JPH0775233B2 - 大規模集積回路の製造方法 - Google Patents
大規模集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH0775233B2 JPH0775233B2 JP23013687A JP23013687A JPH0775233B2 JP H0775233 B2 JPH0775233 B2 JP H0775233B2 JP 23013687 A JP23013687 A JP 23013687A JP 23013687 A JP23013687 A JP 23013687A JP H0775233 B2 JPH0775233 B2 JP H0775233B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- manufacturing
- scale integrated
- large scale
- catalyst
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液晶表示パネル等の大規模集積回路歩留り向
上を実現する大規模集積回路の製造方法に関するもので
ある。
上を実現する大規模集積回路の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術 近年、大規模集積回路の製造方法は液晶表示パネルやウ
ェハーサイズLSIといった大規模集積回路に対するニー
ズの高まりに呼応すべく、急激な進歩を遂げている。
ェハーサイズLSIといった大規模集積回路に対するニー
ズの高まりに呼応すべく、急激な進歩を遂げている。
以下、図面を参照しながら、上述した従来の大規模集積
回路の製造方法の一例について説明する。
回路の製造方法の一例について説明する。
第７図，第８図は従来の大規模集積回路の製造方法を概
念図を示すものである。第７図において、1a,1bは半導
体素子，誘電体素子等によって代表される電気素子であ
る。２および３は電気素子1a,1bに電気信号を与えるた
めの導体である。電気素子1a,1bは互いに同等な特性を
有しており、導体2,3によって並列に接続されているも
のとする。電気素子1a,1bおよび導体2,3は集積回路素子
10の構成要素の一部として基材11に設けられている。第
８図において、40はレーザー光源装置であり、導体２の
一部を選択的に焼失させる能力を持つ。
念図を示すものである。第７図において、1a,1bは半導
体素子，誘電体素子等によって代表される電気素子であ
る。２および３は電気素子1a,1bに電気信号を与えるた
めの導体である。電気素子1a,1bは互いに同等な特性を
有しており、導体2,3によって並列に接続されているも
のとする。電気素子1a,1bおよび導体2,3は集積回路素子
10の構成要素の一部として基材11に設けられている。第
８図において、40はレーザー光源装置であり、導体２の
一部を選択的に焼失させる能力を持つ。
以上のように構成された大規模集積回路の製造方法につ
いて、以下その動作の説明をする。
いて、以下その動作の説明をする。
電気素子1a,1bのどちらか一方に欠陥があるとする。ま
ず断線欠陥がある場合について説明する。たとえば導体
２と電気素子1bの間に剥離がある場合を考える。この場
合、電気素子1aの側に欠陥が無ければ、回路として通常
に動作する。両素子は互いに相補的だからである。問題
視されるのは短絡欠陥があるときである。たとえば導体
２と導体３とがショートした場合電気素子1a,1bともに
電気信号が印加されず、従って回路としての機能を失
う。導体２あるいは導体３が他の素子群とコモンになっ
ている場合にはその素子群がすべて動作しなくなる。液
晶表示素子で問題になる線欠陥がまさにそれである。
ず断線欠陥がある場合について説明する。たとえば導体
２と電気素子1bの間に剥離がある場合を考える。この場
合、電気素子1aの側に欠陥が無ければ、回路として通常
に動作する。両素子は互いに相補的だからである。問題
視されるのは短絡欠陥があるときである。たとえば導体
２と導体３とがショートした場合電気素子1a,1bともに
電気信号が印加されず、従って回路としての機能を失
う。導体２あるいは導体３が他の素子群とコモンになっ
ている場合にはその素子群がすべて動作しなくなる。液
晶表示素子で問題になる線欠陥がまさにそれである。
そこで従来の技術では、レーザーでもって短絡箇所を焼
き切る手法、すなわちレーザートリミング技術が用いら
れた。すなわち第８図によれば、たとえば電気素子1bに
短絡が発生したとすると、その近傍の導体をレーザー光
源40でもって切除する。（たとえば、「日経エレクトロ
ニクス」第410号193〜210ページ,1986）。
き切る手法、すなわちレーザートリミング技術が用いら
れた。すなわち第８図によれば、たとえば電気素子1bに
短絡が発生したとすると、その近傍の導体をレーザー光
源40でもって切除する。（たとえば、「日経エレクトロ
ニクス」第410号193〜210ページ,1986）。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、レーザー光源40を
含む装置全体が大型になり、しかも短絡箇所を発見しト
リミングを終えるまでにかなり時間を要するという問題
点を有していた。
含む装置全体が大型になり、しかも短絡箇所を発見しト
リミングを終えるまでにかなり時間を要するという問題
点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、極めて小規模な設備でしか
も短時間に処理を終えられる大規模集積回路の製造方法
を提供するものである。
も短時間に処理を終えられる大規模集積回路の製造方法
