JPH0778640A - 酸化物超伝導体とのコンタクト構造及びその形成方法 - Google Patents
酸化物超伝導体とのコンタクト構造及びその形成方法Info
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- JPH0778640A JPH0778640A JP5225751A JP22575193A JPH0778640A JP H0778640 A JPH0778640 A JP H0778640A JP 5225751 A JP5225751 A JP 5225751A JP 22575193 A JP22575193 A JP 22575193A JP H0778640 A JPH0778640 A JP H0778640A
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- Japan
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- metal
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- low melting
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物超伝導体と常伝導金属の間の良好な電
気的コンタクトを得ること。 【構成】 配線板などの酸化物超伝導体（例、Ｂｉ系）
の表面に金属接続層（例、Ａｕ，Ａｇ）を形成後、低融
点金属（例、Ｉｎ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｐｂ−Ｓｎ）と
加熱下に反応しないバリヤ層（例、Ｐｔ）を形成してか
ら、低融点金属を用いて常伝導体（リード、フリップチ
ップ等）と接続する。
気的コンタクトを得ること。 【構成】 配線板などの酸化物超伝導体（例、Ｂｉ系）
の表面に金属接続層（例、Ａｕ，Ａｇ）を形成後、低融
点金属（例、Ｉｎ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｐｂ−Ｓｎ）と
加熱下に反応しないバリヤ層（例、Ｐｔ）を形成してか
ら、低融点金属を用いて常伝導体（リード、フリップチ
ップ等）と接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物超伝導体と常伝導
金属とのコンタクト構造及びその形成方法に係る。
金属とのコンタクト構造及びその形成方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】超伝導体を高周波デバイス、電子デバイ
ス、回路基板等に用いるためには酸化物超伝導体と常伝
導体との良好なコンタクトが不可欠である。酸化物超伝
導体は通常の金属に較べキャリア濃度が少なく、通常金
属との接触界面における障壁は高くなりやすい。超伝導
体自身は極めて抵抗が小さく、損失がほとんどない理想
的な導体と考えられるが実用に際しては、通常金属との
接触抵抗が比較的大きな値を持ち、接触抵抗は通常金属
同士よりも数桁大きくなることも珍しくなく、酸化物超
伝導体と常伝導体との良好なコンタクトを再現性よく形
成することが課題となっていた。
ス、回路基板等に用いるためには酸化物超伝導体と常伝
導体との良好なコンタクトが不可欠である。酸化物超伝
導体は通常の金属に較べキャリア濃度が少なく、通常金
属との接触界面における障壁は高くなりやすい。超伝導
体自身は極めて抵抗が小さく、損失がほとんどない理想
的な導体と考えられるが実用に際しては、通常金属との
接触抵抗が比較的大きな値を持ち、接触抵抗は通常金属
同士よりも数桁大きくなることも珍しくなく、酸化物超
伝導体と常伝導体との良好なコンタクトを再現性よく形
成することが課題となっていた。
【０００３】酸化物超伝導体と常伝導体との電気的コン
タクト（オーミックコンタクト）をとる方法としては超
伝導薄膜上に金または銀の薄膜を堆積させ、それに対し
Ｉｎ−Ｓｎなどのはんだにより常伝導体に接続する方法
が一般的である。
タクト（オーミックコンタクト）をとる方法としては超
伝導薄膜上に金または銀の薄膜を堆積させ、それに対し
Ｉｎ−Ｓｎなどのはんだにより常伝導体に接続する方法
が一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来技術
