. (B)) thereof.

【図13】この発明の第8の実施例による過熱保護回路
を示す構成図(図(a) ,図(b) )である。
FIG. 13 is a configuration diagram (FIGS. (A) and (b)) showing an overheat protection circuit according to an eighth embodiment of the present invention.

【図14】この発明の第9の実施例による過熱保護回路
を示す構成図(図(a) ,図(b) )である。
FIG. 14 is a configuration diagram (FIGS. (A) and (b)) showing an overheat protection circuit according to a ninth embodiment of the present invention.

【図15】上記実施例9の過熱保護回路の動作タイミン
グチャート図である。
FIG. 15 is an operation timing chart of the overheat protection circuit according to the ninth embodiment.

【図16】従来の第2例による過熱保護回路を示す図で
ある。
FIG. 16 is a diagram showing an overheat protection circuit according to a second conventional example.

【図17】図16の過熱保護回路の動作を示す動作曲線
である。
17 is an operation curve showing the operation of the overheat protection circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 温度モニタ回路 2 遮断回路 21 遮断回路の入力部 22 遮断回路の出力部 23,23a,23b,23c タイマ回路 24 カウンタ回路 31 外付けコンデンサ 32 外付け抵抗 51 定電圧回路 52 温度検出回路 53,53A 温度ヒステリシス回路 54,54A,54B,54C 時間幅設定回路 55 ラッチ回路 56 遮断回路部 57 外付けコンデンサ FF1,FF2,FF3 D−フリップフロップ 1 Temperature Monitor Circuit 2 Breaking Circuit 21 Input Section of Breaking Circuit 22 Output Section of Breaking Circuit 23, 23a, 23b, 23c Timer Circuit 24 Counter Circuit 31 External Capacitor 32 External Resistor 51 Constant Voltage Circuit 52 Temperature Detection Circuit 53, 53A Temperature hysteresis circuit 54, 54A, 54B, 54C Time width setting circuit 55 Latch circuit 56 Breaking circuit unit 57 External capacitor FF1, FF2, FF3 D-flip-flop