を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の大規模集積回路の
製造方法は、上記集積回路素子を溶解しない不活性原液
と上記不活性原液から上記導体を溶解する生成物を合成
する触媒から成る溶剤中に上記集積回路素子を浸すとい
う構成を備えたものである。
製造方法は、上記集積回路素子を溶解しない不活性原液
と上記不活性原液から上記導体を溶解する生成物を合成
する触媒から成る溶剤中に上記集積回路素子を浸すとい
う構成を備えたものである。
作用 本発明は上記した構成によって、短絡箇所付近の導体が
発熱するとその熱によって上記触媒が活性化し、その結
果上記不活性原液から上記導体を溶解する生成物を合成
し、それによって上記導体を切線してくれるので、短絡
箇所を発見した後に焼き切るといった外科療法を必要と
せず、従って労せずして高歩留りを達成することができ
る。さらにこれに使用される設備は電源，水槽，溶剤，
場合によっては温度制御装置といったように非常な安価
なものである。
発熱するとその熱によって上記触媒が活性化し、その結
果上記不活性原液から上記導体を溶解する生成物を合成
し、それによって上記導体を切線してくれるので、短絡
箇所を発見した後に焼き切るといった外科療法を必要と
せず、従って労せずして高歩留りを達成することができ
る。さらにこれに使用される設備は電源，水槽，溶剤，
場合によっては温度制御装置といったように非常な安価
なものである。
実施例 以下本発明の第１の実施例の大規模集積回路の製造方法
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における大規模集積回路
の製造方法の要部構成図を示すものである。第１図にお
いて、１は電気素子、２および３はそれぞれ導体であ
る。電気素子１および導体2,3は集積回路素子10の構成
要素の一部として基材11に設けられている。さらに集積
回路素子10は溶剤４中に置かれている。溶剤４は集積回
路素子10を溶解しないかまたは溶解速度の極めて遅い不
活性原液4aと上記不活性原液4aから集積回路素子10の少
なくとも一部を溶解する機能を持つ生成物を合成する触
媒によって構成されている。電気素子１には導体2,3を
介して電源５より電圧が印加されている。
の製造方法の要部構成図を示すものである。第１図にお
いて、１は電気素子、２および３はそれぞれ導体であ
る。電気素子１および導体2,3は集積回路素子10の構成
要素の一部として基材11に設けられている。さらに集積
回路素子10は溶剤４中に置かれている。溶剤４は集積回
路素子10を溶解しないかまたは溶解速度の極めて遅い不
活性原液4aと上記不活性原液4aから集積回路素子10の少
なくとも一部を溶解する機能を持つ生成物を合成する触
媒によって構成されている。電気素子１には導体2,3を
介して電源５より電圧が印加されている。
第２図は装置の外観を示す上面図である。第２図におい
て、容器６中には溶剤４が満たされていて、その中に集
積回路10が浸されている。集積回路10上の電気素子のう
ち該当するものすべてに電源５より電圧が印加されてい
る。
て、容器６中には溶剤４が満たされていて、その中に集
積回路10が浸されている。集積回路10上の電気素子のう
ち該当するものすべてに電源５より電圧が印加されてい
る。
以上のように構成された大規模集積回路の製造方法につ
いて、以下第３図および第４図を用いてその動作を説明
する。
いて、以下第３図および第４図を用いてその動作を説明
する。
第３図は電気素子１に欠陥があり、短絡電流が流れた場
合を表す説明図である。第４図は溶剤４の温度−反応速
度特性の一例を示す特性図である。短絡電流が流れると
導体２および３は発熱する。導体が発熱すれば溶剤４が
活性化し、導体を溶解し始める。すなわち、まず触媒4b
が活性化し、活性化した触媒4bは不活性原液4aを溶解性
のある生成物4cに変える。一例をあげる。不活性原液4a
をアルコール、触媒4bをある種の酵母、たとえばアセト
バクター アセティ（Acetobacteraceti）とすると、酵
素反応によりアルコールは酢酸に変る。これが溶剤とし
て機能する。この反応は導体が断線しもはや電流が流れ
なくなるまで続く。
合を表す説明図である。第４図は溶剤４の温度−反応速
度特性の一例を示す特性図である。短絡電流が流れると
導体２および３は発熱する。導体が発熱すれば溶剤４が
活性化し、導体を溶解し始める。すなわち、まず触媒4b
が活性化し、活性化した触媒4bは不活性原液4aを溶解性
のある生成物4cに変える。一例をあげる。不活性原液4a
をアルコール、触媒4bをある種の酵母、たとえばアセト
バクター アセティ（Acetobacteraceti）とすると、酵
素反応によりアルコールは酢酸に変る。これが溶剤とし
て機能する。この反応は導体が断線しもはや電流が流れ
なくなるまで続く。
ここで第１図に示される如く導体にチャネル部、すなわ
ち他の部分のよりも細くなった部分を設けておけば、そ
の部分だけを選択的に溶解させることができる。すなわ
ちチャネル部は他の部分よりも抵抗が高く従ってより多
くの発熱するのでその周りには第４図に示されるような
温度分布T1〜T2〜T3〜T4ができる。触媒4bの活性がT1で
ほぼ最大に、T4以下ではほぼゼロになるようにしておけ
ば導体２および３の他の部分に大きな損傷を与えること
なくチャネル部分だけを溶解させることができる。即ち
触媒、特に生物を介した反応は温度依存性が高く、微妙
な温度差でも反応速度が極端に異なる。この性質は配線
ルールの制約等によってチャネルを極端に細くできない
場合等（この場合は顕著な温度分布が得られない）に有
効である。以上のように本実施例によれば、溶剤として
作用しない不活性原液とその不活性原液から溶剤として
