JPH0777563A

JPH0777563A - 電圧検出装置

Info

Publication number: JPH0777563A
Application number: JP5247570A
Authority: JP
Inventors: Noboru Hasegawa; 昇長谷川; Kenji Ueda; 健司植田; Teruyuki Tamaki; 輝幸玉木
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1993-09-07
Filing date: 1993-09-07
Publication date: 1995-03-20

Abstract

(57)【要約】【目的】電子回路内部の個々の素子の動作特性及び特
定領域の電圧分布を１つの装置で容易に測定することが
可能な電圧検出装置を提供する。【構成】電子回路近傍に設置された電気光学材料にビ
ーム光を入射して回路内部の電圧変化を反映したビーム
の変調を検出する電圧測定装置において、電気光学材料
として液晶を用いることにより同一の装置で測定対象に
於ける特定領域の電圧分布及びその時間変化と、特定領
域（電極）の電気信号の測定とを行うことが可能となる
ことから、その作業性が改善される。その際に、液晶分
子の微小な自発分極の変化を捕らえることにより、実用
に耐える高周波数帯域での電気信号を測定できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子計測技術分野に於
て、電子回路内部の電気信号を非接触で測定する装置に
係り、特に測定対象の所定領域の電圧によって光の偏光
状態が変化することを利用して電気信号を検出する形式
の電圧検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度、高集積電子回路の開発が
進むにつれ、電子回路内部の素子数と外部端子数が著し
く増大している。このような電子回路を外部から評価す
ることは困難であるため、電子回路内部の個々の素子を
直接測定することが必要となっている。そのための手法
として、電子ビームを用いる方法と、電気光学効果を利
用した電気光学サンプリングによる方法(例えば、J.A.V
aldmanis and G.Mourou,"Subpicosecond electrooptic
sampling:Principles and applications",IEEE J.Quant
um Electron.,vol.QE-22,no.1,pp.69-78,Jan.1986.参
照)とが用いられている。

【０００３】前者の方法は、電子ビームを電子回路内部
の電極に照射し、そこから放出された２次電子のエネル
ギーから電極の電圧を測定する手法である。この手法で
は、電子ビームを走査させることにより回路内部の２次
元的な電圧分布を測定することができるが、電子ビーム
を直接電極に照射するために電極が破損し、或いは汚染
される恐れがあり、更に測定対象を真空中に設置しなけ
ればならない等の問題があった。

【０００４】後者の方法は、電子回路の電極から外部に
発生する電界中に電気光学材料を挿入し、電界により電
気光学材料（結晶、有機薄膜、液晶等がある）内の複屈
折を変化させ（ポッケルス効果）、その複屈折変化量を
電気信号に同期したパルスレーザ光により検出する方法
である。従って、原理的に非接触であるので測定対象に
擾乱を与えず、しかも大気中で測定を行うことができ
る。この方法により、測定対象の特定電極の高速な電気
信号測定及び電子回路内部の特定領域の電圧分布測定が
可能であるが、それぞれ異なった電気光学材料及び光学
系を用いる必要があり、測定対象の特定電極の高速な電
気信号測定及び特定領域の電圧分布測定を同時に、また
は連続して行うことが困難であった。

【０００５】即ち、特定電極の高速な電気信号測定で
は、偏光方向の一様な単色光源からビームスプリッタな
どを介して測定対象の測定領域に近接して配置された電
気光学材料に光を照射し、その反射光の偏光方向の変化
を検出するが、電気光学材料として一般にLiNbO₃やZnSe
等応答速度の速い結晶を用いる。これは電子ビームを用
いた方法より高速な電気信号が測定できるという特徴が
あるが、電気光学結晶の複屈折の変化量が微少であるた
めに回路内部の１点での電気信号を検出するだけでも数
秒という積算時間が必要であり、特定領域の電圧分布を
測定するには時間的に困難である。

【０００６】また、電子回路内部の特定領域の２次元的
な電圧分布測定は、実際に電子回路の不良解析・評価に
応用する際には不可欠な技術であると考えられている
が、これには電気光学効果の大きい液晶等を用い、イン
コヒーレントな光学系を使用することが必要である。こ
の手法では、数ボルト程度の電圧分布であればＣＣＤカ
メラ等の検出器で容易に測定できるという特徴がある
が、通常、液晶のスイッチング速度は遅く、最近の電子
回路が動作する数〜数十メガヘルツ以上の高周波領域で
の電気信号の測定は不可能であると考えられていた。

