JPH0776307B2 - Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium - Google Patents

Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium

Info

Publication number
JPH0776307B2
JPH0776307B2 JP63067580A JP6758088A JPH0776307B2 JP H0776307 B2 JPH0776307 B2 JP H0776307B2 JP 63067580 A JP63067580 A JP 63067580A JP 6758088 A JP6758088 A JP 6758088A JP H0776307 B2 JPH0776307 B2 JP H0776307B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
general formula
metal
naphthalocyanine
naphthalocyanine derivative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP63067580A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02663A (en
Inventor
誠司 田井
茂 林田
信行 林
靖 岩壁
俊一 沼田
徳幸 金城
進 恵良
節郎 小林
昭夫 向尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP63067580A priority Critical patent/JPH0776307B2/en
Publication of JPH02663A publication Critical patent/JPH02663A/en
Publication of JPH0776307B2 publication Critical patent/JPH0776307B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフタロシアニン誘導体及びその製造
法並びにそれを用いた光学的情報記録媒体及びその光学
的情報記録媒体の製造方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel naphthalocyanine derivative, a method for producing the same, an optical information recording medium using the same, and a method for producing the optical information recording medium.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、コンパクトデイスク,ビデオデイスク,液晶表示
装置,光学文字読取機等における書込みあるいは、読取
りのためかつ電子写真用光源として半導体レーザ光を利
用することをが提案されている。半導体レーザ光による
書込み又は、読取りのためには、半導体レーザ光すなわ
ち近赤外光を吸収できる物質が不可欠である。
In recent years, it has been proposed to use semiconductor laser light for writing or reading in compact disks, video disks, liquid crystal display devices, optical character readers, etc. and as a light source for electrophotography. For writing or reading with semiconductor laser light, a substance capable of absorbing semiconductor laser light, that is, near infrared light is indispensable.

近赤外光を吸収する有機色素としては、従来、シアニン
色素がよく知られており、またオキシムやチオールの金
属錯体、アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収
する色素として知られている〔有機合成化学協会誌,43
巻,334頁(1985年),色材協会誌、53巻,197頁(198
0),色材協会誌,58巻,220頁(1985年)〕。
As organic dyes that absorb near-infrared light, cyanine dyes are conventionally well known, and metal complexes of oximes and thiols and aminated quinone derivatives are also known as dyes that absorb near-infrared light. Journal of Organic Synthetic Chemistry, 43
Volume, p. 334 (1985), Journal of Coloring Materials, vol. 53, p. 197 (198
0), Journal of Coloring Materials, Vol. 58, p. 220 (1985)].

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかしながら、シアニン色素は耐光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体も、あ
る種の媒体中では、錯体から金属が脱離して、近赤外光
の吸収能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノ
ン誘導体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題
がある。
However, since cyanine dyes have extremely low light fastness, they are subject to many restrictions when used. Further, the metal complex of oxime or thiol also has a drawback that the metal is desorbed from the complex in a certain kind of medium and the absorption ability of near infrared light disappears. The aminated quinone derivative has a problem that its ability to absorb near infrared light is extremely low.

一方、これらの問題点を克服できる材料として、最近ナ
フタロシアニン誘導体が知られているが、従来の無置換
金属ナフタロシアニン〔ツエーナル・オブシエ・キミ
(Zhurnal Obshchei Khimii),第39巻2554頁,1969年,
モル・クリスト・リク・クリスト(Mol.Cryst.Liq.Crys
t.)第112巻345頁,1984年〕は、有機溶媒に不溶である
ために、精製が極めて困難である。また、最近、有機溶
媒に可溶なナフタロシアニン誘導体の合成が報告されて
いる(特開昭60−23451号公報,特開昭60−184565号公
報,特開昭61−215662号公報,特開昭61−215663号公
報)が、これらのナフタロシアニン誘導体は、その吸収
が溶媒の種類,濃度,温度等により大きく変化し、高濃
度の溶液中あるいは固体膜とした場合には、半導体レー
ザ光を吸収する能力が極めて低下してしまうだけなく、
光デイスクにおいて記録された情報の読み出しに反射光
を用いる場合に重要な反射率が、半導体レーザ領域(78
0〜830nm)で非常に低いという問題点があつた。
On the other hand, as a material capable of overcoming these problems, a naphthalocyanine derivative has been known recently, but a conventional unsubstituted metal naphthalocyanine (Zhurnal Obshchei Khimii), Vol. 39, p. 2554, 1969 ,
Mol.Cryst.Liq.Crys
t.) 112, 345, 1984] is extremely difficult to purify because it is insoluble in organic solvents. Further, recently, the synthesis of naphthalocyanine derivatives soluble in organic solvents has been reported (JP-A-60-23451, JP-A-60-184565, JP-A-61-215662, JP-A-61-215662). However, in these naphthalocyanine derivatives, the absorption varies greatly depending on the type, concentration, temperature, etc. of the solvent. Not only does it lose its ability to absorb,
When the reflected light is used to read the information recorded on the optical disk, the reflectance that is important is the semiconductor laser region (78
There was a problem that it was very low at 0-830 nm).

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明は、一般式(I) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一又
は相異していてもよい1〜4の整数であり、MはCuなど
のI b族金属、MgなどのII a族金属、ZnなどのII b族金
属、Al,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、金属
のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Cl2Si,(HO)2
Si,Ge,Cl2Ge,(HO)2Ge,Sn,Cl2Sn,(HO)2Sn,PbなどのI
V a族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化
物、Ti,OTiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVなど
のV b族の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、Mn,C
lMnなどのVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又はF
e,ClFe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属の又は金属ハロ
ゲン化物の中の一種を示す]で表わされるナフタロシア
ニン誘導体に関する。
The present invention has the general formula (I) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different integer of 1 to 4] Where M is a group Ib metal such as Cu, a group IIa metal such as Mg, a group IIb metal such as Zn, a group IIIa metal such as Al, ClAl, HOAl, In, ClIn, or a metal halide. Or metal hydroxide, Si, Cl 2 Si, (HO) 2
I, such as Si, Ge, Cl 2 Ge, (HO) 2 Ge, Sn, Cl 2 Sn, (HO) 2 Sn, Pb
Group Va metals, metal halides or metal hydroxides, Group IVb metals or metal oxides such as Ti and OTi, Group Vb group metal oxides such as OV, and VIb such as Cr and Mo. Group metals, Mn, C
Group VII b metals such as lMn or metal halides or F
e, ClFe, Co, Ni, Pt, Pd, and other group VIII metals or metal halides].

また、本発明は一般式(II) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り複数個のR1は同一でも相異しもよく、nは同一又は相
異していてもよい1〜4の整数であり、Y1及びY2は同一
てもよくアリールオキシル基,アルコキシル基,トリア
ルキルシロキシル基,トリアリールシロキシル基,トリ
アルコキシシロキシル基,トリアリールオキシシロキシ
ル基又はトリチルオキシル基であり、MはAl,Ti,Si,Ge
又はSnであり、MがAlのときは、Y1のみが、MがTi,Si,
Ge又はSnのときはY1及びY2がMに共有結合している。]
で表わされるナフタロシアニン誘導体に関する。
In addition, the present invention has the general formula (II) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different integer of 1 to 4] And Y 1 and Y 2 may be the same and are an aryloxyl group, an alkoxyl group, a trialkylsiloxyl group, a triarylsiloxyl group, a trialkoxysiloxyl group, a triaryloxysiloxyl group or a trityloxyl group. , M is Al, Ti, Si, Ge
Or Sn and M is Al, only Y 1 is M, Ti, Si,
When Ge or Sn, Y 1 and Y 2 are covalently bonded to M. ]
And a naphthalocyanine derivative represented by

一般式(I)及び一般式(II)で表わされるナフタロシ
アニン誘導体は、芳香族系,ハロゲン系,エテール系,
ケトン系及び飽和炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に
精製し純度を向上できるだけでなく、半導体レーザ光を
吸収する能力に著しく優れている。
The naphthalocyanine derivatives represented by the general formulas (I) and (II) are aromatic, halogen-based, ether-based,
It is soluble in ketone and saturated hydrocarbon solvents, can be easily purified to improve its purity, and is extremely excellent in its ability to absorb semiconductor laser light.

上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン,トルエン,キシ
レン,クロロベンゼン,ジクロベンゼン,トリメチルベ
ンゼン,1−クロロナフタレン,キノリン等があり、上記
ハロゲン系溶媒としては、塩化メチレン,クロロホル
ム,四塩化炭素,トリクロロエタン等があり、上記エー
テル系溶媒としては、ジエチルエーテル,ジブチルエー
テル,テトラヒドロフラン,エチレングリコールモノメ
チルエーテル,エチレングリコールジメチルエーテル,
ジエチレングリコールモノメチルエーテル,ジエチレン
グリコールジメチルエーテル等があり、ケトン系溶媒と
しては、アセトン,メチルエチルケトン,メチルプロピ
ルケトン,シクロペンタノン,シクロヘキサノン,アセ
トンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶媒として
は、ペンタン,ヘキサン,ヘプタン,オクタン,ノナ
ン,デカン,ウンデカン等がある。
Examples of the aromatic solvent include benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, trimethylbenzene, 1-chloronaphthalene and quinoline, and examples of the halogen solvent include methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride and trichloroethane. The above ether solvents include diethyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether,
There are diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, etc., ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, acetone alcohol, etc., and saturated hydrocarbon solvents include pentane, hexane, heptane, There are octane, nonane, decane, and undecane.

前記一般式(I)及び(II)において、R1の1〜22個の
アルキル基の例としては、メチル基,エチル基,n−プロ
ピル基,sec−プロピル基,n−ブチル基,sec−ブチル基,t
−ブチル基,n−アミル基,t−アミル基,2−アミル基,3−
アミル基,ヘキシル基,ヘプチル基,オクチル基,デシ
ル基,ドデシル基,テトラデシル基,ヘキサデシル基,
オクタデシル基,エイコシル基,ドコシル基等があげら
れる。
In the general formulas (I) and (II), examples of 1 to 22 alkyl groups represented by R 1 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, sec-propyl group, n-butyl group, sec- Butyl group, t
-Butyl group, n-amyl group, t-amyl group, 2-amyl group, 3-
Amyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group, dodecyl group, tetradecyl group, hexadecyl group,
Examples include octadecyl group, eicosyl group and docosyl group.

前記一般式(I)において、Mの例としてはCu,Mg,Zn,A
l,ClAl,HOAl,In,ClIn,Si,Cl2Si,(HO)2Si,Ge,Cl2Ge,
(HO)2Ge,Sn,Cl2Sn,(HO)2Sn,Pb,Ti,OTi,OV,Cr,Mo,M
n,ClMn,Fe,ClFe,Co,Ni,Pt,Pd等があげられる。
In the general formula (I), examples of M include Cu, Mg, Zn, and A.
l, ClAl, HOAl, In, ClIn, Si, Cl 2 Si, (HO) 2 Si, Ge, Cl 2 Ge,
(HO) 2 Ge, Sn, Cl 2 Sn, (HO) 2 Sn, Pb, Ti, OTi, OV, Cr, Mo, M
Examples include n, ClMn, Fe, ClFe, Co, Ni, Pt and Pd.

前記一般式(II)において、Mの例としては、Al,Ti,S
i,Ge,Sn等があげられ、Y1及びY2の例としては、アルー
ルオキシル基としてフエノキシル基,トリルオキシル
基,アニシルオキシル基等があり、アルコキシル基とし
ては、アミロキシル基,ヘキシロキシル基,オクチロキ
シル基,デシロキシル基,ドデシロキシル基,テトラデ
シロキシル基,ヘキサデシロキシル基,オクタデシロキ
シル基,エイコシロキシル基,ドコシロキシル基等があ
り、トリアルキシロキシル基としては、トリメチルシロ
キシル基,トリエチルシロキシル基,トリプロピルシロ
キシル基,トリブチルシロキシル基等があり、トリアリ
ールシロキシル基としては、トリフエニルシロキシル
基,トリアニシルシロキシル基,トリトリルシロキシル
基等があり、トリアルコキシシロキシル基としては、ト
リメトキシシロキシル基,トリエトキシシロキシル基,
トリプロポキシシロキシル基,トリブトキシシロキシル
基等があり、トリアリールオキシシロキシル基として
は、トリフエノキシシロキシル基,トリアニシロキシシ
ロキシル基,トリトリルオキシシロキシル基等がある。
In the general formula (II), examples of M include Al, Ti, S
i, Ge, Sn, etc., and examples of Y 1 and Y 2 include phenoxyl group, tolyloxyl group, anisyloxyl group and the like as allureloxyl group, and amyloxyl group, hexyloxyl group, octyloxyl group as alkoxyl group. , Decyloxyl group, dodecyloxyl group, tetradecyloxyl group, hexadecyloxyl group, octadecyloxyl group, eicosyloxyl group, docosyloxyl group, etc., and the trialsiloxyl group includes trimethylsiloxyl group, triethylsiloxyl group. Group, tripropylsiloxyl group, tributylsiloxyl group, etc., and triarylsiloxyl group, such as triphenylsiloxyl group, trianisylsiloxyl group, tritolylsiloxyl group, trialkoxysiloxyl group. As the group, a trimethoxysiloxyl group, Triethoxysiloxyl group,
Examples thereof include a tripropoxysiloxyl group and tributoxysiloxyl group, and examples of the triaryloxysiloxyl group include a triphenoxysiloxyl group, a trianisiloxysiloxyl group, and a tritolyloxysiloxyl group.

前記一般式(I)において、MがCu,Zn,ClAl,ClIn,Si,G
e,Sn,OV,Mn,Co,Ni又はPdであるナフタロシアニン誘導体
が好ましい。
In the general formula (I), M is Cu, Zn, ClAl, ClIn, Si, G
Na, phthalocyanine derivatives which are e, Sn, OV, Mn, Co, Ni or Pd are preferred.

前記一般式(I)において、nが1であるナフタロシア
ニン誘導体が好ましい。
In the general formula (I), a naphthalocyanine derivative in which n is 1 is preferable.

前記一般式(I)において、R1が、炭素数13〜22個のア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。
In the general formula (I), a naphthalocyanine derivative in which R 1 is an alkyl group having 13 to 22 carbon atoms is preferable.

前記一般式(II)において、MがGeであるナフタロシア
ニン誘導体が好ましい。
In the general formula (II), a naphthalocyanine derivative in which M is Ge is preferable.

前記一般式(II)において、nが1であるナフタロシア
ニン誘導体が好ましい。
In the general formula (II), a naphthalocyanine derivative in which n is 1 is preferable.

前記一般式(II)において、Y1及びY2がいずれもトリア
ルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体が好
ましい。
In the general formula (II), a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are trialkylsiloxyl groups is preferable.

前記一般式(II)において、Y1及びY2がいずれもアルコ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。
In the general formula (II), naphthalocyanine derivatives in which both Y 1 and Y 2 are alkoxyl groups are preferred.

本発明に係るナフタロシアニン誘導体の具体例を次に示
す。
Specific examples of the naphthalocyanine derivative according to the present invention are shown below.

また、本発明は、一般式(III) (ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは1〜4の整数である)で表わされるアルコキシ
カルボン−2,3−ジシアノナフタレンの少なくとも1種
も一般式(IV−1) MXp (IV−1) (ただし、式中Xはハロゲン原子又はアシロキシル基及
びpは0又は金属MへのXの結合数を示す正の整数であ
り、Mは、CuなどのI b族、MgなどのII a族、ZnなどのI
I b族、Al,InなどのIII a族のSi,Ge,Sn,PbなどのIV a
族、TiなどのIV b族、VなどのV b族、Cr,MoなどのVI b
族、MnなどのVII b族又はFe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族
の金属を示す)で表わされる金属又は金属塩と反応させ
る一般式(I) [ただし、式中R1,n及びMは前記一般式(I)と同じ意
味を示す]で表わされるナフタロシアニン誘導体の製造
法に関する。
The present invention also provides a compound represented by the general formula (III) (Wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 4), and at least one kind of alkoxycarboxylic-2,3-dicyanonaphthalene represented by the general formula (IV-1) MXp (IV-1) (wherein X is a halogen atom or an acyloxyl group and p is 0 or a positive integer indicating the number of bonds of X to the metal M, and M is Cu or the like. Group Ib, group IIa such as Mg, group I such as Zn
Ib group, IIIa group such as Al, In, IVa such as Si, Ge, Sn, Pb group
Group, IV b group such as Ti, V b group such as V, VI b such as Cr, Mo
Group I, a metal of Group VII b such as Mn or a metal of Group VIII such as Fe, Co, Ni, Pt, Pd) or a metal salt represented by the general formula (I) [Wherein R 1 , n and M have the same meanings as in the above general formula (I)] and relates to a method for producing a naphthalocyanine derivative.

一般式(I)で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式(III)で表わされるアルコキシカルボニル−2,3
−ジシアノナフタレン1molに対して、上記一般式(IV−
1)で表わされる金属又は金属塩を0.1〜1mol共存させ
て加熱反応することにより得ることができる。この場
合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応時間は30分
〜10時間が好ましい。このためには、溶媒なしで反応さ
せるか、あるいは溶媒として尿素、テトラリン、キノリ
ン、1−クロロナフタレン、1−ブロモナフタレン、1,
2,3−トリメチルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリク
ロロベンゼン等を使用するのが好ましい。上記金属又は
金属塩としては、Mg,Zn,AlCl3,InCl3,SiCl4,GeCl4,SnCl
2,PbCl2,TiCl4,VCl3,CrCl2,MoCl2,Mn(O・COCH32,Fe
Cl3,CoCl2,NiCl2,PtCl2,PdCl2等がある。
The naphthalocyanine derivative represented by the general formula (I) is
Alkoxycarbonyl-2,3 represented by the general formula (III)
-To 1 mol of dicyanonaphthalene, the above general formula (IV-
It can be obtained by reacting with heating the metal or metal salt represented by 1) in the presence of 0.1 to 1 mol. In this case, the reaction temperature is preferably 150 to 300 ° C., and the reaction time is preferably 30 minutes to 10 hours. For this purpose, the reaction is carried out without a solvent, or as a solvent, urea, tetralin, quinoline, 1-chloronaphthalene, 1-bromonaphthalene, 1,
It is preferable to use 2,3-trimethylbenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene and the like. As the metal or metal salt, Mg, Zn, AlCl 3 , InCl 3 , SiCl 4 , GeCl 4 , SnCl
2 , PbCl 2 , TiCl 4 , VCl 3 , CrCl 2 , MoCl 2 , Mn (O ・ COCH 3 ) 2 , Fe
There are Cl 3 , CoCl 2 , NiCl 2 , PtCl 2 , PdCl 2 and the like.

ナフタロシアニン誘導体の反応混合物からの単離・精製
は、反応混合物を希塩酸で洗浄後、水,アルコール,ア
セトンなどの前記ナフタロシアニンの貧溶媒で充分に洗
浄し、ハロゲン系溶媒または芳香族系溶媒に溶ける可溶
物を濃縮乾固して固体を採取する方法などによつて行う
ことができる。
Isolation and purification of the naphthalocyanine derivative from the reaction mixture is performed by washing the reaction mixture with dilute hydrochloric acid and then thoroughly washing with a poor solvent for the naphthalocyanine such as water, alcohol or acetone to prepare a halogen-based solvent or an aromatic solvent. It can be carried out by a method of concentrating the soluble material to be dissolved to dryness and collecting a solid.

一般式(III)で表わされるアルコキシカルボニル−2,3
−ジシアノナフタレンは、例えば次のように製造するこ
とができる。
Alkoxycarbonyl-2,3 represented by the general formula (III)
-Dicyanonaphthalene can be produced, for example, as follows.

すなわち、その一つは、一般式(IX) (ただし式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは1〜4の整数を表わす)で表わされるアルコキ
シカルボニル−o−キシレンと式(X) で表わされるN−ブロモこはく酸イミドとを、加熱下光
照射されて得られる一般式(XI) (ただし式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは1〜4の整数を表わす)で表わされる化合物
を、式(XII) で表わされるフマロニトリルと加熱下反応させて一般式
(III)で表わされるアルコキシカルボニル−2,3−ジシ
アノナフタレンを合成する方法である。
That is, one of them is the general formula (IX) (Wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 4) and an alkoxycarbonyl-o-xylene represented by the formula (X) A general formula (XI) obtained by irradiating an N-bromosuccinimide represented by (Wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 4), and a compound represented by the formula (XII) Is a method of synthesizing an alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene represented by the general formula (III) by reacting with fumaronitrile represented by the formula under heating.

他の一つは、上記により合計した一般式(III) (ただし式中R1及びnは、前記一般式(XI)と同じ意味
を示す)で表わされるアルコキシカルボニル−2,3−ジ
シアノナフタレンを一般式(XIII) R4OH (XIII) (ただし、式中R4は、R1と異なる炭素数1〜22個のアル
キル基を示す)で表わされるアルコールと加熱下反応さ
せて一般式(III′) (ただし、式中R4は、炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは、1〜4の整数を表わす)で表わされるアルコ
キシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレンを合成する
方法である。
The other one is the general formula (III) (Wherein R 1 and n have the same meanings as in the general formula (XI) above) can be represented by the general formula (XIII) R 4 OH (XIII) R 4 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, which is different from R 1, and is reacted with an alcohol represented by the general formula (III ′) (In the formula, R 4 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 4) and is a method for synthesizing alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene. .

一般に、一般式(IX)で表わされるアルコキシカルボニ
ル−o−キシレンと式(X)で表わされるN−ブロモこ
はく酸イミドとの反応は、アルコキシカルボニル−o−
キシレン0.2molとN−ブロモこはく酸イミド0.8molを高
圧水銀灯照射下、光照射に対して不活性な溶媒中で、4
〜12時間加熱還流することにより行うことができる。反
応は、光反応開始剤として、ラジカル発生剤である過酸
化物を添加する必要がある。過酸化物としては、過酸化
ベンゾイル,過酸化オクタノイル,過酸化シクロヘキサ
ノン,過酸化イソブチリル,過酸化2,4−ジクロロベン
ゾイル,過酸化メチルエチルケトンなどが挙げられ、通
常、溶媒500mlに対して500mg〜2gの範囲で使用される。
また光照射に対して不活性な溶媒としては、クロロホル
ム,四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、または、ベンゼ
ン,クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒から適宜選択さ
れる。
Generally, the reaction of the alkoxycarbonyl-o-xylene represented by the general formula (IX) with the N-bromosuccinimide represented by the formula (X) is carried out by the alkoxycarbonyl-o-x-
4 mol of xylene and 0.8 mol of N-bromosuccinimide were irradiated with a high pressure mercury lamp in a solvent inert to light irradiation.
It can be carried out by heating under reflux for 12 hours. For the reaction, it is necessary to add a peroxide, which is a radical generator, as a photoreaction initiator. Examples of the peroxide include benzoyl peroxide, octanoyl peroxide, cyclohexanone peroxide, isobutyryl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide, and usually 500 mg to 2 g of solvent per 500 ml. Used in the range.
The solvent inert to light irradiation is appropriately selected from halogen solvents such as chloroform and carbon tetrachloride, or aromatic solvents such as benzene and chlorobenzene.

また、次の一般式(XI)で表わされる化合物と式(XI
I)で表わされるフマロニトルとの反応は、一般式(X
I)で表わされる化合物1molに対して、式(XII)で表わ
されるフマロニトリルを1〜2molの比で共存させ、反応
温度は、70℃〜100℃が好ましく、反応時間は、5〜10
時間が好ましい。溶媒としては、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルア
セトアミド等の極性有機溶媒が好ましい。
In addition, the compound represented by the following general formula (XI) and the formula (XI
The reaction with fumaronitol represented by I) can be carried out by the general formula (X
Fumaronitrile represented by the formula (XII) is allowed to coexist in a ratio of 1 to 2 mol with respect to 1 mol of the compound represented by I), the reaction temperature is preferably 70 ° C to 100 ° C, and the reaction time is 5 to 10
Time is preferred. As the solvent, polar organic solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, N, N-diethylformamide and N, N-diethylacetamide are preferable.

一般式(IX)で表わされるアルコキシカルボニル−o−
キシレンは、下記式(A)の経路により製造することが
できる。
Alkoxycarbonyl-o-represented by the general formula (IX)
Xylene can be produced by the route of the following formula (A).

すなわち、ヒドロキシカルボニル−o−キシレン(ただ
し、式中nは1〜4の整数を示す)[式(XIV)]1mol
当りアルコール[R1OH,(ただし、式中R1は、炭素数1
〜22個のアルキル基である]を1mol以上存在させ溶媒の
存在下または、存在しない条件下、触媒としてルイス酸
をヒドロキシカルボニル−o−キシレンの25〜50モル%
共存させ、加熱して脱水することにより、アルコキシカ
ルボニル−o−キシレン[一般式(IX)]を得ることが
できる。ここで、上記溶媒としては、ベンゼン,トルエ
ン,キシレン,クロロベンゼン,ジクロロベンゼン,ト
リメチルベンゼン,1−クロロナフタレン等が好ましく、
触媒としては、硫酸,p−トルエンスルホン酸,ベンゼン
スルホン酸等が好ましく、反応温度は、80〜240℃の範
囲で行うのが好ましく、反応時間は1〜10時間が好まし
い。
That is, hydroxycarbonyl-o-xylene (wherein n represents an integer of 1 to 4) [Formula (XIV)] 1 mol
Per alcohol [R 1 OH, (where R 1 is 1 carbon
~ 22 alkyl groups] in the presence or absence of a solvent in the presence or absence of a solvent, Lewis acid as a catalyst 25 to 50 mol% of hydroxycarbonyl-o-xylene
Alkoxycarbonyl-o-xylene [general formula (IX)] can be obtained by coexisting, heating and dehydration. Here, as the solvent, benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, trimethylbenzene, 1-chloronaphthalene and the like are preferable,
As the catalyst, sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid and the like are preferable, the reaction temperature is preferably 80 to 240 ° C., and the reaction time is preferably 1 to 10 hours.

ある一般式(III)(ただし、式中R1は炭素数1〜22個
のアルキル基を示し、nは1〜4の整数を示す)で表わ
されるアルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレ
ン1molに対して一般式(XIII)で表わされるアルコール
1mol以上を、溶媒の存在下または、存在しない条件下、
触媒としてルイス酸を、原料のアルコキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンと等モル以上共存させ、加熱
還流してエステル交換反応を行わせることにより、別の
アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレンを得
ることができる。ここで、上記溶媒としては、ベンゼ
ン,トルエン,キシレン,クロロベンゼン,ジクロロベ
ンゼン,トリメチルベンゼン,1−クロロナフタレン等が
好ましく、触媒としては、硫酸,p−トルエンスルホン
酸,ベンゼンスルホン酸等が好ましく、反応温度は、80
〜240℃の範囲で行うのが好ましく、反応時間は1〜50
時間程度が好ましい。
1 mol of an alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene represented by general formula (III) (wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms and n represents an integer of 1 to 4) In contrast, the alcohol represented by the general formula (XIII)
1 mol or more in the presence or absence of a solvent,
As a catalyst, Lewis acid is used as a raw material for alkoxycarbonyl-
Another alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene can be obtained by coexisting with 2,3-dicyanonaphthalene in an equimolar amount or more and heating under reflux to cause an ester exchange reaction. Here, the solvent is preferably benzene, toluene, xylene, chlorobenzene, dichlorobenzene, trimethylbenzene, 1-chloronaphthalene, or the like, and the catalyst is preferably sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, or the like. The temperature is 80
It is preferable to carry out in the range of ~ 240 ℃, the reaction time is 1-50
Time is preferable.