によると、低融点はんだが金属薄膜と反応し、例えばＩ
ｎ−Ａｕ，Ｉｎ−Ａｇなどの合金を作ってしまう。この
ような合金は、機械的に強度が低く、脆く、電気抵抗も
高い。また、化学的に不安定であり信頼性に乏しい。さ
らに、再度はんだ付けをしようとしても、化学組成が最
初にあったはんだとは異なるため、融点が変化してお
り、プロセス上の困難を引き起こしてしまうなどの問題
があった。
によると、低融点はんだが金属薄膜と反応し、例えばＩ
ｎ−Ａｕ，Ｉｎ−Ａｇなどの合金を作ってしまう。この
ような合金は、機械的に強度が低く、脆く、電気抵抗も
高い。また、化学的に不安定であり信頼性に乏しい。さ
らに、再度はんだ付けをしようとしても、化学組成が最
初にあったはんだとは異なるため、融点が変化してお
り、プロセス上の困難を引き起こしてしまうなどの問題
があった。
【０００５】このように金又は銀の薄膜に直接はんだ付
けを行なう結果としてコンタクト抵抗が大きくなり、超
伝導体の持つ事実上のゼロ抵抗という特長を失わせてし
まうものである。また機械的に強度が十分でなく脆いた
め、冷却過程、熱サイクルによりはんだ付けが劣化して
しまうなどの問題があった。本発明はこうした課題を解
決し、超伝導膜と常伝導体との良好なコンタクトを得る
ことを目的とするものである。
けを行なう結果としてコンタクト抵抗が大きくなり、超
伝導体の持つ事実上のゼロ抵抗という特長を失わせてし
まうものである。また機械的に強度が十分でなく脆いた
め、冷却過程、熱サイクルによりはんだ付けが劣化して
しまうなどの問題があった。本発明はこうした課題を解
決し、超伝導膜と常伝導体との良好なコンタクトを得る
ことを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は酸化物超伝導体表面に金属接続層を有し、
低融点金属で常伝導金属と金属接続層間の電気的接続を
取るコンタクト構造において、金属接続層と低融点金属
との間の高温反応を防止するバリヤ層を有することを特
徴とする酸化物超伝導体のコンタクト構造、および、酸
化物超伝導体上に金属接続層を形成し、金属接続層上に
バリヤ層を形成し、低融点金属を用いて常伝導金属をバ
リヤ層に接続する工程を含み、バリヤ層が低融点金属層
と金属接続層との間の高温反応を防止する材料からなる
ことを特徴とする酸化物超伝導体とのコンタクト方法を
提供する。
に、本発明は酸化物超伝導体表面に金属接続層を有し、
低融点金属で常伝導金属と金属接続層間の電気的接続を
取るコンタクト構造において、金属接続層と低融点金属
との間の高温反応を防止するバリヤ層を有することを特
徴とする酸化物超伝導体のコンタクト構造、および、酸
化物超伝導体上に金属接続層を形成し、金属接続層上に
バリヤ層を形成し、低融点金属を用いて常伝導金属をバ
リヤ層に接続する工程を含み、バリヤ層が低融点金属層
と金属接続層との間の高温反応を防止する材料からなる
ことを特徴とする酸化物超伝導体とのコンタクト方法を
提供する。
【０００７】本発明の酸化物超伝導体はＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏx ，ＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-δなどである。典型的には配線板の超伝導
配線層であるが、その他バルクの超伝導体などにも適用
できる。酸化物超伝導体との電気的および機械的に良好
なコンタクトを確保するために、酸化物超伝導体の上に
金属接続層、例えば、金又は銀の層をスパッタ等で形成
する。金属接続層の厚さとしては一般的には２０００Å
以上、好ましくは４０００Å〜８０００Åである。金属
接続層は堆積後、アニール処理して酸化物超伝導体との
間の良好なコンタクトを確保するようにされるが、本発
明ではバリヤ層形成後に行なうことが都合がよい。
ａ2 Ｃｕ3 Ｏx ，Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏx ，ＹＢａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7-δなどである。典型的には配線板の超伝導
配線層であるが、その他バルクの超伝導体などにも適用
できる。酸化物超伝導体との電気的および機械的に良好
なコンタクトを確保するために、酸化物超伝導体の上に