【０００７】そこで、それぞれの特性を持った２種類以
上の電気光学材料を併用することも考えられるが、測定
対象に電気光学材料を１μｍ程度に近接して配置する必
要があるため配置方法や材料の切り換え方法等が厄介で
あり現実的ではない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな課題を解決し、電子回路内部の個々の素子の動作特
性及び特定領域の電圧分布を１つの装置で容易に測定す
ることが可能な電圧検出装置を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の関わる電子回路
内部の電圧検出装置は、電気光学材料として外部電圧の
変化に対して高速に応答する分極成分を発生するような
液晶を測定対象を覆うように設置し、その材料にインコ
ヒーレントな連続光を照射し照射光内部の空間情報を検
出することにより、回路内部の電圧分布を並列的に測定
する。あるいは、上記と同様に液晶を設置し、レーザ顕
微鏡のような２次元的な走査手段を用いて電圧分布を測
定することができる。さらに同時に、測定対象の高速な
電気信号に追随する液晶の非常に微小な分極変位に基づ
く偏光変化を検出することにより、液晶の応答速度を超
える高周波領域の信号を測定する。その際、液晶の印加
電圧に対する非線形性を較正するために任意のＤＣ電圧
を印加できる電極を施せば正確な電気波形を感度良く測
定できる。

【００１０】

【作用】現在知られている非線形性を持つ材料の中で
も、液晶は非常に大きな電気光学効果を有することが知
られている。これは液晶分子には反転対象中心がなく永
久双極子モーメントが存在するためであると考えられて
いる。通常液晶の応答時間τは、 τ＝η／ＰＥ …（１）（η：液晶の粘性係数、Ｐ：自発分極の大きさ、Ｅ：印
加した外部電圧）のように表される。液晶の中でも特に
長軸に垂直な成分による自発分極が出現し、それらが外
部電場に応答して動くものは強誘電性液晶（ＦＬＣ）と
呼ばれ、印加電圧に対し比較的高速に応答するという特
徴を持っている。強誘電性液晶は他の種類の液晶に比べ
て粘性係数は大差ないが、自発分極と電界との直接相互
作用ＰＥが大きいため応答時間が短くなる。しかし、比
較的高速応答する強誘電性液晶でもその応答時間はせい
ぜい数〜数十マイクロ秒程度であり、１ＭＨｚ以上の周
波数領域で動作する電子回路の電気的特性評価に応用す
ることはできないと考えられていた。本発明者らはこの
応答速度に比べて１〜２桁以上高速な（数十ＭＨｚ以
上）外部電界に追随する微小な複屈折変化が液晶分子に
存在することを見いだし、これを用いて高速動作する電
子回路内部の電気信号を測定するようにした。

【００１１】本発明の実現は以下の要領で行われる。図
１に示すように、動作中のトランジスタやダイオード等
が集積化された測定対象としての電子回路５上に電気光
学部材としての液晶２を近接して配置する。このとき、
電子回路５の内部電極の電圧変化に依存して液晶２の電
界強度が変化するため、その複屈折等の光学的特性が変
化する。すなわち、偏光方向の一様な光ビーム６を入射
し、偏光観察することにより電子回路内部の電気信号を
測定することができる。

【００１２】ここで、外部電界に追随する微小な複屈折
変化を測定可能な液晶としては、強誘電性液晶を用い、
その厚さが数μｍ以下、液晶分子の配向がモノドメイン
となっていることが条件となる。