一般式(III)(ただし、式中R1は炭素数1〜22個のア
ルキル基を示す)で表わされるアルコキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンの反応混合物からの単離精製
は、反応混合物をクロロホルムで抽出後、再結晶法,カ
ラムクロマトグラフイー法などによつて行なうことがで
きる。
An alkoxycarbonyl group represented by the general formula (III) (wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms)
Isolation and purification of 2,3-dicyanonaphthalene from the reaction mixture can be performed by extracting the reaction mixture with chloroform and then performing a recrystallization method, a column chromatography method, or the like.

前記一般式(IV−1)におて、MがCu,Zn,Al,In,Si,Ge,
Sn,V,Mn,Co,Ni又はPdであり、一般式(I)においてM
がそれぞれCu,Zn,ClAl,ClIn,Si,Ge,OV,Mn,Co,Ni又はPd
であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。
In the general formula (IV-1), M is Cu, Zn, Al, In, Si, Ge,
Sn, V, Mn, Co, Ni or Pd, M in the general formula (I)
Are Cu, Zn, ClAl, ClIn, Si, Ge, OV, Mn, Co, Ni or Pd, respectively.
The method for producing a naphthalocyanine derivative which is

前記一般式(III)及び一般式(I)において、nが1
であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。
In the general formulas (III) and (I), n is 1
The method for producing a naphthalocyanine derivative which is

前記一般式(III)及び一般式(I)において、R1が炭
素数13〜22個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導
体の製造法が好ましい。
In the general formulas (III) and (I), a method for producing a naphthalocyanine derivative in which R 1 is an alkyl group having 13 to 22 carbon atoms is preferable.

また、本発明は、一般式(III) (ただし、式中R1は炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは1〜4の整数ある)で表わされるアルコキシカ
ルボニル−2,3−ジシアノナフタレンを一般式(IV−
2) MXp (IV−2) (ただし、式中Xは、ハロゲン原子及びpは金属Mへの
Xの結合数を示す正の整数であり、MはAl,Ti,Si,Ge又
はSnを示す)で表わされる金属ハロゲン化物と反応させ
て、一般式(V) 〔ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一
又は相異していてもよい1〜4の整数であり、Mは前記
一般式(IV−2)と同じ意味を示し、X1及びX2は、ハロ
ゲン原子を示し、MがAlのときはX1のみが、MがTi,Si,
Ge又はSnのときはX1及びX2がMに共有結合している〕で
表わされるナフタロシアニン誘導体を合成し、次にこの
一般式(V)で表わされる化合物を加水分解させること
により一般式(VI) 〔ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異なつもよく、nは同一又
は相異していてもよい1〜4の整数であり、Mは前記一
般式(IV−2)と同じ意味を示し、Z1及びZ2はヒドロキ
シル基を示し、MがAlのときにはZ1のみか、MがTi,Si,
Ge又はSnのときはZ1及びZ2はがMに共有結合している〕
で表わされるナフタロシアニン誘導体を得、続いてこの
一般式(VI)で表わされる化合物を一般式(VII) (R23SiOH (VII) 〔ただし、式中R2は、アルキル基、アリール基,アルコ
キシル基又はアリールオキシル基である。〕で表わされ
るシラノール又は一般式(VIII) R3OH (VIII) 〔ただし、式中R3は、アルキル基、アリール基又はトリ
チル基である。〕で表わされるアルコールと反応させる
ことを特徴とする一般式(II) 〔ただし、式中R1,n,Y1,Y2及びMは前記一般式(II)と
同じ意味を示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
の製造法に関する。
The present invention also provides a compound represented by the general formula (III) (Wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 4), and an alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene represented by the general formula (IV-
2) MXp (IV-2) (where X is a halogen atom and p is a positive integer indicating the number of bonds of X to the metal M, and M is Al, Ti, Si, Ge or Sn. ) Is reacted with a metal halide represented by the general formula (V) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n may be the same or different. Is an integer, M has the same meaning as in formula (IV-2), X 1 and X 2 represent a halogen atom, and when M is Al, only X 1 is M, Ti, Si,
In the case of Ge or Sn, X 1 and X 2 are covalently bonded to M], and the compound represented by the general formula (V) is hydrolyzed. (VI) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different integer of 1 to 4] And M has the same meaning as in the general formula (IV-2), Z 1 and Z 2 represent a hydroxyl group, and when M is Al, only Z 1 or M is Ti, Si,
When Ge or Sn, Z 1 and Z 2 are covalently bonded to M]
A naphthalocyanine derivative represented by the following formula is obtained, and then the compound represented by the general formula (VI) is converted to the general formula (VII) (R 2 ) 3 SiOH (VII) [wherein R 2 is an alkyl group or an aryl group. , An alkoxyl group or an aryloxyl group. Or a general formula (VIII) R 3 OH (VIII) [wherein R 3 is an alkyl group, an aryl group or a trityl group]. ] The general formula (II) characterized by reacting with an alcohol represented by [Wherein R 1 , n, Y 1 , Y 2 and M have the same meaning as in the general formula (II)] and relates to a process for producing a naphthalocyanine derivative.

一般式(II)で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式(VI)で表わされる化合物と大過剰の一般式(VI
I)で表わされるシラノール又は、一般式(VIII)で表
わされるアルコールを加熱し、脱水反応させることによ
り得ることができる。この場合、反応温度は、80〜250
℃が好ましく、反応時間は30分〜10時間が好ましい。こ
の反応は、溶媒なして反応させるか、あるいは溶媒とし
てベンゼン,トルエン,キシレン,トリメチルベンゼ
ン,クロロベンゼン,ジクロロベンゼン,トリクロロベ
ンゼン,1−クロロナフタレン,テトラリン,キノリン等
を使用るのが好ましい。
The naphthalocyanine derivative represented by the general formula (II) is
The compound represented by the general formula (VI) and a large excess of the general formula (VI
It can be obtained by heating the silanol represented by I) or the alcohol represented by the general formula (VIII) to cause a dehydration reaction. In this case, the reaction temperature is 80 to 250.
C is preferable, and the reaction time is preferably 30 minutes to 10 hours. This reaction is preferably carried out without a solvent, or benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, chlorobenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene, 1-chloronaphthalene, tetralin, quinoline or the like is preferably used as a solvent.

一般式(II)で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離,精製は、反応混合物を、カラムク
ロマトグラフイー法または薄層クロマトグラフイー法に
より分離した後、再結晶法により精製するなどの方法に
よつて行うことができる。
Isolation and purification of the naphthalocyanine derivative represented by the general formula (II) from the reaction mixture is performed by separating the reaction mixture by column chromatography or thin layer chromatography, and then recrystallization. Method can be used.

一般式(VI)で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式(V)で表わされる化合物を、加熱下加水分解反
応をさせることにより得ることができる。この場合、反
応温度は50〜150℃が好ましく反応時間は、30分〜10時
間が好ましい。このためには、ピリジン/水,ピリジン
/アンモニア水,メタノール/アンモニア水,エタノー
ル/アンモニア水,プロパノール/アンモニア水などの
混合溶媒中で反応させるのが好ましい。
The naphthalocyanine derivative represented by the general formula (VI) is
The compound represented by the general formula (V) can be obtained by performing a hydrolysis reaction with heating. In this case, the reaction temperature is preferably 50 to 150 ° C., and the reaction time is preferably 30 minutes to 10 hours. For this purpose, it is preferable to carry out the reaction in a mixed solvent such as pyridine / water, pyridine / ammonia water, methanol / ammonia water, ethanol / ammonia water, propanol / ammonia water.

一般式(V)で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式(III)で表わされるアルコキシカルボニル−2,3
−ジシアノナフタレン1モルに対して一般式(IV−2)
で表わされる金属ハロゲン化物を0.25〜1モルの比で共
存させて加熱反応させて得ることができる。この場合、
反応温度は150〜300℃が好ましく、反応時間は、30分〜
5時間が好ましい。このためには溶媒なしで反応させる
か、あるいは溶媒として、尿素、テトラリン、キノリ
ン、1−クロロナフタレン、1−ブロモナフタレン、1,
2,4−トリメチルベンゼン、1,2,3−トリメチルベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用す
るのが好ましい。上記金属ハロゲン化物としては、AlCl
3,TiCl4,SiCl4,GeCl4,GeBr4,GeI4,SnCl2,SnI2等があ
る。
The naphthalocyanine derivative represented by the general formula (V) is
Alkoxycarbonyl-2,3 represented by the general formula (III)
-General formula (IV-2) per mol of dicyanonaphthalene
It can be obtained by reacting the metal halide represented by the formula of 0.25 to 1 mol in a coexisting state with heating. in this case,
The reaction temperature is preferably 150 to 300 ° C, and the reaction time is 30 minutes to
5 hours is preferred. For this purpose, the reaction is carried out without a solvent, or as a solvent, urea, tetralin, quinoline, 1-chloronaphthalene, 1-bromonaphthalene, 1,
It is preferable to use 2,4-trimethylbenzene, 1,2,3-trimethylbenzene, dichlorobenzene, trichlorobenzene and the like. As the metal halide, AlCl
3 , TiCl 4 , SiCl 4 , GeCl 4 , GeBr 4 , GeI 4 , SnCl 2 , SnI 2 and the like.

一般式(III)で表わされるアルコキシカルボニル−2,3
−ジシアノナフタレンは、前記の発明で述べた方法によ
つて製造することができる。
Alkoxycarbonyl-2,3 represented by the general formula (III)
-Dicyanonaphthalene can be produced by the method described in the above invention.

前記一般式(IV−2),(V),(IV)及び(II)にお
いて、MがGeであるナフタロシアニン誘導体の製造法が
好ましい。
In the general formulas (IV-2), (V), (IV) and (II), a method for producing a naphthalocyanine derivative in which M is Ge is preferable.

前記一般式(III),(V),(IV)及び(II)におい
て、nが1であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好
ましい。
In the general formulas (III), (V), (IV) and (II), a method for producing a naphthalocyanine derivative in which n is 1 is preferable.

前記一般式(VIII)において、R2がアルキル基であり、
一般式(II)においてY1及びY2が、いずれもトリアルキ
ルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体の製造法
が好ましい。
In the general formula (VIII), R 2 is an alkyl group,
In the general formula (II), a method for producing a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are trialkylsiloxyl groups is preferable.

前記一般式(VIII)において、R3がアルキル基であり、
一般式(II)においてY1及びY2がいずれもアルコキシル
基であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。
In the general formula (VIII), R 3 is an alkyl group,
In the general formula (II), a method for producing a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are alkoxy groups is preferable.

また、本発明は、基板表面に下記一般式(I) 〔ただし、式中R1,n及びMは前記一般式(I)と同じ意
味を示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成
分とする記録膜層が形成されていることを特徴とする光
学的情報記録媒体に関する。
Further, the present invention provides the following general formula (I) on the substrate surface. [Wherein R 1 , n and M have the same meaning as in the general formula (I)], and a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative as a main component is formed. The present invention relates to an information recording medium.

また、本発明は、一般式(II) 〔ただし、式中R1,n,Y1,Y2及びMは前記一般式(II)と
同じ意味を示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
を主成分とする記録膜層が形成されていることを特徴と
する光学的情報記録媒体に関する。
The present invention also provides a compound represented by the general formula (II) A recording film layer containing a naphthalocyanine derivative represented by the formula [wherein R 1 , n, Y 1 , Y 2 and M have the same meaning as in the general formula (II)] is formed. And an optical information recording medium.

本発明に係る光学的情報記録媒体は、基板上に本発明の
一般式(I)で表わされるナフタロシアニン誘導体を主
成分とする記録層を設けたものであり、また、別の本発
明に係る光学的情報記録媒体は、基板上に本発明の一般
式(II)で表されるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や
保護層などの他の層を設けることができる。
An optical information recording medium according to the present invention is one in which a recording layer containing a naphthalocyanine derivative represented by the general formula (I) of the present invention as a main component is provided on a substrate, and another optical information recording medium according to the present invention. The optical information recording medium is one in which a recording layer containing a naphthalocyanine derivative represented by the general formula (II) of the present invention as a main component is provided on a substrate. Other layers can be provided.

また、一般式(I)と一般式(II)で表されるナフタロ
シアニン誘導体を併用することできる。
Further, the naphthalocyanine derivative represented by the general formula (I) and the general formula (II) can be used in combination.

使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込
み、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明
でなければならない。一方、基板と反対側すなわち記録
層側から書き込み、読出しを行う場合は、使用するレー
ザー光に対して透明である必要はない。基板材料として
は、ガラス,石英,マイカ,セラミツク,板状または箔
状の金属などの無機材料のほか、紙,ポリカーボネー
ト,ポリエステル,酢酸セルロース,ニトロセルロー
ス,ポリエチレン,プロプロピレン,ポリ塩化ビニル,
塩化ビニリデン共重合体,ポリアミド,ポリスチレン,
ポリメチルメタクリレート及びメチルメタクリレート共
重合体等の有機高分子材料の板が挙げられるが、これら
に限定されない。記録時に熱損失が少なく、感度をあげ
るという意味で低熱伝導率の有機高分子からなる支持体
が望ましく、基板には必要に応じて凹凸で形成される案
内溝を設けても良い。
The substrate material used is known to those skilled in the art,
It may be transparent or opaque to the laser light used. However, when writing and reading with laser light from the substrate side, it must be transparent to the laser light. On the other hand, when writing and reading are performed from the side opposite to the substrate, that is, the recording layer side, it is not necessary to be transparent to the laser light used. Substrate materials include inorganic materials such as glass, quartz, mica, ceramics, plate-shaped or foil-shaped metals, paper, polycarbonate, polyester, cellulose acetate, nitrocellulose, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride,
Vinylidene chloride copolymer, polyamide, polystyrene,
Examples include, but are not limited to, plates of organic polymeric materials such as polymethylmethacrylate and methylmethacrylate copolymers. A support made of an organic polymer having a low thermal conductivity is desirable in the sense that heat loss is small during recording and sensitivity is increased, and a guide groove formed by unevenness may be provided on the substrate, if necessary.

また、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。In addition, a base film may be provided on the substrate as needed.

前記一般式(I)において、MがCu,Zn,ClAl,ClIn,Si,G
e,Sn,OV,Mn,Co,Ni又はPdであるナフタロシアニン誘導体
を主成分とする記録膜層が形成されている光学的情報記
録媒体が好ましい。
In the general formula (I), M is Cu, Zn, ClAl, ClIn, Si, G
An optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative which is e, Sn, OV, Mn, Co, Ni or Pd as a main component is formed is preferable.

前記一般式(I)において、nが1であるナフタロシア
ニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている光
学的情報記録媒体が好ましい。
In the general formula (I), an optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which n is 1 as a main component is formed is preferable.

前記一般式(I)において、R1が炭素数13〜22個のアル
キル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記
録膜層が形成されている光学的情報記録媒体が好まし
い。
In the general formula (I), an optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative whose R 1 is an alkyl group having 13 to 22 carbon atoms as a main component is formed is preferable.

前記一般式(II)において、MがGeであるナフタロシア
ニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている光
学的情報記録媒体が好ましい。
In the general formula (II), an optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which M is Ge as a main component is formed is preferable.

前記一般式(II)において、nが1であるナフタロシア
ニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている光
学的情報記録媒体が好ましい。
In the general formula (II), an optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which n is 1 as a main component is formed is preferable.

前記一般式(II)において、Y1及びY2がいずれもトリア
ルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主
成分とする記録膜層が形成されている光学的情報記録媒
体が好ましい。
In the general formula (II), an optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative whose both Y 1 and Y 2 are trialkylsiloxyl groups as a main component is formed is preferable.

前記一般式(II)において、Y1及びY2がいずれもアルコ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学的情報記録媒体が好まし
い。
In the general formula (II), an optical information recording medium in which a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative whose both Y 1 and Y 2 are an alkoxyl group as a main component is formed is preferable.

また、本発明は、一般式(I) 〔ただし、式中R1,n及びMは前記一般式(I)と同じ意
味を示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を主と
して有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表面に記録膜
層を形成することを特徴とする光学的情報記録媒体の製
造方法に関する。
The present invention also provides a compound represented by the general formula (I) [Wherein R 1 , n and M have the same meaning as in the above general formula (I)] and a recording film layer is formed on the surface of the substrate using a solution in which a naphthalocyanine derivative represented by the general formula (I) is mainly dissolved in an organic solvent. The present invention relates to a method for manufacturing an optical information recording medium.

また、本発明は、一般式(II) 〔ただし、式中R1,n,Y1,Y2及びMは前記一般式(II)と
同じ意味を示す〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表面に
記録膜層を形成することを特徴とする光学的情報記録媒
体の製造方法に関する。
The present invention also provides a compound represented by the general formula (II) [Wherein R 1 , n, Y 1 , Y 2 and M have the same meaning as in the general formula (II)], and a solution of a naphthalocyanine derivative mainly dissolved in an organic solvent is applied to the substrate surface. The present invention relates to a method for manufacturing an optical information recording medium, which comprises forming a recording film layer.

上記有機溶媒としては、一般式(I)及び一般式(II)
で表わされるナフタロシアニン誘導体を溶解する前記芳
香族系,ハロゲン系,エーテル系,ケトン系及び飽和炭
化水素系等の溶媒の中から選択され、単一でも混合され
た溶媒でもよい。ただし、使用する基板を浸さない溶媒
を用いるのが好ましい。
Examples of the organic solvent include general formula (I) and general formula (II)
The solvent selected from the aromatic, halogen, ether, ketone and saturated hydrocarbon solvents that dissolves the naphthalocyanine derivative represented by the formula (1) may be a single solvent or a mixed solvent. However, it is preferable to use a solvent that does not soak the substrate used.

一般式(I)及び/又は(II)で表わされるナフタロシ
アニン誘導体を有機溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜
層の形成方法としては、塗布法,印刷法,浸漬法があ
る。具体的には、色素を上記溶媒に溶解し、スプレー,
ローラーコーテイング,スピンコーテイング,デイツピ
ングで行う。なお、記録媒体形成時に、必要に応じてポ
リマーバインダー等の結着材,安定剤等を添加すること
もできる。バインダーとしては、ポリイミド樹脂,ポリ
アミド樹脂,ポリスチレン樹脂,アクリル樹脂等を挙げ
ることができるが、これらに限定されない。
As a method of forming a recording film layer using a solution in which a naphthalocyanine derivative represented by the general formula (I) and / or (II) is dissolved in an organic solvent, there are a coating method, a printing method and a dipping method. Specifically, the dye is dissolved in the above solvent, sprayed,
Roller coating, spin coating, and dateing are used. When forming the recording medium, a binder such as a polymer binder and a stabilizer may be added as necessary. Examples of the binder include, but are not limited to, polyimide resin, polyamide resin, polystyrene resin, and acrylic resin.

該記録層材料は、単独あるいは2種以上の組み合わせで
用いられる、2種以上の組み合わせの場合は、積層構造
でも、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜厚は
50〜10000Åの範囲が好ましく、特に100〜5000Åの範囲
が好ましい。
The recording layer materials may be used singly or in a combination of two or more kinds, and in the case of a combination of two kinds or more, may have a laminated structure or a mixed single layer structure. The thickness of the recording layer
The range of 50 to 10000Å is preferable, and the range of 100 to 5000Å is particularly preferable.

また、形成された記録像を光学的に再生する時、反射光
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側からの書き込み,読み出
しを行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反
射率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側す
なわち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、
基板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けるこ
ともできる。この高反射率の金属としては、Al,Cr,Au,P
t,Snなどが用いられる。これらの膜は、真空蒸着,スパ
ツタリング,プラズマ蒸着などの公知の薄膜形成技術で
形成することができ、その膜厚は100〜10000Åの範囲で
選ばれる。
In addition, reflected light is often used when optically reproducing a formed recorded image. In this case, as an effective method of increasing the contrast, when writing and reading from the substrate side, a metal layer showing a high reflectance can be provided on the surface of the recording layer on the side opposite to the substrate, which is opposite to the substrate. Side, that is, when writing and reading from the recording layer side,
It is also possible to provide a metal layer having a high reflectance between the substrate and the recording layer. The metals with high reflectivity include Al, Cr, Au, P
t, Sn, etc. are used. These films can be formed by known thin film forming techniques such as vacuum evaporation, sputtering, and plasma evaporation, and the film thickness is selected in the range of 100 to 10000Å.

ただし、該ナフタロシアニン誘導体の中で、一般式(I
I)で表わされるナフタロシアニン誘導体は、それ自身
の反射率が高く、金属反射層を設ける必要はない。
However, among the naphthalocyanine derivatives, a compound represented by the general formula (I
The naphthalocyanine derivative represented by I) has high reflectance by itself, and it is not necessary to provide a metal reflection layer.

また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらのポ
リマーとしては、ポリエステル,ポリ塩化ビニルなどの
市販のポリマーが適用可能である。
Further, when the surface smoothness of the substrate itself becomes a problem, it is preferable to provide a uniform film of an organic polymer on the substrate. Commercially available polymers such as polyester and polyvinyl chloride can be applied as these polymers.

さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性,保
護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増加
を目的とする層を設けることもできる。このような保護
層に用いられる材料として、ポリ塩化ビニリデン,ポリ
塩化ビニル,塩化ビニリデンとアクリロニトリル共重合
体,ポリ酢酸ビニル,ポリイミド,ポリメチルメタクリ
レート,ポリスチレン,ポリイソプレン,ポリブタジエ
ン,ポリウレタン,ポリビニルブチラール,フツ素ゴ
ム,ポリエステル,エポキシ樹脂,シリコーン樹脂,酢
酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたはブレ
ンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル,帯
電防止剤,架橋剤などを存在させることは、膜性能の強
化の点で好ましい。また、保護層は2層に重ねることも
できる。上述した保護層用の材料は、適当な溶剤に溶解
して塗布するか、薄いフイルムとしてラミネートする方
法が適用可能である。このような保護層の膜厚は0.1〜1
0μmの厚みに設けるが、好ましくは0.1〜2μmで用い
られる。
Further, a protective layer may be provided on the outermost layer to increase stability and protective properties, and further, a layer may be provided for the purpose of increasing sensitivity by reducing surface reflectance. As materials used for such a protective layer, polyvinylidene chloride, polyvinyl chloride, vinylidene chloride and acrylonitrile copolymer, polyvinyl acetate, polyimide, polymethylmethacrylate, polystyrene, polyisoprene, polybutadiene, polyurethane, polyvinyl butyral, fluorine Raw rubber, polyester, epoxy resin, silicone resin, cellulose acetate, etc. These are used alone or as a blend. The presence of silicone oil, an antistatic agent, a crosslinking agent, etc. in the protective layer is preferable from the viewpoint of enhancing the membrane performance. Further, the protective layer may be laminated in two layers. The above-mentioned material for the protective layer can be applied by dissolving it in a suitable solvent and applying it or laminating it as a thin film. The thickness of such a protective layer is 0.1 to 1
The thickness is set to 0 μm, but preferably 0.1 to 2 μm is used.

前記一般式(I)において、MがCu,Zn,ClAl,ClIn,Si,G
e,Sn,OV,Mn,Co,Ni又はPdであるナフタロシアニン誘導体
を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が好ましい。
In the general formula (I), M is Cu, Zn, ClAl, ClIn, Si, G
A method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative which is e, Sn, OV, Mn, Co, Ni or Pd is preferable.

前記一般式(I)において、nが1であるナフタロシア
ニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が好
ましい。
In the general formula (I), a method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative in which n is 1 is preferable.

前記一般式(I)において、R1が炭素数13〜22個のアル
キル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学的情
報記録媒体の製造方法が好ましい。
In the general formula (I), a method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative in which R 1 is an alkyl group having 13 to 22 carbon atoms is preferable.

前記一般式(II)において、MがGeであるナフタロシア
ニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が好
ましい。
In the general formula (II), a method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative in which M is Ge is preferable.

前記一般式(II)において、nが1であるナフタロシア
ニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が好
ましい。
In the general formula (II), a method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative in which n is 1 is preferable.

前記一般式(II)において、Y1及びY2がいずれもトリア
ルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用
いた光学的情報記録媒体の製造方法が好ましい。
In the general formula (II), a method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are trialkylsiloxyl groups is preferable.

前記一般式(II)において、Y1及びY2がいずれもアルコ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学的
情報記録媒体の製造方法が好ましい。
In the general formula (II), a method for producing an optical information recording medium using a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are alkoxy groups is preferable.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を実施例により説明するが本発明は何らこ
れらに限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

合成例1 〔3,4−ジメチル安息香酸メチルの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸47.6g(0.317mol)をメタノール
200ml中に加え、約6mlの濃硫酸存在下、モレキユラーシ
ーブス3A(和光純薬工業(株)製乾燥剤)で脱水しなが
ら、約4時間還流した。放冷後、水約600mlを加え、ベ
ンゼン約200mlを用いて3回抽出した。ベンゼン溶液を
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で3回、続いて水で3回
洗浄後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。ベンゼ
溶液を濃縮後、減圧下蒸留すると、沸点133〜134℃/30m
mHgで49.4gの無色液体を得た。下記の分析結果から、こ
の液体は3,4−ジメチル安息香酸メチルであることを確
認した。
Synthesis Example 1 [Synthesis of methyl 3,4-dimethylbenzoate] 47.6 g (0.317 mol) of 3,4-dimethylbenzoic acid was added to methanol.
The mixture was added to 200 ml, and refluxed for about 4 hours while dehydrating with Molecule Sieves 3A (a drying agent manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) in the presence of about 6 ml of concentrated sulfuric acid. After allowing to cool, about 600 ml of water was added, and the mixture was extracted three times with about 200 ml of benzene. The benzene solution was washed 3 times with a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and then 3 times with water, and anhydrous sodium sulfate was added to dry the solution. After concentrating the Benzene solution and distilling under reduced pressure, the boiling point is 133-134 ℃ / 30m
49.4 g of colorless liquid was obtained at mHg. From the following analysis results, it was confirmed that this liquid was methyl 3,4-dimethylbenzoate.

(1)元素分析値: C H 計算値(%) 73.15 7.37 実測値(%) 73.13 7.46 (2)核磁気共鳴(NMR)スペクトル値: CDCl3溶媒 δ値 7.81(1H,br−s) 7.76(1H,dd,J=7.93,1.53Hz) 7.18(1H,d,J=7.93Hz) 3.89(3H,s) 2.30(6H,s) (3)赤外吸収(IR)スペクトル(塗布法)を第1図に
示す。約1710cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰
因する吸収を有する。
(1) Elemental analysis value: C H calculated value (%) 73.15 7.37 Measured value (%) 73.13 7.46 (2) Nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 7.81 (1H, br-s) 7.76 ( 1H, dd, J = 7.93,1.53Hz) 7.18 (1H, d, J = 7.93Hz) 3.89 (3H, s) 2.30 (6H, s) (3) Infrared absorption (IR) spectrum (coating method) Shown in Figure 1. It has an absorption at about 1710 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

合成例2 〔6−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン
の合成〕 3,4−ジメチル安息香酸メチル33.8g(0.2mol)及びN−
ブロモこはく酸イミド142.4g(0.8mol)の四塩化炭素50
0ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射管中で還
流しながら8〜12時間高圧水銀灯(100W)により光照射
した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、
母液の四塩化炭素溶液を減圧下濃縮した。得られた固体
をヘキサン/塩化メチレンより再結晶すると無色の結晶
として3,4−ビス(ジブロモメチル)安息香酸メチル79g
を得た。3,4−ビス(ジブロモメチル)安息香酸メチル
の物性は下記に示すものであつた。
Synthesis Example 2 [Synthesis of 6-methoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene] 33.8 g (0.2 mol) of methyl 3,4-dimethylbenzoate and N-
Bromosuccinimide 142.4g (0.8mol) carbon tetrachloride 50
Benzoyl peroxide (1 g) was added to the 0 ml solution, and light was irradiated with a high pressure mercury lamp (100 W) for 8 to 12 hours while refluxing in an internal irradiation tube. After standing to cool, the precipitated white crystals were removed by suction filtration,
The carbon tetrachloride solution of the mother liquor was concentrated under reduced pressure. The obtained solid was recrystallized from hexane / methylene chloride to give colorless crystals of methyl 3,4-bis (dibromomethyl) benzoate 79g.
Got The physical properties of methyl 3,4-bis (dibromomethyl) benzoate are shown below.