金属接続層、例えば、金又は銀の層をスパッタ等で形成
する。金属接続層の厚さとしては一般的には２０００Å
以上、好ましくは４０００Å〜８０００Åである。金属
接続層は堆積後、アニール処理して酸化物超伝導体との
間の良好なコンタクトを確保するようにされるが、本発
明ではバリヤ層形成後に行なうことが都合がよい。
【０００８】金属接続層上に、本発明によりバリヤ層を
形成する。バリヤ層には、次に用いる低融点金属と加熱
処理（はんだ付け）時に反応せず、金属接続層とも少な
くとも処理温度で反応しない良導体を用いる。一般的に
は熱処理温度で次の低融点金属の成分と固溶体を形成し
ない金属を用いることができる。今日般用される低融点
金属であるＩｎ系などを考慮すると、白金、パラジウム
などの貴金属類が好適である。
形成する。バリヤ層には、次に用いる低融点金属と加熱
処理（はんだ付け）時に反応せず、金属接続層とも少な
くとも処理温度で反応しない良導体を用いる。一般的に
は熱処理温度で次の低融点金属の成分と固溶体を形成し
ない金属を用いることができる。今日般用される低融点
金属であるＩｎ系などを考慮すると、白金、パラジウム
などの貴金属類が好適である。
【０００９】バリヤ層の厚さとしては５００Å〜３００
０Å、より好ましくは１０００Å〜２０００Åである。
５００Åより薄いと低融点はんだが金又は銀と反応して
しまい、一方３０００Åより厚いと貴金属の薄膜が内部
応力のため剥れ易くなってしまう。バリヤ層の形成方法
も限定されず、スパッタ等によることができる。前記の
如く、バリヤ層形成後、３００℃以上の温度アニール処
理して、接続層金属を酸化物超伝導体中に拡散させて微
視的に結合させて金属接続層と酸化物超伝導体との密着
性及びオーミックコンタクトを確実にすることが好まし
い。また、このとき酸素雰囲気中で熱処理することが、
酸化物超伝導体の超伝導特性を保持し、又は向上させる
上で好ましい。
０Å、より好ましくは１０００Å〜２０００Åである。
５００Åより薄いと低融点はんだが金又は銀と反応して
しまい、一方３０００Åより厚いと貴金属の薄膜が内部
応力のため剥れ易くなってしまう。バリヤ層の形成方法
も限定されず、スパッタ等によることができる。前記の
如く、バリヤ層形成後、３００℃以上の温度アニール処
理して、接続層金属を酸化物超伝導体中に拡散させて微
視的に結合させて金属接続層と酸化物超伝導体との密着
性及びオーミックコンタクトを確実にすることが好まし
い。また、このとき酸素雰囲気中で熱処理することが、
酸化物超伝導体の超伝導特性を保持し、又は向上させる
上で好ましい。
【００１０】バリヤ層を形成後、リード線、リードワイ
ヤ、フリップチップなどとの接続を低融点金属を用いて
行なうが、その接続の仕方は限定的ではない。例えば、
リード線を低融点金属を用いて直接にバリヤ層上にはん
だ付けしてもよい。しかし、バリヤ層上に低融点はんだ
層を設けてから、リード線その他とはんだ付けすること
がプロセス的には好ましい。
ヤ、フリップチップなどとの接続を低融点金属を用いて
行なうが、その接続の仕方は限定的ではない。例えば、
リード線を低融点金属を用いて直接にバリヤ層上にはん
だ付けしてもよい。しかし、バリヤ層上に低融点はんだ
層を設けてから、リード線その他とはんだ付けすること
がプロセス的には好ましい。
【００１１】接続に用いる低融点金属は、特に限定され
ず、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ（融点１１７℃），Ｓｎ−Ａｇ
（２２１℃），Ｐｂ−Ｓｎ（１８３℃），Ｐｂ−Ｉｎな
どのはんだであることができる。本発明で低融点金属と
は一般的には３００℃以下、より好ましくは２００℃以
下の融点でかつ常温以上の融点を有する金属を指称す
る。
ず、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ（融点１１７℃），Ｓｎ−Ａｇ
（２２１℃），Ｐｂ−Ｓｎ（１８３℃），Ｐｂ−Ｉｎな
どのはんだであることができる。本発明で低融点金属と
は一般的には３００℃以下、より好ましくは２００℃以
下の融点でかつ常温以上の融点を有する金属を指称す
る。
【００１２】
【作用】本発明によれば、接続層の銀又は金などが酸化
物超伝導体に拡散し微視的に結合し、強固な密着層を形
成する一方、バリア層があるためこの銀又は金などの電