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ICチップの温度をモニタする温度モニ
タ回路と、 上記温度モニタ回路の出力信号に応じて上記ICチップ
内の主要回路の動作を停止させる遮断回路とを備えた半
導体集積回路における過熱保護回路において、 上記遮断回路は、上記温度モニタ回路の信号が一定時間
以上同一レベルであることを判定し、このように判定し
たのちに上記遮断の動作を行うものとするタイマ回路を
内蔵するものであることを特徴とする半導体集積回路に
おける過熱保護回路。
1. Overheating in a semiconductor integrated circuit comprising a temperature monitor circuit for monitoring the temperature of an IC chip, and a cutoff circuit for stopping the operation of a main circuit in the IC chip in response to an output signal of the temperature monitor circuit. In the protection circuit, the cutoff circuit has a built-in timer circuit for judging that the signals of the temperature monitor circuit are at the same level for a certain time or longer, and then performing the cutoff operation after making such judgment. Is an overheat protection circuit in a semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 請求項1記載の過熱保護回路において、 上記タイマ回路に、Dタイプフリップフロップを用いた
ことを特徴とする半導体集積回路における過熱保護回
路。
2. The overheat protection circuit according to claim 1, wherein a D type flip-flop is used for the timer circuit.
【請求項3】 請求項1記載の過熱保護回路において、 上記タイマ回路を、外付けのコンデンサを有するものと
し、上記一定時間を該外付けのコンデンサの容量値によ
り可変としたことを特徴とする半導体集積回路における
過熱保護回路。
3. The overheat protection circuit according to claim 1, wherein the timer circuit has an external capacitor, and the fixed time is variable depending on the capacitance value of the external capacitor. Overheat protection circuit in semiconductor integrated circuit.
【請求項4】 請求項1記載の過熱保護回路において、 上記タイマ回路に、外付けの抵抗を有するものとし、上
記一定時間を該外付けの抵抗の抵抗値により可変とした
ことを特徴とする半導体集積回路における過熱保護回
路。
4. The overheat protection circuit according to claim 1, wherein the timer circuit has an external resistor, and the fixed time is variable by a resistance value of the external resistor. Overheat protection circuit in semiconductor integrated circuit.
【請求項5】 請求項1記載の過熱保護回路において、 請求項3記載の外付けのコンデンサ、及び請求項4記載
の外付けの抵抗を、内蔵したことを特徴とする半導体集
積回路における過熱保護回路。
5. The overheat protection circuit according to claim 1, wherein the external capacitor according to claim 3 and the external resistor according to claim 4 are built-in. circuit.
【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の過
熱保護回路において、 上記温度モニタ回路は、温度に応じて設定できる定電圧
を発生する定電圧回路と、上記ICチップの温度を検出
する温度検出回路とからなるものであることを特徴とす
る半導体集積回路における過熱保護回路。
6. The overheat protection circuit according to claim 1, wherein the temperature monitor circuit detects a temperature of a constant voltage circuit that generates a constant voltage that can be set according to temperature, and the temperature of the IC chip. An overheat protection circuit in a semiconductor integrated circuit, comprising:
【請求項7】 温度に応じて設定できる定電圧を発生す
る定電圧回路と、上記ICチップの温度を検出する温度
検出回路とからなり、ICチップの温度をモニタする温
度モニタ回路と、 該温度モニタ回路の上記温度検出回路の出力を受け、こ
れを上記定電圧回路の出力と温度ヒステリシスをもって
比較し、その比較出力に応じて上記ICのチップ内の主
要回路の動作を、上記温度検出時より温度ヒステリシス
をつけて遮断するようにする温度ヒステリシス回路とを
有する遮断回路を備えた半導体集積回路における過熱保
護回路において、 上記遮断回路は、 上記温度ヒステリシス回路の出力を受け、その出力が入
力した時間から一定時間後に信号を出力する時間幅設定
回路と、 該時間幅設定回路から信号が出力された時点で上記温度
ヒステリシス回路の出力をラッチし、その出力を遮断出
力とするラッチ回路とを有するものであることを特徴と
する半導体集積回路における過熱保護回路。
7. A temperature monitor circuit comprising a constant voltage circuit for generating a constant voltage that can be set according to temperature and a temperature detection circuit for detecting the temperature of the IC chip, and a temperature monitor circuit for monitoring the temperature of the IC chip, The output of the temperature detection circuit of the monitor circuit is received, this is compared with the output of the constant voltage circuit with temperature hysteresis, and the operation of the main circuit in the chip of the IC is performed from the time of the temperature detection according to the comparison output. In an overheat protection circuit in a semiconductor integrated circuit having a shutoff circuit having a temperature hysteresis circuit for shutting off with temperature hysteresis, the shutoff circuit receives an output of the temperature hysteresis circuit, and a time when the output is input. The time width setting circuit that outputs a signal after a fixed time from the temperature hysteresis circuit at the time when the signal is output from the time width setting circuit. It latches the output of the scan circuit, an overheat protection circuit in the semiconductor integrated circuit, characterized in that those having a latch circuit to shut off its output.
【請求項8】 請求項7記載の過熱保護回路において、 上記時間幅設定回路は、上記温度ヒステリシス回路の出
力波形をその信号入力端にコンデンサを持つコンパレー
タに入力するものであり、 上記ラッチ回路を有さないことを特徴とする半導体集積
回路における過熱保護回路。
8. The overheat protection circuit according to claim 7, wherein the time width setting circuit inputs the output waveform of the temperature hysteresis circuit to a comparator having a capacitor at a signal input end thereof, An overheat protection circuit in a semiconductor integrated circuit characterized by not having.
【請求項9】 請求項7記載の過熱保護回路において、 上記時間幅設定回路は、その設定する時間幅を決める外
付けコンデンサを有するものであることを特徴とする半
導体集積回路における過熱保護回路。
9. The overheat protection circuit according to claim 7, wherein the time width setting circuit has an external capacitor that determines a time width to be set.
【請求項10】 請求項7記載の過熱保護回路におい
て、 上記時間幅設定回路は、論理回路によるタイマ回路から
なることを特徴とする半導体集積回路における過熱保護
回路。
10. The overheat protection circuit according to claim 7, wherein the time width setting circuit comprises a timer circuit formed of a logic circuit.
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