(1)融点99.5〜100.5℃ (2)元素分析値: C H Br 計算値(%) 25.03 1.68 66.62 実測値(%) 25.07 1.54 65.72 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ 8.29(1H,br−s) 8.03(1H,dd,J=8.24,1.53Hz) 7.81(1H,d,J=8.24Hz) 7.18(1H,br−s) 7.09(1H,br−s) 3.96(3H,s) (4)IRスペクトル(KBr法)を第2図に示す。約1705c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Melting point 99.5-100.5 ° C (2) Elemental analysis value: C H Br calculated value (%) 25.03 1.68 66.62 Measured value (%) 25.07 1.54 65.72 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ 8.29 (1H, br) -S) 8.03 (1H, dd, J = 8.24,1.53Hz) 7.81 (1H, d, J = 8.24Hz) 7.18 (1H, br-s) 7.09 (1H, br-s) 3.96 (3H, s) ( 4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1705c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

次に、得られた3,4−ビス(ジブロモメチル)安息香酸
メチル48g(0.1mol),フマロニトリル13.5g(0.173mo
l)の無水N,N−ジメチルホルムアミド400ml溶液に、よ
くかくはんしながらヨウ化ナトリムウ100g(0.67mol)
を加え、窒素雰囲気下約75℃で約7時間かくはんした。
反応後、内容物を約2kgの氷中へ注ぎ出した。赤かつ色
水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウム
を加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加え、
しばらくかくはんした後、室温下一晩放置した。析出し
た淡黄色固体を吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで
洗浄した。淡黄色固体をアセトン/メタノールから再結
晶することによつて無色針状晶が13.9g得られた。この
結晶は、下記の分析結果から6−メトキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
Next, 48 g (0.1 mol) of the obtained methyl 3,4-bis (dibromomethyl) benzoate and 13.5 g of fumaronitrile (0.173 mo
l) in a solution of 400 ml of anhydrous N, N-dimethylformamide while thoroughly stirring 100 g of sodium iodide (0.67 mol)
Was added and the mixture was stirred under a nitrogen atmosphere at about 75 ° C. for about 7 hours.
After the reaction, the content was poured out into about 2 kg of ice. Gradually add sodium bisulfite until the red and colored aqueous solution becomes pale yellow, then add a slight excess of sodium bisulfite,
After stirring for a while, the mixture was left overnight at room temperature. The precipitated pale yellow solid was suction filtered and washed thoroughly with water and then methanol. By recrystallizing the pale yellow solid from acetone / methanol, 13.9 g of colorless needle crystals were obtained. This crystal shows that 6-methoxycarbonyl-
It was confirmed to be 2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点264〜265℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 71.18 3.41 11.86 実測値(%) 71.21 3.37 11.87 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.72(1H,br−s) 8.47(1H,s) 8.41(1H,s) 8.38(1H,dd,J=8.55,1.53Hz) 8.06(1H,d,J=8.55Hz) 4.04(3H,s) (4)IRスペクトル(KBr法)を第3図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Melting point 264 to 265 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 71.18 3.41 11.86 Measured value (%) 71.21 3.37 11.87 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.72 (1H, br-s) 8.47 (1H, s) 8.41 (1H, s) 8.38 (1H, dd, J = 8.55,1.53Hz) 8.06 (1H, d, J = 8.55Hz) 4.04 (3H, s) (4) IR The spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1700c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

合成例3 〔3,4−ジメチル安息香酸n−アミルの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸60g(0.4mol),n−アミルアルコ
ール43ml(0.4mol),p−トルエンスルホン酸・1水和物
22g(0.116mol)をベンゼン15mlに加え、デイーンスタ
ーク、続いてモレキユラーシーブス3Aで脱水しながら、
約6時間還流した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液100mlで、反応混合物を3回洗浄後、水で3回洗浄
した。反応混合物のベンゼン溶液を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、減圧下濃縮した。油状物を減圧下蒸留する
と、145〜148℃/8mmHgで77gの無色液体を得た。下記の
分析結果から、この液体は3,4−ジメチル安息香酸n−
アミルであることを確認した。
Synthesis Example 3 [Synthesis of n-amyl 3,4-dimethylbenzoate] 60 g (0.4 mol) 3,4-dimethylbenzoic acid, 43 ml (0.4 mol) n-amyl alcohol, p-toluenesulfonic acid monohydrate
Add 22 g (0.116 mol) to 15 ml of benzene, dehydrate with Dean Stark, and then Moreki Sieves 3A,
Refluxed for about 6 hours. After cooling, the reaction mixture was washed with 100 ml of a saturated aqueous solution of sodium hydrogen carbonate three times and then with water three times. A benzene solution of the reaction mixture was dried over anhydrous magnesium sulfate and concentrated under reduced pressure. The oily substance was distilled under reduced pressure to obtain 77 g of a colorless liquid at 145-148 ° C./8 mmHg. From the following analysis results, this liquid was found to be 3,4-dimethylbenzoic acid n-
I confirmed it was Amyl.

(1)元素分析値: C H 計算値(%) 76.33 9.15 実測値(%) 76.22 9.25 (2)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 7.81(1H,br−s) 7.77(1H,dd,J=7.94,1.98Hz) 7.18(1H,d,J=7.94Hz) 4.29(2H,t,J=6.72Hz) 2.30(6H,s) 1.76(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.40(4H,m) 0.93(3H,t,J=6.72Hz) (3)IRスペクトル(塗布法)を第4図に示す。約1710
cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Elemental analysis value: C H calculated value (%) 76.33 9.15 Measured value (%) 76.22 9.25 (2) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 7.81 (1H, br-s) 7.77 (1H, dd, J = 7.94, 1.98Hz) 7.18 (1H, d, J = 7.94Hz) 4.29 (2H, t, J = 6.72Hz) 2.30 (6H, s) 1.76 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.40 (4H, m ) 0.93 (3H, t, J = 6.72Hz) (3) IR spectrum (coating method) is shown in FIG. About 1710
It has absorption due to the C = O stretching vibration of the ester near cm -1 .

合成例4 〔6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレンの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸n−アミル44.1g(0.2mol)及び
N−ブロモこはく酸イミド142.4g(0.8mol)の四塩化炭
素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え、内部照射管
中で、還流しながら11時間,高圧水銀灯(100W)により
光照射した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して
除き、母液の四塩化炭素溶液を減圧下充分に濃縮した。
得られた淡かつ色油状物を、無水N,N−ジメチルホルム
アミド800mlに溶かし、フマロニトリル27g(0.346mol)
次いで、よくかくはんしながら、ヨウ化ナトリウム200g
(1.34mol)を加え、窒素雰囲気下75℃で約7時間かく
はんした。反応後、内容物を約4kgの氷中へ注ぎ出した
赤かつ色の水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素
ナトリウムを加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウ
ムを加えしばらくかくはんした後、室温下一晩放置し
た。析出した淡黄色固体を吸引ろ過し、充分に水洗した
後、数回メタノールで洗浄した。淡黄色固体を約500ml
のクロロホルムに溶かし、クロロホルム層を水層と分離
後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。クロロホルム
溶液を減圧下濃縮後、クロロホルム/エタノールから2
度再結晶することによつて無色針状結晶が、20g得られ
た。この結晶は、下記の分析結果から、6−(n−アミ
ロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレンである
ことを確認した。
Synthesis Example 4 [Synthesis of 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] n-amyl 3,4-dimethylbenzoate 44.1 g (0.2 mol) and N-bromosuccinimide 142.4 g (0.8 benzoyl peroxide (1 g) was added to a solution of carbon tetrachloride (500 mol) in an internal irradiation tube, and the mixture was irradiated with light from a high pressure mercury lamp (100 W) for 11 hours while refluxing. After allowing to cool, the precipitated white crystals were removed by suction filtration, and the carbon tetrachloride solution of the mother liquor was sufficiently concentrated under reduced pressure.
The pale and colored oil obtained was dissolved in 800 ml of anhydrous N, N-dimethylformamide and fumaronitrile 27 g (0.346 mol)
Then, while stirring well, 200 g of sodium iodide
(1.34 mol) was added, and the mixture was stirred under a nitrogen atmosphere at 75 ° C for about 7 hours. After the reaction, gradually add sodium bisulfite until the red and colored aqueous solution poured into about 4 kg of ice turns pale yellow, add a slight excess of sodium bisulfite, and stir for a while, then at room temperature. I left it overnight. The precipitated pale yellow solid was suction filtered, washed thoroughly with water, and then washed several times with methanol. About 500 ml of pale yellow solid
Was dissolved in chloroform, the chloroform layer was separated from the aqueous layer, and dried over anhydrous magnesium sulfate. Chloroform solution was concentrated under reduced pressure and then chloroform / ethanol was added to 2
By recrystallizing once, 20 g of colorless needle crystals were obtained. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 150−152℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 73.95 5.52 9.52 実測値(%) 73.82 5.38 9.51 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.70(1H,br−s) 8.49(1H,s) 8.41(1H,s) 8.38(1H,dd,J=8.55,1.53Hz) 8.06(1H,d,J=8.55Hz) 4.43(2H,t,J=6.72Hz) 1.84(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.44(1H,m) 0.96(3H,t,J=6.72Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第5図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Melting point 150-152 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 73.95 5.52 9.52 Measured value (%) 73.82 5.38 9.51 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.70 (1H, br-s) 8.49 (1H, s) 8.41 (1H, s) 8.38 (1H, dd, J = 8.55,1.53Hz) 8.06 (1H, d, J = 8.55Hz) 4.43 (2H, t, J = 6.72Hz) ) 1.84 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.44 (1H, m) 0.96 (3H, t, J = 6.72Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1700c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

合成例5 〔3,4−ジメチル安息香酸n−オクチルの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸40g(0.27mol),n−オクタノー
ル100ml(0.635mol),p−トルエンスル酸・1水和物22g
(0.116mol)をベンゼン100ml中に加え、デイーンスタ
ーク、続いてモレキユラーシーブス3Aで脱水しながら、
約6時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例3と同
様に処理し、減圧下蒸留すると、沸点148〜152℃/3mmHg
で60.5gの無色液体を得た。下記の分析結果からこの液
体は、3,4−ジメチル安息香酸n−オクチルであること
を確認した。
Synthesis Example 5 [Synthesis of n-octyl 3,4-dimethylbenzoate] 40 g (0.27 mol) of 3,4-dimethylbenzoate, 100 ml (0.635 mol) of n-octanol, and 22 g of p-toluenesulic acid monohydrate
(0.116 mol) was added to 100 ml of benzene, and dehydrated with Dean Stark and then Molecule Sieves 3A,
Refluxed for about 6 hours. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 3 and distilled under reduced pressure to give a boiling point of 148 to 152 ° C / 3 mmHg.
To give 60.5 g of colorless liquid. From the following analysis results, it was confirmed that this liquid was n-octyl 3,4-dimethylbenzoate.

(1)元素分析値: C H 計算値(%) 77.82 9.99 実測値(%) 77.21 10.07 (2)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 7.81(1H,br−s) 7.77(1H,dd,J=7.63,1.83Hz) 7.19(1H,d,J=7.63Hz) 4.29(2H,t,J=6.72Hz) 2.31(6H,s) 1.76(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.1〜1.5(10H,m) 0.88(3H,t,J=6.72Hz) (3)IRスペクトル(塗布法)を第6図に示す。約1710
cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Elemental analysis value: C H calculated value (%) 77.82 9.99 Measured value (%) 77.21 10.07 (2) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 7.81 (1H, br-s) 7.77 (1H, dd, J = 7.63,1.83Hz) 7.19 (1H, d, J = 7.63Hz) 4.29 (2H, t, J = 6.72Hz) 2.31 (6H, s) 1.76 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.1 to 1.5 (10H , m) 0.88 (3H, t, J = 6.72Hz) (3) IR spectrum (coating method) is shown in FIG. About 1710
It has absorption due to the C = O stretching vibration of the ester near cm -1 .

合成例6 〔6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシア
ノナフタレンの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸n−オクチル52.5g(0.2mol)及
びN−ブロモこはく酸イミド142.4g(0.8mol)の四塩化
炭素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え、内部照射
管中で還流しながら11時間高圧水銀灯(100W)により光
照射した。放冷後、反応混合物を、合成例4と同様に処
理し、フマロニトリルと反応させ処理した後、クロロホ
ルム/エタノールから数回再結晶することによつて、無
色針状晶が、約7g得られた。この結晶は、下記の分析結
果から6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジ
シアノナフタレンであることを確認した。
Synthesis Example 6 [Synthesis of 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] n-octyl 3,4-dimethylbenzoate 52.5 g (0.2 mol) and N-bromosuccinimide 142.4 g (0.8 benzoyl peroxide (1 g) was added to a solution of carbon tetrachloride (500 ml) in an internal irradiation tube, and light was irradiated with a high pressure mercury lamp (100 W) for 11 hours while refluxing. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Synthesis Example 4, treated with fumaronitrile, treated, and recrystallized several times from chloroform / ethanol to obtain about 7 g of colorless needle crystals. . It was confirmed from the following analysis results that this crystal was 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 142〜144℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 75.42 6.63 8.38 実測値(%) 75.20 6.41 7.99 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.70(1H,br−s) 8.49(1H,s) 8.42(1H,s) 8.38(1H,dd,J=8.55,1.52Hz) 8.06(1H,d,J=8.55Hz) 4.42(2H,t,J=6.72Hz) 1.83(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.2〜1.6(10H,m) 0.89(3H,t,J=6.72Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第7図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Melting point 142-144 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 75.42 6.63 8.38 Measured value (%) 75.20 6.41 7.99 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.70 (1H, 1H, br-s) 8.49 (1H, s) 8.42 (1H, s) 8.38 (1H, dd, J = 8.55,1.52Hz) 8.06 (1H, d, J = 8.55Hz) 4.42 (2H, t, J = 6.72Hz) ) 1.83 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.2 to 1.6 (10H, m) 0.89 (3H, t, J = 6.72Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1700c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

合成例7 〔6−(n−オクタデシロキシカルボニル)−2,3−ジ
シアノナフタレンの合成〕 6−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン3.1
4g(13.3mol),1−オクタデカノール3.6g(13.3mol)を
ベンゼン40ml中、p−トルエンスルホン酸・1水和物2.
2g(11.6mol)存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水,脱メタノールしながら約6時間還流した。放冷後、
クロロホルム約150mlを加え、クロロホルム溶液を飽和
炭酸水素ナトリウム水溶液で3回、水で3回洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。クロロホルム溶液を濃縮
後、ベンゼンを展開溶媒として、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより精製した。得られた無色固体をエ
タノール/クロロホルムから再結晶することにより、無
色針状晶が0.68g得られた。下記の分析結果からこの無
色針状晶は、6−(n−オクタデシロキシカルボニル)
−2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
Synthesis Example 7 [Synthesis of 6- (n-octadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] 6-methoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene 3.1
4 g (13.3 mol), 1-octadecanol 3.6 g (13.3 mol) in 40 ml of benzene p-toluenesulfonic acid monohydrate 2.
In the presence of 2 g (11.6 mol), the mixture was dehydrated with Molecular Sieves 3A and refluxed for about 6 hours while removing methanol. After cooling down,
About 150 ml of chloroform was added, and the chloroform solution was washed 3 times with a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and 3 times with water, and dried over anhydrous sodium sulfate. After the chloroform solution was concentrated, it was purified by silica gel column chromatography using benzene as a developing solvent. By recrystallizing the obtained colorless solid from ethanol / chloroform, 0.68 g of colorless needle crystals were obtained. From the following analysis results, this colorless needle crystal was found to be 6- (n-octadecyloxycarbonyl)
It was confirmed to be −2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 139〜140℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 78.44 8.92 5.90 実測値(%) 78.52 9.05 5.87 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.71(1H,br−s) 8.49(1H,s) 8.42(1H,s) 8.38(1H,dd,J=8.55,1.53Hz) 8.06(1H,d,J=8.55Hz) 4.42(2H,t,J=6.72Hz) 1.83(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.25(30H,br−s) 0.88(3H,t,J=6.72Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第8図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Melting point 139 to 140 ° C (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 78.44 8.92 5.90 Measured value (%) 78.52 9.05 5.87 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.71 (1H, 1H, br-s) 8.49 (1H, s) 8.42 (1H, s) 8.38 (1H, dd, J = 8.55,1.53Hz) 8.06 (1H, d, J = 8.55Hz) 4.42 (2H, t, J = 6.72Hz) ) 1.83 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.25 (30H, br-s) 0.88 (3H, t, J = 6.72Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1700c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

合成例8 〔6−(n−テトラデシロキシカルボニル)−2,3−ジ
シアノナフタレンの合成〕 6−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg(1mmol),1−テトラデカノール10.7g(50mmol)をベ
ンゼン100ml中、p−トルエンスルホン酸・1水和物1.9
4g(10.2mmol)存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水,脱メタノールしながら、約12時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン/クロロホルム(体積
比1:1の溶媒)を展開溶媒として、シリカゲルカラムク
ロマトグラフイーにより精製した。
Synthesis Example 8 [Synthesis of 6- (n-tetradecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] 6-methoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene 236
mg (1 mmol), 1-tetradecanol 10.7 g (50 mmol) in 100 ml of benzene, p-toluenesulfonic acid monohydrate 1.9
In the presence of 4 g (10.2 mmol), the mixture was refluxed for about 12 hours while dehydrating and removing methanol with Molecular Sieves 3A. After cooling, benzene was distilled off, and the residue was purified by silica gel column chromatography using toluene / chloroform (solvent having a volume ratio of 1: 1) as a developing solvent.

さらに、アセトン/メタノールから再結晶することによ
り無色結晶が103mg得られた。下記の分析結果からこの
無色結晶は、6−(n−テトラデシロキシカルボニル)
−2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
Further, recrystallization from acetone / methanol gave 103 mg of colorless crystals. From the following analysis results, this colorless crystal was found to be 6- (n-tetradecyloxycarbonyl)
It was confirmed to be −2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 142〜142.5℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 77.48 8.19 6.69 実測値(%) 77.53 8.11 6.76 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.68(1H,br−s) 8.47(1H,s) 8.39(1H,s) 8.36(1H,dd,J=8.55,1.52Hz) 8.04(1H,d,J=8.85Hz) 4.40(2H,t,J=6.71Hz) 1.81(2H,quintet,J=6.71Hz) 1.25(22H,br−s) 0.87(3H,t,J=6.71Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第9図に示す。約1710c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
(1) Melting point 142-142.5 ° C (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 77.48 8.19 6.69 Measured value (%) 77.53 8.11 6.76 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.68 (1H, br-s) 8.47 (1H, s) 8.39 (1H, s) 8.36 (1H, dd, J = 8.55,1.52Hz) 8.04 (1H, d, J = 8.85Hz) 4.40 (2H, t, J = 6.71Hz ) 1.81 (2H, quintet, J = 6.71Hz) 1.25 (22H, br-s) 0.87 (3H, t, J = 6.71Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1710c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

合成例9 〔6−(n−ヘキサデシロキシカルボニル)−2,3−ジ
シアノナフタレンの合成〕 6−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg(1mmol),1−ヘキサデカノール12.1g(50mmol)をベ
ンゼン100ml中、p−トルエンスルホン酸・1水和物1.9
4g(10.2mmol)存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水,脱メタノールしながら、約12時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン/クロロホルム(体積
比1:1の溶媒)を展開溶媒として、シリカゲルカラムク
ロマトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン/
メタノールから再結晶することにより無色結晶が247mg
得られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、6−
(n−ヘキサデシロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレンであることを確認した。
Synthesis Example 9 [Synthesis of 6- (n-hexadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] 6-methoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene 236
mg (1 mmol), 1-hexadecanol 12.1 g (50 mmol) in 100 ml of benzene p-toluenesulfonic acid monohydrate 1.9
In the presence of 4 g (10.2 mmol), the mixture was refluxed for about 12 hours while dehydrating and removing methanol with Molecular Sieves 3A. After cooling, benzene was distilled off, and the residue was purified by silica gel column chromatography using toluene / chloroform (solvent having a volume ratio of 1: 1) as a developing solvent. In addition, acetone /
247mg colorless crystals by recrystallization from methanol
Was obtained. From the following analysis results, this colorless crystal was 6-
It was confirmed to be (n-hexadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 141〜142℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 77.99 8.58 6.27 実測値(%) 78.07 8.51 6.19 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.69(1H,br−s) 8.47(1H,s) 8.39(1H,s) 8.37(1H,dd,J=8.55,1.53Hz) 8.04(1H,d,J=8.55Hz) 4.41(2H,t,J=6.72Hz) 1.81(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.25(26H,br−s) 0.87(3H,t,J=6.72Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第10図に示す。(1) Melting point 141-142 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 77.99 8.58 6.27 Measured value (%) 78.07 8.51 6.19 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.69 (1H, br-s) 8.47 (1H, s) 8.39 (1H, s) 8.37 (1H, dd, J = 8.55,1.53Hz) 8.04 (1H, d, J = 8.55Hz) 4.41 (2H, t, J = 6.72Hz) ) 1.81 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.25 (26H, br-s) 0.87 (3H, t, J = 6.72Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in Fig. 10.

約1710cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at about 1710 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

合成例10 〔6−(n−エイコシロキシカルボニル)−2,3−ジシ
アノナフタレンの合成〕 6−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg(1mmol),1−エイコサノール15.6g(50mmol)をベン
ゼン100ml中、p−トルエンスルホン酸・1水和物1.94g
(10.2mmol)存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱水,
脱メタノールしながら、約28時間還流した。放冷後、ベ
ンゼンを留去し、トルエン/n−ヘキサン(体積比4/1の
溶媒)を展開溶媒として、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製した。さらに、アセトン/メタノー
ルから再結晶することにより、無色結晶が166mg得られ
た。下記の分析結果からこの無色結晶は、6−(n−エ
イコシロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレン
であることを確認した。
Synthesis Example 10 [Synthesis of 6- (n-eicosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] 6-methoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene 236
mg (1 mmol), 1-eicosanol 15.6 g (50 mmol) in 100 ml of benzene p-toluenesulfonic acid monohydrate 1.94 g
In the presence of (10.2mmol), dehydration with Morekiura Sieves 3A,
The mixture was refluxed for about 28 hours while removing methanol. After allowing to cool, benzene was distilled off, and the residue was purified by silica gel column chromatography using toluene / n-hexane (a solvent having a volume ratio of 4/1) as a developing solvent. Further, by recrystallization from acetone / methanol, 166 mg of colorless crystals were obtained. From the following analysis results, this colorless crystal was confirmed to be 6- (n-eicosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 138〜138.5℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 78.84 9.22 5.57 実測値(%) 78.89 9.31 5.52 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.70(1H,br−s) 8.48(1H,s) 8.41(1H,s) 8.38(1H,dd,J=8.85,1.52Hz) 8.05(1H,d,J=8.85Hz) 4.42(2H,t,J=6.71Hz) 1.83(2H,quintet,J=6.71Hz) 1.25(34H,br−s) 0.88(3H,t,J=6.71Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第11図に示す。(1) Melting point 138-138.5 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 78.84 9.22 5.57 Actual value (%) 78.89 9.31 5.52 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.70 (1H, 1H, br-s) 8.48 (1H, s) 8.41 (1H, s) 8.38 (1H, dd, J = 8.85,1.52Hz) 8.05 (1H, d, J = 8.85Hz) 4.42 (2H, t, J = 6.71Hz) ) 1.83 (2H, quintet, J = 6.71Hz) 1.25 (34H, br-s) 0.88 (3H, t, J = 6.71Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in Fig. 11.

約1710cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at about 1710 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

合成例11 〔6−(n−ドコシロキシカルボニル)−2,3−ジシア
ノナフタレンの合成〕 6−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg(1mmol),1−ドコサノール16.3g(50mmol)を、ベン
ゼン100ml中、p−トルエンスルホン酸・1水和物1.94g
(10.2mmol)存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱水,
脱メタノールしながら、約28時間還流した。放冷後、ベ
ンゼンを留去し、トルエン/n−ヘキサン(体積比4/1の
溶媒)を展開溶媒として、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製した。さらに、アセトン/メタノー
ルから再結晶することにより、無色結晶が161mg得られ
た。下記の分析結果からこの無色結晶は、6−(n−ド
コシロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレンで
あることを確認した。
Synthesis Example 11 [Synthesis of 6- (n-docosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene] 6-methoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene 236
mg (1 mmol), 1-docosanol 16.3 g (50 mmol) in 100 ml of benzene, p-toluenesulfonic acid monohydrate 1.94 g
In the presence of (10.2mmol), dehydration with Morekiura Sieves 3A,
The mixture was refluxed for about 28 hours while removing methanol. After allowing to cool, benzene was distilled off, and the residue was purified by silica gel column chromatography using toluene / n-hexane (a solvent having a volume ratio of 4/1) as a developing solvent. Further, recrystallization from acetone / methanol gave 161 mg of colorless crystals. From the following analysis results, it was confirmed that the colorless crystal was 6- (n-docosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.