極と低融点はんだとは反応せず、電気的に接触抵抗が少
なく機械的には密着強度に優れた良好なコンタクトを形
成することが可能になる。
物超伝導体に拡散し微視的に結合し、強固な密着層を形
成する一方、バリア層があるためこの銀又は金などの電
極と低融点はんだとは反応せず、電気的に接触抵抗が少
なく機械的には密着強度に優れた良好なコンタクトを形
成することが可能になる。
【００１３】
【実施例】図１にプロセスのフローチャート、図２に主
な工程における試料の模式断面図を示す。 （１）ＭｇＯ単結晶基板１の（１００）面上にＲＦスパ
ック法でＢａ3 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx 超伝導薄膜２を
厚さ約５０００Åに堆積した（図２（Ａ））。スパッタ
条件はＲＦパワー２５Ｗ、雰囲気ガスＡｒ：Ｏ2 ＝１：
１、圧力１０Pa、基板加熱温度７７０℃、１０時間であ
った。堆積後、大気中８４５℃で４０分間アニールし
た。 （２）Ｂｉ系超伝導薄膜２上に先ずＡｇ層３を５０００
Å蒸着し、続いてＰｔ層４を２０００Å蒸着した（図２
（Ｂ））。この試料をＯ2 ガスをフローさせた電気炉中
に置き、４００℃に加熱し１０分間放置する。これによ
り、Ａｇが超伝導体中に拡散し、電極は超伝導薄膜と電
気的、機械的に強固に密着させた。 （３）この電極に合わせフォトレジスト（図示せず）を
所望の超伝導パターンにパターニングし、希釈したリン
酸で超伝導膜をエッチングした（図２（Ｃ））。 （４）レジストを除去した後、Ｉｎ−Ｓｎの薄膜５を１
０μｍ厚に蒸着した（図２（Ｄ））。その後金リボン６
とはんだ付け７を行ない、超伝導薄膜と常伝導回路とを
接続した。
な工程における試料の模式断面図を示す。 （１）ＭｇＯ単結晶基板１の（１００）面上にＲＦスパ
ック法でＢａ3 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx 超伝導薄膜２を
厚さ約５０００Åに堆積した（図２（Ａ））。スパッタ
条件はＲＦパワー２５Ｗ、雰囲気ガスＡｒ：Ｏ2 ＝１：
１、圧力１０Pa、基板加熱温度７７０℃、１０時間であ
った。堆積後、大気中８４５℃で４０分間アニールし
た。 （２）Ｂｉ系超伝導薄膜２上に先ずＡｇ層３を５０００
Å蒸着し、続いてＰｔ層４を２０００Å蒸着した（図２
（Ｂ））。この試料をＯ2 ガスをフローさせた電気炉中
に置き、４００℃に加熱し１０分間放置する。これによ
り、Ａｇが超伝導体中に拡散し、電極は超伝導薄膜と電
気的、機械的に強固に密着させた。 （３）この電極に合わせフォトレジスト（図示せず）を
所望の超伝導パターンにパターニングし、希釈したリン
酸で超伝導膜をエッチングした（図２（Ｃ））。 （４）レジストを除去した後、Ｉｎ−Ｓｎの薄膜５を１
０μｍ厚に蒸着した（図２（Ｄ））。その後金リボン６
とはんだ付け７を行ない、超伝導薄膜と常伝導回路とを
接続した。
【００１４】以上のプロセスにより形成した超伝導／常
伝導の接続部分の断面構造は図２（Ｅ）に示されてい
る。以上のプロセスで図３（Ａ）に示すような試料を作
製した。超伝導層１０上に１５０μｍ×１５０μｍの方
形電極（常伝導接続部）１１〜１４を等間隔に形成し
た。この試料を用いて超伝導膜と常伝導膜の間のコンタ
クト抵抗を測定した。図３（Ｂ）は図３（Ａ）の試料の
等価回路図である。
伝導の接続部分の断面構造は図２（Ｅ）に示されてい
る。以上のプロセスで図３（Ａ）に示すような試料を作
製した。超伝導層１０上に１５０μｍ×１５０μｍの方
形電極（常伝導接続部）１１〜１４を等間隔に形成し
た。この試料を用いて超伝導膜と常伝導膜の間のコンタ
クト抵抗を測定した。図３（Ｂ）は図３（Ａ）の試料の
等価回路図である。
【００１５】 超伝導膜１０が超伝導を示すことを確認した。 Ｉ1 + からＩ1 - へ一定電流を流しながら、Ｖ2 −
Ｖ3 間の電圧を測定して、Ｖ2 ，Ｖ3 間の超伝導膜の試
料抵抗Ｒs を算出した。 次に、Ｉ1 + からＩ1 - への電流を停止し、Ｉ2 +
からＩ2 - へ上記と同一の一定電流を流して、このとき
のＶ2 −Ｖ3 間の電圧を測定し、Ｖ2 ，Ｖ3 間の電極１
３−試料−電極１４の間の抵抗Ｒを求めた。この抵抗Ｒ
は上記試料抵抗Ｒs および常伝導膜（電極）１３又は１
４と超伝導膜１０との間の抵抗Ｒc との間に次の関係が
ある。
Ｖ3 間の電圧を測定して、Ｖ2 ，Ｖ3 間の超伝導膜の試