【００１３】実際には、液晶を電子回路５上に近接して
配置する構成として、直接電子回路５に液晶を垂らし透
明電極で挟み込む方法がある。このとき、検出するべき
光は回路内部の電極からの反射光を利用すれば良く、非
常に簡単は配置方法で測定を行うことができるが、電子
回路５に対して非接触で測定を行うためには使用する光
の波長に対する反射機構を備えていることが望ましい。
更に、高感度な測定には測定対象である電極の電圧に応
じて液晶にかかる電界強度を設定できる機構（ＩＴＯ等
の透明電極が考えられる）が必要となる。これらの機能
を有する電気光学部材をプローブヘッド４とする。本測
定に用いるプローブヘッド４は、液晶厚をスペーサで調
節（ミクロン〜サブミクロン程度）できるようにして透
明電極１と反射膜３とで挟み込んだ構造をしている。こ
の反射膜３を施すことで入射光は電子回路５へ到達しな
くなるため、電極の実視野による電圧分布コントラスト
像の劣化を防ぐことができる。また、このプローブヘッ
ド４の上部の透明電極１には可変電源８により０〜数十
Ｖ程度までのＤＣ電圧を印加できるようになっており、
電源電圧を調節して液晶の感度が高くなる範囲で測定す
ることを可能としている。このようなプローブヘッド４
を作製する際には、電子回路５内部の電極と透明電極１
間に一種のコンデンサが形成されることに注意する必要
がある。即ち、液晶や反射膜の誘電率及び厚さ、或いは
透明電極の大きさ等で容量が変化するため、応答速度が
電気的に制限される恐れがある。従って、液晶の応答速
度を十分活用して測定するためには、液晶の種類に応じ
たプローブヘッドの最適設計を行うことが必要となる。

【００１４】このようなプローブヘッド４或いは前述の
電子回路と基盤で直接液晶を挟み込んだ構造の電気光学
部材を電子回路上に近接して配置すれば、回路の電圧変
化によって液晶にかかる電圧が変化し、それに応じて電
気光学部材の自発分極が変化する。この自発分極にはマ
イクロ秒以下で応答する微小な変位変化が存在するの
で、これを検出することにより１ＭＨｚ以上の高速な電
気信号でも測定することができる。従って、測定対象の
特定電極の高速な電気信号測定及び特定領域の電圧分布
測定を１つの電気光学部材を用いて１つの装置で行うこ
とができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら説明する。

【００１６】図２は本発明に基づく第１の実施例を示
し、電気光学材料として液晶を用いた電圧検出装置の構
成図である。駆動回路７に接続された測定対象としての
電子回路５は、駆動回路２７にて駆動されるＸ−Ｙステ
ージ２６上に載置されている。また、電子回路５の測定
領域上には、透明電極１と反射板３との間に液晶２を挟
み込んだ構造のプローブヘッド４が配置されている。こ
のプローブヘッド４の液晶２は可変電源８により所望の
電圧を印加可能となっている。

【００１７】また、プローブヘッド４には、図中破線Ａ
で囲んだ特定電極の高速な電気信号を測定するための光
検出系の単色光源１９と、破線Ｂで囲んだ特定領域の電
圧分布を測定するための光検出系のインコヒーレント光
源９とから対物レンズ１３を介して光が照射されるよう
になっている。

【００１８】破線Ａで囲んだ特定電極の高速な電気信号
を測定するための光検出系は、単色光源１９から、偏光
子２０、偏光ビームスプリッタ２１、λ／８板２２、後
記するビームスプリッタ１１、１２及び対物レンズ１３
を介してプローブヘッド４に光を照射し、その反射光が
ビームスプリッタ１２、１１、λ／８板２２、偏光ビー
ムスプリッタ２１及び結像光学系２３を介して光電検出
器２４に受光され、光電変換されてウェーブメモリ２５
に波形信号として出力されるようになっている。

【００１９】また、破線Ｂで囲んだ特定領域の電圧分布
を測定するための光検出系は、インコヒーレント光源９
から、偏光子１０、ビームスプリッタ１１、１２及び対
物レンズ１３を介してプローブヘッド４に光を照射し、
その反射光がビームスプリッタ１２検光子１４及び結像
光学系１５を介して２次元光検出器１６に受光され、光
電変換されて画像処理装置１７にて画像処理されて画像
表示装置１８に特定領域の電圧分布が表示されるように
なっている。