(1)融点 135〜136.5℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 79.20 9.49 5.28 実測値(%) 79.12 9.57 5.14 (3)NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.70(1H,br−s) 8.48(1H,s) 8.41(1H,s) 8.37(1H,dd,J=8.55,1.53Hz) 8.05(1H,d,J=8.55Hz) 4.42(2H,t,J=6.72Hz) 1.83(2H,quintet,J=6.72Hz) 1.25(38H,br−s) 0.88(3H,t,J=6.72Hz) (4)IRスペクトル(KBr法)を第12図に示す。(1) Melting point 135-136.5 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 79.20 9.49 5.28 Measured value (%) 79.12 9.57 5.14 (3) NMR spectrum value: CDCl 3 solvent δ value 8.70 (1H, br-s) 8.48 (1H, s) 8.41 (1H, s) 8.37 (1H, dd, J = 8.55,1.53Hz) 8.05 (1H, d, J = 8.55Hz) 4.42 (2H, t, J = 6.72Hz) ) 1.83 (2H, quintet, J = 6.72Hz) 1.25 (38H, br-s) 0.88 (3H, t, J = 6.72Hz) (4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1710cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at about 1710 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例1 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)バナジルナ
フタロシアニン〔例示化合物(1)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),三塩化バナジウム0.32g(2.0
1mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5g
を約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。
放冷後、固化した反応混合物に5%塩酸40mlを加え、あ
る程度ほぐした後、約50℃で30分間よくかくはんした。
かくはん後、不溶物を吸引ろ過し、水,メタノール、次
いで、アセトンで充分に洗浄した。得られた固体をソツ
クスレー抽出器で、溶媒としてメタノール/アセトン
(1/1)の混合溶媒を用いて、約50時間不純物の抽出を
行なつた。次に、溶媒をクロロホルムに変更して、ソツ
クスレー抽出を20時間行なつた。得られた濃緑色クロロ
ホルム溶液を熱時吸収ろ過した後減圧下濃縮乾固し、光
沢のある黒色結晶を861mg得た。この結晶は、下記の分
析結果から、テトラキス(n−アミロキシカルボニル)
バナジルナフタロシアニンであることを確認した。
Example 1 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine [Exemplified Compound (1)] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), vanadium trichloride 0.32g (2.0
1mmol), ammonium molybdate 10mg and urea 5g
Was reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours while stirring well.
After allowing to cool, 40 ml of 5% hydrochloric acid was added to the solidified reaction mixture, which was loosened to some extent and then thoroughly stirred at about 50 ° C. for 30 minutes.
After stirring, the insoluble matter was suction filtered and thoroughly washed with water, methanol, and then acetone. The obtained solid was subjected to Soxhlet extractor extraction of impurities for about 50 hours using a mixed solvent of methanol / acetone (1/1) as a solvent. Next, the solvent was changed to chloroform, and Soxhlet extraction was performed for 20 hours. The resulting dark green chloroform solution was subjected to absorption filtration under heating and then concentrated to dryness under reduced pressure to obtain 861 mg of glossy black crystals. This crystal shows tetrakis (n-amyloxycarbonyl) from the following analysis results.
It was confirmed to be vanadyl naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 69.95 5.22 9.06 実測値(%) 70.13 5.14 9.33 (3)電子スペクトル値(CDCl3溶液)を第13図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 69.95 5.22 9.06 Measured value (%) 70.13 5.14 9.33 (3) Electronic spectrum value (CDCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第14図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例2 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)銅ナフタロ
シアニン〔例示化合物(8)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),塩化第二銅・2水和物273mg
(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を987mg得た。この結
晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−アミロキ
シカルボニル)銅ナフタロシアニンであることを確認し
た。
Example 2 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [Exemplified Compound (8)]] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), second chloride Copper dihydrate 273mg
(1.6 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 987 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 70.14 5.23 9.06 実測値(%) 69.45 5.20 9.17 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第15図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 70.14 5.23 9.06 Measured value (%) 69.45 5.20 9.17 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第16図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例3 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)亜鉛ナフタ
ロシアニン〔例示化合物(13)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),粉末亜鉛105mg(1.6mmol),
モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約220℃
で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、
反応混合物を実施例1と同様に処理することによつて、
光沢のある黒色結晶を937mg得た。この結晶は、下記の
分析結果から、テトラキス(n−アミロキシカルボニ
ル)亜鉛ナフタロシアニンであることを確認した。
Example 3 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine [Exemplified Compound (13)]] 6 .- (n-Amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), powder zinc 105 mg (1.6 mmol),
Ammonium molybdate 10 mg and urea 5 g about 220 ℃
The mixture was stirred for about 2.5 hours to react. After cooling down,
By treating the reaction mixture as in Example 1,
937 mg of glossy black crystals were obtained. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 70.04 5.22 9.08 実測値(%) 69.35 5.22 9.08 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第17図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 70.04 5.22 9.08 Measured value (%) 69.35 5.22 9.08 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第18図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例4 [テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)バナジル
ナフタロシアニン〔例示化合物(2)〕の合成] 6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g(5mmol),三塩化バナジウム0.32g
(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理するこ
とによつて光沢のある黒色結晶を1.33g得た。この結晶
は、下記の分析結果から、テトラキス(n−オクチロキ
シカルボニル)バナジルナフタロシアニンであることを
確認した。
Example 4 [Synthesis of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine [exemplary compound (2)]] 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.67 g (5 mmol), vanadium trichloride 0.32g
(1.6 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 1.33 g of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-octyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 71.83 6.31 7.98 実測値(%) 71.99 6.18 8.29 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第19図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 71.83 6.31 7.98 Measured value (%) 71.99 6.18 8.29 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第20図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例5 [テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)銅ナフタ
ロシアニン〔例示化合物(9)〕の合成] 6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g(5mmol),塩化第二銅・2水和物273m
g(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理するこ
とによつて光沢のある黒色結晶を1.39g得た。この結晶
は、下記の分析結果から、テトラキス(n−オクチロキ
シカルボニル)銅ナフタロシアニンであることを確認し
た。
Example 5 [Synthesis of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [exemplary compound (9)]] 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.67 g (5 mmol), second chloride Copper dihydrate 273m
g (1.6 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 1.39 g of glossy black crystals. From the following analysis results, this crystal was confirmed to be tetrakis (n-octyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 72.00 6.33 8.00 実測値(%) 71.95 6.08 8.14 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第21図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 72.00 6.33 8.00 Measured value (%) 71.95 6.08 8.14 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第22図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例6 [テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)亜鉛ナフ
タロシアニン〔例示化合物(14)〕の合成] 6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g(5mmol),亜鉛末105mg(1.6mmol),
モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約220℃
で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、
反応混合物を実施例1と同様に処理することによつて、
光沢のある黒色結晶を1.26g得た。この結晶は、下記の
分析結果から、テトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)亜鉛ナフタロシアニンであることを確認した。
Example 6 [Synthesis of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine [Exemplified Compound (14)]] 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.67 g (5 mmol), zinc powder 105 mg (1.6 mmol),
Ammonium molybdate 10 mg and urea 5 g about 220 ℃
The mixture was stirred for about 2.5 hours to react. After cooling down,
By treating the reaction mixture as in Example 1,
1.26 g of glossy black crystals were obtained. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-octyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定で
ある。) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 71.89 6.32 7.98 実測値(%) 71.90 6.20 8.02 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第23図に示
す。
(1) Melting point> 300 ℃ (Stable at least below 300 ℃) (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 71.89 6.32 7.98 Measured value (%) 71.90 6.20 8.02 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第24図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例7 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ニツケルナ
フタロシアニン〔例示化合物(16)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),塩化ニツケル・6水和物380m
g(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理するこ
とによつて光沢のある黒色結晶として、テトラキス(n
−アミロキシカルボニル)ニツケルナフタロシアニンを
287mg得た。その電子スペクトル(CHCl3溶液)を第25図
に示す。この化合物も少なくとも300℃以下では安定で
ある。IRスペクトル(KBr法)を第26図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
Example 7 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) nickelnaphthalocyanine [Exemplified Compound (16)]] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), nickel chloride. Hexahydrate 380m
g (1.6 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated as in Example 1 to give tetrakis (n) as glossy black crystals.
-Amyloxycarbonyl) nickel naphthalocyanine
287 mg was obtained. The electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 25. This compound is also stable at least at 300 ° C or lower. The IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1700c
It has absorption due to the C═O stretching vibration of ester near m −1 .

実施例8 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)パラジウム
ナフタロシアニン〔例示化合物(18)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),塩化パラジウム284mg(1.6mm
ol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約
220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷
後、反応混合物を実施例1と同様に処理することによつ
て光沢のある黒色結晶として、テトラキス(n−アミロ
キシカルボニル)パラジウムナフタロシアニンを405mg
得た。その電子スペクトル(CHCl3溶液)を第27図に示
す。この化合物も、少なくとも300℃以下では安定であ
る。IRスペクトル(KBr法)を第28図に示す。約1700cm
-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する吸収を有
する。
Example 8 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) palladium naphthalocyanine [Exemplified Compound (18)]] 6 .- (n-Amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), palladium chloride 284 mg (1.6 mm
ol), ammonium molybdate 10 mg and urea 5 g
The reaction was performed while stirring well at 220 ° C for about 2.5 hours. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to give 405 mg of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) palladium naphthalocyanine as glossy black crystals.
Obtained. The electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. This compound is also stable at least below 300 ° C. The IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. About 1700 cm
It has absorption at around -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例9 [テトラキス(n−オクタデシロキシカルボニル)バナ
ジルナフタロシアニン〔例示化合物(5)〕の合成] 6−(n−オクタデシロキシカルボニル)−2,3−ジシ
アノナフタレン650mg(1.37mmol),三塩化バナジウム8
8mg(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム3mgおよび
尿素1.37gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理
することによつて光沢のある黒色結晶として、テトラキ
ス(n−オクタデシロキシカルボニル)バナジルナフタ
ロシアニンを556mgを得た。この結晶は、下記の分析結
果からテトラキス(n−オクタデシロキシカルボニル)
バナジルナフタロシアニンであることを確認した。
Example 9 [Synthesis of tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine [Exemplified compound (5)]] 6- (n-octadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 650 mg (1.37 mmol), three Vanadium chloride 8
8 mg (1.6 mmol), ammonium molybdate 3 mg and urea 1.37 g were reacted while stirring well at about 220 ° C. for about 2.5 hours. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 556 mg of tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine as glossy black crystals. This crystal shows tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) from the following analysis results.
It was confirmed to be vanadyl naphthalocyanine.

(1)軟化点 135〜138℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 75.77 8.61 5.70 実測値(%) 75.25 8.51 6.17 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第29図に示す。(1) Softening point 135-138 ℃ (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 75.77 8.61 5.70 Measured value (%) 75.25 8.51 6.17 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in Fig. 29. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第30図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例10 [テトラキス(n−オクタデシロキシカルボニル)銅ナ
フタロシアニン〔例示化合物(12)〕の合成] 6−(n−オクタデシロキシカルボニル)−2,3−ジシ
アノナフタレン200mg(0.42mmol),塩化第二銅・2水
和物23mg(0.13mmol),モリブデン酸アンモニウム1mg
および尿素0.42gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様
に処理することによつて光沢のある黒色結晶として、テ
トラキス(n−オクタデシロキシカルボニル)銅ナフタ
ロシアニン160mgを得た。この結晶は、下記の分析結果
からテトラキス(n−オクタデシロキシカルボニル)銅
ナフタロシアニンであることを確認した。
Example 10 [Synthesis of tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [Exemplified compound (12)]] 6- (n-octadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 200 mg (0.42 mmol), chloride Cupric dihydrate 23 mg (0.13 mmol), ammonium molybdate 1 mg
And 0.42 g of urea were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours while stirring them well. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 160 mg of tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine as glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine.

(1)軟化点 119〜121℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 75.90 8.63 5.71 実測値(%) 75.63 8.51 5.66 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第31図に示す。(1) Softening point 119-121 ° C (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 75.90 8.63 5.71 Measured value (%) 75.63 8.51 5.66 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 31. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第32図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例11 [テトラキス(n−テトラデシロキシカルボニル)バナ
ジルナフタロシアニン〔例示化合物(3)〕の合成] 6−(n−テトラデシロキシカルボニル)−2,3−ジシ
アノナフタレン42mg(0.1mmol),三塩化バナジウム6.4
mg(0.04mmol),モリブデン酸アンモニウム0.2mgおよ
び尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら
反応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処
理することによつて、光沢のある黒色結晶を21mg得た。
この結晶は下記の分析結果から、テトラキス(n−テト
ラデシロキシカルボニル)バナジルナフタロシアニンで
あることを確認した。
Example 11 [Synthesis of tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine [Exemplified Compound (3)]] 6- (n-tetradecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 42 mg (0.1 mmol), three Vanadium chloride 6.4
mg (0.04 mmol), ammonium molybdate 0.2 mg, and urea 100 mg were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 21 mg of glossy black crystals.
This crystal was confirmed to be tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine from the following analysis results.

(1)軟化点 210〜212℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 74.50 7.87 6.44 実測値(%) 74.66 7.96 6.32 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第33図に示す。(1) Softening point 210-212 ℃ (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 74.50 7.87 6.44 Measured value (%) 74.66 7.96 6.32 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 33. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第34図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例12 [テトラキス(n−テトラデシロキシカルボニル)銅ナ
フタロシアニン〔例示化合物(10)〕の合成] 6−(n−テトラデシロキシカルボニル)−2,3−ジシ
アノナフタレン42mg(0.1mmol),塩化第二銅・2水和
物5.4mg(0.03mmol),モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および、尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜ
ながら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同
様に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を21mg
得た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス
(n−テトラデシロキシカルボニル)銅ナフタロシアニ
ンであることを確認した。
Example 12 [Synthesis of tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [Exemplified compound (10)]] 6- (n-tetradecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 42 mg (0.1 mmol), chloride Cupric dihydrate 5.4 mg (0.03 mmol), ammonium molybdate 0.2 mg
Then, 100 mg of urea was reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours while stirring well. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to give 21 mg of shiny black crystals.
Obtained. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine.

(1)軟化点 168〜171℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 74.64 7.89 6.45 実測値(%) 74.82 7.76 6.37 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第35図に示す。(1) Softening point 168-171 ° C (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 74.64 7.89 6.45 Measured value (%) 74.82 7.76 6.37 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in Fig. 35. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第36図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例13 [テトラキス(n−ヘキサデシロキシカルボニル)バナ
ジルナフタロシアニン〔例示化合物(4)〕の合成] 6−(n−ヘキサデシロキシカルボニル)−2,3−ジシ
アノナフタレン45mg(0.1mmol),三塩化バナジウム6.4
mg(0.04mmol),モリブデン酸アンモニウム0.2mgおよ
び尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら
反応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処
理することによつて、光沢のある黒色結晶を13mg得た。
この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−ヘ
キサデシロキシカルボニル)バナジルナフタロシアニン
であることを確認した。
Example 13 [Synthesis of tetrakis (n-hexadecyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine [Exemplified compound (4)]] 6- (n-hexadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 45 mg (0.1 mmol), three Vanadium chloride 6.4
mg (0.04 mmol), ammonium molybdate 0.2 mg, and urea 100 mg were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 13 mg of glossy black crystals.
It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-hexadecyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine.

(1)軟化点 151〜154℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 75.17 8.27 6.05 実測値(%) 75.26 8.19 6.13 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第37図に示す。(1) Softening point 151-154 ℃ (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 75.17 8.27 6.05 Measured value (%) 75.26 8.19 6.13 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 37. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第38図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例14 [テトラキス(n−エイコシロキシカルボニル)バナジ
ルナフタロシアニン〔例示化合物(6)〕の合成] 6−(n−エイコシロキシカルボニル)−2,3−ジシア
ノナフタレン52mg(0.1mmol),三塩化バナジウム6.4mg
(0.04mmol),モリブデン酸アンモニウム0.2mgおよび
尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理
することによつて、光沢のある黒色結晶を26mg得た。こ
の結晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−エイ
コシロキシカルボニル)バナジルナフタロシアニンであ
ることを確認した。
Example 14 [Synthesis of tetrakis (n-eicosyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine [Exemplified compound (6)]] 6- (n-eicosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 52 mg (0.1 mmol), vanadium trichloride 6.4mg
(0.04 mmol), 0.2 mg of ammonium molybdate and 100 mg of urea were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 26 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-eicosyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine.

(1)軟化点 83〜85℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 76.30 8.93 5.39 実測値(%) 76.92 8.89 5.28 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第39図に示す。(1) Softening point 83-85 ℃ (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 76.30 8.93 5.39 Measured value (%) 76.92 8.89 5.28 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 39. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第40図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例15 [テトラキス(n−エイコシロキシカルボニル)銅ナフ
タロシアニン〔例示化合物(11)〕の合成] 6−(n−エイコシロキシカルボニル)−2,3−ジシア
ノナフタレン52mg(0.1mmol),塩化第二銅・2水和物
5.5mg(0.03mmol),モリブデン酸アンモニウム0.2mgお
よび尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜなが
ら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に
処理することによつて、光沢のある黒色結晶を36mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n
−エイコシロキシカルボニル)銅ナフタロシアニンであ
ることを確認した。
Example 15 [Synthesis of tetrakis (n-eicosyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [Exemplified compound (11)]] 6- (n-eicosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 52 mg (0.1 mmol), second chloride Copper dihydrate
5.5 mg (0.03 mmol), ammonium molybdate 0.2 mg and urea 100 mg were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours while stirring well. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 36 mg of glossy black crystals. This crystal shows that tetrakis (n
-Eicosiloxycarbonyl) copper naphthalocyanine was confirmed.

(1)軟化点 67〜70℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 76.43 8.94 5.40 実測値(%) 76.62 8.78 5.61 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第41図に示す。(1) Softening point 67-70 ℃ (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 76.43 8.94 5.40 Measured value (%) 76.62 8.78 5.61 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 41. Show.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第42図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例16 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)コバルトナ
フタロシアニン〔例示化合物(20)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),塩化コバルト・6水和物0.38
mg(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび
尿素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応さ
せた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理する
ことによつて、光沢のある黒色結晶を823mg得た。この
結晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−アミロ
キシカルボニル)コバルトナフタロシアニンであること
を確認した。
Example 16 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) cobalt naphthalocyanine [Exemplified Compound (20)]] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), cobalt chloride. Hexahydrate 0.38
mg (1.6 mmol), ammonium molybdate 10 mg, and urea 5 g were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 823 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) cobalt naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 70.41 5.25 9.12 実測値(%) 69.54 5.02 9.36 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第43図に示す。(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 70.41 5.25 9.12 Measured value (%) 69.54 5.02 9.36 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) ) Is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第44図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例17 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)マンガンナ
フタロシアニン〔例示化合物(22)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),酢酸マンガン・4水和物392m
g(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を605mg得た。この結
晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−アミロキ
シカルボニル)マンガンナフタロシアニンであることを
確認した。
Example 17 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) manganese naphthalocyanine [Exemplified Compound (22)]] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), manganese acetate. Tetrahydrate 392m
g (1.6 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 605 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) manganese naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 70.64 5.27 9.15 実測値(%) 70.79 5.19 9.66 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第45図に示す。(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 70.64 5.27 9.15 Measured value (%) 70.79 5.19 9.66 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) ) Is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第46図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例18 [テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)クロロイ
ンジウムナフタロシアニン〔例示化合物(27)〕の合
成] 6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g(5mmol),三塩化インジウム・4水和
物470mg(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgお
よび尿素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を実施例1と同様に処理
することによつて、光沢のある黒色結晶を1.32g得た。
この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−オ
クチロキシカルボニル)クロロインジウムナフタロシア
ニンであることを確認した。
Example 18 [Synthesis of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroindium naphthalocyanine [Exemplified Compound (27)]] 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.67 g (5 mmol), trichloride Indium tetrahydrate (470 mg, 1.6 mmol), ammonium molybdate (10 mg) and urea (5 g) were reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 1 to obtain 1.32 g of glossy black crystals.
It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroindium naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N Cl 計算値(%) 67.81 5.96 7.53 2.38 実測値(%) 67.88 5.74 7.78 1.99 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第47図に示す。(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N Cl calculated value (%) 67.81 5.96 7.53 2.38 Measured value (%) 67.88 5.74 7.78 1.99 (3) Electronic spectrum ( CHCl 3 solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第48図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例19 [テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)クロロア
ルミニウムナフタロシアニン〔例示化合物(24)〕の合
成] 6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g(5mmol),塩化アルミニウム213mg
(1.6mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、固化した反応混合物にメタノール40mlを加
え、ある程度ほぐした後、約50℃で30分間よくかくはん
した。かくはん後、不溶物を吸引ろ過し、メタノール次
いでアセトンで充分に洗浄した。得られた固体をソツク
ススレー抽出器で、まず溶媒としてメタノールを用いて
約100時間、次いで、アセトンを用いて約50時間不純物
の抽出を行なつた。次に、溶媒をクロロホルムに変更し
てソツクスレー抽出を約20時間行なつた。得られた濃緑
色クロロホルム溶液を熱時吸引ろ過した後、減圧下濃縮
乾固し、光沢のある黒色結晶を243mg得た。この結晶
は、下記の分析結果から、テトラキス(n−オクチロキ
シカルボニル)クロロアルミニウムナフタロシアニンで
あることを確認した。
Example 19 [Synthesis of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroaluminum naphthalocyanine [Exemplified compound (24)]] 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.67 g (5 mmol), aluminum chloride 213 mg
(1.6 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After allowing to cool, 40 ml of methanol was added to the solidified reaction mixture, the mixture was loosened to some extent, and then thoroughly stirred at about 50 ° C. for 30 minutes. After stirring, the insoluble matter was suction filtered and thoroughly washed with methanol and then acetone. Impurities were extracted from the obtained solid using a Soxhlet extractor for about 100 hours using methanol as a solvent and then for about 50 hours using acetone. Then, the solvent was changed to chloroform and Soxhlet extraction was performed for about 20 hours. The resulting dark green chloroform solution was suction filtered while hot and then concentrated to dryness under reduced pressure to obtain 243 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroaluminum naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N Cl 計算値(%) 72.06 6.34 8.00 2.53 実測値(%) 71.81 6.27 7.74 2.07 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第49図に示す。(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N Cl calculated value (%) 72.06 6.34 8.00 2.53 Measured value (%) 71.81 6.27 7.74 2.07 (3) Electronic spectrum ( CHCl 3 solution) is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第50図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例20 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)シリコンナ
フタロシアニン〔例示化合物(29)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),四塩化ケイ素0.29ml(2.5mmo
l),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約2
20℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷
後、固化した反応混合物に5%塩酸40mlを加え、ある程
度ほぐした後、約50℃で30分間よくかくはんした。かく
はん後、不溶物を吸引ろ過し、水,メタノール、次い
で、アセトンで充分に洗浄した。得られた固体をソツク
スレー抽出器で、溶媒として、まずメタノール次いでア
セトンを用いて、それぞれ約100時間不純物の抽出を行
なつた。次に、溶媒をクロロホルムに変更してソツクス
レー抽出を約20時間行なつた。得られた濃緑色クロロホ
ルム溶液を熱時吸引ろ過した後減圧下濃縮乾固し、光沢
のある黒色結晶を247mg得た。この結晶は、下記の分析
結果から、テトラキス(n−アミロキシカルボニル)シ
リコンナフタロシアニンであることを確認した。
Example 20 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) silicon naphthalocyanine [exemplary compound (29)] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), silicon tetrachloride 0.29 ml (2.5 mmo
l), ammonium molybdate 10 mg and urea 5 g about 2
The reaction was carried out at 20 ° C. for about 2.5 hours while stirring well. After allowing to cool, 40 ml of 5% hydrochloric acid was added to the solidified reaction mixture, which was loosened to some extent and then thoroughly stirred at about 50 ° C. for 30 minutes. After stirring, the insoluble matter was suction filtered and thoroughly washed with water, methanol, and then acetone. The solid thus obtained was subjected to Soxhlet extractor extraction using the solvent, first, methanol and then acetone, for about 100 hours. Then, the solvent was changed to chloroform and Soxhlet extraction was performed for about 20 hours. The resulting dark green chloroform solution was suction filtered while hot and then concentrated to dryness under reduced pressure to obtain 247 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) silicon naphthalocyanine.

(1)融点 >300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 72.22 5.39 9.36 実測値(%) 72.41 5.52 9.29 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第51図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 72.22 5.39 9.36 Measured value (%) 72.41 5.52 9.29 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)FT−IRスペクトル(KBr法)を第52図に示す。(4) FT-IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1716cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1716 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例21 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ゲルマニウ
ムナフタロシアニン〔例示化合物(31)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),四塩化ゲルマニウム0.28mg
(2.47mmol),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を実施例20と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を786mg得た。この結
晶は、下記の分析結果から、テトラキス(n−アミロキ
シカルボニル)ゲルマニウムナフタロシアニンであるこ
とを確認した。
Example 21 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) germanium naphthalocyanine [Exemplified Compound (31)] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), germanium tetrachloride 0.28 mg
(2.47 mmol), 10 mg of ammonium molybdate and 5 g of urea were reacted at 220 ° C. for 2.5 hours with thorough stirring. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 20 to obtain 786 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) germanium naphthalocyanine.

(1)融点>300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 69.63 5.19 9.02 実測値(%) 69.36 5.06 9.28 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第53図に示
す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 69.63 5.19 9.02 Measured value (%) 69.36 5.06 9.28 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 Solution) is shown in FIG.

(4)FT−IRスペクトル(KBr法)を第54図に示す。(4) FT-IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1716cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1716 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例22 [テトラキス(n−アミロキシカルボニル)スズナフタ
ロシアニン〔例示化合物(33)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),塩化第一スズ474mg(2.5mmo
l),モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約2
20℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷
後、反応混合物を実施例20と同様に処理することによつ
て、光沢のある黒色結晶を767mg得た。この結晶は、下
記の分析結果から、テトラキス(n−アミロキシカルボ
ニル)スズナフタロシアニンであることを確認した。
Example 22 [Synthesis of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) tin naphthalocyanine [exemplary compound (33)] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g (5 mmol), stannous chloride 474 mg (2.5 mmo
l), ammonium molybdate 10 mg and urea 5 g about 2
The reaction was carried out at 20 ° C. for about 2.5 hours while stirring well. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 20 to obtain 767 mg of glossy black crystals. It was confirmed from the following analysis results that this crystal was tetrakis (n-amyloxycarbonyl) tin naphthalocyanine.

(1)融点>300℃(少なくとも300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 67.14 5.01 8.70 実測値(%) 66.82 4.74 8.33 (3)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第55図に示す。(1) Melting point> 300 ° C (stable at least below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 67.14 5.01 8.70 Measured value (%) 66.82 4.74 8.33 (3) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) ) Is shown in FIG.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第56図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例23 [ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキ
ス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例
示化合物(41)〕の合成] 6−(n−アミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g(5mmol),モリブデン酸アンモニウム10
mgおよび尿素5gに、四塩化ゲルマニウム0.28ml(2.5mmo
l)を加え、約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後、固化した反応混合物に水を加えよく
ほぐした後、黒色固体を吸引ろ過し、引続いてメタノー
ルで充分に洗浄した。乾燥後、黒色固体が3.06g得られ
た。この黒色固体は、下記の分析結果よりジクロロゲル
マニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナ
フタロシアニン(一般式(V)):ただし、R1はすべて
n−アミル基でありnは1であり、MはGeでありXは塩
素原子である)と考えられるが、この化合物は、これ以
上精製せず、次の反応に用いた。
Example 23 [Synthesis of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (41)] 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.46 g ( 5 mmol), ammonium molybdate 10
mg and urea 5 g, 0.28 ml germanium tetrachloride (2.5 mmo
l) was added, and the mixture was reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours while stirring well. After allowing to cool, water was added to the solidified reaction mixture to thoroughly loosen it, and the black solid was suction filtered, and subsequently thoroughly washed with methanol. After drying, 3.06 g of a black solid was obtained. This black solid is a dichlorogermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine (general formula (V)) according to the following analysis results: where R 1 is all n-amyl group and n is 1, and M Is Ge and X is a chlorine atom), but this compound was used in the next reaction without further purification.

(1)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第57図に示す。(1) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG.

(2)IRスペクトル(KBr法)を第58図に示す。(2) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1710cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at about 1710 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

以上のようにして得られたジクロロゲルマニウム−テト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
766mg(0.58mmol)を濃アンモニア水19ml,エタノール19
ml,水76mlの混合溶媒中で約2時間還流した。放冷後、
反応混合物を吸引ろ過し、得られた固体を充分にメタノ
ールで洗浄し、乾燥したところ黒色固体が213mg得られ
た。この黒色固体は、下記の分析結果よりジヒドロキシ
ゲルマニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニン(一般式VI):ただしR1はすべて
n−アルミ基であり、nは1であり、MはGeである)と
考えられるが、この化合物は、これ以上精製せず次の反
応を用いた。
Dichlorogermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine obtained as described above
766 mg (0.58 mmol) of concentrated ammonia water 19 ml, ethanol 19
The mixture was refluxed for about 2 hours in a mixed solvent of water and 76 ml of water. After cooling down,
The reaction mixture was suction filtered, and the obtained solid was sufficiently washed with methanol and dried to obtain 213 mg of a black solid. This black solid is a dihydroxygermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine (general formula VI) according to the following analysis results: where R 1 is all n-aluminum group, n is 1 and M is Ge This compound was used in the next reaction without further purification.

(1)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第59図に示す。(1) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 59.