料抵抗Ｒs を算出した。 次に、Ｉ1 + からＩ1 - への電流を停止し、Ｉ2 +
からＩ2 - へ上記と同一の一定電流を流して、このとき
のＶ2 −Ｖ3 間の電圧を測定し、Ｖ2 ，Ｖ3 間の電極１
３−試料−電極１４の間の抵抗Ｒを求めた。この抵抗Ｒ
は上記試料抵抗Ｒs および常伝導膜（電極）１３又は１
４と超伝導膜１０との間の抵抗Ｒc との間に次の関係が
ある。
【００１６】Ｒ＝Ｒs ＋２Ｒc 従って、これからＲc すなわち超伝導膜と電極（常伝導
体）との間のコンタクト抵抗が求められる。結果を表１
に示す。なお、常温（３００Ｋ）における値は参考値で
ある。表には、従来技術として、上記と同様であるがＡ
ｇ上に直接Ｉｎ−Ｓｎはんだで接続した場合のコンタク
ト抵抗も示す。
体）との間のコンタクト抵抗が求められる。結果を表１
に示す。なお、常温（３００Ｋ）における値は参考値で
ある。表には、従来技術として、上記と同様であるがＡ
ｇ上に直接Ｉｎ−Ｓｎはんだで接続した場合のコンタク
ト抵抗も示す。
【００１７】 表１ コンタクト抵抗の測定結果 ３００Ｋ (Ωcm2) ７７．３Ｋ (Ωcm2) 本発明による ３．５×１０-6 ５．４×１０-7 従来技術による ５．５×１０-5 ７．８×１０-6 本発明により形成したコンタクトでは、液体窒素温温度
で１０-7Ωcm2 のオーダの抵抗を示しており、電気的に
十分低いコンタクト抵抗となっている。例えば１００μ
ｍ角の電極を仮定した場合、１０-7Ωcm2 の抵抗率を有
するコンタクトは１ｍΩの抵抗を持つことになり、実用
的には十分低い抵抗と考えられる。
で１０-7Ωcm2 のオーダの抵抗を示しており、電気的に
十分低いコンタクト抵抗となっている。例えば１００μ
ｍ角の電極を仮定した場合、１０-7Ωcm2 の抵抗率を有
するコンタクトは１ｍΩの抵抗を持つことになり、実用
的には十分低い抵抗と考えられる。
【００１８】なお、上記の実施例では金リボンを接続し
たが、本発明はこれに限定されず、例えば、図４に示す
ように超伝導膜２１に対してクリップチップ２２をはん
だ付け２３する場合にも有効である。
たが、本発明はこれに限定されず、例えば、図４に示す
ように超伝導膜２１に対してクリップチップ２２をはん
だ付け２３する場合にも有効である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、銀
又は金などの電極を形成し、さらにその上にバリア層と
して白金などの薄膜層を形成し、その後低融点はんだに
よるはんだ付けをすることでコンタクト抵抗の低い超伝
導／常伝導のコンタクトを得ることができ、さらにその
上部にＩｎ−Ｓｎの共晶はんだなどを用いたはんだ付け
を行なうことで電気的に接触抵抗が少なく機械的には密
着強度に優れた良好な超伝導／常伝導の接続を形成する
ことが可能になる。
又は金などの電極を形成し、さらにその上にバリア層と
して白金などの薄膜層を形成し、その後低融点はんだに
よるはんだ付けをすることでコンタクト抵抗の低い超伝
導／常伝導のコンタクトを得ることができ、さらにその
上部にＩｎ−Ｓｎの共晶はんだなどを用いたはんだ付け
を行なうことで電気的に接触抵抗が少なく機械的には密
着強度に優れた良好な超伝導／常伝導の接続を形成する
ことが可能になる。
【図１】実施例のフローチャートである。
【図２】実施例の主な工程における試料の断面図であ
る。
る。
【図３】コンタクト抵抗測定用試料及びその等価回路を
示す。
示す。
【図４】他の実施例を示す。
１…ＭｇＯ基板 ２…Ｂａ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ超伝導膜 ３…Ａｇ層（金属接続層） ４…Ｐｔ層（バリヤ層） ５…Ｉｎ−Ｓｎ層 ６…金リボン
Claims (10)
- 【請求項１】 酸化物超伝導体表面に金属接続層を有
し、低融点金属で常伝導金属と金属接続層間の電気的接
続を取るコンタクト構造において、金属接続層と低融点
金属との間の高温反応を防止するバリヤ層を有すること
を特徴とする酸化物超伝導体のコンタクト構造。 - 【請求項２】 前記金属接続層が金又は銀からなり、前
記バリヤ層が白金からなる請求項１記載のコンタクト構
造。 - 【請求項３】 前記低融点金属がＩｎ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａ
ｇ又はＰｂ−Ｓｎはんだである請求項１又は２記載のコ
ンタクト構造。 - 【請求項４】 前記酸化物超伝導体が配線基板の配線層
である請求項１〜３のいずれか１項に記載のコンタクト
構造。 - 【請求項５】 前記常伝導金属がリード線、リボン又は
フリップチップである請求項１〜４のいずれか１項に記
載のコンタクト構造。 - 【請求項６】 酸化物超伝導体上に金属接続層を形成
し、金属接続層上にバリヤ層を形成し、低融点金属を用
いて常伝導金属をバリヤ層に接続する工程を含み、バリ
ヤ層が低融点金属層と金属接続層との間の高温反応を防
止する材料からなることを特徴とする酸化物超伝導体と
のコンタクト方法。 - 【請求項７】 前記バリヤ層の形成後、バリヤ層上に低
融点金属層を形成し、それから常伝導体の前記接続を行
なう請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 前記金属接続層及びバリヤ層を形成後、
３００℃以上の温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理を行
なう請求項６又は７記載の方法。 - 【請求項９】 前記金属接続層が金又は銀からなり、前
記バリヤ層が白金からなる請求項６，７又は８記載の方
法。 - 【請求項１０】 前記低融点金属層がＩｎ−Ｓｎ，Ｓｎ
−Ａｇ又はＰｂ−Ｓｎはんだである請求項６〜９のいず
れか１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5225751A JPH0778640A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 酸化物超伝導体とのコンタクト構造及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5225751A JPH0778640A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 酸化物超伝導体とのコンタクト構造及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778640A true JPH0778640A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16834260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5225751A Withdrawn JPH0778640A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 酸化物超伝導体とのコンタクト構造及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778640A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109254A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-06-07 | Toshiba Corp | 超電導電流リード |
| CN113963945A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-01-21 | 沈阳铁路信号有限责任公司 | 铁路应答器上的高频电感器漆包线与线绕柱焊锡方法 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP5225751A patent/JPH0778640A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109254A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-06-07 | Toshiba Corp | 超電導電流リード |
| CN113963945A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-01-21 | 沈阳铁路信号有限责任公司 | 铁路应答器上的高频电感器漆包线与线绕柱焊锡方法 |
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