【００２０】ここで、高速な電気信号を測定するための
光検出系に於ける単色光源１９はＨｅ−Ｎｅレーザやレ
ーザダイオード等が一般的であるが、高パワーの白色光
源と色フィルタとを組み合わせて用いることも可能であ
る。また、偏光方向の一様でない単色光源１９を用いた
場合には偏光子２０を挿入することで偏光方向をそろえ
ることができる。本構成における光検出系は、偏光ビー
ムスプリッタ２１や波長板等の偏光制御を行うための光
学系及び、光電検出器２４とウェーブメモリ２５とから
なる。光電検出器としてはフォトダイオードが代表的で
あるが、光電子増倍管やストリークカメラ等でも実現で
きる。

【００２１】一方、電圧分布を測定するための光検出系
に於けるインコヒーレント光源９にはタングステンラン
プや水銀ランプ等を用いる。また、プローブヘッド４下
面の反射膜３に設計波長を透過する色フィルタを用いれ
ば、測定対象の実視野像と電圧分布像とを独立に得るこ
とができ、より望ましい構成となる。更に、２次元光検
出器１６にはＣＣＤカメラやフォトダイオードアレイ等
を用いることができる。

【００２２】従来法では高速信号測定あるいは電圧分布
測定について異なる電気光学材料を用いる必要があった
が、測定対象の電気信号変化に対して高速応答する液晶
４の微小な分極成分を検出することにより同一の装置で
両者の測定を行うことが可能になった。

【００２３】以下に、測定の詳細な説明をする。はじめ
に電圧分布の測定について説明する。水銀ランプのよう
な空間的にインコヒーレントな光源９から出射された可
視光域の単色光は、偏光子１０を通り偏光方向の一様な
光になる。この光は電子回路５の近傍に設置されたプロ
ーブヘッド４に入射する。このプローブヘッド４は前述
のように液晶２（本実施例では強誘電性液晶のスメクテ
ィックＣ^*相を用いた）を挟み込んだ構造をしており、
その上面には透明電極１、下面には単色光源１９の波長
に対する反射膜３が設けられている。従って、プローブ
ヘッド４に入射された光源９からの光は反射膜３で反射
される。プローブヘッド４中の液晶２は電圧が印加され
たとき、その部分の光学的性質が変化し材料中を伝播す
る光に位相変調を与える。よって、プローブヘッド４に
入射された光は電子回路５の電圧分布を反映した偏光方
向の変化を伴って出射することになる。この光は、ビー
ムスプリッタ１２を介して検光子１４を通るが、そのと
きに偏光方向が変化した部分のみ透過する。この透過光
は結像光学系１５を通って２次元光検出器１６の受光面
に結像され、２次元像として検出される。このようにし
て検出された分布像は画像処理装置１７で減算、積算等
の処理が行われ、画像表示装置１８に出力される。以上
のようにして空間的にインコヒーレントな光源９を用い
て、電子回路５内部の光照射されている領域の電圧分布
を２次元コントラスト像として測定することができる。
尚、画像表示装置１８への表示方法として、測定電圧の
ある閾値に対する大小関係のみの表示や電圧幅を設けた
等電圧分布表示等が考えられる。

【００２４】次に、電子回路内部の特定電極の電気信号
波形の測定について説明する。単色光源１９から出射さ
れた光は偏光子２０を通り、直線偏光のビームとなって
λ／８板２２に入射される。その後、ビームスプリッタ
１１、１２を介して対物レンズ１３を通ったビームはプ
ローブヘッド４の測定すべき電極の真上部分に入射し、
下部に施してある反射膜３で反射され、再びビームスプ
リッタ１１、１２を介してλ／８板２２を通り偏光ビー
ムスプリッタ２１に至る。この偏光ビームスプリッタ２
１では光ビームは円偏光となっており、入射時の偏光方
向に対して垂直成分が結像光学系２３の方へ反射され
る。この反射光の光量はプローブヘッド４にかかってい
る電界強度に依存するため、電子回路の電極に印加され
ている電圧を反映している。この光を時間に対する変化
として光電検出器２４で検出し、ウェーブメモリ２５で
１０００回積算して記録することにより電子回路の電気
信号を測定することができる。１０ミクロン幅の電極に
１７ＭＨｚの電気信号を印加した時の測定結果を図３
（ａ）、図３（ｂ）に示す。この測定に用いられた液晶
の応答速度は約５０μｓ（２００ｋＨｚ）であったが、
それより２桁も高速な電気信号を測定可能なことがわか
る。