(2)IRスペクトル(KBr法)を第60図に示す。(2) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

以上のようにして得られたジヒドロキシゲルマニウム−
テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン210mg(0.16mmol)をクロロベンゼン15ml中、トリ
エチルシラノール0.6ml存在下、約1時間還流した後、
反応混合物を約5mlに濃縮した。放冷後、メタノール約5
0mlを加え、しばらく放置し、析出した固体を吸引ろ過
しメタノールで充分に洗浄した。よく乾燥した黒色固体
をアルミナ薄層クロマトグラフイーにより、ベンゼンを
展開溶媒に用いて分離・精製を行うことにより、濃緑色
固体が18mg得られた。この濃緑色固体は、下記の分析結
果よりビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(41)〕であることを確認した。
Dihydroxygermanium-obtained as described above
After refluxing tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine 210 mg (0.16 mmol) in 15 ml of chlorobenzene in the presence of 0.6 ml of triethylsilanol for about 1 hour,
The reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling down, about 5 methanol
0 ml was added and the mixture was allowed to stand for a while, and the precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. The well-dried black solid was separated and purified by alumina thin layer chromatography using benzene as a developing solvent to obtain 18 mg of a dark green solid. This dark green solid was confirmed to be bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (41)] from the following analysis results.

(1)融点>300℃(300℃以下では安定) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 67.06 6.30 7.45 実測値(%) 66.84 6.27 7.44 (3)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第61図に示
す):CDCl3溶媒 δ値 10.27(4H,br−s) 10.17(4H,br−s) 9.45(4H,br−s) 8.73(4H,d,J=8.70Hz) 8.53(4H,dd,J=8.70,1.53Hz) 4.58(8H,t,J=6.71Hz) 2.00(8H,quintet,J=6.71Hz) 1.59(16H,m) 1.07(12H,t,J=7.02Hz) −1.00(18H,t,J=7.94Hz) −2.01(12H,q,J=7.94Hz) (4)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第62図に示す。
(1) Melting point> 300 ° C (stable below 300 ° C) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 67.06 6.30 7.45 Measured value (%) 66.84 6.27 7.44 (3) NMR spectrum value (NMR spectrum (Shown in Fig. 61): CDCl 3 solvent δ value 10.27 (4H, br-s) 10.17 (4H, br-s) 9.45 (4H, br-s) 8.73 (4H, d, J = 8.70Hz) 8.53 (4H , dd, J = 8.70,1.53Hz) 4.58 (8H, t, J = 6.71Hz) 2.00 (8H, quintet, J = 6.71Hz) 1.59 (16H, m) 1.07 (12H, t, J = 7.02Hz) − 1.00 (18H, t, J = 7.94Hz) -2.01 (12H, q, J = 7.94Hz) (4) electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 62.

(5)IRスペクトル(KBr法)を第63図に示す。(5) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. 63.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例24 [ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキ
ス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例
示化合物(43)〕の合成] 実施例23に記載した方法により合成したジヒドロキシゲ
ルマニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)
ナフタロシアニン255mg(0.2mmol)をクロロベンゼン19
ml中、トリブチルシラノール1ml存在下、約1時間還流
した後、反応混合物を約5mlに濃縮した。放冷後、メタ
ノール約50mlを加え、しばらく放置し、析出した固体を
吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥し
た黒色固体をアルミナ薄層クロマトグラフイーにより、
ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・精製を行つたとこ
ろ、濃緑色固体が13mg得られた。この濃緑色固体は下記
の分析結果よりビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウ
ム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロ
シアニン〔例示化合物(43)〕であることを確認した。
Example 24 [Synthesis of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (43)]] Dihydroxygermanium-tetrakis (n-amyloxy) synthesized by the method described in Example 23. Carbonyl)
Chlorobenzene 19 with naphthalocyanine 255 mg (0.2 mmol)
After refluxing for about 1 hour in the presence of 1 ml of tributylsilanol in ml, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol was added and the mixture was allowed to stand for a while. The precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. A well-dried black solid was analyzed by alumina thin-layer chromatography.
Separation and purification using benzene as a developing solvent gave 13 mg of a dark green solid. This dark green solid was confirmed to be bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (43)] from the following analysis results.

(1)融点280〜290℃(分解) (2)元素分析値 C H N 計算値(%) 68.93 7.11 6.70 実測値(%) 69.17 7.32 6.58 (3)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第64図に示
す):CDCl3溶媒 δ値 10.19(4H,s) 10.08(4H,s) 9.39(4H,br−s) 8.66(4H,d,J=8.70Hz) 8.46(4H,dd,J=8.70,1.53Hz) 4.51(8H,t,J=6.70Hz) 1.93(8H,quintet,J=6.72Hz) 1.50(16H,m) 1.00(12H,t,J=7.02Hz) −0.09(30H,m) −0.99(12H,quintet−like m) −2.08(12H,t−like m) (4)電子スペクトル(テトラヒドロフラン溶液)を第
65図に示す。
(1) Melting point 280-290 ° C (decomposition) (2) Elemental analysis value CHN calculated value (%) 68.93 7.11 6.70 Measured value (%) 69.17 7.32 6.58 (3) NMR spectrum value (NMR spectrum is shown in FIG. 64) Shown): CDCl 3 solvent δ value 10.19 (4H, s) 10.08 (4H, s) 9.39 (4H, br-s) 8.66 (4H, d, J = 8.70Hz) 8.46 (4H, dd, J = 8.70,1.53 Hz) 4.51 (8H, t, J = 6.70Hz) 1.93 (8H, quintet, J = 6.72Hz) 1.50 (16H, m) 1.00 (12H, t, J = 7.02Hz) -0.09 (30H, m) -0.99 (12H, quintet-like m) -2.08 (12H, t-like m) (4) Electronic spectrum (tetrahydrofuran solution)
Shown in Figure 65.

(5)IRスペクトル(KBr法)を第66図に示す。(5) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例25 [ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキ
ス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(44)〕の合成] 6−(n−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g(5mmol),モリブデン酸アンモニウム
10mgおよび尿素5gに四塩化ゲルマニウム0.28ml(2.5mmo
l)を加え、約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を実施例23と同様に処理
することにより黒緑色固体が3.35g得られた。この黒緑
色固体は、下記の分析結果よりジクロロゲルマニウム−
テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシ
アニン(一般式(V):ただし、R1はすべてn−オクチ
ル基であり、nは1であり、MはGeでありXは塩素原子
である)と考えられるが、この化合物は、これ以上精製
せず、次の反応に用いた。
Example 25 [Synthesis of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (44)] 6- (n-octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene 1.67 g ( 5mmol), ammonium molybdate
0.28 ml (2.5 mmo) of germanium tetrachloride in 10 mg and 5 g of urea
l) was added, and the mixture was reacted at about 220 ° C. for about 2.5 hours while stirring well. After cooling, the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 23 to obtain 3.35 g of a black-green solid. This black-green solid is dichlorogermanium-based on the following analysis results.
Tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine (general formula (V): where R 1 is all n-octyl group, n is 1, M is Ge and X is chlorine atom) However, this compound was used in the next reaction without further purification.

(1)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第67図に示す。(1) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 67.

(2)IRスペクトル(KBr法)を第68図に示す。(2) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. 68.

約1710cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at about 1710 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

以上のようにして得られたジクロロゲルマニウム−テト
ラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ン2g(1.35mmol)を濃アンモニア水50ml,エタノール50m
l,水200mlの混合溶媒中で約2時間還流した。放冷後、
反応混合物を実施例23と同様に処理したところ緑色固体
が758mg得られた。この緑色固体は、下記の分析結果よ
り、ジヒドロキシゲルマニウム−テトラキス(n−オク
チロキシカルボニル)ナフタロシアニン(一般式(V
I):ただし、R1はすべてn−オクチル基であり、nは
1であり、MはGeである)と考えられるが、この化合物
はこれ以上精製せず次の反応に用いた。
2 g (1.35 mmol) of dichlorogermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine obtained as above was added to 50 ml of concentrated aqueous ammonia and 50 m of ethanol.
The mixture was refluxed for about 2 hours in a mixed solvent of 200 ml of water. After cooling down,
When the reaction mixture was treated in the same manner as in Example 23, 758 mg of a green solid was obtained. This green solid shows that dihydroxygermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine (general formula (V
I): However, R 1 is all n-octyl group, n is 1 and M is Ge), but this compound was used in the next reaction without further purification.

(1)電子スペクトル(CHCl3溶液)を第69図に示す。(1) Electronic spectrum (CHCl 3 solution) is shown in FIG. 69.

(2)IRスペクトル(KBr法)を第70図に示す。(2) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1700cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1700 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

以上のようにして得られたジヒドロキシゲルマニウム−
テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシ
アニン360mg(0.25mmol)をクロロベンゼン24ml中、ト
リエチルシラノール1.2ml存在下、約1時間還流した
後、反応混合物を約5mlに濃縮した。放冷後、メタノー
ル約50mlを加え、しばらく放置し析出した固体を吸引ろ
過し、メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥した濃緑
色固体をアルミナ薄層クロマトグラフイーによりベンゼ
ン/ヘキサン(1/1)の混合溶媒を展開溶媒に用いて、
分離・精製を行うことにより、濃緑色固体が47mg得られ
た。この濃緑色固体は、下記の分析結果よりビス(トリ
エチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−オク
チロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例示化合物
(44)〕であることを確認した。
Dihydroxygermanium-obtained as described above
After 360 mg (0.25 mmol) of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine was refluxed in 24 ml of chlorobenzene in the presence of 1.2 ml of triethylsilanol for about 1 hour, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol was added, the mixture was allowed to stand for a while and the precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. A well-dried dark green solid was subjected to alumina thin layer chromatography using a mixed solvent of benzene / hexane (1/1) as a developing solvent.
By performing separation and purification, 47 mg of a dark green solid was obtained. It was confirmed from the following analysis results that this dark green solid was bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (44)].

(1)融点〜280℃(分解) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 68.93 7.11 6.70 実測値(%) 68.85 7.03 6.71 (3)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第71図に示
す):CDCl3溶媒 δ値 10.20(4H,s) 10.09(4H,s) 9.38(4H,s) 8.65(4H,d,J=8.55Hz) 8.46(4H,dd,J=8.55,1.52Hz) 4.51(8H,t,J=6.41Hz) 1.91(8H,quintet,J=6.41Hz) 1.51(40H,m) 0.89(12H,t,J=6.72Hz) −1.07(18H,t,J=7.94Hz) −2.08(12H,q,J=7.94Hz) (4)電子スペクトル(テトラヒドロフラン溶液)を第
72図に示す。
(1) Melting point to 280 ° C (decomposition) (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 68.93 7.11 6.70 Measured value (%) 68.85 7.03 6.71 (3) NMR spectrum value (NMR spectrum is shown in FIG. 71) Shown): CDCl 3 solvent δ value 10.20 (4H, s) 10.09 (4H, s) 9.38 (4H, s) 8.65 (4H, d, J = 8.55Hz) 8.46 (4H, dd, J = 8.55,1.52Hz) 4.51 (8H, t, J = 6.41Hz) 1.91 (8H, quintet, J = 6.41Hz) 1.51 (40H, m) 0.89 (12H, t, J = 6.72Hz) -1.07 (18H, t, J = 7.94Hz) ) −2.08 (12H, q, J = 7.94Hz) (4) Electronic spectrum (tetrahydrofuran solution)
Shown in Figure 72.

(5)IRスペクトル(KBr法)を第73図に示す。(5) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. 73.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例26 [ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキ
ス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(45)〕の合成] 実施例25により合成したジヒドロキシゲルマニウム−テ
トラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン289mg(0.2mmol)をクロロベンゼン19ml中、トリブ
チルシラノール1ml存在下、約1時間還流した後、反応
混合物を約5mlに濃縮した。放冷後、メタノール約50ml
を加え、しばらく放置し、析出した固体を吸引ろ過し、
メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥した濃緑色固体
をアルミナ薄層クロマトグラフイーにより、ベンゼンを
展開溶媒に用いて分離・精製を行つたところ、濃緑色固
体が41mg得られた。この濃緑色固体は、下記の分析結果
よりビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラ
キス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(45)〕であることを確認した。
Example 26 [Synthesis of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (45)]] Dihydroxygermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine synthesized in Example 25 After 289 mg (0.2 mmol) was refluxed in 19 ml of chlorobenzene in the presence of 1 ml of tributylsilanol for about 1 hour, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol
Was added and left for a while, and the precipitated solid was suction filtered,
It was thoroughly washed with methanol. The well-dried dark green solid was separated and purified by alumina thin layer chromatography using benzene as a developing solvent, and 41 mg of a dark green solid was obtained. It was confirmed from the following analysis results that this dark green solid was bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (45)].

(1)融点195〜200℃ (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 70.46 7.77 6.09 実測値(%) 70.12 7.73 6.18 (3)NMRスペクトル値(NMRスペクトルを第74図に示
す):CDCl3溶媒 δ値 10.19(4H,s) 10.08(4H,s) 9.39(4H,s) 8.66(4H,d,J=8.85Hz) 8.46(4H,dd,J=8.85,1.53Hz) 4.50(8H,t,J=6.71Hz) 1.92(8H,quintet,J=6.71Hz) 1.50(40H,m) 0.09(12H,t,J=6.71Hz) −1.09(30H,m) −0.99(12H,quintet−like m) −2.08(12H,t−like m) (4)電子スペクトル(テトラヒドロフラン溶液)を第
75図に示す。
(1) Melting point 195 to 200 ° C (2) Elemental analysis value: C H N calculated value (%) 70.46 7.77 6.09 Measured value (%) 70.12 7.73 6.18 (3) NMR spectrum value (NMR spectrum is shown in FIG. 74) : CDCl 3 solvent δ value 10.19 (4H, s) 10.08 (4H, s) 9.39 (4H, s) 8.66 (4H, d, J = 8.85Hz) 8.46 (4H, dd, J = 8.85,1.53Hz) 4.50 ( 8H, t, J = 6.71Hz) 1.92 (8H, quintet, J = 6.71Hz) 1.50 (40H, m) 0.09 (12H, t, J = 6.71Hz) −1.09 (30H, m) −0.99 (12H, quintet -Like m) -2.08 (12H, t-like m) (4) Electronic spectrum (tetrahydrofuran solution)
Shown in Figure 75.

(5)IRスペクトル(KBr法)を第76図に示す。(5) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例27 [ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例示
化合物(53)〕の合成] 実施例23により得られたジヒドロキシゲルマニウム−テ
トラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ン320mg(0.25mmol)をクロロベンゼン25ml中、1−ド
デカノール1.4g(7.5mmol)存在下約1時間還流した
後、反応混合物を約5mlに濃縮した。放冷後、メタノー
ル約50mlを加え、しばらく放置し、析出した固体を吸引
ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥した黒
色固体をアルミナ薄層クロマトグラフイーにより、ベン
ゼンを展開溶媒に用いて分離・精製を行うことにより、
濃緑色固体が12mg得られた。この濃緑色固体は、下記の
分析結果よりビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−
テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン〔例示化合物(53)〕であることを確認した。
Example 27 [Synthesis of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (53)]] Dihydroxygermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) obtained in Example 23 After 320 mg (0.25 mmol) of naphthalocyanine was refluxed in 25 ml of chlorobenzene in the presence of 1.4 g (7.5 mmol) of 1-dodecanol for about 1 hour, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol was added and the mixture was allowed to stand for a while. The precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. A well-dried black solid is separated and purified by thin layer chromatography on alumina using benzene as a developing solvent.
12 mg of a dark green solid was obtained. This dark green solid is bis (n-dodecyloxy) germanium-
It was confirmed to be tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (53)].

(1)融点230−240℃(分解) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 71.50 7.13 6.95 実測値(%) 71.73 7.18 7.09 (3)電子スペクトル値(CHCl3溶液)を第77図に示
す。
(1) Melting point 230-240 ° C (decomposition) (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 71.50 7.13 6.95 Measured value (%) 71.73 7.18 7.09 (3) Electronic spectrum value (CHCl 3 solution) Shown in Figure 77.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第78図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=O伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = O stretching vibration of the ester.

実施例28 [ビス(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム−テトラ
キス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(54)〕の合成] 実施例23に記載した方法により合成したジヒドロキシゲ
ルマニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)
ナフタロシアニン320mg(0.25mmol)をクロロベンゼン2
5ml中、1−オクタデカノール2.03g(7.5mmol)存在
下、約1時間還流した後、反応混合物を約5mlに濃縮し
た。放冷後、メタノール約50mlを加え、しばらく放置
し、析出した固体を吸引ろ過し、メタノールで充分に洗
浄した。よく乾燥した黒色固体をアルミナ薄層クロマト
グラフイーにより、ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・
精製を行つたところ、濃緑色固体が16mg得られた。この
濃緑色固体は、下記の分析結果よりビス(n−オクタデ
シロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−アミロキシ
カルボニル)ナフタロシアニン〔例示化合物(54)〕で
あることを確認した。
Example 28 [Synthesis of bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (54)]] Dihydroxygermanium-tetrakis (n) synthesized by the method described in Example 23. -Amyloxycarbonyl)
320 mg (0.25 mmol) of naphthalocyanine and chlorobenzene 2
After refluxing for about 1 hour in the presence of 2.03 g (7.5 mmol) of 1-octadecanol in 5 ml, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol was added and the mixture was allowed to stand for a while. The precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. Well-dried black solid was separated by alumina thin-layer chromatography using benzene as a developing solvent.
Upon purification, 16 mg of dark green solid was obtained. It was confirmed from the analysis results below that this dark green solid was bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (54)].

(1)融点 220℃−230℃(分解) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 72.84 7.81 6.29 実測値(%) 72.56 7.64 6.38 (3)電子スペクトル(テトラヒドロフラン溶液) を第79図に示す。(1) Melting point 220 ° C-230 ° C (decomposition) (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 72.84 7.81 6.29 Measured value (%) 72.56 7.64 6.38 (3) Electronic spectrum (tetrahydrofuran solution) 79th Shown in the figure.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第80図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=0伸縮振動に帰因する
吸収を有す。
There is absorption due to the C = 0 stretching vibration of the ester around 1720 cm -1 .

実施例29 [ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例
示化合物(55)〕の合成] 実施例25記載の方法により得られたジヒドロキシゲルマ
ニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナ
フタロシアニン360mg(0.25mmol)をクロロベンゼン24m
l中、1−ドデカノール1.4g(7.5mmol)存在下、約1時
間還流した後、反応混合物を約5mlに濃縮した。放冷
後、メタノール約50mlを加え、しばらく放置し析出した
固体を吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。よく
乾燥した濃緑色固体をアルミナ薄層クロマトグラフイー
により、ベンゼン/ヘキサン(1/1)の混合溶媒を展開
溶媒に用いて、分離・精製を行うことにより、濃緑色固
体が30mg得られた。この濃緑色固体は、下記の分析結果
より、ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラ
キス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(55)〕であることを確認した。
Example 29 [Synthesis of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (55)]] Dihydroxygermanium-tetrakis (n-octyl) obtained by the method described in Example 25. Roxycarbonyl) naphthalocyanine 360 mg (0.25 mmol) chlorobenzene 24 m
After refluxing for about 1 hour in the presence of 1.4 g (7.5 mmol) of 1-dodecanol in 1 l, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol was added, the mixture was allowed to stand for a while and the precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. The well-dried dark green solid was separated and purified by thin layer chromatography on alumina using a mixed solvent of benzene / hexane (1/1) as a developing solvent, whereby 30 mg of a dark green solid was obtained. It was confirmed from the analysis results below that this dark green solid was bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (55)].

(1)融点 220℃−230℃(分解) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 72.84 7.81 6.29 実測値(%) 72.81 7.72 6.35 (3)電子スペクトル(クロロホルム溶液)を第81図に
示す。
(1) Melting point 220 ℃ -230 ℃ (decomposition) (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 72.84 7.81 6.29 Measured value (%) 72.81 7.72 6.35 (3) Electronic spectrum (chloroform solution) Shown in the figure.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第82図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG.

約1720cm-1付近にエステルのC=0伸縮振動に帰因する
吸収を有する。
It has an absorption at around 1720 cm -1 due to the C = 0 stretching vibration of the ester.

実施例30 [ビス(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム−テトラ
キス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(56)〕の合成] 実施例25により合成したジヒドロキシゲルマニウム−テ
トラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン360mg(0.25mmol)をクロロベンゼン25ml中、1−
オクタデカノール2.03g(7.5mmol)存在下、約1時間還
流した後、反応混合物を約5mlに濃縮した。放冷後、メ
タノール約50mlを加え、しばらく放置し、析出した固体
を吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥
した濃緑色固体をアルミナ薄層クロマトグラフイーによ
り、ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・精製を行つたと
ころ、濃緑色固体が26mg得られた。この濃緑色固体は、
下記の分析結果よりビス(n−オクタデシロキシ)ゲル
マニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)
ナフタロシアニン〔例示化合物(56)〕であることを確
認した。
Example 30 [Synthesis of bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (56)]] Dihydroxygermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) synthesized in Example 25 ) Naphthalocyanine 360 mg (0.25 mmol) in 1 ml of chlorobenzene 1-
After refluxing for about 1 hour in the presence of 2.03 g (7.5 mmol) of octadecanol, the reaction mixture was concentrated to about 5 ml. After cooling, about 50 ml of methanol was added and the mixture was allowed to stand for a while. The precipitated solid was suction filtered and thoroughly washed with methanol. The well-dried dark green solid was separated and purified by alumina thin layer chromatography using benzene as a developing solvent, and 26 mg of a dark green solid was obtained. This dark green solid is
From the following analysis results, bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl)
It was confirmed to be naphthalocyanine [Exemplified Compound (56)].

(1)融点 220℃−230℃(分解) (2)元素分析値: C H N 計算値(%) 73.94 8.37 5.75 実測値(%) 73.78 8.16 5.62 (3)電子スペクトル値(テトラヒドロフラン溶液)を
第83図に示す。
(1) Melting point 220 ℃ -230 ℃ (decomposition) (2) Elemental analysis value: CHN calculated value (%) 73.94 8.37 5.75 Measured value (%) 73.78 8.16 5.62 (3) Electronic spectrum value (tetrahydrofuran solution) Figure 83 shows.

(4)IRスペクトル(KBr法)を第84図に示す。(4) IR spectrum (KBr method) is shown in FIG. 84.

約1720cm-1付近にエステルのC=0伸縮振動に帰因する
吸収を有す。
There is absorption due to the C = 0 stretching vibration of the ester around 1720 cm -1 .

試験例1 ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例示
化合物(41)〕を種々の溶媒に溶かし、電子スペクトル
を測定した。第62図,第85図,第86図,第87図にそれぞ
れクロロホルム中,テトラヒドロフラン中,アセトン
中,ベンゼン中の電子スペクトルを示したが、溶媒の種
類の違いによる吸収波形の変化及び溶液の濃度による吸
収波形の変化は、まつたく観測されなかつた。
Test Example 1 Bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (41)] was dissolved in various solvents and the electronic spectrum was measured. Fig. 62, Fig. 85, Fig. 86, and Fig. 87 show the electron spectra in chloroform, tetrahydrofuran, acetone, and benzene, respectively. The change in the absorption waveform due to was never observed.

試験例2 ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例示
化合物(53)〕を種々の溶媒に溶かし、電子スペクトル
を測定した。第77図,第88図,第89図にそれぞれクロロ
ホルム中、テトラヒドロフラン中、ベンゼン中の電子ス
ペクトルを示したが、溶媒の種類の違いによる吸収波形
の変化及び溶液の濃度による吸収波形の変化はまつたく
観測されなかつた。
Test Example 2 Bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (53)] was dissolved in various solvents and the electronic spectrum was measured. Figures 77, 88, and 89 show the electron spectra in chloroform, tetrahydrofuran, and benzene, respectively. The absorption waveform changes depending on the type of solvent and the absorption waveform changes depending on the solution concentration. It was never observed.

比較例1 文献〔ツエーナル・オブシエ・キミ(Zhurnal Obshchei
Khimii),第42巻696頁,1972年〕記載の方法により合
成したテトラ(t−ブチル)バナジルナフタロシアニン
をクロロホルム溶液中で電子スペクトルを測定した図を
第90図に、ベンゼン溶液中で測定したものを第91図に示
したようにこの化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化
すると、吸収波形が変化し、高濃度になるほど800nm付
近の吸収が低下し、720〜730nmの吸収が大きくなること
が観測された。
Comparative Example 1 Literature [Zhurnal Obshchei
Khimii), Vol. 42, p. 696, 1972], and an electron spectrum of tetra (t-butyl) vanadyl naphthalocyanine synthesized by the method described in Fig. 90 was measured in a benzene solution. As shown in Fig. 91, in this compound, when the type and concentration of the solvent changed, the absorption waveform changed, and as the concentration became higher, the absorption near 800 nm decreased and the absorption at 720 to 730 nm increased. Was observed.

テトラ(t−ブチル)バナジルナフタロシアニン 試験例3 ガラス板上にビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム
−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロ
シアニン〔例示化合物(45)〕2重量部と1,1,2−トリ
クロロエタン98重量部からなる液をスピンコート法で塗
布し、約80℃で約15分間乾燥し、有機膜を形成した。こ
の化合物の有機膜の透過スペクトル及び5゜正反射スペ
クトルを第92図及び第93図にそれぞれ示した。半導体レ
ーザ領域(780〜830nm)で高い光の吸収能力及び高い反
射率(〜47%)を示すことがわかつた。
Tetra (t-butyl) vanadyl naphthalocyanine Test Example 3 2 parts by weight of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [exemplary compound (45)] and 1,1,2- A liquid consisting of 98 parts by weight of trichloroethane was applied by spin coating and dried at about 80 ° C for about 15 minutes to form an organic film. The transmission spectrum and 5 ° specular reflection spectrum of the organic film of this compound are shown in FIGS. 92 and 93, respectively. It has been found that the semiconductor laser region (780 to 830 nm) exhibits high light absorption capacity and high reflectance (to 47%).

比較例2 ガラス板上に、比較例1で用いたテトラ(t−ブチル)
バナジルナフタロシアニンを試験例2と同様にして有機
膜を形成し、この透過スペクトル(第94図)及び5゜正
反射スペクトル(第95図)を測定した。半導体レーザ領
域(780〜830nm)であまり高い光の吸収能力及び反射率
(<20%)を示さなかつた。
Comparative Example 2 Tetra (t-butyl) used in Comparative Example 1 on a glass plate.
An organic film was formed from vanadyl naphthalocyanine in the same manner as in Test Example 2, and its transmission spectrum (Fig. 94) and 5 ° specular reflection spectrum (Fig. 95) were measured. In the semiconductor laser region (780 to 830 nm), it did not show very high light absorption ability and reflectance (<20%).

試験例4 ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例
示化合物(45)〕の溶解度は、次のようにして測定し
た。2mlのサンプル管にビス(トリブチルシロキシ)ゲ
ルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニン100mg及び溶媒0.5mlを添加、密栓
後40℃で15分間超音波振盪し、次いで室温下一晩放置し
た後、ろ過した。ろ紙上の残渣を集め減圧乾燥後、最初
に用いた量から残渣量を差し引いた値から溶解度を求め
た。
Test Example 4 The solubility of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (45)] was measured as follows. After adding 100 mg of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine and 0.5 ml of a solvent to a 2 ml sample tube, the container was sealed and ultrasonically shaken at 40 ° C for 15 minutes, and then left overnight at room temperature. , Filtered. The residue on the filter paper was collected, dried under reduced pressure, and the solubility was determined from the value obtained by subtracting the amount of residue from the amount used first.

ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニンの種
々の溶媒に対する溶解度 実施例31 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)バ
ナジルナフタロシアニン〔例示化合物(2)〕4重量部
とクロロホルム96重量部からなる液をスピンコート法で
塗布し、約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成した。
この記録層の厚さは、タリステツプによる測定で、約20
00Åであつた。このようにして作つた光学記録媒体を記
録層を上にしてターンテーブルに乗せ、1000rpmの速度
で回転させながら、830nmの発振波長と基板面での出力
が8mWを有する半導体レーザーを装備した光学ヘツドを
用いて光学記録媒体の下側つまり基板側からレーザービ
ームがポリメチルメタクリレート樹脂板を通して記録層
に集光するように制御しながら、中心から半径40〜60mm
の間で1MHzのパルス信号の記録を行つた。次に同じ装置
を用いて半導体レーザーの基板面での出力0.7mWにして
同じようにしながら、記録した信号の再生を行つた。こ
の時の信号・雑音比(S/N)は、56dBで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。
Solubility of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine in various solvents Example 31 A solution of 4 parts by weight of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine [exemplified compound (2)] and 96 parts by weight of chloroform was spun on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm. It was applied by a coating method and dried at about 80 ° C. for about 15 minutes to form a recording layer.
The thickness of this recording layer is about 20 as measured by Talisstep.
It was 00Å. An optical head equipped with a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 830 nm and an output of 8 mW on the substrate surface was placed on a turntable with the recording layer facing upwards and rotated at a speed of 1000 rpm while the optical recording medium thus produced was placed on a turntable. While controlling the laser beam from the lower side of the optical recording medium, that is, the substrate side to focus on the recording layer through the polymethylmethacrylate resin plate using
A pulse signal of 1 MHz was recorded between the two. Next, using the same device, the recorded signal was reproduced while the output on the substrate surface of the semiconductor laser was 0.7 mW. The signal-to-noise ratio (S / N) at this time was 56 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例32 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−オクチロキシカルボニル)銅ナ
フタロシアニン〔例示化合物(9)〕のクロロホルム溶
液を実施例31と同様にスピンコート法で塗布し、記録層
を形成した。この記録層の厚みは、約2500Åであつた。
このようにして作つた光学記録媒体を実施例31と同様に
して記録・再生を行つたところS/N比は、51dBで極めて
良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 32 A chloroform solution of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [Exemplified compound (9)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm in the same manner as in Example 31. It was applied to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 2500Å.
When recording and reproduction were performed on the optical recording medium thus manufactured in the same manner as in Example 31, the S / N ratio was 51 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例33 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−オクチロキシカルボニル)亜鉛
ナフタロシアニン〔例示化合物(14)〕を実施例31と同
様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗布し、
記録層を形成した。この記録層の厚みは、約3000Åであ
つた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例31と
同様にして信号の記録・再生を行つたところS/N比は、4
9dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。
Example 33 Tetrakis (n-octyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine [Exemplified Compound (14)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm as a chloroform solution in the same manner as in Example 31. Apply
A recording layer was formed. The thickness of this recording layer was about 3000Å. When an optical recording medium thus produced was subjected to signal recording / reproduction in the same manner as in Example 31, the S / N ratio was 4
Very good signal writing and reading was possible at 9 dB.

実施例34 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)バナジ
ルナフタロシアニン〔例示化合物(1)〕を実施例31と
同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約2600Å
であつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例
31と同様にして信号の記録・再生を行つたところS/N比
は、50dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行
えた。
Example 34 As in Example 31, tetrakis (n-amyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine [exemplary compound (1)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm as a chloroform solution in the same manner as in Example 31. It was applied to form a recording layer. The thickness of this recording layer is approximately 2600Å
It was. The optical recording medium produced in this manner is used as an example.
When the signal was recorded / reproduced in the same manner as 31, the S / N ratio was 50 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例35 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)銅ナフ
タロシアニン〔例示化合物(8)〕を実施例31と同様に
クロロホルム溶液としてスピンコート法で塗布し、記録
層を形成した。この記録層の厚みは、約2300Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例31と同
様にして信号の記録・再生を行つたところS/N比は、51d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 35 Tetrakis (n-amyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine [Exemplified Compound (8)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm as a chloroform solution in the same manner as in Example 31. It was applied to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 2300Å. When an optical recording medium thus produced was subjected to signal recording / reproduction in the same manner as in Example 31, the S / N ratio was 51d.
With B, extremely good signal writing and reading were possible.

実施例36 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)亜鉛ナ
フタロシアニン〔例示化合物(13)〕を実施例31と同様
にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗布し、記
録層を形成した。この記録層の厚みは、約2500Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例31と同
様にして信号の記録・再生を行つたところS/N比は、52d
Bで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 36 As in Example 31, tetrakis (n-amyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine [Exemplified Compound (13)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm as a chloroform solution in the same manner as in Example 31. It was applied to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 2500Å. When an optical recording medium thus produced was subjected to signal recording / reproduction in the same manner as in Example 31, the S / N ratio was 52d.
With B, extremely good signal writing and reading were possible.

実施例37 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ニツ
ケルナフタロシアニン〔例示化合物(16)〕を実施例31
と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約2100Å
であつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例
31と同様にして信号の記録・再生を行つたところS/N比
は、54dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行
えた。
Example 37 Tetrakis (n-amyloxycarbonyl) nickelnaphthalocyanine [Exemplified Compound (16)] was applied on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm in Example 31.
Similarly to, a chloroform solution was applied by spin coating to form a recording layer. The thickness of this recording layer is approximately 2100Å
It was. The optical recording medium produced in this manner is used as an example.
When the signal was recorded / reproduced in the same manner as 31, the S / N ratio was 54 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例38 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、テトラキス(n−アミロキシカルボニル)パラ
ジウムナフタロシアニン〔例示化合物(18)〕を実施例
31と同様にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗
布し記録層を形成した。この記録層の厚みは、約2300Å
であつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例
31と同様にして信号の記録・再生を行つたところS/N比
は、51dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行
えた。
Example 38 Tetrakis (n-amyloxycarbonyl) palladium naphthalocyanine [Exemplified Compound (18)] was applied on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm.
Similarly to 31, a chloroform solution was applied by spin coating to form a recording layer. The thickness of this recording layer is approximately 2300Å
It was. The optical recording medium produced in this manner is used as an example.
When the signal was recorded / reproduced in the same manner as 31, the S / N ratio was 51 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例39 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ク
ロロインジウムナフタロシアニン〔例示化合物(27)〕
2量部とクロロホルム98重量部からなる液をスピンコー
ト法で塗布し、約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成
した。この記録層の厚さは、約1000Åであつた。このよ
うにして作つた光学記録媒体を実施例31と同様にして記
録再生を行つたところ、S/N比は、54dBで極めて良好な
信号の書き込みと読み出しが行なえた。
Example 39 Tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroindium naphthalocyanine [Exemplified Compound (27)] was formed on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm.
A liquid consisting of 2 parts by weight and 98 parts by weight of chloroform was applied by a spin coating method and dried at about 80 ° C. for about 15 minutes to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 1000Å. When the optical recording medium thus manufactured was recorded and reproduced in the same manner as in Example 31, the S / N ratio was 54 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例40 厚さ1.5mm,直径120mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−オクチロキシカルボニル)クロ
ロアルミニウムナフタロシアニン〔例示化合物(24)〕
のクロロホルム溶液を実施例39と同様にスピンコート法
で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約
1500Åであつた。このようにして作つた光学記録媒体を
実施例39と同様にして記録・再生を行なつたところS/N
比は、51dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが
行なえた。
Example 40 Tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroaluminum naphthalocyanine on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 120 mm [Exemplified compound (24)]
The chloroform solution of was applied by spin coating in the same manner as in Example 39 to form a recording layer. The thickness of this recording layer is approximately
It was 1500Å. When the optical recording medium thus produced was recorded and reproduced in the same manner as in Example 39, S / N
The ratio was 51 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例41 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、テトラキス(n−アミロキシカルボニル)コバ
ルトナフタロシアニン〔例示化合物(20)〕のクロロホ
ルム溶液を実施例39と同様にスピンコート法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成した。この記録
層の厚さは、約1100Åであつた。このようにして作つた
光学記録媒体を実施例39と同様にして記録・再生を行つ
たところS/N比は、49dBで極めて良好な信号の書き込み
と読み出しが行なえた。
Example 41 A chloroform solution of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) cobalt naphthalocyanine [Exemplified compound (20)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm in the same manner as in Example 39. Apply with
It was dried at about 80 ° C. for about 15 minutes to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 1100Å. When the optical recording medium thus produced was recorded and reproduced in the same manner as in Example 39, the S / N ratio was 49 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例42 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)マンガ
ンナフタロシアニン〔例示化合物(22)〕のクロロホル
ム溶液を実施例39と同様にスピンコート法で塗布し、記
録層を形成した。この記録層の厚みは、約1300Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例39と同
様にして記録・再生を行なつたところS/N比は、51dBで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行なえた。
Example 42 A chloroform solution of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) manganese naphthalocyanine [exemplary compound (22)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm in the same manner as in Example 39. It was applied to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 1300Å. When the optical recording medium thus produced was recorded / reproduced in the same manner as in Example 39, the S / N ratio was 51 dB, and extremely good signal writing / reading could be performed.

実施例43 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、テトラキス(n−アミロキシカルボニル)シリ
コンナフタロシアニン〔例示化合物(29)〕のクロロホ
ルム溶液を実施例39と同様にスピンコート法で塗布し、
約80℃で約15分間乾燥し、記録層を形成した。この記録
層の厚さは、約1000Åであつた。
Example 43 A chloroform solution of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) silicon naphthalocyanine [Exemplified compound (29)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm in the same manner as in Example 39. Apply with
It was dried at about 80 ° C. for about 15 minutes to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 1000Å.

このようにして作つた光学記録媒体を実施例39と同様に
して記録・再生を行つたところS/N比は、52dBで極めて
良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
When recording and reproduction were performed on the optical recording medium thus manufactured in the same manner as in Example 39, the S / N ratio was 52 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例44 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)ゲルマ
ニウムナフタロシアニン〔例示化合物(31)〕のクロロ
ホルム溶液を実施例39と同様にスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは、約900Å
であつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例
39と同様にして記録・再生を行なつたところS/N比は、5
1dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。
Example 44 As in Example 39, a chloroform solution of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) germanium naphthalocyanine [Exemplified compound (31)] was spin-coated on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm by the spin coating method. It was applied to form a recording layer. The thickness of this recording layer is approximately 900Å
It was. The optical recording medium produced in this manner is used as an example.
When recording and reproducing were performed in the same manner as 39, the S / N ratio was 5
Very good signal writing and reading was possible at 1 dB.

実施例45 厚さ1.5mm,直径150mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)スズナ
フタロシアニン〔例示化合物(33)〕を実施例39と同様
にクロロホルム溶液としてスピンコート法で塗布し、記
録層を形成した。この記録層の厚みは、約1100Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例39と同
様にして信号の記録・再生を行なつたところS/N比は、4
9dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。
Example 45 Tetrakis (n-amyloxycarbonyl) tin naphthalocyanine [Exemplified compound (33)] was applied as a chloroform solution onto a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.5 mm and a diameter of 150 mm by spin coating as in Example 39. Then, a recording layer was formed. The thickness of this recording layer was about 1100Å. When an optical recording medium thus produced was subjected to signal recording / reproduction in the same manner as in Example 39, the S / N ratio was 4
Very good signal writing and reading was possible at 9 dB.

実施例46 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テ
トラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ン〔例示化合物(41)〕2重量部とトルエン98重量部か
らなる液をスピンコート法で塗布し、約80℃で約15分間
乾燥し、記録層を形成した。この記録層の厚さは、タリ
ステツプによる測定で、約1000Åであつた。このように
して作つた光学記録媒体を記録層を上にしてターンテー
ブルに乗せ、900rpmの速度で回転させながら830nmの発
振波長と基板面での出力が6mWを有する半導体レーザー
を装備した光学ヘツドを用いて光学記録媒体の下側つま
り基板側からレーザービームがポリメタクリレート樹脂
板を通して記録層に集光するように制御しながら、中心
から半径40〜60mmの間で2MHzのパルス信号の記録を行つ
た。次に同じ装置を用いて半導体レーザーの基板面での
出力0.7mWにして同じようにしながら、記録した信号の
再生を行つた。この時のキヤリアー・雑音比(C/N)は5
7dBで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。
Example 46 2 parts by weight of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [exemplary compound (41)] and 98 parts by weight of toluene on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm. Part of the solution was applied by spin coating and dried at about 80 ° C. for about 15 minutes to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 1000Å as measured by Talisstep. An optical head equipped with a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 830 nm and an output of 6 mW on the substrate surface is placed on a turntable with the recording layer facing up on a turntable and rotated at a speed of 900 rpm. While controlling the laser beam from the lower side of the optical recording medium, that is, the substrate side, through the polymethacrylate resin plate to focus on the recording layer, a pulse signal of 2 MHz was recorded within a radius of 40 to 60 mm from the center. . Next, using the same device, the recorded signal was reproduced while the output on the substrate surface of the semiconductor laser was 0.7 mW. The carrier / noise ratio (C / N) at this time is 5
Very good signal writing and reading was possible at 7 dB.

実施例47 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テ
トラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ン〔例示化合物(43)〕2重量部とトルエン98重量部か
らなる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布し、
記録層を形成した。この記録層の厚みは約700Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例46と同
様にして記録・再生を行つたところC/N比は、55dBで極
めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 47 On a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm, 2 parts by weight of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (43)] and 98 parts by weight of toluene. Part of the liquid by spin coating in the same manner as in Example 46,
A recording layer was formed. The thickness of this recording layer was about 700Å. When the optical recording medium thus manufactured was recorded and reproduced in the same manner as in Example 46, the C / N ratio was 55 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例48 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テ
トラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン〔例示化合物(44)〕2重量部とトルエン98重量部
からなる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約800Åで
あつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例46
と同様にして記録・再生を行つたところC/N比は56dBで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 48 2 parts by weight of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [exemplary compound (44)] and 98 parts by weight of toluene on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm. A part of the solution was applied by spin coating as in Example 46 to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 800Å. The optical recording medium thus prepared was used in Example 46.
When recording and reproducing were performed in the same manner as above, the C / N ratio was 56 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例49 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テ
トラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン〔例示化合物(45)〕2重量部とトルエン98重量部
からなる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例46
と同様にして記録・再生を行つたところC/N比は57dBで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 49 2 parts by weight of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [exemplary compound (45)] and 98 parts by weight of toluene on a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm. A part of the solution was applied by spin coating as in Example 46 to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 600Å. The optical recording medium thus prepared was used in Example 46.
When recording and reproducing were performed in the same manner as above, the C / N ratio was 57 dB and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例50 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
〔例示化合物(53)〕2重量部とトルエン98重量部から
なる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布し、記
録層を形成した。この記録層の厚さは、約1000Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例46と同
様にして記録再生を行つたところC/N比は52dBで極めて
良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 50 On a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm, 2 parts by weight of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [exemplary compound (53)] and toluene 98 were used. A liquid consisting of parts by weight was applied by a spin coating method as in Example 46 to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 1000Å. When recording and reproduction were performed on the optical recording medium thus manufactured in the same manner as in Example 46, the C / N ratio was 52 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例51 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム−
テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシア
ニン〔例示化合物(54)〕2重量部とトルエン98重量部
からなる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚さは、約700Å
であつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例
46と同様にして記録再生を行つたところC/N比は54dBで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 51 On a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm, bis (n-octadecyloxy) germanium-
A liquid consisting of 2 parts by weight of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (54)] and 98 parts by weight of toluene was applied by a spin coating method as in Example 46 to form a recording layer. The thickness of this recording layer is approximately 700Å
It was. The optical recording medium produced in this manner is used as an example.
When recording and reproducing were performed in the same manner as in 46, the C / N ratio was 54 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例52 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ン〔例示化合物(55)〕2重量部とトルエン98重量部か
らなる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布し、
記録層を形成した。この記録層の厚みは約800Åであつ
た。このようにして作つた光学記録媒体を実施例46と同
様にして記録・再生を行つたところC/N比は、55dBで極
めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 52 On a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm, 2 parts by weight of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [exemplary compound (55)] and toluene 98 A solution consisting of parts by weight was applied by spin coating in the same manner as in Example 46,
A recording layer was formed. The thickness of this recording layer was about 800Å. When the optical recording medium thus manufactured was recorded and reproduced in the same manner as in Example 46, the C / N ratio was 55 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例53 厚さ1.2mm,直径130mmのポリメチルメタクリレート2P基
板上に、ビス(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム−
テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシ
アニン〔例示化合物(56)〕2重量部とトルエン98重量
部からなる液を実施例46と同様にスピンコート法で塗布
し、記録層を形成した。この記録層の厚みは約600Åで
あつた。このようにして作つた光学記録媒体を実施例46
と同様にして記録・再生を行つたところC/N比は53dBで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。
Example 53 On a polymethylmethacrylate 2P substrate having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 130 mm, bis (n-octadecyloxy) germanium-
A liquid consisting of 2 parts by weight of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (56)] and 98 parts by weight of toluene was applied by a spin coating method as in Example 46 to form a recording layer. The thickness of this recording layer was about 600Å. The optical recording medium thus prepared was used in Example 46.
When recording and reproducing were performed in the same manner as above, the C / N ratio was 53 dB, and extremely good signal writing and reading could be performed.

実施例54 先に例示したテトラキス(n−アミロキシカルボニル)
バナジルナフタロシアニン〔例示化合物(1)〕をクロ
ロホルムに溶解し、1%の溶液を調製し、回転塗布法に
て、厚さ1.2mmのガラス基板上に700Åの記録膜層を形成
した。このようにして形成された記録媒体に波長830nm
の半導体レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性
を評価したところ、ビーム径1.6μm,線速0.5m/秒,6.4mW
で記録が可能であつた。一方、再生劣化に対する安定性
を評価するべく、1mWの読み出し光をくり返し照射した
が、106回くり返しても反射率変化が生じなかつた。な
お、この透過スペクトルを第96図に示す。
Example 54 Tetrakis (n-amyloxycarbonyl) exemplified above
Vanadyl naphthalocyanine [Exemplified Compound (1)] was dissolved in chloroform to prepare a 1% solution, and a 700 Å recording film layer was formed on a glass substrate having a thickness of 1.2 mm by a spin coating method. The recording medium thus formed has a wavelength of 830 nm.
The semiconductor laser was irradiated from the glass substrate side to evaluate the recording characteristics. The beam diameter was 1.6 μm, the linear velocity was 0.5 m / sec, and 6.4 mW.
It was possible to record at. On the other hand, in order to evaluate the stability against reproduction deterioration, 1 mW of reading light was repeatedly irradiated, but no change in reflectance occurred even after repeating 10 6 times. The transmission spectrum is shown in FIG.

比較例3 シアニン系色素NK−2905(日本感光色素研究所製)をジ
クロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板
上、厚さ500Åの記録膜層を得た。この記録媒体を実施
例54と同様にしてレーザー光を照射したところ、4.8mmW
で記録が可能であつた。しかし、再生劣化に対する安定
性を評価したところ、くり返し照射回数4×104回付近
から、反射率が低下しはじめ、106回照射後では、初期
反射率の70%まで低下した。
Comparative Example 3 A cyanine dye NK-2905 (manufactured by Japan Photosensitive Dye Research Institute) was dissolved in dichloroethane and a spin coating method was carried out to obtain a recording film layer having a thickness of 500 L on a glass substrate. When this recording medium was irradiated with laser light in the same manner as in Example 54, 4.8 mmW
It was possible to record at. However, when the stability against reproduction deterioration was evaluated, the reflectance started to decrease from the number of repeated irradiations of about 4 × 10 4 times and decreased to 70% of the initial reflectance after 10 6 times of irradiation.

実施例55 テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)亜鉛ナフタ
ロシアニン〔例示化合物(14)〕をクロロホルムに溶解
し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ700Åの記
録膜層を得た。この記録媒体に波長780nmの半導体レー
ザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評価したと
ころ、ビーム径1.6μm,線速度0.5m/秒,6.9mWで記録が可
能であつた。一方、再生劣化に対する安定性を評価する
べく、1mWの読み出し光をくり返し照射したが、106回く
り返しても反射率化が生じなかつた。
Example 55 Tetrakis (n-octyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine [Exemplified Compound (14)] was dissolved in chloroform and a recording film layer having a thickness of 700Å was obtained on a glass substrate by a spin coating method. This recording medium was irradiated with a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm from the glass substrate side and the recording characteristics were evaluated. As a result, recording was possible at a beam diameter of 1.6 μm, a linear velocity of 0.5 m / sec and 6.9 mW. On the other hand, in order to evaluate the stability against reproduction deterioration, 1 mW of reading light was repeatedly irradiated, but even if it was repeated 10 6 times, the reflectance did not increase.

実施例56 テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)クロロアル
ミニウムナフタロシアニン〔例示化合物(24)〕をクロ
ロホルムに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、
厚さ900Åの記録膜層を得た。この記録媒体に実施例54
と同様にしてレーザー光を照射したところ、6.6mWで記
録が可能であつた。また、再生劣化に対する安定性を同
様に評価したところ、106回くり返し照射しても反射率
変化が生じなかつた。
Example 56 Tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroaluminum naphthalocyanine [Exemplified compound (24)] was dissolved in chloroform, and the solution was spin-coated on a glass substrate.
A recording film layer having a thickness of 900Å was obtained. Example 54 is recorded on this recording medium.
When laser light was irradiated in the same manner as in, recording was possible at 6.6 mW. When the stability against reproduction deterioration was evaluated in the same manner, no change in reflectance occurred even after repeated irradiation of 10 6 times.

実施例57 ガラス基板にテトラキス(n−アミロキシカルボニル)
ニツケルナフタロシアニン〔例示化合物(16)〕及びポ
リスチレンを1:1の割合でクロロホルムに溶解し、回転
塗布法により厚さ1500Åの記録膜層を得た。この記録媒
体に実施例54と同様にしてレーザー光を照射したとこ
ろ、9.6mWで記録が可能であつた。また、再生劣化に対
する安定性も同様に評価したところ、106回くり返し照
射しても反射率変化が生じなかつた。
Example 57 Tetrakis (n-amyloxycarbonyl) on a glass substrate
Nickel naphthalocyanine [Exemplified compound (16)] and polystyrene were dissolved in chloroform at a ratio of 1: 1 and a 1500 Å-thick recording film layer was obtained by a spin coating method. When this recording medium was irradiated with laser light in the same manner as in Example 54, recording was possible at 9.6 mW. When the stability against reproduction deterioration was also evaluated in the same manner, no change in reflectance occurred even after repeated irradiation of 10 6 times.

実施例58 実施例23の方法に準じて合成したビス(トリヘキシルシ
ロキサン)スズ−テトラキス(n−アミロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニン〔例示化合物(64)〕をクロロホ
ルムに溶解し、回転塗布法にて、厚さ1.2mmのガラス基
板上に700Åの記録膜層を形成した。この記録媒体に波
長780nmの半導体レーザーをガラス基板側から照射し、
記録特性を評価したところ、ビーム径1.6μm、線速度
0.5m/秒、4.6mWで記録が可能であつた。一方、再生劣化
に対する安定性を評価するべく、1mWの読み出し光をく
り返し照射したが、106回くり返しても反射率変化が生
じなかつた。
Example 58 Bis (trihexylsiloxane) tin-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (64)] synthesized according to the method of Example 23 was dissolved in chloroform, and spin-coated. A 700 Å recording film layer was formed on a glass substrate having a thickness of 1.2 mm. This recording medium is irradiated with a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm from the glass substrate side,
When the recording characteristics were evaluated, the beam diameter was 1.6 μm and the linear velocity was
Recording was possible at 0.5m / sec and 4.6mW. On the other hand, in order to evaluate the stability against reproduction deterioration, 1 mW of reading light was repeatedly irradiated, but no change in reflectance occurred even after repeating 10 6 times.

比較例4 シアニン色素NK−2873(日本感光色素研究所製)をジク
ロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板
上、厚さ500Åの記録膜層を得た。この記録媒体に実施
例54と同様にしてレーザー光を照射したところ、5.2mW
で記録が可能であつた。しかし再生劣化に対する安定性
を評価したところ、くり返し照射回数が5×104回付近
から、反射率が低下しはじめ、106回照射後では、初期
反射率の70%まで低下した。
Comparative Example 4 A cyanine dye NK-2873 (manufactured by Japan Photosensitive Dye Research Institute) was dissolved in dichloroethane, and a recording film layer having a thickness of 500Å was obtained on a glass substrate by a spin coating method. When this recording medium was irradiated with laser light in the same manner as in Example 54, the result was 5.2 mW.
It was possible to record at. However, when the stability against deterioration due to reproduction was evaluated, the reflectance began to decrease from the number of repeated irradiations of about 5 × 10 4 times, and after 10 6 times of irradiation, it decreased to 70% of the initial reflectance.

実施例59 実施例23の方法に準じて合成したビス(トリブチルシロ
キシ)スズ−テトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニン〔例示化合物(65)〕をジクロロ
エタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上500
Åの記録膜層を得た。この記録媒体に実施例54と同様に
してレーザー光を照射したところ、4.4mWで記録が可能
であつた。また、再生劣化に対する安定性を評価したと
ころ、106回くり返し照射しても反射率変化が生じなか
つた。
Example 59 Bis (tributylsiloxy) tin-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (65)] synthesized according to the method of Example 23 was dissolved in dichloroethane, and a glass substrate was formed by spin coating. Top 500
A recording film layer of Å was obtained. When this recording medium was irradiated with laser light in the same manner as in Example 54, recording was possible at 4.4 mW. When the stability against reproduction deterioration was evaluated, the reflectance did not change even after repeated irradiation of 10 6 times.

実施例60 実施例25により合成したビス(トリエチルシロキシ)ゲ
ルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニン〔例示化合物(44)〕をクロロホ
ルムに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ
500Åの記録膜層を得た。この記録媒体に実施例54と同
様にしてレーザー光を照射したところ、4.9mWで記録が
可能であつた。また、再生劣化に対する安定性を評価し
たところ、106回くり返し照射しても反射率変化が生じ
なかつた。
Example 60 The bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (44)] synthesized in Example 25 was dissolved in chloroform, and the solution was spin-coated on a glass substrate to a thickness of
A recording film layer of 500Å was obtained. When this recording medium was irradiated with laser light in the same manner as in Example 54, recording was possible at 4.9 mW. When the stability against reproduction deterioration was evaluated, the reflectance did not change even after repeated irradiation of 10 6 times.

実施例61 実施例23の方法に準じて合成したビス(トリブチルシロ
キシ)チタン−テトラキス(メトキシカルボニル)ナフ
タロシアニン〔例示化合物(68)〕をクロロホルムに溶
解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ400Åの
記録膜層を得た。この記録媒体に実施例54と同様にして
レーザー光を照射したところ、4.2mWで記録が可能であ
つた。また、再生劣化に対する安定性を同時に評価した
ところ、106回くり返し照射しても反射率変化が生じな
かつた。
Example 61 A bis (tributylsiloxy) titanium-tetrakis (methoxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (68)] synthesized according to the method of Example 23 was dissolved in chloroform, and then applied on a glass substrate by a spin coating method to give a thick film. A recording film layer having a size of 400 Å was obtained. When this recording medium was irradiated with laser light in the same manner as in Example 54, recording was possible at 4.2 mW. Further, when the stability against reproduction deterioration was evaluated at the same time, no change in reflectance occurred even after repeated irradiation of 10 6 times.