作用する生成物を合成する触媒とでもって構成された触
媒中に上記集積回路を浸し、その状態で電気素子に電圧
を印加することにより、短絡箇所近傍の導体を自発的に
切断させることができる。しかも極めて簡単な設備をも
ってそれを実行することができる。
ち他の部分のよりも細くなった部分を設けておけば、そ
の部分だけを選択的に溶解させることができる。すなわ
ちチャネル部は他の部分よりも抵抗が高く従ってより多
くの発熱するのでその周りには第４図に示されるような
温度分布T1〜T2〜T3〜T4ができる。触媒4bの活性がT1で
ほぼ最大に、T4以下ではほぼゼロになるようにしておけ
ば導体２および３の他の部分に大きな損傷を与えること
なくチャネル部分だけを溶解させることができる。即ち
触媒、特に生物を介した反応は温度依存性が高く、微妙
な温度差でも反応速度が極端に異なる。この性質は配線
ルールの制約等によってチャネルを極端に細くできない
場合等（この場合は顕著な温度分布が得られない）に有
効である。以上のように本実施例によれば、溶剤として
作用しない不活性原液とその不活性原液から溶剤として
作用する生成物を合成する触媒とでもって構成された触
媒中に上記集積回路を浸し、その状態で電気素子に電圧
を印加することにより、短絡箇所近傍の導体を自発的に
切断させることができる。しかも極めて簡単な設備をも
ってそれを実行することができる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第５図は本発明の第２の実施例を示す大規模集積回路の
製造方法の要部構成図である。同図において、３は導
体、４は溶剤、５は電源で、以上は第１図の構成と同様
なものである。第１図の構成と異なるのは並列構成にし
た電気素子1a,1bを用い、それぞれ対応するチャネル2a,
2bを有した導体２に接続されていることである。
製造方法の要部構成図である。同図において、３は導
体、４は溶剤、５は電源で、以上は第１図の構成と同様
なものである。第１図の構成と異なるのは並列構成にし
た電気素子1a,1bを用い、それぞれ対応するチャネル2a,
2bを有した導体２に接続されていることである。
上記のように構成された大規模集積回路の製造方法につ
いて、以下その動作を説明する。
いて、以下その動作を説明する。
電気素子1a,1bのどちらか一方に短絡欠陥がある場合、
第１の実施例でのべた過程でチャネル2aまたはチャネル
2bが消失するが、この場合、一方の電気素子に欠陥が無
ければ回路として通常に動作する。ただし両素子は互い
に相補的であるとする。
第１の実施例でのべた過程でチャネル2aまたはチャネル
2bが消失するが、この場合、一方の電気素子に欠陥が無
ければ回路として通常に動作する。ただし両素子は互い
に相補的であるとする。
以上のように、同等の特性を持つ電気素子を並列接続
し、各素子に対してそれぞれチャネルを設けることによ
り、実質的に自己修復機能を持たせることができる。
し、各素子に対してそれぞれチャネルを設けることによ
り、実質的に自己修復機能を持たせることができる。
以下本発明の第３の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第６図は本発明の第２の実施例を示す大規模集積回路の
製造方法の要部構成図である。同図において、10は集積
回路素子、４は溶剤、６は容器である。以上は第１図の
構成と同様なものである。第１図の構成と異なるのは電
源５の代りに光源７を使用していることである。
製造方法の要部構成図である。同図において、10は集積
回路素子、４は溶剤、６は容器である。以上は第１図の
構成と同様なものである。第１図の構成と異なるのは電
源５の代りに光源７を使用していることである。
上記のように構成された大規模集積回路の製造方法につ
いて、以下その動作を説明する。
いて、以下その動作を説明する。
本実施例における触媒4bは光によって活性化するものと
する。光源７でもって集積回路素子10の一部を照射する
と、その付近の不活性原液4aが溶剤4cに変化し集積回路
素子10の一部を溶解させる。光源７の位置合せが必要な
ため先の実施例に比べると処理時間が長くなり、また設
備も大型になるが、光は熱と違い拡散しないので、他の
箇所に全く損傷を与えることなく照射箇所だけを削除す
ることができる。従来例に比べれば、光源７はレーザー
光源に比べると遥かに低出力で良いので、装置は小型に
なる。
する。光源７でもって集積回路素子10の一部を照射する
と、その付近の不活性原液4aが溶剤4cに変化し集積回路
素子10の一部を溶解させる。光源７の位置合せが必要な
ため先の実施例に比べると処理時間が長くなり、また設
備も大型になるが、光は熱と違い拡散しないので、他の
箇所に全く損傷を与えることなく照射箇所だけを削除す
ることができる。従来例に比べれば、光源７はレーザー
光源に比べると遥かに低出力で良いので、装置は小型に
なる。
以上のように、触媒として光活性のものを使用すること
によって他の箇所に全く損傷を与えることなく照射箇所
だけを削除することができる。
によって他の箇所に全く損傷を与えることなく照射箇所
だけを削除することができる。
発明の効果 以上のように本発明は、集積回路素子を溶解しない不活
性原液と上記不活性原液から上記導体を溶解する生成物
を合成する触媒によって構成される溶媒中に上記集積回
路素子を浸すことにより、極めて小規模な設備でしかも
短時間に欠陥部分の削除または修復処理を終えられる大
規模集積回路の製造方法を提供することができる。
性原液と上記不活性原液から上記導体を溶解する生成物
を合成する触媒によって構成される溶媒中に上記集積回
路素子を浸すことにより、極めて小規模な設備でしかも
短時間に欠陥部分の削除または修復処理を終えられる大