【００２５】図４は本発明に基づく第２の実施例を示
し、電気光学材料として液晶を用いた電圧検出装置の図
２と同様な構成図であり、第１の実施例と同様な部分に
は同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００２６】本実施例では、図２に於て高速信号測定と
電圧分布測定とで別々設けた光学系及び光源を１つにま
とめている。即ち、第１の実施例と同様なプローブヘッ
ド４には、単色光源１９から、コリメートレンズ２８、
偏光子２０、ビームスプリッタ２９及び対物レンズ１３
を介して光が照射されるようになっている。また、プロ
ーブヘッド４にて反射した光は、対物レンズ１３、ビー
ムスプリッタ２９、検光子３０及び結像光学系２３を介
して光電検出器２４に受光され、光電変換されて信号を
ウェーブメモリ２５側（図中の矢印）あるいは画像処
理装置１７側（図中の矢印）へ電気的に切り換えて出
力することができるようになっている。

【００２７】単色光源１９から出射した光はコリメート
された後、偏光子２０、ビームスプリッタ２９及び対物
レンズ１３を通り、電子回路と透明電極付きのガラス基
板の間に挟まれた液晶に入射する。その光は回路内部の
電極あるいは基盤で反射されてビームスプリッタ２９で
一部反射され、検光子３０、結像光学系２３を通り光電
検出器２４で検出される。また、Ｘ−Ｙステージ２６は
コンピュータ３１によって制御され、指定した領域内を
所定のタイミングで移動する。この状態でＸ−Ｙステー
ジ２６の各位置に対する信号強度を測定し、２次元画像
として表示することにより定常的な電圧分布を得ること
ができる。ここで、Ｘ−Ｙステージの代わりにガルバノ
ミラーを用いてビームを走査しても同様の電圧分布測定
が可能である。

【００２８】特定電極の電気信号の測定では、測定した
い電極にビームが照射されるようにしてＸ−Ｙステージ
２６を固定し、前述の方法と同様な測定を行う。光電検
出器２４で検出された光はウェーブメモリ２５で積算さ
れ表示される。また、このシステムを用いて電子回路内
部の配線形状を観察するときには、検光子３０を光路か
ら取り除きＸ−Ｙステージ２６を走査すれば良い。この
ようにすれば、落射照明装置等の必要がないシンプルな
光学系で電圧分布及び、電気信号の測定を行うことがで
きる。

【００２９】図５は本発明に基づく第３の実施例を示
し、電気光学材料として液晶を用いた電圧検出装置の図
４と同様な構成図であり、第２の実施例と同様な部分に
は同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００３０】本実施例では、パルス光源３２を用いて電
子回路内部の電圧分布の時間的変化をも測定可能として
いる。実際には、パルス光源３２にはコントローラ３３
が接続され、このコントローラ３３には遅延回路３４を
介して駆動回路７が接続されている。光源３２には繰り
返し周波数が可変なレーザダイオードのようなパルス光
源を用い、前述と同様にＸ−Ｙステージ２６を走査しな
がら光変調量を検出するようになっている。尚、本実施
例でもガルバノミラーを用いた光走査を行っても良い。
その際、電子回路５の駆動回路７からのクロック周波数
をモニタし、これと同期を取りながらＸ−Ｙステージ２
６の走査、パルス光源３２の発振を制御する。このよう
にすれば、遅延回路３４でずらした時間領域の電圧分布
を測定することができる。また、時間幅は光源３２のパ
ルス幅で決定されるので、これを変えることにより時分
割幅（Δｔ）を自由に選ぶこともできる。

【００３１】即ち、本実施例では１つの光学系で特定電
極の電気信号変化と、電圧分布及びそのの時間的変化を
測定することができ、図中、の矢印方向への切り替
えを電気的に行うことによって選択することができるよ
うになっている。

【００３２】以上述べたように、電気光学材料を用いた
電子回路評価技術として、１つの装置で電気光学材料を
偏光することなく回路内部の電圧分布、その時間変化及
び電気信号の測定を行うことができる。このとき、電気
光学材料に強誘電性液晶を用い、液晶分子の微小な変位
変化を検出することによって液晶の応答速度を上回る高
速な電気信号を測定することができた。