実施例62 10nmのTiキレート表面保護層を有する厚さ1.2mmのポリ
カーボネート基板に、実施例23の方法に準じて合成した
トリヘキシルシロキシアルミニウム−テトラキス(n−
アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例示化合物
(69)〕のトルエン溶液をスピンナー塗布し、厚さ600
Åの記録膜層を得た。実施例54と同様にして、線速度5m
/秒で評価したところ、7.4mWで記録が可能であつた。ま
た、再生劣化に対する安定性を同時に評価したところ、
106回くり返し照射しても反射率変化が生じなかつた。
Example 62 Trihexylsiloxyaluminum-tetrakis (n-) synthesized according to the method of Example 23 on a 1.2 mm-thick polycarbonate substrate having a 10 nm Ti chelate surface protective layer.
A solution of amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (69)] in toluene was spin-coated to give a thickness of 600
A recording film layer of Å was obtained. As in Example 54, linear velocity 5 m
When evaluated in / sec, recording was possible at 7.4 mW. Also, when the stability against reproduction deterioration was evaluated at the same time,
The reflectance did not change even after repeated irradiation of 10 6 times.

実施例63 実施例23の方法に準じて合成したビス(n−オクトキ
シ)スズ−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナ
フタロシアニン〔例示化合物(74)〕とポリスチレンの
2:1混合物をメチルエチルケトンに溶解し、ガラス基板
上、厚さ600Åの記録膜層を得た。実施例54と同様にし
て評価したところ、記録感度4.8mw、再生劣化106回以上
という結果を得た。
Example 63 Of bis (n-octoxy) tin-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (74)] and polystyrene synthesized according to the method of Example 23
The 2: 1 mixture was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a recording film layer having a thickness of 600Å on a glass substrate. When evaluated in the same manner as in Example 54, a recording sensitivity of 4.8 mw and reproduction deterioration of 10 6 times or more were obtained.

実施例64 ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例
示化合物(45)〕を1,1,2−トリクロロエタンに溶解
し、0.8重量%の溶液を調製した。次いで回転塗布法に
て、厚さ1.2mmのガラス基板上に400Åの記録層を得た。
この記録媒体に波長830nmの半導体レーザーをガラス基
板側から照射し、記録特性を評価したところ、1/e2ビー
ム径1.6μm,線速度2.4m/s,7.8mWで記録が可能であつ
た。一方、再生劣化に対する安定性を評価するべく、0.
8mWの読み出し光をくり返し照射したが、106回くり返し
ても反射率変化が生じなかつた。
Example 64 Bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (45)] was dissolved in 1,1,2-trichloroethane to prepare a 0.8% by weight solution. Then, by a spin coating method, a recording layer having a thickness of 400 Å was obtained on a glass substrate having a thickness of 1.2 mm.
This recording medium was irradiated with a semiconductor laser having a wavelength of 830 nm from the glass substrate side, and the recording characteristics were evaluated. As a result, recording was possible with a 1 / e 2 beam diameter of 1.6 μm, a linear velocity of 2.4 m / s and 7.8 mW. On the other hand, in order to evaluate the stability against regeneration deterioration, 0.
Irradiation with 8mW read light was repeated, but no change in reflectivity occurred even after repeating 10 6 times.

実施例65 ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例示
化合物(53)〕を1,2−ジクロロエタンに溶解し、1.5重
量%の溶液を調製し、回転塗布法にて厚さ1.2mmのガラ
ス基板上に600Åの記録層を得た。この記録媒体に波長8
30nmの半導体レーザー光を基板側から照射し、記録特性
を評価したところ、1/e2ビーム径1.6μm,線速度2.5m/s,
8.6mWで記録が可能であつた。一方、再生劣化に対する
安定性を評価するべく、0.8mWの読み出し光をくり返し
照射したが、106回くり返しても反射率変化が生じなか
つた。
Example 65 Bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified compound (53)] was dissolved in 1,2-dichloroethane to prepare a 1.5 wt% solution, and the spin coating method was used. A recording layer of 600 Å was obtained on a 1.2 mm thick glass substrate. This recording medium has a wavelength of 8
When the recording characteristics were evaluated by irradiating 30 nm semiconductor laser light from the substrate side, 1 / e 2 beam diameter 1.6 μm, linear velocity 2.5 m / s,
It was possible to record at 8.6mW. On the other hand, a read light of 0.8 mW was repeatedly irradiated to evaluate the stability against reproduction deterioration, but no change in reflectance occurred even after repeating 10 6 times.

実施例66 ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニン〔例
示化合物(45)〕とポリスチレンの2:1混合物を1,1,2−
トリクロロエタンに溶解し、厚さ1.2mmのガラス基板上
に、回転塗布法にて厚さ800Åの記録層を得た。この記
録媒体に波長830nmの半導体レーザ光を基板側から照射
し、記録特性を評価したところ、線速度2m/s,6mWで記録
が可能であつた。また、1mWの読み出し光をくり返し照
射したが、106回くり返し照射しても反射率変化が生じ
なかつた。
Example 66 Bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine [Exemplified Compound (45)] and polystyrene in a 2: 1 mixture were mixed with 1,1,2-
It was dissolved in trichloroethane, and a recording layer having a thickness of 800 Å was obtained by spin coating on a glass substrate having a thickness of 1.2 mm. When this recording medium was irradiated with a semiconductor laser beam having a wavelength of 830 nm from the substrate side and the recording characteristics were evaluated, it was possible to record at a linear velocity of 2 m / s and 6 mW. Further, although the reading light of 1 mW was repeatedly irradiated, the reflectance did not change even if the irradiation was repeated 10 6 times.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