規模集積回路の製造方法を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例における大規模集積回路の製
造方法を要部構成図、第２図は本発明の一実施例におけ
る大規模集積回路の製造方法の装置の概観を示す上面
図、第３図と第４図は本発明の動作を示す説明図、第５
図は本発明の第２の実施例における大規模集積回路の製
造方法の要部構成図、第６図は本発明の第３の実施例に
おける大規模集積回路の製造方法の要部構成図、第７
図，第８図は従来の大規模集積回路の製造方法の概念図
である。 １……電気素子、2,3……導体、４……溶剤、4a……不
活性原液、4b……触媒、５……電源、10……集積回路素
子、11……基材。
造方法を要部構成図、第２図は本発明の一実施例におけ
る大規模集積回路の製造方法の装置の概観を示す上面
図、第３図と第４図は本発明の動作を示す説明図、第５
図は本発明の第２の実施例における大規模集積回路の製
造方法の要部構成図、第６図は本発明の第３の実施例に
おける大規模集積回路の製造方法の要部構成図、第７
図，第８図は従来の大規模集積回路の製造方法の概念図
である。 １……電気素子、2,3……導体、４……溶剤、4a……不
活性原液、4b……触媒、５……電源、10……集積回路素
子、11……基材。
Claims (7)
- 【請求項１】基材上に電気素子および上記電気素子に通
電する導体を有する集積回路素子と、上記集積回路素子
を溶解しないかまたは溶解速度の極めて遅い不活性原液
と、上記不活性原液から上記集積回路素子の少なくとも
一部を溶解する生成物を合成する触媒によって構成され
た大規模集積回路の製造方法。 - 【請求項２】触媒を介した反応の速度は温度に依存する
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の大規
模集積回路の製造方法。 - 【請求項３】集積回路素子と溶剤とを接触させ、上記集
積回路素子に通電することを特徴とする特許請求の範囲
第（２）項記載の大規模集積回路の製造方法。 - 【請求項４】電気素子付近の導体は他の部分に比べて十
分細く形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の大規模集積回路の製造方法。 - 【請求項５】電気素子は互いに同等な特性を有す２個以
上の素子を並列に接続したことによって構成されたこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の大規模集
積回路の製造方法。 - 【請求項６】触媒は生命体であることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の大規模集積回路の製造方
法。 - 【請求項７】触媒を介した反応の速度は光に依存するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の大規模
集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23013687A JPH0775233B2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | 大規模集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23013687A JPH0775233B2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | 大規模集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6473640A JPS6473640A (en) | 1989-03-17 |
| JPH0775233B2 true JPH0775233B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=16903145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23013687A Expired - Lifetime JPH0775233B2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | 大規模集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775233B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078059A (en) * | 1992-07-10 | 2000-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication of a thin film transistor and production of a liquid display apparatus |
| EP0592227A3 (en) * | 1992-10-07 | 1995-01-11 | Sharp Kk | Manufacture of a thin film transistor and production of a liquid crystal display device. |
-
1987
- 1987-09-14 JP JP23013687A patent/JPH0775233B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6473640A (en) | 1989-03-17 |
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