【００３３】

【発明の効果】本発明は上記の通り、電子回路近傍に設
置された電気光学材料にビーム光を入射して回路内部の
電圧変化を反映したビームの変調を検出する電圧測定装
置において、電気光学材料として液晶を用いることによ
り同一の装置で測定対象に於ける特定領域の電圧分布及
びその時間変化と、特定領域（電極）の電気信号の測定
とを行うことが可能となることから、その作業性が改善
される。その際に、液晶分子の微小な自発分極の変化を
捕らえることにより、実用に耐える高周波数帯域での電
気信号を測定できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関わる電子回路測定装置に用いるプロ
ーブヘッドの構造を示す斜視図である。

【図２】本発明に関わる第１の実施例に於ける電子回路
内部の電圧分布及び電圧の検出装置の構成を示すブロッ
ク図である。

【図３】第１の実施例に於ける電圧検出装置を用いて行
った電子回路内部の電気信号波形の一測定例を示す図で
ある。

【図４】本発明に関わる第２の実施例に於ける図２と同
様なブロック図である。

【図５】本発明に関わる第３の実施例に於ける図４と同
様なブロック図である。

【符号の説明】

１透明電極２液晶３入射光の波長に対する反射膜４液晶を用いたプローブヘッド５測定対象としての電子回路６偏光方向の一様な光７電子回路の駆動回路８可変電源９インコヒーレント光源１０、２０偏光子１１、１２、２９ビームスプリッタ１３対物レンズ１４、３０検光子１５、２３結像光学系１６２次元光検出器１７画像処理装置１８画像表示装置１９単色光源２１偏光ビームスプリッタ２２ λ／８板２４光電検出器２５ウェーブメモリ（信号表示装置）２６Ｘ−Ｙステージ２７Ｘ−Ｙステージの駆動回路２８コリメートレンズ３１コンピュータ３２パルス光源３３パルス光源のコントローラ３４遅延回路Ａ特定電極の高速な電気信号を測定するための光検出
系Ｂ特定領域の電圧分布を測定するための光検出系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】偏光方向の一様な単色の第１の光源
と、偏光方向の一様な非干渉性の第２の光源と、測定対象の測定領域に近接して配置され、被測定対象の
電界に応じて前記各光源からの光の複屈折量が変化する
液晶を有する電気光学部材と、前記電気光学部材の液晶を通過した前記第１の光源から
の光の偏光方向の変化を検出する第１の光検出系と、前記電気光学部材の液晶を通過した前記第２の光源から
の光を２次元的に検出する第２の光検出系とを有し、前記第１の光源、前記電気光学部材及び前記第１の光検
出系をもって特定領域の高速な電気信号を測定し、前記
第２の光源、前記電気光学部材及び前記第２の光検出系
をもって特定領域の電圧分布を測定することを特徴とす
る電圧検出装置。
【請求項２】偏光方向の一様な単色の光源と、測定対象の測定領域に近接して配置され、前記測定対象
の電界に応じて前記光源からの光の複屈折量が変化する
液晶を有する電気光学部材と、前記電気光学部材の液晶を通過した前記光源からの光を
検出する光検出系と、前記光源及び光検出系を、前記電気光学部材及び測定対
象の測定領域に対して相対的に走査させる走査手段とを
有し、前記光源、前記電気光学部材及び前記光検出系をもって
特定領域の高速な電気信号を測定し、前記光源及び光検
出系を、前記電気光学部材及び測定対象の測定領域に対
して前記走査手段をもって相対的に走査させることによ
り特定領域の電圧分布を測定することを特徴とする電圧
検出装置。
【請求項３】前記光源がパルス光源からなり、前記測定対象の電気信号と同期をとるための同期回路
と、前記電気信号と前記パルス光源の駆動時間との間に遅延
を与える遅延回路とを更に備えることを特徴とする請求
項２に記載の電圧検出装置。
【請求項４】前記電気光学部材が、前記液晶を通過
した前記光源からの光を反射する反射手段を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載の電圧検出装置。
【請求項５】前記電気光学部材の前記液晶に印加さ
れる電圧を制御する手段を更に備えることを特徴とする
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電圧検出装
置。