発明によつて新規なナフタロシアニン誘導体が提供さ
れ、この化合物は光学的情報記録媒体の記録層材料等に
有用である。
According to the present invention, a novel naphthalocyanine derivative is provided, and this compound is useful as a recording layer material for an optical information recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、3,4−ジメチル安息香酸メチルのIRスペクト
ルであり、第2図は、3,4−ビス(ジブロモメチル)安
息香酸メチルのIRスペクトルであり、第3図は、6−メ
トキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペ
クトルであり、第4図は、3,4−ジメチル安息香酸n−
アミルのIRスペクトルであり、第5図は、6−(n−ア
ミロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレンのIR
スペクトルであり、第6図は3,4−ジメチル安息香酸n
−オクチルのIRスペクトルであり、第7図は、6−(n
−オクチロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレ
ンのIRスペクトルであり、第8図は、6−(n−オクタ
デシロキシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレンのI
Rスペクトルであり、第9図は6−(n−テトラデシロ
キシカルボニル)−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペ
クトルであり、第10図は、6−(n−ヘキサデシロキシ
カルボニル)−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクト
ルであり、第11図は6−(n−エイコシロキシカルボニ
ル)−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクトルであ
り、第12図は、6−(n−ドコシロキシカルボニル)−
2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクトルであり第13図
はテトラキス(n−アミロキシカルボニル)バナジルナ
フタロシアニンの電子スペクトルであり、第14図はテト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)バナジルナフタロ
シアニンのIRスペクトルであり、第15図はテトラキス
(n−アミロキシカルボニル)銅ナフタロシアニンの電
子スペクトルであり、第16図はテトラキス(n−アミロ
キシカルボニル)銅ナフタロシアニンのIRスペクトルで
あり、第17図はテトラキス(n−アミロキシカルボニ
ル)亜鉛ナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第
18図はテトラキス(n−アミロキシカルボニル)亜鉛ナ
フタロシアニンのIRスペクトルであり、第19図はテトラ
キス(n−オクチロキシカルボニル)バナジルナフタロ
シアニンの電子スペクトルであり、第20図はテトラキス
(n−オクチロキシカルボニル)バナジルナフタロシア
ニンのIRスペクトルであり、第21図はテトラキス(n−
オクチロキシカルボニル)銅ナフタロシアニンの電子ス
ペクトルであり、第22図はテトラキス(n−オクチロキ
シカルボニル)銅ナフタロシアニンのIRスペクトルであ
り、第23図はテトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)亜鉛ナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第
24図はテトラキス(n−オクチロキシカルボニル)亜鉛
ナフタロシアニンのIRスペクトルであり、第25図はテト
ラキス(n−アミノキシカルボニル)ニツケルナフタロ
シアニンの電子スペクトルであり、第26図はテトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ニツケルナフタロシアニ
ンのIRスペクトルであり、第27図はテトラキス(n−ア
ミロキシカルボニル)パラジウムナフタロシアニンの電
子スペクトルであり、第28図はテトラキス(n−アミロ
キシカルボニル)パラジウムナフタロシアニンのIRスペ
クトルであり、第29図はテトラキス(n−オクタデシロ
キシカルボニル)バナジルナフタロシアニンの電子スペ
クトルであり、第30図はテトラキス(n−オクタデシロ
キシカルボニル)バナジルナフトロシアニンのIRスペク
トルであり、第31図は、テトラキス(n−オクタデシロ
キシカルボニル)銅ナフタロシアニンの電子スペクトル
であり、第32図はテトラキス(n−オクタデシロキシカ
ルボニル)銅ナフタロシアニンのIRスペクトルであり、
第33図はテトラキス(n−テトラデシロキシカルボニ
ル)バナジルナフタロシアニンの電子スペクトルであ
り、第34図は、テトラキス(n−テトラデシロキシカル
ボニル)バナジルナフタロシアニンのIRスペクトルであ
り、第35図は、テトラキス(n−テトラデシロキシカル
ボニル)銅ナフタロシアニンの電子スペクトルであり、
第36図はテトラキス(n−テトラデシロキシカルボニ
ル)銅ナフタロシアニンのIRスペクトルであり、第37図
は、テトラキス(n−ヘキサデシロキシカルボニル)バ
ナジルナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第38
図は、テトラキス(n−ヘキサデシロキシカルボニル)
バナジルナフタロシアニンのIRスペクトルであり、第39
図は、テトラキス(n−エイコシロキシカルボニル)バ
ナジルナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第40
図は、テトラキス(n−エイコシロキシカルボニル)バ
ナジルナフタロシアニンのIRスペクトルであり、第41図
は、テトラキス(n−エイコシロキシカルボニル)銅ナ
フタロシアニンの電子スペクトルであり、第42図はテト
ラキス(n−エイコシロキシカルボニル)銅ナフタロシ
アニンのIRスペクトルであり、第43図はテトラキス(n
−アミロキシカルボニル)コバルトナフタロシアニンの
電子スペクトルであり、第44図はテトラキス(n−アミ
ロキシカルボニル)コバルトナフタロシアニンのIRスペ
クトルであり、第45図はテトラキス(n−アミロキシカ
ルボニル)マンガンナフタロシアニンの電子スペクトル
であり、第46図はテトラキス(n−アミロキシカルボニ
ル)マンガンナフタロシアニンのIRスペクトルであり、
第47図はテトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ク
ロロインジウムナフタロシアニンの電子スペクトルであ
り、第48図はテトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)クロロインジウムナフタロシアニンのIRスペクトル
であり、第49図はテトラキス(n−オクチロキシカルボ
ニル)クロロアルミニウムナフタロシアニンの電子スペ
クトルであり、第50図はテトラキス(n−オクチロキシ
カルボニル)クロロアルミニウムナフタロシアニンのIR
スペクトルであり、第51図はテトラキス(n−アミロキ
シカルボニル)シリコンナフタロシアニンの電子スペク
トルであり、第52図はテトラキス(n−アミロキシカル
ボニル)シリコンナフタロシアニンのIRスペクトルであ
り、第53図はテトラキス(n−アミロキシカルボニル)
ゲルマニウムナフタロシアニンの電子スペクトルであ
り、第54図はテトラキス(n−アミロキシカルボニル)
ゲルマニウムナフタロシアニンのIRスペクトルであり、
第55図はテトラキス(n−アミロキシカルボニル)スズ
ナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第56図はテ
トラキス(n−アミロキシカルボニル)スズナフタロシ
アニンのIRスペクトルであり、第57図は、ジクロロゲル
マニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナ
フタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペクト
ルであり、第58図は、ジクロロゲルマニウム−テトラキ
ス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンのIR
スペクトルであり、第59図は、ジヒドロキシゲルマニウ
ム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロ
シアニンのクロロホルム溶液中での電子スペクトルであ
り、第60図は、ジヒドロキシゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンのIRス
ペクトルであり、第61図は、ビス(トリエチルシロキ
シ)ゲルマニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボ
ニル)ナフタロシアニンのNMRスペクトルであり、第62
図は、ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
のクロロホルム溶液中での電子スペクトルであり、第63
図は、ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
のIRスペクトルである。第64図は、ビス(トリブチルシ
ロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−アミロキシカ
ルボニル)ナフタロシアニンのNMRスペクトルであり、
第65図は、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−
テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシア
ニンのテトラヒドロフラン溶液中での電子スペクトルで
あり、第66図は、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニ
ウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタ
ロシアニンのIRスペクトルであり、第67図は、ジクロロ
ゲルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子ス
ペクトルであり、第68図は、ジクロロゲルマニウム−テ
トラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシア
ニンのIRスペクトルであり、第69図は、ジヒドロキシゲ
ルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニ
ル)ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子ス
ペクトルであり、第70図は、ジヒドロキシゲルマニウム
−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロ
シアニンのIRスペクトルであり、第71図は、ビス(トリ
エチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−オク
チロキシカルボニル)ナフタロシアニンのNMRスペクト
ルであり、第72図は、ビス(トリエチルシロキシ)ゲル
マニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)
ナフタロシアニンのテトラヒドロフラン溶液中での電子
スペクトルであり、第73図は、ビス(トリエチルシロキ
シ)ゲルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシカル
ボニル)ナフタロシアニンのIRスペクトルであり、第74
図は、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ンのNMRスペクトルであり、第75図は、ビス(トリブチ
ルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−オクチロ
キシカルボニル)ナフタロシアニンのテトラヒドロフラ
ン溶液中での電子スペクトルであり、第76図は、ビス
(トリブチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n
−オクチロキシカルボニル)ナフタロシアニンのIRスペ
クトルであり、第77図は、ビス(n−ドデシロキシ)ゲ
ルマニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)
ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペク
トルであり第78図は、ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマ
ニウム−テトラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフ
タロシアニンのIRスペクトルである。第79図は、ビス
(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンのテト
ラヒドロフラン溶液中での電子スペクトルであり、第80
図は、ビス(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム−テ
トラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニ
ンのIRスペクトルであり、第81図は、ビス(n−ドデシ
ロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシ
カルボニル)ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中で
の電子スペクトルであり、第82図は、ビス(n−ドデシ
ロキシ)ゲルマニウム−テトラキス(n−オクチロキシ
カルボニル)ナフタロシアニンのIRスペクトルであり、
第83図は、ビス(n−オクタデシロキシ)ゲルマニウム
−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタロ
シアニンのテトラヒドロフラン溶液中の電子スペクトル
であり、第84図は、ビス(n−オクタデシロキシ)ゲル
マニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)
ナフタロシアニンのIRスペクトルであり、第85図は、ビ
ス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンのテト
ラヒドロフラン溶液中での電子スペクトルであり、第86
図は、ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テト
ラキス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニン
のアセトン溶液中での電子スペクトルであり、第87図
は、ビス(トリエチルシロキシ)ゲルマニウム−テトラ
キス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンの
ベンゼン溶液中での電子スペクトルであり、第88図は、
ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラキス
(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンのテト
ラヒドロフラン溶液中での電子スペクトルであり、第89
図は、ビス(n−ドデシロキシ)ゲルマニウム−テトラ
キス(n−アミロキシカルボニル)ナフタロシアニンの
ベンゼン溶液中での電子スペクトルであり、第90図は、
テトラ(t−ブチル)バナジルナフタロシアニンのクロ
ロホルム溶液中での電子スペクトルで、(a)は2.37×
10-6M濃度、(b)は1.89×10-5M濃度であり、第91図
は、テトラ(t−ブチル)バナジルナフタロシアニンの
ベンゼン溶液中(9.5×10-6M濃度)での電子スペクトル
であり、第92図は、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマ
ニウム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナ
フタロシアニンのスピンコート膜の透過スペクトルであ
り、第93図は、ビス(トリブチルシロキシ)ゲルマニウ
ム−テトラキス(n−オクチロキシカルボニル)ナフタ
ロシアニンのスピンコート膜の5゜正反射スペクトルで
あり、第94図は、テトラ(t−ブチル)バナジルナフタ
ロシアニンのスピンコート膜の透過スペクトルであり、
第95図は、テトラ(t−ブチル)バナジルナフタロシア
ニンのスピンコート膜の5゜の正反射スペクトルであ
り、第96図は、テトラキス(n−アミロキシカルボニ
ル)バナジルナフタロシアニンスピンコート膜の透過ス
ペクトルである。
Fig. 1 is an IR spectrum of methyl 3,4-dimethylbenzoate, Fig. 2 is an IR spectrum of methyl 3,4-bis (dibromomethyl) benzoate, and Fig. 3 is 6-methoxy. FIG. 4 is an IR spectrum of carbonyl-2,3-dicyanonaphthalene, and FIG. 4 shows 3,4-dimethylbenzoic acid n-
FIG. 5 is an IR spectrum of amyl, and FIG. 5 shows an IR spectrum of 6- (n-amyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.
FIG. 6 is a spectrum, and FIG. 6 shows 3,4-dimethylbenzoic acid n
Is an IR spectrum of octyl, and FIG. 7 shows 6- (n
Is an IR spectrum of -octyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene, and FIG. 8 shows I of 6- (n-octadecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene.
Fig. 9 is an R spectrum, Fig. 9 is an IR spectrum of 6- (n-tetradecyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene, and Fig. 10 is 6- (n-hexadecyloxycarbonyl) -2, FIG. 11 is an IR spectrum of 3-dicyanonaphthalene, FIG. 11 is an IR spectrum of 6- (n-eicosyloxycarbonyl) -2,3-dicyanonaphthalene, and FIG. 12 is 6- (n-docosyloxycarbonyl). −
FIG. 13 is an IR spectrum of 2,3-dicyanonaphthalene, FIG. 13 is an electronic spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine, and FIG. 14 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine. FIG. 15 is an electronic spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine, FIG. 16 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine, and FIG. 17 is tetrakis. 2 is an electronic spectrum of (n-amyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine,
FIG. 18 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine, FIG. 19 is an electronic spectrum of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine, and FIG. 20 is tetrakis (n-octyl). Is an IR spectrum of (roxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine, and FIG. 21 shows tetrakis (n-
22 is an IR spectrum of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine, and FIG. 23 is a spectrum of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine. Electronic spectrum,
FIG. 24 is an IR spectrum of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) zinc naphthalocyanine, FIG. 25 is an electronic spectrum of tetrakis (n-aminoxycarbonyl) nickelnaphthalocyanine, and FIG. 26 is tetrakis (n-amido). Is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) palladium naphthalocyanine, and FIG. 28 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) palladium naphthalocyanine. FIG. 29 is an electronic spectrum of tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine, and FIG. 30 is an IR spectrum of tetrakis (n-octadecyloxycarbonyl) vanadylnaphthalocyanine. Figure 31 shows Rakisu (n- octadecenyl siloxy carbonyl) an electronic spectrum of a copper naphthalocyanine, FIG. 32 is an IR spectrum of the tetrakis (n- octadecenyl siloxy carbonyl) copper naphthalocyanine,
FIG. 33 is an electronic spectrum of tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine, FIG. 34 is an IR spectrum of tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine, and FIG. 35 is 1 is an electronic spectrum of tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine,
FIG. 36 is an IR spectrum of tetrakis (n-tetradecyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine, and FIG. 37 is an electronic spectrum of tetrakis (n-hexadecyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine.
The figure shows tetrakis (n-hexadecyloxycarbonyl)
IR spectrum of vanadyl naphthalocyanine, 39th
The figure is an electronic spectrum of tetrakis (n-eicosyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine,
The figure is the IR spectrum of tetrakis (n-eicosyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine, FIG. 41 is the electron spectrum of tetrakis (n-eicosyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine, and FIG. 42 is the tetrakis (n- FIG. 43 is an IR spectrum of eicosyloxycarbonyl) copper naphthalocyanine, and FIG. 43 shows tetrakis (n
-Amyloxycarbonyl) cobalt naphthalocyanine, FIG. 44 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) cobalt naphthalocyanine, and FIG. 45 is tetrakis (n-amyloxycarbonyl) manganese naphthalocyanine. FIG. 46 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) manganese naphthalocyanine,
FIG. 47 is an electronic spectrum of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroindium naphthalocyanine, FIG. 48 is an IR spectrum of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroindium naphthalocyanine, and FIG. 49 is tetrakis ( FIG. 50 is an electronic spectrum of (n-octyloxycarbonyl) chloroaluminum naphthalocyanine, and FIG. 50 shows IR of tetrakis (n-octyloxycarbonyl) chloroaluminum naphthalocyanine.
FIG. 51 is an electron spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) silicon naphthalocyanine, FIG. 52 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) silicon naphthalocyanine, and FIG. 53 is Tetrakis (n-amyloxycarbonyl)
FIG. 54 is an electronic spectrum of germanium naphthalocyanine, and FIG. 54 shows tetrakis (n-amyloxycarbonyl).
It is an IR spectrum of germanium naphthalocyanine,
55 is an electronic spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) tin naphthalocyanine, FIG. 56 is an IR spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) tin naphthalocyanine, and FIG. 57 is dichlorogermanium-tetrakis ( FIG. 58 is an electronic spectrum of (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a chloroform solution, and FIG. 58 shows IR of dichlorogermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine.
FIG. 59 is an electronic spectrum of dihydroxygermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a chloroform solution, and FIG. 60 is a spectrum of dihydroxygermanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) na. FIG. 61 is an IR spectrum of phthalocyanine and FIG. 61 is an NMR spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine.
The figure is an electronic spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a chloroform solution.
The figure is an IR spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine. FIG. 64 is an NMR spectrum of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine,
Figure 65 shows bis (tributylsiloxy) germanium-
FIG. 66 is an electron spectrum of tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a tetrahydrofuran solution, and FIG. 66 is an IR spectrum of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine. 67 is an electron spectrum of dichlorogermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a chloroform solution, and FIG. 68 is an IR spectrum of dichlorogermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine. FIG. 69 is an electronic spectrum of dihydroxygermanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a chloroform solution, and FIG. 70 is dihydroxygermanium-tetrakis (n-octyl). Roxycarbonyl) naphthalocyanine IR spectrum, FIG. 71 is an NMR spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine, and FIG. 72 is bis (triethylsiloxy) germanium. -Tetrakis (n-octyloxycarbonyl)
FIG. 73 is an electron spectrum of naphthalocyanine in a tetrahydrofuran solution, FIG. 73 is an IR spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine, and FIG.
The figure is an NMR spectrum of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine, and FIG. 75 is the tetrahydrofuran of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine. FIG. 76 shows an electronic spectrum in solution, and FIG. 76 shows bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n
-Octyloxycarbonyl) naphthalocyanine IR spectrum, FIG. 77 shows bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl)
FIG. 78 is an electron spectrum of naphthalocyanine in a chloroform solution, and FIG. 78 is an IR spectrum of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine. FIG. 79 is an electronic spectrum of bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a tetrahydrofuran solution.
The figure shows an IR spectrum of bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine, and FIG. 81 shows bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl). FIG. 82 is an electron spectrum of naphthalocyanine in a chloroform solution, and FIG. 82 is an IR spectrum of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine.
FIG. 83 is an electron spectrum of bis (n-octadecyloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a tetrahydrofuran solution, and FIG. 84 is bis (n-octadecyloxy) germanium- Tetrakis (n-octyloxycarbonyl)
FIG. 85 is an IR spectrum of naphthalocyanine, FIG. 85 is an electronic spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a tetrahydrofuran solution, and FIG.
The figure shows an electronic spectrum of bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in an acetone solution, and FIG. 87 shows bis (triethylsiloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl). ) Is an electronic spectrum of naphthalocyanine in a benzene solution, and FIG. 88 shows
89 is an electronic spectrum of a solution of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in tetrahydrofuran,
The figure is an electronic spectrum of bis (n-dodecyloxy) germanium-tetrakis (n-amyloxycarbonyl) naphthalocyanine in a benzene solution, and FIG. 90 is
Electron spectrum of tetra (t-butyl) vanadyl naphthalocyanine in chloroform solution, (a) shows 2.37 ×
The concentration is 10 -6 M, (b) is 1.89 × 10 -5 M concentration, and Fig. 91 shows the electron in the benzene solution of tetra (t-butyl) vanadyl naphthalocyanine (9.5 × 10 -6 M concentration). FIG. 92 is a transmission spectrum of a spin-coated film of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis (n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine, and FIG. 93 is a spectrum of bis (tributylsiloxy) germanium-tetrakis ( FIG. 94 is a 5 ° specular reflection spectrum of a spin-coated film of n-octyloxycarbonyl) naphthalocyanine, and FIG. 94 is a transmission spectrum of a spin-coated film of tetra (t-butyl) vanadyl naphthalocyanine,
Fig. 95 is a 5 ° specular reflection spectrum of a spin coat film of tetra (t-butyl) vanadyl naphthalocyanine, and Fig. 96 is a transmission spectrum of a tetrakis (n-amyloxycarbonyl) vanadyl naphthalocyanine spin coat film. Is.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭62−153959 (32)優先日 昭62(1987)6月19日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願昭62−201401 (32)優先日 昭62(1987)8月12日 (33)優先権主張国 日本(JP) (31)優先権主張番号 特願昭62−258588 (32)優先日 昭62(1987)10月14日 (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 林 信行 茨城県日立市東町4丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 岩壁 靖 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 沼田 俊一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 金城 徳幸 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 恵良 進 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小林 節郎 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 向尾 昭夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. Sho 62-153959 (32) Priority date Sho 62 (1987) June 19 (33) Country of priority claim Japan (JP) (31) Priority right Claim number Japanese patent application Sho 62-201401 (32) Priority date Sho 62 (1987) August 12 (33) Priority claiming country Japan (JP) (31) Priority claim number Japanese patent application Sho 62-258588 (32) Priority Nissho 62 (1987) October 14 (33) Priority claiming country Japan (JP) (72) Inventor Nobuyuki Hayashi 4-13-1 Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. Ibaraki Research Institute (72 ) Inventor Yasushi Iwakabe 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture, Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd. (72) Inventor Shunichi Numata 4026 Kuji Town, Hitachi City, Hitachi, Ibaraki Prefecture Hitachi Research Laboratory, Ltd. (72) Inventor Noriyuki Kaneshiro 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Works Hitachi Research Laboratory (72) Inventor Susumu Era 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitate Manufacturing Co., Ltd.Hitachi Research Laboratory (72) Inventor Setsuro Kobayashi 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Hitachi Research Co., Ltd. In-house (72) Inventor Akio Mukai 4026 Kuji-cho, Hitachi-shi, Ibaraki Prefecture Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (36)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式(I) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異してもよく、nは、同一
又は相異してもよい1〜4の整数であり、Mは、Cuなど
のI b族金属、MgなどのII a族金属、ZnなどのII b族金
属、Al,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、金属
のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Cl2Si,(HO)2
Si,Ge,Cl2Ge,(HO)2Ge,Sn,Cl2Sn、(HO)2Sn,Pbなどの
IV a族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化
物、Ti,OTiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVなど
のV b族の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、Mn,C
lMnなどのVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又はF
e,ClFe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属又は金属ほハロ
ゲン化物の中の一種を示す。]で表わされるナフタロシ
アニン誘導体。
1. A general formula (I) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n may be the same or different 1 to 4 And M is a group IIb metal such as Cu, a group IIa metal such as Mg, a group IIb metal such as Zn, a group IIIa metal such as Al, ClAl, HOAl, In, ClIn, or a metal. Halides or metal hydroxides, Si, Cl 2 Si, (HO) 2
Si, Ge, Cl 2 Ge, (HO) 2 Ge, Sn, Cl 2 Sn, (HO) 2 Sn, Pb, etc.
Group IVa metal, metal halide or metal hydroxide, Group IVb metal or metal oxide such as Ti and OTi, Group Vb metal oxide such as OV, VIb such as Cr and Mo Group metals, Mn, C
Group VII b metals such as lMn or metal halides or F
Indicates one of group VIII metals such as e, ClFe, Co, Ni, Pt, and Pd, or metal halides. ] The naphthalocyanine derivative represented by these.
【請求項2】一般式(I)において、MがCu,Zn,ClAl,C
lIn,Si,Ge,Sn,OV,Mn,Co,Ni又はPdである請求項1記載の
ナフタロシアニン誘導体。
2. In the general formula (I), M is Cu, Zn, ClAl, C.
The naphthalocyanine derivative according to claim 1, which is lIn, Si, Ge, Sn, OV, Mn, Co, Ni or Pd.
【請求項3】一般式(I)において、nが1である請求
項1又は2記載のナフタロシアニン誘導体。
3. The naphthalocyanine derivative according to claim 1, wherein in the general formula (I), n is 1.
【請求項4】一般式(I)においてR1が、炭素数13〜22
個のアルキル基である請求項1,2又は3記載のナフタロ
シアニン誘導体。
4. In the general formula (I), R 1 has 13 to 22 carbon atoms.
The naphthalocyanine derivative according to claim 1, 2 or 3, which is one alkyl group.
【請求項5】一般式(II) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異してもよく、nは同一又
は相異してもよい1〜4の整数であり、Y1及びY2は同一
でも相異してもよく、アリールオキシル基,アルコキシ
ル基,トリアルキルシロキシル基,トリアリールシロキ
シル基,トリアルコキシシロキシル基,トリアリールオ
キシシロキル基又はトリチルオキシル基であり、MはA
l,Ti,Si,Ge又はSnであり、MがAlのときはY1のみが、M
が、Ti,Si,Ge又はSnのときはY1及びY2がMに共有結合し
ている]で表わされるナフタロシアニン誘導体。
5. The general formula (II) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n may be the same or different. It is an integer, and Y 1 and Y 2 may be the same or different, and are aryloxyl group, alkoxyl group, trialkylsiloxyl group, triarylsiloxyl group, trialkoxysiloxyl group, triaryloxysiloxyl group. Or a trityloxyl group, M is A
l, Ti, Si, Ge or Sn, and when M is Al, only Y 1 is M
Is Ti, Si, Ge or Sn, Y 1 and Y 2 are covalently bonded to M].
【請求項6】一般式(II)において、MがGeである請求
項5記載のナフタロシアニン誘導体。
6. The naphthalocyanine derivative according to claim 5, wherein in the general formula (II), M is Ge.
【請求項7】一般式(II)において、nが1である請求
項5又は6記載のナフタロシアニン誘導体。
7. The naphthalocyanine derivative according to claim 5, wherein n is 1 in the general formula (II).
【請求項8】一般式(II)において、Y1及びY2がいずれ
もトリアルキルシロキシル基である請求項5,6又は7記
載のナフタロシアニン誘導体。
8. The naphthalocyanine derivative according to claim 5, 6 or 7, wherein each of Y 1 and Y 2 in the general formula (II) is a trialkylsiloxyl group.
【請求項9】一般式(II)において、Y1及びY2がいずれ
もアルコキシル基である請求項5,6又は7記載のナフタ
ロシアニン誘導体。
9. The naphthalocyanine derivative according to claim 5, 6 or 7, wherein Y 1 and Y 2 in the general formula (II) are both alkoxyl groups.
【請求項10】一般式(III) (ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは1〜4の整数である)で表わされるアルコキシ
カルボニル−2,3−ジシアノナフタレンの少なくとも1
種を一般式(IV−1) MXp (IV−1) (ただし、式中Xはハロゲン原子又はアシロキシル基及
びpは0又は金属MへのXの結合数を示す正の整数であ
り、Mは、CuなどのI b族、MgなどのII a族、ZnなどのI
I b族、Al,InなどのIII a族、Si,Ge,Sn,PbなどのIV a
族、TiなどのIV b族、VなどのV b族、Cr,MoなどのVI b
族、MnなどのVII b族又は、Fe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII
族の金属を示す)で表わされる金属又は金属塩と反応さ
せることを特徴とする一般式(I) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異してもよく、nは、同一
又は相異していてもよい1〜4の整数であり、MはCuな
どのI b族の金属、MgなどのII a族金属、ZnなどのII b
族金属、Al,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、
金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Cl2Si,(H
O)2Si,Ge,Cl2Ge,(HO)2Ge,Sn,Cl2Sn,(HO)2Sn,Pbな
どのIV a族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸
化物、Ti,OTiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVな
どのV b族の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、M
n,ClMnなどのVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又
はFe,ClFe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属又は金属ハ
ロゲン化物の中の一種を示す。]で表わされるナフタロ
シアニン誘導体の製造法。
10. General formula (III) (Wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 4), and at least 1 of alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene
The species is represented by the general formula (IV-1) MXp (IV-1) (wherein X is a halogen atom or an acyloxyl group and p is 0 or a positive integer indicating the number of bonds of X to the metal M, and M is , Cu such as Ib group, Mg such as IIa group, Zn such as I
Group Ib, Group IIIa such as Al, In, IVa such as Si, Ge, Sn, Pb
Group, IV b group such as Ti, V b group such as V, VI b such as Cr, Mo
Group, VIIb group such as Mn or VIII such as Fe, Co, Ni, Pt, Pd
A metal represented by Group I) or a metal salt represented by the general formula (I) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n may be the same or different 1 Is an integer of 4, M is a group Ib metal such as Cu, a group IIa metal such as Mg, or a group IIb such as Zn.
Group metals, Group IIIa metals such as Al, ClAl, HOAl, In, ClIn,
Metal halides or metal hydroxides, Si, Cl 2 Si, (H
O) 2 Si, Ge, Cl 2 Ge, (HO) 2 Ge, Sn, Cl 2 Sn, (HO) 2 Sn, Pb and other IVa group metals, metal halides or metal hydroxides, Ti , OTi or other IVb group metal or metal oxide, OV or other Vb group metal oxide, Cr, Mo or other VIb group metal, M
A group VII b metal or metal halide such as n or ClMn, or a group VIII metal or metal halide such as Fe, ClFe, Co, Ni, Pt, or Pd. ] The manufacturing method of the naphthalocyanine derivative represented by these.
【請求項11】一般式(IV−1)において、MがCu,Zn,
Al,In,Si,Ge,Sn,V,Mn,Co,Ni又はPdであり、一般式
(I)においてMがそれぞれCu,Zn,ClAl,ClIn,Si,Ge,S
n,OV,Mn,Co,Ni又はPdである請求項10記載のナフタロシ
アニン誘導体の製造法。
11. In the general formula (IV-1), M is Cu, Zn,
Al, In, Si, Ge, Sn, V, Mn, Co, Ni or Pd, M in the general formula (I) is Cu, Zn, ClAl, ClIn, Si, Ge, S, respectively.
11. The method for producing a naphthalocyanine derivative according to claim 10, which is n, OV, Mn, Co, Ni or Pd.
【請求項12】一般式(III)及び一般式(I)におい
て、nが1である請求項10又は11記載のナフタロシアニ
ン誘導体の製造法。
12. The method for producing a naphthalocyanine derivative according to claim 10, wherein n is 1 in the general formulas (III) and (I).
【請求項13】一般式(III)及び一般式(I)におい
てR1が炭素数13〜22個のアルキル基である請求項10,11
又は12記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。
13. A compound represented by the general formula (III) or (I) wherein R 1 is an alkyl group having 13 to 22 carbon atoms.
Or the method for producing a naphthalocyanine derivative according to item 12.
【請求項14】一般式(III) (ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基を示
し、nは1〜4の整数である)で表わされるアルコキシ
カルボニル−2,3−ジシアノナフタレンの少なくとも1
種を一般式(IV−2) MXp (IV−2) (ただし、式中Xはハロゲン原子であり、pはMへのX
の結合数を示す正の整数であり、MはAl,Ti,Si,Ge又はS
nを示す)で表わされる金属ハロゲン化物と反応させ
て、一般式(V) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一
又は相異していてもよい1〜4の整数であり、Mは前記
一般式(IV−2)と同じ意味を示し、X1及びX2は、ハロ
ゲン原子を示し、MがAlのときはX1のみが、MがTi,Si,
Ge又はSnのときはX1及びX2がMに共有結合している]で
表わされるナフタロシアニン誘導体を合成し、次にこの
一般式(V)で表わされる化合物を加水分解させること
により一般式(VI) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一
又は相異していてもよい1〜4の整数であり、Mは前記
一般式(IV−2)と同じ意味を示し、Z1及びZ2はヒドロ
キシル基を示し、MがAlのときにはZ1のみが、MがTi,S
i,Ge又はSnのときはZ1及びZ2がMに共有結合している]
で表わされるナフタロシアニン誘導体を得、続いてこの
一般式(VI)で表わされる化合物を一般式(VII) (R23SiOH (VII) [ただし、式中R2は、アルキル基、アリール基,アルコ
キシル基又はアリールオキシル基である。]で表わされ
るシラノール又は、一般式(VIII) R3OH (VIII) [ただし、式中R3は、アルキル基、アリール基又はトリ
チル基である。]で表わされるアルコールと反応させる
ことを特徴とする一般式(II) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り、複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一
又は相異していてもよい1〜4の整数であり、Y1及びY2
は同一でも相異してもよく、アリールオキシル基,アル
コキシル基,トリアルキルシロキシル基,トリアリール
シロキシル基,トリアルコキシシロキシル基,トリアリ
ールオキシシロキシル基又はトリチルオキシル基であ
り、Mは、Al,Ti,Si,Ge又はSnであり、MがAlのとき
は、Y1のみがMがTi,Si,Ge又はSnのときはY1及びY2がM
に共有結合している]で表わされるナフタロシアニン誘
導体の製造法。
14. General formula (III) (Wherein R 1 represents an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 4), and at least 1 of alkoxycarbonyl-2,3-dicyanonaphthalene
The seed is represented by the general formula (IV-2) MXp (IV-2) (wherein X is a halogen atom and p is X to M).
Is a positive integer indicating the number of bonds of M, and M is Al, Ti, Si, Ge or S
(representing n) by reacting with a metal halide represented by the general formula (V) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different. Is an integer, M has the same meaning as in formula (IV-2), X 1 and X 2 represent a halogen atom, and when M is Al, only X 1 is M, Ti, Si,
In the case of Ge or Sn, X 1 and X 2 are covalently bonded to M], and a compound represented by the general formula (V) is hydrolyzed to synthesize the naphthalocyanine derivative represented by the general formula (VI) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different. Is an integer, M has the same meaning as in formula (IV-2) above, Z 1 and Z 2 represent a hydroxyl group, and when M is Al, only Z 1 and M are Ti, S
When i, Ge or Sn, Z 1 and Z 2 are covalently bonded to M]
A naphthalocyanine derivative represented by the following formula is obtained, and then the compound represented by the general formula (VI) is converted to the general formula (VII) (R 2 ) 3 SiOH (VII) [wherein R 2 is an alkyl group or an aryl group. , An alkoxyl group or an aryloxyl group. Or a general formula (VIII) R 3 OH (VIII) [wherein R 3 is an alkyl group, an aryl group or a trityl group]. ] The general formula (II) characterized by reacting with an alcohol represented by [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different. Is an integer, Y 1 and Y 2
May be the same or different, and is an aryloxyl group, an alkoxyl group, a trialkylsiloxyl group, a triarylsiloxyl group, a trialkoxysiloxyl group, a triaryloxysiloxyl group or a trityloxyl group, and M is , Al, Ti, Si, a Ge or Sn, when M is Al, only Y 1 is M is Ti, Si, when the Ge or Sn Y 1 and Y 2 M
And a covalent bond] to the naphthalocyanine derivative.
【請求項15】一般式(IV−2),(V),(VI)及び
(II)においてMがGeである請求項14記載のナフタロシ
アニン誘導体の製造法。
15. The method for producing a naphthalocyanine derivative according to claim 14, wherein M in the general formulas (IV-2), (V), (VI) and (II) is Ge.
【請求項16】一般式(III),(V),(VI)及び(I
I)においてnが1である請求項14又は15記載のナフタ
ロシアニン誘導体の製造法。
16. General formulas (III), (V), (VI) and (I)
16. The method for producing a naphthalocyanine derivative according to claim 14, wherein n is 1 in I).
【請求項17】一般式(VII)においてR2がアルキル基
であり、一般式(II)においてY1及びY2がいずれもトリ
アルキルシロキシル基である請求項14,15又は16記載の
ナフタロシアニン誘導体の製造法。
17. The sodium group according to claim 14, 15 or 16, wherein R 2 in the general formula (VII) is an alkyl group, and Y 1 and Y 2 in the general formula (II) are both trialkylsiloxyl groups. Process for producing phthalocyanine derivative.
【請求項18】一般式(VIII)においてR3がアルキル基
であり、前記一般式(II)においてY1及びY2がいずれも
アルコキシル基である請求項14,15又は16記載のナフタ
ロシアニン誘導体の製造法。
18. The naphthalocyanine derivative according to claim 14, 15 or 16, wherein R 3 in the general formula (VIII) is an alkyl group, and Y 1 and Y 2 in the general formula (II) are both alkoxyl groups. Manufacturing method.
【請求項19】基板表面に、一般式(I) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一又
は相異していてもよい1〜4の整数であり、Mは、Cuな
どのI b族金属、MgなどのII a族金属、ZnなどのII b族
金属、Al,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、金
属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Cl2Si,(H
O)2Si,Ge,Cl2Ge,(HO)2Ge,Sn,Cl2Sn,(HO)2Sn,Pbな
どのIV a族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸
化物、Ti,OTiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVな
どのV b族の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、M
n,ClMnなどのVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又
はFe,ClFe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属又は金属の
ハロゲン化物の中の一種を示す]で表わされるナフタロ
シアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されてい
ることを特徴とする光学的情報記録媒体。
19. A substrate of the general formula (I) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different integer of 1 to 4] And M is a group Ib metal such as Cu, a group IIa metal such as Mg, a group IIb metal such as Zn, a group IIIa metal such as Al, ClAl, HOAl, In, ClIn, or a metal halogen. Or metal hydroxide, Si, Cl 2 Si, (H
O) 2 Si, Ge, Cl 2 Ge, (HO) 2 Ge, Sn, Cl 2 Sn, (HO) 2 Sn, Pb and other IVa group metals, metal halides or metal hydroxides, Ti , OTi or other IVb group metal or metal oxide, OV or other Vb group metal oxide, Cr, Mo or other VIb group metal, M
n, ClMn or other group VII b metal or metal halide or Fe, ClFe, Co, Ni, Pt, Pd or other group VIII metal or metal halide] An optical information recording medium having a recording film layer containing a derivative as a main component.
【請求項20】一般式(I)において、MがCu,Zn,ClA
l,ClIn,Si,Ge,Sn,OV,Mn,Co,Ni又はPdであるナフタロシ
アニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている
請求項19記載の光学的情報記録媒体。
20. In the general formula (I), M is Cu, Zn, ClA.
20. The optical information recording medium according to claim 19, wherein a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative which is l, ClIn, Si, Ge, Sn, OV, Mn, Co, Ni or Pd as a main component is formed.
【請求項21】一般式(I)において、nが1であるナ
フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
れている請求項19又は20記載の光学的情報記録媒体。
21. The optical information recording medium according to claim 19 or 20, wherein a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which n is 1 in the general formula (I) as a main component is formed.
【請求項22】一般式(I)においてR1が、炭素数13〜
22個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成
分とする記録膜層が形成されている請求項19,20又は21
記載の光学的情報記録媒体。
22. In the general formula (I), R 1 has 13 to 13 carbon atoms.
22. A recording film layer comprising a naphthalocyanine derivative which is 22 alkyl groups as a main component is formed.
The optical information recording medium described.
【請求項23】基板表面に、一般式(II) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一又
は相異していてもよい1〜4の整数であり、Y1及びY2
同一又は相異していてもよく、アリールオキシル基,ア
ルコキシル基,トリアルキルシロキシル基,トリアリー
ルシロキシル基,トリアルコキシシロキシル基,トリア
リールオキシシロキシル基又はトリチルオキシル基であ
り、MはAl,Ti,Si,Ge又はSnであり、MがAlのときは、Y
1のみが、MがTi,Si,Ge又はSnのときはY1及びY2がMに
共有結合している]で表わされるナフタロシアニン誘導
体を主成分とする記録膜層が形成されていることを特徴
とする光学的情報記録媒体。
23. The compound of general formula (II) on the surface of a substrate. [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different integer of 1 to 4] And Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an aryloxyl group, an alkoxyl group, a trialkylsiloxyl group, a triarylsiloxyl group, a trialkoxysiloxyl group, a triaryloxysiloxyl group. Or a trityloxyl group, M is Al, Ti, Si, Ge or Sn, and when M is Al, Y
1 only, when M is Ti, Si, Ge or Sn, Y 1 and Y 2 are covalently bonded to M], and a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative as a main component is formed. An optical information recording medium characterized by:
【請求項24】一般式(II)において、MがGeであるナ
フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
れている請求項23記載の光学的情報記録媒体。
24. The optical information recording medium according to claim 23, wherein in the general formula (II), a recording film layer whose main component is a naphthalocyanine derivative in which M is Ge is formed.
【請求項25】一般式(II)において、nが1であるナ
フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
れている請求項23又は24記載の光学的情報記録媒体。
25. The optical information recording medium according to claim 23 or 24, wherein a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which n is 1 in the general formula (II) as a main component is formed.
【請求項26】一般式(II)において、Y1及びY2がいず
れもトリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン
誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている請求項
23,24又は25記載の光学的情報記録媒体。
26. In the general formula (II), a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are trialkylsiloxyl groups as a main component is formed.
The optical information recording medium as described in 23, 24 or 25.
【請求項27】一般式(II)において、Y1及びY2がいず
れもアルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主
成分とする記録膜層が形成されている請求項23,24又は2
5記載の光学的情報記録媒体。
27. In the general formula (II), a recording film layer containing a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 are alkoxyl groups as a main component is formed.
5. The optical information recording medium described in 5.
【請求項28】一般式(I) [ただし、式中R1は、1〜22個のアルキル基であり複数
個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一でも相異
していてもよい1〜4の整数であり、MはCuなどのI b
族金属、MgなどのII a族金属、ZnなどのII b族金属、A
l,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、金属のハロ
ゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Cl2Si,(HO)2Si,Ge,
Cl2Ge,(HO)2Ge,Sn,Cl2Sn,(HO)2Sn,PbなどのIV a族
の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Ti,O
TiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVなどのV b族
の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、Mn,ClMnなど
のVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又はFe,ClFe,C
o,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属又は金属のハロゲン化物
の中の一種を示す]で表わされるナフタロシアニン誘導
体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表面
に記録膜層を形成することを特徴とする光学的情報記録
媒体の製造方法。
28. The general formula (I) [Wherein R 1 is an alkyl group of 1 to 22 and a plurality of R 1 may be the same or different, and n is an integer of 1 to 4 which may be the same or different. , M is I b such as Cu
Group metals, Group IIa metals such as Mg, Group IIb metals such as Zn, A
l, ClAl, HOAl, In, ClIn group IIIa metals, metal halides or metal hydroxides, Si, Cl 2 Si, (HO) 2 Si, Ge,
Cl 2 Ge, (HO) 2 Ge, Sn, Cl 2 Sn, (HO) 2 Sn, Pb and other group IVa metals, metal halides or metal hydroxides, Ti, O
Group IVb metals or metal oxides such as Ti, Vb group metal oxides such as OV, VIb group metals such as Cr and Mo, VIIb group metals or metal halides such as Mn and ClMn. Or Fe, ClFe, C
Forming a recording film layer on the surface of a substrate using a solution of a naphthalocyanine derivative represented by a group VIII metal such as o, Ni, Pt, or Pd or a halide of a metal] in an organic solvent A method for manufacturing an optical information recording medium, comprising:
【請求項29】一般式(I)において、MがCu,Zn,ClA
l,ClIn,Si,Ge,Sn,OV,Mn,Co,Ni又はPdであるナフタロシ
アニン誘導体を用いた請求項28記載の光学的情報記録媒
体の製造方法。
29. In the general formula (I), M is Cu, Zn, ClA.
29. The method for producing an optical information recording medium according to claim 28, wherein a naphthalocyanine derivative which is 1, ClIn, Si, Ge, Sn, OV, Mn, Co, Ni or Pd is used.
【請求項30】一般式(I)において、nが1であるナ
フタロシアニン誘導体を用いた請求項28又は29記載の光
学的情報記録媒体の製造方法。
30. The method for producing an optical information recording medium according to claim 28 or 29, wherein a naphthalocyanine derivative in which n is 1 in the general formula (I) is used.
【請求項31】一般式(I)においてR1が、炭素数13〜
22個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用い
た請求項28,29又は30項記載の光学的情報記録媒体の製
造方法。
31. In the general formula (I), R 1 has 13 to 30 carbon atoms.
31. The method for producing an optical information recording medium according to claim 28, 29 or 30, wherein a naphthalocyanine derivative having 22 alkyl groups is used.
【請求項32】一般式(II) [ただし、式中R1は、炭素数1〜22個のアルキル基であ
り複数個のR1は同一でも相異なつてもよく、nは同一又
は相異していてもよい1〜4の整数であり、Y1及びY2
同一又は相異していてもよく、アリールオキシル基,ア
ルコキシル基,トリアルキルシロキシル基,トリアリー
ルシロキシル基,トリアルコキシシロキシル基,トリア
リールオキシシロキシル基又はトリチルオキシル基であ
り、MはAl,Ti,Si,Ge又はSnであり、MがAlのときは、Y
1のみが、MがTi,Si,Ge又はSnのときはY1及びY2がMに
共有結合している。]で表わされるナフタロシアニン誘
導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表
面に記録膜層を形成することを特徴とする光学的情報記
録媒体の製造方法。
32. General formula (II) [Wherein R 1 is an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, a plurality of R 1 may be the same or different, and n is the same or different integer of 1 to 4] And Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents an aryloxyl group, an alkoxyl group, a trialkylsiloxyl group, a triarylsiloxyl group, a trialkoxysiloxyl group, a triaryloxysiloxyl group. Or a trityloxyl group, M is Al, Ti, Si, Ge or Sn, and when M is Al, Y
Only 1, M is Ti, Si, when the Ge or Sn is Y 1 and Y 2 are covalently bonded to M. ] A method for producing an optical information recording medium, characterized in that a recording film layer is formed on the surface of a substrate by using a solution in which a naphthalocyanine derivative represented by the following is mainly dissolved in an organic solvent.
【請求項33】一般式(II)において、MがGeであるナ
フタロシアニン誘導体を用いた請求項32記載の光学的情
報記録媒体の製造方法。
33. The method for producing an optical information recording medium according to claim 32, wherein a naphthalocyanine derivative in which M is Ge in the general formula (II) is used.
【請求項34】一般式(II)において、nが1であるナ
フタロシアニン誘導体を用いた請求項32又は33記載の光
学的情報記録媒体の製造方法。
34. The method for producing an optical information recording medium according to claim 32 or 33, wherein a naphthalocyanine derivative in which n is 1 in the general formula (II) is used.
【請求項35】一般式(II)において、Y1及びY2がいず
れもトリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン
誘導体を用いた請求項32,33又は34記載の光学的情報記
録媒体の製造方法。
35. The method for producing an optical information recording medium according to claim 32, 33 or 34, wherein a naphthalocyanine derivative in which Y 1 and Y 2 in the general formula (II) are both trialkylsiloxyl groups is used. .
【請求項36】一般式(II)において、Y1及びY2がいず
れもアルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用
いた請求項32,33又は34記載の光学的情報記録媒体の製
造方法。
36. The method for producing an optical information recording medium according to claim 32, 33 or 34, wherein a naphthalocyanine derivative in which both Y 1 and Y 2 in the general formula (II) are alkoxy groups is used.
JP63067580A 1987-03-23 1988-03-22 Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium Expired - Fee Related JPH0776307B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63067580A JPH0776307B2 (en) 1987-03-23 1988-03-22 Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium

Applications Claiming Priority (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6831587 1987-03-23
JP62-68315 1987-03-23
JP8242987 1987-04-03
JP62-82429 1987-04-03
JP62-98025 1987-04-21
JP9802587 1987-04-21
JP62-98024 1987-04-21
JP9802487 1987-04-21
JP15395987 1987-06-19
JP62-153959 1987-06-19
JP20140187 1987-08-12
JP62-201401 1987-08-12
JP62-258588 1987-10-14
JP25858887 1987-10-14
JP63067580A JPH0776307B2 (en) 1987-03-23 1988-03-22 Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02663A JPH02663A (en) 1990-01-05
JPH0776307B2 true JPH0776307B2 (en) 1995-08-16

Family

ID=27572593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63067580A Expired - Fee Related JPH0776307B2 (en) 1987-03-23 1988-03-22 Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0776307B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001356134A (en) 2000-04-13 2001-12-26 Innotech Corp Probe card device and probe used therefor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02663A (en) 1990-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5214188A (en) 2,3-dicyanonaphthalene derivatives
JP2718785B2 (en) Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical recording medium using the same, and method for producing the optical recording medium
JP3860616B2 (en) Phthalocyanine compounds
KR910007447B1 (en) Optical record carrier and process thereof
JP3836192B2 (en) Phthalocyanine compounds
EP0464959B1 (en) Naphthalocyanine derivatives and production processes thereof, as well as optical information recording media using the derivatives and production processes thereof
EP0676299B1 (en) Optical information recording medium and near-infrared absorbing material used therein
EP0378336B1 (en) Naphthalocyanine derivatives, production thereof, optical recording medium using the same, and production thereof
JP2616035B2 (en) Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical recording medium using the same, and method for producing the optical recording medium
JP3963509B2 (en) Phthalocyanine compound, method for producing the same, and optical recording medium using the same
JPH0776307B2 (en) Naphthalocyanine derivative, method for producing the same, optical information recording medium using the same, and method for producing the optical information recording medium
EP0499345A2 (en) Optical recording medium
US5219706A (en) Naphthalocyanine derivative and production process thereof, as well as optical information recording media using the derivatives and production process thereof
JP3863195B2 (en) Phthalocyanine compounds
JPH04363290A (en) Optical recording medium
US5188922A (en) Optical recording medium
JPH01178494A (en) Optical recording medium
JPH0827161A (en) Phthalonitrile compound, diiminoisoindoline compound, near infrared absorbing material of phthalocyanine and their production
JPH07286110A (en) Phthalocyanine compound
JPH07286108A (en) Phthalocyanine compound
JPH07257037A (en) High density optical recording medium
JPH08259533A (en) Phthalonitrile compound, diiminoisoindoline compound and phthalocyanin near infrared light-absorbing material and their production
JPH0820591A (en) Phthalonitrile compound, diiminoisoindoline compound and phthalocyanin near-inferared absorbing material and their production
EP2154140A1 (en) Metallocenyl phthalocyanine compounds and use thereof in optical recording media

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees